JP2008101269A - Ag合金薄膜およびこのAg合金薄膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
【選択図】なし
Description
1.0 ≦10[Bi]+[Au] ------------------- 式(2)
2.0 ≦[Sn]+2[Au]4 ------------------- 式(3)
1.0 ≦5[Bi]+[Au] ------------------- 式(5)
2.0 ≦[Sn]+2[Au]4 ------------------- 式(6)
DCマグネトロンスパッタリング装置を用いて、直径2インチ(5.08cm)、厚さ0.7mm のガラス基板(コーニング#1737)上に厚さ100nm の種々の組成のAg-Au 合金薄膜、Ag-Au-Sn合金薄膜、Ag薄膜を成膜した。このとき、スパッタリングターゲットとしては、種々の組成のAg合金スパッタリングターゲットを用いた。成膜条件は、基板温度:室温、Arガス圧:1〜3mtorr (0.133〜0.399 Pa)、極間距離:55mm、成膜速度:7〜8nm/sとした。成膜前の到達真空度は1×10-5torr(1.33×10-3Pa)以下であった。
RFマグネトロンスパッタリング装置を用いて、直径2インチ(5.08cm)、厚さ0.7mm のガラス基板(コーニング#1737)上に厚さ100nm の種々の組成のAg-Sn 合金薄膜、Ag-Bi-Sn合金薄膜、Ag-Bi-Sn-Au 合金薄膜を成膜した。このとき、成膜条件は、基板温度:室温、Arガス圧:1〜3mtorr (0.133〜0.399Pa)、極間距離:100mm 、成膜速度:0.4 〜0.5 nm/sとした。成膜前の到達真空度は1×10-5torr(1.33×10-3Pa)以下であった。スパッタリングターゲットとしては、表7に示す組成のAg合金スパッタリングターゲットを用いた。なお、これらのターゲットの中、番号15、16、19のものは、式(5) (1.0 ≦5[Bi]+[Au])を満足しておらず、番号17のものは式(6) (2.0 ≦[Sn]+2[Au]4 )を満足しておらず、番号22のものは式(4) (2.64[Bi]+0.15[Au]+1.14[Sn]≦8.7 )を満足していない。これ以外のターゲット(番号18、20、21、23、24のもの)は式(4) 〜(6) を満足している。
DCマグネトロンスパッタリング装置を用いて、直径2インチ(5.08cm)、厚さ0.7mm のガラス基板(コーニング#1737)上に厚さ100nm のAg-2.0at%Sn-1.5at%Au合金薄膜を成膜した。このとき、成膜条件は、基板温度:室温、Arガス圧:1〜3mtorr (0.133〜0.399 Pa)、極間距離:55mm、成膜速度:7〜8nm/sとした。成膜前の到達真空度は1×10-5torr(1.33×10-3Pa)以下であった。上記成膜直後のAg-2.0at%Sn-1.5at%Au合金薄膜の反射率は、94.3%であった。
Claims (2)
- AuまたはAu、Bi、Snの2種以上を含有するAg合金薄膜であって、下記式(1) 〜(3) を満足すると共に、130 〜200 ℃の不活性ガス雰囲気中で熱処理されていることを特徴とするAg合金薄膜。
5.28[Bi]+0.15[Au]+1.14[Sn]≦8.7 ------ 式(1)
1.0 ≦10[Bi]+[Au] ------------------- 式(2)
2.0 ≦[Sn]+2[Au]4 ------------------- 式(3)
ただし、上記式(1) 〜(3) において、[Bi]はBi含有量(原子%)、[Au]はAu含有量(原子%)、[Sn]はSn含有量(原子%)を示すものである。 - 請求項1記載のAg合金薄膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲットであって、AuまたはAu、Bi、Snの2種以上を含有すると共に、下記式(4) 〜(6) を満足することを特徴とするAg合金スパッタリングターゲット。
2.64[Bi]+0.15[Au]+1.14[Sn]≦8.7 ------ 式(4)
1.0 ≦5[Bi]+[Au] ------------------- 式(5)
2.0 ≦[Sn]+2[Au]4 ------------------- 式(6)
ただし、上記式(4) 〜(6) において、[Bi]はBi含有量(原子%)、[Au]はAu含有量(原子%)、[Sn]はSn含有量(原子%)を示すものである。
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