CN104953008A - 发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明具备：具有配线部的基板；载置于基板之上的发光元件；以及覆盖发光元件以及基板的至少一部分且具有波长转换构件的密封构件，在俯视观察时，基板上的被密封构件覆盖的区域被穿过该基板的中心的直线分为第一区域和第二区域，配线部配置为，第一区域中的所述配线部的面积比第二区域中的所述配线部的面积大，发光元件配置为，第二区域中的所述发光元件的面积比第一区域中的所述发光元件的面积大，第二区域侧的密封构件的高度比第一区域侧的密封构件的高度高。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及发光装置。
背景技术
一直以来，已知一种发光装置，该发光装置构成为使用发出蓝色光的发光元件和荧光物质发出白色光，该荧光物质通过吸收一部分蓝色光而被激发，产生波长更长的光。
在这样的发光装置中，要求与光的出射方向无关地均使光一致形成为均匀的色调，并且要求提高亮度。
例如，在国际公开2013/011628号中记载有，通过在含有波长转换材料的层之上形成含有光漫射材料的层，从而抑制色度的浓淡不均。
然而，若使用光漫射材料，有时存在出光效率降低的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的，其特征在于提供一种抑制颜色的浓淡不均且出光效率高的发光装置。
本发明的实施方式所涉及的发光装置的特征在于，具备：基板，其具有配线部；发光元件，其载置于所述基板之上；以及密封构件，其覆盖所述发光元件以及所述基板的至少一部分，且具有波长转换构件，在俯视观察时，所述基板上的被所述密封构件覆盖的区域被穿过该基板的中心的直线分为第一区域和第二区域，所述配线部配置为，所述第一区域中的所述配线部的面积比所述第二区域中的所述配线部的面积大，所述发光元件配置为，所述第二区域中的所述发光元件的面积比所述第一区域中的所述发光元件的面积大，所述第二区域侧的所述密封构件的高度比所述第一区域侧的所述密封构件的高度高。
另外，本发明的实施方式所涉及的发光装置的制造方法的特征在于，包括以下工序：准备集合基板的工序，所述集合基板由多个基板相连而形成，所述基板在上表面具有由穿过该基板的中心的直线划分的第一区域和第二区域，且所述基板具有配线部与发光元件，所述配线部配置为在所述第一区域中面积较大，所述发光元件配置为在所述第二区域中面积较大；在所述集合基板上载置具有多个开口的掩膜，在所述掩膜的上侧的一方配置具有波长转换构件的密封构件，通过使刮板从所述掩膜的一方的端部朝向另一方移动而将所述密封构件印刷于所述开口的工序；以及去除所述掩膜的工序，所述刮板的移动方向为朝向所述第二区域的方向。
根据本发明，通过具有上述特征，能够实现抑制颜色的浓淡不均且出光效率高的发光装置。
附图说明
本发明的上述特征以及其他特征通过以下结合附图的详细说明予以明确。
图1是本发明的实施方式所涉及的发光装置的简要俯视图。
图2是本发明的实施方式所涉及的发光装置的简要剖视图。
图3是本发明的实施方式所涉及的发光装置的简要仰视图。
图4是用于说明本发明的实施方式所涉及的发光装置的示意俯视图。
图5是用于说明本发明的实施方式所涉及的发光装置的制造方法的图。
图6是用于说明本发明的实施方式所涉及的发光装置的制造方法的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。以下说明的实施方式用于将本发明的技术构思具体化，本发明并不局限于以下的实施方式。需要说明的是，各附图所示的构件的大小、位置关系等用于明确进行说明，有时夸张示出。也将附图中的“x”方向称作“横”方向，将“y”方向称作“纵”方向，将“z”方向称作“上下”方向或者“高度(厚度)”方向。
(实施方式)
图1是示出本发明的实施方式所涉及的发光装置的简要俯视图，图2是图1的II-II线处的简要剖视图，图3是图1的发光装置的简要仰视图。
在本实施方式中，发光装置100包括：具有配线部108的基板104；载置于基板104的上方的发光元件102；以及覆盖发光元件102且具有波长转换构件的密封构件106。
基板104是成为载置发光元件102的台座的构件。基板104在其表面上具有用于向发光元件102供电的导电性构件、即配线部108。配线部108在俯视观察时以偏向基板104的一侧的方式配置。
图4是用于说明图1的发光装置100的示意俯视图。在本实施方式中，基板104以及发光元件102在俯视观察时呈矩形，基板104具有边B1～B4。边B1、B2是相互大致平行的边，沿着x方向延伸。另外，边B3、B4是相互大致平行的边，沿着y方向延伸。在本实施方式中，B1～B4的长度全部相等，基板104在俯视观察时呈正方形。
在此，如图4所示，在规定穿过边B3、B4的中点且沿着x轴向延伸的直线L1(即，直线L1穿过发光元件载置面的中心)时，基板104的发光元件载置面被直线L1分为区域A1、A2这两个区域。区域A1是包括边B1的区域，区域A2是包括边B2的区域。需要说明的是，在说明书中有时将区域A1记载为第一区域，将区域A2记载为第二区域。
如图4所示，在俯视观察时，配线部108形成于基板104的单侧(区域A1)，发光元件102以跨越区域A1以及区域A2的方式大部分配置在区域A2侧。即，配线部108配置为，区域A1(第一区域)中的配线部108的面积比区域A2(第二区域)中的配线部108的面积大，发光元件102配置为，区域A2(第二区域)中的发光元件102的面积比区域A1(第一区域)中的发光元件102的面积大。换言之，在俯视观察时，发光元件102的中心以位于配线部108少的方向的方式相对于基板104的中心偏移配置于区域A2侧。
配线部108的表面的绝大部分被密封构件106覆盖。由于无法使配线部108对发光装置的发出光的反射率达到100％，因此，无法避免基板104以及配线部108的表面发生光吸收。尤其是在配线部108的反射率(称作发光装置的发光波长、即发光元件或者波长转换构件的发光波长下的反射率，以下相同)比基板104的反射率低的情况下，发光元件102越是靠近配线部108，越是产生基于配线部108的光吸收，出光效率降低。需要说明的是，通过使用反射率高的银作为配线部108的表面的材料，由此能够抑制出光效率的降低，但由于银存在因硫化而变色的问题，因此，优选使用不发生硫化的金。然而，在制作白色LED时使用的蓝色的发光元件的情况下，金的反射率比银的反射率低。
对此，在本实施方式中，使用金作为配线部108的表面的材料，另一方面，将发光元件102以与配线部108分离的方式配置在区域A2侧。由此，光吸收得以抑制。然而，通过将发光元件102相对于基板104的中央而偏移配置，由于光穿过密封构件106时的光路长度因提取方向而不同，因此，通过波长转换构件进行波长转换的光的量也不同，产生颜色的浓淡不均这样的新问题。
在本实施方式中，通过使密封构件106在发光元件102所处的一侧的高度比在配线部108所处的一侧的高度高，即通过使密封构件106在区域A2侧的高度比在区域A1的高度高，使从发光元件102至密封构件106的外缘的距离在各方向上均匀化。由此，能够使在密封构件106低(薄)的一侧和高(厚)的一侧进行波长转换的光的量均匀化，能够减少颜色的浓淡不均。换言之，密封构件106的最高的部分配置在区域A2侧，而非配置在配线部更多地配置的区域A1侧。
在本实施方式中，如图1所示，发光元件102虽然在基板的y方向上偏移配置，但在x方向上配置在基板的中央。换句话说，如图4所示，在俯视观时，在规定穿过边B1、B2的中点且沿着y轴向延伸的直线L2时，以发光元件的中心位于直线L2上的方式配置。因而，优选在x方向上不像在y方向上那样对密封构件设置高低差，在与直线L2正交的剖面中，所述密封构件以L2为对称轴形成为线对称。
以下，对本实施方式所涉及的发光装置100的优选方式进行说明。
(基板104)
基板104只要是成为载置发光元件102的台座的构件，则不特别限定。由于容易形成上表面的高度不同的密封构件106，因此优选为平板状，但也可以在载置发光元件102的部分具有凹部。
作为基板104的材料，优选采用劣化少的材料即无机构件，尤其优选陶瓷。作为陶瓷的材料，例如能够举出氧化铝、多铝红柱石、镁橄榄石、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)、低温共烧陶瓷(LTCC)等。其中，也优选廉价且含有难以产生裂缝的氧化铝的陶瓷。
另外，基板104优选为，通过使氧化铝、氧化钇、氧化锆、二氧化钛、金刚石、氧化钙以及硫酸钡等无机材料的粒子的一部分彼此形成为一体而形成为具有大量空隙的多孔质。由此，能够利用空气与上述材料之间的折射率差来提高反射率。例如，优选波长450nm下的反射率为80％以上，更优选为85％以上。
另外，作为陶瓷以外的能够应用本实施方式的材料，能够以树脂作为材料。作为这样的树脂材料，也可以由脂肪族聚酰胺树脂、半芳香族聚酰胺树脂、聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸环己二醇酯、液晶聚合物、聚碳酸酯树脂、间规聚苯乙烯、聚苯醚、聚苯硫醚、聚醚砜树脂、聚醚酮树脂、聚芳酯树脂等热塑性树脂、以及聚双马来酰亚胺三嗪树脂、环氧树脂、硅树脂、有机硅改性树脂、改性环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂等热固化树脂形成。
在本实施方式中，虽然对基板104具有俯视观察时呈正方形的外形的例子进行了说明，但并不局限于此，也可以是长方形、多边形。
(配线部108)
在基板104的表面上形成有配线部108。配线部108只要是用于向发光元件102供电的导电性构件，则不特别限定。由于配线部108产生光吸收，因此，优选配线部108确保电连接所需要的大小，并且尽可能形成地小。配线部108至少具备一对正极与负极即可，在本实施方式中具备108A和108B这两个配线部。
在使用陶瓷作为基板104的情况下，配线部108形成为金属层。例如，既可以在基板104的表面上形成由高熔点金属构成的金属化层，通过共烧法对整体进行烧制而形成，也可以通过在烧结后的基板104上涂敷各种糊剂并对其进行烧制的后烧法而形成。另外，也可以在将金属层形成于基板的表面之后，通过干膜抗蚀剂、蚀刻等形成图案。需要说明的是，如图3所示，也可以同时在发光元件载置面的相反侧、即基板104的下表面侧形成发光装置的电极端子109。配线部108与电极端子109既可以使用例如贯穿基板104的贯通孔、通孔等导通，也可以通过沿着基板104的侧面设置导电构件而导通。在本实施方式中，配线部108A与电极端子109A电连接，同样地，配线部108B与电极端子109B电连接。
作为形成于陶瓷的配线部的材料，通过将以Ni、Au、Cu、Ag、Pd、Rh、Pt、Sn等作为主要成分的金属或者合金层配置于基板上而形成。具体地说，能够通过蒸镀、溅射、印刷法等进一步在其之上形成镀层等。从劣化少、与电线的紧贴性的观点出发，优选将以Au为主要成分的金属用于配线部108的最靠表面的位置。
另外，在使用树脂作为基板104的材料的情况下，在使树脂半固化而成的半固化片上粘贴金属板并使其热固化，然后使用照相平版印刷法等将金属板图案化为所希望的形状，由此能够形成配线部。也可以进一步对表面进行电镀。
需要说明的是，在形成配线部时，也可以同时形成对准定位用的标记、表示极性的标记。在本实施方式中，在未配置有配线部108的区域A2侧的角部形成有负极标记304。
(发光元件102)
发光元件102配置在基板104上。发光元件102借助粘合剂(未图示)粘合于基板104，并通过电线112与配线部108电连接。作为发光元件102，例如可以使用LED元件等半导体发光元件。发光元件102通常包括透光性基板、层叠于透光性基板之上的半导体层、以及设于半导体层的正负一对电极。需要说明的是，发光元件102也可以不配置在基板104上，而是配置在配线部108之上。
发光元件102也可以射出紫外光或者可见光。在使用于产生白色光的发光装置的情况下，优选发光元件102是发光波长优选为400nm以上且530nm以下、更优选为420nm以上且490nm以下的蓝色发光元件。通过将蓝色发光元件与后述的作为波长转换构件的黄色荧光体组合使用，能够获得白色发光装置。作为蓝色发光元件，尤其优选能够高效地激发荧光体的氮化物半导体(InxAlyGa1-x-yN，0≤x，0≤y，x+y≤1)系的发光元件。安装于一个发光装置100的发光元件102可以是一个，或者也可以是多个，在一个发光元件102的情况下，由于发光区域明显偏倚，因此在本实施方式中，在一个发光元件102的情况下，能够进一步发挥抑制颜色的浓淡不均的效果。另外，在俯视观察时的发光元件的面积大的情况下，发光区域明显偏倚，因此，例如在发光元件的俯视时的一边的长度为500μm以上的情况下，能够进一步发挥本实施方式的效果。
在本实施方式中，发光元件102通过所谓的仰面安装配置在配线部108以外的区域，发光元件的电极与配线部108经由电线112而电连接。
需要说明的是，除了具备发光元件以外，如图1所示，也可以具备保护元件110等。
(电线112)
电线112是将发光元件102的电极与配线部108电连接的构件。作为电线112，能够使用Au、Cu、Ag、Pt、Al或者它们的合金的金属线。作为电线112，尤其优选难以产生因来自密封构件的应力而发生断裂且热阻力等优异的Au。或者，为了提高出光效率，也可以是电线112的至少表面由Ag或者其合金构成。
(粘合剂)
粘合剂是将发光元件102固定于基板104或者配线部108的构件。作为粘合剂，能够根据用途而适当地选择绝缘性粘合剂或者导电性粘合剂。作为绝缘性粘合剂，可以使用环氧树脂、硅树脂、聚酰亚胺树脂、或者它们的改性树脂、混合树脂等。
(密封构件106)
密封构件106具有电绝缘性，能够使从发光元件102射出的光透过，并且只要是固化前具有流动性的材料，则不特别限定。密封构件的透过率优选为70％以上。作为透光性树脂，例如举出硅树脂、有机硅改性树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、TPX树脂、聚降冰片烯树脂、或者含有多种上述树脂的混合树脂等。其中，硅树脂因耐热性、耐光性优异且固化后的体积收缩小而优选。
密封构件的高度(厚度)能够设为所希望的高度，例如，优选为300μm～700μm，进一步优选为400μm～600μm。由于密封构件的厚度越薄，颜色的浓淡不均的问题越显著，因此，例如通过在密封构件的厚度为500μm以下的情况采用本实施方式的发光装置的结构，能获得更为显著的效果。需要说明的是，“高度”是指距离基板104的表面的高度(z方向)，上述厚度的数值是指最高部分的高度。
作为密封构件的形状，如图2所示，优选设为表面具有带有圆角的曲面且向出光面侧凸的形状。优选的是，密封构件设为上表面不具有与基板104的表面平行的面、或者平行的面占密封构件的表面整体的70％以下的形状，以尽可能地不使来自发光元件102的光全反射。
在本实施方式中，说明了密封构件106是单一的层的情况，但也可以分割为多层。例如，直接覆盖发光元件102的层不具有波长转换构件，只要配置于该层之上的层具有波长转换构件即可，即便不直接覆盖发光元件，若以能够使来自发光元件的光转换波长的方式间接覆盖，则可以称作本说明书中的密封构件106。
(波长转换构件)
密封构件106具有波长转换构件，该波长转换构件被发光元件102所产生的光的至少一部分激发而发出波长与发光元件的发光波长不同的光。
作为代表性的波长转换构件，能够举出荧光体、量子点。
(荧光体)
用作波长转换构件的荧光体既可以使用一种荧光体，也可以使用两种以上的荧光体。作为LED用的荧光体，也可以使用公知的任一种荧光体。例如，也可以使用粒径以及发光色不同的第一荧光体以及第二荧光体的两种荧光体。如此，通过使用发光色不同的多种荧光体，能够提高颜色再现性、色泽性。
作为荧光体，例如作为黄色～绿色荧光体，例如能够使用钇铝石榴石系荧光体(YAG系荧光体)以及镥铝石榴石系荧光体(LAG系荧光体)。作为绿色荧光体，例如能够使用氯硅酸盐以及β硅铝氧氮陶瓷(SIALON)荧光体。作为红色荧光体，例如能够使用(Sr，Ca)AlSiN3：Eu等SCASN系荧光体、CaAlSiN3：Eu等CASN系荧光体、SrAlSiN3：Eu荧光体、以及K2SiF6：Mn等KSF系荧光体等，但并不局限于此。
荧光体的粒径不特别限定，优选为2μm～50μm左右，进一步优选为5μm～20μm。需要说明的是，虽然具有荧光体的粒径越大，发光装置的出光效率越高的趋势，但颜色的浓淡不均也趋于变大。
密封构件106除了具有上述的波长转换构件以外，还包括填充物、扩散材料等添加剂。例如，作为扩散材料，也可以使用SiO2、TiO2等。
在本实施方式中，使用LAG荧光体作为第一荧光体，使用SCASN荧光体作为第二荧光体。由此，能够形成高色泽的发光装置。
(发光装置100的制造方法)
接下来，参照附图对第一实施方式所涉及的发光装置100的制造方法的一例进行说明。图5以及图6A、图6B、图6C是示出第一实施方式所涉及的发光装置100的制造方法的一例的简要剖视图。需要说明的是，第一实施方式所涉及的发光装置100的制造方法只要至少包括在载置有发光元件102的基板104上形成具有波长转换构件的密封构件106的工序即可，但并不局限于在此说明的制造方法。
如图5所示，在本例中使用的基板104是多个基板104相连配置而成的板状的集合基板(也称作多个安装基板)。在本例中，基板104在单体化时进行分割的位置设有槽202。如图5所示，该槽202既可以设于基板的下表面侧，也可以设于上表面侧。由此，能够容易地通过切断而进行切割。需要说明的是，也可以不形成槽202。
基板104具有发光元件102，在切割成独立单体而成为一个发光装置的各区域中，在俯视观察时，各发光元件102的中心从基板104的中心偏移配置。准备这样的集合基板，如图5所示，以在各个发光装置100上分别形成一个密封构件的方式载置具有开口的掩膜300。
接下来，在掩膜300的上侧的一方配置具有波长转换构件的密封构件，如图6A所示，通过使橡皮刷302从掩膜300的一方的端部朝向另一方(图6A的箭头的方向)移动，由此以向开口埋入密封构件106的方式进行印刷，利用密封构件106覆盖发光元件102。
在此，刮板302的移动方向为发光元件102的偏移方向。由此，偏移配置有发光元件的一侧的密封构件106的量变多。然后，如图6B所示，通过去除掩膜300，能够形成发光元件102侧的密封构件106的高度比相反侧的密封构件106的高度高的密封构件106。
最后，如图6C所示，通过沿着槽202进行切断而获得各个发光装置100。作为分割方法，不仅是切断，也可以是基于激光的分割、基于划片(dicing)的分割。
在以上叙述的实施方式中，当俯视基板时，虽然使发光元件朝向一个边偏移配置，但当然也可以使发光元件朝向基板的角方向偏移配置。在该情况下，配线部108配置在与配置有发光元件的角对置的角部，密封构件108在一方的角部比在另一方的角部形成得高。
(实施例)
以下，参照附图对本发明的实施例进行说明。首先，准备集合基板。集合基板由多个之后被切割成独立单体的各发光装置的基板104相连而成。各基板104例如能够采用俯视观察时呈1.85mm×1.85mm、高度为0.38mm的大致矩形。各基板104的上表面被上述的穿过边B3与边B4的中点的直线L1分为区域A1和区域A2。需要说明的是，在集合基板中，各基板104以区域A1以及区域A2的方向分别一致的方式相连。
在各基板104的上表面上配置配线部108和发光元件102。在实施例中，配置一个发光元件102和正负的配线部108。发光元件102例如可以使用俯视观察时0.55mm×0.55mm、高度约0.15mm的构件。配线部108的宽度能够设为0.2mm，即基板的上表面的宽度的约10％左右。
在本实施例中，配线部108配置在区域A1。发光元件102的中心能够在俯视观察时从基板上表面的中心向区域A2侧偏移配置0.18mm。由此，在俯视观察时，发光元件102的一部分配置在区域A1，但发光元件102的大半部分配置在区域A2。发光元件102与配线部108之间的分离距离例如可以为0.31mm。发光元件102与配线部108通过电线进行电连接。在本实施例中，也可以在配线部108上载置例如俯视观察时0.15×0.15mm、高度为0.1mm的保护元件110。
在以上的多个基板104相连而成的集合基板上载置具有开口的掩膜300。开口在掩膜300中设置在与集合基板的基板对应的位置。例如，能够使用设有多个俯视观察时1.6×1.6mm、高度为0.4mm的开口的掩膜300。各个开口彼此例如以0.25mm的间隔设置。开口的直径越小，在后述的密封构件106的印刷时，越能够在刮板302的移动方向上提高密封构件106的高度。另外，掩膜300的表面粗糙度优选为0.2～0.3μm左右。若掩膜300的表面粗糙度大，在从密封构件106去除掩膜300时，密封构件106的高低差容易变大。当对掩膜300的表面实施表面处理时，能够防止密封构件106绕向掩膜开口以外。例如，优选使用通过硬质膜对表面进行涂布后的掩膜。
在这样的掩膜300的上侧的一方配置含波长转换构件的二甲基硅氧烷(粘度100～300Pa·S)。然后，使橡皮刷302从掩膜300的一方的端部朝向另一方即区域A2方向移动，由此能够以向开口埋入密封构件106的方式进行印刷，利用密封构件106覆盖发光元件102。由此，在各开口内的密封构件106中，刮板302的移动方向即区域A2侧的密封构件106的量变多。换句话说，对于各开口内的密封构件106的高度，与区域A1侧的所述高度相比，配置发光元件102的区域A2侧的所述高度更高。
所要印刷的密封构件106的粘度越高，越能够在刮板302的移动方向上提高密封构件106的高度。刮板302使用例如前端的形状为J形状的刮板，由此能够在刮板302的移动方向上进一步增多密封构件106的量。另外，通过使刮板302以向移动方向倾斜的方式移动，能够在刮板302的移动方向上进一步增多密封构件106的量。刮板302的移动速度以及刮板302向密封构件按压的压力不特别限定。例如，刮板302的移动速度能够设为1～50mm/s。
接下来，去除掩膜300。通过加快从密封构件106清除掩膜300的速度，能够增大区域A1侧与区域A2侧的密封构件106的高低差。例如，在本实施例中，以0.1mm/s的速度去除掩膜300，由此将区域A1侧与区域A2侧的密封构件106的高度差设为50～70μm。
如以上那样，通过去除掩膜300，能够在各基板104上形成区域A2即发光元件102侧的密封构件106的高度比区域A1侧即配线部108侧的密封构件106的高度高的密封构件106。
对于各基板上的密封构件106的外形，例如在俯视观察时，上表面为1.3mm×1.3mm，基板侧即底面为1.5×1.5mm。密封构件的高度(厚度)例如为0.5mm，区域A2侧比区域A1侧高50～70μm。密封构件106的底面与侧面所成的角度例如为60°，上表面与侧面所成的角部形成为带有圆角的形状。需要说明的是，发光元件102与密封构件106的外缘之间的分离距离能够设为0.26mm左右。
接下来，利用上述的方法将形成有密封构件106的集合基板分割为独立单体，由此能够获得发光装置100。对于发光装置100，在俯视观察时，密封构件106的外缘(底面)配置在比基板104的外缘靠内侧的位置，其分离距离能够设为0.12mm。
以上，在本实施例中，通过印刷来形成发光装置100的密封构件106，但并不局限于此。例如，也可以通过灌注等形成。具体地说，将上述的掩膜300同样地载置于集合基板上，通过铸封等在各开口内配置密封构件。然后，在将集合基板与掩膜300固定的状态下，向区域A2方向倾斜。由此，配置在各开口内的密封构件106向区域A2侧流动，在载置发光元件102的区域A2侧，所述密封构件106的高度增高。然后，通过去除掩膜300，将形成有密封构件的集合基板分割为独立单体，由此能够获得与上述相同的发光装置100。
此外，密封构件106也可以通过使用金属模具进行的转移成形、压缩成形而形成。具体地说，使用密封构件106的高度在各基板上的区域A2侧(发光元件侧)高的模具。由此，能够更高精度地控制密封构件106的高度。
对于本领域技术人员，显然本发明仅公开了优选的实施方式，认为本发明不局限于所公开的具体实施例，仅用于说明本发明的实施例，不应被解释为限定本发明的范围，本发明的适当修改和变化都包括在由权利要求限定的本发明的范围内。本申请基于2014年3月28日在日本申请的No.2014-067685和2015年1月19日在日本申请的No.2015-007975而主张优先权，并在此援引其内容。

Claims (10)

1.一种发光装置，具备：
基板，其具有配线部；
发光元件，其载置于所述基板之上；以及
密封构件，其覆盖所述发光元件以及所述基板的至少一部分，且具有波长转换构件，
在俯视观察时，所述基板上的被所述密封构件覆盖的区域被穿过该基板的中心的直线分为第一区域和第二区域，
所述配线部配置为，所述第一区域中的所述配线部的面积比所述第二区域中的所述配线部的面积大，
所述发光元件配置为，所述第二区域中的所述发光元件的面积比所述第一区域中的所述发光元件的面积大，
所述第二区域侧的所述密封构件的高度比所述第一区域侧的所述密封构件的高度高。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述发光元件配置在所述配线部以外的区域，且通过电线与所述配线部电连接。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述配线部在所述发光装置的发光波长下的反射率比所述基板在所述发光装置的发光波长下的反射率低。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述波长转换构件包括两种以上的荧光体。
5.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
所述密封构件的厚度为500μm以下。
6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
在所述配线部上配置有保护元件，所述配线部与所述保护元件电连接。
7.根据权利要求1所述的发光装置，其中，
在所述基板上载置有一个所述发光元件。
8.一种发光装置的制造方法，包括以下工序：
准备集合基板的工序，所述集合基板由多个基板相连而形成，所述基板在上表面具有由穿过该基板的中心的直线划分的第一区域和第二区域，且所述基板具有配线部与发光元件，所述配线部配置为在所述第一区域中面积较大，所述发光元件配置为在所述第二区域中面积较大；
在所述集合基板上载置具有多个开口的掩膜，在所述掩膜的上侧的一方配置具有波长转换构件的密封构件，通过使刮板从所述掩膜的一方的端部朝向另一方移动而将所述密封构件印刷于所述开口的工序；以及
去除所述掩膜的工序，
所述刮板的移动方向为朝向所述第二区域的方向。
9.根据权利要求8所述的发光装置的制造方法，其中，
所述发光装置的制造方法包括将所述集合基板分割为针对每个发光装置的独立单体的工序。
10.根据权利要求9所述的发光装置的制造方法，其中，
沿着形成于所述集合基板的槽将所述集合基板分割为独立单体。
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