CN106133516A - 借助振动体传感器确定蒸气浓度的设备和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种设备和方法，用于确定体积空间(2)内的蒸气的浓度或分压、尤其确定或调控由运载气输送经过体积空间(2)的蒸气的质量流量，其中，体积空间(2)借助加热器(8)能被加热到蒸气的冷凝温度之上，具有传感器(1)，提供取决于蒸气浓度或蒸气分压的传感器信号。为了在这种设备或方法、尤其用于沉积OLED层的方法中提供用于确定蒸气浓度的传感器，其传感器信号不受运载气影响或至少略受运载气影响，在此规定，传感器(1)具有置于振荡中的振动体，其振荡频率受到在振动体的表面上由冷凝的蒸气形成的物质累积的影响，其中，振动体具有温度控制装置，借此能够使振动体处在蒸气的冷凝温度之下的温度，其中，分析装置根据振荡频率的随时间的变化得出浓度或分压。

Description

借助振动体传感器确定蒸气浓度的设备和方法
本发明涉及一种设备和方法，用于确定体积空间内的蒸气的浓度、尤其用于确定或调控由运载气输送经过体积空间的蒸气的质量流量，其中，所述体积空间借助加热器能够被加热到蒸气的冷凝温度之上的温度，所述设备具有传感器，所述传感器提供取决于蒸气浓度的传感器信号。
DE 10 2011 051 931 A1记载了一种OLED(有机发光二极管)涂覆装置。在沉积反应器中有基座，基座表面被冷却并承载待涂覆的基板。从被加热到冷凝温度之上的进气机构中，将运载气蒸气混合物供给到处理室中。蒸气冷凝在基板表面上，其中该层的质量一方面取决于处理室中的蒸气浓度(分压)，另一方面还取决于基板表面的温度。在用于在基板上沉积OLED层的方法中，希望在处理室中保持蒸气流动速率不随时间变化。蒸气是在蒸气发生器中通过固态或液态原料的热量加载而产生的。该原料可作为气溶胶被送入蒸发体积空间中。该蒸发体积空间被运载气流动穿过，用运载气将蒸气送入处理室中。运载气经由质量流量控制器被供入到蒸发装置的管道系统中。使用第二传感器获得受蒸气浓度(分压)影响的传感器信号。
由WO 2010/130775 A1、US 2006/0179918 A1和US 8,215,171 B1已知所谓的QCM传感器(石英晶体微天平Quartz crystal microbalance)。这些传感器被用于真空蒸发装置，所谓的VTE系统(真空热蒸发Vacuum thermal evaporation)中。QCM传感器由石英晶体构成，该石英晶体在其谐振频率下被激发成振动。在蒸发时，例如在为物体气相喷镀金属如金或者还在为物体气相喷镀非金属时，一定蒸气量冷凝在一段由石英形成的振动体的表面上。振动体在现有技术中保持在约50℃的温度。在涂覆过程中，冷凝层在振动体表面上生长。该附加物质使振动体失谐，从而频率随时间变化。这根据所谓的SAUERBREY方程式进行。在该QCM传感器的已知应用中，当该振荡体频率达到预定的最终值时涂覆过程结束。
在一定数量的涂覆过程后，传感器必须要么更换要么清洗，由此保持其振动能力，因为这些沉积在石英晶体上的层不仅影响频率而且影响振幅，原因是它们具有阻尼作用。
市场销售的QCM传感器在设计上不允许在明显大于50℃的高温下应用。
本发明要解决的技术问题在于，在这种设备或方法中，尤其是在用于沉积OLED层的方法中，提供一种用于确定蒸气浓度的传感器，该传感器的传感器信号不受运载气影响或至少仅略受运载气影响。
该技术问题通过按照权利要求的方法和按照权利要求的设备解决。
首先规定，使用QCM传感器作为传感器，即，具有能够处于振荡中的振动体的传感器，该振动体的振荡频率受到在振动体表面上由冷凝的蒸气形成的物质累积、特别是层的影响。振荡体频率一方面取决于层的厚度另一方面取决于层的质量，即，层的物理和化学特性。传感器被布置在运载气流输送蒸气穿过的体积空间中。通过由振动体形成的振荡体的谐振频率随时间的变化速率能够推导出在该体积空间内的蒸气浓度(分压)的数值。根据受控地供给到体积空间中且流经体积空间的运载气的流动速率能够获取蒸气的流动速率。
本发明另外涉及这种传感器在OVPD(有机气相沉积)涂覆装置的供气过程中的应用，该涂覆装置具有沉积反应器，可冷却的基座被布设在沉积反应器中用于容纳一个或多个待涂覆的基板。本发明因此还涉及用于蒸发液态或固态原料的设备，该设备具有可加热的蒸发器，运载气的输入流通过入口进入到蒸发器中，该运载气流动经过蒸发器并与经原料蒸发产生的蒸气一起作为输出流从蒸发器中经由出口离开。沿流动方向在入口前布设第一传感器，其用于测取对应于输入流的质量流量的第一数值。本发明涉及第二传感器的扩展设计，其用于测取与蒸气分压相关的第二数值。使用分析装置的或调节器的计算装置，通过关联这两个数值得出与输出流中输送的蒸气的分压对应的数值。根据本发明，从OCM传感器的振荡频率随时间的变化中得到第二数值。使用相对应的用于产生在运载气中输送的蒸气的方法则能够获取被供给到OVPD涂覆设备的处理室中的蒸气的质量流量。因此，传感器可用作闭合的控制回路的组成部分，因为借此能够实现0.1秒或更少的响应时间。传感器的传感器信号被传送给调节器，该调节器可控制运载气的蒸发速率或质量流量。通过蒸气生成速率或运载气流量的变化能够以较高的准确度调节蒸气的输送速率并保持其恒定。传感器所处的体积空间可被加热至大于200℃、尤其大于350℃的温度并且加热最高至450℃的温度。当传感器温度应当大于160℃和优选地还大于180℃时，由正磷酸镓(GaPO4)构成的传感器晶体被证明是最佳的。生长速率(蒸气以该生长速率在振动体表面上冷凝)和层的物理特性取决于冷凝温度。有利的是，传感器温度仅略微处于冷凝温度之下。在该体积空间内的温度明显高于蒸气的冷凝温度，但是低于分解温度(蒸气在该分解温度下能够被化学分解)。传感器表面的温度可保持在这样的温度，该温度比蒸气的冷凝温度或比该体积空间中在蒸气的冷凝温度之上的气体温度低约50°。该层在振动体表面上的生长速率影响了振动频率的变化。经由校正因子将可能的非线性关系考虑在内。传感器优选地布设在输送蒸气的气体流内。传感器表面因此被施加以相对高的蒸气浓度。传感器的表面温度被这样调节，使得调节出尽可能低的生长速率，从而传感器可以在较长时间内运行。特别有利的是，传感器能够被加热到在蒸气的冷凝温度之上的温度。传感器尤其能够被加热到200至450℃范围内的气体体积的温度。在如此升高的温度下，振动体表面的涂覆层再次蒸发，从而能够在原位清洗传感器。可以使用两个传感器。这两个传感器分别与调节器关联并能够交替地使用。用于控制或用于确定该体积空间中的蒸气浓度的传感器借助温度控制装置冷却。温度控制装置可具有被冷却液流经的冷却液通道。振动体可布设在具有所述冷却通道的壳体中，其中冷却通道优选地这样布置，使得仅有振动体和尤其仅有其暴露于蒸气的表面被冷却。在使用两个传感器时，不用于控制的传感器不被冷却。振动体的活性表面因此处于这样的温度，在该温度下活性表面的涂覆层能够蒸发。在优选的设计方式中，传感器壳体具有闭锁器，使用闭锁器可以闭锁位于振动体的活性表面之前的开口，从而该活性表面不暴露于蒸气。通过经由将传感器加热至高于冷凝温度的温度来循环清洗传感器表面，使用寿命能够相对于QCM传感器的使用寿命升高100倍，正如其根据前述现有技术所应用的那样。根据本发明的传感器可在0.1至10毫巴的总气压下使用。传感器的使用温度为200至400℃。运载气中的蒸气可具有0.1至10％的质量比例。蒸气在测量单元内的质量浓度通过振动体的振动频率的变化速率获得。前述DE 10 2011 051 931 A1、DE 10 2011 051 261 A1和DE 102011 051 260 A1描述了用于控制蒸气产生速率的方法和装置，所述控制一方面通过改变待蒸发物质的输送效率且另一方面通过改变蒸发温度来实现。这三个文献的尤其涉及控制方法和控制装置的特征被全部包含在本申请的公开内容中。根据本发明，用于控制蒸气产生速率的优选控制器包括两个控制回路。使用第一控制回路是平均的蒸气产生速率保持在预定的平均值上，该第一控制回路具有较大的时间常数，即为一种“缓慢”调节器。这通过改变待蒸发物质的输送效率实现。待蒸发物质的平均输送效率长期地对应于平均的蒸气产生速率。使用第二控制回路来补偿实时的蒸气产生速率从平均值的短时间的偏差，该第二控制回路与第一控制回路相比具有较小的时间常数，即为一种“快速”调节器。当用于输送待蒸发物质、即优选待蒸发粉末的输送装置具有机械的、旋转运行的驱动器或输送器时，短时间的偏差例如可具有周期性的性质。然而，对输送效率的恒定性的短期干扰也可基于待蒸发粉末的不均匀性。这些短期变化通过提高或降低蒸发温度得以补偿，其中，用第一控制回路这样调节输送效率，使得蒸发温度既可向上又可向下变化。蒸发温度向下由冷凝温度限制边界并且向上由待蒸发物质的分解温度限制边界。用第一控制回路这样调节输送效率，使得蒸发温度在平均时间内大致处于上限温度和下限温度之间的中央。
接下来借助附图阐述本发明的实施例。其中：
图1示出了OLED涂覆装置的结构示意图，和
图2示出了图1中所示的QCM传感器的结构示意图。
图1中示出的涂覆装置具有沉积反应器9。沉积反应器9是一种气密性容器，其中具有处理室，处理室中能够调节0.1至100毫巴的总压。尤其地，在那里可调节0.1至10毫巴的调控总压。在沉积反应器9内存在基座12，其具有冷却液可流动穿过的冷却通道15，以将基座12保持在限定的沉积温度。在基座的顶侧上放置待涂覆的基板11。
在基座12上方具有莲蓬头状的进气机构10，通过该进气机构10可将蒸气运载气混合物导入到布设在基座12和进气机构10之间的处理室中。进气机构10被保持在蒸气的冷凝温度之上的温度，从而将气态原料送入处理室中且蒸气可沉降在基板11上。蒸气的冷凝物形成OLED层。
进气机构10借助蒸气供给管路14供应生成于蒸气发生器2、3、4中的运载气蒸气混合物。借助加热器8将蒸气发生器2、3、4和蒸气供给管路14保持在高于蒸气冷凝温度但低于蒸气分解温度的温度下。
借助质量流量控制器7将限定流量的运载气、如氮气经由形成入口的管道13导入到蒸发器2、3、4中。
在本实施例中，蒸发器具有喷射腔，喷射器4通入到喷射腔中，使用喷射器4将待蒸发的固体或待蒸发的液体作为气溶胶送入到喷射腔中。气溶胶到达热的蒸发体3中，在那里气溶胶蒸发。通过输送装置将液体或固体从储存容器中运出。喷射器4可以是气溶胶生成器5的一部分，使用气溶胶生成器5将固体或液体作为气溶胶供应到运载气流中。固态或液态的待蒸发原料的输送速率或运载气的质量流量由调节器6预设。
在蒸发体3中，给待蒸发固体或待蒸发液体、特别是所生成的气溶胶供热，以使所述固体或液体改变它们的聚集状态。原料作为被运输在运载气中的蒸气经由形成排出口的管道14离开蒸发体3。原料到达其中存在感应元件1的体积空间2内，该感应元件1能够确定蒸气在体积空间2内的质量浓度或分压。由此能够从质量流量控制器7中设定的运载气质量流确定穿过与体积空间2邻接的管道14、即排出管的运载气的质量流量。
作为输入变量，调节器6要么获得传感器1的传感器信号要么获得由传感器信号1通过测量值转换得到的、与蒸气质量流量成正比例的测量信号。
通过改变待蒸发固体或待蒸发液体的输送速率或者通过改变待蒸发物质的蒸发温度和改变供入质量流量控制器7中的质量流量值，蒸气的质量流量得以调节并可保持不随时间变化。
图2中示出的传感器1具有壳体24。壳体24具有开口21。该开口能够借助闭锁件22闭锁。图2中用虚线示出闭锁位置。开口21的底部由正磷酸镓或类似材料的晶体的活性表面18形成。借助温度控制装置19使晶体17保持在比体积空间2的温度更低的温度下。在体积空间2的温度处于蒸气的冷凝温度之上、确切的说尤其处于350℃之上时，晶体17的温度和尤其活性表面18的温度处于比蒸气的冷凝温度低的温度、确切的说例如处于300℃。其结果是，在表面18上沉积了随时间推移变得更厚的层。该层是冷凝的蒸气。
借助未示出的电励磁装置，晶体17形成振荡回路。该振荡回路的谐振频率由晶体17的物理性能决定。然而，活性表面18上的物质累积也影响谐振频率。经冷凝的层在活性表面上形成了导致减振和导致谐振频率失谐的物质累积。例如，谐振频率可随着层厚增长而降低。晶体17的振荡频率因此是对沉积在活性表面18上的层的厚度的量度。因此，该频率的变化速率是对该体积空间内的蒸气浓度(分压)的量度，因为，沉积速率、即沉积在活性表面18上的层的生长速率取决于蒸气浓度。
不过，沉积在活性表面18上的层的生长速率也取决于晶体17的温度或活性表面18的温度。为了确保传感器的尽可能长的使用时间，活性表面的温度被设成仅略微低于冷凝温度。例如，活性表面18的温度可比蒸气的冷凝温度低50℃。这样的高温不仅导致低生长速率，而且导致密实或坚实的层的形成。所沉积的层是以最小的位置缺陷密度、即构成该层的分子的最密实的堆积而形成的。这导致晶体17的振荡行为的衰减。此外，较低的生长速率抑制了运载气对生长速率的扩散影响。
蒸气由芳族烃组成，这些芳族烃作为固体具有比金属或其它无机材料更高的弹性。
根据本发明的方法中，借助之前描述的传感器1能够选择性地确定蒸发的有机原料在运载气中的质量浓度。作为运载气，例如使用N2。这在200℃之上的高温和在0.1至10毫巴的气压下实现。蒸气在蒸气运载气混合物中的含量可为0.1至10％。传感器1达到小于0.1秒的响应时间。作为控制回路的一部分，可用传感器1保持蒸气进料速率不随时间变化。
因为根据本发明的传感器可通过将活性表面18加热至冷凝温度之上的温度来自动且原位清洗，所以本发明的优选变型具有两个或更多个这样的传感器1，这些传感器能够任选地用于调控。将用于调控的传感器通过进入管/排出管20用供应至温度控制装置的冷却通道15中的冷却液冷却到蒸气的冷凝温度之下的温度。传感器频率通过电导线23供给调节器6。开口21打开。
不用于调控的传感器1不进行冷却。其活性表面18具有处于蒸气的冷凝温度之上的温度，从而在那里形成的层可蒸发或从而在那里不生长层。但是，开口21也可用闭锁件22闭锁。
调节器6提供两个调节变量。用第一调节变量调节待蒸发物质、特别是待蒸发粉末的输送效率。例如，这可通过控制用来将粉末供给气溶胶生成器的螺旋输送器的转速实现，用该气溶胶生成器将粉末送入到气流中，该气流对准蒸发器表面。用第二调节变量调节蒸发器表面的温度。一定量的待蒸发粉末可以粘附在蒸发表面上并由此形成储存。借助这种储存可通过改变蒸发温度短期性地改变蒸气产生速率。蒸气产生速率的长期性变化通过控制输送速率实现，其中以该输送速率将待蒸发物质送入到蒸发器中。
调节器6因此包括两个控制回路。用具有较大的时间常数的第一控制回路调控待蒸发物质的输送效率。这样调节输送效率，使得平均的蒸气产生速率保持在预定的规定值上。用第二控制回路改变蒸发温度。第二控制回路具有相对于第一控制回路的时间常数较小的时间常数。用该第二控制回路可通过改变蒸发温度应对蒸气产生速率的短暂偏离。例如可通过降低蒸发温度来减小蒸发效率。由此可在蒸发器上收集储存物质。通过升高蒸发温度可蒸发该储存物质，以应对输送效率的短暂下降。
在这里使用的调控方法或待应用的调控装置记载于DE 10 2011 051 261 A1、DE10 2011 051 260 A1和DE 10 2011 051 931 A1，这些文献属于本申请的公开内容。
前述实施方式用于阐述总体上包含本发明的申请，其通过以下特征组合分别独立地改进了现有技术，即：
一种设备，其特征在于，所述传感器1具有能够置于振荡中的振动体17，其振荡频率受到在振动体17的表面18上由冷凝的蒸气形成的物质累积的影响，其中，所述振动体17具有温度控制装置19、20，通过所述温度控制装置19、20能够使所述振动体17处在蒸气的冷凝温度之下的温度，其中，分析装置根据振荡频率的随时间的变化得出所述浓度或分压。
一种方法，其特征在于，所述传感器1具有处于振荡的振动体17，其振荡频率受到在振动体17的表面18上由冷凝的蒸气形成的物质累积的影响，其中，借助温度控制装置19、20使所述振动体17处在蒸气的冷凝温度之下的温度，并且由振荡频率的随时间的变化得出所述浓度或分压。
一种设备或方法，其特征在于，所述温度控制装置19、20是冷却器，所述振动体17借此被冷却。
一种设备或方法，其特征在于，所述振动体17是由正磷酸镓GaPO4构成的晶体。
一种设备或方法，其特征在于，借助供应装置7将运载气供给到蒸发器2、3、4中，在所述蒸发器2、3、4中通过热量加载使液体或固体成为气态，其中，调节器6能够改变运载气的流动速率和/或蒸发器2、3、4的蒸气产生速率，所述调节器6与传感器1一起形成闭合的控制回路。
一种设备或方法，其特征在于，用于调控蒸气产生速率的调节器6具有两个控制回路：一个是具有较大的时间常数的第一控制回路，借助所述第一控制回路通过改变待蒸发物质的输送效率将平均的蒸气产生速率调控到预设的平均值，并且一个是具有较小的时间常数的第二控制回路，借助所述第二控制回路通过改变蒸发温度来补偿实时的蒸气产生速率与所述平均值的短期性偏差。
一种设备或方法，其特征在于，所述传感器1和蒸发器2、3、4是OVPD涂覆装置的供气单元的一部分，所述OVPD涂覆装置具有沉积反应器9，能够被冷却的基座12布设在沉积反应器9中，用于容纳一个或多个待涂覆的基板11，其中，运载气的输入气流通过输入管13进入到所述蒸发器2、3、4中，运载气流经所述蒸发器2、3、4并且与在蒸发器2、3、4中通过原料的蒸发而产生的蒸气一起作为输出流从所述蒸发器2、3、4经由供给管路14输出，其中，借助布设在入口前的感应元件7检测输入流的质量流量，并且借助传感器1检测与蒸气分压相关的数值，其中，借助计算装置通过关联这两个数值得出与输出流中输送的蒸气的质量流量对应的数值。
一种设备或方法，其特征在于，所述传感器1能够加热最高至450℃的温度。
一种设备或方法，其特征在于，所述表面18能够借助闭锁件22被闭锁。
一种设备或方法，其特征在于，使用两个结构相同的传感器1，其中，一个传感器1保持在蒸气的冷凝温度之下的温度且尤其保持在体积空间2的温度之下的温度，并且另一传感器1保持在该冷凝温度之上的温度且尤其保持在体积空间2的温度。
一种设备或方法，其特征在于，所述传感器1保持在大于160℃、优选地大于180℃的温度，并且特别优选地保持在比体积空间2的温度低50℃的温度，和/或所述体积空间2的温度大于200℃、大于350℃且尤其小于450℃。
一种设备或方法，其特征在于，为了清洗而将所述传感器1加热至蒸气的冷凝温度之上的温度，从而蒸发掉传感器表面上形成的冷凝物。
一种设备或方法，其特征在于，所述体积空间2内的总压在0.1至10毫巴的范围内，和/或蒸气在运载气中的质量浓度在0.1至10％的范围内。
所有公开的特征(本身及其相互组合)都有发明意义或发明价值。在本申请的公开文件中，所属/附属的优先权文本(在先申请文件)的公开内容也被完全包括在内，为此也将该优先权文本中的特征纳入本申请的权利要求书中。从属权利要求的特征都是对于现有技术有独立发明意义或价值的改进设计，尤其可以这些从属权利要求为基础提出分案申请。
附图标记清单
1 传感器
2 体积
3 蒸发体
4 喷射器
5 气溶胶生成器
6 调节器
7 质量流量调控器、质量流量控制器
8 加热器
9 沉积反应器
10 进气机构
11 基板
12 基座
13 输入管
14 蒸气供给管路
15 冷却通道
16 气体出口
17 晶体
18 表面
19 温度控制装置
20 输入管/输出管
21 开口
22 闭锁件
23 导线
24 壳体

Claims (15)

1.一种设备，用于确定体积空间(2)内的蒸气的浓度或分压、尤其用于确定或调控由运载气输送经过体积空间(2)的蒸气的质量流量，其中，所述体积空间(2)借助加热器(8)能够被加热到蒸气的冷凝温度之上的温度，所述设备具有传感器(1)，所述传感器(1)提供取决于蒸气浓度或蒸气分压的传感器信号，其特征在于，所述传感器(1)具有能够置于振荡中的振动体(17)，其振荡频率受到在振动体(17)的表面(18)上由冷凝的蒸气形成的物质累积的影响，其中，所述振动体(17)具有温度控制装置(19、20)，通过所述温度控制装置(19、20)能够使所述振动体(17)处在蒸气的冷凝温度之下的温度，其中，分析装置根据振荡频率的随时间的变化得出所述浓度或分压。
2.一种方法，用于确定体积空间(2)内的蒸气的浓度或分压、尤其用于确定或调控由运载气输送经过体积空间(2)的蒸气的质量流量，其中，所述体积空间(2)借助加热器(8)被加热到蒸气的冷凝温度之上的温度，所述方法使用传感器(1)，所述传感器(1)提供取决于蒸气浓度或蒸气分压的传感器信号，其特征在于，所述传感器(1)具有处于振荡的振动体(17)，其振荡频率受到在振动体(17)的表面(18)上由冷凝的蒸气形成的物质累积的影响，其中，借助温度控制装置(19、20)使所述振动体(17)处在蒸气的冷凝温度之下的温度，并且由振荡频率的随时间的变化得出所述浓度或分压。
3.根据权利要求1所述的设备或根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述温度控制装置(19、20)是冷却器，所述振动体(17)借此被冷却。
4.根据前述权利要求之一所述的设备或根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述振动体(17)是由正磷酸镓(GaPO4)构成的晶体。
5.根据前述权利要求之一所述的设备或根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，借助供应装置(13)将运载气供给到蒸发器(2、3、4)中，在所述蒸发器(2、3、4)中通过热量加载使液体或固体成为气态，其中，调节器(6)能够改变运载气的流动速率和/或蒸发器(2、3、4)的蒸气产生速率、例如待蒸发物质的输送效率或蒸发温度，所述调节器(6)与传感器(1)一起形成闭合的控制回路。
6.根据前述权利要求之一所述的设备或根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，用于调控蒸气产生速率的调节器(6)具有两个控制回路：一个是具有较大的时间常数的第一控制回路，借助所述第一控制回路通过改变待蒸发物质的输送效率将平均的蒸气产生速率调控到预设的平均值，并且一个是具有较小的时间常数的第二控制回路，借助所述第二控制回路通过改变蒸发温度来补偿实时的蒸气产生速率与所述平均值的短期性偏差。
7.根据前述权利要求之一所述的设备或根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述传感器(1)和蒸发器(2、3、4)是OVPD涂覆装置的供气单元的一部分，所述OVPD涂覆装置具有沉积反应器(9)，能够被冷却的基座(12)布设在沉积反应器(9)中，用于容纳一个或多个待涂覆的基板(11)，其中，运载气的输入气流通过输入管(13)进入到所述蒸发器(2、3、4)中，运载气流经所述蒸发器(2、3、4)并且与在蒸发器(2、3、4)中通过原料的蒸发而产生的蒸气一起作为输出流从所述蒸发器(2、3、4)经由供给管路(14)输出，其中，借助布设在入口前的感应元件(7)检测输入流的质量流量，并且借助传感器(1)检测与蒸气分压相关的数值，其中，借助计算装置通过关联这两个数值得出与输出流中输送的蒸气的质量流量对应的数值。
8.根据前述权利要求之一所述的设备或根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述传感器(1)能够被加热到超过160℃、尤其超过180℃并且优选最高至450℃的温度。
9.根据前述权利要求之一所述的设备或根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述表面(18)能够借助闭锁件(22)被闭锁。
10.根据前述权利要求之一所述的设备或根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，使用两个结构相同的传感器(1)，其中，一个传感器(1)保持在蒸气的冷凝温度之下的温度且尤其保持在体积空间(2)的温度之下的温度，并且另一传感器(1)保持在该冷凝温度之上的温度且尤其保持在体积空间(2)的温度。
11.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述传感器(1)保持在大于160℃、优选地大于180℃的温度，并且特别优选地保持在比体积空间(2)的温度低50℃的温度。
12.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述体积空间(2)的温度大于200℃、大于350℃且尤其小于450℃。
13.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，为了清洗而将所述传感器(1)加热至蒸气的冷凝温度之上的温度，从而蒸发掉传感器表面上形成的冷凝物。
14.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述体积空间(2)内的总压在0.1至10毫巴的范围内，和/或蒸气在运载气中的质量浓度在0.1至10％的范围内。
15.一种设备或方法，其特征在于前述权利要求的一个或多个技术特征。
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