CN105121556A - 可固化有机硅组合物、其固化产物及光学半导体器件 - Google Patents

可固化有机硅组合物、其固化产物及光学半导体器件 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种可固化有机硅组合物，其包含：(A)在分子中具有至少两个烯基基团的直链有机聚硅氧烷；(B)由以下平均单元式表示的有机聚硅氧烷：(R1SiO3/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1 3SiO1/2)c(SiO4/2)d(XO1/2)e其中，R1各自独立地表示具有1至12个碳的烷基基团、具有2至12个碳的烯基基团、具有6至20个碳的芳基基团、具有7至20个碳的芳烷基基团或这些基团的一些或全部氢原子经卤素原子取代的基团，前提是分子中的至少两个R1为烯基基团，X为氢原子或烷基基团，a为0至0.3的数值，b为0或正数，c为正数，d为正数，e为0至0.4的数值，a+b+c+d＝1，c/d为0至10的数值，且b/d为0至0.5的数值；(C)在分子中具有至少两个硅键合的氢原子的有机聚硅氧烷；(D)含铈的有机聚硅氧烷；以及(E)硅氢加成反应催化剂。所述可固化有机硅组合物不因热老化而产生裂缝并可形成具有极少黄变的固化产物。

Description

可固化有机硅组合物、其固化产物及光学半导体器件
技术领域
本发明涉及一种可固化有机硅组合物，其固化产物，以及使用该组合物产生的光学半导体器件。
背景技术
响应硅氢加成反应而固化的可固化有机硅组合物因其形成具有优异的类橡胶特性(诸如硬度和伸长率)的固化产物而被用于多种应用。已知的组合物的例子包括含有以下部分的可固化有机硅组合物：在分子中具有至少两个烯基基团的直链有机聚硅氧烷；由SiO4/2单元、ViR2SiO1/2单元和R3SiO1/2单元(其中，Vi为乙烯基基团，并且R为不含不饱和脂族键的经取代或未经取代的单价烃基)组成的有机聚硅氧烷；在分子中具有至少一个硅键合的烷氧基基团和至少两个硅键合的氢原子的有机聚硅氧烷；和铂金属型催化剂(参见专利文献1)；以及包含以下部分的可固化有机硅组合物：在分子中具有至少两个烯基基团的直链有机聚硅氧烷；由SiO4/2单元和R′(CH3)2SiO1/2单元(其中，R′为烯基基团或甲基基团)组成且在分子中具有至少三个烯基基团的有机聚硅氧烷；由SiO4/2单元和R″(CH3)2SiO1/2单元(其中，R″为氢原子或甲基基团)组成且在分子中具有至少三个硅键合的氢原子的有机聚硅氧烷；和铂金属化合物(参见专利文献2和3)。
这样的可固化有机硅组合物形成透明固化产物而不产生副产物，并因此适合作为光学半导体器件的密封剂。然而，当在200℃或以上的环境中长期使用时，固化产物中形成裂缝，这导致与基板的粘附力降低、密封性能降低和透明度降低的问题。
另一方面，添加含铈的有机聚硅氧烷是一种熟知的改善可固化有机硅组合物的耐热性的方法(例如，参见专利文献4和5)。然而，由于含铈的有机聚硅氧烷呈黄色，所以其并未用于需要透明度的光学半导体器件所用的可固化有机硅组合物中。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本未经审查的专利申请公布No.H10-231428
专利文献2：日本未经审查的专利申请公布No.2006-335857
专利文献3：WO2008/047892单行本
专利文献4：日本未经审查的专利申请公布No.S49-083744
专利文献5：日本未经审查的专利申请公布No.S51-041046
发明内容
技术问题
本发明的一个目标是提供一种不因热老化而产生裂缝并可形成具有极少黄变的固化产物的可固化有机硅组合物。本发明的另一个目标是提供一种不因热老化而产生裂缝并具有极少黄变的固化产物，以及提供一种具有优异可靠性的光学半导体器件。
问题的解决方案
本发明的可固化有机硅组合物包含：
(A)在分子中具有至少两个烯基基团的直链有机聚硅氧烷；
(B)由以下平均单元式表示的有机聚硅氧烷：
(R1SiO3/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1 3SiO1/2)c(SiO4/2)d(XO1/2)e
其中，R1各自独立地表示具有1至12个碳原子的烷基基团、具有2至12个碳原子的烯基基团、具有6至20个碳原子的芳基基团、具有7至20个碳原子的芳烷基基团或这些基团的一些或全部氢原子经卤素原子取代的基团，前提是分子中的至少两个R1为烯基基团，X为氢原子或烷基基团，a为0至0.3的数值，b为0或正数，c为正数，d为正数，e为0至0.4的数值，a+b+c+d＝1，c/d为0至10的数值，且b/d为0至0.5的数值，其量使得组分(A)与组分(B)的质量比为1/99至99/1；
(C)在分子中具有至少两个硅键合的氢原子的有机聚硅氧烷，其量使得组分(C)中硅键合的氢原子的量为每1摩尔的组分(A)和(B)中的总烯基基团0.1至10摩尔；
(D)含铈的有机聚硅氧烷，其量使得组分(D)中铈原子的量相对于组合物的总质量以质量单位计为20至2,000ppm；以及
(E)催化量的硅氢加成反应催化剂。
优选的是，组分(B)中所有R1的0.1至40mol％为具有2至12个碳原子的烯基基团，并且所有R1的至少10mol％为具有1至12个碳原子的烷基基团。
另外，组分(B)优选地为包含以下单元的有机聚硅氧烷：R1(CH3)2SiO1/2单元(其中，R1为具有1至12个碳原子的烷基基团、具有2至12个碳原子的烯基基团、具有6至20个碳原子的芳基基团、具有7至20个碳原子的芳烷基基团或这些基团的一些或全部氢原子经卤素原子置换的基团，前提是分子中的至少两个R1为烯基基团)和SiO4/2单元。
本发明的可固化有机硅组合物还可以包含(F)每100质量份的组分(A)至(D)的总质量等于0.01至3质量份的量的硅氢加成反应抑制剂。
本发明的可固化有机硅组合物还可以包含(G)每100质量份的组分(A)至(D)的总质量等于0.1至3质量份的量的粘附促进剂。
本发明的可固化有机硅组合物还可以包含(H)相对于组合物的总质量等于0.1至70质量％的量的磷光剂。
另外，本发明的可固化有机硅组合物可形成在450nm下具有至少90％的透光率的固化产物。
此外，本发明的可固化有机硅组合物可形成在240℃下加热500小时之前或之后在JISZ8730所规定的CIEL*a*b*色彩系统中具有不大于2.0的b*值的固化产物。
本发明的固化产物通过使可固化有机硅组合物固化而形成。另外，固化产物可呈透镜、光管、光导或远程磷光剂组件的形式。
另外，本发明的光学半导体器件通过用可固化有机硅组合物密封、覆盖或粘附半导体器件中的光学半导体元件而形成。
光学半导体元件可以为发光二极管。
本发明的有利效果
本发明的可固化有机硅组合物不因热老化而产生裂缝并可形成具有极少黄变的固化产物。此外，本发明的固化产物不因热老化而产生裂缝并可具有极少的黄变。本发明的固化产物具有出人意料的耐燃性增加的有益效果。另外，本发明的光学半导体器件表现出优异的可靠性。
附图说明
图1是作为本发明的光学半导体器件的例子的LED的剖视图。
图2是作为本发明的光学半导体器件的例子的LED的剖视图。
图3是作为本发明的光学半导体器件的例子的LED的剖视图。
图4是作为本发明的光学半导体器件的例子的LED的剖视图。
图5是使用本发明的含磷光剂的固化产物作为远程磷光剂的LED的剖视图。
图6是使用本发明的含磷光剂的固化产物作为远程磷光剂的照明装置的剖视图。
图7是使用本发明的含磷光剂的固化产物的LED的剖视图。
具体实施方式
[可固化有机硅组合物]
首先，将详细描述本发明的可固化有机硅组合物。
组分(A)是在分子中具有至少两个烯基基团的直链有机聚硅氧烷。组分(A)的分子结构为直链结构，但只要不损害本发明的目标，分子链的一部分可以为支化的。
组分(A)中烯基基团的例子包括具有2至12个碳原子的烯基基团，诸如乙烯基基团、烯丙基基团、丁烯基基团、戊烯基基团、己烯基基团、庚烯基基团、辛烯基基团、壬烯基基团、癸烯基基团、十一碳烯基和十二碳烯基基团，并且乙烯基基团是优选的。除组分(A)中的烯基基团以外与硅原子键合的基团的例子包括具有1至12个碳原子的烷基基团，诸如甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、新戊基基团、己基基团、环己基基团、庚基基团、辛基基团、壬基基团、癸基基团、十一烷基基团和十二烷基基团；具有6至20个碳原子的芳基基团，诸如苯基基团、甲苯基基团、二甲苯基基团和萘基基团；具有7至20个碳原子的芳烷基基团，诸如苯甲基基团、苯乙基基团和苯丙基基团；以及这些基团的一些或全部氢原子经诸如氟原子、氯原子或溴原子的卤素原子取代的基团。组分(A)中的硅原子也可具有在不损害本发明目标的范围内的少量羟基基团或烷氧基基团，诸如甲氧基基团和乙氧基基团。
组分(A)的粘度不受特别限制，但在25℃下优选地在10至100,000mPa·s的范围内且更优选地在50至50,000mPa·s的范围内。这是因为当组分(A)的粘度大于或等于上述范围的下限时，所得固化产物的机械特性是有利的，且当粘度小于或等于上述范围的上限时，所得组合物的处理可加工性是有利的。
这样的组分(A)的例子包括分子两个末端由二甲基乙烯基甲硅烷氧基基团封端的二甲基聚硅氧烷、分子两个末端由二苯基乙烯基甲硅烷氧基基团封端的二甲基聚硅氧烷、分子两个末端由二甲基乙烯基甲硅烷氧基基团封端的二甲基硅氧烷-甲基苯基硅氧烷共聚物、分子两个末端由二甲基乙烯基甲硅烷氧基基团封端的二甲基硅氧烷-二苯基硅氧烷共聚物、分子两个末端由二苯基乙烯基甲硅烷氧基基团封端的二甲基硅氧烷-甲基苯基硅氧烷共聚物、分子两个末端由二甲基乙烯基甲硅烷氧基基团封端的二甲基硅氧烷-甲基乙烯基硅氧烷共聚物、分子两个末端由二甲基乙烯基甲硅烷氧基基团封端的二甲基硅氧烷-甲基苯基硅氧烷-甲基乙烯基硅氧烷共聚物、分子两个末端由二甲基乙烯基甲硅烷氧基基团封端的二甲基硅氧烷-二苯基硅氧烷-甲基乙烯基硅氧烷共聚物、分子两个末端由三甲基甲硅烷氧基基团封端的甲基乙烯基聚硅氧烷、分子两个末端由三甲基甲硅烷氧基基团封端的甲基乙烯基硅氧烷-甲基苯基硅氧烷共聚物、分子两个末端由三甲基甲硅烷氧基基团封端的甲基乙烯基硅氧烷-二苯基硅氧烷共聚物以及分子两个末端由三甲基甲硅烷氧基基团封端的二甲基硅氧烷-甲基乙烯基硅氧烷共聚物。
组分(B)是由以下平均单元式表示的有机聚硅氧烷：
(R1SiO3/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1 3SiO1/2)c(SiO4/2)d(XO1/2)e
在该式中，R1各自独立地表示具有1至12个碳原子的烷基基团、具有2至12个碳原子的烯基基团、具有6至20个碳原子的芳基基团、具有7至20个碳原子的芳烷基基团或这些基团的一些或全部氢原子经卤素原子取代的基团。R1的烷基基团的例子包括甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、新戊基基团、己基基团、环己基基团、庚基基团、辛基基团、壬基基团、癸基基团、十一烷基基团和十二烷基基团。R1的烯基基团的例子包括乙烯基基团、烯丙基基团、丁烯基基团、戊烯基基团、己烯基基团、庚烯基基团、辛烯基基团、壬烯基基团、癸烯基基团、十一碳烯基基团和十二碳烯基基团。R1的芳基基团的例子包括苯基基团、甲苯基基团、二甲苯基基团和萘基基团。R1的芳烷基基团的例子包括苯甲基基团、苯乙基基团和苯丙基基团。R1的经卤素取代的基团的例子包括3-氯丙基基团和3，3，3-三氟丙基基团。然而，在组分(B)中，分子中至少两个R1为烯基基团且优选地为乙烯基基团。优选的是，分子中所有R1的0.1至40mol％为烯基基团。这是因为当烯基基团含量大于或等于上述范围的下限时，与组分(C)的反应性改善，且当该含量小于或等于上述范围的上限时，与组分(C)的反应性改善。在通过使本发明的组合物固化而获得的固化产物中，由于光折射、反射、散射等所致的少量衰减，分子中所有R1的至少10mol％优选地为烷基基团且尤其优选地为甲基基团。
在该式中，X为氢原子或烷基基团。X的烷基基团优选地为具有1至3个碳的烷基基团，且具体例子包括甲基基团、乙基基团和丙基基团。
在该式中，a为0至0.3的数值，b为0或正数，c为正数，d为正数，e为0至0.4的数值，a+b+c+d＝1，c/d为0至10的数值，并且b/d为0至0.5的数值。
这样的组分(B)的分子量不受特别限制，但就标准聚苯乙烯而言，质量平均分子量(Mw)优选地在500至100,000的范围内，且尤其优选地在1,000至30,000的范围内。
这样的组分(B)优选地为包含以下单元的有机聚硅氧烷：R1(CH3)2SiO1/2单元和SiO4/2单元。组分(B)也可以包含：在不损害本发明目标的范围内的R1SiO3/2单元或R1(CH3)SiO2/2单元。
在组分(B)中，R1(CH3)2SiO1/2单元与SiO4/2单元的比率不受特别限制，但R1(CH3)2SiO1/2单元与SiO4/2单元的比率优选地在0.5至3的范围内且甚至更优选地在0.8至2的范围内。这是因为当R1(CH3)2SiO1/2单元与SiO4/2单元的比率大于或等于上述范围的下限时，所得固化产物的机械特性是有利的，且当该比率小于或等于上述范围的上限时，与组分(A)的相容性改善。
组分(B)的含量是使得相对于组分(A)的质量比在1/99至99/1的范围内且优选地在1/9至9/1的范围内的量。这是因为当组分(B)的含量大于或等于上述范围的下限时，所得固化产物的机械特性是有利的，且当该含量小于或等于上述范围的上限时，所得组合物的处理可加工性是有利的。
组分(C)是在分子中具有至少两个硅键合的氢原子的有机聚硅氧烷。组分(C)的分子结构不受特别限制且可以为例如直链、具有一些分支的直链、支链、树枝状或环状的。
除组分(C)中的氢原子以外与硅原子键合的基团的例子包括具有1至12个碳原子的烷基基团，诸如甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、新戊基基团、己基基团、环己基基团、庚基基团、辛基基团、壬基基团、癸基基团、十一烷基基团和十二烷基基团；具有6至20个碳原子的芳基基团，诸如苯基基团、甲苯基基团、二甲苯基基团和萘基基团；具有7至20个碳原子的芳烷基基团，诸如苯甲基基团、苯乙基基团和苯丙基基团；以及这些基团的一些或全部氢原子经诸如氟原子、氯原子或溴原子的卤素原子取代的基团。组分(C)中的硅原子也可具有在不损害本发明目标的范围内的少量羟基基团或烷氧基基团，诸如甲氧基基团和乙氧基基团。
组分(C)的粘度不受特别限制，但在25℃下优选地在1至10,000mPa·s的范围内，且更优选地该粘度在5至1,000mPa·s的范围内。这是因为当组分(C)的粘度大于或等于上述范围的下限时，所得固化产物的机械特性是有利的，且当该粘度小于或等于上述范围的上限时，所得组合物的处理可加工性是有利的。
这样的组分(C)的例子包括分子两个末端由二甲基氢甲硅烷氧基基团封端的二甲基聚硅氧烷，分子两个末端由二甲基氢甲硅烷氧基基团封端的二甲基硅氧烷-甲基苯基硅氧烷共聚物，分子两个末端由二甲基氢甲硅烷氧基基团封端的二甲基硅氧烷-甲基氢硅氧烷共聚物，分子两个末端由三甲基甲硅烷氧基基团封端的甲基氢聚硅氧烷，分子两个末端由三甲基甲硅烷氧基基团封端的二甲基硅氧烷-甲基氢硅氧烷共聚物，由H(CH3)2SiO1/2单元和SiO4/2单元组成的有机聚硅氧烷以及由H(CH3)2SiO1/2单元、(CH3)3SiO1/2单元和SiO4/2单元组成的有机聚硅氧烷。
组分(C)的含量是使得该组分中的硅键合的氢原子相对于1摩尔的组分(A)和(B)中的总烯基基团在0.1至10摩尔范围内且优选地在0.5至5摩尔范围内的量。这是因为当组分(C)的含量大于或等于上述范围的下限时，所得组合物充分固化，且当该含量小于或等于上述范围的上限时，所得固化产物的耐热性改善。
组分(D)的含铈的有机聚硅氧烷是用于抑制由本发明的组合物固化而获得的固化产物中由于热老化而产生裂缝的组分。这样的组分(D)例如借助与氯化铈或羧酸的铈盐和含硅烷醇的有机聚硅氧烷的碱金属盐反应而制备。
上述羧酸的铈盐的例子包括2-乙基己酸铈、环烷酸铈、油酸铈、月桂酸铈和硬脂酸铈。
上述含硅烷醇的有机聚硅氧烷的碱金属盐的例子包括分子两个末端由硅烷醇基团封端的二有机聚硅氧烷的钾盐、分子两个末端由硅烷醇基团封端的二有机聚硅氧烷的钠盐、分子一个末端由硅烷醇基团封端且分子另一末端由三有机甲硅烷氧基基团封端的二有机聚硅氧烷的钾盐，以及分子一个末端由硅烷醇基团封端且分子另一末端由三有机甲硅烷氧基基团封端的二有机聚硅氧烷的钠盐。与有机聚硅氧烷中的硅原子键合的基团的例子包括具有1至12个碳原子的烷基基团，诸如甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、新戊基基团、己基基团、环己基基团、庚基基团、辛基基团、壬基基团、癸基基团、十一烷基基团和十二烷基基团；具有6至20个碳原子的芳基基团，诸如苯基基团、甲苯基基团、二甲苯基基团和萘基基团；具有7至20个碳原子的芳烷基基团，诸如苯甲基基团、苯乙基基团和苯丙基基团；以及这些基团的一些或全部氢原子经诸如氟原子、氯原子或溴原子的卤素原子取代的基团。
上述反应在室温下或通过加热在以下物质中进行：醇，诸如甲醇、乙醇、异丙醇或丁醇；芳族烃，诸如甲苯或二甲苯；脂族烃，诸如己烷或庚烷；以及有机溶剂，诸如矿油精、轻石油或石油醚。优选的是，当必要时，从所得的反应产物蒸馏出有机溶剂或低沸点组分或过滤任何沉降物。为加速该反应，可添加二烷基甲酰胺、六烷基磷酰胺等。以此方式制备的含铈的有机聚硅氧烷中铈原子的含量优选地以质量计在0.1至5％的范围内。
本发明的组合物中组分(D)的含量是使得铈原子以质量单位计在20至2,000ppm的范围内、优选地在20至1,500ppm的范围内、更优选地在20至1,000ppm的范围内、甚至更优选地在20至500ppm的范围内且尤其优选地在20至200ppm的范围内的量。这是因为当组分(D)的含量大于或等于上述范围的下限时，所得组合物的耐热性可得到改善，且当该含量小于或等于上述范围的上限时，可减小在用于光学半导体器件中时的发光色度变化。
组分(E)是用于加速本发明组合物的硅氢加成反应的硅氢加成反应催化剂。这样的组分(E)优选地为铂元素催化剂或铂元素化合物催化剂，且例子包括铂基催化剂、铑基催化剂和钯基催化剂。铂基催化剂因可使硅氢加成反应显著加速而为尤其优选的。此类铂基催化剂的例子包括铂细粉、铂黑、氯铂酸、氯铂酸的醇改性产物、氯铂酸与二烯烃的络合物、铂-烯烃络合物、铂-羰基络合物(诸如双-(乙酰乙酸)铂和双-(乙酰基丙酮酸)铂)、氯铂酸-烯基硅氧烷络合物(诸如氯铂酸-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物和氯铂酸-四乙烯基四甲基环四硅氧烷络合物)、铂-烯基硅氧烷络合物(诸如铂-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物和铂-四乙烯基四甲基环四硅氧烷络合物)以及氯铂酸与乙炔醇的络合物。铂-烯基硅氧烷络合物因其加速硅氢加成反应的优异作用而为尤其优选的。可单独使用这些硅氢加成反应催化剂中的一种类型，或可组合使用两种或更多种类型。
用于铂-烯基硅氧烷络合物中的烯基硅氧烷不受特别限制，且例子包括1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷，1，3，5，7-四甲基-1，3，5，7-四乙烯基环四硅氧烷，其中的烯基硅氧烷的一些甲基经乙基基团、苯基基团等取代的烯基硅氧烷低聚物，以及其中的烯基硅氧烷的乙烯基基团经烯丙基基团、己烯基基团等取代的烯基硅氧烷低聚物。具体地讲，1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷因所产生的铂-烯基硅氧烷络合物的有利稳定性而是优选的。
为改善铂-烯基硅氧烷络合物的稳定性，优选的是，将这些铂-烯基硅氧烷络合物溶于以下物质中：烯基硅氧烷低聚物，诸如1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷、1，3-二烯丙基-1，1，3，3-四甲基二硅氧烷、1，3-二乙烯基-1，3-二甲基-1，3-二苯基二硅氧烷、1，3-二乙烯基-1，1，3，3-四苯基二硅氧烷或1，3，5，7-四甲基-1，3，5，7-四乙烯基环四硅氧烷；或有机硅氧烷低聚物，诸如二甲基硅氧烷低聚物，且尤其优选的是，将这些络合物溶于烯基硅氧烷低聚物中。
组分(E)的含量为催化量。具体地讲，该含量优选地为使得组分(E)中的催化剂金属原子相对于本发明组合物以质量单位计在0.01至500ppm的范围内、更优选地在0.01至100ppm的范围内且尤其优选地在0.1至50ppm的范围内的量。这是因为当组分(E)的含量在上述范围内时，可抑制固化产物变色。这还因为当组分(E)的含量大于或等于上述范围的下限时，所得组合物可得以充分固化，且当该含量小于或等于上述范围的上限时，可抑制所得固化产物变色。
本发明的组合物还可以包含(F)硅氢加成反应抑制剂作为任选的组分以延长在室温下的可用时间并改善储存稳定性。这样的组分(F)的例子包括炔醇，诸如1-乙炔基环己-1-醇、2-甲基-3-丁炔-2-醇、3，5-二甲基-1-己炔-3-醇和2-苯基-3-丁炔-2-醇；烯-炔化合物，诸如3-甲基-3-戊烯-1-炔和3，5-二甲基-3-己烯-1-炔；甲基烯基硅氧烷低聚物，诸如1，3，5，7-四甲基-1，3，5，7-四乙烯基环四硅氧烷和1，3，5，7-四甲基-1，3，5，7-四己烯基环四硅氧烷；炔氧基硅烷，诸如二甲基双-(3-甲基-1-丁炔-3-氧基)硅烷和甲基乙烯基双-(3-甲基-1-丁炔-3-氧基)硅烷，以及异氰尿酸三烯丙酯化合物。
组分(F)的含量不受特别限制，但为足以在混合组分(A)至(D)时抑制胶凝化或抑制固化的量且为足以使得能够长期储存的量。具体地讲，组分(F)的含量优选地在每100质量份的组分(A)至(D)的总质量0.0001至5质量份的范围内，且更优选地在0.01至3质量份的范围内。这是因为当组分(F)的含量大于或等于上述范围的下限时，可确保足够的适用期，且当该含量小于或等于上述范围的上限时，可通过加热实现平滑的固化。
此外，本发明的组合物还可以包含(G)粘附促进剂以进一步改善与组合物在固化期间接触的基板的粘附力。这样的组分(G)优选地为在分子中具有1个或2个或更多个硅键合的烷氧基基团的有机硅化合物。烷氧基基团的例子包括甲氧基基团、乙氧基基团、丙氧基基团、丁氧基基团和甲氧基乙氧基基团，且甲氧基基团或乙氧基基团是尤其优选的。除烷氧基基团以外与该有机硅化合物的硅原子键合的基团的例子包括经取代或未经取代的单价烃基，诸如烷基基团、烯基基团、芳基基团、芳烷基基团和卤化烷基基团；含环氧基的单价有机基团，诸如环氧丙氧烷基基团(诸如3-环氧丙氧丙基基团、4-环氧丙氧丁基基团等)、环氧基环己基烷基基团(诸如2-(3，4-环氧基环己基)乙基基团、3-(3，4-环氧基环己基)丙基基团等)和环氧乙烷基烷基基团(诸如4-环氧乙烷基丁基基团、8-环氧乙烷基辛基基团等)；含丙烯酸基团的单价有机基团，诸如3-甲基丙烯酰氧基丙基基团；异氰酸根基团；异氰尿酸根基团；以及氢原子。有机硅化合物优选地具有可与本发明组合物中的脂族不饱和烃基或硅键合的氢原子反应的基团。具体地讲，有机硅化合物优选地具有硅键合的脂族不饱和烃基或硅键合的氢原子。
组分(G)的含量不受特别限制，但优选地在每100质量份的组分(A)至(D)的总质量0.01至10质量份的范围内，且更优选地在0.1至3质量份的范围内。这是因为当组分(G)的含量大于或等于上述范围的下限时，粘附力是有利的，且当该含量小于或等于上述范围的上限时，储存稳定性是有利的。
本发明的组合物还可以包含(H)磷光剂作为另一种任选的组分。这样的组分(H)的例子包括由氧化物磷光剂、氧氮化物磷光剂、氮化物磷光剂、硫化物磷光剂、氧硫化物磷光剂等组成的发黄光、红光、绿光和蓝光的磷光剂，它们广泛用于例如发光二极管(LED)中。氧化物磷光剂的例子包括含有铈离子发绿光到黄光的钇、铝和石榴石型YAG磷光剂；含有铈离子发黄光的铽、铝和石榴石型TAG磷光剂；以及含有铈或铕离子发绿光到黄光的硅酸酯磷光剂。氧氮化物磷光剂的例子包括含有铕离子发红光到绿光的硅、铝、氧和氮型sialon磷光剂。氮化物磷光剂的例子包括含有铕离子发红光的钙、锶、铝、硅和氮型cousin磷光剂。硫化物磷光剂的例子包括含有铜离子或铝离子发绿光的ZnS磷光剂。氧硫化物磷光剂的例子包括含有铕离子发红光的Y2O2S磷光剂。可使用这些磷光剂中的一种类型，或两种或更多种类型的混合物。
组分(H)的粒度不受特别限制，但优选地在1至50μm的范围内且更优选地在5至20μm的范围内。这是因为当组分(H)的粒度大于或等于上述范围的下限时，抑制在混合时的粘度增加，且当该粒度小于或等于上述范围的上限时，透光率是有利的。
组分(H)的含量不受特别限制，但相对于本发明组合物的总质量在0.1至70质量％的范围内。从处理可加工性的角度来看，该含量优选地不大于70质量％，且在考虑到白色光转化时优选地为至少5质量％。
本发明的组合物还可以包含选自二氧化硅、玻璃、氧化铝等的1种或2种或更多种类型的无机填料；有机硅橡胶粉末；树脂粉末，诸如有机硅树脂和聚甲基丙烯酸酯树脂；以及选自耐热剂、染料、颜料、阻燃剂、溶剂等的1种或2种或更多种类型的组分作为其他任选的组分，只要不损害本发明的目标即可。
尽管本发明的组合物可在室温下静置时或在加热时进行固化，但优选的是加热组合物以使该组合物快速固化。加热温度优选地在50至200℃的范围内。
本发明的组合物优选地形成在固化时具有如JISK6253所规定的30至99且尤其优选地35至95的A型硬度计硬度的固化产物。这是因为当可固化有机硅组合物的固化产物的硬度大于或等于上述范围的下限时，组合物具有足够的强度并具有足够的保护性，且当该硬度小于或等于上述范围的上限时，固化产物为柔性的并足够耐用。
此外，本发明的组合物优选地形成当固化时在450nm下具有至少90％的透光率的固化产物。该透光率例如可通过在0.1cm的光程长和450nm的波长下用分光光度计测量固化产物的透光率(25℃)而发现。
本发明的组合物优选地形成在240℃下加热500小时之前或之后在JISZ8730所规定的CIEL*a*b*色彩系统中具有不大于2.0且尤其优选地不大于1.0的b*值的固化产物。本发明的组合物的固化产物在JISZ8730所规定的CIEL*a*b*色彩系统中的b*值例如可使用色度计来测量。
[固化产物]
接下来，将详细描述本发明的固化产物。
本发明的固化产物通过使上述可固化有机硅组合物固化而形成。本发明的固化产物优选具有如上所述的特性。本发明的固化产物可为片状或膜状固化产物或覆盖透明基板(诸如玻璃基板)的固化产物。另外，本发明的固化产物可呈透镜、光管、光导或远程磷光剂组件的形式。形成固化产物的方法包括压缩模制、转移模制、注射模制和沉积到透明基板上。上述可固化有机硅组合物可使用诸如静态混合器或螺旋式混合器的混合装置混合随后注入模制装置中并进行模制。模制条件不受特别限制，但可使可固化有机硅组合物在50℃至200℃下且优选地在70℃至180℃的温度下固化30秒至30分钟，且优选固化1至10分钟。还可以在50℃至200℃下且优选地在70℃至180℃下进行约0.1至10小时，且优选地进行约1至4小时的后固化(二次固化)。
当本发明的固化产物含有磷光剂时，该固化产物可用作LED或照明装置中的远程磷光剂或磷光剂片材。远程磷光剂是含有用于在与LED芯片或LED装置相距一定的距离处从LED芯片发出的蓝光获得白色或灯泡色彩的磷光剂的固化产物。远程磷光剂用于漫射从LED芯片发出的具有高度方向性的光。图5中示出LED的剖视图，在该LED中使用了含有磷光剂的本发明的固化产物作为远程磷光剂。在图5中所示的LED中，将光学半导体元件1贴片于引线框2，并将光学半导体元件1和引线框3由接合线4进行线接合。该光学半导体元件1可由上述可固化有机硅组合物的固化产物6密封。在光学半导体元件1的周边上形成反光材料5，且在反光材料5的半导体元件1的顶部上以一定的间距提供含有磷光剂的上述可固化有机硅组合物的固化产物7作为远程磷光剂。
另外，图6中示出照明装置的剖视图，在该照明装置中使用了含有磷光剂的本发明的固化产物作为远程磷光剂。在图6中所示的照明装置中，将光学半导体元件1贴片于基板8并与基板上的电路(未示出)电连接。该光学半导体元件1可由上述可固化有机硅组合物的固化产物6密封。在具有多个这些光学半导体元件1的基板8的周边上形成反光材料5，且在反光材料5的半导体元件1的顶部上以一定的间距提供含有磷光剂的上述可固化有机硅组合物的固化产物7作为远程磷光剂。基板8的例子包括具有高电导率的金属，诸如银、金和铜；具有低电导率的金属，诸如铝和镍；其中混合有白色颜料的热塑性树脂，诸如PPA和LCP；含有白色颜料的热固性树脂，诸如环氧树脂、BT树脂、聚酰亚胺树脂和有机硅树脂；以及陶瓷，诸如氧化铝和氮化铝。
当本发明的固化产物不含磷光剂时，该固化产物可用作透镜材料。
[光学半导体器件]
现在将详细描述本发明的光学半导体器件。
本发明的光学半导体器件的特征在于将光学半导体元件通过上述组合物密封、覆盖或粘附。光学半导体元件的具体例子包括发光二极管(LED)、半导体激光器、光电二极管、光电晶体管、固态图像感测装置以及用于光耦合器的光发射器与接收器，并且光学半导体元件优选地为发光二极管(LED)。
由于光发射从发光二极管(LED)中的半导体的顶部、底部、左侧和右侧发生，因此对于构成发光二极管(LED)的部件而言，吸收光线不是优选的，而具有高透光率或高反射率的材料是优选的。因此，还优选的是，上面安装有光学半导体元件的基板为具有高透光率或高反射率的材料。上面安装有光学半导体元件的基板的例子包括具有高电导率的金属，诸如银、金和铜；具有低电导率的金属，诸如铝和镍；其中混合有白色颜料的热塑性树脂，诸如PPA和LCP；含有白色颜料的热固性树脂，诸如环氧树脂、BT树脂、聚酰亚胺树脂和有机硅树脂；以及陶瓷，诸如氧化铝和氮化铝。可固化有机硅组合物相对于光学半导体元件和基板具有有利的耐热冲击性，且所得的光学半导体器件可表现出良好的可靠性。
图1至4中示出用作本发明的光学半导体器件的例子的表面安装LED的剖视图。在图1中所示的LED中，将光学半导体元件1贴片于引线框2，并将该光学半导体元件1和引线框3由接合线4进行线接合。在该光学半导体元件1的周边上形成反光材料5，并将反光材料5内部的光学半导体元件1通过上述可固化有机硅组合物的固化产物6密封。
在图2中所示的LED中，将光学半导体元件1通过含有磷光剂的上述可固化有机硅组合物的固化产物7密封。在图3中所示的LED中，将光学半导体元件1通过含有磷光剂的上述可固化有机硅组合物的固化产物7密封，并且将固化产物7的表面进一步通过上述可固化有机硅组合物的固化产物6密封。在图4中所示的LED中，将光学半导体元件1通过上述可固化有机硅组合物的固化产物6密封，并且将固化产物6的表面进一步通过含有磷光剂的上述可固化有机硅组合物的固化产物7密封。
图1中所示的制造表面安装LED的方法的例子是这样一种方法：将光学半导体元件1贴片于引线框2，通过由金制成的接合线4将光学半导体元件1与引线框3进行线接合，通过转移模制或压缩模制对可固化有机硅组合物进行模制，随后在光学半导体元件1的周边上形成反光材料5。另一个例子是首先形成反光材料5然后在反光材料5的内部用上述可固化有机硅组合物对光学半导体元件1进行树脂密封的方法。
图7中示出使用磷光剂的LED的又一个例子，其中含有磷光剂的固化产物7填充光学半导体元件1周围的体积并置于两种白色反光材料5之间。
实例
下文将使用实践例和比较例来详细描述本发明的可固化有机硅组合物、固化产物和光学半导体器件。如下测量可固化有机硅组合物的固化产物的特性。
[硬度的变化]
在将可固化有机硅组合物在150℃下压缩模制10分钟后，将组合物在150℃下后固化3小时以制备具有2mm厚度的片状固化产物。通过如JISK6253所规定的A型硬度计来测量三层这些片状固化产物的硬度。在使以如上所述的相同方式制备的片状固化产物在240℃的烘箱中热老化500小时后，以如上所述的相同方式测量硬度。
[透射率与CIEb*的变化]
在测量含有纯化水的一次性液体池的透射率并定义为100％透射率后，将切成短条的厚度为2mm的片状固化产物置于液体池中，并测量透射率(％)。使用KonicaMinolta比色计CM-5进行测量，并通过光电比色计测量用D65参考光照射时在450nm下的透射率以及在JISZ8730所规定的CIEL*a*b*色彩系统中的b*值。此外，在使以与如上所述的相同方式制备的片状固化产物在240℃的烘箱中热老化500小时后，以与如上所述的相同方式测量透射率(％)和CIEL*a*b*色彩系统中的b*值。
[CIEu′和v′的变化]
使用具有450nm峰值的蓝色LED作为泵源，用分光光度计测量具有图7中所示形状的固化产物在1976CIEu′v′色彩空间中的u′和v′值。该形状在美国专利申请公布No.2011/0215707A1(图1和图2)中有更详细描述，该专利以引用方式并入本文中。此外，在使固化部件在200℃的烘箱中热老化18小时后，以与如上所述的相同方式测量CIEu′v′色彩空间中的u′和v′值。总计测量了20个部件(十个根据实践例12制备，十个对照根据比较例5制备)。根据下式计算每个部件随时间的色移：
Δu′v′＝[(u′-u′0)2+(v′-v′0)2]1/2，
其中u′0和v′0相应地为u′和v′的初始值。
平均结果在表3中示出，并证实根据本发明制得的样品在热处理后的平均色彩变化减小。它们还表明实践例的光通量维持率与比较例相比得到改善。
[伸长率的变化]
制备具有2mm厚度的片状固化产物，并以JISNo.3的形式将其冲出。使用由岛津公司(ShimadzuCorporation)制造的自动绘图仪(autograph)测量断裂伸长率(％)。此外，在使以与如上所述的相同方式制备的片状固化产物在240℃的烘箱中热老化500小时后，以与如上所述的相同方式测量伸长率(％)。
[粘合强度的变化]
将未固化的有机硅组合物滴到浮法玻璃上至尺寸为并在组合物的顶部上放置一个边长10mm的正方形铝块。使其在150℃下固化1小时，同时施加恒定的压力以制备粘附力测试样品。在室温下冷却后，使用由精进公司(Seishin)制造的SS-30WD粘结测试仪测量在从横向方向施加剪切力时的粘合强度(N/cm2)。此外，在使以与如上所述的相同方式制备的粘附力测试样品在240℃的烘箱中热老化500小时后，以与如上所述的相同方式测量粘合强度(N/cm2)。
[体积变化率]
使用由东洋精机制作所有限公司(ToyoSeikiSeisaku-Sho，Ltd.)制造的D-H100自动密度计测量厚度为2mm的固化产物的质量和密度，并由这些数据计算体积。接着，在使该固化产物在240℃的烘箱中热老化500小时后，以与如上所述的相同方式测量体积，并表示为在耐热性测试后相对于初始体积的体积变化率(％)。
[平均燃烧速率]
根据标题为“TestforFlammabilityofPlasticMaterials，UL94”(塑料材料可燃性测试，UL94)的保险商实验室94号公报(Underwater′sLaboratoryBulletin94)的程序进行可燃性测试，该公报以引用方式并入本文中。对于实践例13至15和比较例6，根据“HorizontalBuriningTestforClassifyingMaterials94HB”(用于材料分类的水平燃烧测试94HB)获得每组15个样品(按照测试所规定的样品尺寸)的水平燃烧速率(mm/min.)。计算各固化产物的平均燃烧速率并列于表4中。
[LED装置可靠性测试]
添加硅醇铈(ceriumsilanolate)化合物以获得表2中所示的混配量。将具有470nm的主发光中心峰的发光芯片通过晶粒附着材料安装在具有镀银引线框的由聚邻苯二甲酰胺制成的壳体材料上。将实践例8和比较例3中制得的可固化有机硅组合物作为密封剂注射到LED装置的壳体中，而引线电极和发光芯片通过金线连接至所述LED装置；以及通过在150℃下加热4小时将这些组合物固化以制备光学半导体器件。通过在温度为85℃的条件下对该光学半导体器件施加700mA电流而使LED装置发光，并测量初始辐射通量(mW)和在发光300小时后的辐射通量(mW)。
[实践例1至15和比较例1至6]
根据表1和表2中所示的组成(质量份)均匀混合以下组分以制备实践例1至11和比较例1至4的可固化有机硅组合物。在表1和表2中，SiH/Vi是指在可固化有机硅组合物中相对于1摩尔的组分(A)和(B)中的总乙烯基基团，组分(C)中硅键合的氢原子的总摩尔数。
使用以下组分作为组分(A)。粘度是在25℃下的值并使用B型粘度计根据JISK7117-1测量。
组分(A-1)：分子两个末端由二甲基乙烯基甲硅烷氧基基团封端的二甲基聚硅氧烷，其具有360mPa·s的粘度(乙烯基基团含量＝0.44质量％)
组分(A-2)：分子两个末端由二甲基乙烯基甲硅烷氧基基团封端的二甲基聚硅氧烷，其具有11,000mPa·s的粘度(乙烯基基团含量＝0.14质量％)
组分(A-3)：分子两个末端由二甲基乙烯基甲硅烷氧基基团封端的二甲基聚硅氧烷，其具有40,000mPa·s的粘度(乙烯基基团含量＝0.08质量％)
使用以下组分作为组分(B)。将重均分子量表示为使用凝胶渗透色谱法测量的根据标准聚苯乙烯的分子量。
组分(B-1)：由以下平均单元式表示且具有约20,000的重均分子量的有机聚硅氧烷(乙烯基基团含量：3.2质量％)：
[(CH3)2CH2＝CHSiO1/2]0.05[(CH3)3SiO1/2]0.47(SiO4/2)0.48
组分(B-2)：由以下平均单元式表示且具有约5,500的重均分子量的有机聚硅氧烷(乙烯基基团含量：3.4质量％)：
[(CH3)2CH2＝CHSiO1/2]0.13[(CH3)3SiO1/2]0.45(SiO4/2)0.42
组分(B-3)：由以下平均单元式表示且具有约20,000的重均分子量的有机聚硅氧烷(乙烯基基团含量：4.2质量％)：
[(CH3)2CH2＝CHSiO1/2]0.15[(CH3)3SiO1/2]0.38(SiO4/2)0.47
使用以下组分作为组分(C)。粘度是在25℃下的值且使用Ubbelohde粘度计根据JISZ8803测量。
组分(C-1)：由以下平均单元式表示且具有18mm2/s的动力粘度的有机聚硅氧烷(硅键合的氢原子的含量：约0.97质量％)：
[H(CH3)2SiO1/2]0.68(SiO4/2)0.32
组分(C-2)：分子两个末端由三甲基甲硅烷氧基基团封端的具有5mm2/s的动力粘度的甲基氢聚硅氧烷(硅键合的氢原子的含量：约1.4质量％)
使用以下组分作为组分(D)。
组分(D-1)：二甲基聚硅氧烷，其铈含量为1.4质量％
使用以下组分作为组分(E)。
组分(E-1)：铂-1，3-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物的1，3-二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液(铂金属含量：约6,800ppm)
组分(E-2)：铂-1，3-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物在二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的二甲基聚硅氧烷中的8质量％的1，3-二乙烯基四甲基二硅氧烷溶液(铂金属含量：约5,200ppm)
使用以下组分作为组分(F)。
组分(F-1)：1-乙炔基环己-1-醇
组分(F-2)：3，5-二甲基-1-己炔-3-醇
使用以下组分作为组分(G)。
组分(G-1)：3-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷
使用以下组分作为组分(H)。
组分(H-1)：中值粒度为9μm的YAG磷光剂(产品名：由荧光科技公司(PhosphorTechCo.)制造的BYW01A)
组分(H-2)：中值粒度为11μm的YAG磷光剂(产品名：由英特美公司(IntematixCo.)制造的NYAG-4156L)
组分(H-3)：中值粒度为17μm的红色氮化物磷光剂(产品名：由英特美公司制造的ER-6535)
表1
表1(续)
表1(续)
表2
*在比较例4中，耐热性测试后的固化产物未因磷光剂的填料加强作用而产生裂缝，但观察到硬度的显著下降。
如由表1和表2的结果可见，实践例1至11的可固化有机硅组合物的固化产物未因热老化而产生裂缝。此外，实践例10和11的可固化有机硅组合物的固化产物在LED装置上进行可靠性测试300小时之后表现出优异的发光。
[实践例12至15和比较例5与6]
根据表3和表4中所示的组成(质量份)均匀混合以上组分以制备实践例12至15和比较例5与6的可固化有机硅组合物。在表3和表4中，SiH/Vi是指在可固化有机硅组合物中相对于1摩尔的组分(A)和(B)中的总乙烯基基团，组分(C)中硅键合的氢原子的总摩尔数。
表3
表4
工业适用性
本发明的可固化有机硅组合物不因热老化而产生裂缝并且可以形成具有极少黄变的固化产物。因此，该可固化有机硅组合物适合作为光学半导体器件的光学半导体元件的密封剂、涂料或粘合剂。此外，该可固化有机硅组合物适合作为用于制造透镜、光管、光导或远程磷光剂组件的材料。
附图标记
1光学半导体元件
2引线框
3引线框
4接合线
5反光材料
6不含磷光剂的可固化有机硅组合物的固化产物
7含有磷光剂的可固化有机硅组合物的固化产物
8基板

Claims (17)

1.一种可固化有机硅组合物，包含：
(A)在分子中具有至少两个烯基基团的直链有机聚硅氧烷；
(B)由以下平均单元式表示的有机聚硅氧烷：
(R1SiO3/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1 3SiO1/2)c(SiO4/2)d(XO1/2)e
其中，R1各自独立地表示具有1至12个碳原子的烷基基团、具有2至12个碳原子的烯基基团、具有6至20个碳原子的芳基基团、具有7至20个碳原子的芳烷基基团或这些基团的一些或全部氢原子经卤素原子取代的基团，前提是分子中的至少两个R1为烯基基团，X为氢原子或烷基基团，a为0至0.3的数值，b为0或正数，c为正数，d为正数，e为0至0.4的数值，a+b+c+d＝1，c/d为0至10的数值，且b/d为0至0.5的数值，其量使得组分(A)与组分(B)的质量比为1/99至99/1；
(C)在分子中具有至少两个硅键合的氢原子的有机聚硅氧烷，其量使得该组分中硅键合的氢原子的量为每1摩尔组分(A)和(B)中的总烯基基团0.1至10摩尔；
(D)含铈的有机聚硅氧烷，其量使得组分(D)中铈原子的量相对于所述组合物的总质量以质量单位计为20至2,000ppm；以及
(E)催化量的硅氢加成反应催化剂。
2.根据权利要求1所述的可固化有机硅组合物，其中，在组分(B)中，所有R1中的0.1至40mol％为具有2至12个碳原子的烯基基团，并且所有R1中的至少10mol％为具有1至12个碳原子的烷基基团。
3.根据权利要求1所述的可固化有机硅组合物，其中组分(B)为包含以下单元的有机聚硅氧烷：R1(CH3)2SiO1/2单元(其中，R1为具有1至12个碳原子的烷基基团、具有2至12个碳原子的烯基基团、具有6至20个碳原子的芳基基团、具有7至20个碳原子的芳烷基基团或这些基团的一些或全部氢原子经卤素原子置换的基团，前提是分子中的至少两个R1为烯基基团)和SiO4/2单元。
4.根据权利要求1所述的可固化有机硅组合物，还包含(F)每100质量份的组分(A)至(D)的总质量等于0.01至3质量份的量的硅氢加成反应抑制剂。
5.根据权利要求1所述的可固化有机硅组合物，还包含(G)每100质量份的组分(A)至(D)的总质量等于0.1至3质量份的量的粘附促进剂。
6.根据权利要求1所述的可固化有机硅组合物，还包含(H)相对于所述组合物的总质量等于0.1至70质量％的量的磷光剂。
7.根据权利要求1所述的可固化有机硅组合物，所述可固化有机硅组合物形成在450nm下具有至少90％的透光率的固化产物。
8.根据权利要求1所述的可固化有机硅组合物，所述可固化有机硅组合物形成在240℃下加热500小时之前或之后在JISZ8730所规定的CIEL*a*b*色彩系统中具有不大于2.0的b*值的固化产物。
9.根据权利要求1所述的可固化有机硅组合物，用于密封、覆盖或粘附光学半导体器件中的光学半导体元件。
10.一种固化产物，通过使根据权利要求1所述的可固化有机硅组合物固化而获得。
11.根据权利要求10所述的固化产物，其中所述固化产物呈透镜、光管、光导或远程磷光剂组件的形式。
12.一种光学半导体器件，通过用根据权利要求1所述的可固化有机硅组合物密封、覆盖或粘附所述半导体器件中的光学半导体元件而形成。
13.根据权利要求12所述的光学半导体器件，其中所述光学半导体器件为发光二极管。
14.根据权利要求12所述的光学半导体器件，其中所述可固化有机硅组合物包含至少一种磷光剂。
15.根据权利要求12所述的光学半导体器件，其中随时间的色移降低。
16.根据权利要求12所述的光学半导体器件，其中随时间的光通量维持率得到改善。
17.根据权利要求10所述的固化产物，其中所述固化产物的可燃性降低。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107507905A (zh) * 2017-07-21 2017-12-22 广州慧谷化学有限公司 一种led器件
CN107629460A (zh) * 2017-09-28 2018-01-26 广州慧谷化学有限公司 有机聚硅氧烷组合物及其制备方法、半导体器件
CN108795053A (zh) * 2017-04-27 2018-11-13 信越化学工业株式会社 加成固化型硅酮组合物、该组合物的制造方法、硅酮固化物、以及光学元件
CN109890899A (zh) * 2016-09-29 2019-06-14 陶氏东丽株式会社 固化性有机硅组合物、其固化物、及光半导体装置
CN112920608A (zh) * 2019-12-05 2021-06-08 杜邦东丽特殊材料株式会社 固化性白色有机硅组合物、光半导体装置用反射材料以及光半导体装置
CN115885015A (zh) * 2020-07-13 2023-03-31 陶氏东丽株式会社 有机硅凝胶组合物、其固化物及其用途

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6181877B2 (ja) 2013-09-03 2017-08-16 ダウ コーニング コーポレーションＤｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ シリコーン封止材用添加剤
TWI688629B (zh) * 2015-03-05 2020-03-21 日商陶氏東麗股份有限公司 聚矽氧系感壓接著劑及具有聚矽氧系感壓接著層之積層體
JP6496193B2 (ja) * 2015-06-02 2019-04-03 株式会社ダイセル 硬化性シリコーン樹脂組成物及びその硬化物、並びに光半導体装置
JP2017088776A (ja) * 2015-11-13 2017-05-25 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン樹脂組成物、該組成物の製造方法、及び光学半導体装置
WO2017085612A1 (en) * 2015-11-18 2017-05-26 Sabic Global Technologies B.V. An iccp grid anode system that mitigates the failure of positive feeder connections
GB201603107D0 (en) 2016-02-23 2016-04-06 Dow Corning Low temperature cure silicone elastomer
WO2018013262A1 (en) * 2016-07-13 2018-01-18 Dow Corning Corporation Formulation containing a metal aprotic organosilanoxide compound
EP3484899B1 (en) 2016-07-13 2020-09-16 Dow Silicones Corporation Metal aprotic organosilanoxide compound
JP6958031B2 (ja) * 2017-07-04 2021-11-02 信越化学工業株式会社 シリコーンゲル組成物及びその硬化物並びにパワーモジュール
TWI829640B (zh) 2017-07-10 2024-01-21 美商陶氏有機矽公司 可固化聚矽氧組合物及光學半導體裝置
WO2019202837A1 (ja) * 2018-04-16 2019-10-24 信越化学工業株式会社 有機ｅｌ用透明乾燥剤及びその使用方法
WO2020043313A1 (en) * 2018-08-31 2020-03-05 Wacker Chemie Ag Curable organopolysiloxane composition, encapsulant and semiconductor device
JP7365798B2 (ja) 2019-07-03 2023-10-20 ダウ・東レ株式会社 シリコーンゲル組成物、その硬化物、電子部品封止剤、電子部品、および半導体チップの保護方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3267036A (en) * 1963-12-31 1966-08-16 Hayward R Baker Method of preparing fluid silicone compositions and a cerium-containing adduct therefor
US3884950A (en) * 1973-12-13 1975-05-20 Toray Silicone Co Organopolysiloxane composition having improved heat stability
CN1694925A (zh) * 2002-10-28 2005-11-09 陶氏康宁东丽硅氧烷株式会社 可固化的有机聚硅氧烷组合物和使用该组合物制造的半导体器件
CN103827218A (zh) * 2011-12-08 2014-05-28 迈图高新材料日本合同公司 氢硅烷化固化型硅橡胶组合物

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5124377B2 (zh) 1972-12-18 1976-07-23
USRE28938E (en) * 1972-12-18 1976-08-24 Toray Silicone Company, Ltd. Organopolysiloxane composition having improved heat stability
JPS5141046A (ja) 1974-10-03 1976-04-06 Toray Silicone Co Netsuanteiseioruganohorishirokisansoseibutsu
US4070343A (en) * 1975-09-26 1978-01-24 Toray Silicone Company, Ltd. Heat stable organopolysiloxane composition
JPS60163966A (ja) * 1984-02-06 1985-08-26 Shin Etsu Chem Co Ltd 耐熱性オルガノポリシロキサン組成物
JP2838208B2 (ja) * 1988-03-29 1998-12-16 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 透明な難燃性シリコーンゴム組成物
JPH09183904A (ja) * 1995-12-28 1997-07-15 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd オルガノポリシロキサン組成物
JP3248424B2 (ja) * 1996-02-29 2002-01-21 松下電工株式会社 変成ポリフェニレンオキサイドの製法、この製法による変成ポリフェニレンオキサイドを用いたエポキシ樹脂組成物、この組成物を用いたプリプレグ、及びこのプリプレグを用いた積層板
JP3983333B2 (ja) 1997-02-20 2007-09-26 信越化学工業株式会社 付加反応硬化型オルガノポリシロキサン組成物
KR100231428B1 (ko) 1997-06-12 1999-11-15 배순훈 드럼조립체 자동조립라인의 축위치 결정장치
JP4647941B2 (ja) * 2004-06-23 2011-03-09 東レ・ダウコーニング株式会社 シリコーンレジンとシリコーンゴムの一体化成形体、その製造方法および硬化性シリコーンレジン組成物
JP4528613B2 (ja) * 2004-12-27 2010-08-18 東レ・ダウコーニング株式会社 シリコーン樹脂とエポキシ樹脂の接着複合体およびその製造方法
JP5247979B2 (ja) 2005-06-01 2013-07-24 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 透明な硬化物を与えるポリオルガノシロキサン組成物
EP2083049B1 (en) 2006-10-19 2013-09-11 Momentive Performance Materials Japan LLC Curable polyorganosiloxane composition
JP2008291148A (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Shin Etsu Chem Co Ltd 耐熱性に優れたシリコーンゲル組成物
TWI458780B (zh) * 2007-07-31 2014-11-01 Dow Corning Toray Co Ltd 提供高透明矽酮硬化物之硬化性矽酮組合物
US8646949B2 (en) 2010-03-03 2014-02-11 LumenFlow Corp. Constrained folded path resonant white light scintillator
CN101899214A (zh) 2010-04-19 2010-12-01 上海爱世博有机硅材料有限公司 硅橡胶耐热添加剂及方法
JP5680889B2 (ja) * 2010-06-29 2015-03-04 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および光半導体装置
JP6057503B2 (ja) * 2011-09-21 2017-01-11 東レ・ダウコーニング株式会社 光半導体素子封止用硬化性シリコーン組成物、樹脂封止光半導体素子の製造方法、および樹脂封止光半導体素子

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3267036A (en) * 1963-12-31 1966-08-16 Hayward R Baker Method of preparing fluid silicone compositions and a cerium-containing adduct therefor
US3884950A (en) * 1973-12-13 1975-05-20 Toray Silicone Co Organopolysiloxane composition having improved heat stability
CN1694925A (zh) * 2002-10-28 2005-11-09 陶氏康宁东丽硅氧烷株式会社 可固化的有机聚硅氧烷组合物和使用该组合物制造的半导体器件
CN103827218A (zh) * 2011-12-08 2014-05-28 迈图高新材料日本合同公司 氢硅烷化固化型硅橡胶组合物

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109890899A (zh) * 2016-09-29 2019-06-14 陶氏东丽株式会社 固化性有机硅组合物、其固化物、及光半导体装置
CN108795053A (zh) * 2017-04-27 2018-11-13 信越化学工业株式会社 加成固化型硅酮组合物、该组合物的制造方法、硅酮固化物、以及光学元件
CN107507905A (zh) * 2017-07-21 2017-12-22 广州慧谷化学有限公司 一种led器件
CN107629460A (zh) * 2017-09-28 2018-01-26 广州慧谷化学有限公司 有机聚硅氧烷组合物及其制备方法、半导体器件
CN107629460B (zh) * 2017-09-28 2021-01-08 广州慧谷化学有限公司 有机聚硅氧烷组合物及其制备方法、半导体器件
CN112920608A (zh) * 2019-12-05 2021-06-08 杜邦东丽特殊材料株式会社 固化性白色有机硅组合物、光半导体装置用反射材料以及光半导体装置
CN115885015A (zh) * 2020-07-13 2023-03-31 陶氏东丽株式会社 有机硅凝胶组合物、其固化物及其用途
CN115885015B (zh) * 2020-07-13 2024-04-05 陶氏东丽株式会社 有机硅凝胶组合物、其固化物及其用途

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Publication number Publication date
KR20160110553A (ko) 2016-09-21
US20150376344A1 (en) 2015-12-31
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