CN106449469B - 衬底处理装置以及半导体器件的制造方法 - Google Patents

衬底处理装置以及半导体器件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106449469B
CN106449469B CN201610602519.6A CN201610602519A CN106449469B CN 106449469 B CN106449469 B CN 106449469B CN 201610602519 A CN201610602519 A CN 201610602519A CN 106449469 B CN106449469 B CN 106449469B
Authority
CN
China
Prior art keywords
process chamber
gas
substrate
insulation
heater
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610602519.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106449469A (zh
Inventor
西堂周平
吉田秀成
山口天和
中田高行
谷山智志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
INTERNATIONAL ELECTRIC CO Ltd
Original Assignee
INTERNATIONAL ELECTRIC CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2016112738A external-priority patent/JP6605398B2/ja
Application filed by INTERNATIONAL ELECTRIC CO Ltd filed Critical INTERNATIONAL ELECTRIC CO Ltd
Priority to CN201910240450.0A priority Critical patent/CN110010526A/zh
Publication of CN106449469A publication Critical patent/CN106449469A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106449469B publication Critical patent/CN106449469B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45546—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus specially adapted for a substrate stack in the ALD reactor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Abstract

本发明提供一种能够缩短处理室内的升温时间的衬底处理装置以及半导体器件的制造方法。衬底处理装置具备：处理室，其对衬底进行处理；衬底保持件，其在处理室内保持衬底；处理气体供给部，其向处理室内供给处理气体；第1加热器，其设置于处理室外，对处理室内进行加热；隔热部，其设置于衬底保持件的下方；第2加热器，其设置于隔热部内，对处理室内进行加热；以及吹扫气体供给部，其向隔热部内供给吹扫气体，对隔热部内进行吹扫。

Description

衬底处理装置以及半导体器件的制造方法
技术领域
本发明涉及衬底处理装置以及半导体器件的制造方法。
背景技术
在半导体器件(设备)的制造工序中的衬底的热处理中，使用例如纵型衬底处理装置。在纵型衬底处理装置中，将规定张数的衬底沿垂直方向排列并保持于衬底保持件，将衬底保持件搬入至处理室内。之后，在通过设置于处理室外的加热器对衬底进行了加热的状态下向处理室内导入处理气体，对衬底进行薄膜形成处理等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003－218040号公报
发明内容
在以往的纵型衬底处理装置中，具有在处理室内的下方热量容易散逸的情况。因此，尤其是在将位于处理室下方的衬底升温至处理温度时，具有需要延长升温时间的情况。
本发明的目的在于，提供一种能够缩短处理室内的升温时间的技术。
根据本发明的一个方式，提供一种技术，具备：
处理室，其对衬底进行处理；
衬底保持件，其在所述处理室内保持所述衬底；
处理气体供给部，其向所述处理室内供给处理气体；
第1加热器，其设置于所述处理室外，对所述处理室内进行加热；
隔热部，其设置于所述衬底保持件的下方；
第2加热器，其设置于所述隔热部内，对所述处理室内进行加热；以及
吹扫气体供给部，其向所述隔热部内供给吹扫气体，对所述隔热部内进行吹扫。
发明效果
根据本发明，能够缩短处理室内的升温时间。
附图说明
图1是以纵剖视图表示适合在本发明的实施方式中使用的衬底处理装置的处理炉部分的图。
图2是表示适合在本发明的实施方式中使用的衬底处理装置的隔热部的纵剖视图。
图3是表示适合在本发明的实施方式中使用的衬底处理装置的承托部的俯视图。
图4是表示适合在本发明的实施方式中使用的衬底处理装置的控制器的控制系统的框图。
图5是表示使吹扫气体供给位置变化的情况下的圆筒部内的处理气体的摩尔分率的图。
图6是表示使吹扫气体供给位置变化的情况下的处理室内的处理气体的摩尔分率的图。
图7是表示通过本发明的实施方式对处理室内进行加热的情况下的底部区域的温度分布的图。
图8是表示通过以往例对处理室内进行加热的情况下的底部区域的温度分布的图。
图9是表示通过本发明的实施方式和以往例对处理室内进行加热的情况下的晶片温度和面内温度差的图。
图10是以纵剖视图表示适合在本发明的第2实施方式中使用的衬底处理装置的处理炉部分的图。
图11是以立体图表示适合在本发明的第2实施方式中使用的衬底处理装置的排气口的图。
图12是表示本发明的第2实施方式和比较例中的处理气体的摩尔分率的说明图。
图13是以纵剖视图表示适合在本发明的第3实施方式中使用的衬底处理装置的处理炉部分的图。
图14是以纵剖视图表示适合在本发明的第3实施方式中使用的衬底处理装置的隔热部的图。
图15是以纵剖视图表示适合在本发明的第4实施方式中使用的衬底处理装置的处理炉部分的图。
图16是以立体图表示适合在本发明的第4实施方式中使用的衬底处理装置的隔热部的图。
附图标记说明
W 晶片
34 加热器
40 舟皿
62 旋转机构
64 副加热器
68 隔热部
具体实施方式
以下，使用图1～图3来说明本发明的一个实施方式。
如图1所示，在本实施方式中，衬底处理装置构成为用于实施IC的制造方法中的热处理工序的纵型热处理装置(衬底处理装置)4。处理炉8具有作为加热设备(加热机构)的加热器单元(以下称为加热器)即加热器34。加热器34是圆筒形状的，通过支承于作为保持板的加热器基座(未图示)而垂直地放置。加热器34如后所述也作为通过热量使气体活性化(激发)的活性化机构(激发部)发挥功能。
在加热器34的内侧配置有构成反应容器(处理容器)的反应管36。反应管36例如由石英(SiO2)或碳化硅(SiC)等耐热材料构成，形成为上端封闭且下端开口的圆筒形状。在反应管36的外侧，气体供给空间36A和气体排气空间36B以相面对的方式向外侧突出地形成。另外，在反应管36的下端形成有向外侧突出的凸缘部36C。反应管36通过设置于其下方的圆筒形状且金属制的歧管(manifold)35而被支承。在反应管36的筒中空部形成有处理室38。处理室38构成为能够通过后述的舟皿40收纳作为衬底的晶片W。处理室38与气体供给空间36A及气体排气空间36B通过内壁划分。歧管35的直径形成得比反应管36的内壁的直径(凸缘部36C的直径)大。由此，能够在反应管36的下端(凸缘部36C)与后述的密封盖60之间形成后述的圆环状的空间。
在气体供给空间36A内设有喷嘴42。在喷嘴42上连接有气体供给管44a。在气体供给管44a上从上游方向起依次设有作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)46a以及作为开闭阀的阀48a。在气体供给管44a的与阀48a相比的下游侧连接有供给非活性气体的气体供给管44b。在气体供给管44b上从上游方向起依次设有MFC46b以及阀48b。主要由气体供给管44a、MFC46a、阀48a构成作为处理气体供给系统的处理气体供给部。
喷嘴42在气体供给空间36A内以从反应管36的下部沿着上部朝向晶片W的排列方向上方立起的方式设置。在喷嘴42的侧面设有供给气体的气体供给孔42A。气体供给孔42A以朝向反应管36的中心的方式开口，能够朝向晶片W供给气体。在气体供给空间36A与处理室38之间的内壁上，以与气体供给孔42A及晶片W对应的方式沿垂直方向设有多层横长的供给狭缝37A。
在气体排气空间36B与处理室38之间的内壁上，以与供给狭缝37A对应的方式沿垂直方向设有多层作为第1排气部(第1排气口)的横长的排气狭缝37B。在反应管36的下端设有与气体排气空间36B连通的排气端口36D。在排气端口36D上连接有对处理室38内的环境气体进行排气的排气管50。在排气管50上，经由对处理室38内的压力进行检测的作为压力检测器(压力检测部)的压力传感器52以及作为压力调节器(压力调节部)的APC(AutoPressure Controller)阀54而连接有作为真空排气装置的真空泵56。APC阀54在使真空泵56工作的状态下使阀开闭，由此能够进行处理室38内的真空排气及真空排气停止。另外，构成为通过在使真空泵56工作的状态下基于由压力传感器52检测到的压力信息来调节阀开度，而能够调节处理室38内的压力。主要由排气管50、APC阀54、压力传感器52构成排气系统。也可以考虑将真空泵56包含在排气系统中。
在歧管35的下方设有能够将歧管35的下端开口气密地封闭的作为炉口盖体的密封盖60。密封盖60例如由SUS或不锈钢等金属构成，形成为圆盘状。在密封盖60的上表面设有与歧管35的下端抵接的作为密封部件的O型环60A。另外，在比O型环60A靠内侧的密封盖60的上表面上设置有保护密封盖60的密封盖板60B。密封盖板60B例如由石英或SiC等耐热材料构成，形成为圆盘状。
密封盖60构成为通过垂直设置在反应管36外部的作为升降机构(搬送机构)的舟皿升降机32而沿垂直方向升降。即，舟皿升降机32构成为通过使密封盖60升降而将舟皿40及晶片W向处理室38内搬入或搬出到处理室38外。
作为衬底保持件的舟皿40构成为将多张、例如25～200张晶片W以水平姿势且以使中心相互对齐的状态沿垂直方向排列而支承为多层，即构成为隔开间隔地排列。舟皿40例如由石英或SiC等耐热材料构成。
在舟皿40的下部配设有后述的隔热部68。隔热部68构成为能够通过吹扫气体对其内部进行吹扫。
在反应管36的外壁上设置有温度检测部58。通过基于由温度检测部58检测到的温度信息调整向加热器34通电的状况，来使处理室38内的温度成为所期望的温度分布。
在密封盖60的与处理室38相反一侧设置有使舟皿40旋转的旋转机构62。如图2所示，旋转机构62具备上端开口且下端封闭的形成为大致圆筒形状的壳体62A，壳体62A配置于密封盖60的下表面。在壳体62A的内部配置有细长的圆筒形状的内轴62B。在壳体62A的内部配置有与内轴62B的外径相比为大径的形成为圆筒形状的外轴62C。外轴62C通过夹设在该外轴62C与内轴62B之间的上下一对的内侧轴承62D、62E、和夹设在该外轴62C与壳体62A之间的上下一对的外侧轴承62F、62G以旋转自如的方式被支承。
在内侧轴承62D及外侧轴承62F上分别设置有磁性流体密封件62H、62I。在壳体62A的封闭壁下表面上固定有将外轴62C的下端部密封的盖62J。在外轴62C的外周中的外侧轴承62F与外侧轴承62G之间固定有涡轮62K。在涡轮62K上啮合有通过电动马达62L而被旋转驱动的蜗杆62M。
在内轴62B的内侧垂直地穿插有在处理室38内从下方对晶片W进行加热的作为第2加热设备(加热机构)的加热器单元即副加热器64。副加热器64具备垂直地延伸的支柱部64A、和相对于支柱部64A水平地连接的发热部64B。支柱部64A在内轴62B的上端位置通过由耐热树脂形成的支承部62N而被支承。另外，支柱部64A的下端部在比壳体62A的封闭壁下表面靠下方的位置经由O型环并通过作为真空用接头的支承部62P而被支承。
发热部64B形成为比晶片W的外径小径的大致环状，以与晶片W平行的方式由支柱部64A连接支承。在发热部64B的内部封入有构成线圈状的电阻发热体即发热体64C的加热器线材。发热体64C例如由Fe－Cr－Al合金、二硅化钼等形成。
在外轴62C的上表面固定有在下端具有凸缘的圆筒形状的旋转轴66。在旋转轴66上，在其中心形成有使副加热器64贯穿的贯穿孔。圆盘形状的承托部70在中心形成有使副加热器64贯穿的贯穿孔，该圆盘形状的承托部70与密封盖板60B隔开规定间隔h1地固定于旋转轴66的上端部。h1优选设定为2～10mm。若h1小于2mm，则具有在舟皿旋转时部件彼此接触、或因流导(conductance)降低而导致后述的圆筒部74内的气体排气速度降低的情况。若h1大于10mm，则具有处理气体大量侵入至圆筒部74内的情况。
承托部70例如由不锈钢等金属形成。在承托部70的上表面载置有保持隔热体76的作为隔热体保持件的保持部72、和圆筒部74。由承托部70、保持部72、圆筒部74及隔热体76构成隔热部68。圆筒部74以在内部收纳副加热器64的方式形成为上端封闭的圆筒形状。如图3所示，在俯视下，在保持部72与圆筒部74之间的区域形成有对圆筒部74内进行排气的孔径h2的排气孔70A。排气孔70A例如沿着承托部70的同心圆上等间隔地形成有多个。h2优选设定为10～40mm。若h2小于10mm，则具有因流导降低而导致圆筒部74内的气体排气速度降低的情况。若h2大于40mm，则具有承托部70的耐载荷强度降低、发生破损的情况。
如图2所示，保持部72构成为在中心具有使副加热器64贯穿的贯穿孔的圆筒形状。保持部72的下端具有外径比承托部70小的向外的凸缘形状。保持部72的上端形成为比上下端之间的柱部分的直径大的直径，构成吹扫气体的供给口72B。贯穿孔的直径构成为比副加热器64的支柱部64A的外壁的直径大，通过这样的结构，能够在保持部72与支柱64A之间形成用于向隔热部68内供给吹扫气体的作为吹扫气体供给路的圆环状的空间即第1流路。
保持部72例如由石英或SiC等耐热材料形成。保持部72形成为使下端的凸缘与柱的连接面成为曲面。通过这样的结构，能够抑制应力集中于连接面，能够提高保持部72的强度。另外，通过使连接面为圆滑的形状，不会妨碍吹扫气体的流动，能够抑制在圆筒部74内发生吹扫气体的沉积。
在俯视下，在保持部72的内壁与支柱部64A的外壁之间形成有圆环状的空间。如图1所示，对圆环状的空间连接有气体供给管44c。在气体供给管44c上从上游方向起依次设有MFC46c及阀48c。如图2所示，圆环状的空间的上端构成为供给口72B，从供给口72B朝向圆筒部74的内侧上方供给吹扫气体。通过使供给口72B为圆环状的开口，能够在圆筒部74的上端及圆环状的平面径向的整周方向上均匀地供给吹扫气体。另外，通过使供给口72B的直径比柱部分的直径大，能够朝向圆筒部74内的径向及圆筒部74内的上方空间大范围地供给吹扫气体。这样，通过利用吹扫气体积极的对圆筒部74内的、尤其是设置有发热部64B的上端部(顶部)附近进行吹扫，能够抑制发热部64B暴露于处理气体。从供给孔72B供给的吹扫气体经由保持部72与圆筒部74的内壁之间的空间即第2流路而向圆筒部72B外排气。
在保持部72的柱上作为隔热体76而设置有反射板76A和隔热板76B。反射板76A例如通过焊接而固定地保持于保持部72的上部。隔热板76B例如通过焊接而固定地保持于保持部72的中间部。在隔热板76B上下的保持部72上形成有保持架72A，能够追加保持隔热板76B。保持架72A构成为从保持部72的柱的外壁朝向外侧水平地延伸。通过这样的结构，能够将隔热板76B以水平且中心相互对齐的状态排列而保持为多层。在反射板76A与隔热板76B之间形成有规定的间隔h3。h3优选设定为100～300mm。
在将隔热板76B以靠上安装的方式设置于保持架72A的情况下、即在被固定的隔热板76B上方的保持架72A上载置隔热板76B而减小h3的情况下，能够延长处理室38的热平坦区长度。相反地，在将隔热板76以靠下安装的方式设置于保持架72A的情况下、即在固定的隔热板76B下方的保持架72A上载置隔热板76B而增大h3的情况下，能够降低炉口部的温度。关于是将隔热板靠上安装还是靠下安装，考虑温度恢复时间、热平坦区长度、隔热性能等综合地决定。
反射板76A具有直径比晶片W的直径小的圆板形状，例如由不透明石英形成，以规定间隔h4保持于上方的保持架72A。h4优选设定为2～10mm。若h4小于2mm，则具有气体滞留在反射板76A之间的情况。另外，若h4大于10mm，则具有热反射性能降低的情况。
隔热板76B具有外径比晶片W的外径小的圆板形状，由比热容小的材料形成，例如由石英、硅(Si)、SiC等形成。在此，4张隔热板76B以规定间隔h5保持于下方的保持架72A。h5优选设定为2mm以上。若h5小于2mm，则具有气体滞留在隔热板76B之间的情况。
反射板76A和隔热板76B的保持张数不限于上述张数，至少是隔热板76B的保持张数为反射板76A的保持张数以上即可。通过像这样在上方设置反射板76A且在下方设置隔热板76B，由反射板76A反射来自副加热器64的辐射热量，另外，由隔热板76B在远离晶片W的部位对来自加热器34及副加热器64的辐射热量进行隔热，由此能够改善晶片W的温度响应性，能够缩短升温时间。
关于反应管36的内壁与圆筒部74的外壁的间隔h6，为了抑制工艺气体(processgas)向石英筒内的侵入、减少工艺气体向处理室38的流出，期望将该间隔h6设定得窄，例如优选设定为7.5mm～15mm。若h6小于7.5mm，则具有在舟皿旋转时反应管36与圆筒部74接触、发生破损的情况。若h6大于15mm，则具有处理气体容易向舟皿下部流动从而对成膜带来不良影响的情况。
在圆筒部74的上表面设置舟皿40。在圆筒部74的上表面的外周，在整周范围内形成有槽，在该槽中载置舟皿40的环状的底板。通过形成为这样的结构，无需使副加热器64旋转，就能够使圆筒部74及舟皿40旋转。
圆筒部74上表面的槽的深度形成为与舟皿40的底板的高度大致相同，在载置有舟皿40时，舟皿40的底板与圆筒部74的上表面的高度是平坦的。通过这样的结构，能够使处理气体的流动良好，能够提高底部区域处的成膜均匀性。
圆筒部74的上端形成为凸状。圆筒部74的上端的内周(内壁)侧由与侧面的内周面相比向内侧突出的水平面S1、与水平面S1连续地设置的倾斜面S2、从倾斜面S2沿铅直方向连续地设置的垂直面S3、和从垂直面S3连续地设置的水平面S4形成。即，凸状的水平面S1与垂直面S3的连接部分(角部)成为锥状，形成为随着靠近圆筒部上部而俯视下的截面面积逐渐减小。另外，垂直面S3与水平面S4的连接部分形成为曲面。通过形成这样的结构，能够改善圆筒部74内的气体的流动，抑制气体在凸状部分的滞留。另外，从供给口72B供给的吹扫气体与圆筒部74上表面的内壁碰触而沿圆周方向流动，之后沿着圆筒部74内的侧壁从上方向下方流动，因此容易在筒部74内形成吹扫气体的向下气流(down flow)。即，能够在第2流路中形成向下气流。另外，通过水平面S1，能够使舟皿载置部分的下侧的厚度比圆筒部74的圆柱部分的厚度厚，因此能够增加圆筒部74的强度。
发热部64B设置于保持部72的上端与圆筒部74上表面的内壁之间的区域，优选以使发热部64B的至少一部分纳入到倾斜面S2的高度位置中的方式设置。即，以在高度方向上，发热部64B纳入到水平面S1和倾斜面S2的接点、与倾斜面S2和垂直面S3的接点之间的区域的方式设置。
在上述记载中，为了方便而在隔热部68中包含圆筒部74，但主要进行隔热的是副加热器64以下的区域、即隔热体76的区域，因此也能够将隔热体76称为隔热部。在该情况下，可以说副加热器64设置于舟皿40与隔热部之间。
如图4所示，MFC46a～46c、阀48a～48c、压力传感器52、APC阀54、真空泵56、加热器34、副加热器64、温度检测部58、旋转机构62、舟皿升降机32等各结构与作为控制部(控制机构)的控制器200连接。控制器200构成为具备CPU(Central Processing Unit)212、RAM(Random Access Memory)214、存储装置216、I/O端口218的计算机。RAM214、存储装置216、I/O端口218构成为能够经由内部总线220与CPU212进行数据交换。I/O端口218与上述的各结构连接。在控制器200上连接有例如构成为触摸面板等的输入输出装置222。
存储装置216例如由闪存、HDD(Hard Disk Drive)等构成。在存储装置216内以能够读取的方式储存有控制衬底处理装置4的动作的控制程序、用于根据处理条件使衬底处理装置4的各结构执行处理的程序(工艺控制方案(process recipe)或清洁方案等方案)。将工艺控制方案和控制程序等简单地总称为程序。RAM214构成为暂时保持由CPU212读取的程序、数据等的存储区域(工作区)。
CPU212构成为，从存储装置216读取并执行控制程序，并根据来自输入输出装置222的操作指令的输入等从存储装置216读取方案，以按照方案的方式控制各结构。
控制器200能够通过将存储于外部存储装置(例如磁带、软盘或硬盘等磁盘、CD或DVD等光盘、MO等光磁盘、USB存储器或存储卡等半导体存储器)224中的上述的程序安装于计算机而构成。存储装置216和外部存储装置224构成为能够由计算机读取的记录介质。以下，还将它们简单地总称为记录介质。此外，程序向计算机的提供也可以不使用外部存储装置224而是使用因特网或专用线路等通信设备进行。
接下来，说明使用上述的处理装置4，作为半导体器件(设备)的制造工序的一个工序而在衬底上形成膜的处理(以下也称为成膜处理)的顺序例。
以下，说明使用六氯乙硅烷(HCDS)气体作为第1处理气体(原料气体)、使用氨气(NH3)作为第2处理气体(反应气体)来在晶片W上形成氮化硅(SiN)膜的例子。此外，在以下的说明中，衬底处理装置4的各结构的动作由控制器200控制。
在本实施方式中的成膜处理中，通过将对处理室38内的晶片W供给HCDS气体的工序、从处理室38内除去HCDS气体(残留气体)的工序、对处理室38内的晶片W供给NH3气体的工序、和从处理室38内除去NH3气体(残留气体)工序重复规定次数(1次以上)，来在晶片W上形成SiN膜。
在本说明书中，为了方便也将该成膜顺序如以下那样示出。此外，在以下的变形例和其他实施方式的说明中也使用同样的标记。
(晶片装料及舟皿装载)
当将多张晶片W装填于舟皿40(晶片装料)后，舟皿40通过舟皿升降机32而被搬入至处理室38内(舟皿装载)。此时，成为密封盖60经由O型环60A将歧管35的下端气密地封闭(密封)的状态。从晶片装料前的待机状态打开阀48c，开始吹扫气体向圆筒部74内的供给。
(压力调节及温度调节)
以使处理室38内、即晶片W所存在的空间成为规定压力(真空度)的方式，通过真空泵56进行真空排气(减压排气)。此时，处理室38内的压力由压力传感器52测定，基于该测定的压力信息对APC阀54进行反馈控制。真空泵56至少在直到对晶片W进行的处理结束为止的期间始终维持工作的状态。另外，吹扫气体向圆筒部74内的供给至少在直到对晶片W进行的处理结束为止的期间持续进行。
另外，以使处理室38内的晶片W成为规定温度的方式，通过加热器34及副加热器64对处理室38内进行加热。此时，以使处理室38成为规定的温度分布的方式，基于由温度检测部58检测到的温度信息对向加热器34及副加热器64通电的情况进行反馈控制。基于加热器34及副加热器64进行的处理室38内的加热至少在直到对晶片W进行的处理结束为止的期间持续进行。此外，此时，也可以根据需要停止基于副加热器64进行的加热。
另外，开始基于旋转机构62进行的舟皿40及晶片W的旋转。通过旋转机构62经由旋转轴66、承托部70、圆筒部74使舟皿40旋转，由此不使副加热器64旋转地使晶片W旋转。基于旋转机构62进行的舟皿40及晶片W的旋转至少在直到对晶片W进行的处理结束为止的期间持续进行。
(成膜处理)
当处理室38内的温度稳定为预先设定的处理温度时，依次执行步骤1～2。
[步骤1]
在步骤1中，对处理室38内的晶片W供给HCDS气体。
在打开阀48a的同时打开阀48b，使HCDS气体流向气体供给管44a内并使N2气体流向气体供给管44b内。HCDS气体及N2气体分别通过MFC46a、46b而被调节流量，并经由喷嘴42向处理室38内供给，从排气管50排气。通过对晶片W供给HCDS气体，在晶片W的最外表面上作为第1层而形成例如不足1原子层至数原子层的厚度的含硅(Si)含层。
在形成了第1层后，关闭阀48a，停止HCDS气体的供给。此时，APC阀54保持打开状态，通过真空泵56对处理室38内进行真空排气，将残留在处理室38内的未反应或已经参与了第1层的形成后的HCDS气体从处理室38内排出。此时，将阀48b保持打开状态，维持N2气体向处理室38内的供给。N2气体作为吹扫气体发挥作用，由此能够提高将残留在处理室38内的气体从处理室38内排出的效果。
[步骤2]
在步骤2中，对处理室38内的晶片W供给NH3气体。
在该步骤中，以与步骤1中的阀48a、48b的开闭控制相同的顺序进行阀48a、48b的开闭控制。NH3气体及N2气体分别通过MFC46a、46b而被调节流量，经由喷嘴42向处理室38内供给，从排气管50排气。对晶片W供给的NH3气体与在步骤1中形成在晶片W上的第1层、即含Si层的至少一部分发生反应。由此，第1层被氮化，变化(改性)为包含Si及N的第2层、即氮化硅层(SiN层)。
在形成了第2层后，关闭阀48a，停止NH3气体的供给。然后，通过与步骤1相同的处理顺序，将残留在处理室38内的未反应或参与了第2层的形成后的NH3气体、反应副产物从处理室38内排出。
(实施规定次数)
将非同时地即非同步地进行上述两个步骤的循环进行规定次数(n次)，由此能够在晶片W上形成规定组成及规定膜厚的SiN膜。此外，优选上述循环重复多次。
作为上述顺序的处理条件，例如例示
处理温度(晶片温度)：250～700℃、
处理压力(处理室内压力)：1～4000Pa、
HCDS气体供给流量：1～2000sccm、
NH3气体供给流量：100～10000sccm、
N2气体供给流量：100～10000sccm。
通过将各处理条件设定为处于各自范围内的某个值，能够恰当地使成膜处理进行。
(吹扫及大气压恢复)
在成膜处理完成后，打开阀48b，从气体供给管44b向处理室38内供给N2气体，从排气管50排气。N2气体作为吹扫气体发挥作用。由此，对处理室38内进行吹扫，将残留在处理室38内的气体、反应副产物从处理室38内除去(吹扫)。之后，将处理室38内的环境气体置换为非活性气体(非活性气体置换)，使处理室38内的压力恢复至常压(大气压恢复)。
(舟皿卸载及晶片卸料)
通过舟皿升降机32使密封盖60下降，使歧管35的下端开口。然后，将处理完毕的晶片W以支承于舟皿40的状态从歧管35的下端搬出至反应管36的外部(舟皿卸载)。将处理完毕的晶片W从舟皿40取出(晶片卸料)。
接下来，说明本发明的结构与以往的结构。
在以往的结构中，副加热器64暴露于处理气体，因此具有在副加热器64的表面形成薄膜从而对加热性能产生不良影响的情况。另外，由于隔热体76暴露于处理气体，因此具有在隔热体76的表面也形成薄膜的情况。另外，具有由于在副加热器64或隔热体76的表面形成的薄膜剥离而在处理室38内产生微粒(particle)的情况。
本申请发明人进行了深入研究，结果发现了以下见解：通过将副加热器64、隔热体76从处理室38的环境气体隔离并对隔离空间内进行吹扫，能够抑制副加热器64、隔热体76暴露于处理气体。即，发现通过将副加热器64、隔热体76设置于圆筒部74内并对圆筒部74内进行吹扫，能够抑制在副加热器64、隔热体76的表面形成薄膜。
使用图5说明吹扫气体向圆筒部74内的供给。在此，对不向圆筒部74内供给吹扫气体的情况、从圆筒部74内的下部供给吹扫气体的情况以及从圆筒部74内的上部供给吹扫气体的情况下的处理气体向圆筒部74内的扩散量进行比较。当将处理室38内的处理气体的摩尔分率设为1时，在不向圆筒部74内供给吹扫气体的情况下，副加热器64附近的处理气体的摩尔分率为1。与此相对，在从下部供给吹扫气体的情况下，副加热器64附近的处理气体的摩尔分率大约为0.14。另外，在从上部供给吹扫气体的情况下，副加热器64附近的处理气体的摩尔分率大约为0.03。
在不向圆筒部74内供给吹扫气体的情况下，处理气体会从排气孔70A进入至圆筒部74内，成为与处理室38相同的气体环境。与此相对，在向圆筒部74内供给吹扫气体的情况下，能够抑制处理气体从排气孔70A的流入。
如图6所示，与从圆筒部74内的下部进行吹扫的情况相比，从圆筒部74内的上部进行吹扫的情况下，设置有发热部64B的圆筒部74内上方的摩尔分率更小。考虑到在从圆筒部74内的下部供给吹扫气体的情况下，由于在吹扫气体供给口的上方设置有隔热体76，因此会阻碍吹扫气体向上方的流动，吹扫气体容易在隔热体76的下方滞留，从而难以对圆筒部74内上方进行吹扫。因此，处理气体容易通过浓度扩散而蔓延至圆筒部74内上方。另外，考虑到从排气孔70A微量进入的处理气体的温度比供给至圆筒部74内的吹扫气体的温度略高，因此产生上升气流，容易向圆筒部74内上方流动。另外，由于在圆筒部74内上方设置有副加热器64，因此温度比隔热体76区域高。因此，考虑到对于与圆筒部74内上方的环境气体相比较温度低的吹扫气体，与向上方的流动相比，向排气孔70A的流动成为主流。
相对于此，在从圆筒部74内的上部供给吹扫气体的情况下，由于吹扫气体的供给口位于副加热器附近，因此能够将吹扫气体浓度保持得高(将处理气体浓度保持得低)。另外，考虑到通过从圆筒部74内的上部供给吹扫气体，能够在圆筒部74内形成从上部的供给口72B朝向下部的排气孔70A的吹扫气体的气流(向下气流)，能够更有效地抑制处理气体向上部的扩散。另外，考虑到在从圆筒部74内的上部供给吹扫气体的情况下，供给至圆筒部74内的吹扫气体的温度比从排气孔70A微量地进入的处理气体的温度更高。因此，容易由吹扫气体气氛充满圆筒部74内的上方。
接下来，本发明的结构中的温度分析结果如图7所示。在此，例如将工艺温度设定为600℃，将副加热器64的设定温度设定为680℃。舟皿40最下部的晶片温度保持为600℃，并且圆筒部74的温度也为600℃。由此，可知无需在舟皿40下部设置虚设晶片就能够执行成膜处理。另外，在处理室38内不存在成为处理气体过剩地反应那样的高温、即比工艺温度高温的部分。因此，通过在圆筒部74内设置副加热器64，即使在工艺处理时，也能够始终对副加热器64通电。由此，能够提高生产率。作为以往例而将不使用副加热器64的情况下的温度分析结果示于图8。可知在舟皿40最下部成为工艺温度以下，因此不得不设置虚设晶片。
另外，本发明的结构和以往的结构的升温时的实测数据如图9所示。本发明的结构与以往的结构相比，衬底面内温度差(△T)及衬底温度(T)更快地收束于目标值。在此，目标值为△T＝2℃、T＝630±2℃。这样，通过使用副加热器64能够实现高速升温，能够提高生产率。另外，通过利用吹扫气体至少对副加热器64周边进行吹扫来抑制副加热器64与处理气体的接触，从而在工艺中的任一步骤中均能够任意地使用副加热器64。
在本实施方式中，能够得到以下所示的一个或多个效果。
(a)通过将副加热器64设置于圆筒部74内并对圆筒部74内进行吹扫，能够抑制在副加热器64表面形成薄膜。由此，即使在工艺处理时，也能够始终对副加热器64通电，在底部区域能够确保衬底的面内温度均匀性，因此能够提高成膜的面内均匀性。另外，在舟皿40下部能够除去虚设晶片，从而能够提高生产率。
(b)通过从圆筒部74内的上部(副加热器64附近)供给吹扫气体，能够使副加热器64的周围成为吹扫气体的气氛，能够防止处理气体与副加热器64接触。由此，能够防止在副加热器64的表面形成薄膜，能够抑制微粒的产生和副加热器64的加热性能的降低。
(c)通过将副加热器64设置于舟皿40下方，能够缩短底部晶片的低温部的升温所需的时间，能够缩短恢复时间。
接下来，说明第2实施方式。与第1实施方式的不同点在于，形成第2排气部，将对圆筒部74内的吹扫气体进行排气的排气通路配置为与成膜区域的排气通路独立。在图10中，对与图1中说明的要素实质相同的要素标注相同的附图标记并省略其说明。
如图10所示，在反应管36下方(包含隔热部68的区域、隔热区域B)的内壁上形成有作为第2排气部(第2排气口)的排气口80。通过形成排气口80，从排气孔70A到排气口80的流路构成为用于对吹扫气体进行排气的吹扫排气通路。排气口80以将处理室38与气体排气空间36B连通的方式形成，对处理室38内的隔热区域B的环境气体进行排气。即，通过在与隔热区域B面对的位置设置排气口80，能够抑制隔热区域B的吹扫气体向处理区域A的扩散，能够抑制因处理区域A的处理气体稀释而导致的成膜均匀性的恶化。
排气口80优选形成在与隔热部68重叠的高度位置。换言之，排气口80形成在与隔热区域B对应的位置。另外，优选的是，在水平方向上，排气口80的开口区域以至少一部分与排气端口36D(排气管50与反应管36的连接部分)的开口区域重叠的方式形成。通过这样的结构，能够更高效率地对吹扫气体进行排气。另外，在气体排气空间36B内不会产生处理气体或吹扫气体的沉积或滞留，能够顺畅地对处理气体及吹扫气体进行排气。
对隔热部68内进行了吹扫后的吹扫气体从排气孔70A排气。换言之，吹扫气体从比反应管36的下端(凸缘部36C)靠下的位置(隔热区域B下方)向处理室38内供给。在比凸缘部36C靠下的位置形成有圆环状的空间C。空间C也可以包含在隔热区域B中。在俯视下，空间C的圆环部的宽度比反应管36的内壁与隔热部的宽度(图2中的h6)大。通过这样的结构，容易形成沿着空间C的缘部的吹扫气体的气流。由此，能够使排气孔70A附近始终为吹扫气体的气氛，能够抑制成膜气体向隔热部68的流入。另外，从排气口80的相反侧的排气孔70A排出的吹扫气体也在空间C内流动，由此能够顺畅地排气。
如图11所示，排气口80形成为长方形状，其开口面积比一个气体排气狭缝37B的面积大，比气体排气狭缝37B的开口总面积小。另外，排气口80的长方形的长边的宽度形成为气体排气空间36B的宽度以下。通过形成这样的结构，尤其是在处理区域A与隔热区域B的边界部分，能够抑制吹扫气体从气体排气狭缝37B排气。
排气口80的角部被实施了倒角，带有圆角。通过这样的结构，能够抑制应力集中于角部而导致破损。另外，能够使吹扫气体的流动顺畅，能够更高效率地对吹扫气体进行排气。
在图12中示出基于有无排气口80的摩尔分率的比较结果。若没有排气口80，则具有以下情况：对圆筒部74内进行吹扫后的吹扫气体会扩散至成膜区域，因此处理气体被稀释，尤其是在底部区域，处理气体的摩尔分率变小。相对于此，在具有排气口80的情况下，从排气孔70A排出的吹扫气体从排气口80排气，因此不会扩散至成膜区域，成膜区域在整个区域中成为大致相同的摩尔分率。通过设置排气口80，能够抑制从圆筒部内排出的吹扫气体向处理区域A的扩散，能够抑制因处理区域A的处理气体稀释而导致的成膜均匀性的恶化。
接下来，说明第3实施方式。在第3实施方式中，在反应管36的凸缘部36C形成第3排气口82。
如图13及14所示，在排气口80的下方的凸缘部36C上形成作为第3排气部(第3排气口)的排气口82。排气口82以将空间C与气体排气空间36B连通的方式形成。从气体供给管44c供给的吹扫气体从排气口80及排气口82排气，对隔热区域B的环境气体进行排气。即，能够抑制供给至隔热部68周围的吹扫气体向处理区域A的扩散，能够抑制因处理区域A的处理气体稀释而导致的成膜均匀性的恶化。另外，能够对隔热区域B的、尤其是炉口部周围(歧管35周边)的空间C直接进行排气，因此能够抑制该空间内的吹扫气体的滞留或沉积的产生。
排气口82的开口面积优选形成得比排气口80的开口面积小。另外，优选的是，排气口82的横宽形成得比排气口80的横宽窄。通过这样的结构，能够使排气口80的排气量比排气口82的排气量大。由此，能够防止在吹扫气体到达隔热部68及隔热部68的周围之前，就从排气口82排出大量的吹扫气体，能够恰当地对隔热部68进行吹扫。
接下来，说明第4实施方式。在第4实施方式中，使用上下分割的隔热部68。
如图15及图16所示，隔热部68分割为圆筒状的上部隔热体68A和圆筒状的下部隔热体68B。在下部隔热体68B的上表面周围等间隔地设有例如4根圆筒状的支承部68C。上部隔热体68A与下部隔热体68B隔开规定间隔S地由支承部68C支承。
排气口80形成在纳入到上部隔热体68A与下部隔热体68B的间隔S内的位置，换言之，形成在该排气口80的至少一部分与间隔S重叠的位置。通过这样的结构，隔热部68周围的吹扫气体经由间隔S向排气口60排气。
关于在隔热部68与反应管36的内壁之间的间隙中的、气体供给空间36侧的间隙中流动的吹扫气体，由于在附近没有排气口80，因此具有难以排气、容易向处理区域A扩散的情况。相对于此，通过形成间隔S，该吹扫气体向间隔S流动，因此不会使吹扫气体到达处理区域A，能够更高效率地进行排气。优选的是，在排气口80的开口的至少一部分和间隔S的至少一部分在高度方向上相重叠的位置，形成排气口80。通过像这样地构成，能够将从间隔S通过的吹扫气体呈直线地从排气口80排气，能够形成没有沉积的排气的气流。另外，通过在间隔S的高度位置上形成吹扫气体的水平的气流(气帘(gas curtain))，能够区分处理区域A侧和排气孔70侧的环境气体。由此，能够抑制因处理区域A的处理气体稀释而导致的成膜均匀性的恶化。
此外，在第4实施方式中，说明了使用圆筒状的上部隔热体68A和圆筒状的下部隔热体68B的结构。但是不限于此，也可以设为以下结构：将隔热体形成为将多个隔热板层叠的结构，并在隔热板的层间具有高度位置的一部分与排气口80重叠的间隔S。另外，也能够适用于不仅设有排气口80还设有在第3实施方式中详细叙述的排气口82的结构。
本发明能够良好地适用于形成包含半导体元素或金属元素等规定元素的膜的情况。
另外，在上述实施方式中，说明了在晶片W上堆积膜的例子。但是，本发明不限定于这样的形态。例如，在对晶片W或形成在晶片W上的膜等进行氧化处理、扩散处理、退火处理、蚀刻处理等处理的情况下，也能够良好地适用。
另外，上述的实施方式和变形例能够适当地组合使用。此时的处理条件例如能够设为与上述的实施方式和变形例相同的处理条件。

Claims (10)

1.一种衬底处理装置，其特征在于，具备：
处理室，其形成于反应管内并对衬底进行处理，具有对所述衬底进行处理的处理区域、和位于所述处理区域的下方的隔热区域；
衬底保持件，其在所述处理室内保持所述衬底；
处理气体供给部，其向所述处理室内供给处理气体；
第1加热器，其设置于所述处理室外，对所述处理室内进行加热；
隔热部，其设置于所述衬底保持件的下方；
第2加热器，其设置于所述隔热部内，对所述处理室内进行加热；以及
吹扫气体供给部，其向所述隔热部内供给吹扫气体，对所述隔热部内进行吹扫，
所述吹扫气体供给部构成为朝向设置有所述第2加热器的发热部的区域供给所述吹扫气体，
所述反应管具有：凸缘部，其形成于所述反应管的下端；和排气口，其形成于所述凸缘部，对所述隔热区域的环境气体进行排气。
2.一种衬底处理装置，其特征在于，具备：
处理室，其对衬底进行处理；
衬底保持件，其在所述处理室内保持所述衬底；
处理气体供给部，其向所述处理室内供给处理气体；
第1加热器，其设置于所述处理室外，对所述处理室内进行加热；
隔热部，其设置于所述衬底保持件的下方；
第2加热器，其设置于所述隔热部内，对所述处理室内进行加热；以及
吹扫气体供给部，其向所述隔热部内供给吹扫气体，对所述隔热部内进行吹扫，
所述吹扫气体供给部构成为朝向设置有所述第2加热器的发热部的区域供给所述吹扫气体，
所述隔热部具有圆筒部，该圆筒部形成为上端封闭的圆筒形状，在该圆筒部的上表面载置所述衬底保持件，
在所述圆筒部内配置有保持隔热体的中空的保持部，所述圆筒部及所述保持部由承托部支承，
所述第2加热器设置于所述隔热部内的上方，具有：支柱部，其贯穿所述保持部的中空部分；和所述发热部，其与所述支柱部连接，
所述吹扫气体经由形成在所述支柱部与所述保持部之间的空间而向所述隔热部内供给，
所述保持部的上端的直径形成得比柱部分的直径大。
3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，
在所述承托部上形成有对所述隔热部内进行排气的排气孔。
4.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于，
所述圆筒部的上端形成为凸状，所述凸状的内壁部分的角部形成为锥状。
5.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其特征在于，
所述发热部配置成在高度方向上收束于形成为所述锥状的部分的高度内。
6.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其特征在于，
所述吹扫气体在供给到所述隔热部内的上方之后，从所述隔热部的下方排气，在所述隔热部内形成向下气流。
7.一种衬底处理装置，其特征在于，具备：
处理室，其形成于反应管内并对衬底进行处理，具有对所述衬底进行处理的处理区域、和位于所述处理区域的下方的隔热区域；
衬底保持件，其在所述处理室内保持所述衬底；
处理气体供给部，其向所述处理室内供给处理气体；
第1加热器，其设置于所述处理室外，对所述处理室内进行加热；
隔热部，其设置于所述衬底保持件的下方；
第2加热器，其设置于所述隔热部内，对所述处理室内进行加热；以及
吹扫气体供给部，其向所述隔热部内供给吹扫气体，对所述隔热部内进行吹扫，
所述反应管具有：
第1排气部，其对所述处理区域的环境气体进行排气；
第2排气部，其形成于在高度方向上与所述隔热区域重叠的位置，对所述隔热区域的环境气体进行排气；
凸缘部，其形成于所述反应管的下端；和
第3排气部，其形成于所述凸缘部，对所述隔热区域的环境气体进行排气。
8.根据权利要求7所述的衬底处理装置，其特征在于，
所述第2排气部对从与所述凸缘部相比靠下方的位置供给至所述处理室内的所述吹扫气体进行排气。
9.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于，
所述反应管由设置于下方的圆筒形状的歧管支承，
所述歧管的直径形成得比所述反应管的直径大。
10.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：
在设置于隔热部上方的衬底保持件上保持衬底的工序；和
向通过设置于处理室外的第1加热器和设置于所述隔热部内的上方的第2加热器而被加热了的所述处理室内供给处理气体，在形成于反应管内的所述处理室的处理区域对所述衬底进行处理的工序，
在对所述衬底进行处理的工序中，通过吹扫气体对所述隔热部内进行吹扫，从所述反应管的第1排气部对所述处理区域的环境气体进行排气，并从第2排气部和第3排气部对位于所述处理区域的下方的隔热区域的环境气体进行排气，其中，所述第2排气部形成于在高度方向上与所述隔热区域重叠的位置，所述第3排气部形成于在所述反应管的下端形成的凸缘部。
CN201610602519.6A 2015-08-04 2016-07-27 衬底处理装置以及半导体器件的制造方法 Active CN106449469B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910240450.0A CN110010526A (zh) 2015-08-04 2016-07-27 衬底处理装置以及半导体器件的制造方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015154393 2015-08-04
JP2015-154393 2015-08-04
JP2016-112738 2016-06-06
JP2016112738A JP6605398B2 (ja) 2015-08-04 2016-06-06 基板処理装置、半導体の製造方法およびプログラム

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910240450.0A Division CN110010526A (zh) 2015-08-04 2016-07-27 衬底处理装置以及半导体器件的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106449469A CN106449469A (zh) 2017-02-22
CN106449469B true CN106449469B (zh) 2019-07-02

Family

ID=58052370

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910240450.0A Pending CN110010526A (zh) 2015-08-04 2016-07-27 衬底处理装置以及半导体器件的制造方法
CN201610602519.6A Active CN106449469B (zh) 2015-08-04 2016-07-27 衬底处理装置以及半导体器件的制造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910240450.0A Pending CN110010526A (zh) 2015-08-04 2016-07-27 衬底处理装置以及半导体器件的制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (3) US10615061B2 (zh)
KR (1) KR101849998B1 (zh)
CN (2) CN110010526A (zh)
TW (1) TWI611043B (zh)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2017037937A1 (ja) * 2015-09-04 2018-04-26 株式会社日立国際電気 反応管、基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP6441244B2 (ja) * 2016-02-02 2018-12-19 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置
JP6462161B2 (ja) * 2016-02-09 2019-01-30 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP6616258B2 (ja) 2016-07-26 2019-12-04 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、蓋部カバーおよび半導体装置の製造方法
JP2018053299A (ja) * 2016-09-28 2018-04-05 株式会社日立国際電気 基板処理装置、及び断熱配管構造
KR101910085B1 (ko) * 2017-06-08 2018-10-22 주식회사 유진테크 기판처리장치
KR20190008101A (ko) * 2017-07-14 2019-01-23 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 기판 보지구 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6782362B2 (ja) * 2017-08-30 2020-11-11 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 保護プレート、基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2019047027A (ja) * 2017-09-05 2019-03-22 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
US11384434B2 (en) * 2017-09-13 2022-07-12 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus and heater device
WO2019058553A1 (ja) * 2017-09-25 2019-03-28 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、石英反応管、クリーニング方法並びにプログラム
JP6916766B2 (ja) * 2018-08-27 2021-08-11 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP6820816B2 (ja) 2017-09-26 2021-01-27 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、反応管、半導体装置の製造方法、及びプログラム
US10593572B2 (en) 2018-03-15 2020-03-17 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
KR20190109216A (ko) * 2018-03-15 2019-09-25 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US10714362B2 (en) 2018-03-15 2020-07-14 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
US10858738B2 (en) * 2018-03-29 2020-12-08 Asm International N.V. Wafer boat cooldown device
JP7166089B2 (ja) * 2018-06-29 2022-11-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法
KR102412459B1 (ko) * 2018-07-26 2022-06-23 주식회사 원익아이피에스 웨이퍼 공정용 수직 리액터
CN112400219B (zh) * 2018-08-03 2023-12-22 株式会社国际电气 基板处理装置及记录介质
US10998205B2 (en) * 2018-09-14 2021-05-04 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
JP6651591B1 (ja) * 2018-09-27 2020-02-19 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法
JP7175210B2 (ja) * 2019-02-04 2022-11-18 東京エレクトロン株式会社 排気装置、処理システム及び処理方法
EP4013905B1 (en) 2019-08-12 2023-02-22 Kurt J. Lesker Company Ultra high purity conditions for atomic scale processing
JP6998347B2 (ja) * 2019-09-06 2022-01-18 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム
CN112563106B (zh) * 2019-09-10 2023-10-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种半导体处理设备及其排气系统
JP7315607B2 (ja) * 2021-03-16 2023-07-26 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
JP7344942B2 (ja) * 2021-09-24 2023-09-14 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、クリーニング方法、半導体装置の製造方法及びプログラム

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1941287A (zh) * 2005-09-26 2007-04-04 株式会社日立国际电气 隔热壁体、发热体保持构造体、加热装置及基板处理装置
CN101689500A (zh) * 2007-09-12 2010-03-31 东京毅力科创株式会社 成膜装置和成膜方法
CN101819920A (zh) * 2009-02-27 2010-09-01 株式会社日立国际电气 衬底处理装置
CN101866853A (zh) * 2009-04-16 2010-10-20 三星移动显示器株式会社 基板处理设备

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5062386A (en) * 1987-07-27 1991-11-05 Epitaxy Systems, Inc. Induction heated pancake epitaxial reactor
JP3073627B2 (ja) * 1993-06-14 2000-08-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JPH07122512A (ja) * 1993-10-28 1995-05-12 Sony Corp 不純物拡散炉
JPH07297179A (ja) 1994-04-28 1995-11-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱処理炉の排気方法および熱処理炉
JP3335936B2 (ja) 1999-02-19 2002-10-21 山形日本電気株式会社 縦型気相成長装置
US6450805B1 (en) * 1999-08-11 2002-09-17 Tokyo Electron Limited Hot plate cooling method and heat processing apparatus
JP2001077042A (ja) * 1999-09-02 2001-03-23 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置
JP3598032B2 (ja) * 1999-11-30 2004-12-08 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び熱処理方法並びに保温ユニット
JP2001196364A (ja) 2000-01-07 2001-07-19 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法及び熱処理装置
JP4483040B2 (ja) * 2000-07-03 2010-06-16 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP4009100B2 (ja) * 2000-12-28 2007-11-14 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置および基板加熱方法
JP2002222806A (ja) * 2001-01-26 2002-08-09 Ebara Corp 基板処理装置
JP2003197545A (ja) * 2001-12-28 2003-07-11 Toshiba Corp ウエハボート、ウエハ熱処理炉およびウエハ熱処理方法
JP3863786B2 (ja) 2002-01-24 2006-12-27 株式会社日立国際電気 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP4276813B2 (ja) * 2002-03-26 2009-06-10 株式会社日立国際電気 熱処理装置および半導体製造方法
KR100829327B1 (ko) * 2002-04-05 2008-05-13 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반응 용기
US7013834B2 (en) * 2002-04-19 2006-03-21 Nordson Corporation Plasma treatment system
US20050121145A1 (en) * 2003-09-25 2005-06-09 Du Bois Dale R. Thermal processing system with cross flow injection system with rotatable injectors
WO2006104072A1 (ja) 2005-03-28 2006-10-05 Hitachi Kokusai Electric Inc. 熱処理装置及び基板の製造方法
JP4426518B2 (ja) 2005-10-11 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP2007217762A (ja) 2006-02-17 2007-08-30 Seiko Epson Corp 処理装置及び処理方法
JP4929811B2 (ja) 2006-04-05 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7495971B2 (en) 2006-04-19 2009-02-24 Infineon Technologies Ag Circuit and a method of determining the resistive state of a resistive memory cell
KR100932964B1 (ko) 2006-12-12 2009-12-21 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 반응 용기
US20080173238A1 (en) 2006-12-12 2008-07-24 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and reaction vessel
JP4645616B2 (ja) * 2007-03-30 2011-03-09 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5222652B2 (ja) * 2008-07-30 2013-06-26 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US8961691B2 (en) * 2008-09-04 2015-02-24 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus, film deposition method, computer readable storage medium for storing a program causing the apparatus to perform the method
JP5514129B2 (ja) 2010-02-15 2014-06-04 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置、および成膜装置の使用方法
US20110226739A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Process chamber liner with apertures for particle containment
JP5545055B2 (ja) * 2010-06-15 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 支持体構造及び処理装置
WO2012011423A1 (ja) * 2010-07-22 2012-01-26 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP5734081B2 (ja) 2010-10-18 2015-06-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理装置の温度制御方法、及び基板処理装置の加熱方法
JP2012174782A (ja) 2011-02-18 2012-09-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US9018567B2 (en) * 2011-07-13 2015-04-28 Asm International N.V. Wafer processing apparatus with heated, rotating substrate support
JPWO2013054652A1 (ja) * 2011-10-11 2015-03-30 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法、および記録媒体
JP2014067783A (ja) 2012-09-25 2014-04-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法
JP6196833B2 (ja) * 2012-09-26 2017-09-13 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP2014175494A (ja) * 2013-03-08 2014-09-22 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および基板の製造方法
JP5864637B2 (ja) 2013-03-19 2016-02-17 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び記録媒体
JP6106278B2 (ja) 2013-09-27 2017-03-29 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP6319171B2 (ja) * 2014-07-28 2018-05-09 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
KR101682153B1 (ko) * 2015-04-14 2016-12-02 주식회사 유진테크 기판처리장치
KR102385545B1 (ko) * 2015-07-23 2022-04-12 삼성전자주식회사 가스 인젝터를 갖는 웨이퍼 처리 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1941287A (zh) * 2005-09-26 2007-04-04 株式会社日立国际电气 隔热壁体、发热体保持构造体、加热装置及基板处理装置
CN101689500A (zh) * 2007-09-12 2010-03-31 东京毅力科创株式会社 成膜装置和成膜方法
CN101819920A (zh) * 2009-02-27 2010-09-01 株式会社日立国际电气 衬底处理装置
CN101866853A (zh) * 2009-04-16 2010-10-20 三星移动显示器株式会社 基板处理设备

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170016789A (ko) 2017-02-14
US20170037512A1 (en) 2017-02-09
US11495477B2 (en) 2022-11-08
KR101849998B1 (ko) 2018-05-31
US20180218927A1 (en) 2018-08-02
US20190035654A1 (en) 2019-01-31
CN106449469A (zh) 2017-02-22
TWI611043B (zh) 2018-01-11
TW201716621A (zh) 2017-05-16
CN110010526A (zh) 2019-07-12
US11222796B2 (en) 2022-01-11
US10615061B2 (en) 2020-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106449469B (zh) 衬底处理装置以及半导体器件的制造方法
US11359283B2 (en) Reaction tube structure and substrate processing apparatus
JP6605398B2 (ja) 基板処理装置、半導体の製造方法およびプログラム
US8741783B2 (en) Cleaning method, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and recording medium
US10529605B2 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
JP6764514B2 (ja) 基板処理装置、反応容器および半導体装置の製造方法
US11685992B2 (en) Substrate processing apparatus, quartz reaction tube and method of manufacturing semiconductor device
CN112400219B (zh) 基板处理装置及记录介质
US20190024232A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate retainer
KR20200121771A (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US20200157683A1 (en) Film-forming processing apparatus, film-forming method, and storage medium
JP6857156B2 (ja) 基板処理装置、基板保持具及び半導体装置の製造方法
TWI777146B (zh) 基板處理裝置、反應管及半導體裝置之製造方法
JP7229266B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム
US20240141484A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20181203

Address after: Tokyo, Japan, Japan

Applicant after: International Electric Co., Ltd.

Address before: Tokyo, Japan, Japan

Applicant before: Hitachi Kunisai Electric Corp.

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant