CN105575849B - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置。本发明要解决的问题在于进一步抑制微粒附着于基板。实施方式的基板处理装置包括输入输出室、输送室和交接室。输入输出室用于从承载件输入基板或者将基板输出至承载件。输送室形成有用于向基板处理室输送基板的输送路径，该基板处理室用于对基板实施规定的处理。交接室配置在输入输出室与输送室之间，用于基板的在输入输出室与输送室之间的交接。并且，交接室的内压高于输入输出室的内压和输送室的内压。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置。
背景技术
以往，已知有这样的基板处理装置：一边在形成有清洁空气的气流的清洁环境下输送半导体晶圆、玻璃基板这样的基板，一边对该基板实施清洗处理等规定的基板处理。
基板处理装置例如包括：输入输出室，其用于从承载件输入基板或者将基板输出至承载件；输送室，其与该输入输出室连通；以及多个基板处理室，其沿着该输送室配置。并且，输入输出室的内部和输送室的内部利用风机过滤单元等形成清洁空气的气流(例如，参照专利文献1)。
并且，在这样的清洁环境下抑制微粒附着于基板，并且利用设在输送室内的基板输送装置等以基板在承载件与基板处理室之间来往的方式输送基板。
另外，在输入输出室与输送室之间设有交接室，而将输入输出室与输送室连通起来。该交接室是所谓的缓冲区域，在该交接室的内部设有交接台，该交接台能够同时保持多张被例如输入输出室内的基板输送装置从承载件取出的基板。输送室内的基板输送装置用于从该交接台取出基板并向各基板处理室输送基板。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011－119650号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，在使用所述以往技术的情况下，基板虽说是暂时但也停留在作为缓冲区域的交接室内，因此微粒附着于基板的可能性变高。因而，在进一步抑制微粒附着于基板这一方面，具有进一步改善的余地。
本发明的一技术方案的目的在于提供一种能够进一步抑制微粒附着于基板的基板处理装置。
用于解决问题的方案
本发明的一技术方案的基板处理装置包括输入输出室、输送室和交接室。输入输出室用于从承载件输入基板或者将基板输出至承载件。输送室形成有用于向基板处理室输送基板的输送路径，该基板处理室用于对基板实施规定的处理。交接室配置在输入输出室与输送室之间，用于基板的在输入输出室与输送室之间的交接。并且，交接室的内压高于输入输出室的内压和输送室的内压。
发明的效果
采用本发明的一技术方案，能够进一步抑制微粒附着于基板。
附图说明
图1是表示本实施方式的基板处理系统的概略结构的图。
图2是表示基板处理系统的具体结构的一例的示意图。
图3A是表示交接部、输入输出室和输送部这三者的内压差的示意图。
图3B是表示交接部、输入输出室和输送部各自内部的气流的方向的示意图。
图4A是表示交接部的供气排气机构的结构的一例的示意图(其一)。
图4B是表示交接部的供气排气机构的结构的一例的示意图(其二)。
图5A是表示输送部的供气排气机构的结构的一例的示意图(其一)。
图5B是表示输送部的供气排气机构的结构的一例的示意图(其二)。
图5C是表示输送部的供气排气机构的结构的一例的示意图(其三)。
图5D是表示输送部的供气排气机构的结构的变形例的示意图。
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明本申请的基板处理装置的实施方式。其中，以下所示的实施方式并不用于限定本发明。
另外，以下，将基板处理装置的一例记载为“基板处理系统”。并且，在以下参照的各图中，对于包括多个的构成部件，有时仅对多个中的一部分标注附图标记，其他部分省略标注附图标记。在该情况下，标注附图标记的一部分与其他部分为同样的结构。
图1是表示本实施方式的基板处理系统的概略结构的图。以下，为了使位置关系明确，规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。
如图1所示，基板处理系统1包括输入输出站2和处理站3。输入输出站2与处理站3邻接地设置。
输入输出站2包括承载件载置部11和输送部12。承载件载置部11用于载置多个将多张基板、在本实施方式中为半导体晶圆(以下记载为晶圆W)以水平状态收纳的承载件C。
输送部12与承载件载置部11邻接地设置，输送部12的内部具有基板输送装置13和交接部14。基板输送装置13具有用于保持晶圆W的晶圆保持机构。并且，基板输送装置13能够沿水平方向和铅垂方向移动，而且能够以铅垂轴线为中心进行旋转，利用晶圆保持机构在承载件C与交接部14之间进行晶圆W的输送。
处理站3与输送部12邻接地设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16排列设置在输送部15的两侧。
输送部15的内部具有基板输送装置17。基板输送装置17具有用于保持晶圆W的晶圆保持机构。并且，基板输送装置17能够沿水平方向和铅垂方向移动，而且能够以铅垂轴线为中心进行旋转，利用晶圆保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶圆W的输送。
处理单元16用于对由基板输送装置17输送来的晶圆W进行规定的基板处理。
并且，基板处理系统1还包括控制装置4。控制装置4例如为计算机，包括控制部18和存储部19。在存储部19内存储有用于控制在基板处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部18通过读取并执行被存储于存储部19的程序来控制基板处理系统1的动作。
另外，该程序存储于可由计算机读取的存储介质，也可以自该存储介质安装于控制装置4的存储部19。作为可由计算机读取的存储介质，具有例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、光磁盘(MO)、存储卡等。
在如所述那样构成的基板处理系统1中，首先，输入输出站2的基板输送装置13自载置于承载件载置部11的承载件C取出晶圆W，并将该取出的晶圆W载置于交接部14。载置于交接部14的晶圆W被处理站3的基板输送装置17自交接部14取出并向处理单元16输入。
输入处理单元16的晶圆W在被处理单元16处理之后被基板输送装置17自处理单元16输出并载置于交接部14。之后，载置于交接部14的已处理的晶圆W利用基板输送装置13返回至承载件载置部11的承载件C。
接着，参照图2更具体地说明基板处理系统1的结构。图2是表示基板处理系统1的具体结构的一例的示意图。另外，图2是从Y轴的负方向透视基板处理系统1而得到的简略的侧面示意图。并且，省略了处理单元16(相当于“基板处理室”的一例)的图示。
首先，更具体地说明输入输出站2。如图2所示，输入输出站2的输送部12包括输入输出室21和交接站22。输入输出室21用于收纳所述基板输送装置13。在输入输出室21的顶部设有FFU(Fan Filter Unit，风机过滤单元)21a。
交接站22包括所述交接部14。交接部14配置在输入输出室21与所述输送部15之间，是将输入输出室21和输送部15连通起来的缓冲区域，相当于“交接室”的一例。
与能够在高度方向上呈多层地设有多个所述输送部15相应地，该交接部14同样能够在交接站22的高度方向上呈多层地设有多个。其中，在图2中图示了与在高度方向上设有两个输送部15相应地交接部14同样设有两个的情况，但并不用于限定交接部14的个数。
另外，在交接部14连结有FFU14a和排气装置14b。FFU14a配置在交接部14的上方，例如如图2所示那样配置于交接站22的顶部，连结于交接部14。排气装置14b配置在交接部14的下方，例如如图2所示那样直接连结于交接部14的下部。
另外，在交接部14的内部设有交接台14c。交接台14c用于在输入输出室21与输送部15之间保持晶圆W。其中，交接台14c包括在高度方向上呈多层地设有多个的搁板(日文：置き棚)，通过将晶圆W载置于各搁板，能够同时保持多个晶圆W。并且，在交接部14的内部，由所述FFU14a和排气装置14b形成清洁空气的下降流。对于这一方面的详细内容，在后面利用图4A和图4B进行说明。
接着，更具体地说明处理站3。如图2所示，处理站3包括输送部15和排气路径31。输送部15相当于“输送室”的一例。另外，已经进行了说明，输送部15能够在处理站3的高度方向上呈多层地设有多个。
在各输送部15的内部均收纳有所述基板输送装置17。基板输送装置17沿着形成在输送部15的内部的输送路径15a在水平方向(例如，在图2中为X轴方向)移动。
另外，输送部15包括FFU15b和排气装置15c。排气装置15c设于输送部15的具有与交接部14连通的开口的一侧的侧壁(相当于“开口侧壁”的一例)。另一方面，FFU15b设于与开口侧壁相对的侧壁(相当于“相对侧壁”的一例)。
在输送部15的内部，由该FFU15b和排气装置15c形成有沿着输送路径15a的延伸方向流动的清洁空气的侧流。对于这一方面的详细内容，在后面利用图5A和图5C进行说明。
并且，输送部15还包括排气装置15d。如图2所示，排气装置15d例如沿着输送路径15a的延伸方向设有多个，并且均连结于排气路径31。
排气路径31沿着输送路径15a的延伸方向设于各输送部15的下方。并且，在排气路径31的两端分别设有排气装置31a。
排气装置31a用于排出由排气装置15d排出到排气路径31的位于基板输送装置17周围的空气。对于这一方面的详细内容，在后面利用图5B和图5C进行说明。
在这样的结构的情况下，实施方式的基板处理系统1能够进一步抑制微粒附着于晶圆W，而且能够使交接部14的内压高于输入输出室21的内压和输送部15的内压。对于这一方面的内容，参照图3A和图3B更具体地说明。
图3A是表示交接部14、输入输出室21和输送部15这三者的内压差的示意图。另外，图3B是表示交接部14、输入输出室21和输送部15各自内部的气流的方向的示意图。
如图3A所示，在基板处理系统1中，交接部14的内压被保持得比输入输出室21的内压和输送部15的内压高。例如，如图3A所示，输入输出室21的内压和输送部15的内压均被保持为“1[Pa]～小于3[Pa]”，相对于此，交接部14的内压被保持为比它们高的“3[Pa]～4[Pa]”。
由此，能够抑制微粒自输入输出室21和输送部15流入供晶圆W暂时停留的交接部14，因此能够进一步抑制微粒附着于晶圆W。
其中，图3A所示的具体的数值只不过是用于例示交接部14、输入输出室21和输送部15这三者的相对内压差的一例，并不用于限定实际的数值。另外，在图3A中，输入输出室21和输送部15这两者的内压为同一范围内的值，但只要至少低于交接部14的内压即可，也可以不一定是同一范围内的值。
这样的交接部14、输入输出室21和输送部15这三者的内压差由在交接部14、输入输出室21和输送部15各自内部形成的清洁空气的气流的风量和方向等实现。
具体而言，如图3B所示，在各交接部14内均形成有自交接部14的上部向下部流动的下降流。该下降流发挥将交接部14自输入输出室21以及各个输送部15分隔开的所谓气帘的作用。并且，交接部14的内压能够通过该下降流的风量等调整为高于输入输出室21的内压和输送部15的内压。
另外，与交接部14同样地，在输入输出室21内，由FFU21a(参照图2)和设于输入输出室21的下部的排气装置(未图示)形成有下降流。输入输出室21的内压能够通过该下降流的风量等调整为低于交接部14的内压。
另外，在各输送部15内，形成有沿着输送部15的延伸方向(X轴方向)的大致横向的侧流。输送部15的内压能够通过该侧流的风量等调整为低于交接部14的内压。
接着，利用图4A和图4B更具体地说明用于在交接部14内形成下降流的供气排气机构的结构。图4A和图4B是表示交接部14的供气排气机构的结构的一例的示意图(其一)和(其二)。其中，图4B是从X轴的负方向透视基板处理系统1而得到的简略的正面示意图。
如图4A所示，在交接部14中，利用FFU14a供给清洁空气并且利用排气装置14b排出该空气，由此，在交接部14的设有交接台14c的内部形成下降流。
在具有多个交接部14的情况下，这样的供气排气机构独立设于各交接部14。例如，如图4B所示，在交接部14呈多层地设有两个的情况下，FFU14a沿着Y轴在交接站22(参照图2)的顶部配置有两个，一个与上层的交接部14连接，另一个与下层的交接部14连接。
并且，在各交接部14中，自独立的不同的FFU14a接受供气，并且自各排气装置14b进行排气，从而形成独立的下降流。像这样，具有独立的供气排气机构，从而能够应对交接部14所设置的位置的不同、自FFU14a起的供给路径长度的不同这样的个体差，并且能够非常精细地调整各交接部14的内压等。
另外，也可以是，例如如图4B所示那样，在输入输出室21等的内部设置排气路径21b，由此来自各排气装置14b的排气借助该排气路径21b被整流并向输入输出室21的下侧引导，之后向装置外部(基板处理系统1的外部)排出。
接着，利用图5A～图5C更具体地说明输送部15的供气排气机构的结构。图5A～图5C是表示输送部15的供气排气机构的结构的一例的示意图(其一)～(其三)。另外，与图4B同样地，图5C是从X轴的负方向透视基板处理系统1而得到的简略的正面示意图。
如图5A所示，在输送部15中，利用FFU15b供给清洁空气，并且利用排气装置15c排出该空气，由此，在输送部1的收纳有基板输送装置17的内部形成自大致X轴的正方向朝向负方向的横向的侧流。
在此，优选将FFU15b设为能够从所述相对侧壁的大致整面供气。通过这样，能够在输送部15的横截面形成大致均匀的气流的流动，因此不易出现紊流等，换言之，能够形成容易进行调整等的清洁环境。
另外，能够在输送部15的比前后宽度(延伸方向上的宽度)短的上下宽度(上下方向上的宽度)的范围内构成供气排气机构，因此相比做成例如在输送部15内形成下降流的构造而言能够实现供气排气机构的小型化，能够降低基板处理系统1的制造成本、消耗能量。另外，在图5A所示的侧流的情况下，所述开口侧壁侧也可以不一定是侧壁，只要气流不流入交接部14，则也可以由框架等构成。
另外，在图5A中，列举了由设于开口侧壁的排气装置15c进行排气的情况为例，但并不限定于此，也可以是，例如输送部15共用交接部14和排气装置14b，而由该排气装置14b进行排气。在该情况下，能够削减基板处理系统1所包括的零部件个数，因此能够取得有助于低成本化这样的效果。
另外，如图5B所示，输送部15利用沿着输送路径15a的延伸方向设置的排气装置15d向排气路径31排出基板输送装置17的可动轴周围的空气。
并且，设于排气路径31的两端的排气装置31a从所述开口侧壁侧和相对侧壁侧这两侧排出被排出到排气路径31的、基板输送装置17的可动轴周围的空气。由此，能够有效地抑制来自容易产生微粒的、基板输送装置17的可动轴周围的排气流入交接部14和输送部15。
另外，也可以是，与已示出的图4B的情况同样地，例如如图5C所示那样，来自各排气装置15c、31a的排气借助排气路径21b被整流并向输入输出室21的下侧引导，之后向装置外部排出。此时，既可以将排气路径21b设为集合管，也可以针对每个排气装置15c、31a(或者14b)独立地设置排气路径21b。
但是，之前，列举了输送部15的侧流形成为自大致X轴的正方向朝向负方向的横向的情况为例，但也可以如图5D所示那样使其反向。图5D是表示输送部15的供气排气机构的结构的变形例的示意图。
即，也可以是，如图5D所示，在输送部15中，自被设在与交接部14连通的所述开口侧壁侧的FFU15b接受清洁空气的供气，并且利用被设在相对侧壁侧的排气装置15c排出该空气，由此，形成自大致X轴的负方向朝向正方向的横向的侧流。
另外，此时，为了能够在输送部15的横截面形成大致均匀的气流，优选将FFU15b设为例如能够从交接部14的开设于开口侧壁的开口周围的大致整面供气。
另外，在图5B中，列举了排气装置15d沿着输送路径15a的延伸方向设有多个的情况为例，但作为该情况的变形例，也可以是基板输送装置17在其可动轴周围具有排气装置。
在该情况下，虽然省略了图示，但将输送路径15a铺设在例如冲孔金属上，由此，能够将来自基板输送装置17所具有的排气装置的排气排出到排气路径31。
如所述那样，本实施方式的基板处理系统1(相当于“基板处理装置”的一例)包括输入输出室21、输送部15(相当于“输送室”的一例)和交接部14(相当于“交接室”的一例)。
输入输出室21用于从承载件C输入晶圆W(相当于“基板”的一例)或者将晶圆W输出至承载件C。输送部15形成有用于向处理单元16(相当于“基板处理室”的一例)输送晶圆W的输送路径15a，该处理单元16用于对晶圆W实施规定的处理。
交接部14配置在输入输出室21与输送部15之间，用于基板的在输入输出室21与输送部15之间的交接。并且，交接部14的内压高于输入输出室21的内压和输送部15的内压。
因而，采用本实施方式的基板处理系统1，能够进一步抑制微粒附着于晶圆W。
其中，在所述实施方式中，列举了供气装置为FFU的情况为例，但并不限定于此，例如也可以是用于吸入在基板处理系统1的外部生成的清洁空气的供气装置。
另外，在所述实施方式中，列举了一对交接部14和一对输送部15配置在上下两层的情况为例，但它们也可以仅配置一层，也可以配置3层以上。
另外，在所述实施方式中，作为基板，列举了晶圆W为例，但也可以是用于液晶显示器等的玻璃基板等其他基板。
本领域技术人员能够容易地推导出更进一步的效果、变形例。因此，本发明的更广泛的形态并不限定于如以上那样表述并且记述的特定的详细内容以及代表性的实施方式。因而，本发明能够在不脱离附带的权利要求书及其同等范围所定义的总括性的发明的概念的精神或范围的情况下进行各种变更。
附图标记说明
1、基板处理系统；2、输入输出站；3、处理站；4、控制装置；11、承载件载置部；12、输送部；13、基板输送装置；14、交接部；14a、FFU；14b、排气装置；14c、交接台；15、输送部；15a、输送路径；15b、FFU；15c、排气装置；15d、排气装置；16、处理单元；17、基板输送装置；18、控制部；19、存储部；21、输入输出室；21a、FFU；21b、排气路径；22、交接站；31、排气路径；31a、排气装置；C、承载件；W、晶圆。

Claims (8)

1.一种基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括：
输入输出室，其用于从承载件输入基板或者将基板输出至承载件；
输送室，其形成有用于向基板处理室输送基板的输送路径，该基板处理室用于对基板实施规定的处理；
交接室，其配置在所述输入输出室与所述输送室之间，用于基板的在该输入输出室与该输送室之间的交接，
所述交接室的内压高于所述输入输出室的内压和所述输送室的内压，
该基板处理装置具有配置在所述交接室的上方的供气装置和配置在该交接室的下方的排气装置，
在所述交接室的内部设有用于在所述输入输出室与所述输送室之间保持基板的交接台，并且在所述交接室的内部形成由所述供气装置和所述排气装置造成的清洁空气的下降流，
所述输送室具有与所述交接室相对的相对侧壁和设于该相对侧壁的供气装置，
所述输送路径形成为自所述交接室侧向所述相对侧壁侧延伸，
在所述输送室的内部由所述相对侧壁的供气装置和被设在所述交接室侧的排气装置形成自所述相对侧壁侧向所述交接室侧流动的清洁空气的侧流，
该基板处理装置包括排气路径，该排气路径设置在所述输入输出室的内部，并被设为用于对来自所述交接室的排气进行整流并且将其向该基板处理装置的外部引导。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述输送室在高度方向上呈多层地设有多个，
与所述输送室相应地，所述交接室在高度方向上呈多层地设有多个，
所述交接室分别独立地与所述供气装置及所述排气装置连结。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
设在所述交接室侧的排气装置配置在所述交接室的下方。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
设于所述相对侧壁的供气装置被设为能够从所述相对侧壁的整面供气。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述交接台包括搁板，该搁板在高度方向上呈多层地设置，所述基板一张张地载置于各搁板。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括：
基板输送装置，其设在所述输送室的内部，沿着所述输送路径输送基板；
第二排气路径，其沿着所述输送路径设在该输送路径的下方；以及
第二排气装置，其分别设在所述第二排气路径的两端，
所述第二排气路径的两端的所述第二排气装置用于将从所述基板输送装置的周围排出到所述第二排气路径的空气经由该第二排气路径从所述交接室侧和所述相对侧壁侧这两侧排出。
7.一种基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置包括：
输入输出室，其用于从承载件输入基板或者将基板输出至承载件；
输送室，其形成有用于向基板处理室输送基板的输送路径，该基板处理室用于对基板实施规定的处理；
交接室，其配置在所述输入输出室与所述输送室之间，用于基板的在该输入输出室与该输送室之间的交接，
所述交接室的内压高于所述输入输出室的内压和所述输送室的内压，
该基板处理装置具有配置在所述交接室的上方的供气装置和配置在该交接室的下方的排气装置，
在所述交接室的内部设有用于在所述输入输出室与所述输送室之间保持基板的交接台，并且在所述交接室的内部形成由所述供气装置和所述排气装置造成的清洁空气的下降流，
所述输送室具有：开口侧壁，其具有与所述交接室连通的开口；相对侧壁，其与该开口侧壁相对；供气装置，其设在所述开口侧壁的所述开口的周围；以及排气装置，其设于所述相对侧壁，
在所述输送室的内部由所述开口侧壁的供气装置和所述相对侧壁的排气装置形成自所述开口侧壁侧向所述相对侧壁侧流动的清洁空气的侧流，
该基板处理装置包括排气路径，该排气路径设置在所述输入输出室的内部，并被设为用于对来自所述交接室的排气进行整流并且将其向该基板处理装置的外部引导。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
设于所述开口侧壁的供气装置被设为能够从所述开口的周围的整面供气。
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