WO2016150735A1 - Durch aufheizen zu reinigender qcm-sensor und dessen verwendung in einem ovpd-beschichtungssystem - Google Patents

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WO2016150735A1
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sensor
concentration
volume
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Birgit Irmgard Beccard
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Aixtron Se
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Definitions

  • the invention relates to a device for determining the concentration or the partial pressure of a vapor in a volume, in particular for determining or regulating the mass flow of the conveyed by a carrier gas through the volume of steam, wherein the volume can be heated by a heater to a temperature above the condensation temperature of the vapor with a sensor which delivers a sensor signal dependent on the concentration or the partial pressure of the vapor, the sensor having an oscillation body which can be brought into oscillation and whose oscillation frequency is influenced by a mass accumulation formed on an active surface of the oscillating body by the condensed vapor and with an off-value device which determines the concentration or the partial pressure from the temporal change of the oscillator frequency.
  • the invention further relates to the use of a sensor or a method for cleaning the active surface of a sensor in an OVPD coating system.
  • a high temperature microbalance sensor crystal is widely used in PVD, CVD, ALD and OLED deposition devices, and the GaPO 4 (gallium phosphate) monocrystal has piezoelectric properties and can be excited by applying an AC voltage in
  • the vibrating body formed by the crystal has an active surface facing the steam on which the steam can condense
  • the condensation / deposition forms a layer and thus a mass accumulation, which influences the vibration behavior of the vibrating body.
  • the frequency of the Vibration body Based on the frequency change per time, conclusions can be drawn about the concentration of the vapor in the gas phase in front of the active surface in order to be able to determine the partial pressure of the vapor.
  • a QCM sensor and its use in the OVPD method is described in DE 10 2014 102484.
  • DE 1 598 401 describes a piezoelectric crystal with molded electrical heating element. It is known to use QCM sensors with heatable sensor surface for the desorption studies while heating the temperature up to 120 ° C.
  • the invention also relates to an OLED coating device, as described in DE 10 2011 051 931 AI.
  • a deposition reactor is a susceptor whose surface is cooled and carries a substrate to be coated. From a heated to a temperature above the condensation temperature of a vapor gas inlet member, a carrier gas vapor mixture is fed into the process chamber. The vapor condenses on the surface of the substrate, the quality of the layer on the one hand depends on the concentration (the partial pressure) of the vapor in the process chamber, on the other hand, but also on the temperature of the substrate surface.
  • maintaining a temporally constant vapor flow rate in the process chamber is desired.
  • the steam is generated in a steam generator by heat treatment of a solid or liquid starting material.
  • the starting material can be brought as an aerosol into an evaporation volume.
  • the evaporation volume is traversed by a carrier gas, with which the steam is brought into the process chamber.
  • the carrier gas is introduced into the piping system of the evaporation unit via a mass flow controller. direction fed.
  • a sensor signal is obtained, which is influenced by the concentration (the partial pressure) of the steam. From WO 2010/130775 AI, US 2006/0179918 AI and US 8,215,171 Bl QCM sensors (quartz crystal microbalance) are known.
  • VTE vacuum thermal evaporation
  • the QCM sensor consists of a quartz crystal, which is excited to vibrate at its resonant frequency.
  • vapor deposition for example the vapor deposition of objects with metals, for example gold, or else the vapor deposition of objects with non-metals, a certain amount of vapor condenses on a portion of the surface of the oscillating body formed by the quartz.
  • the vibrating body is kept at a temperature of about 50 ° C in the prior art.
  • a condensate layer grows on the surface of the vibrating body. This extra mass detunes the
  • the senor After a certain number of coating operations, the sensor must either be replaced or cleaned to maintain its ability to vibrate, since the layers deposited on the quartz crystal affect not only the frequency but also the amplitude, since they have a damping effect.
  • a related heating device has a heating cartridge, with which not only the vibrating body, but also the holder holding it must be heated. The cleaning process is therefore very time consuming. Under poor conditions, the time to clean the active surface of the vibrating body may be longer than the time taken by a coating process.
  • the invention has for its object to improve the efficiency of a coating device and in particular to reduce the cleaning time of the active surface of the vibrating body.
  • the coating apparatus has as a sensor a QCM sensor which has an oscillation body which can be brought into oscillation, the oscillation frequency of which is influenced by a mass accumulation, in particular a layer, formed on a surface of the oscillating body by a condensed vapor.
  • the oscillator frequency depends on the one hand on the thickness and on the other hand on the quality, so the physical but also chemical properties of the layer.
  • the sensor is seated in a volume of a gas feed line through which a vapor, in particular of an organic starting material, is transported by a carrier gas stream. The time rate of change of the resonant frequency of the oscillator formed by the oscillator provides conclusions about the vapor concentration within the volume of the supply line.
  • the flow rate of the vapor (mass / time) can be converted into a coating device from the determined vapor concentration or from the determined partial pressure. auxiliaries. Within a few minutes, a mass accumulation may accumulate on the surface of the oscillating body formed by a crystal, which does not permit further use of the sensor without prior purification. In the prior art, the entire crystal is heated for about 30 minutes to a temperature of about 350 ° C. He must then be cooled again. It must be provided a large amount of heat (energy). The heat must be transported through the crystal to the active surface occupied by the layer to be vaporized.
  • the oscillating body has an active surface which is electrically conductive and through which an electrical heating current can be conducted, so that only a layer of the oscillating body adjoining directly to the surface must heat up in order to bring the active surface to a temperature at which the landfill or the condensate evaporates. It is sufficient if the electrically conductive surface is at least 90 percent of a flat, bordered by a border surface of a prismatic or cylindrical body.
  • the electrically conductive surface may be formed by an electrically conductive coating of a surface of the vibrating body.
  • the electrodes / contacts are preferably arranged on the edge of the surface, so that the maximum distance from each other.
  • the active area may have a circular outline. But it can also have a different outline.
  • the contacts are preferably spaced farther apart than half the length of this path.
  • the electrodes / contacts are preferably arranged on the narrow sides. But they can also be arranged on the broadsides.
  • the resistance between the electrodes / contacts is preferably in a range between 0.5 and 5 ohms.
  • the electrodes / contacts are via a supply line with an electrical Connected energy source that generates a current that can flow through the electrically conductive layer to heat the active surface. The energy required to clean the sensor is considerably lower than in the above-described method, in which the entire oscillating body and the holding device holding it must be heated.
  • the coating can be made of metal, for example gold.
  • the contacts may be alloyed or pressed or glued to the coating.
  • the coated surface faces the steam. It is considered to be particularly advantageous that essentially only the surface is heated and not the entire crystal, for example a quartz body. Both the heating time and the subsequent cooling time is in the range of 1-2 minutes. Upon cooling, the heat from the heated surface boundary layer can flow into the oscillating body.
  • the fiction, designed according to the device can not only be used in a feed line of a coating device.
  • the device may also be used in the coating device itself to measure the vapor concentration or the partial pressure of a vapor.
  • the active, in particular coated surface of the oscillating body is facing the deposition process, for example a susceptor carrying a substrate.
  • the invention relates to the use of a previously described sensor in a gas supply to an OVPD coating device comprising a deposition reactor in which a coolable susceptor is arranged to receive one or more substrates to be coated.
  • a gas supply With regard to the configuration of such a gas supply, reference is made in full to the disclosure content of DE 10 2014 102484, the content of which is part of the disclosure of the present application. Embodiments of the invention are explained below with reference to accompanying drawings. Show it:
  • Fig. 3 shows the section along the line III-III in Figure 2 and Fig. 4 is a representation according to Figure 3 of a second embodiment.
  • the coating device shown in FIG. 1 has a depository reactor 9. It is a gas-tight container in which there is a process chamber in which a total pressure of 0.1 to 100 mbar can be set. In particular, a controlled total pressure of 0.1 to 10 mbar is adjustable there.
  • a susceptor 12 having cooling channels 15 through which a cooling fluid can flow to maintain the susceptor 12 at a defined deposition temperature. On the top of the susceptor is to be coated substrate 11.
  • a showerhead-like gas inlet member 10 through which a vapor-carrier gas mixture can be introduced into the process chamber arranged between the susceptor 12 and the gas inlet member 10.
  • the gas inlet member 10 is maintained at a temperature which is above the condensation temperature of the vapor, so that a gaseous starting material is brought into the process chamber and the vapor can be deposited on the substrate 11.
  • the condensate of the vapor forms an OLED layer.
  • the gas inlet member 10 is fed by means of a steam feed line 14 with a carrier gas-vapor mixture, which is generated in a steam generator 2, 3, 4.
  • the steam generator 2, 3, 4 and the steam feed line 14 are held by means of a heater 8 at a temperature which is above the condensation temperature of the vapor but below the decomposition temperature of the vapor.
  • a defined flow of a carrier gas for example nitrogen, is introduced into the evaporator 2, 3, 4 through a feed line 13 forming an inlet opening.
  • the evaporator has an injection chamber into which an injector 4 opens, with which a solid to be evaporated or a liquid to be evaporated is brought as an aerosol into the injection chamber.
  • the aerosol enters a hot evaporation body 3, where it evaporates.
  • the liquid or the solid is transported by a conveyor from a storage container.
  • the injector 4 may be part of an aerosol generator 5, with which the solid or the liquid is fed as an aerosol in the carrier gas stream.
  • the delivery rate of the solid or liquid starting material to be vaporized or the mass flow of the carrier gas is predetermined by a regulator 6.
  • the evaporation body 3 heat is supplied to the solid to be evaporated or to the liquid to be evaporated, in particular the generated aerosol, so that the solid or the liquid changes its aggregation state.
  • the starting material leaves the evaporation body 3 as vapor transported in the carrier gas through a conduit 14 forming an outlet opening. It reaches the volume 2 in which there is a sensor element 1 which is capable of controlling the mass concentration or the partial mass. to determine the pressure of the vapor within the volume 2. From the carrier gas mass flow set in the mass flow controller 7, the mass flow of the steam can thus be determined by the line 14, which is the volume 2, that is to say the outlet line.
  • the controller 6 receives as input either the sensor signal of the sensor 1 or a signal obtained from the sensor signal 1 by measurement conversion, the mass flow of the steam proportional measurement signal.
  • the mass flow of the steam can be adjusted and kept constant over time.
  • the senor 1 can also be used in the deposition reactor 9 in order to determine the vapor concentration or the vapor partial pressure within the volume between gas outlet openings 16 and substrate 11.
  • FIGS 2 and 3 show a first embodiment of a sensor 1.
  • the sensor 1 has a crystal body 17, which forms a vibrating body.
  • It is a piezoelectric crystal, in particular gallium phosphate.
  • At the electrodes 23, 24 is an alternating voltage, with which the piezoelectric crystal is excited to vibrate.
  • the crystal 17 has a cylindrical shape with a diameter of 10 to 15 mm and a thickness of 0.1 to 0.5 mm.
  • the contacts 23, 24 opposite broad side of the crystal 17 is coated with an electrically conductive layer 22. It can be a metal layer.
  • the electrically conductive coating 22 covers at least 90 percent of the surface, preferably the entire surface.
  • the coating 22 preferably extends to the edge 25 of the end face of the crystal 17.
  • the coating 22 has a free surface 18. This is the active surface of the sensor 1, which is exposed to the vapor. On the active surface 18, the steam may condense to affect the oscillation frequency of the sensor 1.
  • Measures are provided to selectively heat the active surface 18 of the sensor 1 to a cleaning temperature, for example to 350 ° C. But it is also possible to heat the active surface 18 to temperatures of 450 ° C or even to temperatures of up to 850 ° C. This results in evaporation of the deposits on the active surface 18.
  • the energy required to heat the active surface 18 is provided electrically.
  • 22 electrical contacts 19, 20 are arranged at spaced locations on the coating, as shown in the figure 2.
  • the electrical contacts 19, 20 are at most far from each other. Therefore, they are preferably located at the edge 25.
  • FIG. 2 shows two contact strips 19, 20 extending parallel to one another.
  • the contact strips 19, 20 preferably extend directly along the edge 25, that is to say in the shape of an arc.
  • the contacts 19, 20 are connected to an electrical energy source 21, which is able to generate a heating current I.
  • the heating current I is fed via the electrical contacts 19, 20 into the electrically conductive layer 22.
  • the electrically conductive layer 22 has an electrical resistance which is in the range between 0.5 and 5 ohms, so that a voltage drops across the contacts 19, 20. Electrical energy is thus converted into heat within the layer 22, which results in heating of the active surface 18, so that the deposits can evaporate.
  • FIG. 4 shows a second exemplary embodiment of the invention, which essentially differs from the first exemplary embodiment only with regard to the arrangement of the electrical contacts 19, 20.
  • the electrical contacts 19, 20 extend here over the edge 25 of the end face of the oscillating body 17, which is completely coated with an electrically conductive coating 22.
  • the contacts 19, 20 extend arcuately, for example, over an angle of 90 ° along the circular edge 25. They extend partially over the adjacent to the end face cylindrical surface of the oscillating body 17th
  • the active surface of a QCM quartz crystal monitor
  • HQCM also operated partly hot
  • the active surface of a QCM is cleaned by locally heating the active surface to a temperature at which precipitates deposited thereon. This is done by selective introduction of an electrical current in an immediately adjacent to the active surface volume range of the vibrating body 17 and an applied to the vibrating body 17 electrically conductive layer 22. In a corresponding conductivity having vibrating body 17, the heated volume is limited to the directly to the active area 18 adjacent layer.
  • a device characterized in that the active surface 18 is electrically conductive and has electrical contacts 19, 20 for introducing an electrical heating current I, with which the active surface 18 is heatable.
  • a device which is characterized in that the electrically conductive surface 18 is at least 90% of a flat, bounded by an edge 25 surface of a prismatic or cylindrical body.
  • a device which is characterized in that the electrically conductive surface 18 is formed by an electrically conductive coating of a surface of the oscillating body 17.
  • a device which is characterized in that the contacts 19, 20 in the region of two opposite sections of a peripheral edge 25 of the active surface 18 are assigned.
  • a method characterized in that in a directly adjacent to the active surface 18 electrically conductive layer, a heating current I is introduced, with which the active surface 18 is heated to a temperature above the evaporation temperature of the condensate / landfill, so that the condensate / Landfill evaporates from the active area 18.
  • a method which is characterized in that a vibrating body 17 made of GaPO 4 is used and in particular a vibrating body 17 which is heatable at least up to a temperature of 450 ° C, preferably up to 850 ° C.
  • a device, use or method characterized in that the device for determining the concentration or the partial pressure of a vapor is part of an OLED coating device and is used to ensure a temporally constant vapor flow rate into a process chamber ,

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Bestimmung der Konzentration eines Dampfes in einem Volumen (2), Regelung des Massenflusses des von einem Trägergas durch das Volumen (2) geförderten Dampfes, wobei das Volumen (2) mit einer Heizeinrichtung (8) auf eine Temperatur oberhalb der Kondensationstemperatur des Dampfes aufheizbar ist, mit einem Sensor (1), der ein von der Konzentration beziehungsweise des Partialdrucks des Dampfes abhängiges Sensorsignal liefert, wobei der Sensor (1) einen in eine Oszillation bringbaren Schwingkörper (17) aufweist, dessen Oszillationsfrequenz von einer auf einer aktiven Fläche (18) des Schwingkörpers (17) vom kondensierten Dampf gebildeten Massenanhäufung beeinflusst wird und mit einer Auswerteeinrichtung, die die Konzentration oder den Partialdruck aus der zeitlichen Änderung der Oszillatorfrequenz ermittelt. Um den Sensor reinigen zu können, wird vorgeschlagen, dass die aktive Fläche (18) elektrisch leitend ist und elektrische Kontakte (19, 20) aufweist zum Einleiten eines elektrischen Heizstroms (I), mit dem die aktive Fläche (18) aufheizbar ist.

Description

Durch Aufheizen zu reinigender QCM-Sensor und dessen Verwendung in einem OVPD-Beschichtungssystem
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Bestimmung der Konzentration beziehungsweise des Partialdrucks eines Dampfes in einem Volumen, insbesondere zur Bestimmung oder Regelung des Massenflusses des von einem Trägergas durch das Volumen geförderten Dampfes, wobei das Volumen mit einer Heizeinrichtung auf eine Temperatur oberhalb der Kondensationstemperatur des Dampfes aufheizbar ist, mit einem Sensor, der ein von der Konzentration beziehungsweise des Partialdrucks des Dampfes abhängiges Sensorsignal liefert, wobei der Sensor einen in eine Oszillation bringbaren Schwingkörper aufweist, dessen Oszillationsfrequenz von einer auf einer aktiven Fläche des Schwingkörpers vom kondensierten Dampf gebildeten Massenanhäufung be- einflusst wird und mit einer Aus Werteeinrichtung, die die Konzentration oder den Partialdruck aus der zeitlichen Änderung der Oszillatorfrequenz ermittelt.
Die Erfindung betrifft darüber hinaus die Verwendung eines Sensors bzw. ein Verfahren zum Reinigen der aktiven Fläche eines Sensors in einem OVPD- Beschichtungssystem.
Ein„High Temperature Microbalance Sensor Crystal" ist auf dem Markt bekannt. Der Sensor wird in Depositionseinrichtungen der PVD, CVD, ALD und OLED verwendet. Der aus GaPO4 (Galliumphosphat) bestehende Einkristall hat piezoelektrische Eigenschaften und kann durch Anlegen einer Wechselspan- nung in Oszillation von etwa 5,8 Mhz gebracht werden. Der von dem Kristall gebildete Schwingkörper besitzt eine dem Dampf zugewandte aktive Fläche, auf der der Dampf kondensieren kann. Die Kondensation/ Deposition bildet eine Schicht und damit eine Massenanhäufung, die das Schwingverhalten des Schwingkörpers beeinflusst. Es ändert sich insbesondere die Frequenz des Schwingkörpers. Anhand der Frequenzänderung pro Zeit lassen sich Rückschlüsse auf die Konzentration des Dampfes in der Gasphase vor der aktiven Fläche ziehen, um den Partialdruck des Dampfes bestimmen zu können. Ein QCM-Sensor und dessen Verwendung beim OVPD- Verfahren wird in der DE 10 2014 102484 beschrieben.
Die DE 1 598 401 beschreibt einen piezoelektrischen Kristall mit angeformtem elektrischen Heizelement. Es ist bekannt, QCM-Sensoren mit beheizbarer Sen- sorfläche für die Desorptionsstudien zu verwenden und dabei die Temperatur auf bis zu 120°C aufzuheizen.
Die Erfindung betrifft auch eine OLED-Beschichtungseinrichtung, wie sie in der DE 10 2011 051 931 AI beschrieben wird. In einem Depositionsreaktor befindet sich ein Suszeptor, dessen Oberfläche gekühlt wird und ein zu beschichtendes Substrat trägt. Aus einem auf eine Temperatur oberhalb der Kondensationstemperatur eines Dampfes aufgeheizten Gaseinlassorgan wird ein Trägergas- Dampfgemisch in die Prozesskammer eingespeist. Der Dampf kondensiert auf der Oberfläche des Substrates, wobei die Qualität der Schicht einerseits von der Konzentration (dem Partialdruck) des Dampfes in der Prozesskammer, andererseits aber auch von der Temperatur der Substratoberfläche abhängt. Bei einem Verfahren zum Abscheiden von OLED-Schichten auf einem Substrat ist die Beibehaltung einer zeitlich konstanten Dampf fluss-Rate in die Prozesskammer gewünscht. Der Dampf wird in einem Dampferzeuger durch Wärmebeauf- schlagung eines festen oder flüssigen Ausgangsstoffes erzeugt. Der Ausgangsstoff kann als Aerosol in ein Verdampfungsvolumen gebracht werden. Das Verdampfungsvolumen wird von einem Trägergas durchströmt, mit welchem der Dampf in die Prozesskammer gebracht wird. Das Trägergas wird über einen Massenfluss-Kontroller in das Rohrleitungssystem der Verdampfungsein- richtung eingespeist. Mit einem zweiten Sensor wird ein Sensorsignal gewonnen, welches von der Konzentration (dem Partialdruck) des Dampfes beein- flusst wird. Aus den WO 2010/130775 AI, US 2006/0179918 AI und US 8,215,171 Bl sind QCM-Sensoren (Quartz crystal microbalance) bekannt. Diese Sensoren werden in Vakuum-Bedampfungsvorrichtungen, sogenannten VTE-Systemen (Vacuum thermal evaporation) verwendet. Der QCM-Sensor besteht aus einem Quarzkristall, der in seiner Resonanzfrequenz zum Schwingen angeregt wird. Bei der Bedampf ung, beispielsweise der Bedampf ung von Objekten mit Metallen, beispielsweise Gold, oder aber auch der Bedampfung von Objekten mit Nichtmetallen kondensiert eine gewisse Dampfmenge auf einem Abschnitt der Oberfläche des von dem Quarz gebildeten Schwingkörper. Der Schwingkörper wird beim Stand der Technik auf einer Temperatur von etwa 50°C gehalten. Wäh- rend des Beschichtungsvorganges wächst eine Kondensatschicht auf der Oberfläche des Schwingkörpers auf. Diese zusätzliche Masse verstimmt den
Schwingkörper, so dass sich die Frequenz zeitlich ändert. Dies erfolgt nach der sogenannten SAUERBREY-Gleichung. Bei der bekannten Verwendung dieses QCM-Sensors wird der Beschichtungsprozess beendet, wenn diese Oszilla- torfrequenz einen vorbestimmten Endwert erreicht hat.
Nach einer bestimmten Anzahl von Beschichtungsvorgängen muss der Sensor entweder ausgetauscht oder gereinigt werden, damit seine Schwingfähigkeit erhalten bleibt, da die auf dem Quarzkristall abgeschiedenen Schichten nicht nur die Frequenz, sondern auch die Amplitude beeinflussen, da sie dämpfend wirken.
Um die Deposition beziehungsweise Kondensation von der aktiven Fläche des Schwingkörpers zu entfernen, wurde bereits vorgeschlagen, letzteren auf eine Temperatur aufzuheizen, die oberhalb der Verdampfungstemperatur des Kondensats beziehungsweise des Deponats liegt. Eine diesbezügliche Heizeinrichtung verfügt über eine Heizpatrone, mit der nicht nur der Schwingkörper, sondern auch die ihn haltende Haltevorrichtung aufgeheizt werden muss. Der Rei- nigungsprozess ist deshalb sehr zeitaufwendig. Unter schlechten Bedingungen kann die Zeit zur Reinigung der aktiven Fläche des Schwingkörpers länger sein, als die Zeit, die ein Beschichtungsprozess in Anspruch nimmt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Effizienz einer Beschichtungs- einrichtung zu verbessern und insbesondere die Reinigungszeiten der aktiven Oberfläche des Schwingkörpers zu verringern.
Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung. Die Beschichtungsvorrichtung besitzt als Sensor einen QCM-Sensor, der einen in Oszillation bringbaren Schwingkörper aufweist, dessen Oszillationsfrequenz von einer auf einer Oberfläche des Schwingkörpers von einem kondensierten Dampf gebildeten Massenanhäufung, insbesondere einer Schicht beeinflusst wird. Die Oszillatorfrequenz hängt einerseits von der Dicke und andererseits aber auch von der Qualität, also den physikalischen aber auch chemischen Eigenschaften der Schicht ab. Der Sensor sitzt in einem Volumen einer Gaszuleitung, durch welche ein Dampf insbesondere eines organischen Ausgangs Stoffs von einem Trägergasstrom transportiert wird. Die zeitliche Änderungsrate der Resonanzfrequenz des vom Schwingkörper ausgebildeten Oszillators liefert Rückschlüsse auf die Dampfkonzentration innerhalb des Volumens der Zuleitung. Aus der Flussrate des kontrolliert in das Volumen eingespeisten und das Volumen der Zuleitung durchströmenden Trägergases lässt sich aus der ermittelten Dampfkonzentration beziehungsweise aus dem ermittelten Partialdruck die Flussrate des Dampfes (Masse/ Zeit) zu einer Beschichtungseinrichtung er- mittein. Innerhalb weniger Minuten kann sich auf der Oberfläche des von einem Kristall gebildeten Schwingkörpers eine Massenansammlung ansammeln, die eine weitere Verwendung des Sensors ohne vorherige Reinigung nicht zu- lässt. Beim Stand der Technik wird der gesamte Kristall ca. 30 Minuten lang auf eine Temperatur von etwa 350°C aufgeheizt. Er muss anschließend wieder abgekühlt werden. Es muss eine große Wärmemenge (Energie) bereitgestellt werden. Die Wärme muss durch den Kristall hindurch zur aktiven, mit der zu verdampfenden Schicht belegten Oberfläche transportiert werden. Erfindungsgemäß besitzt der Schwingkörper eine aktive Fläche, die elektrisch leitend ist und durch die ein elektrischer Heizstrom geleitet werden kann, so dass sich nur eine unmittelbar an die Oberfläche angrenzende Schicht des Schwingkörpers aufheizen muss, um die aktive Fläche auf eine Temperatur zu bringen, bei der das Deponat beziehungsweise das Kondensat verdampft. Es reicht aus, wenn die elektrisch leitende Fläche zumindest 90 Prozent einer ebenen, durch einen Rand begrenzten Oberfläche eines prismatischen oder zylindrischen Körpers ist. Die elektrisch leitende Fläche kann von einer elektrisch leitenden Beschichtung einer Oberfläche des Schwingkörpers ausgebildet sein. Die Elektroden/ Kontakte sind bevorzugt am Rand der Fläche angeordnet, so dass die maximal weit voneinander entfernt sind. Die aktive Fläche kann einen kreisrunden Umriss haben. Sie kann aber auch einen davon abweichenden Um- riss besitzen. Es existiert dann auf der Oberfläche eine Strecke maximaler Länge zwischen zwei sich gegenüberliegenden Randpunkten. Die Kontakte sind bevorzugt weiter voneinander beabstandet als die Hälfte der Länge dieser Stre- cke. Handelt es sich bei dem Schwingkörper um einen länglichen Körper, so sind die Elektroden/ Kontakte bevorzugt an den Schmalseiten angeordnet. Sie können aber auch an den Breitseiten angeordnet sein. Der Widerstand zwischen den Elektroden/ Kontakten liegt bevorzugt in einem Bereich zwischen 0,5 und 5 Ohm. Die Elektroden/ Kontakte sind über eine Zuleitung mit einer elektrischen Energiequelle verbunden, die einen Strom erzeugt, der durch die elektrisch leitende Schicht hindurchfließen kann, um die aktive Fläche aufzuheizen. Die zum Reinigen des Sensors erforderliche Energie ist erheblich geringer als bei der oben geschilderten Methode, bei der der gesamte Schwingkörper und die ihn haltende Haltevorrichtung aufgeheizt werden muss. Es wird lediglich die aktive Fläche und ein unmittelbar an die aktive Fläche angrenzender Volumenabschnitt des Schwingkörpers aufgeheizt. Die Beschichtung kann aus Metall, beispielsweise Gold, bestehen. Die Kontakte können auf die Beschichtung auflegiert oder gepresst oder geklebt sein. Die beschichtete Oberfläche ist dem Dampf zugewandt. Es wird als besonders vorteilhaft angesehen, dass sich im Wesentlichen nur die Oberfläche erhitzt und nicht der gesamte Kristall, beispielsweise ein Quarzkörper. Sowohl die Aufheizzeit als auch die anschließende Abkühlzeit liegt im Bereich von 1-2 Minuten. Beim Abkühlen kann die Wärme aus der aufgeheizten Oberflächen-Grenzschicht in den Schwingkörper abfließen. Die erfindungs gemäß ausgebildete Vorrichtung kann nicht nur in einer Zuleitung einer Beschichtungseinrichtung verwendet werden. Die Vorrichtung kann auch in der Beschichtungseinrichtung selbst verwendet werden, um die Dampfkonzentration beziehungsweise den Partialdruck eines Dampfs zu messen. Die aktive, insbesondere beschichtete Oberfläche des Schwingkör- pers ist dabei dem Abscheidungsprozess, beispielsweise einem Suszeptor, der ein Substrat trägt, zugewandt.
Die Erfindung betrifft insbesondere die Verwendung eines zuvor beschriebenen Sensors bei einer Gasversorgung einer OVPD-Beschichtungseinrichtung, die einen Depositionsreaktor aufweist, in dem ein kühlbarer Suszeptor angeordnet ist zur Aufnahme ein oder mehrerer zu beschichtender Substrate. Hinsichtlich der Ausgestaltung einer derartigen Gasversorgung wird vollinhaltlich auf den Offenbarungsgehalt der DE 10 2014 102484 verwiesen, deren Inhalt Teil der Offenbarung der vorliegenden Anmeldung ist. Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 schematisch den Aufbau einer OLED-Beschichtungseinrichtung,
Fig. 2 die Draufsicht auf einen Sensor 1,
Fig. 3 den Schnitt gemäß der Linie III-III in Figur 2 und Fig. 4 eine Darstellung gemäß Figur 3 eines zweiten Ausführungsbeispiels.
Die in der Figur 1 dargestellte Beschichtungseinrichtung besitzt einen Depositi- onsreaktor 9. Es handelt sich um einen gasdichten Behälter, in dem sich eine Prozesskammer befindet, in der ein Total druck von 0,1 bis 100 mbar einstellbar ist. Insbesondere ist dort ein geregelter Totaldruck von 0,1 bis 10 mbar einstellbar. Innerhalb des Depositionsreaktors 9 befindet sich ein Suszeptor 12, der Kühlkanäle 15 aufweist, durch die eine Kühlflüssigkeit fließen kann, um den Suszeptor 12 auf einer definierten Depositionstemperatur zu halten. Auf der Oberseite des Suszeptors liegt ein zu beschichtendes Substrat 11 auf.
Oberhalb des Suszeptors 12 befindet sich ein duschkopfartiges Gaseinlassorgan 10, durch welches ein Dampf-Trägergasgemisch in die zwischen Suszeptor 12 und Gaseinlassorgan 10 angeordnete Prozesskammer eingeleitet werden kann. Das Gaseinlassorgan 10 ist auf einer Temperatur gehalten, die oberhalb der Kondensationstemperatur des Dampfes liegt, so dass ein gasförmiger Ausgangsstoff in die Prozesskammer gebracht wird und sich der Dampf auf dem Substrat 11 niederschlagen kann. Das Kondensat des Dampfes bildet eine OLED-Schicht. Das Gaseinlassorgan 10 wird mittels einer Dampf einspeiseleitung 14 mit einem Trägergas-Dampfgemisch gespeist, welches in einem Dampferzeuger 2, 3, 4 erzeugt wird. Der Dampferzeuger 2, 3, 4 und die Dampfeinspeiseleitung 14 werden mittels einer Heizeinrichtung 8 auf einer Temperatur gehalten, die oberhalb der Kondensationstemperatur des Dampfes aber unterhalb der Zerlegungstemperatur des Dampfes liegt.
Mittels eines Massenflusskontrollers 7 wird ein definierter Fluss eines Trägergases, beispielsweise Stickstoff, durch eine eine Eintrittsöffnung bildende Zulei- tung 13 in den Verdampfer 2, 3, 4 eingeleitet.
Im Ausführungsbeispiel besitzt der Verdampfer eine Injektionskammer, in die ein Injektor 4 mündet, mit dem ein zu verdampfender Festkörper oder eine zu verdampfende Flüssigkeit als Aerosol in die Injektionskammer gebracht wird. Das Aerosol gelangt in einen heißen Verdampfungskörper 3, wo es verdampft. Die Flüssigkeit oder der Festkörper wird über eine Fördereinrichtung aus einem Vorratsbehälter transportiert. Der Injektor 4 kann Teil eines Aerosolerzeugers 5 sein, mit dem der Festkörper oder die Flüssigkeit als Aerosol in den Trägergasstrom eingespeist wird. Die Förderrate des festen oder flüssigen zu ver- dampfenden Ausgangsstoffs beziehungsweise der Massenfluss des Trägergases wird von einem Regler 6 vorgegeben.
In dem Verdampfungskörper 3 wird dem zu verdampfenden Feststoff oder der zu verdampfenden Flüssigkeit, insbesondere dem erzeugten Aerosol Wärme zugeführt, so dass der Festkörper oder die Flüssigkeit ihren Aggregationszu- stand ändert. Der Ausgangsstoff verlässt den Verdampfungskörper 3 als im Trägergas transportierter Dampf durch eine eine Austrittsöffnung bildende Leitung 14. Er erreicht das Volumen 2, in dem sich ein Sensorelement 1 befindet, welches in der Lage ist, die Massenkonzentration beziehungsweise den Partial- druck des Dampfes innerhalb des Volumens 2 zu bestimmen. Aus dem im Mas- senflusskontroller 7 eingestellten Trägergas-Massenfluss lässt sich somit der Massenfluss des Dampfes durch die sich dem Volumen 2 anschließende Leitung 14, also der Austrittsleitung, bestimmen.
Der Regler 6 erhält als Eingangsgröße entweder das Sensorsignal des Sensors 1 oder aber ein aus dem Sensorsignal 1 durch Messwert-Umformung gewonnenes, dem Massenfluss des Dampfes proportionales Messsignal. Durch Variation der Förderrate des zu verdampfenden Festkörpers oder der zu verdampfenden Flüssigkeit oder durch Variation der Verdampfungstemperatur des zu verdampfenden Stoffes und Variation des im Massenflussregler 7 eingespeisten Massenflusswertes kann der Massenfluss des Dampfes eingestellt und zeitlich konstant gehalten werden.
Der Sensor 1 kann aber auch in dem Depositionsreaktor 9 verwendet werden, um die Dampfkonzentration beziehungsweise den Dampfpartialdruck innerhalb des Volumens zwischen Gasaustrittsöffnungen 16 und Substrat 11 zu bestimmen.
Die Figuren 2 und 3 zeigen ein erstes Ausführungsbeispiel eines Sensors 1. Der Sensor 1 besitzt einen Kristallkörper 17, der einen Schwingkörper ausbildet. Auf der Unterseite des Kristalls 17 befinden sich Elektroden 23, 24, die an eine Oszillationseinrichtung angeschlossen sind, um dem Kristall 17 eine Schwin- gung von etwa 5,8 Mhz aufzuzwingen. Es handelt sich dabei um einen Piezo- kristall, insbesondere um Galliumphosphat. An den Elektroden 23, 24 liegt eine Wechselspannung an, mit dem der Piezokristall zum Schwingen angeregt wird. Der Kristall 17 besitzt eine Zylinderform mit einem Durchmesser von 10 bis 15 mm und einer Dicke von 0,1 bis 0,5 mm. Die den Kontakten 23, 24 gegenüberliegende Breitseite des Kristalls 17 ist mit einer elektrisch leitenden Schicht 22 beschichtet. Es kann sich dabei um eine Metallschicht handeln. Die elektrisch leitende Beschichtung 22 überdeckt mindestens 90 Prozent der Oberfläche, bevorzugt die gesamte Oberfläche. Die Beschichtung 22 erstreckt sich bevorzugt bis zum Rand 25 der Stirnseite des Kristalls 17.
Die Beschichtung 22 besitzt eine freie Oberfläche 18. Es handelt sich dabei um die aktive Oberfläche des Sensors 1, die dem Dampf ausgesetzt ist. Auf der aktiven Oberfläche 18 kann der Dampf kondensieren, um die Oszillationsfrequenz des Sensors 1 zu beeinflussen.
Es sind Maßnahmen vorgesehen, um die aktive Oberfläche 18 des Sensors 1 selektiv auf eine Reinigungstemperatur, beispielsweise auf 350°C aufzuheizen. Es ist aber auch möglich, die aktive Oberfläche 18 auf Temperaturen von 450°C oder sogar auf Temperaturen von bis zu 850°C aufzuheizen. Dies führt zu einer Verdampfung der Abscheidungen auf der aktiven Oberfläche 18. Die zur Erwärmung der aktiven Oberfläche 18 erforderliche Energie wird elektrisch bereitgestellt. Hierzu sind an voneinander entfernten Stellen auf der Beschichtung 22 elektrische Kontakte 19, 20 angeordnet, wie es die Figur 2 zeigt. Die elektrischen Kontakte 19, 20 sind maximal weit voneinander entfernt. Sie befinden sich deshalb bevorzugt am Rand 25. Die Figur 2 zeigt zwei parallel zu- einander verlaufende Kontaktstreifen 19, 20. Bevorzugt verlaufen die Kontaktstreifen 19, 20 aber auch unmittelbar entlang des Randes 25, also bogenförmig.
Über elektrische Zuleitungen sind die Kontakte 19, 20 mit einer elektrischen Energiequelle 21 verbunden, die in der Lage ist, einen Heizstrom I zu erzeugen. Der Heizstrom I wird über die elektrischen Kontakte 19, 20 in die elektrisch leitende Schicht 22 eingespeist. Die elektrisch leitende Schicht 22 hat einen elektrischen Widerstand, der im Bereich zwischen 0,5 und 5 Ohm liegt, so dass an den Kontakten 19, 20 eine Spannung abfällt. Elektrische Energie wird somit inner- halb der Schicht 22 in Wärme umgewandelt, was eine Erwärmung der aktiven Oberfläche 18 zur Folge hat, so dass die Abscheidungen abdampfen können.
Es wird als besonders vorteilhaft angesehen, dass sich nur der unmittelbar an die aktive Oberflächel8 angrenzende Volumenbereich des Sensors 1 und insbe- sondere des Kristalls 17 aufgeheizt wird. Bei kurzen Aufheizzeiten bildet sich ein steiler Temper aturgradient innerhalb des Kristalls 17, der nach Beendigung der Heizenergieeinspeisung ein schnelles Abkühlen der aufgeheizten aktiven Oberfläche 18 erlaubt. Besitzt der Kristall 17 eine geeignete elektrische Leitfähigkeit, ist das zusätzliche Aufbringen einer elektrisch leitenden Schicht 22 nicht erforderlich. Die elektrische Heizenergie kann unmittelbar in den Schwingkörper 17 über geeignete Kontakte 19, 20 eingespeist werden. Die Figur 4 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung, das sich gegenüber dem ersten Ausführungsbeispiel im Wesentlichen nur hinsichtlich der Anordnung der elektrischen Kontakte 19, 20 unterscheidet. Die elektrischen Kontakte 19, 20 erstrecken sich hier über den Rand 25 der Stirnseite des Schwingkörpers 17, die vollständig mit einer elektrisch leitenden Beschichtung 22 be- schichtet ist. Die Kontakte 19, 20 erstrecken sich bogenförmig beispielsweise über einen Winkel von 90° entlang des kreisförmigen Randes 25. Sie erstrecken sich bereichsweise auch über die an die Stirnfläche angrenzende Zylindermantelfläche des Schwingkörpers 17. Bei dem erfindungs gemäßen Verfahren beziehungsweise bei der erfindungsgemäßen Verwendung wird die aktive Oberfläche eines QCM (Quarz crystal monitor), der teilweise auch heiß betrieben wird (HQCM) durch lokales Erhitzen der aktiven Fläche auf eine Temperatur, bei der darauf abgeschiedene Ab- Scheidungen gereinigt. Dies erfolgt durch selektive Einleitung eines elektrischen Stroms in einen unmittelbar an die aktive Fläche angrenzenden Volumenbereich des Schwingkörpers 17 beziehungsweise eine auf den Schwingkörper 17 aufgebrachte elektrisch leitende Schicht 22. Bei einem eine entsprechende Leitfähigkeit aufweisenden Schwingkörper 17 beschränkt sich das beheizte Volumen auf die unmittelbar an die aktive Fläche 18 angrenzende Schicht.
Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmel- dung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zumindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenständig weiterbilden, nämlich:
Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die aktive Fläche 18 elektrisch leitend ist und elektrische Kontakte 19, 20 aufweist zum Einleiten eines elektrischen Heizstroms I, mit dem die aktive Fläche 18 aufheizbar ist.
Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die elektrisch leitende Fläche 18 zumindest 90% einer ebenen, durch einen Rand 25 begrenzten Ober- fläche eines prismatischen oder zylinderförmigen Körpers ist.
Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die elektrisch leitende Fläche 18 von einer elektrisch leitenden Beschichtung einer Oberfläche des Schwingkörpers 17 gebildet ist. Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die beiden Kontakte 19, 20 auf der aktiven Fläche 18 um mehr als die Hälfte einer maximalen sich von einem zum anderen Rand gehenden Strecke voneinander entfernt sind. Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass der Widerstand zwischen den Kontakte 19, 20 im Bereich zwischen 0,5 und 5 Ohm liegt.
Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass die Kontakte 19, 20 im Bereich zweier sich gegenüberliegenden Abschnitte einer Randkante 25 der ak- tiven Fläche 18 zugeordnet sind.
Eine Verwendung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass eine beim Messen der Konzentration oder des Partialdrucks auf der aktiven Fläche 18 kondensierte Beschichtung, welche die Oszillationsfrequenz des Schwingkörpers 17 beein- flusst, durch Einleiten eines elektrischen Stroms I in die elektrisch leitende Fläche 18 und einer dadurch bewirkten Aufheizung der aktiven Fläche 18 verdampft wird.
Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet, dass in eine unmittelbar an die aktive Fläche 18 angrenzende elektrisch leitende Schicht ein Heizstrom I eingeleitet wird, mit dem die aktive Fläche 18 auf eine Temperatur oberhalb der Verdampfungstemperatur des Kondensats/ Deponats aufgeheizt wird, so dass das Kondensat/ Deponat von der aktiven Fläche 18 abdampft. Ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, dass ein Schwingkörper 17 aus GaPO4 verwendet wird und insbesondere ein Schwingkörper 17, der mindestens bis zu einer Temperatur von 450°C, bevorzugt bis 850°C aufheizbar ist. Eine Vorrichtung, eine Verwendung oder ein Verfahren, die dadurch gekennzeichnet sind, dass die Vorrichtung zur Bestimmung der Konzentration oder des Partialdrucks eines Dampfes Teil einer OLED-Beschichtungseinrichtung ist und dazu verwendet wird, eine zeitlich konstante Dampffluss-Rate in eine Pro- zesskammer zu gewährleisten.
Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/ beigefügten Prioritätsunter- lagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen.
Bezugszeichenliste:
1 Sensor 25 Rand
2 Volumen
3 Verdampfungskörper
4 Injektor
5 Aerosolerzeuger I Heizstrom
6 Regler
7 Massenflussregler, -kontroller
8 Heizeinrichtung
9 Depositionsreaktor
10 Gaseinlassorgan
11 Substrat
12 Suszeptor
13 Zuleitung
14 Dampfeinspeiseleitung
15 Kühlkanal
16 Gasaustrittsöffnung
17 Kristall
18 aktive Oberfläche
19 elektrischer Kontakt
20 elektrischer Kontakt
21 Stromquelle
22 Beschichtung
23 Elektrode
24 Elektrode

Claims

Vorrichtung zur Bestimmung der Konzentration beziehungsweise des Partialdrucks eines Dampfes in einem Volumen (2), insbesondere zur Bestimmung oder Regelung des Massenflusses des von einem Trägergas durch das Volumen (2) geförderten Dampfes, wobei das Volumen (2) mit einer Heizeinrichtung (8) auf eine Temperatur oberhalb der Kondensationstemperatur des Dampfes aufheizbar ist, mit einem Sensor (1), der ein von der Konzentration beziehungsweise des Partialdrucks des Dampfes abhängiges Sensorsignal liefert, wobei der Sensor (1) einen in eine Oszillation bringbaren Schwingkörper (17) aufweist, dessen Oszillationsfrequenz von einer auf einer aktiven Fläche (18) des Schwingkörpers (17) vom kondensierten Dampf gebildeten Massenanhäufung beeinflusst wird und mit einer Auswerteeinrichtung, die die Konzentration oder den Partialdruck aus der zeitlichen Änderung der Oszillatorfrequenz ermittelt, dadurch gekennzeichnet, dass die aktive Fläche (18) elektrisch leitend ist und elektrische Kontakte (19, 20) aufweist zum Einleiten eines elektrischen Heizstroms (I), mit dem die aktive Fläche (18) aufheizbar ist.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass mit der Auswerteeinrichtung der Massenfluss des von einem Trägergas durch das Volumen (2) geförderten Dampfs bestimmt oder geregelt wird.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, die elektrisch leitende Fläche (18) zumindest 90% einer ebenen, durch einen Rand (25) begrenzten Oberfläche eines prismatischen oder zylinderförmigen Körpers ist.
4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitende Fläche (18) von einer elektrisch leitenden Beschichtung einer Oberfläche des Schwingkörpers (17) gebildet ist.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Kontakte (19, 20) auf der aktiven Fläche (18) um mehr als die Hälfte einer maximalen sich von einem zum anderen Rand gehenden Strecke voneinander entfernt sind.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Widerstand zwischen den Kontakte (19, 20) im reich zwischen 0,5 und 5 Ohm liegt.
Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontakte (19, 20) im Bereich zweier sich gegenüberliegenden Abschnitte einer Randkante (25) der aktiven Fläche (18) zugeordnet sind.
Verwendung eines Sensors, der ein von der Konzentration beziehungsweise des Partialdrucks eines Dampfes abhängiges Sensorsignal liefert, wobei der Sensor (1) einen in eine Oszillation bringbaren Schwingkörper (17) aufweist, dessen Oszillationsfrequenz von einer auf einer aktiven Fläche (18) des Schwingkörpers (17) vom kondensierten Dampf gebildeten Massenanhäufung beeinflusst wird und dessen aktive Fläche (18) elektrisch leitend ist und elektrische Kontakte (19, 20) aufweist zum Einleiten eines elektrischen Heizstroms (I), mit dem die aktive Fläche (18) aufheizbar ist, an einer Vorrichtung zur Bestimmung der Konzentration beziehungsweise des Partialdrucks eines Dampfes in einem Volumen (2), wobei das Volumen (2) mit einer Heizeinrichtung (8) auf eine Temperatur oberhalb der Kondensationstemperatur des Dampfes aufheizbar ist.
Verwendung eines Sensors nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Massenfluss des von einem Trägergas durch das Volumen (2) geförderten Dampfs bestimmt oder geregelt wird.
Verfahren zum Reinigen der aktiven Fläche (18) eines Sensors (1) einer Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die aktive Fläche (18) auf eine Temperatur oberhalb der Verdampfungstemperatur des Kondensats/ Deponats aufgeheizt wird, so dass das Kondensat/Deponat von der aktiven Fläche (18) abdampft.
Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass ein Schwingkörper (17) aus GaP04 verwendet wird und insbesondere ein Schwingkörper (17), der mindestens bis zu einer Temperatur von 450°C, bevorzugt bis 850°C aufheizbar ist.
Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung zur Bestimmung der Konzentration oder des Parti- aldrucks eines Dampfes Teil einer OLED-Beschichtungseinrichtung ist und dazu verwendet wird, eine zeitlich konstante Dampffluss-Rate in eine Prozesskammer zu gewährleisten.
Verwendung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung zur Bestimmung der Konzentration oder des Partialdrucks eines Dampfes Teil einer OLED-Beschichtungseinrichtung ist und dazu verwendet wird, eine zeitlich konstante Dampffluss-Rate in eine Prozesskammer zu gewährleisten.
14. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorrichtung zur Bestimmung der Konzentration oder des Partialdrucks eines Dampfes Teil einer OLED-Beschichtungseinrichtung ist und dazu verwendet wird, eine zeitlich konstante Dampffluss-Rate in eine Prozess- kammer zu gewährleisten.
15. Vorrichtung oder Verwendung oder Verfahren, gekennzeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche.
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