CN106297566B - 显示装置及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 277
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 36
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 21
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 12
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims description 11
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 45
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 acrylic ester Chemical class 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133302—Rigid substrates, e.g. inorganic substrates
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
公开了一种显示装置及其制造方法,其中,设置在第一基板上的焊盘的一端与所述第一基板的上表面间隔开并分离,并且与所述焊盘电连接的连接电极与所述焊盘的侧表面和所述焊盘的下表面接触。
Description
技术领域
本发明的实施方式涉及显示装置及其制造方法,并且更具体地,涉及一种将面板驱动器与显示面板连接的方法。
背景技术
到目前为止,已经调查和研究了各种显示装置,例如,液晶显示装置、等离子体显示面板、有机发光显示装置等。
显示装置通常包括用于显示图像的显示面板以及用于驱动显示面板的面板驱动器。在下文中,将参照附图来描述根据相关技术的将面板驱动器与显示面板连接的方法。
图1A是例示了根据相关技术的显示装置的平面图,并且图1B是沿着图1A的线I-I的截面图。
如图1A和图1B中所示,显示装置可以包括下基板10、上基板20、柔性电路膜40和印刷电路板(PCB)50。下基板10和上基板20构成显示面板,并且柔性电路膜40和印刷电路板50构成面板驱动器。
在下基板10上存在各种信号线(未示出)。另外,在信号线的一端处制备有信号焊盘11,并且信号焊盘11与柔性电路膜40连接。更具体地,柔性电路膜40附接至信号焊盘11的上表面。关于此附接,信号焊盘11的上表面被暴露。也就是说,下基板10延伸到上基板20之外,并且信号焊盘11被设置在所延伸的下基板10的上表面上。柔性电路膜40与印刷电路板50连接。
在相关技术的显示装置中,柔性电路膜40被附接至信号焊盘11的所暴露的上表面,这可以增加边框区域(bezel area)。另外,由于边框区域的高度差而可能难以给各种类型的显示装置提供具有审美上令人喜爱的外观。
发明内容
因此,本发明涉及一种显示装置及其制造方法,该显示装置及其制造方法基本上消除了由于相关技术的局限性和缺点而导致的一个或更多个问题。
本发明的一个优点在于提供具有减小的边框区域的显示装置及其制造方法。
为了实现这些和其它优点并且根据本发明的实施方式的目的,如本文具体实现和广义描述的,一种显示装置可以例如包括:第一基板和第二基板,该第一基板和该第二基板彼此面对;焊盘,该焊盘在所述第一基板上;以及连接电极,该连接电极与所述焊盘电连接,其中,所述焊盘的一端与所述第一基板的上表面间隔开并分离,并且所述连接电极与所述焊盘的侧表面和所述焊盘的下表面接触。
另外,根据本发明的一个实施方式的显示装置可以通过以下步骤来制造:对彼此接合的第一基板和第二基板进行切割(scribing);使所述第一基板上的焊盘的一端部与所述第一基板分离;以及提供在所述第一基板和所述第二基板中的每一个的侧表面处与所述焊盘电连接的连接电极。
应当理解的是,本发明的前述一般描述和以下详细描述是示例性和说明性的,并且旨在提供对如要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
附图被包括进来以提供对本发明的实施方式的进一步理解,并且被并入本申请并构成本申请的一部分,附图例示了本发明的实施方式,并且与本说明书一起用来说明本发明的实施方式的原理。在附图中:
图1A是例示了相关技术的显示装置的平面图;并且图1B是沿着图1A的线I-I的截面图;
图2A是例示了根据本发明的一个实施方式的显示装置的平面图,并且图2B是沿着图2A的线I-I的截面图;
图3是例示了根据本发明的实施方式的显示装置的截面图;
图4是例示了根据本发明的实施方式的显示装置的截面图;
图5是例示了根据本发明的实施方式的显示装置的截面图;
图6是例示了根据本发明的实施方式的显示装置的截面图;
图7是例示了根据本发明的实施方式的显示装置的截面图;
图8是例示了根据本发明的实施方式的显示装置的截面图;
图9是例示了根据本发明的实施方式的显示装置的截面图;
图10是例示了根据本发明的另一实施方式的显示装置的截面图;
图11是例示了根据本发明的实施方式的显示装置的截面图;
图12是例示了根据本发明的实施方式的显示装置的截面图;
图13是例示了根据本发明的实施方式的显示装置的截面图;
图14是例示了根据本发明的实施方式的显示装置的截面图;
图15是例示了根据本发明的实施方式的显示装置中的具有焊盘的区域的侧视图;
图16A、图16B、图16C和图16D例示了根据本发明的实施方式的制造显示装置的工序;
图17A、图17B和图17C例示了根据本发明的实施方式的制造显示装置的工序;以及
图18A、图18B和图18C例示了根据本发明的实施方式的制造显示装置的工序。
具体实施方式
现在将详细地参照本发明的示例性实施方式,在附图中例示了本发明的这些示例性实施方式的示例。只要可能,将在全部附图中使用相同的附图标记以指代相同的或类似的部分。
本发明的优点和特征以及其实施方法将通过参照附图描述的以下实施方式来澄清。然而,本发明可以被以不同的形式来具体实现并且不应该被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反,这些方面被提供使得本公开将是彻底的且完整的,并且将完全地将本发明的范围传达给本领域的技术人员。此外,本发明仅由权利要求书的范围来限定。
在用于描述本发明的实施方式的图中公开的形状、大小、比率、角度和数量仅仅是示例,并因此,本发明不限于所例示的细节。相同的附图标记到处是指相同的元素。在以下描述中,当相关已知的功能或配置的详细描述被确定为不必要地使本发明的重要点模糊时,将省略详细的描述。在本说明书中描述的“包括”、“具有”和“含”被使用的情况下,除非“仅~”被使用否则可以添加另一部分。除非相反地提到,否则单数形式的术语可以包括复数形式。
在解释元素时,元素被解释为包括错误区域,然而不存在明确的描述。
在本发明的实施方式的描述中,当结构被描述为形成在另一结构的上部/下部处或者形成在另一结构上/下面时,这个描述应该被解释为包括其中这些结构彼此接触的情况并且此外其中第三结构被布置在这些结构之间的情况。
在描述时间关系时,例如,当时间次序被描述为“在~之后”、“随~后”、“下一个~”、以及“在~之前”时,除非使用了“仅仅”或“直接”,否则可以包括不是连续的的情况。
应该理解的是,尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文中被用来描述各种元素,然而这些元素不应该受这些术语限制。这些术语仅被用来将一个元素与另一元素区分开。例如,第一元素能够被称为第二元素,并且类似地,第二元素能够被称为第一元素,而不脱离本发明的范围。
本发明的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此联接或都彼此组合,并且可以彼此多样地互操作并以技术方式被驱动,如本领域技术人员能够充分地理解的。本发明的实施方式可以彼此独立地执行,或者可以按照共同依赖关系被一起执行。
在下文中,将参照附图来描述根据本发明的实施方式的显示装置及其制造方法。
图2A是例示了根据本发明的一个实施方式的显示装置的平面图,并且图2B是沿着图2A的线I-I的截面图。
参照图2A,根据本发明的一个实施方式的显示装置可以包括第一基板100、第二基板200、柔性电路膜400和印刷电路板(PCB)500。
第一基板100和第二基板200彼此接合,以因此形成显示面板。柔性电路膜400和印刷电路板500构成面板驱动器。柔性电路膜400被附接至显示面板,并且印刷电路板500与柔性电路膜400连接。
第一基板100和第二基板200具有基本上相同的形状。例如,第一基板100和第二基板200可以具有形状相同的矩形结构。也就是说,与根据相关技术的显示装置相比,第一基板100的预定区域没有为了柔性电路膜400的附接而延伸到第二基板200之外。换句话说,第一基板100的将被附接有柔性电路膜400的一侧与第二基板200的一侧精确地或基本上对应。因此,柔性电路膜400没有被附接至第一基板100的上表面,但是被附接至显示面板的侧面。
在图2A中,柔性电路膜400和印刷电路板(PCB)500在显示面板的下部处彼此连接。另选地,在显示面板的另一侧(例如,显示面板的左部)处,柔性电路膜400和印刷电路板(PCB)500能够彼此连接。
参照图2B,第一基板100和第二基板200彼此面对,并且第一基板100的长度与第二基板200的长度相同。另外,第一基板100的一端与第二基板200的一端对应,并且第一基板100的另一端与第二基板200的另一端对应。第一基板100和第二基板200中的每一个的详细结构可以根据显示装置的类型而改变。
例如,如果显示装置被应用到液晶显示(LCD)装置,则薄膜晶体管和像素电极可以被设置在第一基板100上,黑底和滤色器可以被设置在第二基板200上,并且液晶层可以被插置在第一基板100与第二基板200之间,但是本发明的实施方式不限于这种结构,并且能够使用为本领域技术人员通常知道的各种结构。另外,能够使用为本领域技术人员通常知道的各种模式的LCD装置,例如,扭曲向列(TN)、面内切换(IPS)模式、垂直对齐(VA)模式或边缘场切换(FFS)模式。基于所选择的显示装置的模式,第一基板100和第二基板200中的每一个的结构可以改变。
另外,如果显示装置被应用到有机发光显示(OLED)装置,则薄膜晶体管以及包括阳极、发射层和阴极的有机发光装置可以被设置在第一基板100上,并且第二基板200可以由封装基板形成,但是本发明的实施方式不限于本结构,并且能够使用为本领域技术人员通常知道的各种结构。
线111被设置在第一基板100上,并且焊盘110与线111的一端连接。线111可以是信号线(例如,选通线、数据线或公共电压线),或者可以是诸如抗静电线这样的非信号线。在图2B中,焊盘110被设置在与线111的层相同的层处,并且与线111一起被形成为一个主体,但是实施方式不限于这种结构。例如,线111可以是设置在栅绝缘膜上的数据线,并且焊盘110可以是设置在栅绝缘膜下面的数据焊盘。在这种情况下,数据焊盘和数据线经由设置在栅绝缘膜中的接触孔彼此连接。
在设置有焊盘110的区域中,第一基板100的一端与第二基板200的一端对应。因此,柔性电路膜400可以不与焊盘110的上表面连接,但是与焊盘110的侧面连接。在本文中,焊盘110的被连接有柔性电路膜400的侧面具有小的接触区域,使得可能在焊盘110与柔性电路膜400之间引起差的连接状态。为了实现焊盘110与柔性电路膜400之间的良好的连接状态,可以在焊盘110的侧面处设置连接电极300。
连接电极300与设置有焊盘110的第一基板100和第二基板200的每个侧面接触,据此连接电极300与焊盘110的侧面直接连接。
为了将柔性电路膜400附接至连接电极300,可以在连接电极300与柔性电路膜400之间设置导电粘合层350。例如,可以在导电粘合层350内部设置导电球,据此连接电极300和柔性电路膜400能够通过导电球彼此电连接。
柔性电路膜400可以不被设置在第一基板100的上表面上,并且柔性电路膜400在垂直方向上被布置在第一基板100和第二基板200的每个侧面处。另外,印刷电路板500与柔性电路膜400连接。
尽管未示出,然而可以在柔性电路膜400上设置诸如驱动集成电路这样的驱动芯片以便形成膜上芯片(COF)结构,但是本发明的实施方式不限于这种结构。另外,在柔性电路膜400上设置引线,并且该引线通过导电粘合层350的导电球与连接电极300连接。
印刷电路板500通过柔性电路膜400向显示面板提供各种信号。尽管未示出,然而可以在印刷电路板500上设置定时控制器、各种功率电路或存储装置。
根据本发明的一个实施方式,连接电极300在第一基板100和第二基板200中的每一个的侧面处与焊盘110连接,据此柔性电路膜400被附接至第一基板100和第二基板200的每个侧面。因此,不需要使第一基板100延伸到第二基板200之外,以便将焊盘110的上表面暴露于外部。因此,与根据相关技术的显示装置的边框区域相比,根据本发明的实施方式的显示装置的边框区域能够被减小。另外,第一基板100的一端可以与第二基板200的一端对应,并且第一基板100的另一端可以与第二基板200的另一端对应,使得能够减小或者防止边框区域的高度差。
另外,根据本发明的一个实施方式,与焊盘110的侧面接触的连接电极300被设置在柔性电路膜400与焊盘100之间,以用于电连接。为了进一步改进连接电极300与焊盘110之间的连接属性,现在将详细地描述根据本发明的实施方式的各种结构。
图3是例示了根据本发明的另一实施方式的显示装置的截面图,该截面图示出了被附接有柔性电路膜的第一基板100和第二基板200中的每一个的端区域。为了说明的方便,在图3中将不示出与连接电极连接的柔性电路膜和印刷电路板。另外,将省略与参照图2A和图2B描述的先前的实施方式的部分相同的部分的详细描述。
参照图3,第一基板100和第二基板200彼此面对,其中,第一基板100的一端与第二基板200的一端精确地或基本上对应。
焊盘110被设置在第一基板100上,并且绝缘层130被设置在焊盘110上。
焊盘110的预定部分与第一基板100的上表面接触,并且焊盘110的剩余部分不与第一基板100的上表面接触。更具体地,焊盘110的端部从第一基板100的上表面剥落,即,焊盘110的端部与第一基板100的上表面分离。如图3中所例示,第一基板100的上表面与焊盘110之间的分离距离从其分离开始点开始朝向焊盘110的端部逐渐增加。
绝缘层130可以包括设置在焊盘110上的第一绝缘层131和设置在第一绝缘层131上的第二绝缘层132。第一绝缘层131可以是栅绝缘膜,并且第二绝缘层132可以是平整膜。栅绝缘膜可以由诸如氧化硅或氮化硅这样的无机绝缘材料形成,并且平整膜可以由诸如光丙烯酯这样的有机绝缘材料形成,但是本发明的实施方式不限于这些材料。
在第一基板100与第二基板200之间设置密封剂250,以将第一基板100和第二基板200接合。密封剂250未延伸到第一基板100或第二基板200的端部。也就是说,密封剂的端部不与第一基板100和第二基板200中的每一个的端部对应。因此,与焊盘110或绝缘层130的端部相比,密封剂250的端部离第一基板100或第二基板200的端部相对远。换句话说,密封剂250的端部与第一基板100或第二基板200的端部之间的距离大于焊盘110或绝缘层130的端部与第一基板100或第二基板200的端部之间的距离。在这种情况下,在第一基板100与第二基板200之间设置有没有密封剂250的区域,其中焊盘110能够与第一基板100的上表面分离并在第一基板100的上表面上向上弯曲。
当焊盘110的端部与第一基板100的上表面分离并在第一基板100的上表面上向上弯曲时,在焊盘110的下表面与第一基板100的上表面之间设置有空的空间,据此可以将连接电极300部分地设置在空的空间中。因此,连接电极300与焊盘110的侧表面以及焊盘110的下表面接触,以因此改进连接焊盘300与焊盘110之间的连接属性。在该实施方式中,焊盘110的下表面意指面对第一基板100的表面,并且焊盘110的与连接电极300接触的下表面意指从第一基板100的上表面剥落并分离的表面,如图3中所例示。
连接电极300与第一基板100的侧表面和第二基板200的侧表面接触。如图3中所例示,连接电极300可以从第一基板100和第二基板200的侧表面开始伸出。连接电极300可以由具有良好的导电率的材料(例如,银(Ag))形成,但是本发明的实施方式不限于这种材料。
可以在第二基板200上设置遮光层210、涂覆层230和防光泄漏图案270。
遮光层210和涂覆层230被设置在第二基板200的一个表面上,并且更具体地,设置在第二基板200的面对第一基板100的下表面上。
遮光层210用来减少或防止光在除了像素区域以外的其它区域中泄漏,并且遮光层210可以按照矩阵配置来形成。如果遮光层210延伸到第二基板200的端部,则遮光层210可以与连接电极300连接。在这种情况下,电荷可以流入到遮光层210中,据此它可能对显示在像素区域中的图像具有不利的影响。因此,如图3中所例示,遮光层210可以不延伸到第二基板200的端部。也就是说,遮光层210的端部优选地不与第二基板200的端部对应。
涂覆层230被设置在遮光层210的下表面上,以因此减少或者防止遮光层210被暴露于外部。更具体地,涂覆层230覆盖遮光层210的下表面和侧表面,以因此使遮光层210与连接电极300隔离。因此,连接电极300与涂覆层230接触,但是可以不与遮光层210接触。
如果遮光层210未延伸到第二基板200的端部,则在未由遮光层210覆盖的第二基板200的端部中可能发生光泄漏。为了减少或者防止这种光泄漏,连接电极300可以优选地与遮光层210交叠。另外,可以在第二基板200的另一表面上附加地设置防光泄漏图案270,并且更具体地在第二基板200的不面对第一基板100的上表面上附加地设置防光泄漏图案270。防光泄漏图案270被设置在第二基板200的未由遮光层210覆盖的端部上方。特别地,防光泄漏图案270与遮光层210交叠,以因此减少或者防止第二基板200的未由遮光层210覆盖的端部中的光泄漏。
图4是例示了根据本发明的另一实施方式的显示装置的截面图。除了绝缘层的结构以外,图4中所例示的显示装置与图3中所例示的显示装置相同。因此,将仅详细地描述不同的部分。
参照图4,焊盘110被设置在第一基板100上,并且绝缘层130被设置在焊盘110上。
如参照图3以上所描述,焊盘110的端部与绝缘层130的端部对应。此外,图4中的焊盘110的端部与绝缘层130的端部不对应。也就是说,与焊盘110的端部相比,图4中的绝缘层130的端部离第一基板100或第二基板200的端部相对远。换句话说,绝缘层130的端部与第一基板100或第二基板200的端部之间的距离大于焊盘110的端部与第一基板100或第二基板200的端部之间的距离。在这种结构中,焊盘110的上表面被暴露,并且连接电极300与焊盘110的上表面接触。在该实施方式中,焊盘110的上表面意指不面对第一表面100的表面,即,与上述焊盘110的下表面相反的表面。
连接电极300与焊盘110的侧表面、焊盘110的下表面和焊盘110的上表面接触,以因此改进连接电极300与焊盘110之间的连接属性。
图5是例示了根据本发明的另一实施方式的显示装置的截面图。除了附加地设置的导电残余(residue)115以外,图5的显示装置与图4的显示装置相同。因此,将仅详细地描述不同的部分。
参照图5,导电残余115被附加地设置在焊盘110与第一基板100之间。导电残余115可以由焊盘110的在使焊盘110的端部与第一基板100分离的工序期间生成的残余形成。例如,在焊盘110的端部中执行用于使焊盘110的端部与第一基板100分离的研磨工序。这时,从焊盘110的端部去除的残余进入到第一基板100与焊盘110之间的区域中,以因此形成导电残余115。因此,导电残余115和焊盘110由相同的材料形成。
如果导电残余115通过控制用于焊盘110的端部的研磨工序来形成,则导电残余115与焊盘110的下表面接触。因此,连接电极300与焊盘110的侧表面、焊盘110的下表面、焊盘110的上表面和导电残余115接触,以因此改进连接电极300与焊盘110之间的连接属性。
图6是例示了根据本发明的另一实施方式的显示装置的截面图。除了附加地设置的辅助电极150以外,图6的显示装置与图3的显示装置相同。因此,将仅详细地描述不同的部分。
参照图6,辅助电极150被设置在第一绝缘层131与第二绝缘层132之间。辅助电极150经由设置在第一绝缘层131中的第一接触孔(CH1)与焊盘110连接。另外,辅助电极150的侧表面与连接电极300连接。辅助电极150可以由与设置在显示面板的有效显示区域中的薄膜晶体管的源极/漏极的材料相同的材料形成,并且辅助电极150和源极/漏极可以通过同一工序来制造。因此,可以不需要形成辅助电极150的附加工序。
在图6中,连接电极300与焊盘110的侧表面、焊盘110的下表面和辅助电极150的侧表面接触,以因此改进连接电极300与焊盘110之间的连接属性。
图7是例示了根据本发明的另一实施方式的显示装置的截面图。除了附加地设置的辅助电极150以外,图7的显示装置与图4的显示装置相同。因此,将仅详细地描述不同的部分。
参照图7,辅助电极150被设置在第一绝缘层131与第二绝缘层132之间。辅助电极150经由设置在第一绝缘层131中的第一接触孔(CH1)与焊盘110连接。另外,辅助电极150的侧表面与连接电极300连接。辅助电极150可以由与设置在显示面板的有效显示区域中的薄膜晶体管的源极/漏极的材料相同的材料形成,并且辅助电极150和源极/漏极可以通过同一工序来制造。因此,可以不需要形成辅助电极150的附加工序。
在图7中,连接电极300与焊盘110的侧表面、焊盘110的下表面、焊盘110的上表面和辅助电极150的侧表面接触,以因此改进连接电极300与焊盘110之间的连接属性。
图8是例示了根据本发明的另一实施方式的显示装置的截面图。除了附加地设置的辅助电极150以外,图8的显示装置与图4的显示装置相同。因此,将仅详细地描述不同的部分。
参照图8,辅助电极150被设置在第二绝缘层132上。辅助电极150经由设置在第一绝缘层131和第二绝缘层132中的第二接触孔(CH2)与焊盘110连接。随着辅助电极150被设置在第二绝缘层132上,辅助电极150的上表面与连接电极300连接。另外,辅助电极150的侧表面与连接电极300连接。辅助电极150可以由与设置在显示面板的有效显示区域中的像素电极的材料相同的材料形成,并且辅助电极150和像素电极可以被设置在同一层中并且由同一工序来制造。因此,可以不需要形成辅助电极150的附加工序。
在图8中,连接电极300与焊盘110的侧表面、焊盘110的下表面、焊盘110的上表面、辅助电极150的上表面和辅助电极150的侧表面接触,以因此改进连接电极300与焊盘110之间的连接属性。
此外,尽管未示出,然而能够在图3的上述结构中的第二绝缘层132上附加地设置辅助电极150。在这种情况下,连接电极300与焊盘110的侧表面、焊盘110的下表面、辅助电极150的上表面和辅助电极150的侧表面接触。
图9是例示了根据本发明的另一实施方式的显示装置的截面图。除了附加地设置的辅助电极150以外,图9的显示装置与图4的显示装置相同。因此,将仅详细地描述不同的部分。
参照图9,辅助电极150包括第一辅助电极151和第二辅助电极152。第一辅助电极151被设置在第一绝缘层131与第二绝缘层132之间,并且第二辅助电极152被设置在第二绝缘层132上。
第一辅助电极151经由设置在第一绝缘层131中的第一接触孔(CH1)与焊盘110连接。第二辅助电极152经由设置在第二绝缘层132中的第三接触孔(CH3)与第一辅助电极151连接。第一辅助电极151、第二辅助电极152和焊盘110彼此电连接。
第一辅助电极151可以由与设置在显示面板的有效显示区域中的薄膜晶体管的源极/漏极的材料相同的材料形成,并且第一辅助电极151和源极/漏极可以被布置在同一层中并且通过同一工序来制造。因此,可以不需要形成第一辅助电极151的附加工序。第二辅助电极152可以由与设置在显示面板的有效显示区域中的像素电极的材料相同的材料形成,并且第二辅助电极152和像素电极可以被设置在同一层中并且由同一工序来制造。因此,可以不需要形成第二辅助电极152的附加工序。
在这种情况下,第一辅助电极151的侧表面与连接电极300连接。另外,第二辅助电极152的上表面和第二辅助电极152的侧表面与连接电极300连接。
在图9中,连接电极300与焊盘110的侧表面、焊盘110的下表面、焊盘110的上表面、第一辅助电极151的侧表面、第二辅助电极152的上表面和第二辅助电极152的侧表面接触,以因此改进连接电极300与焊盘110之间的连接属性。
此外,尽管未示出,然而能够在第一绝缘层131与第二绝缘层132之间附加地设置第一辅助电极151,并且能够在图3的上述结构中的第二绝缘层132上附加地设置第二辅助电极152。在这种情况下,连接电极300与焊盘110的侧表面、焊盘110的下表面、第一辅助电极151的侧表面、第二辅助电极152的上表面和第二辅助电极152的侧表面接触。
图10是例示了根据本发明的另一实施方式的显示装置的截面图。除了附加地设置的阻挡件290以外,图10的显示装置与图6的显示装置相同。因此,将仅详细地描述不同的部分。
在以上所述的实施方式中,焊盘110的端部从第一基板100的上表面剥落并分离,并且焊盘110的所分离的端部弯曲,使得设置在焊盘110的端部上的绝缘层130也弯曲。焊盘110可以由柔性金属材料形成。因此,当焊盘110与第一基板100的上表面分离并且在第一基板100的上表面上弯曲时,可能不会出现裂纹。另一方面,绝缘层130可以由具有相对小的柔性的材料形成。因此,如果绝缘层130弯曲,则在绝缘层130中可能出现裂纹或者绝缘层130的内部部分易于破碎。特别地,如果绝缘层130由诸如氮化硅SiNx这样的无机绝缘材料形成,则与绝缘层130中的裂纹或破碎的部分有关的问题可能由于无机绝缘材料的结晶属性而变得严重。绝缘层130中的裂纹或破碎部分也可能不利地影响焊盘110的信号发送。
参照图10,阻挡件290被设置在第二基板200的一个表面上,并且更具体地,设置在第二基板200的面对第一基板100的下表面上。因此,能够通过使用阻挡件290来调整焊盘110和绝缘层130的弯曲程度。也就是说,当焊盘110和绝缘层130弯曲时,阻挡件290能够减少或者防止焊盘110和绝缘层130比预定程度弯曲更多。因此,能够通过适当地调整阻挡件290的厚度来控制绝缘层130的弯曲程度,使得能够减少或者防止绝缘层130内部的裂纹或破碎部分以及焊盘110中的裂纹。换句话说,能够通过使用阻挡件290来调整焊盘110和绝缘层130的弯曲程序来减少或者防止焊盘110和绝缘层130中的裂纹。
阻挡件290被设置在焊盘110与第二基板200之间,并且更具体地,设置在绝缘层130与涂覆层230之间。更具体地,阻挡件290可以被固定地设置在涂覆层230的下表面上。另外,阻挡件290可以与绝缘层130接触。然而,如果绝缘层130的弯曲程度不是这么大,则阻挡件290可以与绝缘层130不接触。
阻挡件290被设置在与焊盘110和绝缘层130的弯曲部分交叠的区域中。也就是说,阻挡件290被设置在焊盘110的与第一基板100的上表面分离的端部中,即,与焊盘110的不与第一基板100的上表面接触的端部交叠的区域中。
在图10中,阻挡件290被应用到图6中所例示的结构,但是本发明的实施方式不限于此。阻挡件290可以被应用到图3、图4和图5以及图7、图8和图9中所例示的结构中的任一种。
图11是例示了根据本发明的另一实施方式的显示装置的截面图。除了绝缘层130和辅助电极150中的每一个的结构以外,图11的显示装置与图6的显示装置相同。因此,将仅详细地描述不同的部分。
与图10中所例示的结构相似,图11的结构被设置为减少或者防止焊盘110中的裂纹。如以上所述,焊盘110中的裂纹可以由绝缘层130内部的裂纹或破碎的部分导致。因此,能够通过减少或者防止绝缘层130内部的裂纹或破碎部分来减少或者防止焊盘110中的裂纹。
参照图11,第一绝缘层131被设置在焊盘110上,辅助电极150经由第一绝缘层131上的第一接触孔(CH1)与焊盘110连接,并且第二绝缘层132被设置在辅助电极150上。在这种情况下,第一绝缘层131的端部未延伸到焊盘110的端部。也就是说,与焊盘110的端部相比,第一绝缘层131的端部离第一基板100的端部相对远。由于第一绝缘层131的端部未延伸到焊盘110的端部,因此辅助电极150的下表面与焊盘110的端部的上表面直接接触。也就是说,与焊盘110、辅助电极150和第二绝缘层132中的每一个的端部相比,第一绝缘层131的端部离第一基板100或第二基板200的端部相对远。换句话说,第一绝缘层131的端部与第一基板100或第二基板200的端部之间的距离大于第一基板100或第二基板200的端部与焊盘110、辅助电极150或第二绝缘层132的端部之间的距离。
在该实施方式中,第一绝缘层131未弯曲或略微地弯曲,使得能够减少或者防止第一绝缘层131内部的裂纹或破碎的部分,以因此减少或者防止焊盘110和辅助电极150中的裂纹或破碎的部分。
在图11中,第二绝缘层132的端部未延伸到焊盘110的端部,但是本发明的实施方式不限于这种结构。例如,第二绝缘层132的端部可以未延伸到焊盘110的端部。
图12是例示了根据本发明的另一实施方式的显示装置的截面图。除了未设置第一接触孔(CH1)以外,图12的显示装置与图11的显示装置相同。因此,将仅详细地描述不同的部分。
参照图12,第一绝缘层131的端部未延伸到焊盘110的端部,据此辅助电极150的下表面与焊盘110的端部的上表面直接接触。因此,焊盘110和辅助电极150彼此连接,据此不必要设置用于焊盘110与辅助电极150之间的电连接的第一接触孔(CH1)。
图13是例示了根据本发明的另一实施方式的显示装置的截面图。除了绝缘层130和辅助电极150中的每一个的结构以外,图13的显示装置与图8的显示装置相同。因此,将仅详细地描述不同的部分。
参照图13,第一绝缘层131的端部和第二绝缘层132的端部未延伸到焊盘110的端部,并且辅助电极150的端部未延伸到焊盘110的端部。因此,辅助电极150的下表面与焊盘110的端部的上表面直接接触。
在该实施方式中,第一绝缘层131和第二绝缘层132未弯曲或略微地弯曲,使得能够减少或者防止第一绝缘层131和第二绝缘层132内部的裂纹或破碎的部分,以因此减少或者防止焊盘110和辅助电极150中的裂纹或破碎的部分。
在图13中,存在用于焊盘110与辅助电极150之间的连接的第二接触孔(CH2)。然而,焊盘110的端部与辅助电极150的端部连接,据此能够省略第二接触孔(CH2)。
图14是例示了根据本发明的另一实施方式的显示装置的截面图。除了绝缘层130和辅助电极150中的每一个的结构以外,图14的显示装置与图9的显示装置相同。因此,将仅详细地描述不同的部分。
参照图14,第一绝缘层131的端部和第二绝缘层132的端部未延伸到焊盘110的端部,并且第一辅助电极151的端部和第二辅助电极152的端部未延伸到焊盘110的端部。因此,第一辅助电极151的下表面与焊盘110的端部的上表面直接接触,并且第二辅助电极152的下表面与第一辅助电极151的上表面直接接触。
在该实施方式中,第一绝缘层131和第二绝缘层132未弯曲或略微地弯曲,使得能够减少或者防止第一绝缘层131和第二绝缘层132内部的裂纹或破碎的部分,以因此减少或者防止焊盘110、第一辅助电极151和第二辅助电极152中的裂纹或破碎的部分。与图13中所例示的结构相似,能够从图14中所例示的结构中省略第一接触孔和第三接触孔(CH1、CH3)。
图15是例示了根据本发明的一个实施方式的显示装置中的具有焊盘的区域的侧视图。
参照图15,彼此面对的第一基板100和第二基板200通过使用密封剂250而彼此接合。在本文中,焊盘110a、110b和110c被设置在第一基板100上。在图15中,未示出设置在焊盘110a、110b和110c上的绝缘层。
焊盘110a、110b和110c可以包括选通/数据焊盘110a、抗静电焊盘110b和公共电压焊盘110c。可以应用为本领域技术人员通常知道的各种类型和布置的焊盘110a、110b和110c。
连接电极300与焊盘110a、110b和110c中的每一个连接。也就是说,每个连接电极300按照一一对应方式与每个焊盘110a、110b和110c连接。
连接电极300与设置在柔性电路膜400上的引线410电连接,并且引线410与印刷电路板500连接。
尽管未详细地示出,然而柔性电路膜400通过使用导电粘合层与第一基板100和第二基板200中的每一个的侧表面连接,并且连接电极300和柔性电路膜400的引线410通过包括在导电粘合层中的导电球彼此电连接。
在这种情况下,抗静电焊盘110b未与设置在柔性电路膜400上的引线410连接,但是经由接地线240与设置在第二基板200上的抗静电层220连接。在第二基板200的上表面上制备的抗静电层220经由接地线240和连接电极300与抗静电焊盘110电连接,以去除可能在第二基板200的上表面上产生的静电。
图16A、图16B、图16C和图16D例示了根据本发明的一个实施方式的制造显示装置的工序,其通过示例例示了制造图4的显示装置的工序。
首先,如图16A中所例示,通过对彼此接合的第一基板100和第二基板200进行切割来制造单位显示面板。
焊盘110被设置在第一基板100上,并且通过依次沉积第一绝缘层131和第二绝缘层132获得的绝缘层130被设置在焊盘110上。在这种情况下,焊盘110的端部可以与绝缘层130的端部对应。另外,焊盘110和绝缘层130中的每一个的端部可以与第一基板100的端部对应。
遮光层210和涂覆层230被设置在第二基板200的下表面上,并且防光泄漏图案270被设置在第二基板200的上表面上。
在图4中,绝缘层130未被设置在焊盘110的端部的上表面上。在图16A中,绝缘层130的端部可以不与焊盘110的端部对应。在这种情况下,焊盘110可能在图16B中所例示的研磨工序期间被损坏。因此,为了减少或者防止焊盘110在研磨工序期间被损坏,焊盘110的端部优选地与绝缘层130的端部基本上对应,如图16A中所例示。
第一基板100和第二基板200通过使用密封剂250彼此接合。密封剂250可以未延伸到第一基板100和第二基板200中的每一个的端部。因此,可以存在在第一基板100与第二基板200之间没有密封剂250的区域。
此外,尽管未示出,然而辅助电极150可以被设置在第一绝缘层131与第二绝缘层132之间,并且辅助电极150可以经由设置在第一绝缘层131中的第一接触孔(CH1)与焊盘110连接,以因此获得图7的显示装置。
另外,辅助电极150可以被设置在第二绝缘层132上,并且辅助电极150可以经由设置在第一绝缘层131和第二绝缘层132中的第二接触孔(CH2)与焊盘110连接,以因此获得图8的显示装置。
另外,第一辅助电极151可以被设置在第一绝缘层131与第二绝缘层132之间,第一辅助电极151可以经由设置在第一绝缘层131中的第一接触孔(CH1)与焊盘110连接,第二辅助电极152可以被设置在第二绝缘层132上,并且第二辅助电极152可以经由设置在第二绝缘层132中的第三接触孔(CH3)与第一辅助电极151连接,以因此获得图9的显示装置。
然后,如图16B中所例示,焊盘110的端部从第一基板100的上表面剥落并分离,并且焊盘110和绝缘层130然后在没有密封剂250的区域中向上弯曲。
可以通过使研磨设备600旋转以与第一基板100的侧表面和焊盘110的侧表面接触来执行使焊盘110的端部与第一基板100分离的工序。随着研磨设备600被旋转,第一基板100的侧表面和焊盘110的侧表面被研磨,并且焊盘110与第一基板100分离。随着研磨设备600附加地旋转以与第二基板200的侧表面接触,第二基板200的侧表面被附加地研磨。通过适当地调整研磨工序,第一基板100与焊盘110之间的区域中的导电残余(例如,图5的导电残余115)可以由焊盘110的端部的在研磨工序期间被去除的残余形成,以因此获得图5的显示装置。
如图16C中所例示,设置在焊盘110的端部的上表面上的绝缘层300的预定部分被去除,以因此使焊盘110的端部的上表面暴露。
可以通过激光照射工序来执行去除设置在焊盘110的端部的上表面上的绝缘层300的工序。此外,能够通过省去图16C的工序来获得图3的显示装置。
然后,如图16D中所例示,连接电极300与焊盘110连接。连接电极300被设置在第一基板100的侧表面和第二基板200的侧表面处。连接电极300与焊盘110的侧表面、焊盘110的下表面和焊盘110的上表面接触。
图17A、图17B和图17C例示了根据本发明的另一实施方式的制造显示装置的工序,其例示了制造图10的显示装置的工序。
首先,如图17A中所例示,通过对彼此接合的第一基板100和第二基板200进行切割来制造单位显示面板。
焊盘110被设置在第一基板100上,并且第一绝缘层131被设置在焊盘110上。另外,辅助电极150被设置在第一绝缘层131上,其中辅助电极150经由第一接触孔(CH1)与焊盘110连接。然后,第二绝缘层132被设置在辅助电极150上。在这种情况下,焊盘110、第一绝缘层131、辅助电极150和第二绝缘层132中的每一个的端部可以彼此对应。另外,焊盘110、第一绝缘层131、辅助电极150和第二绝缘层132中的每一个的端部可以与第一基板100的端部对应。
遮光层210和涂覆层230被设置在第二基板200的下表面上,并且阻挡件290被设置在涂覆层230的下表面上。阻挡件290形成有不与第二绝缘层132接触的适当厚度。另外,防光泄漏图案270被设置在第二基板200的上表面上。
第一基板100和第二基板200通过使用密封剂250彼此接合。密封剂250可以未延伸到第一基板100和第二基板200中的每一个的端部。因此,可以存在在第一基板100与第二基板200之间没有密封剂250的区域。
然后,如图17B中所例示,焊盘110的端部从第一基板100的上表面剥落并分离,据此焊盘110、第一绝缘层131、辅助电极150和第二绝缘层132在没有密封剂250的区域中向上弯曲。
可以通过使研磨设备600旋转以与第一基板100的侧表面和焊盘110的侧表面接触来执行使焊盘110的端部与第一基板100分离的工序。随着研磨设备600被旋转,第一基板100的侧表面和焊盘110的侧表面被研磨,并且焊盘110与第一基板100分离。随着研磨设备600被附加地旋转以与第二基板200的侧表面接触,第二基板200的侧表面被附加地研磨。
焊盘110、第一绝缘层131、辅助电极150和第二绝缘层132中的每一个的端部通过使焊盘110的端部与第一基板100分离的工序来弯曲,其中其弯曲程序由设置在第二基板200上的阻挡件290来控制。也就是说,如果第二绝缘层132与阻挡件290接触,则能够使焊盘110、第一绝缘层131、辅助电极150和第二绝缘层132中的每一个的端部的弯曲停止。
然后,如图17C中所例示,连接电极300被设置并且与焊盘110连接。连接电极300被设置在第一基板100和第二基板200中的每一个的侧表面处。连接电极300与焊盘110的侧表面、焊盘110的下表面和辅助电极150的侧表面接触。
图18A、图18B和图18C例示了根据本发明的另一实施方式的制造显示装置的工序,其例示了制造图12的显示装置的工序。
首先,如图18A中所例示,通过对将第一基板100和第二基板200接合而获得的接合基板进行切割来制造单位显示面板。
焊盘110被设置在第一基板100上,并且第一绝缘层131被设置在焊盘110上。另外,辅助电极150被设置在第一绝缘层131上,并且第二绝缘层132被设置在辅助电极150上。在这种情况下,第一绝缘层131的端部未延伸到焊盘110的端部,据此辅助电极150的下表面与焊盘110的端部的上表面直接接触。另外,焊盘110、辅助电极150和第二绝缘层132中的每一个的端部可以彼此对应。特别地,焊盘110、辅助电极150和第二绝缘层132中的每一个的端部可以与第一基板100的端部对应。
此外,尽管未示出,然而第一接触孔(CH1)可以被设置在第一绝缘层131中,并且辅助电极150和焊盘110可以经由第一接触孔(CH1)彼此连接,以因此获得图11的显示装置。另外,尽管未示出,然而第一基板100可以形成在图13和图14的结构中,以因此获得图13和图14的显示装置。
遮光层210和涂覆层230被设置在第二基板200的下表面上,并且防光泄漏图案270被设置在第二基板200的上表面上。
第一基板100和第二基板200通过使用密封剂250彼此接合。密封剂250可以未延伸到第一基板100和第二基板200中的每一个的端部。因此,可以存在在第一基板100与第二基板200之间没有密封剂250的区域。
然后,如图18B中所例示,焊盘110的端部从第一基板100的上表面剥落并分离,据此焊盘110、辅助电极150和第二绝缘层132在没有密封剂250的区域中向上弯曲。
可以通过使研磨设备600旋转以与第一基板100的侧表面和焊盘110的侧表面接触来执行使焊盘110的端部与第一基板100分离的工序。随着研磨设备600被旋转,第一基板100的侧表面和焊盘110的侧表面被研磨,并且焊盘110与第一基板100分离。随着研磨设备600被附加地旋转以与第二基板200的侧表面接触,第二基板200的侧表面被附加地研磨。
然后,如图18C中所例示,连接电极300被设置并且与焊盘110连接。连接电极300被设置在第一基板100和第二基板200中的每一个的侧表面处。连接电极300与焊盘110的侧表面、焊盘110的下表面和辅助电极150的侧表面接触。
根据本发明的一个实施方式,连接电极在第一基板和第二基板中的每一个的侧表面处与焊盘连接,据此柔性电路膜被附接至第一基板和第二基板中的每一个的侧表面。因此,可以不需要将第一基板延伸到第二基板之外,以便将焊盘的上表面暴露于外部,据此边框区域与相关技术相比被减小。另外,第一基板的一个端部至少基本上与第二基板的一个端部对应,并且第一基板的另一端部至少基本上与第二基板的另一端部对应,据此能够减少或者防止边框区域的高度差。
根据本发明的一个实施方式,焊盘与第一基板的上表面间隔开并且在第一基板的上表面上向上弯曲,使得在焊盘的下表面与第一基板的上表面之间产生空的空间。连接电极可以被部分地设置在空的空间中。因此,连接电极与焊盘的侧表面接触,并且还与焊盘的下表面接触,以因此改进连接电极与焊盘之间的连接属性。
根据本发明的一个实施方式,在第二基板上设置阻挡件。因此,当焊盘和绝缘层弯曲时,它们的弯曲程度通过使用阻挡件来控制,以因此减少或者防止绝缘层内部的裂纹或破碎部分,并且此外减少或者防止焊盘中的裂纹。
根据本发明的一个实施方式,在焊盘的上表面上依次设置绝缘层和辅助电极,其中,绝缘层的端部与焊盘的端部相比离第一基板的端部相对远,使得辅助电极的下表面与焊盘的端部的上表面直接接触。因此,绝缘层未弯曲或者略微地弯曲,使得能够减少或者防止绝缘层内部的裂纹或破碎的部分,并且此外减少或者防止焊盘和辅助电极中的裂纹。
对于本领域的技术人员而言将显而易见的是,能够在不背离本发明的精神或范围的情况下在本发明中做出各种修改和变型。因此,本发明旨在涵盖对本发明的落入所附的权利要求及其等同物的范围内的修改和变型。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年4月29日提交的韩国专利申请No.10-2016-0053020和于2015年6月29日提交的韩国专利申请No.10-2015-0091910的权益,所述韩国专利申请全部都通过引用并入到本文中,如同在本文中充分阐述一样。
Claims (18)
1.一种显示装置,该显示装置包括:
第一基板和第二基板,该第一基板和该第二基板彼此面对;
焊盘,该焊盘在所述第一基板上并且在所述第二基板下方;以及
连接电极,该连接电极与所述焊盘电连接,
其中,所述焊盘的一个端部与所述第一基板的上表面分离,并且所述连接电极的至少一部分设置在所述焊盘的所述一个端部与所述第一基板的所述上表面之间的空间中,使得所述连接电极与所述焊盘的侧表面和所述焊盘的下表面接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一基板的端部在所述焊盘与所述连接电极之间的接触部处与所述第二基板的端部基本上对应。
3.根据权利要求1所述的显示装置,该显示装置还包括柔性电路膜,该柔性电路膜与所述连接电极电连接并且被附接至所述第一基板的侧表面和所述第二基板的侧表面,其中,所述连接电极与所述第一基板的侧表面和所述第二基板的侧表面接触。
4.根据权利要求1所述的显示装置,该显示装置还包括位于所述第二基板上的遮光层和位于所述遮光层上的涂覆层,其中,所述遮光层被布置在所述涂覆层与所述连接电极之间,以便使所述遮光层与所述连接电极隔离。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述焊盘的所述端部被设置在弯曲结构中,并且所述显示装置还包括位于所述第二基板上的阻挡件,该阻挡件用于控制所述焊盘的所述端部的弯曲程度。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述阻挡件与所述焊盘的与所述第一基板的上表面分离的所述端部交叠。
7.根据权利要求1所述的显示装置,该显示装置还包括位于所述焊盘上的绝缘层以及位于所述绝缘层上并且与所述焊盘电连接的辅助电极,其中,所述连接电极与所述辅助电极的侧表面接触。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述绝缘层的一个端部与所述焊盘的所述端部相比离所述第一基板的一个端部更远,并且所述辅助电极的下表面与所述焊盘的所述端部的上表面接触。
9.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述绝缘层的一个端部与所述焊盘的所述端部相比离所述第一基板的一个端部更远,并且所述连接电极附加地与所述焊盘的上表面接触。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述连接电极与所述辅助电极的上表面附加地接触。
11.根据权利要求1所述的显示装置,该显示装置还包括位于所述第一基板与所述焊盘之间的导电残余,其中,所述连接电极附加地与所述导电残余接触。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一基板和所述第二基板通过密封剂彼此接合,并且所述密封剂的一个端部与所述焊盘的所述端部相比离所述第一基板的一个端部更远。
13.一种制造显示装置的方法,该方法包括以下步骤:
对通过密封剂彼此接合的第一基板和第二基板进行切割,其中,焊盘被布置在所述第一基板上并且在所述第二基板下方;
使所述焊盘的一个端部与所述第一基板的上表面分离;以及
在所述第一基板和所述第二基板中的每一个的侧表面处设置与所述焊盘电连接的连接电极,
其中,所述连接电极的至少一部分设置在所述焊盘的所述一个端部与所述第一基板的所述上表面之间的空间中,使得所述连接电极与所述焊盘的侧表面和所述焊盘的下表面接触。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,使所述焊盘的所述端部与所述第一基板的上表面分离的工序包括以下步骤:使研磨设备旋转,以与所述第一基板的侧表面和所述焊盘的侧表面接触。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,使所述研磨设备旋转的工序包括以下步骤:在所述第一基板与所述焊盘之间的区域中设置导电残余。
16.根据权利要求13所述的方法,该方法还包括以下步骤:去除绝缘层的预定部分,以便在使所述焊盘的所述端部与所述第一基板的上表面分离的工序与设置所述连接电极的工序之间使所述焊盘的所述端部的上表面暴露,其中,所接合的第一基板和第二基板附加地包括设置在所述焊盘上的所述绝缘层。
17.根据权利要求13所述的方法,其中,所接合的第一基板和第二基板附加地包括位于所述第二基板上的阻挡件,并且使所述焊盘的所述端部与所述第一基板的上表面分离的工序包括以下步骤:通过经由所述阻挡件调整弯曲程度来在所述焊盘的所述端部中形成弯曲结构。
18.根据权利要求13所述的方法,其中,所接合的第一基板和第二基板附加地包括位于所述焊盘上的绝缘层、以及设置在所述绝缘层上并且与所述焊盘电连接的辅助电极,并且
其中,所述绝缘层的一个端部与所述焊盘的所述端部相比离所述第一基板的一个端部更远,并且所述辅助电极的下表面与所述焊盘的所述端部的上表面接触。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20150091910 | 2015-06-29 | ||
KR10-2015-0091910 | 2015-06-29 | ||
KR1020160053020A KR102584326B1 (ko) | 2015-06-29 | 2016-04-29 | 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR10-2016-0053020 | 2016-04-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106297566A CN106297566A (zh) | 2017-01-04 |
CN106297566B true CN106297566B (zh) | 2019-09-27 |
Family
ID=57600963
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610488325.8A Active CN106297566B (zh) | 2015-06-29 | 2016-06-28 | 显示装置及其制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10310341B2 (zh) |
KR (1) | KR102698003B1 (zh) |
CN (1) | CN106297566B (zh) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102378891B1 (ko) * | 2015-09-18 | 2022-03-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
KR102626385B1 (ko) * | 2016-06-08 | 2024-01-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조방법 |
CN106773190A (zh) * | 2017-03-30 | 2017-05-31 | 深圳市极而峰工业设备有限公司 | Lcd立面邦定装置 |
KR102413716B1 (ko) * | 2017-09-25 | 2022-06-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시패널 |
KR102111045B1 (ko) * | 2017-10-31 | 2020-05-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR102522706B1 (ko) * | 2017-11-17 | 2023-04-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102430794B1 (ko) * | 2017-11-30 | 2022-08-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102456493B1 (ko) * | 2017-12-21 | 2022-10-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR20190083027A (ko) | 2018-01-02 | 2019-07-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시패널 및 그 제조방법 |
TWI642044B (zh) * | 2018-01-09 | 2018-11-21 | 友達光電股份有限公司 | 電子裝置及其製造方法 |
KR102569936B1 (ko) | 2018-02-06 | 2023-08-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
TWI648574B (zh) * | 2018-02-22 | 2019-01-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
KR102600528B1 (ko) * | 2018-06-18 | 2023-11-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102652452B1 (ko) * | 2018-06-29 | 2024-03-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조 방법 |
TWI674466B (zh) * | 2018-07-30 | 2019-10-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板及其製造方法 |
KR20200019813A (ko) * | 2018-08-14 | 2020-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
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CN109658831B (zh) * | 2018-12-20 | 2021-05-04 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
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2016
- 2016-06-21 US US15/188,503 patent/US10310341B2/en active Active
- 2016-06-28 CN CN201610488325.8A patent/CN106297566B/zh active Active
-
2019
- 2019-04-18 US US16/388,279 patent/US10663816B2/en active Active
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2023
- 2023-09-25 KR KR1020230128052A patent/KR102698003B1/ko active IP Right Grant
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---|---|
KR102698003B1 (ko) | 2024-08-22 |
US10310341B2 (en) | 2019-06-04 |
US20190243179A1 (en) | 2019-08-08 |
US10663816B2 (en) | 2020-05-26 |
CN106297566A (zh) | 2017-01-04 |
US20160377905A1 (en) | 2016-12-29 |
KR20230144494A (ko) | 2023-10-16 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |