JP2008091855A - 照明装置 - Google Patents

Abstract

【課題】白色光を効率よく取出すことができるとともに、光源のつぶつぶ感を軽減できる照明装置を提供する。
【解決手段】請求項１の照明装置は、透光性素子基板および透光性素子基板の一面側設けられた半導体発光層を有してなる半導体発光素子２と；前記透光性素子基板の他面側に設けられ、前記半導体発光素子から放射された光を導入するガラス基板３と；ガラス基板に設けられた導電体２１と；前記ガラス基板と前記透光性素子基板の他面を接着する接着剤４と；前記半導体発光素子を覆うとともに半導体発光素子間に位置する部分に変曲点が形成され、半導体発光素子の側面および前記透光性素子基板と反対側から放射された光を前記ガラス基板方向に反射する曲面状反射部材５と；前記ガラス基板の表面を覆うように設けられ、前記半導体発光素子から放出された一次光を波長変換して異なる波長の二次光を出す蛍光体７と；を具備する。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＬＥＤ等の半導体発光素子を光源として白色光を得る照明装置に関する。

従来、サファイアのような透光性基板の裏面に半導体発光層を積層して、この発光層から放出された光を透光性基板の表面から取出すＬＥＤチップ（半導体発光素子）が知られている（例えば、特許文献１参照。）。

このＬＥＤチップは、半導体発光層が有したｐ側とｎ側の電極が、半導体発光層の透光性基板と反対面側に設けられているので、ダブルワイヤー型の半導体発光素子と称されている。この種のＬＥＤチップは、その両電極が光の取出し経路中に配置されていないから、電極による光の損失がない点で優れている。又、特許文献１に記載のＬＥＤチップの半導体発光層からは、透光性基板が位置する半導体発光層の表側方向に光が放出される他、半導体発光層の裏側方向にも光が放出される。これらの両方の光の内で、後者の光を利用する技術について特許文献１では、半導体発光層の最も外側に位置した絶縁膜の外面に金属膜を蒸着して、この金属膜によって前記後者の光を反射させている。
特開２００３−３４７５８９号公報

特許文献１にはＬＥＤチップを光源とする照明装置については記載がない。照明装置を構成する場合、ＬＥＤチップを複数設けて照明に必要な光量を確保しなければならない。この場合、所定のパターンでリードが設けられた実装用基板上に各ＬＥＤチップを夫々実装する技術として、例えばボール状の半田バンプをダブルワイヤー型のＬＥＤチップの両電極に夫々取付け、この半田バンプを加熱処理により実装用基板のリードに接続する技術が考えられている。しかし、ボール状の半田バンプの形成には高いコストが必要であるので、こうしたボール状の半田バンプを要しない他の手法が求められている。

しかも、複数のＬＥＤチップを光源とする照明装置では、夫々のＬＥＤチップの透光性素子基板が個々に光る。そのため、照明装置の光出射面において点状のＬＥＤチップの一つ一つが独立した光点として視認され、つぶつぶ感を与えるので、こうしたことがないようにすることが照明器具としては望まれる。

更に、特許文献１のＬＥＤチップは、その半導体発光層から放出された光を、波長変換して異なる波長の光として取出すものではなく、発光色そのままで照明している。白色光により照明を行う照明器具の光源装置としては、一般的には、ＬＥＤチップが青色発光するものであれば、黄色光を発光する蛍光体を樹脂に混ぜて蛍光体を設けることにより、青色光と黄色光が混色されて白色光にする等の工夫が必要である。

本発明は、白色光を効率よく取出すことができるとともに、光源のつぶつぶ感を軽減できる照明装置を提供することを目的とする。

請求項１に記載された発明は、透光性素子基板および透光性素子基板の一面側設けられた半導体発光層を有してなる半導体発光素子と；前記透光性素子基板の他面側に設けられ、前記半導体発光素子から放射された光を導入するガラス基板と；ガラス基板に設けられた導電体と；前記ガラス基板と前記透光性素子基板の他面を接着する接着剤と；前記半導体発光素子を覆うとともに半導体発光素子間に位置する部分に変曲点が形成され、半導体発光素子の側面および前記透光性素子基板と反対側から放射された光を前記ガラス基板方向に反射する曲面状反射部材と；前記ガラス基板の表面を覆うように設けられ、前記半導体発光素子から放出された一次光を波長変換して異なる波長の二次光を出す蛍光体と；を具備することを特徴とする。

請求項２に記載された発明は、請求項１記載の照明装置において、前記曲面状反射部材とガラス基板との間には、ガラス基板の屈折率と近似する屈折率を有する封止部材が配設されていることを特徴とする。

請求項３に記載された発明は、請求項１記載の照明装置において、曲面状反射部材を形成する曲線はインボリュート曲線の一部を組み合わせたものであり、組み合わせ接続部は前記半導体発光素子配置位置の延長上であることを特徴とする。

前記請求項の発明では、半導体発光素子の半導体発光層から透光性素子基板側に放射された光は、ガラス基板内部に導入される。また、半導体発光素子の側面および前記透光性素子基板と反対側から放射された光は、曲面状反射部材により前記ガラス基板方向に反射される。さらに、曲面状反射部材の変曲点を形成する反射曲面は、半導体発光素子間に位置し、この反射曲面で反射する光もガラス基板に導入している。そして、ガラス基板には半導体発光素子の光が満遍なく導入され、この光がガラス基板上に形成されている蛍光体に照射され、蛍光体は発光する。

すなわち、各半導体発光素子から放出された一次光はガラス基板を透過する際に、光の一部がガラス基板界面（基板表面と基板裏面）で屈折することに基づき、ガラス基板全体が明るく光る。そして、蛍光体に一次光が当たることにより、蛍光体が波長変換して発光した異なる波長の二次光と、蛍光体に当たることなく透過した一次光とが、被照射対象に向けて照射される。そのため、補色関係にある２色の混合によって白色光となる。これにより、点状をなす複数の光源によるつぶつぶ感を軽減できる。

半導体発光素子は、いわゆるダブルワイヤー型のものであってもよい。特に同型の窒化物半導体を好適に用いることができる他、半導体発光素子として同型のＩＩＩ−Ｖ族系化合物半導体、同型のＩＩ−ＩＶ族系化合物半導体、同型のＩＶ−ＶＩ族系化合物半導体等を用いることも可能である。又、半導体発光素子の透光性素子基板には、例えばサファイア、石英、ＳｉＣ，ＧａＩＮ等の結晶基板を用いることができ、特にサファイア基板を用いることは、４００ｎｍ未満の波長の透過率が高く半導体発光層からの放出された光を殆ど吸収することなくサファイア基板の外部に取出すことができる点で好ましい。

請求項２の発明では、曲面状反射部材とガラス基板との間には、ガラス基板と近似する屈折率を有する封止部材が配設されており、ガラス基板と封止部材との界面においてガラス基板に導入する光が屈折することなく導入される。したがって、光取り出し効率を低下させることがない。

請求項３の発明では、曲面状反射部材の反射面はインボリュート曲線で表されるようになっているので、半導体発光素子に外接する仮想円の接線方向から出た光線は同経路に反射され、理論上、半導体発光素子に光が戻らず効率的に反射させることができる。なお、インボリュート曲線とは、定円に糸を巻きつけて、糸の端を引っぱりながらほどくとき、その糸の先端が描く曲線である。パラメータ表示では一般的にx=a(cosθ+θsinθ),y=a(sinθ-θcosθ)で表される。

請求項１〜３の発明によれば、白色光を効率よく取出すことができるとともに、光源のつぶつぶ感を軽減できる。

本発明の第１実施形態について図面を参照して説明する。図において符号１はＬＥＤパッケージを形成する照明装置を示している。照明装置１は、複数の半導体発光素子２と、ガラス基板３と、接着剤４と、曲面状反射部材５と、封止部材６と、蛍光体７とを備えている。半導体発光素子２は、例えば窒化物半導体を用いてなるダブルワイヤー型のＬＥＤチップであって、透光性を有する電気絶縁性の素子基板１１の裏面に半導体発光層１２を積層して形成されている。透光性素子基板１１は例えばサファイア基板で作られている。

図２に示されるように半導体発光層１２は、透光性素子基板１１の一面側である裏面上に、バッファ層１３、ｎ型半導体層１４、発光層１５、ｐ型クラッド層１６、ｐ型半導体層１７を順次積層して形成されている。発光層１５は、バリア層とウエル層を交互に積層した量子井戸構造をなしている。ｎ型半導体層１４上の一部にｎ側電極１８が設けられているとともに、ｐ型半導体層１７上にｐ側電極１９が設けられている。ｐ側電極１９はその一部にボンディングパッド１９ａを有している。更に、半導体発光層１２の表面はＳｉＯ_２からなる絶縁性の保護膜２０により覆われている。ｎ側電極１８とｐ側電極１９のボンディングパッド１９ａはいずれも半導体発光層１２の透光性素子基板１１と反対側に位置して、保護膜２０から突出されている。半導体発光層１２は、保護膜２０に被着する反射膜を有しておらず、裏面側へも光を放射できる。

ガラス基板３には、接着剤４をなす材料の後述する光の屈折率に近似した光の屈折率を有するガラス材料を用いることが好ましく、更に、熱膨張率αが８０×１０^−７/℃以下のガラス材料を用いることが望ましい。この種のガラス材料としてＢ-Ｓｉ系のほう珪酸ガラス及びＳｉ系の９６％珪酸ガラス並びにＳｉ系の石英ガラスがあり、特に光の取出し効率の更なる向上と半導体発光素子２の接着信頼性の更なる向上を確保する上では、Ｓｉ系の９６％珪酸ガラス及び石英ガラスを用いるとよい。

ガラス基板３の大きさは、その裏面に必要数の半導体発光素子２を実装するに足りる十分な面積を有した大きさである。なお、半導体発光素子２の数は図１では説明の都合上二個のみ描いたが、実際にはそれより多くの半導体発光素子２が使用される。図１に示すようにガラス基板３に、導電部として例えば所定の回路パターンをなすリード２１が、ガラス基板３の裏面（図１中下面）に装着されている。リード２１は透光性であるのが望ましい。又は透光性が劣っているときには、その面積は小さい方が望ましい。

各半導体発光素子２は、隣接したリード２１間に配置され、接着剤４を用いてガラス基板３の裏面（背面）上に実装されている。この場合、半導体発光素子２は、その透光性素子基板１１をガラス基板３の裏面に対面させるようにガラス基板３に接着されている。接着剤４は透光性を有している。この接着剤４には例えば透明なシリコーン系のダイボンド材が用いられている。ダイボンド材をなすシリコーン樹脂の光の屈折率は１．４１である。

ガラス基板３に実装された半導体発光素子２とこれに隣接したリード２１とは、ワイヤ２２により接続されている。ワイヤ２２は、製造コスト上安価なワイヤボンディング技術により設けられている。このため、製造コストが高価なボール状の半田バンプを要することなく電気的接続を行えるので、コストを低減できる点で好ましい。なお、リード２１に接続された図示しない導電線は外部に導出されるようになっている。リード２１は照明装置１の外部に配置される図示しない電力供給部に電気的に接続される。このため、リード２１を通じて各半導体発光素子２に電力を供給すると、半導体発光素子２に発光を生じさせて、照明装置１を発光状態（点灯状態）とすることができる。

曲面状反射部材５は、例えばそれ自体の光反射率が５０％以上の合成樹脂等の光反射性の材料で形成され、各半導体発光素子２を覆うとともに半導体発光素子２間に位置する部分に変曲点５ａが形成され、半導体発光素子２の側面および透光性素子基板１１と反対側から放射された光をガラス基板３方向に反射する。また、曲面状反射部材５の変曲点５ａ付近を形成する反射曲面５ｂは、半導体発光素子２間に位置し、この反射曲面５ｂで反射する光をガラス基板３に導入している。したがって、ガラス基板３には、半導体発光素子２からの直接光や曲面状反射部材５からの反射光が満遍なく導入される。

また、曲面状反射部材５は、反射性能が低い部材で成形して、その内面に金属の反射層を蒸着により設けたものであってもよい。この曲面状反射部材５は、例えば照明装置１の外郭を兼ねてもよい。封止部材６は、曲面状反射部材５の内面とガラス基板３の裏面との間に充填されて、各半導体発光素子２及びワイヤ２２等を埋めた状態に封止している。封止部材６には、透光性を有した材料、例えば透明なシリコーン樹脂が用いられている。

封止部材６と接着剤４とは同じ透光性材料例えばシリコーン樹脂製とすることができる。こうした同じ材料の組み合わせによれば、接着剤４により導かれてこの接着剤４から側方に放出される光が、封止部材６と接着剤４との界面で乱反射することが抑制されるので、光の取出し効率を向上する上で好ましい。封止部材６の屈折率がガラス基板３の屈折率と近似する場合、ガラス基板３と封止部材６との界面においてガラス基板３に導入する光が屈折することなく導入され、光取り出し効率を低下させることがない。

蛍光体７はガラス基板３の表面３ａを覆って設けられている。蛍光体７は、例えばその全域にわたり蛍光体（図示しない）が好ましくは略均一に分散された塗膜からなる。なお、ガラス基板３の表面が平坦面である場合には、蛍光体７に例えばガラス基板３と同じ大きさの透光性の樹脂シートを用いて、この蛍光体７をガラス基板３の表面に積層して設けてもよい。

蛍光体７内に含有された蛍光体は、半導体発光層１２から放出された一次光を波長変換して異なる波長の二次光を発光するために用いられており、その波長変換によって、蛍光体７を白色電球色から白色蛍光灯色までの任意の色調に白色発光させるようになっている。そのために、例えば一次光が青色の光に対して補色の関係にある黄色の蛍光体が用いられていて、それにより、蛍光体７は黄色を呈している。

前記照明装置１はその蛍光体７を被照射対象方向に向けて使用される。照明装置１は、それが備えた複数の半導体発光素子２に電力を供給することにより例えば青色に発光する。この場合、半導体発光素子２の発光層１５が発光することによって、半導体発光素子２の表側方向、つまり被照射対象方向にも、半導体発光素子２の裏側方向にも光が放出される。

表側方向に放出され透光性素子基板１１を透過した青色の一次光は、まず、透明な接着剤４及び同じく透明なガラス基板３を透過してから、更に、蛍光体７を透過して、被照射対象方向に取出される。この一方で、裏側方向に放出された青色の一次光は、まず、透明な封止部材６を透過して曲面状反射部材５によりガラス基板３に向けて反射される。反射された一次光は、再び封止部材６を透過し、更に透明なリード２１を通ってガラス基板３に入射し、或いは通ることなくガラス基板３に入射し、このガラス基板３を透過してから、蛍光体７を透過して被照射対象方向に取出される。

また、曲面状反射部材５の変曲点５ａ付近を形成する反射曲面５ｂは、半導体発光素子２間に位置し、この反射曲面５ｂで反射する光をガラス基板３に導入している。したがって、ガラス基板３には、半導体発光素子２からの直接光や曲面状反射部材５からの反射光が満遍なく導入される。

したがって、光源となる半導体発光素子２を複数用いて、それに応じて光量を増やすことができることに加えて、以上のように各半導体発光素子２から接着剤４を通って照明装置１の投光方向（被照射対象方向）に放出される光だけではなく、各半導体発光素子２の裏側方向に放出された光を、曲面状反射部材５で反射させて前記投光方向に放出できるので、効率よく光を取出すことができる。

更に、既述のように接着剤４をシリコーン樹脂製とし、ガラス基板３の屈折率を１．４１以上１．５１未満としたので、ガラス基板３に安価なソーダ石英ガラスを用いた場合に比較して、接着剤４とガラス基板３との屈折率の差は０．１以下に小さくなっている。これにより、接着剤４とガラス基板３との境界面での一次光の屈折が抑制されて、ガラス基板３の透過光量が増える。したがって、この点においても光の取出し効率を向上できる。

なお、以下に各種のガラス材料及びその系と、屈折率と、熱膨張率と、光の取出し効率と、評価との関係を表１に示す。なお、光の取出し効率はソーダ石英ガラスの場合を１００％として規定した。又、評価とはガラス基板３に対する半導体発光素子２の接着の信頼性についての評価である。

表１により、Ｂ-Ｓｉ系及びＳｉ系のガラスの光の屈折率は、Ｐｂ-Ｋ-Ｎａ-Ｓｉ系のガラスの光の屈折率よりも、接着剤４をなしたシリコーンでの光の屈折率１．４１に近い。それにより、ガラス基板３にＢ-Ｓｉ系及びＳｉ系のガラスを用いた照明装置１での光の取出し効率が、ガラス基板３にＮａ-Ｓｉ系のソーダ石英ガラスを用いた照明装置１での光取出し効率より大きいことが分かる。この逆に、Ｐｂ-Ｋ-Ｎａ-Ｓｉ系のガラスの光の取出し効率は、ガラス基板３にＮａ-Ｓｉ系のソーダ石英ガラスを用いた照明装置１での光取出し効率よりも小さいことが分かる。そして、ガラス基板３の屈折率がソーダ石英ガラスの屈折率よりも小さければ、光の取出し効率は大きくなるので、ガラス基板３の屈折率の上限は１．５１と規定できる。この逆に、ガラス基板３の屈折率がシリコーンの屈折率１．４１より小さくなるほど、これら屈折率の差が増えて境界面での反射が増えるので、ガラス基板３の屈折率の下限は１．４１と規定できる。

そして、光の取出しにおいて、各半導体発光素子２から放出されて既述の二通りの経路を経る青色の一次光は、既述のようにいずれも蛍光体７を透過して放出される。この際、青色の一次光の一部は、蛍光体７内に分散されている蛍光体に当たることなく蛍光体７を透過するが、残りの一次光は蛍光体に当たる。これにより、蛍光体が青色の光を吸収して黄色の二次光を発光するので、黄色の光として蛍光体７を透過する。このように半導体発光素子２の発光色である青色の一次光と、この一次光が蛍光体で波長変換されて一次光に対して補色関係となった黄色の二次光とが蛍光体７を透過するので、これら２色の混合によって白色光が作られる。言い換えれば、白色発光を実現できる。しかも、既述の二通りの経路を経る光が、いずれもガラス基板３を透過する際に、光の一部がガラス基板３内において界面（基板表面と基板裏面）で屈折することに基づき、ガラス基板３全体が明るく光って面状に発光した状態となる。

したがって、複数の半導体発光素子２を光源とする照明装置１にあって、夫々の半導体発光素子２の透光性素子基板１１が個々に光るにも拘わらず、照明装置１の光出射面全体の視覚的印象において、各半導体発光素子２の一つ一つが独立した光点として「つぶつぶ」に視認される感じを軽減できる。

以上のように前記照明装置１及びこの照明装置１が光源装置として組込まれた照明器具によれば、白色光を効率よく取出すことができるとともに、各半導体発光素子２の発光が「つぶつぶ」に視認される感じを軽減できるものである。又、前記表１により、光の取出し効率を向上できるほう珪酸ガラス、９８％珪酸ガラス、及び石英ガラスの熱膨張率αは、いずれもソータ石灰ガラス、及び鉛カリソーダガラスの熱膨張率αより小さい。そのため、ほう珪酸ガラス、９８％珪酸ガラス、及び石英ガラスでガラス基板３を形成すると、シリコーン製接着剤４とガラス基板３との熱膨張率の差が小さくなる。これにより、照明装置１の製造過程での結線のためのフロー半田処理に伴う温度変化や照明装置１の点灯・消灯に伴う電極１７，１９での温度変化等に拘わらず、接着剤４がガラス基板３の裏面から剥がれる（クラックを生じるともいう）ことを抑制できる。したがって、ガラス基板３に対する半導体発光素子２の付着信頼性を確保でき、照明装置１の寿命中に半導体発光素子２が脱落しないようにできる。これに対して、本発明者による実験の結果、ソータ石灰ガラス、及び鉛カリソーダガラスの場合は、ガラス基板３に対する半導体発光素子２の付着信頼性を確保できないことが認められ、又、実用上十分な付着信頼性を得るには、ガラス基板３をなすガラスの熱膨張率が８０×１０^−７以下であれば小さいほど有効であることが、本発明者による実験の結果確認された。

又、前記照明装置１では光の取出し効率を向上するのに、既述のように各半導体発光素子２自体ではなく、その裏側方向に放出された光を曲面状反射部材５で反射させて光を効率よく取出している。なお、接着剤４は、透光ガラス製でもよい。この接着剤４をなす透光性のガラスには、照明装置１の製造過程で半導体発光素子等に加えられる温度を低く規制するために、低融点ガラスを好適に用いることができる。低融点ガラスは、融点が６９２℃のソーダ石灰ガラスや融点が６２０℃の鉛ガラスよりも低い温度の融点を有したものが好ましく、例えばはんだガラスやホウ酸塩ガラス等を用いることができる他、所謂「水ガラス」と称されるフリットガラス等を用いることができる。これらのガラス材料は、低融点ガラスと、これによって接着される部材との熱膨張係数がかけ離れていないことや、同部材の耐熱温度より低融点ガラスの温度が低いこと等を考慮して適宜選択される。接着剤４に低融点ガラスを用いて半導体発光素子２をガラス製のガラス基板３に接着することは、同種材料での接着となるために、これらの間での剥がれない信頼性を極めて高くできる点で好ましい。ガラス製接着剤は、透明には制約されず、内部に蛍光体が混入して所定の色を有していてもよい。

以上のようにシリコーン等の透光性合成樹脂ではなくガラス製とした接着剤４は、半導体発光層２から放出される一次光に長期間晒されても変色することはない。このため、接着剤４の変色を原因とする光の取出し効率の低下がなく、この点において長期間にわたり効率よく光を取出すことができる。具体的には、例えば図１に示した第１実施形態の照明装置１で、青色の光を放射する半導体発光素子２が実装されたガラス基板３用のガラスに熱膨張率が100×10^−７/℃の軟質ガラスを用い、かつ、接着剤４をなしたガラスに熱膨張率が80×10^−７/℃の低融点ガラスを用いた場合、１万時間連続点灯させたときの明るさの低下率は、１０％であった。なお、この低下は、接着剤４をなしたガラスの劣化（変色）によるものではなく、蛍光層７での樹脂の変色に起因するものと考えられている。又、比較例として、接着剤４にエポキシ樹脂を用いた以外は前記と同じ条件の照明装置を形成して、これを１万時間連続点灯させた場合の明るさの低下率は、２０％であった。

次に、本発明の第２実施形態について図３を参照して説明する。本実施形態では曲面状反射部材５の形状のみ異なり、他の構成要素は第１実施形態のものと同様であるため、第１実施形態と同一の符号を付してその詳細な説明は省略する。図において曲面状反射部材５の反射面はインボリュート曲線で表されるように形成されている。このインボリュート曲線は、インボリュート曲線の一部を２つ組み合わせてなり、組合せ接続部５ｄは、前記反射部材５方向であって半導体発光素子２配置位置の延長上にある。

半導体発光素子２に外接する仮想円２ａの接線方向から出た光線は同経路に反射され、理論上、半導体発光素子に光が戻らず効率的に反射させることができる。すなわち、反射面５ｃにて反射された反射光は、全て半導体発光素子２を横切ることなく半導体発光素子２の外側を通ることになる。よって、半導体発光素子２に戻される反射光がなくなり、半導体発光素子２から出た光は全てガラス基板３方向に照射され、前方への照射光量を多くすることができる。

また、半導体発光素子２を含み、半導体発光素子２からはみ出した接着剤４に外接又は接着剤４を内包する仮想円４ａを基準にしてインボリュート曲線で表される反射面を形成した場合には、反射面５ａからの反射光は、前記半導体発光素子２を横切ることなく接着剤４の外側を通ることになるため、さらに効率的に反射させることができ、好適である。

本発明の第１実施形態に係る照明装置を示す断面図。 図１の照明装置が備えた半導体発光素子まわりを拡大して示す断面図。 本発明の第２実施形態に係る照明装置を示す断面図。

符号の説明

１…照明装置、２…半導体発光装置、３…ガラス基板、４…接着剤、５…曲面状反射部材、５ａ…変曲点、６…封止部材、７…蛍光体、８…二次光反射層、１１…透光性素子基板、１２…半導体発光層、１４…ｎ型半導体層、１５…発光層、１７…ｐ型半導体層、１８…ｎ側電極、１９…ｐ側電極、２１…リード（導電部）、２２…ワイヤ。

Claims (3)

1. 透光性素子基板および透光性素子基板の一面側設けられた半導体発光層を有してなる半導体発光素子と；
   前記透光性素子基板の他面側に設けられ、前記半導体発光素子から放射された光を導入するガラス基板と；
   ガラス基板に設けられた導電体と；
   前記ガラス基板と前記透光性素子基板の他面を接着する接着剤と；
   前記半導体発光素子を覆うとともに半導体発光素子間に位置する部分に変曲点が形成され、半導体発光素子の側面および前記透光性素子基板と反対側から放射された光を前記ガラス基板方向に反射する曲面状反射部材と；
   前記ガラス基板の表面を覆うように設けられ、前記半導体発光素子から放出された一次光を波長変換して異なる波長の二次光を出す蛍光体と；
   を具備することを特徴とする照明装置。
2. 前記曲面状反射部材とガラス基板との間には、ガラス基板の屈折率と近似する屈折率を有する封止部材が配設されていることを特徴とする請求項１記載の照明装置。
3. 曲面状反射部材を形成する曲線はインボリュート曲線の一部を組み合わせたものであり、組み合わせ接続部は前記半導体発光素子配置位置の延長上であることを特徴とする請求項１記載の照明装置。

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