CN112975102A - 一种钴靶材与铜背板的扩散焊接方法 - Google Patents

一种钴靶材与铜背板的扩散焊接方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种钴靶材与铜背板的扩散焊接方法，所述方法包括以下步骤：(1)对钴靶材进行TMP塑性处理，得到第一钴靶材；(2)对步骤(1)所述第一钴靶材的焊接面进行精磨以及IPA超声清洗，得到第二钴靶材；(3)对步骤(2)所述第二钴靶材的焊接面进行镀Ti膜处理并进行IPA超声清洗，得到第三钴靶材；(4)将步骤(3)所述第三钴靶材与铜背板装配，并依次进行包套焊接以及热等静压焊接得到产品。所述焊接方法可以解决了钴靶材与铜背板采用传统钎焊方法焊接不良的问题，有效提高了钴靶材与铜背板的焊接结合率。

Description

一种钴靶材与铜背板的扩散焊接方法
技术领域
本发明属于靶材制造领域，涉及一种钴靶材与铜背板的扩散焊接方法。
背景技术
溅射靶材背板(Sputtering Target Back Plate，BP)：金属溅射靶材是溅射沉积技术中用做阴极的材料。该阴极材料在溅射机台中被带正电荷的阳离子撞击下以分子、原子或离子的形式脱离阴极而在阳极表面重新沉积。由于金属溅射靶材往往是高纯的铝、铜、钛、镍、钽及贵金属等比较贵重的材料，所以在其制造时常常使用比较普通的材料来作为背板。背板起到支撑靶材、冷却、降低成本等作用，常用的材料有铝合金(ALBP)、铜合金(CUBP)等。
热等静压机(Hot Isostatic Press，简称HIP)：热等静压机是利用热等静压技术在高温高压密封容器中，以高压惰性气体为介质，对其中的粉末或待压实的烧结坯料或异种金属施加各向均等静压力，形成高致密度坯料(或零件)的方法的仪器设备。热等静压机已成为高温粉末冶金、消除铸件缺陷、异种金属扩散连接、新型工程陶瓷、复合材料、耐火材料、高强石墨碳素等先进成型技术和先进材料研制领域的关键设备。
包套：一种密闭容器，用来放置制品，焊接后需将包套抽真空至一定真空度才能进行热等静压，如生产过程中漏气会导致包套鼓包膨胀。
CN103894720A公开了一种高纯钴靶材坯料与背板的焊接方法，包括依次进行的如下步骤：将高纯钴靶材坯料和背板的表面分别进行机械加工；将机械加工后的高纯钴靶材坯料和背板用有机清洗溶剂清洗；将清洗后的高纯钴靶材坯料和背板采用热压炉在压力为50～160MPa、温度为300～400℃、热压行程为8～12mm的条件下进行扩散焊3～5小时，然后进行冷却、卸压；将处理后的工件进行机械加工，得到有6061铝合金背板的高纯钴靶材组件。
CN111136360A公开了一种钴靶材与铜背板的钎焊方法，所述钎焊方法包括如下步骤：(1)矫正钴靶材翘曲度，使靶材的平面度≤0.2mm；(2)钴靶材与铜背板的焊接面分别独立的进行表面喷砂处理；(3)分别独立地对钴靶材与铜背板喷砂处理后的焊接面进行镀镍处理；(4)钎焊连接进行镀镍处理后的钴靶材与铜背板，完成钴靶材与铜背板的钎焊焊接。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供一种钴靶材与铜背板的扩散焊接方法，所述焊接方法可以解决了钴靶材与铜背板采用传统钎焊方法焊接不良的问题，有效提高了钴靶材与铜背板的焊接结合率。
为达到上述技术效果，本发明采用以下技术方案：
本发明提供一种钴靶材与铜背板的扩散焊接方法，所述方法包括以下步骤：
(1)对钴靶材进行TMP塑性处理，得到第一钴靶材；
(2)对步骤(1)所述第一钴靶材的焊接面进行精磨以及IPA超声清洗，得到第二钴靶材；
(3)对步骤(2)所述第二钴靶材的焊接面进行镀Ti膜处理并进行IPA超声清洗，得到第三钴靶材；
(4)将步骤(3)所述第三钴靶材与铜背板装配，并依次进行包套焊接以及热等静压焊接得到产品。
本发明中，提供的钴靶材与铜背板的扩散焊接方法在焊接前对钴靶材进行了TMP塑性处理，对钴靶材的晶粒晶间参数进行调控，从而对钴靶材的硬度、塑性以及韧性等机械性能进行调控，在而满足客户的需求的同时，提高钴靶材与背板的结合强度。采用扩散焊接取代钎焊，可以进一步提高钴靶材与背板的集合能力。
作为本发明优选的技术方案，所述TMP塑性处理的方法包括对钴靶材依次进行锻伸处理、第一热轧处理、第一热处理、第二热轧处理以及第二热处理。
作为本发明优选的技术方案，所述锻伸处理包括将所述钴靶材在800～1000℃下依次进行镦粗和拔长处理重复至少3次，冷却后再于800～1000℃下依次进行镦粗和拔长处理重复至少3次。
其中，所述锻伸处理的温度可以是820℃、850℃、880℃、900℃、920℃、950℃或980℃等，镦粗和拔长处理的重复次数可以是4次、5次、6次、7次、8次、9次或10次等，但并不仅限于所列举的数值，上述各数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述镦粗处理为将所述钴靶材的长度镦粗至所述钴靶材尺寸长度的40～60％，如42％、45％、48％、50％、52％、55％或58％等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述拔长处理为将镦粗后的所述钴靶材拔长至尺寸长度。
本发明中，所述锻伸处理后可根据钴靶材的实际尺寸需求对钴靶材进行线切割至需要的尺寸。
作为本发明优选的技术方案，所述第一热轧处理包括对所述钴靶材进行保温后进行轧制。
优选地，所述保温的温度为800～1000℃，如820℃、850℃、880℃、900℃、920℃、950℃或980℃等，时间为45～75min，如50min、55min、60min、65min或70min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述轧制完成后钴靶材的长度为轧制前长度的10～15％，如10.5％、11％、11.5％、12％、12.5％、13％、13.5％、14％或14.5％等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述第一热处理的温度为600～700℃，如610℃、620℃、630℃、640℃、650℃、660℃、670℃、680℃或690℃等，时间为45～75min，如50min、55min、60min、65min或70min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述第二热轧处理包括对所述钴靶材进行保温后进行轧制。
优选地，所述保温的温度为300～500℃，如320℃、350℃、380℃、400℃、420℃、450℃或480℃等，时间为45～75min，如50min、55min、60min、65min或70min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述轧制包括对所述钴靶材进行4～5次下压量为0.1～0.3mm的轧制后进行回炉保温，如0.12mm、0.15mm、0.18mm、0.20mm、0.22mm、0.25mm或0.28mm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述轧制完成后钴靶材的长度为轧制前长度的70～75％，如70.5％、71％、71.5％、72％、72.5％、73％、73.5％、74％或74.5％等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述第二热处理的温度为300～500℃，如320℃、350℃、380℃、400℃、420℃、450℃或480℃等，时间为45～75min，如50min、55min、60min、65min或70min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，步骤(2)所述精磨后钴靶材的磁通量≥65％，如68％、70％、72％、75％、78％、80％、82％或85％等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(2)所述IPA超声清洗的时间为5～15min，如6min、7min、8min、9min、10min、11min、12min、13min或14min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(2)所述IPA超声清洗后对所述钴靶材进行真空干燥。
作为本发明优选的技术方案，步骤(3)所述镀钛膜处理的温度≤400℃，如150℃、180℃、200℃、220℃、250℃、280℃、300℃、320℃、350℃或380℃等，时间不低于3h，如3.5h、4h、4.5h、5h、5.5h、6h、6.5h、7h或7.5h等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(3)所述镀钛膜处理后钛膜的厚度为3～6μm，如3.5μm、4μm、4.5μm、5μm或5.5μm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(3)所述IPA超声清洗的时间为5～15min，如6min、7min、8min、9min、10min、11min、12min、13min或14min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(3)所述IPA超声清洗后对所述钴靶材进行真空干燥。
作为本发明优选的技术方案，步骤(4)所述包套焊接包括对装配后的第三钴靶材与铜背板进行氩弧焊焊接，对包套进行抽真空以及对包套进行脱气。
优选地，所述抽真空的真空度≤0.01Pa。
优选地，所述脱气的温度为200～400℃，真空度为0.01～0.03Pa，时间为2～4h。
其中，所述脱气的温度可以是220℃、250℃、280℃、300℃、320℃、350℃或380℃等，真空度可以是0.012Pa、0.015Pa、0.018Pa、0.02Pa、0.022Pa、0.025Pa或0.028Pa等，时间可以是2.2h、2.5h、2.8h、3h、3.2h、3.5h或3.8h等，但并不仅限于所列举的数值，上述各数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，步骤(4)所述热等静压焊接的温度为300～500℃，如320℃、350℃、380℃、400℃、420℃、450℃或480℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(4)所述热等静压焊接的压力≥105MPa，如110MPa、120MPa、130MPa、140MPa、150MPa、160MPa、170MPa、180MPa、190MPa或200MPa等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤(4)所述热等静压焊接的时间为2～4h，如2.2h、2.5h、2.8h、3h、3.2h、3.5h或3.8h等，并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，当精磨处理、IPA超声清洗以及干燥后，当钴靶材不能及时下一加工步骤时，可进行充氩气真空包装。当PVD镀膜后，当钴靶材不能及时下一加工步骤时，也可进行充氩气真空包装。
作为本发明优选的技术方案，上述钴靶材与铜背板的扩散焊接方法包括以下步骤：
(1)对钴靶材进行TMP塑性处理，得到第一钴靶材；
所述TMP塑性处理的方法包括对钴靶材依次进行锻伸处理、第一热轧处理、第一热处理、第二热轧处理以及第二热处理：
将所述钴靶材在800～1000℃下依次进行镦粗和拔长处理重复至少3次，冷却后再于800～1000℃下依次进行镦粗和拔长处理重复至少3次，所述镦粗处理为将所述钴靶材的长度镦粗至所述钴靶材尺寸长度的40～60％，所述拔长处理为将镦粗后的所述钴靶材拔长至尺寸长度；
第一热轧处理包括对所述钴靶材800～1000℃下保温45～75min后进行轧制，所述轧制完成后钴靶材的长度为轧制前长度的10～15％，在600～700℃进行第一热处理45～75min；
第二热轧处理包括对所述钴靶材300～500℃下保温45～75min后进行轧制，所述轧制包括对所述钴靶材进行4～5次下压量为0.1～0.3mm的轧制后进行回炉保温，所述轧制完成后钴靶材的长度为轧制前长度的70～75％，在300～500℃进行第二热处理45～75min；
(2)对步骤(1)所述第一钴靶材的焊接面进行精磨，所述精磨后钴靶材的磁通量≥65％，IPA超声清洗5～15min，真空干燥得到第二钴靶材；
(3)对步骤(2)所述第二钴靶材的焊接面进行镀Ti膜处理，所述镀钛膜处理的温度≤400℃，时间不低于3h，钛膜的厚度为3～6μm，IPA超声清洗5～15min，真空干燥得到第三钴靶材；
(4)将步骤(3)所述第三钴靶材与铜背板装配，进行氩弧焊焊接，对包套进行抽真空至真空度≤0.01Pa，200～400℃以及真空度0.01～0.03Pa下对包套进行脱气2～4h，再于300～500℃以及不低于105MPa的压力下进行热等静压焊接2～4h得到产品。
与现有技术相比，本发明至少具有以下有益效果：
本发明提供一种钴靶材与铜背板的扩散焊接方法，所述焊接方法可以解决了钴靶材与铜背板采用传统钎焊方法焊接不良的问题，有效提高了钴靶材与铜背板的焊接结合率。
具体实施方式
为便于理解本发明，本发明列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
实施例1
本实施例提供一种钴靶材与铜背板的扩散焊接方法，所述方法包括以下步骤：
(1)对钴靶材进行TMP塑性处理，得到第一钴靶材；
所述TMP塑性处理的方法包括对钴靶材依次进行锻伸处理、第一热轧处理、第一热处理、第二热轧处理以及第二热处理：
将所述钴靶材在800℃下依次进行镦粗和拔长处理重复5次，冷却后再于800下依次进行镦粗和拔长处理重复5次，所述镦粗处理为将所述钴靶材的长度镦粗至所述钴靶材尺寸长度的60％，所述拔长处理为将镦粗后的所述钴靶材拔长至尺寸长度；
第一热轧处理包括对所述钴靶材800℃下保温75min后进行轧制，所述轧制完成后钴靶材的长度为轧制前长度的15％，在600℃进行第一热处理75min；
第二热轧处理包括对所述钴靶材300℃下保温75min后进行轧制，所述轧制包括对所述钴靶材进行5次下压量为0.3mm的轧制后进行回炉保温，所述轧制完成后钴靶材的长度为轧制前长度的75％，在300℃进行第二热处理75min；
(2)对步骤(1)所述第一钴靶材的焊接面进行精磨，所述精磨后钴靶材的磁通量≥65％，IPA超声清洗5min，真空干燥得到第二钴靶材；
(3)对步骤(2)所述第二钴靶材的焊接面进行镀Ti膜处理，所述镀钛膜处理的温度400℃，时间3h，钛膜的厚度为3μm，IPA超声清洗5min，真空干燥得到第三钴靶材；
(4)将步骤(3)所述第三钴靶材与铜背板装配，进行氩弧焊焊接，对包套进行抽真空至真空度≤0.01Pa，200℃以及真空度0.01Pa下对包套进行脱气4h，再于300℃以及150MPa的压力下进行热等静压焊接4h得到产品。
实施例2
本实施例提供一种钴靶材与铜背板的扩散焊接方法，所述方法包括以下步骤：
(1)对钴靶材进行TMP塑性处理，得到第一钴靶材；
所述TMP塑性处理的方法包括对钴靶材依次进行锻伸处理、第一热轧处理、第一热处理、第二热轧处理以及第二热处理：
将所述钴靶材在1000℃下依次进行镦粗和拔长处理重复3次，冷却后再于1000℃下依次进行镦粗和拔长处理重复3次，所述镦粗处理为将所述钴靶材的长度镦粗至所述钴靶材尺寸长度的40％，所述拔长处理为将镦粗后的所述钴靶材拔长至尺寸长度；
第一热轧处理包括对所述钴靶材1000℃下保温45min后进行轧制，所述轧制完成后钴靶材的长度为轧制前长度的10％，在700℃进行第一热处理45min；
第二热轧处理包括对所述钴靶材500℃下保温45min后进行轧制，所述轧制包括对所述钴靶材进行4次下压量为0.1mm的轧制后进行回炉保温，所述轧制完成后钴靶材的长度为轧制前长度的70％，在500℃进行第二热处理45min；
(2)对步骤(1)所述第一钴靶材的焊接面进行精磨，所述精磨后钴靶材的磁通量≥65％，IPA超声清洗15min，真空干燥得到第二钴靶材；
(3)对步骤(2)所述第二钴靶材的焊接面进行镀Ti膜处理，所述镀钛膜处理的温度300℃，时间5h，钛膜的厚度为6μm，IPA超声清洗15min，真空干燥得到第三钴靶材；
(4)将步骤(3)所述第三钴靶材与铜背板装配，进行氩弧焊焊接，对包套进行抽真空至真空度≤0.01Pa，400℃以及真空度0.03Pa下对包套进行脱气2h，再于500℃以及105MPa的压力下进行热等静压焊接2h得到产品。
实施例3
本实施例提供一种钴靶材与铜背板的扩散焊接方法，所述方法包括以下步骤：
(1)对钴靶材进行TMP塑性处理，得到第一钴靶材；
所述TMP塑性处理的方法包括对钴靶材依次进行锻伸处理、第一热轧处理、第一热处理、第二热轧处理以及第二热处理：
将所述钴靶材在900℃下依次进行镦粗和拔长处理重复4次，冷却后再于900℃下依次进行镦粗和拔长处理重复4次，所述镦粗处理为将所述钴靶材的长度镦粗至所述钴靶材尺寸长度的50％，所述拔长处理为将镦粗后的所述钴靶材拔长至尺寸长度；
第一热轧处理包括对所述钴靶材900℃下保温60min后进行轧制，所述轧制完成后钴靶材的长度为轧制前长度的12％，在650℃进行第一热处理60min；
第二热轧处理包括对所述钴靶材400℃下保温60min后进行轧制，所述轧制包括对所述钴靶材进行5次下压量为0.2mm的轧制后进行回炉保温，所述轧制完成后钴靶材的长度为轧制前长度的72％，在400℃进行第二热处理60min；
(2)对步骤(1)所述第一钴靶材的焊接面进行精磨，所述精磨后钴靶材的磁通量≥65％，IPA超声清洗10min，真空干燥得到第二钴靶材；
(3)对步骤(2)所述第二钴靶材的焊接面进行镀Ti膜处理，所述镀钛膜处理的温度350℃，时间3.5h，钛膜的厚度为5μm，IPA超声清洗10min，真空干燥得到第三钴靶材；
(4)将步骤(3)所述第三钴靶材与铜背板装配，进行氩弧焊焊接，对包套进行抽真空至真空度≤0.01Pa，300℃以及真空度0.02Pa下对包套进行脱气3h，再于400℃以及120MPa的压力下进行热等静压焊接3h得到产品。
实施例4
本实施例提供一种钴靶材与铜背板的扩散焊接方法，所述方法包括以下步骤：
(1)对钴靶材进行TMP塑性处理，得到第一钴靶材；
所述TMP塑性处理的方法包括对钴靶材依次进行锻伸处理、第一热轧处理、第一热处理、第二热轧处理以及第二热处理：
将所述钴靶材在850℃下依次进行镦粗和拔长处理重复5次，冷却后再于850℃下依次进行镦粗和拔长处理重复5次，所述镦粗处理为将所述钴靶材的长度镦粗至所述钴靶材尺寸长度的45％，所述拔长处理为将镦粗后的所述钴靶材拔长至尺寸长度；
第一热轧处理包括对所述钴靶材850℃下保温55min后进行轧制，所述轧制完成后钴靶材的长度为轧制前长度的11％，在650℃进行第一热处理55min；
第二热轧处理包括对所述钴靶材350℃下保温65min后进行轧制，所述轧制包括对所述钴靶材进行5次下压量为0.25mm的轧制后进行回炉保温，所述轧制完成后钴靶材的长度为轧制前长度的75％，在350℃进行第二热处理65min；
(2)对步骤(1)所述第一钴靶材的焊接面进行精磨，所述精磨后钴靶材的磁通量≥65％，IPA超声清洗10min，真空干燥得到第二钴靶材；
(3)对步骤(2)所述第二钴靶材的焊接面进行镀Ti膜处理，所述镀钛膜处理的温度450℃，时间5h，钛膜的厚度为5μm，IPA超声清洗10min，真空干燥得到第三钴靶材；
(4)将步骤(3)所述第三钴靶材与铜背板装配，进行氩弧焊焊接，对包套进行抽真空至真空度≤0.01Pa，350℃以及真空度0.02Pa下对包套进行脱气2.5h，再于350℃以及不低于125MPa的压力下进行热等静压焊接2.5h得到产品。
对比例1
本对比例除了不对钴靶材进行TMP塑性处理外，其余条件均与实施例3相同。
对比例2
本对比例除了使用铟焊料进行钎焊取代扩散焊接外，其余条件均与实施例3相同。
实施例1-4以及对比例使用的钴靶材为5N纯度(未完全再结晶)，尺寸为Φ140×150L，断伸后对所述钴靶材进行线切割至尺寸为Φ140×75L铜背板为CUPB，使用C46400，电导率范围：14.5～15.6ms/m。采用C-SCAN检测验证焊接效果，其检测条件如表1所示，结果如表2所示。
表1
Figure BDA0002962238480000121
Figure BDA0002962238480000131
表2
整体结合率/％ 单个缺陷率/％
实施例1 99.1 1.3
实施例2 99.6 0.6
实施例3 99.3 0.9
实施例4 99.5 0.8
对比例1 91.3 2.9
对比例2 92.7 2.1
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺设备和工艺流程，但本发明并不局限于上述详细工艺设备和工艺流程，即不意味着本发明必须依赖上述详细工艺设备和工艺流程才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (10)

1.一种钴靶材与铜背板的扩散焊接方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)对钴靶材进行TMP塑性处理，得到第一钴靶材；
(2)对步骤(1)所述第一钴靶材的焊接面进行精磨以及IPA超声清洗，得到第二钴靶材；
(3)对步骤(2)所述第二钴靶材的焊接面进行镀Ti膜处理并进行IPA超声清洗，得到第三钴靶材；
(4)将步骤(3)所述第三钴靶材与铜背板装配，并依次进行包套焊接以及热等静压焊接得到产品。
2.根据权利要求1所述的焊接方法，其特征在于，所述TMP塑性处理的方法包括对钴靶材依次进行锻伸处理、第一热轧处理、第一热处理、第二热轧处理以及第二热处理。
3.根据权利要求2所述的焊接方法，其特征在于，所述锻伸处理包括将所述钴靶材在800～1000℃下依次进行镦粗和拔长处理重复至少3次，冷却后再于800～1000℃下依次进行镦粗和拔长处理重复至少3次；
优选地，所述镦粗处理为将所述钴靶材的长度镦粗至所述钴靶材尺寸长度的40～60％；
优选地，所述拔长处理为将镦粗后的所述钴靶材拔长至尺寸长度。
4.根据权利要求2或3所述的焊接方法，其特征在于，所述第一热轧处理包括对所述钴靶材进行保温后进行轧制；
优选地，所述保温的温度为800～1000℃，时间为45～75min；
优选地，所述轧制完成后钴靶材的长度为轧制前长度的10～15％；
优选地，所述第一热处理的温度为600～700℃，时间为45～75min。
5.根据权利要求2-4任一项所述的焊接方法，其特征在于，所述第二热轧处理包括对所述钴靶材进行保温后进行轧制；
优选地，所述保温的温度为300～500℃，时间为45～75min；
优选地，所述轧制包括对所述钴靶材进行4～5次下压量为0.1～0.3mm的轧制后进行回炉保温；
优选地，所述轧制完成后钴靶材的长度为轧制前长度的70～75％；
优选地，所述第一热处理的温度为300～500℃，时间为45～75min。
6.根据权利要求1-5任一项所述的焊接方法，其特征在于，步骤(2)所述精磨后钴靶材的磁通量≥65％；
优选地，步骤(2)所述IPA超声清洗的时间为5～15min；
优选地，步骤(2)所述IPA超声清洗后对所述钴靶材进行真空干燥。
7.根据权利要求1-6任一项所述的焊接方法，其特征在于，步骤(3)所述镀钛膜处理的温度≤400℃，时间不低于3h；
优选地，步骤(3)所述镀钛膜处理后钛膜的厚度为3～6μm；
优选地，步骤(3)所述IPA超声清洗的时间为5～15min；
优选地，步骤(3)所述IPA超声清洗后对所述钴靶材进行真空干燥。
8.根据权利要求1-7任一项所述的焊接方法，其特征在于，步骤(4)所述包套焊接包括对装配后的第三钴靶材与铜背板进行氩弧焊焊接，对包套进行抽真空以及对包套进行脱气；
优选地，所述抽真空的真空度≤0.01Pa；
优选地，所述脱气的温度为200～400℃，真空度为0.01～0.03Pa，时间为2～4h。
9.根据权利要求1-8任一项所述的焊接方法，其特征在于，步骤(4)所述热等静压焊接的温度为300～500℃；
优选地，步骤(4)所述热等静压焊接的压力≥105MPa；
优选地，步骤(4)所述热等静压焊接的时间为2～4h。
10.根据权利要求1-9任一项所述的焊接方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)对钴靶材进行TMP塑性处理，得到第一钴靶材；
所述TMP塑性处理的方法包括对钴靶材依次进行锻伸处理、第一热轧处理、第一热处理、第二热轧处理以及第二热处理：
将所述钴靶材在800～1000℃下依次进行镦粗和拔长处理重复至少3次，冷却后再于800～1000℃下依次进行镦粗和拔长处理重复至少3次，所述镦粗处理为将所述钴靶材的长度镦粗至所述钴靶材尺寸长度的40～60％，所述拔长处理为将镦粗后的所述钴靶材拔长至尺寸长度；
第一热轧处理包括对所述钴靶材800～1000℃下保温45～75min后进行轧制，所述轧制完成后钴靶材的长度为轧制前长度的10～15％，在600～700℃进行第一热处理45～75min；
第二热轧处理包括对所述钴靶材300～500℃下保温45～75min后进行轧制，所述轧制包括对所述钴靶材进行4～5次下压量为0.1～0.3mm的轧制后进行回炉保温，所述轧制完成后钴靶材的长度为轧制前长度的70～75％，在300～500℃进行第二热处理45～75min；
(2)对步骤(1)所述第一钴靶材的焊接面进行精磨，所述精磨后钴靶材的磁通量≥65％，IPA超声清洗5～15min，真空干燥得到第二钴靶材；
(3)对步骤(2)所述第二钴靶材的焊接面进行镀Ti膜处理，所述镀钛膜处理的温度≤400℃，时间不低于3h，钛膜的厚度为3～6μm，IPA超声清洗5～15min，真空干燥得到第三钴靶材；
(4)将步骤(3)所述第三钴靶材与铜背板装配，进行氩弧焊焊接，对包套进行抽真空至真空度≤0.01Pa，200～400℃以及真空度0.01～0.03Pa下对包套进行脱气2～4h，再于300～500℃以及不低于105MPa的压力下进行热等静压焊接2～4h得到产品。
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