CN106986792A

CN106986792A - 新型化合物及其制造方法、产酸剂、抗蚀剂组合物以及抗蚀剂图案形成方法

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Publication number: CN106986792A
Application number: CN201710046671.5A
Authority: CN
Inventors: 羽田英夫; 内海义之; 石塚启太; 松泽贤介; 金子文武; 大下京子; 清水宏明; 吉井靖博
Original assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Current assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date: 2007-12-21
Filing date: 2008-12-18
Publication date: 2017-07-28
Also published as: JP2009167156A; CN101464628B; CN101464628A; JP5186249B2

Abstract

本发明涉及含有在酸的作用下对碱显影液的溶解性发生改变的基材成分(A)和通过曝光来产生酸的产酸剂成分(B)的抗蚀剂组合物，其特征在于，所述产酸剂成分(B)含有由下述通式(b1－1)表示的化合物形成的产酸剂(B1)，式中，R^X是可以具有取代基(但氮原子除外)的烃基；Q²和Q³分别独立地为单键或2价的连接基团；Y¹是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；Z⁺是有机阳离子(但下述通式(w‑1)表示的离子除外)。

Description

新型化合物及其制造方法、产酸剂、抗蚀剂组合物以及抗蚀剂图案形成方法

本申请是200810185226.8的分案申请，原申请的申请日为2008年12月18日，原申请的发明名称为新型化合物及其制造方法、产酸剂、抗蚀剂组合物以及抗蚀剂图案形成方法

技术领域

本发明涉及用作抗蚀剂组合物用产酸剂的新型化合物及其制造方法、产酸剂、抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法、以及能作为用作抗蚀剂组合物用产酸剂的化合物的中间体使用的新型化合物及其制造方法。

本申请要求2007年12月21日在日本提出的特愿2007－330891号、2007年12年21日在日本提出的特愿2007－331163号以及2008年3月6日在日本提出的特愿2008－056880号的优先权，在此引用其内容。

背景技术

在光刻技术中进行如下工序：例如在基板上形成由抗蚀剂材料形成的抗蚀剂膜，用光、电子射线等放射线对该抗蚀剂膜进行选择性曝光，实施显影处理，从而在上述抗蚀剂膜上形成规定形状的抗蚀剂图案。将曝光后的部分向在显影液中溶解的特性转变的抗蚀剂材料称为正型，将曝光后的部分向不溶于显影液的特性转变的抗蚀剂材料称为负型。

近年来，在半导体元件和液晶显示元件的制造中，随着光刻技术的进步，图案的微细化发展迅速。

作为微细化的方法，通常是使曝光光源的波长变短。具体而言，以往采用以g线、i线为代表的紫外线，但现在开始采用KrF准分子激光或ArF准分子激光来进行半导体元件的批量生产。另外，正在研究波长比上述准分子激光短的F₂准分子激光、电子射线、EUV(超紫外线)和X射线等。

伴随着曝光光源的短波长化，谋求抗蚀剂材料相对于曝光光源的灵敏度、能再现微细尺寸的图案的析像度等光刻特性提高。作为满足此要求的抗蚀剂材料，已知有含有在酸的作用下对碱显影液的溶解性发生改变的基材成分和通过曝光来产生酸的产酸剂成分的化学增幅型抗蚀剂。

以往，作为这种化学增幅型抗蚀剂的基材成分，主要采用树脂，例如使用聚羟基苯乙烯(PHS)或其羟基的一部分被酸解离性溶解抑制基保护的树脂等PHS类树脂、由(甲基)丙烯酸酯衍生而来的共聚物或其羧基的一部分被酸解离性溶解抑制基保护的树脂等。

另外，“(甲基)丙烯酸酯”是指α位与氢原子键合的丙烯酸酯和α位与甲基键合的甲基丙烯酸酯中的一方或两方。“(甲基)丙烯酸盐”是指α位与氢原子键合的丙烯酸盐和α位与甲基键合的甲基丙烯酸盐中的一方或两方。“(甲基)丙烯酸”是指α位与氢原子键合的丙烯酸和α位与甲基键合的甲基丙烯酸中的一方或两方。

迄今为止，已提出多种在化学增幅型抗蚀剂中使用的产酸剂，已知的有例如碘鎓盐、锍盐等鎓盐类产酸剂等(例如参照专利文献1)。

专利文献1：日本专利特开2003－241385号公报

作为上述鎓盐类产酸剂，现在一般采用具有全氟烷基磺酸离子作为阴离子部(酸)的鎓盐类产酸剂。

但是，这种鎓盐类产酸剂从其结构上而言对碱显影液的亲和性低，且很难在抗蚀剂膜内均一分布，有可能对析像度等光刻特性造成不良影响。

另外，上述阴离子部的全氟烷基链由于能抑制曝光后的酸的扩散，因此认为越长越好，但碳原子数为6～10的全氟烷基链难以分解。为此，从考虑到生物体蓄积性的操作安全方面出发，使用碳原子数为4以下的全氟烷基磺酸离子、例如壬氟丁烷磺酸离子等。

因此，需求具有比作为抗蚀剂组合物用产酸剂更有用的阴离子部的鎓盐类化合物，与此同时还需要在制造该化合物时有用的中间体。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的发明，其目的在于提供用作抗蚀剂组合物用产酸剂的新型化合物及其制造方法、产酸剂、抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法、以及能作为合成用作抗蚀剂组合物用产酸剂的化合物时的中间体而使用的新型化合物及其制造方法。

为了实现上述目的，本发明采用如下构成。

即，本发明的第1方式是一种抗蚀剂组合物，其是含有在酸的作用下对碱显影液的溶解性发生改变的基材成分(A)和通过曝光来产生酸的产酸剂成分(B)的抗蚀剂组合物，其特征在于，上述产酸剂成分(B)含有由下述通式(b1－1)表示的化合物形成的产酸剂(B1)，

式中，R^X是可以具有取代基的烃基，但取代基不为氮原子；Q²和Q³分别独立地为单键或2价的连接基团；Y¹是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；Z⁺是有机阳离子，但不为下述通式(w-1)表示的离子，

式中，R³～R⁶分别独立地为氢原子或可以具有取代基的烃基，R³～R⁶中的至少1个为上述烃基，R³～R⁶中的至少2个可以分别键合成环。

本发明的第2方式是一种抗蚀剂图案形成方法，其包括：使用上述第1方式的抗蚀剂组合物在支撑体上形成抗蚀剂膜的工序；将上述抗蚀剂膜曝光的工序；以及将上述抗蚀剂膜进行碱显影来形成抗蚀剂图案的工序。

本发明的第3方式是下述通式(b1-1)表示的化合物(以下称为化合物(b1-1))。

[式中，R^X是可以具有取代基的烃基，但取代基不为氮原子；Q²和Q³分别独立地为单键或2价的连接基团；Y¹是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；Z⁺是有机阳离子，但不为下述通式(w-1)表示的离子。]

[式中，R³～R⁶分别独立地为氢原子或可以具有取代基的烃基，R³～R⁶中的至少1个为上述烃基，R³～R⁶中的至少2个可以分别键合成环。]

本发明的第4方式是一种化合物的制造方法，其包括：通过使下述通式(b0-1)表示的化合物(b0-1)与下述通式(b0-02)表示的化合物(b0-02)反应来得到下述通式(b1-1)表示的化合物(b1-1)的工序(以下称为化合物(b1-1)的制造方法)。

Z⁺A^-…(bO-O2)

[式中，R^X是可以具有取代基的烃基，但取代基不为氮原子；Q²和Q³分别独立地为单键或2价的连接基团；Y¹是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；W⁺是碱金属离子或下述通式(w-1)表示的离子；Z⁺是有机阳离子，但不为下述通式(w-1)表示的离子；A^-是非亲核性阴离子。]

本发明的第5方式是一种产酸剂，其由上述第3方式的化合物形成。

本发明的第6方式是一种化合物，其由下述通式(b0-1)表示(以下称为化合物(b0-1))。

[式中，R^X是可以具有取代基的烃基，但取代基不为氮原子；Q²和Q³分别独立地为单键或2价的连接基团；Y¹是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；R³～R⁶分别独立地为氢原子或可以具有取代基的烃基，R³～R⁶中的至少1个为上述烃基，R³～R⁶中的至少2个可以分别键合成环。]

本发明的第7方式是一种化合物的制造方法，其包括：通过使下述通式(1-11)表示的化合物(1-11)、下述通式(1-12)表示的化合物(1-12)与胺或铵盐反应来得到下述通式(b0-1)表示的化合物(b0-1)的工序(以下称为化合物(b0-1)的制造方法(1))。

R^X-Q³-X²¹...(1-12)

[式中，R^X是可以具有取代基的烃基，但取代基不为氮原子；Q²和Q³分别独立地为单键或2价的连接基团；Y¹是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；R³～R⁶分别独立地为氢原子或可以具有取代基的烃基，R³～R⁶中的至少1个为上述烃基，R³～R⁶中的至少2个可以分别键合成环；X²¹为卤原子；M⁺为碱金属离子。]

本发明的第8方式是一种化合物的制造方法，其包括：通过使下述通式(1-21)表示的化合物(1-21)、下述通式(1-12)表示的化合物(1-12)与胺或铵盐反应来得到下述通式(b0-1)表示的化合物(b0-1)的工序(以下称为化合物(b0-1)的制造方法(2))。

R^X-Q³-X²¹…(1-12)

[式中，R^X是可以具有取代基的烃基，但取代基不为氮原子；Q²和Q³分别独立地为单键或2价的连接基团；Y¹是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；R³～R⁶分别独立地为氢原子或可以具有取代基的烃基，R³～R⁶中的至少1个为上述烃基，R³～R⁶中的至少2个可以分别键合成环；R^3’～R^6’分别独立地为氢原子或可以具有取代基的烃基，R^3’～R^6’中的至少1个为上述烃基，R^3’～R^6’中的至少2个可以分别键合成环；X²¹为卤原子。]

本发明的第9方式是一种化合物，其是由下述通式(1-21)表示的化合物(1-21)。

[式中，Q²是单键或2价的连接基团；Y¹是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；R^3’～R^6’分别独立地为氢原子或可以具有取代基的烃基，R^3’～R^6’中的至少1个为上述烃基，R^3’～R^6’中的至少2个可以分别键合成环。]

本发明的第10方式是一种化合物的制造方法，其包括：通过使下述通式(1-11)表示的化合物(1-11)与铵盐反应来得到下述通式(1-21)表示的化合物(1-21)的工序(以下称为化合物(1-21)的制造方法)。

[式中，Q²是单键或2价的连接基团；Y¹是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；R^3’～R^6’分别独立地为氢原子或可以具有取代基的烃基，R^3’～R^6’中的至少1个为上述烃基，R^3’～R^6’中的至少2个可以分别键合成环；M⁺为碱金属离子。]

本发明的第11方式是一种化合物的制造方法，其包括：通过使下述通式(1-13)表示的化合物(1-13)与铵盐反应来得到下述通式(1-14)表示的化合物(1-14)的工序(以下称为化合物(1-14)的制造方法)。

[式中，R^c是可以具有取代基的烃基，但取代基不为氮原子；Q⁴是单键或2价的连接基团；n为0或1；Y¹是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；R^3’～R^6’分别独立地为氢原子或可以具有取代基的烃基，R^3’～R^6’中的至少1个为上述烃基，R^3’～R^6’中的至少2个可以分别键合成环；M⁺为碱金属离子。]

在本说明书和权利要求书中，“脂肪族”是与芳香族相对的概念，定义为不具有芳香性的基团、化合物等。

“亚烷基”在没有特殊说明的情况下，包括直链状、支链状和环状的2价饱和烃基。

“烷基”在没有特殊说明的情况下，包括直链状、支链状和环状的1价饱和烃基。“低级烷基”是碳原子数为1～5的烷基。

“结构单元”是指构成树脂成分(聚合物)的单体单元(单体单元)。

“曝光”的概念包括所有的放射线照射。

根据本发明，可提供用作抗蚀剂组合物用产酸剂的新型化合物及其制造方法、产酸剂、抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法、以及能作为合成用作抗蚀剂组合物用产酸剂的化合物时的中间体而使用的新型化合物及其制造方法。

具体实施方式

《化合物(b0-1)》

首先，对本发明的第6方式的化合物(b0-1)进行说明。

本发明的第6方式的化合物(b0-1)是以上述通式(b0-1)表示的化合物。

式(b0-1)中，R^X的烃基可以是芳香族烃基，也可以是脂肪族烃基。

R^X的芳香族烃基是具有芳环的烃基，该芳香族烃基的碳原子数优选为3～30，进一步优选为5～30，更优选为5～20，特别优选为6～15，最优选为6～12。但该碳原子数不包括取代基中的碳原子数。

作为芳香族烃基，具体可以列举苯基、联苯(biphenyl)基、芴(fluorenyl)基、萘基、蒽(anthryl)基、菲基等由芳香烃环除去1个氢原子而得到的芳基、苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等芳基烷基等。上述芳基烷基中的烷基链的碳原子数优选为1～4，进一步优选为1～2，特别优选为1。

该芳香族烃基可以具有取代基。例如构成该芳香族烃基所具有的芳环的碳原子的一部分可以被杂原子取代，键合于该芳香族烃基所具有的芳环的氢原子也可以被取代基取代。

作为前者的例子，可以列举构成上述芳基的环的碳原子的一部分被氧原子、硫原子等杂原子(但氮原子除外)取代得到的杂芳基、构成上述芳基烷基中的芳香烃环的碳原子的一部分被上述杂原子取代得到的杂芳基烷基等。

作为后者的例子中的芳香族烃基的取代基，可以列举例如烷基、烷氧基、卤原子、卤代烷基、羟基、氧原子(＝O)等。

关于作为上述芳香族烃基的取代基的烷基，优选碳原子数为1～5的烷基，最优选甲基、乙基、丙基、正丁基、叔丁基。

关于作为上述芳香族烃基的取代基的烷氧基，优选碳原子数为1～5的烷氧基，进一步优选甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、叔丁氧基，最优选甲氧基、乙氧基。

关于作为上述芳香族烃基的取代基的卤原子，可以列举氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，优选氟原子。

关于作为上述芳香族烃基的取代基的卤代烷基，可以列举上述烷基的氢原子的一部分或全部被上述卤原子取代而得到的基团。

R^X的脂肪族烃基可以是饱和脂肪族烃基，也可以是不饱和脂肪族烃基。脂肪族烃基可以是直链状、支链状、环状中的任一种。

关于R^X的脂肪族烃基，可以是构成该脂肪族烃基的碳原子的一部分被含有杂原子(但氮原子除外)的取代基取代，也可以是构成该脂肪族烃基的氢原子的一部分或全部被含有杂原子(但氮原子除外)的取代基取代。

作为R^X中的“杂原子”，只要是碳原子、氢原子以及氮原子以外的原子即可，没有特殊限制，可以列举例如卤原子、氧原子、硫原子等。

作为卤原子，可以列举氟原子、氯原子、碘原子、溴原子等。

含有杂原子(但氮原子除外)的取代基可以是仅由上述杂原子形成的取代基，也可以是含有上述杂原子以外的基团或原子的基团。

作为取代一部分碳原子的取代基，具体可以列举例如-O-、-C(＝O)-O-、-C(＝O)-、-O-C(＝O)-O-、-S-、-S(＝O)₂-、-S(＝O)₂-O-等。当脂肪族烃基为环状时，也可以在环结构中含有这些取代基。

作为取代一部分或全部氢原子的取代基，具体可以列举例如烷氧基、卤原子、卤代烷基、羟基、氧原子(＝O)等。

作为上述烷氧基，优选碳原子数为1～5的烷氧基，进一步优选甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、叔丁氧基，最优选甲氧基、乙氧基。

作为上述卤原子，可以列举氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，优选氟原子。

作为上述卤代烷基，可以列举碳原子数为1～5的烷基，例如甲基、乙基、丙基、正丁基、叔丁基等烷基的氢原子的一部分或全部被上述卤原子取代而得到的基团。

作为脂肪族烃基，优选直链状或支链状的饱和烃基、直链状或支链状的1价不饱和烃基、或环状的脂肪族烃基(脂环基)。

作为直链状的饱和烃基(烷基)，优选碳原子数为1～20，进一步优选为1～15，最优选为1～10。具体而言，可以列举例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、异十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、异十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基、二十一烷基、二十二烷基等。

作为支链状的饱和烃基(烷基)，优选碳原子数为3～20，进一步优选为3～15，最优选为3～10。具体而言，可以列举例如1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等。

作为不饱和烃基，优选碳原子数为2～10，进一步优选为2～5，更优选为2～4，特别优选为3。作为直链状的1价不饱和烃基，可以列举例如乙烯基、丙烯基(烯丙基)、丁烯基等。作为支链状的1价不饱和烃基，可以列举例如1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基等。

上述不饱和烃基中特别优选丙烯基。

作为脂环基，可以是单环基，也可以是多环基。其碳原子数优选为3～30，进一步优选为5～30，更优选为5～20，特别优选为6～15，最优选为6～12。

具体而言，可以列举例如由单环烷除去1个以上的氢原子而得到的基团；由双环烷、三环烷、四环烷等多环烷除去1个以上氢原子得到的基团等。更具体而言，可以列举例如由环戊烷、环己烷等单环烷除去1个以上的氢原子而得到的基团；由金刚烷、降冰片烷、异冰片烷、三环癸烷、四环十二烷等多环烷除去1个以上氢原子而得到的基团等。

当脂环基在其环结构中不具有含杂原子的取代基时，作为脂环基，优选多环基，进一步优选由多环烷除去1个以上氢原子而得到的基团，最优选由金刚烷除去1个以上氢原子而得到的基团。

当脂环基在其环结构中具有含杂原子的取代基时，作为该含杂原子的取代基，优选-O-、-C(＝O)-O-、-S-、-S(＝O)₂-、-S(＝O)₂-O-。作为所述脂环基的具体例子，可以列举例如下式(L1)～(L5)、(S1)～(S4)等。

[式中，Q”是碳原子数为1～5的亚烷基、-O-、-S-、-O-R⁹⁴-或-S-R⁹⁵-，R⁹⁴和R⁹⁵分别独立地是碳原子数为1～5的亚烷基，m是0或1的整数。]

作为Q”的亚烷基，可以列举与上述R¹的亚烷基相同的基团。

作为R⁹⁴和R⁹⁵的亚烷基，可以列举与上述R¹的亚烷基相同的基团。

关于这些脂环基，键合于构成其环结构的碳原子上的氢原子的一部分可以被取代基取代。作为该取代基，可以列举例如烷基、烷氧基、卤原子、卤代烷基、羟基、氧原子(＝O)等。

作为上述烷基，优选碳原子数为1～5的烷基，特别优选甲基、乙基、丙基、正丁基、叔丁基。

关于上述烷氧基、卤原子，分别可以列举与作为取代上述氢原子的一部分或全部的取代基而列举的基团相同的基团。

在本发明中，作为R^X，优选可以具有取代基的直链状烷基、或可以具有取代基的环式基。作为该环式基，可以是可以具有取代基的芳香族烃基，也可以是可以具有取代基的脂环基，进一步优选可以具有取代基的脂环基。

作为上述芳香族烃基，优选可以具有取代基的萘基或可以具有取代基的苯基。

作为可以具有取代基的脂环基，优选可以具有取代基的多环式脂环基。作为该多环式脂环基，优选由上述多环烷除去1个以上氢原子而得到的基团、上述(L2)～(L5)、(S3)～(S4)等，其中优选金刚烷基。

Q²和Q³分别独立地为单键或2价的连接基团。

作为2价的连接基团，可以列举例如亚烷基、含杂原子的基团(以下称为含杂原子的连接基团)等。

含杂原子的连接基团中的“杂原子”是指碳原子和氢原子以外的原子，可以列举例如氧原子、硫原子、氮原子等。

关于作为2价连接基团的亚烷基，可以是直链状，也可以是支链状。该亚烷基的碳原子数优选为1～12，进一步优选为1～5，特别优选为1～3。

作为该亚烷基，具体可以列举例如亚甲基[-CH₂-]；-CH(CH₃)-、-CH(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)₂-、-C(CH₃)(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)(CH₂CH₂CH₃)-、-C(CH₂CH₃)₂-等烷基亚甲基；亚乙基[-CH₂CH₂-]；-CH(CH₃)CH₂-、-CH(CH₃)CH(CH₃)-、-C(CH₃)₂CH₂-、-CH(CH₂CH₃)CH₂-等烷基亚乙基；三亚甲基(正亚丙基)[-CH₂CH₂CH₂-]；-CH(CH₃)CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂-等烷基三亚甲基；四亚甲基[-CH₂CH₂CH₂CH₂-]；-CH(CH₃)CH₂CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂CH₂-等烷基四亚甲基；五亚甲基[-CH₂CH₂CH₂CH₂CH₂-]等。

作为含杂原子的连接基团，可以列举例如氧原子(醚键；-O-)、硫原子(硫醚键；-S-)、-NH-键(H可以被烷基、酰基等取代基取代)、酯键(-C(＝O)-O-)、酰胺键(-C(＝O)-NH-)、羰基(-C(＝O)-)、碳酸酯键(-O-C(＝O)-O-)等非烃类含杂原子的连接基团；该非烃类含杂原子的连接基团与上述亚烷基的组合物。作为该组合物，可以列举例如-R⁹¹-O-、-R⁹²-O-C(＝O)-、-C(＝O)-O-R⁹³-(式中R⁹¹～R⁹³分别独立地为亚烷基)等或它们的组合物。作为上式中R⁹¹～R⁹³的亚烷基，可以列举与作为上述2价连接基团而列举的亚烷基相同的基团。

作为Q²，优选羰基、单键、-R⁹²-O-C(＝O)-。

作为Q³，优选单键、亚烷基、羰基。

特别优选Q²为羰基且Q³为单键、或Q²为单键且Q³为亚烷基、或Q²为-R⁹²-O-C(＝O)-且Q³为羰基。

式(b0-1)中，Y¹是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基。

作为Y¹的亚烷基，可以列举与作为上述2价连接基团而列举的亚烷基中碳原子数为1～4的亚烷基相同的基团。作为氟代亚烷基，可以列举该亚烷基的氢原子的一部分或全部被氟原子取代得到的基团。

作为Y¹，具体可以列举－CF₂－、－CF₂CF₂－、－CF₂CF₂CF₂－、－CF(CF₃)CF₂－、－CF(CF₂CF₃)－、－C(CF₃)₂－、－CF₂CF₂CF₂CF₂－、－CF(CF₃)CF₂CF₂－、－CF₂CF(CF₃)CF₂－、－CF(CF₃)CF(CF₃)－、－C(CF₃)₂CF₂－、－CF(CF₂CF₃)CF₂－、－CF(CF₂CF₂CF₃)－、－C(CF₃)(CF₂CF₃)－；－CHF－、－CH₂CF₂－、－CH₂CH₂CF₂－、－CH₂CF₂CF₂－、－CH(CF₃)CH₂－、－CH(CF₂CF₃)－、－C(CH₃)(CF₃)－、－CH₂CH₂CH₂CF₂－、－CH₂CH₂CF₂CF₂－、－CH(CF₃)CH₂CH₂－、－CH₂CH(CF₃)CH₂－、－CH(CF₃)CH(CF₃)－、－C(CF₃)₂CH₂－；－CH₂－、－CH₂CH₂－、－CH₂CH₂CH₂－、－CH(CH₃)CH₂－、－CH(CH₂CH₃)－、－C(CH₃)₂－、－CH₂CH₂CH₂CH₂－、－CH(CH₃)CH₂CH₂－、－CH₂CH(CH₃)CH₂－、－CH(CH₃)CH(CH₃)－、－C(CH₃)₂CH₂－、－CH(CH₂CH₃)CH₂－、－CH(CH₂CH₂CH₃)－、－C(CH₃)(CH₂CH₃)－等。

作为Y¹，优选氟代亚烷基，特别优选键合于相邻的硫原子的碳原子被氟取代的氟代亚烷基。作为这样的氟代亚烷基，可以列举－CF₂－、－CF₂CF₂－、－CF₂CF₂CF₂－、－CF(CF₃)CF₂－、－CF₂CF₂CF₂CF₂－、－CF(CF₃)CF₂CF₂－、－CF₂CF(CF₃)CF₂－、－CF(CF₃)CF(CF₃)－、－C(CF₃)₂CF₂－、－CF(CF₂CF₃)CF₂－；－CH₂CF₂－、－CH₂CH₂CF₂－、－CH₂CF₂CF₂－；－CH₂CH₂CH₂CF₂－、－CH₂CH₂CF₂CF₂－、－CH₂CF₂CF₂CF₂－等。

其中，优选－CF₂－、－CF₂CF₂－、－CF₂CF₂CF₂－或CH₂CF₂CF₂－，进一步优选－CF₂－、－CF₂CF₂－或－CF₂CF₂CF₂－，特别优选－CF₂－。

式(b0-1)中，R³～R⁶分别独立地为氢原子或可以具有取代基的烃基，R³～R⁶中的至少1个为上述烃基。

作为R³～R⁶的烃基，可以列举与上述R^X相同的基团。

该烃基可以是脂肪族烃基，也可以是芳香族烃基。当该烃基为脂肪族烃基时，作为该脂肪族烃基，特别优选可以具有取代基的碳原子数为1～12的烷基。

作为该烃基可以具有的取代基，可以列举与作为上述R^X的烃基可以具有的取代基而列举的基团相同的基团，特别优选羟基。另外，还可以具有含氮原子的取代基例如氮原子、氰基(-CN)、氨基(-NH₂)、酰胺基(-NH-C(＝O)-)等。

R³～R⁶中至少1个为所述烃基，优选2个或3个为所述烃基。

R³～R⁶中的至少2个可以分别键合成环。例如，可以是R³～R⁶中的2个键合形成1个环，也可以是R³～R⁶中的3个键合形成1个环，还可以是R³～R⁶中的各2个分别键合形成2个环。

作为R³～R⁶中的至少2个分别键合并与式中的氮原子一起形成的环(含氮原子作为杂原子的杂环)，可以是脂肪族杂环，也可以是芳香族杂环。另外，该杂环可以是单环，也可以是多环。

作为式(b0-1)中的阳离子部(N⁺(R³)(R⁴)(R⁵)(R⁶))的具体例子，可以列举由胺衍生而来的铵离子。

这里，“由胺衍生而来的铵离子”是指胺的氮原子与氢原子键合形成的阳离子、胺的氮原子与一个取代基键合形成的季铵离子。

衍生上述铵离子的胺可以是脂肪族胺，也可以是芳香族胺。

作为脂肪族胺，特别优选氨NH₃的氢原子的至少1个被碳原子数为12以下的烷基或羟烷基取代得到的胺(烷基胺或烷基醇胺)或环胺。

作为烷基胺和烷基醇胺的具体例子，可以列举正己基胺、正庚基胺、正辛基胺、正壬基胺、正癸基胺等一烷基胺；二乙基胺、二正丙基胺、二正庚基胺、二正辛基胺、二环己基胺等二烷基胺；三甲基胺、三乙基胺、三正丙基胺、三正丁基胺、三正己基胺、三正戊基胺、三正庚基胺、三正辛基胺、三正壬基胺、三正癸基胺、三正十二烷基胺等三烷基胺；二乙醇胺、三乙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、二正辛醇胺、三正辛醇胺等烷基醇胺。

作为环胺，可以列举例如含有氮原子作为杂原子的杂环化合物。作为该杂环化合物，可以是单环化合物(脂肪族单环胺)，也可以是多环化合物(脂肪族多环胺)。

作为脂肪族单环胺，具体可以列举哌啶、哌嗪等。

作为脂肪族多环胺，优选碳原子数为6～10的脂肪族多环胺，具体可以列举1，5-重氮双环[4.3.0]-5-壬烯、1，8-重氮双环[5.4.0]-7-十一碳烯、六亚甲基四胺、1，4-重氮双环[2.2.2]辛烷等。

作为芳香族胺，可以列举苯胺、吡啶、4-二甲基氨基吡啶(DMAP)、吡咯、吲哚、吡唑、咪唑等。

作为季铵离子，可以列举四甲基铵离子、四乙基铵离子、四丁基铵离子等。

在本发明中，作为式(b0-1)中的阳离子部(N⁺(R³)(R⁴)(R⁵)(R⁶))，特别优选R³～R⁶中至少1个为烷基且至少1个为氢原子的阳离子部。

其中，优选R³～R⁶中的3个为烷基且剩余1个为氢原子的阳离子(三烷基铵离子)或R³～R⁶中的2个为烷基且剩余1个为氢原子的阳离子(二烷基铵离子)。

三烷基铵离子或二烷基铵离子中的烷基分别独立地优选碳原子数为1～10，进一步优选为1～8，最优选为1～5。具体可以列举例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等。其中最优选乙基。

在本发明中，化合物(b0-1)优选为下述通式(b0-1-1)表示的化合物，特别优选为下述通式(b0-1-11)或(b0-1-12)表示的化合物。

[式中，R^X、Q³、Y¹、R³～R⁶分别与上述通式(b0-1)中的R^X、Q³、Y¹、R³～R⁶相同，n为0或1。]

[式中，n、Y¹、R³～R⁶分别与上述通式(b0-1-1)中的n、Y¹、R³～R⁶相同，R¹是亚烷基，R^b和R^c分别独立地为可以具有取代基(但氮原子除外)的烃基，Q⁴是单键或亚烷基。]

式(b0-1-11)中，作为R^b，可以列举与上述R^X相同的基团，优选可以具有取代基的直链状或支链状的饱和烃基、可以具有取代基的脂环基、或可以具有取代基的芳香族烃基。其中，优选直链状的饱和烃基或可以具有取代基的脂环基。

作为R¹的亚烷基，优选直链状或支链状的亚烷基，该亚烷基的碳原子数优选为1～12，进一步优选为1～5，特别优选为1～3。作为具体例子，可以列举与作为上述2价连接基团而列举的亚烷基相同的基团。

作为式(b0-1-12)中的R^c，可以列举与上述R^X相同的基团，优选可以具有取代基的脂环基或可以具有取代基的芳香族烃基。其中，优选在其环结构中具有含杂原子的取代基的脂环基。

作为Q⁴的亚烷基，可以列举与作为上述2价连接基团而列举的亚烷基相同的基团。

n优选为1。

作为化合物(b0-1)，特别优选下述通式(b0-1-21)～(b0-1-22)、(b0-1-31)～(b0-1-35)表示的化合物。

[式中，d、e、f分别独立地为1～10的整数，p为1～3的整数，q1～q2分别独立地为1～5的整数，r1为0～3的整数，g为1～20的整数，R⁷为取代基。]

[式中，Q”、d、e、f、p分别与上述相同，n1～n3分别独立地为0或1，v1～v5分别独立地为0～3的整数，w1～w5分别独立地为0～3的整数，R⁷为取代基。]

作为R⁷的取代基，可以列举在上述R^X中作为脂肪族烃基可以具有的取代基、芳香族烃基可以具有的取代基而列举的基团相同的基团。

当R⁷所带的符号(r1、w1～w5)为2以上的整数时，该化合物中的多个R⁷分别可以相同，也可以不同。

本发明的化合物(b0-1)是新型化合物。

本发明的化合物(b0-1)能作为在合成用作抗蚀剂组合物用产酸剂的化合物(特别是本发明的第3方式的化合物(b1-1))时的中间体而使用。

本发明的化合物(b0-1)例如可以采用后述的本发明第7方式的化合物(b0-1)制造方法(1)或本发明第8方式的化合物(b0-1)制造方法(2)来制造。

《化合物(b0-1)的制造方法(1)》

接着，对本发明第7方式的化合物(b0-1)制造方法(1)进行说明。

本发明的化合物(b0-1)的制造方法(1)包括：通过使下述通式(1-11)表示的化合物(1-11)、下述通式(1-12)表示的化合物(1-12)与胺或铵盐反应来得到下述通式(b0-1)表示的化合物(b0-1)。

R^X-Q³-X²¹...(1-12)

[式中，R^X、Q²、Q³、Y¹、R³～R⁶分别与上述通式(b0-1)中的R^X、Q²、Q³、Y¹、R³～R⁶相同；X²¹为卤原子；M⁺为碱金属离子。]

作为式(1-11)中的M⁺，可以列举钠离子、钾离子、锂离子等。

作为化合物(1-11)，可以使用市售的化合物，也可以合成。

例如，当化合物(1-11)为式(1-11)中的Q²是羰基的化合物(以下称为化合物(1-11-1))时，可以列举包括通过将下述通式(0-1)表示的化合物(0-1)在碱的存在下加热、中和得到下述通式(0-2)表示的化合物(0-2)的工序(以下称为盐形成工序)和将上述化合物(0-2)在酸强度高于化合物(1-11-1)的酸的存在下加热而得到化合物(1-11-1)的工序(以下称为羧酸化工序)的方法。

[式中，R⁰¹为烷基，Y¹、M⁺同上。]

作为R⁰¹的烷基，优选直链状或支链状的烷基，具体可以列举甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、辛戊基等。

其中，优选碳原子数为1～4的烷基，最优选甲基。

作为化合物(0-1)，可以使用市售品。

关于盐形成工序，例如可以通过将化合物(0-1)在溶剂中溶解、在该溶液中加碱、加热来实施。

作为溶剂，只要是能溶解化合物(0-1)的溶剂即可，可以列举例如水、四氢呋喃等。

作为碱，使用与式(0-2)中的M相对应的碱，作为该碱，可以列举氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂等碱金属氢氧化物。

关于碱的用量，相对于化合物(0-1)1摩尔，优选为1～5摩尔，进一步优选为2～4摩尔。

加热温度优选为20～120℃左右，进一步优选为50～100℃左右。加热时间根据加热温度等而各异，通常优选0.5～12小时，进一步优选1～5小时。

关于上述加热后的中和，可以通过在上述加热后的反应液中添加盐酸、硫酸、对甲苯磺酸等酸来实施。

此时，优选使酸添加后的反应液的pH(25℃)为6～8来实施中和。中和时的反应液的温度优选为20～30℃，进一步优选为23～27℃。

反应结束后，可以对反应液中的化合物(0-2)进行分离、精制。分离、精制可以利用现有公知的方法，例如浓缩、溶剂提取、蒸馏、结晶、重结晶、色谱法等，可以单独使用它们中的任一种，或2种以上组合使用。

在羧酸化工序中，通过将在上述盐形成工序中得到的化合物(0-2)在酸强度高于化合物(1-11-1)的酸的存在下加热来得到该化合物(1-11-1)。

“酸强度高于化合物(1-11-1)的酸(以下有时简称为强酸)”是指pKa(25℃)的值小于化合物(1-11-1)中的-COOH的酸。通过使用所述强酸，化合物(0-2)中的-COO^-M⁺变为-COOH，得到化合物(1-11-1)。

作为强酸，可以从公知的酸中适当选择使用pKa小于上述化合物(1-11-1)中的-COOH的pKa的酸。化合物(1-11-1)中的-COOH的pKa可以用公知的滴定法来求得。

作为强酸，具体可以列举芳基磺酸、烷基磺酸等磺酸、硫酸、盐酸等。作为芳基磺酸，可以列举例如对甲苯磺酸。作为烷基磺酸，可以列举例如甲磺酸、三氟甲磺酸等。作为强酸，从对有机溶剂的溶解性以及精制容易性的观点出发，特别优选对甲苯磺酸。

关于羧酸化工序，例如可以通过将化合物(0-2)溶解在溶剂中、加强酸后加热来实施。

作为溶剂，只要是能溶解化合物(0-2)的溶剂即可，可以列举例如乙腈、甲乙酮等。

关于强酸的用量，相对于化合物(0-2)1摩尔，优选为0.5～3摩尔，进一步优选为1～2摩尔。

加热温度优选为20～150℃左右，进一步优选为50～120℃左右。加热时间根据加热温度等而各异，通常优选0.5～12小时，进一步优选1～5小时。

反应结束后，可以对反应液中的化合物(1-11-1)进行分离、精制。分离、精制可以利用现有公知的方法，例如浓缩、溶剂提取、蒸馏、结晶、重结晶、色谱法等，可以单独使用它们中的任一种，或2种以上组合使用。

例如，当化合物(1-11)为式(1-11)中的Q²为-R¹-O-C(＝O)-(式中，R¹与上述R⁹²同样，为亚烷基)的化合物(以下称为化合物(1-11-2))时，可以列举包括通过使下述通式(0-3)表示的化合物(0-3)与上述化合物(1-11-1)反应来得到化合物(1-11-2)的工序的方法。

HO-R¹-O-R²…(0-3)

[式中，R¹为亚烷基；R²为可以具有芳香基作为取代基的脂肪基，Y¹为碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；M⁺为碱金属离子。]

使化合物(0-3)与化合物(1-11-1)反应的方法没有特殊限制，例如可以通过在溶剂中将化合物(0-3)与化合物(1-11-1)混合、溶解、加热来实施。

作为溶剂，可以列举例如甲苯、二氯苯、1，2-二氯乙烷、1，3-二氯丙烷等。

作为加热温度(反应温度)，优选20～140℃左右，进一步优选为60～130℃左右。加热时间根据加热温度等而各异，通常优选为1～72小时，进一步优选为6～48小时。

上述反应可以在酸性催化剂的存在下进行。作为酸性催化剂，没有特殊限制，可以列举例如芳基磺酸、烷基磺酸等磺酸、硫酸、盐酸等。作为芳基磺酸，可以列举例如对甲苯磺酸。作为烷基磺酸，可以列举例如甲磺酸、三氟甲磺酸等。可以单独使用它们中的任一种，也可以2种以上合用。作为酸性催化剂，从对有机溶剂的溶解性和精制容易性的观点出发，特别优选对甲苯磺酸。

关于酸性催化剂的用量，相对于化合物(1-11-1)1摩尔，优选为0.1～2摩尔，进一步优选为0.1～1摩尔。

反应结束后，可以对反应液中的化合物(1-11-2)进行分离、精制。分离、精制可以利用现有公知的方法，例如浓缩、溶剂提取、蒸馏、结晶、重结晶、色谱法等，可以单独使用它们中的任一种，或2种以上组合使用。

作为式(1-12)中的X²¹的卤原子，可以列举溴原子、氯原子、碘原子、氟原子等，从反应性优异的观点出发，优选溴原子或氯原子。

作为化合物(1-12)，可以使用市售品。

作为胺或铵盐，可以使用与式(b0-1)中的阳离子部(N⁺(R³)(R⁴)(R⁵)(R⁶))对应的物质。作为该胺的具体例子，可以列举上述作为衍生铵离子的胺而列举的烷基胺、二烷基胺、三烷基胺、芳香族胺等。作为铵盐的具体例子，可以列举四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵等季铵盐等。

作为使化合物(1-11)、化合物(1-12)与胺或铵盐反应的方法，没有特殊限制，可以列举例如在反应溶剂中使化合物(1-11)、化合物(1-12)与胺或铵盐接触的方法。该方法例如可以通过在反应溶剂中溶解化合物(1-11)而得到的溶液中添加化合物(1-12)和胺或季铵化合物来实施。

作为反应溶剂，只要能溶解化合物(1-11)和化合物(1-12)即可，具体可以列举四氢呋喃(THF)、丙酮、二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜(DMSO)、乙腈等。

关于化合物(1-12)的添加量，相对于化合物(1-11)，优选约为1～3当量，进一步优选1～2当量。

关于胺或季铵化合物的添加量，相对于化合物(1-11)，优选约为1～3当量，进一步优选1～2当量。

反应温度优选为-20～40℃，进一步优选为0～30℃。反应时间根据化合物(1-11)和化合物(1-12)的反应性和反应温度等而各异，通常优选为1～120小时，进一步优选为1～48小时。

反应结束后，可以对反应液中的化合物(b0-1)进行分离、精制。分离、精制可以利用现有公知的方法，例如洗涤、浓缩、溶剂提取、蒸馏、结晶、重结晶、色谱法等，可以单独使用它们中的任一种，或2种以上组合使用。

在本发明中，化合物(b0-1)具有N⁺(R³)(R⁴)(R⁵)(R⁶)作为阳离子部，由于难溶于水，因此可以通过水洗来进行精制。

得到的化合物(b0-1)的结构可以通过¹H-核磁共振(NMR)谱法、¹³C-NMR谱法、¹⁹F-NMR谱法、红外线吸收(IR)谱法、质谱(MS)法、元素分析法、X射线结晶衍射法等一般的有机分析方法来确认。

《化合物(b0-1)的制造方法(2)、化合物(1-21)》

接着，对本发明第8方式的化合物(b0-1)制造方法(2)以及本发明地9方式的化合物(1-21)进行说明。

本发明的化合物(b0-1)的制造方法(2)包括通过使下述通式(1-21)表示的化合物(1-21)、下述通式(1-12)表示的化合物(1-12)与胺或铵盐反应来得到下述通式(b0-1)表示的化合物(b0-1)的工序。

R^X-Q³-X²¹...(1-12)

[式中，R^X、Q²、Q³、Y¹、R³～R⁶分别与上述通式(b0-1)中的R^X、Q²、Q³、Y¹、R³～R⁶相同；R^3’～R^6’分别独立地为氢原子或可以具有取代基的烃基，R^3’～R^6’中的至少1个为上述烃基，R^3’～R^6’中的至少2个可以分别键合而成环；X²¹为卤原子。]

作为式(1-21)中的R^3’～R^6’，分别可以列举与上述R³～R⁶相同的基团。

在本制造方法(2)中，式(1-21)中的阳离子部(N⁺(R^3’)(R^4’)(R^5’)(R^6’))与式(b0-1)中的阳离子部(N⁺(R³)(R⁴)(R⁵)(R⁶))可以相同，也可以不同，考虑到工序的简化等，优选相同。

关于使化合物(1-21)、化合物(1-12)与胺或铵盐反应的工序，除了将上述制造方法(1)中的化合物(1-11)用化合物(1-21)代替以外可以用与上述制造方法(1)相同的方法来实施。

在本制造方法(2)中作为初始物质使用的化合物(1-21)是新型的化合物。

化合物(1-21)例如可以使用后述的化合物(1-21)的制造方法来制造。

《化合物(1-21)的制造方法》

接着，对本发明第10方式的化合物(1-21)的制造方法进行说明。

本发明的化合物(1-21)的制造方法包括通过使下述通式(1-11)表示的化合物(1-11)与铵盐反应来得到下述通式(1-21)表示的化合物(1-21)的工序。

式中，Q²、Y¹、R^3’～R^6’、M⁺分别同上。

作为铵盐，可以列举上述烷基胺、二烷基胺、三烷基胺以及芳香族胺的盐酸盐或溴酸盐等。

关于化合物(1-11)与铵盐的反应，可以与现有公知的盐置换方法同样地来实施。例如，将化合物(1-11)与铵盐溶于水、二氯甲烷、乙腈、甲醇、氯仿等溶剂中，通过搅拌等使其反应。

反应温度优选为0℃～150℃左右，进一步优选为0℃～100℃左右。反应时间根据化合物(1-11)以及铵盐的反应性及反应温度等而各异，通常优选为0.5～10小时，进一步优选为1～5小时。

反应结束后，可以对反应液中的化合物(1-21)进行分离、精制。分离、精制可以利用现有公知的方法，例如浓缩、溶剂提取、蒸馏、结晶、重结晶、色谱法等，可以单独使用它们中的任一种，或2种以上组合使用。

得到的化合物(1-21)的结构可以通过¹H-核磁共振(NMR)谱法、¹³C-NMR谱法、¹⁹F-NMR谱法、红外线吸收(IR)谱法、质谱(MS)法、元素分析法、X射线结晶衍射法等通常的有机分析方法来确认。

《化合物(1-14)的制造方法》

接着，对本发明第11方式的化合物(1-14)制造方法进行说明。

本发明的化合物(1-14)的制造方法包括通过使下述通式(1-13)表示的化合物(1-13)与铵盐反应来得到下述通式(1-14)表示的化合物(1-14)的工序。

[式中，R^c为可以具有取代基的烃基，但取代基不为氮原子；Q⁴是单键或2价的连接基团；n为0或1；Y¹是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；R^3’～R^6’分别独立地为氢原子或可以具有取代基的烃基，R^3’～R^6’中的至少1个为上述烃基，R^3’～R^6’中的至少2个可以分别键合成环；M⁺为碱金属离子。]

式中，R^c、Q⁴、n、Y¹、R^3’～R^6’、M⁺分别同上。

关于化合物(1-13)与铵盐的反应，可以与现有公知的盐置换方法同样地来实施。例如，将化合物(1-13)与铵盐溶于水、二氯甲烷、乙腈、甲醇、氯仿等溶剂中，通过搅拌等使其反应。

反应温度优选为0℃～150℃左右，进一步优选为0℃～100℃左右。反应时间根据化合物(1-13)以及铵盐的反应性及反应温度等而各异，通常优选为0.5～10小时，进一步优选为1～5小时。

反应结束后，可以对反应液中的化合物(1-14)进行分离、精制。分离、精制可以利用现有公知的方法，例如洗涤、浓缩、溶剂提取、蒸馏、结晶、重结晶、色谱法等，可以单独使用它们中的任一种，或2种以上组合使用。

在本发明中，化合物(1-14)具有N⁺(R^3’)(R^4’)(R^5’)(R^6’)作为阳离子部，由于难溶于水，因此可以通过水洗来进行精制。

得到的化合物(1-14)的结构可以通过¹H-核磁共振(NMR)谱法、¹³C-NMR谱法、¹⁹F-NMR谱法、红外线吸收(IR)谱法、质谱(MS)法、元素分析法、X射线结晶衍射法等通常的有机分析方法来确认。

《化合物(b0-1)的用途》

如上所述，本发明的化合物(b0-1)是新型化合物，能作为合成用作抗蚀剂组合物用产酸剂的化合物特别是本发明第3方式的化合物(b1-1)时的中间体使用。

即，对化合物(b0-1)进行盐置换，将化合物(b0-1)的阳离子部(N⁺(R³)(R⁴)(R⁵)(R⁶))置换成合适的阳离子部例如锍离子、碘鎓离子等有机阳离子而得到的化合物通过曝光能产生酸(磺酸)。所述化合物可以作为抗蚀剂组合物用产酸剂使用。

本发明的化合物(b0-1)作为在通过上述盐置换来制造产酸剂用化合物时的中间体，非常有用。即，由于阳离子部为N⁺(R³)(R⁴)(R⁵)(R⁶)，因此能通过水洗来容易地精制该化合物，能期待最终产物纯度的提高。若阳离子部为碱金属离子，则水洗精制会使该化合物溶解，很难通过水洗来精制。

另外，通过盐置换由本发明的化合物(b0-1)制得的化合物不仅能作为产酸剂使用，而且将该化合物作为产酸剂而掺入抗蚀剂组合物后有助于提高抗蚀剂组合物的光刻特性，例如提高形成抗蚀剂图案时的析像度、掩模重现性(例如掩模线性(mask linearity：マスクリニアリティ)等)、曝光量(EL)宽裕度、抗蚀剂图案形状、焦深(DOF)等。

EL容裕度是指改变曝光量进行曝光时，能以与目标尺寸的偏差在规定范围内的尺寸来形成抗蚀剂图案的曝光量的范围，即得到忠实于掩模图案的抗蚀剂图案的曝光量的范围，EL容裕度的值越大，随曝光量的变动而产生的图案尺寸的变化量越小，工序的容裕度越提高，因而优选。

推测产生上述效果的理由如下。即，通过盐置换由上述化合物(b0-1)制得的化合物的阴离子部具有在“Y¹-SO^3-”的骨架上键合有R^X-Q³-O-Q²-的结构。因此，与以往作为阴离子使用的氟代烷基磺酸离子相比，极性大，空间位阻大，成为庞大的结构。据推测，与九氟丁磺酸离子等现有的产酸剂的阴离子部相比，极性大引起的分子间的相互作用以及其庞大的立体结构能从化学上和物理上抑制该阴离子部(酸)在抗蚀剂膜内的扩散。因此，抑制曝光区域产生的酸向未曝光区域扩散，从而使未曝光区域与曝光区域的对碱显影液的溶解性之差(溶解对比度)提高，籍此，析像度和抗蚀剂图案形状提高。

Y¹的可以具有取代基的亚烷基或可以具有取代基的氟代亚烷基的烷基链与例如碳原子数为6～10的全氟烷基链的难分解性相比，其分解性良好，可以获得考虑到生物体蓄积性的操作性进一步提高这一效果。

作为将本发明的化合物(b0-1)作为中间体而制造的用作抗蚀剂组合物用产酸剂的化合物的一个例子，可以列举后述本发明的化合物(b1-1)。

《化合物(b1-1)》

接着，对本发明第3方式的化合物(b1-1)进行说明。化合物(b1-1)优选作为本发明第1方式的抗蚀剂组合物的产酸剂使用。

式(b1-1)中的R^X、Y¹、Q²和Q³分别与上述通式(b0-1)中的R^X、Y¹、Q²和Q³相同。

作为Z⁺的有机阳离子，只要是上述通式(w-1)表示的离子以外的阳离子即可，没有特殊限制，可以适当使用以往作为鎓盐类产酸剂的阳离子部而为人所知的阳离子。所述阳离子部中，作为Z⁺的有机阳离子，优选锍离子或碘鎓离子，特别优选锍离子。

具体而言，可以优选使用下述通式(b’-1)、(b’-2)、(b-5)或(b-6)表示的阳离子部。

[式中，R¹”～R³”、R⁵”～R⁶”分别独立地表示芳基或烷基；R¹”～R³”中的任意2个可以相互键合并与式中的硫原子一起成环；R¹”～R³”中的至少一个表示芳基，R⁵”～R⁶”中的至少一个表示芳基。]

[式中，R⁴⁰是氢原子或烷基，R⁴¹是烷基、乙酰基、羧基或羟烷基，R⁴²～R⁴⁶分别独立地为烷基、乙酰基、烷氧基、羧基或羟烷基；n₀～n₅分别独立地为0～3的整数，其中，n₀+n₁为5以下，n₆为0～2的整数。]

式(b’－1)中，R¹”～R³”分别独立地表示芳基或烷基。R¹”～R³”中的任意2个可以相互键合并与式中的硫原子一起成环。

而且，R¹”～R³”中的至少一个表示芳基。R¹”～R³”中优选2个以上为芳基，最优选R¹”～R³”全部是芳基。

作为R¹”～R³”的芳基，没有特殊限制，可列举例如碳原子数为6～20的无取代的芳基、该无取代的芳基的一部分或全部氢原子被烷基、烷氧基、烷氧基烷基氧基、烷氧基羰基烷基氧基、卤原子、羟基等取代后的取代芳基、－(R⁴’)－C(＝O)－R⁵’。R⁴’是碳原子数为1～5的亚烷基。R⁵’是芳基。作为R⁵’的芳基，可以列举与上述R¹”～R³”的芳基相同的基团。

作为无取代的芳基，从能廉价合成的观点出发，优选碳原子数为6～10的芳基。具体可以列举例如苯基、萘基。

作为取代芳基中的烷基，优选碳原子数为1～5的烷基，最优选甲基、乙基、丙基、正丁基、叔丁基。

作为取代芳基中的烷氧基，优选碳原子数为1～5的烷氧基，最优选甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、叔丁氧基。

作为取代芳基中的卤原子，优选氟原子。

作为取代芳基中的烷氧基烷基氧基，可以列举例如通式－O－C(R⁴⁷)(R⁴⁸)－O－R⁴⁹[式中，R⁴⁷、R⁴⁸分别独立地为氢原子或直链状或支链状的烷基，R⁴⁹是烷基。]表示的基团。

R⁴⁷、R⁴⁸中，烷基的碳原子数优选为1～5，可以是直链状，也可以是支链状，优选乙基、甲基，最优选甲基。

R⁴⁷、R⁴⁸优选至少一方为氢原子。特别优选一方是氢原子，另一方是氢原子或甲基。

作为R⁴⁹的烷基，优选碳原子数为1～15，可以是直链状、支链状、环状中的任一种。

作为R⁴⁹中的直链状、支链状的烷基，优选碳原子数为1～5，可以列举例如甲基、乙基、丙基、正丁基、叔丁基等。

作为R⁴⁹中的环状烷基，优选碳原子数为4～15，更优选碳原子数为4～12，最优选碳原子数为5～10。具体可以列举被碳原子数1～5的烷基、氟原子或氟代烷基取代或未取代的单环烷、双环烷、三环烷、四环烷等多环烷脱去1个以上的氢原子后的基团等。作为单环烷，可以列举环戊烷、环己烷等。作为多环烷，可以列举金刚烷、降冰片烷、异冰片烷(isobornane)、三环癸烷、四环十二烷等。其中，优选金刚烷脱去1个以上氢原子后的基团。

作为取代芳基中的烷氧基羰基烷基氧基，可以列举例如通式：－O－R⁵⁰－C(＝O)－O－R⁵¹[式中，R⁵⁰是直链状或支链状的亚烷基，R⁵¹是叔烷基。]表示的基团。

作为R⁵⁰中的直链状、支链状的亚烷基，优选碳原子数为1～5，可以列举例如亚甲基、亚乙基、三亚甲基、四亚甲基、1，1－二甲基亚乙基等。

作为R⁵¹中的叔烷基，可以列举2－甲基－2－金刚烷基、2－乙基－2－金刚烷基、1－甲基－1－环戊基、1－乙基－1－环戊基、1－甲基－1－环己基、1－乙基－1－环己基、1－(1－金刚烷基)－1－甲基乙基、1－(1－金刚烷基)－1－甲基丙基、1－(1－金刚烷基)－1－甲基丁基、1－(1－金刚烷基)－1－甲基戊基；1－(1－环戊基)－1－甲基乙基、1－(1－环戊基)－1－甲基丙基、1－(1－环戊基)－1－甲基丁基、1－(1－环戊基)－1－甲基戊基；1－(1－环己基)－1－甲基乙基、1－(1－环己基)－1－甲基丙基、1－(1－环己基)－1－甲基丁基、1－(1－环己基)－1－甲基戊基、叔丁基、叔戊基、叔己基等。

作为R¹”～R³”的芳基，分别优选苯基或萘基。

作为R¹”～R³”的烷基，没有特殊限制，可以列举例如碳原子数为1～10的直链状、支链状或环状的烷基等。从析像度优异的观点出发，优选碳原子数为1～5。具体可以列举甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、正戊基、环戊基、己基、环己基、壬基、癸基等。其中，从析像度优异且能廉价合成的观点出发，可以优选甲基。

当R¹”～R³”中的任意2个相互键合并与式中的硫原子一起成环时，优选形成包含硫原子在内的3～10元环，特别优选形成5～7元环。

当R¹”～R³”中的任意2个相互键合并与式中的硫原子一起成环时，剩余的一个优选为芳基。上述芳基可以列举与上述R¹”～R³”的芳基相同的基团。

作为式(b’－1)表示的阳离子部的具体例子，可以列举三苯基锍、(3，5－二甲基苯基)二苯基锍、(4－(2－金刚烷氧基甲基氧基)－3，5－二甲基苯基)二苯基锍、(4－(2－金刚烷氧基甲基氧基)苯基)二苯基锍、(4－(叔丁氧基羰基甲基氧基)苯基)二苯基锍、(4－(叔丁氧基羰基甲基氧基)－3，5－二甲基苯基)二苯基锍、(4－(2－甲基－2－金刚烷基氧基羰基甲基氧基)苯基)二苯基锍、(4－(2－甲基－2－金刚烷基氧基羰基甲基氧基)－3，5－二甲基苯基)二苯基锍、三(4－甲基苯基)锍、二甲基(4－羟基萘基)锍、一苯基二甲基锍、二苯基一甲基锍、(4－甲基苯基)二苯基锍、(4－甲氧基苯基)二苯基锍、三(4－叔丁基)苯基锍、二苯基(1－(4－甲氧基)萘基)锍、二(1－萘基)苯基锍、1－苯基四氢噻吩鎓(phenyl tetrahydrothiophenium)、1－(4－甲基苯基)四氢噻吩鎓、1－(3，5－二甲基－4－羟苯基)四氢噻吩鎓、1－(4－甲氧基萘－1－基)四氢噻吩鎓、1－(4－乙氧基萘－1－基)四氢噻吩鎓、1－(4－正丁氧基萘－1－基)四氢噻吩鎓、1－苯基四氢噻喃鎓、1－(4－羟苯基)四氢噻喃鎓、1－(3，5－二甲基－4－羟苯基)四氢噻喃鎓、1－(4－甲基苯基)四氢噻喃鎓等。

式(b’－2)中，R⁵”和R⁶”分别独立地表示芳基或烷基。R⁵”和R⁶”中至少一个表示芳基。优选R⁵”和R⁶”两者均为芳基。

作为R⁵”和R⁶”的芳基，可以列举与R¹”～R³”的芳基相同的基团。

作为R⁵”和R⁶”的烷基，可以列举与R¹”～R³”的烷基相同的基团。

其中，最优选R⁵”和R⁶”均为苯基。

作为式(b’－2)表示的阳离子部的具体例子，可以列举二苯基碘鎓、二(4-叔丁基苯基)碘鎓等。

通式(b－5)～(b－6)的R⁴⁰～R⁴⁶中，烷基优选碳原子数为1～5的烷基，其中，更优选直链状或支链状的烷基，特别优选甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基或叔丁基。

烷氧基优选碳原子数为1～5的烷氧基，其中更优选直链或支链状的烷氧基，特别优选甲氧基、乙氧基。

羟烷基优选上述烷基中的一个或多个氢原子被羟基取代后的基团，可以列举羟甲基、羟乙基、羟丙基等。

当OR⁴⁰所带的符号n₀为2以上的整数时，多个OR⁴⁰可以分别相同或不同。

当R⁴¹～R⁴⁶所带的符号n₁～n₆为2以上的整数时，多个R⁴¹～R⁴⁶可以分别相同或不同。

n₀优选为0或1。

n₁优选为0～2。

n₂和n₃优选分别独立地为0或1，更优选为0。

n₄优选为0～2，更优选为0或1。

n₅优选为0或1，更优选为0。

n₆优选为0或1。

作为Z⁺，优选式(b’－1)或(b－5)表示的阳离子部，特别优选下式(b’－1－1)～(b’－1－10)、(b－5－1)～(b－5－4)表示的阳离子部，更优选式(b’－1－1)～(b’－1－8)表示的阳离子部等三苯基骨架的阳离子部、或(b’－1－10)表示的阳离子部。

式(b’－1－9)～(b’－1－10)中，R⁸、R⁹分别独立地为可以具有取代基的苯基、萘基或碳原子数为1～5的烷基、烷氧基、羟基，优选可以具有取代基的苯基。

u是1～3的整数，最优选1或2。

作为化合物(b1-1)，优选下述通式(b1-1-1)表示的化合物。

[式中，R^X、Y¹和Z⁺分别与上述通式(b1-1)中的R^X、Y¹和Z⁺相同；R¹为亚烷基。]

在上述通式(b1-1-1)中，R^X、Y¹和Z⁺分别与上述通式(b1-1)中的R^X、Y¹和Z⁺相同。

R¹的亚烷基可以是直链状、支链状、环状中的任一种，优选直链状或支链状，进一步优选直链状。

直链状或支链状的亚烷基的碳原子数优选为1～12，进一步优选为1～5，更优选为1～3。作为该亚烷基，具体可以列举例如亚甲基[-CH₂-]；-CH(CH₃)-、-CH(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)₂-、-C(CH₃)(CH₂CH₃)-、-C(CH₃)(CH₂CH₂CH₃)-、-C(CH₂CH₃)₂-等烷基亚甲基；亚乙基[-CH₂CH₂-]；-CH(CH₃)CH₂-、-CH(CH₃)CH(CH₃)-、-C(CH₃)₂CH₂-、-CH(CH₂CH₃)CH₂-等烷基亚乙基；三亚甲基(正亚丙基)[-CH₂CH₂CH₂-]；-CH(CH₃)CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂-等烷基三亚甲基；四亚甲基[-CH₂CH₂CH₂CH₂-]；-CH(CH₃)CH₂CH₂CH₂-、-CH₂CH(CH₃)CH₂CH₂-等烷基四亚甲基；五亚甲基[-CH₂CH₂CH₂CH₂CH₂-]等。其中，优选亚甲基、亚乙基或正亚丙基，特别优选亚乙基。

作为化合物(b1-1)，特别优选下述通式(b1-1-11)～(b1-1-13)表示的化合物。

[式中，Z⁺同上，p为1～3的整数，q1～q3分别独立地为1～12的整数，r1为0～3的整数，g为1～20的整数，R⁷为取代基。]

作为R⁷的取代基，可以列举在上述R^X中作为脂肪族烃基可以具有的取代基而列举的基团相同的基团。

当R⁷所带的符号(r1)为2以上的整数时，该化合物中的多个R⁷可以分别相同或不同。

p优选为1或2。

q1～q3优选分别独立地为1～5，更优选为1～3。

r1优选为0～2的整数，更优选为0或1。

G较优选为1～15，更优选为1～10。

本发明的化合物(b1-1)是新型化合物。

本发明的化合物(b1-1)能作为化学增幅型抗蚀剂组合物用产酸剂使用，可以作为产酸剂掺入化学增幅型抗蚀剂组合物中。

本发明的化合物(b1-1)的制造方法没有特殊限制，例如可以采用后述的本发明化合物(b1-1)的制造方法来制造。

《化合物(b1-1)的制造方法》

接着，对本发明第4方式的化合物(b1-1)制造方法进行说明。

本发明第4方式的化合物(b1-1)制造方法包括通过使下述通式(b0-1)表示的化合物(b0-1)与下述通式(b0-02)表示的化合物(b0-02)反应来得到化合物(b1-1)的工序。

Z⁺A^-…(bO-O2)

[式中，R^X是可以具有取代基的烃基，但取代基不为氮原子；Q²和Q³分别独立地为单键或2价的连接基团；Y¹是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；W⁺是碱金属离子或下述通式(w-1)表示的离子；Z⁺是有机阳离子，但下述通式(w-1)表示的离子除外；A-是非亲核性阴离子。]

式中，R^X、Q²、Q³、Y¹、Z⁺分别与上述通式(b1-1)中的R^X、Q²、Q³、Y¹、Z⁺相同。

W⁺是碱金属离子或上述通式(w-1)表示的离子(以下称为取代铵离子)。

W⁺中，作为碱金属离子，可以列举钠离子、钾离子、锂离子等。

式(W-1)中，R³～R⁶分别与上述通式(b0-1)中的R³～R⁶相同。

A^-是非亲核性阴离子。

作为该非亲核性离子，可以列举例如溴离子、氯离子等卤离子、能形成酸性低于化合物(b0-1)的酸的离子、BF₄ ^-、AsF₆ ^-、SbF₆ ^-、PF₆ ^-或ClO₄ ^-等。

作为A^-中的能形成酸性低于化合物(b0-1)的酸的离子，可以列举对甲苯磺酸离子、甲磺酸离子、苯磺酸离子、三氟甲磺酸离子等磺酸离子。

在本发明第4方式的化合物(b1-1)制造方法中，特别优选化合物(b0-1)是下述通式(b0-1)表示的化合物(b0-1)，化合物(b1-1)是下述通式(b1-1-1)表示的化合物(b1-1-1)。

[式中，R^X、Y¹和W⁺与上述通式(b0-1)中的R^X、Y¹和W⁺相同；R^b与R^X相同；Z⁺与上述通式(b1-1)中的Z⁺相同；R¹与上述通式(b0-1-11)中的R¹相同。]

上述化合物(b0-01)例如可以通过使下述通式(1-3)表示的化合物(1-3)与下述通式(2-1)表示的化合物(2-1)反应来合成。

[式中，R^X、R¹、Y¹、W⁺分别同上，X²²为卤原子。]

作为X²²的卤原子，可以列举溴原子、氯原子、碘原子、氟原子等，从反应性优异的观点出发，优选溴原子或氯原子，特别优选氯原子。

化合物(1-3)、(2-1)分别可以使用市售品，也可以合成。

例如，当化合物(1-3)中的W⁺为碱金属离子时，作为该化合物(下述通式(1-3’)表示的化合物(1-3’))的优选合成方法，可以列举具有通过使下述通式(1-1)表示的化合物(1-1)与下述通式(1-2)表示的化合物(1-2)反应来得到化合物(1-3’)的工序的方法。

HO-R¹-O-R²...(1-1)

[式中，R¹、Y¹分别与上述相同，R²为可以具有芳香族基作为取代基的脂肪族基，M⁺为碱金属离子。]

作为M⁺，可以列举与上述W⁺所列举的碱金属离子相同的碱金属离子。

R²为可以具有芳香族基作为取代基的脂肪族基。

该脂肪族基可以是饱和脂肪族基，也可以是不饱和脂肪族基。另外，脂肪族基可以是直链状、支链状、环状中的任一种，也可以是它们的组合。

脂肪族基可以是仅由碳原子和氢原子形成的脂肪族烃基，也可以是构成该脂肪族烃基的碳原子的一部分被含杂原子的取代基取代后的基团，也可以是构成该脂肪族烃基的氢原子的一部分或全部被含杂原子的取代基取代后的基团。

作为上述杂原子，只要是碳原子和氢原子以外的原子即可，没有特殊限制，可以列举例如卤原子、氧原子、硫原子、氮原子等。作为卤原子，可以列举氟原子、氯原子、碘原子、溴原子等。

含杂原子的取代基可以仅由杂原子形成，也可以是含有杂原子以外的基团或原子的基团。

作为取代碳原子的一部分的取代基，具体可以列举例如-O-、-C(＝O)-O-、-C(＝O)-、-O-C(＝O)-O-、-C(＝O)-NH-、-NH-(H可以被烷基、酰基等取代基取代)、-S-、-S(＝O)₂-、-S(＝O)₂-O-等。当脂肪族基含有环式基时，可以在该环式基的环结构中含有这些取代基。

作为取代氢原子的一部分或全部的取代基，具体可以列举例如烷氧基、卤原子、卤代烷基、羟基、氧原子(＝O)、-COOR⁹⁶、-OC(＝O)R⁹⁷、氰基等。

作为上述卤代烷基，可以列举碳原子数为1～5的烷基例如甲基、乙基、丙基、正丁基、叔丁基等烷基的氢原子的一部分或全部被上述卤原子取代后的基团。

R⁹⁶和R⁹⁷分别独立地为氢原子或碳原子数为1～15的直链状、支链状或环状烷基。

当R⁹⁶和R⁹⁷中的烷基为直链状或支链状时，其碳原子数优选为1～10，进一步优选为1～5，更优选为1或2。具体可以列举与后述的直链状或支链状的1价饱和烃基相同的基团。

当R⁹⁶和R⁹⁷中的烷基为环状时，该环可以是单环，也可以是多环。其碳原子数优选为3～15，进一步优选为4～12，更优选为5～10。具体可以列举与后述的环状的1价饱和烃基相同的基团。

作为脂肪族烃基，优选碳原子数为1～30的直链状或支链状的饱和烃基、碳原子数为2～10的直链状或支链状的1价不饱和烃基、或碳原子数为3～30的环状的脂肪族烃基(脂环基)。

作为直链状的饱和烃基，优选碳原子数为1～20，进一步优选为1～15，最优选为1～10。具体可以列举例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、异十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、异十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基、二十一烷基、二十二烷基等。

作为支链状的饱和烃基，优选碳原子数为3～20，进一步优选为3～15，最优选为3～10。具体可以列举例如1-甲基乙基、1-甲基丙基、2-甲基丙基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基等。

作为不饱和烃基，优选碳原子数为2～5，进一步优选为2～4，更优选为3。作为直链状的1价不饱和烃基，可以列举例如乙烯基、丙烯基(烯丙基)、丁烯基等。作为支链状的1价不饱和烃基，可以列举例如1-甲基丙烯基、2-甲基丙烯基等。

上述不饱和烃基中特别优选丙烯基。

作为脂环基，可以是单环基，也可以是多环基。其碳原子数优选为3～30，进一步优选为5～30，更优选为5～20，特别优选为6～15，最优选为6～12。具体可以列举例如由单环烷除去1个以上氢原子后的基团；由双环烷、三环烷、四环烷等多环烷除去1个以上氢原子后的基团等。更具体而言，可以列举例如由环戊烷、环己烷等单环烷除去1个以上氢原子后的基团；由金刚烷、降冰片烷、异冰片烷、三环癸烷、四环癸烷等多环烷除去1个以上氢原子后的基团等。

在R²中，上述脂肪族基可以具有芳香族基作为取代基。

作为芳香族基，可以列举苯基、联苯(biphenyl)基、芴(fluorenyl)基、萘基、蒽(anthryl)基、菲基等由芳香烃环除去1个氢原子后的芳基；构成这些芳基的环的碳原子的一部分被氧原子、硫原子、氮原子等杂原子取代后的杂芳基等。

这些芳香族基可以具有碳原子数为1～10的烷基、卤代烷基、烷氧基、羟基、卤原子等取代基。该取代基中的烷基或卤代烷基优选碳原子数为1～8，更优选碳原子数为1～4。该卤代烷基优选为氟代烷基。该卤原子可以列举氟原子、氯原子、碘原子、溴原子等，优选氟原子。

另外，若化合物(1-1)中的R²为芳香族基，即与R²相邻的氧原子不通过脂肪族基而直接与芳香环键合，则化合物(1-1)与化合物(1-2)的反应无法进行，得不到化合物(1-3)。

化合物(1-1)、(1-2)可以分别使用市售品，也可以利用公知的方法来合成。

例如化合物(1-2)，可以列举包括通过将下述通式(0-1)表示的化合物(0-1)在碱的存在下加热、中和来得到下述通式(0-2)表示的化合物(0-2)的工序(以下称为盐形成工序)和通过将上述化合物(0-2)在酸强度高于化合物(1-2)的酸的存在下加热来得到化合物(1-2)的工序(以下称为羧酸化工序)的方法。

[式中，R⁰¹为烷基，Y¹、M⁺同上。]

作为R⁰¹的烷基，优选直链状或支链状的烷基，具体可以列举甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、新戊基等。其中，优选碳原子数为1～4的烷基，最优选甲基。

作为化合物(0-1)，可以使用市售品。

作为碱，使用与式(0-2)中的M对应的碱，作为该碱，可以列举氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂等碱金属氢氧化物。

在羧酸化工序中，通过将在上述盐形成工序中得到的化合物(0-2)在酸强度高于化合物(1-2)的酸的存在下加热来得到该化合物(1-2)。

“酸强度高于化合物(1-2)的酸(以下有时简称为强酸)”是指pKa(25℃)的值小于化合物(1-2)中的-COOH的酸。通过使用所述强酸，化合物(0-2)中的-COO^-M⁺变为-COOH，得到化合物(1-2)。

作为强酸，从公知的酸中适当选择使用pKa小于上述化合物(1-2)中的-COOH的pKa的酸即可。化合物(1-2)中的-COOH的pKa可以用公知的滴定法来求得。

反应结束后，可以对反应液中的化合物(1-2)进行分离、精制。分离、精制可以利用现有公知的方法，例如浓缩、溶剂提取、蒸馏、结晶、重结晶、色谱法等，可以单独使用它们中的任一种，或2种以上组合使用。

例如，当化合物(1-3)中的W⁺为上述取代铵离子时，该化合物(下述通式(1-3”)表示的化合物(1-3”))例如可以通过使上述化合物(1-3’)与铵盐反应来制造。

[式中，R^X、R¹、Y¹、R³～R⁶分别与上述相同。]

作为此时使用的铵盐，可以列举上述烷基胺、二烷基胺、三烷基胺以及芳香族胺的盐酸盐或溴酸盐等。

关于反应，例如可以将化合物(1-3’)与铵盐在水、二氯甲烷、乙腈、甲醇、氯仿等溶剂中溶解并通过搅拌等来使其反应。

反应温度优选为0℃～150℃左右，进一步优选为0℃～100℃。反应时间根据化合物(1-3’)、铵盐的反应性及反应温度等而各异，通常优选为0.5～10小时，进一步优选为1～5小时。

作为使化合物(1-3)与化合物(2-1)反应的方法，没有特殊限制，可以列举例如在反应溶剂中使化合物(1-3)和化合物(2-1)接触的方法。该方法例如可以通过在碱的存在下向在反应溶剂中溶解有化合物(1-3)得到的溶液中添加化合物(2-1)来实施。

作为反应溶剂，只要是能溶解作为原料的化合物(1-3)和化合物(2-1)的溶剂即可，具体可以列举四氢呋喃(THF)、丙酮、二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜(DMSO)、乙腈等。

作为碱，可以列举例如三乙基胺、4-二甲基氨基吡啶(DMAP)、吡啶等有机碱；氢氧化钠、K₂CO₃、Cs₂CO₃等无机碱等。

关于化合物(2-1)的添加量，相对于化合物(1-3)，优选约为1～3当量，进一步优选为1～2当量。

反应温度优选为-20～40℃，进一步优选为0～30℃。反应时间根据化合物(1-3)和化合物(2-1)的反应性及反应温度等而各异，通常优选为1～120小时，进一步优选为1～48小时。

当化合物(b0-01)中的W⁺为上述取代铵离子时，该化合物(下述通式(b0-01’)表示的化合物(b0-01’))例如可以通过使上述化合物(1-3’)、上述化合物(2-1)与胺或铵盐同时反应的方法来制造。

[式中，R^X、R¹、Y¹、W⁺、X²²分别与上述相同。]

上述化合物(1-3’)、上述化合物(2-1)与胺或铵盐可以与上述化合物(1-3)与上述化合物(2-1)反应的情况同样地进行反应。

作为此时使用的胺，可以列举上述烷基胺、二烷基胺、三烷基胺以及芳香族胺等，作为铵盐，可以列举四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化胺、四丁基氢氧化胺等四烷基氢氧化铵(作为四烷基铵中的烷基，分别独立地为碳原子数为1～4的烷基)。

在上述制造方法中，上述化合物(1-3”)、化合物(b0-01’)等取代铵盐作为制造本发明的化合物(b1-1)时的中间体非常有用。即，由于阳离子部为N⁺(R³)(R⁴)(R⁵)(R⁶)，因此能通过水洗来容易地精制该化合物，能期待最终产物纯度的提高。若阳离子部为碱金属离子，则水洗精制会使该化合物溶解，很难通过水洗来精制。

因此，在本发明的制造方法中，化合物(b1-1)优选由阳离子部具有上述取代铵离子的中间体来制造。

化合物(b0-01)与化合物(b0-02)的反应可以与现有公知的盐置换方法同样地实施。例如，可以将化合物(b0-01)与化合物(b0-02)溶解于水、二氯甲烷、乙腈、甲醇、氯仿等溶剂中，通过搅拌等使其反应。

反应温度优选为0℃～150℃左右，进一步优选为0℃～100℃左右。反应时间根据化合物(b0-01)以及化合物(b0-02)的反应性和反应温度等而各异，通常优选0.5～12小时，进一步优选1～5小时。

反应结束后，可以对反应液中的化合物(b1-1)进行分离、精制。分离、精制可以利用现有公知的方法，例如浓缩、溶剂提取、蒸馏、结晶、重结晶、色谱法等，可以单独使用它们中的任一种，或2种以上组合使用。

得到的化合物(b1-1)的结构可以通过¹H-核磁共振(NMR)谱法、¹³C-NMR谱法、¹⁹F-NMR谱法、红外线吸收(IR)谱法、质谱(MS)法、元素分析法、X射线结晶衍射法等一般的有机分析方法来确认。

《产酸剂》

本发明第5方式的产酸剂由上述本发明的化合物(b1-1)形成。

该产酸剂是化学增幅型抗蚀剂组合物用产酸剂，例如可以用作后述本发明第1方式的抗蚀剂组合物的产酸剂成分(B)。

该产酸剂特别优选由下述通式(b1-1-1)表示的化合物形成。

《抗蚀剂组合物》

接着，对本发明第1方式的抗蚀剂组合物进行说明。

本发明第1方式的抗蚀剂组合物含有在酸的作用下对碱显影液的溶解性改变的基材成分(A)(以下称为(A)成分)和通过曝光来产生酸的产酸剂成分(B)(以下称为(B)成分)。

关于使用所述抗蚀剂组合物形成的抗蚀剂膜，若在抗蚀剂图案形成时进行选择性的曝光，则由(B)成分产生酸，该酸使(A)成分对碱显影液的溶解性发生改变。其结果是，该抗蚀剂膜的曝光部对碱显影液的溶解性改变，而未曝光部对碱显影液的溶解性不变，因此通过碱显影，正型时的曝光部、负型时的未曝光部被溶解除去，形成抗蚀剂图案。

本发明的抗蚀剂组合物可以是负型抗蚀剂组合物，也可以是正型抗蚀剂组合物。

＜(A)成分＞

作为(A)成分，通常可以单独使用1种作为化学增幅型抗蚀剂用的基材成分的有机化合物或2种以上混合使用。

这里，“基材成分”是指具有成膜能力的有机化合物，优选使用分子量为500以上的有机化合物。由于该有机化合物的分子量为500以上，因此成膜能力提高，且易形成纳米水平的抗蚀剂图案。

上述分子量为500以上的有机化合物可以大致分为分子量在500以上不足2000的低分子量有机化合物(以下称为低分子化合物。)和分子量在2000以上的高分子量树脂(高分子材料)。作为上述低分子化合物，通常采用非聚合物。树脂(聚合物、共聚物)的情况下，作为“分子量”，采用通过GPC(凝胶渗透色谱法)测得的聚苯乙烯换算的质均分子量。以下简称“树脂”时，指分子量在2000以上的树脂。

作为(A)成分，可以使用在酸的作用下碱溶解性改变的树脂，也可以使用在酸的作用下碱溶解性改变的低分子材料。

当本发明的抗蚀剂组合物是负型抗蚀剂组合物时，作为(A)成分，可采用在碱显影液中可溶的基材成分，在该负型抗蚀剂组合物中还掺入交联剂。

关于所述负型抗蚀剂组合物，当通过曝光由(B)成分产生酸时，在该酸的作用下在基材成分与交联剂之间产生交联，变为在碱显影液中难溶。因此，在抗蚀剂图案的形成中，对在基板上涂布该负型抗蚀剂组合物而得到的抗蚀剂膜进行选择性曝光时，曝光部变为在碱显影液中难溶，而未曝光部在碱显影液中依然可溶而未发生变化，因此能通过碱显影来形成抗蚀剂图案。

作为负型抗蚀剂组合物的(A)成分，通常使用在碱显影液中可溶的树脂(以下称为碱可溶性树脂。)。

作为碱可溶性树脂，具有由选自α－(羟烷基)丙烯酸或α－(羟烷基)丙烯酸的低级烷基酯中的至少一种衍生的单元的树脂能形成膨润少的良好的抗蚀剂图案，故优选。另外，α－(羟烷基)丙烯酸是指与羧基键合的α位的碳原子上键合有氢原子的丙烯酸、和该α位碳原子上键合有羟烷基(优选碳原子数1～5的羟烷基)的α-羟烷基丙烯酸中的一方或双方。

作为交联剂，例如通常若采用具有羟甲基或烷氧基甲基的甘脲等氨基类交联剂，则能形成膨润少的良好的抗蚀剂图案，故优选。交联剂的掺和量相对于碱可溶性树脂100质量份优选为1～50质量份。

当本发明的抗蚀剂组合物为正型抗蚀剂组合物时，作为(A)成分，采用在酸的作用下在碱显影液中的溶解性增加的基材成分。该(A)成分在曝光前难溶于碱显影液，当通过曝光由上述(B)成分产生酸时，在该酸的作用下，在碱显影液中的溶解性增加。因此，在抗蚀剂图案的形成中，若对在基板上涂布该正型抗蚀剂组合物而得到的抗蚀剂膜进行选择性曝光，则曝光部在碱显影液中的溶解性从难溶性向可溶性转变，而未曝光部不发生改变，依然为碱难溶性，因此能通过碱显影来形成抗蚀剂图案。

本发明的抗蚀剂组合物中，(A)成分优选为在酸的作用下在碱显影液中的溶解性增加的基材成分。即，本发明的抗蚀剂组合物优选正型抗蚀剂组合物。

该(A)成分可以是在酸的作用下在碱显影液中的溶解性增加的树脂成分(A1)(以下有时称为(A1)成分。)，也可以是在酸的作用下在碱显影液中的溶解性增加的低分子化合物(A2)(以下有时称为(A2)成分。)，也可以是它们的混合物。其中，该(A)成分优选含有(A1)成分。

[(A1)成分]

作为(A1)成分，通常，可以单独使用1种用作化学增幅型抗蚀剂用的基材成分的树脂成分(基材树脂)或2种以上混合使用。

在本方式中，作为(A1)成分，优选含有由丙烯酸酯衍生的结构单元。

这里，在本说明书和权利要求书中，“由丙烯酸酯衍生的结构单元”是指丙烯酸酯的烯属双键断裂构成的结构单元。

“丙烯酸酯”除了α位的碳原子上键合氢原子的丙烯酸酯外，还包含α位的碳原子与取代基(氢原子以外的原子或基团)键合的丙烯酸酯。作为取代基，可以列举低级烷基、卤代低级烷基等。

另外，在没有特殊说明的情况下，由丙烯酸酯衍生的结构单元的α位(α位的碳原子)是指与羰基键合的碳原子。

在丙烯酸酯中，关于作为α位的取代基的低级烷基，具体可以列举甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、新戊基等低级直链状或支链状的烷基。

作为卤代低级烷基，具体可以列举上述“α位的取代基的低级烷基”的一部分或全部氢原子被卤原子取代后的基团。作为该卤原子，可以列举氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特别优选氟原子。

在本发明中，与丙烯酸酯的α位键合的基团优选氢原子、低级烷基或卤代低级烷基，更优选氢原子、低级烷基或氟代低级烷基，从工业上获得的容易性的观点出发，最优选氢原子或甲基。

(A1)成分特别优选具有由含有酸解离性溶解抑制基的丙烯酸酯衍生而来的结构单元(a1)。

(A1)成分除结构单元(a1)外，还优选具有由含有含内酯的环式基的丙烯酸酯衍生而来的结构单元(a2)。

(A1)成分除结构单元(a1)或结构单元(a1)和(a2)外，还优选具有由含有含极性基脂肪族烃基的丙烯酸酯衍生而来的结构单元(a3)。·结构单元(a1)

结构单元(a1)中的酸解离性溶解抑制基在解离前具有使(A1)成分整体在碱显影液中难溶的碱溶解抑制性，并在酸的作用下解离而使该(A1)成分整体在碱显影液中的溶解性增加，可以使用迄今为止提出的化学增幅型抗蚀剂用基材树脂的酸解离性溶解抑制基。众所周知的有与(甲基)丙烯酸等中的羧基形成环状或链状的叔烷基酯的基团；烷氧基烷基等缩醛型酸解离性溶解抑制基等。

这里，“叔烷基酯”是指：羧基的氢原子被链状或环状的烷基取代而形成酯，其羰基氧基(－C(O)－O－)的末端的氧原子与上述链状或环状的烷基的叔碳原子键合的结构。该叔烷基酯在酸的作用下，氧原子与叔碳原子之间的键断裂。

另外，上述链状或环状的烷基可以具有取代基。

以下，为方便起见，将通过与羧基形成叔烷基酯而具有酸解离性的基团称为“叔烷基酯型酸解离性溶解抑制基”。

作为叔烷基酯型酸解离性溶解抑制基，可以列举脂肪族支链状酸解离性溶解抑制基、含有脂环基的酸解离性溶解抑制基。

“脂肪族支链状”是指不具有芳香性的支链状结构。

“脂肪族支链状酸解离性溶解抑制基”的结构不限于由碳和氢形成的基团(烃基)，但优选烃基。另外，“烃基”可以饱和也可以不饱和，通常优选饱和。

作为脂肪族支链状酸解离性溶解抑制基，优选碳原子数4～8的叔烷基，具体可以列举叔丁基、叔戊基、叔庚基等。

“脂环基”是指不具有芳香性的单环基或多环基。

结构单元(a1)中的“脂环基”可以具有取代基，也可以没有取代基。作为取代基，可以列举碳原子数1～5的低级烷基、氟原子、被氟原子取代后的碳原子数1～5的氟代低级烷基、氧原子(＝O)等。

“脂环基”除去取代基后的基本的环结构不限于由碳和氢形成的基团(烃基)，但优选烃基。另外，“烃基”可以饱和也可以不饱和，通常优选饱和。“脂环基”优选多环基。

作为脂环基，可以列举例如被低级烷基、氟原子或氟代烷基取代的或未被取代的单环烷、双环烷、三环烷、四环烷等多环烷除去1个以上氢原子后的基团等。更具体而言，可以列举环戊烷、环己烷等单环烷或金刚烷、降冰片烷、异冰片烷、三环癸烷、四环癸烷等多环烷除去1个以上氢原子后的基团等。

作为含有脂环基的酸解离性溶解抑制基，可以列举例如在环状的烷基的环骨架上具有叔碳原子的基团，具体可以列举2－甲基－2－金刚烷基、2－乙基－2－金刚烷基等。或者，可以列举如下述通式(a1”－1)～(a1”－6)表示的结构单元中与羰基氧基(－C(O)－O－)的氧原子键合的基团那样，具有金刚烷基、环己基、环戊基、降冰片烷基、三环癸烷基、四环十二烷基等脂环基和与其键合的具有叔碳原子的支链状亚烷基的基团。

[式中，R表示氢原子、低级烷基或卤代低级烷基；R¹⁵、R¹⁶表示烷基(直链状、支链状中的任一种，优选碳原子数为1～5)。]

通式(a1”－1)～(a1”－6)中，R的低级烷基或卤代低级烷基与上述可以与丙烯酸酯的α位键合的低级烷基或卤代低级烷基相同。

“缩醛型酸解离性溶解抑制基”通常与羧基、羟基等碱可溶性基团末端的氢原子取代而与氧原子键合。当通过曝光而产生酸时，在该酸的作用下，缩醛型酸解离性溶解抑制基与该缩醛型酸解离性溶解抑制基所键合的氧原子之间的键断裂。

作为缩醛型酸解离性溶解抑制基，可以列举例如下述通式(p1)表示的基团。

[式中，R¹’，R²’分别独立地表示氢原子或低级烷基，n表示0～3的整数，Y表示低级烷基或脂环基。]

上述式中，n优选为0～2的整数，更优选0或1，最优选0。

作为R¹’，R²’的低级烷基，可以列举与上述R的低级烷基相同的基团，优选甲基或乙基，最优选甲基。

在本发明中，优选R¹’、R²’中的至少一个为氢原子。即，酸解离性溶解抑制基(p1)优选为下述通式(p1－1)表示的基团。

[式中，R¹’、n、Y与上述相同。]

作为Y的低级烷基，可以列举与上述R的低级烷基相同的基团。

作为Y的脂环基，可以从现有ArF抗蚀剂等中大量提议的单环或多环式脂环基中适当选择使用，例如与上述“脂环基”相同的基团。

作为缩醛型酸解离性溶解抑制基，还可以列举下述通式(p2)表示的基团。

[式中，R¹⁷、R¹⁸分别独立为直链状或支链状的烷基或氢原子，R¹⁹是直链状、支链状或环状的烷基。R¹⁷和R¹⁹可以分别独立地为直链状或支链状的亚烷基，R¹⁷的末端与R¹⁹的末端可以键合成环。]

R¹⁷、R¹⁸中，烷基的碳原子数优选为1～15，可以是直链状、支链状中的任一种，优选乙基、甲基，最优选甲基。

特别优选R¹⁷、R¹⁸中的一方为氢原子，另一方为甲基。

R¹⁹是直链状、支链状或环状的烷基，碳原子数优选为1～15，可以是直链状、支链状或环状中的任一种。

当R¹⁹是直链状、支链状时，碳原子数优选为1～5，更优选乙基、甲基，特别优选乙基。

当R¹⁹为环状时，碳原子数优选为4～15，碳原子数更优选为4～12，碳原子数最优选为5～10。具体而言，可以列举被氟原子或氟代烷基取代或未取代的单环烷、双环烷、三环烷、四环烷等多环烷除去1个以上氢原子后的基团等。具体可以列举环戊烷、环己烷等单环烷或金刚烷、降冰片烷、异冰片烷、三环癸烷、四环十二烷等多环烷除去1个以上氢原子后的基团等。其中，优选金刚烷除去1个以上氢原子后的基团。

另外，上述式中，R¹⁷和R¹⁹可以分别独立地为直链状或支链状的亚烷基(优选碳原子数为1～5的亚烷基)，且R¹⁹的末端与R¹⁷的末端键合。

此时，由R¹⁷和R¹⁹、R¹⁹所键合的氧原子、该氧原子以及R¹⁷所键合的碳原子形成环式基。作为该环式基，优选4～7元环，更优选4～6元环。作为该环式基的具体例子，可以列举四氢吡喃基、四氢呋喃基等。

作为结构单元(a1)，优选使用选自下述通式(a1－0－1)表示的结构单元和下述通式(a1－0－2)表示的结构单元中的1种以上。

[式中，R表示氢原子、低级烷基或卤代低级烷基；X¹表示酸解离性溶解抑制基。]

[式中，R表示氢原子、低级烷基或卤代低级烷基；X²表示酸解离性溶解抑制基；Y²表示亚烷基、脂环基或具有醚键的2价连接基团。]

通式(a1－0－1)中，R的低级烷基或卤代低级烷基与上述可以与丙烯酸酯的α位键合的低级烷基或卤代低级烷基相同。

X¹只要是酸解离性溶解抑制基即可，没有特殊限制，可以列举例如上述叔烷基酯型酸解离性溶解抑制基、缩醛型酸解离性溶解抑制基等，优选叔烷基酯型酸解离性溶解抑制基。

在通式(a1－0－2)中，R与上述相同。

X²与式(a1－0－1)中的X¹相同。

Y²为亚烷基、脂环基或具有醚键的2价连接基团。

当Y²是亚烷基时，优选碳原子数为1～10的亚烷基，更优选碳原子数为1～6，特别优选碳原子数为1～4，最优选碳原子数为1～3。

当Y²是脂环基时，优选2价的脂环基，作为该脂环基，除了使用脱去2个以上氢原子的基团外可以使用与上述“脂环基”中说明的基团相同的基团。

当Y²是2价的脂环基时，特别优选由环戊烷、环己烷、降冰片烷、异冰片烷、金刚烷、三环癸烷、四环十二烷除去2个以上氢原子后的基团。

当Y²是具有醚键的2价连接基团时，优选为-Y^a-O-Y^b-表示的基团。

在上述-Y^a-O-Y^b-表示的基团中，Y^a是可以具有取代基的碳原子数为2以上的2价烃基。烃基可以是脂肪族烃基，也可以是芳香族烃基。优选脂肪族烃基。作为脂肪族烃基，可以列举直链状或支链状的脂肪族烃基、结构中含有环的脂肪族烃基等。具体而言，与Y²是2价脂环基时或Y²是亚烷基时列举的基团中碳原子数为2以上的基团相同。另外，Y^a可以具有取代基，作为该取代基，当Y^a是链状的脂肪族烃基时可以列举氟原子、被氟原子取代的碳原子数为1～5的氟代低级烷基、氧原子(＝O)等，当Y^a是结构中含有环的脂肪族烃基时，与上述“脂环基”中的取代基相同。

作为Y^a，优选直链状的脂肪族烃基，进一步优选直链状的亚烷基，更优选碳原子数为2～5的直链状的亚烷基，最优选亚乙基。

Y^b是可以具有取代基的碳原子数为1以上的2价烃基。作为Y^b的烃基，可以列举与上述Y^a中列举烃基同样的碳原子数为2以上的2价烃基以及可以具有取代基的亚甲基。作为亚甲基可以具有的取代基，可以列举与作为上述链状脂肪族烃基可以具有的取代基而列举的取代基相同的基团。

作为Y^b，优选直链状或支链状的脂肪族烃基，特别优选亚甲基或烷基亚甲基。

烷基亚甲基中的烷基优选碳原子数为1～5的直链状烷基，进一步优选碳原子数为1～3直链状烷基，最优选甲基。

作为结构单元(a1)，更具体而言，可以列举下述通式(a1－1)～(a1－4)表示的结构单元。

[式中，X’表示叔烷基酯型酸解离性溶解抑制基，Y表示碳原子数为1～5的低级烷基或脂环基；n表示0～3的整数；Y²表示亚烷基、脂环基或具有醚键的2价连接基团；R与上述相同，R¹’、R²’分别独立地表示氢原子或碳原子数为1～5的低级烷基。]

式中，X’可以列举与上述X¹中例示的叔烷基酯型酸解离性溶解抑制基相同的基团。

作为R¹’、R²’、n、Y，分别与上述“缩醛型解离性溶解抑制基”中所述的通式(p1)中的R¹’、R²’、n、Y相同。

作为Y²，可以列举与上述通式(a1－0－2)中的Y²相同的基团。

以下，列举上述通式(a1－1)～(a1－4)表示的结构单元的具体例子。

作为结构单元(a1)，可以单独使用1种，也可以2种以上组合使用。

其中，优选通式(a1－1)表示的结构单元，具体而言，更优选使用选自(a1－1－1)～(a1－1－6)、(a1－1－17)～(a1－1－18)、(a1－1－35)～(a1－1－41)以及(a1－3－49)～(a1－3－50)中的至少1种。

此外，作为结构单元(a1)，特别优选包括式(a1－1－1)～式(a1－1－4)的结构单元的下述通式(a 1－1－01)表示的结构单元、或包括式(a1－1－35)～(a1－1－41)的结构单元的下述通式(a1－1－02)。

[式中，R表示氢原子、低级烷基或卤代低级烷基，R¹¹表示低级烷基。]

[式中，R表示氢原子、低级烷基或卤代低级烷基，R¹²表示低级烷基。h表示1～3的整数。]

通式(a1－1－01)中，R与上述相同。

R¹¹的低级烷基与R中的低级烷基相同，优选甲基或乙基。

在通式(a1－1－02)中，R与上述相同。

R¹²的低级烷基与R中的低级烷基相同，优选甲基或乙基，最优选乙基。h优选1或2，最优选2。

(A1)成分中，结构单元(a1)的比例为相对于构成(A1)成分的总结构单元优选为10～80摩尔％，更优选20～70摩尔％，进一步优选25～50摩尔％。若为下限值以上，则作为抗蚀剂组合物时能容易地获得图案，若为上限值以下，则能与其他的结构单元达到平衡。

·结构单元(a2)

结构单元(a2)是由含有含内酯的环式基的丙烯酸酯衍生而来的结构单元。

这里，含内酯的环式基是指含有一个具有－O－C(O)－结构的环(内酯环)的环式基。内酯环算作一个环，当仅有内酯环时，称为单环基，当还具有其他环结构时，不管该结构为何种结构，均称为多环基。

结构单元(a2)的内酯环式基在用(A1)成分形成抗蚀剂膜时能有效地提高抗蚀剂膜对基板的密合性或提高与含水显影液的亲和性。

作为结构单元(a2)，没有特殊限制，可以使用任意的结构单元。

具体而言，作为含内酯的单环基，可以列举γ－丁内酯除去1个氢原子后的基团。作为含内酯的多环基，可以列举具有内酯环的双环烷、三环烷、四环烷除去1个氢原子后的基团。

作为结构单元(a2)的例子，更具体而言，可以列举下述通式(a2－1)～(a2－5)表示的结构单元。

[式中，R为氢原子、低级烷基或卤代低级烷基，R’是氢原子、低级烷基、碳原子数为1～5的烷氧基或－COOR”，上述R”是氢原子或碳原子数为1～15的直链状、支链状或环状的烷基，m是0或1的整数，A”是可以含有氧原子或硫原子的碳原子数为1～5的亚烷基、氧原子或硫原子。]

通式(a2－1)～(a2－5)中的R与上述结构单元(a1)中的R相同。

作为R’的低级烷基，可以列举与上述结构单元(a1)中的R的低级烷基相同的基团。

当R”是直链状或支链状的烷基时，优选碳原子数为1～10，更优选碳原子数为1～5。

当R”是环状的烷基时，优选碳原子数为3～15，更优选碳原子数为4～12，最优选碳原子数为5～10。具体而言，可以列举被氟原子或氟代烷基取代或未取代的单环烷、双环烷、三环烷、四环烷等多环烷除去1个以上氢原子后的基团等。具体可以列举环戊烷、环己烷等单环烷或金刚烷、降冰片烷、异冰片烷、三环癸烷、四环十二烷等多环烷除去1个以上氢原子后的基团等。

考虑到工业上获得容易性等，通式(a2－1)～(a2－5)中的R’优选氢原子。

作为A”的可以含有氧原子或硫原子的碳原子数为1～5的亚烷基，具体可以列举亚甲基、亚乙基、正亚丙基、异亚丙基、-O-CH₂-、-CH₂-O-CH₂-、-S-CH₂-、-CH₂-S-CH₂-等。

以下，例示上述通式(a2－1)～(a2－5)的具体结构单元。

作为结构单元(a2)，优选选自上述通式(a2－1)～(a2－5)表示的结构单元中的至少1种，更优选选自通式(a2－1)～(a2－3)表示的结构单元中的至少1种。其中，优选选自化学式(a2－1－1)、(a2－1－2)、(a2－2－1)、(a2－2－2)、(a2－2－9)、(a2－2－10)、(a2－3－1)、(a2－3－2)、(a2－3－9)和(a2－3－10)表示的结构单元中的至少1种。

作为结构单元(a2)，可以单独使用1种，也可以2种以上组合使用。

(A1)成分中，结构单元(a2)的比例为相对于构成(A1)成分的总结构单元优选为5～60摩尔％，更优选为10～50摩尔％，进一步优选为20～50摩尔％。若为下限值以上，则能充分获得含有结构单元(a2)所产生的效果，若为上限值以下，则能与其他结构单元达到平衡。

·结构单元(a3)

结构单元(a3)是由含有含极性基的脂肪族烃基的丙烯酸酯衍生而来的结构单元。

(A1)成分具有结构单元(a3)，因此(A1)成分的亲水性提高，与显影液的亲和性提高，曝光部的碱溶解性提高，有助于提高析像度。

作为极性基团，可以列举羟基、氰基、羧基、烷基的一部分氢原子被氟原子取代后的羟烷基等，特别优选羟基。

作为脂肪族烃基，可以列举碳原子数为1～10的直链状或支链状的烃基(优选亚烷基)或多环式的脂肪族烃基(多环基)。作为该多环基，可以从例如在ArF准分子激光用抗蚀剂组合物用树脂中大量提及的多环基中适当选择使用。该多环基的碳原子数优选7～30。

其中，更优选由如下丙烯酸酯衍生的结构单元，该丙烯酸酯包含含有羟基、氰基、羧基或烷基的一部分氢原子被氟原子取代后的羟烷基的脂肪族多环基。作为该多环基，可以例示双环烷、三环烷、四环烷等除去2个以上氢原子后的基团等。具体可以列举金刚烷、降冰片烷、异冰片烷、三环癸烷、四环十二烷等多环烷除去2个以上氢原子后的基团等。这些多环基中，工业上优选金刚烷除去2个以上氢原子后的基团、降冰片烷除去2个以上氢原子后的基团、四环十二烷除去2个以上氢原子后的基团。

作为结构单元(a3)，当含极性基团的脂肪族烃基中的烃基是碳原子数为1～10的直链状或支链状的烃基时，优选由丙烯酸的羟乙基酯衍生的结构单元，当该烃基是多环基时，优选下式(a3－1)表示的结构单元、(a3－2)表示的结构单元、(a3－3)表示的结构单元。

[式中，R同上，j是1～3的整数，k是1～3的整数，t’是1～3的整数，l是1～5的整数，s是1～3的整数。]

式(a3－1)中，j优选为1或2，更优选为1。当j是2时，优选羟基与金刚烷基的3位和5位键合。当j是1时，优选羟基与金刚烷基的3位键合。

j优选为1，特别优选羟基与金刚烷基的3位键合。

式(a3－2)中，k优选为1。氰基优选与降冰片烷基的5位或6位键合。

式(a3－3)中，t’优选为1。l优选为1。s优选为1。它们优选丙烯酸的羧基末端与2-降冰片烷基或3-降冰片烷基键合。氟代烷基醇优选与降冰片烷基的5位或6位键合。

作为结构单元(a3)，可以单独使用1种，也可以2种以上组合使用。

(A1)成分中，结构单元(a3)的比例为相对于构成(A1)成分的总结构单元优选为5～50摩尔％，更优选为5～40摩尔％，进一步优选为5～25摩尔％。若为下限值以上，则能充分获得含有结构单元(a3)所产生的效果，若为上限值以下，则能与其他结构单元达到平衡。

·结构单元(a4)

在不损害本发明效果的范围内，(A1)成分还可以含有上述结构单元(a1)～(a3)以外的有其他结构单元(a4)。

结构单元(a4)只要是不属于上述结构单元(a1)～(a3)的其他结构单元即可，没有特殊限制，可以使用已知的众多用于ArF准分子激光用、KrF准分子激光用(优选ArF准分子激光用)等的抗蚀剂用树脂中使用的结构单元。

作为结构单元(a4)，优选例如由含有酸非解离性的脂肪族多环基的丙烯酸酯衍生的结构单元等。该多环基可以列举例如与上述结构单元(a1)中列举的相同的基团，可以使用已知的众多在ArF准分子激光用、KrF准分子激光用(优选ArF准分子激光用)等的抗蚀剂组合物的树脂成分中使用的结构单元。

特别是，若是从三环癸基、金刚烷基、四环十二烷基、异冰片烷基、降冰片烷基中选择的至少1种，则因工业上容易获得等而成为优选。这些多环基可以具有碳原子数为1～5的直链状或支链状的烷基作为取代基。

作为结构单元(a4)，具体可以例示下述通式(a4－1)～(a4－5)的结构。

[式中，R与上述相同。]

当(A1)成分中含有所述结构单元(a4)时，(A1)成分中的结构单元(a4)的比例为相对于构成(A1)成分的总结构单元的合计优选为1～30摩尔％，更优选为10～20摩尔％。

在本发明中，(A1)成分优选含有具有结构单元(a1)、(a2)和(a3)的共聚物。作为该共聚物，可以列举由结构单元(a1)、(a2)和(a3)形成的共聚物，由结构单元(a1)、(a2)、(a3)和(a4)形成的共聚物等。

(A1)成分可以通过使衍生各结构单元的单体利用使用了例如偶氮二异丁腈(AIBN)之类的自由基聚合引发剂的公知的自由基聚合等来聚合得到。

进行上述聚合时，通过在(A1)成分中合用例如HS－CH₂－CH₂－CH₂－C(CF₃)₂－OH这样的链转移剂，可以在末端引入－C(CF₃)₂－OH基。如此引入了烷基的一部分氢原子被氟原子取代的羟烷基的共聚物能有效地降低显影缺陷和LER(线边缘粗糙度：线侧壁的不均匀凹凸)。

(A1)成分的质均分子量(Mw)(凝胶渗透色谱法得到的聚苯乙烯换算基准)没有特殊限制，优选2000～50000，更优选3000～30000，最优选5000～20000。若小于该范围的上限，则作为抗蚀剂使用时对抗蚀剂溶剂具有充分的溶解性，若大于该范围的下限，则耐干蚀性和抗蚀剂图案剖面形状良好。

分散度(Mw/Mn)优选为1.0～5.0，进一步优选为1.0～3.0，最优选为1.2～2.5。另外，Mn表示数均分子量。

[(A2)成分]

作为(A2)成分，优选分子量在500以上不足2000、且具有在上述(A1)成分的说明中例示的酸解离性溶解抑制基和亲水基的低分子化合物。具体可以列举具有多个酚骨架的化合物的羟基的一部分氢原子被上述酸解离性溶解抑制基取代后的化合物。

(A2)成分优选作为非化学增幅型的g线或i线抗蚀剂中的增感剂、耐热性提高剂而为人所知的低分子量酚化合物的羟基的一部分氢原子被上述酸解离性溶解抑制基取代后的化合物，可从这些化合物中任意选择使用。

作为所述的低分子量酚化合物，可以列举例如二(4－羟基苯基)甲烷、二(2，3，4－三羟基苯基)甲烷、2－(4－羟基苯基)－2－(4’－羟基苯基)丙烷、2－(2，3，4－三羟基苯基)－2－(2’，3’，4’－三羟基苯基)丙烷、三(4－羟基苯基)甲烷、二(4－羟基－3，5－二甲基苯基)－2－羟基苯基甲烷、二(4－羟基－2，5－二甲基苯基)－2－羟基苯基甲烷、二(4－羟基－3，5－二甲基苯基)－3，4－二羟基苯基甲烷、二(4－羟基－2，5－二甲基苯基)－3，4－二羟基苯基甲烷、二(4－羟基－3－甲基苯基)－3，4－二羟基苯基甲烷、二(3－环己基－4－羟基－6－甲基苯基)－4－羟基苯基甲烷、二(3－环己基－4－羟基－6－甲基苯基)－3，4－二羟基苯基甲烷、1－[1－(4－羟基苯基)异丙基]－4－[1，1－二(4－羟基苯基)乙基]苯、苯酚、间甲酚、对甲酚或二甲苯酚等苯酚类的甲醛缩合物的2、3、4核体等。当然，不限于这些。

酸解离性溶解抑制基也不受特殊限制，可以列举上述基团。

作为(A)成分，可以单独使用1种，也可以2种以上合用。

本发明的抗蚀剂组合物中，(A)成分的含量可以根据预形成的抗蚀剂膜厚等来调节。

＜(B)成分＞

(B)成分含有由上述通式(b1－1)表示的化合物形成的产酸剂(B1)(以下，有时称为(B1)成分。)。该(B1)成分与上述本发明的化合物(B1)相同。

(B1)成分可以使用1种或2种以上混合使用。

在本发明的抗蚀剂组合物中，(B)成分中的(B1)成分的含量优选为40质量％以上，进一步优选为70质量％以上，也可以是100质量％。最优选为100质量％。若为该范围的下限值以上，则使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案时，析像度、掩模重現性、线宽粗糙度(LWR)、图案形状、曝光量(EL)宽裕度、焦深(DOF)等光刻特性提高。

(B)成分中，可以将上述(B1)成分以外的产酸剂(B2)(以下称为(B2)成分)与上述(B1)成分合用。

作为(B2)成分，只要是上述(B1)成分以外的成分即可，没有特殊限制，可以使用迄今为止提出的化学增幅型抗蚀剂用产酸剂。

作为这种产酸剂，迄今为止已知有碘鎓盐或锍盐等鎓盐类产酸剂、磺化肟类产酸剂、二烷基或二芳基磺酰重氮甲烷类、聚(二磺酰)重氮甲烷类等重氮甲烷类产酸剂、硝基苄基磺酸盐类产酸剂、亚胺磺酸盐类产酸剂、二砜类产酸剂等多种。

作为鎓盐类产酸剂，可以使用例如下述通式(b－1)或(b－2)表示的化合物。

[式中，R¹”～R³”、R⁵”～R⁶”分别独立地表示芳基或烷基；式(b－1)中的R¹”～R³”中的任意2个可以相互键合并与式中的硫原子一起成环；R⁴”表示直链状、支链状或环状的烷基或氟代烷基；R¹”～R³”中的至少一个表示芳基，R⁵”～R⁶”中的至少一个表示芳基。]

式(b－1)中的R¹”～R³”分别与上述(b’－1)中的R¹”～R³”相同。

R⁴”表示直链状、支链状或环状的烷基或氟代烷基

作为上述直链状或支链状的烷基，优选碳原子数为1～10，更优选碳原子数为1～8，最优选碳原子数为1～4。

作为上述环状的烷基，为上述R¹”表示的环式基，优选碳原子数为4～15，更优选碳原子数为4～10，最优选碳原子数为6～10。

作为上述氟代烷基，优选碳原子数为1～10，更优选碳原子数为1～8，最优选碳原子数为1～4。

另外，该氟代烷基的氟化率(烷基中的氟原子的比例)优选为10～100％，更优选为50～100％，特别是氢原子全部被氟原子取代后的氟代烷基(全氟烷基)因酸强度变强而成为优选。

作为R⁴”，最优选直链状或环状的烷基或氟代烷基。

式(b－2)中的R⁵”～R⁶”分别与上述(b’-2)中的R⁵”～R⁶”相同。

作为式(b－2)中的R⁴”，可以列举与上式(b－1)中的R⁴”相同的基团。

作为式(b－1)、(b－2)表示的鎓盐类产酸剂的具体例子，可以列举二苯基碘鎓的三氟甲磺酸盐或九氟丁磺酸盐、二(4－叔丁基苯基)碘鎓的三氟甲磺酸盐或九氟丁磺酸盐、三苯基锍的三氟甲磺酸盐、其七氟丙磺酸盐或其九氟丁磺酸盐、三(4－甲基苯基)锍的三氟甲磺酸盐、其七氟丙磺酸盐或其九氟丁磺酸盐、二甲基(4－羟基萘基)锍的三氟甲磺酸盐、其七氟丙磺酸盐或其九氟丁磺酸盐、一苯基二甲基锍的三氟甲磺酸盐、其七氟丙磺酸盐或其九氟丁磺酸盐；二苯基一甲基锍的三氟甲磺酸盐、其七氟丙磺酸盐或其九氟丁磺酸盐、(4－甲基苯基)二苯基锍的三氟甲磺酸盐、其七氟丙磺酸盐或其九氟丁磺酸盐、(4－甲氧基苯基)二苯基锍的三氟甲磺酸盐、其七氟丙磺酸盐或其九氟丁磺酸盐、三(4－叔丁基)苯基锍的三氟甲磺酸盐、其七氟丙磺酸盐或其九氟丁磺酸盐、二苯基(1－(4－甲氧基)萘基)锍的三氟甲磺酸盐、其七氟丙磺酸盐或其九氟丁磺酸盐、二(1－萘基)苯基锍的三氟甲磺酸盐、其七氟丙磺酸盐或其九氟丁磺酸盐；1－苯基四氢噻吩鎓的三氟甲磺酸盐、其七氟丙磺酸盐或其九氟丁磺酸盐；1－(4－甲基苯基)四氢噻吩鎓的三氟甲磺酸盐、其七氟丙磺酸盐或其九氟丁磺酸盐；1－(3，5－二甲基－4－羟基苯基)四氢噻吩鎓的三氟甲磺酸盐、其七氟丙磺酸盐或其九氟丁磺酸盐；1－(4－甲氧基萘－1－基)四氢噻吩鎓的三氟甲磺酸盐、其七氟丙磺酸盐或其九氟丁磺酸盐；1－(4－乙氧基萘－1－基)四氢噻吩鎓的三氟甲磺酸盐、其七氟丙磺酸盐或其九氟丁磺酸盐；1－(4－正丁基萘－1－基)四氢噻吩鎓的三氟甲磺酸盐、其七氟丙磺酸盐或其九氟丁磺酸盐；1－苯基四氢噻喃鎓的三氟甲磺酸盐、其七氟丙磺酸盐或其九氟丁磺酸盐；1－(4－羟基苯基)四氢噻喃鎓的三氟甲磺酸盐、其七氟丙磺酸盐或其九氟丁磺酸盐；1－(3，5－二甲基－4－羟基苯基)四氢噻喃鎓的三氟甲磺酸盐、其七氟丙磺酸盐或其九氟丁磺酸盐；1－(4－甲基苯基)四氢噻喃鎓的三氟甲磺酸盐、其七氟丙磺酸盐或其九氟丁磺酸盐等。

另外，也可以使用这些鎓盐的阴离子部被甲磺酸盐、正丙磺酸盐、正丁磺酸盐、正辛磺酸盐取代后的鎓盐。

此外，还可以使用上述通式(b－1)或(b－2)中的阴离子部被下述通式(b－3)或(b－4)表示的阴离子部取代后的鎓盐类产酸剂(阳离子部与(b－1)或(b－2)相同)。

[式中，X”表示至少1个氢原子被氟原子取代的碳原子数2～6的亚烷基；Y”、Z”分别独立地表示至少一个氢原子被氟原子取代的碳原子数1～10的烷基。]

X”是至少一个氢原子被氟原子取代的直链状或支链状的亚烷基，该亚烷基的碳原子数为2～6，优选碳原子数为3～5，最优选碳原子数为3。

Y”、Z”分别独立地为至少一个氢原子被氟原子取代的直链状或支链状的烷基，该烷基的碳原子数为1～10，优选碳原子数为1～7，进一步优选碳原子数为1～3。

由于在抗蚀剂溶剂中的溶解性也良好等原因，X”的亚烷基的碳原子数或Y”、Z”的烷基的碳原子数在上述碳原子数的范围内越小越好。

X”的亚烷基或Y”、Z”的烷基中被氟原子取代的氢原子的数目越多，酸的强度越强，且在200nm以下的高能量光或电子射线下的透明性提高，因而优选。该亚烷基或烷基中的氟原子的比例即氟化率优选为70～100％，更优选为90～100％，最好是所有氢原子均被氟原子取代得到的全氟亚烷基或全氟烷基。

另外，也可以将具有上述通式(b－5)或(b－6)表示的阳离子部和上述(B1)成分所具有的阴离子部以外的其他阴离子部的锍盐用作鎓盐类产酸剂。

作为上述其他阴离子部，可以使用迄今为止已提出的鎓盐类产酸剂的阴离子部，可以列举例如上述通式(b－1)或(b－2)表示的鎓盐类产酸剂的阴离子部(R^4”SO₃ ^－)等氟代烷基磺酸离子；上述通式(b－3)或(b－4)表示的阴离子部等。其中，优选氟代烷基磺酸离子，进一步优选碳原子数为1～4的氟代烷基磺酸离子，特别优选碳原子数为1～4的直链状全氟烷基磺酸离子。作为具体例子，可以列举三氟甲基磺酸离子、七氟正丙基磺酸离子、九氟正丁基磺酸离子等。

在本说明书中，磺化肟类产酸剂是指至少具有1个下述通式(B－1)表示的基团的化合物，具有在放射线的照射下产生酸的特性。这种磺化肟类产酸剂常用于化学增幅型抗蚀剂组合物，因此可以任意选择使用。

(式(B－1)中，R³¹、R³²分别独立地表示有机基团。)

R³¹、R³²的有机基团是含有碳原子的基团，也可以具有碳原子以外的原子(例如氢原子、氧原子、氮原子、硫原子、卤原子(氟原子、氯原子等)等)。

作为R³¹的有机基团，优选直链状、支链状或环状的烷基或芳基。这些烷基、芳基也可以具有取代基。作为该取代基，没有特殊限制，可以列举例如氟原子、碳原子数为1～6的直链状、支链状或环状的烷基等。这里，“具有取代基”是指烷基或芳基的一部分或全部氢原子被取代基取代。

作为烷基，优选碳原子数为1～20，进一步优选碳原子数为1～10，更优选碳原子数为1～8，特别优选碳原子数为1～6，最优选碳原子数为1～4。作为烷基，特别优选部分或全部被卤代的烷基(以下有时称为卤代烷基)。另外，部分被卤代的烷基是指一部分氢原子被卤原子取代的烷基，完全被卤代的烷基是指全部氢原子被卤原子取代的烷基。作为卤原子，可以列举氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特别优选氟原子。即，卤代烷基优选氟代烷基。

芳基优选碳原子数为4～20，更优选碳原子数为4～10，最优选碳原子数为6～10。作为芳基，特别优选部分或全部被卤代的芳基。另外，部分被卤代的芳基是指一部分氢原子被卤原子取代的芳基，全部被卤代的芳基是指全部氢原子被卤原子取代的芳基。

作为R³¹，特别优选无取代基的碳原子数为1～4的烷基，或碳原子数为1～4的氟代烷基。

作为R³²的有机基团，优选直链状、支链状或环状的烷基、芳基或氰基。作为R³²的烷基、芳基，可以列举与上述R³¹中列举的烷基、芳基相同的基团。

作为R³²，特别优选氰基、无取代基的碳原子数为1～8的烷基、或碳原子数为1～8的氟代烷基。

作为磺化肟类产酸剂，进一步优选下述通式(B－2)或(B－3)表示的化合物。

[式(B－2)中，R³³是氰基、无取代基的烷基或卤代烷基。R³⁴是芳基。R³⁵是无取代基的烷基或卤代烷基。]

[式(B－3)中，R³⁶是氰基、无取代基的烷基或卤代烷基。R³⁷是2价或3价的芳香族烃基。R³⁸是无取代基的烷基或卤代烷基。p”是2或3。]

上述通式(B－2)中，R³³的无取代基的烷基或卤代烷基优选碳原子数为1～10，更优选碳原子数为1～8，最优选碳原子数为1～6。

作为R³³，优选卤代烷基，更优选氟代烷基。

R³³中的氟代烷基优选烷基的氢原子的50％以上被氟取代，更优选70％以上被氟取代，特别优选90％以上被氟取代。

作为R³⁴的芳基，可以列举苯基、联苯(biphenyl)基、芴(fluorenyl)基、萘基、蒽(anthryl)基、菲基等由芳香烃环除去1个氢原子后的基团、以及构成这些基团的环的碳原子的一部分被氧原子、硫原子、氮原子等杂原子取代后的杂芳基等。其中，优选芴基。

R³⁴的芳基可以具有碳原子数为1～10的烷基、卤代烷基、烷氧基等取代基。该取代基中的烷基或卤代烷基优选碳原子数为1～8，更优选碳原子数为1～4。另外，该卤代烷基优选氟代烷基。

作为R³⁵的无取代基的烷基或卤代烷基，优选碳原子数为1～10，更优选碳原子数为1～8，最优选碳原子数为1～6。

作为R³⁵，优选卤代烷基，更优选氟代烷基。

R³⁵中的氟代烷基优选烷基的氢原子的50％以上被氟取代，更优选70％以上被氟取代，当90％以上被氟取代时，产生的酸的强度提高，因而特别优选。最优选氢原子100％被氟取代的全氟烷基。

在上述通式(B-3)中，作为R³⁶的无取代基的烷基或卤代烷基，可以列举与上述R³³的无取代基的烷基或卤代烷基相同的基团。

作为R³⁷的2价或3价的芳香族烃基，可以列举由上述R³⁴的芳基进一步除去1个或2个氢原子后的基团。

作为R³⁸的无取代基的烷基或卤代烷基，可以列举与上述R³⁵的无取代基的烷基或卤代烷基相同的基团。

p”优选2。

作为磺化肟类产酸剂的具体例子，可列举α－(p－甲苯磺酰氧基亚胺基)－苄基氰化物、α－(p－氯苯磺酰氧基亚胺基)－苄基氰化物、α－(4－硝基苯磺酰氧基亚胺基)－苄基氰化物、α－(4－硝基－2－三氟甲基苯磺酰氧基亚胺基)－苄基氰化物、α－(苯磺酰氧基亚胺基)－4－氯苄基氰化物、α－(苯磺酰氧基亚胺基)－2，4－二氯苄基氰化物、α－(苯磺酰氧基亚胺基)－2，6－二氯苄基氰化物、α－(苯磺酰氧基亚胺基)－4－甲氧基苄基氰化物、α－(2－氯苯磺酰氧基亚胺基)－4－甲氧基苄基氰化物、α－(苯磺酰氧基亚胺基)－噻吩－2－基乙腈、α－(4－十二烷基苯磺酰氧基亚胺基)－苄基氰化物、α－[(p－甲苯磺酰氧基亚胺基)－4－甲氧基苯基]乙腈、α－[(十二烷基苯磺酰氧基亚胺基)－4－甲氧基苯基]乙腈、α－(甲苯磺酰氧基亚胺)－4－噻吩基氰化物、α－(甲基磺酰氧基亚胺基)－1－环戊烯基乙腈、α－(甲基磺酰氧基亚胺基)－1－环己烯基乙腈、α－(甲基磺酰氧基亚胺基)－1－环庚烯基乙腈、α－(甲基磺酰氧基亚胺基)－1－环辛烯基乙腈、α－(三氟甲基磺酰氧基亚胺基)－1－环戊烯基乙腈、α－(三氟甲基磺酰氧基亚胺基)－环己基乙腈、α－(乙基磺酰氧基亚胺基)－乙基乙腈、α－(丙基磺酰氧基亚胺基)－丙基乙腈、α－(环己基磺酰氧基亚胺基)－环戊基乙腈、α－(环己基磺酰氧基亚胺基)－环己基乙腈、α－(环己基磺酰氧基亚胺基)－1－环戊烯基乙腈、α－(乙基磺酰氧基亚胺基)－1－环戊烯基乙腈、α－(异丙基磺酰氧基亚胺基)－1－环戊烯基乙腈、α－(正丁基磺酰氧基亚胺基)－1－环戊烯基乙腈、α－(乙基磺酰氧基亚胺基)－1－环己烯基乙腈、α－(正丙基磺酰氧基亚胺基)－1－环己烯基乙腈、α－(正丁基磺酰氧基亚胺基)－1－环己烯基乙腈、α－(甲基磺酰氧基亚胺基)－苯基乙腈、α－(甲基磺酰氧基亚胺基)－p－甲氧基苯基乙腈、α－(三氟甲基磺酰氧基亚胺基)－苯基乙腈、α－(三氟甲基磺酰氧基亚胺基)－p－甲氧基苯基乙腈、α－(乙基磺酰氧基亚胺基)－p－甲氧基苯基乙腈、α－(丙基磺酰氧基亚胺基)－p－甲基苯基乙腈、α－(甲基磺酰氧基亚胺基)－p－溴苯基乙腈等。

另外，也可以优选使用日本专利特开平9－208554号公报(段落[0012]～[0014]的[化18]～[化19])中公开的磺化肟类产酸剂、国际公开第04/074242号小册子(第65～85页的例1～40)中公开的磺化肟类产酸剂。

优选的例子如下所示。

作为重氮甲烷类产酸剂中二烷基或二芳基磺酰重氮甲烷类的具体例子，可以列举二(异丙基磺酰)重氮甲烷、二(对甲苯磺酰)重氮甲烷、二(1，1－二甲基乙基磺酰)重氮甲烷、二(环己基磺酰)重氮甲烷、二(2，4－二甲基苯基磺酰)重氮甲烷等。

另外，也可以优选使用日本专利特开平11－035551号公报、日本专利特开平11－035552号公报、日本专利特开平11－035573号公报中公开的重氮甲烷类产酸剂。

作为聚(二磺酰)重氮甲烷类，可以列举例如日本专利特开平11－322707号公报中公开的1，3－二(苯基磺酰重氮甲基磺酰)丙烷、1，4－二(苯基磺酰重氮甲基磺酰)丁烷、1，6－二(苯基磺酰重氮甲基磺酰)己烷、1，10－二(苯基磺酰重氮甲基磺酰)癸烷、1，2－二(环己基磺酰重氮甲基磺酰)乙烷、1，3－二(环己基磺酰重氮甲基磺酰)丙烷、1，6－二(环己基磺酰重氮甲基磺酰)己烷、1，10－二(环己基磺酰重氮甲基磺酰)癸烷等。

(B2)成分可以单独使用1种上述产酸剂，也可以组合使用2种以上。

本发明的抗蚀剂组合物中的(B)成分的含量为相对于100质量份(A)成分为0.5～30质量份，优选为1～20质量份。在上述范围内能充分进行图案形成。而且，能得到均匀的溶液，保存稳定性良好，因而优选。

＜任意成分＞

为了提高抗蚀剂图案形状、放置经时稳定性(日语原文：引き置き経時安定性)等，本发明的抗蚀剂组合物还可以含有含氮有机化合物(D)(以下称为(D)成分)。

关于该(D)成分，已提出多种物质，从公知的物质中任意选择使用即可，其中，优选脂肪族胺、特别优选脂肪族仲胺、脂肪族叔胺。脂肪族胺是指具有1个以上脂肪族基的胺，该脂肪族基优选碳原子数为1～12。

作为脂肪族胺，可以列举氨NH₃的至少一个氢原子被碳原子数为12以下的烷基或羟烷基取代后的胺(烷基胺或烷基醇胺)或环胺。

作为烷基胺和烷基醇胺的具体例子，可以列举正己基胺、正庚基胺、正辛基胺、正壬基胺、正癸基胺等一烷基胺；二乙基胺、二正丙基胺、二正庚基胺、二正辛基胺、二环己基胺等二烷基胺；三甲基胺、三乙基胺、三正丙基胺、三正丁基胺、三正戊基胺、三正己基胺、三正庚基胺、三正辛基胺、三正壬基胺、三正癸基胺、三正十二烷基胺等三烷基胺；二乙醇胺、三乙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、二正辛醇胺、三正辛醇胺等烷基醇胺。其中，优选3个碳原子数为5～10的烷基与氮原子键合而成的三烷基胺，最优选三正戊基胺。

作为脂肪族单环胺，具体可以列举哌啶、哌嗪等。

作为脂肪族多环胺，优选碳原子数为6～10，具体可以列举1，5－重氮双环[4.3.0]－5－壬烯、1，8－重氮双环[5.4.0]－7－十一碳烯、环六亚甲基四胺、1，4－重氮双环[2.2.2]辛烷等。

除上述列举的物质以外，还可以优选使用硬脂基二乙醇胺。

它们可以单独使用，也可以2种以上组合使用。

(D)成分相对于100质量份(A)成分通常在0.01～5.0质量份的范围内使用。

为了防止灵敏度下降、提高抗蚀剂图案形状、放置经时稳定性等，在本发明的抗蚀剂组合物中还可以含有选自有机羧酸以及磷的含氧酸及其衍生物中的至少一种化合物(E)(以下称为(E)成分)作为任意成分。

作为有机羧酸，优选例如乙酸、丙二酸、柠檬酸、苹果酸、琥珀酸、苯甲酸、水杨酸等。

作为磷的含氧酸及其衍生物，可以列举磷酸、膦酸、次膦酸等，其中特别优选膦酸。

作为磷的含氧酸的衍生物，可以列举例如上述含氧酸的氢原子被烃基取代后的酯等，作为上述烃基，可以列举碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为6～15的芳基等。

作为磷酸的衍生物，可以列举磷酸二正丁基酯、磷酸二苯基酯等磷酸酯等。

作为膦酸的衍生物，可以列举膦酸二甲基酯、膦酸二正丁基酯、膦酸苯基酯、膦酸二苯基酯、膦酸二苄基酯等膦酸酯等。

作为次膦酸的衍生物，可以列举次膦酸苯基酯等次膦酸酯等。

(E)成分可以单独使用1种，也可以2种以上合用。

作为(E)成分，优选有机羧酸，特别优选水杨酸。

(E)成分按相对于100质量份(A)成分为0.01～5.0质量份的比例使用。

根据需要，在本发明的抗蚀剂组合物中还可以适当添加具有混合性的添加剂，例如用于改善抗蚀剂膜性能的加成性树脂、用于提高涂布性的表面活性剂、溶解抑制剂、增塑剂、稳定剂、着色剂、消晕剂、染料等。[有机溶剂(S)]

本发明的抗蚀剂组合物可以通过将材料溶解在有机溶剂(S)(以下有时称为(S)成分)中来制造。

作为(S)成分，只要是能溶解所使用的各成分并制成均匀溶液的溶剂即可，可以从以往公知的化学增幅型抗蚀剂的溶剂中适当选用任意1种或2种以上。

例如γ－丁内酯等内酯类；丙酮、甲乙酮、环己酮、甲基正戊基酮、甲基异戊基酮、2－庚酮等酮类；乙二醇、二甘醇、丙二醇、二丙二醇等多元醇类；乙二醇单乙酸酯、二甘醇单乙酸酯、丙二醇单乙酸酯、或二丙二醇单乙酸酯等具有酯键的化合物、上述多元醇类或上述具有酯键的化合物的单甲基醚、单乙基醚、单丙基醚、单丁基醚等单烷基醚或单苯基醚等具有醚键的化合物等多元醇类的衍生物[其中，优选丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇单甲基醚(PGME)]；二噁烷等环醚类或、乳酸甲酯、乳酸乙酯(EL)、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等酯类；苯甲醚、乙基苄基醚、甲苯基甲基醚、二苯基醚、二苄基醚、苯乙醚、丁基苯基醚、乙基苯、二乙基苯、戊基苯、异丙基苯、甲苯、二甲苯、异丙基甲苯、均三甲基苯等芳香族类有机溶剂等。

这些有机溶剂可以单独使用，也可以作为2种以上的混合溶剂使用。

其中，优选丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇单甲基醚(PGME)、EL。

另外，还优选PGMEA与极性溶剂混合而成的混合溶剂。其配比(质量比)可以根据PGMEA与极性溶剂的相溶性等来适当决定，优选在1：9～9：1、更优选在2：8～8：2的范围内。

更具体而言，当掺入EL作为极性溶剂时，PGMEA：EL的质量比优选为1:9～9:1，更优选为2:8～8:2。当掺入PGME作为极性溶剂时，PGMEA：PGME的质量比优选为1:9～9:1，进一步优选为2:8～8:2，更优选3:7～7:3。

作为(S)成分，除此之外，还优选选自PGMEA和EL中的至少1种与γ－丁内酯的混合溶剂。此时，关于混合比例，前者与后者的质量比优选为70:30～95:5。

(S)成分的用量没有特殊限制，为能在基板等上涂布的浓度，根据涂布膜厚度来适当设定，通常，以抗蚀剂组合物的固体成分浓度为2～20质量％、优选5～15质量％的范围内使用。

上述本发明的抗蚀剂组合物是以往未知的新型组合物。

含有本发明的化合物(b1-1)作为产酸剂，能提高光刻特性，例如提高形成抗蚀剂图案时的析像度、掩模重现性(例如掩模线性等)、曝光量(EL)宽裕度、抗蚀剂图案形状、焦深(DOF)等。

EL容裕度是指改变曝光量进行曝光时，能以与目标尺寸的偏差在规定范围内的尺寸来形成抗蚀剂图案的曝光量的范围，即得到忠实于掩模图案的抗蚀剂图案的曝光量的范围，EL容裕度的值越大，随曝光量的变动而产生的图案尺寸的变化量越小，工序的容裕度提高，因而优选。

推测产生上述效果的理由如下。即，上述化合物(b0-1)的阴离子部具有在“Y¹-SO^3-”的骨架上键合有R^X-Q³-O-Q²-的结构。因此，与以往作为阴离子使用的氟代烷基磺酸离子相比，极性大，空间位阻大，成为庞大的结构。据推测，与九氟丁磺酸离子等现有的产酸剂的阴离子部相比，极性大引起的分子间的相互作用以及其庞大的立体结构能从化学上和物理上抑制该阴离子部(酸)在抗蚀剂膜内的扩散。因此，抑制曝光区域产生的酸向未曝光区域扩散，从而使未曝光区域与曝光区域的对碱显影液的溶解性之差(溶解对比度)提高，籍此，析像度和抗蚀剂图案形状提高。

《抗蚀剂图案形成方法》

本发明第2方式的抗蚀剂图案形成方法包括使用本发明的抗蚀剂组合物在支撑体上形成抗蚀剂膜的工序、将上述抗蚀剂膜曝光的工序以及将上述抗蚀剂膜进行碱显影来形成抗蚀剂图案的工序。

该抗蚀剂图案形成方法例如可以按如下步骤来进行。

即，首先在支撑体上用旋转涂布器等涂布上述本发明的抗蚀剂组合物，在80～150℃的温度条件下，预烘烤(postapply bake：PAB)40～120秒，优选60～90秒，利用例如ArF曝光装置等，通过所需的掩模图案用ArF准分子激光进行选择性曝光后，在80～150℃的温度条件下，实施40～120秒、优选60～90秒PEB(曝光后加热)。然后，使用碱显影液、例如0.1～10质量％四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液对其进行碱显影处理，优选使用纯水进行水淋洗，干燥。根据情况，也可以在上述碱显影处理后进行烘烤处理(后烘烤)。这样，即可获得忠实于掩模图案的抗蚀剂图案。

作为支撑体，没有特殊限制，可以使用以往公知的支撑体，例如电子器件用基板、形成有规定的布线图案的该基板等。更具体而言，可以列举硅晶片、铜、铬、铁、铝等金属制基板或玻璃基板等。作为布线图案的材料，可以使用例如铜、铝、镍、金等。

作为支撑体，还可以是在上述基板上设有无机类和/或有机类膜的基板。作为无机类的膜，可以列举无机防反射膜(无机BARC)。作为有机类的膜，可以列举有机防反射膜(有机BARC)。

曝光采用的波长不受特殊限制，可以采用ArF准分子激光、KrF准分子激光、F₂准分子激光、EUV(超紫外线)、VUV(真空紫外线)、EB(电子射线)、X射线、软X射线等放射线来进行。上述抗蚀剂组合物对KrF准分子激光、ArF准分子激光、EB或EUV、特别是ArF准分子激光有效。

抗蚀剂膜的曝光可以是在空气或氮气等惰性气体中进行的普通曝光(干式曝光)，也可以是液浸曝光。

若采用液浸曝光，则如上所述，在曝光时，以往是在使充满空气或氮气等惰性气体的透镜与晶片上的抗蚀剂膜之间的部分浸渍于折射率大于空气折射率的溶剂(液浸介质)的状态下进行曝光。

更具体而言，液浸曝光是使用折射率大于空气折射率的溶剂(液浸介质)充满按上述方法得到的抗蚀剂膜与位于曝光装置最下方的透镜间，在此状态下，通过所需的掩模图案进行曝光(浸渍曝光)。

作为液浸介质，优选折射率大于空气折射率且小于通过该浸渍曝光而被曝光的抗蚀剂膜的折射率的溶剂。作为所述溶剂的折射率，只要在上述范围内即可，没有特殊限制。

作为折射率大于空气折射率且小于抗蚀剂膜的折射率的溶剂，可以列举例如水、氟类惰性液体、有机硅类溶剂、烃类溶剂等。

作为氟类惰性液体的具体例子，可以列举以C₃HCl₂F₅、C₄F₉OCH₃、C₄F₉OC₂H₅、C₅H₃F₇等氟类化合物为主要成分的液体等，优选沸点为70～180℃的液体，进一步优选80～160℃的液体。若氟类惰性液体具有上述范围的沸点，则在曝光结束后，用简单的方法即可除去液浸中使用的介质，因而成为优选。

作为氟类惰性液体，特别优选烷基的氢原子全部被氟原子取代的全氟烷基化合物。作为全氟烷基化合物，具体可以列举全氟烷基醚化合物或全氟烷基胺化合物。

更具体而言，作为上述全氟烷基醚化合物，可以列举全氟(2－丁基－四氢呋喃)(沸点102℃)，作为上述全氟烷基胺化合物，可以列举全氟三丁基胺(沸点174℃)。

实施例

下面，通过实施例更详细地说明本发明，但本发明不限于这些实施例。

在以下各例中，将化学式(Ⅱ)表示的化合物记为“化合物(Ⅱ)”，其他化学式表示的化合物也分别用同样方式来表述。

[合成例1]

装入化合物(Ⅱ)4.34g(纯度：94.1％)、2-苄基氧乙醇3.14g、甲苯43.4g，添加对甲苯磺酸一水合物0.47g，在105℃下回流20小时。将反应液过滤，在滤物中添加己烷20g，搅拌。再过滤，将滤物干燥，得到化合物(Ⅲ)1.41g(收率：43.1％)。

对得到的化合物(Ⅲ)进行NMR分析。

¹H－NMR(DMSO－d6，400MHz)：δ(ppm)＝4.74－4.83(t，1H，OH)、4.18－4.22(t，2H，H^a)、3.59－3.64(q，2H，H^b)。

¹⁹F－NMR(DMSO－d6、376MHz)：δ(ppm)＝－106.6。

上述结果证实：化合物(Ⅲ)具有下示结构。

[实施例1]

向化合物(Ⅲ)1.00g和乙腈3.00g中，在冰冷却下滴加1-金刚烷甲酰氯0.82g和三乙基胺0.397g。滴加结束后，在室温下搅拌20小时，过滤。将滤液浓缩干燥，溶于二氯甲烷30g，水洗3次。将有机层浓缩干燥，得到化合物(Ⅳ)0.82g(收率：41％)。

对得到的化合物(Ⅳ)进行NMR分析。

¹H－NMR(DMSO－d6、400MHz)：δ(ppm)＝8.81(s，1H，H^c)4.37－4.44(t，2H，H^d)、4.17－4.26(t，2H，H^e)、3.03－3.15(q，6H，H^b)、1.61－1.98(m，15H，金刚烷)、1.10－1.24(t，9H，H^a)。

¹⁹F－NMR(DMSO－d6，376MHz)：δ(ppm)＝－106.6。

上述结果证实：化合物(Ⅳ)具有下示结构。

[实施例2]

装入化合物(Ⅱ)4.34g(纯度：94.1％)、2-苄基氧乙醇3.14g、甲苯43.4g，添加对甲苯磺酸一水合物0.47g，在105℃下回流20小时后，冷却，然后添加三乙基胺盐酸盐3.18g，在室温下搅拌3小时。在反应液中添加二氯甲烷31.4g，过滤。将滤液浓缩干燥，得到化合物(Ⅶ)1.31g(收率：19.8％)。

对得到的化合物(Ⅶ)进行NMR分析。

¹H－NMR(DMSO－d6、400MHz)：δ(ppm)＝9.20(s，1H，H^c)、4.80(s，1H，H^f)、4.19－4.21(t，2H，H^d)、3.58－3.59(m，2H，H^e)、3.04－3.10(q，6H，H^b)、1.13－1.21(t，9H，H^a)。

¹⁹F－NMR(DMSO－d6，376MHz)：δ(ppm)＝－106.6。

上述结果证实：化合物(Ⅶ)具有下示结构。

[实施例3]

向化合物(Ⅶ)1.33g和乙腈3.00g中，在冰冷却下滴加1-金刚烷甲酰氯0.82g和三乙基胺0.397g。滴加结束后，在室温下搅拌20小时，过滤。将滤液浓缩干燥，溶于二氯甲烷30g，水洗3次。将有机溶剂层浓缩干燥，得到化合物(Ⅳ’)0.86g(收率：43.1％)。

对得到的化合物(Ⅳ’)进行NMR分析。得到与[实施例1]中得到的化合物(Ⅳ)相同的谱图。

[实施例4]

将化合物(Ⅴ)0.384g溶于二氯甲烷3.84g和水3.84g，添加化合物(Ⅳ)0.40g。搅拌1小时后，通过分液处理来回收有机层，用水3.84g水洗3次。将得到的有机层浓缩干燥，得到化合物(Ⅵ)0.44g(收率81.5％)。

对得到的化合物(Ⅵ)进行NMR分析。

¹H－NMR(DMSO－d6，400MHz)：δ(ppm)＝7.57－7.87(m，14H，苯基)、4.40－4.42(t，2H，H^b)、4.15－4.22(t，2H，H^a)、2.43(s，3H，H^c)、1.60－1.93(m，15H，金刚烷)。

¹⁹F－NMR(DMSO－d6，376MHz)：δ(ppm)＝－106.6。

上述结果证实：化合物(Ⅵ)具有下示结构。

[实施例5]

(i)

向控制在20℃以下的甲磺酸60.75g分别少量添加氧化磷8.53g、2，5-二甲基苯酚8.81g和二苯基亚砜12.2g。将温度控制在15～20℃的同时，熟化30分钟，然后升温至40℃，熟化2小时。然后，将反应液滴入冷却至15℃以下的纯水109.35g中。滴加结束后，加入二氯甲烷54.68g，搅拌后，回收二氯甲烷层。

在另一容器中装入20～25℃的己烷386.86g，滴加二氯甲烷层。滴加结束后，在20～25℃下熟化30分钟，过滤，得到目标化合物(i)17.14g(收率70.9％)。

对得到的化合物(i)进行NMR分析。

¹H－NMR(DMSO－d6、600MHz)：δ(ppm)＝7.61－7.72(m，10H，苯基)、7.14(s，2H，H^c)、3.12(s，3H，H^b)、2.22(s，6H，H^a)。

上述结果可以证实化合物(i)具有下示结构。

将化合物(i)4g溶于二氯甲烷79.8g。确认溶解后，添加碳酸钾6.87g，添加溴乙酸甲基金刚烷3.42g。回流下反应24小时后，过滤，水洗，用己烷进行晶析。将得到的粉体减压干燥，得到目标化合物(ii)3.98g(收率66％)。

对得到的化合物(ii)进行NMR分析。

¹H－NMR(CDCl₃，400MHz)：δ(ppm)＝7.83－7.86(m，4H，苯基)、7.69－7.78(m，6H，苯基)、7.51(s，2H，H^d)、4.46(s，2H，H^c)、2.39(s，6H，H^a)、2.33(s，2H，金刚烷)、2.17(s，2H，金刚烷)、1.71－1.98(m，11H，金刚烷)、1.68(s，3H，H^b)、1.57－1.61(m，2H，金刚烷)、。

上述结果可以证实化合物(ii)具有下示结构。

将化合物(ii)4.77g溶于二氯甲烷23.83g和水23.83g，添加化合物(Ⅳ)3.22g。搅拌1小时后，通过分液处理来回收有机层，用水3.84g水洗3次。将得到的有机层浓缩干燥，得到化合物(X)4.98g(收率87％)。

对得到的化合物(X)进行NMR分析。

¹H－NMR(DMSO－d6、400MHz)：δ(ppm)＝7.76－7.88(m，10H，苯基)、7.62(s，2H，苯基)、4.64(s，2H，H^b)、4.43－4.44(t，2H，H^e)、4.22－4.23(t，2H，H^d)、1.51－2.36(m，38H，金刚烷+H^a+H^c)。

¹⁹F－NMR(DMSO－d6、376MHz)：δ(ppm)＝－106.6。

上述结果证实：化合物(X)具有下示结构。

[实施例6]

在反应容器中装入三乙基胺盐酸盐1.99g和乙腈25.00g，向其中添加化合物(Ⅷ)5.00g。在室温下搅拌15小时，将反应液过滤，将滤液在减压下馏去溶剂。将得到的物质再溶于二氯甲烷(29g)中，用纯水(5.8g)水洗2次。将有机相分液，滴加到己烷(435g)中，得到目标化合物(Ⅸ)1.2g(收率20％)。

对得到的化合物(Ⅸ)进行NMR分析。

¹H－NMR(DMSO－d6，400MHz)：δ(ppm)＝8.81(brs，1H，NH)、5.46(t，1H，氧代降冰片烯)、4.97(s，1H，氧代降冰片烯)、4.71(d，1H，氧代降冰片烯)、4.57(d，1H，氧代降冰片烯)、3.09(q，6H，NCH₂)、2.69－2.73(m，1H，氧代降冰片烯)、2.06－2.16(m，2H，氧代降冰片烯)、1.15(t，9H，CH₃)。

¹⁹F－NMR(DMSO－d6，376MHz)：δ(ppm)＝－107.1。

上述结果证实化合物(Ⅸ)具有上述结构。

[实施例7]

向化合物(Ⅲ)2.42g和乙腈7.26g中，在冰冷却下滴加十一碳酰氯2.19g和三乙基胺1.01g。

滴加结束后，在室温下搅拌20小时，过滤。将滤液浓缩干燥，溶于二氯甲烷20g，水洗3次。将有机层浓缩干燥，得到化合物(Ⅺ)3.41g(收率：80.4％)。

对得到的化合物(Ⅺ)进行NMR分析。

¹H－NMR(DMSO－d6，400MHz)：δ(ppm)＝8.81(s，1H，H^f)、4.39－4.41(t，2H，H^d)、4.23－4.39(t，2H，H^e)、3.06－3.10(q，6H，H^h)、2.24－2.29(t，2H，H^c)、1.09－1.51(m，25H，H^b+H^g)、0.83－0.89(t，3H，H^a)。

¹⁹F－NMR(DMSO－d6，376MHz)：δ(ppm)＝－106.8。

上述结果证实化合物(Ⅺ)具有下示结构。

[实施例8]

将化合物(Ⅻ’)1.68g溶于二氯甲烷8.41g和水8.41g，添加化合物(Ⅺ)2.00g。搅拌1小时后，通过分液处理来回收有机层，用水3.84g水洗3次。将得到的有机层浓缩干燥，得到化合物(Ⅻ)2.20g(收率81.5％)。

对得到的化合物(Ⅻ)进行NMR分析。

¹H－NMR(DMSO－d6，400MHz)：δ(ppm)＝7.74－7.90(m，15H，苯基)、4.39－4.42(t，2H，H^e)、4.21－4.24(t，2H，H^d)、2.25－2.89(t，3H，H^c)、1.17－1.50(m，15H，H^b)、0.79－0.88(t，3H，H^a)。

¹⁹F－NMR(DMSO－d6，376MHz)：δ(ppm)＝－106.8。

上述结果证实化合物(Ⅻ)具有下示结构。

[实施例9]

将三乙基胺盐酸盐2.50g、化合物(ⅩⅢ)3.19g、乙腈15.00g在室温下搅拌15小时。将反应液过滤，将滤液在减压下馏去溶剂，得到化合物(ⅩIV)4.01g(收率95.6％)。

对得到的化合物(ⅩIV)进行NMR分析。

¹H－NMR(DMSO－d6，400MHz)：δ(ppm)＝9.20(s，1H，H^c)、3.02－3.13(q，6H，H^b)、1.11－1.24(t，9H，H^a)。

¹⁹F－NMR(DMSO－d6，376MHz)：δ(ppm)＝－106.8。

上述结果证实化合物(ⅩIV)具有下示结构。

[实施例10、比较例1]

将表1所示各成分混合、溶解，制备正型的抗蚀剂组合物。

[表1]

表1中的各略称的意思如下。另外，表1中的[]内的数值为掺和量(质量份)。

另外，表1中，(B)－1的9.14重量份与(B’)－1的8.0质量份为等摩尔量。

(A)－1：下述化学式(A)－1(式中，l/m/n＝45/35/20(摩尔比))表示的Mw＝7000、Mw/Mn＝1.8的共聚物。

(B)－1：下述化学式(B)－1表示的化合物(上述化合物(Ⅵ))。

(B’)－1：下述化学式(B’)－1表示的化合物。

(D)－1：三正戊基胺。

(E)－1：水杨酸。

(S)－1：γ－丁内酯。

(S)－2：PGMEA/PGME＝6/4(质量比)。

使用得到的抗蚀剂组合物进行以下评价。

[抗蚀剂图案形成]

在8英寸的硅晶片上，用旋转涂布器涂布有机类防反射膜组合物“ARC29A”(商品名、卜利科学(ブリュワーサイエンス)公司制)，在加热板上在205℃下烧结60秒使其干燥，形成膜厚82nm的有机类防反射膜。然后，在该防反射膜上，用旋转涂布器分别涂布上述抗蚀剂组合物，在加热板上在110℃、60秒的条件下进行预烘烤(PAB)处理，干燥，形成膜厚150nm的抗蚀剂膜。

然后，针对上述抗蚀剂膜，利用ArF曝光装置NSR-S302(尼康公司制造；NA(开口数)＝0.60，2/3环形照明)，隔着掩模图案，选择性照射ArF准分子激光(193nm)。然后，在110℃下、60秒的条件下进行曝光后加热(PEB)处理，然后在23℃下用2.38质量％的四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液显影30秒，然后用纯水淋洗30秒，甩水干燥。

其结果是，在任一例中均在上述抗蚀剂膜上形成了线宽120nm、间距240nm的线和空间图案(以下称为L/S图案)。

求出形成上述线宽120nm、间距240nm的L/S图案的最适曝光量Eop(mJ/cm²)。另外，作为析像度，求出上述Eop中的界限析像度。它们的结果示于表2。

使用扫描型电子显微镜(商品名：S-9220、日立制作所公司制)观察上述形成的线宽120nm、间距240nm的L/S图案的剖面形状。其结果是，实施例10的抗蚀剂图案形状与比较例1相比，线侧壁的垂直性提高，与基板界面的拖边(日语原文：裾引き)得以抑制等，矩形性提高。

[LWR评价]

对于以上述Eop形成的线宽120nm、间距240nm的L/S图案，利用测长SEM(扫描型电子显微镜、加速电压800V、商品名：S-9220、日立制作所公司制)，沿线的长度方向测定5处的线宽，从其结果算出标准偏差(s)的3倍值(3s)作为表示LWR的尺度。其结果如表2所示。该3s的值越小，表示线宽的粗糙度越小，得到宽度更均一的L/S图案。

[EL容裕度]

除了分别改变曝光量以外，采用与上述同样的操作顺序，形成以线宽120nm、间距240nm为目标尺寸的L/S图案。

此时，求出以目标尺寸(线宽120nm)的±5％(114nm、126nm)形成L/S图案的线时的曝光量，然后用下式求出EL容裕度(单位：％)。其结果如表2所示。

EL容裕度(％)＝(|E1－E2|/Eop)×100[式中，E1表示形成线宽114nm的L/S图案时的曝光量(mJ/cm²)，E2表示形成线宽126nm的L/S图案时的曝光量(mJ/cm²)。]

[表2]

[掩模误差因子(MEF)评价]

以上述Eop，使用以线宽130nm、间距260nm的L/S图案为目标的掩模图案和以线宽120nm、间距260nm的L/S图案为目标的掩模，形成L/S图案，由下式求出MEF的值。

MEF＝|CD₁₃₀-CD₁₂₀|/|MD₁₃₀-MD₁₂₀|

上式中，CD₁₃₀、CD₁₂₀分别是使用以线宽130nm、120nm为目标的掩模图案形成的L/S图案的实际线宽(nm)。MD₁₃₀、MD₁₂₀分别是该掩模图案的目标线宽(nm)，MD₁₃₀＝130、MD₁₂₀＝120。该MEF的值越接近1，表示形成的抗蚀剂图案越忠实于掩模。

其结果是，实施例10为2.0，比较例1为2.0，同等。

[掩模线性评价]

以上述Eop，将掩模图案的L/S比(线宽与空间宽之比)固定在1：1，使掩模尺寸(线宽)在110～150nm的范围内以10nm为单位改变，分别形成L/S图案，测定形成的L/S图案的尺寸(线宽)。其结果如表3所示。

如表3所示，在实施例10中，在120nm的Eop下，即使尺寸偏离120nm，与比较例1相比，也能形成忠实于掩模尺寸的尺寸的L/S图案，证明实施例10的抗蚀剂组合物的掩模重现性优于比较例1的抗蚀剂组合物。

[表3]

	实施例10	比较例1
			110nm	93.5	89.5
120nm	121.9	119.9
			130nm	118.8	139.1
140nm	147.4	153.1
			150nm	163.2	167.0

如上述结果所示，实施例10的抗蚀剂组合物的光刻特性优异。

[实施例11～13、比较例2]

将表4所示的各成分混合、溶解，制备正型的抗蚀剂组合物。

[表4]

表4中的(A)-1、(D)-1、(S)-1、(S)-2与表1中的(A)-1、(D)-1、(S)-1、(S-2)相同，其他的略称分别表示如下的意思。另外，[]内的数值为掺和量(质量份)。

另外，实施例11～13以及比较例2的(B)成分的掺和量(总计)分别为等摩尔量。

(B)-2：下示化学式(B)-2表示的化合物(上述化合物(X))。

(B’)-2：下述化学式(B’)-2表示的化合物。

使用得到的抗蚀剂组合物进行以下的评价。

[抗蚀剂图案形成]

在8英寸的硅晶片上，用旋转涂布器涂布有机类防反射膜组合物“ARC29A”(商品名、卜利科学公司制)，在加热板上于205℃下烧结60秒使其干燥，形成膜厚89nm的有机类防反射膜。然后，在该防反射膜上，用旋转涂布器分别涂布上述抗蚀剂组合物，在加热板上在110℃、60秒的条件下进行预烘烤(PAB)处理，干燥，形成膜厚150nm的抗蚀剂膜。

然后，使用旋转涂布器在上述抗蚀剂膜上涂布保护膜形成用涂布液“TILC-035”(商品名、东京应化工业株式会社制)，在90℃下加热60秒，形成膜厚90nm的外保护膜。

接着，利用ArF液浸曝光装置NSR-S609B(尼康公司制造；NA(开口数)＝1.07，σ0.97)，隔着孔图案的掩模，对形成了外保护膜的上述抗蚀剂膜选择性照射ArF准分子激光(193nm)。

然后，在105℃下、60秒的条件下进行曝光后加热(PEB)处理，然后在23℃下用2.38质量％的四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液显影30秒，然后用纯水淋洗30秒，甩水干燥。

其结果是，在任一例中均在上述抗蚀剂膜上形成了孔直径为90nm的孔以等间距(间距180nm)排列而成的接触孔图案(以下称为DenceCH图案)。

接着，以形成上述Dence CH图案的最适曝光量Eop(mJ/cm²)形成孔直径为90nm的孔以等间距(间距570nm)排列而成的接触孔图案(以下称为Iso CH图案)。

对上述直径90nm的Iso CH图案中的光刻特性进行评价。其结果如表5所示。

[焦深(DOF)评价]

以上述Eop，将焦点适当上下错开，与上述[抗蚀剂图案形成]同样地形成抗蚀剂图案，求出在目标尺寸±5％(即85.5～94.5nm)的尺寸变化率的范围内能形成上述Iso CH图案的焦深(DOF、单位：nm)。其结果如表5所示。

[MEF评价]

以上述Eop，分别采用将孔直径的目标尺寸定为61nm、63nm、65nm、67nm、69nm的掩模图案，形成间距57nm的Iso CH图案。此时，求出以目标尺寸(nm)为横轴、以用各掩模图案在抗蚀剂膜上形成的孔图案的孔径(nm)为纵轴绘制得到的直线的斜率，作为MEF。MEF(直线的斜率)的值越接近1则表示掩模重现性越好。得到的结果如表5所示。

[EL容裕度评价]

求出以目标尺寸(孔直径90nm)的±5％(85.5nm、94.5nm)形成直径90nm的Iso CH图案时的曝光量，然后由下式求出EL容裕度(单位：％)。其结果如表5所示。

EL容裕度(％)＝(|E1－E2|/Eop)×100[式中，E1表示形成孔直径85.5nm的CH图案时的曝光量(mJ/cm²)，E2表示形成孔直径94.5nm的CH图案时的曝光量(mJ/cm²)。]

[表5]

	实施例11	实施例12	实施例13	比较例2
					Eop(mJ/cm²)	37.1	39.4	42.1	41.7
DOF(nm)	0.15	0.14	0.15	0.14
					MEF	3.03	3.32	2.98	3.52
EL容裕度(％)	9.5	9.46	9.27	8.58

如表5所示，与比较例2的抗蚀剂组合物相比，实施例11～13的抗蚀剂组合物的MEF、EL容裕度良好，在DOF上更好。

上述结果证实：本发明第6方式的化合物(b0-1)能作为产酸剂用化合物的中间体使用，本发明第3方式的化合物(b1-1)为能作为产酸剂使用的化合物。

[实施例14～20]

将表6所示各成分混合、溶解，制备正型的抗蚀剂组合物。

[表6]

表6中的(B)-1、(D)-1、(S)-2与表1中的(B)-1、(D)-1、(S)-2相同，其他略称分别表示如下意思。[]内的数值为掺和量(质量份)。

另外，实施例14～20的(B)成分的掺和量(总量)分别为等摩尔量。

(A)－2：下述化学式(A)－2(式中，l/m/n＝30/50/20(摩尔比))表示的Mw＝10000、Mw/Mn＝2.0的共聚物。

(A)－3：下述化学式(A)－3(式中，l/m/n＝40/40/20(摩尔比))表示的Mw＝10000、Mw/Mn＝2.0的共聚物。

使用得到的抗蚀剂组合物进行以下的评价。

[抗蚀剂图案形成]

在12英寸的硅晶片上，用旋转涂布器涂布有机类防反射膜组合物“ARC29A”(商品名、卜利科学公司制)，在加热板上于205℃下烧结60秒使其干燥，形成膜厚70nm的有机类防反射膜。然后，在该防反射膜上，用旋转涂布器分别涂布上述抗蚀剂组合物，在加热板上在110℃、60秒的条件下进行预烘烤(PAB)处理，干燥，形成膜厚170nm的抗蚀剂膜。

然后，利用ArF曝光装置NSR-S308F(尼康公司制造；NA(开口数)＝0.85，σ＝0.95)，隔着掩模图案，对上述抗蚀剂膜选择性照射ArF准分子激光(193nm)。然后，在90℃、60秒的条件下进行曝光后加热(PEB)处理，然后在23℃下用2.38质量％的四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液显影30秒，然后用纯水淋洗30秒，甩水干燥。

其结果是，在任一例中均在上述抗蚀剂膜上形成了孔直径为110nm的孔以等间距(间距210nm)排列而成的Dense CH图案。

接着，以形成上述Dence CH图案的最适曝光量Eop(mJ/cm²)形成孔直径为110nm的孔以等间距(间距780nm)排列而成的Iso CH图案。

对上述直径110nm的Dense/Iso的各CH图案中的光刻特性进行评价。其结果如表7所示。

[焦深(DOF)评价]

以上述Eop，将焦点适当上下错开，与上述[抗蚀剂图案形成]同样地形成抗蚀剂图案，求出在目标尺寸±5％(即104.5～115.5nm)的尺寸变化率的范围内能形成上述各CH图案的焦深(DOF、单位：nm)。

[MEF评价]

分别采用孔直径的目标尺寸在110nm±5nm的范围以1nm为单位变化的掩模图案，以上述Eop，形成各CH图案(间距为Dense：210nm、Iso：780nm)。此时，求出以掩模尺寸(nm)为横轴、以用各掩模图案在抗蚀剂膜上形成的孔图案的孔径(nm)为纵轴绘制得到的直线的斜率，作为MEF。MEF(直线的斜率)的值越接近1则表示掩模重现性越好。

[CDU(孔直径的均一性)评价]

对得到的各CH图案，分别测定孔的直径(Dence：54个，Iso：26个)，求出由该结果算出的标准偏差(σ)的3倍值(3σ)。如此求得的3σ的值越小，形成于该抗蚀剂膜上的各孔的CDU越高，即意味着存在于一定范围内的孔的直径的偏差越小。

[圆度评价]

使用测长SEM(日立制作所公司制，产品名：S-9220)观察各CH图案中的孔形状，按以下基准进行评价。

A：圆度非常高(从上空观察的孔图案的圆周部没有凹凸，形状非常好)。

B：圆度高(从上空观察的孔图案的圆周部略有凹凸，整体为圆度高的形状)

[表7]

如表7所示，实施例14～20的抗蚀剂组合物在Dense/Iso CH图案两方均具有优异的光刻特性(DOF、MEF、CDU、圆度)。关于CDU和圆度等的孔形状，实施例15～19的抗蚀剂组合物特别好。

上述结果还证实：本发明第6方式的化合物(b0-1)能作为产酸剂用化合物的中间体使用，本发明第3方式的化合物(b1-1)为能作为产酸剂使用的化合物。

[实施例21]

向化合物(Ⅲ)8.00g和二氯甲烷150.00g中在冰冷却下滴加1-金刚烷乙酰氯7.02g和三乙基胺3.18g。滴加结束后，在室温下搅拌20小时，过滤。将滤液用纯水54.6g洗涤3次，将有机层浓缩干燥，得到化合物(ⅩV)14.90g(收率：88.0％)。

对得到的化合物(ⅩV)进行NMR分析。

¹H－NMR(DMSO，400MHz)：δ(ppm)＝8.81(brs，1H，H^c)、4.40(t，2H，H^d)、4.20(t，2H，H^e)、3.08(q，6H，H^b)、2.05(s，2H，H^f)、1.53－1.95(m，15H，金刚烷)、1.17(t，9H，H^a)。

¹⁹F－NMR(DMSO，376MHz)：δ(ppm)＝－106.90。

上述结果证实化合物(ⅩV)具有下示结构。

[实施例22]

将化合物(V)7.04g溶于二氯甲烷70.4g和水70.4g中，添加化合物(ⅩV)9.27g。搅拌1小时后，通过分液处理来回收有机层，用1％HCl aq 70.4g洗涤1次，用纯水70.4g洗涤4次。将得到的有机层浓缩干燥，得到化合物(ⅩVI)11.59g(收率90.6％)。

对得到的化合物(ⅩVI)进行NMR分析。

¹H－NMR(DMSO，400MHz)：δ(ppm)＝7.50－7.87(m，14H，苯基)、4.42(s，3H，H^c)、4.23(s，2H，H^b)、2.43(s，3H，H^a)、2.01(s，2H，H^f)、1.94(s，2H，金刚烷)、1.52－1.61(m，13H，金刚烷)

¹⁹F－NMR(DMSO，376MHz)：δ(ppm)＝－106.49

上述结果证实化合物(ⅩVI)具有下示结构。

[实施例23]

将化合物(ⅩⅩ)21.6g、水53.0g和二氯甲烷69.7g在室温下搅拌，向其中添加化合物(Ⅳ)12.9g。搅拌1小时后，通过分液来回收有机层，用1％HCl aq 34.9g洗涤1次，用纯水69.7g洗涤2次。将得到的有机层浓缩干燥，得到化合物(ⅩXI)9.94g(收率61.4％)。

对得到的化合物(ⅩXI)进行NMR分析。

¹H－NMR(DMSO，400MHz)：δ(ppm)＝8.00(d，2H，H^f)、7.75(t，1H，Hⁱ)、7.58(t，2H，H^g)、5.30(s，2H，H^e)、4.37－4.44(t，2H，H^a)、4.17－4.26(t，2H，H^b)、3.54(m，4H，H^d)、2.49－2.18(m，4H，H^c)、1.93－1.60(m，15H，金刚烷)

¹⁹F－NMR(DMSO，376MHz)：δ(ppm)＝－106.2

上述结果证实化合物(ⅩXI)具有下示结构。

[实施例24～26]

将表8所示各成分混合、溶解，准备正型的抗蚀剂组合物。

[表8]

表8中的(B)-1、(S)-2与表1中的(B)-1、(S)-2相同，其他略称分别表示以下意思。[]内的数值为掺和量(质量份)。

另外，实施例24～26的(B)成分的掺和量(总量)分别为等摩尔量。

(A)－4：下述化学式(A)－4(式中，l/m/n＝30/50/20(摩尔比))表示的Mw＝10000、Mw/Mn＝2.0的共聚物。

(A)－5：下述化学式(A)－5(式中，l/m/n＝30/50/20(摩尔比))表示的Mw＝10000、Mw/Mn＝2.0的共聚物。

(A)－6：高分子化合物(A)-6(通过后述参考例3来合成)。

(B)－3：下述化学式(B)－3表示的化合物(上述化合物(ⅩVI))。

(B)－4：下述化学式(B)－4表示的化合物(上述化合物(ⅩXI))。

(D)－2：硬脂基二乙醇胺。

[高分子化合物(A)-6的合成例]

[参考例1]

在1L的三口烧瓶中装入氢化钠(NaH)4.8g，在冰浴中保持0℃的同时，加入300g四氢呋喃(THF)，然后一边搅拌一边加入124g化合物(1)，搅拌10分钟。然后，一边搅拌一边加入30g化合物(2)，反应12小时。反应结束后，将反应液抽滤，通过减压浓缩来除去回收的滤液中的THF。然后，在浓缩液中加入水和乙酸乙酯进行提取，将得到的乙酸乙酯溶液减压浓缩，用柱色谱(SiO₂，庚烷：乙酸乙酯＝8：2)进行精制，将馏份减压浓缩，进而减压干燥，得到化合物(3)12g。

测定得到的化合物(3)的¹H-NMR。其结果如下所示。

¹H－NMR(溶剂：CDCl₃，400MHz)：δ(ppm)＝4.09(s，2H(H^a))、3.75(t，2H(H^b))、3.68(t，2H(H^c))、3.03(brs，2H(H^d))、1.51－2.35(m，17H(H^e))

上述结果证实化合物(3)具有下示结构。

[参考例2]

在300mL的三口烧瓶中装入5g化合物(3)、3.04g三乙基胺(Et₃N)和10g THF，搅拌10分钟。然后，加入2.09g化合物(4)和10g THF，在室温下反应12小时。反应结束后，将反应液抽滤，通过减压浓缩来除去回收的滤液中的THF。然后，在浓缩液中加入水和乙酸乙酯进行提取。对得到的乙酸乙酯溶液用柱色谱(SiO₂，庚烷：乙酸乙酯＝8：2)进行精制，将馏份减压浓缩，进而减压干燥，得到化合物(5)4.9g。

测定得到的化合物(5)的¹H-NMR。其结果如下所示。

¹H－NMR(溶剂：CDCl₃，400MHz)：δ(ppm)＝6.15(s，1H(H^a))、5.58(s，1H(H^b))、4.35(t，2H(H^c))、4.08(s，2H(H^d))、3.80(t，2H(H^e))、1.51－2.35(m，2OH(H^f))

上述结果证实化合物(5)具有下示结构。

[参考例3(高分子化合物(A)-6的合成)]

将6.30g(30.30mmol)的化合物(6)、7.00g(20.83mmol)的化合物(5)、2.83g(11.99mmol)化合物(7)溶于64.52g甲乙酮。在该溶液中加入和光纯药制V-601(聚合引发剂)11.68mmol并使其溶解。将其在氮氛围气下花6个小时滴加到加热至75℃的甲乙酮26.88g中。滴加结束后，将反应液加热搅拌1小时，然后，将反应液冷却至室温。

将该聚合液浓缩至固体成分为30质量％，在室温下滴加到320mL的正庚烷中使共聚物析出。然后，制备该共聚物的THF溶液54g，滴加到正庚烷320mL中使共聚物析出。

用甲醇/水＝60/40(体积比)的混合溶液将该共聚物分散而进行共聚物的洗涤，然后用甲醇/水＝70/30(体积比)的混合溶液进行分散而进行共聚物的洗涤，通过过滤来回收。

将如此得到的共聚物在40℃下干燥3天，得到12.0g白色粉体(收率74％)。

将得到的共聚物表示为高分子化合物(A)-6，其结构式如下所示。测定该高分子化合物(A)-6的¹³C-NMR(600MHz)，结果：聚合物组成(下述结构式中的各结构单元的比例(摩尔比))为l/m/n＝52.6/27.5/19.9。通过GPC测定求得的标准聚苯乙烯换算的质均分子量(Mw)为5300，分散度(Mw/Mn)为1.97。该结果证明：得到的高分子化合物(A)-6是化合物(6)和化合物(5)和化合物(7)的共聚物。

使用得到的抗蚀剂组合物，按以下操作顺序形成抗蚀剂图案，评价光刻特性。

[抗蚀剂图案形成]

在12英寸的硅晶片上，用旋转涂布器涂布有机类防反射膜组合物“ARC29”(商品名、卜利科学公司制)，在加热板上于205℃下烧结60秒使其干燥，形成膜厚89nm的有机类防反射膜。然后，在该防反射膜上，用旋转涂布器分别涂布上述得到的实施例24～26的正型抗蚀剂组合物，在加热板上在90℃、60秒的条件下进行预烘烤(PAB)处理，干燥，形成膜厚120nm的抗蚀剂膜。

接着，使用旋转涂布器在上述抗蚀剂膜上涂布保护膜形成用涂布液“TSRC-002”(商品名、东京应化工业株式会社制)，在90℃下加热60秒，形成膜厚28nm的外保护膜。

然后，针对形成了外保护膜的上述抗蚀剂膜，利用液浸用ArF曝光装置NSR-S609B(尼康公司制造；NA(开口数)＝1.07，2/3环形照明，缩小倍数1/4倍，液浸介质：水)，隔着掩模图案(6％半色调)选择性照射ArF准分子激光(193nm)。

然后，使用保护膜除去液“TS-Rememover-S”(商品名、东京应化工业株式会社制)除去外保护膜后，在表8所示的条件下进行PEB处理，然后在23℃下用2.38质量％的TMAH水溶液NMD-W(商品名、东京应化工业株式会社制)碱显影30秒，然后用纯水淋洗25秒，甩水干燥。

其结果是，在任一例中均形成了直径为70nm、间距为131nm的CH图案。此时的最适曝光量Eop(mJ/cm²)即灵敏度如表9所示。

[圆度评价]

使用测长SEM(日立制作所公司制、产品名：S-9220)观察各CH图案中的孔形状，以与实施例14～20相同的基准进行评价。结果如表9所示。

[表9]

	实施例24	实施例25	实施例26
				Eop(mJ/cm²)	31	28	20
圆度	A	B	B

表9的结果证实：本发明第6方式的化合物(b0-1)能作为产酸剂用化合物的中间体使用，本发明第3方式的化合物(b1-1)为能作为产酸剂的化合物。

Claims

1.一种化合物，其由下述通式(b0-1-12)表示，

式中，R^c为包含选自-O-、-C(＝O)-O-、-S-、-S(＝O)₂-及-S(＝O)₂-O-中的至少一种的碳原子数为5～20的烃基；Q⁴为单键或亚烷基；n为1；Y¹是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；R³～R⁶分别独立地为氢原子或可以具有取代基的烃基，R³～R⁶中的至少1个为所述烃基，R³～R⁶中的至少2个可以分别键合成环。

2.一种化合物的制造方法，其包括：通过使下述通式(1-13)表示的化合物(1-13)与铵盐反应来得到下述通式(1-14)表示的化合物(1-14)的工序，

式中，R^c是包含选自-O-、-C(＝O)-O-、-S-、-S(＝O)₂-及-S(＝O)₂-O-中的至少一种的碳原子数为5～20的烃基；

Q⁴是单键或亚烷基，n为1；

Y¹是碳原子数为1～4的亚烷基或氟代亚烷基；R³～R⁶分别独立地为氢原子或可以具有取代基的烃基，R³～R⁶中的至少1个为所述烃基，R³～R⁶中的至少2个可以分别键合成环；M⁺为碱金属离子。