CN105684309B - 压电晶片、压电振动片及压电振子 - Google Patents

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Abstract

压电晶片具有压电振动片、支撑压电振动片的框部和将压电振动片连结到框部的连结部。在压电晶片上并排设置有一对第一金属凸起和第二金属凸起。在连结部上，除作为连结部的宽度方向的一部分的桥之外，形成有沿连结部的宽度方向延伸的狭缝。桥的宽度方向端在与连结部的宽度方向垂直的方向上，从两金属凸起分离，并且与两金属凸起不重叠。

Description

压电晶片、压电振动片及压电振子
技术领域
本发明涉及包含晶振片等压电振动片的压电晶片、从该压电晶片折取而被单片化的压电振动片及将该压电振动片支撑在封装内的压电振子。
背景技术
一般，进行从一片压电晶片取下多个压电振动片。
在现有的压电晶片中，一般为了取下多个所述压电振动片，利用光刻技术来将抗蚀剂形成图案，并对该图案进行湿法蚀刻，从而形成多个压电振动片、支撑压电振动片的框部和将压电振动片连结于框部的连结部，并通过在该连结部处折取压电振动片可进行单片化(参照专利文献1)。
在这种压电晶片中，为了所述折取而在连结部的宽度方向形成有狭缝。参照图1，对具备这种折取的压电晶片进行说明，该压电晶片1a具备：压电振动片2a，具备金属凸起11a、11b；框部3，用于支撑该压电振动片2a；和连结部4，用于将该压电振片1a连结到框部3。并且，为了易于进行所述折取，在连结部4上沿宽度方向形成贯通连结部4的表背面的狭缝13g1～13g3，并且在这些狭缝13g1～13g3之间的宽度方向的一部分形成有无狭缝的桥13g4、13g5。
专利文献1：特开2013-207509号公报
但是，在对从压电晶片折取后的压电振动片实施加载冲击等外力的试验之后，在几个晶振片中发现其振荡频率有所偏移，因此对该偏移发生的原因进行了深入研究。
根据该研究，当从框部3折取压电振动片2a时，有可能产生以桥13g4、13g5为起点的裂痕。另外，该裂痕有时会达到所述折取后的一侧的晶振片2a的折取端部或其附近。
若对这种裂痕达到折取端部等的压电振动片施加振动等冲击，则因该冲击载荷所述裂痕从所述折取端部进展到金属凸起11a的周围，在这种裂痕进展到金属凸起周围的压电振动片的大部分中发现了振荡频率存在偏移。
发明内容
因此，本发明的主要目的在于提供一种能够支撑压电振动片的压电晶片及从该压电晶片折取后的压电振动片，即使对折取后在该折取端部或其附近具有裂痕的压电振动片施加冲击等外力，也能抑制该裂痕进展到金属凸起的周围。
本发明所涉及的压电晶片具有：压电振动片；框部，用于支撑所述压电振动片；和连结部，用于将所述压电振动片连结到所述框部。所述压电振动片具有沿所述连结部的宽度方向彼此隔开间隔而并排设置的一对第一金属凸起和第二金属凸起。在所述连结部处能够从所述框部折取所述压电振动片。在所述连结部，除所述连结部的宽度方向的一部分之外，沿所述连结部的所宽度方向形成有用于折取的狭缝。所述连结部的所述宽度方向的所述一部分的宽度方向端，在与所述连结部的所述宽度方向垂直的方向上，从所述两金属凸起分离，并且与所述两金属凸起不重叠。
此外，所述不重叠的方式为所述连结部的所述宽度方向的所述一部分的任一端也不重叠的方式。
由于本发明的压电晶片具有上述结构，因此在从该压电晶片的框部折取后的压电振动片中，即使其折取端部等存在裂痕，也能抑制因冲击等外力而使该裂痕进展到两金属凸起的周围。由此，在本发明的从压电晶片折取后的压电振动片中，即使施加冲击等外力，也能防止振荡频率的偏移。
此外，作为对折取后的压电振动片的冲击，例如具有在将折取后的压电振动振片搭载于压电振动器件的封装时，将金属凸起超声波焊接到封装内的电极焊盘时的振动压力。
另外，根据本发明，当在增加压电振动片从一片压电晶片的取下数目时，若使压电振动片小型化，则作为连结部的宽度方向的一部分的桥与金属凸起之间的距离靠近，如前所述，位于折取端部的裂痕难以向金属凸起的周围进展，因此可使压电振动片小型化并增加压电振动片从一片压电晶片的取下数目。
在本发明的优选方式中，所述连结部的所述宽度方向的所述一部分的最大宽度部分在所述垂直方向上未与所述两金属凸起重叠。
根据该方式，即使所述连结部的宽度方向的一部分的形状在所述垂直方向上弯曲，所述连结部的所述宽度方向的一部分的最大宽度部分在所述垂直方向上也未与两金属凸起重叠，因此即使对折取后的压电振动片施加冲击等外力，也能够更有效地抑制该折取端部的裂痕向两金属凸起的周围进展。
此外，当所述连结部的所述宽度方向的所述一部分在所述垂直方向上因弯曲等而宽度变化时，所述连结部的所述宽度方向的所述一部分的最小宽度部分强度较弱，因此，在连结部处从框部折取压电振动片时，压电振动片在该最小宽度部分处被折取。但是，由于裂痕所产生的起点并不一定是所述最小宽度部分，因此优选所述连结部的所述宽度方向的所述一部分在其最大宽度部分与两金属凸起在垂直方向上不重叠。
在本发明的其它优选方式中，所述连结部的所述宽度方向的所述一部分相对于所述两金属凸起在所述垂直方向上分离10μm以上。
根据该方式，由于所述连结部的所述宽度方向的所述一部分相对于所述两金属凸起在所述垂直方向上分离10μm以上，因此从框部折取压电振动片时，即使在折取后的折取端部存在所述连结部的所述宽度方向的所述一部分中所产生的裂痕，从该折取端部的宽度方向两端至两金属凸起的距离也较长，裂痕难以进展到两金属凸起。
在本发明的又一优先方式中，所述连结部中的所述宽度方向的所述一部分被形成在并排设置的所述两金属凸起之间的中央位置上。
根据该方式，由于能够更有效地防止压电振动片的折取端部的裂痕进展到两金属凸起的任一个的周围，因此可使压电振动片小型化并进一步增加从一片压电晶片的取下数目。
在本发明的又一其它优选方式中，所述压电振动片具备：至少一对振动臂部；接合部，与外部接合；和基部，一对振动臂部被并排设置在一端面，并且所述接合部形成在与所述一端面相对的另一端面。所述一对振动臂部从所述基部的一端面平行地突出。所述接合部被形成为具有基端部和伸出部的俯视L字状，其中，所述基端部在所述基部的所述另一端面设置在所述一对振动臂部的所述并排设置方向的中间位置且形成有所述第一金属凸起，所述伸出部从所述基端部向所述连结部的所述宽度方向一侧伸出且形成有所述第二金属凸起。所述第一金属凸起的俯视尺寸大于所述第二金属凸起的俯视尺寸。
根据该方式，由于接合部的基端部被设置在一对振动臂部的并排设置方向的中间位置，且第一金属凸起的俯视尺寸大于第二金属凸起的俯视尺寸，因此从框部折取后的压电振动片整体上振动平衡良好。
根据本发明，无论在从框部折取时的压电振动片的折取端部或其附近存在裂痕，还是对从框部折取的压电振动片施加冲击等外力，也能抑制裂痕进展到两金属凸起的周围并将其振荡频率特性维持在所需的特性。
由此，根据本发明，将从框部折取并在折取端部存在裂痕的压电晶片的金属凸起超声波焊接在例如压电振子的封装内的电极焊盘上时，即使超声波焊接的振动压力施加于压电振动片，裂痕也不会进展到压电振动片的金属凸起周围。其结果，该压电振动片能够以所需的振荡频率动作，可搭载于能够长期维持所需的振动特性的压电振子。
另外，根据本发明，由于能抑制所述裂痕的进展，因此可使金属凸起和折取端部之间的距离靠近，由此可得到能促进压电振动片的进一步小型化的效果。
附图说明
图1是现有的压电晶片的局部放大俯视图。
图2是本发明的第一实施方式所涉及的石英晶片的总体结构图。
图3a是图2所示的石英晶片的表面侧的局部放大图。
图3b是图2所示的石英晶片的背面侧的局部放大图。
图4是第一实施方式的石英晶片的局部表面的进一步放大图。
图5a是在图2的石英晶片中从框部单片化后的晶振片的表面图。
图5b是在图2的石英晶片中从框部单片化后的晶振片的背面图。
图6是图5b所示的晶振片的背面放大图。
图7是比较例的石英晶片的局部背面放大图。
图8a是对从比较例的石英晶片折取后的晶振片施加冲击时的频率偏差特性图。
图8b是对从第一实施方式的石英晶片折取后的晶振片施加冲击时的频率偏差特性图。
图9是本发明的第一实施方式的变形例所涉及的石英晶片的局部背面放大图。
图10是本发明的第二实施方式所涉及的石英晶片的总体结构图。
图11a是图10所示的石英晶片的表面侧的局部放大图。
图11b是图10所示的石英晶片的背面侧的局部放大图。
图12a是在图11a的石英晶片中从框部单片化之前的晶振片的表面放大图。
图12b是在图11b的石英晶片中从框部单片化之前的晶振片的背面放大图。
图13a是在图11a的石英晶片中从框部单片化后的晶振片的表面放大图。
图13b是在图11b的石英晶片中从框部单片化后的同一晶振片的背面放大图。
图14a是图12a的石英晶片的局部表面放大图。
图14b是图12a的A-A线剖视图。
图14c是图12b的石英晶片的局部背面放大图。
图15a是在图10的第二实施方式中，涉及折取部的第一变形例，是石英晶片的局部表面放大图。
图15b是图15a的B-B线剖视图。
图15c是图10的第二实施方式所涉及的石英晶片的局部背面放大图。
图16a是在本发明的第二实施方式中，涉及折取部的第二变形例，是石英晶片的局部表面放大图。
图16b是图16a的C-C线剖视图。
图16c是图10的本发明的第二实施方式所涉及的石英晶片的局部背面放大图。
图17a是在本发明的第二实施方式中，涉及折取部的第三变形例，是石英晶片的局部表面放大图。
图17b是图17a的D-D线剖视图。
图17c是图10的本发明的第二实施方式所涉及的石英晶片的局部背面放大图。
图18a是在本发明的第二实施方式中，涉及折取部的第四变形例，是石英晶片的局部表面放大图。
图18b是图18a的E-E线剖视图。
图18c是本发明的第二实施方式所涉及的石英晶片的局部背面放大图。
图19是本发明的第三实施方式所涉及的音叉型晶振片的表面图。
图20是本发明的第三实施方式所涉及的音叉型晶振片的背面图。
图21是本发明的第三实施方式所涉及的音叉型晶振片的侧面图。
图22a是表示本发明的第四实施方式所涉及的晶振片的表面图。
图22b是图22a的晶振片的背面图。
图23是图22b的主要部分放大图。
图24是图23的进一步主要部分放大图。
图25是图24的F-F线剖视图。
图26是表示图22a所示的本发明的第四实施方式所涉及的晶振片的振动泄漏特性的图。
图27是用于图22a所示的本发明的第四实施方式所涉及的晶振片的制造的石英晶片的整体平面图。
图28a是图27的石英晶片的局部表面放大图。
图28b是图27的石英晶片的局部背面放大图。
图29是图28的主要部分放大图。
具体实施方式
下面，参照所附的附图，对本发明的第一～第四实施方式进行说明。
在各实施方式中，作为压电晶片，使用石英Z版的石英晶片，本发明并不限于石英晶片，可适用于由石英晶片以外的钽酸锂或铌酸锂等压电材料构成的压电晶片。另外，在本实施方式中，用音叉型晶振片来进行了说明，但本发明可适用于音叉型晶振片以外的音叉型压电振动片。
此外，各图中，对通用或对应的要素、部分等使用相同的附图标记。在各实施方式中也存在说明重复的地方，但为了避免说明的重复而也存在省略说明的地方。
(第一实施方式)
参照图2～图4，对本发明的第一实施方式的石英晶片进行说明。石英晶片1将石英基板加工成板状而形成。该石英基板例如使用石英Z版(X面剪切)。
石英晶片1例如利用光刻技术来使抗蚀剂形成图案，并对其进行湿法蚀刻，从而被加工成具有晶振片2、支撑晶振片2的框部3和将晶振片2连结到框部3的连结部4的形状。
晶振片2具有基部5、作为振动部的一对第一、第二振动臂部6、7和接合部8。基部5为俯视左右对称的形状，并且与第一、第二振动臂部6、7相比以较宽的宽度形成。
第一、第二振动臂部6、7从基部5的一端面突出并隔着间隙部9相互平行地并排设置。间隙部9在基部5的一端面中，设置在第一、第二振动臂部6、7的并排设置方向的中央位置上。
图中的L0表示在并排设置的第一、第二振动臂部6、7之间的中央向下方沿所述突出方向向与该突出方向相反的方向延伸的中央线。
第一振动臂部6在表背两主面及两侧面形成有激励电极9a1、9a2和9b1、9b2。第二振动臂部7在表背面及两侧面形成有激励电极10a2、10a2和10b1、10b2。
第一振动臂部6的表背两主面的各个激励电极9a1、9a2被共通连接，两侧面的各个激励电极9b1、9b2被共通连接。另外，第二振动臂部7的表背两主面的各个激励电极10a2、10a2被共通连接，两侧面的各个激励电极10b1、10b2被共通连接。
第一振动臂部6的表背两主面的激励电极9a1、9a2被共通连接到第二振动臂部7的两侧面的激励电极10b1、10b2，并被施加一个极性的电压。另外，第一振动臂部6的两侧面的激励电极9b1、9b2被共通连接到第二振动臂部7的表背两主面的激励电极10b1、10b2，并被施加另一极性的电压。
第一、第二振动臂部6、7各自的激励电极的一部分在基部5上由引出电极20c1～20c6引出。这些引出电极20c1～20c6中的、基部5的背面侧的引出电极20c4、20c5从基部5进一步向接合部8、连结部4和框部3引出，并分别作为施加所述一个极性和另一极性的电压的引出电极20c7、20c8。
这些引出电极20c1～20c8被绝缘分离线路14a1、14a2、14b1、14b2分别电绝缘分离。
此外，在引出电极20c1～20c8中，将引出电极20c1、20c3、20c5称作用于共通连接所述激励电极的一部分的连接用基部引出电极，并且将引出电极20c2、20c4、20c6称作用于使所述多个激励电极的一部分向外部引出的外部用基部引出电极，从而也可以称作基部引出电极20c1～20c6。另外，当引出电极20c4被引出到接合部8时，也可以将该引出电极20c4称作外部用接合部引出电极20c7，并且当引出电极20c5被引出到接合部8时，也可以将该引出电极20c4称作外部用接合部引出电极20c8。
接合部8通过基端部8a和伸出部8b而以俯视L字状形成于基部5，其中，基端部8a从基部5的另一端面中的第一、第二振动臂部6、7的并排设置方向的中央位置稍微突出，伸出部8b从基端部8a向第一、第二振动臂部6、7的并排设置方向一侧伸出。此外，虽然附图中接合部8的基端部8a的突出长度相对于基部5较短，但也可以是使基端部8a的突出长度更长的俯视L字状。
在接合部8的基端部8a的引出电极20c7上通过电镀金属形成有俯视椭圆状的第一金属凸起11a，并且在接合部8的伸出部8b的引出电极20c8上通过电镀金属形成有俯视椭圆状的第二金属凸起11b。此外，第一、第二金属凸起11a、11b并不限于俯视椭圆状，也可以是俯视圆状。作为电镀金属的一例，优选为镀金，但不限于此。
由于引出电极20c7、20c8向晶振片2的激励电极施加待施加于第一、第二金属凸起11a、11b的外部电压，并且当在连结部4处折取晶振片2之前调整频率时，将频率调整用电压施加于晶振片2的激励电极，因此将晶振片2的激励电极经由接合部8和连结部4引出到框部3。
为了将晶振片2搭载于未图示的石英振动器件，第一、第二金属凸起11a、11b用于被超声波焊接到该器件的封装内的台阶上或底面上的一对相对的电极焊盘的每一个上。
第一金属凸起11a被形成在第一、第二振动臂部6、7的并排设置方向的中央位置上，更详细而言，被形成在从中央位置稍微靠近并排设置方向另一侧的位置上，第二金属凸起11b被形成在从第一、第二振动臂部6、7的并排设置方向的中央位置向并排设置方向一侧偏移的位置上。
作为一例，所述激励电极和引出电极为例如通过金属蒸镀而形成有铬层和金属层的薄膜。该薄膜是通过真空蒸镀法等方法在石英晶片1整面形成之后被金属蚀刻而形成。
在第一、第二振动臂部6、7各自的臂部伸出部的表面，形成有被电镀金属有金属膜的频率调整锤用电极12a、12b。该频率调整锤用电极12a、12b被形成为用于通过激光束照射扫描或离子蚀刻等被消除质量而进行其频率的微调整，以驱动晶振片2并使其频率达到所需的频率。连结部4具备沿与晶振片2的接合部8的分界的跨越宽度方向上的部位作为折取部13。该折取部13跨越连结部4的宽度方向的总宽度。
折取部13具备除连结部4的宽度方向的一部分之外在其两侧面侧贯通表背面的狭缝13a、13b和在所述宽度方向的一部分未形成有狭缝而具有与连结部4的表背面连续的平面的桥13c。
此外，在第一实施方式中，将狭缝13a、13b设为贯通连结部4的表背面的狭缝，但可以是并非所述贯通而为槽状的狭缝。
进一步，参照图4，对第一实施方式的石英晶片1进行说明。图中，以X表示连结部4的宽度方向，以Y表示与该宽度方向垂直的方向。以下，将X方向称作宽度方向，将Y方向称作垂直方向。
在该石英晶片1中，若将第一、第二金属凸起11a、11b各自的宽度设为W1、W2，则W1和W2优选为0.1～0.4μm。
另外，在垂直方向上，若将从接合部8的连结部4侧的端面8c至第一、第二金属凸起11a、11b的下部的分离距离设为M1，则所述距离M1优选为10μm以上。换言之，该分离距离为从桥13c的上部A、B至第一、第二金属凸起11a、11b的下部的分离距离。
将从桥13c的宽度方向中心O1至第一金属凸起11a的宽度方向一端11a1的距离设为M2，并且将桥13c的宽度方向中心O1至第二金属凸起11b的宽度方向一端11b1的距离设为M3。
由于桥13c通过狭缝13a、13b的蚀刻而形成，因此桥13c的两端13c1、13c2的形状在垂直方向上并不是直线状，从狭缝13a、13b侧观察时以凹状弯曲。因此，若将桥13c的两端13c1、13c2的宽度的最小宽度设为M41，将最大宽度设为M42，则这些距离之间存在M2>M42/2、M3>M42/2的关系。在此，A、B为桥13c的上部侧最大宽度部分，C、D为桥13c的下部侧最大宽度部分，E、F为上部侧最大宽度部分与下部侧最大宽度部分之间的桥13c的最小宽度部分。
即，根据该关系，第一金属凸起11a的一端11a1相对于桥13c的一端13c1在宽度方向上分离。另外，第二金属凸起11b的一端11b1相对于桥13c的一端13c2在宽度方向上分离。因此，桥13c的两端13c1、13c2与第一、第二金属凸起11a、11b的任一个在垂直方向上均不重叠。
此外，第一、第二金属凸起11a、11b的宽度W1、W2只要能满足所述关系则并不特别限定。另外，若桥13c的宽度为与第一、第二金属凸起11a、11b不重叠的宽度，则并不特别限定。
当在连结部4处折取晶振片2时，即当在连结部4的折取部13处折取晶振片2时，由于桥13c的最小宽度部分(E-F之间)强度较弱，因此晶振片2容易在该最小宽度部分处折取，从而裂痕也容易在该最小宽度部分产生。但是，由于裂痕也有可能以桥13c的两端13c1、13c2的上部A、B为起点产生，因此优选桥13c的上部侧最大宽度部分(A-B之间)与第一、第二金属凸起11a、11b在垂直方向上不重叠。
此外，在该实施方式中，需要使桥13c的两端13c1、13c2均与第一、第二金属凸起11a、11b在垂直方向上不重叠，从而需要使桥13c的两端21b、21c中的任一端也不重叠。
此外，在实施方式中，虽然桥13c相对于第一、第二金属凸起11a、11b在垂直方向上分离数μm以上，在垂直方向上不重叠，但只需裂痕不进展到第一、第二金属凸起11a、11b的周围，桥13c的两端13c1、13c2与第一、第二金属凸起11a、11b各自的一端11a1、11b1的分离距离超过0μm即可。
从以上的图2～图4所示的石英晶片1中将晶振片2在折取部13处折取并如图5a、图5b和图6所示那样进行单片化。图5a是晶振片2的表面图，图5b是晶振片2的背面图。图6是图5b的晶振片2的背面的局部放大图。若在由图2～图4所示的石英晶片1中连结于连结部4的晶振片2在连结部4被折取，则如图5a、图5b和图6所示那样被单片化。
经单片化的晶振片2在接合部8的端面具有折取端部21。该折取端部21是在将晶振片2从框部3折取时由桥13c形成的。因此，根据前述关系，折取端部21的宽度方向两端21b、21c的上部与第一、第二金属凸起11a、11b各自的一端11a1、11b1侧的下部在垂直方向上分离。由此，折取端部21的两端21b、21c与第一、第二金属凸起11a、11b在垂直方向上不重叠。
此外，图中，优选为折取端部21的两端21b、21c在垂直方向上以凹状弯曲而不是直线状，并且折取端部21的两端21b、21c的上部与第一、第二金属凸起11a、11b在垂直方向上不重叠。此外，在折取端部21的背面，引出电极20c7、20c8被引出到折取端21a。
接着，在晶振片2中单片化时所产生的裂痕存在于折取端部21或其附近的情况下，当将这种晶振片2的第一、第二金属凸起11a、11b超声波焊接在石英振动器件的封装内的电极焊盘上时，由于第一、第二金属凸起11a、11b从折取端部21分离，并且与折取端部21的两端21b、21c在垂直方向上不重叠，因此即使施加因超声波焊接而导致的外部冲击，也可防止裂痕进展到第一、第二金属凸起11a、11b周围。
接着，实施如下的试验：通过对从图4的石英晶片1中折取的图6所示的晶振片2和从图7所示的作为比较例的石英晶片1a中折取的晶振片2a(未图示折取后的晶振片2a)分别施加冲击等外力来测定振荡频率的偏移。
而且，在图8a、8b中示出实施所述试验后的晶振片2、2a各自的振荡频率偏移特性，并且对这二者2、2a各自的振荡频率偏离特性进行比较说明。
此外，图7是作为比较例的石英晶片1a的背面局部放大图，对与图6对应的部分使用相同的附图标记。图7的石英晶片1a作为折取部具有狭缝13g1～13g3，并在这些狭缝13g1～13g3之间具备桥13g4、13g5。13g41、13g42表示桥13g4的两端，13g51、13g52表示桥13g5的两端。
第一金属凸起11a的一端11a1在垂直方向上位于桥13g5的两端13g5的两端13g51、13g52之间，第一金属凸起11a与桥13g5的一端13g51在Y方向上重叠。此外，第二金属凸起11b与桥13g4、13g5中的任一个在垂直方向即Y方向上均不重叠。
图8a、图8b中，横轴为对晶振片2、2a施加作为外力的敲打或落下等冲击的冲击次数，纵轴为晶振片2从所需的振荡频率F偏移的频率偏移Δf/F(ppm)。
如图8a所示，在作为比较例从图7所示的石英晶片1a中折取的晶振片2a中，伴随冲击次数增加，振荡频率F与其成正比地向负侧缓慢偏移。由此可知，在从比较例的石英晶片1a中折取的晶振片2a中，裂痕进展到第一、第二金属凸起11a、11b周围。
如图8b所示，在从实施方式的石英晶片1中折取的晶振片2中，即使冲击次数增加，也几乎未发现从所需的振荡频率F偏移的频率偏移(Δf/F)。由此，可知即使冲击等外力施加次数增加，也可防止裂痕进展到第一、第二金属凸起11a、11b周围。
如以上说明那样，在第一实施方式的石英晶片1中，设置于连结部4的桥13c与晶振片2的第一、第二金属凸起11a、11b在垂直方向上不重叠，由此即使对折取后的晶振片2施加冲击等外力，裂痕也不会进展到第一、第二金属凸起11a、11b周围，从而振荡频率不会偏移。
因此，即使为了将从第一实施方式的石英晶片1折取的晶振片2搭载于石英振动器件的封装内而将其第一、第二金属凸起11a、11b超声波焊接在封装内的电极焊盘上，以及即使该超声波焊接时的振动压力作为冲击等外力作用于该晶振片2，也可防止在晶振片2的折取端部21中所产生的裂痕进展到第一、第二金属凸起11a、11b周围，其结果，可防止并抑制晶振片2的频率从所需的振荡频率偏移。
由此，由于折取后的压电振动片2的振荡频率稳定，因此在从一片压电晶片1取下多个压电振动片2的情况下，可使压电振动片2小型化并增加其取下数目。其结果，可使压电振动片2进一步小型化。
即，若使压电振动片2小型化，则连结部4的桥13f与第一、第二金属凸起11a、11b的距离靠近，从而折取时的折取端部处的裂痕会更容易进展到第一、第二金属凸起11a、11b周围，但在本实施方式中，由于能抑制裂痕进展到第一、第二金属凸起11a、11b周围，因此可通过使压电振动片2小型化来增加从一片压电晶片1折取的压电振动片2的取下数目。
图9涉及本发明的第一实施方式的变形例，是从框部3折取晶振片2之前的石英晶片1的局部背面放大图。
在图9所示的石英晶片1中，折取部13在其背面侧由三个狭缝21c～21e和两个桥21a、21b构成，引出电极20c4、20c5从接合部8侧被引出到桥21b。并且，一侧的桥21a与第一金属凸起11a在垂直方向上重叠，并且在桥21a与第一金属凸起11a之间形成有用于阻止裂痕进展的狭缝21f。但是，该狭缝21f由不贯通接合部8的槽形成。
当对具备这种狭缝21f的石英晶片1，在连结部4的折取部13处折取晶振片2而进行单片化时，在接合部8的下端产生裂痕，即使为了将折取后的晶振片2如前述那样搭载于石英振动器件的封装内，而将其第一、第二金属凸起11a、11b超声波焊接在封装内的电极焊盘上，也可通过狭缝21f阻止所述裂痕进展到第一金属凸起11a周围。
此外，由于另一侧的桥21b与第一、第二金属凸起11a、11b中的任一个在垂直方向上分离且不重叠，因此以与上述相同的理由阻止由所述桥21b的折取引起的裂痕进展到第一、第二金属凸起11a、11b周围。
其结果，即使为了将从石英晶片1折取并单片化的晶振片2搭载于石英振动器件的封装内，而将第一、第二金属凸起11a、11b超声波焊接在电极焊盘上，也能抑制裂痕向该两第一、第二金属凸起11a、11b周围的进展，从而与前述实施方式相同，可防止并抑制搭载有该晶振片2的石英振动器件的操作上的频率偏移。
因此，由于在该变形例中，也能抑制裂痕进展到第一、第二金属凸起11a、11b周围，因此可通过使压电振动片2小型化来增加从一片压电晶片1折取的压电振动片2的取下数目。
(第二实时方式)
压电晶片通过光刻技术被加工成多个压电振动片经由连结部支撑于框部的外形，并且同时加工用于从框部容易折取各压电振动片的槽状的狭缝。对加工成这种外形的压电晶片材料的整面蒸镀电极膜，该电极膜被蚀刻成所需的电极图案。在音叉型压电振动片的情况下，该电极图案中具有振动臂部的表背面或两侧面的激励电极的图案。
在压电晶片中，在折取压电振动片之前，对压电振动片施加电压来驱动，并通过刮除电极等而进行其频率的粗调整。因此，作为所述电极图案，需要形成为频率调整电压的施加而将压电振动片的激励电极从连结部引出到框部的一对频率调整用电极的图案。
为了从框部容易地折取压电振动片，考虑将所述槽状的狭缝跨越连结部的全部宽度形成为直线状。
但是，在压电晶片材料的阶段，对其整面蒸镀电极膜，之后，当将电极膜蚀刻为电极图案时，在连结部的两侧面无法蚀刻而残留电极膜，并且在槽状狭缝内也无法蚀刻而残留电极膜。因此，有时因残留的电极膜而在压电振动片的两振动臂部的激励电极产生短路。另外，为了防止频率调整用电极的断线，还需要避开槽状的狭缝来引出频率调整用电极。
对第二实施例所涉及的压电晶片来说，在一方式中，在连结部的表背两面上，除连结部的宽度方向的一部分之外，沿连结部的宽度方向形成有槽状的狭缝，并且压电振动片的电极经由连结部的宽度方向的一部分向框体侧引出。
在该方式中，借助连结部的槽状狭缝，在连结部处，能够从框部容易折取压电振动片。在此基础上，即使连结部的一侧面的残留电极膜与槽状狭缝内的残留电极膜短路，也因所述宽度方向的一部分而不会与所述连结部的另一侧面的残留电极膜短路。由此，由于压电振动片的两振动臂部的电极不会短路，因此可对该两电极施加电压来驱动压电振动片。并且，由于压电振动片的电极经由所述宽度方向的一部分向框部侧引出，因此与经由槽状狭缝内引出的情况不同，不会产生断线或短路而引出。
对第二实施方式来说，在另一方式中，所述槽状的狭缝以夹住所述宽度方向的所述一部分的方式形成在其两侧。
根据该方式，即使连结部的一侧面的残留电极膜相对于所述宽度方向的所述一部分与一侧的槽状狭缝内的残留电极膜短路，并且连结部的另一侧面的残留电极膜相对于所述宽度方向的所述一部分与另一侧的槽状狭缝内的残留电极膜短路，由于所述两槽状狭缝以夹住所述宽度方向的一部分的方式形成在其两侧，因此连结部的两面各自的残留电极膜彼此不会短路。
对第二实施方式来说，在又一方式中，向所述框部侧引出的电极为一对频率调整用电极，所述一对频率调整用电极形成在所述表背两面的一面上。
根据该方式，由于向所述框部侧引出的电极为一对频率调整用电极，因此与该一对频率调整用电极经由槽状狭缝引出的情况不同，不会产生断线或短路而引出到框部，由此，在从框部折取压电振动片之前，可通过对所述两电极施加频率调整电压，来进行压电振动片的频率调整。并且，由于在一面上具有所述一对频率调整用电极，因此在框部侧也同样被配置在一面上，从而与仅在一面配置有测量端子的压电振动片的频率调整机构对应。
另外，由于在表背两面的一面上形成有所述一对频率调整用电极，并且在所述表背两面的另一面中的所述宽度方向的一部分无需引出压电振动片的电极来作为频率调整用电极，因此可通过缩短其宽度，使压电振动片的折取变得容易。
对第二实施方式来说，在又一方式中，向所述框部侧引出的电极为一对频率调整用电极，构成所述一对频率调整用电极的各频率调整用电极分别形成在所述表背两面上。
根据该方式，与前述相同，与该一对频率调整用电极经由槽状狭缝内引出的情况不同，不会产生断线或短路而引出到框部，由此，在从框部折取压电振动片之前，可对所述两电极施加频率调整电压，来进行压电振动片的频率调整。并且，由于在表背两面中，构成所述一对频率调整用电极的各频率调整电极分别位于所述表背两面，因此在框部侧也同样被配置在所述表背两面上，从而与在表背两面配置有测量端子的压电振动片的频率调整机构对应。
并且，与前述不同，由于构成一对频率调整用电极的各频率调整用电极分别形成在所述表背两面，因此可使所述表背面各自的所述宽度方向的一部分的宽度均缩短，使压电振动片的折取变得容易。
对第二实施方式来说，在又一方式中，所述连结部的所述表背两面的所述槽状狭缝沿所述宽度方向分别形成有多个。
根据该方式，由于在连结部的表背两面上，沿所述宽度方向分别形成有多个槽状狭缝，因此在所述表背两面使槽状狭缝的一部分在连结部的厚度方向上重叠，从而可使连结部在该重叠部分处的厚度较薄，由此，可在连结部处易于折取压电振动片。
对第二实施方式来说，在又一方式中，所述连结部的所述表背两面的所述宽度方向的所述一部分被形成于在所述宽度方向上偏移的位置。
根据该方式，由于在连结部的表背两面中，壁厚的所述连结部的一部分被形成于在所述宽度方向上偏移的位置，因此能够避免作为连接部的一部分集中在一个区域而变得较厚，由此，可在连结部易于折取压电振动片。
在第二实施方式中，从压电晶片的框部折取的压电振动片具有折取端部。在该折取端部，沿该压电振动片的折取方向形成有该压电振动片的表背两面分别连续至所述折取端部的折取端的平面部和所述表背两面分别弯曲的弯曲部。所述表背两面的各弯曲部以厚度变薄的方式分别向背面侧或表面侧弯曲。在所述表背两面中的至少一面连续的所述平面部上，所述压电振动片的电极被引出到所述折取端。
在如此从压电晶片的框部折取后的压电振动片中，即使在从压电晶片的框部折取并分离的压电振动片的两侧面和所述折取端部的表背两面的所述弯曲部存在电极膜，压电振动片的两侧面的电极膜也由于所述平面部而不会短路。由此，对于该压电振动片，当对其电极施加电压时，可如预期来驱动。
在该压电振动片中，优选地，该压电振动片的表面连续的所述平面部和背面连续的所述平面部形成在沿所述折取方向偏移的位置。
在该压电振动片中，优选地，引出到所述折取端的电极为一对频率调整用电极，所述一对频率调整用电极形成在与所述表背两面的一面连续的所述平面部。
在该压电振动片中，优选地，引出到所述折取端的电极为一对频率调整用电极，构成所述一对频率调整用电极的各频率调整用电极被分别形成在与所述表背两面连续的所述平面部。
首先，参照图10、图11a、图11b、图12a、图12b，对第二实施方式进行说明。部分省略与第一实施方式的压电晶片的说明重复的部分的说明。
并且，对第二实施方式的压电晶片1来说，连结部4具备沿与晶振片2的接合部8的分界的跨越宽度方向上的部位来作为后述的折取部13。该折取部13跨越连结部4的宽度方向的总宽度。该折取部13的结构稍后进行详细说明。
如图13a和图13b所示，从具备上述形状的石英晶片1将晶振片2从形成于连结部4的折取部13折取而从框部3断开，由此被单片化。
在图13a和图13b中，如放大表示用圆包围的部分那样，经单片化的晶振片2在接合部8的端面具有折取端部21。该折取端部21是在从框部3折取晶振片2时形成的。
在该折取端部21，沿晶振片2的折取方向形成有晶振片2的表背两面连续至折取端部21的折取端21a的平面部21b、21c和晶振片2的表背两面弯曲的弯曲部21d～21g。
在两平面部21b、21c中的一个平面部21c上，晶振片2的引出电极20c4、20c5被引出到折取端21a。此外，两平面部21b、21c被形成在沿晶振片2的折取方向偏移的位置。
弯曲部21d～21g根据后述的槽状狭缝13a～13d的剖面形状以及晶振片2在槽状狭缝13a～13d的哪个位置处被折取，截面为U字形状、V字形状或倾斜形状及其它弯曲形状。
另外，由于后述的槽状狭缝13a～13d在厚度方向的大致整体上重叠，因此弯曲部21d～21g以厚度变薄的方式分别向背面侧或表面侧弯曲。
参照图14a、图14b、图14c，对折取部13的结构进行详细说明。图14a是石英晶片1的局部表面放大图，图14b是图14a的A-A线剖视图，图14c是晶振片2的局部背面放大图。
折取部13在其表面侧，除连结部4的宽度方向的一部分之外，具备沿连结部4的宽度方向延伸的两个槽状的狭缝13a、13b。该宽度方向的一部分为桥13e。
槽状的狭缝13a、13b被蚀刻，桥13e为未被蚀刻的部位，其表面平坦。由于槽状的狭缝13a、13b通过蚀刻而形成，因此其截面形状例如为V字形、U字形或其它形状。
折取部13在其背面侧，除宽度方向的一部分之外，具备沿连结部4的宽度方向延伸的两个槽状的狭缝13c、13d。该宽度方向的一部分为桥13f。
槽状的狭缝13c、13d被蚀刻，桥13f为未被蚀刻的部位，因此其表面平坦。槽状的狭缝13c、13d的剖面形状也与前述同样，例如为V字形、U字形或其它形状。
折取部13的表面侧的桥13e与背面侧的桥13f相比，在连结部4的宽度方向上宽度更窄，表面侧的狭缝13a、13b的所述宽度方向的相对间距较短而易于折取。
背面侧的桥13f在厚度方向上与表面侧的桥13e不重叠，并被形成于在沿宽度方向偏移的位置。由此，容易在折取部13处折取晶振片2而从框部3分离以进行单片化。
另外，背面侧的桥13f在宽度方向上宽度较宽，易于经由背面侧的桥13f形成引出电极20c4、20c5。
引出电极20c1～20c6中的引出电极20c4、20c5与接合部8的第一、第二金属凸起11a、11b连接，并且作为一对频率调整用电极，经由桥13f从连结部4向框部3引出。
引出电极20c4、20c5用于施加频率调整电压，并非如现有那样形成在槽状的狭缝内，而形成在折取部13的背面侧的桥13f的表面上，从而其不会短路或断线。
另外，当对石英晶片1的制作进行说明时，首先，利用光刻技术来形成抗蚀剂图案。接着，利用湿法蚀刻对该图案进行外形加工，从而制作镀前表面全部露出的石英晶片1的材料。
接着，对该材料整面蒸镀电极膜。接着，整面蒸镀后的电极膜被蚀刻为所需的电极图案，制作石英晶片1。
当通过该蚀刻，形成振动臂部6、7各自的侧面激励电极9b1、10b1时，连结部4的两侧面的电极膜未被蚀刻而残留，即使该残留电极膜与槽状的狭缝13a～13d内未被去除而存在的残留电极膜电短路，由于桥13e、13f介于槽状的狭缝13a～13d之间，因此侧面激励电极9b1、10b1彼此也不会电短路。
在以上的石英晶片1中，当从框部3折取晶振片2之前进行的频率调整(频率的粗调)时，将引出到框部3侧的引出电极20c4、20c5作为频率调整用电极对其施加频率调整电压，能够测定晶振片2的频率。
并且，伴随该测定，通过激光束来减少或通过局部蒸镀来增加第一、第二振动臂部6、7各自的前端部的频率调整锤用电极12a、12b等，由此能够进行频率调整。
当该频率调整结束时，在折取部13的部位处将晶振片2从框部3折取而分离。在该分离时，使省略图示的折取销下降至晶振片2，使该晶振片2压入等，以适当的折取方法来折取，由此将晶振片2从框部3分离而单片化。
如前所述，经单片化的晶振片2的第一、第二金属凸起11a、11b被接合在省略图示的封装内的电极焊盘上，并且以悬臂支撑状态搭载在封装内，成为石英振动器件。
如以上说明的那样，关于石英晶片1，在折取压电振动片2之前，可进行对该压电振动片2的频率调整。
此外，折取部13的形状并不限于上述，还可以进行各种变形。下面，参照图15～图18，对折取部13的其它变形例进行说明。
(折取部的变形例)
图15a～图15c表示折取部13的第一变形例。
第一变形例的折取部13在表面侧具备两个槽状的狭缝15a、15b和这些槽状狭缝15a、15b之间的一个桥15e。第一变形例的折取部13在背面侧具备两个槽状的狭缝15c、15d和狭缝15c、15d之间的一个桥15f。
第一变形例为背面侧的桥15f和表面侧的桥15e在折取部13的厚度方向上重叠的例子。
在第一变形例为中，引出电极20c4、20c5作为频率调整用电极经由桥15f向框部3引出。
图16a～图16c表示折取部13的第二变形例。
第二变形例的折取部13在表面侧具备两个槽状的狭缝16a、16b和狭缝16a、16b之间的一个桥16f。第二变形例的折取部13在背面侧具备三个槽状的狭缝16c～16e和槽状狭缝16c～16e之间的两个桥16g、16h。
第二变形例为表背面的桥16f、16g、16h在厚度方向上不重叠的例子。
在第二变形例中，引出电极20c4、20c5作为频率调整用电极经由桥16h、16g向框部3引出。
图17a～图17c表示折取部13的第三变形例。
在第三变形例中，在表面侧具备两个槽状的狭缝17a～17c和这些槽状的狭缝17a～17c之间的两个桥17g、17h，在背面侧具备三个槽状的狭缝17d～17f和槽状的狭缝17d～17f之间的两个桥17i、17j。
第三变形例为表背两主面的桥在厚度方上重叠的例子。在第三变形例中，引出电极20c4、20c5作为频率调整用电极经由桥17j、17i向框部3引出。
图18a～图18c表示折取部13的第四变形例。
在第四变形例中，在折取部13的表面侧具备两个槽状的狭缝18a、18b和槽状狭缝18a、18b之间的一个桥18e，在折取部13的背面侧具备两个槽状狭缝18c、18d和槽状狭缝18c、18d之间的一个桥18f。
在接合部8的表面上形成有引出电极20c7、20c8、109，在接合部8的背面上形成有引出电极20c10、20c11、20c12。14a1、14a2、14b1、14b2为引出电极之间的绝缘分离线路。
引出电极20c10、20c11各自分别与接合部8的背面侧的第一、第二金属凸起11a、11b连接，接合部8的表面侧的引出电极20c9经由桥18e被引出到框部3，此外，接合部8的背面侧的引出电极20c11经由桥18f被引出到框部3，这些引出电极20c9和引出电极20c11分别成为频率调整用电极。
(第三实施方式)
第三实施方式的音叉型晶振片，基本上从具备与第一实施方式相同的结构的石英晶片折取。另外，第三实施方式的音叉型晶振片除后述的用于防止静电破坏的结构之外，基本上具备与第一实施方式的石英晶片所具备的音叉型晶振片相同的结构。
在第三实施方式中，提供一种晶振片，其可防止将音叉型晶振片所具备的一对振动臂部各自的激励电极引出到基部上的引出电极在基部上静电破坏。
音叉型的晶振片被搭载在石英振动器件的封装内并作为石英振子而嵌入。近年来，这种石英振动器件向小型化发展，伴随于此，搭载于该石英振动器件上的晶振片的基部的面积越来越狭小化。
当基部的面积狭小化时，需要通过将所述引出电极使其电极宽度变细，此外将其相对间距缩短而形成在基部上。另一方面，当在基部上将引出电极的电极宽度变细，并将相对间距缩短时，具有如下之虑：在这些电极相对之间的角部等易于发生因电荷集中导致的放电，并且引出电极因该放电而被静电破坏。
因此，在第三实施方式中，可通过防止所述引出电极的所述静电破坏，来维持音叉型晶振片所需的振动特性。
因此，对第三实施方式的音叉型晶振片来说，在一方式中，在基部上形成有由连接用基部引出电极和一对外部用基部引出电极构成的基部引出电极，其中，所述连接用基部引出电极用于共通连接多个激励电极的一部分，所述一对外部用基部引出电极用于将多个激励电极的一部分向外部引出，该基部引出电极与振动臂部的表背两主面上形成的激励电极相比更厚。
根据该方式，由于基部上的基部引出电极的壁厚与振动臂部各自的表背两主面的激励电极相比更厚，因此基部引出电极的机械强度增大。其结果，即使因基部面积的狭小化而将基部引出电极的宽度和相对间距等变得狭小，基部引出电极也难以因放电而被静电破坏，从而能够长期稳定地维持晶振片的振动特性。
对第三实施方式来说，在又一方式中，在音叉型晶振片的振动臂部的前端侧形成有用于共通连接多个激励电极的一部分的臂前引出电极，臂前引出电极与激励电极相比形成为更厚，基部引出电极具有与臂前引出电极至少实际上相同的壁厚。
在该方式中，与激励电极相同，通常，基部引出电极被形成为薄膜，但为了调整晶振片的频率，臂前引出电极的表层被镀金属，因此可利用对臂前引出电极进行镀金属的工序，来将基部引出电极的壁厚形成为与激励电极相比更厚，从而降低基部引出电极的厚壁化成本。
对第三实施方式来说，在又一方式中，音叉型晶振片具备从基部的另一端面突出的接合部。该接合部由基端部和伸出部而形成为俯视L字状，其中，所述基端部从基部的另一端面的一对振动臂部的并排设置位置之间的中央线上突出，所述伸出部从该基端部向所述并排设置方向的一侧伸出。在基端部的表面上形成有一对外部用基部引出电极中的一个被引出的外部用接合部第一引出电极，在该外部用接合部第一引出电极的上部设置有第一金属凸起。在该伸出部的表面上形成有一对外部用基部引出电极中的另一个被引出的外部用接合部第二引出电极，在该外部用接合部第二引出电极的上部设置有第二金属凸起。第一金属凸起的俯视尺寸大于第二金属凸起的俯视尺寸。
在该方式中，当在两金属凸起中以悬臂支撑在封装内的状态搭载晶振片来作为石英振子时，即使接合部为俯视L字状，第一金属凸起的俯视尺寸也大于第二金属凸起的俯视尺寸，并且，由于第一金属凸起被设置在接合部的基端部，因此即使在基部上使基部引出电极的壁厚与激励电极相比更厚，也能够确保晶振片整体的振动平衡。
对第三实施方式来说，在又一方式中，臂前引出电极在其表层具有电镀金属，在外部用基部引出电极的上部或外部用接合部引出电极的上部形成有金属凸起，金属凸起在其表层形成有与所述电镀金属相同的电镀金属。
在该方式中，由于两金属凸起的表层与臂前引出电极的表层的电镀金属相同，因此当通过电镀在臂前引出电极的表层形成频率调整锤用电极时，在该形成的工序中，同时对所述两金属凸起的表层进行电镀金属，使其壁厚与激励电极相比更厚，从而可降低用于两金属凸起的厚壁化的成本。
对第三实施方式来说，在又一方式中，基部相对于一对振动臂部的并排设置位置之间的中央线俯视两侧部分为对称相同形状，并且基部引出电极在相互电分离的状态下以相同的壁厚形成在基部的表背面的大致整面上。
在该方式中，即使将所述基部引出电极较厚，也能够良好地维持晶振片的振动平衡，从而可得到能够长期稳定地维持动作特性的压电振动片。
下面，参照图19～图21，对第三实施方式进行具体说明。图19是音叉型晶振片的表面图，图20是同一音叉型晶振片的背面图，图21是同一音叉型晶振片的侧面图。此外，在这些图中，对与第一实施方式对应的部分使用相同的附图标记，并部分省略该部分的详细说明。
在这些图所示的音叉型晶振片中，在接合部8的基端部8a的背面上引出外部用基部引出电极20c4而形成外部用接合部第一引出电极20c7，在该外部用接合部第一引出电极20c7的上部形成有俯视椭圆状的第一金属凸起11a，此外，在接合部8的伸出部8b的背面上引出所述外部用基部引出电极20c5而形成外部用接合部第二引出电极20c8，进一步，在该外部用接合部第二引出电极20c8的上部形成有俯视椭圆状的第二金属凸起11b。另外，第一、第二金属凸起11a、11b不限于俯视椭圆状，也可以是俯视圆状。
与第一实施方式相同，第一金属凸起11a在基端部8a上被形成在第一、第二振动臂部6、7的并排设置方向的中央位置上，更详细而言，被设置在从所述中央位置上稍微靠近并排设置方向另一侧的位置上，第二金属凸起11b在伸出部8b上被形成在从第一、第二振动臂部6、7的并排设置方向的中央位置向并排设置方向一侧偏移的位置上。并且，第一金属凸起11a的俯视尺寸大于第二金属凸起11b的俯视尺寸。因此，能够良好地维持晶振片2整体的振动平衡。
在第一、第二振动臂部6、7各自的前端侧形成有用于共通连接所述多个激励电极的一部分的臂前引出电极12a、12b。
臂前引出电极12a、12b由臂前引出下层电极部12a1、12b1和该臂前引出下层电极部12a1、12b1表面的局部区域上的频率调整锤用电极部12a2、12b2形成，整体形成为与所述激励电极相比更厚。
此外，臂前引出下层电极部12a1、12b1被形成在第一、第二振动臂部6、7的表背面，在第一、第二振动臂部6、7的表面的臂前引出下层电极部12a1、12b1的局部区域上形成有所述频率调整锤用电极部12a2、12b2。
并且，基部引出电极20c1～20c6具有与臂前引出电极12a、12b实际相同的壁厚。频率调整锤用电极部12a2、12b2通过由金属膜构成的镀层而被形成在臂前引出下层电极部12a1、12b1的局部区域上。
此外，关于臂前引出电极12a、12b，在第三实施方式中，使臂前引出下层电极部12a1、12b1较薄，使频率调整锤用电极部12a2、12b2较厚，但还可以使臂前引出下层电极部12a1、12b1较厚，使频率调整锤用电极部12a2、12b2较薄，此外，还可以使两者为相同的壁厚，其整体壁厚具有与基部引出电极20c1～20c6实际上相同的壁厚即可。另外，还可以使臂前引出电极12a、12b为与所述激励电极实际相同的壁厚，仅使频率调整锤用电极部12a2、12b2较厚。
此外，在第三实施方式中，频率调整锤用电极部12a2、12b2被形成在第一、第二振动臂部6、7的表面侧，但也可以形成在背面侧。
臂前引出电极12a、12b的频率调整锤用电极部12a2、12b2驱动晶振片2，并被形成为通过激光束照射扫描或离子蚀刻等被消除质量而进行其频率的微调整，以使其频率达到所需的频率。另外，还可以使臂前引出下层电极部12a1、12b1较厚，包含频率调整锤用电极部12a2、12b2而进行所述频率的微调整。
此外，从防止因放电而导致的静电破坏的观点来看，当然基部引出电极20c1～20c6也可以是所述臂前引出电极12a、12b的壁厚以上。
对以上的结构来说，在第三实施方式的晶振片2中，如图21所示，基部5上的基部引出电极20c1～20c6的壁厚被形成为与臂前引出电极12a、12b的壁厚至少实际相同的壁厚，从而被形成为与振动臂部6、7的表背两主面的激励电极9b1、9b2、10b1、10b2相比更厚。另外，基部引出电极20c1～20c6在除绝缘分离线路14a1、14a2、14b1、14b2之外的基部5的表背面的大致整面中，以相同的壁厚形成。
在第三实施方式中，由于基部5上的基部引出电极20c1～20c6的壁厚被形成为与振动臂部6、7的表背两主面的激励电极9b1、9b2、10b1、10b2相比更厚，因此其机械强度增强。
因此，由于基部引出电极20c1～20c6在基部5上电极宽度较细，且隔着绝缘分离线路14a1、14a2、14b1、14b2相对的相对间距较短，因此即使在基部引出电极20c1～20c6之间的例如角部等处产生放电，也可有效地防止这些基部引出电极20c1～20c6的静电破坏。
在第三实施方式中，即使接合部8为俯视L字状，由于第一金属凸起11a的俯视尺寸大于第二金属凸起11b的俯视尺寸，并且第一金属凸起11a被设置在一对第一、第二振动臂部6、7的并排设置位置之间的大致中央线上，因此也可确保晶振片2整体的振动平衡。
另外，在第三实施方式中，由于基部5相对于第一、第二振动臂部6、7的并排设置位置之间的大致中央线俯视两侧部分为左右对称的相同形状，并且基部引出电极20c1～20c6以相同的壁厚形成在基部5的表背面的大致整面上，因此即使为防止静电破坏而使基部引出电极20c1～20c6较厚，也能够良好地维持晶振片2的振动平衡，从而能够长期稳定地维持其动作特性。
在臂前引出电极12a、12b中，作为一例，臂前引出下层电极部12a1、12b1为以铬(Cr)为基底，在其上层通过光刻等技术形成有金(Au)的薄膜，并且频率调整锤用电极部12a2、12b2为电镀金(Au)的厚膜，从而质量附加，并能够应对所述频率调整。
对引出电极20c1～20c6的厚壁化工序进行说明。
晶振片2在通过对石英晶片的光刻使外形成型，并在形成必要的电极之后，从石英晶片折取而被单片化。
并且，具体而言该晶振片2的振动臂部6、7的各电极为以Cr为基底，在其上层层压有Au的薄膜构造。另外，臂前引出电极12a、12b的臂前引出下层电极部12a1、12b1的局部区域上的频率调整锤用电极部12a2、12b2及接合部8上的金属凸起11a、11b通过电镀金属(Au)而被形成为厚膜。
基部引出电极20c1～20c6在被形成为与激励电极相同的薄膜状之后，基部5上的基部引出电极20c1～20c6，在与通过电镀金属在臂前引出电极12a、12b的臂前引出下层电极部12a1、12b1的上部形成频率调整锤用电极部12a2、12b2的工序同时，在其表层电镀金属，使其壁厚为与臂前引出电极12a、12b实际相同的壁厚。
臂前引出电极12a与第一振动臂部6的侧面激励电极9b1、9b2连接，臂前引出电极12b与第二振动臂部7的侧面激励电极10b1、10b2连接。
臂前引出电极12a、12b的频率调整锤用电极部12a2、12b2被形成为数μm程度的壁厚，优选为2～8μm程度的壁厚，第一、第二金属凸起11a、11b被形成为数μm程度的壁厚，优选为7～15μm程度的壁厚。
此时，基部5上的基部引出电极20c1～20c6，在所述镀金前为与激励电极相同程度的薄膜，但通过对频率调整锤用电极部12a2、12b2进行电镀金属的工序，可为与臂前引出电极12a、12b实际相同程度的壁厚。
在第三实施方式中，即使因基部5的面积狭小化，基部5上的基部引出电极20c1～20c6的电极宽度和电极间距狭小，由于基部引出电极20c1～20c6的壁厚与激励电极相比更厚，因此其机械强度增大，其结果，即使在基部5上的基部引出电极20c1～20c6之间产生放电，也可防止基部引出电极20c1～20c6被静电破坏。
此外，在当基部5上的基部引出电极20c1～20c6的壁厚增大时，在基部5侧将晶振片2悬臂支撑在石英振子的封装内来构成石英振子(压电振子)的情况下，晶振片2的支撑强度增大，还可以得到振动臂部6、7的振动作用稳定的效果。
如以上说明的那样，根据第三实施方式，由于基部5的表背面的基部引出电极20c1～20c6与基部5的表背面的激励电极9a1、9b1、10b1、10b2相比更厚，因此其机械强度加大，由此，即使在基部引出电极20c1～20c6的相对间产生放电，也可防止基部引出电极20c1～20c6因该放电而静电破坏。
此外，在第三实施方式中，虽然第一、第二金属凸起11a、11b被形成在接合部8的外部用接合部第一及第二引出电极20c7、20c8上，但也可以消除接合部8，并在各个基部引出电极20c4、20c5的上部分别形成第一、第二金属凸起11a、11b。
(第四实施方式)
音叉型晶振片作为时钟等的基准信号的频率产生源被广泛使用。音叉型晶振片为平行并排设置在基部的一端侧的一对振动臂部进行弯曲振动的振动片，其振动泄漏成为振动效率降低、等效串联阻抗的恶化或振动频率偏移等其振动特性降低的主要原因。
由于在这种振动泄漏中，存在向与基部的一端侧相对的基部的另一端侧的端面的振动泄漏，为了降低向所述端面的振动泄漏，考虑在该端面设置凸部。
但是，若伴随晶振片小型化的促进，基部的一端侧与另一端侧的距离靠近，则振动臂部的振动能量向基部的另一端侧的端面大幅传播而更容易泄漏，仅在上述端面设置凸部，对于有效降低其振动泄漏来说有限。
因此，在第四实施方式中，提供一种能够降低前述的振动泄漏的音叉型晶振片。
对第四实施方式来说，在一方式中，音叉型晶振片具备并排设置在一端侧且从该一端侧平行地突出的一对振动臂部，并且在与所述一端侧相对的另一端侧的端面的一部分形成有由第一凸部和该第一凸部上的第二凸部构成的台阶部。
根据该方式，由于伴随一对振动臂部的振动，从所述一端侧向所述另一端侧的端面传播的振动泄漏首先在台阶部的第一凸部被降低，其次在第二凸部进一步被降低，因此与所述另一端侧的端面平坦的音叉型晶振片或在该端面设置有单一的凸部的音叉型晶振片相比，能够更有效地降低振动泄漏。
此外，在所述另一端侧的所述端面具备在一端面形成有一对振动臂部的基部，当在该基部沿一对振动臂部的并排设置方向形成有第一、第二金属凸起时，基部的另一端面对应于所述另一端侧的端面，此外，当在基部的与一端面相对的另一端面形成有接合部时，接合部的端面对应于所述另一端侧的端面，在接合部的端面形成台阶部。
对第四实施方式来说，在又一方式中，包括：一对振动臂部形成在一端面的基部；和形成在基部的与一端面相对的另一端面上的接合部。接合部具备：基端部，相对于基部的另一端面从包括并排设置的两振动臂部之间的中央线的区域突出并具有第一金属凸起；和伸出部，从基端部向两振动臂部的并排设置方向一侧伸出并具有第二金属凸起，并且接合部以俯视L字状形成。接合部的端面为所述另一端侧，在该端面形成有台阶部。
根据该方式，由于形成在基部的另一端侧的接合部的形状为俯视L字状，因此从一端侧至另一端侧的端面的振动泄漏的距离延长，可降低与该距离所延长的程度对应的振动泄漏，从而振动泄漏降低效果提高。
对第四实施方式来说，在又一方式中，第一凸部以通过并排设置的两振动臂部之间的中央线的宽度来形成。
根据该方式，伴随基部的一端侧的一对振动臂部的振动，从基部的一端侧向基部的另一端侧的端面传播的振动会大致均等地传播，但由于第一凸部以通过并排设置的两振动臂部之间的中央线的宽度形成，因此能够均等地降低这些振动泄漏，当在第二凸部进一步降低振动泄漏时，降低一侧的振动泄漏与另一侧的振动泄漏之间的相互干涉，从而可有效地降低振动泄漏。
对第四实施方式来说，在又一方式中，第一凸部的宽度方向两端的侧面从基部的另一端面或接合部的端面向所述突出方向大致垂直地立起，第一凸部的表背面为与基部的另一端面或接合部的表背面连续的平坦面，并且第二凸部具有与第一凸部的宽度相比更短的宽度，在第二凸部的宽度方向两侧形成有随着朝向第一凸部的宽度方向两端而逐渐变薄的区域。
在该方式中，由于第一凸部的宽度方向两端的侧面从基部的另一端面或接合部的端面向所述突出方向大致垂直地立起，第一凸部的表背面为与基部的另一端面或接合部的表背面连续的平坦面，因此可在第一凸部大幅降低从一对振动臂部向基部的另一端面或接合部端面的振动泄漏，并且进一步经由随着朝向第一凸部的宽度方向两端而逐渐变厚的区域，最终通过第二凸部将振动泄漏降低至足够小，从而可减轻对振动特性的影响。
对第四实施方式来说，在又一方式中，第二凸部的宽度方向两端与第一、第二金属凸起在与宽度方向垂直的方向上分离，并且不重叠。
在该方式中，即使在另一端侧的端面附近存在裂痕，也能抑制因冲击等外力而使该裂痕进展到两金属凸起的周围，从而可防止施加冲击等外力时的振荡频率的偏移。
对第四实施方式来说，在又一方式中，第二凸部被形成在相对于并排设置的一对振动臂部之间的中央向并排设置方向一侧偏心的位置上。
在该方式中，由于第二凸部被形成在向并排设置方向一侧偏心的位置上，因此可有效地瓦解来自所述另一端侧的两侧的振动泄漏的相互干涉作用，从而可更有效地防止来自所述另一端侧两侧的振动泄漏。
对第四实施方式来说，在又一方式中，第二凸部的顶部及底部为与接合部的表背面连续的平坦面。
根据该方式，可更有效地降低向第二凸部传播的振动泄漏。
下面，参照图22a～图25，对第四实施方式进行说明。
图22a是本发明的第四实施方式所涉及的晶振片的表面图，图22b是该晶振片的背面图。另外，图23是图22b的主要部分放大图，图24是图23的进一步的主要部分放大图，图25是图24的F-F线剖视图。此外，部分省略与上述的各实施方式重复的部分的说明。在这些图中，X为宽度方向，Y表示与所述宽度方向垂直的方向。
在第四实施方式中，在接合部8的端面8c上，在其宽度方向的一部分设置有由第一凸部32a和该第一凸部32a上的第二凸部32b构成的台阶部32，可通过该台阶部32降低来自第一、第二振动臂部6、7的振动泄漏。
如前述，台阶部32为由第一凸部32a和形成在第一凸部32a上的第二凸部32b构成的两级形状，可降低来自接合部8的两侧面的任一振动泄漏而不会相互干涉。
第一凸部32a具有相对于接合部8的另一端侧的端面8c通过中央线L0并从接合部8的基端部8a跨越至伸出部8b的宽度M4。第一凸部32a还具有分别与接合部8的表面8d及背面8e连续的平坦的顶部32a1和底部32a2，并被形成为与接合部8的厚度t一致地从端面8c突出。顶部32a1和底部32a2的俯视尺寸及形状相同。第一凸部32a的宽度方向的两端32a3、32a4彼此成相对于所述端面8c斜向外一侧和另一侧的直线状，整体大致垂直地突出，从所述端面8c起的垂直突出量优选为约0.01mm程度。
第二凸部32b具有与第一凸部32a的宽度M4相比更短的宽度M5。第二凸部32b具有与接合部8的表面8d、背面8e连续的平坦的顶部23b1和底部23b2，并与接合部8的厚度t一致地从第一凸部32a上突出。第二凸部32b从第一凸部32a的突出量优选约0.005mm程度。第二凸部32b的顶部32b1的宽度方向两侧为因蚀刻而壁厚逐渐变薄的区域并直至第一凸部32a的两端32a3、32a4。由此，薄壁区域的表面33a、33b的高度朝向第二凸部32b方向逐渐变高。第二凸部32b相对于第一凸部32a的宽度方向中心向接合部8的伸出部8b的伸出方向偏心。
另外，由于第二凸部32b形成在第一、第二金属凸起11a、11b的宽度方向中心，因此在与宽度方向垂直的方向上，该第二凸部32b的宽度方向两端与第一、第二金属凸起11a、11b分离，并且与第一、第二金属凸起11a、11b不重叠。因此，在实施方式的晶振片2中，即使在接合部8的端面附近存在裂痕，也能抑制因冲击等外力导致该裂痕进展到两金属凸起11a、11b周围，从而可防止因施加冲击等外力而导致的振荡频率偏移。
图中，M1为从接合部8的端面8c至第一、第二金属凸起的Y方向宽度中心的距离，该距离M1优选为0.04mm～0.06mm。
M2为从第一凸部32a的宽度方向中心O1至第一金属凸起11a的宽度方向中心的距离，该距离M2优选为0.06mm～0.08mm。
M3为从第一凸部32a的宽度方向中心O1至第二金属凸起11b的宽度方向中心的距离，该距离M3优选为0.14mm～0.16mm。
另外，W1、W2为第一、第二金属凸起11a、11b各自的凸起宽度，这些宽度W1、W2优选为0.02mm～0.08mm。此外，第一凸部32a的宽度M4优选为0.14mm～0.20mm。第二凸部32b的宽度M5优选为0.02mm～0.08mm。该宽度M5为后述的第二凸部32b的底部32b2的X方向宽度，短于第一凸部32a的X方向宽度M4。此外，后述的第二凸部32b的顶部32b1的X方向宽度适当确定即可。另外，根据对第一、第二金属凸起11a、11b的应力关系，第二凸部32b的宽度M5优选为该第一、第二金属凸起11a、11b的凸起宽度W1、W2以下。
参照图26，对由具有以上结构的晶振片2的台阶部32带来的振动泄漏的降低效果进行说明。
此外，通过对接合部8的端面8c为平坦且未形成有凸部的第一比较例的晶振片(以下，称为“0级”类型)、在接合部8的端面8c形成有单一凸部的第二比较例的晶振片(以下，称为“1级”类型)和实施方式的晶振片2(以下，称为“2级”类型)进行比较来说明该降低效果。
图26中记载为，横轴所示的“0级”类型是将第一比较例的晶振片作为所述“0级”类型的第一比较例，“1级”类型是将第二比较例的晶振片作为所述“1级”类型的第二比较例，“2级”类型是将实施方式的晶振片2作为所述“2级”类型的实施方式。纵轴为晶振片各部的变形量的总和[mm]，表示振动泄漏的大小。
对这些各类型的晶振片实施振动泄漏模拟。根据该模拟结果，在第一比较例的晶振片中，其振动泄漏为约4.56E-12，在第二比较例的晶振片中，其振动泄漏为约4.45E-12，与此相对，实施方式的晶振片的振动泄漏为约4.36E-12。
由此可知，实施方式的晶振片的振动泄漏与第一及第二比较例的晶振片相比，振动泄漏降低。
在以上的实施方式的2级类型的晶振片中，在接合部8的端面具备由第一凸部32a和第二凸部32b构成的台阶部22，由此与现有的“0级”类型或“1级”类型的任一晶振片相比能够进一步降低来自第一、第二振动臂部6、7的振动泄漏。
此外，在第四实施方式的晶振片中，如前述，虽然第二凸部32b被形成在相对于第一凸部32a偏心的位置上，但由于根据第二凸部32b形成在第一凸部32a上的位置，在振动泄漏的降低效果方面存在差异，因此第二凸部32b的位置并不限于实施方式，可根据实验等适当确定。
(制造例)
参照图27～图29，对实施方式的晶振片2的制造一例进行说明。图27是实施方式的晶振片的制造中所使用的石英晶片的整体俯视图，图28a是图27的石英晶片的局部表面放大图，图28b是图27的石英晶片的局部背面放大图，图29是图28b的主要部分放大图。在这些图中，对与图22a～图25对应的部分使用相同的附图标记。
参照这些图，石英晶片1基本上具有与第一实施方式的石英晶片相同的结构，并且在连结部4的端面8c还预先形成有与第一凸部32a对应的凸部8d。另外，在折取部13形成有槽状狭缝31a、31b，其沿所述凸部8d在连结部4的宽度方向上延伸并且不贯通该连结部4的两面。在这些狭缝31a、31b之间的宽度方向的一部分未形成有狭缝，该宽度方向的一部分的两面为与石英晶片1的表背面连续的桥31c，从而将晶振片2连结到连结部4。
在上述石英晶片1中，当在设置于连结部4的折取部13处折取支撑在框部3上的晶振片2时，在晶振片2的接合部8的端面8c上的折取端部，形成由第一凸部32a和第二凸部32b构成的台阶部32，其中，所述第一凸部32a由形成在所述接合部8的端面8c上的凸部8d而产生，所述第二凸部32b由所述桥13c而产生。
此外，当从石英晶片1折取晶振片2时，在以桥13c为起点产生裂痕的情况下，该裂痕有时会达到折取后的桥13c的折取端部。并且，若对在折取端部存在裂痕的晶振片2施加冲击等外力，则该裂痕有时会进展到第一、第二金属凸起11a、11b的周围。这种裂痕的进展有可能导致晶振片2的频率偏移，从而具有该晶振片2的振动特性恶化的风险。
因此，在所述石英晶片1中，该桥13c被设置在第一、第二金属凸起11a、11b的宽度方向中央，其宽度方向两端在与宽度方向垂直的方向上与晶振片2的第一、第二金属凸起11a、11b分离且不重叠。
由此，即使从石英晶片1的框部3折取的晶振片2在其折取端部等存在裂痕，也能抑制因冲击等外力而使该裂痕进展到两金属凸起11a、11b的周围，从而具有可抑制其频率特性偏移的效果。
如以上说明那样，根据实施方式，在晶振片2的另一端侧、即接合部8的端面，通过由第一凸部32a和第一凸部32a上的宽度小于该第一凸部32a的宽度的第二凸部32b构成的台阶部32，可降低从接合部8的两侧面向其端面8c的振动泄漏。
此外，在第四实施方式中，虽然在接合部8的端面8c设置有台阶部22，但在没有接合部8且在基部5的引出电极20c4、20c6上沿第一、第二振动臂部6、7的并排设置方向形成有第一、第二金属凸起11a、11b的情况下，也可以在该基部5的另一端面形成所述台阶部22。
此外，本发明不限于上述各实施方式，在不脱离本发明的技术思想或主要特征的情况下，可以以其它各种方式来实施。因此，前述的实施方式在所有方面只不过是举例说明，本发明的范围为权利要求书所示的范围，并不受说明书本文的任何限制。进而，属于权利要求书的范围的变形或变更均属于本发明的范围内。
附图标记说明
1 石英晶片(压电晶片)
2 晶振片(压电振动片)
3 框部
4 连结部
5 基部
6、7 第一、第二振动臂部
8 接合部
13 折取部
13a、13b 狭缝
13c 桥
13c1、13c2 桥端

Claims (19)

1.一种压电晶片，具有压电振动片、支撑所述压电振动片的框部和将所述压电振动片连结到所述框部的连结部，所述压电振动片具有沿所述连结部的宽度方向隔开间隔而并排设置的一对第一金属凸起和第二金属凸起，在所述连结部处能够从所述框部折取所述压电振动片，所述压电晶片的特征在于，
在所述连结部，除所述连结部的宽度方向的一部分之外，沿所述连结部的所述宽度方向形成有用于折取的狭缝，
所述连结部的所述宽度方向的一部分为具有与所述连结部的表背面连续的平面的桥，所述狭缝形成在所述桥的所述宽度方向的两侧，
所述桥具有所述桥的宽度方向的两端在所述连结部的所述宽度方向上从所述两金属凸起分离，并且在与所述宽度方向垂直的方向上与所述两金属凸起不重叠的构造。
2.根据权利要求1所述的压电晶片，其特征在于，
所述桥的最大宽度部分在所述垂直方向上未与所述两金属凸起重叠。
3.根据权利要求1所述的压电晶片，其特征在于，
所述桥被形成在并排设置的所述两金属凸起之间的中央位置上。
4.根据权利要求1所述的压电晶片，其特征在于，
所述压电振动片具备：至少一对振动臂部；接合部，与外部接合；和基部，所述一对振动臂部被并排设置在一端面，并且所述接合部形成在与所述一端面相对的另一端面，所述一对振动臂部从所述基部的一端面平行地突出，所述接合部被形成为具有基端部和伸出部的俯视L字状，其中，所述基端部在所述基部的所述另一端面设置在所述一对振动臂部的所述并排设置方向的中间位置且形成有所述第一金属凸起，所述伸出部从所述基端部向所述连结部的所述宽度方向的一侧伸出且形成有所述第二金属凸起，所述第一金属凸起的俯视尺寸大于所述第二金属凸起的俯视尺寸。
5.一种压电振动片，从权利要求1所述的压电晶片的框部折取而成，其特征在于，具备：
振动部，被设置于至少一端侧；和
外部接合用的接合部，被设置于与所述一端侧相对的另一端侧，
所述接合部具备在所述另一端侧的宽度方向上并配设置的所述第一金属凸起和所述第二金属凸起，
并且，在所述另一端侧的端面具有从所述框部折取而成的折取端部，
所述折取端部的宽度方向端，在与所述连结部的所述宽度方向垂直的方向上，从所述两金属凸起分离，并且与所述两金属凸起不重叠。
6.根据权利要求5所述的压电振动片，其特征在于，
所述振动部为由一对振动臂部构成的音叉型，所述一对振动臂部在表背两主面及两侧面形成有激励电极。
7.一种压电振动片，从权利要求4所述的压电晶片的框部折取而分离，其特征在于，
在所述一对振动臂部的表背两主面及两侧面分别形成有多个激励电极，
在所述基部上形成有由连接用基部引出电极和一对外部用基部引出电极构成的基部引出电极，所述连接用基部引出电极共通连接所述多个激励电极的一部分，所述一对外部用基部引出电极将所述多个激励电极的一部分向外部引出，
所述基部引出电极与所述振动臂部的所述表背两主面上形成的所述激励电极相比更厚。
8.根据权利要求7所述的压电振动片，其特征在于，
在所述振动臂部的前端侧形成有用于共通连接所述多个激励电极的一部分的臂前引出电极，所述臂前引出电极被形成为比所述激励电极更厚，所述基部引出电极具有与所述臂前引出电极至少实际相同的壁厚。
9.根据权利要求7所述的压电振动片，其特征在于，
所述压电振动片具备从所述基部的另一端面突出的接合部，
所述接合部由基端部和伸出部形成为俯视L字状，所述基端部从所述基部的所述另一端面的包含所述一对振动臂部的并排设置位置之间的大致中央线上的位置突出，所述伸出部从所述基端部向所述并排设置方向的一侧伸出，
在所述基端部的表面上形成有所述一对的所述外部用基部引出电极的一个被引出的外部用接合部第一引出电极，并且在该外部用接合部第一引出电极的上部设置有所述第一金属凸起，
在所述伸出部的表面上形成有所述一对的所述外部用基部引出电极的另一个被引出的外部用接合部第二引出电极，并且在该外部用接合部第二引出电极的上部设置有所述第二金属凸起，
所述第一金属凸起的俯视尺寸大于所述第二金属凸起的俯视尺寸。
10.根据权利要求8所述的压电振动片，其特征在于，
在所述臂前引出电极的表层具有电镀金属，
在所述外部用基部引出电极的上部或所述外部用接合部引出电极的上部形成有金属凸起，在所述金属凸起的表层形成有与所述电镀金属相同的电镀金属。
11.根据权利要求7所述的压电振动片，其特征在于，
所述基部相对于所述至少一对振动臂部的并排设置位置之间的大致中央线的俯视两侧部分为对称的相同形状，并且所述基部引出电极在相互电分离的状态下以相等的壁厚形成在所述基部的表背面的大致整面上。
12.一种压电振动片，从权利要求1所述的压电晶片的框部折取而分离，其特征在于，
所述压电振动片具备并排设置于一端侧且从该一端侧平行地突出的一对振动臂部，
在与所述一端侧相对的另一端侧的端面的一部分，形成有由第一凸部和所述第一凸部上的第二凸部构成的台阶部。
13.根据权利要求12所述的压电振动片，其特征在于，
所述压电振动片包括：基部，所述一对振动臂部被形成在该基部的一端面；和接合部，该接合部被形成在所述基部的与所述一端面相对的另一端面，
所述接合部具备：
基端部，相对于所述基部的所述另一端面从包括并排设置的所述一对振动臂部之间的中央线的区域突出，并具有所述第一金属凸起；和
伸出部，从所述基端部向所述两振动臂部的所述并排设置方向的一侧伸出，并具有所述第二金属凸起，
并且所述接合部被形成为俯视L字状，
所述接合部的端面为所述另一端侧，在所述端面形成有所述台阶部。
14.根据权利要求12所述的压电振动片，其特征在于，
所述第一凸部以通过并排设置的所述一对振动臂部之间的中央线的宽度形成。
15.根据权利要求12所述的压电振动片，其特征在于，
所述第一凸部的宽度方向两端的侧面从所述另一端侧的端面大致垂直地立起，所述第一凸部的表背面为与所述另一端侧的表背面连续的平坦面，
所述第二凸部具有与所述第一凸部的宽度相比更短的宽度，
在所述第二凸部的宽度方向两侧，形成有随着朝向所述第一凸部的宽度方向两端逐渐变薄的区域。
16.根据权利要求12所述的压电振动片，其特征在于，
所述第二凸部的宽度方向两端相对于所述第一金属凸起和所述第二金属凸起，在与所述连结部的所述宽度方向垂直的方向上分离，并且不重叠。
17.根据权利要求12所述的压电振动片，其特征在于，
所述第二凸部相对于并排设置的所述一对振动臂部之间的中央，被形成在向所述并排设置方向的一侧偏心的位置上。
18.根据权利要求13所述的压电振动片，其特征在于，
所述第二凸部的顶部及底部为与所述接合部的表背面连续的平坦面。
19.一种压电振子，其特征在于，
权利要求5或7或12所述的压电振动片被支撑在封装内。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6519995B2 (ja) * 2014-06-30 2019-05-29 セイコーエプソン株式会社 振動素子、振動素子の製造方法、振動子、ジャイロセンサー、電子機器および移動体
JP2016146595A (ja) * 2015-02-09 2016-08-12 セイコーエプソン株式会社 振動片の製造方法、ウェハー、振動片、振動子、発振器、リアルタイムクロック、電子機器、および移動体
JP6579344B2 (ja) * 2016-01-21 2019-09-25 株式会社村田製作所 水晶振動子及びその製造方法
US11342901B2 (en) * 2016-08-30 2022-05-24 Daishinku Corporation Crystal resonator plate and crystal resonator device
JP6740073B2 (ja) * 2016-09-29 2020-08-12 エスアイアイ・クリスタルテクノロジー株式会社 ウエハ、圧電振動片及び圧電振動子
US11075611B2 (en) 2016-10-31 2021-07-27 Daishinku Corporation Frequency adjustment method for piezoelectric resonator device
JP6439808B2 (ja) 2017-01-31 2018-12-19 株式会社大真空 音叉型振動子
JP6436175B2 (ja) * 2017-01-31 2018-12-12 株式会社大真空 音叉型振動子
JP2021005783A (ja) * 2019-06-26 2021-01-14 セイコーエプソン株式会社 振動片、電子機器、および移動体

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101510765A (zh) * 2008-02-14 2009-08-19 精工电子有限公司 压电振动片及其制造方法、晶圆、包括压电振动片的装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100365295B1 (ko) * 2000-05-03 2002-12-18 한국과학기술연구원 저온소결 저손실 고주파 유전체 세라믹스 조성물 및 그 제조방법
JP4120312B2 (ja) * 2001-10-16 2008-07-16 セイコーエプソン株式会社 圧電振動片及びその加工方法
US7417362B2 (en) * 2003-03-28 2008-08-26 Daishinku Corporation Frequency regulating method for tuning fork type vibrator and tuning fork type vibrator frequency-regulated by the method
JP2005318080A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Seiko Epson Corp 圧電振動片の製造方法
JP2007096899A (ja) 2005-09-29 2007-04-12 Seiko Epson Corp 圧電振動片の製造方法、圧電振動片の接合構造、圧電デバイス
JP5071623B2 (ja) 2007-01-22 2012-11-14 セイコーエプソン株式会社 音叉型圧電振動片集合体及び音叉型圧電振動片の製造方法
JP5181938B2 (ja) 2008-09-03 2013-04-10 株式会社大真空 音叉型水晶振動子
US8400048B2 (en) 2008-09-26 2013-03-19 Daishinku Corporation Tuning-fork type piezoelectric resonator plate comprising leg portions and a bonding portion respectively provided on first and second end faces of a base portion
JP5239709B2 (ja) * 2008-09-30 2013-07-17 セイコーエプソン株式会社 圧電振動片用の折り取り冶具、折り取り装置、不良品折り取りシステム
JP5218104B2 (ja) 2009-01-29 2013-06-26 株式会社大真空 音叉型圧電振動片、および音叉型圧電振動デバイス
JP5451427B2 (ja) * 2010-01-29 2014-03-26 京セラクリスタルデバイス株式会社 音叉型屈曲水晶振動素子ウエハ及び音叉型屈曲水晶振動素子ウエハの製造方法及び音叉型屈曲水晶振動素子の製造方法。
JP5397336B2 (ja) * 2010-07-14 2014-01-22 株式会社大真空 圧電振動片、および圧電振動子
JP2012054893A (ja) 2010-09-03 2012-03-15 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 音叉型水晶振動片及び水晶デバイス
JP5333668B2 (ja) 2011-02-07 2013-11-06 株式会社大真空 音叉型圧電振動片、および音叉型圧電振動子
JP5847540B2 (ja) 2011-10-31 2016-01-27 京セラクリスタルデバイス株式会社 水晶ウエハ
JP2013187639A (ja) * 2012-03-06 2013-09-19 Seiko Instruments Inc 圧電振動片の製造方法
JP5877746B2 (ja) 2012-03-28 2016-03-08 シチズンファインデバイス株式会社 圧電振動片およびその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101510765A (zh) * 2008-02-14 2009-08-19 精工电子有限公司 压电振动片及其制造方法、晶圆、包括压电振动片的装置

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TW201528564A (zh) 2015-07-16

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