CN106549083A - 一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，包括如下步骤：(1)在硅片表面形成多孔质层结构；(2)然后用碱性化学液进行清洗；(3)采用清洗液去除残留金属颗粒；(4)然后用第一化学腐蚀液进行表面刻蚀，即可得到晶体硅太阳能电池绒面结构。本发明大幅度延长了氢氟酸和硝酸混合液的使用寿命，并确保了绒面结构的稳定性和均匀性。

Description

一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法
技术领域
本发明涉及一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，属于太阳能电池技术领域。
背景技术
随着太阳能电池组件的广泛应用，光伏发电在新能源中越来越占有重要比例，获得了飞速发展。目前商业化的太阳电池产品中，晶体硅(单晶和多晶)太阳电池的市场份额最大，一直保持85％以上的市场占有率。
目前，在太阳电池的生产工艺中，硅片表面的绒面结构可以有效地降低太阳电池的表面反射率，是影响太阳电池光电转换效率的重要因素之一。为了在晶体硅太阳能电池表面获得好的绒面结构，以达到较好的减反射效果，人们尝试了许多方法，常用的包括机械刻槽法、激光刻蚀法、反应离子刻蚀法(RIE)、化学腐蚀法(即湿法腐蚀)等。其中，机械刻槽方法可以得到较低的表面反射率，但是该方法造成硅片表面的机械损伤比较严重，而且其成品率相对较低，故而在工业生产中使用较少。对于激光刻蚀法，是用激光制作不同的刻槽花样，条纹状和倒金字塔形状的表面都已经被制作出来，其反射率可以低至8.3％，但是由其制得的电池的效率都比较低，不能有效地用于生产。RIE方法可以利用不同的模版来进行刻蚀，刻蚀一般是干法刻蚀，可以在硅片表面形成所谓的“黑硅”结构，其反射率可以低至7.9％，甚至可以达到4％，但是由于设备昂贵，生产成本较高，因此在工业成产中使用较少。而化学腐蚀法具有工艺简单、廉价优质、和现有工艺好兼容等特点，成为了现有工业中使用最多的方法。
目前，采用湿法腐蚀的晶体硅太阳能电池的绒面结构一般呈微米级。目前的常规做法仍是进一步降低其表面反射率。发明专利申请WO2014120830(A1)公开了一种晶体硅纳米绒面的制备方法，通过退火的方式来实现纳米绒面形貌的控制，但是该方法工艺复杂，不利于工业化生产的需要。
针对上述问题，现有技术中出现了金属离子腐蚀的方法，比如中国专利CN101573801B，具体包括如下步骤：(1)将硅片放入含有氧化剂以及金属盐的氢氟酸溶液中，形成多孔质层结构；(2)然后用第一化学腐蚀液进行表面刻蚀；所述第一化学腐蚀液为氢氟酸和硝酸的混合溶液；(3)然后将上述硅片放入第二化学腐蚀液中进行浸渍，形成绒面结构；所述第二化学腐蚀液为碱液。
然而，实际应用中发现，上述方法存在如下问题：(一)上述方法的步骤(2)中的第一化学腐蚀液的作用主要有2个，一是对金属催化形成的多孔硅层进行蚀刻；二是清洗硅片表面残留的金属颗粒；然而，随着处理硅片数量的增多，步骤(2)中的第一化学腐蚀液(即HF/HNO3的混合溶液)中的Ag离子越来越多，变成富含Ag离子的HF/HNO3混合溶液，而硅片在该溶液中会再次发生金属离子催化化学刻蚀反应，影响绒面结构的稳定性和均匀性，从而影响太阳电池的电性能；(二)随着处理硅片数量的增加，上述方法的步骤(2)中的第一化学腐蚀液中的Ag离子越来越多，Ag离子会逆向再次附着在硅片上，很难再将第一工序中硅片上附着的Ag颗粒清洗干净，从而造成HF/HNO3混合溶液的寿命非常短，从而进一步增加了成本。
因此，开发一种新的晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，以保障绒面结构的稳定性和均匀性、以及太阳电池电性能的稳定性，并进一步提高HF/HNO3混合溶液的寿命，显然具有积极的现实意义。
发明内容
本发明的发明目的是提供一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法。
为达到上述发明目的，本发明采用的技术方案是：一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，包括如下步骤：
(1)在硅片表面形成多孔质层结构；
(2)用碱性化学液进行清洗；
(3)采用第一清洗液去除残留金属颗粒；
(4)然后用第一化学腐蚀液进行表面刻蚀，即可得到晶体硅太阳能电池绒面结构；所述第一化学腐蚀液为氢氟酸和氧化剂的混合溶液。
上文中，所述多孔质层结构属于现有技术，包括多孔硅结构、纳米线结构等。
所述步骤(4)中的氧化剂可以是硝酸、双氧水、铬酸或高锰酸钾溶液。
上述技术方案中，所述步骤(1)中，将硅片放入含有氧化剂以及金属盐的氢氟酸溶液中，形成多孔质层结构；温度为25～90℃，时间为10～1000s。
优选的，含有氧化剂以及金属盐的氢氟酸溶液中金属离子浓度小于等于1E-3mol/L，或者，溶液中金属离子浓度大于1E-3mol/L的同时HF的浓度小于等于1E-2mol/L。
或者，所述步骤(1)中，先将硅片放入含有金属离子的溶液中浸泡，使硅片表面涂覆一层金属纳米颗粒；所述溶液中金属离子浓度小于等于1E-3mol/L，或者，溶液中金属离子浓度大于1E-3mol/L的同时HF的浓度小于等于1E-2mol/L；
然后用化学腐蚀液腐蚀硅片表面，形成多孔质层结构；温度为25～90℃，时间为30～300s；
所述化学腐蚀液为HF和氧化剂的混合溶液；其中，HF的浓度为1～15mol/L，氧化剂的浓度为0.05～0.5mol/L。
上述技术方案中，所述步骤(1)和(2)之间、(2)和(3)之间、(3)和(4)之间还均设有水洗步骤。
上述技术方案中，所述步骤(2)中，清洗时间为5～250s；
所述碱性化学液中碱性物质的体积浓度为0.1～30％，温度为20～80℃；
所述碱性化学液选自氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液、氨水、氨水和双氧水的混合液、四甲基氢氧化铵中的任意一种或多种。
优选的，所述步骤(2)中，清洗时间为5～100s；更优选的，清洗时间为5～50s；进一步优选的，清洗时间为5～30s；也可以将清洗时间设定为10s、20s、40s或60s。
优选的，所述碱性化学液中碱性物质的体积浓度为0.5～30％，更优选的，其体积浓度为1～25％，进一步优选的，其体积浓度为1～20％。
进一步的，所述碱性化学液的温度为25～80℃。更优选的，其温度为25～70℃，进一步优选的，25～50℃。
上述技术方案中，所述步骤(3)中，所述第一清洗液选自以下4种溶液中的一种：盐酸和双氧水的混合液、氨水和双氧水的混合液、硝酸、氨水；
所述硝酸的体积浓度为5～69％；所述氨水的体积浓度为1～30％；
所述第一清洗液的温度为20～80℃。优选的，其温度为20～70℃，进一步优选的，20～50℃。
上述技术方案中，所述步骤(4)中，所述第一化学腐蚀液为氢氟酸和硝酸，其中氢氟酸的浓度为1～15mol/L，硝酸的浓度为0.05～0.5mol/L。
上述技术方案中，所述步骤(4)之后，还包括如下步骤：
(5)将上述硅片放入第二化学腐蚀液中进行浸渍；所述第二化学腐蚀液为碱液；
所述碱液选自氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液、氨水或四甲基氢氧化铵中的任意一种或多种，碱液的浓度为0.05～0.5mol/L；浸渍时间为5～250s；
(6)然后将上述硅片放入第二清洗液中进行清洗；
所述第二清洗液为盐酸和双氧水的混合液、氨水和双氧水的混合液中的任意一种混合液；所述清洗液的温度为20～80℃；清洗时间为60～300s；
(7)然后将上述硅片放入氢氟酸溶液中浸渍。
上述技术方案中，步骤(5)的作用是用来去除表面多孔硅，步骤(6)去除残留的金属粒子，步骤(7)去除表层氧化硅层，实际的方案可以根据具体的需求进行选择，具体情况包含只采用步骤(5)，采用步骤(5)和步骤(6)两步相结合，采用步骤(5)、步骤(6)和步骤(7)三步相结合。
上述技术方案中，所述步骤(5)、(6)、(7)之前以及步骤(7)之后，还均设有水洗步骤。
本发明同时请求保护由上述方法制备得到的晶体硅太阳能电池绒面结构。优选的，所述绒面结构主要由复数个类似倒金字塔的微结构构成；
所述类似倒金字塔的微结构的下部为倒棱锥结构，其上部为倒圆台结构；所述类似倒金字塔的微结构的顶部选自圆形、椭圆形或由多条曲线围成的闭合图形中的一种或几种；所述类似倒金字塔的微结构的尺寸为100～900nm；所述绒面结构还具有复数个正金字塔的微结构。
上文中，所述类似倒金字塔的微结构的顶部选自圆形、椭圆形或由多条曲线围成的闭合图形中的一种或几种，其中，由多条曲线围成的闭合图形，其至少包括3条曲线，当然也可以由更多的曲线围成，优选5～8条。所述倒圆锥结构的顶部是指圆锥的底面，由于其是倒立的，因此圆锥的底面成为了微结构的顶部。
所述绒面结构具有复数个类似倒金字塔的微结构，这些类似倒金字塔结构可以是独立的分散于硅片表面，也可以部分重叠，或多个倒圆锥结构相互部分重叠。所述类似倒金字塔的微结构的深度为100～900nm。所述绒面结构的平均反射率为2～20％。优选5～15％。
本发明的基本原理是：采用步骤(2)中的碱性化学液可以去除表面的多孔硅结构，露出下面的纳米绒面结构，同时剥离多孔硅中的大量的金属粒子。接下来采用步骤(3)中的第一清洗液将纳米结构底部的残留金属彻底去除，处理后的硅片进入第一化学腐蚀液中不会将金属粒子带入腐蚀液中，避免在第一化学腐蚀液中再次形成金属催化的氧化还原体系，影响绒面结构的稳定性和均匀性。
另一方面，在第一化学腐蚀液之前去除金属粒子，还可以避免该体系中累积越来越多的金属粒子。因为大量的金属粒子会反方向附着在硅片表面难以去除，一方面影响腐蚀液的寿命，另一方面也会导致太阳能电池光电转换效率的大幅降低。
与之相应的另一种技术方案，一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，包括如下步骤：
(1)在硅片表面形成多孔质层结构；
(2)用碱性化学液进行清洗，并去除残留金属颗粒；
(3)然后用第一化学腐蚀液进行表面刻蚀，即可得到晶体硅太阳能电池绒面结构；所述第一化学腐蚀液为氢氟酸和氧化剂的混合溶液。
即将第一种技术方案中的步骤(2)和步骤(3)选自同一种化学液，此时，这2个步骤可以合并。当然，这种同一种化学液的选择是非常特殊的，其不仅可以去除表面的多孔硅结构，露出下面的纳米绒面结构，同时剥离多孔硅中的大量的金属粒子；而且还可以将纳米结构底部的残留金属彻底去除。
上述技术方案中，所述步骤(1)中，将硅片放入含有氧化剂以及金属盐的氢氟酸溶液中，形成多孔质层结构；温度为25～90℃，时间为10～1000s。
优选的，含有氧化剂以及金属盐的氢氟酸溶液中金属离子浓度小于等于1E-3mol/L，或者，溶液中金属离子浓度大于1E-3mol/L的同时HF的浓度小于等于1E-2mol/L。
或者，所述步骤(1)中，先将硅片放入含有金属离子的溶液中浸泡，使硅片表面涂覆一层金属纳米颗粒；所述溶液中金属离子浓度小于等于1E-3mol/L，或者，溶液中金属离子浓度大于1E-3mol/L的同时HF的浓度小于等于1E-2mol/L；
然后用化学腐蚀液腐蚀硅片表面，形成多孔质层结构；温度为25～90℃，时间为30～300s；
所述化学腐蚀液为HF和氧化剂的混合溶液；其中，HF的浓度为1～15mol/L，氧化剂的浓度为0.05～0.5mol/L。
上述技术方案中，所述步骤(1)和(2)之间、(2)和(3)之间还均设有水洗步骤。
上述技术方案中，所述步骤(2)中，清洗时间为5～250s；
所述碱性化学液中碱性物质的体积浓度为0.1～30％，温度为20～80℃；
所述碱性化学液选自氨水、氨水和双氧水的混合液中的任意一种。
优选的，所述步骤(2)中，清洗时间为5～100s；更优选的，清洗时间为5～50s；进一步优选的，清洗时间为5～30s；也可以将清洗时间设定为10s、20s、40s或60s。
优选的，所述碱性化学液中碱性物质的体积浓度为0.5～30％，更优选的，其体积浓度为1～25％，进一步优选的，其体积浓度为1～15％。
进一步的，所述碱性化学液的温度为25～80℃。更优选的，其温度为25～70℃，进一步优选的，25～50℃。
上述技术方案中，所述步骤(3)中，所述第一化学腐蚀液为氢氟酸和硝酸，其中氢氟酸的浓度为1～15mol/L，硝酸的浓度为0.05～0.5mol/L。
上述技术方案中，所述步骤(3)之后，还包括如下步骤：
(4)将上述硅片放入第二化学腐蚀液中进行浸渍；所述第二化学腐蚀液为碱液；
所述碱液选自氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液、氨水或四甲基氢氧化铵的任意一种或多种；
(5)然后将上述硅片放入清洗液中进行清洗；
所述清洗液为盐酸和双氧水的混合液、氨水和双氧水的混合液中的任意一种混合液；
(6)然后将上述硅片放入氢氟酸溶液中浸渍。
上述技术方案中，所述步骤(4)、(5)、(6)之前以及步骤(6)之后，还均设有水洗步骤。
本发明同时请求保护由上述方法制备得到的晶体硅太阳能电池绒面结构。优选的，所述绒面结构主要由复数个类似倒金字塔的微结构构成；
所述类似倒金字塔的微结构的下部为倒棱锥结构，其上部为倒圆台结构；所述类似倒金字塔的微结构的顶部选自圆形、椭圆形或由多条曲线围成的闭合图形中的一种或几种；所述类似倒金字塔的微结构的尺寸为100～900nm；所述绒面结构还具有复数个正金字塔的微结构。
上文中，所述类似倒金字塔的微结构的顶部选自圆形、椭圆形或由多条曲线围成的闭合图形中的一种或几种，其中，由多条曲线围成的闭合图形，其至少包括3条曲线，当然也可以由更多的曲线围成，优选5～8条。所述倒圆锥结构的顶部是指圆锥的底面，由于其是倒立的，因此圆锥的底面成为了微结构的顶部。
所述绒面结构具有复数个类似倒金字塔的微结构，这些类似倒金字塔结构可以是独立的分散于硅片表面，也可以部分重叠，或多个倒圆锥结构相互部分重叠。所述类似倒金字塔的微结构的深度为100～900nm。所述绒面结构的平均反射率为2～20％。优选5～15％。
由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：
1、本发明添加了碱性化学液清洗步骤，可以快速刻蚀去除富含Ag颗粒的多孔硅层，大幅度减小了每次处理的氢氟酸和氧化剂的混合液中清洗溶解的Ag，从而大幅度延长了氢氟酸和硝酸混合液的使用寿命，并确保了绒面结构的稳定性和均匀性；实验证明：相比于未采用碱性化学液清洗步骤的现有技术方案，本申请的氢氟酸和硝酸混合液的寿命可以从现有的2000片硅片提升至80000片硅片，取得了意想不到的效果；
2、本发明添加了第一清洗液清洗步骤，可以进一步去除金属银颗粒，可以确保完全去除硅片上的Ag残留，确保太阳电池电性能的稳定性；实验证明：相比于未采用清洗液清洗步骤的现有技术方案，本申请的开路电压和短路电流也有明显的提升，光电转换效率提高了0.3％以上，取得了意想不到的效果；
3、本发明采用化学腐蚀形成纳米级绒面，无需掩膜刻蚀，操作工艺简单，与现有工业化生产工艺兼容性较好，可以快速移植到工业化生产中，适于推广应用。
附图说明
图1是实施例一中制绒后硅片的绒面图。
图2是实施例二中制绒后硅片的绒面图。
图3是对比例一中制绒后硅片的绒面图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进一步描述。
实施例一：
参见图1所示，一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，包括如下步骤：
(1)将硅片放入含有氧化剂以及金属盐的氢氟酸溶液中，形成多孔质层结构；温度为50℃，时间为10～1000s；
(2)水洗；然后用碱性化学液进行清洗；
所述碱性化学液选自氢氧化钠溶液；清洗时间为5～250s；
所述碱性化学液的体积浓度为10％，温度为50℃；
(3)水洗；然后采用第一清洗液去除残留金属颗粒；
所述第一清洗液选自硝酸、氨水、盐酸和双氧水的混合液、氨水和双氧水的混合液中的任意一种混合液；
(4)水洗；然后用第一化学腐蚀液进行表面刻蚀；所述第一化学腐蚀液为氢氟酸和硝酸的混合溶液；温度为40℃，时间为5～250s；
(5)水洗；然后将上述硅片放入第二化学腐蚀液中进行浸渍，形成绒面结构；所述第二化学腐蚀液为碱液；
所述碱液选自氢氧化钾，碱液的浓度为0.05～0.5mol/L；浸渍时间为5～250s；
(6)水洗；然后将上述硅片放入第二清洗液中进行清洗，去除残留的金属颗粒；
所述第二清洗液为氨水和双氧水的混合液；所述清洗液的温度为30℃；所述氨水的体积浓度为10％，双氧水的体积浓度为10％；
(7)水洗；然后将上述硅片放入氢氟酸溶液中浸渍；水洗，即可得到晶体硅太阳能电池绒面结构。
实施例二：
参见图2所示，一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，包括如下步骤：
(1)将硅片放入含有氧化剂以及金属盐的氢氟酸溶液中，形成多孔质层结构；温度为50℃，时间为10～1000s；
(2)水洗；然后用碱性化学液进行清洗；
所述碱性化学液选自氢氧化钠溶液；清洗时间为5～250s；
所述碱性化学液的体积浓度为10％，温度为50℃；
(3)水洗；然后采用第一清洗液去除残留金属颗粒；
所述第一清洗液选自硝酸、氨水、盐酸和双氧水的混合液、氨水和双氧水的混合液中的任意一种混合液；
(4)水洗；然后用第一化学腐蚀液进行表面刻蚀；所述第一化学腐蚀液为氢氟酸和硝酸的混合溶液；温度为40℃，时间为5～250s；
水洗，即可得到晶体硅太阳能电池绒面结构。
对比例一：
参见图3所示，一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，包括如下步骤：
(1)将硅片放入含有氧化剂以及金属盐的氢氟酸溶液中，形成多孔质层结构；温度为50℃，时间为10～1000s；
(2)水洗；然后用第一化学腐蚀液进行表面刻蚀；所述第一化学腐蚀液为氢氟酸和硝酸的混合溶液；温度为40℃，时间为5～250s；
(3)水洗；然后将上述硅片放入第二化学腐蚀液中进行浸渍，形成绒面结构；所述第二化学腐蚀液为碱液；
所述碱液选自氢氧化钾，碱液的浓度为0.05～0.5mol/L；浸渍时间为5～250s；
(4)水洗；然后将上述硅片放入第二清洗液中进行清洗，去除残留的金属颗粒；
(5)水洗；然后将上述硅片放入氢氟酸溶液中浸渍；水洗。
(一)先对比实施例和对比例中氢氟酸和硝酸的混合溶液的使用寿命，图1是实施例处理2500片硅片时的硅片表面的绒面图。图3是对比例处理2500片硅片时的硅片表面的绒面图。由图对比可见，图3的均匀性很差，说明此时的氢氟酸和硝酸的混合溶液已经无法使用了。此外，实验证明：本申请的氢氟酸和硝酸混合液的寿命可以提升至80000片硅片。
(二)接着对比实施例和对比例中量产80000片电池片的电性能参数，对比结果如下：
Uoc(mV) Isc(A) FF(％) EFF
实施例一 640.3 8.969 79.90 18.86％
实施例二 639.9 8.953 79.96 18.83％
对比例一 636.7 8.889 79.77 18.55％
由上可见，相对于对比例，本申请的开路电压和短路电流也有明显的提升，光电转换效率提高了0.31％，取得了意想不到的效果。

Claims (16)

1.一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1) 在硅片表面形成多孔质层结构；
(2) 用碱性化学液进行清洗；
(3) 采用第一清洗液去除残留金属颗粒；
(4) 然后用第一化学腐蚀液进行表面刻蚀，即可得到晶体硅太阳能电池绒面结构；所述第一化学腐蚀液为氢氟酸和氧化剂的混合溶液。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，将硅片放入含有氧化剂以及金属盐的氢氟酸溶液中，形成多孔质层结构。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，先将硅片放入含有金属离子的溶液中浸泡，使硅片表面涂覆一层金属纳米颗粒；
然后用化学腐蚀液腐蚀硅片表面，形成多孔质层结构；
所述化学腐蚀液为HF和氧化剂的混合溶液。
4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)和(2)之间、(2)和(3)之间、(3)和(4)之间还均设有水洗步骤。
5.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，清洗时间为5~250 s；
所述碱性化学液中碱性物质的体积浓度为0.1~30%，温度为20~80℃；
所述碱性化学液选自氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液、氨水、氨水和双氧水的混合液、四甲基氢氧化铵中的任意一种或多种。
6.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中，所述第一清洗液选自以下4种溶液中的一种：盐酸和双氧水的混合液、氨水和双氧水的混合液、硝酸、氨水；
所述硝酸的体积浓度为5~69%；所述氨水的体积浓度为1~30%；
所述第一清洗液的温度为20~80℃。
7.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中，所述第一化学腐蚀液为氢氟酸和硝酸，其中氢氟酸的浓度为1~15 mol/L，硝酸的浓度为0.05~0.5 mol/L。
8.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)之后，还包括如下步骤：
(5) 将上述硅片放入第二化学腐蚀液中进行浸渍；所述第二化学腐蚀液为碱液；
所述碱液选自氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液、氨水或四甲基氢氧化铵的任意一种或多种；
(6) 然后将上述硅片放入第二清洗液中进行清洗；
所述第二清洗液为盐酸和双氧水的混合液、氨水和双氧水的混合液中的任意一种混合液；
(7) 然后将上述硅片放入氢氟酸溶液中浸渍。
9.根据权利要求8所述的晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)、(6)、(7)之前以及步骤(7)之后，还均设有水洗步骤。
10.一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1) 在硅片表面形成多孔质层结构；
(2) 用碱性化学液进行清洗，并去除孔底残留金属颗粒；
(3) 然后用第一化学腐蚀液进行表面刻蚀，即可得到晶体硅太阳能电池绒面结构；所述第一化学腐蚀液为氢氟酸和氧化剂的混合溶液。
11.根据权利要求10所述的晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)和(2)之间、(2)和(3)之间还均设有水洗步骤。
12.根据权利要求10所述的晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，清洗时间为5~250 s；
所述碱性化学液中碱性物质的体积浓度为0.1~30%，温度为20~80℃；
所述碱性化学液选自氨水、氨水和双氧水的混合液中的任意一种。
13.根据权利要求10所述的晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中，所述第一化学腐蚀液为氢氟酸和硝酸，其中氢氟酸的浓度为1~15 mol/L，硝酸的浓度为0.05~0.5 mol/L。
14.根据权利要求10所述的晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)之后，还包括如下步骤：
(4) 将上述硅片放入第二化学腐蚀液中进行浸渍；所述第二化学腐蚀液为碱液；
所述碱液选自氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液、氨水或四甲基氢氧化铵的任意一种或多种；
(5) 然后将上述硅片放入清洗液中进行清洗；
所述清洗液为盐酸和双氧水的混合液、氨水和双氧水的混合液中的任意一种混合液；
(6) 然后将上述硅片放入氢氟酸溶液中浸渍。
15.根据权利要求14所述的晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)、(5)、(6)之前以及步骤(6)之后，还均设有水洗步骤。
16.根据权利要求1或10所述的方法制备得到的晶体硅太阳能电池绒面结构。
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BR112018072175-1A BR112018072175B1 (pt) 2016-06-27 2016-09-19 Método para preparar a estrutura texturizada da célula solar de silício cristalino
MX2018014328A MX2018014328A (es) 2016-06-27 2016-09-19 Metodo para preparar estructura texturizada de celda solar de silicio cristalino.
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EP16882797.0A EP3288089B1 (en) 2016-06-27 2016-09-19 Method for preparing textured structure of crystalline silicon solar cell
TW105138611A TWI625864B (zh) 2016-06-27 2016-11-24 一種晶體矽太陽能電池絨面結構的製備方法
JP2017122784A JP6648070B2 (ja) 2016-06-27 2017-06-23 結晶シリコン太陽電池のテクスチャー構造およびその調製方法
AU2017204336A AU2017204336A1 (en) 2016-06-27 2017-06-27 A method for producing a textured structure of a crystalline silicon solar cell
US15/634,302 US10411145B2 (en) 2016-06-27 2017-06-27 Method for producing a textured structure of a crystalline silicon solar cell
KR1020170081045A KR101962469B1 (ko) 2016-06-27 2017-06-27 결정질 실리콘 태양전지의 텍스쳐 구조의 제조방법
ZA2018/07439A ZA201807439B (en) 2016-06-27 2018-11-06 Method for preparing textured structure of crystalline silicon solar cell
AU2019201444A AU2019201444B2 (en) 2016-06-27 2019-03-01 A method for producing a textured structure of a crystalline silicon solar cell

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108130599A (zh) * 2017-10-19 2018-06-08 维科诚（苏州）光伏科技有限公司 一种金刚线切割多晶硅片的预制绒方法
CN108511321A (zh) * 2018-03-19 2018-09-07 徐州鑫宇光伏科技有限公司 印刷后黑硅硅片的返工清洗方法及返工方法
CN108807568A (zh) * 2018-06-14 2018-11-13 浙江晶科能源有限公司 一种湿法黑硅硅片的处理方法及湿法黑硅硅片的制备方法
CN109065667A (zh) * 2018-08-03 2018-12-21 通威太阳能（安徽）有限公司 一种无机碱刻蚀用于太阳能se双面perc电池的方法
CN109675858A (zh) * 2018-12-20 2019-04-26 天津中环领先材料技术有限公司 一种硅片减薄后的清洗工艺
CN109713078A (zh) * 2017-10-26 2019-05-03 上海神舟新能源发展有限公司 一种对微纳米结构清洗并修复损伤方法
CN112608799A (zh) * 2020-12-29 2021-04-06 广东省科学院化工研究所 一种单晶硅片清洗剂及其应用
CN113416974A (zh) * 2021-03-22 2021-09-21 辽宁石油化工大学 一种快速制备高效多孔银电催化剂的方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108411364A (zh) * 2018-04-03 2018-08-17 锦州华昌光伏科技有限公司 一种低反射率单晶硅的制绒工艺
CN109545660A (zh) * 2018-11-13 2019-03-29 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 太阳能电池所使用硅片的清洗方法
CN110158155A (zh) * 2019-06-03 2019-08-23 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种硅块的处理方法和处理装置
CN112838140B (zh) * 2019-11-22 2022-05-31 阜宁阿特斯阳光电力科技有限公司 多晶硅太阳能电池及制备方法以及制备其绒面结构的方法
CN111105995B (zh) * 2019-12-31 2022-12-13 北京北方华创真空技术有限公司 一种单晶硅片的清洗及制绒方法
US20210288207A1 (en) * 2020-03-16 2021-09-16 1366 Technologies Inc. High temperature acid etch for silicon
WO2022159478A1 (en) 2021-01-19 2022-07-28 GAF Energy LLC Watershedding features for roofing shingles
WO2022221309A1 (en) * 2021-04-14 2022-10-20 GAF Energy LLC Photovoltaic module with textured superstrate providing shingle-mimicking appearance
CN114864744B (zh) * 2022-05-05 2024-04-02 普乐新能源科技(泰兴)有限公司 一种纳米硅浆料的高效清洗方法及系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101976705A (zh) * 2010-07-28 2011-02-16 常州天合光能有限公司 晶体硅太阳能电池的单面酸制绒工艺
CN104562011A (zh) * 2013-10-09 2015-04-29 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 多晶硅片的制绒辅助剂及制绒工艺
US20150265509A1 (en) * 2012-09-28 2015-09-24 Stelo Technologies Methods of making silver nanoparticles and their applications
CN105070792A (zh) * 2015-08-31 2015-11-18 南京航空航天大学 一种基于溶液法的多晶太阳电池的制备方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007194485A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Osaka Univ 太陽電池用シリコン基板の製造方法
WO2009054076A1 (ja) * 2007-10-24 2009-04-30 Mitsubishi Electric Corporation 太陽電池の製造方法
DE102007058829A1 (de) * 2007-12-06 2009-06-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Textur- und Reinigungsmedium zur Oberflächenbehandlung von Wafern und dessen Verwendung
DE102008056086A1 (de) * 2008-11-06 2010-05-12 Gp Solar Gmbh Additiv für alkalische Ätzlösungen, insbesondere für Texturätzlösungen sowie Verfahren zu dessen Herstellung
CN101692357B (zh) * 2009-10-13 2011-12-28 华东师范大学 一种绒面掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备方法
KR20120117687A (ko) * 2011-04-14 2012-10-24 선프림, 리미티드 텍스쳐링된 실리콘 웨이퍼를 세정하는 방법
WO2012150627A1 (ja) * 2011-05-02 2012-11-08 三菱電機株式会社 シリコン基板の洗浄方法および太陽電池の製造方法
KR101513911B1 (ko) 2011-05-17 2015-04-21 가부시키가이샤 사무코 태양 전지용 웨이퍼의 제조방법, 태양 전지 셀의 제조방법, 및 태양 전지 모듈의 제조방법
US20130025663A1 (en) * 2011-07-27 2013-01-31 International Business Machines Corporation Inverted pyramid texture formation on single-crystalline silicon
JP5917082B2 (ja) * 2011-10-20 2016-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置の作製方法
TWI435465B (zh) * 2011-10-24 2014-04-21 Inventec Solar Energy Corp 具有背面電極之太陽能電池的製造方法
KR101212896B1 (ko) * 2011-11-25 2012-12-14 회명산업 주식회사 태양전지용 다결정실리콘 웨이퍼의 표면 처리용 텍스쳐링제 및 처리방법
JP2013225552A (ja) * 2012-04-20 2013-10-31 Sumco Corp 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法
WO2014120830A1 (en) * 2013-01-30 2014-08-07 Bandgap Engineering, Inc. Necklaces of silicon nanowires
TW201445758A (zh) * 2013-05-16 2014-12-01 Motech Ind Inc 太陽能電池、其製造方法及其模組
CN103337560B (zh) * 2013-07-08 2015-10-28 苏州大学 用于太阳能电池的三维硅纳米结构的制备方法
CN103451739B (zh) * 2013-09-04 2016-01-20 常州时创能源科技有限公司 单晶硅片制绒添加剂及其使用方法
CN103409808B (zh) * 2013-09-04 2015-10-21 常州时创能源科技有限公司 多晶硅片制绒添加剂及其使用方法
CN104409322B (zh) * 2014-11-05 2017-10-27 昆明理工大学 一种亚波长硅纳米线阵列的制备方法
CN104992991A (zh) * 2015-05-27 2015-10-21 上饶光电高科技有限公司 一种制备太阳能黑硅电池的方法
CN104966762B (zh) * 2015-07-09 2018-03-09 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法
CN108054224B (zh) * 2015-07-09 2020-03-03 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池的绒面结构及其制备方法
CN105070772B (zh) * 2015-09-01 2017-07-04 常州时创能源科技有限公司 在单晶硅表面制备均匀倒金字塔绒面的湿化学方法
CN105576081A (zh) * 2016-03-02 2016-05-11 江西展宇新能源股份有限公司 一种黑硅双面电池的制作方法
CN105870263B (zh) * 2016-06-27 2018-07-31 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101976705A (zh) * 2010-07-28 2011-02-16 常州天合光能有限公司 晶体硅太阳能电池的单面酸制绒工艺
US20150265509A1 (en) * 2012-09-28 2015-09-24 Stelo Technologies Methods of making silver nanoparticles and their applications
CN104562011A (zh) * 2013-10-09 2015-04-29 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 多晶硅片的制绒辅助剂及制绒工艺
CN105070792A (zh) * 2015-08-31 2015-11-18 南京航空航天大学 一种基于溶液法的多晶太阳电池的制备方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108130599A (zh) * 2017-10-19 2018-06-08 维科诚（苏州）光伏科技有限公司 一种金刚线切割多晶硅片的预制绒方法
CN109713078A (zh) * 2017-10-26 2019-05-03 上海神舟新能源发展有限公司 一种对微纳米结构清洗并修复损伤方法
CN108511321A (zh) * 2018-03-19 2018-09-07 徐州鑫宇光伏科技有限公司 印刷后黑硅硅片的返工清洗方法及返工方法
CN108807568A (zh) * 2018-06-14 2018-11-13 浙江晶科能源有限公司 一种湿法黑硅硅片的处理方法及湿法黑硅硅片的制备方法
CN109065667A (zh) * 2018-08-03 2018-12-21 通威太阳能（安徽）有限公司 一种无机碱刻蚀用于太阳能se双面perc电池的方法
CN109675858A (zh) * 2018-12-20 2019-04-26 天津中环领先材料技术有限公司 一种硅片减薄后的清洗工艺
CN112608799A (zh) * 2020-12-29 2021-04-06 广东省科学院化工研究所 一种单晶硅片清洗剂及其应用
CN112608799B (zh) * 2020-12-29 2022-05-24 广东省科学院化工研究所 一种单晶硅片清洗剂及其应用
CN113416974A (zh) * 2021-03-22 2021-09-21 辽宁石油化工大学 一种快速制备高效多孔银电催化剂的方法

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