CN105229806B - 发光模块 - Google Patents

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Abstract

实施例涉及一种发光模块。根据实施例的发光模块包括:光源单元,该光源单元包括发光器件;主体,该主体包括在其上布置光源单元的下部;壁部,该壁部被布置在下部上并且被配置成围绕光源单元;以及上部,该上部被布置在壁部上;以及光学构件,该光学构件被布置在光源单元上以透射来自于发光器件的光;以及粘合构件,该粘合构件被布置在主体的壁部和光学构件之间以耦合主体和光学构件,其中主体的上部被布置在发光器件和粘合构件之间。

Description

发光模块
技术领域
实施例涉及一种发光模块。
背景技术
在发光二极管(LED)中主要地使用诸如氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、以及氮化铟镓(InGaN)的III族氮化物,因为它们具有优异的热稳定性和直接转移能量带结构。具体地,在蓝色LED和紫外线LED(UV LED)中主要地使用III族氮化物。
发射UV射线的UV LED被封装在特定的主体(或者壳体)中、被制造、并且被销售。在这样的情况下,通过UV LED发射的UV射线可以变色(discolor)或者更改包括发光模块的主体的其它部分。有助于UV射线的主体或者其它部分的变色或者更改可能对包括UV LED的发光模块的可靠性或者持久性具有不好的影响。
发明内容
技术问题
根据实施例的发光模块能够防止粘合构件由于光源单元的热或者UV射线被变色或者被更改。
根据实施例的发光模块能够防止其中当通过共晶结合耦合盖和主体时在第一和第二粘合构件中不牢固的任何金属粘附到光源单元的发光器件的发光表面的现象。
技术方案
根据实施例的发光模块包括光源单元、主体、光学构件、以及粘合构件。主体的上部被布置在光源单元的发光器件和粘合构件之间。这样的发光模块能够防止粘合构件由于光源单元的热或者UV射线被变色或者更改。
根据实施例的发光模块包括光源单元、光学构件、主体以及粘合构件。主体包括其中光源单元被布置的第一腔体;和其中光学构件被布置的第二腔体。主体包括突出,该突出被布置在第二腔体中。突出被布置在发光器件和粘合构件之间。这样的发光模块能够防止粘合构件由于光源单元的热或者UV射线被变色或更改。
根据实施例的发光模块包括光源单元、主体、光学构件、盖、以及粘合构件。主体的上部被布置在光源单元的发光器件和粘合构件之间。这样的发光模块能够防止粘合构件由于光源单元的热或者UV射线被变色或者更改。
根据实施例的发光模块包括光源单元、主体、光学构件、盖、以及粘合构件。盖的突出被布置在光源单元的发光器件和粘合构件之间。这样的发光模块能够防止粘合构件由于光源单元的热或者UV射线被变色或者更改。
在实施例中,粘合构件可以包括第一粘合构件和第二粘合构件。第一粘合构件包括从由金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、铜(Cu)、以及铬(Cr)组成的组中选择的任何一个。如果第二粘合构件包括从由锡(Sn)、锗(Ge)、硅(Si)、以及锑(Sb)组成的组和包括金(Au)的合金中选择的任意一个或者从由铅(Pb)和银(Ag)组成的组和包括锡(Sn)的合金中选择的任意一个,则在实施例中,当通过共晶结合耦合盖和主体时能够防止其中在第一和第二粘合构件中不稳定的任何金属粘附到光源单元的发光器件的发光表面的现象。
有益效果
如果根据实施例的发光模块被使用,则存在的优点在于能够防止由于光源单元的热或者UV射线导致粘合构件被变色或者被更改。
如果根据实施例的发光模块被使用,则存在的优点在于当通过共晶结合耦合盖和主体时能够防止其中在第一和第二粘合构件中不牢固的任何金属粘附到光源单元的发光器件的发光表面的现象。
附图说明
图1是根据第一实施例的发光模块的截面透视图。
图2是在图1中示出的发光模块的主体和光学构件的分解透视图。
图3是在图1中示出的发光模块的截面图。
图4是根据第二实施例的发光模块的截面透视图。
图5是在图4中示出的发光模块的主体和光学构件的分解透视图。
图6是在图4中示出的发光模块的截面图。
图7是根据第三实施例的发光模块并且示出在图6中示出的根据第二实施例的发光模块的修改示例。
图8是根据第四实施例的发光模块并且示出在图6中示出的根据第二实施例的发光模块的修改示例。
图9是根据第五实施例的发光模块的截面透视图。
图10是示出在图9中示出的发光模块的主体和盖已被分离的透视图。
图11是在图9中示出的发光模块的截面图。
图12是根据第六实施例的发光模块的截面透视图。
图13是示出在图12中示出的发光模块的主体和盖已被分离的透视图。
图14是在图12中示出的发光模块的截面图。
图15是根据第七实施例的发光模块并且示出在图14中示出的上部150的修改示例。
图16是根据第八实施例的发光模块并且示出在图14中示出的根据第六实施例的发光模块的修改示例。
图17是根据第九实施例的发光模块并且示出在图14中示出的根据第六实施例的发光模块的修改示例。
具体实施方式
在下文中,参考附图详细地描述本发明的实施例。在这样的情况下,在本领域中的技术人员可以容易地理解,附图被图示以更加容易地公开本发明的内容并且本发明的范围不限于附图的范围。
此外,基于附图描述用于每个元件下方(或者上方或者下面)的准则。此外,在附图中,为了描述的方便和清楚起见每个层的厚度或者大小已经被扩大、省略、或者示意性地示出。此外,实际尺寸没有被完全地合并在每个元件的尺寸中。
在本发明的实施例的描述中,如果一个元件被称为被形成在另一元件“上(上方)或者下(下面)”,则术语上面(上方)或者下方(下面)包括两个元件相互直接接触或者一个或者多个其它的元件(间接地)被布置在两个元件之间。如果“上面(上方)或者下方(下面)”被表达,则其可以基于一个元件包括向上方向或者向下方向的意义。
图1是根据第一实施例的发光模块的截面透视图,图2是在图1中示出的发光模块的主体和光学构件的分解透视图,并且图3是在图1中示出的发光模块的截面图。
参考图1至图3,根据第一实施例的发光模块可以包括主体100、光源单元200、粘合构件300、以及光学构件400。
光源单元200、粘合构件300、以及光学构件400被布置在主体100中。具体地,光源单元200、粘合构件300、以及光学构件400被容纳在主体100中。在这样的情况下,主体100通过粘合构件300被耦合到光学构件400。更加详细地描述主体100。
主体100可以包括下部110、壁部130、以及上部150。在这样的情况下,下部110、壁部130、以及上部150可以是由相同的材料制成并且被集成地形成或者可以是由相同或者不同的材料制成,可以被单独地制造,并且然后可以被耦合在一起。
光源单元200和壁部130可以被布置在下部110上。具体地,光源单元200和壁部130可以被布置在下部110的顶表面上。在这样的情况下,光源单元200可以被布置在下部110的顶表面的中心部中。壁部130可以以围绕光源单元200的周围的方式被布置在下部110的顶表面的外部中。
下部110可以是单层或者多层的陶瓷板。在这样的情况下,如果下部110是单层的陶瓷板,则使用高温共烧陶瓷(HTCC)技术可以实现。在这样的情况下,在HTCC中,可以通过在1200℃或者更高的高温同时烧制可以形成陶瓷层。
如果下部110是多层的陶瓷板,则例如,可以通过HTCC或者低温共烧陶瓷(LTCC)形成。如果下部110是多层的陶瓷板,则层的厚度可以是相同的或者不同的,但是不限于此。如果下部110是由无机陶瓷材料制成,则尽管发射具有大约200~405nm的波长的深(deep)UV射线或者近(near)UV射线的光源单元被使用,但是在没有由于UV射线可以变色或者更改下部110的可能性的情况下能够保持可靠性。
下部110可以是由诸如氮化物或者氧化物的绝缘材料制成。例如,下部110可以包括SiO2、SixOy、Si3Ny、SiOxNy、Al2O3、或者AlN。
能够反射光的材料被淀积或者涂覆在下部110的顶表面上,特别地,其中光源单元200被布置的顶表面的中心部上,从而能够改进根据第一实施例的发光模块的光提取效率。
壁部130可以被布置在下部110的顶表面上。具体地,壁部130可以被布置在下部110的顶表面的外部中。壁部130可以与光源单元200间隔开预先确定的间隔并且可以被布置以围绕或者包围光源单元200的周围。例如,壁部130可以以诸如圆形或者多边形的形状以围绕或者包围光源单元200的周围的方式被布置在下部110的顶表面的外部中,并且形状不限于此。
壁部130可以包括暴露于外部的外壁和围绕光源单元200的内壁。内壁可以垂直于下部110的顶表面并且可以与下部110的顶表面形成钝角或者锐角。内壁可以涂覆或者淀积有能够容易地反射由光源单元200发射的光的材料。包括具有这样的光反射功能的内壁的壁部130可以改进根据第一实施例的发光模块的光提取效率。
像下部110一样,壁部130可以是包括单层或者多层的陶瓷层的陶瓷板。在这样的情况下,如果壁部130是多层的陶瓷板,则层的厚度可以是相同的或者不同的,但是不限于此。如果壁部130是由无机陶瓷材料制成,则尽管发射具有大约200~405nm的波长的深UV射线或者近UV射线的光源单元被使用,但是在没有由于UV射线可以变色或者更改下部130的可能性的情况下能够保持可靠性。
通过壁部130和下部110根据第一实施例的发光模块可以包括第一腔体135。第一腔体135可以是通过壁部130的内壁和下部110的顶表面形成的空间。光源单元200可以被布置在第一腔体135中。此外,腔体135可以是真空状态并且可以被填充有氮气(N2)或者合成气体(forming gas)。
上部150被布置在壁部130上。具体地,上部150可以被布置在壁部130的顶表面上。上部150可以被布置在壁部130的顶表面的外部上。
上部150引导光学构件400。具体地,上部150可以围绕光学构件400的侧面并且引导光学构件400。在这样的情况下,上部150的内表面可以与光学构件400的侧面间隔开预先确定的间隔或者可以接触光学构件400的侧面。取决于壁部130的形状,上部150可以具有诸如圆形或者多边形的形状,但是其不限于此。
像下部110或者壁部130一样,上部150可以是包括单层或者多层的陶瓷层的陶瓷板。在这样的情况下,如果壁部150是多层的陶瓷板,则层的厚度可以是相同的或者不同的,但是其不限于此。
通过上部150和壁部130根据第一实施例的发光模块可以包括第二腔体155。第二腔体155可以是通过上部150的内表面和壁部130的顶表面形成的空间。粘合构件300和光学构件400可以被布置在第二腔体155中。第二腔体155可以被形成在第一腔体135上。第二腔体155的宽度可以大于第一腔体135的宽度以便将光学构件400布置在光源单元200上。此外,第二腔体135的深度可以小于第一腔体135的深度。
在其中主体100,即,下部110、壁部130、以及上部150中的一个或者多个是由单层或者多层的陶瓷层制成的陶瓷板的情况下,尽管光源单元200的发光器件250发射具有大约200~405nm的波长的深UV射线,但是不存在由于UV射线主体100可能被变色或者更改的可能性。因此,根据第一实施例的发光模块能够根据UV射线确保可靠性。
在主体100中布置光源单元200。具体地,光源单元200可以被布置在下部110的顶表面上并且可以被布置在第一腔体135内。
光源单元200可以包括板210和发光器件250。
板210可以是导电板或者绝缘板,并且可以包括其中导热性和热膨胀的系数已经被合并的材料,诸如Si、SiC、或者AIN。
板210可以具有被印制在绝缘体上的电路图案,并且可以包括例如公共的印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性的PCB、或者陶瓷PCB。
板210的表面可以是由有效地反射光的材料制成或者可以被涂覆有通过其光被有效地发射的颜色,例如,白色或者银色。
发光器件250是发射UV射线的元件并且可以是使用例如3族-5族元素的半导体层的深UV LED或者近UV LED。此外,发光器件250可以是发射蓝色、绿色、红色以及白色中的一种或者多种的LED。
粘合构件300是被插入在光学构件400和主体100之间的粘合材料并且耦合光学构件400和主体100。
粘合构件300被布置在主体100和光学构件400之间。具体地,粘合构件300可以被布置在壁部130的顶表面上和在上部150的内表面上。当光学构件400被容纳在主体100的第二腔体155中时,粘合构件300可以接触光学构件400的侧面和底表面的一部分。
粘合构件300可以是有机材料。如果主体100是陶瓷板则有机材料的粘合构件300可以更加稳固地结合主体100和光学构件400。在这样的情况下,通过UV固化工艺有机材料的粘合构件300可以被固化,从而能够紧密地固定主体100和光学构件400。
光学构件400透射通过光源单元200发射的直接或者间接光。光学构件400可以简单地透射来自于光源单元200的光并且也可以扩散或者聚集光。
此外,光学构件400可以改变来自于光源单元200的光的波长。为此,光学构件400可以包括波长转换物质(substance),诸如荧光物质。
光学构件400可以是透光材料,例如,玻璃、聚碳酸酯(PC)、或者PMMA以便于透射来自于光源单元200的光。
光学构件400被布置在光源单元200上并且被耦合到主体100。具体地,光学构件400可以被布置在形成在其中光学单元200被布置的主体100的第一腔体135上的第二腔体155上。通过粘合构件300可以结合光学构件400的侧面和底表面的一部分,并且因此光学构件400可以被紧密地耦合到主体100。光学构件400的侧面可以被上部150围绕并且可以具有与上部150的内表面的直接接触。
在根据第一实施例的发光模块中,如在图3中所示,粘合构件300可以被从光源单元200的发光器件250发射的热变色或者更改,或者当光源单元200的发光器件250发射UV射线,特别地,深UV射线时,通过由发光器件250发射的深UV射线有机金属的粘合构件300可以被变色或者更改。粘合构件300的变色或者更改可以减少主体100和光学构件400之间的一致。这可能引起劣化根据第一实施例的发光模块的耐久性和可靠性的严重的问题。参考图4至图6在下面描述能够解决这样的问题的发光模块。
图4是根据第二实施例的发光模块的截面透视图,图5是在图4中示出的发光模块的光学构件和主体的分解透视图,并且图6是在图4中示出的发光模块的截面图。
参考图4至图6,根据第二实施例的发光模块能够防止归因于由发光器件250发射的热或者UV射线的粘合构件300’的变色或者更改。
根据第二实施例的光源模块包括主体100’、光源单元200、粘合构件300’、以及光学构件400。
在描述下面的图4至图6中示出的根据第二实施例的发光模块中,与在图1至图3中示出的根据第一实施例的发光模块的相同的元件被指配相同的附图标记。因此,具有相同的附图标记的元件的详细描述前述的内容被取代。
根据第二实施例的发光模块的主体100’包括下部110、壁部130、以及两个或者更多个上部160和170。为了方便描述,附图标记160被表示为第一上部,并且附图标记170被表示为第二上部。在第一上部160和第二上部170的描述之前,下面定义壁部130的顶表面。壁部130的顶表面可以包括其中第一上部160被布置的外部、其中第二上部170被布置的内部、以及其中粘合构件300’被布置的中间部。在这样的情况下,中间部意指在外部和内部之间布置的部分。
第一上部160被布置在壁部130上。具体地,第一上部160可以被布置在壁部130的顶表面的外部上。
第一上部160可以引导光学构件400。具体地,第一上部160可以围绕光学构件400的侧面并且引导光学构件160。
第一上部160可以包括外表面和内表面。在这样的情况下,内表面可以与壁部130的中间部分和第二上部170的外表面一起形成第二腔体155’。
第一上部160可以接触光学构件400。具体地,光学构件400的侧面可以接触第一上部160的内表面。如果光学构件400接触第一上部160,则第一上部160能够更加紧固地引导光学构件400。因此,因为在光学构件400和第一上部160之间没有形成特定的间隙,所以能够防止外来的物质或者水进入粘合构件300’。
第二上部170被布置在壁部130上。具体地,第二上部170被布置在壁部130的顶表面的内部上。此外,第二上部170被布置在光源单元200和粘合构件300’之间。
第二上部170可以接触光学构件400。更加具体地,第二上部170的顶表面可以接触光学构件400的底表面。当第二上部170接触光学构件400时,第二上部170能够稳固地支撑光学构件400。
因为第二上部170支撑光学构件400并且第一上部160紧固地引导光学构件400,所以光学构件400能够稳固地固定到主体并且被安装在主体中,并且归因于外来物质或者水的粘合构件的功能的减少能够被防止。
第二上部170可以包括外表面和内表面。在这样的情况下,内表面可以与下部110的顶表面和壁部130的内壁一起形成第一腔体135’。外表面可以与壁部130的中间部和第一上部160的内表面一起形成第二腔体155’。
第一腔体135’不同于根据第一实施例的发光模块的第一腔体135。具体地,通过下部110的顶表面、壁部130的内壁、以及第二上部170的内表面形成第一腔体135’。光源单元200被布置在第一腔体135’中。
第二上部170的内表面可以防止通过光源单元200发射并且直接朝着粘合构件300’发射的热和UV射线。因此,归因于热和UV射线的粘合构件300’的变色或者更改能够被阻挡。
像壁部130的内壁一样,第二上部170的内表面可以被涂覆或者淀积有能够容易地反射来自于光源单元200的光的材料。
像第一上部160一样,第二上部170可以是包括单层或者多层的陶瓷层的陶瓷板。此外,第二上部170可能已经与下部110、壁部130、以及第一上部160一起被集成和形成。
第二上部170的高度可能小于第一上部160的高度。在这样的情况下,第一上部160和第二上部170的高度意指从壁部130的顶表面到上部160和170中的每一个的顶表面的长度。
第一上部160和第二上部170可以不接触光学构件400。参考图7描述对此进行描述。
图7是根据第三实施例的发光模块并且示出在图6中示出的根据第二实施例的发光模块的修改示例。
在图7中示出的根据第三实施例的发光模块在第一上部160’和第二上部170’中不同于在图6中示出的根据第二实施例的发光模块。具体地,参考图7,第一上部160’可以与光学构件400间隔开预先确定的间隔。具体地,第一上部160’的内表面可以与光学构件400的侧面间隔开预先确定的间隔。
此外,第二上部170’可以与光学构件400间隔开预先确定的间隔。具体地,第二上部170’的顶表面可以与光学构件400的底表面间隔开预先确定的间隔。
在这样的情况下,预先确定的间隔可能是当光学构件400被安装在主体100’中时可以产生的窄的空间。然而,预先确定的间隔在本质上没有被形成,并且如果光学构件400被精确地装配(fit)到主体100’中则预先确定的间隔可以不被形成。
在图7中,第一上部160’和第二上部170’已经被图示为以预先确定的间隔与光学构件400分开,但是这仅是示例。第一上部160’和第二上部170’中的任意一个可以与光学构件400间隔开预先确定的间隔。
参考图6和图7,第二上部170或者170’的高度可以是至少50μm或者更多。如果第二上部170或170’的高度是50μm或者更多并且第二上部170或者170’是陶瓷板,则在第二上部170或者170’的制造工艺中存在有利效果。具体地,如果壁部130是由与第二上部170或者170’相同的材料制成的陶瓷板,则在没有使用用于制造第二上部170或者170’的单独的工艺的情况下形成多层结构的陶瓷壁部130的工艺中用于制造第二上部170或者170’的单个陶瓷层能够被附加地形成。即,能够与壁部130一起制造第二上部170或170’。在这样的情况下,50μm的高度是当形成多层结构的陶瓷板时通过当前工艺可以制造的单陶瓷层的最小厚度。因此,注意的是,随着形成陶瓷层的工艺的发展可以进一步减少高度。
第二上部170或者170’可以被称为延伸到第二腔体155’中的突出。因此,与根据第一实施例的发光模块的第二腔体155相比较,第二腔体155’可以具有通过突出170已经去除的形状部分。
在根据第二至第三实施例的发光模块中,通过发光器件250发射的热和UV射线由于第二上部170或者170’没有到达粘合构件300’。因此,根据第二至第三实施例的发光模块能够根据热和UV射线进一步改进耐久性和可靠性,因为它们能够防止归因于热和UV射线的粘合构件300’的变色和、或更改。
图8是根据第四实施例的发光模块并且示出在图6中示出的根据第二实施例的发光模块的修改示例。
与在图6中示出的根据第二实施例的发光模块相比较,在图8中示出的根据第四实施例的发光模块包括1)主体100”,该主体100”不具有第一上部160;和2)光学构件400’,该光学构件400’具有比光学构件400大的尺寸。
在图8中示出的根据第四实施例的发光模块优点在于,与在图6中示出的根据第二实施例的发光模块相比较,光提取区域被进一步增加,因为光学构件400’的侧面被向上延伸到壁部130的外壁,并且优点在于不要求附加的工艺,因为在图6中示出的第一上部160不需要被制造。此外,因为第一上部160不存在,所以光学构件400’和主体100”能够被更加紧固地固定,因为粘合构件300”能够被更多地使用。
上部170’可以与在图7中示出的第二上部170”相同。然而,这仅是示例,并且上部170’可以支撑光学构件400’,像在图6中示出的第二上部170一样。具体地,在图8中示出的上部170’的顶表面可以接触光学构件400’的底表面。
像在图6中示出的根据第二实施例的发光模块一样,在图8中示出的根据第四实施例的发光模块能够根据热和UV射线进一步改进耐久性,因为归因于热和UV射线的粘合构件300”的变色或/和更改能够被防止。
图9是根据第五实施例的发光模块的截面透视图,图10是示出在图9中示出的发光模块的主体和盖已经被分离的透视图,并且图11是在图9中示出的发光模块的截面图。
参考图9至图11,根据第五实施例的发光模块可以包括主体100”’、光源单元200、第一粘合构件300a、第二粘合构件300b、盖500、以及光学构件600。
光源单元200、第一粘合构件300a、第二粘合构件300b、盖500、以及光学构件400被布置在主体100”’中。具体地,光源单元200被容纳在主体100”’中,通过第一粘合构件300a和第二粘合构件300b,主体100”’和盖500被耦合,并且光学构件600被耦合到盖500。更加详细地描述主体100”’的结构。
主体100”’可以包括下部110和壁部130。在这样的情况下,下部110和壁部130与在图1至图8中示出的下部110和壁部130相同,并且因此其描述被省略。
第一粘合构件300a和第二粘合构件300b是被布置在主体100和盖500之间并且耦合主体100和盖500的粘合材料。更加具体地,第一和第二粘合构件300a和300b可以是用于通过共晶结合来密封主体100和盖500的物质。
第一粘合构件300a被布置在壁部130的顶表面中。在这样的情况下,第一粘合构件300a可以被布置在壁部130的整个顶表面中或者可以被布置在壁部130的顶表面的一部分中。
第一粘合构件300a可以是金属或者包括金属的物质。例如,第一粘合构件300a可以包括从由金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、铜(Cu)、以及铬(Cr)中组成的组中选择的任意一个。
第二粘合构件300b被布置在盖500的底表面中并且被布置在第一粘合构件300a上。在这样的情况下,第二粘合构件300b可以被布置在盖500的整个底表面中或者可以被布置在盖500的底表面的一部分中。
第二粘合构件300b可以是金属或者具有260℃或者更高的熔点的合金。具体地,第二粘合构件300b可以是包括金(Au)的单片金属。此外,第二粘合构件300b可以是包括从由锡(Sn)、锗(Ge)、硅(Si)、以及锑(Sb)和金(Au)组成的组中选择的任意一个的合金。此外,第二粘合构件300b可以是包括从由铅(Pb)和银(Ag)和锡(Sn)组成的组中选择的任意一个的合金。如在<表1>中一样详细地描述可以被用作第二粘合构件300b的前述的金属或者合金的特性。
[表1]
第一粘合构件300a和第二粘合构件300b的位置可能被颠倒。即,第一粘合构件300a可以被布置在第二粘合构件300b上。
如果第一粘合构件300a和第二粘合构件300b被使用,则主体100和盖500可以通过共晶结合被耦合。根据这样的共晶结合,存在的优点在于主体100和盖500能够被紧固地耦合。
盖500被布置在主体100”’上,并且通过第一和第二粘合构件300a和300b被耦合到主体100”’。
盖500可以不透射通过光源单元200发射的光并且可以包括透射光的单独的开口。在这样的情况下,开口可以被形成在盖500的中心部中,并且光学构件600可以被布置在开口中。
盖500可以是金属物质,并且可以是难以通过UV射线变色或者更改的物质。例如,盖500可以是包括诸如铁(Fe)或者镍(Ni)的金属物质的单片金属或者包括诸如铁(Fe)和镍(Ni)的金属物质的合金。例如,盖500可以是柯伐(Kovar)。
能够容易地反射通过光源单元200的发光器件250发射的光的物质可以被淀积或者涂覆在盖500上。具体地,能够容易地反射光的物质可以被淀积或者涂覆在盖500的底表面和定义开口的内表面上。
光学构件600被布置在光源单元200上并且被耦合到盖500。具体地,光学构件600可以被布置在发光器件250上并且可以被布置在盖500的开口中。
光学构件600透射通过光源单元200发射的直接或者间接的光。光学构件600可以简单地透射来自于光源单元200的光并且也可以扩散或者聚集光。
光学构件600可以是由透明材料和非反射涂膜形成使得在没有吸收光的情况下其外部地透射通过光源单元200产生的光。例如,光学构件600可以是由包括SiO2(石英、UV石英玻璃)、Al2O3(蓝宝石)、LiF、MgF2、CaF2、低铁透明玻璃、以及B2O3的玻璃材料、聚碳酸酯(PC)、以及PMMA中的任意一个制成。
此外,光学构件600可以改变来自于光源单元200的光的波长。为此,光学构件600可以包括波长转换物质,诸如荧光物质。
当在特定的压力和温度或者更低的压力和温度下通过共晶结合工艺耦合根据第五实施例的发光模块的主体100”’和盖500时,如果第二粘合构件300b是包括两片金属的合金,则其中属于两片金属并且是更加不稳定的一片金属(例如,被更加容易地蒸镀和氧化的金属)粘附到光源单元200的发光器件250的发光表面的现象(或者飞溅现象)可以被产生。这样的现象可以劣化发光模块的光提取效率,因为其减少发光器件250的发光表面的发光区域。因此,下面参考图12至图14描述能够解决这样的问题的发光模块。
图12是根据第六实施例的发光模块的截面透视图,图13是示出在图12中示出的发光模块的主体和盖已经被分离的透视图,并且图14是在图12中示出的发光模块的截面图。
参考图12至图14,根据第六实施例的发光模块能够防止其中形成第二粘合构件300b的一片或者多片金属粘附到发光器件250的现象。
根据第六实施例的发光模块包括主体100””、光源单元200、第一和第二粘合构件300a和300b、盖500’、以及光学构件600。
在下面描述在图12至图14中示出的根据第六实施例的发光模块中,与在图9至图12中示出的根据第六实施例的发光模块的相同的元件被指配相同的附图标记。因此,具有相同的附图标记的元件的详细描述被前述内容取代。
根据第六实施例的发光模块的主体100””包括下部110、壁部130、以及上部150。
上部150被布置在壁部130上。具体地,上部150可以被布置在壁部130的顶表面的一部分中。上部150可以被布置在壁部130的顶表面的内部上。在这样的情况下,壁部130的顶表面可以包括内部和外部。
此外,上部150可能已经从壁部130向上突出。例如,上部150可以从壁部130突出到盖500的方向。取决于壁部130的形状,上部150的形状可以是诸如圆形或者多边形的形状,但是不限于此。
像下部110或者壁部130一样,上部150可以是包括单层或多层的陶瓷层的陶瓷板。在这样的情况下,如果壁部150是多层的陶瓷板,则层的厚度可以是相同的或不同的,但是不限于此。
主体100””可以包括腔体135’。腔体135’可以是通过上部150的内表面、壁部130的内壁、以及下部110的顶表面形成的空白空间。光源单元200可以被布置在腔体135’内。
盖510’可以包括盖部510和突出530。
盖部510可以具有与在图9至图12中示出的盖500相同的形状。
突出530可能已经向下突出或者从盖部510的底表面延伸。具体地,突出530可能已经从盖部510的底表面的外部突出或者延伸到壁部130的顶表面的外部。
盖500’的突出530被布置在主体100””的壁部130上并且被布置在主体100””的上部150的侧面上。此外,第一和第二粘合构件300a和300b被布置在盖500’的突出530和主体100””的壁部130之间。
当主体””和盖500’被经历共晶结合时根据第六实施例的发光模块能够防止形成第二粘合构件300b的一片或者多片金属事先移动到发光器件250,因为主体””的上部150被布置在第二粘合构件300b和发光器件250之间。因此,根据第六实施例的发光模块具有的优点在于在共晶结合之后通过第二粘合构件300b没有减少光提取效率。此外,根据第六实施例的发光模块能够防止第一和第二粘合构件300a和300b的变色或者更改,因为其能够阻挡通过光源单元200发射的热和UV射线。
上部150可以支撑盖500’。参考图15对此进行描述。
图15是根据第七实施例的发光模块并且示出在图14中示出的上部150的修改示例。
不同于在图14中示出的上部150,在图15中示出的上部150’可以支撑盖500’。具体地,上部150’的顶表面可以接触盖500’的盖部510的底表面。如果上部150’支撑如上所述的盖500’,则第一和第二粘合构件300a和300b可以具有先前设计的高度(厚度)。这可能在诸如下述示例的情况下是有用的。例如,如在图14中所示,如果上部150没有支撑盖500’,则当盖500’和主体100””被耦合时,通过被施加到盖500’的特定的压力,盖500’的突出530可以变成非常靠近主体100””的壁部130。在这样的情况下,通过压力第一和第二粘合构件300a和300b的部分可以在壁部130的外壁和突出530的外壁或者上部150和盖部510之间溢出。这可以是第一和第二粘合构件300a和300b的不必要的浪费,并且如果第一和第二粘合构件300a和300b的一部分在上部150和盖部510之间溢出则前述问题可能发生。因此,如果上部150’支撑如在图15中所示的盖500’,则第一和第二粘合构件300a和300b的不必要地浪费能够被消除,并且前述的问题能够被防止。
此外,根据第七实施例的发光模块能够防止第一和第二粘合构件300a和300b的变色或者更改,因为其能够阻挡通过光源单元200发射的热和UV射线。
为了支撑盖500’,上部150’的高度大于突出530的高度。更加具体地,上部150’的高度可以与突出530的高度以及第一和第二粘合构件300a和300b的高度的总和相同。
图16是根据第八实施例的发光模块并且示出在图14中示出的根据第六实施例的发光模块的修改示例。
在图16中示出的根据第八实施例的发光模块在主体100””’的上部150”的位置和盖500”的突出530’的位置中不同于在图14中示出的根据第六实施例的发光模块。
具体地,在图16中示出的根据第八实施例的发光模块的主体100””’的上部150”被布置在壁部130的顶表面的外部上,并且盖500”的突出530’被布置在盖部510的底表面的内部上。
盖500”的突出530’被布置在主体100””’的壁部130上并且被布置在主体100””’的上部150”的侧面上。此外,第一和第二粘合构件300a和300b被布置在主体100””’的上部150”和盖500”的盖部510之间。
当主体100””’和盖500”被经历共晶结合时根据第八实施例的发光模块能够防止形成第二粘合构件300b的一片或者多片金属事先移动到发光器件250,因为盖500”的突出530’被布置在第一和第二粘合构件300a和300b和发光器件250之间。因此,像根据第六实施例的发光模块一样,根据第八实施例的发光模块具有的优点在于在共晶结合之后通过第二粘合构件300b没有减少光提取效率。
此外,根据第八实施例的发光模块可以防止第一和第二粘合构件300a和300b的变色或者更改,因为其能够阻挡通过光源单元200发射的热和UV射线。
在图16中示出的突出530’的高度可能大于上部150”的高度,以便于防止第一和第二粘合构件300a和300b的不必要的浪费。更加具体地,突出530’的高度可以与上部150”的高度以及第二粘合构件300a和300b的高度的总和相同。
图17是根据第九实施例的发光模块并且示出在图14中示出的根据第六实施例的发光模块的修改示例。
在图17中示出的根据第九实施例的发光模块在主体100”””的上部151和153和盖500”’的突出530”中不同于在图14中示出的根据第六实施例的发光模块。
具体地,在图17中示出的根据第九实施例的发光模块的主体100”””的上部151和153包括第一上部151和第二上部153。
第一和第二上部151和153被布置在壁部130的顶表面上。第一上部151和第二上部153被相互分开。主体100”””可以包括凹槽155,因为第一上部151和第二上部153被相互分开。第一和第二上部151和153可能已经从壁部130的顶表面被向上突出。
第一上部151被布置在壁部130的顶表面的外部上,并且第二上部153被布置在壁部130的顶表面的内部上。
盖500”’包括盖部510和突出530”。突出530”可能已经从盖部510的底表面的中间部被向下突出。在这样的情况下,盖部510的底表面的中间部指的是在盖部510的底表面的内部和外部之间的部分。
突出530”被布置在主体100”””的第一上部151和主体100”””的第二上部153之间。此外,突出530”可以被布置在主体100”””的壁部130的顶表面的中间部中。在这样的情况下,壁部130的顶表面的中间部指的是在壁部130的顶表面的内部和外部之间的部分。
第一和第二粘合构件300a和300b被布置在主体100”””的第二上部153(或者凹槽155)和第一上部151与盖500”’的突出530”之间。
当主体100”””和盖500”’被经历共晶结合时根据第九实施例的发光模块能够防止形成第二粘合构件300b的一片或者多片金属事先移动到发光器件250,因为主体100”””的第二上部153被插入在第一和第二粘合构件300a和300b与发光器件250之间。因此,像根据第六实施例的发光模块一样,根据第九实施例的发光模块具有的优点在于,在共晶结合之后通过第二粘合构件300b没有减少光提取效率。此外,根据第九实施例的发光模块可以防止第一和第二粘合构件300a和300b的变色或者更改,因为其能够阻挡通过光源单元200发射的热和UV射线。此外,根据第九实施例的发光模块能够防止归因于外部尘土或者湿气的第一和第二粘合构件300a和300b的更改,因为第一和第二粘合构件300a和300b没有被暴露于外部,不同于根据第七和第八实施例的发光模块。
同时,在图17中示出的第一和第二上部151和153的高度可以大于突出530”的高度以便于防止第一和第二粘合构件300和400的不必要的浪费并且支撑盖500”’。更加具体地,第一和第二上部151和153的高度可以是突出530”的高度与第一和第二粘合构件300a和300b的高度的总和。
同时,根据第六至第八实施例的发光模块的上部150、150’或者150”的高度和根据第九实施例的发光模块的上部151和153的高度中的每一个可以是至少50μm或更多。如果上部150、150’、150”、151、或者153的高度是50μm或更多并且上部150、150’、150”、151、或者153是陶瓷板,则在制造上部150、150’、150”、151、或者153的工艺中存在有利效果。具体地,如果壁部130是与上部150、150’、150”、151、或者153相同的材料的陶瓷板,则在没有使用用于制造上部150、150’、150”、151、或者153的单独的工艺的情况下形成多层结构的陶瓷壁部130的工艺中能够另外形成用于制造上部150、150’、150”、151、或者153的单陶瓷层。即,通过单个工艺上部150、150’、150”、151、或者153能够与壁部130同时形成。在这样的情况下,50μm的高度是当形成多层结构的陶瓷板时通过当前工艺可以制造的单陶瓷层的最小厚度。因此,要注意的是,随着形成陶瓷层的工艺的发展可以进一步减少高度。
已经主要地描述了实施例,但是它们仅是示例。在本发明属于的本领域的技术人员可以理解,在没有脱离本实施例的重要特性的情况下在上面没有描述的各种修改和应用是可能的。例如,在实施例中描述的每个要素可以被修改和实现。与这样的修改和应用有关的不同应被解释为落入通过随附的权利要求定义的本发明的范围内。

Claims (21)

1.一种发光模块,包括:
光源单元,所述光源单元包括发光器件;
主体,所述主体包括其中所述光源单元被布置的下部;壁部,所述壁部被布置在所述下部上并且围绕所述光源单元;以及上部,所述上部被布置在所述壁部上;
光学构件,所述光学构件被布置在所述光源单元上并且透射来自于所述发光器件的光;以及
粘合构件,所述粘合构件被布置在所述主体的壁部和所述光学构件之间,用于耦合所述主体和所述光学构件,
其中,所述上部包括沟槽,所述沟槽被布置在所述壁部的顶表面上,
其中,所述发光器件发射具有200nm~405nm的波长的UV射线,
其中,所述粘合构件被布置在所述上部的外部上使得能够防止所述粘合构件由于所述发光器件发射的热和UV射线而变色和/或更改,
其中,所述主体的上部和所述光学构件相互接触,或者形成在所述主体的上部和所述光学构件之间的间隙,
其中,所述主体具有通过所述壁部的内壁和所述下部的顶表面形成的空间,
其中,所述主体是由多层的陶瓷层制成,以及
其中,所述粘合构件包括有机材料。
2.根据权利要求1所述的发光模块,其中:
所述壁部的顶表面包括内部和外部,
所述主体的上部被布置在所述壁部的顶表面的内部上,并且
所述粘合构件被布置在所述壁部的顶表面的外部上。
3.根据权利要求2所述的发光模块,其中,所述光学构件被布置在所述主体的上部和所述粘合构件上。
4.根据权利要求1所述的发光模块,其中:
所述光学构件包括顶表面和底表面,
所述光学构件的底表面接触所述主体的上部,或者所述光学构件的底表面与所述主体的上部被间隔开预先确定的间隔,
所述底表面是平坦的。
5.根据权利要求1所述的发光模块,其中:
所述壁部的顶表面包括内部、中间部、以及外部,
所述主体的上部包括:第一上部,所述第一上部被布置在所述壁部的顶表面的外部上;和第二上部,所述第二上部被布置在所述壁部的顶表面的内部上,并且
所述粘合构件被布置在所述壁部的顶表面的中间部上。
6.根据权利要求5所述的发光模块,其中,所述主体的第二上部接触所述光学构件。
7.根据权利要求6所述的发光模块,其中:
所述光学构件包括侧面,并且
所述光学构件的侧面接触所述主体的第一上部。
8.根据权利要求5所述的发光模块,其中:
所述光学构件包括顶表面和底表面,
所述光学构件的底表面与所述主体的第二上部被间隔开预先确定的间隔,并且
所述粘合构件支撑所述光学构件。
9.根据权利要求8所述的发光模块,其中:
所述光学构件包括被布置在所述顶表面和所述底表面之间的侧面,并且
所述光学构件的侧面与所述主体的第一上部被间隔开预先确定的间隔。
10.根据权利要求5所述的发光模块,其中:
所述第二上部的高度小于所述第一上部的高度,
所述第一上部引导所述光学构件,并且
所述第二上部支撑所述光学构件。
11.根据权利要求10所述的发光模块,其中,所述第二上部的高度至少是50μm或者更多。
12.一种发光模块,包括:
光源单元,所述光源单元包括发光器件;
光学构件,所述光学构件被布置在所述光源单元上;
主体,所述主体包括其中所述光源单元被布置的第一腔体和其中所述光学构件被布置的第二腔体;以及
粘合构件,所述粘合构件被布置在所述第二腔体内并且耦合所述光学构件和所述主体,
其中,所述第二腔体的宽度大于所述第一腔体的宽度,
所述主体包括被布置在所述第二腔体内的突出以围绕所述光源单元,
其中,所述发光器件发射具有200nm~405nm的波长的UV射线,
其中,所述粘合构件被布置在所述突出的外部上使得能够防止所述粘合构件由于所述发光器件发射的热和UV射线而变色和/或更改,
其中,所述主体的突出和所述光学构件相互接触,或者形成在所述主体的突出和所述光学构件之间的间隙,以及
其中,所述粘合构件包括有机材料。
13.根据权利要求12所述的发光模块,其中,所述第二腔体的深度小于所述第一腔体的深度。
14.一种发光模块,包括:
光源单元,所述光源单元包括发光器件;
主体,所述主体包括其中所述光源单元被布置的下部;壁部,所述壁部被布置在所述下部上并且围绕所述光源单元;以及上部,所述上部被布置在所述壁部上;
光学构件,所述光学构件被布置在所述光源单元上并且透射来自于所述发光器件的光;
盖,所述盖包括其中所述光学构件被布置的开口并且被布置在所述主体的壁部和上部上;以及
粘合构件,所述粘合构件被布置在所述主体的壁部和所述盖之间,用于耦合所述主体和所述盖,
其中,所述上部被布置在所述壁部的顶表面上以围绕所述光源单元,
其中,所述发光器件发射具有200nm~405nm的波长的UV射线,
其中,所述粘合构件被布置在所述上部的外部上使得能够防止所述粘合构件由于所述发光器件发射的热和UV射线而变色和/或更改,
其中,所述主体的上部和所述光学构件彼此接触,或者形成在所述主体的上部和所述光学构件之间的间隙,以及
其中,所述粘合构件包括有机材料。
15.根据权利要求14所述的发光模块,其中:
所述盖包括盖部,所述盖部具有开口和突出,所述突出从所述盖部延伸到所述主体的壁部,
所述粘合构件被布置在所述盖的突出和所述主体的壁部之间,并且
所述上部的高度大于所述突出的高度。
16.根据权利要求14所述的发光模块,其中:
所述主体的上部包括第一上部和第二上部,
所述粘合构件被布置在所述第一上部和所述第二上部之间,并且
所述第二上部被布置在所述发光器件和所述粘合构件之间。
17.根据权利要求16所述的发光模块,其中:
所述盖包括盖部,所述盖部具有所述开口和突出,所述突出从所述盖部延伸到所述主体的壁部,并且
所述第一上部和所述第二上部的高度大于所述突出的高度。
18.一种发光模块,包括:
光源单元,所述光源单元包括发光器件;
主体,所述主体包括其中所述光源单元被布置的下部;和壁部,所述壁部被布置在所述下部上并且围绕所述光源单元;
光学构件,所述光学构件被布置在所述光源单元上并且透射来自于所述发光器件的光;
盖,所述盖包括盖部,所述盖部具有其中所述光学构件被布置的开口;和突出,所述突出从所述盖部突出到所述主体的壁部;以及
粘合构件,所述粘合构件被布置在所述主体的壁部和所述盖部之间,用于耦合所述主体和所述盖,
其中,所述盖的突出围绕所述光源单元,
其中,所述发光器件发射具有200nm~405nm的波长的UV射线,
其中,所述粘合构件被布置在所述突出的外部上使得能够防止所述粘合构件由于所述发光器件发射的热和UV射线而变色和\或更改,以及
其中,所述粘合构件包括有机材料。
19.根据权利要求18所述的发光模块,其中,所述主体的壁部支撑所述盖的突出。
20.根据权利要求18所述的发光模块,其中,所述粘合构件包括:
第一粘合构件,所述第一粘合构件包括从由金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、铜(Cu)、以及铬(Cr)组成的组中选择的任何一个;和
第二粘合构件,所述第二粘合构件包括从由锡(Sn)、锗(Ge)、硅(Si)、锑(Sb)以及金(Au)组成的组中选择的任意一个的合金或者包括从由铅(Pb)、银(Ag)以及锡(Sn)组成的组中选择的任意一个的合金。
21.根据权利要求1至20中的任意一项所述的发光模块,其中,所述光学构件包括荧光物质。
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140039740A (ko) * 2012-09-25 2014-04-02 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR102221598B1 (ko) * 2014-06-16 2021-03-02 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
JP6765804B2 (ja) * 2014-11-28 2020-10-07 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
EP3038173B1 (en) * 2014-12-23 2019-05-22 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device
KR102309671B1 (ko) * 2015-01-30 2021-10-07 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지 및 조명 장치
CN104851904B (zh) * 2015-05-13 2018-01-19 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
CN105161515B (zh) * 2015-08-11 2018-03-23 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其封装方法、显示装置
JP6668022B2 (ja) * 2015-09-17 2020-03-18 日機装株式会社 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法
CN106848031A (zh) * 2015-12-04 2017-06-13 财团法人工业技术研究院 紫外光发光二极管的封装结构
JP6623968B2 (ja) 2016-08-03 2019-12-25 信越化学工業株式会社 光学素子パッケージ用窓材、光学素子パッケージ、それらの製造方法、及び光学素子用パッケージ
KR101856481B1 (ko) * 2016-11-04 2018-05-10 (주)포인트엔지니어링 광 디바이스용 기판 및 그 제조방법 및 광 디바이스
KR101827988B1 (ko) * 2016-11-04 2018-02-12 (주)포인트엔지니어링 광 디바이스용 기판 및 그 제조방법 및 광 디바이스
JP2018085463A (ja) * 2016-11-24 2018-05-31 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び半導体発光ユニット
JP6970685B2 (ja) * 2017-04-06 2021-11-24 日本碍子株式会社 光学部品及び透明体
CN107369755A (zh) * 2017-07-27 2017-11-21 旭宇光电(深圳)股份有限公司 紫外led封装结构
WO2019059047A1 (ja) * 2017-09-20 2019-03-28 岩崎電気株式会社 発光装置、照明装置、及び発光装置の製造方法
JP7245003B2 (ja) * 2018-06-15 2023-03-23 日機装株式会社 半導体発光装置
CN112470295A (zh) * 2018-07-27 2021-03-09 Agc株式会社 光学封装体
JP7184599B2 (ja) * 2018-11-06 2022-12-06 ローム株式会社 半導体発光装置
JP2021077692A (ja) * 2019-11-06 2021-05-20 日本碍子株式会社 パッケージ及び透明封止部材
US11515220B2 (en) * 2019-12-04 2022-11-29 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package structures and methods of manufacturing the same
CN111244249A (zh) * 2020-03-04 2020-06-05 宁波升谱光电股份有限公司 一种发光组件的密封器件及其制作方法、发光组件
CN112652695B (zh) * 2021-01-14 2023-01-10 泉州三安半导体科技有限公司 一种led发光装置及其制造方法
WO2022260174A1 (ja) * 2021-06-11 2022-12-15 シチズン電子株式会社 発光装置
US11942395B2 (en) * 2021-11-24 2024-03-26 Ciena Corporation Apparatus for protecting a stack of electronic components and method of the same
WO2023222483A1 (en) * 2022-05-18 2023-11-23 Ams-Osram International Gmbh Optoelectronic device and method for manufacturing an optoelectronic device

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003021770A (ja) * 2001-07-09 2003-01-24 Sony Corp 対物レンズ、対物レンズの製造方法、光学ピックアップ装置及び記録再生装置
JP2005093494A (ja) * 2003-09-12 2005-04-07 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP4504056B2 (ja) * 2004-03-22 2010-07-14 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法
KR100565841B1 (ko) 2004-03-25 2006-03-30 서울반도체 주식회사 발광 다이오드
JP4598432B2 (ja) * 2004-05-12 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 電子部品及びその製造方法
DE102004045947A1 (de) * 2004-06-30 2006-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
US7307391B2 (en) * 2006-02-09 2007-12-11 Led Smart Inc. LED lighting system
JP2007250817A (ja) * 2006-03-16 2007-09-27 Stanley Electric Co Ltd Led
JP2007250979A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Zeniya Sangyo Kk 半導体パッケージ
JP2008034787A (ja) * 2006-06-30 2008-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法、並びに半導体装置およびその製造方法
US8044418B2 (en) * 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
US8735920B2 (en) * 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
EP2078736A1 (en) * 2006-10-31 2009-07-15 Techno Polymer Co., Ltd. Heat-dissipating resin composition, substrate for led mounting, reflector, and substrate for led mounting having reflector portion
DE102007041133A1 (de) * 2007-08-30 2009-03-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse mit einem Gehäuseunterteil, sowie Verfahren zur Aussendung elektromagnetischer Strahlung
CN101515053A (zh) * 2008-02-18 2009-08-26 一诠精密工业股份有限公司 透镜模组及发光装置
US7923746B2 (en) * 2008-03-12 2011-04-12 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode package structure and method for fabricating the same
TW201115775A (en) * 2009-10-19 2011-05-01 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting diode package structure
KR101565988B1 (ko) * 2009-10-23 2015-11-05 삼성전자주식회사 적색형광체, 그 제조방법, 이를 이용한 발광소자 패키지, 조명장치
JP5497520B2 (ja) * 2010-04-14 2014-05-21 株式会社小糸製作所 発光モジュールおよび光波長変換部材
CN102315361A (zh) * 2010-07-06 2012-01-11 盈胜科技股份有限公司 应用于发光二极管封装结构的具有荧光层的光学透镜
JP2012038999A (ja) 2010-08-10 2012-02-23 Seiko Instruments Inc 発光デバイス及びその製造方法
JP2012074423A (ja) * 2010-09-27 2012-04-12 Panasonic Electric Works Sunx Co Ltd Ledモジュール
JP2012094611A (ja) * 2010-10-26 2012-05-17 Panasonic Corp 照明装置
KR101789825B1 (ko) * 2011-04-20 2017-11-20 엘지이노텍 주식회사 자외선 발광 다이오드를 이용한 발광소자 패키지
JP5890233B2 (ja) * 2011-05-19 2016-03-22 ローム株式会社 Ledモジュールおよびイメージセンサモジュール
JP5746919B2 (ja) * 2011-06-10 2015-07-08 新光電気工業株式会社 半導体パッケージ
JP2013078102A (ja) * 2011-06-17 2013-04-25 Rohm Co Ltd イメージセンサモジュール
KR101850432B1 (ko) * 2011-07-11 2018-04-19 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈
WO2013061511A1 (ja) * 2011-10-27 2013-05-02 パナソニック株式会社 発光装置
KR101959035B1 (ko) * 2011-10-31 2019-03-18 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
US9240524B2 (en) * 2012-03-05 2016-01-19 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
KR101516358B1 (ko) * 2012-03-06 2015-05-04 삼성전자주식회사 발광 장치
US9274359B2 (en) * 2012-06-20 2016-03-01 Apple Inc. Electronic device display chassis
US9634214B2 (en) * 2012-11-05 2017-04-25 Ledengin, Inc. Graphite-containing substrates for LED packages

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