CN102386872A - 音叉型水晶振动片及水晶装置 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 114
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 157
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 157
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 50
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 75
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- HSJPMRKMPBAUAU-UHFFFAOYSA-N cerium(3+);trinitrate Chemical compound [Ce+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O HSJPMRKMPBAUAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000010436 fluorite Substances 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/21—Crystal tuning forks
- H03H9/215—Crystal tuning forks consisting of quartz
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0595—Holders; Supports the holder support and resonator being formed in one body
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
- H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1035—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by two sealing substrates sandwiching the piezoelectric layer of the BAW device
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/131—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials consisting of a multilayered structure
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Abstract
本发明涉及一种CI值低且配线阻抗小的音叉型水晶振动片及水晶装置。本发明的音叉型水晶振动片(30A)包含:具有励振电极(33、34)并向规定方向延伸的一对振动臂(21);与一对振动臂连结的基部(23);在一对振动臂的两外侧从基部向规定方向延伸的一对支撑臂(25);以及从一对支撑臂的前端区域引出至励振电极的引出电极(31、32)。励振电极由Cr、Ni、Ti、Al及W中的至少一种的第1金属膜和形成在第1金属膜上的Au或Ag中的至少一种的第2金属膜的两层构成,引出电极由Cr、Ni、Ti、Al及W中的至少一种的第3金属膜和形成在第3金属膜上的Au或Ag中的至少一种的第4金属膜的四层构成。
Description
技术领域
本发明涉及音叉型水晶振动片及具有其音叉型水晶振动片的水晶装置。尤其涉及具有低CI(晶体阻抗)值的音叉型水晶振动片及水晶装置。
背景技术
以往,音叉型水晶振动片作为电极膜而使用以Cr作为质地并在其之上形成Au的积层膜。并使用导电性粘接剂来接合音叉型水晶振动片的连接电极和包装件的连接电极。另外,通过倒装式接合(超声波接合)来接合音叉型水晶振动片的连接电极和包装件的连接电极。发生音叉型水晶振动片的连接电极的Cr扩散到Au内或Au被Cr吸出的现象而使音叉型水晶振动片的连接电极和包装件的连接电极产生剥离的现象。根据专利文献1(日本专利2007-96899号公报),以较厚的厚度在音叉型水晶振动片的连接电极上再形成以Au为主成分的膜,由于Au的厚度变厚,使得可以减少相当于该部分的冲击到达Cr上。
可是,专利文献1的音叉型水晶振动片仅将其连接电极的Au的厚度变厚,需要不到达作为质地的Cr的微小的倒装式接合的调整。
发明内容
本发明的目的在于提供低阻抗且配线阻抗小的音叉型水晶振动片及水晶装置。
第1观点的音叉型水晶振动片是收放在包装件的内部并接合在包装件的内部的连接电极上的水晶振动片。该水晶振动片包含:具有励振电极并向规定方向延伸的一对振动臂;与一对振动臂连结的基部;在一对振动臂的两外侧从基部向规定方向延伸的一对支撑臂;以及从一对支撑臂的前端区域引出至励振电极的引出电极。励振电极由Cr、Ni、Ti、Al及W中的至少一种的第1金属膜和形成在第1金属膜上的Au或Ag中的至少一种的第2金属膜的两层构成,引出电极由Cr、Ni、Ti、Al及W中的至少一种的第3金属膜和形成在第3金属膜上的Au或Ag中的至少一种的第4金属膜的四层构成。
第2观点的水晶装置将第1观点的音叉型水晶振动片收放在包装件内。
第3观点的音叉型水晶振动片是包含与具有连接电极的基板的外周接合的外框的水晶振动片。该水晶振动片具有与外框连结的一对支撑臂;与一对支撑臂连结的基部;在一对支撑臂的内侧从基部延伸并形成有励振电极的一对振动臂;以及与励振电极导通,形成在基部、支撑臂及外框上的引出电极。励振电极由Cr、Ni、Ti、Al及W中的至少一种的第1金属膜和形成在第1金属膜上的Au或Ag中的至少一种的第2金属膜的两层构成,引出电极及连接电极由形成在第2金属膜的上面的Cr、Ni、Ti、Al及W中的至少一种的第3金属膜和形成在第3金属膜上的Au或Ag中的至少一种的第4金属膜的四层构成。
第4观点的水晶装置具有:第3观点所述的音叉型水晶振动片;与外框的一面接合的基板;以及与外框的另一面接合的盖。
根据本发明,通过形成从引出电极至连接电极的四层金属膜且形成励振电极为二层的金属膜来提供配线阻抗小且CI值低的音叉型水晶振动片及水晶装置。即使在倒装式接合时,也由于在Cr的下层具有Au,因此不会使其Au被吸出。
附图说明
图1(a)是第1音叉型水晶振动片30A的俯视图。
图1(b)是图1(a)所示的第1音叉型水晶振动片30A的A-A’剖视图。
图2(a)是第1水晶装置100的俯视图。
图2(b)是图2(a)所示的第1水晶装置100的B-B’剖视图。
图3是制造第1水晶装置100的工序的流程图。
图4是表示励振电极的Au的厚度与CI值之间的关系的图表。
图5(a)是形成引出电极的第1实施例的制造工序的流程图。
图5(b)是形成引出电极的第2实施例的制造工序的流程图。
图6(a)是表示第2水晶装置110的构成的立体图。
图6(b)是表示分离了图6(a)所示的第2水晶装置110的状态的C-C’剖视图。
图7(a)是水晶框架20的俯视图。
图7(b)是图7(a)所示的水晶框架20的D-D’剖视图。
图中:
10-盖,15-通孔配线,17-盖侧凹部,20-水晶框架,21-振动臂,23-基部,24-槽部,25-支撑臂,26-连接部,27-水晶外框部,28-锤部,30A-第1音叉型水晶振动片,30B-第2音叉型水晶振动片,31、32-引出电极,33、34-励振电极,35-连接端子,36-连接端子,40-基板,42-连接电极,44-连接电极,45-第1外部电极,46-第2外部电极,47-基板侧凹部,51-外部电极,53-盖体,54-封装材料,55-电极垫片,56-空腔,57-缘部,61-导电性粘接剂,65-接合部,70-共晶合金,80-包装件,100-第1水晶装置,110-第2水晶装置,231-连接端部,VW-振动片用的水晶晶片,PKG-包装件,Th-通孔。
具体实施方式
<第1实施方式:第1水晶装置100的构成>
以下,参照附图对本发明的各实施方式进行说明。
在以下的各实施方式中,以振动臂的延伸方向为Y轴方向,以振动臂的臂宽方向为X轴方向,以与X轴及Y轴方向正交的方向为Z轴方向。
(第1音叉型水晶振动片30A的形成)
图1(a)是第1音叉型水晶振动片30A的俯视图,图1(b)是图1(a)所示的第1音叉型水晶振动片30A的A-A’剖视图。第1音叉型水晶振动片30A在基部23具有音叉型的一对振动臂21及支撑臂25。
如图1(a)所示,第1音叉型水晶振动片30A的基部23,其整体大致以板状形成。振动臂21从基部23的一端侧与Y轴方向平行地延伸。振动臂21的臂宽从中途变宽并以其规定的宽度延伸至前端。在振动臂21的臂宽变宽的区域形成有具有金属膜的锤部28。锤部28具有如下功能:当在振动臂21上施加电压时锤部28使振动臂21更加容易振动,更加容易对第1音叉型水晶振动片30A进行频率调整。第1音叉型水晶振动片30A例如以32.768kHz进行振动。
振动臂21的振动根部22以较宽的宽度形成。振动根部22使集中在振动臂21的根部上的应力向宽度较宽的振动根部22的一侧移动,减少朝向基部23的振动渗漏。另外,在一对振动臂21上形成有励振电极33、34。
振动臂21从基部23大致平行地沿Y轴方向延伸,在振动臂21的表里两面上形成有槽部24。例如,在一根振动臂21的表面形成有1根槽部24,在振动臂21的里面也同样形成有1根槽部24。如图1(b)所示,槽部24的剖面大致以H型形成。槽部24可以降低第1音叉型水晶振动片30A的CI值。槽部24的形成在以下的第2实施例中也相同。
在振动臂21的两外侧配置有从基部23的一端侧沿Y轴方向延伸的支撑臂25。支撑臂25的长度比振动臂21的长度短。支撑臂25可以减少振动臂21的振动渗漏或外部变化的影响。支撑臂25的前端形成有接合部65。接合部65通过导电性粘接剂61来接合第1音叉型水晶振动片30A和包装件。还可以通过倒装式接合来接合第1音叉型水晶振动片30A和包装件。
在一对支撑臂25上形成有励振电极33、34和被引出的引出电极31、32。在基部23上也形成引出电极31、32。
如图1(b)所示,励振电极33、34由包含形成在水晶材料上的第1金属膜33-1、34-1和在其之上形成的第2金属膜33-2、34-2的二层金属膜形成。第1金属膜33-1、34-1由Cr、Ni、Ti、Al及W中的至少一种金属形成。第2金属膜33-2、34-2由Au或Ag中的至少一种金属形成。
引出电极31、32由包含形成在水晶材料上的第1金属膜31-1、32-1、在其之上形成的第2金属膜31-2、32-2、在其之上形成的第3金属膜31-3、32-3及在其之上形成的第4金属膜31-4、32-4的四层金属膜形成。第3金属膜31-3、32-3由Cr、Ni、Ti、Al及W中的至少一种形成。第4金属膜31-4、32-4由Au或Ag中的至少一种形成。
(第1水晶装置100的形成)
图2(a)是第1水晶装置100的俯视图,图2(b)是图2(a)所示的第1水晶装置100的B-B’剖视图。第1水晶装置100在包装件PKG的空腔56内收放第1音叉型水晶振动片30A,在真空状态中通过封装材料54接合盖体53和包装件PKG而形成。
盖体53由科瓦铁镍钴合金等的金属或硼硅玻璃等形成。
包装件PKG为例如由陶瓷构成的陶瓷包装件,层叠多张陶瓷薄片而以箱状形成。在包装件PKG的底部形成有外部电极51,使得可以成为表面实装(SMD:Surface Mount Device)的类型。还可以由玻璃材料形成。
包装件PKG的电极垫片55设置在与支撑臂25的接合部65对应的位置上。第1音叉型水晶振动片30A由导电性粘接剂61接合在电极垫片55上。具体地讲,接合部65放置在涂布了导电性粘接剂61的包装件PKG的电极垫片55上,临时固化导电性粘接剂61。其次,通过在固化炉内对导电性粘接剂61进行固化,接合部65接合第1音叉型水晶振动片30A和包装件PKG。第1音叉型水晶振动片30A的励振电极与包装件PKG外侧的外部电极51电连接。
第1水晶装置100在第1音叉型水晶振动片30A的振动臂21的前端的锤部28上照射激光,使锤部28的金属覆膜的一部分蒸发、升华而调整振动频率。若盖部53由可以透过激光的硼硅玻璃形成,则即使在封装了盖体53和包装件PKG之后也可以对振动频率进行调整。另外,第1水晶装置100可以通过驱动特性等的检查而完成。
(第1水晶装置100的制造方法)
图3是制造第1水晶装置100的工序的流程图。
在步骤S102中,准备由透明的玻璃或科瓦铁镍钴合金等的金属板构成的盖体53。
通过步骤S112至步骤S116来形成第1音叉型水晶振动片30A。
在步骤S112中,在振动片用的水晶晶片VW上形成具有支撑臂的第1音叉型水晶振动片30A。第1音叉型水晶振动片30A的外形和槽部24通过已知的光刻、蚀刻技术形成。
外形的蚀刻是由圆形或者角形的水晶晶片同时形成多个第1音叉型水晶振动片30A的外形。第1水晶振动片30A的外形是对从耐蚀膜露出的水晶晶片进行蚀刻,在此例如以氟酸溶液为蚀刻液。作为蚀刻膜可以使用以Cr为质地并蒸镀了Au的金属覆膜等。形成第1音叉型水晶振动片30A的外形时,在振动臂22的表面及里面形成槽部24。
在步骤S114中,如图1(a)所示,在第1音叉型水晶振动片30A上形成引出电极31、32及励振电极33、34。这些电极通过蒸镀或者溅射等在全面覆盖第1金属膜及第2金属膜,然后通过已知的光刻、蚀刻技术而形成。在振动臂21的宽度较宽的区域也覆盖第1金属膜及第2金属膜,并形成锤部28。
第1音叉型水晶振动片30A的励振电极33、34例如在由Cr而成的质地的第1金属膜上设有第2金属膜的Au的二层结构。第1金属膜以15nm~60nm的厚度形成。可以使用Ni、Ti、Al及W中的至少一种金属来代替Cr。第2金属膜的Au以40nm~60nm的厚度形成。可以使用Ag来代替Au。
引出电极31及引出电极32在第1、第2金属膜上形成第3和第4金属膜,由四层金属膜构成。引出电极31由第1金属膜31-1、第2金属膜31-2、第3金属膜31-3及第4金属膜31-4(参照图1(b))而成。引出电极32由第1金属膜32-1、第2金属膜32-2、第3金属膜32-3及第4金属膜32-4(参照图1(b))而成。第3金属膜由Cr而成。可以使用Ni、Ti、Al及W中的至少一种金属来代替Cr。在第4金属膜上可以使用Au或Ag中的至少一种金属膜。第3金属膜的Cr的膜厚为15nm~60nm,第4金属膜的Au或Ag的膜厚为60nm~200nm。
在步骤S116中,从振动片用的水晶晶片VW中切割出第1音叉型水晶振动片30A。由于第1音叉型水晶振动片30A以基部23的连接端部231(参照图1)与振动片用的水晶晶片VW进行连接,因此通过在连接端部231进行切断而从振动片用的水晶晶片VW切割出来。
经过步骤S122至步骤126来形成包装件PKG。
在步骤S122中,准备由空腔用薄板而成的陶瓷薄板,在此空腔用薄板具有形成在基板用薄片、底板用薄片及外框上的缘部57。通过丝网印刷的方式在底板用薄板上印刷胶状钨,形成电极垫片55。另外,通过丝网印刷的方式在基板用薄片上印刷胶状钨,形成外部电极51。
在步骤S124中,层叠基板用薄片、底板用薄片及空腔用薄片。层叠的3张陶瓷薄片被切割成各个包装件PKG的大小。
在步骤S126中,切断的包装件PKG在1320℃烧成。由此完成包装件PKG。
在步骤S132中,在包装件PKG的一对电极垫片55上涂布导电性粘接剂61。未图示的水晶振动片的吸附装置对第1音叉型水晶振动片30A进行真空吸附,搬入包装件PKG内。然后,第1音叉型水晶振动片30A被放置在设置于与支撑臂25的接合部65对应的位置上的包装件PKG的电极垫片55上。其次,使导电性粘接剂61固化,第1音叉型水晶振动片30A被固定在电极垫片55上。
在步骤S134中,在包装件PKG的缘部57上涂布封装材料54。在包装件PKG上放置盖体53。放置在包装件PKG上的盖体53在真空中或惰性气体环境中,加热至350℃左右并进行按压而接合。之后,通过驱动特性等的检查而完成第1水晶装置100。
<引出电极31、32及励振电极33、34的形成>
图4是表示励振电极33、34的Au的膜厚与CI值(kΩ)之间的关系的图表。图表中,横轴取Au的膜厚,纵轴取CI值。CI值根据Au的膜厚而绘制成抛物线。为了使CI值变小,励振电极33、34的Au的膜厚最好为40nm~60nm。
另一方面,引出电极31、32呈若使其Au的膜厚变薄则配线阻抗会变大,Au的膜厚越厚配线阻抗变小的直线状的图表(未图示)。因此,励振电极33、34的第2金属膜(Au)的膜厚以40nm~60nm形成,引出电极31、32的第4金属膜(Au)的膜厚以较厚的60nm~200nm形成,由此形成配线阻抗低、CI值低的第1水晶装置100。
在本实施方式中,第1音叉型水晶振动片30A和包装件PKG通过导电性粘接剂61进行接合。即使在第1音叉型水晶振动片30A倒装式接合在包装件PKG上的情况,由于第2金属层的Au在第3金属膜的Cr的下层,因此该第2金属层的Au不会被吸出。
图5(a)及(b)是形成引出电极31、32及励振电极33、34的详细的流程图,是详细说明了步骤S114的工序。
图5(a)是第1实施例的制造工序(S114(a))的流程图。
在步骤A1141中,通过溅射或喷镀在形成具有支撑臂的第1音叉型水晶振动片30A的外形的水晶晶片的两面形成15nm~60nm厚度的第1金属膜(Cr)和40nm~60nm厚度的第2金属膜(Au)。
在步骤A1142中,在形成第1金属膜及第2金属膜的水晶晶片的两面均匀地涂布光致抗蚀剂膜。
在步骤A1143中,使用未图示的曝光装置将励振电极和引出电极的电极图案(励振电极及引出电极以外的区域被蚀刻的图案)曝光在光致抗蚀剂膜上。该电极图案曝光在水晶晶片的两面。
在步骤A1144中,使水晶晶片的光致抗蚀剂膜显影,首先除去曝光的光致抗蚀剂膜。然后,例如使用碘和碘化钾的水溶液进行蚀刻。其次,通过硝酸铈氨或醋酸的水溶液对因除去Au而露出的第1金属膜(Cr)进行蚀刻。调整水溶液的浓度、温度及浸泡在水溶液中的时间,使得不对其他不需要侵蚀的部位进行侵蚀。从而显现出形成有引出电极31、32及励振电极33、34的第1音叉型水晶振动片30A的水晶晶片。但是,在步骤A1144中形成的引出电极31、32还是二层。
在步骤A1145中,将形成有引出电极31、32的形状的开口的掩膜配置在水晶晶片上。该掩膜配置在水晶晶片的两面。
在步骤A1146中,通过掩膜的开口由溅射或蒸镀在第2金属膜上以15nm~60nm的厚度形成第3金属膜(Cr)。再有,通过掩膜的开口由溅射或真空蒸镀在第3金属膜(Cr)上以60nm~200nm的厚度形成第4金属膜(Au)。
由此,完成引出电极31、32由第1金属膜至第4金属膜的四层金属膜而成,励振电极33、34由第1金属膜及第2金属膜的二层金属膜而成的第1音叉型水晶振动片30A的水晶晶片。
图5(b)是第2实施例的制造工序(S114(b))的流程图。第2实施例与第1实施例的不同点在于,在第2实施例的制造工序中,首先通过溅射或真空蒸镀在水晶晶片上形成第1金属膜至第4金属膜后,通过蚀刻形成励振电极和引出电极。
在步骤B1141中,通过溅射或真空蒸镀在形成有第1音叉型水晶振动片30A的水晶晶片的两面形成15nm~60nm厚度的第1金属膜(Cr)、40nm~60nm厚度的第2金属膜的Au、15nm~60nm厚度的第3金属膜(Cr)及60nm~200nm的第4金属膜(Au)。
在步骤B1142中,在形成有第1金属膜至第4金属膜的水晶晶片的两面涂布光致抗蚀剂膜。
在步骤B1143中,使用未图示的曝光装置将引出电极的电极图案(蚀刻引出电极以外的图案)曝光在光致抗蚀剂膜上。该电极图案曝光在水晶晶片的两面。
在步骤B1144中,使水晶晶片的光致抗蚀剂膜显影,首先除去被曝光的光致抗蚀剂膜。然后,对从光致抗蚀剂膜露出的第4金属膜(Au)进行蚀刻。其次,对除去Au而露出的第3金属膜(Cr)进行蚀刻。在步骤B1144中,对成为励振电极的区域的第4金属膜(Au)及第3金属膜(Cr)进行蚀刻。
在步骤B1145中,一旦除去所有的光致抗蚀剂膜,在剩下的金属膜的水晶晶片的两面涂布新的光致抗蚀剂膜。
在步骤B1146中,使用未图示的曝光装置将励振电极及引出电极的电极图案(蚀刻励振电极及引出电极以外的图案)曝光在光致抗蚀剂膜的两面。
在步骤B1147中,使水晶晶片的光致抗蚀剂膜显影,对从光致抗蚀剂膜露出的第2金属膜(Au)进行蚀刻。其次,对露出的第1金属膜(Cr)进行蚀刻。由此在水晶晶片上形成由第1金属膜至第4金属膜的四层而成的引出电极31、32及由第1金属膜及第2金属膜而成的励振电极33、34。
<第2实施方式:第2水晶装置110的构成>
图6(a)是表示本发明的第2水晶装置110的构成的立体图,图6(b)是在图6(a)的C-C’剖面表示分离了第2水晶装置110的状态的概略剖视图。图6(a)是从盖10侧观察了表面实装(SMD)型的第2水晶装置110的图。
如图6(a)所示的第2水晶装置110通过由盖10而成的水晶晶片、由包含第2音叉型水晶振动片30B的水晶框架20而成的水晶镜片及由基板40而成的水晶晶片的3层而形成包装件80。
基板40在底面具有第1外部电极45及第2外部电极46。基板40在水晶框架20侧的一面具有基板侧凹部47。基板40具有通孔TH和第1连接电极42及第2连接电极44。第1连接电极42连接在通过通孔TH的通孔配线15而设置在底面的第1外部电极45上。第2连接电极44连接在通过通孔TH的通孔配线15而设置在底面的第2外部电极46上。
如图6(a)所示,盖10在水晶框架20侧的一面具有盖侧凹部47。
水晶框架20包含由基部23及振动臂21构成的第2音叉型水晶振动片30B、具有引出电极31及引出电极32的水晶外框部27、支撑臂25以及连接部26,并以相同厚度的水晶基板形成一体。水晶框架20在水晶外框部27的两面具有连接端子35及连接端子36。
形成在水晶框架20的水晶外框部27的里面的连接端子35及连接端子36分别与基板40的表面的第1连接电极42及第2连接电极44连接。即,连接端子35与第1外部电极45电连接,连接端子36与第2外部电极46电连接。
第2水晶装置110以具有第2音叉型水晶振动片30B的水晶框架20为中心,在水晶框架20的上面接合盖10,在水晶框架20的下面接合基板40。基板40通过硅氧烷键(Si-O-Si)技术接合在水晶框架20上,盖10通过硅氧烷键(Si-O-Si)技术接合在水晶框架20上。硅氧烷键之后,作为封装材料而在通孔TH内填充Au和Sn(锡)的共晶金属或Au和Ge(锗)的共晶合金70,保持在真空回流炉中熔融而进行封装。
(水晶框架20的构成)
图7(a)是本发明的水晶框架20的俯视图,图7(b)是图7(a)的D-D’剖视图。第2音叉型水晶振动片30B是例如以32.768kHz振动信号的振动片。对于与第1音叉型水晶振动片30A相同的部件,在第2音叉型水晶振动片30B中也附上相同的符号。另外对相同的部件省略其说明。
水晶框架20在水晶外框部27、基部23、支撑臂25及连接部26的表面形成引出电极31、引出电极32、连接端子35及连接端子36。在里面也同样形成引出电极31、引出电极32、连接端子35及连接端子36。表面及里面的连接端子35及连接端子36分别进行导通。
一对振动臂21在表面、里面及侧面形成励振电极33、34,励振电极33与连接端子35连接,第2励振电极34与连接端子36连接。
如图7(b)所示,励振电极33、34由第1金属膜和第2金属膜的两层金属膜而成,励振电极33由第1金属膜33-1和第2金属膜33-2构成,励振电极34由第1金属膜34-1和第2金属膜34-2构成。励振电极33、34都在15nm~60nm的Cr上形成40nm~60nm的Au。可以使用Ni、Ti、Al及W中的至少一种金属膜来代替Cr。另外可以使用Ag来代替Au。
连接端子35、连接端子36、引出电极31及引出电极32由重叠在第2金属膜的上面的第3金属膜和第4金属膜的四层金属膜而成。引出电极31由第1金属膜31-1、第2金属膜31-2、第3金属膜31-3及第4金属膜31-4而成。引出电极32由第1金属膜32-1、第2金属膜32-2、第3金属膜32-3及第4金属膜32-4而成。第3金属膜由15nm~60nm的Cr而成,可以使用Ni、Ti、A1及W中的至少一种金属膜来代替Cr。第4金属膜由60nm~200nm的Au形成。另外可以使用Ag来代替Au。
因此,励振电极33、34的第2金属膜(Au)以40nm~60nm的膜厚形成,引出电极31、32的第4金属膜(Au)以60nm~200nm的厚度较厚地形成。因此,可以形成配线阻抗值低、CI值低的第2水晶装置110。填充到通孔TH内的共晶合金70熔融时,可以从连接端子35、36及引出电极31、32吸出Au。但是,由于在第3金属膜的Cr的下层形成第2金属膜的Au,因此不会存在其第2金属膜Au的吸出。
以上,虽然对本发明的最优的实施方式进行了说明,但是在本领域技术人员的技术范围内,本发明可以在其技术范围内对实施方式进行各种变更、变形而实施。例如,本发明适用将组装有振荡电路的IC等配置在包装件内的水晶振荡器。
Claims (5)
1.一种音叉型水晶振动片,该音叉型水晶振动片收放在包装件的内部并接合在所述包装件的内部的连接电极上,其特征在于,包含:
具有励振电极并向规定方向延伸的一对振动臂;
与所述一对振动臂连结的基部;
在所述一对振动臂的两外侧从所述基部向所述规定方向延伸的一对支撑臂;以及
从所述一对支撑臂的前端区域引出至所述励振电极的引出电极,
所述励振电极由Cr、Ni、Ti、Al及W中的至少一种的第1金属膜和形成在所述第1金属膜上的Au或Ag中的至少一种的第2金属膜的两层构成,
所述引出电极由Cr、Ni、Ti、Al及W中的至少一种的第3金属膜和形成在所述第3金属膜上的Au或Ag中的至少一种的第4金属膜的四层构成。
2.根据权利要求1所述的音叉型水晶振动片,其特征在于,
所述第2金属膜的膜厚为40nm至60nm,
所述第4金属膜的膜厚为60nm以上。
3.一种水晶装置,其特征在于,具有:
权利要求1或权利要求2所述的音叉型水晶振动片;以及
形成在所述包装件内并与所述励振电极连接的外部电极。
4.一种音叉型水晶振动片,该音叉型水晶振动片包含与具有连接电极的基板的外周接合的外框,其特征在于,具有:
与所述外框连结的一对支撑臂;
与所述一对支撑臂连结的基部;
在所述一对支撑臂的内侧从所述基部延伸并形成有励振电极的一对振动臂;以及
与所述励振电极导通,形成在所述基部、所述支撑臂及所述外框上的引出电极,
所述励振电极由Cr、Ni、Ti、Al及W中的至少一种的第1金属膜和形成在所述第1金属膜上的Au或Ag中的至少一种的第2金属膜的两层构成,
所述引出电极及连接电极由形成在所述第2金属膜的上面的Cr、Ni、Ti、Al及W中的至少一种的第3金属膜和形成在所述第3金属膜上的Au或Ag中的至少一种的第4金属膜的四层构成。
5.一种水晶装置,其特征在于,具有:
权利要求4所述的音叉型水晶振动片;
与所述外框的一面接合的基板;以及
与所述外框的另一面接合的盖。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010198050A JP2012054893A (ja) | 2010-09-03 | 2010-09-03 | 音叉型水晶振動片及び水晶デバイス |
JP2010-198050 | 2010-09-03 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102386872A true CN102386872A (zh) | 2012-03-21 |
Family
ID=45770189
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2011102432932A Pending CN102386872A (zh) | 2010-09-03 | 2011-08-18 | 音叉型水晶振动片及水晶装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120056513A1 (zh) |
JP (1) | JP2012054893A (zh) |
CN (1) | CN102386872A (zh) |
TW (1) | TW201212533A (zh) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120321 |