JP2000086341A - 圧電磁器組成物及びその製造方法 - Google Patents
圧電磁器組成物及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高圧電歪特性を有するとともに、低温での焼成
が可能なＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3 組成系の圧電磁器
組成物を提供する。 【解決手段】ＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ
1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を主体とし、Ｂｉ及びＦｅの元素
をＢｉＦｅＯ3 に換算して５重量％≦ＢｉＦｅＯ3 ≦１
５重量％の範囲で含有させるか、あるいはＬｉとＢｉな
らびにＣｄ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｚｎのうち少なくとも１
種以上の元素をそれぞれＬｉ2 ＣＯ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｃ
ｄＣＯ3 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｐｂ3 Ｏ4 、ＳｉＯ2 、ＺｎＯに
換算して、０重量％＜Ｌｉ2 ＣＯ3 ≦１．０重量％、０
重量％＜Ｂｉ2 Ｏ3 ≦１．０重量％、０重量％＜ＣｄＣ
Ｏ3 ＋Ｂ2 Ｏ3 ＋Ｐｂ3 Ｏ4 ＋ＳｉＯ2 ＋ＺｎＯ≦２．
０重量％の範囲でそれぞれ含有させて圧電磁器組成物を
構成する。
が可能なＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3 組成系の圧電磁器
組成物を提供する。 【解決手段】ＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ
1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を主体とし、Ｂｉ及びＦｅの元素
をＢｉＦｅＯ3 に換算して５重量％≦ＢｉＦｅＯ3 ≦１
５重量％の範囲で含有させるか、あるいはＬｉとＢｉな
らびにＣｄ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｚｎのうち少なくとも１
種以上の元素をそれぞれＬｉ2 ＣＯ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｃ
ｄＣＯ3 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｐｂ3 Ｏ4 、ＳｉＯ2 、ＺｎＯに
換算して、０重量％＜Ｌｉ2 ＣＯ3 ≦１．０重量％、０
重量％＜Ｂｉ2 Ｏ3 ≦１．０重量％、０重量％＜ＣｄＣ
Ｏ3 ＋Ｂ2 Ｏ3 ＋Ｐｂ3 Ｏ4 ＋ＳｉＯ2 ＋ＺｎＯ≦２．
０重量％の範囲でそれぞれ含有させて圧電磁器組成物を
構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高圧電歪み定数を
有するとともに、低温焼成が可能なＰｂＺｒＯ3−Ｐｂ
ＴｉＯ3 組成系の圧電磁器組成物に関するものであり、
例えば、超音波応用振動子、超音波モータ、圧電アクチ
ュエータ等を構成する素子として好適なものである。
有するとともに、低温焼成が可能なＰｂＺｒＯ3−Ｐｂ
ＴｉＯ3 組成系の圧電磁器組成物に関するものであり、
例えば、超音波応用振動子、超音波モータ、圧電アクチ
ュエータ等を構成する素子として好適なものである。
【０００２】
【従来技術】従来、圧電効果によって発生する変位を機
械的駆動源として利用したものに、超音波応用振動子、
超音波モータ、圧電アクチュエータ等があり、メカトロ
ニクスの分野においても注目されているものの１つであ
る。
械的駆動源として利用したものに、超音波応用振動子、
超音波モータ、圧電アクチュエータ等があり、メカトロ
ニクスの分野においても注目されているものの１つであ
る。
【０００３】例えば、積層型圧電アクチュエータは、電
極としての導体ペーストを印刷した圧電材料からなるグ
リーンシートを積み重ねた複数枚の積層体を焼結一体化
して構成したものであり、磁性体にコイルを巻いた従来
の電磁式アクチュエータと比較して、消費電力や発熱量
が少なく、応答速度に優れるとともに、変位量が大き
く、寸法及び重量が小さい等の優れた特徴を有し、近年
注目されているインクジェットプリンタヘッド等に利用
されている。そして、これら圧電アクチュエータ等を構
成する圧電材料としては、ＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3
組成系の圧電磁器組成物が用いられていた。
極としての導体ペーストを印刷した圧電材料からなるグ
リーンシートを積み重ねた複数枚の積層体を焼結一体化
して構成したものであり、磁性体にコイルを巻いた従来
の電磁式アクチュエータと比較して、消費電力や発熱量
が少なく、応答速度に優れるとともに、変位量が大き
く、寸法及び重量が小さい等の優れた特徴を有し、近年
注目されているインクジェットプリンタヘッド等に利用
されている。そして、これら圧電アクチュエータ等を構
成する圧電材料としては、ＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3
組成系の圧電磁器組成物が用いられていた。
【０００４】ところで、上述した圧電アクチュエータ等
の用途が拡大するに伴い、より大きな機械的変位が要求
されており、そのためには上記圧電磁器組成物の圧電特
性（電気機械結合係数、誘電率、圧電歪み定数等）、そ
の中でも特に圧電歪み定数ができるだけ大きく、さらに
繰り返し変位させても劣化のない耐久性に優れたものが
望まれている。
の用途が拡大するに伴い、より大きな機械的変位が要求
されており、そのためには上記圧電磁器組成物の圧電特
性（電気機械結合係数、誘電率、圧電歪み定数等）、そ
の中でも特に圧電歪み定数ができるだけ大きく、さらに
繰り返し変位させても劣化のない耐久性に優れたものが
望まれている。
【０００５】このような目的に合致する圧電磁器組成物
として、ＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ 3 組成系にＰｂ（Ｚ
ｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を第３成分として固溶させたも
のを本件出願人は既に提案している（特開平7 −４５１
２４号公報参照）。
として、ＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ 3 組成系にＰｂ（Ｚ
ｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を第３成分として固溶させたも
のを本件出願人は既に提案している（特開平7 −４５１
２４号公報参照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
にＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3 組成系にＰｂ（Ｚｎ1/3
Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を固溶させた圧電磁器組成物は、焼成温
度が１２００〜１３００℃と高温であるため、積層型圧
電アクチュエータのように圧電磁器組成物と電極とを共
に焼結させて一体化しようとすると、上記焼成温度範囲
で耐えうる電極材料が少なく、例えばＰｔやＰｄなど非
常に高価な金属を用いなければならないといった課題が
あった。
にＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3 組成系にＰｂ（Ｚｎ1/3
Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を固溶させた圧電磁器組成物は、焼成温
度が１２００〜１３００℃と高温であるため、積層型圧
電アクチュエータのように圧電磁器組成物と電極とを共
に焼結させて一体化しようとすると、上記焼成温度範囲
で耐えうる電極材料が少なく、例えばＰｔやＰｄなど非
常に高価な金属を用いなければならないといった課題が
あった。
【０００７】しかも、焼成温度が高いとそのための設備
も必要となり、結果として安価な製品を提供することが
できなかった。
も必要となり、結果として安価な製品を提供することが
できなかった。
【０００８】
【発明の目的】本発明の目的は、高圧電歪み特性を有す
るＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ
2/3 ）Ｏ3 を主体とし、上記圧電歪み特性を大きく劣化
させることなく低温での焼成が可能な圧電磁器組成物と
その製造方法を提供することにある。
るＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ
2/3 ）Ｏ3 を主体とし、上記圧電歪み特性を大きく劣化
させることなく低温での焼成が可能な圧電磁器組成物と
その製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
ＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ
2/3 ）Ｏ3 をベースとし、優れた圧電歪特性を低下させ
ることなく、低温での焼成が可能な圧電磁器組成物につ
いて鋭意研究を繰り返したところ、他の成分として、Ｂ
ｉ及びＦｅの２成分を含有させるか、あるいはＬｉとＢ
ｉならびにＣｄ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｚｎのうち少なくと
も１種以上の元素の３成分以上を含有させることによっ
て上記課題を一掃できることを見出した。
ＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ
2/3 ）Ｏ3 をベースとし、優れた圧電歪特性を低下させ
ることなく、低温での焼成が可能な圧電磁器組成物につ
いて鋭意研究を繰り返したところ、他の成分として、Ｂ
ｉ及びＦｅの２成分を含有させるか、あるいはＬｉとＢ
ｉならびにＣｄ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｚｎのうち少なくと
も１種以上の元素の３成分以上を含有させることによっ
て上記課題を一掃できることを見出した。
【００１０】即ち、請求項１に係る発明は、ＰｂＺｒＯ
3 −ＰｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を主
体とし、Ｂｉ及びＦｅの元素をＢｉＦｅＯ3 に換算して
５重量％≦ＢｉＦｅＯ3 ≦１５重量％の範囲で含有して
圧電磁器組成物を構成したものである。
3 −ＰｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を主
体とし、Ｂｉ及びＦｅの元素をＢｉＦｅＯ3 に換算して
５重量％≦ＢｉＦｅＯ3 ≦１５重量％の範囲で含有して
圧電磁器組成物を構成したものである。
【００１１】請求項２に係る発明は、請求項１に係る圧
電磁器組成物を製造するために、予めＰｂＺｒＯ3 −Ｐ
ｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を主体と
する仮焼粉を用意し、この仮焼粉に対してＢｉ2 Ｏ3 及
びＦｅ2 Ｏ3 の粉末を、焼結後のＢｉとＦｅの含有量が
ＢｉＦｅＯ3 に換算して５重量％≦ＢｉＦｅＯ3 ≦１５
重量％となるように添加したものを所定形状に成形し、
しかるのち、１０００〜１１００℃の温度で焼成するよ
うにしたものである。
電磁器組成物を製造するために、予めＰｂＺｒＯ3 −Ｐ
ｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を主体と
する仮焼粉を用意し、この仮焼粉に対してＢｉ2 Ｏ3 及
びＦｅ2 Ｏ3 の粉末を、焼結後のＢｉとＦｅの含有量が
ＢｉＦｅＯ3 に換算して５重量％≦ＢｉＦｅＯ3 ≦１５
重量％となるように添加したものを所定形状に成形し、
しかるのち、１０００〜１１００℃の温度で焼成するよ
うにしたものである。
【００１２】請求項３に係る発明は、ＰｂＺｒＯ3 −Ｐ
ｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を主体と
し、ＬｉとＢｉならびにＣｄ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｚｎの
うち少なくとも１種以上の元素をそれぞれＬｉ2 Ｃ
Ｏ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣｄＣＯ3 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｐｂ
3 Ｏ4 、ＳｉＯ2 、ＺｎＯに換算して、０重量％＜Ｌｉ
2 ＣＯ3≦１．０重量％、０重量％＜Ｂｉ2 Ｏ3 ≦１．
０重量％、０重量％＜ＣｄＣＯ3＋Ｂ2 Ｏ3 ＋Ｐｂ3 Ｏ
4 ＋ＳｉＯ2 ＋ＺｎＯ≦２．０重量％の範囲でそれぞれ
含有して圧電磁器組成物を構成したものである。
ｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を主体と
し、ＬｉとＢｉならびにＣｄ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｚｎの
うち少なくとも１種以上の元素をそれぞれＬｉ2 Ｃ
Ｏ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣｄＣＯ3 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｐｂ
3 Ｏ4 、ＳｉＯ2 、ＺｎＯに換算して、０重量％＜Ｌｉ
2 ＣＯ3≦１．０重量％、０重量％＜Ｂｉ2 Ｏ3 ≦１．
０重量％、０重量％＜ＣｄＣＯ3＋Ｂ2 Ｏ3 ＋Ｐｂ3 Ｏ
4 ＋ＳｉＯ2 ＋ＺｎＯ≦２．０重量％の範囲でそれぞれ
含有して圧電磁器組成物を構成したものである。
【００１３】請求項４に係る発明は、請求項３に係る圧
電磁器組成物を製造するために、予めＰｂＺｒＯ3 −Ｐ
ｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を主体と
する仮焼粉を用意し、この仮焼粉に対してＬｉ2 ＣＯ3
とＢｉ2 Ｏ3 の粉末、ならびにＣｄＣＯ3 、Ｂ2 Ｏ3 、
Ｐｂ3 Ｏ4 、ＳｉＯ2 、ＺｎＯのいずれか一種以上の粉
末を、焼結後のＬｉとＢｉならびにＣｄ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓ
ｉ、Ｚｎのいずれか一種以上の元素の含有量がＬｉ2 Ｃ
Ｏ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣｄＣＯ3 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｐｂ
3 Ｏ4 、ＳｉＯ2 、ＺｎＯに換算して、０重量％＜Ｌｉ
2 ＣＯ3 ≦１．０重量％、０重量％＜Ｂｉ2 Ｏ3 ≦１．
０重量％、０重量％＜ＣｄＣＯ3 ＋Ｂ2 Ｏ3 ＋Ｐｂ3 Ｏ
4 ＋ＳｉＯ2 ＋ＺｎＯ≦２．０重量％となるように添加
したものを所定形状に成形し、しかるのち、９００〜１
０００℃の温度で焼成するようにしたものである。
電磁器組成物を製造するために、予めＰｂＺｒＯ3 −Ｐ
ｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を主体と
する仮焼粉を用意し、この仮焼粉に対してＬｉ2 ＣＯ3
とＢｉ2 Ｏ3 の粉末、ならびにＣｄＣＯ3 、Ｂ2 Ｏ3 、
Ｐｂ3 Ｏ4 、ＳｉＯ2 、ＺｎＯのいずれか一種以上の粉
末を、焼結後のＬｉとＢｉならびにＣｄ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓ
ｉ、Ｚｎのいずれか一種以上の元素の含有量がＬｉ2 Ｃ
Ｏ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣｄＣＯ3 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｐｂ
3 Ｏ4 、ＳｉＯ2 、ＺｎＯに換算して、０重量％＜Ｌｉ
2 ＣＯ3 ≦１．０重量％、０重量％＜Ｂｉ2 Ｏ3 ≦１．
０重量％、０重量％＜ＣｄＣＯ3 ＋Ｂ2 Ｏ3 ＋Ｐｂ3 Ｏ
4 ＋ＳｉＯ2 ＋ＺｎＯ≦２．０重量％となるように添加
したものを所定形状に成形し、しかるのち、９００〜１
０００℃の温度で焼成するようにしたものである。
【００１４】まず、本発明によれば、圧電磁器組成物の
主体がＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3−Ｐｂ（Ｚｎ1/3
Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 からなることを特徴とする。このように
ＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3 （以下、ＰＺＴという。）
に、Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 となる組成を第３
成分として固溶させることで、圧電特性の中でも変位量
を大きくする上で重要な圧電歪み定数を高めることがで
き、さらに一定荷重を繰り返し作用させても圧電歪み定
数の劣化を抑制して耐久性を向上させることができる。
主体がＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3−Ｐｂ（Ｚｎ1/3
Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 からなることを特徴とする。このように
ＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3 （以下、ＰＺＴという。）
に、Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 となる組成を第３
成分として固溶させることで、圧電特性の中でも変位量
を大きくする上で重要な圧電歪み定数を高めることがで
き、さらに一定荷重を繰り返し作用させても圧電歪み定
数の劣化を抑制して耐久性を向上させることができる。
【００１５】なお、主体がＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3
−Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3からなるとは、Ｐｂ
の一部がＳｒやＢａで置換されたものや、第４成分とし
てＰｂ（Ｎｉ1/2 Ｔｅ1/2 ）Ｏ3 が固溶したものを含
むことをいう。
−Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3からなるとは、Ｐｂ
の一部がＳｒやＢａで置換されたものや、第４成分とし
てＰｂ（Ｎｉ1/2 Ｔｅ1/2 ）Ｏ3 が固溶したものを含
むことをいう。
【００１６】具体的には、組成式をＰｂ1-x-y Ｓｒx Ｂ
ａy （Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）a Ｚｒb Ｔｉ1-a-b Ｏ3 と
表した時、ｘ，ｙ，ａ，ｂが０≦ｘ≦０．１４、０≦ｙ
≦０．１４、０＜ｘ＋ｙ、０．０１≦ａ≦０．１２、
０．４３≦ｂ≦０．５８を満足するものや、組成式をＰ
ｂ1-x-y Ｓｒx Ｂａy （Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）a （Ｎｉ
1/2 Ｔｅ1/2 ）c Ｚｒb Ｔｉ1-a-b-c Ｏ3 と表した
時、ｘ，ｙ，ａ，ｂ，ｃが０≦ｘ≦０．１４、０≦ｙ≦
０．１４、０＜ｘ＋ｙ、０．０１≦ａ≦０．１２、０．
４３≦ｂ≦０．５８、０．００２≦ｃ≦０．０２を満足
するものを用いることができる。
ａy （Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）a Ｚｒb Ｔｉ1-a-b Ｏ3 と
表した時、ｘ，ｙ，ａ，ｂが０≦ｘ≦０．１４、０≦ｙ
≦０．１４、０＜ｘ＋ｙ、０．０１≦ａ≦０．１２、
０．４３≦ｂ≦０．５８を満足するものや、組成式をＰ
ｂ1-x-y Ｓｒx Ｂａy （Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）a （Ｎｉ
1/2 Ｔｅ1/2 ）c Ｚｒb Ｔｉ1-a-b-c Ｏ3 と表した
時、ｘ，ｙ，ａ，ｂ，ｃが０≦ｘ≦０．１４、０≦ｙ≦
０．１４、０＜ｘ＋ｙ、０．０１≦ａ≦０．１２、０．
４３≦ｂ≦０．５８、０．００２≦ｃ≦０．０２を満足
するものを用いることができる。
【００１７】ここで、Ｔｉの（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）に
よる置換量ａを多くすると、超音波応用振動子、超音波
モータ、圧電アクチュエータ等の素子として有用な圧電
歪み定数を大きくすることができるのであるが、置換量
ａが０．１２を越えると誘電損失が大きくなり過ぎるた
めに好ましくない。
よる置換量ａを多くすると、超音波応用振動子、超音波
モータ、圧電アクチュエータ等の素子として有用な圧電
歪み定数を大きくすることができるのであるが、置換量
ａが０．１２を越えると誘電損失が大きくなり過ぎるた
めに好ましくない。
【００１８】また、ＰＺＴを主成分とした圧電磁器組成
物は、ＰｂＺｒＯ3 とＰｂＴｉＯ３の固溶比率を変化さ
せると圧電歪み定数の極大値を示すＭＰＢ（組成相境
界）が存在し、超音波応用振動子、超音波モータ、圧電
アクチュエータ等の素子としては、このＭＰＢ及びその
近傍の組成値を用いることが良い。そして、このＭＰＢ
はｘ，ａの量により変化するため、ｂの値をｘ，ａの組
成範囲内でＭＰＢを捉える組成、即ち、０．４３≦ｂ≦
０．５８とすることでＭＰＢを捉えることができる。
物は、ＰｂＺｒＯ3 とＰｂＴｉＯ３の固溶比率を変化さ
せると圧電歪み定数の極大値を示すＭＰＢ（組成相境
界）が存在し、超音波応用振動子、超音波モータ、圧電
アクチュエータ等の素子としては、このＭＰＢ及びその
近傍の組成値を用いることが良い。そして、このＭＰＢ
はｘ，ａの量により変化するため、ｂの値をｘ，ａの組
成範囲内でＭＰＢを捉える組成、即ち、０．４３≦ｂ≦
０．５８とすることでＭＰＢを捉えることができる。
【００１９】さらに、本発明は、ＰＺＴ−Ｐｂ（Ｚｎ
1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 に対し、他の成分としてＢｉ及び
Ｆｅの２成分を含有するか、あるいはＬｉとＢｉならび
にＣｄ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｚｎのうちの少なくとも１種
類以上の元素の３成分以上を含有することを特徴とす
る。
1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 に対し、他の成分としてＢｉ及び
Ｆｅの２成分を含有するか、あるいはＬｉとＢｉならび
にＣｄ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｚｎのうちの少なくとも１種
類以上の元素の３成分以上を含有することを特徴とす
る。
【００２０】即ち、他の成分としてＢｉ及びＦｅの２成
分を含有させると、イオン半径に合わせて主体をなすＰ
ＺＴ−Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 の元素と置換を
起こし、ＡＢＯ3 で表される結晶のＡサイト（前記組成
式ではＰｂ1-x-y Ｓｒx Ｂａy ）にＢｉが、Ｂサイト
（前記組成式では（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）a Ｚｒb Ｔｉ
1-a-b ）にＦｅが入ることになる。このとき、Ａサイト
及びＢサイトにあった元のイオンの価数と置換されたイ
オンの価数が異なると電気的バランスをとるために結晶
格子内に空孔が生じるのであるが、この空孔が多いほど
圧電磁器組成物の焼成時に物質の移動が起こり易くな
り、低温での焼結が進むことになる。
分を含有させると、イオン半径に合わせて主体をなすＰ
ＺＴ−Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 の元素と置換を
起こし、ＡＢＯ3 で表される結晶のＡサイト（前記組成
式ではＰｂ1-x-y Ｓｒx Ｂａy ）にＢｉが、Ｂサイト
（前記組成式では（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）a Ｚｒb Ｔｉ
1-a-b ）にＦｅが入ることになる。このとき、Ａサイト
及びＢサイトにあった元のイオンの価数と置換されたイ
オンの価数が異なると電気的バランスをとるために結晶
格子内に空孔が生じるのであるが、この空孔が多いほど
圧電磁器組成物の焼成時に物質の移動が起こり易くな
り、低温での焼結が進むことになる。
【００２１】そして、ＢｉはＰｂ2+イオンよりも価数が
大きくドナーイオンとして働き、また、Ｐｂと置換し易
いイオン半径を有するとともに、ＦｅはＺｒ4+、Ｔｉ4+
よりも価数が小さくアクセプターイオンとして働き、ま
た、Ｚｒ、Ｔｉと置換し易いイオン半径を有する。その
為、これらドナーイオンとして働くＢｉとアクセプター
イオンとして働くＦｅの両者を共に含有させることで、
圧電磁器組成物の圧電特性を殆ど低下させることなく、
焼成温度を１１００℃以下にまで下げることが可能とな
る。その結果、圧電アクチュエータ等の製造において、
ＰｔやＰｄと比較して安価なＡｇを主体とする電極材料
（Ａｇが５０％以上）の使用が可能となる。
大きくドナーイオンとして働き、また、Ｐｂと置換し易
いイオン半径を有するとともに、ＦｅはＺｒ4+、Ｔｉ4+
よりも価数が小さくアクセプターイオンとして働き、ま
た、Ｚｒ、Ｔｉと置換し易いイオン半径を有する。その
為、これらドナーイオンとして働くＢｉとアクセプター
イオンとして働くＦｅの両者を共に含有させることで、
圧電磁器組成物の圧電特性を殆ど低下させることなく、
焼成温度を１１００℃以下にまで下げることが可能とな
る。その結果、圧電アクチュエータ等の製造において、
ＰｔやＰｄと比較して安価なＡｇを主体とする電極材料
（Ａｇが５０％以上）の使用が可能となる。
【００２２】ただし、ＢｉとＦｅの含有量がＢｉＦｅＯ
3 換算で５重量％未満では、空孔の量が少なく焼成温度
を下げる効果が不十分であり、逆に１５重量％を越える
と低温焼結の効果はあるものの、圧電磁器組成物の圧電
歪み定数等の圧電特性が低下する。
3 換算で５重量％未満では、空孔の量が少なく焼成温度
を下げる効果が不十分であり、逆に１５重量％を越える
と低温焼結の効果はあるものの、圧電磁器組成物の圧電
歪み定数等の圧電特性が低下する。
【００２３】従って、他の成分としてＢｉとＦｅを用い
る時には、これらの含有量をＢｉＦｅＯ3 に換算して、
５重量％≦ＢｉＦｅＯ3 ≦１５重量％の範囲とすること
が良い。
る時には、これらの含有量をＢｉＦｅＯ3 に換算して、
５重量％≦ＢｉＦｅＯ3 ≦１５重量％の範囲とすること
が良い。
【００２４】一方、他の成分としてＬｉとＢｉならびに
Ｃｄ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｚｎのうちの少なくとも１種類
以上の元素の３成分以上を含有させると、これらの成分
はＺｒやＴｉと置換し易いイオン半径を有するととも
に、融点（例えば、Ｌｉ2 ＣＯ3 は７４５℃、Ｂｉ2 Ｏ
3 は８２５℃、ＣｄＣＯ3 は９８０℃）が低く低温にて
液相を形成するため、圧電磁器組成物の圧電特性を低下
させることなく焼成温度を１０００℃以下にまで下げる
ことができる。その結果、圧電アクチュエータ等の製造
において、ＰｔやＰｄと比較して安価なＡｇを主体とす
る電極材料、特にＡｇが９０％以上含む電極材料の使用
が可能となる。
Ｃｄ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｚｎのうちの少なくとも１種類
以上の元素の３成分以上を含有させると、これらの成分
はＺｒやＴｉと置換し易いイオン半径を有するととも
に、融点（例えば、Ｌｉ2 ＣＯ3 は７４５℃、Ｂｉ2 Ｏ
3 は８２５℃、ＣｄＣＯ3 は９８０℃）が低く低温にて
液相を形成するため、圧電磁器組成物の圧電特性を低下
させることなく焼成温度を１０００℃以下にまで下げる
ことができる。その結果、圧電アクチュエータ等の製造
において、ＰｔやＰｄと比較して安価なＡｇを主体とす
る電極材料、特にＡｇが９０％以上含む電極材料の使用
が可能となる。
【００２５】一般に固相焼結に比べ液相焼結では物質の
移動が容易なため低温での焼結が可能となり、低温で液
相を形成する成分を加えることで焼成温度を下げ得るこ
とが知られている。ただし、強誘電性を持たない液相成
分がそのまま粒界に残ると焼結後における圧電磁器組成
物の圧電特性を著しく劣化させることになる。しかしな
がら、上記成分はいずれも焼結の初期から中期にかけて
液相を形成して焼結を促進させ、焼結の終期では主体を
なすＰＺＴ−Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3の元素と
置換して結晶格子中へ入り込むため、圧電磁器組成物の
圧電特性を大きく劣化させることなく、焼成温度を下げ
ることができる。
移動が容易なため低温での焼結が可能となり、低温で液
相を形成する成分を加えることで焼成温度を下げ得るこ
とが知られている。ただし、強誘電性を持たない液相成
分がそのまま粒界に残ると焼結後における圧電磁器組成
物の圧電特性を著しく劣化させることになる。しかしな
がら、上記成分はいずれも焼結の初期から中期にかけて
液相を形成して焼結を促進させ、焼結の終期では主体を
なすＰＺＴ−Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3の元素と
置換して結晶格子中へ入り込むため、圧電磁器組成物の
圧電特性を大きく劣化させることなく、焼成温度を下げ
ることができる。
【００２６】そして、本件発明者らの実験によれば、Ｌ
ｉやＢｉあるいはＣｄ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｚｎのいずれ
か１種以上の元素を単独又は２成分だけ含有させても焼
成温度を下げる効果が得られず、また、３成分以上を含
有させても各成分をＬｉ2 ＣＯ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣｄＣ
Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｐｂ3 Ｏ4 、ＳｉＯ2 、ＺｎＯに換算
した時に、Ｌｉ2 ＣＯ3 が１．０重量％を越えるか、Ｂ
ｉ2 Ｏ3 が１．０重量％を越えるか、あるいはＣｄＣＯ
3 ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ｐｂ3 Ｏ4 ，ＳｉＯ2 ，ＺｎＯのいずれ
か一種又はこれらの和が２．０重量％を越えると、圧電
磁器組成物の圧電特性が低下することを知見した。
ｉやＢｉあるいはＣｄ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｚｎのいずれ
か１種以上の元素を単独又は２成分だけ含有させても焼
成温度を下げる効果が得られず、また、３成分以上を含
有させても各成分をＬｉ2 ＣＯ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣｄＣ
Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｐｂ3 Ｏ4 、ＳｉＯ2 、ＺｎＯに換算
した時に、Ｌｉ2 ＣＯ3 が１．０重量％を越えるか、Ｂ
ｉ2 Ｏ3 が１．０重量％を越えるか、あるいはＣｄＣＯ
3 ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ｐｂ3 Ｏ4 ，ＳｉＯ2 ，ＺｎＯのいずれ
か一種又はこれらの和が２．０重量％を越えると、圧電
磁器組成物の圧電特性が低下することを知見した。
【００２７】従って、他の成分としてＬｉとＢｉならび
にＣｄ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｚｎのうち少なくとも１種以
上の元素を用いる時には、これらの含有量をそれぞれＬ
ｉ2ＣＯ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣｄＣＯ3 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｐｂ
3 Ｏ4 、ＳｉＯ2 、ＺｎＯに換算して、０重量％＜Ｌｉ
2 ＣＯ3 ≦１．０重量％、０重量％＜Ｂｉ2 Ｏ3 ≦１．
０重量％、０重量％＜ＣｄＣＯ3 ＋Ｂ2 Ｏ3 ＋Ｐｂ3 Ｏ
4 ＋ＳｉＯ2 ＋ＺｎＯ≦２．０重量％の範囲とすること
が良い。
にＣｄ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｚｎのうち少なくとも１種以
上の元素を用いる時には、これらの含有量をそれぞれＬ
ｉ2ＣＯ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣｄＣＯ3 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｐｂ
3 Ｏ4 、ＳｉＯ2 、ＺｎＯに換算して、０重量％＜Ｌｉ
2 ＣＯ3 ≦１．０重量％、０重量％＜Ｂｉ2 Ｏ3 ≦１．
０重量％、０重量％＜ＣｄＣＯ3 ＋Ｂ2 Ｏ3 ＋Ｐｂ3 Ｏ
4 ＋ＳｉＯ2 ＋ＺｎＯ≦２．０重量％の範囲とすること
が良い。
【００２８】このような本発明の圧電磁器組成物を製造
する方法としては、例えば、出発原料としてＰｂ
3 Ｏ4 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、ＺｎＯ、Ｓｂ2 Ｏ3 と、
必要に応じてＢａＣＯ3 、ＳｒＣＯ3 、ＮｉＯ、ＴｅＯ
2 の各粉末を秤量混合し、次いでこの混合物を脱水、乾
燥したあと、８５０〜９００℃で１〜３時間仮焼し、粉
砕してＰＺＴ−Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を主体
とする仮焼粉を製作する。そして、この仮焼粉に対して
他の成分としてＢｉとＦｅの元素を含有させる場合に
は、上記仮焼粉にＢｉ2 Ｏ3 及びＦｅ2 Ｏ3 の粉末を所
定量加えて混合し、上記仮焼粉に対して他の成分として
ＬｉとＢｉ及びＣｄ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｚｎのいずれか
一種以上の元素を含有させる場合には、上記仮焼粉にＬ
ｉ2 ＣＯ3 とＢｉ2 Ｏ3 の粉末、及びＣｄＣＯ3 、Ｂ2
Ｏ3 、Ｐｂ3 Ｏ4 、ＳｉＯ2 、ＺｎＯのいずれか一種以
上の粉末を所定量加えて混合する。そして、これらの混
合物から泥しょうを作製してテープ成型法、押出成型
法、鋳込成型法にて所定形状に成形体を得るか、あるい
は上記混合物を造粒乾燥して顆粒を製作し、型内に充填
して一軸加圧成型法や等加圧成型法にて所定形状に成形
体を形成する。しかるのち、得られた成形体を焼成する
のであるが、他の成分としてＢｉとＦｅの元素を含有さ
せたものにあっては、大気雰囲気中や酸素雰囲気中にて
１０００〜１１００℃の温度で、他の成分としてＬｉと
ＢｉならびにＣｄ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｚｎのいずれか一
種以上の元素を含有させたものにあっては大気雰囲気中
や酸素雰囲気中にて９００〜１０００℃、好ましくは９
２０〜９８０℃の温度で、それぞれ数時間程度焼成する
ことにより得ることができる。
する方法としては、例えば、出発原料としてＰｂ
3 Ｏ4 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、ＺｎＯ、Ｓｂ2 Ｏ3 と、
必要に応じてＢａＣＯ3 、ＳｒＣＯ3 、ＮｉＯ、ＴｅＯ
2 の各粉末を秤量混合し、次いでこの混合物を脱水、乾
燥したあと、８５０〜９００℃で１〜３時間仮焼し、粉
砕してＰＺＴ−Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を主体
とする仮焼粉を製作する。そして、この仮焼粉に対して
他の成分としてＢｉとＦｅの元素を含有させる場合に
は、上記仮焼粉にＢｉ2 Ｏ3 及びＦｅ2 Ｏ3 の粉末を所
定量加えて混合し、上記仮焼粉に対して他の成分として
ＬｉとＢｉ及びＣｄ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｚｎのいずれか
一種以上の元素を含有させる場合には、上記仮焼粉にＬ
ｉ2 ＣＯ3 とＢｉ2 Ｏ3 の粉末、及びＣｄＣＯ3 、Ｂ2
Ｏ3 、Ｐｂ3 Ｏ4 、ＳｉＯ2 、ＺｎＯのいずれか一種以
上の粉末を所定量加えて混合する。そして、これらの混
合物から泥しょうを作製してテープ成型法、押出成型
法、鋳込成型法にて所定形状に成形体を得るか、あるい
は上記混合物を造粒乾燥して顆粒を製作し、型内に充填
して一軸加圧成型法や等加圧成型法にて所定形状に成形
体を形成する。しかるのち、得られた成形体を焼成する
のであるが、他の成分としてＢｉとＦｅの元素を含有さ
せたものにあっては、大気雰囲気中や酸素雰囲気中にて
１０００〜１１００℃の温度で、他の成分としてＬｉと
ＢｉならびにＣｄ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｚｎのいずれか一
種以上の元素を含有させたものにあっては大気雰囲気中
や酸素雰囲気中にて９００〜１０００℃、好ましくは９
２０〜９８０℃の温度で、それぞれ数時間程度焼成する
ことにより得ることができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。
説明する。
【００３０】（実施例１）原料粉末としてＰｂ3 Ｏ4 、
ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、ＺｎＯ、Ｓｂ2 Ｏ3 、ＢａＣ
Ｏ3 、ＳｒＣＯ3 の各粉末を、Ｐｂが０．９０モル、Ｚ
ｒが０．４９モル、Ｔｉが０．４４モル、Ｚｎが０．０
２モル、Ｓｂが０．０５モル、Ｂａが０．０２モル、Ｓ
ｒが０．０８モルの比率になるよう秤量し、ボールミル
にて２４時間湿式混合した。次いでこの混合物を脱水、
乾燥した後、９００℃で３時間仮焼して仮焼粉を得た。
ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、ＺｎＯ、Ｓｂ2 Ｏ3 、ＢａＣ
Ｏ3 、ＳｒＣＯ3 の各粉末を、Ｐｂが０．９０モル、Ｚ
ｒが０．４９モル、Ｔｉが０．４４モル、Ｚｎが０．０
２モル、Ｓｂが０．０５モル、Ｂａが０．０２モル、Ｓ
ｒが０．０８モルの比率になるよう秤量し、ボールミル
にて２４時間湿式混合した。次いでこの混合物を脱水、
乾燥した後、９００℃で３時間仮焼して仮焼粉を得た。
【００３１】この仮焼粉をＩＣＰ発光分光分析によって
組成分析を行ったところ、組成式がＰｂ1-x-y Ｓｒx Ｂ
ａy （Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）a Ｚｒb Ｔｉ1-a-b Ｏ
3 （ｘ：０．０８，ｙ：０．０２，ａ：０．０７，ｂ：
０．４９）で表されるものであった。
組成分析を行ったところ、組成式がＰｂ1-x-y Ｓｒx Ｂ
ａy （Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）a Ｚｒb Ｔｉ1-a-b Ｏ
3 （ｘ：０．０８，ｙ：０．０２，ａ：０．０７，ｂ：
０．４９）で表されるものであった。
【００３２】次に、上記仮焼粉にＢｉ2 Ｏ3 及びＦｅ2
Ｏ3 の粉末を表１に示す割合で添加してボールミルで２
４時間湿式粉砕し、さらに有機バインダーを添加混練し
たあと乾燥、造粒して顆粒を得た。そして、得られた顆
粒を１．５ｔ／ｃｍ2 の圧力で直径２０ｍｍ、厚さ２ｍ
ｍの寸法からなる円板状に一軸加圧成型したあと、焼成
温度を１０５０℃に保って大気雰囲気中にて焼成した。
Ｏ3 の粉末を表１に示す割合で添加してボールミルで２
４時間湿式粉砕し、さらに有機バインダーを添加混練し
たあと乾燥、造粒して顆粒を得た。そして、得られた顆
粒を１．５ｔ／ｃｍ2 の圧力で直径２０ｍｍ、厚さ２ｍ
ｍの寸法からなる円板状に一軸加圧成型したあと、焼成
温度を１０５０℃に保って大気雰囲気中にて焼成した。
【００３３】しかるのち、得られた圧電磁器組成物を厚
さ１ｍｍ、幅３ｍｍ、長さ１２ｍｍの短冊状に加工し、
両面に銀電極を焼き付け、８０℃のシリコンオイル中で
３ｋＶ／ｍｍの直流電圧を３０分間印加して分極処理を
行い試料を得た。
さ１ｍｍ、幅３ｍｍ、長さ１２ｍｍの短冊状に加工し、
両面に銀電極を焼き付け、８０℃のシリコンオイル中で
３ｋＶ／ｍｍの直流電圧を３０分間印加して分極処理を
行い試料を得た。
【００３４】そして、各試料について、ＩＣＰ発光分光
分析にてＢｉとＦｅの含有量をＢｉＦｅＯ3 換算にて測
定するとともに、電子工業会規格ＥＭＡＳ−６００４に
基づき圧電特性（電気機械結合係数Ｋ31、比誘電率ε33
T ／ε0 、圧電歪み定数ｄ31）を測定した。
分析にてＢｉとＦｅの含有量をＢｉＦｅＯ3 換算にて測
定するとともに、電子工業会規格ＥＭＡＳ−６００４に
基づき圧電特性（電気機械結合係数Ｋ31、比誘電率ε33
T ／ε0 、圧電歪み定数ｄ31）を測定した。
【００３５】なお、判定基準については、圧電特性の中
でも圧電歪み定数が、表２の試料Ｎｏ．１に示す従来の
圧電磁器組成物を基準試料とした時、その圧電歪み定数
ｄ31に対し、１００％以上のものを○、９５％以上、１
００％未満のものを□、９０％以上、９５％未満のもの
を△、９０％未満のものを×とし、９０％以上のものを
良好とした。
でも圧電歪み定数が、表２の試料Ｎｏ．１に示す従来の
圧電磁器組成物を基準試料とした時、その圧電歪み定数
ｄ31に対し、１００％以上のものを○、９５％以上、１
００％未満のものを□、９０％以上、９５％未満のもの
を△、９０％未満のものを×とし、９０％以上のものを
良好とした。
【００３６】それぞれの結果は表２に示す通りである。
【００３７】
【表１】
【００３８】
【表２】
【００３９】この結果、ＢｉとＦｅの含有量がＢｉＦｅ
Ｏ3 換算にて５重量％未満では、焼結が不十分であるた
めに圧電歪み定数が基準試料の９０％未満と小さく、Ｂ
ｉとＦｅの含有量がＢｉＦｅＯ3 換算にて１５重量％よ
り多くなると、１０５０℃でも十分に焼結しているもの
の、ＢｉとＦｅの含有量が多すぎるために圧電歪み定数
が基準試料の９０％未満であった。
Ｏ3 換算にて５重量％未満では、焼結が不十分であるた
めに圧電歪み定数が基準試料の９０％未満と小さく、Ｂ
ｉとＦｅの含有量がＢｉＦｅＯ3 換算にて１５重量％よ
り多くなると、１０５０℃でも十分に焼結しているもの
の、ＢｉとＦｅの含有量が多すぎるために圧電歪み定数
が基準試料の９０％未満であった。
【００４０】これに対し、ＢｉとＦｅの含有量がＢｉＦ
ｅＯ3 換算にて５重量％≦ＢｉＦｅＯ3 ≦１５重量％の
範囲にあるものは、１０５０℃の低温でも十分に焼結さ
せることができ、また、圧電歪み定数も基準試料の９０
％以上とすることができた。この結果より、ＢｉとＦｅ
の含有量は、ＢｉＦｅＯ3 換算にて５重量％≦ＢｉＦｅ
Ｏ3 ≦１５重量％の範囲で含有すれば良いことが判る。
ｅＯ3 換算にて５重量％≦ＢｉＦｅＯ3 ≦１５重量％の
範囲にあるものは、１０５０℃の低温でも十分に焼結さ
せることができ、また、圧電歪み定数も基準試料の９０
％以上とすることができた。この結果より、ＢｉとＦｅ
の含有量は、ＢｉＦｅＯ3 換算にて５重量％≦ＢｉＦｅ
Ｏ3 ≦１５重量％の範囲で含有すれば良いことが判る。
【００４１】そして、これらの圧電磁器組成物を圧電ア
クチュエータ等に用いれば、変位量を大きくできるとと
もに、電極材料としてＡｇ−ＰｄやＡｇ−Ｐｔ（ただ
し、Ａｇは５０重量％以上）を用いることができ、高価
なＰｄやＰｔの量を減らすことができるため、安価に製
造することができる。
クチュエータ等に用いれば、変位量を大きくできるとと
もに、電極材料としてＡｇ−ＰｄやＡｇ−Ｐｔ（ただ
し、Ａｇは５０重量％以上）を用いることができ、高価
なＰｄやＰｔの量を減らすことができるため、安価に製
造することができる。
【００４２】（実施例２）原料粉末としてＰｂ3 Ｏ4 、
ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、ＺｎＯ、Ｓｂ2 Ｏ3 、ＢａＣ
Ｏ3 、ＳｒＣＯ3 の各粉末を、Ｐｂが０．９０モル、Ｚ
ｒが０．４９モル、Ｔｉが０．４４モル、Ｚｎが０．０
２モル、Ｓｂが０．０５モル、Ｂａが０．０２モル、Ｓ
ｒが０．０８モルの比率になるよう秤量し、ボールミル
にて２４時間湿式混合した。次いでこの混合物を脱水、
乾燥した後、９００℃で３時間仮焼して仮焼粉を得た。
ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、ＺｎＯ、Ｓｂ2 Ｏ3 、ＢａＣ
Ｏ3 、ＳｒＣＯ3 の各粉末を、Ｐｂが０．９０モル、Ｚ
ｒが０．４９モル、Ｔｉが０．４４モル、Ｚｎが０．０
２モル、Ｓｂが０．０５モル、Ｂａが０．０２モル、Ｓ
ｒが０．０８モルの比率になるよう秤量し、ボールミル
にて２４時間湿式混合した。次いでこの混合物を脱水、
乾燥した後、９００℃で３時間仮焼して仮焼粉を得た。
【００４３】この仮焼粉をＩＣＰ発光分光分析によって
組成分析を行ったところ、組成式がＰｂ1-x-y Ｓｒx Ｂ
ａy （Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）a Ｚｒb Ｔｉ1-a-b Ｏ
3 （ｘ：０．０８，ｙ：０．０２，ａ：０．０７，ｂ：
０．４９）で表されるものであった。
組成分析を行ったところ、組成式がＰｂ1-x-y Ｓｒx Ｂ
ａy （Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）a Ｚｒb Ｔｉ1-a-b Ｏ
3 （ｘ：０．０８，ｙ：０．０２，ａ：０．０７，ｂ：
０．４９）で表されるものであった。
【００４４】次に、この仮焼粉にＬｉ2 ＣＯ3 、Ｂｉ2
Ｏ3 及びＣｄＣＯ3 粉末を表３に示す割合で添加し、ボ
ールミルで２４時間湿式粉砕し、さらに有機バインダー
を添加混練したあと乾燥、造粒して顆粒を得た。そし
て、得られた顆粒を１．５ｔ／ｃｍ2 の圧力で直径２０
ｍｍ、厚さ２ｍｍの寸法からなる円板状に一軸加圧成型
したあと、焼成温度を９６０℃に保って大気雰囲気中に
て焼成した。
Ｏ3 及びＣｄＣＯ3 粉末を表３に示す割合で添加し、ボ
ールミルで２４時間湿式粉砕し、さらに有機バインダー
を添加混練したあと乾燥、造粒して顆粒を得た。そし
て、得られた顆粒を１．５ｔ／ｃｍ2 の圧力で直径２０
ｍｍ、厚さ２ｍｍの寸法からなる円板状に一軸加圧成型
したあと、焼成温度を９６０℃に保って大気雰囲気中に
て焼成した。
【００４５】しかるのち、得られた圧電磁器組成物を厚
さ１ｍｍ、幅３ｍｍ、長さ１２ｍｍの短冊状に加工し、
両面に銀電極を焼き付け、８０℃のシリコンオイル中で
３ｋＶ／ｍｍの直流電圧を３０分間印加して分極処理を
行い試料を得た。
さ１ｍｍ、幅３ｍｍ、長さ１２ｍｍの短冊状に加工し、
両面に銀電極を焼き付け、８０℃のシリコンオイル中で
３ｋＶ／ｍｍの直流電圧を３０分間印加して分極処理を
行い試料を得た。
【００４６】そして、各試料について、ＩＣＰ発光分光
分析にてＬｉ、Ｂｉ、Ｃｄの含有量をＬｉ2 ＣＯ3 、Ｂ
ｉ2 Ｏ3 、ＣｄＣＯ3 換算にて測定するとともに、電子
工業会規格ＥＭＡＳ−６００４に基づき圧電特性（電気
機械結合係数Ｋ31、比誘電率ε33 T ／ε0 、圧電歪み定
数ｄ31）を測定した。
分析にてＬｉ、Ｂｉ、Ｃｄの含有量をＬｉ2 ＣＯ3 、Ｂ
ｉ2 Ｏ3 、ＣｄＣＯ3 換算にて測定するとともに、電子
工業会規格ＥＭＡＳ−６００４に基づき圧電特性（電気
機械結合係数Ｋ31、比誘電率ε33 T ／ε0 、圧電歪み定
数ｄ31）を測定した。
【００４７】なお、判定基準については、圧電特性のう
ち圧電歪み定数が、表３の試料Ｎｏ．１１に示す従来の
圧電磁器組成物を基準試料とした時、その圧電歪み定数
ｄ３３に対し、１００％以上のものを○、９５％以上、
１００％未満のものを□、９０％以上、９５％未満のも
のを△、９０％未満のものを×とし、９０％以上のもの
を良好とした。
ち圧電歪み定数が、表３の試料Ｎｏ．１１に示す従来の
圧電磁器組成物を基準試料とした時、その圧電歪み定数
ｄ３３に対し、１００％以上のものを○、９５％以上、
１００％未満のものを□、９０％以上、９５％未満のも
のを△、９０％未満のものを×とし、９０％以上のもの
を良好とした。
【００４８】それぞれの結果は表３に示す通りである。
【００４９】
【表３】
【００５０】この結果、試料Ｎｏ．１３のようにＢｉを
単独で含有したもの、試料Ｎｏ．１５のようにＬｉとＢ
ｉの２種類を含有したものでは９６０℃で焼結させるこ
とができなかった。
単独で含有したもの、試料Ｎｏ．１５のようにＬｉとＢ
ｉの２種類を含有したものでは９６０℃で焼結させるこ
とができなかった。
【００５１】また、試料Ｎｏ．１２，１４のようにＬｉ
又はＣｄを単独で含有したもの、試料Ｎｏ．１６，１７
のようにＬｉ，Ｂｉ，Ｃｄのうち２成分を含有したもの
は、９６０℃にて十分に焼結させることができず、圧電
歪み定数も基準試料の７５％以下と小さいものであっ
た。
又はＣｄを単独で含有したもの、試料Ｎｏ．１６，１７
のようにＬｉ，Ｂｉ，Ｃｄのうち２成分を含有したもの
は、９６０℃にて十分に焼結させることができず、圧電
歪み定数も基準試料の７５％以下と小さいものであっ
た。
【００５２】さらに、Ｌｉ，Ｂｉ，Ｃｄの３成分を含有
したものでも、試料Ｎｏ．２０，２４，２８のように、
Ｌｉの含有量がＬｉ2 ＣＯ3 換算で１．０重量％を越え
ているもの、Ｂｉの含有量がＢｉ2 Ｏ3 換算で１．０重
量％を越えているもの、ＣｄがＣｄＣＯ3 換算で２．０
重量％を越えているものはいずれも圧電歪み定数が基準
試料の９０％未満と小さかった。
したものでも、試料Ｎｏ．２０，２４，２８のように、
Ｌｉの含有量がＬｉ2 ＣＯ3 換算で１．０重量％を越え
ているもの、Ｂｉの含有量がＢｉ2 Ｏ3 換算で１．０重
量％を越えているもの、ＣｄがＣｄＣＯ3 換算で２．０
重量％を越えているものはいずれも圧電歪み定数が基準
試料の９０％未満と小さかった。
【００５３】これに対し、試料Ｎｏ．１８，１９，２１
〜２３，２５〜２７は、いずれもＬｉ，Ｂｉ，Ｃｄの３
成分を含有し、その含有量がそれぞれ０＜Ｌｉ2 ＣＯ3
≦１．０重量％、０＜Ｂｉ2 Ｏ3 ≦１．０重量％、０＜
ＣｄＣＯ3 ≦２．０重量％の範囲にあるため、９６０℃
の低温でも十分に焼結させることができ、また、圧電歪
み定数も基準試料の９０％以上とすることができた。
〜２３，２５〜２７は、いずれもＬｉ，Ｂｉ，Ｃｄの３
成分を含有し、その含有量がそれぞれ０＜Ｌｉ2 ＣＯ3
≦１．０重量％、０＜Ｂｉ2 Ｏ3 ≦１．０重量％、０＜
ＣｄＣＯ3 ≦２．０重量％の範囲にあるため、９６０℃
の低温でも十分に焼結させることができ、また、圧電歪
み定数も基準試料の９０％以上とすることができた。
【００５４】この結果より、Ｌｉ，Ｂｉ，Ｃｄの３成分
を含有させるとともに、それぞれの含有量を０＜Ｌｉ2
ＣＯ3 ≦１．０重量％、０＜Ｂｉ2 Ｏ3 ≦１．０重量
％、０＜ＣｄＣＯ3 ≦２．０重量％とすれば良いことが
判る。そして、これらの圧電磁器組成物を圧電アクチュ
エータ等に用いれば、変位量を大きくできるとともに、
電極材料としてＡｇ−ＰｄやＡｇ−Ｐｔ（ただし、Ａｇ
は５０重量％以上）、さらにはＡｇが１００％の電極材
料を用いることができ、高価なＰｄやＰｔの量を大幅に
減らすことができるため、安価に製造することができ
る。
を含有させるとともに、それぞれの含有量を０＜Ｌｉ2
ＣＯ3 ≦１．０重量％、０＜Ｂｉ2 Ｏ3 ≦１．０重量
％、０＜ＣｄＣＯ3 ≦２．０重量％とすれば良いことが
判る。そして、これらの圧電磁器組成物を圧電アクチュ
エータ等に用いれば、変位量を大きくできるとともに、
電極材料としてＡｇ−ＰｄやＡｇ−Ｐｔ（ただし、Ａｇ
は５０重量％以上）、さらにはＡｇが１００％の電極材
料を用いることができ、高価なＰｄやＰｔの量を大幅に
減らすことができるため、安価に製造することができ
る。
【００５５】（実施例３）次に、実施例２と同様の工程
を経てＰＺＴ−Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3を主体
とする仮焼粉を得た。この仮焼粉にＬｉ2 ＣＯ3 を０．
２重量％、Ｂｉ2Ｏ3 を０．２重量％添加するととも
に、ＣｄＣＯ3 に代えてＢ2 Ｏ3 、Ｐｂ3 Ｏ4 、ＳｉＯ
2 、ＺｎＯのうち１種類を０．５重量％加え、ボールミ
ルで粉砕、造粒して顆粒を製作し、一軸加圧成型法にて
成形したあと、９６０℃、６時間の条件で焼成した。そ
の後、実施例２と同様に加工、電極付け、分極処理を行
い圧電特性を測定した。
を経てＰＺＴ−Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3を主体
とする仮焼粉を得た。この仮焼粉にＬｉ2 ＣＯ3 を０．
２重量％、Ｂｉ2Ｏ3 を０．２重量％添加するととも
に、ＣｄＣＯ3 に代えてＢ2 Ｏ3 、Ｐｂ3 Ｏ4 、ＳｉＯ
2 、ＺｎＯのうち１種類を０．５重量％加え、ボールミ
ルで粉砕、造粒して顆粒を製作し、一軸加圧成型法にて
成形したあと、９６０℃、６時間の条件で焼成した。そ
の後、実施例２と同様に加工、電極付け、分極処理を行
い圧電特性を測定した。
【００５６】これらの結果は表４に示す通りである。
【００５７】
【表４】
【００５８】これらの結果、Ｃｄに代えてＢ、Ｐｂ、Ｓ
ｉ、ＺｎをＬｉとＢｉと共に含有させても、９６０℃の
低温で十分に焼結させることができ、また、圧電歪み定
数も基準試料の９０％以上とすることができた。
ｉ、ＺｎをＬｉとＢｉと共に含有させても、９６０℃の
低温で十分に焼結させることができ、また、圧電歪み定
数も基準試料の９０％以上とすることができた。
【００５９】なお、本実施例では、組成式がＰｂ1-x-y
Ｓｒx Ｂａy （Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）a Ｚｒb Ｔｉ1-a-b
Ｏ3 （ｘ：０．０８，ｙ：０．０２，ａ：０．０７，
ｂ：０．４９）で表されるものを例にとって説明した
が、ＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3−Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓ
ｂ2/3 ）Ｏ3 の組成系からなるものであれば、同様の傾
向が見られた。
Ｓｒx Ｂａy （Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）a Ｚｒb Ｔｉ1-a-b
Ｏ3 （ｘ：０．０８，ｙ：０．０２，ａ：０．０７，
ｂ：０．４９）で表されるものを例にとって説明した
が、ＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3−Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓ
ｂ2/3 ）Ｏ3 の組成系からなるものであれば、同様の傾
向が見られた。
【００６０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、予め用
意したＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ1/3
Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を主体とする仮焼粉に対してＢｉ2 Ｏ3
及びＦｅ2 Ｏ3 の粉末を添加したものを所定形状に成形
し、しかるのち、その成形体を１０００〜１１００℃の
温度で焼成して、ＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3 −Ｐｂ
（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を主体とし、Ｂｉ及びＦｅ
の元素をＢｉＦｅＯ3 に換算して５重量％≦ＢｉＦｅＯ
3 ≦１５重量％の範囲で含有して圧電磁器組成物を得た
ことから、ＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ
1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3の持つ優れた圧電歪特性を維持し
たまま、１１００℃以下の低温での焼成が可能となる。
その為、本発明の圧電磁器組成物を用いれば、大きな屈
曲変位が得られる超音波応用振動子、超音波モータ、圧
電アクチュエータ等の製作が可能となり、さらに銀（Ａ
ｇ）を主体とした電極材料を用いることができるため、
安価に製造することが可能となる。
意したＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ1/3
Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を主体とする仮焼粉に対してＢｉ2 Ｏ3
及びＦｅ2 Ｏ3 の粉末を添加したものを所定形状に成形
し、しかるのち、その成形体を１０００〜１１００℃の
温度で焼成して、ＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3 −Ｐｂ
（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を主体とし、Ｂｉ及びＦｅ
の元素をＢｉＦｅＯ3 に換算して５重量％≦ＢｉＦｅＯ
3 ≦１５重量％の範囲で含有して圧電磁器組成物を得た
ことから、ＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ
1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3の持つ優れた圧電歪特性を維持し
たまま、１１００℃以下の低温での焼成が可能となる。
その為、本発明の圧電磁器組成物を用いれば、大きな屈
曲変位が得られる超音波応用振動子、超音波モータ、圧
電アクチュエータ等の製作が可能となり、さらに銀（Ａ
ｇ）を主体とした電極材料を用いることができるため、
安価に製造することが可能となる。
【００６１】また、本発明は、予め用意したＰｂＺｒＯ
3 −ＰｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を主
体とする仮焼粉に対してＬｉ2 ＣＯ3 とＢｉ2 Ｏ3 の粉
末、ならびにＣｄＣＯ3 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｐｂ3 Ｏ4 、Ｓｉ
Ｏ2 、ＺｎＯのいずれか一種以上の粉末を添加したもの
を所定形状に成形し、しかるのち、その成形体を９００
〜１０００℃の温度で焼成して、ＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴ
ｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を主体とし、
ＬｉとＢｉならびにＣｄ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｚｎのうち
少なくとも１種以上の元素をそれぞれＬｉ2 ＣＯ3 、Ｂ
ｉ2 Ｏ3 、ＣｄＣＯ3 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｐｂ3 Ｏ4 、ＳｉＯ
2 、ＺｎＯに換算して、０重量％＜Ｌｉ2 ＣＯ3 ≦１．
０重量％、０重量％＜Ｂｉ2 Ｏ3 ≦１．０重量％、０重
量％＜ＣｄＣＯ3 ＋Ｂ2 Ｏ3 ＋Ｐｂ3 Ｏ4 ＋ＳｉＯ2 ＋
ＺｎＯ≦２．０重量％の範囲でそれぞれ含有させて圧電
磁器組成物を得たことから、ＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ
3 −Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 の持つ優れた圧電
歪特性を維持したまま、１０００℃以下の低温での焼成
が可能となる。その為、本発明の圧電磁器組成物を用い
れば、大きな屈曲変位が得られる超音波応用振動子、超
音波モータ、圧電アクチュエータ等の製作が可能とな
り、さらに銀（Ａｇ）を電極材料を用いることができる
ため、安価に製造することが可能となる。
3 −ＰｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を主
体とする仮焼粉に対してＬｉ2 ＣＯ3 とＢｉ2 Ｏ3 の粉
末、ならびにＣｄＣＯ3 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｐｂ3 Ｏ4 、Ｓｉ
Ｏ2 、ＺｎＯのいずれか一種以上の粉末を添加したもの
を所定形状に成形し、しかるのち、その成形体を９００
〜１０００℃の温度で焼成して、ＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴ
ｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を主体とし、
ＬｉとＢｉならびにＣｄ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｚｎのうち
少なくとも１種以上の元素をそれぞれＬｉ2 ＣＯ3 、Ｂ
ｉ2 Ｏ3 、ＣｄＣＯ3 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｐｂ3 Ｏ4 、ＳｉＯ
2 、ＺｎＯに換算して、０重量％＜Ｌｉ2 ＣＯ3 ≦１．
０重量％、０重量％＜Ｂｉ2 Ｏ3 ≦１．０重量％、０重
量％＜ＣｄＣＯ3 ＋Ｂ2 Ｏ3 ＋Ｐｂ3 Ｏ4 ＋ＳｉＯ2 ＋
ＺｎＯ≦２．０重量％の範囲でそれぞれ含有させて圧電
磁器組成物を得たことから、ＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ
3 −Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 の持つ優れた圧電
歪特性を維持したまま、１０００℃以下の低温での焼成
が可能となる。その為、本発明の圧電磁器組成物を用い
れば、大きな屈曲変位が得られる超音波応用振動子、超
音波モータ、圧電アクチュエータ等の製作が可能とな
り、さらに銀（Ａｇ）を電極材料を用いることができる
ため、安価に製造することが可能となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G031 AA01 AA11 AA12 AA21 AA24 AA26 AA28 AA30 AA32 AA34 AA35 BA10 GA01 GA02 GA11 5G303 AA10 AB15 AB20 BA12 CA01 CB02 CB05 CB07 CB13 CB16 CB25 CB28 CB30 CB35 CB38 CB39 DA01
Claims (4)
- 【請求項１】ＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ
1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3を主体とし、Ｂｉ及びＦｅの元素
をＢｉＦｅＯ3 に換算して５重量％≦ＢｉＦｅＯ3 ≦１
５重量％の範囲で含有してなる圧電磁器組成物。 - 【請求項２】予め用意したＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3
−Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を主体とする仮焼粉
に対してＢｉ2 Ｏ3 及びＦｅ2 Ｏ3 の粉末を、焼結後の
ＢｉとＦｅの含有量がＢｉＦｅＯ3 に換算して５重量％
≦ＢｉＦｅＯ3≦１５重量％となるように添加したもの
を所定形状に成形し、しかるのち、１０００〜１１００
℃の温度で焼成することを特徴とする圧電磁器組成物の
製造方法。 - 【請求項３】ＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3 −Ｐｂ（Ｚｎ
1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3を主体とし、ＬｉとＢｉならびに
Ｃｄ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｚｎのうち少なくとも１種以上
の元素をそれぞれＬｉ2 ＣＯ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣｄＣＯ
3 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｐｂ3 Ｏ4 、ＳｉＯ2 、ＺｎＯに換算し
て、０重量％＜Ｌｉ2 ＣＯ3 ≦１．０重量％、０重量％
＜Ｂｉ2 Ｏ3 ≦１．０重量％、０重量％＜ＣｄＣＯ3 ＋
Ｂ2 Ｏ3＋Ｐｂ3 Ｏ4 ＋ＳｉＯ2 ＋ＺｎＯ≦２．０重量
％の範囲で含有してなる圧電磁器組成物。 - 【請求項４】予め用意したＰｂＺｒＯ3 −ＰｂＴｉＯ3
−Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｓｂ2/3 ）Ｏ3 を主体とする仮焼粉
に対してＬｉ2 ＣＯ3 とＢｉ2 Ｏ3 の粉末、ならびにＣ
ｄＣＯ3 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｐｂ3 Ｏ4 、ＳｉＯ2 、ＺｎＯの
いずれか一種以上の粉末を、焼結後のＬｉとＢｉならび
にＣｄ、Ｂ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｚｎのいずれか一種以上の元
素の含有量がＬｉ2 ＣＯ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣｄＣＯ3 、
Ｂ2 Ｏ3、Ｐｂ3 Ｏ4 、ＳｉＯ2 、ＺｎＯに換算して、
０重量％＜Ｌｉ2 ＣＯ3 ≦１．０重量％、０重量％＜Ｂ
ｉ2 Ｏ3 ≦１．０重量％、０重量％＜ＣｄＣＯ3 ＋Ｂ2
Ｏ3 ＋Ｐｂ3 Ｏ4 ＋ＳｉＯ2 ＋ＺｎＯ≦２．０重量％と
なるように添加したものを所定形状に成形し、しかるの
ち、９００〜１０００℃の温度で焼成することを特徴と
する圧電磁器組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10258481A JP2000086341A (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 圧電磁器組成物及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10258481A JP2000086341A (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 圧電磁器組成物及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000086341A true JP2000086341A (ja) | 2000-03-28 |
Family
ID=17320819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10258481A Withdrawn JP2000086341A (ja) | 1998-09-11 | 1998-09-11 | 圧電磁器組成物及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000086341A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002167277A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-11 | Kyocera Corp | 圧電磁器組成物及びこれを用いたインクジェット記録ヘッド |
| JP2002220281A (ja) * | 2001-01-23 | 2002-08-09 | Kyocera Corp | 圧電磁器組成物及びこれを用いたインクジェット記録ヘッド |
| JP2006108546A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Nec Tokin Corp | 積層型圧電セラミックス素子およびその製造方法 |
| JP2008050206A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Seiko Epson Corp | 圧電材料およびその製造方法、並びに、圧電素子 |
| US10177300B2 (en) | 2014-08-29 | 2019-01-08 | Kyocera Corporation | Piezoelectric ceramic, manufacturing method therefor, and electronic component |
| CN110511043A (zh) * | 2019-09-18 | 2019-11-29 | 昆明贵研新材料科技有限公司 | 一种采用低熔玻璃助剂常压烧结铁酸铋陶瓷及其制备方法 |
-
1998
- 1998-09-11 JP JP10258481A patent/JP2000086341A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002167277A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-11 | Kyocera Corp | 圧電磁器組成物及びこれを用いたインクジェット記録ヘッド |
| JP4721507B2 (ja) * | 2000-11-29 | 2011-07-13 | 京セラ株式会社 | 圧電磁器組成物及びこれを用いたインクジェット記録ヘッド |
| JP2002220281A (ja) * | 2001-01-23 | 2002-08-09 | Kyocera Corp | 圧電磁器組成物及びこれを用いたインクジェット記録ヘッド |
| JP4688301B2 (ja) * | 2001-01-23 | 2011-05-25 | 京セラ株式会社 | 圧電磁器組成物及びこれを用いたインクジェット記録ヘッド |
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| JP2008050206A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Seiko Epson Corp | 圧電材料およびその製造方法、並びに、圧電素子 |
| US10177300B2 (en) | 2014-08-29 | 2019-01-08 | Kyocera Corporation | Piezoelectric ceramic, manufacturing method therefor, and electronic component |
| US10297744B2 (en) | 2014-08-29 | 2019-05-21 | Kyocera Corporation | Piezoelectric ceramic plate, plate-shaped substrate and electronic component |
| CN110511043A (zh) * | 2019-09-18 | 2019-11-29 | 昆明贵研新材料科技有限公司 | 一种采用低熔玻璃助剂常压烧结铁酸铋陶瓷及其制备方法 |
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