CN102738361A - 发光体用柔性基板和发光体装置 - Google Patents

发光体用柔性基板和发光体装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102738361A
CN102738361A CN2012101031224A CN201210103122A CN102738361A CN 102738361 A CN102738361 A CN 102738361A CN 2012101031224 A CN2012101031224 A CN 2012101031224A CN 201210103122 A CN201210103122 A CN 201210103122A CN 102738361 A CN102738361 A CN 102738361A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
board
luminous element
liquid crystal
insulating barrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012101031224A
Other languages
English (en)
Inventor
关根典昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yamaichi Electronics Co Ltd
Original Assignee
Yamaichi Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yamaichi Electronics Co Ltd filed Critical Yamaichi Electronics Co Ltd
Publication of CN102738361A publication Critical patent/CN102738361A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/05Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H05K1/056Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an organic insulating layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0284Details of three-dimensional rigid printed circuit boards
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0137Materials
    • H05K2201/0141Liquid crystal polymer [LCP]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09009Substrate related
    • H05K2201/09018Rigid curved substrate
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10106Light emitting diode [LED]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03Metal processing
    • H05K2203/0323Working metal substrate or core, e.g. by etching, deforming

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明的目的在于获得一种适合于显示和照明的发光体用柔性基板。本发明的解决手段为,在具有板状的金属基底、与金属基底的一个表面直接接合的绝缘层、和与该绝缘层接合且形成为布线图案的导体层的层叠基板中,所述金属基底由可弯曲的金属基板构成,所述绝缘层由液晶聚合物构成且与所述金属基板直接接合,所述层叠基板并排设置有多个凹陷部,该凹陷部形成为使得所述导体层侧凹陷并且所述金属基底侧突出,并在所述凹陷部安装有发光元件。本发明的效果是可获得可形成曲面的光量较大的面发光体。

Description

发光体用柔性基板和发光体装置
技术领域
本发明涉及安装有发光二极管(LED:Light Emitting Diode)等发光元件的发光体用柔性基板和发光体装置。
背景技术
发光体装置在被用于利用各种灯具种类、字符、记号、图像等进行的信息传递或灯饰的显示装置,以及照明灯、被用于液晶显示的背光等的照明装置等中被广泛使用。作为一般的表面安装部件(SMD:Surface MountDevice)的发光体采用如下结构:其发光元件被固接于平板状的绝缘基板的一个主面并进行树脂密封,发光元件的电极通过引线接合等与绝缘基板上的布线或其焊盘部连接。这里,上述布线配设在绝缘基板的一个主面(表面),进一步被导出到另一个主面(背面)。而且,该发光体例如与印刷电路基板(PCB:Printed Circuit Board)等布线板的电路布线等电连接以进行安装。
除此以外,作为以往的发光元件用封装件,可使用引线框以取代上述布线。另外,为了容易使发光体装置高亮度化,使用带有研钵状空腔的陶瓷成形体,存在将发光元件载放在该空腔内的结构。这里,在上述空腔的侧面形成有由导体构成的光反射层。
(技术文献)
特开2008-305834号公报
特开平9-45965号公报
近年来,在使用LED的照明灯等照明装置中,例如白色光的高亮度化或大光量化正在加速。然而,在上述那样的现有发光体装置中,对于因该高亮度或大光量用的大输出而引起的LED的发热,可能会无法确保能够足以应对的散热性。若不能高效率地进行散热,则LED容易发生随着时间而引起的特性劣化。而且,可能会因LED的发光效率的劣化而使寿命变短。除此以外,在发光元件的安装基板中,容易引起因光照射而导致的绝缘基板的例如绝缘性、耐热性等的劣化。由于这些缘故,难以实现具有较高可靠性的发光体装置。
另外,对于显示装置或照明装置,正在寻求这样的发光体装置,其是柔性的、能够自由改变形状的装置,使得能够高精度地控制例如来自球面、圆柱面那样的曲面、或二维平面的面发光。
发明内容
本发明的主要目的在于,提供使得具有能应对大光量化的散热性和较高的可靠性的发光体装置成为可能的发光体用柔性基板、以及该发光体装置。另外,致力于能够提供量产性优异的发光体用柔性基板,例如能够廉价地提供高亮度或大光量的发光体装置。
本发明的实施方式所涉及的发光体用柔性基板由层叠基板构成,所述层叠基板具有板状的金属基底、一个表面与该金属基底接合的绝缘层、和与该绝缘层的另一个表面接合且形成为布线图案的导体层,所述金属基底由可弯曲的金属基板构成,所述绝缘层由液晶聚合物构成且与所述金属基板直接接合,所述层叠基板并排设置有多个凹陷部,该凹陷部形成为使得所述导体层侧凹陷并且所述金属基底侧突出,在所述凹陷部的所述导体层侧安装有发光元件。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式所涉及的发光体用柔性基板的一个示例的局部剖视图。
图2是表示本发明的第一实施方式所涉及的发光体用柔性基板的另一个示例的局部剖视图。
图3是表示本发明的第一实施方式所涉及的发光体用柔性基板的制造方法的一个示例的细分制造工序剖视图。
图4是用于说明上述发光体用柔性基板的一个制造工序中的拉深成形加工的图,(a)是其说明剖视图,(b)是(a)的X-X箭头剖视图。
图5是用于说明本发明的第一实施方式所涉及的发光体用柔性基板的变形例的简要剖视图。
图6是表示本发明的第二实施方式所涉及的发光体装置的两个示例的剖视图。
图7是表示本发明的第二实施方式所涉及的发光体装置的其它两个示例的剖视图。
图8是表示本发明的第二实施方式所涉及的发光体装置的多个示例的说明俯视图。
图9是用于说明上述发光体装置中的面发光的简要侧视图。
图10是表示本发明的第二实施方式所涉及的发光体装置的制造方法的一个示例的细分制造工序剖视图。
具体实施方式
下面参照附图说明本发明的实施方式。这里,对彼此相同或类似的部分附加共同的标号,并省略部分重复说明。其中,附图是示意性的,各尺寸的比例等与现实的并不相同。
(第一实施方式)
参照图1至图5说明本发明的实施方式所涉及的发光体用柔性基板及其制造方法。
图1表示构成发光体用柔性基板的层叠基板10。该层叠基板10是如下的层叠柔性基板:在可弯曲的板状的金属基底11的一个主面形成有液晶聚合物绝缘层12,在其上表面配设有形成布线图案的导体层13。而且,在由金属基底11、由液晶聚合物构成的绝缘层12、及导体层13形成的层叠板的预定区域中,设置有多个凹陷部(空腔部)14。这里,凹陷部14具有作为层叠板上表面的导体层13侧凹陷而形成的凹部14A、和与该凹部14A对应且作为下表面的金属基底11侧呈凸状突起的凸部14B。凹陷部14在层叠板的上表面和下表面成为凹凸状进行排列。金属基底11和液晶聚合物绝缘层12、以及液晶聚合物绝缘层12和导体层13彼此不通过粘合剂而直接接合。
图2所示的构成发光体用柔性基板的层叠基板20中,在图1所说明的层叠基板10的凹陷部14的区域中,在金属基底11的主表面设置有导热率比液晶聚合物绝缘层12高的平坦的突起部15。突起部15以预定厚度埋入在液晶聚合物绝缘层12内,形成为接近导体层13。
金属基底11是铝(Al)、铜(Cu)、Al-Cu合金等呈软性且具有延展性的金属片材,其厚度例如为50μm~300μm左右。
液晶聚合物绝缘层12具有耐热性,优选为光反射性高的热塑性树脂,其厚度为15μm~100μm左右。而且,优选为,在向金属基底11进行的热压接、或者用于形成上述凹陷部14的拉深成形加工中,薄膜状的液晶聚合物绝缘层12的液晶特性不太变化,这一点还将在发光体用柔性基板的制造方法中进行说明。
作为这种液晶聚合物,例如有即使在熔融状态也呈现液晶性的热致液晶聚合物,具体而言,可举出热致液晶聚酯、热致液晶聚酯酰胺。除此以外,例如有Xydar(日文:キシダ一ル)(商品名,Dartco公司制造)、Vectra(日文:ベクトラ)(商品名,Clanese公司制造)等的多轴取向的热塑性聚合物。另外,也可为将其它绝缘性树脂进行添加、配合并改性后的聚合物。而且,可例示出Vecstar(日文:ベクスタ一)FA型(熔点285℃)、Vecstar(日文:ベクスタ一)CT型(熔点310℃)、BIAC薄膜(熔点335℃)等。
液晶聚合物中,热膨胀系数为17~18×10-6/℃,与作为可弯曲的金属基板的Cu、Al、不锈钢的热膨胀系数接近。另外,利用热压接与这些金属直接接合而成为层叠体。
通过形成层叠体,从而即使使液晶聚合物绝缘层较薄,也不会在拉深成形加工时产生龟裂。由于较薄的绝缘层结构能减小热阻,因此能够提高使来自所安装的发光元件的热量高效地传导到金属基底的散热性。
而且,液晶聚合物绝缘层为白色,使得发光元件的光反射较佳。
导体层13是例如对Cu箔那样的金属箔进行图案化、或者在其表面形成有镀层的搭载有发光元件的芯片焊盘(die land)、电路布线、外部用端子等。而且,导体层13在液晶聚合物绝缘层12上配设成所需的布线图案形状,使得与后述的发光元件那样的安装部件电连接。这里,以其厚度例如为10μm~35μm左右的标准适当地决定金属箔。作为镀层,例如金(Au)、银(Ag)、镍(Ni)的单层、Ni/Au或Ni/Ag的复合层是合适的。这些导体层13和镀层优选具有延展性。
凹陷部14具有碟状凹部区域,该凹部区域在位于内部的底面部14a搭载(以下也称为安装)有发光元件那样的安装部件。这里,侧面部14b以一定角度倾斜使得朝凹陷部14的凹部14A的外部方向扩展。而且,该倾斜角度被适当地决定成所需的形状。这样,凹陷部14从层叠基板10的上表面到下表面成为反锥台形、例如反圆锥台形、反椭圆锥台形、反棱锥台形等,其深度由安装部件的尺寸被适当地决定。另一方面,金属基底11例如呈锥台形突出而形成凸部14B。
散热用的突起部15容易将从发光元件那样的安装部件产生的热量进行散热,设置在位于搭载发光元件那样的安装部件的底面部14a处的部位。对突起部15使用导热率比液晶聚合物绝缘层12高的原材料,导体材料、或者热固化树脂和金属的混合物等是合适的。突起部15优选是平坦的,其厚度可考虑液晶聚合物绝缘层12的厚度适当地决定。绝缘层12中,夹在突起部15和底面部14a之间的区域的厚度比其它区域薄。此外,如后所述,根据向发光元件那样的安装部件进行通电的方式,也可为,突起部15贯通液晶聚合物绝缘层12,与上述安装部件的外部连接用端子电连接。
接着,对发光体用柔性基板的制造方法的一个示例进行说明。下面,对图2中说明的层叠基板20的情况进行描述。
如图3(a)所示,例如准备厚度为100μm左右的Al制的金属基底11。然后,利用例如丝网印刷等,在金属基底11的一个主面粘贴导热性糊料,形成上部平坦的突起部15。这里,作为导热性糊料,例如可适当地使用使Ag、Cu、Au等金属粉体分散在由热固性树脂构成的粘合剂树脂中而成的糊料。
接着,如图3(b)所示,使成为液晶聚合物绝缘层12的例如厚度50μm左右的液晶聚合物薄膜12、和例如厚度20μm左右的金属箔16重叠在金属基板11的上方。之后,对金属基底11、液晶聚合物薄膜12和金属箔16进行预定的加热加压处理即热压。这里,加热的温度被设定成比液晶聚合物的玻璃化点Tg或熔点Tm低的温度。对于加热温度,特别优选为使得液晶聚合物的取向性不改变。另外,加压的压力在30~100kgf/cm2左右的范围内被适当地决定。此外,该热压优选在减压气氛下进行。
这样,如图3(c)所示,金属基底11、液晶聚合物薄膜12和金属箔16进行热压接,成为层叠体。由此,突起部15埋入在液晶聚合物12内,以使其位于其上部与金属箔16之间的距离接近于5~10μm左右的位置。
接着,如图3(d)所示,对金属箔16进行图案化,使其成为布线图案13。然后,在布线图案13的表面形成镀层17。
接着,对于成为图3(d)状态的层叠基板利用压接机实施拉深成形加工,形成所要的凹陷部14。拉深成形加工中,例如利用如图4所示的上冲头(凸模)21和下冲头(凹模)22对平板状的柔性基板进行热压。该加温过程中实施的热压的温度可为图3(c)中说明的用于热压接的热压的温度以下。这是为了防止在相互接合的金属基底11、液晶聚合物绝缘层12和导体层13之间产生剥离。另外,该热压中,为了防止金属基底11等的氧化,优选在惰性气体或还原性气体的气氛下进行拉深成形加工。而且,对于拉深成形加工,也可采用真空成形法、压空成形法等。
拉深成形加工中使用的上冲头21及下冲头22中的模具与凹陷部14的所需形状相对应,成为各种形状。图4中,示出了上冲头21的凸部21a的X-X截面23为圆形的情况。与此对应地,下冲头22的凹部22a也为圆形。
上述拉深成形加工中,形成凹陷部14的区域的金属基底11和导体层13受到拉伸应力或一部分压缩应力。这里,金属基底11和导体层13由于呈软性且具有延展性,因此进行塑性变形。这样,拉深成形加工中的拉伸应力或压缩应力容易被缓和,它们的剩余应力或剩余形变变小,可得到具有较高可靠性的发光体用柔性基板。此外,对于导体层13利用其图案形状的改进也可容易地避免因上述应力而造成的断裂等。
利用上述那样的制造方法,可制造如图2中说明的层叠基板20。
本实施方式的发光体用柔性基板中,在具有软性的金属基底11上层叠有液晶聚合物绝缘层12和导体层13,成为一体接合的结构。而且,在预定的区域形成有排列多个的凹陷部14。因此,从搭载于凹陷部14的例如发光元件那样的安装部件产生的热量可通过金属基底11容易地进行散热。此外,通过使凹陷部14的侧面部14b以一定角度倾斜使得朝外部方向扩展,从而金属基底11的表面积变大,因此能高效地进行散热。另外,即使是具有多个凹陷部14的发光体用柔性基板,通过在金属基底11上层叠液晶聚合物绝缘层12和导体层13,从而在形成多个凹陷部14时金属基底11也可起到增强板的作用,可防止液晶聚合物绝缘层12的龟裂等问题。
因而在本实施方式中,即使使用若液晶聚合物薄膜单独进行热压则会产生龟裂的较薄的薄膜,也可得到没有龟裂的绝缘层。
而且,在上述层叠基板中,该一体接合可利用一般的热压容易地进行。多个排列的凹陷部14可采用所期望的形状的模具,并利用一般的拉深成形加工简单地形成。因此,该层叠基板其量产性优异且容易低成本化。
接着,参照图5对发光体用柔性基板的其它变形例进行说明。图5是将层叠基板10、20中说明的碟状的凹陷部14进行放大后的简要剖视图。
如图5(a)所示的层叠基板中,层叠基板10、20中的凹陷部14的侧面部14b成为粗糙面,例如形成为波纹状。该粗糙面形成在金属基底11、液晶聚合物绝缘层12和导体层13的表面。通过这样,由于可使金属基底11的表面积进一步扩大,因此可更高效地进行散热。另外,容易因侧面部14b粗糙面的光漫反射而产生从搭载于底面部14a的发光元件射出的光的扩散,可抑制发光向外方向的指向性。而且,来自发光元件的发光强度的射出角度依赖性降低,向前方的照明的一致性提高。可将这样的粗糙面形成为其粗糙度使得可见光漫反射的程度。而且,另外,通过将凹陷部14形成为波纹状,从而强度增大,可防止凹陷部14变形。
图5(b)所示的层叠基板中,层叠基板10、20中的凹陷部14的侧面部14b的表面成为凹面。这样,可抑制从底面部14a的发光元件射出的光的扩散,向外方向的指向性变高。在这种情况下,例如光容易朝垂直于底面部14a的方向射出,可使该方向上的发光强度变大。
进一步地,在图5(c)所示的层叠基板中,层叠基板10、20中的凹陷部14的侧面部14b表面都为一定角度的倾斜面。然而,与图1、图2的情况不同,该倾斜角度根据朝侧面部14b的外部展开的方向而不同,并不均匀。这样,可将来自发光元件的射出光朝确定的倾斜方向聚光。
上述变形例所使用的拉深成形加工中,上冲头21及下冲头22中的模具与图5中说明的凹陷部14的所需形状相对应,成为各种形状。而且,图4所示的X-X截面23例如可成为椭圆形状。或者,也可形成为任意的闭曲面形状、三角形、方形、多边形。
(第二实施方式)
第二实施方式中,参照图6至图10对使用了本发明的发光体用柔性基板的发光体装置及其制造方法进行说明。
图6所示的发光体装置中,在第一实施方式所涉及的层叠基板10的凹陷部14区域安装发光元件之后,将其裁剪成搭载有多个发光元件的各发光体装置。导电层13在凹陷部14的液晶聚合物绝缘层12的侧面部12a和底面部12b上延伸。第一布线图案13a由引线部13a1和安装部13a2构成。引线部13a1配置在侧面部12a,而安装部13a2配置在底面部12b。
第二布线图案13b具有引线部13b1,从平面区域的布线开始在侧面部12a上延伸。该引线部13b1的前端延伸至底面部12b,成为端子13b2。
图6(a)的发光体装置30中,在导体层13的第一布线图案13a的安装部13a2上面朝上地安装有发光元件31。设置于发光元件31表面的外部连接用端子即两个电极(未图示)中的一个电极通过第一导线32与第一布线图案13a连接,另一个电极通过第二导线34与第二布线图案13b接合。而且,发光体装置30的端部中的第一布线图案13a的安装部13a2和第二布线图案13b的端子13b2成为发光体端子。
而且,利用透光性树脂材料在凹陷部14形成密封树脂35,利用该密封树脂35将发光元件31、第一导线32、第二导线34等密封于凹陷部14以进行安装。
与此不同的是,图6(b)的发光体装置40中,发光元件31安装成倒装芯片结构。即,发光元件31的两个电极(未图示)的一个电极通过由Au-锡(Sn)类合金、焊料或Au凸点构成的第一导体凸点36与第一图案13a的端子13a2连接。同样地,另一个电极通过第二导体凸点38与第二布线图案13b的端子13b2连接。其它与图6(a)的情况相同。
图7所示的发光体装置是在第一实施方式所涉及的层叠基板20的凹陷部14区域安装发光元件31之后,按照每一个组具有多个发光元件的方式将其进行裁剪而得到的。图7(a)的发光体装置50中,发光元件31在凹陷部14内,在经由液晶聚合物绝缘层12配置在突起部15上的第一布线图案13a的安装部13a2处面朝上地进行安装。其它与图6(a)的情况大致相同。而且,图7(b)的发光体装置60中,发光元件31在凹陷部14内,经由液晶聚合物绝缘层12在突起部15上安装成倒装芯片结构。其它与图6(b)的情况大致相同。
发光元件31例如由GaN类半导体那样的III族氮化物类化合物半导体构成,且可使用从紫外光发出蓝色光的波长转换型LED元件。除此以外,可使用从绿色光发出红色光、红外光的LED元件、激光元件(LD元件)。
密封树脂35最好为无色透明的环氧类树脂、丙烯类树脂、有机硅类树脂或BT树脂等。而且,作为密封树脂35中的光的分散剂,可添加没有发光损耗、无色透明且为高反射率的材料。作为这种材料,例如可举出氧化硅、氧化铝、碳酸钙、氧化钡、氧化钛、硫酸钡、环氧类树脂等。
而且,在发光元件31为波长转换型LED元件的情况下,向密封树脂35添加所需的荧光体。这种荧光体是被来自半导体LED元件的光所激励且以朝长波长侧偏移的波长进行发光的物质。例如,作为示例可举出A3B5O1 2:M(A:Y、Gd、Lu、Tb等B:Al、Ga  M:Ce3+、Tb3+、Eu3+、Cr3+、Nd3+、Er3+等)、ABO 3:M(A:Y、Gd、Lu、Tb B:Al、Ga M:Ce3+、Tb3+、Eu3+、Cr3 +、Nd3+、Er3+)等铝酸盐、或者(Ba,Ca,Eu)x SiyOz:Eu2+等原硅酸盐。
而且,例如利用来自GaN类的半导体LED元件的蓝色光来激励YAG(钇铝石榴石:Yttrium Aluminum Garnet)类的荧光体,射出黄色类的荧光,并生成作为它们的混合色的白色光。或者,利用来自半导体LED元件的紫外光来激励混入在上述密封树脂35中的多个荧光体,例如射出色光的三原色的红、绿、蓝的荧光,生成白色光。
作为发光体装置的结构,除此以外还可考虑各种方式。上述发光体装置是发光元件31的两个外部连接用电极成为单面配置的情况。如由III-V族化合物半导体构成的发光元件那样,存在两个电极成为发光元件的表面和背面的两面配置的情况。在安装这种发光元件的情况下,可使用具有导电性的突起部15贯通液晶聚合物绝缘层12而与导体层13电连接的层叠基板。或者,也可以为突起部15通过贯通其上方的液晶聚合物绝缘层12的导体凸点等导通构件进行连接的层叠基板。
在使用突起部15与导体层13电连接的层叠基板的情况下,发光元件其背面通过例如Ag等导电性糊料安装在与突起部15电连接的第一图案13a上。而且,其表面的一个电极通过接合导线与第二布线图案13b电连接。在安装有这种发光元件的发光体装置中,金属基底11与发光元件的散热功能共同地还起到发光体端子的作用。
接着,对本发明的发光体用柔性基板上排列并安装多个发光元件的发光体装置进行说明。图8所示的发光体装置例如是在本发明的发光体用柔性基板上排列的多个凹陷部14分别安装发光元件之后,将其以预定的尺寸进行裁剪而得到的。
图8(a)所示的发光体装置70例如成为在层叠基板10、20的多个凹陷部14分别安装发光元件31,且该所需数量(图中为7个)的发光元件31进行一维串联排列的结构。这些发光元件31通过导体层13进行串联连接,并可通过第一发光体端子42和第二发光体端子44从外部进行通电。
图8(b)所示的发光体装置80中,虽然如图8(a)所示成为所需数量(图中为14个)的发光元件31进行一维串联排列的结构,但成为该排列在中途折回的结构。而且,第一发光体端子42和第二发光体端子44配置在发光体装置80的一端部。图8(b)中折回为一次,但也可为多次。
而且,图8(c)所示的发光体装置90例如成为在层叠基板10、20的多个凹陷部14分别安装发光元件31,且该所需数量的发光元件31进行二维串并联排列的结构。这里,集成为使得如图8(a)所示的由在一维方向上排列的多个发光元件31构成的发光体装置70进行并联电连接。这些二维排列的所需数量的发光元件31通过导体层13进行连接,并可通过第一发光体端子42和第二发光体端子44从外部进行通电。
作为发光体装置,除此以外还可考虑各种方式。也可成为发光色不同的发光元件31集成在发光体用柔性基板上的结构。发光元件也可采用射出红色、绿色、蓝色的有色光的三原色可见光的结构,也可使光聚集以取出白色光。在这种情况下,密封树脂35最好使用例如无色透明的环氧树脂、丙烯树脂或有机硅树脂。
上述发光体装置在显示装置或照明装置中,除了来自二维平面的面发光以外,例如容易进行来自球面、圆筒面那样的曲面的面发光。图9(a)中,发光体装置70、80、90呈平面状地安装于显示装置或照明装置。在这种情况下,例如在发光体装置90中,容易获得大光量的射出光46。
另外,在图9(b)中,由于发光体装置70、80、90是柔性的且能自由改变形状,因此在显示装置或照明装置中,容易获得来自圆筒面那样的曲面的射出光46。图9(b)中,发光体装置70、80、90呈圆筒状或螺旋状地安装于显示装置或照明装置。
接着,对上述发光体装置的制造方法的一个示例进行说明。这里,对在图2所说明的层叠基板20上安装发光元件的发光体装置的情况进行描述。在利用图3所说明的方法进行制造的层叠基板20中,如图10(a)所示,通过导电性糊料或非导电性糊料,使发光元件31与其凹陷部14内的第一布线图案13a粘接以进行安装。这里,例如在如GaN类半导体的背面那样由蓝宝石基板构成且具有绝缘性的情况下,使用导电性糊料或非导电性糊料,在如GaP、GaAsP类、GaAlAs类半导体的背面那样具有导电性的情况下,使用导电性糊料。
接着,如图10(b)所示,例如在如GaN类半导体的发光元件31那样两个电极成为单面配置的情况下,通过第一导线32和第二导线34,各个电极与第一布线图案13a和第二布线图案13b接合。这些导线例如由Au细线或A1细线构成。
然后,如图10(c)所示,利用密封树脂35对搭载于层叠基板20的凹陷部14内的发光元件31、第一导线32、第二导线34等进行密封。该树脂密封例如可使用能够以100℃~150℃左右的温度通过几小时的加热处理进行热固化的热固化树脂。在这种温度下,其玻璃化点Tg或熔点Tm为200℃以上的液晶聚合物绝缘层12能够完全不产生特性变化。这样,将所需数量的发光元件31安装在层叠基板20的多个凹陷部14的区域。
由于密封树脂35在凹陷部14中与液晶聚合物绝缘层12树脂粘接,因此可使其没有剥离等问题且可形成极高的气密密封。而且,可得到具有较高可靠性的发光体装置。
接着,将安装有发光元件31的层叠基板20裁剪成所需的形状并进行单片化。这样,例如可得到如图6至图8所说明的发光体装置。
本实施方式的发光体装置中,金属基底11成为散热板,该发光元件31进行动作时产生的热量有效地通过金属基底11进行散热。来自面朝上安装的发光元件31的热量从其背面和第一导线32传导至第一布线图案13a。而且,通过形成得较薄的液晶聚合物绝缘层12,热量传导至突起部15或金属基底11。另外,对于倒装芯片结构安装那样的面朝下安装的发光元件31的情况,热量从第一导体36通过第一布线图案13a、液晶聚合物绝缘层12传导至金属基底11。这里,在形成有贯通液晶聚合物绝缘层12的突起部15或导通构件的情况下,产生的热量从第一布线图案13a直接传导至金属基底11。
上述金属基底11在安装有发光元件31的凹陷部14中,从背面与液晶聚合物绝缘层12粘接并接合,并呈凸状地覆盖封装件下表面,因此能够高效地使上述传导热量进行散热。这样,本实施方式的发光体装置能够具有应对其高亮度化或大光量化的较高的散热性。
另外,金属基底11在凹陷部14的侧面部14b、底面部14a的一部分中,使来自发光元件31的光从液晶聚合物绝缘层12背面朝发光体装置的前方反射,使发光体装置成为高亮度。
而且,本实施方式中,在发光体装置中液晶聚合物绝缘层12发挥优异的特性。该液晶聚合物绝缘层12在高耐热性的基础上,在较大的波长区域范围内具有较高的光反射率。因此,在凹陷部14的侧面部14b、底面部14a的一部分中,朝发光体装置的前方高效地取出发光元件31的光,发光体装置容易高亮度化。
另外,液晶聚合物绝缘层12的导热率例如为高耐热性的聚酰亚胺类树脂的10倍以上,另外可利用其低介电常数和较高的耐绝缘性使其薄膜化。因此,从发光元件31向与液晶聚合物绝缘层12接合的金属基底11的传热效率变高。而且,由于具有较高的耐紫外线照射性,因此可形成例如使用紫外线发光的波长转换型LED元件的大光量的白色光的发光体装置。
这样,本实施方式的发光体装置即使在其高亮度化或大光量化状态下也可保持较高的可靠性,容易使其寿命变长。
另外,由于本实施方式的发光体装置是柔性的且可自由改变形状,因此在显示装置或照明装置中,例如容易获得球面、圆筒面那样的曲面、或二维平面等所期望的面发光。
而且,由于在制造工序中能够将多个发光体装置多个集成于一块大面积的发光体用柔性基板的原板上,因此可形成紧凑且适合于大光量化的廉价的发光体装置。
此外,为了方便起见,在说明书中使用“上表面”和“下表面”这样的用语进行了说明。“上表面”和“下表面”表示彼此处于正反的关系,并不表示空间上的上下。
以上对本发明的优选实施方式进行了说明,但上述的实施方式并不限定本发明。对于本领域技术人员而言,可在具体的实施方式中不脱离本发明的技术思想和技术范围地施加各种变形和变更。
上述实施方式中,对发光元件搭载于发光体用柔性基板的凹陷部的底面部的情况进行了说明。除此以外,也可为,发光元件例如经由其支承构件、固定构件等附属部件搭载于底面部,并与这些安装部件共同进行安装。另外,多个凹陷部也可等间隔地形成于发光体用柔性基板。发光元件除了发光二极管以外,还可使用有机EL发光元件等。
另外,上述实施方式的发光体装置的制造过程中,对用于使其单片化的发光体用柔性基板的裁剪成为树脂密封之后的工序的情况进行了说明,但也可为,对其裁剪后的发光元件用基板进行发光元件的搭载、利用金属细线的导线接合、树脂密封。

Claims (8)

1.一种发光体用柔性基板,由层叠基板构成,所述层叠基板具有板状的金属基底、一个表面与该金属基底接合的绝缘层、和与该绝缘层的另一个表面接合且形成为布线图案的导体层,其特征在于,
所述金属基底由可弯曲的金属基板构成,所述绝缘层由液晶聚合物构成且与所述金属基板直接接合,所述层叠基板并排设置有多个凹陷部,该凹陷部形成为使得所述导体层侧凹陷并且所述金属基底侧突出,在所述凹陷部的所述导体层侧安装有发光元件。
2.如权利要求1所述的发光体用柔性基板,其特征在于,所述凹陷部通过拉深成形加工形成为碟状且具有底面部和侧面部。
3.如权利要求2所述的发光体用柔性基板,其特征在于,所述金属基底在所述凹陷部的所述底面部中,在所述金属基底的与所述液晶聚合物绝缘层的接合部,具有被设置成使得埋入所述液晶聚合物绝缘层内的突起部。
4.如权利要求2或3所述的发光元件用柔性基板,其特征在于,所述凹陷部的侧面部的所述金属基底被形成为波纹形状。
5.如权利要求1至3中的任一项所述的发光体用柔性基板,其特征在于,所述层叠基板中,由金属片材构成的所述金属基底、薄膜状的所述液晶聚合物绝缘层和所述导体层以上述顺序进行层叠,设置有由碟状的凹部、和形成于所述金属基底侧的凸部构成的凹陷部,所述凹部具有利用通过热压进行的拉深成形加工形成于所述液晶聚合物绝缘层侧的底面部和侧面部,所述导体层设置于所述凹陷部的所述底面部和所述侧面部,且具有在所述底面部固定发光元件的安装部。
6.如权利要求5所述的发光体用柔性基板,其特征在于,所述金属片材的厚度为50μm~300μm,所述薄膜状的液晶聚合物绝缘层的厚度为15μm~100μm,所述导体层由金属箔构成且厚度为10μm~35μm。
7.一种发光体装置,其特征在于,在如权利要求1至3中的任一项所述的发光体用柔性基板中,所述发光元件为利用透光性绝缘体的密封安装于所述凹陷部的多个发光元件,所述发光体用柔性基板为弯曲形状。
8.一种发光体装置,其特征在于,在如权利要求5所述的发光体用柔性基板中,所述发光元件为利用透光性绝缘体的密封安装于所述凹陷部的多个发光元件,所述发光体用柔性基板为弯曲形状。
CN2012101031224A 2011-03-31 2012-03-30 发光体用柔性基板和发光体装置 Pending CN102738361A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011077001 2011-03-31
JP2011-077001 2011-03-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102738361A true CN102738361A (zh) 2012-10-17

Family

ID=46021989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012101031224A Pending CN102738361A (zh) 2011-03-31 2012-03-30 发光体用柔性基板和发光体装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20120250326A1 (zh)
EP (1) EP2506301A2 (zh)
JP (1) JP2012216808A (zh)
CN (1) CN102738361A (zh)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103022327A (zh) * 2013-01-04 2013-04-03 北京半导体照明科技促进中心 Led封装结构及其制作方法
CN103682045A (zh) * 2013-12-04 2014-03-26 常州市武进区半导体照明应用技术研究院 一种led封装杯体的加工方法及相应模具
CN103855145A (zh) * 2014-01-13 2014-06-11 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 一种led灯丝及照明器具
CN105027687A (zh) * 2014-01-02 2015-11-04 皇家飞利浦有限公司 用于制造非平面印刷电路板组件的方法
CN105845702A (zh) * 2015-02-04 2016-08-10 三星显示有限公司 柔性显示基底及其制造方法、柔性显示设备
CN106449937A (zh) * 2009-10-29 2017-02-22 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
CN106879159A (zh) * 2015-12-14 2017-06-20 富葵精密组件(深圳)有限公司 3d结构的柔性电路板及其制造方法、电子装置
CN109076692A (zh) * 2016-04-27 2018-12-21 麦克赛尔控股株式会社 三维成型电路部件
CN111081854A (zh) * 2014-09-26 2020-04-28 东芝北斗电子株式会社 发光组件
CN112018098A (zh) * 2020-03-09 2020-12-01 友达光电股份有限公司 像素阵列基板及其制造方法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150205855A1 (en) * 2012-08-03 2015-07-23 Nec Corporation Product management method, product management device, product management system, and program
JP5503760B1 (ja) * 2013-02-06 2014-05-28 三菱化工機株式会社 光源装置およびこれを備える照明装置、光源装置の製造方法
JP2014151258A (ja) * 2013-02-07 2014-08-25 Shin Etsu Handotai Co Ltd オゾン水分解方法及び洗浄装置
CN103606545B (zh) * 2013-08-27 2017-02-22 北京半导体照明科技促进中心 一种led软板光源模组及其制造方法
CN103727464B (zh) * 2014-01-08 2016-02-24 昆山龙腾光电有限公司 背光模组及其制造方法
KR102235258B1 (ko) * 2014-02-04 2021-04-05 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
JP6224492B2 (ja) * 2014-03-14 2017-11-01 日機装株式会社 光照射装置
US20150342069A1 (en) * 2014-05-20 2015-11-26 Freescale Semiconductor, Inc. Housing for electronic devices
JP6554338B2 (ja) * 2014-07-28 2019-07-31 ローム株式会社 半導体装置
CN107403856B (zh) * 2016-05-19 2019-10-22 华为终端有限公司 一种led及其制造方法以及采用该led的电子设备
US11306974B2 (en) * 2016-06-15 2022-04-19 Delta Electronics, Inc. Temperature plate and heat dissipation device
JP6672108B2 (ja) * 2016-08-12 2020-03-25 株式会社フジクラ 配線基板及び当該配線基板の製造方法
WO2018100243A2 (en) 2016-11-30 2018-06-07 Tactotek Oy Illuminated structure and related method of manufacture
DE102017129975A1 (de) * 2017-12-14 2019-06-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils und Halbleiterbauteil
TW202020072A (zh) * 2018-08-07 2020-06-01 加拿大國家研究委員會 包覆成型的印刷電子零件和其製造方法
JP2020129687A (ja) * 2020-05-01 2020-08-27 マクセルホールディングス株式会社 三次元成形回路部品
KR102226124B1 (ko) * 2020-08-14 2021-03-09 짱쉐저 전류안정공급을 위한 평방형 led 조명 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050236638A1 (en) * 2003-03-27 2005-10-27 Sanken Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
JP2010027937A (ja) * 2008-07-23 2010-02-04 Panasonic Corp 配線基板および線状光源装置
KR20100112213A (ko) * 2009-04-06 2010-10-19 삼성전기주식회사 하이브리드층을 갖는 방열기판 및 조명용 모듈 기판

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3832877B2 (ja) 1995-07-26 2006-10-11 日亜化学工業株式会社 セラミックスledパッケージおよびその製造方法
JP2008305834A (ja) 2007-06-05 2008-12-18 Element Denshi:Kk 発光装置およびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050236638A1 (en) * 2003-03-27 2005-10-27 Sanken Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
JP2010027937A (ja) * 2008-07-23 2010-02-04 Panasonic Corp 配線基板および線状光源装置
KR20100112213A (ko) * 2009-04-06 2010-10-19 삼성전기주식회사 하이브리드층을 갖는 방열기판 및 조명용 모듈 기판

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106449937A (zh) * 2009-10-29 2017-02-22 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
CN103022327A (zh) * 2013-01-04 2013-04-03 北京半导体照明科技促进中心 Led封装结构及其制作方法
CN103022327B (zh) * 2013-01-04 2016-03-30 北京半导体照明科技促进中心 Led封装结构及其制作方法
CN103682045B (zh) * 2013-12-04 2016-09-14 北京国联万众半导体科技有限公司 一种led封装杯体的加工方法及相应模具
CN103682045A (zh) * 2013-12-04 2014-03-26 常州市武进区半导体照明应用技术研究院 一种led封装杯体的加工方法及相应模具
CN105027687B (zh) * 2014-01-02 2017-03-08 皇家飞利浦有限公司 用于制造非平面印刷电路板组件的方法
CN105027687A (zh) * 2014-01-02 2015-11-04 皇家飞利浦有限公司 用于制造非平面印刷电路板组件的方法
US9648755B2 (en) 2014-01-02 2017-05-09 Philips Lighting Holding B.V. Method for manufacturing a non-planar printed circuit board assembly
CN103855145A (zh) * 2014-01-13 2014-06-11 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 一种led灯丝及照明器具
CN103855145B (zh) * 2014-01-13 2017-09-15 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 一种led灯丝及照明器具
CN111081854A (zh) * 2014-09-26 2020-04-28 东芝北斗电子株式会社 发光组件
CN111081854B (zh) * 2014-09-26 2023-11-17 日亚化学工业株式会社 发光组件
CN105845702A (zh) * 2015-02-04 2016-08-10 三星显示有限公司 柔性显示基底及其制造方法、柔性显示设备
CN105845702B (zh) * 2015-02-04 2021-03-05 三星显示有限公司 柔性显示基底及其制造方法、柔性显示设备
CN106879159A (zh) * 2015-12-14 2017-06-20 富葵精密组件(深圳)有限公司 3d结构的柔性电路板及其制造方法、电子装置
CN109076692A (zh) * 2016-04-27 2018-12-21 麦克赛尔控股株式会社 三维成型电路部件
CN112018098A (zh) * 2020-03-09 2020-12-01 友达光电股份有限公司 像素阵列基板及其制造方法
CN112018098B (zh) * 2020-03-09 2022-03-01 友达光电股份有限公司 像素阵列基板及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012216808A (ja) 2012-11-08
EP2506301A2 (en) 2012-10-03
US20120250326A1 (en) 2012-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102738361A (zh) 发光体用柔性基板和发光体装置
JP5533183B2 (ja) Led光源装置及びその製造方法
CN102292802B (zh) 半导体装置及其制造方法
JP3316838B2 (ja) 発光装置
JP5262054B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP2018082197A (ja) 発光装置
US20080043444A1 (en) Wiring Board for Light-Emitting Element
CN102214774A (zh) 发光器件封装和具有发光器件封装的照明单元
CN106571421A (zh) 发光装置、集成型发光装置及发光模块
CN102376853A (zh) 发光器件和具有该发光器件的照明系统
JP6523597B2 (ja) 発光装置
CN102865471A (zh) 发光器件阵列和背光单元
JP2014187081A (ja) 発光装置
JP2008251663A (ja) 発光装置および照明装置
KR101622399B1 (ko) Led 장치
TWI392923B (zh) 具有發光二極體之背光單元及製造該背光單元之方法
CN108630673B (zh) 发光装置和发光装置的制造方法
CN104953008A (zh) 发光装置
JP2007258620A (ja) 発光装置
KR101173398B1 (ko) 발광다이오드 수납용 패키지 및 그 제조방법
JP6361374B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
JP2018022723A (ja) 発光装置
EP2713411B1 (en) Luminescence device
JP2006351666A (ja) 発光素子実装用基板とその製造方法、発光素子モジュール、照明装置、表示装置及び交通信号機
JP5359662B2 (ja) 発光装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20121017