CN106683692A - 非易失性存储装置及其操作方法 - Google Patents

非易失性存储装置及其操作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106683692A
CN106683692A CN201610952159.2A CN201610952159A CN106683692A CN 106683692 A CN106683692 A CN 106683692A CN 201610952159 A CN201610952159 A CN 201610952159A CN 106683692 A CN106683692 A CN 106683692A
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
bit line
voltage
nonvolatile memory
control logic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610952159.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106683692B (zh
Inventor
俞弼善
李知尚
秋教秀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN106683692A publication Critical patent/CN106683692A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106683692B publication Critical patent/CN106683692B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/24—Bit-line control circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • G11C16/28—Sensing or reading circuits; Data output circuits using differential sensing or reference cells, e.g. dummy cells
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/30—Power supply circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/32—Timing circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3418—Disturbance prevention or evaluation; Refreshing of disturbed memory data
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
    • G11C16/3454—Arrangements for verifying correct programming or for detecting overprogrammed cells
    • G11C16/3459—Circuits or methods to verify correct programming of nonvolatile memory cells
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/04—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store with means for avoiding disturbances due to temperature effects
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/12—Bit line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, equalising circuits, for bit lines

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

提供了一种非易失性存储装置。所述非易失性存储装置包括存储单元、位线、页缓冲器和控制逻辑器。页缓冲器通过位线连接到存储单元，页缓冲器被构造为对位线预充电以执行预期的操作。预期的操作是读操作和验证操作中的一种操作。控制逻辑器被构造为在预期的操作期间在对位线进行预充电之后根据温度来不同地控制位线调试时间。控制逻辑器被构造为根据依赖于温度而包括不同频率的参考时钟信号的周期和/或包括基于温度改变的脉冲宽度的温度补偿脉冲信号来确定位线调试时间。

Description

非易失性存储装置及其操作方法
本专利申请要求于2015年11月5日提交的第10-2015-0155319号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及涉及半导体存储装置，更具体地，涉及一种非易失性存储装置以及操作该非易失性存储装置的方法。
背景技术
存储装置是用来在诸如计算机、智能电话、智能平板等的主机装置的控制下存储数据的装置。存储装置可以包括在诸如HDD(硬盘驱动器)的磁盘中存储数据的装置和/或在诸如非易失性存储器(诸如SSD(固态驱动器)、存储卡等)的半导体存储器中存储数据的装置。
非易失性存储器的示例包括ROM(只读存储器)、PROM(可编程ROM)、EPROM(电可编程ROM)、EEPROM(电可擦除可编程ROM)、闪存、PRAM(相变RAM)、MRAM(磁RAM)、RRAM(电阻式RAM)、FRAM(铁电RAM)等。
非易失性存储装置将数据存储在存储单元中并且包括连接到存储单元以存储数据的页缓冲器。
发明内容
发明构思的示例实施例涉及一种非易失性存储装置。非易失性存储装置包括存储单元、位线、页缓冲器和控制逻辑器。页缓冲器通过位线连接到存储单元。页缓冲器被构造为对位线预充电以执行预期的操作。预期的操作可以是读操作和验证操作中的一种操作。控制逻辑器被构造为根据温度来不同地控制位线调试时间。位线调试时间在预期的操作期间位于对位线进行预充电之后。控制逻辑器被构造为根据依赖于温度而包括不同频率的参考时钟信号的周期来确定位线调试时间。
发明构思的示例实施例涉及一种非易失性存储装置。非易失性存储装置包括存储单元、位线、页缓冲器和控制逻辑器。页缓冲器通过位线连接到存储单元。页缓冲器被构造为对位线预充电以执行预期的操作，预期的操作是读操作和验证操作中的一种操作。控制逻辑器被构造为产生包括基于温度改变的脉冲宽度的温度补偿脉冲信号。控制逻辑器被构造为基于温度补偿脉冲信号的脉冲宽度而不同地控制位线调试时间。位线调试时间在预期的操作期间位于对位线进行预充电之后。
发明构思的示例实施例涉及一种非易失性存储装置。非易失性存储装置包括：存储单元阵列；位线，连接到存储单元阵列；页缓冲器，通过位线连接到存储单元阵列，页缓冲器被构造为在操作期间对位线进行预充电；以及控制逻辑器。控制逻辑器被构造为在操作期间根据温度来不同地控制位线调试时间。位线调试时间在操作期间位于对位线进行预充电之后。控制逻辑器被构造为基于参考时钟信号的周期和温度补偿脉冲信号中的至少一种来确定位线调试时间，其中，参考时钟信号根据温度具有不同的频率，通过控制逻辑器产生温度补偿脉冲信号，温度补偿脉冲信号包括基于温度改变的脉冲宽度。
附图说明
如附图中示出的，通过发明构思的非限制性实施例的更具体的描述，发明构思的以上和其它特征将是明显的，在附图中，贯穿不同的视图，同样的附图标记指示同样的部分。附图不必是按比例的，而重在示出发明构思的原理。在附图中：
图1是示出根据发明构思的示例实施例的非易失性存储装置的框图；
图2是示出包括在图1的存储单元阵列中的存储块之中的一个存储块(BLKa)的图；
图3是示出与包括在图1的存储单元阵列中的存储块中的一个存储块(BLKi)对应的结构的示例的透视图；
图4是示出图2的页缓冲器之中的一个页缓冲器(PBa)的图；
图5是示出图4中的页缓冲器(PBa)中的数据锁存器节点(SO)的操作的时序图；
图6是示出根据发明构思的示例实施例的参考时钟产生器的框图；
图7是示出由图6的参考时钟产生器根据温度而不同地产生的参考时钟信号的时序图；
图8是示出根据发明构思的示例实施例的温度补偿脉冲产生器的框图；
图9是详细地示出图8中的温度补偿脉冲产生器的电路图；
图10是示出通过图9的温度补偿脉冲产生器根据温度不同地产生的温度补偿脉冲的时序图；
图11是示出根据发明构思的示例实施例的SSD的框图；
图12是示出根据发明构思的示例实施例的eMMC的框图；
图13是示出根据发明构思的示例实施例的UFS系统的框图；
图14是示出根据发明构思的示例实施例的移动装置的框图。
具体实施方式
在下文中，现在将更充分地描述发明构思的示例实施例使得本领域的技术人员可以容易地领会发明构思。
在示例实施例中，非易失性存储器可以实现为包括三维(3D)存储阵列。3D存储阵列可以单片地形成在基底(例如，诸如硅的半导体基底，或者绝缘体上半导体基底)上。3D存储阵列可以包括具有设置在基底上面的有源区的两个或更多个物理级的存储单元以及与这些存储单元的操作相关的电路，无论这样的相关电路在这样的基底之上还是在这样的基底内。阵列的每一级的层可以直接沉积在阵列的每个下面的级的层上。
在示例实施例中，3D存储阵列可以包括垂直取向使得至少一个存储单元位于另一个存储单元之上的垂直NAND串。所述至少一个存储单元可以包括电荷俘获层。
下面的专利文件(通过引用包含于此)描述了可适合三维存储阵列的构造，其中，三维存储阵列被配置为多个级，并且字线和/或位线在各个级之间被共享：U.S.专利号7,679,133、8,553,466、8,654,587、8,559,235以及US专利公开号2011/0233648。
图1是示出根据发明构思的示例实施例的非易失性存储装置的框图。参照图1，非易失性存储装置100可以包括存储单元阵列110、地址解码器120、控制逻辑器&电压产生器130、页缓冲电路140和输入/输出电路150。
存储单元阵列110可以包括多个存储块。每个存储块中的存储单元可以形成二维结构。此外，每个存储块的存储单元可以沿垂直于基底的方向叠压以形成三维结构。每个存储块可以包括多个单元串，每个单元串可以包括多个存储单元。多个存储单元可以连接到多条字线WL。每个存储单元可以设置为存储1位的SLC(单层单元，“single level cell”)或设置为存储两位的MLC(多层单元，“multi level cell”)。
地址解码器120可以通过多条字线WL、一条串选择线SSL和一条地选择线GSL连接到存储单元阵列110。在存储单元阵列110形成为具有三维结构的情况下，地址解码器120可以通过多条字线WL、多条串选择线SSL和多条地选择线GSL连接到存储单元阵列110。地址解码器120可以从外部装置(例如，存储控制器、主机、AP等)接收地址ADDR并且可以对接收到的地址进行解码以在多条字线WL之中选择至少一条。地址解码器120可以分别控制字线WL的电压使得相对于选择的字线执行读操作和/或写操作。例如，地址解码器120可以对来自接收到的地址的列地址进行解码并且可以将解码后的列地址发送到页缓冲电路140。页缓冲电路140可以基于接收到的列地址控制位线BL。
控制逻辑器&电压产生器130可以从外部装置接收指令CMD和控制信号CTRL并且可以响应于接收到的信号控制地址解码器120、页缓冲电路140和输入/输出电路150。例如，控制逻辑器&电压产生器130响应于指令CMD和控制信号CTRL可以控制地址解码器120、页缓冲电路140和输入/输出电路150使得数据DATA写入存储单元阵列110中。控制逻辑器&电压产生器130响应于指令CMD和控制信号CTRL也可以控制地址解码器120、页缓冲电路140和输入/输出电路150使得输出存储在存储单元阵列110中的数据DATA。控制逻辑器&电压产生器130响应于指令CMD和控制信号CTRL也可以控制地址解码器120、页缓冲电路140和输入/输出电路150使得存储单元阵列110的一部分被擦除。
控制逻辑器&电压产生器130可以产生在非易失性存储装置100的操作中使用的各种电压。例如，控制逻辑器&电压产生器130可以产生诸如多个读取电压、多个验证电压、多个编程电压、多个通过电压、多个擦除电压等的各种电压以将这些电压提供到地址解码器120。
页缓冲电路140可以通过多条位线BL连接到存储单元阵列110。页缓冲电路140可以临时存储从存储单元阵列110读取的数据DATA和/或可以临时存储将要写入存储单元阵列110中的数据DATA。
输入/输出电路150可以在控制逻辑器&电压产生器130的控制下从外部装置接收数据DATA以将接收到的数据DATA发送到页面缓冲电路140。输入/输出电路150也可以在控制逻辑器&电压产生器130的控制下将从页缓冲电路140接收到的数据DATA发送到外部装置。
在非易失性存储装置100的编程操作中，将要在存储单元阵列110中进行编程的数据DATA可以临时存储在页缓冲电路140中。非易失性存储装置100可以通过执行多个编程循环来在存储单元阵列110中对存储在页缓冲电路140中的数据DATA进行编程。每个编程循环可以包括施加编程脉冲的编程步骤以及施加验证电压的验证步骤。
非易失性存储装置100可以基于存储在页缓冲电路140中的数据DATA确定存储单元的编程状态(或阈值电压分布)。非易失性存储装置100可以基于期望的(和/或可选择地预定的)位序(bit ordering)来确定存储单元的目标编程状态(或目标阈值电压分布)。非易失性存储装置100可以执行多个编程循环使得存储单元具有目标编程状态。
图2是示出包括在图1的存储单元阵列中的存储块之中的一个存储块(BLKa)的图。参照图1和图2，存储块BLKa可以包括多个串SR。多个串SR可以分别连接到多条位线BL1至BLn。每个串SR可以包括地选择晶体管GST、存储单元MC和串选择晶体管SST。尽管附图中未示出，但是在存储单元阵列110形成为具有三维结构的情况下，每条位线BL可以与连接到互不相同的串选择线SSL的多个串SR连接。
每个串SR的地选择晶体管GST可以连接在存储单元MC与共源极线CSL之间。多个串SR的地选择晶体管GST可以公共地连接到共源极线CSL。
每个串SR的串选择晶体管SST可以连接在存储单元MC与位线BL之间。多个串SR的串选择晶体管SST可以分别连接到多条位线BL1至BLn。
在每个串SR中，多个存储单元MC设置在地选择晶体管GST与串选择晶体管SST之间。在每个串SR中，多个存储单元MC可以彼此串联连接。
在多个串SR中，位于距共源极线CSL相同次序处的存储单元MC可以公共地连接到一条字线。多个串SR的存储单元MC可以连接到多条字线WL1至WLm。
可以通过字线单元来执行存储单元MC的编程操作和读操作。连接到一条字线的存储单元MC可以同时编程和/或同时读取。可以通过存储块单元执行存储单元MC的擦除操作。可以同时擦除一个存储块BLKa的存储单元MC。也可以通过子块单元执行存储单元MC的擦除操作。一个存储块BLKa可以被划分为多个子块，可以同时擦除一个子块的存储单元MC。
页缓冲电路140可以包括多个页缓冲器PB1至PBn。页缓冲器PB1至PBn中的每个可以连接到位线BL1至BLn中的每条。页缓冲电路140可以临时存储从存储单元阵列110读取的数据DATA或者可以临时存储将要写入存储单元阵列110中的数据DATA。例如，页缓冲器PB1至PBn中的每个可以包括多个锁存器。锁存器可以临时存储数据DATA。
图3是示出与包括在图1的存储单元阵列中的存储块中的一个存储块(BLKi)对应的结构的示例的透视图。参照图3，存储块BLKi可以沿垂直于基底SUB的方向形成。n+掺杂区域可以形成在基底SUB中。
多个栅电极层和多个绝缘层可以交替地沉积在基底SUB上。信息存储层可以形成在栅电极层与绝缘层之间。可以对栅电极层和绝缘层进行竖直地图案化以形成具有V字母形状的支柱。支柱可以穿透栅电极层和绝缘层以连接到基底SUB。支柱的内部可以包括填充介电图案并且可以包括绝缘材料(例如，氧化硅)。支柱的外部是竖直有源图案并且可以包括通道半导体(例如，硅)。
存储块BLKi的栅电极层可以连接到地选择线GSL、多条字线WL1至WL7以及串选择线SSL。存储块BLKi的支柱可以连接到多条位线BL1至BL3。在图3中，示出的是，一个存储块BLKi具有两条选择线GSL和SSL、七条字线WL1至WL7以及三条位线BL1至BL3。然而，发明构思不限于此。
图4是示出图2的页缓冲器之中的一个页缓冲器(PBa)的图。参照图4，页缓冲器PBa可以包括高速缓存锁存单元CLU和数据锁存单元DLU。
高速缓存锁存单元CLU可以包括高速缓存锁存器(CL)141。例如，高速缓存锁存器141可以存储将要存储在存储单元中的数据DATA。高速缓存锁存器141也可以存储从数据锁存器(DL)142发送的数据DATA。高速缓存锁存器141可以连接到高速缓存锁存器节点SOC。高速缓存锁存器141可以通过高速缓存锁存器节点SOC发送和接收数据DATA。高速缓存锁存单元CLU可以包括至少两个高速缓存锁存器。
高速缓存锁存器节点SOC可以通过通过晶体管NMP连接到数据锁存器节点SO。通过晶体管NMP可以根据通过信号SO_PASS而导通或截止。在通过晶体管NMP导通的情况下，数据DATA可以在高速缓存锁存器141与数据锁存器142之间传输。
数据锁存单元DLU可以包括数据锁存器142。例如，数据锁存器142可以存储从高速缓存锁存器141发送的数据DATA。数据锁存器142也可以存储从存储单元读取的数据DATA。数据锁存器142可以连接到数据锁存器节点SO。数据锁存器142可以通过数据锁存器节点SO发送和接收数据DATA。数据锁存单元DLU可以包括至少两个数据锁存器。
数据锁存器节点SO可以在非易失性存储装置100的读操作、写操作或擦除操作期间被预充电。例如，数据锁存器节点SO可以通过设置晶体管PM_STP根据内部电源电压IVC被预充电。设置晶体管PM_STP可以根据位线设置信号BLSETUP而导通或截止。设置晶体管PM_STP可以是P型晶体管。然而，设置晶体管PM_STP的类型不限于此。例如，数据锁存器节点SO可以通过关闭晶体管NM_SHF连接到位线BL。关闭晶体管NM_SHF可以根据位线关闭信号BLSHF而导通或截止。关闭晶体管NM_SHF可以是N型晶体管。然而，关闭晶体管NM_SHF的类型不限于此。
图5是示出图4中的页缓冲器(PBa)中的数据锁存器节点(SO)的操作的时序图。参照图4和图5，数据锁存器节点SO可以在第一时刻(t1)之前根据内部电源电压IVC被预充电。例如，在第一时刻(t1)之前，位线设置信号BLSETUP具有低电平而位线关闭信号BLSHF具有高电平。因此，设置晶体管PM_STP和关闭晶体管NM_SHF可以导通。同时，位线BL也可以与数据锁存器节点SO一起被预充电。
在第一时刻(t1)，位线设置信号BLSETUP可以改变为具有高电平。因此，设置晶体管PM_STP可以断开。随后，数据锁存器节点SO的电压电平根据选择的存储单元的状态而降低。在将比选择的存储单元的阈值电压低的电压施加到选择的字线的情况下(在选择的存储单元是导通单元(on-cell)的情况下)，数据锁存器节点SO可以将电压电平维持为原状或者数据锁存器节点SO的电压可以略微减小。在将比选择的存储单元的阈值电压大的电压施加到选择的字线的情况下(在选择的存储单元是截止单元(off-cell)的情况下)，随着时间流逝，数据锁存器节点SO的电压会逐渐减小。因此，在特定时间之后，非易失性存储装置100可以将数据锁存器节点SO的电压电平与参考值A进行比较以检测选择的存储单元的状态。
在选择的存储单元是截止单元的情况下，数据锁存器节点SO的电压下降率根据温度而不同。数据锁存器节点SO的电压下降率在低温下逐渐减小。因此，如果不管温度而施加相同的BL(位线)调试时间(development time)，则操作误差的概率增大。例如，在第一温度Temp1的情况下，在第二时刻(t2)测量的数据锁存器节点SO的电压电平可以大于参考值A。BL调试时间是在设置晶体管截止之后使关闭晶体管NM_SHF截止所用的时间。在图5中，仅示出了选择的存储单元是截止单元(off-cell)的情况。在选择的存储单元是导通单元的情况下，因为数据锁存器节点SO的电压电平只需大于参考值A，所以温度效应相对小。
在示例实施例中，非易失性存储装置100可以根据温度控制BL调试时间。例如，非易失性存储装置100可以控制使第二温度Temp2下的BL调试时间比第一温度Temp1下的BL调试时间短。第一温度Temp1低于第二温度Temp2。
在第一温度Temp1的情况下，非易失性存储装置100可以控制位线关闭信号BLSHF在第三时刻(t3)具有低电平。然后，关闭晶体管NM_SHF在第三时刻(t3)截止，非易失性存储装置100可以将数据锁存器节点SO在第三时刻(t3)的电压电平与参考值A进行比较。
在第二温度Temp2的情况下，非易失性存储装置100可以控制位线关闭信号BLSHF在第二时刻(t2)具有低电平。然后，关闭晶体管NM_SHF在第二时刻(t2)截止，非易失性存储装置100可以将数据锁存器节点SO在第二时刻(t2)的电压电平与参考值A进行比较。
图6是示出根据发明构思的示例实施例的参考时钟产生器的框图。参照图6，参考时钟产生器132被构造为产生用来确定位线关闭信号BLSHF的下降时间的参考时钟信号RCLK。
控制逻辑器&电压产生器130可以包括温度电压产生器131和参考时钟产生器132。温度电压产生器131可以接收外部电源电压EVC和温度信息INFO_Temp。温度电压产生器131可以基于外部电源电压EVC和温度信息INFO_Temp产生根据温度改变的温度电压Vtemp。参考时钟产生器132可以接收内部电源电压IVC和温度电压Vtemp。参考时钟产生器132可以基于根据温度改变的温度电压Vtemp来产生根据温度而具有不同频率的参考时钟信号RCLK。
图7是示出由图6的参考时钟产生器根据温度而不同地产生的参考时钟信号的时序图。参照图6和图7，参考时钟产生器132可以产生根据温度Temp1和Temp2而具有不同频率的参考时钟信号RCLK。
例如，在第一温度Temp1的情况下，参考时钟产生器132可以在第一时刻(t1)与第三时刻(t3)之间产生具有5个周期的参考时钟信号RCLK。在第二温度Temp2的情况下，参考时钟产生器132可以在第一时刻(t1)与第二时刻(t2)之间产生具有5个周期的参考时钟信号RCLK。
非易失性存储装置100可以在参考时钟信号RCLK的特定周期之后将位线关闭信号BLSHF的电平改变为低电平。例如，非易失性存储装置100可以在从第一时刻(t1)起参考时钟信号RCLK的5个周期之后在上升沿将位线关闭信号BLSHF的电平改变为低电平。因为参考时钟信号RCLK的频率根据第一温度Temp1和第二温度Temp2而不同，所以位线关闭信号BLSHF的电平可以根据第一温度Temp1和第二温度Temp2在不同时刻改变为低电平。因此，可以根据温度而不同地控制BL调试时间。
图8是示出根据发明构思的示例实施例的温度补偿脉冲产生器的框图。参照图8，非易失性存储装置100可以使用与图6和图7中描述的方法不同的方法来根据温度不同地控制BL调试时间。
控制逻辑器&电压产生器130可以包括温度电压产生器131、参考电流产生器133和温度补偿脉冲产生器134。温度电压产生器131可以接收外部电源电压EVC和温度信息INFO-Temp。温度电压产生器131可以基于外部电源电压EVC和温度信息INFO-Temp产生根据温度改变的温度电压Vtemp。
参考电流产生器133可以基于参考电压Vref产生与温度改变无关的参考电流Iref。
温度补偿脉冲产生器134可以接收温度电压Vtemp、参考电流Iref、参考电压Vref和开始信号START。温度补偿脉冲产生器134可以根据开始信号START产生温度补偿脉冲信号P_Temp。温度补偿脉冲产生器134可以基于参考电流Iref将参考电压Vref与正在从温度电压Vtemp减小的电压进行比较以产生根据温度而具有不同脉冲宽度的温度补偿脉冲信号P_Temp。
图9是详细地示出图8中的温度补偿脉冲产生器的电路图。参照图9，参考电流产生器133可以将参考电压Vref与第一节点N1的电压进行比较以产生与温度改变无关的参考电流Iref。温度补偿脉冲产生器134可以基于参考电流Iref将参考电压Vref与从温度电压Vtemp正在以固定速率减小的电压进行比较以产生温度补偿脉冲信号P_Temp。
第一比较器COM1可以比较参考电压Vref与第一节点N1的电压。第一比较器COM1可以比较参考电压Vref与第一节点N1的电压以控制第二节点N2的电压使得参考电流Iref流经第一电阻器R1。控制第一PMOS晶体管MP1和第二PMOS晶体管MP2使得参考电流Iref根据第二节点N2的电压而具有特定值。具有相同的值的参考电流Iref也流经第一NMOS晶体管MN1。
第三PMOS晶体管MP3和第三NMOS晶体管MN3可以根据开始信号START互补地操作。例如，如果第三PMOS晶体管MP3导通，则第三NMOS晶体管MN3截止。相反，如果第三NMOS晶体管MN3导通，则第三PMOS晶体管MP3截止。因此，第一电容器C1可以被充电或者被放电。当第一电容器C1放电时，参考电流Iref流经第二NMOS晶体管MN2。这是因为同一电压提供到第一NMOS晶体管MN1和第二NMOS晶体管MN2的栅极。因此，第五节点N5的电压被充电到温度电压Vtemp，随后根据参考电流Iref以同一速率减小而与温度无关。第二比较器COM2可以产生温度补偿脉冲信号P_Temp，其中，所述温度补偿脉冲信号P_Temp具有的脉冲宽度对应于从当第五节点N5的电压变得与参考电压Vref相同时直到第三PMOS晶体管MP3再次导通所用的时间。
图10是示出通过图9的温度补偿脉冲产生器根据温度不同地产生的温度补偿脉冲的时序图。
参照图9和图10，温度电压Vtemp的电平根据第一温度Temp1和第二温度Temp2而不同。因此，在第一时刻(t1)，第五节点N5的电压可以根据第一温度Temp1和第二温度Temp2从不同的电平开始减小。然而，第五节点N5的电压下降斜率通过参考电流Iref相同。因此，第五节点N5在第一温度Temp1下的电压在第三时刻(t3)达到参考电压Vref。第五节点N5在第二温度Temp2下的电压在第二时刻(t2)达到参考电压Vref。在第四时刻(t4)，开始信号START的电平变低，从而第五节点N5的电压再次被充电到温度电压Vtemp。
在第一温度Temp1下，温度补偿脉冲信号P_Temp可以具有与第三时刻(t3)与第四时刻(t4)之间的时间间隔对应的脉冲宽度。在第二温度Temp2下，温度补偿脉冲信号P_Temp可以具有与第二时刻(t2)与第四时刻(t4)之间的时间间隔对应的脉冲宽度。非易失性存储装置100可以基于温度补偿脉冲信号P_Temp确定位线关闭信号BLSHF的下降时间。
图11是示出根据发明构思的示例实施例的SSD的框图。参照图11，SSD 1000可以包括非易失性存储装置(NVM)1100和SSD控制器1200。
非易失性存储装置1100可以被构造为选择性地接收外部高电压Vppx。如图1至图10中描述的，每个非易失性存储装置1100可以根据温度控制位线调试时间。因此，非易失性存储装置1100可以根据温度来提高和/或优化单元的分布以减少操作误差。
SSD控制器1200通过多个通道CH1至CHi(i是2或大于2的整数)连接到非易失性存储装置1100。SSD控制器1200可以包括至少一个处理器1210、缓冲存储器1220、纠错电路(ECC)1230、主机接口1240和非易失性存储器接口1250。
缓冲存储器1220临时地存储用于驱动SSD控制器1200的数据。缓冲存储器1220可以包括用于存储数据和/或指令的多条存储线。
纠错电路1230可以计算将要在写操作中被编程的数据的纠错代码值，可以基于纠错代码值纠正在读操作中读取的数据的误差并且可以纠正在数据恢复操作中从非易失性存储装置1100恢复的数据的误差。尽管未示出，但是还可以包括存储驱动SSD控制器1200所需要的代码数据的代码存储器。代码存储器可以通过非易失性存储装置来实现。
主机接口1240可以向外部装置提供接口功能。主机接口1240可以是NAND接口。非易失性存储器接口1250可以向非易失性存储装置1100提供接口功能。
发明构思的示例实施例可以应用于eMMC(嵌入的多媒体卡)、moviNAND、iNAND等。
图12是示出根据发明构思的示例实施例的eMMC的框图。参照图12，eMMC 2000可以包括至少一个NAND闪存装置2100和控制器2200。
NAND闪存装置2100可以是SDR(单数据速率)NAND或DDR(双数据速率)NAND。NAND闪存装置2100可以是VNAND(竖直NAND)。如图1至图10中描述的，NAND闪存装置2100可以根据温度控制位线调试时间。因此，NAND闪存装置2100可以根据温度优化单元的分布以减少操作误差。
控制器2200可以通过多个通道连接到NAND闪存装置2100。控制器2200可以包括至少一个控制核2210、主机接口2240和NAND接口2250。控制核2210可以控制eMMC 2000的整体操作。主机接口2240可以执行主机与控制器2200之间的接口。NAND接口2250执行NAND闪存装置2100与控制器2200之间的接口。在一些实施例中，主机接口2240可以是并行接口(例如，eMMC接口)。在示例实施例中，主机接口2240可以是串行接口(例如，UHS-II、UFS接口)。
eMMC 2000可以提供有来自主机的电源电压Vcc和Vccq。第一电源电压Vcc(例如，3.3V)可以提供到NAND闪存装置2100和NAND接口2250。第二电源电压Vccq(例如，1.8V/3.3V)可以提供到控制器2200。eMMC 2000可以选择性地提供有外部高电压Vpp。
发明构思的示例实施例可以应用于UFS(通用闪存)系统。
图13是示出根据发明构思的示例实施例的UFS系统的框图。参照图13，UFS系统3000可以包括UFS主机3100和UFS装置3200。
UFS主机3100可以包括应用器3110、装置驱动器3120、主机控制器3130和缓冲RAM3140。主机控制器3130可以包括指令序列(command queue)3131、主机DMA 3132和电力管理器3133。指令序列3131、主机DMA 3132和电力管理器3133可以在主机控制器3130中以算法、软件或固件操作。
在UFS主机3100的应用器3110与装置驱动器3120中产生的指令(例如，写指令)可以输入到主机控制器3130的指令序列3131。指令序列3131可以顺序地存储将要提供到UFS装置3200的指令。存储在指令序列3131中的指令可以提供到主机DMA 3132。主机DMA 3132通过主机接口3101将指令发送到UFS装置3200。
UFS装置3200可以包括闪存3210、装置控制器3230、装置接口3201和缓冲RAM3240。装置控制器3230可以包括CPU(中央处理单元)3231、指令管理器3232、闪存DMA 3233、安全管理器3234、缓冲管理器3235、FTL(闪存转换层)3236和闪存管理器3237。指令管理器3232、安全管理器3234、缓冲管理器3235、FTL(闪存转换层)3236和闪存管理器3237可以在装置控制器3230中以算法、软件或固件操作。
如图1至图10中描述的，闪存3210可以根据温度控制位线调试时间。因此，闪存3210可以根据温度提高和/或优化单元的分布以减少操作误差。
从UFS主机3100输入到UFS装置3200的指令可以通过装置接口3201提供到指令管理器3232。指令管理器3232解释从UFS主机3100提供的指令并且可以使用安全管理器3234验证提供的指令。指令管理器3232可以指配缓冲RAM 3240来通过缓冲管理器3235接收数据。当完成数据发送准备时，指令管理器3232将RTT(READY_TO_TRANSFER)UPIU发送到UFS主机3100。
UFS主机3100可以响应于RTT UPIU将数据发送到UFS装置3200。数据可以通过主机DMA 3132和主机接口3101发送到UFS装置3200。UFS装置3200可以通过缓冲管理器3235将提供的数据存储在缓冲RAM 3240中。存储在缓冲RAM 3240中的数据可以通过闪存DMA 3233提供到闪存管理器3237。闪存管理器3237可以参考闪存映射信息的地址映射信息将数据存储在闪存3210的选择的地址中。
如果完成指令中需要的数据发送和数据编程，则UFS装置3200将通知关于指令的完成的响应信号发送到UFS主机3100。UFS主机3100通知装置驱动器3120和应用器3110关于指令的完成并且完成关于对应的指令的操作。
发明构思的示例实施例可应用于移动装置。
图14是示出根据发明构思的示例实施例的移动装置的框图。参照图14，移动装置4000可以包括应用处理器4100、通信模块4200、显示/触摸模块4300、存储装置4400和移动RAM 4500。
应用处理器4100可以控制移动装置4000的整体操作。通信模块4200可以实现为控制与外部的无线/有线通信。显示/触摸模块4300可以实现为显示在应用处理器4100中处理的数据或实现为从触摸面板接收数据。存储装置4400可以实现为存储用户的数据。存储装置4400可以是eMMC、SSD、UFS等。移动RAM 4500可以实现为暂时存储在操作移动装置4000的操作中需要的数据。
如图1至图10中描述的，存储装置4400可以根据温度控制位线调试时间。存储装置4400可以根据温度优化单元的分布以减少操作误差。
存储系统或存储装置可以使用各种类型的封装件来安装，例如层叠封装(PoP)、球栅阵列(BGA)、芯片级封装(CSP)、塑料有引线芯片载体(PLCC)、塑料双列直插封装(PDIP)、窝伏尔裸片封装、晶圆形式的裸片、板上芯片(COB)、陶瓷双列直插式封装(CERDIP)、塑料公制四方扁平封装(MQFP)、薄型四方扁平封装(TQFP)、小外形集成电路(SOIC)、紧缩型小外形封装(SSOP)、薄型小外形(TSOP)、系统级封装(SIP)、多芯片封装(MCP)、晶圆级制造的封装(WFP)以及晶圆级处理的堆叠封装(WSP)。
发明构思的示例实施例可以提供一种非易失性存储装置及其操作方法，所述非易失性存储装置根据温度控制位线调试时间以减少操作误差。
应该理解的是，这里描述的示例实施例应该仅以描述性含义来考虑而不是出于限制的目的。对根据示例实施例的每个装置或方法内的特征或方面的描述通常应该被认为可用于根据示例实施例的其它装置或方法中的其它类似特征或方面。虽然已经具体示出和描述了一些示例实施例，但本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离权利要求的精神和范围的情况下，在此可以做出形式和细节上的改变。

Claims (20)

1.一种非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括：
存储单元；
位线；
页缓冲器，通过位线连接到存储单元，页缓冲器被构造为对位线预充电以执行预期的操作，其中，预期的操作是读操作和验证操作中的一种操作；以及
控制逻辑器，被构造为在预期的操作期间根据温度来不同地控制位线调试时间，其中，位线调试时间在预期的操作期间位于对位线进行预充电之后，
控制逻辑器被构造为根据依赖于温度而包括不同频率的参考时钟信号的周期来确定位线调试时间。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，
控制逻辑器被构造为在预期的操作期间切断预充电电压的供应，
控制逻辑器被构造为在切断预充电电压的供应之后将位线的电压电平与参考值进行比较，
位线调试时间对应于在控制逻辑器切断预充电电压的供应之后直到控制逻辑器对位线的电压电平与参考值进行比较所经历的时间。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，
控制逻辑器被构造为如果第二温度高于第一温度，则控制第二温度下的位线调试时间变得比第一温度下的位线调试时间短。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，
控制逻辑器被构造为如果第二温度高于第一温度，则产生在第二温度下具有比第一温度下的频率高的频率的参考时钟信号。
5.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，
控制逻辑器包括温度电压产生器和参考时钟产生器，
温度电压产生器被构造为基于温度信息产生根据温度改变的温度电压，
参考时钟产生器被构造为基于温度电压产生根据温度具有不同频率的参考时钟信号。
6.根据权利要求5所述的非易失性存储装置，其中，
第二温度高于第一温度，
温度电压产生器被构造为产生具有在第二温度下比在第一温度下低的电平的温度电压，
参考时钟产生器被构造为产生具有在第二温度下比在第一温度下高的频率的参考时钟信号。
7.一种非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括：
存储单元；
位线；
页缓冲器，通过位线连接到存储单元，页缓冲器被构造为对位线预充电以执行预期的操作，其中，预期的操作是读操作和验证操作中的一种操作；以及
控制逻辑器，被构造为产生具有基于温度改变的脉冲宽度的温度补偿脉冲信号，
控制逻辑器被构造为基于温度补偿脉冲信号的脉冲宽度而不同地控制位线调试时间，其中，位线调试时间在预期的操作期间位于对位线进行预充电之后。
8.根据权利要求7所述的非易失性存储装置，其中，
控制逻辑器包括温度电压产生器、参考电流产生器和温度补偿脉冲产生器，
温度电压产生器被构造为基于温度信息产生根据温度改变的温度电压，
参考电流产生器被构造为基于参考电压将参考电流提供到温度补偿脉冲产生器，而与温度无关，
温度补偿脉冲产生器被构造为根据参考电流和参考电压基于以特定速率从温度电压减小的电压来确定温度补偿脉冲信号的脉冲宽度。
9.根据权利要求8所述的非易失性存储装置，其中，温度补偿脉冲产生器被构造为根据与温度无关的参考电流确定所述特定速率。
10.根据权利要求8所述的非易失性存储装置，其中，
第一温度低于第二温度，
温度电压产生器被构造为产生具有在第二温度下比在第一温度下低的电平的温度电压，
温度补偿脉冲产生器被构造为产生具有在第二温度下比在第一温度下小的脉冲宽度的温度补偿脉冲信号。
11.根据权利要求8所述的非易失性存储装置，其中，参考电流产生器包括：
第一电阻器，包括连接到地端子的一端和连接到第一节点的另一端；
第二电阻器，包括连接到第一节点的一端；
第一比较器，被构造为基于参考电压和第一节点的电压输出补偿结果值；
第一晶体管，包括连接到第二电阻器的另一端的一端，第一晶体管的另一端连接到电源端子，第一晶体管被构造为根据第一比较器的输出而导通；
第二晶体管，包括连接到电源端子的一端以及连接到第二节点的另一端，第二晶体管被构造为根据第一比较器的输出而导通；
第三晶体管，包括连接到第二节点的一端以及连接到地端子的另一端，第三晶体管被构造为根据第二节点的电压电平而导通。
12.根据权利要求11所述的非易失性存储装置，其中，温度补偿脉冲产生器包括：
第四晶体管，包括连接到地端子的一端以及连接到第三节点的另一端，第四晶体管被构造为根据第二节点的电压电平而导通；
第五晶体管，包括连接到第三节点的一端以及连接到第四节点的另一端；
第六晶体管，包括连接到第四节点的一端以及连接到温度电压端子的另一端；
第一电容器，连接在第四节点和地端子之间；
第二比较器，被构造成基于参考电压和第四节点的电压产生温度补偿脉冲信号，
其中，第五晶体管和第六晶体管被构造为根据开始信号互补地导通或截止。
13.根据权利要求12所述的非易失性存储装置，其中，
第一电容器被构造为基于温度电压充电并且基于参考电流放电，
根据第一电容器的充电和放电确定第四节点的电压。
14.根据权利要求12所述的非易失性存储装置，其中，第四节点的电压根据第一电容器的时间常量从温度电压减小。
15.根据权利要求11所述的非易失性存储装置，其中，根据第一节点的电压电平来确定参考电流。
16.一种非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括：
存储单元阵列；
位线，连接到存储单元阵列；
页缓冲器，通过位线连接到存储单元阵列，页缓冲器被构造为在操作期间对位线进行预充电；以及
控制逻辑器，被构造为根据温度在操作期间来不同地控制位线调试时间，其中，位线调试时间在操作期间位于对位线进行预充电之后，
控制逻辑器被构造为基于参考时钟信号的周期和温度补偿脉冲信号中的至少一种来确定位线调试时间，
参考时钟信号根据温度具有不同的频率，
温度补偿脉冲信号由控制逻辑器产生，温度补偿脉冲信号包括基于温度改变的脉冲宽度。
17.根据权利要求16所述的非易失性存储装置，其中，
控制逻辑器被构造为基于参考时钟信号的周期确定位线调试时间，
控制逻辑器被构造为在操作期间切断对位线预充电电压的供应，
控制逻辑器被构造为在切断预充电电压的供应之后基于对位线的电压电平与参考值的比较在操作期间检测单元阵列中存储单元的状态，
位线调试时间对应于在控制逻辑器切断预充电电压的供应之后直到控制逻辑器对位线的电压电平与参考值进行比较所经历的时间，
控制逻辑器被构造为如果第二温度高于第一温度，则控制位线调试时间变得在第二温度下比在第一温度下的位线调试时间短。
18.根据权利要求16所述的非易失性存储装置，其中，控制逻辑器被构造为基于由控制逻辑器产生的温度补偿脉冲信号确定位线调试时间。
19.根据权利要求16所述的非易失性存储装置，其中，操作是读操作和验证操作中的一种。
20.根据权利要求16所述的非易失性存储装置，其中，
存储单元阵列包括在基底上的多个串，
每个串包括在地选择晶体管与串选择晶体管之间堆叠在彼此的上部上的多个存储单元。
CN201610952159.2A 2015-11-05 2016-11-02 非易失性存储装置及其操作方法 Active CN106683692B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2015-0155319 2015-11-05
KR1020150155319A KR102377453B1 (ko) 2015-11-05 2015-11-05 불 휘발성 메모리 장치 및 그것의 동작 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106683692A true CN106683692A (zh) 2017-05-17
CN106683692B CN106683692B (zh) 2021-03-12

Family

ID=58667918

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610952159.2A Active CN106683692B (zh) 2015-11-05 2016-11-02 非易失性存储装置及其操作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9905301B2 (zh)
KR (1) KR102377453B1 (zh)
CN (1) CN106683692B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109300500A (zh) * 2017-07-25 2019-02-01 旺宏电子股份有限公司 存储器装置的数据管理方法与系统
CN109559773A (zh) * 2018-11-23 2019-04-02 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种超低温下sram时序电路的温度自适应补偿电路
CN109686391A (zh) * 2017-10-19 2019-04-26 三星电子株式会社 非易失性存储器装置及其操作方法及非易失性存储器封装
CN110021316A (zh) * 2017-11-22 2019-07-16 美光科技公司 脉冲积分器和存储器技术
CN112053711A (zh) * 2019-06-07 2020-12-08 爱思开海力士有限公司 存储器装置以及该存储器装置的操作方法
US11221797B2 (en) 2018-12-21 2022-01-11 Micron Technology, Inc. Domain-based access in a memory device
CN115268553A (zh) * 2022-04-20 2022-11-01 长江存储科技有限责任公司 电压供应电路、三维存储器器件、外围电路以及用于调整电压供应电路的方法
US12100457B2 (en) 2022-04-20 2024-09-24 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Voltage supply circuits, three-dimensional memory devices, peripheral circuit, and methods for adjusting voltage supply circuit

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102663814B1 (ko) * 2017-02-06 2024-05-07 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
KR102303763B1 (ko) 2017-10-23 2021-09-16 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치
US20190179540A1 (en) * 2017-12-11 2019-06-13 Qualcomm Incorporated Concurrent access for multiple storage devices
KR102627994B1 (ko) 2018-10-04 2024-01-22 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치의 센싱 회로, 이를 포함하는 비휘발성 메모리 장치 및 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
CN111783484A (zh) * 2019-04-04 2020-10-16 深圳市江波龙电子股份有限公司 一种存储卡的识别方法、电子设备以及计算机存储介质
US11145373B1 (en) * 2020-05-22 2021-10-12 Macronix International Co., Ltd. Method for programming flash memory device and flash memory system
TWI733460B (zh) * 2020-05-22 2021-07-11 旺宏電子股份有限公司 記憶體裝置的寫入方法及記憶體系統
KR20220027550A (ko) 2020-08-27 2022-03-08 삼성전자주식회사 온도 보상을 수행하는 메모리 장치 및 그 동작방법
KR20230063386A (ko) * 2021-11-02 2023-05-09 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
US11838033B1 (en) 2022-09-20 2023-12-05 Western Digital Technologies, Inc. Partial speed changes to improve in-order transfer

Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020036925A1 (en) * 2000-09-22 2002-03-28 Toru Tanzawa Non-volatile semiconductor memory
CN1423280A (zh) * 2001-12-03 2003-06-11 惠普公司 用于存储阵列中温度变化的写电流补偿
CN1463494A (zh) * 2001-05-17 2003-12-24 哉英电子股份有限公司 半导体集成电路
CN1751357A (zh) * 2003-02-19 2006-03-22 飞思卡尔半导体公司 具有可变刷新控制的存储器及其可变刷新控制方法
TW200632917A (en) * 2005-03-15 2006-09-16 Hynix Semiconductor Inc Non-volatile memory device having page buffer for verifying pre-erase
US20060221726A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Hynix Semiconductor Inc. Over driving control signal generator in semiconductor memory device
CN1975933A (zh) * 2005-11-30 2007-06-06 冲电气工业株式会社 非易失性存储装置及其读出方法
TW200832422A (en) * 2007-01-23 2008-08-01 Hynix Semiconductor Inc NAND flash memory device and method of improving characteristic of a cell in the same
JP4284343B2 (ja) * 2006-08-09 2009-06-24 株式会社東芝 半導体集積回路
US7586791B2 (en) * 2006-09-29 2009-09-08 Oki Semiconductor Co., Ltd. Delay circuit for controlling a pre-charging time of bit lines of a memory cell array
CN101593558A (zh) * 2008-05-26 2009-12-02 海力士半导体有限公司 读取非易失性存储装置中的数据的方法
CN101796589A (zh) * 2007-09-07 2010-08-04 美光科技公司 用于移除系统影响的存储器控制器自校准
CN102298966A (zh) * 2010-05-31 2011-12-28 三星电子株式会社 非易失性存储器设备、系统及编程方法
US20120230103A1 (en) * 2011-03-07 2012-09-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile Memory Device And Operating Method Thereof
CN102682844A (zh) * 2011-03-18 2012-09-19 捷鼐讯有限公司 复制电路及其应用
CN103456361A (zh) * 2012-05-29 2013-12-18 三星电子株式会社 操作非易失性存储装置的方法和集成电路存储系统
CN203799668U (zh) * 2014-03-31 2014-08-27 西安华芯半导体有限公司 一种静态随机存储器及其位线预充电自定时电路
TWI484492B (zh) * 2006-11-27 2015-05-11 Conversant Intellectual Property Man Inc 非揮發性記憶體序列核心架構
US9093169B2 (en) * 2012-02-10 2015-07-28 SK Hynix Inc. Nonvolatile semiconductor memory apparatus and data sensing method thereof
CN104934067A (zh) * 2014-03-21 2015-09-23 三星电子株式会社 非易失性存储器装置和存储装置及其操作方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1316271B1 (it) 2000-12-28 2003-04-03 Micron Technology Inc Generatore di impulsi compensato in tensione e temperatura.
US6697283B2 (en) 2001-01-03 2004-02-24 Micron Technology, Inc. Temperature and voltage compensated reference current generator
KR100560646B1 (ko) * 2002-12-20 2006-03-16 삼성전자주식회사 지연된 오토프리챠지 기능을 갖는 반도체 메모리 장치
US7116088B2 (en) 2003-06-09 2006-10-03 Silicon Storage Technology, Inc. High voltage shunt regulator for flash memory
KR20060011588A (ko) * 2004-07-30 2006-02-03 주식회사 하이닉스반도체 온도보상 발진회로
US7518930B2 (en) * 2006-04-21 2009-04-14 Sandisk Corporation Method for generating and adjusting selected word line voltage
US7391650B2 (en) 2006-06-16 2008-06-24 Sandisk Corporation Method for operating non-volatile memory using temperature compensation of voltages of unselected word lines and select gates
US7675783B2 (en) * 2007-02-27 2010-03-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory device and driving method thereof
US20080247254A1 (en) 2007-04-05 2008-10-09 Hao Thai Nguyen Method for temperature compensating bit line during sense operations in non-volatile storage
US7782678B2 (en) 2007-08-27 2010-08-24 Infineon Technologies Ag Self-timed integrating differential current sense amplifier
KR101226685B1 (ko) 2007-11-08 2013-01-25 삼성전자주식회사 수직형 반도체 소자 및 그 제조 방법.
US8482339B1 (en) 2009-06-12 2013-07-09 National Acquisition Sub, Inc. Method and apparatus for temperature compensation of filter circuits
KR101691092B1 (ko) 2010-08-26 2016-12-30 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 그것의 동작 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템
US8553466B2 (en) 2010-03-04 2013-10-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory device, erasing method thereof, and memory system including the same
US9536970B2 (en) 2010-03-26 2017-01-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same
KR101682666B1 (ko) 2010-08-11 2016-12-07 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것의 채널 부스팅 방법, 그것의 프로그램 방법 및 그것을 포함하는 메모리 시스템
KR101774471B1 (ko) * 2010-11-25 2017-09-05 삼성전자주식회사 불 휘발성 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법
KR101809202B1 (ko) * 2012-01-31 2017-12-14 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법
KR20140013401A (ko) * 2012-07-23 2014-02-05 삼성전자주식회사 메모리 장치, 메모리 시스템 및 상기 메모리 장치의 독출 전압의 제어 방법
KR102081757B1 (ko) * 2013-06-26 2020-02-26 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
KR102118979B1 (ko) * 2013-09-13 2020-06-05 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
KR102187643B1 (ko) * 2013-12-04 2020-12-08 삼성전자주식회사 메모리 시스템 및 그것을 포함하는 유저 장치
IN2013CH05594A (zh) * 2013-12-04 2015-06-12 Lsi Corp
KR102173441B1 (ko) 2014-02-04 2020-11-03 삼성전자주식회사 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 장치
KR102193468B1 (ko) * 2014-04-04 2020-12-21 삼성전자주식회사 타이밍 마진을 적응적으로 보정하는 메모리 장치 및 이를 포함하는 집적 회로

Patent Citations (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020036925A1 (en) * 2000-09-22 2002-03-28 Toru Tanzawa Non-volatile semiconductor memory
CN1463494A (zh) * 2001-05-17 2003-12-24 哉英电子股份有限公司 半导体集成电路
CN1423280A (zh) * 2001-12-03 2003-06-11 惠普公司 用于存储阵列中温度变化的写电流补偿
CN1751357A (zh) * 2003-02-19 2006-03-22 飞思卡尔半导体公司 具有可变刷新控制的存储器及其可变刷新控制方法
TW200632917A (en) * 2005-03-15 2006-09-16 Hynix Semiconductor Inc Non-volatile memory device having page buffer for verifying pre-erase
US20060221726A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Hynix Semiconductor Inc. Over driving control signal generator in semiconductor memory device
CN1975933A (zh) * 2005-11-30 2007-06-06 冲电气工业株式会社 非易失性存储装置及其读出方法
JP4284343B2 (ja) * 2006-08-09 2009-06-24 株式会社東芝 半導体集積回路
US7586791B2 (en) * 2006-09-29 2009-09-08 Oki Semiconductor Co., Ltd. Delay circuit for controlling a pre-charging time of bit lines of a memory cell array
TWI484492B (zh) * 2006-11-27 2015-05-11 Conversant Intellectual Property Man Inc 非揮發性記憶體序列核心架構
TW200832422A (en) * 2007-01-23 2008-08-01 Hynix Semiconductor Inc NAND flash memory device and method of improving characteristic of a cell in the same
CN101796589A (zh) * 2007-09-07 2010-08-04 美光科技公司 用于移除系统影响的存储器控制器自校准
CN101593558A (zh) * 2008-05-26 2009-12-02 海力士半导体有限公司 读取非易失性存储装置中的数据的方法
CN102298966A (zh) * 2010-05-31 2011-12-28 三星电子株式会社 非易失性存储器设备、系统及编程方法
US20120230103A1 (en) * 2011-03-07 2012-09-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile Memory Device And Operating Method Thereof
CN102682847A (zh) * 2011-03-07 2012-09-19 三星电子株式会社 非易失性存储装置及其操作方法
CN102682844A (zh) * 2011-03-18 2012-09-19 捷鼐讯有限公司 复制电路及其应用
US9093169B2 (en) * 2012-02-10 2015-07-28 SK Hynix Inc. Nonvolatile semiconductor memory apparatus and data sensing method thereof
CN103456361A (zh) * 2012-05-29 2013-12-18 三星电子株式会社 操作非易失性存储装置的方法和集成电路存储系统
CN104934067A (zh) * 2014-03-21 2015-09-23 三星电子株式会社 非易失性存储器装置和存储装置及其操作方法
CN203799668U (zh) * 2014-03-31 2014-08-27 西安华芯半导体有限公司 一种静态随机存储器及其位线预充电自定时电路

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109300500A (zh) * 2017-07-25 2019-02-01 旺宏电子股份有限公司 存储器装置的数据管理方法与系统
CN109686391A (zh) * 2017-10-19 2019-04-26 三星电子株式会社 非易失性存储器装置及其操作方法及非易失性存储器封装
CN109686391B (zh) * 2017-10-19 2023-09-26 三星电子株式会社 非易失性存储器装置及其操作方法及非易失性存储器封装
CN110021316A (zh) * 2017-11-22 2019-07-16 美光科技公司 脉冲积分器和存储器技术
CN109559773A (zh) * 2018-11-23 2019-04-02 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种超低温下sram时序电路的温度自适应补偿电路
CN109559773B (zh) * 2018-11-23 2021-08-20 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种超低温下sram时序电路的温度自适应补偿电路
US11372595B2 (en) 2018-12-21 2022-06-28 Micron Technology, Inc. Read broadcast operations associated with a memory device
US11934703B2 (en) 2018-12-21 2024-03-19 Micron Technology, Inc. Read broadcast operations associated with a memory device
US11340833B2 (en) 2018-12-21 2022-05-24 Micron Technology, Inc. Systems and methods for data relocation using a signal development cache
US11360704B2 (en) 2018-12-21 2022-06-14 Micron Technology, Inc. Multiplexed signal development in a memory device
US11221797B2 (en) 2018-12-21 2022-01-11 Micron Technology, Inc. Domain-based access in a memory device
US11989450B2 (en) 2018-12-21 2024-05-21 Micron Technology, Inc. Signal development caching in a memory device
US11520529B2 (en) 2018-12-21 2022-12-06 Micron Technology, Inc. Signal development caching in a memory device
US11656801B2 (en) 2018-12-21 2023-05-23 Micron Technology, Inc. Systems and methods for data relocation using a signal development cache
US11669278B2 (en) 2018-12-21 2023-06-06 Micron Technology, Inc. Page policies for signal development caching in a memory device
US11693599B2 (en) 2018-12-21 2023-07-04 Micron Technology, Inc. Domain-based access in a memory device
US11709634B2 (en) 2018-12-21 2023-07-25 Micron Technology, Inc. Multiplexed signal development in a memory device
US11726714B2 (en) 2018-12-21 2023-08-15 Micron Technology, Inc. Content-addressable memory for signal development caching in a memory device
TWI762840B (zh) * 2018-12-21 2022-05-01 美商美光科技公司 電子設備及用於記憶體裝置中之多工信號開發之方法
CN112053711A (zh) * 2019-06-07 2020-12-08 爱思开海力士有限公司 存储器装置以及该存储器装置的操作方法
CN115268553A (zh) * 2022-04-20 2022-11-01 长江存储科技有限责任公司 电压供应电路、三维存储器器件、外围电路以及用于调整电压供应电路的方法
CN115268553B (zh) * 2022-04-20 2024-06-07 长江存储科技有限责任公司 电压供应电路、三维存储器器件、外围电路以及用于调整电压供应电路的方法
US12100457B2 (en) 2022-04-20 2024-09-24 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. Voltage supply circuits, three-dimensional memory devices, peripheral circuit, and methods for adjusting voltage supply circuit

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170053210A (ko) 2017-05-16
CN106683692B (zh) 2021-03-12
KR102377453B1 (ko) 2022-03-23
US20170133096A1 (en) 2017-05-11
US9905301B2 (en) 2018-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106683692A (zh) 非易失性存储装置及其操作方法
TWI717568B (zh) 半導體記憶裝置及記憶體系統
US9779790B2 (en) Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory
US9824761B2 (en) Storage device and a write method including a coarse program operation and fine program operation
US9805807B2 (en) Operation method operating nonvolatile memory device having plurality of memory blocks
US9947414B2 (en) Nonvolatile memory device and operating method thereof
KR102248267B1 (ko) 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 및 읽기 방법들
US9378137B2 (en) Storage and programming method thereof
CN104916326B (zh) 存储装置和使用定时器设置的相关方法
CN108986852A (zh) 存储装置及其操作方法
CN108389601A (zh) 非易失性存储器装置的软擦除方法
US10236065B2 (en) Nonvolatile memory device including multi-plane structure
KR20190019427A (ko) 메모리 장치 및 그 동작 방법
US10573388B2 (en) Non-volatile storage system with adjustable select gates as a function of temperature
CN106531215A (zh) 半导体存储器件及其操作方法
KR20150047394A (ko) 저장 장치 및 그것의 프로그램 방법
US9570160B1 (en) Non-volatile storage system with defect detetction and early programming termination
CN109427400A (zh) 存储器装置及其操作方法
CN107808682A (zh) 控制电路、外围电路、半导体存储器件及其操作方法
TW201721655A (zh) 記憶體裝置及其操作方法
CN108172248A (zh) 控制逻辑、半导体存储器件及其操作方法
KR20150020431A (ko) 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 메모리 시스템, 및 그것의 프로그램 방법
CN106205695A (zh) 半导体器件及其操作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant