CN105543960B - 一种单晶多孔氧化亚钴纳米棒阵列的制备方法 - Google Patents

一种单晶多孔氧化亚钴纳米棒阵列的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105543960B
CN105543960B CN201510956647.6A CN201510956647A CN105543960B CN 105543960 B CN105543960 B CN 105543960B CN 201510956647 A CN201510956647 A CN 201510956647A CN 105543960 B CN105543960 B CN 105543960B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
growth substrate
growth
tube furnace
annealing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201510956647.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105543960A (zh
Inventor
闫东阳
凌涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianjin University
Original Assignee
Tianjin University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianjin University filed Critical Tianjin University
Priority to CN201510956647.6A priority Critical patent/CN105543960B/zh
Publication of CN105543960A publication Critical patent/CN105543960A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105543960B publication Critical patent/CN105543960B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C30B25/183—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being provided with a buffer layer, e.g. a lattice matching layer

Abstract

一种单晶多孔CoO纳米棒阵列的制备方法，先将制备有Zn种子层的生长基底置于400～500℃退火0.15～1h；再配制0.1～0.5M的ZnO水热生长液；将退火后生长基底的生长面朝下倾斜置于反应釜中，加入ZnO水热生长液，将反应釜放入钢瓶中并进行密封，将钢瓶放入100℃恒温干燥箱中，制得ZnO纳米棒阵列；再将该生长基底于500℃退火1h；将退火后的生长基底置于管式炉中央，以CoCl2粉作为Co的蒸发源，将管式炉抽真空至0.1～0.5Torr，再向管式炉通入载气，升温至400～700℃后，保温0.1～1h，制得单晶多孔CoO纳米棒阵列，十分利于气体吸附。本发明工艺稳定、普适性好，适用于多数柔性基底、导电基底，使其工业上实际应用成为可能，在燃料电池、催化等领域具有良好的应用前景。

Description

一种单晶多孔氧化亚钴纳米棒阵列的制备方法
技术领域
本发明是关于纳米材料的，特别涉及一种单晶多孔CoO纳米棒阵列的制备方法。
背景技术
能源就是向自然界提供能量转化的物质，是人类活动的物质基础，先进的能源技术不断推动着人类社会的发展。化石能源是指由生物体在地层下经过上万年的演变形成的能源，但化石能源在使用过程中带来了不可忽视的环境污染，使地球的生态平衡岌岌可危。由于电化学系统可以在环境友好的前提下可持续的获得能源，被人们认为可在未来很好的替代化石燃料。其中，燃料电池相对于传统的电池和电容器而言，能量传输密度可高出几个数量级，为能源的转换提供了巨大的应用前景。在燃料电池的运行过程中，高度分散电催化剂起着极为重要的作用，但目前常用多为贵金属系催化剂，其不仅成本极高、其催化活性也非常容易衰减，从而使电池的性能受到影响。
为了降低燃料电池生产成本,并提高催化剂的活性，目前大家主要采取以下两种途径：
(1)降低催化剂层贵金属的用量，对一些催化剂材料与贵金属进行负载。
(2)开发非贵金属基催化剂材料，主要有各类新型碳材料(如氮掺杂石墨烯、氮掺杂碳纳米管等)、过渡族金属的化合物(如Co、Ni、Mn)等。然而对于过渡金属纳米材料来讲，如何得到特殊的结构，来提高材料的活性和稳定性仍是大家面临的巨大挑战。
CoO是一种非常重要的半导体材料，是一种潜在的电化学催化剂或制备其他复合催化剂体系的原料。但CoO容易被氧化，合成制备困难，因此人们对其研究和应用较少。文献“Liang YY and Li TG.JACS.2013,135,2013-2036.”在NCNT上通过气相法合成了CoO纳米颗粒，文献“Mao S,Wen ZH,Huang TZ and Hou Y.Energy&Environmental Science.2014,7,609-616.”在石墨烯上通过溶胶烟雾化-高温诱导合成了CoO纳米颗粒，但目前尚未有方法通过离子交换合成单晶多孔CoO纳米棒阵列，且合成材料活性、稳定性不佳，合成基底条件的限制，使其难以应用于实际工业生产中。
发明内容
本发明的目的，是克服现有技术无法通过离子交换合成单晶多孔CoO纳米棒阵列、难以应用于实际工业生产的缺陷。利用气相阳离子交换法实现由单晶ZnO纳米棒阵列模板向单晶多孔CoO纳米棒阵列的转换，稳定合成于多数柔性基底、导电基底，如碳纤维、碳布、金属箔衬底、Si片、FTO等，提供一种不同类型基底上普适的单晶多孔CoO纳米棒阵列的制备方法。
该方法步骤如下：
(1)将生长基底通过拉膜法或磁控溅射法制备Zn种子层，随后将生长基底置于马弗炉中，于400～500℃退火0.15～1h；
(2)称取1.4019g六甲基四胺与Zn(NO3)2·6H2O，加入80～400mL去离子水，搅拌至澄清，配制为0.1～0.5M的ZnO水热生长液；
(3)将步骤(1)退火后生长基底的生长面朝下倾斜置于反应釜中，加入步骤(2)的ZnO水热生长液，再将反应釜放入钢瓶中进行密封，将钢瓶放入100℃恒温干燥箱中，反应1～9h，生长基底上制得ZnO纳米棒阵列；
(4)取出步骤(3)制备好ZnO纳米棒阵列的生长基底，置于马弗炉中，于500℃退火1h；
(5)再将退火后的生长基底置于管式炉中央，将CoCl2粉作为Co的蒸发源放置于距生长基底逆气流方向1～5cm处，将反应炉抽真空至0.1～0.5Torr；
(6)向管式炉通入载气，控制载气流量为30～200sccm，将管式炉升温至400～700℃后，保持0.1～1h，制得单晶多孔CoO纳米棒阵列。
步骤(1)所述的生长基底为碳纤维柔性基底或碳布柔性基底、金属基底、Si片基底、泡沫Ni基底、FTO基底或ITO基底。
步骤(1)所述的生长基底为Ti或Zn活泼金属基底时，需将生长基底置于管式炉中央，抽真空至0.2Torr以3～5℃/min的速率升温至400℃后，真空退火15min。
步骤(1)所述的采用拉膜法制备Zn种子层的方法为：取140mL乙二醇独甲醚于烧杯中，并逐滴加入单乙醇胺与乙酸锌，室温下搅拌至溶液澄清配成0.1～0.3M的Zn拉膜液。将生长基底通过拉膜法制备Zn种子层，每拉膜一层后将其放置于100℃烘箱中烘干10min，反复拉膜烘干操作三次。
步骤(1)所述的采用磁控溅射法制备Zn种子层，溅射参数为20～25mA下300～800s。
步骤(6)所述的载气为N2，Ar，He气中的一种或几种。
本发明的有益效果如下：
⑴本发明提供了一种工艺稳定、普适性好的制备单晶多孔CoO纳米棒阵列的方法；
⑵本发明工艺适用于柔性基底、导电基底及其他各类实用性基底，使其工业上实际应用成为可能。
⑶本发明采用气相阳离子交换法实现由单晶模板向单晶CoO纳米棒阵列的转换，得到CoO纳米棒表面粗糙多孔，有利于气体的吸附；
(4)本发明制备的单晶多孔CoO纳米棒阵列在燃料电池、催化等领域具有良好的应用前景。
附图说明
图1是本发明制备方法示意图；
图2是实施例1制备的单晶多孔CoO纳米棒阵列的扫描电镜图片；
图3是实施例2制备的单晶多孔CoO纳米棒阵列的扫描电镜图片。
图4是实施例3制备的单晶多孔CoO纳米棒阵列的扫描电镜图片；
图5是实施例5制备的单晶多孔CoO纳米棒阵列的扫描电镜图片。
具体实施方式
本发明利用管式炉加热蒸发Co源，Co原子被载气输送到下游生长有ZnO的基片处，发生阳离子交换反应，单晶ZnO纳米棒阵列模板被交换为单晶CoO纳米棒阵列。得到的CoO纳米棒表面粗糙多孔，有利于气体的吸附。本发明适用于多数柔性基底、导电基底，如碳纤维、碳布、金属衬底、Si片、FTO等，使其在工业上实际应用成为可能。
下面结合实施例和附图对本发明作进一步说明：
实施例1
将C纤维基底通过磁控溅射法制备一层Zn种子层，溅射参数为25mA 400s，随后将生长基底置于马弗炉中400℃退火15min。用天平称取1.4019g六甲基四胺与2.9749g Zn(NO3)2·6H2O，加入400mL去离子水，搅拌至澄清，配制为0.25M的ZnO水热生长液。将生长基底生长面朝下倾斜置于反应釜，加入生长液，将反应釜放入钢瓶中，加垫片拧紧密封。将反应釜放入100℃恒温干燥箱中，反应1h。取出制备好ZnO纳米棒阵列的C纤维基底，置于马弗炉中500℃退火1h。再将C纤维基底放置于管式炉中央，将0.2mg CoCl2放置于距基底位置上游2cm处，如图1所示，将反应炉抽真空至0.2Torr。向管式炉通入N2气，控制载气流量为50sccm，将管式炉升温至625℃后，保持0.5h，制得单晶多孔CoO纳米棒阵列。
图2为实施例1的扫描电镜图片，表明在C纤维基底上成功合成出了单晶多孔的CoO纳米棒结构，产物的纳米棒分散均匀，纳米棒长度在100nm左右，通过图右上方的插入图可知该产物的纳米棒直径在50nm左右。
实施例2
将C纤维基底通过磁控溅射法制备一层Zn种子层，溅射参数为25mA 400s，随后将生长基底置于马弗炉中400℃退火15min。用天平称取1.4019g六甲基四胺与2.9749g Zn(NO3)2·6H2O，加入400mL去离子水，搅拌至澄清，配制为0.25M的ZnO水热生长液。将生长基底生长面朝下倾斜置于反应釜，加入生长液，将反应釜放入钢瓶中，加垫片拧紧密封。将反应釜放入100℃恒温干燥箱中，反应6h。取出制备好ZnO纳米棒阵列的C纤维基底，置于马弗炉中500℃退火1h。再将C纤维基底放置于管式炉中央，将0.2mg CoCl2放置于距基底位置上游2cm处，如图1所示，将反应炉抽真空至0.2Torr。向管式炉通入Ar气，控制载气流量为50sccm，将管式炉升温至625℃后，保持0.5h，制得单晶多孔CoO纳米棒阵列。
图3为实施例2的扫描电镜图片，表明在C纤维基底上成功合成出了单晶多孔的CoO纳米棒结构，产物的纳米棒分散均匀，纳米棒长度在1um左右，通过图右上方的插入图可知该产物的纳米棒直径在50nm左右。
实施例3
将C纤维基底通过磁控溅射法制备一层Zn种子层，溅射参数为20mA 800s，随后将生长基底置于马弗炉中400℃退火15min。用天平称取1.4019g六甲基四胺与2.9749g Zn(NO3)2·6H2O，加入200mL去离子水，搅拌至澄清，配制为0.5M的ZnO水热生长液。将生长基底生长面朝下倾斜置于反应釜，加入生长液，将反应釜放入钢瓶中，加垫片拧紧密封。将反应釜放入100℃恒温干燥箱中，反应9h。取出制备好ZnO纳米棒阵列的C纤维基底，置于马弗炉中500℃退火1h。再将C纤维基底放置于管式炉中央，将0.2mg CoCl2放置于距基底位置上游2cm处，如图1所示，将反应炉抽真空至0.2Torr。向管式炉通入N2气，控制载气流量为50sccm，将管式炉升温至600℃后，保持0.5h，制得单晶多孔CoO纳米棒阵列。
图4为实施例3的扫描电镜图片，表明在C纤维基底上成功合成出了单晶多孔的CoO纳米棒结构，合成的纳米棒分散均匀，纳米棒直径在80nm左右。
实施例4
将Ti金属箔基底通过磁控溅射法制备一层Zn种子层，溅射参数为20mA 800s，随后将生长基底置于管式炉中央，抽真空至0.2Torr，极缓慢升温至400℃后，真空退火15min。用天平称取1.4019g六甲基四胺与2.9749g Zn(NO3)2·6H2O，加入200mL去离子水，搅拌至澄清，配制为0.5M的ZnO水热生长液。将生长基底生长面朝下倾斜置于反应釜，加入生长液，将反应釜放入钢瓶中，加垫片拧紧密封。将反应釜放入100℃恒温干燥箱中，反应9h。取出制备好ZnO纳米棒阵列的Ti金属箔基底，置于管式炉中央，抽真空至0.2Torr，极缓慢升温至500℃后，真空退火60min。再将Ti金属箔基底放置于附图管式炉中央，将0.2mg CoCl2放置于距基底位置上游2cm处，如图1所示，将反应炉抽真空至0.2Torr。向管式炉通入Ar气，控制载气流量为50sccm，将管式炉升温至600℃后，保持0.5h，制得单晶多孔CoO纳米棒阵列。
实施例5
取140mL乙二醇独甲醚于烧杯中，并逐滴加入单乙醇胺与3.073g乙酸锌，室温下搅拌至溶液澄清配成0.1M的Zn拉膜液。将FTO基底通过拉膜法制备Zn种子层，每拉膜一层后将其放置于100℃烘箱中烘干10min，反复拉膜烘干操作三次，随后将生长基底置于马弗炉中400℃退火15min。用天平称取1.4019g六甲基四胺与2.9749g Zn(NO3)2·6H2O，加入200mL去离子水，搅拌至澄清，配制为0.5M的ZnO水热生长液。将生长基底生长面朝下倾斜置于反应釜，加入生长液，将反应釜放入钢瓶中，加垫片拧紧密封。将反应釜放入100℃恒温干燥箱中，反应9h。取出制备好ZnO纳米棒阵列的C纤维基片，置于马弗炉中500℃退火1h。再将FTO基底放置于管式炉中央，将0.2mg CoCl2放置于距基底位置上游2cm处，如图1所示，将反应炉抽真空至0.2Torr。向管式炉通入Ar气，控制载气流量为50sccm，将管式炉升温至600℃后，保持0.5h，制得单晶多孔CoO纳米棒阵列。
图5为实施例5的扫描电镜图片，表明在FTO基底上成功合成出了单晶多孔的CoO纳米棒结构，合成的纳米棒分散均匀，纳米棒直径在80nm左右。

Claims (5)

1.一种单晶多孔CoO纳米棒阵列的制备方法，具有如下步骤：
(1)将生长基底通过拉膜法或磁控溅射法制备Zn种子层，随后将生长基底置于马弗炉中，于400℃退火，保温0.15～1h；
(2)称取1.4019g六甲基四胺与Zn(NO3)2·6H2O，加入80～400mL去离子水，搅拌至澄清，配制为0.1～0.5M的ZnO水热生长液；
(3)将步骤(1)退火后生长基底的生长面朝下倾斜置于反应釜中，加入步骤(2)的ZnO水热生长液，再将反应釜放入钢瓶中并进行密封，将钢瓶放入100℃恒温干燥箱中，反应1h，在生长基底上制得ZnO纳米棒阵列；
(4)取出步骤(3)制备好ZnO纳米棒阵列的生长基底，置于马弗炉中，于500℃退火1h；
(5)再将退火后的生长基底置于管式炉中央，将CoCl2粉作为Co的蒸发源放置于距生长基底逆气流方向2cm处，将管式炉抽真空至0.1～0.5Torr；
(6)向管式炉通入N2，控制N2流量为30～200sccm，将管式炉升温至625℃后，保温0.1～1h，制得单晶多孔CoO纳米棒阵列。
2.根据权利要求1所述的单晶多孔CoO纳米棒阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)的生长基底为碳纤维柔性基底、碳布柔性基底、金属基底、Si片基底、泡沫Ni基底、FTO基底或ITO基底。
3.根据权利要求2所述的单晶多孔CoO纳米棒阵列的制备方法，其特征在于，所述的生长基底为Ti或Zn活泼金属基底时，需将生长基底置于管式炉中央，抽真空至0.2Torr，以3～5℃/min的速率升温至400℃后，真空退火15min。
4.根据权利要求1所述的单晶多孔CoO纳米棒阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)采用拉膜法制备Zn种子层的方法为：取140mL乙二醇独甲醚于烧杯中，并逐滴加入单乙醇胺与乙酸锌，室温下搅拌至溶液澄清配成0.1～0.3M的Zn拉膜液；将生长基底通过拉膜法制备Zn种子层，每拉膜一层后将其放置于100℃烘箱中烘干10min，反复拉膜烘干操作三次。
5.根据权利要求1所述的单晶多孔CoO纳米棒阵列的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)采用磁控溅射法制备Zn种子层，溅射参数为20～25mA下300～800s。
CN201510956647.6A 2015-12-16 2015-12-16 一种单晶多孔氧化亚钴纳米棒阵列的制备方法 Expired - Fee Related CN105543960B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510956647.6A CN105543960B (zh) 2015-12-16 2015-12-16 一种单晶多孔氧化亚钴纳米棒阵列的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510956647.6A CN105543960B (zh) 2015-12-16 2015-12-16 一种单晶多孔氧化亚钴纳米棒阵列的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105543960A CN105543960A (zh) 2016-05-04
CN105543960B true CN105543960B (zh) 2019-01-04

Family

ID=55823508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510956647.6A Expired - Fee Related CN105543960B (zh) 2015-12-16 2015-12-16 一种单晶多孔氧化亚钴纳米棒阵列的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105543960B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111293304A (zh) * 2020-02-19 2020-06-16 湖北大学 一种碳纤维-氧化锌纳米棒复合材料及其制备方法和应用
CN111229287B (zh) * 2020-03-25 2022-10-21 吉林师范大学 一种碳纤维布负载管状g-C3N4光催化材料及其制备方法
CN112156813B (zh) * 2020-08-21 2022-12-09 成都理工大学 双层结构的Co2+/ZnO材料及其制备方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100338269C (zh) * 2005-10-10 2007-09-19 天津大学 制备一维取向的纳米二氧化钛管状晶薄膜的方法
CN100360719C (zh) * 2006-03-31 2008-01-09 中国科学院上海光学精密机械研究所 自组装ZnO阵列的水热法生长方法
CN100437950C (zh) * 2006-12-22 2008-11-26 中国科学院上海硅酸盐研究所 高度取向的氧化锌纳米柱阵列的超声辅助水溶液制备方法
CN101012621A (zh) * 2007-01-30 2007-08-08 东华大学 一种纤维制品上氧化锌纳米棒薄膜的制备方法
CN101122020A (zh) * 2007-07-25 2008-02-13 北京科技大学 一种大面积纳米氧化锌定向阵列的制备方法
CN101219804B (zh) * 2008-01-22 2010-06-16 北京科技大学 一种制备浸润性可控的氧化锌纳米棒阵列薄膜的方法
CN100593584C (zh) * 2008-04-17 2010-03-10 湖北大学 一种无催化剂无碳条件下ZnO纳米棒阵列的制备方法
CN101413141B (zh) * 2008-10-28 2010-11-17 浙江大学 柔性衬底上生长ZnO纳米线阵列的方法
CN101456579B (zh) * 2008-12-05 2010-11-17 天津大学 低温水热法合成氧化锌纳米管阵列的方法
CN101798105B (zh) * 2009-11-13 2012-01-11 襄樊学院 一种在ITO PET薄膜上生长ZnO纳米棒阵列的制备工艺
CN101786026B (zh) * 2010-03-24 2011-07-20 吉林大学 n型氧化钛纳米管/p型金刚石异质结光催化材料及制备方法
CN102492987A (zh) * 2011-12-23 2012-06-13 南京工业大学 柔性衬底上溶液法生长ZnO纳米线阵列的方法
CN102534780A (zh) * 2012-01-12 2012-07-04 西安交通大学 基于低温水热法实现大长径比ZnO纳米线阵列膜的多次外延生长方法
CN103613115A (zh) * 2013-11-22 2014-03-05 天津大学 气相阴离子交换合成氧化锌/硒化锌同轴纳米结构的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105543960A (zh) 2016-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105413730B (zh) 一种氮掺杂碳纳米管包裹钴电催化氧还原材料的制备方法
Chang et al. Dual MOF-derived Fe/N/P-tridoped carbon nanotube as high-performance oxygen reduction catalysts for zinc-air batteries
CN105826572B (zh) 一种N,S双掺杂碳纳米管包覆FexC催化剂、制备方法及其应用
CN106669763B (zh) 一种氮掺杂碳包覆纳米花状MoSe2复合材料及制备与应用
CN103811775A (zh) 一种用于燃料电池氧还原催化剂的多孔纳米复合材料
CN104495937A (zh) 一种碳掺杂的二硫化钼纳米材料的制备方法
CN109746018A (zh) 一种金属磷化物修饰的磷掺杂的石墨相氮化碳光催化剂的制备方法
CN108264037B (zh) 三维多孔氮掺杂石墨烯复材及氮掺杂石墨烯的制备方法
CN106829924A (zh) 一种一维多孔碳纳米管的制备方法
CN107321372B (zh) CoS纳米颗粒/N掺杂RGO析氢复合材料的制备方法
CN110064406B (zh) 一种碱性溶液析氢电催化剂V2O3-NiPt及其制备方法和应用
CN109665525B (zh) 一种“哑铃型”铁氮双掺杂多孔碳的制备方法
WO2022111736A1 (zh) Fe/Fe3C嵌入N掺杂碳复合材料及其制备方法与其在微生物燃料电池中的应用
CN105543960B (zh) 一种单晶多孔氧化亚钴纳米棒阵列的制备方法
CN110344029A (zh) 一种表面羟基化氧化铁薄膜光阳极材料的制备方法
CN109806902A (zh) 一种W18O49/NiWO4/NF自支撑电催化材料的制备方法
CN105742655B (zh) 一种燃料电池用分级多孔碳材料及其制备和应用
CN106299392B (zh) 一种具有锰缺陷的纳米Mn3O4、其制备方法及应用
CN108550471B (zh) 一种碳纤维柔性电极材料及其制备方法
CN108997587B (zh) 一种用于电解水制氢反应的金属有机框架材料及其纳米片材料的制备方法
CN110010905A (zh) 一种三维有序方形孔介孔碳载单原子铁氮催化剂的制备方法
CN104538648A (zh) 一种石墨烯负载铂钴合金纳米粒子复合催化剂及其制备方法
CN109261154B (zh) 类石墨烯框架负载单原子结构材料及其制备方法和应用
CN109962245B (zh) 过渡金属磷化物多孔碳纳米片复合材料及其制备和应用
CN109437152A (zh) 一种钴氮共掺杂介孔碳材料的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 300350 Haijing garden, Haihe Education Park, Jinnan, Tianjin, 135, Tianjin University.

Applicant after: Tianjin University

Address before: 300072 Tianjin City, Nankai District Wei Jin Road No. 92

Applicant before: Tianjin University

CB02 Change of applicant information
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20190104

Termination date: 20201216

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee