CN105051888B - 绝缘性陶瓷糊料、陶瓷电子器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种绝缘性陶瓷糊料、陶瓷电子器件及其制造方法，能防止窄间距的端子电极间的焊料短路，并且在烧成工序时能抑制覆盖端子电极的一部分的绝缘体上产生裂纹。陶瓷电子器件包括：陶瓷多层基板(50)；端子电极(32a、33a)，该端子电极(32a、33a)形成在陶瓷多层基板(50)的表面；以及绝缘体陶瓷膜(34)，该绝缘体陶瓷膜(34)形成在陶瓷多层基板(50)的表面，并且被设置为覆盖端子电极(32a、33a)的一部分。绝缘体陶瓷膜(34)的表面露出部分(富钡长石晶体层)(34a)的热膨胀系数小于陶瓷多层基板(50)的热膨胀系数。

Description

绝缘性陶瓷糊料、陶瓷电子器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及能防止窄间距的端子电极之间的焊料短路的绝缘性陶瓷糊料、陶瓷电子器件及其制造方法。
背景技术
以往，为了应对电子器件小型化的需求，已知有具备窄间距的端子电极的陶瓷电子器件。然而，具备窄间距的端子电极的陶瓷电子器件被安装在印刷电路基板时，端子电极之间容易经由焊料产生短路的问题。
因此，作为对策，专利文献1提出了在端子电极之间设置深10μm的槽的陶瓷模块器件。该陶瓷模块器件利用槽使端子电极间的沿面距离变长，能防止端子电极之间经由焊料的短路。
另外，专利文献2提出了端子电极的端部以向内层侧弯曲的状态进行埋设的陶瓷多层基板。该陶瓷多层基板中，由于端子电极的端部被绝缘体覆盖，因此端子电极间的物理距离变长，能防止端子电极之间经由焊料的短路。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2005-108950号公报
专利文献2：日本专利特开2005-286303号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
然而，伴随着电子器件的进一步小型化，专利文献1的陶瓷模块器件存在端子电极间的空间变窄，槽难以形成的问题。
另外，专利文献2的陶瓷多层基板在烧成工序冷却时，由于端子电极的冷却收缩而被拉伸。因此，在覆盖端子电极的端部的绝缘体的部分产生裂纹，由于该裂纹的影响产生端子电极剥离等问题。若为了防止该裂纹产生，而使覆盖端子电极的端部的绝缘体的厚度变厚，则妨碍了陶瓷多层基板的薄板化。
因此，本发明的目的在于提供一种能防止窄间距的端子电极间的焊料短路，并且在烧成工序时能抑制在覆盖端子电极的一部分的绝缘体上产生裂纹的绝缘性陶瓷糊料、陶瓷电子器件及其制造方法。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明是陶瓷电子器件，其特征在于，包括：陶瓷多层基板；多个端子电极，该多个端子电极形成在陶瓷多层基板的表面；以及绝缘体陶瓷膜，该绝缘体陶瓷膜形成在陶瓷多层基板的表面，并且被设置为至少覆盖端子电极的一部分，绝缘体陶瓷膜的表面露出部分的热膨胀系数小于陶瓷多层基板的热膨胀系数。
另外，本发明中，优选地，绝缘体陶瓷膜设置在多个端子电极之间，形成为覆盖各端子电极的一部分。
本发明中，由于绝缘体陶瓷膜被设置为至少覆盖端子电极的一部分，因此端子电极间的物理距离增长，能防止端子电极之间经由焊料的短路。另外，绝缘体陶瓷膜形成在多个端子电极之间，能更可靠地防止端子电极之间经由焊料的短路。
进一步地，由于绝缘体陶瓷膜的表面露出部分的热膨胀系数小于陶瓷多层基板的热膨胀系数，因此在烧成工序冷却时，绝缘体陶瓷膜的表面露出部分的收缩量变小。由此，压缩应力作用于绝缘体陶瓷膜的表面露出部分。结果，绝缘体陶瓷膜难以由于端子电极的冷却收缩而被拉伸，在端子电极上的绝缘体陶瓷膜的部分难以产生裂纹。
另外，本发明中，优选地，绝缘体陶瓷膜包含钡长石晶体，与绝缘体陶瓷膜接触陶瓷多层基板以及端子电极的部分的钡长石晶体的量相比，绝缘体陶瓷膜的表面露出部分的钡长石晶体的量比较多。
本发明中，热膨胀系数小的钡长石晶体相对较多地存在于绝缘体陶瓷膜的表面露出部分的情况下，在端子电极上的绝缘体陶瓷膜的部分难以产生裂纹。
另外，本发明是陶瓷电子器件的制造方法，其特征在于，包括：在外层用陶瓷生片的表面由导电性糊料形成端子电极的工序；在内层用陶瓷生片的表面由导电性糊料形成内部电极的工序；形成未烧成的层叠体的工序，该未烧成的层叠体具有的结构为：外层用陶瓷生片和内层用陶瓷生片层叠，在多个内层用陶瓷生片相互之间的界面上设置内部电极，并且在外层用陶瓷生片的表面上设置端子电极；由绝缘性陶瓷糊料形成绝缘体陶瓷膜，将形成在未烧成的层叠体表面的端子电极的至少一部分覆盖的工序；以及烧成未烧成的层叠体得到烧结层叠体的工序，绝缘性陶瓷糊料至少含有：骨料；含有BaO成分的玻璃；以及含有Al成分的无机物，并且含有BaO成分的玻璃的BaO含有量为20～30mol％，若设骨料、含有Al成分的无机物以及含有BaO成分的玻璃的总计含有量为100体积％，则(a)骨料的含有量a为50.0体积％≦a≦70.2体积％，(b)含有Al成分的无机物的含有量b为3.0体积％≦b≦18.0体积％，(c)含有BaO成分的玻璃的含有量c为25.0体积％≦c≦37.0体积％。
作为骨料的材料，优选地采用镁橄榄石。另外，作为含有Al成分的无机物的材料，例如采用氧化铝或堇青石。
本发明中，烧成工序时，与绝缘体陶瓷膜接触陶瓷多层基板以及端子电极的部分的钡长石晶体的量相比，绝缘体陶瓷膜的表面露出部分的钡长石晶体形成的量比较多。由此，能以优良的量产性制造出绝缘体陶瓷膜的表面露出部分的热膨胀系数小于陶瓷多层基板的热膨胀系数的陶瓷电子器件。
另外，本发明是绝缘性陶瓷糊料，其特征在于，至少含有：骨料、含有Al成分的无机物、含有BaO成分的玻璃以及溶剂，含有BaO成分的玻璃的BaO含有量为20～30mol％，若设骨料、含有Al成分的无机物以及含有BaO成分的玻璃的总计含有量为100体积％，则(a)骨料的含有量a为50.0体积％≦a≦70.2体积％，(b)含有Al成分的无机物的含有量b为3.0体积％≦b≦18.0体积％，(c)含有BaO成分的玻璃的含有量c为25.0体积％≦c≦37.0体积％。
作为骨料的材料，优选地采用镁橄榄石。另外，作为含有Al成分的无机物的材料，例如采用氧化铝或堇青石。
烧成本发明的绝缘性陶瓷糊料，则钡长石晶体相对较多地形成在表面露出部分，得到表面露出部分的热膨胀系数较小的绝缘体陶瓷。
发明效果
根据本发明，烧成工序时，能抑制在绝缘体陶瓷膜产生裂纹，抑制端子电极的剥离，并且能抑制端子电极间的焊料短路。
通过参照附图对用于实施以下发明的方式进行说明，将使本发明的上述目的、其它目的、特征以及优点进一步明确。
附图说明
图1是表示本发明涉及的陶瓷电子器件的第一实施方式的平面图。
图2是图1的II-II剖面图。
图3是表示本发明涉及的陶瓷电子器件的第二实施方式的平面图。
图4是表示本发明涉及的陶瓷电子器件的第三实施方式的平面图。
图5是表示本发明涉及的陶瓷电子器件的第四实施方式的平面图。
图6是用于说明图5所示的陶瓷电子器件的制造方法的剖面图。
图7是表示镁橄榄石、氧化铝和含有BaO成分的玻璃的三种成分含有量的相关关系的三角图。
图8是表示镁橄榄石、堇青石和含有BaO成分的玻璃的三种成分含有量的相关关系的三角图。
具体实施方式
对本发明涉及的绝缘性陶瓷糊料、陶瓷电子器件及其制造方法的实施方式进行说明。
1.第一实施方式
图1是表示第一实施方式的陶瓷电子器件1的平面图，图2是其垂直剖面图。陶瓷电子器件1大致由陶瓷多层基板2、端子电极4、5、绝缘体陶瓷膜6以及过孔8、9构成。
端子电极4、5以窄间距(第一实施方式的情况下，间隔D为50μm)形成在陶瓷多层基板2的表面(陶瓷电子器件1的安装面)。端子电极4、5由Ag、Cu、Ni或这些金属的合金等构成。
绝缘体陶瓷膜6形成在陶瓷多层基板2的表面，并且形成在端子电极4、5之间，以覆盖端子电极4、5的相邻一侧的一部分。在此，作为陶瓷多层基板2的材料，包含镁橄榄石粉以及玻璃粉末，作为绝缘体陶瓷膜6的材料，包含作为骨料的镁橄榄石粉、含有Al成分的无机物以及含有BaO成分的玻璃。因此，陶瓷电子器件1的烧成工序中，绝缘体陶瓷膜6包含钡长石晶体，与接触陶瓷多层基板2以及端子电极4、5的部分的钡长石晶体的量相比，表面露出部分的钡长石晶体的量比较多。由此，绝缘体陶瓷膜6的表面露出部分的热膨胀系数小于陶瓷多层基板2的热膨胀系数。第一实施方式的情况下，绝缘体陶瓷膜6的宽度W为150μm。另外，骨料是指成为陶瓷的主成分的材料。
过孔8、9形成在陶瓷多层基板2的内部。过孔8、9的内部分别由导电材料填充，其上端部与端子电极4、5电连接。端子电极4、5经由过孔8、9与内部电极(未图示)电连接。
由以上结构构成的陶瓷电子器件1，由于绝缘体陶瓷膜6形成在端子电极4、5之间以覆盖端子电极4、5的一部分，因此端子电极4、5之间的物理距离变长，能防止端子电极4、5之间经由焊料的短路。
进一步地，由于绝缘体陶瓷膜6的表面露出部分的热膨胀系数小于陶瓷多层基板2的热膨胀系数，因此在烧成工序冷却时，绝缘体陶瓷膜6的表面露出部分的收缩量小于陶瓷多层基板2的收缩量。由此，压缩应力作用于绝缘体陶瓷膜6的表面露出部分，抑制端子电极4、5的收缩。由此，绝缘体陶瓷膜6难以由于端子电极4、5被拉伸，在端子电极4、5上的绝缘体陶瓷膜6的部分上难以产生裂纹。
2.第二实施方式
图3是表示第二实施方式的陶瓷电子器件1’的平面图。陶瓷电子器件1’大致由陶瓷多层基板2、端子电极4、5、绝缘体陶瓷膜6以及过孔8、9构成。
端子电极4、5以窄间距(第二实施方式的情况下，间隔D为50μm)分别相对地形成在陶瓷多层基板2的表面(陶瓷电子器件1’的安装面)。
绝缘体陶瓷膜6形成在陶瓷多层基板2的表面，并且形成为覆盖相对形成的端子电极4、5中一个端子电极4的一部分。在此，作为陶瓷多层基板2的材料，包含镁橄榄石粉以及玻璃粉末，作为绝缘体陶瓷膜6的材料，包含镁橄榄石粉、含有Al成分的无机物以及含有BaO成分的玻璃。因此，陶瓷电子器件1’的烧成工序中，绝缘体陶瓷膜6包含钡长石晶体，与接触陶瓷多层基板2以及端子电极4、5的部分的钡长石晶体的量相比，表面露出部分的钡长石晶体的量比较多。由此，绝缘体陶瓷膜6的表面露出部分的热膨胀系数小于陶瓷多层基板2的热膨胀系数。第二实施方式的情况下，绝缘体陶瓷膜6的宽度W为100μm。
过孔8、9形成在陶瓷多层基板2的内部。过孔8、9的内部分别由导电材料填充，其上端部与端子电极4、5电连接。端子电极4、5经由过孔8、9与内部电极(未图示)电连接。
上述的结构构成的陶瓷电子器件1’与所述第一实施方式的陶瓷电子器件1起到同样的作用效果。
3.第三实施方式
图4是表示第三实施方式的陶瓷电子器件11的平面图。陶瓷电子器件11，大致由陶瓷多层基板12、端子电极14a～14c、15a～15c、绝缘体陶瓷膜16、17、过孔18a～18c、19a～19c构成。
端子电极14a～14c、15a～15c以窄间距(第三实施方式的情况下，间隔D为50μm)形成在陶瓷多层基板12的表面(陶瓷电子器件11的安装面)。
绝缘体陶瓷膜16、17形成在陶瓷多层基板12的表面，并且形成在端子电极14a～14c、15a～15c之间，覆盖端子电极14a～14c、15a～15c的相邻侧的一部分。在此，作为陶瓷多层基板12的材料，包含镁橄榄石粉以及玻璃粉末，作为绝缘体陶瓷膜16、17的材料，包含镁橄榄石粉、含有Al成分的无机物以及含有BaO成分的玻璃。因此，陶瓷电子器件11的烧成工序中，绝缘体陶瓷膜16、17包含钡长石晶体，与接触陶瓷多层基板12以及端子电极14a～14c、15a～15c的部分的钡长石晶体的量相比，表面露出部分的钡长石晶体的量比较多。由此，绝缘体陶瓷膜16、17的表面露出部分的热膨胀系数小于陶瓷多层基板12的热膨胀系数。第三实施方式的情况下，绝缘体陶瓷膜16、17的宽度W为150μm。
过孔18a～18c、19a～19c形成在陶瓷多层基板12的内部。过孔18a～18c、19a～19c的内部分别由导电材料填充，其上端部与端子电极14a～14c、15a～15c电连接。
上述的结构构成的陶瓷电子器件11与所述第一实施方式的陶瓷电子器件1起到同样的作用效果。
4.第四实施方式
(陶瓷电子器件)
图5是表示第四实施方式的陶瓷电子器件51的平面图。陶瓷电子器件51大致由陶瓷多层基板50、端子电极32a、32b、33a、33b、绝缘体陶瓷膜34、以及内部电极22a、23a(参照图6)构成。
端子电极32a、32b、33a、33b以窄间距(第四实施方式的情况下，间隔D为50μm)形成在陶瓷多层基板50的表面(陶瓷电子器件51的安装面)。
绝缘体陶瓷膜34形成在陶瓷多层基板50的表面，并且形成在端子电极32a、32b、33a、33b之间，覆盖端子电极32a、32b、33a、33b的相邻一侧的一部分。在此，作为陶瓷多层基板50的材料，包含镁橄榄石粉以及玻璃粉末，作为绝缘体陶瓷膜34的材料，包含镁橄榄石粉、含有Al成分的无机物以及含有BaO成分的玻璃。因此，陶瓷电子器件51的烧成工序中，绝缘体陶瓷膜34包含钡长石晶体，与接触陶瓷多层基板50以及端子电极32a、32b、33a、33b的部分的钡长石晶体的量相比，表面露出部分的钡长石晶体的量比较多。由此，绝缘体陶瓷膜34的表面露出部分的热膨胀系数小于陶瓷多层基板50的热膨胀系数。第四实施方式的情况下，绝缘体陶瓷膜34的宽度W为150μm。
上述的结构构成的陶瓷电子器件51与所述第一实施方式的陶瓷电子器件1起到同样的作用效果。
(陶瓷电子器件的制造方法)
接着，参照图6对陶瓷电子器件51的制造方法进行说明。
(陶瓷生片的制作)
外层用陶瓷生片30和内层用陶瓷生片20、40使用相同的材料。但是不言自明，二者也可使用不同的材料。
首先，作为主成分粉末，准备镁橄榄石粉以及玻璃粉末。
接着，在该主成分粉末中添加丁醛树脂、DOP(增塑剂)之后，利用球磨将它们湿法混合，制作陶瓷浆料。陶瓷浆料利用刮刀法成形为片材状，使其干燥，形成外层用陶瓷生片30以及内层用陶瓷生片20、40。
(绝缘性陶瓷糊料的制作)
使用作为骨料的镁橄榄石、含有Al成分的无机物、含有BaO成分的玻璃、溶剂以及纤维素乙醚树脂，制作绝缘性陶瓷糊料。在此，含有BaO成分的玻璃的BaO的含有量被配比为20～30mol％。
进一步地，设镁橄榄石、含有Al成分的无机物以及含有BaO成分的玻璃的总计含有量为100体积％时，以如下比例配比：
(a)镁橄榄石的含有量a为50.0体积％≦a≦70.2体积％
(b)含有Al成分的无机物的含有量b为3.0体积％≦b≦18.0体积％
(c)含有BaO成分的玻璃的含有量c为25.0体积％≦c≦37.0体积％。
另外，作为骨料的材料，本实施方式中采用镁橄榄石，但并不特别限定为镁橄榄石，例如也可采用锆酸钙、锆酸锶等。另外，作为含有Al成分的无机物的材料，例如采用氧化铝(Al2O3)或堇青石(2MgO·2Al2O3·5SiO2)。
(陶瓷电子器件的制造)
图6是用于说明图5所示的陶瓷电子器件的制造方法的剖面图。
首先，如图6(A)所示，导电性糊料(例如Cu糊料)被丝网印刷在内层用陶瓷生片20的表面，形成内部电极用导电性糊料膜22a’、23a’。
接着，如图6(B)所示，导电性糊料(例如Cu糊料)被丝网印刷在外层用陶瓷生片30的表面，形成端子电极用导电性糊料膜32a’、32b’、33a’、33b’。另外，需要注意的是，虽然图6表示图5所示的陶瓷电子器件的制造方法，但由于利用剖面图来表示陶瓷电子器件51的制造方法，在图6中，未图示端子电极32b、33b以及将会成为端子电极32b、33b的端子电极用导电性糊料32b’、33b’。
接着，外层用陶瓷生片30和内层用陶瓷生片20将用于调整厚度的内层用陶瓷生片40包夹在它们之间，层叠并热压接。这样，形成具有如下结构的未烧成的陶瓷多层基板50：在层叠的内层用陶瓷生片20、40之间的界面上设置内部电极用导电性糊料膜22a’、23a’，并且在外层用陶瓷生片30的表面上设置端子电极用导电性糊料膜32a’、32b’、33a’、33b’。
接着，如图6(C)所示，绝缘性陶瓷糊料被丝网印刷在端子电极用导电性糊料膜32a’、32b’、33a’、33b’之间，将形成在未烧成的陶瓷多层基板50的表面上的端子电极用导电性糊料膜32a’、32b’、33a’、33b’的相邻侧的一部分覆盖，形成绝缘性陶瓷糊料膜34’。
接着，未烧成的陶瓷多层基板50被切分为规定的产品尺寸(纵0.65mm，横0.45mm的矩形)。被切分后的未烧成的陶瓷多层基板50在N2-H2-H2O气体组成的还原性气氛中被烧成，成为烧结的陶瓷多层基板50。
如图6(D)所示，陶瓷生片20、30、40和导电性糊料膜22a’、23a’、32a’、32b’、33a’、33b’和绝缘性陶瓷糊料膜34’被同时烧成。内层用陶瓷生片20、40成为内层陶瓷层，外层用陶瓷生片30成为外层陶瓷层，内部电极用导电性糊料膜22a’、23a’成为内部电极22a、23a，端子电极用导电性糊料膜32a’、32b’、33a’、33b’成为端子电极32a、32b、33a、33b。
另外，绝缘性陶瓷糊料膜34’成为包含钡长石晶体的绝缘体陶瓷膜34。该绝缘体陶瓷膜34在露出表面部分形成富钡长石晶体层34a。与绝缘体陶瓷膜34接触陶瓷多层基板50以及端子电极32a、32b、33a、33b的部分的钡长石晶体的量相比，富钡长石晶体层34a的钡长石晶体的量较多。
以上说明的制造方法，能以优良的量产性制造出绝缘体陶瓷膜34的表面露出部分(富钡长石晶体层34a)的热膨胀系数小于陶瓷多层基板50的热膨胀系数的陶瓷电子器件51。
实施例
1.实施例
上述第四实施方式的陶瓷电子器件51由上述的制造方法被制造，并对其进行了特性评价。此时，如表1所示的组成那样称量镁橄榄石粉、含有Al成分的无机物、含有BaO成分的玻璃、溶剂以及纤维素乙醚树脂，制作绝缘性陶瓷糊料。表1记载的含有BaO成分的玻璃的“G1”～“G4”，如表2所示那样，含有10～40mol％的BaO。
[表1]
*为本发明的范围外
[表2]
2.实施例中的特性评价以及评价方法
对各试料进行以下的特性评价。
(绝缘体陶瓷膜的裂纹的评价)
以目测观察陶瓷电子器件51的绝缘体陶瓷膜34，确认绝缘体陶瓷膜34有无裂纹。进一步地，陶瓷电子器件51利用焊料安装在印刷电路基板(印刷基板)，从180cm的高度实施三次自由下落试验之后，以目测观察绝缘体陶瓷膜34，确认绝缘体陶瓷膜34有无裂纹。在绝缘体陶瓷膜34上未产生裂纹的情况下，为“○”。产生裂纹的情况下为“×”。
(绝缘体陶瓷膜的钡长石晶体的评价)
研磨陶瓷电子器件51的垂直剖面并露出，使用扫描型电子显微镜(SEM)，观察绝缘体陶瓷膜34的钡长石晶体。与绝缘体陶瓷膜34接触陶瓷多层基板50以及端子电极32a、32b、33a、33b的部分的钡长石晶体的量相比，绝缘体陶瓷膜34的表面露出部分(富钡长石晶体层34a)的钡长石晶体的量多的情况为“○”。相等或较少的情况为“×”。
(共面度的评价)
共面度是指，相对于印刷电路基板的表面，设置在陶瓷电子器件51的安装面上的端子电极32a、32b、33a、33b、绝缘体陶瓷膜34的凹凸量。共面度不到20μm的情况下，判断为共面度良好即“○”。共面度在20μm以上的情况下，判断为共面度较差即“×”。
3.实施例的特性评价结果
表3表示实施例的特性评价的结果。
[表3]
*为本发明的范围外
本发明的范围外的试料编号9、10的情况(制作绝缘性陶瓷糊料时，未混合含有Al成分的无机物的情况)下，在绝缘体陶瓷膜34不生成钡长石晶体。因此，在绝缘体陶瓷膜34产生裂纹。另外，由于含有BaO成分的玻璃的量过多，因此镁橄榄石的烧结过度进行使共面度变差。
本发明的范围外的试料编号11的情况(制作绝缘性陶瓷糊料时，混合较多含有BaO成分的玻璃的量的情况)下，镁橄榄石的烧结过度进行使共面度变差。另外，钡长石晶体在整个绝缘体陶瓷膜34上均匀生成。另外，下落试验后的绝缘体陶瓷膜34产生裂纹。
本发明的范围外的试料编号12的情况(制作绝缘性陶瓷糊料时，混合较多含有Al成分的无机物的量的情况)下，钡长石晶体在整个绝缘体陶瓷膜34上均匀生成。另外，下落试验后的绝缘体陶瓷膜34产生裂纹。
本发明的范围外的试料编号13的情况(制作绝缘性陶瓷糊料时，含有Al成分的无机物以及含有BaO成分的玻璃的混合量较少的情况)下，在绝缘体陶瓷膜34生成的钡长石晶体较少。因此，在下落试验后的绝缘体陶瓷膜34产生裂纹。
本发明的范围外的试料编号14的情况(制作绝缘性陶瓷糊料时，混合BaO含有量为10mol％的含有BaO成分的玻璃的情况)下，BaO比例过少，在绝缘体陶瓷膜34生成的钡长石晶体较少。因此，下落试验后的绝缘体陶瓷膜34产生裂纹。
本发明的范围外的试料编号16的情况(制作绝缘性陶瓷糊料时，混合BaO含有量为40mol％的含有BaO成分的玻璃的情况)下，BaO比例过多，钡长石晶体在整个绝缘体陶瓷膜34上均匀生成。另外，在下落试验后的绝缘体陶瓷膜34产生裂纹。
与此相对，本发明的范围内的试料编号1～8、15、17～21的情况下，含有BaO成分的玻璃以及含有Al成分的无机物良好地反应，有效地在绝缘体陶瓷膜34上生成钡长石晶体。即，与绝缘体陶瓷膜34接触陶瓷多层基板50以及端子电极32a、32b、33a、33b的部分的钡长石晶体的量相比，绝缘体陶瓷膜34的表面露出部分(富钡长石晶体层34a)的钡长石晶体生成的量较多。因此，在绝缘体陶瓷34难以产生裂纹，在下落试验后的绝缘体陶瓷膜34也未产生裂纹。
并且，从试料编号8、14、15、16可知，本发明中含有BaO成分的玻璃的BaO含有量被配比为20～30mol％。
另外，表4是相对于本发明的范围内的试料编号1～8、17～21、以及本发明的范围外的试料编号9～13，设镁橄榄石、含有Al成分的无机物、以及含有BaO成分的玻璃则三种成分的总计含有量为100体积％时，计算镁橄榄石、含有Al成分的无机物、以及含有BaO成分的玻璃各自的含有量后得到的结果。
[表4]
*为本发明的范围外
另外，图7是表示采用氧化铝作为含有Al成分的无机物的试料编号1～8、9～13的镁橄榄石、氧化铝以及含有BaO成分的玻璃这三种成分含有量的相关关系的三角图。图8是表示采用堇青石作为含有Al成分的无机物的试料编号17～21的镁橄榄石、堇青石以及含有BaO成分的玻璃这三种成分含有量的相关关系的三角图。在各个图中，以多边形包围的范围是本发明的适用范围。
并且从图7和图8可知，本发明在制作绝缘性陶瓷糊料时，若设镁橄榄石、含有Al成分的无机物以及含有BaO成分的玻璃的总计含有量为100体积％，则镁橄榄石粉、含有Al成分的无机物以及含有BaO成分的玻璃被认为配比为：
(a)镁橄榄石的含有量a为50.0体积％≦a≦70.2体积％
(b)含有Al成分的无机物的含有量b为3.0体积％≦b≦18.0体积％
(c)含有BaO成分的玻璃的含有量c为25.0体积％≦c≦37.0体积％。
另外，本发明不限于上述实施方式，在其要旨的范围内进行各种变形。
即，例如上述实施方式中，作为陶瓷多层基板2、12、50的材料，主要包含镁橄榄石粉以及玻璃粉末，作为绝缘体陶瓷膜6、16、17、34的材料，包含镁橄榄石粉、含有Al成分的无机物以及含有BaO成分的玻璃，但只要绝缘体陶瓷膜小于陶瓷多层基板的热膨胀系数，即使变更各个材料，也能得到同样的效果。
标号说明
1、1’、11、51 陶瓷电子器件
2、12、50 陶瓷多层基板
4、5、14a～14c、15a～15c、32a、32b、33a、33b 端子电极
6、16、17、34 绝缘体陶瓷膜
20 内层用陶瓷生片
22a、23a 内部电极
30 外层用陶瓷生片
34a 富钡长石晶体层

Claims (8)

1.一种陶瓷电子器件，其特征在于，包括：
陶瓷多层基板；
多个端子电极，该多个端子电极形成在所述陶瓷多层基板的表面；以及
绝缘体陶瓷膜，该绝缘体陶瓷膜形成在所述陶瓷多层基板的表面，并且被设置为至少覆盖所述端子电极的一部分，
所述绝缘体陶瓷膜的表面露出部分的热膨胀系数小于所述陶瓷多层基板的热膨胀系数，
所述绝缘体陶瓷膜包含钡长石晶体，与所述绝缘体陶瓷膜接触所述陶瓷多层基板以及所述端子电极的部分的钡长石晶体的量相比，所述绝缘体陶瓷膜的表面露出部分的钡长石晶体的量比较多。
2.如权利要求1所述的陶瓷电子器件，其特征在于，
所述绝缘体陶瓷膜形成在多个所述端子电极之间。
3.一种陶瓷电子器件的制造方法，其特征在于，包括：
在外层用陶瓷生片的表面由导电性糊料形成端子电极的工序；
在内层用陶瓷生片的表面由导电性糊料形成内部电极的工序；
形成未烧成的层叠体的工序，该未烧成的层叠体具有的结构为：所述外层用陶瓷生片和所述内层用陶瓷生片层叠，在多个所述内层用陶瓷生片相互之间的界面上设置所述内部电极，并且在所述外层用陶瓷生片的表面上设置所述端子电极；
在多个所述端子电极之间，由绝缘性陶瓷糊料形成绝缘体陶瓷膜，将形成在所述未烧成的层叠体的表面的所述端子电极的至少一部分覆盖的工序；以及
烧成所述未烧成的层叠体，得到烧结层叠体的工序，
所述绝缘性陶瓷糊料至少含有：骨料；含有BaO成分的玻璃；以及含有Al成分的无机物，并且含有BaO成分的玻璃的BaO含有量为20～30mol％，若设所述骨料、所述含有Al成分的无机物以及所述含有BaO成分的玻璃的总计含有量为100体积％，则
(a)所述骨料的含有量a为50.0体积％≦a≦70.2体积％
(b)所述含有Al成分的无机物的含有量b为3.0体积％≦b≦18.0体积％
(c)所述含有BaO成分的玻璃的含有量c为25.0体积％≦c≦37.0体积％。
4.如权利要求3所述的陶瓷电子器件的制造方法，其特征在于，
所述骨料为镁橄榄石。
5.如权利要求3或权利要求4所述的陶瓷电子器件的制造方法，其特征在于，
所述含有Al成分的无机物为氧化铝或堇青石。
6.一种绝缘性陶瓷糊料，其特征在于，
至少含有：骨料、含有Al成分的无机物、含有BaO成分的玻璃以及溶剂，
所述含有BaO成分的玻璃的BaO含有量为20～30mol％，
若设所述骨料、所述含有Al成分的无机物以及所述含有BaO成分的玻璃的总计含有量为100体积％，则
(a)所述骨料的含有量a为50.0体积％≦a≦70.2体积％
(b)所述含有Al成分的无机物的含有量b为3.0体积％≦b≦18.0体积％
(c)所述含有BaO成分的玻璃的含有量c为25.0体积％≦c≦37.0体积％。
7.如权利要求6所述的绝缘性陶瓷糊料，其特征在于，
所述骨料为镁橄榄石。
8.如权利要求6或权利要求7所述的绝缘性陶瓷糊料，其特征在于，所述含有Al成分的无机物为氧化铝或堇青石。
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