DE102015104240A1 - Durch Aufheizen zu reinigender QCM-Sensor und dessen Verwendung in einem OVPD-Beschichtungssystem - Google Patents

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Bestimmung der Konzentration oder des Partialdruckes eines Dampfes mit einem in eine Oszillation bringbaren Schwingkörper (17), der eine dem Dampf zugewandte aktive Fläche (18) aufweist. Zur schnelleren Reinigung ist vorgesehen, dass die aktive Fläche (18) elektrisch leitend ist und elektrische Kontakte (19, 20) aufweist zum Einleiten eines elektrischen Heizstroms (I), mit dem die aktive Fläche (18) aufheizbar ist. Die elektrisch leitende Fläche (18) kann von einer elektrisch leitenden Beschichtung einer Oberfläche des Schwingkörpers (17) gebildet sein, wobei der Widerstand zwischen den Kontakten (19, 20) im Bereich zwischen 0,5 und 5 Ohm liegt.

Description

• Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Bestimmung der Konzentration oder des Partialdruckes eines Dampfes mit einem in eine Oszillation bringbaren Schwingkörper, der eine dem Dampf zugewandte aktive Fläche aufweist.
• Ein derartiger „High Temperature Microbalance Sensor Crystal” ist auf dem Markt bekannt. Der Sensor wird in Depositionseinrichtungen der PVD, CVD, ALD und OLED verwendet. Der aus GaPO₄ (Galliumphosphat) bestehende Einkristall hat piezzoelektrische Eigenschaften und kann durch Anlegen einer Wechselspannung in Oszillation von etwa 5,8 Mhz gebracht werden. Der von dem Kristall gebildete Schwingkörper besitzt eine dem Dampf zugewandte aktive Fläche, auf der der Dampf kondensieren kann. Die Kondensation/Deposition bildet eine Schicht und damit eine Massenanhäufung, die das Schwingverhalten des Schwingkörpers beeinflusst. Es ändert sich insbesondere die Frequenz des Schwingkörpers. Anhand der Frequenzänderung pro Zeit lassen sich Rückschlüsse auf die Konzentration des Dampfes in der Gasphase vor der aktiven Fläche ziehen, um den Partialdruck des Dampfes bestimmen zu können.
• Ein QCM-Sensor und dessen Verwendung beim OVPD-Verfahren wird in der DE 10 2014 102 484 beschrieben.
• Die Erfindung betrifft auch eine OLED-Beschichtungseinrichtung, wie sie in der DE 10 2011 051 931 A1 beschrieben wird. In einem Depositionsreaktor befindet sich ein Suszeptor, dessen Oberfläche gekühlt wird und ein zu beschichtendes Substrat trägt. Aus einem auf eine Temperatur oberhalb der Kondensationstemperatur eines Dampfes aufgeheizten Gaseinlassorgan wird ein Trägergas-Dampfgemisch in die Prozesskammer eingespeist. Der Dampf kondensiert auf der Oberfläche des Substrates, wobei die Qualität der Schicht einerseits von der Konzentration (dem Partialdruck) des Dampfes in der Prozesskammer, andererseits aber auch von der Temperatur der Substratoberfläche abhängt. Bei einem Verfahren zum Abscheiden von OLED-Schichten auf einem Substrat ist die Beibehaltung einer zeitlich konstanten Dampffluss-Rate in die Prozesskammer gewünscht. Der Dampf wird in einem Dampferzeuger durch Wärmebeaufschlagung eines festen oder flüssigen Ausgangsstoffes erzeugt. Der Ausgangsstoff kann als Aerosol in ein Verdampfungsvolumen gebracht werden. Das Verdampfungsvolumen wird von einem Trägergas durchströmt, mit welchem der Dampf in die Prozesskammer gebracht wird. Das Trägergas wird über einen Massenfluss-Kontroller in das Rohrleitungssystem der Verdampfungseinrichtung eingespeist. Mit einem zweiten Sensor wird ein Sensorsignal gewonnen, welches von der Konzentration (dem Partialdruck) des Dampfes beeinflusst wird.
• Aus den WO 2010/130775 A1 , US 2006/0179918 A1 und US 8,215,171 B1 sind QCM-Sensoren (Quartz crystal microbalance) bekannt. Diese Sensoren werden in Vakuum-Bedampfungsvorrichtungen, sogenannten VTE-Systemen (Vacuum thermal evaporation) verwendet. Der QCM-Sensor besteht aus einem Quarzkristall, der in seiner Resonanzfrequenz zum Schwingen angeregt wird. Bei der Bedampfung, beispielsweise der Bedampfung von Objekten mit Metallen, beispielsweise Gold, oder aber auch der Bedampfung von Objekten mit Nichtmetallen kondensiert eine gewisse Dampfmenge auf einem Abschnitt der Oberfläche des von dem Quarz gebildeten Schwingkörper. Der Schwingkörper wird beim Stand der Technik auf einer Temperatur von etwa 50°C gehalten. Während des Beschichtungsvorganges wächst eine Kondensatschicht auf der Oberfläche des Schwingkörpers auf. Diese zusätzliche Masse verstimmt den Schwingkörper, so dass sich die Frequenz zeitlich ändert. Dies erfolgt nach der sogenannten SAUERBREY-Gleichung. Bei der bekannten Verwendung dieses QCM-Sensors wird der Beschichtungsprozess beendet, wenn diese Oszillatorfrequenz einen vorbestimmten Endwert erreicht hat.
• Nach einer bestimmten Anzahl von Beschichtungsvorgängen muss der Sensor entweder ausgetauscht oder gereinigt werden, damit seine Schwingfähigkeit erhalten bleibt, da die auf dem Quarzkristall abgeschiedenen Schichten nicht nur die Frequenz, sondern auch die Amplitude beeinflussen, da sie dämpfend wirken.
• Um die Deposition beziehungsweise Kondensation von der aktiven Fläche des Schwingkörpers zu entfernen, wurde bereits vorgeschlagen, letzteren auf eine Temperatur aufzuheizen, die oberhalb der Verdampfungstemperatur des Kondensats beziehungsweise des Deponats liegt. Eine diesbezügliche Heizeinrichtung verfügt über eine Heizpatrone, mit der nicht nur der Schwingkörper, sondern auch die ihn haltende Haltevorrichtung aufgeheizt werden muss. Der Reinigungsprozess ist deshalb sehr zeitaufwendig. Unter schlechten Bedingungen kann die Zeit zur Reinigung der aktiven Fläche des Schwingkörpers länger sein, als die Zeit, die ein Beschichtungsprozess in Anspruch nimmt.
• Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Effizienz einer Beschichtungseinrichtung zu verbessern und insbesondere die Reinigungszeiten der aktiven Oberfläche des Schwingkörpers zu verringern.
• Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung.
• Die Beschichtungsvorrichtung besitzt als Sensor einen QCM-Sensor, der einen in Oszillation bringbaren Schwingkörper aufweist, dessen Oszillationsfrequenz von einer auf einer Oberfläche des Schwingkörpers von einem kondensierten Dampf gebildeten Massenanhäufung, insbesondere einer Schicht beeinflusst wird. Die Oszillatorfrequenz hängt einerseits von der Dicke und andererseits aber auch von der Qualität, also den physikalischen aber auch chemischen Eigenschaften der Schicht ab. Der Sensor sitzt in einem Volumen einer Gaszuleitung, durch welche ein Dampf insbesondere eines organischen Ausgangsstoffs von einem Trägergasstrom transportiert wird. Die zeitliche Änderungsrate der Resonanzfrequenz des vom Schwingkörper ausgebildeten Oszillators liefert Rückschlüsse auf die Dampfkonzentration innerhalb des Volumens der Zuleitung. Aus der Flussrate des kontrolliert in das Volumen eingespeisten und das Volumen der Zuleitung durchströmenden Trägergases lässt sich aus der ermittelten Dampfkonzentration beziehungsweise aus dem ermittelten Partialdruck die Flussrate des Dampfes (Masse/Zeit) zu einer Beschichtungseinrichtung ermitteln. Innerhalb weniger Minuten kann sich auf der Oberfläche des von einem Kristall gebildeten Schwingkörpers eine Massenansammlung ansammeln, die eine weitere Verwendung des Sensors ohne vorherige Reinigung nicht zulässt. Beim Stand der Technik wird der gesamte Kristall ca. 30 Minuten lang auf eine Temperatur von etwa 350°C aufgeheizt. Er muss anschließend wieder abgekühlt werden. Es muss eine große Wärmemenge (Energie) bereitgestellt werden. Die Wärme muss durch den Kristall hindurch zur aktiven, mit der zu verdampfenden Schicht belegten Oberfläche transportiert werden.
• Erfindungsgemäß besitzt der Schwingkörper eine aktive Fläche, die elektrisch leitend ist und durch die ein elektrischer Heizstrom geleitet werden kann, so dass sich nur eine unmittelbar an die Oberfläche angrenzende Schicht des Schwingkörpers aufheizen muss, um die aktive Fläche auf eine Temperatur zu bringen, bei der das Deponat beziehungsweise das Kondensat verdampft. Es reicht aus, wenn die elektrisch leitende Fläche zumindest 90 Prozent einer ebenen, durch einen Rand begrenzten Oberfläche eines prismatischen oder zylindrischen Körpers ist. Die elektrisch leitende Fläche kann von einer elektrisch leitenden Beschichtung einer Oberfläche des Schwingkörpers ausgebildet sein. Die Elektroden/Kontakte sind bevorzugt am Rand der Fläche angeordnet, so dass die maximal weit voneinander entfernt sind. Die aktive Fläche kann einen kreisrunden Umriss haben. Sie kann aber auch einen davon abweichenden Umriss besitzen. Es existiert dann auf der Oberfläche eine Strecke maximaler Länge zwischen zwei sich gegenüberliegenden Randpunkten. Die Kontakte sind bevorzugt weiter voneinander beabstandet als die Hälfte der Länge dieser Strecke. Handelt es sich bei dem Schwingkörper um einen länglichen Körper, so sind die Elektroden/Kontakte bevorzugt an den Schmalseiten angeordnet. Sie können aber auch an den Breitseiten angeordnet sein. Der Widerstand zwischen den Elektroden/Kontakten liegt bevorzugt in einem Bereich zwischen 0,5 und 5 Ohm. Die Elektroden/Kontakte sind über eine Zuleitung mit einer elektrischen Energiequelle verbunden, die einen Strom erzeugt, der durch die elektrisch leitende Schicht hindurchfließen kann, um die aktive Fläche aufzuheizen. Die zum Reinigen des Sensors erforderliche Energie ist erheblich geringer als bei der oben geschilderten Methode, bei der der gesamte Schwingkörper und die ihn haltende Haltevorrichtung aufgeheizt werden muss. Es wird lediglich die aktive Fläche und ein unmittelbar an die aktive Fläche angrenzender Volumenabschnitt des Schwingkörpers aufgeheizt. Die Beschichtung kann aus Metall, beispielsweise Gold, bestehen. Die Kontakte können auf die Beschichtung auflegiert oder gepresst oder geklebt sein. Die beschichtete Oberfläche ist dem Dampf zugewandt. Es wird als besonders vorteilhaft angesehen, dass sich im Wesentlichen nur die Oberfläche erhitzt und nicht der gesamte Kristall, beispielsweise ein Quarzkörper. Sowohl die Aufheizzeit als auch die anschließende Abkühlzeit liegt im Bereich von 1–2 Minuten. Beim Abkühlen kann die Wärme aus der aufgeheizten Oberflächen-Grenzschicht in den Schwingkörper abfließen. Die erfindungsgemäß ausgebildete Vorrichtung kann nicht nur in einer Zuleitung einer Beschichtungseinrichtung verwendet werden. Die Vorrichtung kann auch in der Beschichtungseinrichtung selbst verwendet werden, um die Dampfkonzentration beziehungsweise den Partikaldruck eines Dampfs zu messen. Die aktive, insbesondere beschichtete Oberfläche des Schwingkörpers ist dabei dem Abscheidungsprozess, beispielsweise einem Suszeptor, der ein Substrat trägt, zugewandt.
• Die Erfindung betrifft insbesondere die Verwendung eines zuvor beschriebenen Sensors bei einer Gasversorgung einer OVPD-Beschichtungseinrichtung, die einen Depositionsreaktor aufweist, in dem ein kühlbarer Suszeptor angeordnet ist zur Aufnahme ein oder mehrerer zu beschichtender Substrate. Hinsichtlich der Ausgestaltung einer derartigen Gasversorgung wird vollinhaltlich auf den Offenbarungsgehalt der DE 10 2014 102 484 verwiesen, deren Inhalt Teil der Offenbarung der vorliegenden Anmeldung ist.
• Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
• 1 schematisch den Aufbau einer OLED-Beschichtungseinrichtung,
• 2 die Draufsicht auf einen Sensor 1,
• 3 den Schnitt gemäß der Linie III-III in 2 und
• 4 eine Darstellung gemäß 3 eines zweiten Ausführungsbeispiels.
• Die in der 1 dargestellte Beschichtungseinrichtung besitzt einen Depositionsreaktor 9. Es handelt sich um einen gasdichten Behälter, in dem sich eine Prozesskammer befindet, in der ein Totaldruck von 0,1 bis 100 mbar einstellbar ist. Insbesondere ist dort ein geregelter Totaldruck von 0,1 bis 10 mbar einstellbar. Innerhalb des Depositionsreaktors 9 befindet sich ein Suszeptor 12, der Kühlkanäle 15 aufweist, durch die eine Kühlflüssigkeit fließen kann, um den Suszeptor 12 auf einer definierten Depositionstemperatur zu halten. Auf der Oberseite des Suszeptors liegt ein zu beschichtendes Substrat 11 auf.
• Oberhalb des Suszeptors 12 befindet sich ein duschkopfartiges Gaseinlassorgan 10, durch welches ein Dampf-Trägergasgemisch in die zwischen Suszeptor 12 und Gaseinlassorgan 10 angeordnete Prozesskammer eingeleitet werden kann. Das Gaseinlassorgan 10 ist auf einer Temperatur gehalten, die oberhalb der Kondensationstemperatur des Dampfes liegt, so dass ein gasförmiger Ausgangsstoff in die Prozesskammer gebracht wird und sich der Dampf auf dem Substrat 11 niederschlagen kann. Das Kondensat des Dampfes bildet eine OLED-Schicht.
• Das Gaseinlassorgan 10 wird mittels einer Dampfeinspeiseleitung 14 mit einem Trägergas-Dampfgemisch gespeist, welches in einem Dampferzeuger 2, 3, 4 erzeugt wird. Der Dampferzeuger 2, 3, 4 und die Dampfeinspeiseleitung 14 werden mittels einer Heizeinrichtung 8 auf einer Temperatur gehalten, die oberhalb der Kondensationstemperatur des Dampfes aber unterhalb der Zerlegungstemperatur des Dampfes liegt.
• Mittels eines Massenflusskontrollers 7 wird ein definierter Fluss eines Trägergases, beispielsweise Stickstoff, durch eine eine Eintrittsöffnung bildende Zuleitung 13 in den Verdampfer 2, 3, 4 eingeleitet.
• Im Ausführungsbeispiel besitzt der Verdampfer eine Injektionskammer, in die ein Injektor 4 mündet, mit dem ein zu verdampfender Festkörper oder eine zu verdampfende Flüssigkeit als Aerosol in die Injektionskammer gebracht wird. Das Aerosol gelangt in einen heißen Verdampfungskörper 3, wo es verdampft. Die Flüssigkeit oder der Festkörper wird über eine Fördereinrichtung aus einem Vorratsbehälter transportiert. Der Injektor 4 kann Teil eines Aerosolerzeugers 5 sein, mit dem der Festkörper oder die Flüssigkeit als Aerosol in den Trägergasstrom eingespeist wird. Die Förderrate des festen oder flüssigen zu verdampfenden Ausgangsstoffs beziehungsweise der Massenfluss des Trägergases wird von einem Regler 6 vorgegeben.
• In dem Verdampfungskörper 3 wird dem zu verdampfenden Feststoff oder der zu verdampfenden Flüssigkeit, insbesondere dem erzeugten Aerosol Wärme zugeführt, so dass der Festkörper oder die Flüssigkeit ihren Aggregationszustand ändert. Der Ausgangsstoff verlässt den Verdampfungskörper 3 als im Trägergas transportierter Dampf durch eine eine Austrittsöffnung bildende Leitung 14. Er erreicht das Volumen 2, in dem sich ein Sensorelement 1 befindet, welches in der Lage ist, die Massenkonzentration beziehungsweise den Partialdruck des Dampfes innerhalb des Volumens 2 zu bestimmen. Aus der im Massenflusskontroller 7 eingestellten Trägergas-Massenfluss lässt sich somit der Massenfluss des Dampfes durch die sich dem Volumen 2 anschließende Leitung 14, also der Austrittsleitung, bestimmen.
• Der Regler 6 erhält als Eingangsgröße entweder das Sensorsignal des Sensors 1 oder aber ein aus dem Sensorsignal 1 durch Messwert-Umformung gewonnenes, dem Massenfluss des Dampfes proportionales Messsignal.
• Durch Variation der Förderrate des zu verdampfenden Festkörpers oder der zu verdampfenden Flüssigkeit oder durch Variation der Verdampfungstemperatur des zu verdampfenden Stoffes und Variation des im Massenflussregler 7 eingespeisten Massenflusswertes kann der Massenfluss des Dampfes eingestellt und zeitlich konstant gehalten werden.
• Der Sensor 1 kann aber auch in dem Depositionsreaktor 9 verwendet werden, um die Dampfkonzentration beziehungsweise den Dampfpartialdruck innerhalb des Volumens zwischen Gasaustrittsöffnungen 16 und Substrat 11 zu bestimmen.
• Die 2 und 3 zeigen ein erstes Ausführungsbeispiel eines Sensors 1. Der Sensor 1 besitzt einen Kristallkörper 17, der einen Schwingkörper ausbildet. Auf der Unterseite des Kristalls 17 befinden sich Elektroden 23, 24, die an eine Oszillationseinrichtung angeschlossen sind, um dem Kristall 17 eine Schwingung von etwa 5,8 Mhz aufzuzwingen. Es handelt sich dabei um einen Piezzokristall, insbesondere um Galliumphosphat. An den Elektroden 23, 24 liegt eine Wechselspannung an, mit dem der Piezzokristall zum Schwingen angeregt wird.
• Der Kristall 17 besitzt eine Zylinderform mit einem Durchmesser von 10 bis 15 mm und einer Dicke von 0,1 bis 0,5 mm. Die den Kontakten 23, 24 gegenüberliegende Breitseite des Kristalls 17 ist mit einer elektrisch leitenden Schicht 22 beschichtet. Es kann sich dabei um eine Metallschicht handeln. Die elektrisch leitende Beschichtung 22 überdeckt mindestens 90 Prozent der Oberfläche, bevorzugt die gesamte Oberfläche. Die Beschichtung 22 erstreckt sich bevorzugt bis zum Rand 25 der Stirnseite des Kristalls 17.
• Die Beschichtung 22 besitzt eine freie Oberfläche 18. Es handelt sich dabei um die aktive Oberfläche des Sensors 1, die dem Dampf ausgesetzt ist. Auf der aktiven Oberfläche 18 kann der Dampf kondensieren, um die Oszillationsfrequenz des Sensors 1 zu beeinflussen.
• Es sind Maßnahmen vorgesehen, um die aktive Oberfläche 18 des Sensors 1 selektiv auf eine Reinigungstemperatur, beispielsweise auf 350°C aufzuheizen. Es ist aber auch möglich, die aktive Oberfläche 18 auf Temperaturen von 450°C oder sogar auf Temperaturen von bis zu 850°C aufzuheizen. Dies führt zu einer Verdampfung der Abscheidungen auf der aktiven Oberfläche 18.
• Die zur Erwärmung der aktiven Oberfläche 18 erforderliche Energie wird elektrisch bereitgestellt. Hierzu sind an voneinander entfernten Stellen auf der Beschichtung 22 elektrische Kontakte 19, 20 angeordnet, wie es die 2 zeigt. Die elektrischen Kontakte 19, 20 sind maximal weit voneinander entfernt. Sie befinden sich deshalb bevorzugt am Rand 25. Die 2 zeigt zwei parallel zueinander verlaufende Kontaktstreifen 19, 20. Bevorzugt verlaufen die Kontaktstreifen 19, 20 aber auch unmittelbar entlang des Randes 25, also bogenförmig.
• Über elektrische Zuleitungen sind die Kontakte 19, 20 mit einer elektrischen Energiequelle 21 verbunden, die in der Lage ist, einen Heizstrom I zu erzeugen. Der Heizstrom I wird über die elektrischen Kontakte 19, 20 in die elektrisch leitende Schicht 22 eingespeist. Die elektrisch leitende Schicht 22 hat einen elektrischen Widerstand, der im Bereich zwischen 0,5 und 5 Ohm liegt, so dass an den Kontakten 19, 20 eine Spannung abfällt. Elektrische Energie wird somit innerhalb der Schicht 22 in Wärme umgewandelt, was eine Erwärmung der aktiven Oberfläche 18 zur Folge hat, so dass die Abscheidungen abdampfen können.
• Es wird als besonders vorteilhaft angesehen, dass sich nur der unmittelbar an die aktive Oberfläche 18 angrenzende Volumenbereich des Sensors 1 und insbesondere des Kristalls 17 aufgeheizt wird. Bei kurzen Aufheizzeiten bildet sich ein steiler Temperaturgradient innerhalb des Kristalls 17, der nach Beendigung der Heizenergieeinspeisung ein schnelles Abkühlen der aufgeheizten aktiven Oberfläche 18 erlaubt.
• Besitzt der Kristall 17 eine geeignete elektrische Leitfähigkeit, ist das zusätzliche Aufbringen einer elektrisch leitenden Schicht 22 nicht erforderlich. Die elektrische Heizenergie kann unmittelbar in den Schwingkörper 17 über geeignete Kontakte 19, 20 eingespeist werden.
• Die 4 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung, das sich gegenüber dem ersten Ausführungsbeispiel im Wesentlichen nur hinsichtlich der Anordnung der elektrischen Kontakte 19, 20 unterscheidet. Die elektrischen Kontakte 19, 20 erstrecken sich hier über den Rand 25 der Stirnseite des Schwingkörpers 17, die vollständig mit einer elektrisch leitenden Beschichtung 22 beschichtet ist. Die Kontakte 19, 20 erstrecken sich bogenförmig beispielsweise über einen Winkel von 90° entlang des kreisförmigen Randes 25. Sie erstrecken sich bereichsweise auch über die an die Stirnfläche angrenzende Zylindermantelfläche des Schwingkörpers 17.
• Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren beziehungsweise bei der erfindungsgemäßen Verwendung wird die aktive Oberfläche eines QCM (Quarz crystal monitor), der teilweise auch heiß betrieben wird (HQCM) durch lokales Erhitzen der aktiven Fläche auf eine Temperatur, bei der darauf abgeschiedene Abscheidungen gereinigt. Dies erfolgt durch selektive Einleitung eines elektrischen Stroms in einen unmittelbar an die aktive Fläche angrenzenden Volumenbereich des Schwingkörpers 17 beziehungsweise eine auf den Schwingkörper 17 aufgebrachte elektrisch leitende Schicht 22.
• Bei einem eine entsprechende Leitfähigkeit aufweisenden Schwingkörper 17 beschränkt sich das beheizte Volumen auf die unmittelbar an die aktive Fläche 18 angrenzende Schicht.
• Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zumindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenständig weiterbilden, nämlich:
  Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die aktive Fläche 18 elektrisch leitend ist und elektrische Kontakte 19, 20 aufweist zum Einleiten eines elektrischen Heizstroms I, mit dem die aktive Fläche 18 aufheizbar ist.
• Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die elektrisch leitende Fläche 18 zumindest 90% einer ebenen, durch einen Rand 25 begrenzten Oberfläche eines prismatischen oder zylinderförmigen Körpers ist.
• Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die elektrisch leitende Fläche 18 von einer elektrisch leitenden Beschichtung einer Oberfläche des Schwingkörpers 17 gebildet ist.
• Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die beiden Kontakte (19, 20) auf der aktiven Fläche 18 um mehr als die Hälfte einer maximalen sich von einem zum anderen Rand gehenden Strecke voneinander entfernt sind.
• Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Widerstand zwischen den Kontakte 19, 20 im Bereich zwischen 0,5 und 5 Ohm liegt.
• Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Kontakte 19, 20 im Bereich zweier sich gegenüberliegenden Abschnitte einer Randkante 25 der aktiven Fläche 18 zugeordnet sind.
• Eine Verwendung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass eine beim Messen der Konzentration oder des Partialdrucks auf der aktiven Fläche 18 kondensierte Beschichtung, welche die Oszillationsfrequenz des Schwingkörpers 17 beeinflusst, durch Einleiten eines elektrischen Stroms I in die elektrisch leitende Fläche 18 und einer dadurch bewirkten Aufheizung der aktiven Fläche 18 verdampft wird.
• Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet, dass in eine unmittelbar an die aktive Fläche 18 angrenzende elektrisch leitende Schicht ein Heizstrom I eingeleitet wird, mit dem die aktive Fläche 18 auf eine Temperatur oberhalb der Verdampfungstemperatur des Kondensats/Deponats aufgeheizt wird, so dass das Kondensat/Deponat von der aktiven Fläche 18 abdampft.
• Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass ein Schwingkörper 17 aus GaPO₄ verwendet wird und insbesondere ein Schwingkörper 17, der mindestens bis zu einer Temperatur von 450°C, bevorzugt bis 850°C aufheizbar ist.
• Eine Vorrichtung, eine Verwendung oder ein Verfahren, die dadurch gekennzeichnet sind, dass die Vorrichtung zur Bestimmung der Konzentration oder des Partialdrucks eines Dampfes Teil einer OLED-Beschichtungseinrichtung ist und dazu verwendet wird, eine zeitlich konstante Dampffluss-Rate in eine Prozesskammer zu gewährleisten.
• Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen.
• Bezugszeichenliste

1

Sensor

2

Volumen

3

Verdampfungskörper

4

Injektor

5

Aerosolerzeuger

6

Regler

7

Massenflussregler, -kontroller

8

Heizeinrichtung

9

Depositionsreaktor

10

Gaseinlassorgan

11

Substrat

12

Suszeptor

13

Zuleitung

14

Dampfeinspeiseleitung

15

Kühlkanal

16

Gasaustrittsöffnung

17

Kristall

18

aktive Oberfläche

19

elektrischer Kontakt

20

elektrischer Kontakt

21

Stromquelle

22

Beschichtung

23

Elektrode

24

Elektrode

25

Rand

I

Heizstrom

• ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
• Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
• Zitierte Patentliteratur
• DE 102014102484 [0003, 0012]
• DE 102011051931 A1 [0004]
• WO 2010/130775 A1 [0005]
• US 2006/0179918 A1 [0005]
• US 8215171 B1 [0005]

Claims (11)

1. Vorrichtung zur Bestimmung der Konzentration oder des Partialdruckes eines Dampfes mit einem in eine Oszillation bringbaren Schwingkörper (17), der eine dem Dampf zugewandte aktive Fläche (18) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die aktive Fläche (18) elektrisch leitend ist und elektrische Kontakte (19, 20) aufweist zum Einleiten eines elektrischen Heizstroms (I), mit dem die aktive Fläche (18) aufheizbar ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitende Fläche (18) zumindest 90% einer ebenen, durch einen Rand (25) begrenzten Oberfläche eines prismatischen oder zylinderförmigen Körpers ist.
3. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitende Fläche (18) von einer elektrisch leitenden Beschichtung einer Oberfläche des Schwingkörpers (17) gebildet ist.
4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Kontakte (19, 20) auf der aktiven Fläche (18) um mehr als die Hälfte einer maximalen sich von einem zum anderen Rand gehenden Strecke voneinander entfernt sind.
5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Widerstand zwischen den Kontakte (19, 20) im Bereich zwischen 0,5 und 5 Ohm liegt.
6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontakte (19, 20) im Bereich zweier sich gegenüberliegenden Abschnitte einer Randkante (25) der aktiven Fläche (18) zugeordnet sind.
7. Verwendung einer Vorrichtung gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine beim Messen der Konzentration oder des Partialdrucks auf der aktiven Fläche (18) kondensierte Beschichtung, welche die Oszillationsfrequenz des Schwingkörpers (17) beeinflusst, durch Einleiten eines elektrischen Stroms (I) in die elektrisch leitende Fläche (18) und einer dadurch bewirkten Aufheizung der aktiven Fläche (18) verdampft wird.
8. Verfahren zum Reinigen der aktiven Fläche eines in eine Oszillation bringbaren Schwingkörpers (17) zur Bestimmung der Konzentration oder des Partialdrucks eines Dampfes, bei dem die Oszillationsfrequenz durch Deposition/Kondensation des Dampfes auf einer aktiven Fläche (18) beeinflusst wird, dadurch gekennzeichnet, dass in eine unmittelbar an die aktive Fläche (18) angrenzende elektrisch leitende Schicht ein Heizstrom (I) eingeleitet wird, mit dem die aktive Fläche (18) auf eine Temperatur oberhalb der Verdampfungstemperatur des Kondensats/Deponats aufgeheizt wird, so dass das Kondensat/Deponat von der aktiven Fläche (18) abdampft.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass ein Schwingkörper (17) aus GaPO₄ verwendet wird und insbesondere ein Schwingkörper (17), der mindestens bis zu einer Temperatur von 450°C, bevorzugt bis 850°C aufheizbar ist.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, Verwendung nach Anspruch 7 oder Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung zur Bestimmung der Konzentration oder des Partialdrucks eines Dampfes Teil einer OLED-Beschichtungseinrichtung ist und dazu verwendet wird, eine zeitlich konstante Dampffluss-Rate in eine Prozesskammer zu gewährleisten.
11. Vorrichtung oder Verwendung oder Verfahren, gekennzeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche.

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