CN109545660A - 太阳能电池所使用硅片的清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种太阳能电池所使用硅片的清洗方法，包括：将硅片置于第一臭氧溶液中进行预清洗；将所述硅片置于氢氧化钠溶液中，并使得所述硅片在所述氢氧化钠溶液中发生鼓泡循环反应，以去除所述硅片的至少部分单面损伤层；利用第二臭氧溶液清洗所述硅片表面；将所述硅片置于氟化氢与氯化氢的混酸溶液中进行清洗。本发明可有利于降低了成本，还可有效保障清洗效果与硅片质量。
Description
技术领域
本发明涉及光伏领域，尤其涉及太阳能电池所使用硅片的清洗方法。
背景技术
随着近几年光伏太阳能电池技术的快速更新替代，单晶硅电池工艺技术效率提升路线愈发成熟，促生了P型PERC、N型PERT\PERL\HIT等电池技术研发应用，这些高效电池市场占有率逐年递增，并进一步激发了行业对更高效率电池技术开发的热情。目前高效率电池技术的关键不仅仅在于所使用硅片追求更高的品质，其过程工艺洁净的控制、工艺参数和制备极限的挑战以及表面钝化处理也尤为重要。
目前行业内传统P型单晶硅太阳能电池表面处理主要是形成绒面结构，其处理目的是因为一般光线照射在电池片表面时超过30％的光子将会被损失掉，而将硅片表面进行制绒处理是减少光损失的常用方法之一。制绒后的硅片表面光线倾斜耦合进入硅片同时形成多次反射吸收，避免了电池电流的降低从而提高电池转换效率。其处理主要流程包括：含碱的双氧水中预清洗、碱制绒，以及含碱的双氧水后清洗等。
然而，若采用该流程，含碱双氧水溶液对去损伤层或制绒后的硅片表面清洗不仅容易增加硅片表面的粗糙度且其氧化性有限，还不利于有效去除金属离子及颗粒。另一方面，在硅片清洗处理过程中双氧水的消耗用量较大，导致生产成本明显增加。可见，双氧水溶液的使用会带来清洗效果不佳，以及成本过高等缺点。
发明内容
本发明提供一种太阳能电池所用硅片的清洗方法，以解决双氧水溶液的使用会带来清洗效果不佳，以及成本过高的问题。
根据本发明的第一方面，提供了一种太阳能电池所使用硅片的清洗方法，包括：
将硅片置于第一臭氧溶液中进行预清洗；
将所述硅片置于氢氧化钠溶液中，并使得所述硅片在所述氢氧化钠溶液中发生鼓泡循环反应，以去除所述硅片的至少部分单面损伤层；
利用第二臭氧溶液清洗所述硅片表面；
将所述硅片置于氟化氢与氯化氢的混酸溶液中进行清洗。
可选的，所述氢氧化钠溶液的质量浓度的取值范围为1.5％至25％，所述氢氧化钠溶液的温度的取值范围为78℃到84℃，所述鼓泡循环反应的时间的取值范围为3分钟至15分钟；所述至少部分单面损伤层的厚度的取值范围为3微米至12微米。
可选的，所述氢氧化钠溶液的质量浓度的取值范围为5％至25％，所述鼓泡循环反应的时间的取值范围为4分钟至8分钟。
可选的，所述氢氧化钠溶液的质量浓度的取值范围为1.5％至3％，所述鼓泡循环反应的时间的取值范围为6分钟至15分钟，所述至少部分单面损伤层的厚度的取值范围为2微米至5微米。
可选的，所述第一臭氧溶液的浓度的取值范围为10ppm至40ppm，所述硅片在所述第一臭氧溶液中清洗的时间的取值范围为1分钟至3分钟。
可选的，所述第一臭氧溶液的温度比房间温度RT小至少25℃。
可选的，所述第二臭氧溶液的浓度的取值范围为10ppm至40ppm，所述硅片在所述第二臭氧溶液中清洗的时间的取值范围为2分钟至6分钟。
可选的，所述第二臭氧溶液的温度比房间室温RT小至少45℃。
可选的，所述混酸溶液中氟化氢的质量浓度的取值范围为2％-5％，氯化氢的质量浓度的取值范围为4％—12％。
可选的，所述将硅片置于第一臭氧溶液中进行预清洗之后，还包括：利用去离子水清洗预清洗后的硅片；
所述将所述硅片置于氢氧化钠溶液中，并使得所述硅片在所述氢氧化钠溶液中发生鼓泡循环反应，以去除所述硅片的至少部分单面损伤层之后，还包括：利用去离子水清洗去除了所述至少部分单面损伤层之后的硅片；
所述将所述硅片置于氟化氢与氯化氢的混酸溶液中进行清洗之后，还包括：
利用去离子水清洗混酸溶液清洗后的硅片。
本发明提供的太阳能电池所用硅片的清洗方法，通过硅片在所述氢氧化钠溶液中发生鼓泡循环反应，可实现至少部分损伤层的去除，进而，机械损伤层去除完全，表面平整，粗糙度低，同时，经臭氧高效氧化及混酸氧化剥离后，本发明可充分去除杂质，获得高质量洁净硅片，可见，本发明在摒弃了双氧水的情况下，可保障硅片表面平整，以及杂质的充分去除，非但因不再使用过多双氧水而降低了成本，还有效保障了清洗效果与硅片质量。
同时，由于表面更平整、杂质去除更充分，硅片经过高方阻扩散后能够得到均匀的掺杂分布，并在镀膜处理后可得到质量较好的表面钝化膜。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一实施例中太阳能电池所用硅片的清洗方法的流程示意图；
图2是本发明另一实施例中太阳能电池所用硅片的清洗方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
下面以具体地实施例对本发明的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。
针对于现有的相关技术进行分析，可知：
随着P-PERC、P-TOPCon、N-TOPCon、IBC、HIT等电池技术的应用开发，对硅片表面处理的要求越来越高，传统的硅片清洗技术不能满足这些高效电池技术的工艺要求。如TOPCon电池会直接在硅片表面生长氧化层形成钝化遂穿层，HIT电池晶硅衬底的表面直接成为异质结界面的一部分等，所以硅片的洁净程度是决定电池性能的关键因素之一。洁净的硅片表面是指硅表面不存在杂质颗粒、金属、有机物和自然氧化膜及湿气分子，基本清洗流程都是如上先去有机物再溶解氧化层，然后去除颗粒和金属。一方面，若采用如上流程含碱双氧水溶液对去损伤层或制绒后的硅片表面清洗不仅容易增加硅片表面的粗糙度且其氧化性有限，结合混酸清洗不能有效去除金属离子及颗粒。另一方面，在硅片清洗处理过程中双氧水的消耗用量较大，导致生产成本明显增加。在目前的行业形势中降低生产成本更是紧迫的任务。
故而，本实施例针对于对此的认识，提供了太阳能电池所用硅片的清洗方法。
图1是本发明一实施例中太阳能电池所用硅片的清洗方法的流程示意图。
请参考图1，太阳能电池所用硅片的清洗方法，包括：
S11：将硅片置于第一臭氧溶液中进行预清洗。
第一臭氧溶液，也可理解为一种臭氧水，具有极强的氧化性。进而，通过预清洗可有利于去除油污，具体的，可有利于去除硅片表面有机物和颗粒。
其中一种实施方式中，所述第一臭氧溶液的浓度的取值范围为10ppm至40ppm，所述硅片在所述第一臭氧溶液中清洗的时间的取值范围为1分钟至3分钟。所述第一臭氧溶液清洗时的温度比房间温度RT小至少25℃，具体可以为RT-30℃。
其中：
RT可理解为Room temperatur；
ppm可理解为parts per millio，其是用溶质质量占全部溶液质量的百万分比来表示的浓度，也称百万分比浓度。
S12：将所述硅片置于氢氧化钠溶液中，并使得所述硅片在所述氢氧化钠溶液中发生鼓泡循环反应，以去除所述硅片的至少部分单面损伤层。
氢氧化钠溶液，可理解为NaOH溶液。
其中一种实施方式中，所述氢氧化钠溶液的质量浓度的取值范围为1.5％至25％，所述氢氧化钠溶液的温度的取值范围为78℃到84℃，所述鼓泡循环反应的时间的取值范围为3分钟至15分钟；所述至少部分单面损伤层的厚度的取值范围为3微米至12微米。
一种具体实施过程中，所述氢氧化钠溶液的质量浓度的取值范围为5％至25％，所述鼓泡循环反应的时间的取值范围为4分钟至8分钟。对应的，所述至少部分单面损伤层的厚度的取值范围为3微米至12微米。
进一步的一种举例中，可将预清洗后的硅片置于质量浓度为5％的氢氧化钠溶液中，其温度可以为80℃，持续鼓泡循环反应时间可以6分钟，对应的，单面损伤层可去除4微米，即所述至少部分单面损伤层的厚度为4微米。
进一步的另一种举例中，可将预清洗后的硅片置于质量浓度为15％的氢氧化钠溶液中，其温度可以为80℃，持续鼓泡循环反应时间可以4分钟，对应的，单面损伤层可去除6微米，即所述至少部分单面损伤层的厚度为6微米。
另一种具体实施过程中，所述氢氧化钠溶液的质量浓度的取值范围为1.5％至3％，其中还可混合单晶制绒添加剂，该添加剂的质量浓度的取值范围为有0.5％-1％。所述鼓泡循环反应的时间的取值范围为6分钟至15分钟，对应的，所述至少部分单面损伤层的厚度的取值范围为2微米至5微米。
进一步的一种举例中，可将预清洗后的硅片置于质量浓度为2.3％的氢氧化钠溶液中，其温度可以为82℃，持续鼓泡循环反应时间可以8分钟，对应的，单面损伤层可去除4微米，即所述至少部分单面损伤层的厚度为4微米。其可有利于形成表面金字塔结构。
本实施例中，硅片双面损伤层可去除厚度4-24微米，机械损伤层去除完全表面平整，粗糙度低。
S13：利用第二臭氧溶液清洗所述硅片表面。
第二臭氧溶液，也可以理解为一种臭氧水，具有极强的氧化性。第二臭氧溶液可以与第一臭氧溶液相同，也可以为不同的。
其中一种实施方式中，所述第二臭氧溶液的浓度的取值范围为10ppm至40ppm，所述硅片在所述第二臭氧溶液中清洗的时间的取值范围为2分钟至6分钟。所述第二臭氧溶液的温度比房间室温RT小至少45℃，具体可以为RT-50℃。
其中，第二臭氧溶液中还含有盐酸，其质量浓度的取值范围为1％至2％。
可见，第二臭氧溶液，可理解为一种臭氧强腐蚀溶液。
进一步的一种举例中，第二抽样溶液的浓度可以为15ppm，进而可在30℃的温度下持续清洗3分钟。
进一步的另一种举例中，第二抽样溶液的浓度可以为25ppm，进而可在30℃的温度下持续清洗3分钟。
S14：将所述硅片置于氟化氢与氯化氢的混酸溶液中进行清洗。
其中的氟化氢，可表征为HF，其中的氯化氢可表征为HCL，故而，混酸溶液可表征为HF与HCL的混酸溶液。
其中一种实施方式中，所述混酸溶液中氟化氢的质量浓度的取值范围为2％-5％，氯化氢的质量浓度的取值范围为4％—12％。
其中一种举例中，所述混酸溶液中氟化氢的质量浓度可以为2％，氯化氢的质量浓度可以为10％。步骤S14的清洗时间可以为1分钟。
另一种举例中，所述混酸溶液中氟化氢的质量浓度可以为2％，氯化氢的质量浓度可以为10％。步骤S14的清洗时间可以为2分钟。
本实施例中，经臭氧高效氧化及混酸氧化剥离后，可充分去除杂质，获得高质量洁净硅片经测试硅片表面的过渡金属离子(Cu、Ni….)<5×1010cm-2，Fe离子<2×1010cm-2，表面复合速率≤100cm/s。
本实施例所提供的太阳能电池所用硅片的清洗方法，通过硅片在所述氢氧化钠溶液中发生鼓泡循环反应，可实现至少部分损伤层的去除，进而，机械损伤层去除完全，表面平整，粗糙度低，同时，经臭氧高效氧化及混酸氧化剥离后，本实施例可充分去除杂质，获得高质量洁净硅片。可见，本实施例在摒弃了双氧水的情况下，可保障硅片表面平整，以及杂质的充分去除，非但因不再使用过多双氧水而降低了成本，还有效保障了清洗效果。
同时，由于表面更平整、杂质去除更充分，硅片经过高方阻扩散后能够得到均匀的掺杂分布，并在镀膜处理后可得到质量较好的表面钝化膜。
图2是本发明另一实施例中太阳能电池所用硅片的清洗方法的流程示意图。
请参考图2，太阳能电池所用硅片的清洗方法，包括：
S21：将硅片置于第一臭氧溶液中进行预清洗。
步骤S21与图1所示实施例的步骤S11相同，其技术方案、可选实施方式，以及技术效果，可参照步骤S11的相关描述理解。
S22：利用去离子水清洗预清洗后的硅片。
S23：将所述硅片置于氢氧化钠溶液中，并使得所述硅片在所述氢氧化钠溶液中发生鼓泡循环反应，以去除所述硅片的至少部分单面损伤层。
步骤S23与图1所示实施例的步骤S12相同，其技术方案、可选实施方式，以及技术效果，可参照步骤S12的相关描述理解。
S24：利用去离子水清洗去除了所述至少部分单面损伤层之后的硅片。
S25：利用第二臭氧溶液清洗所述硅片表面。
步骤S25与图1所示实施例的步骤S13相同，其技术方案、可选实施方式，以及技术效果，可参照步骤S13的相关描述理解。
S26：将所述硅片置于氟化氢与氯化氢的混酸溶液中进行清洗。
步骤S26与图1所示实施例的步骤S14相同，其技术方案、可选实施方式，以及技术效果，可参照步骤S14的相关描述理解。
S27：利用去离子水清洗混酸溶液清洗后的硅片。在清洗后，可吹干硅片，从而得到完成所有清洗的硅片。
本实施例所提供的太阳能电池所用硅片的清洗方法，通过硅片在所述氢氧化钠溶液中发生鼓泡循环反应，可实现至少部分损伤层的去除，进而，机械损伤层去除完全，表面平整，粗糙度低，同时，经臭氧高效氧化及混酸氧化剥离后，本实施例可充分去除杂质，获得高质量洁净硅片。可见，本实施例在摒弃了双氧水的情况下，可保障硅片表面平整，以及杂质的充分去除，非但因不再使用过多双氧水而降低了成本，还有效保障了清洗效果。
同时，由于表面更平整、杂质去除更充分，硅片经过高方阻扩散后能够得到均匀的掺杂分布，并在镀膜处理后可得到质量较好的表面钝化膜。
将本实施例所涉及的方法应用于具体实施时，对应可产生具有一定差异的效果，以下以三个举例进行阐述。
第一个举例
S301：取单晶金刚线切硅片，将其置于臭氧水中，其质量浓度为10ppm-40ppm，该臭氧水可相当于前述的第一臭氧溶液，臭氧水清洗温度为RT-30℃溶液中，清洗时间为1分钟-3分钟；预清洗完成后取出硅片用去离子水冲洗。该步骤S301可对应于步骤S11、S21与S22。
S302：将预清洗后的硅片置于质量浓度5％的NaOH氢氧化钠溶液中，温度80℃，持续鼓泡循环反应时间6分钟，单面损伤层可去除4um；完成后用去离子水冲洗硅片。该步骤S302可对应于步骤S12、S23与S24。
S303：对去损伤后硅片采用臭氧溶液高效氧化清洗硅片表面，其中臭氧溶液浓度15ppm，该臭氧溶液可相当于前述的第二抽样溶液，其温度可以为30℃，持续清洗为3分钟。该步骤S303可对应于步骤S13、S25。
S304：常温下将臭氧高效氧化后的硅片放入HF+Hcl混酸溶液，即氟化氢与氯化氢的混酸溶液中清洗硅片，清洗时间可以为1分钟，其中HF质量浓度为2％，Hcl质量浓度为10％。该步骤S304可对应于步骤S14、S26。
S305：用去离子水清洗并吹干。该步骤S305可对应于步骤S27。
对以上处理后硅片测试其损伤去除厚度双面8um，表面产生晶格且平整，测试硅片表面的过渡金属离子(Cu、Ni….)为5×1010cm-2，Fe离子2×1010cm-2，表面复合速率＜100cm/S，同时高温扩散后方阻达到130Ω/cm-2表面掺杂分布不均匀度≤15％。
第二个举例
S401：取单晶金刚线切硅片，将其置于臭氧水中，其质量浓度为10ppm-40ppm，该臭氧水可相当于前述的第一臭氧溶液，臭氧水清洗温度为RT-30℃溶液中，清洗时间为1分钟-3分钟；预清洗完成后取出硅片用去离子水冲洗。该步骤S401可对应于步骤S11、S21与S22。
S402：将预清洗后的硅片置于质量浓度15％的NaOH氢氧化钠溶液中，温度80℃，持续鼓泡循环反应时间4分钟，单面损伤层可去除6um；完成后用去离子水冲洗硅片。该步骤S402可对应于步骤S12、S23与S24。
S403：对去损伤后硅片采用臭氧溶液高效氧化清洗硅片表面，其中臭氧溶液浓度15ppm，该臭氧溶液可相当于前述的第二抽样溶液，其温度可以为30℃，持续清洗为3分钟。该步骤S403可对应于步骤S13、S25。
S404：常温下将臭氧高效氧化后的硅片放入HF+Hcl混酸溶液，即氟化氢与氯化氢的混酸溶液中清洗硅片，清洗时间可以为2分钟，其中HF质量浓度为2％，Hcl质量浓度为10％。该步骤S404可对应于步骤S14、S26。
S405：用去离子水清洗并吹干。该步骤S405可对应于步骤S27。
对以上处理后硅片测试其损伤去除厚度双面12um，表面光亮平整，测试硅片表面的过渡金属离子(Cu、Ni….)＜4.28×1010cm-2，Fe离子＜1.79×1010cm-2，表面复合速率＜100cm/S，同时高温扩散后方阻达到142Ω/cm-2表面掺杂分布不均匀度≤12％。
第三个举例
S501：取单晶金刚线切硅片，将其置于臭氧水中，其质量浓度为10ppm-40ppm，该臭氧水可相当于前述的第一臭氧溶液，臭氧水清洗温度为RT-30℃溶液中，清洗时间为1分钟-3分钟；预清洗完成后取出硅片用去离子水冲洗。该步骤S301可对应于步骤S11、S21与S22。
S502：将预清洗后的硅片置于质量浓度2.3％的NaOH氢氧化钠溶液中，温度82℃，持续鼓泡循环反应时间8分钟，单面损伤层可去除4um；完成后用去离子水冲洗硅片。该步骤S502可对应于步骤S12、S23与S24。
S503：对去损伤后硅片采用臭氧溶液高效氧化清洗硅片表面，其中臭氧溶液浓度25ppm，该臭氧溶液可相当于前述的第二抽样溶液，其温度可以为30℃，持续清洗为3分钟。该步骤S503可对应于步骤S13、S25。
S504：常温下将臭氧高效氧化后的硅片放入HF+Hcl混酸溶液，即氟化氢与氯化氢的混酸溶液中清洗硅片，清洗时间可以为2分钟，其中HF质量浓度为2％，Hcl质量浓度为10％。该步骤S504可对应于步骤S14、S26。
S505：用去离子水清洗并吹干。该步骤S505可对应于步骤S27。
对以上处理后硅片测试其损伤去除厚度双面8um，表面金字塔均匀度、一致性良好，测试硅片表面的过渡金属离子(Cu、Ni….)＜5×1010cm-2，Fe离子＜2×1010cm-2，表面复合速率＜100cm/S，同时高温硼扩散后方阻达到110Ω/cm-2表面掺杂分布不均匀度≤7.8％。
综上所述，本实施例提供的太阳能电池所用硅片的清洗方法，通过硅片在所述氢氧化钠溶液中发生鼓泡循环反应，可实现至少部分损伤层的去除，进而，机械损伤层去除完全，表面平整，粗糙度低，同时，经臭氧高效氧化及混酸氧化剥离后，本发明可充分去除杂质，获得高质量洁净硅片，可见，本实施在摒弃了双氧水的情况下，可保障硅片表面平整，以及杂质的充分去除，非但因不再使用过多双氧水而降低了成本，还有效保障了清洗效果。
同时，由于表面更平整、杂质去除更充分，硅片经过高方阻扩散后能够得到均匀的掺杂分布，并在镀膜处理后可得到质量较好的表面钝化膜。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种太阳能电池所使用硅片的清洗方法，其特征在于，包括：
将硅片置于第一臭氧溶液中进行预清洗；
将所述硅片置于氢氧化钠溶液中，并使得所述硅片在所述氢氧化钠溶液中发生鼓泡循环反应，以去除所述硅片的至少部分单面损伤层；
利用第二臭氧溶液清洗所述硅片表面；
将所述硅片置于氟化氢与氯化氢的混酸溶液中进行清洗。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氢氧化钠溶液的质量浓度的取值范围为1.5％至25％，所述氢氧化钠溶液的温度的取值范围为78℃到84℃，所述鼓泡循环反应的时间的取值范围为3分钟至15分钟；所述至少部分单面损伤层的厚度的取值范围为3微米至12微米。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氢氧化钠溶液的质量浓度的取值范围为5％至25％，所述鼓泡循环反应的时间的取值范围为4分钟至8分钟。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氢氧化钠溶液的质量浓度的取值范围为1.5％至3％，所述鼓泡循环反应的时间的取值范围为6分钟至15分钟，所述至少部分单面损伤层的厚度的取值范围为2微米至5微米。
5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述第一臭氧溶液的浓度的取值范围为10ppm至40ppm，所述硅片在所述第一臭氧溶液中清洗的时间的取值范围为1分钟至3分钟。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一臭氧溶液的温度比房间温度RT小至少25℃。
7.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述第二臭氧溶液的浓度的取值范围为10ppm至40ppm，所述硅片在所述第二臭氧溶液中清洗的时间的取值范围为2分钟至6分钟。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二臭氧溶液的温度比房间室温RT小至少45℃。
9.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述混酸溶液中氟化氢的质量浓度的取值范围为2％-5％，氯化氢的质量浓度的取值范围为4％—12％。
10.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述将硅片置于第一臭氧溶液中进行预清洗之后，还包括：利用去离子水清洗预清洗后的硅片；
所述将所述硅片置于氢氧化钠溶液中，并使得所述硅片在所述氢氧化钠溶液中发生鼓泡循环反应，以去除所述硅片的至少部分单面损伤层之后，还包括：利用去离子水清洗去除了所述至少部分单面损伤层之后的硅片；
所述将所述硅片置于氟化氢与氯化氢的混酸溶液中进行清洗之后，还包括：
利用去离子水清洗混酸溶液清洗后的硅片。
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