CN105263704A - 层积体及阻气膜 - Google Patents

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Abstract

层积体(5)包括：具有表面的基材(1)、覆盖所述基材(1)表面、且其膜厚为3nm以上500nm以下的原子层沉积膜(3)、和覆盖所述原子层沉积膜(3)的保护膜层(4)。在将所述原子层沉积膜(3)的厚度设为ta、将所述保护膜层(4)的厚度设为tOC时，所述保护膜层(4)的厚度满足ta＜tOC＜50ta的关系。

Description

层积体及阻气膜
技术领域
本发明涉及一种在基材的外面具备利用原子层沉积法形成的原子层沉积膜的层积体、以及由该层积体构成的阻气膜。
本申请基于2013年3月27日向日本申请的日本特愿2013-066166号主张优先权，其内容以引用方式并入本文。
背景技术
利用使物质像气体那样呈在原子/分子水平上运动的状态的气相从而在物体的表面上形成薄膜的方法可大致区分为：化学气相沉积法(CVD：ChemicalVaporDeposition)和物理气相沉积法(PVD：PhysicalVaporDeposition)。
作为代表性的PVD，有真空蒸镀法及溅射法等，特别地，对于溅射法而言，通常装置成本高，但可进行膜质和膜厚均匀性优异的高品质的薄膜的成膜。因此，广泛地应用于液晶显示器等显示设备等。
CVD为向真空室内导入原料气体，通过热能使1种或2种以上的气体在基板上分解或反应，从而使固体薄膜成长的方法。使气体分解或反应时，为了促进成膜时的反应，或为了降低反应温度，也有并用等离子体或催化剂(Catalyst)反应的方法，分别被称为PECVD(PlasmaEnhancedCVD)、Cat-CVD等。这种CVD具有成膜缺陷少的特征，主要适用于栅绝缘膜的成膜等半导体设备的制造工序。
另外，近年来，原子层沉积法(ALD法：AtomicLayerDeposition)备受关注。该ALD法为通过表面的化学反应使吸附在表面上的物质以原子水平逐层进行成膜的方法，被分类为CVD的范畴。需要说明的是，ALD法与一般的CVD区别点在于，所谓的CVD(一般的CVD)为使用单一的气体或同时使用多种气体在基板上使其反应而使薄膜成长的方法。与此相对，ALD法为交替地使用被称为前体或先驱者的富有活性的气体和反应性气体(其在ALD法中也被称为前体)，通过基板表面的吸附和与所述吸附接续的化学反应从而以原子水平逐层使薄膜成长的特殊的成膜方法。
以下示出ALD法的具体的成膜方法。首先，利用在基板上的表面吸附中，当用某种气体覆盖表面时，则不再有该气体的吸附发生的所谓的自限效应，在仅一层前体吸附后，将未反应的前体排气。接着，导入反应性气体，使之前的前体氧化或还原从而得到仅一层具有所期望的组成的薄膜之后，将反应性气体排气。而且，将上述处理设为1循环，重复该循环使薄膜成长并进行成膜。因此，在ALD法中，薄膜2维地成长。另外，不只是与现有的真空蒸镀法及溅射等相比，即使与一般的CVD等相比，ALD法成膜缺陷也少。
因此，期待在食品及医药品等包装领域及电子零件领域等宽广的领域中的应用。
另外，在ALD法中，有在使第二前体分解、并与吸附于基板的第一前体反应的工序中，为了激活反应而使用等离子体的方法。该方法被称为等离子体激活ALD(PEALD：PlasmaEnhancedALD)、或简称为等离子体ALD。
ALD法的技术是在1974年由芬兰的Dr.TuomoSumtola提出的。一般而言，由于可得到高品质、高密度的成膜，因此ALD法在栅绝缘膜等半导体领域中的应用正在推进，并且在ITRS(InternationalTechnologyRoadmapforSemiconductors(国际半导体技术发展路线图))中也有与ALD法有关的记载。另外，ALD法与其它成膜法相比，没有斜影效果(溅射粒子倾斜地入射到基板表面而产生成膜不规则的现象)，因此，如果存在可渗入气体的间隙，则可以进行成膜。因此，ALD法除在具有深度和宽度之比大的高纵横比的基板上的线及孔的覆膜中的应用之外，还期待也应用于在3维结构物的覆膜用途中与MEMS(MicroElectroMechanicalSystems(微机电系统))相关的方面等。
但是，作为ALD法的缺点，可列举：为了进行ALD法而需要使用特殊的材料的方面及由此导致的成本升高等，最大的缺点在于，成膜速度慢。例如，与通常的真空蒸镀或溅射等成膜法相比，成膜速度慢5～10倍左右。
使用如上所述的成膜法利用ALD法形成薄膜的对象为如下各种材料：诸如晶片及光掩模等那样的小的板状的基板、诸如玻璃板等那样的大面积并且不具有挠性的基板、或诸如薄膜等那样的大面积且具有挠性的基板等。与这些用途对应，在用于在这些基板上形成薄膜的量产设备中，根据成本方面、处理的容易程度及成膜品质等，提出了各种的基板的处理方法，且正在被实用化。
作为用于在基板上形成薄膜的量产装置，例如对于晶片而言，有向成膜装置供给一片基板从而进行成膜、其后替换为下一基板再次进行成膜的单片式成膜装置，或者将多个基板汇集设置、并对全部的晶片进行统一的成膜的分批式成膜装置等。
另外，作为对玻璃基板等进行成膜的量产装置的实例，有一边相对于成为成膜源的部分逐次输送基板，一边同时进行成膜的在线式成膜装置。作为其它的装置，有利用了所谓的辊对辊的涂布成膜装置，即主要对挠性基板从辊上卷出基板、在输送基板的同时进行成膜、并将基板卷绕于其它辊上。作为涂布成膜装置，也可列举web涂布成膜装置，该web涂布成膜装置不只是将挠性基板，还可将成为成膜对象的基板载置于可以连续输送基板的挠性的片材、或一部分为挠性的托盘上从而进行连续成膜。
对于利用任一种成膜装置的成膜方法及基板处理方法，从成本方面、品质方面及处理的容易程度等观点出发进行判断，采用成膜速度最快的成膜装置的组合。
需要说明的是，作为相关技术，公开有利用ALD法进行原子层蒸镀、由此在塑料薄膜的表面形成阻隔层的技术(例如参照专利文献1)。专利文献1公开有利用ALD法实施原子层蒸镀、由此实现阻隔特性优异的阻隔膜的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-096432号公报
发明内容
发明要解决的课题
如上所述，众所周知的是利用ALD法在基材的外面设置原子层沉积膜而成的层积体，这些层积体用于具有高的阻气性的阻气膜等。但是，原子层沉积膜容易因外力而损伤。当因任何外力而使原子层沉积膜损伤时，有时根据损伤的大小产生在原子层沉积膜的膜厚方向上延伸的贯穿孔。这样在原子层沉积膜上产生膜厚方向的贯穿孔时，气体会通过该贯穿孔而在与基材之间出入。因此，层积体的阻气性降低。
另外，作为其它问题点，在使用具有这样容易损伤的原子层沉积膜的层积体来制造薄膜状的阻气膜的情况下，如果不是在形成原子层沉积膜之后刚体不接触原子层沉积膜那样的制造线，则成为层积体的阻气性降低的主要原因。因此，在使用层积体制造阻气膜的情况中，在制造工序中将阻气膜卷绕成辊状时招致阻气性的降低。因此，存在不能将阻气膜制成辊状来输送、保管的问题。
本发明是鉴于这种情况而完成的，其目的在于，提供一种使形成于基材的外面的原子层沉积膜不易因外力而损伤并提高了阻气性的层积体、以及由该层积体形成的阻气膜。
解决问题的手段
为了解决该课题，本发明的第一方式的层积体包括：具有表面的基材，覆盖所述基材的所述表面、且其膜厚为3nm以上500nm以下的原子层沉积膜，和覆盖所述原子层沉积膜的保护膜层，其中，将所述原子层沉积膜的厚度设为ta、将所述保护膜层的厚度设为tOC时，所述保护膜层的厚度满足ta＜tOC＜50ta的关系。
另外，所述保护膜层由水溶性高分子和金属醇盐构成。
另外，所述保护膜层可以由具有选自Si、Al、Ti中的至少一个元素的氧化物、氮化物、氧氮化物中的任一种构成。
另外，所述保护膜层可以利用湿式涂布或干式涂布中的任一种技术而形成。
另外，本发明的第二方式的阻气膜为所述层积体形成为薄膜状。
发明效果
根据本发明的上述方式，通过在覆盖基材的原子层沉积膜的外面设置保护膜层，原子层沉积膜难以因外力损伤。即，可以将在原子层沉积膜的膜厚方向上气体出入这样的损伤在原子层沉积膜上产生的可能性抑制为低水平。由此，可以较高地维持层积体及由该层积体构成的阻气膜的阻气性，同时，可以防止外力等引起的阻气性的降低。
附图简要说明
图1是表示本发明的一个实施方式的层积体的构成的剖面图。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行说明。图1是表示本发明的一个实施方式中的层积体的构成的剖面图。如图1所示，层积体5具备：基材1、沿基材1的一个外面(表面)而形成的底涂层(以下称为“UC层”。)2、在UC层2的表面上形成的原子层沉积膜(以下称为“ALD膜”。)3和覆盖ALD膜3的保护膜层(以下称为“OC层”。)4。
基材1由高分子材料构成。作为高分子材料，可列举例如：聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、尼龙及聚醚砜等高分子材料。
将层积体5用作阻气膜的情况下，考虑作为精密零件及电致发光元件等电子零件的包装材料的适当性和作为阻气膜的加工适当性，基材1的厚度优选为12μm以上200μm以下。
UC层2是为了使形成于其表面的ALD膜3高密度化从而防止在ALD膜3的膜厚方向上产生气体透过的间隙而设置的。为了使ALD膜3高密度化，需要使作为ALD膜3的原料的前体可以在形成ALD膜3的面的吸附位点上密度高地配置，且使原子层成长可以接近于二维成长。因此，如果将如上所述可使ALD膜3高密度化的种类的高分子材料或前体的种类用于基材，则可以不设置UC层2。即，可以具备形成于基材1的表面的ALD膜3和覆盖ALD膜3的OC层4而构成。
设置UC层2的情况下，UC层2既可以含有无机物质，也可以为含有具备ALD膜3的前体容易键合的官能团的有机高分子的构成。
另外，在UC层2中含有无机物质的情况下，作为ALD膜3的原料的前体与在UC层2的表面露出的无机物质相互地键合。由此，产生在UC层2的面方向上成长的二维状的ALD膜3。其结果，难以产生气体在层积体的膜厚方向上透过的间隙，从而可以形成阻气性高的层积体。
另外，在UC层2中含有有机高分子的情况下，有机高分子具有容易与ALD膜3的前体键合的官能团。因此，键合于各官能团的前体彼此相互地键合。由此，产生在UC层2的面方向上成长的二维状的ALD膜3。其结果，难以产生气体在层积体的膜厚方向上透过的间隙，从而可以形成阻气性高的层积体。
ALD膜3是利用ALD法形成的膜。ALD膜3可以为AlOx、TiOx、SiOx、ZnOx或SnOx等的无机氧化膜、由这些无机物构成的氮化膜或氮氧化膜、或者由其它元素构成的氧化膜、氮化膜或氮氧化膜。进而，ALD膜3可以为上述的膜或元素的混合膜。
ALD膜3的厚度优选为3nm以上500nm以下，更优选为3nm以上100nm以下。ALD膜3的膜厚小于3nm时，不能充分地发挥作为阻气层的功能。另一方面，ALD膜3的膜厚大于500nm时，在阻气层上容易产生裂纹、或难以控制光学特性。
形成于UC层2的表面的ALD膜3具有优异的阻隔性。另一方面，由于ALD膜3的膜厚薄，因此，通过卷绕时的基材彼此的接触等，有可能在ALD膜3上产生损伤及针孔等。这种情况成为层积体的阻气性能降低的原因。
因此，为了防止因卷绕时的基材彼此的接触等而在ALD膜3上产生损伤及针孔等，在ALD膜3的表面形成OC层4作为保护层。
此时，将ALD膜3的厚度设为ta、将所形成的OC层4的厚度设为tOC时，OC层4的厚度优选满足ta＜tOC＜50ta的关系，更优选满足ta＜tOC≦10ta的关系。OC层4的厚度tOC为ta以下时，因外在因素会使损伤到达ALD膜3，不能充分地发挥作为保护层的功能。另外，超过50ta时，认为因内部应力而产生裂纹，阻气性降低。在此，ALD膜3的厚度ta及OC层4的厚度tOC为纳米级。
如果OC层4满足上述的厚度的关系，则可以由任何材料(有机材料、无机材料)构成，作为其形成方法，既可以使用湿式涂布技术，也可以使用干式涂布技术。
OC层4优选由水溶性高分子和金属醇盐形成，或者由具有选自Si、Al、及Ti中的至少一个元素的氧化物、氮化物及氮氧化物中的任一种形成。
OC层4由水溶性高分子和金属醇盐构成的情况下，OC层4使用含有水溶性高分子和1种以上的金属醇盐或其水解物的水溶液或以水和醇的混合溶液为主剂的涂布剂而形成。
具体而言，例如，准备使水溶性高分子溶解于水系溶剂、进一步使金属醇盐直接混合或者预先进行水解等处理并混合的溶液。通过将该溶液涂布于ALD膜3的表面之后进行加热干燥，形成OC层4。通过由水溶性高分子和金属醇盐构成OC层4，可以提高阻气性及水蒸气阻隔性。
用于涂布剂的水溶性高分子可列举：聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、淀粉、甲基纤维素、羧甲基纤维素及海藻酸钠等。特别是将聚乙烯醇(以下称为“PVA”。)用于涂布剂的情况下，阻气性最优异，因此优选。在此所说的PVA通常将聚醋酸乙烯酯进行皂化而得到。作为PVA，可以使用例如残存醋酸基数十％的、从所谓的部分皂化PVA至醋酸基仅残存数％的完全PVA等，也可以使用其以外的PVA。
另外，金属醇盐为通式M(OR)n(M：Si、Ti、Al、Zr等金属、R：CH3、C2H5等烷基)表示的化合物。具体而言，可列举四乙氧基硅烷[Si(OC2H5)4]及三异丙氧基铝[Al(O-i-C3H7)3]等。其中，四乙氧基硅烷及三异丙氧基铝水解后，在水系的溶剂中比较稳定，因此优选。
作为涂布剂的涂布方法，只要是通常所使用的湿式涂布技术即可。作为涂布方法，例如有浸渍法、辊涂布法、丝网印刷法及喷雾法等涂布方法，但优选使用可以以非接触方式涂布于ALD膜3的方法。
另外，OC层4由具有选自Si、Al、Ti中的至少一个元素的氧化物、氮化物、氮氧化物中的任一种形成的情况下，例如优选为由SiOx、AlOx、TiOx中的一种构成的氧化膜；含有上述元素的氮化膜、氮氧化膜；或除上述的元素之外也含有Sn、Ta、Zr等其它元素的无机氧化膜、无机氮化膜、无机氮氧化膜、或它们的混合膜中的任一种。通过OC层4由这些无机膜构成，耐久性提高，进而阻隔性也提高。
作为在蒸镀这些无机膜时使用的原料气体，优选使用三(二甲基氨基)硅烷(SiH[N(CH3)2]3)、三甲基铝(TMA)及四氯化钛(TiCl4)中的任一种，但并不特别限定于这些。
OC层4的无机膜使用干式涂布技术而形成。例如，优选为使用PVD或CVD的任一种方法而进行了成膜的层。
作为PVD的实例，有：电阻加热法、电子束蒸镀法及溅射法等。另外，作为CVD的实例，有：热CVD法、光CVD法及等离子体CVD法等，优选使用任一种方法。
这样，在形成有OC层4的层积体中，在卷绕时ALD膜3不与其它基材直接接触。即，如果ALD膜3为最外表面，则即使有在膜厚方向产生贯穿孔的程度的大小的外力作用于层积体的表面，也由于在最外表面形成了厚度大于ALD膜3的OC层4，因此不可能在膜厚方向产生贯穿孔。因此，通过在ALD膜3的表面形成OC层4，可以提高层积体的阻气性。
在此，OC层4的厚度只要满足与ALD膜的厚度的关系(ta＜tOC＜50ta)，就没有特别限定，例如优选在3nm＜tOC＜400nm的范围内满足上述的关系。
由上述的基材1、UC层2、ALD膜3、OC层4构成的层积体1(其中，UC层2为任意的层)在ALD膜3的表面形成了OC层4，因此，难以通过外力在ALD膜3上产生损伤。即，可以将在ALD膜3的膜厚方向上气体出入的损伤在ALD膜3上产生的可能性抑制为低水平。因此，通过将层积体1形成为薄膜状，可以用作阻气膜。
实施例
接着，对基于上述的实施方式而实现的具有OC层4的层积体的具体的实施例进行说明。在此，对由ALD膜3构成的阻气层的成膜方法进行说明。
[原子层沉积膜3(Al2O3)的成膜]
首先，在形成于作为薄膜状的高分子基材的厚度100μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(以下称为“PET薄膜”。)的表面的UC层的上面利用ALD法将Al2O3膜进行成膜。此时，原料气体使用三甲基铝(TMA)。另外，与原料气体同时，向成膜室分别供给作为工艺气体的O2和N2、作为净化气体的O2和N2、作为反应气体兼等离子体放电气体的O2。此时的处理能力(成膜时的成膜室内的压力)设为10～50Pa。进而，等离子体激发用电源使用13.56MHz的电源，通过ICP(InductivelyCouplePlasma)模式实施等离子体放电。
另外，TMA和工艺气体的供给时间设为60msec，净化气体的供给时间设为10msec，反应气体兼放电气体的供给时间设为10msec。而且，供给反应气体兼放电气体同时，以ICP模式产生等离子体放电。需要说明的是，此时的等离子体放电的输出电力设为250watt。另外，作为等离子体放电后的气体净化，将净化气体O2和N2供给10msec。需要说明的是，此时的成膜温度设为90℃。
如上所述的循环条件下的Al2O3的成膜速度如下。即，由于单位成膜速度为约/循环，因此当实施140循环的成膜处理而进行膜厚约20nm的成膜时，成膜的合计时间为约84min。
[原子层沉积膜3(TiO2)的成膜]
首先，在形成于作为薄膜状的高分子基材的、厚度100μm的PET薄膜的表面的UC层的上面，利用ALD法将TiO2膜进行成膜。此时，原料气体使用四氯化钛(TiCl4)。另外，与原料气体同时，向成膜室分别供给作为工艺气体的N2、作为净化气体的O2和N2、作为反应气体兼等离子体放电气体的O2。此时的处理能力设为10～50Pa。进而，等离子体激发用电源使用13.56MHz的电源，通过ICP模式实施等离子体放电。
另外，就各气体的供给时间而言，将TiCl4和工艺气体设为1sec，将净化气体设为60sec，将反应气体兼放电气体设为5sec。而且，供给反应气体兼放电气体同时，以ICP模式产生等离子体放电。需要说明的是，此时的等离子体放电的输出电力设为250watt。另外，作为等离子体放电后的气体净化，将净化气体O2和N2供给4sec。需要说明的是，此时的成膜温度设为90℃。
如上所述的循环条件下的TiO2的成膜速度如下。即，由于单位成膜速度为约/循环，因此当实施176循环的成膜处理而进行膜厚约20nm的成膜时，成膜的合计时间为约253min。
[层积体的水蒸气透过率]
接着，使基于上述的实施方式而实现的具有OC层的层积体与卷绕辊接触，并就卷绕收纳前后的水蒸气透过率(以下，称为WVTR)的实验结果说明几个实施例。需要说明的是，在此，使用水蒸气透过度测定装置(ModernControls制MOCONAquatran(注册商标)或MOCONPrematran(注册商标))、在40℃/90％RH的氛围下测定水蒸气透过率。以下的表1为比较了层积体的卷绕前后的WVTR的表。
[表1]
以下，一边参照表1，一边对各实施例进行说明。
＜实施例1-1＞
在实施例1-1中，使用在厚度100μm的PET薄膜的基材上依次层积了底涂(UC)层、Al2O3的膜厚为约20nm的阻隔层(ALD膜)、和膜厚为约50nm的保护膜(OC)层而制作的样品进行阻气性的测定，其中所述底涂层是采用湿式涂布技术、以加热干燥后的膜厚成为约0.34μm的方式将由含有聚甲基丙烯酸酯的有机高分子构成的溶液涂布于基材的表面并进行加热干燥而形成的。本实施例的OC层使用湿式涂布技术，以加热干燥后的膜厚成为约50nm的方式将由水溶性高分子和金属醇盐构成的溶液涂布于阻隔层的表面之后，进行加热干燥而形成。就本实施例中制作的样品的WVTR的测定值而言，卷绕前为2.4×10-3[g/m2/天]，卷绕后为3.3×10-3[g/m2/天]。
＜实施例1-2＞
在实施例1-2中，使用在厚度100μm的PET薄膜的基材上依次层积了用与实施例1-1同样的方法形成的UC层、TiO2膜厚为约20nm的阻隔层、和用与实施例1-1同样的方法形成且膜厚为约50nm的OC层而制作的样品进行阻气性的测定。就本实施例中制作的样品的WVTR的测定值而言，卷绕前为2.0×10-3[g/m2/天]，卷绕后为3.1×10-3[g/m2/天]。
＜实施例2-1＞
在实施例2-1中，使用在厚度100μm的PET薄膜的基材上依次层积了用与实施例1-1同样的方法形成的UC层、Al2O3膜厚为约20nm成膜的阻隔层、膜厚为约100nm的OC层而制作的样品进行阻气性的测定。本实施例的OC层由使用干式涂布技术进行成膜的SiO2膜形成。就本实施例中制作的样品的WVTR的测定值而言，卷绕前为2.9×10-3[g/m2/天]，卷绕后为3.0×10-3[g/m2/天]。
＜实施例2-2＞
在实施例2-2中，使用在厚度100μm的PET薄膜的基材上依次层积了用与实施例1-1同样的方法形成的UC层、TiO2的膜厚为约20nm的阻隔层、和用与实施例2-1同样的方法形成且膜厚为约100nm的OC层而制作的样品进行阻气性的测定。就本实施例中制作的样品的WVTR的测定值而言，卷绕前为2.7×10-3[g/m2/天]，卷绕后为2.9×10-3[g/m2/天]。
＜比较例＞
接着，一边参照表1，一边对比较例进行说明。
＜比较例1-1＞
在比较例1-1中，使用在厚度100μm的PET薄膜的基材上依次层积了用与实施例1-1同样的方法形成的UC层、和Al2O3的膜厚为约20nm的阻隔层而制作的样品进行阻气性的测定。需要说明的是，在比较例1-1中，没有层积OC层4。就比较例1-1的样品的WVTR的测定值而言，卷绕前为4.0×10-3[g/m2/天]，卷绕后为1.4×10-1[g/m2/天]。
＜比较例1-2＞
在比较例1-2中，使用在厚度100μm的PET薄膜的基材上依次层积了用与实施例1-1同样的方法形成的UC层、和TiO2的膜厚为约20nm的阻隔层而制作的样品进行阻气性的测定。需要说明的是，在比较例1-2中，与比较例1-1同样地，也没有层积OC层4。就比较例1-2的样品的WVTR的测定值而言，卷绕前为3.6×10-3[g/m2/天]，卷绕后为2.0×10-1[g/m2/天]。
＜比较例2-1＞
在比较例2-1中，使用在厚度100μm的PET薄膜的基材上依次层积了用与实施例1-1同样的方法形成的UC层、Al2O3的膜厚为约20nm的阻隔层、和膜厚为约10nm的OC层而制作的样品进行阻气性的测定。本实施例的OC层由采用干式涂布技术而进行成膜的SiO2膜形成。将比较例2-1中的阻隔层的膜厚设为ta、将OC层4的膜厚设为tOC时，比较例2-1的OC层的膜厚比ta＜tOC＜50ta的范围薄。就比较例2-1的样品的WVTR的测定值而言，卷绕前为5.0×10-3[g/m2/天]，卷绕后为9.7×10-1[g/m2/天]。
＜比较例2-2＞
在比较例2-2中，使用在厚度100μm的PET薄膜的基材上依次层积了用与实施例1-1同样的方法形成的UC层、TiO2的膜厚为约20nm的阻隔层、用与比较例2-1同样的方法形成且膜厚为约10nm的OC层而制作的样品进行阻气性的测定。就比较例2-2的WVTR的测定值而言，卷绕前为6.0×10-3[g/m2/天]，卷绕后为1.0×10-1[g/m2/天]。
＜比较例3-1＞
在比较例3-1中，使用在厚度100μm的PET薄膜的基材上依次层积了用与实施例1-1同样的方法形成的UC层、Al2O3的膜厚为约20nm的阻隔层、用与实施例1-1同样的方法形成且膜厚为约1100nm的OC层4的样品进行阻气性的测定。将阻隔层的膜厚设为ta、将OC层4的膜厚设为tOC时，比较例3-1的OC层4的膜厚比ta＜tOC＜50ta的范围内厚。就比较例3-1的WVTR的测定值而言，卷绕前为5.5×10-3[g/m2/天]，卷绕后为1.1×10-1[g/m2/天]。
＜比较例3-2＞
在比较例3-2中，使用在厚度100μm的PET薄膜的基材上依次层积了用与实施例1-1同样的方法形成的UC层、TiO2膜厚为约20nm的阻隔层、用与比较例3-1同样的方法形成且膜厚为约1100nm的OC层4的样品进行阻气性的测定。就比较例3-2的WVTR的测定值而言，卷绕前为5.0×10-3[g/m2/天]，卷绕后为1.2×10-1[g/m2/天]。
[结论]
如上所述，确认了：由于层积体具有OC层，使得阻隔性提高。因此，根据本发明的层积体，通过在ALD膜(阻隔层)的表面设置OC层，可几乎不受环境变化等引起的应力或机械外力产生的影响，可以提高层积体的阻气性。
以上，参照附图对本发明中的层积体的实施方式进行了详述，但本发明的具体的构成并不限定于上述的实施方式的内容。另外，本发明也提供将通过上述发明而实现的层积体形成为薄膜状的阻气膜。
工业应用性
本发明的层积体不限于电致发光元件(EL元件)、液晶显示器、半导体晶片等电子零件的利用，也可以有效地利用于医药品或食品等的包装用膜、精密零件的包装用薄膜等。
符号的说明
1···基材
2···底涂层(UC层)
3···原子层沉积膜(ALD膜)
4···保护膜层(OC层)
5···层积体

Claims (5)

1.一种层积体，其包括：
具有表面的基材，
覆盖所述基材的所述表面、且其膜厚为3nm以上500nm以下的原子层沉积膜、以及
覆盖所述原子层沉积膜的保护膜层，其中，
在将所述原子层沉积膜的厚度设为ta、将所述保护膜层的厚度设为tOC时，所述保护膜层的厚度满足ta＜tOC＜50ta的关系。
2.根据权利要求1所述的层积体，其中，
所述保护膜层由水溶性高分子和金属醇盐构成。
3.根据权利要求1所述的层积体，其中，
所述保护膜层由具有选自Si、Al、Ti中的至少一个元素的氧化物、氮化物、氮氧化物中的任一种构成。
4.根据权利要求1所述的层积体，
其中，所述保护膜层利用湿式涂布或干式涂布中的任一种技术而形成。
5.一种阻气膜，其是使权利要求1至4中任一项所述的层积体形成为薄膜状而得到的。
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