CN105683128B - 压电陶瓷板以及板状基体、和电子部件 - Google Patents

压电陶瓷板以及板状基体、和电子部件 Download PDF

Info

Publication number
CN105683128B
CN105683128B CN201580002390.9A CN201580002390A CN105683128B CN 105683128 B CN105683128 B CN 105683128B CN 201580002390 A CN201580002390 A CN 201580002390A CN 105683128 B CN105683128 B CN 105683128B
Authority
CN
China
Prior art keywords
ceramic plate
piezoelectric ceramic
piezoelectric
pair
crystalline particle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201580002390.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105683128A (zh
Inventor
福冈修
福冈修一
江口知宣
中久保仁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of CN105683128A publication Critical patent/CN105683128A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105683128B publication Critical patent/CN105683128B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H10N30/853—Ceramic compositions
    • H10N30/8548—Lead-based oxides
    • H10N30/8554—Lead-zirconium titanate [PZT] based
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
    • C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
    • C04B35/491—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT
    • C04B35/493—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT containing also other lead compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62645—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/05—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
    • H10N30/057—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes by stacking bulk piezoelectric or electrostrictive bodies and electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/067—Forming single-layered electrodes of multilayered piezoelectric or electrostrictive parts
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/09—Forming piezoelectric or electrostrictive materials
    • H10N30/093—Forming inorganic materials
    • H10N30/097—Forming inorganic materials by sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/871—Single-layered electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices, e.g. internal electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H10N30/875—Further connection or lead arrangements, e.g. flexible wiring boards, terminal pins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3201—Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3203—Lithium oxide or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3213—Strontium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3215—Barium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/327—Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3279—Nickel oxides, nickalates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3281—Copper oxides, cuprates or oxide-forming salts thereof, e.g. CuO or Cu2O
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3284—Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3294—Antimony oxides, antimonates, antimonites or oxide forming salts thereof, indium antimonate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3298—Bismuth oxides, bismuthates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc bismuthate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3409—Boron oxide, borates, boric acids, or oxide forming salts thereof, e.g. borax
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/36—Glass starting materials for making ceramics, e.g. silica glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/36—Glass starting materials for making ceramics, e.g. silica glass
    • C04B2235/365—Borosilicate glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5463—Particle size distributions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/602—Making the green bodies or pre-forms by moulding
    • C04B2235/6025—Tape casting, e.g. with a doctor blade
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/77—Density
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
    • C04B2235/786—Micrometer sized grains, i.e. from 1 to 100 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
    • C04B2235/85—Intergranular or grain boundary phases
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/05—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
    • H10N30/053—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes by integrally sintering piezoelectric or electrostrictive bodies and electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

提供烧制所引起的变形小的压电陶瓷板以及板状基体、和电子部件。适合用于主面(1c)的面积360mm2以上、厚度150μm以下的压电陶瓷板(1)中，压电陶瓷板(1)具有一对四边形状的主面(1c)、和对置的一对第1侧面(1d)以及对置的一对第2侧面(1e)，一对第1侧面(1d)是烧完面，并在将第1侧面(1d)的长度方向中央的一对第1侧面(1d)间的长度设为Lc、将第1侧面(1d)的长度方向端的一对第1侧面(1d)间的长度设为Le时，该Le与Lc之差ΔL、和Lc的比率(ΔL/Lc)为1.0％以下。

Description

压电陶瓷板以及板状基体、和电子部件
技术领域
本发明涉及压电陶瓷板以及板状基体、和电子部件。
背景技术
压电陶瓷板用在将经由压电现象而产生的位移或力利用为机械性驱动源的压电致动器等各种电子部件中。压电致动器随着其用途扩大，以更低电压得到更大位移或产生力的层叠压电致动器被较多地使用
以往，由于烧制后的压电陶瓷板的变形(收缩偏差)较大，因此，为了将压电陶瓷板的形状、尺寸控制在给定范围内，在烧制后进行压电陶瓷板的切断、研磨等加工(例如参考专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开平3-54878号公报
发明内容
发明要解决的课题
但在，以往如上述那样，由于为了将压电陶瓷板的形状、尺寸控制在给定范围内，而在烧制后进行切断或进行研磨，因此有工序增加、制造成本也变高的课题。
本发明目的在于，提供能减少烧制后的加工的压电陶瓷板以及板状基体、和电子部件。
用于解决课题的手段
本发明的压电陶瓷板的特征在于，具有一对四边形状的主面、和对置的一对第1侧面以及对置的一对第2侧面，所述一对第1侧面是烧完面，并且在将所述第1侧面的长度方向中央的所述一对第1侧面间的长度设为Lc、将所述第1侧面的长度方向端的所述一对第1侧面间的长度设为Le时，该Le与所述Lc之差ΔL、和所述Lc的比率(ΔL/Lc)为1.0％以下。
本发明的压电陶瓷板的特征在于，具有一对四边形状的主面、和对置的一对第1侧面以及对置的一对第2侧面，所述主面的面积为360mm2以上，并且所述一对第1侧面的烧完面。
本发明的板状基体的特征在于，在压电陶瓷板内具有内部电极。
本发明的电子部件的特征在于，具备：表面电极，其配置于上述板状基体的表面；和通孔导体，其与所述内部电极连接，在所述压电陶瓷板的厚度方向上延伸而被引出到所述板状基体的表面，并且所述压电陶瓷板的所述一对第2侧面是烧完面。
本发明的电子部件的特征在于，具备：上述板状基体；和外部电极，其配置于所述压电陶瓷板的第2侧面，与所述内部电极连接，并且在所述压电陶瓷板的第2侧面具有加工面，在该加工面配置所述外部电极。
发明的效果
根据本发明的压电陶瓷板，能减少烧制后的加工。另外，根据本发明的板状基体、电子部件，能减少制造成本。
附图说明
图1是表示压电陶瓷板的图，(a)是立体图，(b)是从第1侧面到主面的表面的扫描型电子显微镜(SEM)照片。
图2(a)是关于主面为长方形的压电陶瓷板的变形量的说明图，(b)是关于主面为梯形的压电陶瓷板的变形量的说明图。
图3是示意表示电子部件的第1实施方式的图，(a)是概略俯视图，(b)是(a)的A-A线截面图。
图4是手持电子部件的状态的照片。
图5是表示电子部件的第2实施方式的图，(a)是概略纵截面图，(b)是概略横截面图。
图6是表示压电体层的组织的说明图。
图7是表示样本No.3的X射线衍射结果的图。
图8是表示样本No.5的X射线衍射结果的图。
具体实施方式
(压电陶瓷板)
图1(a)表示本实施方式的压电陶瓷板1，该压电陶瓷板1具有：具备对置的大致平行的一对边1a、另一对边1b的长方形的一对主面1c、对置的一对第1侧面1d以及对置的一对第2侧面1e。构成一对第1侧面1d的主面1c侧的边是主面1c的边1a。由此，一对第1侧面1d成为大致平行。
并且，如图1(b)所示那样，一对第1侧面1d是烧完面。另外，图1(b)是为了能确认第1侧面1d和主面1c而从主面1c的斜上方观察压电陶瓷板1的表面的SEM照片。
如图1(b)所示那样，所谓烧完面，是指烧制后未进行加工的面，是由角变圆的结晶粒子(陶瓷粒子)构成的面。另外，在该实施方式中，关于一对第2侧面1e、一对主面1c，也是烧完面，全周为烧完面。
并且，如图2(a)所示那样，在将第1侧面1d的长度方向(x轴方向)中央的一对第1侧面1d间的长度设为Lc、将第1侧面1d的长度方向(x轴方向)端的一对第1侧面1d间的长度设为Le时，Le与Lc之差ΔL和Lc的比率(ΔL/Lc)为1.0％以下。特别地，ΔL/Lc为0.4％以下，进而为0.2％以下，更进一步为0.1％以下。另外，差ΔL是从长的一方的长度减去短的一方的长度值，以成为正值。第1侧面1d间的长度例如能用游标卡尺或图像尺寸测定器(CNC图像测定器等)测定。
具体地，如图2(a)中两点划线所示那样，引出将压电陶瓷板1的主面1c中的一个边1a的两端间连结起来的直线，对该直线上的边1a的两端的中点引垂线C(一点划线)，求取该垂线C与主面1c的一对边1a的交叉点，将这些交叉点间的长度设为Lc。另外，引出位于一个边1a的两端的任一端、并与垂线C平行的线E，求取该线E与一对边1a的交叉点，将这些交叉点间的长度设为Le。
在本实施方式的压电陶瓷板1中，由于ΔL/Lc为1.0％以下，因此，即使不进行切断或研磨等加工也能控制在给定的形状、尺寸，能简单地得到正确的形状、尺寸的压电陶瓷板1，制造成本也能降低。另外，由于在烧制后不进行加工，因此能降低薄的压电陶瓷板1的缺损、碎裂等损坏。
另外，图1中对具有长方形的一对主面1c的压电陶瓷板1进行了说明，但当然也可以如图2(b)所示那样，是具有梯形的一对主面1c的压电陶瓷板1。引出将主面1c的一对边1a当中短的一方的边1a的两端间连起来的直线，对该直线上的边1a的两端的中点引垂线C(一点划线)，另外，引出位于一方的边1a的两端的任一端、并与垂线C平行的线E，由此来求取该情况下的Le和Lc。
另外，在图1中，说明了一对主面1c是烧完面的情况，但也可以不是烧完面。通过使一对主面1c也是烧完面，能够不需要烧制后的压电陶瓷板1的主面1c的加工。
另外，压电陶瓷板1在主面1c的面积为360mm2以上的情况下，(ΔL/Lc)为1.0％以下，进而在主面1c的面积为1000mm2以上的情况下，(ΔL/Lc)也可以为1.0％以下。另外，主面1c的面积能以上述Lc与边1a的两端间的长度之积求取。进而，在没有内部电极的情况下，压电陶瓷板1在具有上述主面1c的面积的情况下，在厚度为50μm以下、进而30μm以下时，(ΔL/Lc)也可以为1.0％以下。
(板状基体、电子部件)
图3表示电子部件的第1实施方式，该电子部件具备在压电陶瓷板1内具有内部电极5的板状基体8。并且具备：在板状基体8表面形成多个的表面电极10；和与内部电极5连接、在压电陶瓷板1的厚度方向(z轴方向)上延伸并引出到板状基体8表面的通孔导体11，并且压电陶瓷板1的一对第2侧面1e分别是烧完面。
即，在本实施方式中，压电陶瓷板1的第1侧面1d、第2侧面1e是烧完面，进而压电陶瓷板1的主面1c也是烧完面。另外，压电陶瓷板1的侧面1d、1e由2层的压电体层9的侧面构成，但从外观不能确认，成为一体而构成压电陶瓷板1的侧面1d、1e。由于在压电体层9的边界，内部电极5成为边界，因此能通过内部电极5的层叠数来确认压电体层9的层叠数。
在这样的电子部件中，经由被引出至板状基体8的表面的通孔导体11、和表面电极10，对表面电极10与内部电极5之间施加电压。另外，在图3(a)中省略通孔导体11的记载。
压电陶瓷板1的主面1c的尺寸为360mm2以上，进而为1000mm2以上，另外，具有内部电极5的压电陶瓷板1的厚度为150μm以下、100μm以下、60μm以下、进而50μm以下。
在本实施方式中，如图2所示那样，通过用游标卡尺、图像尺寸测定器等测定作为烧完面的压电陶瓷板1的一对第1侧面1d间的距离而求得的(ΔL/Lc)为1.0％以下。
若使用现有的压电陶瓷板制作例如40mm×30mm、厚度40μm的电子部件，则烧完时ΔL成为数百μm以上，在烧制后需要加工。另一方面，在使用本实施方式的压电陶瓷板1的电子部件的情况下，ΔL成为200μm以下，压电陶瓷板1的烧制后的第1侧面1d间的长度满足ΔL/Lc为1.0％以下，不需要在烧制后进行加工。因此，本实施方式的电子部件由于烧制所引起的变形较少，因此在烧制后不进行加工就能得到所期望的形状、尺寸的电子部件，还能降低制造成本。另外，还能降低加工所引起的碎裂、缺损等。
电子部件也可以具备3层以上的压电体层9以及2层以上的内部电极5。在图4示出手持35mm×116mm、厚度40μm的电子部件的状态。
图5表示电子部件的第2实施方式，具备：板状基体8；和配置在压电陶瓷板1的对置的第2侧面1e、与内部电极5交替连接的一对外部电极17。压电陶瓷板1的配置外部电极17的一对第2侧面1e是加工面。在这些加工面配置外部电极17，将内部电极5和外部电极17连接。所谓加工面，是指对烧完面进行了加工的面，是切截面、研磨面等。
加工面可以是压电陶瓷板1的一对第2侧面1e整体，但也可以是第2侧面1e的一部分，例如将第2侧面1e当中的配置外部电极17的部分设为加工面。
另一方面，未配置外部电极17的压电陶瓷板1的一对第1侧面1d被设为烧完面。
内部电极5如图5(b)所示那样，被设为形成于压电体层9上的一部分的部分电极，内部电极5的一部分在压电陶瓷板1的第2侧面1e露出，与外部电极17连接。
并且，和图3的电子部件同样，作为烧完面的压电陶瓷板1的第1侧面1d间的长度满足ΔL/Lc为1.0％以下的条件。由此，能够不需要压电陶瓷板1的第1侧面1d的加工，能容易地得到正确的形状、尺寸的电子部件，还能降低制造成本。
在图3、5的电子部件中，内部电极5以Ag为主成分，除了Ag以外，可以在35质量％以下、进而30质量％以下的范围内含有Pd。
(压电陶瓷板材料)
压电陶瓷板1(压电体层9)如图6所示那样具有：由包含Zn以及Bi的锆钛酸铅系结晶(以下也仅称作PZT系结晶)构成的多个结晶粒子2；和存在于结晶粒子2间的结晶晶界3，可以由结晶粒子2和结晶晶界3构成。
期望结晶粒子2包含如下的结晶粒子2：在对压电陶瓷板1的截面中的结晶粒子2的内部、以及包含结晶晶界3的区域(以下有时指结晶晶界3上)进行局部元素分析时，关于Zn以及Bi当中至少任意1种元素，在将结晶粒子2的内部的含有量Ci、和与该结晶粒子2邻接的结晶晶界3上的含有量Cb比较时，Ci少于Cb(Ci<Cb)。
关于Zn以及Bi当中至少任意1种元素，将Ci少于Cb的结晶粒子2称作第1结晶粒子2a，将Zn以及Bi均没有Ci与Cb之差、或Ci多于Cb的(Ci≥Cb)结晶粒子2称作第2结晶粒子2b。换言之，第1结晶粒子2a是如下结晶粒子：对第1结晶粒子2a的内部、和与第1结晶粒子2a相接的结晶晶界3上进行局部元素分析来比较比较Zn以及Bi的含有量时，Zn以及Bi当中至少任意一方的含有量在结晶晶界3上多于第1结晶粒子2a的内部。
这样的压电陶瓷板1在结晶晶界3实质上不存在如现有的PZT系压电陶瓷板那样包含促进烧结的成分即Li或B等的非晶质相、PZT系结晶以外的结晶相(异相)。由此，这些残留所引起的绝缘电阻的随时间变化和压电特性的降低变小。
例如用扫描型电子显微镜(SEM)或投射型电子显微镜(TEM)观察压电陶瓷板1的截面，在结晶粒子2的内部以及与该结晶粒子2邻接的结晶晶界3上进行Zn以及Bi的局部元素分析，由此得到结晶粒子2的内部和结晶晶界3上的Zn以及Bi的含有量。
局部元素分析例如使用能量分散型X射线分光分析(EDS)、电场发射型电子束微探测仪(FE-EPMA)、俄歇电子能谱仪(AES)、投射型电子显微镜(TEM)等来进行即可。在此，所谓结晶粒子2的内部的Zn、Bi的含有量，例如是指通过结晶粒子2的中心(截面的面重心)的元素分析而检测到的Zn、Bi的含有量，所谓包含结晶晶界3的区域的Zn、Bi的含有量，是指通过结晶粒子2的结晶晶界3以及其近旁的元素分析而检测到的Zn、Bi的含有量。
上述的元素分析装置的空间分辨率分别不同，例如在使用投射型电子显微镜(TEM)的情况下，空间分辨率为几nm，在使用俄歇电子能谱仪(AES)的情况下，空间分辨率为几十nm。因此，即使对结晶晶界3上进行测定，实质上也是结晶晶界3及其近旁几nm(TEM)或几十nm(AES)的测定结果、和结晶粒子2的中心的测定结果的比较。另外，作为结晶粒子2的内部的测定部位能举出结晶粒子2的中心(截面的面重心)，但在使用TEM等空间分辨率高的元素分析装置的情况下，也可以在结晶粒子2内将距结晶晶界3的距离为元素分析装置的空间分辨率以上的区域作为结晶粒子2的内部来进行分析、评价。
本实施方式的压电陶瓷板1的结晶晶界3的厚度为10nm以下(1～5nm程度)，认为在结晶晶界3上的元素分析中还包含距结晶晶界3的距离至少几nm的结晶粒子2的内部、即结晶粒子2的极其表面的结晶粒子2的结晶晶界3近旁的信息。换言之，认为本实施方式的压电陶瓷板1中的第1结晶粒子2a在结晶晶界3的极其近旁(结晶粒子2的表面近旁)具有Zn以及Bi的至少任意一方富集的层，该层的厚度为几nm。因此，在本说明书中，所谓包含结晶晶界3的区域，设为指包含距结晶晶界3为几nm的范围内的结晶粒子2的表层的区域。
另外，元素分析的测定关于1个结晶粒子2至少对结晶粒子2内部的1点、以及包含最接近于该结晶粒子2内部的测定点的结晶晶界3(2面间晶界或三相点)的区域的1点进行，将其结果进行比较即可。
在此，在将结晶粒子2的内部的Zn的含有量设为Ci(Zn)、将包含与结晶粒子2相接的结晶晶界3的区域中的Zn的含有量设为Cb(Zn)时，在第1结晶粒子2a中，优选Cb(Zn)相对于Ci(Zn)的比(Cb(Zn)/Ci(Zn))以质量比计为1.04以上、2.0以下。
另外，在将结晶粒子2的内部的Bi的含有量设为Ci(Bi)、将包含与结晶粒子2相接的结晶晶界3的区域中的Bi的含有量设为Cb(Bi)时，在第1结晶粒子2a中，Cb(Bi)相对于Ci(Bi)的比(Cb(Bi)/Ci(Bi))以质量比计为1.03以上，进而优选为1.05以上。通过设为这样的比率，能在低温下致密化。另外，优选(Cb(Bi)/Ci(Bi))以质量比计为2.0以下，特别为1.8以下。
构成压电陶瓷板1的结晶粒子2当中的第1结晶粒子2a所占的比例，优选相对于将第1结晶粒子2a以及第2结晶粒子2b合计的个数(以下称作结晶粒子2的个数)的第1结晶粒子2a的个数的比率为80％以上。通过使第1结晶粒子2a的比例为80％以上、进而为90％以上，即使以壁厚较薄的形状进行致密化但变形也较少，成为非晶质相或异相少的压电陶瓷板1。
用扫描型电子显微镜(SEM)或投射型电子显微镜(TEM)观察压电陶瓷板1的截面，至少提取10个任意的结晶粒子2，在结晶粒子2的内部、以及与该结晶粒子2邻接的结晶晶界3进行Zn以及Bi的局部元素分析，算出第1结晶粒子2a的个数相对于所测定的结晶粒子2的个数的比率，由此来算出由第1结晶粒子2a以及第2结晶粒子2b构成的结晶粒子2当中第1结晶粒子2a所占的比例。
本实施方式的压电陶瓷板1从维持稳定的绝缘电阻和压电特性这一点出发，优选由PZT系的结晶粒子2和存在于结晶粒子2间的结晶晶界3构成，实质上不包含PZT系结晶以外的结晶相、即压电特性或绝缘电阻低的结晶相。所谓实质上包含PZT系结晶以外的结晶相(以下称作异相)，是指用投射型电子显微镜(TEM)在晶格像中看不到异相，或者是指在压电陶瓷板1的截面的利用Cukα线的X射线衍射(XRD)测定中仅看到源自PZT系结晶的峰值，实质上不存在源自这以外的异相的峰值。
另外，在利用Cukα线的X射线衍射测定中，所谓实质上不存在源自PZT系结晶以外的异相的峰值，是指在将PZT系结晶的(111)的衍射峰值强度设为100的情况下，异相的衍射峰值强度为3以下。在以X射线衍射(XRD)测定得到的衍射图谱中，在衍射峰值的两侧引切线，用与该切线垂直方向的到峰值为止的长度表征衍射峰值强度。在将PZT系结晶的(111)的衍射峰值强度设为100时，只要压电特性或绝缘电阻低的PZT系结晶相以外的结晶相(异相)的峰值强度相对于PZT系结晶的(111)的衍射峰值强度为3以下，就不会对压电陶瓷板1的压电特性带来大的影响而适合地使用。
另外，本实施方式的压电陶瓷板1优选实质上不含Li、Na等的碱金属元素以及B(硼)。若在对PZT系结晶进行低温烧制时添加Li、Na等的碱金属元素以及B(硼)，则虽然会形成液相，烧结性提升，但会在PZT系结晶的结晶粒子2的结晶晶界3残留非晶质相或PZT系结晶以外的结晶相，担心绝缘电阻会随时间降低，或者压电特性降低。另外，还有Li、Na等的碱金属元素以及B(硼)不可避免地作为杂质包含在压电陶瓷板1中的情况。因此，所谓实质上不包含Li、Na等的碱金属元素以及B(硼)，是指在压电陶瓷板1的制造过程中不积极地添加这些元素。
另外，从致密性这点出发，本实施方式的压电陶瓷板1优选气孔率为0.25％以下。通过做出如此致密的压电陶瓷板1，密度成为7.7g/em3以上、进而7.8g/cm3以上，成为能使机械性损耗较小、压电特性的劣化和偏差少的压电陶瓷板1。
本实施方式的压电陶瓷板1中的结晶粒子2的平均粒径优选为1.0～4.0μm。若结晶粒子2的平均粒径过小，则压电特性降低，若过大，则滞后变大，从而在作为电子部件进行驱动时变得易于发热。通过将结晶粒子2的平均粒径设为1.0～4.0μm的范围，能维持需要的压电特性并抑制作为电子部件进行驱动时的发热。
压电陶瓷板1具备由含Zn以及Bi的锆钛酸铅系结晶构成的结晶粒子2、和结晶晶界3。结晶粒子2是复合钙钛矿型化合物，作为金属成分期望除了Pb、Zr、Ti、Zn以及Bi以外还包含Sb、Cu、Ni、Nb，进而期望根据需要包含Sr以及Ba当中的至少一种。
压电陶瓷板1的组成通过用以下那样的组成式表征的第1成分、以及由Bi氧化物和Zn氧化物构成的第2成分表征。在此，M表示Cu以及Ni当中至少任意一方的元素。
第1成分：Pb1-x-ySrxBayTi1-a-b-c(Zn1/3Sb2/3)a(M1/3Nb2/3)bZrcO3
另外，在第1成分的组成式中，x、y、a、b、c满足以下的关系式。
0≤x≤0.14
0≤y≤0.14(其中x+y≥0.04)
0.01≤a≤0.12
0≤b≤0.015
0.42≤c≤0.58
另外，在将相对于第1成分100质量％的第2成分的质量比表征为α％时，α为0.1以上2.0以下。另外，α是将作为第2成分的Zn以及Bi分别进行氧化物换算(ZnO以及Bi2O3)的总量，但Zn和Bi的复合氧化物例如也可以是换算成Bi38ZnO58、Bi38ZnO60、Bi48ZnO73以及BiZnO等的量。第2成分中的Zn与Bi的比率(Bi/Zn)优选以元素比率计为1≤(Bi/Zn)≤48。
在此，对将x、y、a、b、c以及α设定为上述的范围的理由进行说明。将Pb的基于Sr的置换量x设为0≤x≤0.14，是因为通过将Pb的一部分用Sr置换，能将居里温度维持得较高。另外，将Pb的基于Ba的置换量y设为0≤y≤0.14，是因为通过将Pb的一部分用Ba置换，能将居里温度维持得较高，能得到高的压电应变常数d31。
另外，将Ti的基于(Zn1/3Sb2/3)的置换量a设为0.01≤a≤0.12，是因为能得到大的压电应变常数d31以及压电输出常数g31，能将居里温度维持得较高，能将介电损失维持得较小。在将本实施方式的压电陶瓷板1用作压电致动器的情况下，能通过设为0.05≤a≤0.12来得到大的压电应变常数，在用作压电传感器的情况下，能通过设为0.01≤a≤0.05来得到大的压电输出常数g31。
通过将Ti的基于(M1/3Nb2/3)的置换量b设为0≤b≤0.015，能抑制压电d常数的降低并使矫顽电场较大。作为M而使用Ni、Cu，但在使用Cu的情况下，特别地能够形成维持高的压电d常数并且矫顽电场大的压电陶瓷板1，能抑制位移的劣化。特别优选将b设为0.002≤b≤0.01。
在以PZT为主成分的压电陶瓷板1中，存在若使PbZrO3和PbTiO3的固溶比率变化则会示出压电应变常数的极大值的MPB(Morphotropic phase boundary(准同型相界)、组成相边界)。在将本实施方式的压电陶瓷板1用作压电致动器的情况下，利用该MPB及其近旁的组成。由于该MPB根据x、y、a、b的值而变化，因此将c的值设为能在x、y、a、b的组成范围内捕捉到MPB的组成范围。
进而，将相对于第1成分的第2成分(Zn氧化物以及Bi氧化物)的质量比α(％)设为0.1≤α≤2.0，是因为在该范围内，Zn氧化物和Bi氧化物在烧制时形成液相而使作为PZT系结晶的结晶粒子2润湿，烧结性提升而陶瓷整体均匀地烧结，即使是壁厚较薄、面积较大的板状的压电陶瓷板1也能减少翘曲或变形，并且在烧结后Zn和Bi固溶在PZT系结晶内而能提升压电特性。另外，Zn与Bi的比率(Bi/Zn)优选以元素比率计设为1≤(Bi/Zn)≤48。通过设为这样的比率，第2成分在低温下形成液相，能进行陶瓷整体均匀的烧结。
(制法)
本实施方式的压电陶瓷板1能如以下那样制作。例如将包含第1成分的PZT系结晶的预烧粉末、和包含第2成分(Bi氧化物以及zn氧化物)的粉末的混合原料用周知的薄片成形法成形，在大气中在900～1050℃下进行烧制。另外，电子部件在上述生片涂布内部电极膏来形成内部电极图案。将形成了内部电极图案的生片层叠多个，最后层叠未形成内部电极图案的生片，从而制作板状基体成形体，将该板状基体成形体在大气中在900～1050℃下进行烧制。
在这样的压电陶瓷板1以及电子部件的制法中，即使在900～1050℃的低温下进行烧制，第2成分(Bi氧化物以及Zn氧化物)也会在例如750℃左右的低温下形成液相，能在比烧制温度低的温度下将PZT系结晶的结晶粒子2充分润湿，由此能提升烧结性，并且压电陶瓷板1整体大致均匀地收缩，在烧结后，Bi以及Zn固溶在PZT系结晶内。
烧结后的压电体陶瓷板1如图6所示那样由PZT系结晶的结晶粒子2构成，期望在结晶粒子2之中包含第1结晶粒子2a。
对具体的制法进行说明。首先，制作例如含有Zn的PZT系结晶的预烧粉末。
具体地，例如作为原料，称量混合PbO、ZrO2、TiO2、ZnO各粉末，并根据需要称量混合Sb2O3、CuO、NiO、Nb2O5、SrCO3以及BaCO3各粉末。接下来，在将该混合物脱水、干燥后，在850～950℃的最高温度下预烧1～3个小时。得到的PZT系结晶的预烧粉末是由第1成分构成的预烧粉末。将得到的预烧粉末再度用球磨机等粉碎，使平均粒径D50成为0.5～0.7μm的范围。
在预烧工序中，优选将PZT系结晶的合成程度调整得适合。作为表征PZT系结晶的指标，使用PZT系结晶的(101)的峰值的峰值强度I1、以及(111)的峰值的峰值强度I2。在预烧粉末的利用CuKα线的X射线衍射(XRD)测定中，I2相对于I1的强度比即I2/I1优选设为0.130～0.160。
若预烧粉末的I2/I1在0.130～0.160的范围内，则PZT系结晶的合成便会适度地进行，通过第2成分(Zn氧化物以及Bi氧化物)的添加而烧结性提升。进而，与烧结阶段中的粒生长同时地，Zn以及Bi被纳入到PZT系结晶的表层，在900～1050℃的温度范围内，不作为液相成分残存而进行烧结。
另一方面，在预烧粉末的I2/I1小于0.130的情况下，由于PZT系结晶的合成不充分，因此即使添加第2成分(Zn氧化物以及Bi氧化物)，也担心得不到烧结性的提升效果。另外，在预烧粉末的I2/I1大于0.160的情况下，PZT系结晶的合成进展过度，即使添加第2成分(Zn氧化物以及Bi氧化物)，也担心Zn以及Bi难以固溶在PZT系结晶的表层。
另外，之所以使用PZT系结晶的(101)的峰值的峰值强度I1、(111)的峰值的峰值强度I2，是因为：其他峰值伴随合成度(结晶相)的变化而峰值位置或图案形状发生变化，与此相对，(101)的峰值以及(111)的峰值即使合成度改变也仅强度比发生变化，而峰值位置或图案形状不发生变化，认为最适于表征PZT系结晶的合成度。
接下来，称量第2成分(Zn氧化物以及Bi氧化物、例如ZnO以及Bi2O3)的粉末，将其混合到PZT系结晶的预烧粉末中。第2成分既可以将各个粉末分别添加到预烧粉末中，也可以将预先仅混合了第2成分的混合粉末添加到预烧粉末。另外，也可以预烧第2成分来合成包含Zn以及Bi的复合氧化物(以下称作BZ氧化物)，将其添加到预烧粉末中。在合成BZ氧化物的情况下，将给定量的Zn氧化物以及Bi氧化物混合，在将得到的混合物脱水、干燥后，例如在空气中在600～720℃下预烧1～3个小时即可。另外，优选使用球磨机等进行调整，使得第2成分的平均粒径D50在0.5～0.7μm的范围，特别要小于PZT系结晶的预烧粉末的平均粒径(D50)。
添加了第2成分的PZT系结晶的预烧粉末在混合了粘合剂后，用周知的成形法例如压制成形、刮刀法等薄片成形来成形为所期望的形状。
将制作的成形体在大气中在900～1050℃下进行烧制。
以往，为了对PZT系结晶进行低温烧制，而添加形成液相的Li、B等。在使用了这样的添加物的压电陶瓷板1中，虽然能进行低温烧制，但在PZT系结晶的结晶粒子的晶界存在非晶质相或PZT系结晶以外的结晶相，绝缘电阻会随时间降低，或者压电特性会降低。另外，即使使用固溶于PZT系结晶内的Bi2O3，也由于其液相生成温度比较高到820℃程度，因此难以使陶瓷整体均匀烧结，特别在薄的板状的压电陶瓷板中会发生翘曲或变形。
本实施方式的压电陶瓷板1由于即使在900～1050℃的低温下进行烧制，作为第2成分的Zn氧化物以及Bi氧化物也形成液相而润湿PZT系结晶的结晶粒子2，因此成为烧结性高、气孔率0.25％以下、密度7.7g/cm3以上的致密的压电陶瓷板。进而，在烧结后，形成液相的Zn以及Bi固溶于PZT结晶的结晶粒子2的表层，成为结晶晶界3的厚度为10nm以下(1～5nm程度)的压电陶瓷板1。由此，压电陶瓷板1包含第1结晶粒子2a，即，Zn以及Bi当中至少任意一种的元素的含有量在PZT系结晶的结晶粒子2内部少于包含结晶晶界3的区域的第1结晶粒子2a，换言之，是在PZT系结晶的结晶粒子2的结晶晶界3近旁(结晶粒子2的表层)具有Zn以及Bi当中至少任意一方富集的层的第1结晶粒子2a。
即，压电陶瓷板1由多个PZT系结晶的结晶粒子2、和存在于结晶粒子2间的结晶晶界3构成，并且在结晶粒子2之中包含第1结晶粒子2a，在结晶晶界3实质上不存在PZT系结晶以外的结晶相或非晶质相，压电特性卓越。在这样的压电陶瓷板1中，体积电阻率即使在85℃下经过100个小时后也成为1GΩ·m以上，能抑制连续驱动时的绝缘劣化。
第2成分在750℃程度下生成液相，在烧制时陶瓷整体均匀地开始烧结。因此，即使是壁厚较薄的形状，也难以出现烧结过程中的压电陶瓷板1的变形。本实施方式的压电陶瓷板1特别适于用在厚度150μm以下、更特别为50μm以下的电子部件中。
压电陶瓷板1能用作陶瓷滤波器、超声波应用振动器、压电蜂鸣器、压电点火组件、超声波电动机、压电风扇、压电传感器、压电致动器等各种位移电子部件。例如，压电致动器是将经由压电现象而产生的位移或力利用为机械性驱动源的技术，特别是最近，是机电一体化领域中受到瞩目的技术之一。压电致动器是利用压电效应的固体元件，相比于具有在磁性体卷绕线圈的构成的现有的电磁式致动器，有消耗电力少、响应速度快、位移量大、发热少、尺寸以及重量小等卓越的特征。特别地，以更低电压得到更大的位移或产生力的层叠压电致动器，作为车载燃料喷射器的燃料喷射阀的开闭用摄像机的自动对焦用、压电扬声器等的音响部件而实用化。
实施例1
作为原料粉末，使用PbO、ZrO2、TiO2、ZnO、Sb2O3、SrCO3、BaCO3、CuO、Nb2O5的粉末，进行称量，使得第1成分在组成式Pb1-x-ySrxBayTi1-a-b-c(Zn1/3Sb2/3)a(M1/3Nb2/3)bZrcO3成为表1的组成，用球磨机进行24个小时的湿式混合。另外，M是Cu或Ni。接下来，在将该混合物脱水、干燥后，在表1所示的预烧温度下预烧3个小时，将该预烧物再度用球磨机进行24个小时的湿式粉碎，得到D50为0.5～0.7μm的预烧粉末。
之后，将D50为0.5～0.7μm的表1所示的添加物以相对于第1成分100质量％的比率计添加表1所示的量(质量％)，在其中混合了有机粘合剂后，用刮刀法制作厚度30μm的生片。在制作的生片丝网印刷包含Ag和Pd的内部电极膏，在重叠15片印刷了内部电极膏的生片后，最后层叠未印刷内部电极膏的生片，制作板状基体成形体。另外，内部电极膏的金属成分的质量比设为Ag∶Pd＝95∶5。
在对制作的板状基体成形体进行脱粘合剂后，在表1所示的烧制条件下在大气中进行烧制、冷却，从而得到在两端面交替露出内部电极的板状基体。
在得到的板状基体的两端面通过将Ag膏烧固来形成外部电极，通过进行极化处理，来得到作为压电特性评价用的电子部件的层叠压电致动器。该电子部件的压电陶瓷板的压电体层1层的厚度(电极间的厚度)为25μm。
将板状基体的截面镜面研磨，用扫描型电子显微镜(SEM)观察其研磨面，对拍摄压电体层而得到的照片进行图像处理，由此求取压电体层的气孔率。另外，对实施了热蚀处理(大气中、950℃下3个小时)的研磨面的SEM照片进行图像处理，将相当于根据构成压电体层的结晶粒子的轮廓求得的截面积的圆的直径视作结晶粒子的直径，求取压电体层中的结晶粒子的平均粒径。用阿基米德法求取板状基体的体积密度，将该体积密度视作压电体层的密度。
另外，用ICP发光分光分析确认板状基体的组成的结果，压电体层的组成在误差的范围内与调和时的组成一致。
关于在压电陶瓷板的压电体层是否存在PZT系结晶以外的结晶相，在板状基体的利用Cukα线的X射线衍射(XRD)测定中，在实质上不存在PZT系结晶峰值以外的其他结晶所引起的峰值的情况下，判断为没有PZT系结晶以外的结晶相。将样本No.3的X射线衍射测定结果在图7示出，将样本No.5的x射线衍射测定结果在图8示出。
压电体层的Bi、Zn的分布使用投射型电子显微镜(TEM)确认。对任意的10个结晶粒子，在结晶晶界上、和位于距该结晶晶界10nm的距离处的结晶粒子的内部进行元素分析，将结果记载在表1。另外，在表1中，在考虑所测定的结晶粒子当中的测定误差的基础上，示出结晶晶界上的Zn、Bi的含有量Cb(Zn)、Cb(Bi)比结晶粒子的内部的Zn、Bi的含有量Ci(Zn)、Ci(Bi)多的第1结晶粒子的比例。另外，算出确认的第1结晶粒子中的Cb(Zn)/Ci(Zn)、Cb(Bi)/Ci(Bi)的平均值，在表1示出。
在压电体层的绝缘电阻的劣化试验中，在85℃的恒温槽中对电子部件赋予2kV/mm的直流电场。测定85℃下的电子部件的绝缘电阻并换算成体积电阻率，将试验初始以及100个小时后的体积电阻率记载于表1。
关于压电特性，在对极化的电子部件在100℃下进行了老化处理后，切取出12×3mm的试验片，并对构成在试验片的上下表面的2个表面电极赋予DC电压来进行极化处理，通过测定长度方向的振动模式来求取电子部件的压电应变常数d31，并将其记载于表1。
关于压电陶瓷板的变形量，准备变形测定用的板状基体。用刮刀法制作厚度25μm的生片，使用内部电极膏在生片上的14.8×28mm的区域整面印刷内部电极膏。在印刷了内部电极膏的生片的印刷面侧，重合未印刷内部电极膏的生片，在进行脱粘合剂后进行烧制，从而得到板状基体。烧制条件和制作层叠压电致动器的条件相同。得到的板状基体的厚度为42μm(压电体层的厚度为21μm)，主面的面积为360mm2的矩形板状。将压电陶瓷板的变形评价为比率(ΔL/Lc)。压电陶瓷板的长度的测定使用CNC图像测定器来进行。将结果在表1示出。
[表1]
从表1可知，在样本No.1～11中，压电陶瓷板的变形量为1％以下，不需要或能减少烧制后的加工。
另外，在压电体层存在第1结晶粒子、即Zn以及Bi当中至少任意一方的含有量在与结晶粒子相接的结晶晶界中多于结晶粒子的内部的结晶粒子的样本(样本No.1～11)中，即使进行低温烧制，也致密化为气孔率0.25％以下，压电特性以压电应变常数d31的值计高到250p·m/V以上，初始的体积电阻率为80GΩ·m以上，在85℃下经过100个小时后，体积电阻率也为70GΩ·m以上，绝缘电阻的随时间劣化小，压电陶瓷板的变形也小。特别地，在第1结晶粒子的比例为90％以上的样本中，变形量的比率变得小于0.1％。另外，在压电体层中含Cu的样本中，维持高的压电d常数，并具有比具有同样组成的不含Cu的样本更大的矫顽电场。
实施例2
和上述实施例1的样本No.5同样地制作第1成分，在该第1成分中添加第2成分，在其中混合了有机粘合剂后，用刮刀法制作生片。在该生片上的区域整面涂布内部电极膏，在涂布了内部电极膏的生片的印刷面侧重叠未涂布内部电极膏的生片，在进行了脱粘合剂后进行烧制，制作具有表2所示的压电陶瓷板的厚度、压电陶瓷板的主面的面积、压电体层的厚度的图3所示那样层叠结构的板状基体。
另外，使用在一部分涂布了内部电极膏的3层的生片、和未涂布内部电极膏的1层的生片，来制作具有4层压电体层和3层内部电极层的图5所示那样的板状基体。
和上述实施例1同样地评价得到的压电陶瓷板的变形，将其结果在表2示出。
[表2]
从该表2可知，在样本No.15～19中，压电陶瓷板的变形为1％以下，不需要或能减少压电陶瓷板的烧制后的加工。
标号的说明
1 压电陶瓷板
1c 主面
1d 第1侧面
1e 第2侧面
2 结晶粒子
5 内部电极
7 外部电极
8 板状基体

Claims (8)

1.一种压电陶瓷板，其特征在于，
具有包含Zn以及Bi的锆钛酸铅系的多个结晶粒子，
具有一对四边形状的主面、和对置的一对第1侧面以及对置的一对第2侧面，
所述一对第1侧面是烧完面，
并且在将所述第1侧面的长度方向中央处的所述一对第1侧面间的长度设为Lc、将所述第1侧面的长度方向端部处的所述一对第1侧面间的长度设为Le时，该Le与所述Lc之差ΔL、和所述Lc的比率ΔL/Lc为1.0％以下，所述压电陶瓷板的厚度为150μm以下。
2.根据权利要求1所述的压电陶瓷板，其特征在于，
所述一对四边形状的主面是烧完面。
3.根据权利要求1或2所述的压电陶瓷板，其特征在于，
所述一对第1侧面由角变圆的结晶粒子构成。
4.根据权利要求1或2所述的压电陶瓷板，其特征在于，
所述主面的面积为360mm2以上。
5.根据权利要求1或2所述的压电陶瓷板，其特征在于，
所述主面的面积为1000mm2以上。
6.一种板状基体，其特征在于，在权利要求1～5中任一项所述的压电陶瓷板内具有内部电极。
7.一种电子部件，其特征在于，具备：
表面电极，其配置于权利要求6所述的板状基体的表面；和
通孔导体，其与所述内部电极连接，在所述压电陶瓷板的厚度方向上延伸而被引出到所述板状基体的表面，
并且所述压电陶瓷板的所述一对第2侧面是烧完面。
8.一种电子部件，其特征在于，具备：
权利要求6所述的板状基体；和
外部电极，其配置在所述压电陶瓷板的第2侧面，与所述内部电极连接，
并且在所述压电陶瓷板的第2侧面具有加工面，在该加工面配置所述外部电极。
CN201580002390.9A 2014-08-29 2015-08-29 压电陶瓷板以及板状基体、和电子部件 Active CN105683128B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-175767 2014-08-29
JP2014175767 2014-08-29
PCT/JP2015/074549 WO2016031994A1 (ja) 2014-08-29 2015-08-29 圧電磁器板および板状基体ならびに電子部品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105683128A CN105683128A (zh) 2016-06-15
CN105683128B true CN105683128B (zh) 2018-11-27

Family

ID=55399875

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580002390.9A Active CN105683128B (zh) 2014-08-29 2015-08-29 压电陶瓷板以及板状基体、和电子部件
CN201580002303.XA Active CN105658601B (zh) 2014-08-29 2015-08-29 压电陶瓷及其制法、以及电子部件

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580002303.XA Active CN105658601B (zh) 2014-08-29 2015-08-29 压电陶瓷及其制法、以及电子部件

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10177300B2 (zh)
EP (2) EP3085677A4 (zh)
JP (3) JP5937774B1 (zh)
CN (2) CN105683128B (zh)
WO (2) WO2016031994A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11699985B2 (en) 2017-10-12 2023-07-11 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Layered body, and saw device
WO2019073781A1 (ja) * 2017-10-12 2019-04-18 住友電気工業株式会社 セラミック基板、積層体およびｓａｗデバイス
WO2020045095A1 (ja) 2018-08-30 2020-03-05 株式会社村田製作所 第１段階セラミック集合基板、第２段階セラミック集合基板、第２段階セラミック集合基板の製造方法、および、積層電子部品の製造方法
CN110412091B (zh) * 2019-07-10 2024-04-23 宁波大学 一种可重复使用的损伤识别压电传感装置

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2531270B2 (ja) 1989-07-24 1996-09-04 日本電気株式会社 厚み振動圧電磁器トランスの製造方法
JPH04298085A (ja) * 1991-03-26 1992-10-21 Kyocera Corp 圧電性磁器の製造方法
JPH04325464A (ja) * 1991-04-25 1992-11-13 Tokin Corp 圧電セラミックスの焼成方法
DE4127829C2 (de) 1991-08-22 1994-05-19 Renate Prof Dr Ing Gesemann PZT - Werkstoffe und deren Verwendung
JP3117247B2 (ja) * 1991-08-26 2000-12-11 京セラ株式会社 圧電磁器の製造方法
JP3210782B2 (ja) 1993-07-29 2001-09-17 京セラ株式会社 アクチュエータ用圧電磁器組成物
DE4427798C2 (de) * 1993-08-06 1998-04-09 Toshiba Kawasaki Kk Piezoelektrischer Einkristall und dessen Verwendung in einer Ultraschallsonde und Ultraschall-Array-Sonde
DE19615695C1 (de) * 1996-04-19 1997-07-03 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Piezoaktors monolithischer Vielschichtbauweise
JP2970652B1 (ja) * 1998-05-22 1999-11-02 松下電器産業株式会社 積層セラミック部品およびその製造方法
JP2000086341A (ja) 1998-09-11 2000-03-28 Kyocera Corp 圧電磁器組成物及びその製造方法
JP2001111127A (ja) * 1999-10-04 2001-04-20 Kyocera Corp 圧電／電歪型アクチュエータ及びその製造方法
US7354642B2 (en) * 2000-02-16 2008-04-08 Taiyo Yuden Co., Ltd. Multilayer displacement element
JP3506113B2 (ja) 2000-11-07 2004-03-15 株式会社村田製作所 電子部品
US7067965B2 (en) 2002-09-18 2006-06-27 Tdk Corporation Piezoelectric porcelain composition, piezoelectric device, and methods of making thereof
JP5013653B2 (ja) * 2003-06-30 2012-08-29 京セラ株式会社 圧電アクチュエータの製造方法
CN1304334C (zh) 2004-05-24 2007-03-14 Tdk株式会社 氧化锆装载板、陶瓷基片的制造方法
JP2006256925A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Taiheiyo Cement Corp 圧電セラミックス用焼結助剤および圧電セラミックス
JP4390018B2 (ja) * 2007-02-07 2009-12-24 株式会社村田製作所 圧電磁器および圧電素子
US7948153B1 (en) 2008-05-14 2011-05-24 Sandia Corporation Piezoelectric energy harvester having planform-tapered interdigitated beams
JP5361635B2 (ja) * 2008-09-25 2013-12-04 京セラ株式会社 振動体
JP2010222170A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Nec Tokin Corp 積層圧電セラミックス体の製造方法
JP5597368B2 (ja) 2009-07-29 2014-10-01 京セラ株式会社 積層型電子部品およびその製法
JP5530140B2 (ja) 2009-09-28 2014-06-25 太平洋セメント株式会社 Ｂｎｔ−ｂｔ系圧電セラミックスおよびその製造方法
CN101712548B (zh) * 2009-09-30 2012-10-17 广州市番禺奥迪威电子有限公司 一种烧结温度低的高效压电陶瓷材料及其制备工艺
JP5468984B2 (ja) 2010-05-17 2014-04-09 太平洋セメント株式会社 非鉛圧電セラミックス用焼結助剤、非鉛圧電セラミックスおよびその製造方法
WO2012133529A1 (ja) 2011-03-30 2012-10-04 日本碍子株式会社 圧電体基板の製造方法
CN102432291B (zh) * 2011-09-04 2014-05-28 成都宏明电子科大新材料有限公司 电容正电压系数反铁电陶瓷材料及其制作方法
DE102011117709A1 (de) * 2011-11-04 2013-05-08 Epcos Ag Keramikmaterial, Verfahren zur Herstellung desselben und elektrokeramisches Bauelement umfassend das Keramikmaterial
CN102531638B (zh) 2012-01-05 2013-11-20 江苏大学 一种添加物及其降低压电陶瓷烧结温度的用途
JP5855509B2 (ja) 2012-03-30 2016-02-09 日本碍子株式会社 圧電／電歪膜型素子及び圧電／電歪膜型素子を製造する方法
JPWO2013146975A1 (ja) 2012-03-30 2015-12-14 日本碍子株式会社 圧電／電歪膜型素子及び圧電／電歪膜型素子を製造する方法
CN103090661B (zh) * 2013-01-06 2013-09-25 肇庆捷成电子科技有限公司 一种压电陶瓷坯片烧结装置及其工艺方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3085678B1 (en) 2022-04-13
US20160293831A1 (en) 2016-10-06
EP3085677A1 (en) 2016-10-26
EP3085678A1 (en) 2016-10-26
CN105683128A (zh) 2016-06-15
US10297744B2 (en) 2019-05-21
US20160254436A1 (en) 2016-09-01
JPWO2016031995A1 (ja) 2017-04-27
EP3085677A4 (en) 2017-11-22
JP2016222533A (ja) 2016-12-28
CN105658601A (zh) 2016-06-08
US10177300B2 (en) 2019-01-08
EP3085678A4 (en) 2017-08-23
JP6082161B2 (ja) 2017-02-15
WO2016031995A1 (ja) 2016-03-03
JPWO2016031994A1 (ja) 2017-04-27
WO2016031994A1 (ja) 2016-03-03
JP5937774B1 (ja) 2016-06-22
CN105658601B (zh) 2018-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100905886B1 (ko) 압전체 자기 조성물, 및 압전 세라믹 전자부품
US8846556B2 (en) Piezoelectric ceramic, method for making the same, piezoelectric element, liquid discharge head, and ultrasonic motor
CN105683128B (zh) 压电陶瓷板以及板状基体、和电子部件
US20090242099A1 (en) Method of producing a piezostack device
JP5337513B2 (ja) 圧電／電歪磁器組成物
JP7239350B2 (ja) 圧電セラミックス及びその製造方法、並びに圧電素子
CN102557632A (zh) 压电陶瓷、压电元件以及具备该压电元件的压电装置
JP5815404B2 (ja) 圧電体／電歪体、圧電／電歪セラミックス組成物、圧電素子／電歪素子及び圧電モータ
US20070125977A1 (en) Piezoelectric ceramic and laminated piezoelectric element
JP2011029537A (ja) 積層型電子部品およびその製法
JP4535721B2 (ja) 圧電磁器および積層型圧電素子並びに噴射装置
JP6798902B2 (ja) 圧電磁器板および板状基体ならびに電子部品
JP5036758B2 (ja) 圧電磁器およびそれを用いた圧電素子
JP5894222B2 (ja) 積層型電子部品およびその製法
JP7406952B2 (ja) 圧電セラミックス及びその製造方法、並びに圧電素子
JP2022107863A (ja) 圧電セラミックス、圧電素子及び超音波振動子
TW202315176A (zh) 無鉛壓電陶瓷組成物、及壓電元件

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant