JPH10190063A - 半導体発光素子および半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光素子および半導体発光装置Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 輝度ムラ、色ムラのない、小型の半導体発光
装置の提供。 【解決手段】 絶縁性基板１０上に形成された半導体発
光素子において、該半導体発光素子は少なくとも発光部
及び正電極用ワイヤボンディングパッド１５及び負電極
用ワイヤボンディングパッド１７を有し、該正電極用ワ
イヤボンディングパッド１５及び該負電極用ワイヤボン
ディングパッド１７を近接して配設し、且つ該正電極用
ワイヤボンディングパッド及び該負電極用ワイヤボンデ
ィングパッドの外形が形作る長辺部側に近接して該半導
体発光素子の発光部１８を配設する。
装置の提供。 【解決手段】 絶縁性基板１０上に形成された半導体発
光素子において、該半導体発光素子は少なくとも発光部
及び正電極用ワイヤボンディングパッド１５及び負電極
用ワイヤボンディングパッド１７を有し、該正電極用ワ
イヤボンディングパッド１５及び該負電極用ワイヤボン
ディングパッド１７を近接して配設し、且つ該正電極用
ワイヤボンディングパッド及び該負電極用ワイヤボンデ
ィングパッドの外形が形作る長辺部側に近接して該半導
体発光素子の発光部１８を配設する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子の
電極構造に係り、特に、絶縁性基板上に形成された半導
体発光素子の電極パッドの形状、及びそれを用いて実装
した半導体発光装置に関する。
電極構造に係り、特に、絶縁性基板上に形成された半導
体発光素子の電極パッドの形状、及びそれを用いて実装
した半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、またはこれら
の混晶に代表される窒化物系半導体材料により、可視か
ら紫外領域まで発光する発光素子（ＬＥＤ素子）等の半
導体発光素子が実現されている。これらのＬＥＤ素子で
は、成長基板としてサファイア基板等の基板が用いられ
るが、これらの基板は絶縁性基板であるため、成長面側
から正電極及び負電極を取り出す必要があり、種々の構
造が提案されている。
の混晶に代表される窒化物系半導体材料により、可視か
ら紫外領域まで発光する発光素子（ＬＥＤ素子）等の半
導体発光素子が実現されている。これらのＬＥＤ素子で
は、成長基板としてサファイア基板等の基板が用いられ
るが、これらの基板は絶縁性基板であるため、成長面側
から正電極及び負電極を取り出す必要があり、種々の構
造が提案されている。
【０００３】図８は窒化物系半導体材料を用いた従来例
であり、特開平７−９４７８２号公報、発明の名称：窒
化ガリウム系化合物半導体発光素子、出願人：日亜化学
工業株式会社である。
であり、特開平７−９４７８２号公報、発明の名称：窒
化ガリウム系化合物半導体発光素子、出願人：日亜化学
工業株式会社である。
【０００４】図８（ａ）は従来例の窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子の平面図であり、図８（ｂ）は図８
（ａ）の平面図のＦ−Ｆ′線で切断した模式断面図であ
る。図８（ｂ）において、サファイア基板等の絶縁性基
板７０の上にｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層７１と
ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層７３とが順に積層さ
れており、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層７１には
負電極７２が形成され、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導
体層７３には正電極７４が形成されている。７５はｐ型
窒化ガリウム系化合物半導体層７３表面のほぼ全面に形
成された電流拡散用の透光性電極であり、７６は前記透
光性電極７３に設けられた正電極７４を取り出すための
窓部である。
物半導体発光素子の平面図であり、図８（ｂ）は図８
（ａ）の平面図のＦ−Ｆ′線で切断した模式断面図であ
る。図８（ｂ）において、サファイア基板等の絶縁性基
板７０の上にｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層７１と
ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層７３とが順に積層さ
れており、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層７１には
負電極７２が形成され、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導
体層７３には正電極７４が形成されている。７５はｐ型
窒化ガリウム系化合物半導体層７３表面のほぼ全面に形
成された電流拡散用の透光性電極であり、７６は前記透
光性電極７３に設けられた正電極７４を取り出すための
窓部である。
【０００５】図８（ａ）の平面図において、７０はサフ
ァイア基板等の絶縁性基板、７１はｎ型窒化ガリウム系
化合物半導体層、７２はｎ側の負電極用ワイヤボンディ
ングパッド（以下、負電極という）、７３はｐ型窒化ガ
リウム系化合物半導体層、７４はｐ側の正電極用ワイヤ
ボンディングパッド（以下、正電極という）、７５はｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体層７３表面のほぼ全面に
形成された電流拡散用の透光性電極、７６は前記透光性
電極７３に設けられた正電極７４の取り出しのための窓
部である。同図に示されるように、ｐ側の正電極７４と
ｎ側の負電極７２は対角位置隅部に形成されている。
ァイア基板等の絶縁性基板、７１はｎ型窒化ガリウム系
化合物半導体層、７２はｎ側の負電極用ワイヤボンディ
ングパッド（以下、負電極という）、７３はｐ型窒化ガ
リウム系化合物半導体層、７４はｐ側の正電極用ワイヤ
ボンディングパッド（以下、正電極という）、７５はｐ
型窒化ガリウム系化合物半導体層７３表面のほぼ全面に
形成された電流拡散用の透光性電極、７６は前記透光性
電極７３に設けられた正電極７４の取り出しのための窓
部である。同図に示されるように、ｐ側の正電極７４と
ｎ側の負電極７２は対角位置隅部に形成されている。
【０００６】また、同じような正負の電極配置を取った
他の従来例に、特開平８−２７４３７７号公報、発明の
名称：ＬＥＤランプ、出願人：日亜化学工業株式会社が
ある。
他の従来例に、特開平８−２７４３７７号公報、発明の
名称：ＬＥＤランプ、出願人：日亜化学工業株式会社が
ある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
電極用ワイヤボンディングパッド７４及び７５は光を透
過する厚さ以上膜厚の金属層を使用した非透光性電極で
あり、さらに、その大きさは通常約１００μｍ角以上の
大きさを必要とするため、正負両電極を素子の対角位置
の隅部に形成する構造の発光素子の発光パターンは中心
部でくびれ、両側に略正方形の暗黒部のある複雑な発光
パターン形状となる。
電極用ワイヤボンディングパッド７４及び７５は光を透
過する厚さ以上膜厚の金属層を使用した非透光性電極で
あり、さらに、その大きさは通常約１００μｍ角以上の
大きさを必要とするため、正負両電極を素子の対角位置
の隅部に形成する構造の発光素子の発光パターンは中心
部でくびれ、両側に略正方形の暗黒部のある複雑な発光
パターン形状となる。
【０００８】図９はこのような正負両電極の配置を持つ
発光素子７７をレンズ付き樹脂モールドの半導体装置
（ＬＥＤランプ）として組み立てた場合の発光パターン
を説明する図であり、レンズ付き樹脂モールドＬＥＤラ
ンプ７８を見る方向、例えば７９の方向及び８０の方向
によって、発光パターンは非対称な形８１、８２とな
る。従って、このような指向特性を持つＬＥＤランプ
を、他のランプと組み合わせて、例えばフルカラーディ
スプレーパネルを組み立てた場合には、見る角度によ
り、他のＬＥＤとの混合、混色割合が変化し、輝度ム
ラ、色ムラと認識されていた。
発光素子７７をレンズ付き樹脂モールドの半導体装置
（ＬＥＤランプ）として組み立てた場合の発光パターン
を説明する図であり、レンズ付き樹脂モールドＬＥＤラ
ンプ７８を見る方向、例えば７９の方向及び８０の方向
によって、発光パターンは非対称な形８１、８２とな
る。従って、このような指向特性を持つＬＥＤランプ
を、他のランプと組み合わせて、例えばフルカラーディ
スプレーパネルを組み立てた場合には、見る角度によ
り、他のＬＥＤとの混合、混色割合が変化し、輝度ム
ラ、色ムラと認識されていた。
【０００９】また、電極が発光素子の対角位置に在るこ
とから、図１０に示すような表面実装型のランプ８３へ
の発光素子７７を取付の際に、電極８４、８５にワイヤ
ボンディングされたワイヤ８６、８７が出射光を遮らな
いように発光素子７７の発光部８８の前面を横切らない
ように引き回すためには、図１０（ａ）のように、ワイ
ヤがリードフレーム等に接続する電極端子８９、９０が
発光素子の両側、あるいは同図（ｂ）に示すように、２
辺の側に形成する必要があり、発光素子を組み込んだラ
ンプ等の小型化を阻んでいた。また、図１０（ｃ）は図
１０（ａ）または図１０（ｂ）の略断面図であり、表面
実装型の半導体発光装置８３のモールドケース９１の底
面９２には、電極端子８９、９０及び半導体発光素子７
７の電極８４、８５と電極端子８９、９０とをワイヤボ
ンディングするワイヤ８６、８７がある。
とから、図１０に示すような表面実装型のランプ８３へ
の発光素子７７を取付の際に、電極８４、８５にワイヤ
ボンディングされたワイヤ８６、８７が出射光を遮らな
いように発光素子７７の発光部８８の前面を横切らない
ように引き回すためには、図１０（ａ）のように、ワイ
ヤがリードフレーム等に接続する電極端子８９、９０が
発光素子の両側、あるいは同図（ｂ）に示すように、２
辺の側に形成する必要があり、発光素子を組み込んだラ
ンプ等の小型化を阻んでいた。また、図１０（ｃ）は図
１０（ａ）または図１０（ｂ）の略断面図であり、表面
実装型の半導体発光装置８３のモールドケース９１の底
面９２には、電極端子８９、９０及び半導体発光素子７
７の電極８４、８５と電極端子８９、９０とをワイヤボ
ンディングするワイヤ８６、８７がある。
【００１０】また、図１１は、発光素子を複数個用いて
アレイ状の表面実装型の半導体発光装置に組み立てた場
合の構成を示す図であり、図１１（ａ）は給電用の共通
配線９５、９６に対して、発光素子の辺を平行に配列し
た場合の平面図であり、図１１（ｂ）は給電用の共通配
線に対して、発光素子の辺を菱形に配列した場合の平面
図である。
アレイ状の表面実装型の半導体発光装置に組み立てた場
合の構成を示す図であり、図１１（ａ）は給電用の共通
配線９５、９６に対して、発光素子の辺を平行に配列し
た場合の平面図であり、図１１（ｂ）は給電用の共通配
線に対して、発光素子の辺を菱形に配列した場合の平面
図である。
【００１１】図１１（ａ）において、切片ｇ−ｇ′とｈ
−ｈ′における光強度分布は９３、９４にそれぞれ示さ
れるように最高となる位置がズレるため、例えば原稿読
み取り光源に使った場合、読み取り精度の低下を来す原
因となっていた。この読み取り精度を維持するためには
図１１（ｂ）の配置とすることが必要であり、発光素子
は平行軸に対して４５度に傾けて（発光素子の辺を菱形
に配列して）配列する必要があり、アレイ状の表面実装
型の半導体発光装置光源の外形サイズが大きくなるとい
う問題点があった。図１１（ａ）及び図１１（ｂ）にお
いて、７７は発光素子、８４、８５は半導体発光素子７
７の電極、８６、８７はワイヤボンディングのワイヤ、
８８は発光素子７７の発光部、８９、９０は電極端子、
９５、９６は給電用の共通配線である。
−ｈ′における光強度分布は９３、９４にそれぞれ示さ
れるように最高となる位置がズレるため、例えば原稿読
み取り光源に使った場合、読み取り精度の低下を来す原
因となっていた。この読み取り精度を維持するためには
図１１（ｂ）の配置とすることが必要であり、発光素子
は平行軸に対して４５度に傾けて（発光素子の辺を菱形
に配列して）配列する必要があり、アレイ状の表面実装
型の半導体発光装置光源の外形サイズが大きくなるとい
う問題点があった。図１１（ａ）及び図１１（ｂ）にお
いて、７７は発光素子、８４、８５は半導体発光素子７
７の電極、８６、８７はワイヤボンディングのワイヤ、
８８は発光素子７７の発光部、８９、９０は電極端子、
９５、９６は給電用の共通配線である。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
半導体発光素子は、絶縁性基板上に形成されたものであ
り、該半導体発光素子は少なくとも発光部及び正電極用
ワイヤボンディングパッド及び負電極用ワイヤボンディ
ングパッドを有し、該正電極用ワイヤボンディングパッ
ド及び該負電極用ワイヤボンディングパッドを近接して
配設し、且つ該正電極用ワイヤボンディングパッド及び
該負電極用ワイヤボンディングパッドの外形が形作る長
辺部側に近接して該半導体発光素子の発光部を配設する
ことを特徴とするものである。
半導体発光素子は、絶縁性基板上に形成されたものであ
り、該半導体発光素子は少なくとも発光部及び正電極用
ワイヤボンディングパッド及び負電極用ワイヤボンディ
ングパッドを有し、該正電極用ワイヤボンディングパッ
ド及び該負電極用ワイヤボンディングパッドを近接して
配設し、且つ該正電極用ワイヤボンディングパッド及び
該負電極用ワイヤボンディングパッドの外形が形作る長
辺部側に近接して該半導体発光素子の発光部を配設する
ことを特徴とするものである。
【００１３】また、本発明の請求項２記載の半導体発光
素子は、前記絶縁性基板の面積をＳ1、発光部の面積を
Ｓ2、正電極用ワイヤボンディングパッドと負電極用ワ
イヤボンディングパッドとの面積の和をＳ3とする時、
Ｓ1≧Ｓ2＋Ｓ3であり、且つ、Ｓ2≧Ｓ3であることを特
徴とするものである。
素子は、前記絶縁性基板の面積をＳ1、発光部の面積を
Ｓ2、正電極用ワイヤボンディングパッドと負電極用ワ
イヤボンディングパッドとの面積の和をＳ3とする時、
Ｓ1≧Ｓ2＋Ｓ3であり、且つ、Ｓ2≧Ｓ3であることを特
徴とするものである。
【００１４】また、本発明の請求項３記載の半導体発光
素子は、該発光素子の発光部の形状がほぼ正方形または
ほぼ長方形であることを特徴とするものである。
素子は、該発光素子の発光部の形状がほぼ正方形または
ほぼ長方形であることを特徴とするものである。
【００１５】また、本発明の請求項４記載の半導体発光
素子は、該発光素子の発光部の形状がほぼ円形またはほ
ぼ多角形であることを特徴とするものである。
素子は、該発光素子の発光部の形状がほぼ円形またはほ
ぼ多角形であることを特徴とするものである。
【００１６】さらに、本発明の請求項５記載の半導体発
光装置は、請求項１記載の半導体発光素子を用いて実装
したことを特徴とするものである。
光装置は、請求項１記載の半導体発光素子を用いて実装
したことを特徴とするものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１乃至図７は本発明の一実施の
形態に関する図である。以下に、本発明の実施の形態に
ついて説明する。
形態に関する図である。以下に、本発明の実施の形態に
ついて説明する。
【００１８】［実施の形態１］図１は、本発明の第１の
実施の形態よりなる発光素子の構成を示す図であり、図
１（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）は模式断面図であ
る。
実施の形態よりなる発光素子の構成を示す図であり、図
１（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）は模式断面図であ
る。
【００１９】図１（ａ）において、１０はサファイア基
板（約３５０μｍの正方形）であり、１８は発光部（約
３００μｍ×１７０μｍの長方形）であり、１５は正電
極用ワイヤボンディングパッド、１７は負電極用ワイヤ
ボンディングパッドであり、正負の電極用ワイヤボンデ
ィングパッド（各約１３０μｍの正方形）１５及び１７
はサファイア基板上で近接して配設されており、且つ該
正電極用ワイヤボンディングパッド及び該負電極用ワイ
ヤボンディングパッドの外形が形作る長辺部側に近接し
て該半導体発光素子の発光部が配設されている。図１
（ａ）のＡ−Ａ′線で切断した略断面図を図１（ｂ）に
示す。
板（約３５０μｍの正方形）であり、１８は発光部（約
３００μｍ×１７０μｍの長方形）であり、１５は正電
極用ワイヤボンディングパッド、１７は負電極用ワイヤ
ボンディングパッドであり、正負の電極用ワイヤボンデ
ィングパッド（各約１３０μｍの正方形）１５及び１７
はサファイア基板上で近接して配設されており、且つ該
正電極用ワイヤボンディングパッド及び該負電極用ワイ
ヤボンディングパッドの外形が形作る長辺部側に近接し
て該半導体発光素子の発光部が配設されている。図１
（ａ）のＡ−Ａ′線で切断した略断面図を図１（ｂ）に
示す。
【００２０】さらに、図１（ａ）において、絶縁性基板
の面積のＳ1は約３５０μｍの正方形であり、Ｓ1＝約
０．１２３ｍｍ2であり、発光部の面積のＳ2は約３００
μｍ×１７０μｍの長方形であり、Ｓ2＝約０．０５１
ｍｍ2であり、正電極用ワイヤボンディングパッドと負
電極用ワイヤボンディングパッドとの面積の和のＳ
3は、各約１３０μｍの正方形の約２倍であり、Ｓ3＝約
０．０３４ｍｍ2である。この時、Ｓ1〜３．６×Ｓ3、
Ｓ2〜１．５×Ｓ3となっている。また、正負の正電極用
ワイヤボンディングパッドは各約１００μｍ角〜約１６
０μｍ角程度の大きさが必要であり、この時は、Ｓ2〜
＞１．０×Ｓ3となっている。従って、各面積の関係
は、Ｓ1≧Ｓ2＋Ｓ3であり、且つ、Ｓ2≧Ｓ3の関係にあ
る。
の面積のＳ1は約３５０μｍの正方形であり、Ｓ1＝約
０．１２３ｍｍ2であり、発光部の面積のＳ2は約３００
μｍ×１７０μｍの長方形であり、Ｓ2＝約０．０５１
ｍｍ2であり、正電極用ワイヤボンディングパッドと負
電極用ワイヤボンディングパッドとの面積の和のＳ
3は、各約１３０μｍの正方形の約２倍であり、Ｓ3＝約
０．０３４ｍｍ2である。この時、Ｓ1〜３．６×Ｓ3、
Ｓ2〜１．５×Ｓ3となっている。また、正負の正電極用
ワイヤボンディングパッドは各約１００μｍ角〜約１６
０μｍ角程度の大きさが必要であり、この時は、Ｓ2〜
＞１．０×Ｓ3となっている。従って、各面積の関係
は、Ｓ1≧Ｓ2＋Ｓ3であり、且つ、Ｓ2≧Ｓ3の関係にあ
る。
【００２１】図１（ｂ）において、サファイア基板１０
上に、基板と略平行の面が−部露出したｎ型ＡｌXＧａY
Ｉｎ1-X-YＮ層（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１）１１が形成
され、その上には、発光層であるＡｌZＧａTＩｎ1-Z-T
Ｎ層（０≦Ｚ≦１、０≦Ｔ≦１）層１２、ｐ型ＡｌUＧ
ａVＩｎ1-U-VＮ層（０≦Ｕ≦１、０≦Ｖ≦１）１３が積
層されている。正電極１４は、ｐ型ＡｌUＧａVＩｎ
1-U-VＮ層１３に形成され、その上に正電極用ワイヤボ
ンディングパッド（以下、正電極パッドと呼ぶ）１５を
形成する。負電極１６はｎ型ＡｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ層
１１の一部露出した面上に形成され、その上に負電極用
ワイヤボンディングパッド（以下、負電極パッドと呼
ぶ）１７を形成する。図１（ａ）で示した発光部１８
は、ｎ型ＡｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ層１１、ＡｌZＧａTＩ
ｎ1-Z-TＮ層１２、ｐ型ＡｌUＧａVＩｎ1-U-VＮ層１３よ
り構成されている。
上に、基板と略平行の面が−部露出したｎ型ＡｌXＧａY
Ｉｎ1-X-YＮ層（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１）１１が形成
され、その上には、発光層であるＡｌZＧａTＩｎ1-Z-T
Ｎ層（０≦Ｚ≦１、０≦Ｔ≦１）層１２、ｐ型ＡｌUＧ
ａVＩｎ1-U-VＮ層（０≦Ｕ≦１、０≦Ｖ≦１）１３が積
層されている。正電極１４は、ｐ型ＡｌUＧａVＩｎ
1-U-VＮ層１３に形成され、その上に正電極用ワイヤボ
ンディングパッド（以下、正電極パッドと呼ぶ）１５を
形成する。負電極１６はｎ型ＡｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ層
１１の一部露出した面上に形成され、その上に負電極用
ワイヤボンディングパッド（以下、負電極パッドと呼
ぶ）１７を形成する。図１（ａ）で示した発光部１８
は、ｎ型ＡｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ層１１、ＡｌZＧａTＩ
ｎ1-Z-TＮ層１２、ｐ型ＡｌUＧａVＩｎ1-U-VＮ層１３よ
り構成されている。
【００２２】図２は、図１の発光素子をレンズ付き樹脂
モールドの発光ダイオードランプにしたところ、垂直軸
上方向（１９）は勿論のこと右方向（２０）及び左方向
（２１）においてもほぼ滑らかな指向特性を得ることが
できた。
モールドの発光ダイオードランプにしたところ、垂直軸
上方向（１９）は勿論のこと右方向（２０）及び左方向
（２１）においてもほぼ滑らかな指向特性を得ることが
できた。
【００２３】図３は、本発明の第１の実施の形態よりな
る発光素子を用いて表面実装型の半導体発光装置に組み
立てた場合の構成を示す図であり、図３（ａ）は平面図
であり、図３（ｂ）はＢ−Ｂ′線で切断した略断面図で
ある。
る発光素子を用いて表面実装型の半導体発光装置に組み
立てた場合の構成を示す図であり、図３（ａ）は平面図
であり、図３（ｂ）はＢ−Ｂ′線で切断した略断面図で
ある。
【００２４】図３（ａ）において、１０はサファイア基
板（約３５０μｍの正方形）であり、１８は発光部（約
３００μｍ×１７０μｍの長方形）であり、１５は正電
極用ワイヤボンディングパッド、１７は負電極用ワイヤ
ボンディングパッドであり、正負の電極用ワイヤボンデ
ィングパッド（各約１３０μｍの正方形）１５及び１７
はサファイア基板上で近接して配設されており、且つ該
正電極用ワイヤボンディングパッド及び該負電極用ワイ
ヤボンディングパッドの外形が形作る長辺部側に近接し
て該半導体発光素子の発光部が配設されている。２２及
び２３は表面実装型の半導体発光装置のモールドケース
２６の底面にメッキ等の手法により形成された電極端子
であり、金線２４及び２５によりそれぞれ２２及び２３
は正負の電極用ワイヤボンディングパッド１５及び１７
と電気的にワイヤボンディングされている。
板（約３５０μｍの正方形）であり、１８は発光部（約
３００μｍ×１７０μｍの長方形）であり、１５は正電
極用ワイヤボンディングパッド、１７は負電極用ワイヤ
ボンディングパッドであり、正負の電極用ワイヤボンデ
ィングパッド（各約１３０μｍの正方形）１５及び１７
はサファイア基板上で近接して配設されており、且つ該
正電極用ワイヤボンディングパッド及び該負電極用ワイ
ヤボンディングパッドの外形が形作る長辺部側に近接し
て該半導体発光素子の発光部が配設されている。２２及
び２３は表面実装型の半導体発光装置のモールドケース
２６の底面にメッキ等の手法により形成された電極端子
であり、金線２４及び２５によりそれぞれ２２及び２３
は正負の電極用ワイヤボンディングパッド１５及び１７
と電気的にワイヤボンディングされている。
【００２５】図３（ｂ）において、表面実装型の半導体
発光装置のモールドケース２６の底面２７には、電極端
子２３及びサファイア基板１０が配設されており、サフ
ァイア基板１０上には発光部１８があり、電極端子２３
と負電極用ワイヤボンディングパッド１７とを金線２５
により電気的にワイヤボンディングされている。また２
８は透明なモールド樹脂である。電極端子２２及び２３
を発光素子の片側に集めることが出来て、発光素子を組
み込んだ表面実装型の半導体発光装置の小型化が図れ
た。具体的には、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示された
表面実装型の半導体発光装置の外形サイズは、縦約１．
２ｍｍ×横約１．８ｍｍ×高さ約１．２ｍｍ程度とな
り、従来例の外形サイズ縦約１．２ｍｍ×横約２．０〜
２．３ｍｍ×高さ約１．２ｍｍ程度より小型することが
出来た。
発光装置のモールドケース２６の底面２７には、電極端
子２３及びサファイア基板１０が配設されており、サフ
ァイア基板１０上には発光部１８があり、電極端子２３
と負電極用ワイヤボンディングパッド１７とを金線２５
により電気的にワイヤボンディングされている。また２
８は透明なモールド樹脂である。電極端子２２及び２３
を発光素子の片側に集めることが出来て、発光素子を組
み込んだ表面実装型の半導体発光装置の小型化が図れ
た。具体的には、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示された
表面実装型の半導体発光装置の外形サイズは、縦約１．
２ｍｍ×横約１．８ｍｍ×高さ約１．２ｍｍ程度とな
り、従来例の外形サイズ縦約１．２ｍｍ×横約２．０〜
２．３ｍｍ×高さ約１．２ｍｍ程度より小型することが
出来た。
【００２６】図４は、本発明の第１の実施の形態よりな
る発光素子を複数個用いて表面実装型の半導体発光装置
に組み立てた場合の構成を示す図であり、１個の発光素
子を用いて表面実装型の半導体発光装置に組み立てた図
３と異なり、表面実装型の半導体発光装置のモールドケ
ース２９の底面にメッキ等の手法により形成されたそれ
ぞれの電極端子３０及び３１は共通ライン３２及び３３
により電気的に結線されている。２４、２５は電極端子
３０及び３１と正負の電極パッド１５及び１７とを結線
する金線ワイヤである。この結果、正負の電極は近接し
て配設されており、且つ該正電極用ワイヤボンディング
パッド及び該負電極用ワイヤボンディングパッドの外形
が形作る長辺部側に近接して該半導体発光素子の発光部
を配設さすることにより、発光素子からの金線ワイヤを
同−辺側に引き出すことが出来て、また、従来例の図１
１（ａ）で問題になった光強度の軸上のズレの問題を、
図１１（ｂ）の斜め配置を使わずとも解決することが出
来た。
る発光素子を複数個用いて表面実装型の半導体発光装置
に組み立てた場合の構成を示す図であり、１個の発光素
子を用いて表面実装型の半導体発光装置に組み立てた図
３と異なり、表面実装型の半導体発光装置のモールドケ
ース２９の底面にメッキ等の手法により形成されたそれ
ぞれの電極端子３０及び３１は共通ライン３２及び３３
により電気的に結線されている。２４、２５は電極端子
３０及び３１と正負の電極パッド１５及び１７とを結線
する金線ワイヤである。この結果、正負の電極は近接し
て配設されており、且つ該正電極用ワイヤボンディング
パッド及び該負電極用ワイヤボンディングパッドの外形
が形作る長辺部側に近接して該半導体発光素子の発光部
を配設さすることにより、発光素子からの金線ワイヤを
同−辺側に引き出すことが出来て、また、従来例の図１
１（ａ）で問題になった光強度の軸上のズレの問題を、
図１１（ｂ）の斜め配置を使わずとも解決することが出
来た。
【００２７】［実施の形態２］図５は、本発明の第２の
実施の形態よりなる発光素子の構成を示す図であり、発
光部３４はほぼ正方形に形作られたものであり、図５
（ａ）は平面図であり、図５（ｂ）は模式断面図であ
る。
実施の形態よりなる発光素子の構成を示す図であり、発
光部３４はほぼ正方形に形作られたものであり、図５
（ａ）は平面図であり、図５（ｂ）は模式断面図であ
る。
【００２８】図５（ａ）において、３５はサファイア基
板（約３５０μｍ×約４８０μｍの長方形）であり、３
４は発光部（約３００μｍ×約３００μｍの正方形）で
あり、１５は正電極用ワイヤボンディングパッド、１７
は負電極用ワイヤボンディングパッドである。正負の電
極用ワイヤボンディングパッド（各約１３０μｍの正方
形）１５及び１７はサファイア基板上で近接して配設さ
れており、且つ該正電極用ワイヤボンディングパッド及
び該負電極用ワイヤボンディングパッドの外形が形作る
長辺部側に近接して該半導体発光素子の発光部が配設さ
れている。図５（ａ）のＣ−Ｃ′線で切断した略断面図
を図５（ｂ）に示す。
板（約３５０μｍ×約４８０μｍの長方形）であり、３
４は発光部（約３００μｍ×約３００μｍの正方形）で
あり、１５は正電極用ワイヤボンディングパッド、１７
は負電極用ワイヤボンディングパッドである。正負の電
極用ワイヤボンディングパッド（各約１３０μｍの正方
形）１５及び１７はサファイア基板上で近接して配設さ
れており、且つ該正電極用ワイヤボンディングパッド及
び該負電極用ワイヤボンディングパッドの外形が形作る
長辺部側に近接して該半導体発光素子の発光部が配設さ
れている。図５（ａ）のＣ−Ｃ′線で切断した略断面図
を図５（ｂ）に示す。
【００２９】さらに、図５（ａ）において、絶縁性基板
の面積のＳ1は約３５０μｍ×約４８０μｍの長方形で
あり、Ｓ1＝約０．１６８ｍｍ2であり、発光部の面積の
Ｓ2は約３００μｍ×約３００μｍの正方形であり、Ｓ2
＝約０．０９ｍｍ2であり、正電極用ワイヤボンディン
グパッドと負電極用ワイヤボンディングパッドとの面積
の和のＳ3は、各約１３０μｍの正方形の約２倍であ
り、Ｓ3＝約０．０３４ｍｍ2である。この時、Ｓ1〜
４．９×Ｓ3、Ｓ2〜２．７×Ｓ3となっている。また、
正負の正電極用ワイヤボンディングパッドは各約１００
μｍ角〜約１６０μｍ角程度の大きさが必要であり、こ
の時は、Ｓ2〜＞１．８×Ｓ3となっている。従って、各
面積の関係は、Ｓ1≧Ｓ2＋Ｓ3であり、且つ、Ｓ2≧Ｓ3
の関係にある。
の面積のＳ1は約３５０μｍ×約４８０μｍの長方形で
あり、Ｓ1＝約０．１６８ｍｍ2であり、発光部の面積の
Ｓ2は約３００μｍ×約３００μｍの正方形であり、Ｓ2
＝約０．０９ｍｍ2であり、正電極用ワイヤボンディン
グパッドと負電極用ワイヤボンディングパッドとの面積
の和のＳ3は、各約１３０μｍの正方形の約２倍であ
り、Ｓ3＝約０．０３４ｍｍ2である。この時、Ｓ1〜
４．９×Ｓ3、Ｓ2〜２．７×Ｓ3となっている。また、
正負の正電極用ワイヤボンディングパッドは各約１００
μｍ角〜約１６０μｍ角程度の大きさが必要であり、こ
の時は、Ｓ2〜＞１．８×Ｓ3となっている。従って、各
面積の関係は、Ｓ1≧Ｓ2＋Ｓ3であり、且つ、Ｓ2≧Ｓ3
の関係にある。
【００３０】図５（ｂ）において、サファイア基板３５
上に、基板と略平行の面が−部露出したｎ型ＡｌXＧａY
Ｉｎ1-X-YＮ層（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１）１１が形成
され、その上には、発光層であるＡｌZＧａTＩｎ1-Z-T
Ｎ層（０≦Ｚ≦１、０≦Ｔ≦１）層１２、ｐ型ＡｌUＧ
ａVＩｎ1-U-VＮ層（０≦Ｕ≦１、０≦Ｖ≦１）１３が積
層されている。正電極１４は、ｐ型ＡｌUＧａVＩｎ
1-U-VＮ層１３に形成され、その上に正電極用ワイヤボ
ンディングパッド１５を形成する。負電極１６はｎ型Ａ
ｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ層１１の一部露出した面上に形成
され、その上に負電極用ワイヤボンディングパッド１７
を形成する。図５（ａ）の発光部３４は、ｎ型ＡｌXＧ
ａYＩｎ1-X-YＮ層１１、ＡｌZＧａTＩｎ1-Z-TＮ層１
２、ｐ型ＡｌUＧａVＩｎ1-U-VＮ層１３より構成されて
いる。
上に、基板と略平行の面が−部露出したｎ型ＡｌXＧａY
Ｉｎ1-X-YＮ層（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１）１１が形成
され、その上には、発光層であるＡｌZＧａTＩｎ1-Z-T
Ｎ層（０≦Ｚ≦１、０≦Ｔ≦１）層１２、ｐ型ＡｌUＧ
ａVＩｎ1-U-VＮ層（０≦Ｕ≦１、０≦Ｖ≦１）１３が積
層されている。正電極１４は、ｐ型ＡｌUＧａVＩｎ
1-U-VＮ層１３に形成され、その上に正電極用ワイヤボ
ンディングパッド１５を形成する。負電極１６はｎ型Ａ
ｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ層１１の一部露出した面上に形成
され、その上に負電極用ワイヤボンディングパッド１７
を形成する。図５（ａ）の発光部３４は、ｎ型ＡｌXＧ
ａYＩｎ1-X-YＮ層１１、ＡｌZＧａTＩｎ1-Z-TＮ層１
２、ｐ型ＡｌUＧａVＩｎ1-U-VＮ層１３より構成されて
いる。
【００３１】正負の電極用ワイヤボンディングパッド
（各約１３０μｍの正方形）１５及び１７はサファイア
基板３５上で近接して配設されている。この電極配置に
より、正方形の発光部３４を得ることが出来た。この発
光素子により、図２で示したような左右対称な発光パタ
ーンを実現出来た。
（各約１３０μｍの正方形）１５及び１７はサファイア
基板３５上で近接して配設されている。この電極配置に
より、正方形の発光部３４を得ることが出来た。この発
光素子により、図２で示したような左右対称な発光パタ
ーンを実現出来た。
【００３２】［実施の形態３］図６は、本発明の第３の
実施の形態よりなる発光素子の構成を示す図であり、発
光部３６はほぼ円形に形作られたものであり、図６
（ａ）は平面図であり、図６（ｂ）は模式断面図であ
る。
実施の形態よりなる発光素子の構成を示す図であり、発
光部３６はほぼ円形に形作られたものであり、図６
（ａ）は平面図であり、図６（ｂ）は模式断面図であ
る。
【００３３】図６（ａ）において、３５はサファイア基
板（約３５０μｍ×約４８０μｍの長方形）であり、３
６は発光部（直径約３００μｍの円形）であり、１５は
正電極用ワイヤボンディングパッド、１７は負電極用ワ
イヤボンディングパッドである。正負の電極用ワイヤボ
ンディングパッド（各約１３０μｍの正方形）１５及び
１７はサファイア基板上で近接して配設されており、且
つ該正電極用ワイヤボンディングパッド及び該負電極用
ワイヤボンディングパッドの外形が形作る長辺部側に近
接して該半導体発光素子の発光部が配設されている。図
６（ａ）のＤ−Ｄ′線で切断した略断面図を図６（ｂ）
に示す。
板（約３５０μｍ×約４８０μｍの長方形）であり、３
６は発光部（直径約３００μｍの円形）であり、１５は
正電極用ワイヤボンディングパッド、１７は負電極用ワ
イヤボンディングパッドである。正負の電極用ワイヤボ
ンディングパッド（各約１３０μｍの正方形）１５及び
１７はサファイア基板上で近接して配設されており、且
つ該正電極用ワイヤボンディングパッド及び該負電極用
ワイヤボンディングパッドの外形が形作る長辺部側に近
接して該半導体発光素子の発光部が配設されている。図
６（ａ）のＤ−Ｄ′線で切断した略断面図を図６（ｂ）
に示す。
【００３４】さらに、図６（ａ）において、絶縁性基板
の面積のＳ1は約３５０μｍ×約４８０μｍの長方形で
あり、Ｓ1＝約０．１６８ｍｍ2であり、発光部の面積の
Ｓ2は直径約３００μｍの円形であり、Ｓ2＝約０．０７
１ｍｍ2であり、正電極用ワイヤボンディングパッドと
負電極用ワイヤボンディングパッドとの面積の和のＳ3
は、各約１３０μｍの正方形の約２倍であり、Ｓ3＝約
０．０３４ｍｍ2である。この時、Ｓ1〜４．９×Ｓ3、
Ｓ2〜２．１×Ｓ3となっている。また、正負の正電極用
ワイヤボンディングパッドは各約１００μｍ角〜約１６
０μｍ角程度の大きさが必要であり、この時は、Ｓ2〜
＞１．４×Ｓ3となっている。従って、各面積の関係
は、Ｓ1≧Ｓ2＋Ｓ3であり、且つ、Ｓ2≧Ｓ3の関係にあ
る。
の面積のＳ1は約３５０μｍ×約４８０μｍの長方形で
あり、Ｓ1＝約０．１６８ｍｍ2であり、発光部の面積の
Ｓ2は直径約３００μｍの円形であり、Ｓ2＝約０．０７
１ｍｍ2であり、正電極用ワイヤボンディングパッドと
負電極用ワイヤボンディングパッドとの面積の和のＳ3
は、各約１３０μｍの正方形の約２倍であり、Ｓ3＝約
０．０３４ｍｍ2である。この時、Ｓ1〜４．９×Ｓ3、
Ｓ2〜２．１×Ｓ3となっている。また、正負の正電極用
ワイヤボンディングパッドは各約１００μｍ角〜約１６
０μｍ角程度の大きさが必要であり、この時は、Ｓ2〜
＞１．４×Ｓ3となっている。従って、各面積の関係
は、Ｓ1≧Ｓ2＋Ｓ3であり、且つ、Ｓ2≧Ｓ3の関係にあ
る。
【００３５】図６（ｂ）において、サファイア基板３５
上に、基板と略平行の面が−部露出したｎ型ＡｌXＧａY
Ｉｎ1-X-YＮ層（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１）１１が形成
され、その上には、発光層であるＡｌZＧａTＩｎ1-Z-T
Ｎ層（０≦Ｚ≦１、０≦Ｔ≦１）層１２、ｐ型ＡｌUＧ
ａVＩｎ1-U-VＮ層（０≦Ｕ≦１、０≦Ｖ≦１）１３が積
層されている。正電極１４は、ｐ型ＡｌUＧａVＩｎ
1-U-VＮ層１３に形成され、その上に正電極用ワイヤボ
ンディングパッド１５を形成する。負電極１６はｎ型Ａ
ｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ層１１の一部露出した面上に形成
され、その上に負電極用ワイヤボンディングパッド１７
を形成する。図６（ａ）の発光部３６は、ｎ型ＡｌXＧ
ａYＩｎ1-X-YＮ層１１、ＡｌZＧａTＩｎ1-Z-TＮ層１
２、ｐ型ＡｌUＧａVＩｎ1-U-VＮ層１３より構成されて
いる。
上に、基板と略平行の面が−部露出したｎ型ＡｌXＧａY
Ｉｎ1-X-YＮ層（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１）１１が形成
され、その上には、発光層であるＡｌZＧａTＩｎ1-Z-T
Ｎ層（０≦Ｚ≦１、０≦Ｔ≦１）層１２、ｐ型ＡｌUＧ
ａVＩｎ1-U-VＮ層（０≦Ｕ≦１、０≦Ｖ≦１）１３が積
層されている。正電極１４は、ｐ型ＡｌUＧａVＩｎ
1-U-VＮ層１３に形成され、その上に正電極用ワイヤボ
ンディングパッド１５を形成する。負電極１６はｎ型Ａ
ｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ層１１の一部露出した面上に形成
され、その上に負電極用ワイヤボンディングパッド１７
を形成する。図６（ａ）の発光部３６は、ｎ型ＡｌXＧ
ａYＩｎ1-X-YＮ層１１、ＡｌZＧａTＩｎ1-Z-TＮ層１
２、ｐ型ＡｌUＧａVＩｎ1-U-VＮ層１３より構成されて
いる。
【００３６】正負の電極用ワイヤボンディングパッド
（各約１３０μｍの正方形）１５及び１７はサファイア
基板３５上で近接して配設されており、且つ該正電極用
ワイヤボンディングパッド及び該負電極用ワイヤボンデ
ィングパッドの外形が形作る長辺部側に近接して該半導
体発光素子の発光部が配設されている。この電極配置に
より、正方形の発光部３４を得ることが出来た。この発
光素子により、図２で示したような左右対称な発光パタ
ーンを実現出来た。
（各約１３０μｍの正方形）１５及び１７はサファイア
基板３５上で近接して配設されており、且つ該正電極用
ワイヤボンディングパッド及び該負電極用ワイヤボンデ
ィングパッドの外形が形作る長辺部側に近接して該半導
体発光素子の発光部が配設されている。この電極配置に
より、正方形の発光部３４を得ることが出来た。この発
光素子により、図２で示したような左右対称な発光パタ
ーンを実現出来た。
【００３７】特に本発明の円形の発光部の形は、発光素
子のリードフレーム等への実装時に、取付角度を選ばな
いという利点がある。すなわち、点対称でない発光部の
形の発光素子を軸対称形のリードフレームに取り付ける
場合には、取付角度によりリードフレームの方向に対す
る発光の指向パターンが異なっていたが、本実施例で
は、この問題を回避することができる。
子のリードフレーム等への実装時に、取付角度を選ばな
いという利点がある。すなわち、点対称でない発光部の
形の発光素子を軸対称形のリードフレームに取り付ける
場合には、取付角度によりリードフレームの方向に対す
る発光の指向パターンが異なっていたが、本実施例で
は、この問題を回避することができる。
【００３８】［実施の形態４］図７は、本発明の第４の
実施の形態よりなる発光素子の構成を示す図であり、発
光部３７はほぼ多角形に形作られたものであり、図７
（ａ）は平面図であり、図７（ｂ）は模式断面図であ
る。
実施の形態よりなる発光素子の構成を示す図であり、発
光部３７はほぼ多角形に形作られたものであり、図７
（ａ）は平面図であり、図７（ｂ）は模式断面図であ
る。
【００３９】図７（ａ）において、３５はサファイア基
板（約３５０μｍ×約４８０μｍの長方形）であり、３
７は発光部（外径が約３００μｍの多角形）であり、１
５は正電極用ワイヤボンディングパッド、１７は負電極
用ワイヤボンディングパッドである。正負の電極用ワイ
ヤボンディングパッド（各約１３０μｍの正方形）１５
及び１７はサファイア基板上で近接して配設されてお
り、且つ該正電極用ワイヤボンディングパッド及び該負
電極用ワイヤボンディングパッドの外形が形作る長辺部
側に近接して該半導体発光素子の発光部が配設されてい
る。図７（ａ）のＥ−Ｅ′線で切断した略断面図を図７
（ｂ）に示す。
板（約３５０μｍ×約４８０μｍの長方形）であり、３
７は発光部（外径が約３００μｍの多角形）であり、１
５は正電極用ワイヤボンディングパッド、１７は負電極
用ワイヤボンディングパッドである。正負の電極用ワイ
ヤボンディングパッド（各約１３０μｍの正方形）１５
及び１７はサファイア基板上で近接して配設されてお
り、且つ該正電極用ワイヤボンディングパッド及び該負
電極用ワイヤボンディングパッドの外形が形作る長辺部
側に近接して該半導体発光素子の発光部が配設されてい
る。図７（ａ）のＥ−Ｅ′線で切断した略断面図を図７
（ｂ）に示す。
【００４０】図７（ｂ）において、サファイア基板３５
上に、基板と略平行の面が−部露出したｎ型ＡｌXＧａY
Ｉｎ1-X-YＮ層（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１）１１が形成
され、その上には、発光層であるＡｌZＧａTＩｎ1-Z-T
Ｎ層（０≦Ｚ≦１、０≦Ｔ≦１）層１２、ｐ型ＡｌUＧ
ａVＩｎ1-U-VＮ層（０≦Ｕ≦１、０≦Ｖ≦１）１３が積
層されている。正電極１４は、ｐ型ＡｌUＧａVＩｎ
1-U-VＮ層１３に形成され、その上に正電極用ワイヤボ
ンディングパッド１５を形成する。負電極１６はｎ型Ａ
ｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ層１１の一部露出した面上に形成
され、その上に負電極用ワイヤボンディングパッド１７
を形成する。図７（ａ）の発光部３７は、ｎ型ＡｌXＧ
ａYＩｎ1-X-YＮ層１１、ＡｌZＧａTＩｎ1-Z-TＮ層１
２、ｐ型ＡｌUＧａVＩｎ1-U-VＮ層１３より構成されて
いる。正負の電極用ワイヤボンディングパッド（各約１
３０μｍの正方形）１５及び１７はサファイア基板３５
上で近接して配設されており、且つ該正電極用ワイヤボ
ンディングパッド及び該負電極用ワイヤボンディングパ
ッドの外形が形作る長辺部側に近接して該半導体発光素
子の発光部が配設されている。この電極配置により、多
角形の発光部３７を得ることが出来た。この発光素子に
より、図２で示したような左右対称な発光パターンを実
現出来た。
上に、基板と略平行の面が−部露出したｎ型ＡｌXＧａY
Ｉｎ1-X-YＮ層（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１）１１が形成
され、その上には、発光層であるＡｌZＧａTＩｎ1-Z-T
Ｎ層（０≦Ｚ≦１、０≦Ｔ≦１）層１２、ｐ型ＡｌUＧ
ａVＩｎ1-U-VＮ層（０≦Ｕ≦１、０≦Ｖ≦１）１３が積
層されている。正電極１４は、ｐ型ＡｌUＧａVＩｎ
1-U-VＮ層１３に形成され、その上に正電極用ワイヤボ
ンディングパッド１５を形成する。負電極１６はｎ型Ａ
ｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ層１１の一部露出した面上に形成
され、その上に負電極用ワイヤボンディングパッド１７
を形成する。図７（ａ）の発光部３７は、ｎ型ＡｌXＧ
ａYＩｎ1-X-YＮ層１１、ＡｌZＧａTＩｎ1-Z-TＮ層１
２、ｐ型ＡｌUＧａVＩｎ1-U-VＮ層１３より構成されて
いる。正負の電極用ワイヤボンディングパッド（各約１
３０μｍの正方形）１５及び１７はサファイア基板３５
上で近接して配設されており、且つ該正電極用ワイヤボ
ンディングパッド及び該負電極用ワイヤボンディングパ
ッドの外形が形作る長辺部側に近接して該半導体発光素
子の発光部が配設されている。この電極配置により、多
角形の発光部３７を得ることが出来た。この発光素子に
より、図２で示したような左右対称な発光パターンを実
現出来た。
【００４１】特に本発明の多角形の発光部の形は、その
形が円形に近付くほどリードフレーム等への実装時に、
取付角度を選ばないという利点が発生する。すなわち、
点対称でない発光パターンの場合には、軸対称形のリー
ドフレームに取り付ける場合には、取付角度によりリー
ドフレームの方向に対する発光の指向パターンが異なっ
ていたが、本実施例では、この問題を無視できるほど低
減できた。
形が円形に近付くほどリードフレーム等への実装時に、
取付角度を選ばないという利点が発生する。すなわち、
点対称でない発光パターンの場合には、軸対称形のリー
ドフレームに取り付ける場合には、取付角度によりリー
ドフレームの方向に対する発光の指向パターンが異なっ
ていたが、本実施例では、この問題を無視できるほど低
減できた。
【００４２】
【発明の効果】以上のように、本発明の請求項１記載の
半導体発光素子によれば、絶縁性基板上に形成された半
導体発光素子であり、該半導体発光素子は少なくとも発
光部及び正電極用ワイヤボンディングパッド及び負電極
用ワイヤボンディングパッドを有し、該正電極用ワイヤ
ボンディングパッド及び該負電極用ワイヤボンディング
パッドを近接して配設し、且つ該正電極用ワイヤボンデ
ィングパッド及び該負電極用ワイヤボンディングパッド
の外形が形作る長辺部側に近接して該半導体発光素子の
発光部を配設することを特徴とするものであり、外部よ
り半導体発光素子に電流を流すための２本のリードワイ
ヤを一方向に引き出すことが可能となり、半導体発光素
子の小型化を図ることが出来た。また、発光部の形状が
単純な形状となったことで、半導体製造装置に組み立て
た場合、左右対称な発光パターン（放射特性）を得るこ
とが出来る。さらに、本発明の複数個の半導体発光素子
をアレイ状に並べた場合、明るさ（輝度）のむらを低減
することが出来た。
半導体発光素子によれば、絶縁性基板上に形成された半
導体発光素子であり、該半導体発光素子は少なくとも発
光部及び正電極用ワイヤボンディングパッド及び負電極
用ワイヤボンディングパッドを有し、該正電極用ワイヤ
ボンディングパッド及び該負電極用ワイヤボンディング
パッドを近接して配設し、且つ該正電極用ワイヤボンデ
ィングパッド及び該負電極用ワイヤボンディングパッド
の外形が形作る長辺部側に近接して該半導体発光素子の
発光部を配設することを特徴とするものであり、外部よ
り半導体発光素子に電流を流すための２本のリードワイ
ヤを一方向に引き出すことが可能となり、半導体発光素
子の小型化を図ることが出来た。また、発光部の形状が
単純な形状となったことで、半導体製造装置に組み立て
た場合、左右対称な発光パターン（放射特性）を得るこ
とが出来る。さらに、本発明の複数個の半導体発光素子
をアレイ状に並べた場合、明るさ（輝度）のむらを低減
することが出来た。
【００４３】また、本発明の請求項２記載の半導体発光
素子によれば、前記絶縁性基板の面積をＳ1、発光部の
面積をＳ2、正電極用ワイヤボンディングパッドと負電
極用ワイヤボンディングパッドとの面積の和をＳ3とす
る時、Ｓ1≧Ｓ2＋Ｓ3であり、且つ、Ｓ2≧Ｓ3であるこ
とを特徴とするものであり、正負の正電極用ワイヤボン
ディングパッドは各約１００μｍ角〜約１６０μｍ角程
度の大きさが必要であり、所定の絶縁性基板の面積に対
して、発光部の面積を多く設定することができ、半導体
発光素子の小型化を図ることができる。
素子によれば、前記絶縁性基板の面積をＳ1、発光部の
面積をＳ2、正電極用ワイヤボンディングパッドと負電
極用ワイヤボンディングパッドとの面積の和をＳ3とす
る時、Ｓ1≧Ｓ2＋Ｓ3であり、且つ、Ｓ2≧Ｓ3であるこ
とを特徴とするものであり、正負の正電極用ワイヤボン
ディングパッドは各約１００μｍ角〜約１６０μｍ角程
度の大きさが必要であり、所定の絶縁性基板の面積に対
して、発光部の面積を多く設定することができ、半導体
発光素子の小型化を図ることができる。
【００４４】また、本発明の請求項３記載の半導体発光
素子によれば、該発光素子の発光部の形状がほぼ正方形
またはほぼ長方形であることを特徴とするものであり、
発光部の形状が単純な形状となったことで、半導体製造
装置に組み立てた場合、左右対称な発光パターン（放射
特性）を得ることが出来る。
素子によれば、該発光素子の発光部の形状がほぼ正方形
またはほぼ長方形であることを特徴とするものであり、
発光部の形状が単純な形状となったことで、半導体製造
装置に組み立てた場合、左右対称な発光パターン（放射
特性）を得ることが出来る。
【００４５】また、本発明の請求項４記載の半導体発光
素子によれば、該発光素子の発光部の形状がほぼ円形ま
たはほぼ多角形であることを特徴とするものであり、発
光部の形状が単純な形状となったことで、半導体製造装
置に組み立てた場合、左右対称な発光パターン（放射特
性）を得ることが出来る。また、発光部の形状が正方
形、多角形、円形など特に点対称に近い場合、中心軸対
象の放射特性を得やすくなり、これを応用した半導体発
光装置、例えば、発光パネルの性能向上を図ることが出
来た。
素子によれば、該発光素子の発光部の形状がほぼ円形ま
たはほぼ多角形であることを特徴とするものであり、発
光部の形状が単純な形状となったことで、半導体製造装
置に組み立てた場合、左右対称な発光パターン（放射特
性）を得ることが出来る。また、発光部の形状が正方
形、多角形、円形など特に点対称に近い場合、中心軸対
象の放射特性を得やすくなり、これを応用した半導体発
光装置、例えば、発光パネルの性能向上を図ることが出
来た。
【００４６】さらに、本発明の請求項５記載の半導体発
光装置によれば、請求項１記載の半導体発光素子を用い
て実装したものであり、滑らかな発光パターンを持つこ
とにより、特に集合ランプ型ディスプレー用として優れ
た指向特性を持つ半導体装置（ＬＥＤランプ）を得るこ
とができる。
光装置によれば、請求項１記載の半導体発光素子を用い
て実装したものであり、滑らかな発光パターンを持つこ
とにより、特に集合ランプ型ディスプレー用として優れ
た指向特性を持つ半導体装置（ＬＥＤランプ）を得るこ
とができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態よりなる発光素子の
構成を示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ′線で切断した略断面図である。
構成を示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ′線で切断した略断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態よりなる発光素子を
レンズ付き樹脂モールドした発光ダイオードランプの模
式図である。
レンズ付き樹脂モールドした発光ダイオードランプの模
式図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態よりなる発光素子を
用いて表面実装型の半導体発光装置に組み立てた場合の
構成を示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は
（ａ）のＢ−Ｂ′線で切断した略断面図である。
用いて表面実装型の半導体発光装置に組み立てた場合の
構成を示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は
（ａ）のＢ−Ｂ′線で切断した略断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態よりなる発光素子を
複数個用いて表面実装型の半導体発光装置に組み立てた
場合の構成を示す図である。
複数個用いて表面実装型の半導体発光装置に組み立てた
場合の構成を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態よりなる発光素子の
構成を示す図であり、発光部はほぼ正方形に形作られた
ものであり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）の
Ｃ−Ｃ′線で切断した略断面図である。
構成を示す図であり、発光部はほぼ正方形に形作られた
ものであり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）の
Ｃ−Ｃ′線で切断した略断面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態よりなる発光素子の
構成を示す図であり、発光部はほぼ円形に形作られたも
のであり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＤ
−Ｄ′線で切断した略断面図である。
構成を示す図であり、発光部はほぼ円形に形作られたも
のであり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＤ
−Ｄ′線で切断した略断面図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態よりなる発光素子の
構成を示す図であり、発光部はほぼ多角形に形作られた
ものであり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）の
Ｅ−Ｅ′線で切断した略断面図である。
構成を示す図であり、発光部はほぼ多角形に形作られた
ものであり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）の
Ｅ−Ｅ′線で切断した略断面図である。
【図８】従来例の窒化物系半導体材料を用いた窒化ガリ
ウム系化合物半導体発光素子の説明図であり、（ａ）は
平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＦ−Ｆ′線で切断した
略断面図である。
ウム系化合物半導体発光素子の説明図であり、（ａ）は
平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＦ−Ｆ′線で切断した
略断面図である。
【図９】従来例の窒化物系半導体材料を用いた窒化ガリ
ウム系化合物半導体発光素子をレンズ付き樹脂モールド
の半導体装置（ＬＥＤランプ）に組み立てた場合の発光
パターンを説明する図である。
ウム系化合物半導体発光素子をレンズ付き樹脂モールド
の半導体装置（ＬＥＤランプ）に組み立てた場合の発光
パターンを説明する図である。
【図１０】従来例の窒化物系半導体材料を用いた窒化ガ
リウム系化合物半導体発光素子を表面実装型のランプへ
実装した説明図であり、（ａ）及び（ｂ）は平面図であ
り、（ｃ）は（ａ）または（ｂ）の略断面図である。
リウム系化合物半導体発光素子を表面実装型のランプへ
実装した説明図であり、（ａ）及び（ｂ）は平面図であ
り、（ｃ）は（ａ）または（ｂ）の略断面図である。
【図１１】従来例の窒化物系半導体材料を用いた窒化ガ
リウム系化合物半導体発光素子を複数個用いてアレイ状
の表面実装型の半導体発光装置へ実装した説明図であ
り、（ａ）は給電用の共通配線９５、９６に対して、発
光素子の辺を平行に配列した場合の平面図であり、
（ｂ）は給電用の共通配線に対して、発光素子の辺を菱
形に配列した場合の平面図である。
リウム系化合物半導体発光素子を複数個用いてアレイ状
の表面実装型の半導体発光装置へ実装した説明図であ
り、（ａ）は給電用の共通配線９５、９６に対して、発
光素子の辺を平行に配列した場合の平面図であり、
（ｂ）は給電用の共通配線に対して、発光素子の辺を菱
形に配列した場合の平面図である。
１０ 絶縁性基板であるサファイア基板 １１ ｎ型ＡｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ層（０≦Ｘ≦１、０
≦Ｙ≦１） １２ 発光層であるＡｌZＧａTＩｎ1-Z-TＮ層（０≦Ｚ
≦１、０≦Ｔ≦１） １３ ｐ型ＡｌUＧａVＩｎ1-U-VＮ層（０≦Ｕ≦１、０
≦Ｖ≦１） １４ 正電極 １５ 正電極用ワイヤボンディングパッド（以下、正電
極パッドと呼ぶ） １６ 負電極 １７ 負電極用ワイヤボンディングパッド（以下、負電
極パッドと呼ぶ） １８ 長方形の発光部 １９ 垂直軸上方向の発光パターン ２０ 右方向の発光パターン ２１ 左方向の発光パターン ２２、２３ 電極端子 ２４、２５ 金線 ２６ 表面実装型の半導体発光装置のモールドケース ２７ モールドケース２６の底面 ２８ 透明なモールド樹脂 ２９ 表面実装型の半導体発光装置のモールドケース ３０、３１ 電極端子 ３２、３３ 共通ライン ３４ 正方形の発光部 ３５ 長方形のサファイア基板 ３６ 円形の発光部 ３７ 多角形の発光部
≦Ｙ≦１） １２ 発光層であるＡｌZＧａTＩｎ1-Z-TＮ層（０≦Ｚ
≦１、０≦Ｔ≦１） １３ ｐ型ＡｌUＧａVＩｎ1-U-VＮ層（０≦Ｕ≦１、０
≦Ｖ≦１） １４ 正電極 １５ 正電極用ワイヤボンディングパッド（以下、正電
極パッドと呼ぶ） １６ 負電極 １７ 負電極用ワイヤボンディングパッド（以下、負電
極パッドと呼ぶ） １８ 長方形の発光部 １９ 垂直軸上方向の発光パターン ２０ 右方向の発光パターン ２１ 左方向の発光パターン ２２、２３ 電極端子 ２４、２５ 金線 ２６ 表面実装型の半導体発光装置のモールドケース ２７ モールドケース２６の底面 ２８ 透明なモールド樹脂 ２９ 表面実装型の半導体発光装置のモールドケース ３０、３１ 電極端子 ３２、３３ 共通ライン ３４ 正方形の発光部 ３５ 長方形のサファイア基板 ３６ 円形の発光部 ３７ 多角形の発光部
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に形成された半導体発光素
子において、該半導体発光素子は少なくとも発光部及び
正電極用ワイヤボンディングパッド及び負電極用ワイヤ
ボンディングパッドを有し、該正電極用ワイヤボンディ
ングパッド及び該負電極用ワイヤボンディングパッドを
近接して配設し、且つ該正電極用ワイヤボンディングパ
ッド及び該負電極用ワイヤボンディングパッドの外形が
形作る長辺部側に近接して該半導体発光素子の発光部を
配設することを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体発光素子におい
て、前記絶縁性基板の面積をＳ1、発光部の面積をＳ2、
正電極用ワイヤボンディングパッドと負電極用ワイヤボ
ンディングパッドとの面積の和をＳ3とする時、Ｓ1≧Ｓ
2＋Ｓ3であり、且つ、Ｓ2≧Ｓ3であることを特徴とする
半導体発光素子。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体発光素子におい
て、該発光素子の発光部の形状がほぼ正方形またはほぼ
長方形であることを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体発光素子におい
て、該発光素子の発光部の形状がほぼ円形またはほぼ多
角形であることを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項５】 請求項１記載の半導体発光素子を用いて
実装したことを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34488896A JPH10190063A (ja) | 1996-12-25 | 1996-12-25 | 半導体発光素子および半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34488896A JPH10190063A (ja) | 1996-12-25 | 1996-12-25 | 半導体発光素子および半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10190063A true JPH10190063A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18372777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34488896A Pending JPH10190063A (ja) | 1996-12-25 | 1996-12-25 | 半導体発光素子および半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10190063A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002103811A1 (fr) * | 2001-06-15 | 2002-12-27 | Nichia Corporation | Appareil semi-conducteur d'emission de lumiere |
| JP2015195349A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| CN108323004A (zh) * | 2018-02-02 | 2018-07-24 | 江门黑氪光电科技有限公司 | 一种具有对称焊盘的线路板 |
-
1996
- 1996-12-25 JP JP34488896A patent/JPH10190063A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002103811A1 (fr) * | 2001-06-15 | 2002-12-27 | Nichia Corporation | Appareil semi-conducteur d'emission de lumiere |
| JP2015195349A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| CN108323004A (zh) * | 2018-02-02 | 2018-07-24 | 江门黑氪光电科技有限公司 | 一种具有对称焊盘的线路板 |
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