JP6696795B2 - 配線基板 - Google Patents
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Description
するようになる。これにより、ガラスセラミックスが未焼成の状態から焼結体に変化するときに、厚み方向に細長形状となるボイド5が形成される確率を小さくすることができる。これは、ガラスセラミックスが未焼成の状態から焼結体に変化するときに、ガラス相2内に小さいボイド5が多数発生するが、中には、小さいボイド5同士がつながった状態で残ってしまう。これが細長形状のボイド5となる。このような場合に、細長形状をした第1結晶粒子7aが絶縁層1(またはガラス相2)中に存在し、その長手方向が絶縁層1の面1aに沿った方向に配置されていると、小さいボイド5同士を絶縁層1の厚み方向につながりにくくすることができる。
asに沿った方向に成長しやすいものとなっている。この第3結晶粒子7cも絶縁層1についてX線回折を行ったときに、結晶軸が絶縁層1の面1aの沿った方向に配向しているのが良い。なお、第3結晶粒子7cがガラス相2中に部分的に形成されてくる結晶相であることは、第3結晶粒子7cがガラス相に連続した相として観察できることから確認できる。また、第3結晶粒子7cのサイズとしては、第1結晶粒子7aとの間で最大径を比較したときに、0.05〜0.2倍が良い。この場合、第3結晶粒子7cの最大径は0.1〜1.5μmであるのが良い。第3結晶粒子7cの場合も、そのサイズが大きくなりすぎると、第1結晶粒子7aの配向性を低下させることになるためである。この場合、絶縁層1の単位断面積に占める第3結晶粒子7bの面積割合としては5〜15体積%であるのが良い。
評価用基板は、面積が20mm×20mm、厚みが約170μmであった。評価用基板の中で中央部に位置する配線基板は、絶縁層の平均厚みが7μmであった。
(絶縁層の内部組織観察)
絶縁層中に存在するボイドおよびその最大径、細長形状のフィラーおよびその面積割合、多角形状のフィラーならびに結晶相(セルジアン)の配向性は、作製した評価用基板の縦断面を鏡面研磨した後、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて倍率3000倍で観察することによって評価した。作製した各試料の絶縁層は、それぞれボイド、細長形状のフィラーおよび結晶相(セルジアン)が、図1〜図4にそれぞれ示したように、絶縁層の面に沿って配向したものとなっていた。表1に示したボイドの最大径の値は、観察した断面に見られたボイドの中で最大径を示したものを絶縁層の平均厚みを1としたときの割合で表記した。
(電気特性の測定方法)
配線基板の絶縁抵抗は、高温高湿バイアスの条件(121℃、100%RH、直流5.5V)に100時間放置した後に、配線基板に100Vの電圧を印加した状態で測定した。
1a・・・・・絶縁層の面
2・・・・・・ガラス相
3a、3b・・導体層
5・・・・・・ボイド
7・・・・・・結晶粒子
7a・・・・・第1結晶粒子
7b・・・・・第2結晶粒子
7c・・・・・第3結晶粒子
Claims (3)
- ガラスセラミック製の絶縁層と、該絶縁層に配置された導体層とを有する配線基板であって、前記絶縁層は、該絶縁層の面に沿って存在している多数の細長形状のボイドを有しており、前記多数の細長形状のボイドのうち、最も大きい径を示す前記ボイドのその最大径は、前記絶縁層の厚みを1としたときに、0.38以上0.45以下であることを特徴とする配線基板。
- 前記絶縁層は、ガラス相と、細長形状の結晶粒子と、セルジアンとを含んでおり、前記結晶粒子は、前記絶縁層の面に沿って存在していることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。
- 前記細長形状の結晶粒子は、前記絶縁層の単位面積に占める面積割合が43%以上55%以下であることを特徴とする請求項2に記載の配線基板。
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