CN104995329A - 导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种银合金溅射靶，具有如下成分组成：包含合计为0.1～1.5质量％的In及Sn中的一种以上且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成，其中所述In及Sn是固溶于Ag的元素，晶粒的平均粒径为1μm以上且小于30μm，晶粒的粒径的偏差为平均粒径的30％以下，该银合金溅射靶通过对熔炼铸造铸锭，依次实施热轧工序、冷却工序、冷轧、热处理、机械加工工序而制造。

Description

导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种用于形成有机EL元件的反射电极和触控面板的配线膜等导电性膜的银合金溅射靶及其制造方法。

本申请基于2013年3月11日于日本申请的专利申请2013-048388号主张优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

有机EL元件为一种发光元件，其为在对于形成于有机EL发光层两侧的阳极与阴极之间施加电压，从阳极将空穴、从阴极将电子分别注入至有机EL膜，且使用在有机EL发光层中当空穴和电子结合时发光的原理，并且，作为显示设备用发光元件近年来备受关注。该有机EL元件的驱动方式中有无源矩阵方式和有源矩阵方式。该有源矩阵方式为驱动方式，其通过在一个像素上设置一个以上的薄膜晶体管而能够进行高速转换，因此，有利于高对比度、高清晰度，且能够发挥有机EL元件的特征。

并且，在光的提取方式中有从透明基板侧提取光的底部发光方式和从基板的相反侧提取光的顶部发光方式，且开口率较高的顶部发光方式有利于高亮度化。

为了更有效地反射由有机EL层发出的光，优选该顶部发光结构中的反射电极膜为高反射率且耐蚀性高。并且，作为电极还优选为低电阻电极。作为这种材料已知有Ag合金及Al合金，但为了得到更高亮度的有机EL元件，从可见光反射率较高方面来看Ag合金为优异的。其中，在形成有机EL元件的反射电极膜时采用溅射法，且使用银合金靶(专利文献1)。

然而，伴随有机EL元件制造时的玻璃基板的大型化，在形成反射电极膜时使用的银合金靶也使用大型靶。其中，当对大型靶投入高功率而进行溅射时，产生根据靶的异常放电而产生的被称为“喷溅”的现象，熔融的微粒子附着于基板上而使配线或电极之间短路，由此存在有机EL元件的成品率下降的问题。顶部发光方式的有机EL元件的反射电极层中，由于反射电极层成为有机发光层的基底层，因此要求更高的平坦性且需要进一步抑制喷溅。

为了解决这样的课题，在专利文献2及专利文献3中提出有一种有机EL元件的反射电极膜形成用银合金靶及其制造方法，即随着靶的大型化，即使对靶投入大功率也能够抑制喷溅。

专利文献1：国际公开第2002/077317号

专利文献2：日本专利公开2011-100719号公报

专利文献2：日本专利公开2011-162876号公报

通过这些专利文献2及专利文献3中所记载的反射电极膜形成用银合金靶，即使投入大功率也能够抑制喷溅，然而在大型的银合金靶中，随着靶的消耗，电弧放电次数增加，并有基于电弧放电的喷溅增加的倾向，要求进一步改善。

并且，除了有机EL元件用反射电极膜之外，还对在触控面板的引出配线等导电性膜中使用银合金膜也进行了研究。作为这种配线膜，若使用例如纯Ag，则产生迁移而容易发生短路故障，因此对银合金膜的采用进行了研究。

发明内容

本发明是鉴于这种情况而完成的，其目的在于提供一种能够进一步抑制电弧放电及喷溅的导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法。

本发明人们经深入研究的结果获得如下见解，即，为了进一步抑制伴随靶消耗而增加的电弧放电次数，有效的方式是，将晶粒微细化至平均粒径小于30μm，并将晶粒粒径的偏差抑制在平均粒径的30％以下。

基于此一见解，本发明的导电性膜形成用银合金溅射靶，具有如下成分组成：含有合计为0.1～1.5质量％的In及Sn中的一种以上且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成，所述In及Sn是固溶于Ag的元素，其中，该合金的晶粒的平均粒径为1μm以上且小于30μm，所述晶粒的粒径的偏差为平均粒径的30％以下。

In具有固溶于Ag而抑制靶的晶粒成长，将晶粒微细化的效果。In提高靶的硬度，因此抑制机械加工时的翘曲。In提高以溅射形成的膜的耐蚀性及耐热性。

Sn与In一样，具有固溶于Ag而抑制靶的晶粒成长，将晶粒微细化的效果。Sn提高靶的硬度，因此抑制机械加工时的翘曲。Sn提高以溅射形成的膜的耐蚀性及耐热性。

若In及Sn中的一种以上的合计含量小于0.1质量％，则无法得到上述效果，若超过1.5质量％，则膜的反射率或电阻下降。

将平均粒径设为1μm以上且小于30μm是因为小于1μm的平均粒径不切实际且导致制造成本的增加，若平均粒径在30μm以上，则难以控制结晶粒径的偏差，结果溅射时异常放电随着靶的消耗而增加的倾向会显著。

若平均粒径的偏差超过30％，则溅射时异常放电随着靶的消耗而增加的倾向会显著。

本发明的导电性膜形成用银合金溅射靶，具有如下成分组成：含有合计为0.1～1.5质量％的In及Sn中的一种以上、还含有合计为0.1～2.5质量％的Sb及Ga中的一种以上且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成，所述In及Sn是固溶于Ag的元素，所述Sb及Ga是固溶于Ag的元素，其中，该合金的晶粒的平均粒径为1μm以上且小于30μm，所述晶粒的粒径的偏差为平均粒径的30％以下。

Sb及Ga具有固溶于Ag而进一步抑制晶粒成长的效果。Sb及Ga进一步提高以溅射形成的膜的耐蚀性及耐热性。尤其是Ga提高膜的耐盐性。若其含量小于0.1质量％，则无法得到上述效果，若超过2.5质量％，则不仅膜的反射率或电阻下降，而且出现热轧时产生破裂的倾向。

并且，本发明的导电性膜形成用银合金溅射靶的制造方法，对熔炼铸造铸锭，依次实施热轧工序、冷却工序、冷轧工序、热处理工序、机械加工工序而制造银合金溅射靶，所述熔炼铸造铸锭具有如下成分组成：含有合计为0.1～1.5质量％的In及Sn中的一种以上且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成，其中，所述热轧工序中，包含一道次以上的精热轧，该精热轧的每一道次的轧制率为20～35％，应变速度为3～10/sec，而道次后的温度为400～650℃；所述冷却工序中，以100～1000℃/min的冷却速度骤冷至200℃以下；所述冷轧工序中，所有轧制道次中的每一道次的轧制率的平均值为10～30％，所有轧制道次中的应变速度的平均值为3～10/sec，以40～80％的总轧制率进行至成为目标板厚；所述热处理工序中，以350～550℃保持1～2小时。

并且，银合金溅射靶的制造方法，对熔炼铸造铸锭，依次实施热轧工序、冷却工序、冷轧工序、热处理工序、机械加工工序而制造银合金溅射靶，所述熔炼铸造铸锭具有如下成分组成：含有合计为0.1～1.5质量％的In及Sn中的一种以上、还含有合计为0.1～2.5质量％的Sb及Ga中的一种以上且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成，其中，所述热轧工序中，包含一道次以上的精热轧，该精热轧的每一道次的轧制率为20～35％，应变速度为3～10/sec，而道次后的温度为400～650℃；所述冷却工序中，以100～1000℃/min的冷却速度骤冷至200℃以下；所述冷轧工序中，所有轧制道次中的每一道次的轧制率的平均值为10～30％，所有轧制道次中的应变速度的平均值为3～10/sec，以40～80％的总轧制率进行至成为目标板厚；所述热处理工序中，以350～550℃保持1～2小时。

将精热轧的每一道次的轧制率设为20～35％是因为若轧制率小于20％，则晶粒的微细化变得不充分。若要得到超过35％的轧制率，则轧制机的负荷荷载变得过大而不切实际。

并且，将应变速度设为3～10/sec是因为若应变速度小于3/sec，则晶粒的微细化变得不充分，出现会产生微细粒与粗大粒的混合粒的倾向。若应变速度超过10/sec，则轧制机的负荷荷载变得过大而不切实际。

若各道次后的温度小于400℃，则动态再结晶变得不充分，结晶粒径的偏差增大的倾向会显著。若各道次后的温度超过650℃，则进行晶粒成长且不能实现结晶粒径的微细化。

并且，通过在该热轧后进行骤冷而能够抑制晶粒的成长，并且能够得到晶粒微细的靶。若冷却速度小于100℃/min，则进行晶粒成长，因此不优选。即使冷却速度超过1000℃/min，也并不有助于更理想的微细化。

将冷轧的所有轧制道次中的每一道次的轧制率的平均值设为10～30％是因为若小于10％，则晶粒的微细化变得不充分且粒径的偏差也增大，因此不优选，而若欲得到超过30％的轧制率则轧制机的负载荷载会变得过大而不切实际。

将冷轧的所有轧制道次中的轧制应变速度的平均值设为3～10/sec是因为若小于3/sec，则晶粒的微细化变得不充分，显现出微细粒与粗大粒的混合粒发生的倾向，而应变速度若超过10/sec，则轧制机的负载荷载会变得过大而不切实际。

将冷轧的总轧制率设为40～80％的理由是，若小于40％，则冷轧所赋予的应变能量变得不充分，难以通过再结晶化而实现晶粒的微细化、均匀化，而当超过80％时，则难以设计出满足热轧的轧制率20％以上、及应变速度3～10/sec的热轧。

冷轧后的热处理，若温度小于350℃、或时间小于1小时，则再结晶化变得不充分，粒径的偏差会增大。若温度超过550℃、或时间超过2小时，则晶粒会进行生长而造成平均晶粒粒径超过30μm。

根据本发明，能够得到即使在溅射过程中投入大功率也能够进一步抑制电弧放电以及喷溅的靶，通过对该靶进行溅射，能够得到具有反射率高、耐久性优异的导电性膜。

具体实施方式

以下，对本发明的导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法的实施方式进行说明。另外，只要未特别表示，且除了仅表示百分率的情况之外，％以质量％表示。

该靶中，靶表面(靶的供溅射一侧的面)具有0.25m²的面积，矩形靶的至少一边为500mm以上，从靶的处理观点来看，长度的上限优选为3000mm。另一方面，从以热轧工序中所使用的轧制机通常可进行轧制的尺寸上限的观点来看，宽度的上限优选为1700mm。并且，从靶的更换频率的观点来看，靶的厚度优选为6mm以上，从磁控溅射的放电稳定性的观点来看，靶的厚度优选为25mm以下。

第1实施方式的导电性膜形成用银合金溅射靶由银合金构成，该银合金具有含有合计为0.1～1.5质量％的固溶于Ag的元素In及Sn中的一种以上，剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成，该合金的晶粒的平均粒径为1μm以上且小于30μm，晶粒的粒径的偏差为平均粒径的30％以下。

Ag具有对以溅射形成的有机EL元件的反射电极膜或触控面板的配线膜赋予高反射率与低电阻的效果。

In提高靶的硬度，因此抑制机械加工时的翘曲。尤其，能够抑制靶表面具有0.25m²以上面积的大型靶在机械加工时的翘曲。并且，In具有提高以溅射形成的有机EL元件的反射电极膜的耐蚀性及耐热性的效果。这是因为In具有下述效果，即，将膜中的晶粒微细化，同时减小膜的表面粗糙度，此外，提高固溶于Ag的晶粒的强度，抑制晶粒因热而造成粗大化，而抑制膜的表面粗糙度的增大，或抑制因膜腐蚀而造成的反射率降低。从而，利用该导电性膜形成用银合金溅射靶而成膜的反射电极膜或配线膜，由于提高膜的耐蚀性及耐热性，因此有助于改善有机EL元件的高亮度化或触控面板等的配线的可靠性。

Sn与In一样，具有固溶于Ag而抑制靶的晶粒成长，将晶粒微细化的效果。Sn提高靶的硬度，因此抑制机械加工时的翘曲。Sn提高以溅射形成的膜的耐蚀性及耐热性。

若In及Sn中的一种以上的合计含量小于0.1质量％，则无法得到上述所记载的添加In及Sn的效果，而若含量超过1.5质量％，则膜的电阻增大，以溅射形成的膜的反射率或耐蚀性反而降低，因此不优选。从而，膜的组成由于与靶的组成有关，因此银合金溅射靶中含有的In及Sn中的一种以上的合计含量设定在0.1～1.5质量％。进一步优选为0.2～1.0质量％。

并且，第2实施方式的导电性膜形成用银合金溅射靶，具有含有合计为0.1～1.5质量％的固溶于Ag的元素In及Sn中的一种以上，还含有合计为0.1～2.5质量％的固溶于Ag的元素Sb、Ga中的一种以上，剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成，该合金的晶粒的平均粒径为1μm以上且小于30μm，晶粒的粒径的偏差为平均粒径的30％以下。

该第2实施方式中，Sb及Ga固溶于Ag，具有进一步抑制晶粒成长的效果。Sb及Ga进一步提高以溅射形成的膜的耐蚀性及耐热性。尤其是Ga提高膜的耐盐性。当将以溅射形成的膜用作触控面板的引出配线膜时，由于触控面板是以手指触碰操作，因此配线膜对于来自人体的汗中含有的氯成分必须要有耐性，而通过添加Ga，耐盐性会变得优良。

这些Sb、Ga的合计含量若小于0.1质量％，则无法得到上述效果，若超过2.5质量％，则不仅膜的反射率或电阻会降低，且热轧时显现出发生破裂的倾向。

以上各组成的实施方式中，银合金溅射靶中的银合金晶粒的平均粒径为1μm以上且小于30μm。若将银合金晶粒的平均粒径设为小于1μm，则不切实际且导致制造成本的增加。并且，难以制造均匀的晶粒，且粒径的偏差变大，因此在大功率的溅射中易发生异常放电，且发生喷溅。另一方面，若平均粒径为30μm以上，则变得难以控制晶粒粒径的偏差，其结果，靶随着因溅射而消耗，因各个晶粒的结晶方位不同而造成溅射速率之差，溅射表面的凹凸变大，由此在大功率的溅射中易发生异常放电，且易发生喷溅。

其中，银合金晶粒的平均粒径通过以下述方式而测定。

在靶的溅射面内，均等地从16处地点选取一边为10mm左右的长方体试料。具体而言，将靶区分成纵4×横4的16处，从各部的中央部选取。然而，本实施方式中，以具有500×500(mm)以上的溅射面，即靶表面具有0.25m²以上面积的大型靶为出发点，因此记载从作为大型靶而通常使用的矩形靶选取试料的方法，但本发明当然也对于抑制圆形靶发生的喷溅发挥效果。此时，按照大型矩形靶的试料的选取法，在靶的溅射面内均等地区分成16处并选取。

接着，对各试料片的溅射面侧进行研磨。此时，以#180～#4000的防水纸研磨后，以3μm～1μm的研磨粒进行抛光。

并且，蚀刻至能以光学显微镜看见晶界的程度。其中，蚀刻液使用过氧化氢水与氨水的混合液，在室温下浸渍1～2秒，使晶界显出。接着，针对各试料，以光学显微镜拍摄倍率200倍、500倍或1000倍的照片。照片的倍率选择容易对晶粒进行计数的倍率。

各照片中，以20mm间隔的格子状划出纵横合计4条60mm的线段，并计数被各个直线切断的晶粒数量。另外，线段端点的晶粒，计数成0.5个。以L＝60000/(M·N)(其中，M为实际倍率、N为被切断的晶粒数量的平均值)来求出平均切片长度：L(μm)。

接着，由求出的平均切片长度：L(μm)，以d＝(3/2)·L算出试料的平均粒径：d(μm)。

如此，将从16处抽样的试料的平均粒径的平均值，作为靶的银合金晶粒的平均粒径。

若该银合金晶粒的粒径的偏差为银合金晶粒的平均粒径的30％以下，则能更可靠地抑制溅射时的喷溅。其中，粒径的偏差在16处求出的16个平均粒径当中，确定与平均粒径的偏差的绝对值(∣[(16处当中的某1处平均粒径)-(16处的平均粒径)]∣)成为最大的粒径，并利用该确定的平均粒径(所确定的平均粒径)如下进行计算。

∣[(所确定的平均粒径)-(16处的平均粒径)]∣/(16处的平均粒径)×100(％)

接着，对本实施方式的导电性膜形成用银合金溅射靶的制造方法进行说明。

第1实施方式的导电性膜形成用银合金溅射靶，使用纯度：99.99质量％以上的Ag、纯度：99.9质量％以上的In、Sn作为原料。

首先，将Ag在高真空或惰性气体气氛中进行熔炼，在得到的熔融液中添加规定含量的In及Sn中的一种以上而使其合计成为0.1～1.5质量％。其后，在真空或惰性气体气氛中进行熔炼，制作出包含0.1～1.5质量％的In及Sn中的一种以上，剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的银合金的熔炼铸造铸锭。

其中，Ag的熔炼在使气氛暂且成为真空后，再置换成氩的气氛中进行，从稳定Ag与In及Sn的组成比率的观点看来，优选熔炼后在氩气氛中向Ag的熔融液中添加In及Sn。

第2实施方式的导电性膜形成用银合金溅射靶中，使用纯度：99.99质量％以上的Ag、纯度：99.9质量％以上的In、Sn、Sb、Ga作为原料，而在Ag的熔融液中添加In及Sn中的一种以上而使其合计成为0.1～1.5质量％，并且添加合计为0.1～2.5质量％的Sb、Ga中的一种以上。此时，同样地将Ag在高真空或惰性气体气氛中进行熔炼，在得到的熔融液中添加规定含量的In、Sn、Sb、Ga，其后在真空或惰性气体气氛中进行熔炼。

并且，以上的熔炼/铸造，优选在真空中或惰性气体置换的气氛中进行，但也可使用大气中的熔炼炉，当使用大气中的熔炼炉时，对熔融液表面喷吹惰性气体，或通过木炭等碳系固体密封材，一边覆盖熔融液表面一边进行熔炼、铸造。由此，能够减少铸锭中的氧或非金属夹杂物的含量。

为了使成分均匀化，熔炼炉优选为感应加热炉。

并且，以方形铸模进行铸造而得到长方体铸锭为有效而优选，但也可以对以圆形铸模铸造的圆柱形铸锭进行加工而得到大致长方体的铸锭。

对得到的长方体状铸锭加热，热轧至规定板厚后，骤冷，施以冷轧、热处理。

在此情况下，热轧最终阶段的精热轧、骤冷后的冷轧及热处理条件十分重要，通过适当地设定这些条件，能够制造出晶粒微细而均匀的银合金板。

具体而言，精热轧中，每一道次的轧制率设为20～35％，应变速度设为3～10/sec、各轧制道次后的轧制温度设为400～650℃。热轧包含一道次以上的精热轧。热轧整体的总轧制率例如设为40％以上。

其中，所谓精热轧是指对轧制后的板材的晶粒粒径造成强烈影响的轧制道次，包含最终轧制道次，根据需要可以想成是从最终轧制道次起至前两次为止的道次。

此外，由下式可以得到应变速度ε(sec^-1)。

[数1]

$\mathrm{\ϵ}=\frac{2\mathrm{\π}n}{60\sqrt{r^{\′}}}\·\sqrt{\frac{R}{H_0}}\·\ln \left(\frac{1}{1-r^{\′}}\right)$

上式中表示，H₀：相对于轧制辊的进入侧的板材厚度(mm)、n：轧制辊旋转速度(rpm)、R：轧制辊半径(mm)、r：轧制率(％)及r’＝r/100。

通过将每一道次的轧制率设为20～35％、将应变速度设为3～10/sec，在相对低温下根据较大的能量进行强加工，由此能够防止粗大晶粒的混入，且通过动态再结晶能够生成微细且均匀的晶粒作为整体。若每一道次的轧制率小于20％，则晶粒的微细化变得不充分，若想得到超过35％的轧制率，则轧制机的负荷荷载变得过大而不切实际。并且，若应变速度小于3/sec，则晶粒的微细化变得不充分，出现会产生微细粒与粗大粒的混合粒的倾向。若为超过10/sec的应变速度则轧制机的负荷荷载会变得过大而不切实际。

各道次后的轧制温度作为热轧而设为低温的400～650℃，由此抑制晶粒的粗大化。若轧制温度小于400℃，则动态再结晶变得不充分，结晶粒径的偏差增大的倾向会变得显著。若轧制温度超过650℃，则进行晶粒成长且平均结晶粒径超过30μm。

将该最终精热轧根据需要进行一道次到多道次。

精热轧的更优选范围为每一道次的轧制率为25～35％、应变速度为5～10/sec、及道次后的轧制温度为500～600℃，优选实施三道次以上的该精热轧。

另外，轧制开始温度也可以不为400～650℃，以最终阶段的精热轧的各道次结束时的温度成为400～650℃的方式设定轧制开始温度、道次规程。

并且，在这种热轧加工后，从400～650℃的温度成为例如200℃以下的温度为止，以100～1000℃/min的冷却速度进行骤冷。通过该骤冷能够抑制晶粒的成长且得到微细晶粒的轧制板。若冷却速度小于100℃/min，则抑制晶粒成长的效果差。即使冷却速度超过1000℃/min，也不会有助于进一步的微细化。作为骤冷的方法进行1分钟左右的水喷淋即可。

接着，在所有轧制道次中的每一道次的轧制率的平均值为10～30％，所有轧制道次中的应变速度的平均值为3～10/sec条件下进行冷轧，直至成为目标板。

若冷轧的每一道次的轧制率小于10％，则晶粒的微细化变得不充分，粒径的偏差也会增大，因此不优选。若欲得到每一道次的轧制率超过30％的轧制率，则轧制机的负载荷载变得过大而不切实际。

若冷轧的轧制应变速度小于3/sec，晶粒的微细化变得不充分，显现出微细粒与粗大粒的混合粒发生的倾向。若为超过10/sec的应变速度，则轧制机的负载荷载变得过大而不切实际。

另外，冷轧时的板材温度为200℃以下。

冷轧后的热处理中，以350～550℃保持1～2小时。若温度小于350℃、或时间小于1小时，则再结晶化变得不充分，粒径的偏差增大。若温度超过550℃、或时间超过2小时，则晶粒成长进行，造成平均晶粒粒径超过30μm。

将如此得到的轧制板通过矫正冲压、辊式矫直机等进行矫正后，以铣削加工、放电加工等机械加工完成所期望的尺寸。最终得到的溅射靶的溅射表面的算术平均表面粗糙度(Ra)优选为0.2～2μm。

如此得到的本实施方式的导电性膜形成用银合金溅射靶，即使在溅射中投入大功率也能够抑制异常放电，并能够抑制喷溅的产生。通过将该靶进行溅射，能够得到反射率高且具有优异的耐久性的导电性膜。并且，通过利用该导电性膜形成用银合金溅射靶进行溅射，能够得到具有良好的耐蚀性及耐热性且电阻更低的导电性膜。尤其在靶尺寸为宽度：500mm、长度：500mm、厚度：6mm以上的大型靶的情况下有效。

实施例

(实施例1)

准备纯度为99.99质量％以上的Ag和作为添加原料的纯度为99.9质量％以上的In、Sn、Sb、Ga并装填于由石墨坩埚来筑炉的高频感应熔炼炉中。熔炼时的总质量设为约1100kg。

在进行熔炼时，首先熔炼Ag，在Ag熔化之后，以成为表1所示靶的组成的方式投入添加原料，且通过基于感应加热的搅拌效果而充分搅拌合金熔融金属后，在铸铁制的铸模进行铸造。

切除通过该铸造而得到的铸锭的缩孔部分，端面切削去除与铸模接触的表面，得到大概尺寸为640×640×180(mm)的长方体状铸锭作为完整部分。

将该铸锭加热至650℃，中途改变轧制方向并反复多次的热轧直到板厚成为67mm。该热轧当中，从最终道次起至前两次为止的道次的条件(每一道次的轧制率、应变速度、道次后的板材温度)设为如同表1。

热轧结束后，将轧制后的板材以表1所示条件冷却至200℃以下。

冷却后，实施多次的冷轧，最终做成1700×2100×20(mm)尺寸的板材。该冷轧的总轧制率、所有轧制道次中的每一道次的轧制率的平均值、所有轧制道次中的应变速度的平均值设为如同表1。

对冷轧后的板材以表1所示条件(温度、时间)实施施加热处理。

使热处理后的板材通过辊式矫直机矫正应变后，机械加工成1600×2000×15(mm)的尺寸而作为靶。

(实施例2～21，比较例1～11)

与实施例1一样，以表1所示靶组成、精热轧中从最终热轧道次起至前两次为止的道次的条件(每一道次的轧制率、应变速度、道次后的板材温度)、热轧后的冷却速度、冷轧条件(冷轧的总轧制率、每一道次的轧制率的所有冷轧道次中的平均值、应变速度的所有冷轧道次中的平均值)、及冷轧后的热处理条件(温度、时间)的条件来实施熔炼、铸造、热轧、冷却、冷轧、热处理后，通过矫正、机械加工制作出实施例2～21、比较例1～11的靶。表1中所记载的冷却速度是通过水喷淋而进行的冷却，未水冷是仅进行放置冷却的冷却。

对所得到的靶，测定机械加工后的翘曲、平均粒径及其偏差，并且将靶安装于溅射装置而测定溅射时的异常放电次数，对通过该溅射而得到的导电性膜，测定出表面粗糙度、反射率、耐盐性及比电阻。

(1)机械加工后的翘曲

对机械加工后的银合金溅射靶测定每1m长度的翘曲量并将其结果在表2中表示。

(2)平均粒径、其偏差

如具体实施方式中所记载，银合金晶粒的粒径测定，从如上述制造出的靶的16处地点均等地选取样品，测定从各样品的溅射表面观察到的表面的平均粒径，并且计算出各样品平均粒径的平均值、即银合金晶粒的平均粒径，和银合金晶粒的平均粒径的偏差。

(3)溅射时的异常放电次数

从如上述制造出的靶的任意部分切出直径：152.4mm、厚度：6mm的圆板并焊接于铜制垫板。将该焊接的靶用作溅射时的喷溅评价用靶，并进行测定溅射中的异常放电次数。

此时，将焊接的靶安装于一般磁控溅射装置且排气至1×10^-4Pa后，以Ar气压：0.5Pa、投入功率：DC1000W、及靶基板间距离：60mm的条件进行溅射。测定在使用初期30分钟内产生的异常放电的次数，及重复进行4小时的空溅射与防粘板的更换，通过间断地进行20小时的溅射使靶消耗，此后30分钟内产生的异常放电的次数。这些异常放电的次数是通过MKS仪器(INSTRUMENTS.)公司制DC电源(型号：RPDG-50A)的弧计数功能来测量的。

(4)作为导电膜的基本特性评价

(4-1)膜的表面粗糙度

利用所述评价用靶以与所述相同的条件进行溅射，在20×20(mm)的玻璃基板上形成具有100nm膜厚的银合金膜。

另外，为耐热性评价，对该银合金膜实施了250℃、10分钟的热处理，此后，利用原子力显微镜测定银合金膜的平均表面粗糙度(Ra)。

(4-2)反射率

利用分光光度计测定，30×30(mm)的玻璃基板上，以与所述相同的方式形成的银合金膜的波长为550nm的绝对反射率。

另外，为了评价耐蚀性，在温度为80℃、湿度为85％的恒温高湿槽中保持100小时后，利用分光光度计测定，以与所述相同的方式形成的银合金膜的波长为550nm的绝对反射率。

(4-3)耐盐性

为了确认Ga添加效果，使用添加有Ga的靶(实施例16、18、20、及21)以与所述相同的方式形成银合金膜的膜表面喷雾5重量％的NaCl水溶液。从距膜表面高度为20cm、距基板端的距离为10cm的位置，向平行于膜表面方向进行喷雾，使得喷雾在膜上的NaCl水溶液尽可能自由落体而附着于膜上。每隔1分钟重复进行5次喷雾，接着，以纯净水反复进行3次冲洗。喷射干燥空气而吹散水分并进行干燥。

在进行上述盐水喷雾之后肉眼观察银合金膜表面而对表面的状态进行了评价了。作为耐盐性评价基准，将无法确认白浊或斑点，或者仅能够确认一部分的设为良好“○”，并且将整个表面上能够确认白浊或斑点的设为不良“×”，以两个等级评价了表面的状态。由于对未添加Ga的靶没有进行评价，因此表中标记为“-”。

(4-4)膜的比电阻

以与所述相同的方式测定了所形成的银合金膜的比电阻。

这些各评价结果在表2中表示。

[表2]

实施例的靶材中，银合金晶粒的平均粒径在1μm以上且小于30μm的范围内，银合金晶粒粒径的偏差为银合金晶粒的平均粒径的30％以内。机械加工后的翘曲也小，溅射时的异常放电次数不仅在使用初期，在消耗后也少。并且，有添加Sb、Ga的靶有平均晶粒粒径变小的倾向，异常放电次数也少至1次以下。

并且，通过实施例的靶材得到的导电性膜具有优异的反射率及比电阻，表面粗糙度Ra也小为1.4μm以下。

并且，可知由添加有Ga的靶而得到的导电性膜具有优异的耐盐性且有效于触控面板等的导电性膜。

另外，本发明并不限定于上述实施方式，在不脱离本发明主要内容的范围内可以追加各种变更。

产业上的可利用性

根据本发明所涉及的导电性膜形成用银合金溅射靶、及本发明所涉及的制造方法制造的导电性膜形成用银合金溅射靶，即使在溅射中投入大功率，仍能进一步抑制电弧放电及喷溅。其结果，能够形成反射率高、具有优良耐久性的导电性膜。

Claims (4)

1.一种导电性膜形成用银合金溅射靶，具有如下成分组成：含有合计为0.1～1.5质量％的In及Sn中的一种以上且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成，其中所述In及Sn是固溶于Ag的元素，其特征在于，

该合金的晶粒的平均粒径为1μm以上且小于30μm，所述晶粒的粒径的偏差为平均粒径的30％以下。

2.一种导电性膜形成用银合金溅射靶，具有如下成分组成：含有合计为0.1～1.5质量％的In及Sn中的一种以上、还含有合计为0.1～2.5质量％的Sb及Ga中的一种以上且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成，其中所述In及Sn是固溶于Ag的元素，所述Sb及Ga是固溶于Ag的元素，其特征在于，

该合金的晶粒的平均粒径为1μm以上且小于30μm，所述晶粒的粒径的偏差为平均粒径的30％以下。

3.一种导电性膜形成用银合金溅射靶的制造方法，对熔炼铸造铸锭，依次实施热轧工序、冷却工序、冷轧工序、热处理工序、机械加工工序而制造银合金溅射靶，所述熔炼铸造铸锭具有如下成分组成：含有合计为0.1～1.5质量％的In及Sn中的一种以上且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成，其特征在于，

所述热轧工序中，包含一道次以上的精热轧，该精热轧的每一道次的轧制率为20～35％，应变速度为3～10/sec，而道次后的温度为400～650℃，

所述冷却工序中，以100～1000℃/min的冷却速度骤冷至200℃以下，

所述冷轧工序中，所有轧制道次中的每一道次的轧制率的平均值为10～30％，所有轧制道次中的应变速度的平均值为3～10/sec，以40～80％的总轧制率进行至成为目标板厚，

所述热处理工序中，以350～550℃保持1～2小时。

4.一种导电性膜形成用银合金溅射靶的制造方法，对熔炼铸造铸锭，依次实施热轧工序、冷却工序、冷轧工序、热处理工序、机械加工工序而制造银合金溅射靶，所述熔炼铸造铸锭具有如下成分组成：含有合计为0.1～1.5质量％的In及Sn中的一种以上、还含有合计为0.1～2.5质量％的Sb及Ga中的一种以上且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成，其特征在于，

所述热轧工序中，包含一道次以上的精热轧，该精热轧的每一道次的轧制率为20～35％，应变速度为3～10/sec，而道次后的温度为400～650℃，

所述冷却工序中，以100～1000℃/min的冷却速度骤冷至200℃以下，

所述冷轧工序中，所有轧制道次中的每一道次的轧制率的平均值为10～30％，所有轧制道次中的应变速度的平均值为3～10/sec，以40～80％的总轧制率进行至成为目标板厚，

所述热处理工序中，以350～550℃保持1～2小时。