JP2007096899A - 圧電振動片の製造方法、圧電振動片の接合構造、圧電デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】バンプを用いて圧電振動片を正確に位置決めすると共に、優れた振動特性を有する圧電振動片の製造方法、圧電振動片の接合構造、並びに圧電デバイスを提供すること。
【解決手段】バンプ５２を用いてパッケージ３０の接続電極４０に接合されるパッド電極４４ａ，４４ｂと、このパッド電極と一体に形成する励振電極４６，４７とを、圧電体２９の表面に形成する電極形成工程を備える圧電振動片の製造方法であって、電極形成工程では、下地層５４を形成してから、この下地層５４より表層側に金を主成分とする層５６を形成するようになっており、電極形成工程の際及び／又はその後に、パッド電極４４ａ，４４ｂの金を主成分とする層５６のみに、さらに金を主成分とする膜５８を形成する。
【選択図】図２

Description

本発明は、バンプを用いて、圧電振動片をパッケージに接合する圧電振動片の製造方法および接合構造、並びに圧電デバイスに関する。

ＨＤＤ（ハード・ディスク・ドライブ）、モバイルコンピュータ、あるいはＩＣカード等の小型の情報機器や、携帯電話、自動車電話、またはページングシステム等の移動体通信機器において、圧電デバイスは広く使用されている。
図６はこの圧電デバイスの例示としての圧電振動子１であり、図６（ａ）は圧電振動子１の概略分解斜視図、図６（ｂ）は図６（ａ）の圧電振動片とパッケージとを接合してＡ−Ａ線の位置で切断した場合の端面図である（例えば、特許文献１参照）。

この圧電振動子１では、圧電振動子１の小型化に対応して、圧電振動片２とパッケージ８との接合位置を正確に決められるように、バンプ５を用いたフリップチップボンディングにより、接続電極６とパッド電極３とを接合している。
すなわち、圧電振動片２は、例えば水晶からなる圧電体７の表面に励振電極４とパッド電極３を有しており、この励振電極４とパッド電極３とは一体に形成され、図６（ｂ）に示すように、ともに、クロムを主成分とする下地層３ａと、この下地層３ａよりも外側に導通性を向上するための金を主成分とする膜状の表層３ｂとを備えている。そして、予めパッケージ８の接続電極６の上に形成しておいた金からなるバンプ５の上にパッド電極３を載置し、パッド電極３を上から加圧しながら超音波を印加して、接続電極６とパッド電極３と接合している。

特開２００２−３６８５６４の公開特許公報

ところで、上述のように、パッド電極３を加圧しながら超音波を印加しても、接続電極６とパッド電極３とが剥離することがあった。これは、超音波を印加する際、バンプ５が膜状の表層３ｂを通って下地層３ａのクロムまで到達し、クロムが表層３ｂに拡散するためであると思われる。そして、このように接続電極６とパッド電極３とが剥離すると、圧電振動片２の振動特性が悪化する恐れが生じてしまう。

本発明は、上述の課題を解決するためのものであり、バンプを用いて圧電振動片を正確に位置決めすると共に、優れた振動特性を有する圧電振動片の製造方法、圧電振動片の接合構造、並びに圧電デバイスを提供することを目的とする。

上記目的は、第１の発明によれば、圧電体の表面に、バンプに接合するパッド電極と、このパッド電極と一体である励振電極とを形成する電極形成工程を備える圧電振動片の製造方法であって、前記電極形成工程では、下地層を形成してから、この下地層より表層側に金を主成分とする層を形成するようになっており、前記電極形成工程の際及び／又はその後に、前記パッド電極の金を主成分とする層のみに、さらに金を主成分とする膜を形成する厚膜形成工程を有する圧電振動片の製造方法により達成される。

第１の発明の構成によれば、励振電極とパッド電極とを圧電体の表面に形成する電極形成工程では、下地層を形成してから、この下地層より表層側に金を主成分とする層を形成するようになっているが、この電極形成工程の際及び／又はその後に、パッド電極の金を主成分とする層に、さらに金を主成分とする膜を形成する厚膜形成工程を有している。このため、パッド電極は、電極形成工程で形成した金の膜に、厚膜形成工程で形成した金の膜が上乗せされて、金の膜厚が大きくなる。したがって、超音波を印加してバンプとパッド電極とを接合する際、この金の膜厚が大きくなった分だけ、バンプが下地層に到達する恐れを有効に抑制し、下地層の拡散によるパッド電極の剥離を有効に防止できる。
しかも、圧電振動片のパッド電極と励振電極とを一体に形成しているが、厚膜形成工程では、パッド電極の金を主成分とする層のみに、金を主成分とする膜を形成しているので、励振電極の部分の膜厚はパッド電極のように厚くなることはない。したがって、圧電振動片の振動特性に悪影響を及ぼすこともない。
かくして、本発明によれば、バンプを用いて圧電振動片を正確に位置決めすると共に、優れた振動特性を有する圧電振動片の製造方法を提供できるという作用効果を発揮する。

第２の発明によれば、第１の発明の構成において、前記電極形成工程の後に、前記圧電振動片の周波数を調整するためのレーザ光が照射される錘を形成する錘付工程を有しており、この錘付工程で錘を形成する際に、前記厚膜形成工程の前記金を主成分とする膜を形成することを特徴とする。
第２の発明の構成によれば、周波数調整のための錘付工程で錘を形成する際に、厚膜形成工程の金を主成分とする膜を形成しているので、圧電振動片の製造工程の中で、厚膜形成工程を特別に増やさなくても、金を主成分とする膜を形成でき、製造コストを抑えられる。

また、上記目的は、第３の発明によれば、圧電体の表面に励振電極を有し、この励振電極と一体に形成されたパッド電極を有する圧電振動片を、パッケージの接続電極にバンプにより接合するようにした圧電振動片の接合構造であって、前記パッド電極および励振電極は、下地層とこの下地層より表層側に金を主成分とする層とを備えており、前記パッド電極の金を主成分とする層の膜厚は、前記励振電極の金を主成分とする層の膜厚に比べて大きい圧電振動片の接合構造により達成される。

第３の発明の構成によれば、パッド電極の金を主成分とする層の膜厚は、励振電極の金を主成分とする層の膜厚に比べて大きい。したがって、第１の発明と同様に、超音波を印加してバンプとパッド電極とを接合する際、パッド電極の膜厚が大きくなっている分、バンプの下地層への到達を有効に抑制し、下地層の拡散によるパッド電極の剥離を有効に防止できる。また、励振電極の金を主成分とする層の膜厚はパッド電極のように大きくないので、圧電振動片の振動特性に影響を及ぼすこともない。
かくして、本発明によれば、バンプを用いて圧電振動片を正確に位置決めすると共に、優れた振動特性を有する圧電振動片の接合構造を提供できるという作用効果を発揮する。

また、上記目的は、第４の発明によれば、圧電体の表面に励振電極を有し、この励振電極と一体に形成されたパッド電極を有する圧電振動片と、前記パッド電極とバンプにより接合される接続電極を有するパッケージとを備えた圧電デバイスであって、前記パッド電極および励振電極は、下地層とこの下地層より表層側に金を主成分とする層とを備えており、前記パッド電極の金を主成分とする層の膜厚は、前記励振電極の金を主成分とする層の膜厚に比べて大きい圧電デバイスにより達成される。

第４の発明の構成によれば、パッド電極の金を主成分とする層の膜厚は、励振電極の金を主成分とする層の膜厚に比べて大きいので、第３の発明と同様に、パッド電極はその膜厚が大きい分、剥離を有効に防止でき、また、その大きい分の膜厚が圧電振動片の振動特性に影響を及ぼすこともない。したがって、本発明によれば、バンプを用いて圧電振動片を正確に位置決めすると共に、優れた振動特性を有する圧電デバイスを提供できるという作用効果を発揮する。

第５の発明によれば、第４の発明の構成において、前記パッド電極の金を主成分とする層の膜厚は、２０００Å以上であることを特徴とする。
第５の発明の構成によれば、パッド電極の金を主成分とする層の膜厚は、２０００Å以上であり、バンプの下地層への到達を確実に防止できた。したがって、バンプとパッド電極との接合強度を十分に得て、良好な振動特性を発揮できる。なお、金を主成分とする層の膜厚の上限については、パッド電極の膜は、上述のように、基本的に圧電振動片の振動特性に影響を及ぼさないので大き過ぎても構わず、例えば、パッケージに圧電振動片を収容して蓋封止した際、蓋体と圧電振動片とが接触しない程度であってもよい。

第６の発明によれば、第４または第５の発明の構成において、前記圧電体は水晶から形成されており、前記下地層はクロムを主成分とすることを特徴とする。
第６の発明の構成によれば、下地層はクロムを主成分としているので、圧電体の水晶との接続強度を強固に得られる。また、この下地層のクロムは表層側の金を主成分とする層に拡散し易いが、上述のように、金の膜厚を大きくしているので、その拡散を有効に抑制できる。

第７の発明によれば、第４または第５の発明の構成において、前記下地層はニッケルを主成分とすることを特徴とする。
第７の発明の構成によれば、下地層はニッケルを主成分とするので、下地層をクロムにする場合に比べて、表層側の金を主成分とする層に拡散し難い。

以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図１および図２は、本発明の実施形態を示す圧電デバイス１０であって、図１は圧電デバイス１０の概略平面図であり、図２は図１のＢ−Ｂ線概略断面図である。
これらの図において、圧電デバイス１０は、表面実装型の圧電振動子を構成した例を示しており、圧電デバイス１０は、パッケージ３０内に圧電振動片２０を収容している。

パッケージ３０は、全体が矩形状となっており、例えば、絶縁材料として、酸化アルミニウム質のセラミックグリーンシートを成型して形成される複数の基板３０ａ，３０ｂを積層した後に、焼結して形成されている。
すなわち、図２に示されるように、この実施形態では、パッケージ３０は、下から第１の基板３０ｂ、第２の基板３０ａを積層して形成されている。
第２の基板３０ａは、図２に示されるように、その内側に所定の孔を形成することで、第１の基板３０ｂに積層した場合に、パッケージ３０の内側に圧電振動片２０を収容する内部空間Ｓ１を形成するようにされている。

この第２の基板３０ａの図２において上端にある端面、すなわち、パッケージ３０の開口部側の端面には、例えば、低融点ガラス等のロウ材４３を介して、蓋体３９が接合されることにより、内部空間Ｓ１は封止されている。
本実施形態の蓋体３９は、蓋封止した後であっても、圧電振動片２０に設けられた金（Ａｕ）を主成分とする錘５０にレーザ光ＬＢをあてて、質量削減方式で周波数調整できるように、光を透過する材料、例えばガラスから形成されている。

第１の基板３０ｂは、パッケージ３０の底部を形成しており、内部空間Ｓ１に露出した内面であって、図において左端部付近に、接続電極４０が設けられている。この接続電極４０は、圧電振動片２０をパッケージ３０に電気的機械的に接続するための電極である。具体的には、接続電極４０は、下地としてタングステン（Ｗ）をメタライズし、その上にニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）または金合金をメッキして、圧電振動片２０の後述する互いに異極となる２つのパッド電極４４ａ，４４ｂのそれぞれに対向するように、所定の間隔を隔てて２箇所に形成されている。そして、これら２つの接続電極４０，４０は、ビアホール内の導通部４１を通じたり、或いはパッケージ３０を引き回されたりして、実装端子３２，３２と接続されている。

また、この所定の間隔を隔てた接続電極４０，４０のそれぞれには、バンプ５２，５２が接続されている。バンプ５２は、本実施形態の場合、所謂スタッドバンプであり、Ａｕ（金）ワイヤを加熱して接続電極４０の上にボール状のＡｕ（金）バンプを形成するようになっている。また、このバンプ５２は、各接続電極４０の上に、圧電振動片２０の長手方向に沿って２箇所に形成されている。
そして、各バンプ５２，５２の上に、短絡しないように圧電振動片２０のパッド電極４４ａ，４４ｂを載置し、所謂超音波熱圧着、あるいは超音波溶着によって、各バンプ５２，５２とパッド電極４４ａ，４４ｂとが接合される。すなわち、各バンプ５２，５２の上にパッド電極４４ａ，４４ｂを載置して、圧電振動片２０の上面（図２の上）から加重Ｆ１をかけながら、超音波を与えて各バンプ５２，５２とパッド電極４４ａ，４４ｂとを接合するようにしている。
このバンプ５２とパッド電極４４ａ，４４ｂとの接合構造については、後で詳細に説明する。

圧電振動片２０は、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電体２９を利用することができる。本実施形態の場合、圧電体２９は、水晶の単結晶から所定の角度をもって切り出された基板を加工することにより形成されている。そして、この圧電体２９は、小型に形成して必要な性能を得るために、パッケージ３０と固定される基部２１と、この基部２１を基端として、図において右方に向けて、二股に別れて平行に延びる１対の振動腕２４，２６とを備えており、全体が音叉のような形状とされた、所謂音叉型圧電振動片とされている。

基部２１の表面には、その端部（図１では左端部）の幅方向両端付近に、パッド電極４４ａ，４４ｂが形成されている。このパッド電極４４ａ，４４ｂは、図２に示されるように、基部２１の表裏面（図２において上下面）に形成され、表面のパッド電極４４ａ，４４ｂは、基部５０の端面を引き回されて裏面のパッド電極４４ａ，４４ｂと電気的に接続されている。そして、裏面のパッド電極４４ａ，４４ｂは、上述したように、パッケージ３０側の接続電極４０，４０と複数のバンプ５２，・・・により接続されて、互いに異極となるように形成されている。

各振動腕２４，２６は、それぞれ長さ方向に延びる長溝２２を有し、この長溝２２は、各振動腕２４，２６の図２において上下面に設けられている。そして、図１に示すように、振動腕２４の長溝２２の表面には励振電極４６が設けられ、振動腕２６の長溝２２の表面には励振電極４７が設けられている。また、振動腕２４は一方の側面の励振電極４７が先端部２４ａを通って他方の側面に延伸され、振動腕２６は一方の側面の励振電極４６が先端部２６ａを通って他方の側面に延伸されている。この励振電極４６は基部２１に引き出されるようにしてパッド電極４４ｂと一体に形成され、励振電極４７は基部２１に引き出されるようにしてパッド電極４４ａと一体に形成されている。このようにして、励振電極４６と励振電極４７は互いに異極となって、振動腕２４，２６内で電界を効率よく発生させ、圧電振動片２０のＣＩ値を低く抑えている。

ここで、圧電振動片２０のパッド電極４４ａ，４４ｂおよび励振電極４６，４７は、図２の一点鎖線で囲った図に示されるように、下地層５４とこの下地層５４より表層側に金（Ａｕ）を主成分とする層５６とを備えている。なお、パッド電極４４ａとパッド電極４４ｂ、及び励振電極４６と励振電極４７とは、それぞれ略同じ構成になっているため、以下、特段の説明がない限り、図２に示されているパッド電極４４ｂ、励振電極４６，４７についてのみ説明する。

下地層５４は、主に、金を主成分とする層５６を水晶からなる圧電体２９の表面に接合するための膜であり、本実施形態の場合、水晶との接合強度が高いクロム（Ｃｒ）を主成分とし、その厚みが５００Å程度となるように形成されている。
なお、この下地層５６には、クロム（Ｃｒ）ほど水晶との接合強度が高くはない他の材料を用いてもよく、その際、後述するバンプ接合の際に、金（Ａｕ）と拡散する恐れが少ないニッケル（Ｎｉ）を用いることが好ましい。

金を主成分とする層５６は、主に導通を図る膜であり、また、バンプ５２と接合される部分である。
そして、パッド電極４４ｂの金を主成分とする層５６の表面のみに、さらに金を主成分とする膜（表層）５８を形成することにより、パッド電極４４ｂの金を主成分とする層５６，５８の膜厚が、励振電極４７の金を主成分とする層５６の膜厚に比べて大きくなっている。

具体的には、パッド電極４４ｂの金を主成分とする層５６は、励振電極４７の金を主成分とする層５６と一体に形成されており、その厚みが５００Å程度となっている。
これに対し、パッド電極４４ｂの金を主成分とする膜（以下、「表層」という）５８の膜厚は、本実施形態では１５００Å以上とされ、この表層５８とパッド電極４４ｂの金を主成分とする層５６とで、金を主成分とする層５６，５８の膜厚は２０００Å以上となるように形成されている。

すなわち、表層５８は、下地層側の層５６の上述した機能に追加して、パッド電極４４ｂの剥離を防止するという機能を有しており、パッド電極４４ｂの金を主成分とする層の膜厚を大きくすることで、バンプ５２の下地層５４への到達を抑制し、下地層５４が拡散することで生じるパッド電極４４ｂの剥離を防止するものである。そして、４００ｍｓの間、１５００ｍｇの加重Ｆ１を加えながら、３００Ｈｚの周波数で超音波を印加してバンプ５２とパッド電極４４ｂとを接合するようにした実験より、バンプ５２が下地層５４に到達しない程度の金の膜厚が２０００Å以上必要であるという結果を得た。
なお、表層５８は、振動に関与する振動腕２４，２６には形成されていないので、圧電振動片２０の振動特性に悪影響を与えることがない。そのため、表層５８の膜厚は、極端に言えば、例えば、振動腕２４，２６が振動した際に蓋体３９に接触しないようになっていれば、その厚みは問われない。

また、本実施形態の場合、振動腕２４，２６の先端部２４ａ，２６ａに、上述した錘５０を形成する際に、表層５８を形成するようになっている。具体的には、錘５０と表層５８とは、同様の成分であって、かつ、同様の膜厚を有している。
なお、このように表層５８と錘５０を同時に形成したために、錘５０の膜厚が大きくなり過ぎたとしても、周波数調整の際にレーザ光を照射して質量を削減することができるため問題はない。

本実施形態の圧電デバイス１０は以上のように構成されており、次に、圧電デバイス１０の好ましい製造方法を説明する。
図３ないし図５は、上述した圧電デバイスの製造方法を説明するための図であり、図３は圧電デバイスの工程図、図４は図３のＳＴ１およびＳＴ２の工程を説明するための図であり、図５は図３のＳＴ３およびＳＴ５の工程を説明するための図である。
なお、図４（ｂ）〜（ｄ）は図４（ａ）のＣ−Ｃ線切断端面を示している。また、図５（ｅ）は圧電振動片の裏面側を上に向けた図であり、図５（ｆ）はパッド電極付近の拡大縦断面図である。

圧電デバイス１０の製造方法では、上述した蓋体と圧電振動片とパッケージとをそれぞれ完成させて用意をしておく。この際、圧電振動片については、以下のように製造する。
（圧電振動片の製造方法）
本実施形態の圧電振動片の製造方法では、ウエハーから複数の圧電振動片を形成するようになっており、図４（ａ）に示すように、１枚のウエハー６０から複数の圧電体２９，・・・の外形を形成する（図３のＳＴ１：外形形成）。すなわち、水晶の単結晶から切り出された水晶材料でなるウエハーの表面に、図示しない耐蝕膜およびレジスト配置し、露光後感光したレジストを除去してからエッチング液に浸し、外形を形成する。
なお、このウエハー６０から形成される複数の圧電振動片の各々は同じ構成であるので、以下、図４（ａ）のＣ−Ｃ線の位置で切断される圧電振動片についてのみ説明する。

次いで、図４（ｂ）に示すように、圧電体２９の表面に、スパッタリングの手法により、クロム（Ｃｒ）層を下地層５４として形成し、さらに、図４（ｃ）に示すように、下地層５４の表面に金を主成分とする層５６を形成する。なお、本実施形態の下地層５４および金を主成分とする層５６は、それぞれ５００Å程度である。そして、上述の外形形成の工程（図３のＳＴ１）で説明した手法と同様にエッチング液に浸して、図４（ｄ）に示すように、励振電極４６，４７、及びパッド電極４４ｂを形成する（図３のＳＴ２：電極形成工程）。

なお、このように下地層５４および金を主成分とする層５６の形成は、成膜速度の速いスパッタリング手法を採用することで量産性を向上させているが、本発明の下地層５４および金を主成分とする層５６の形成方法はこの手法に限られず、例えば蒸着やメッキ等の手法を用いてもよく、特に、下地層５４に関しては、金（Ａｕ）と拡散する恐れが少ない蒸着により形成することが好ましい。

次いで、図５（ｅ）に示すように、裏面側（図２のバンプ５２側）のパッド電極４４ａ，４４ｂの位置および形状に対応した貫通孔６２ａ，６２ａを有する金属製のマスク６２を用意して、これを圧電振動片の裏面に載置し、金あるいは金を主成分とする金合金を蒸着する。これにより、マスク６２の貫通孔６２ａ，６２ａの領域のみに、すなわち図４（ｄ）で形成したパッド電極の金を主成分とする層５６のみに金を主成分とする膜（図２の表層５８）を形成できる（図３のＳＴ３：厚膜形成工程）。
なお、本実施形態では、以上のように電極形成工程（図３のＳＴ２）の後に、厚膜形成工程（図３のＳＴ３）を行なっているが、電極形成工程の際に、例えばフォトリソグラフィー技術を用いてエッチングにより表層５８（図２参照）を形成してもよく、また、電極形成工程および厚膜形成工程の双方の工程で、２度以上にわたって金を主成分とする膜を形成するようにして、表層５８を形成してもよい。

そして、この厚膜形成工程の際に用いるマスク６２は、図５（ｅ）に示すように、裏面側の振動腕２４，２６の先端部２４ａ，２６ａの位置および形状に対応した貫通孔６２ｂを有している。このため、この貫通孔６２ｂの領域にも金あるいは金を主成分とする金合金が蒸着して、錘５０（図２を参照）を形成することになる。このように、本実施形態では、表層５８と錘５０とを同時に形成して、表層５８を形成するための特別な工程を設けないようにしている（図３のＳＴ３：錘付け工程）。

そして、このように圧電体２９の表面にパッド電極、励振電極、錘を形成した後に、図４に示す折り取り部６１を折って個々の圧電振動片にしてから、この個々の圧電振動片毎に動作特性を検査する。その後、その検査結果に応じて、所定の周波数が得られるように錘の部分にレーザ光を照射し、質量を削減して周波数調整を行ない（図３のＳＴ４：周波数粗調整）、圧電振動片を完成させる。

次いで、図５（ｆ）に示すように、圧電振動片２０の表層５８の部分を、予めパッケージ３０の接続電極４０上に形成しておいたバンプ５２，５２の上に載置し、４００ｍｓの間、１５００ｍｇの加重を上から加えながら、３００Ｈｚの周波数を有する超音波を印加して、バンプ５２，５２とパッド電極４４ｂとを接合する（図３のＳＴ５：マウント）。なお、この超音波を印加する際、表層５８およびバンプ５２の部分を加熱するようにしても勿論よい。
この際、バンプ５２はパッド電極４４ｂの下地層５４側に達しようとするが、上述のように、金を主成分とする層５６のバンプ５２側には、同じく金を主成分とする膜（表層５８）が存在するので、この表層５８により膜厚を大きくした分、バンプ５２の下地層５４への到達を防止することができる。

次いで、図２に示すように、パッケージ３０の開口部側の端面に、ロウ材４３を用いて透明な蓋体３９を接合して、内部空間Ｓ１を封止する（図３のＳＴ６：蓋封止）。
そして、この蓋封止の際にロウ材４３から発生したガスが圧電振動片２０に付着すると、圧電振動片２０の振動周波数が僅かにシフトする。このため、この僅かにシフトした周波数を調整するため、図２に示すように、レーザ光ＬＢを透明な蓋体３９を透過させて、錘５０に照射して、質量削減方式で周波数を微調整して（図３のＳＴ７：周波数微調整）、圧電デバイスを完成させる。
なお、錘５０は、図２に示されるように、先端部２６ａの表層５８側（図２の下側）に形成されているため、レーザ光ＬＢを照射した際に、溶融した錘５０が圧電振動片２０に付着しないようになっている。

本発明の実施形態は以上のように構成され、電極形成工程（図３のＳＴ２）の際及び／又はその後に、パッド電極４４ａ，４４ｂの金を主成分とする層５６に、さらに金を主成分とする膜（表層５８）を形成する厚膜形成工程（図３のＳＴ３）を有している。このため、パッド電極４４ａ，４４ｂの金の膜厚が大きくなり、超音波を印加しても（図３のＳＴ５）、バンプ５２が下地層５４に到達する恐れを有効に抑制し、下地層５４の拡散によるパッド電極４４ａ，４４ｂの剥離を有効に防止できる。しかも、この厚膜形成工程（図３のＳＴ３）では、パッド電極４４ａ，４４ｂの金を主成分とする層５６のみに、金を主成分とする膜（表層５８）を形成しているため、励振電極４６，４７の膜厚はパッド電極のように厚くなることはない。したがって、圧電振動片２０の振動特性に悪影響を及ぼすこともない。

なお、図１に示すように、励振電極４６，４７は、先端部２４ａ，２６ａを介して振動腕２４，２６の両側面に回り込むようになっているため、図２を例示すれば、金を主成分とする錘５０は励振電極４６の表面に形成されているため、励振電極４６の膜厚もパッド電極４４ｂのように厚くなっている部分がある。しかし、この錘５０は周波数調整のための部材であって、励振電極４６，４７や表層５８のように導通を図るための部材ではない。したがって、錘５０は励振電極４６，４７の層を厚くしたという概念ではなく、パッド電極４４ａ，４４ｂの金を主成分とする層５６，５８の膜厚は、励振電極４６，４７の金を主成分とする層５６の膜厚に比べて大きいことになる。

本発明は上述の実施形態に限定されない。各実施形態の各構成はこれらを適宜相互に組み合わせたり、省略し、図示しない他の構成と組み合わせることができる。
例えば、図１ないし図５で示した表層５８は１層のみとなっているが、２層以上の構造になっていてもよい。
また、図１ないし図５では圧電デバイス１０の例として圧電振動子を図示したが、圧電発振器、フィルタ、ジャイロ等その名称を問わずに適用できるものである。

本発明の実施形態を示す圧電デバイスの概略平面図。 図１のＢ−Ｂ線概略断面図。 本発明の実施形態の圧電デバイスの製造方法を説明するための工程図。 図３のＳＴ１およびＳＴ２の工程を説明するための図。 図３のＳＴ３およびＳＴ５の工程を説明するための図。 圧電デバイスの例示としての圧電振動子であり、図６（ａ）は圧電振動子の概略分解斜視図、図６（ｂ）は図６（ａ）の圧電振動片とパッケージとを接合してＡ−Ａ線の位置で切断した場合の端面図。

符号の説明

１０・・・圧電デバイス、２０・・・圧電振動片、２４，２６・・・振動腕、２１・・・基部、３０・・・パッケージ、４０・・・接続電極、４４ａ，４４ｂ・・・パッド電極、５２・・・バンプ、５４・・・下地層、５６・・・金を主成分とする層、５８・・・金を主成分とする膜（表層）

Claims (7)

1. 圧電体の表面に、バンプに接合するパッド電極と、このパッド電極と一体である励振電極とを形成する電極形成工程を備える圧電振動片の製造方法であって、
   前記電極形成工程では、下地層を形成してから、この下地層より表層側に金を主成分とする層を形成するようになっており、
   前記電極形成工程の際及び／又はその後に、前記パッド電極の金を主成分とする層のみに、さらに金を主成分とする膜を形成する厚膜形成工程を有する
   ことを特徴とする圧電振動片の製造方法。
2. 前記電極形成工程の後に、前記圧電振動片の周波数を調整するためのレーザ光が照射される錘を形成する錘付工程を有しており、この錘付工程で錘を形成する際に、前記厚膜形成工程の前記金を主成分とする膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の圧電振動片の製造方法。
3. 圧電体の表面に励振電極を有し、この励振電極と一体に形成されたパッド電極を有する圧電振動片を、パッケージの接続電極にバンプにより接合するようにした圧電振動片の接合構造であって、
   前記パッド電極および励振電極は、下地層とこの下地層より表層側に金を主成分とする層とを備えており、
   前記パッド電極の金を主成分とする層の膜厚は、前記励振電極の金を主成分とする層の膜厚に比べて大きい
   ことを特徴とする圧電振動片の接合構造。
4. 圧電体の表面に励振電極を有し、この励振電極と一体に形成されたパッド電極を有する圧電振動片と、前記パッド電極とバンプにより接合される接続電極を有するパッケージとを備えた圧電デバイスであって、
   前記パッド電極および励振電極は、下地層とこの下地層より表層側に金を主成分とする層とを備えており、
   前記パッド電極の金を主成分とする層の膜厚は、前記励振電極の金を主成分とする層の膜厚に比べて大きい
   ことを特徴とする圧電デバイス。
5. 前記パッド電極の金を主成分とする層の膜厚は、２０００Å以上であることを特徴とする請求項４に記載の圧電デバイス。
6. 前記圧電体は水晶から形成されており、前記下地層はクロムを主成分とすることを特徴とする請求項４または５に記載の圧電デバイス。
7. 前記下地層はニッケルを主成分とすることを特徴とする請求項４または５に記載の圧電デバイス。

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