JP2011181888A - 発光装置及び照明装置 - Google Patents

発光装置及び照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2011181888A
JP2011181888A JP2010235515A JP2010235515A JP2011181888A JP 2011181888 A JP2011181888 A JP 2011181888A JP 2010235515 A JP2010235515 A JP 2010235515A JP 2010235515 A JP2010235515 A JP 2010235515A JP 2011181888 A JP2011181888 A JP 2011181888A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
light emitting
bonding wire
bonding
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010235515A
Other languages
English (en)
Inventor
Soichi Shibusawa
壮一 渋沢
Kozo Ogawa
光三 小川
Shuhei Matsuda
周平 松田
Sohiko Betsuda
惣彦 別田
Kozo Kamimura
幸三 上村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Lighting and Technology Corp
Original Assignee
Toshiba Lighting and Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Lighting and Technology Corp filed Critical Toshiba Lighting and Technology Corp
Priority to JP2010235515A priority Critical patent/JP2011181888A/ja
Publication of JP2011181888A publication Critical patent/JP2011181888A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512Aligning
    • H01L2224/85148Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518Translational movements
    • H01L2224/85181Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

【課題】ボンディングワイヤを基板の長手方向と交差する方向に配置して接合することにより、ボンディングワイヤやボンディングワイヤの接合部にかかる応力を効果的に抑制できる発光装置及び照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基板2と、この基板2の長手方向に並べられて実装された複数の発光素子3と、これら発光素子3を電気的に接続するとともに、前記基板2の長手方向と交差する方向に配置されて接合されたボンディングワイヤ4とを備える発光装置1である。
【選択図】図1

Description

本発明は、LED等の発光素子を用いた発光装置及びこの発光装置を備える照明装置に関する。
近時、照明装置の光源としてLEDが用いられるようになってきている。この光源は、基板に多数のLEDのベアチップを配設し、各LEDのベアチップを配線パターンにボンディングワイヤで電気的に接続して基板に実装し、このLEDのベアチップやボンディングワイヤをシリコーン等の樹脂で封止するものである。
このような構成では、LEDから発生する熱により、基板の長手方向の両端を基準として基板の一面側が凸となるような反りが生じることがある。この場合、ボンディングワイヤに応力がかかり、断線したり、ボンディングワイヤの接合部が外れたりする虞がある。
このため、従来、基板の裏面に長手方向に交差する方向に延びる複数の応力緩和溝を設ける照明装置が提案されている(特許文献1参照)。この構成によりボンディングワイヤの接合部に対する負荷を低減しようとするものである。
また、ボンディングワイヤが断線したり、ボンディングワイヤの接合部が外れたりする原因は、基板とLEDのベアチップやボンディングワイヤを封止する樹脂との線膨張率の差に起因して温度変化に伴い応力がかかる場合や照明装置の製造工程において封止樹脂が硬化するときにその熱収縮による応力がボンディングワイヤにかかる場合がある。
一方、コスト面等において有利とするため、基板の厚さ寸法を小さくし、薄型化することが試みられており、この場合、基板は弾力性を有し、曲がりやすいものとなっている。したがって、製造工程等における取扱い時に、不用意に基板を屈曲してボンディングワイヤやボンディングワイヤの接合部に応力が作用する事態が生じる。
特開2008−166081号公報
上記特許文献1に示された従来のものでは、基板に応力緩和溝を設ける工程が必要であり、構成が複雑化し、応力緩和溝を設けた部分の強度が部分的に低下する虞がある。また、上記事由によって生じるボンディングワイヤやボンディングワイヤの接合部にかかる応力を抑制するには十分な構成といえるものではない。
本発明は、上記課題に鑑みなされたもので、ボンディングワイヤを基板の長手方向と交差する方向に配置して接合することにより、ボンディングワイヤやボンディングワイヤの接合部にかかる応力を効果的に抑制できる発光装置及び照明装置を提供することを目的とする。
請求項1に記載の発光装置は、基板と;この基板の長手方向に並べられて実装された複数の発光素子と;これら発光素子を電気的に接続するとともに、前記基板の長手方向と交差する方向に配置されて接合されたボンディングワイヤと;を具備することを特徴とする。
本発明及び以下の発明において、特に指定しない限り用語の技術的意味及び解釈は次による。
基板は、ガラスエポキシ樹脂等の合成樹脂材料で形成され、弾力性を有し、容易に曲がりやすいものを用いる場合に好適であるが、本発明はこれに限らない。アルミニウム等の金属をベースとする金属製基板を適用することを妨げるものではない。また、基板の形状は、長方形状や長楕円形状等に形成できる。格別その形状が限定されるものではない。
発光素子とは、LED等の固体発光素子である。また、発光素子の実装個数には特段制限はない。また、発光素子が基板の長手方向に並べられているとは、例えば、直線状、曲線状や蛇行状に並べられる場合がある。
基板の長手方向と交差する方向は、最大の交差角である90°に設定されることが好ましいが、所定の交差角を有していれば、所期の効果の達成が可能である。
ボンディングワイヤは、例えば、金(Au)の細線を用いることが好ましいが、これ以外の金属細線を用いることもできる。
請求項2に記載の発光装置は、請求項1に記載の発光装置において、前記基板は、弾力性を有する非金属製の基板であることを特徴とする。
基板としては、例えば、紙にフェノール樹脂やエポキシ樹脂を含浸させた基板、ガラス繊維や布にエポキシ樹脂を含浸させた基板、さらに、フレキシブル基板(ポリイミドやポリエステル等のフィルム状の基板)等を適用できる。
請求項3に記載の発光装置は、請求項1又は請求項2に記載の発光装置において、前記ボンディングワイヤが基板の長手方向と交差する方向の角度は、略90°であることを特徴とする。
この構成により、ボンディングワイヤが基板の長手方向と交差する方向の角度は、最大となり、ボンディングワイヤに作用する応力を効果的に抑制できる。
請求項4に記載の発光装置は、請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の発光装置において、前記基板の長手方向に並べられて実装された複数の発光素子は、長手方向に複数の列を形成していることを特徴とする。
請求項5に記載の発光装置は、請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の発光装置において、前記ボンディングワイヤの接合部の形状は、基板の長手方向の寸法に対し、長手方向と直交する方向の寸法が大きく形成されていることを特徴とする。
請求項6に記載の照明装置は、本体と;この本体に配設された請求項1乃至請求項5のいずれか一に記載の発光装置と;を具備することを特徴とする。
照明装置としては、光源や屋内又は屋外で使用される照明器具、ディスプレイ装置等に適用が可能である。
請求項1に記載の発明によれば、ボンディングワイヤやボンディングワイヤの接合部にかかる応力を効果的に抑制できる発光装置を提供することができる。
請求項2に記載の発明によれば、請求項1に記載の発明の効果に加え、基板として、弾力性を有する非金属製の基板を用いることができる。
請求項3に記載の発明によれば、請求項1又は請求項2に記載の発明の効果に加え、ボンディングワイヤが基板の長手方向と交差する方向の角度が最大となるので、最も効果の高い構成となる。
請求項4に記載の発明によれば、上記各請求項に記載の発明の効果に加え、ワイヤボンディングマシーンの搬送工程を容易なものとすることができる。
請求項5に記載の発明によれば、上記各請求項に記載の発明の効果に加え、強度的に有利なボンディングワイヤの接合部を形成することができる。
請求項6に記載の発明によれば、上記各請求項に記載の発明の効果を奏する照明装置を提供することができる。
本発明の第1の実施形態に係る発光装置を示す平面図である。 図1中、X−X線に沿って基板及び封止部材を切断して示す断面図である。 図1中、Y−Y線に沿って基板及び封止部材を切断して示す断面図である。 本発明の第1の実施形態に係る照明装置を示す斜視図である。 本発明の第2の実施形態に係る発光装置を示す平面図である。 本発明の第3の実施形態(実施例1)に係る発光装置を示す平面図である。 同第3の実施形態(実施例2)に係る発光装置を示す平面図である。 本発明の第4の実施形態に係る発光装置を示す平面図である。 本発明の第5の実施形態に係る発光装置を示す平面図である。 同基板における配線パターンを示す平面図である。 図9中、X−X線に沿って示す断面図である。 同発光装置の一部を拡大して示す平面図である。 同発光装置におけるワイヤボンディングのプロセスを示す第1段階の工程図である。 同じく、発光装置におけるワイヤボンディングのプロセスを示す第2段階の工程図である。 同じく、発光装置におけるワイヤボンディングのプロセスを示す第3段階の工程図である。 同じく、発光装置におけるワイヤボンディングのプロセスを示す第4段階の工程図である。 同じく、発光装置におけるワイヤボンディングのプロセスを示す第5段階の工程図である。 ボンディングワイヤの接合部を拡大して示す平面図である。
以下、本発明の第1の実施形態について図1乃至図4を参照して説明する。図1乃至図3は、発光装置1を示しており、図4は、この発光装置1を用いた照明装置10を示している。なお、各図において同一部分には同一符号を付し重複した説明は省略する。
発光装置1は、図1乃至図3に示すように、基板2と、この基板2に実装された複数の発光素子3と、この複数の発光素子3を電気的に接続するボンディングワイヤ4と、各発光素子3を覆う封止部材5とを備えている。なお、図1及び以降の図5乃至図7において封止部材5は、説明上、破線で示している。
図1に示すように、基板2は、略長方形状に形成されている。基板2は、非金属製であり、絶縁層を形成する絶縁材からなり、合成樹脂材料のガラスエポキシ樹脂基板(FR−4)やガラスコンポジット基板(CEM−3)等で形成されている。また、この基板2は、薄型化されており、そのため、弾力性を有し、柔軟で容易に曲がりやすいものとなっている。
基板2の表面側には、銅箔等の導電性材料からなる配線パターン21が形成されている。配線パターン21は、各発光素子3が接続される接続パターン21aと、この接続パター21aをコネクタ21cを介して電源に接続する導電パターン12bとから構成されている。接続パターン21aは、断続状に形成されて列をなしており、本実施形態では、2列形成されている。一方、導電パターン12bは、これら接続パターン21aの両端に共通に接続されていて、導電パターン12bから接続パターン21aに電力が供給されるようになっている。
複数の発光素子3は、LEDのベアチップからなる。LEDのベアチップには、例えば、白色系の光を発光部で発光させるために、青色の光を発するものが用いられている。このLEDのベアチップは、シリコーン樹脂系の絶縁性接着剤を用いて、基板2の表面上に接着されている。これら複数の発光素子3は、前記接続パターン21aに沿って並べられて発光素子列を形成し、例えば、5個×2列で合計10個が実装されている。なお、発光素子3の個数や列数は、格別限定されるものではない。
LEDのベアチップは、例えば、InGaN系の素子であり、透光性のサファイア素子基板に発光層が積層されており、発光層は、n型窒化物半導体層と、InGaN発光層と、p型窒化物半導体層とが順次積層されて形成されている。そして、発光層に電流を流すための電極は、p型窒化物半導体層上にp型電極パッドで形成されたプラス側電極と、n型窒化物半導体層上にn型電極パッドで形成されたマイナス側電極とで構成されている。
これら電極は、ボンディングワイヤ4によって配線パターン21の接続パターン21a上に電気的に接続されている。この場合、ボンディングワイヤ4は、基板2の長手方向と交差する方向に配置されて接合されている。本実施形態では、この交差角度は、最大の略90°となっている。つまり、基板2の長手方向と直交する方向に配置されている。交差角度は、応力抑制の効果からして45°以上に設定するのが好ましく、最適値は、最大の90°である。しかし、この交差角度は、特定の値に限定されるものではない。
ボンディングワイヤ4は、金(Au)の細線からなっており、実装強度の向上とLEDのベアチップの損傷低減のため金(Au)を主成分とするバンプを介して接続されている。
発光素子3であるLEDのベアチップは、コネクタ21cのプラス側端子から導電パターン12b、接続パターン21a、ボンディングワイヤ4、LEDのベアチップのプラス側電極、マイナス側電極からボンディングワイヤ4、次の断続状の接続パターン21aへと順次発光素子列に従って連続的に、かつ電気的に接続されている。したがって、5個のLEDのベアチップが直列に接続された2つの直列回路が電源に対して並列に接続されていることとなる。
封止部材5は蛍光体層である。蛍光体層は、透光性合成樹脂、例えば、透明シリコーン樹脂製であり、蛍光体を適量含有している。図2及び図3に示すように、蛍光体層は、側面形状が山形で円弧状の凸状をなし、各発光素子3、各発光素子3とボンディングワイヤ4との接合部分を個別に覆い封止している。
蛍光体は、発光素子3が発する光で励起されて、発光素子3が発する光の色とは異なる色の光を放射する。発光素子3が青色光を発する本実施形態では、白色光を出射できるようにするために、蛍光体には青色の光とは補色の関係にある黄色系の光を放射する黄色蛍光体が使用されている。そして、蛍光体層は、図示しないディスペンサから未硬化の状態で各発光素子3、ボンディングワイヤ4に対応して塗布され、その後に加熱硬化又は所定時間放置して硬化されて設けられている。
なお、基板2上には、適宜レジスト層が形成されている。さらに、基板2上には、複数の発光素子3の実装領域を全体的に覆って封止する透明シリコーン樹脂製の封止部材51が設けられている。この封止部材51は、図1及び以降の図5においては、破線で示している。
次に、図4を参照して上記発光装置1を用いた照明装置10について説明する。照明装置10は、天井面に設置して使用される天井直付タイプの照明装置を示している。照明装置10は、細長で略直方体形状の本体ケース11を備えており、この本体ケース11内には、上記発光装置1が複数個直線状に配設されている。また、発光装置1に電力を供給する電源回路を有する電源ユニットは、本体ケース11に内蔵されている。なお、発光装置1の個数は適宜選定して配設することができる。
上述した構成の発光装置1に電源回路により通電されると、各発光素子3が一斉に点灯されて、発光装置1は白色の光を出射する面状光源として使用される。この点灯中において、各発光素子3が発熱するに伴い、基板2の温度は上昇し、それに応じて基板2は熱膨張し、基板の長手方向の両端を基準として表面側が凸となるような反りが生じることがある。この場合、基板2は、長手方向に伸びるように変形するので、仮に、ボンディングワイヤ4が基板2の長手方向と平行する方向に配置されているとすると、応力がボンディングワイヤ4を断線する方向に作用する。また、同様に、応力がボンディングワイヤ4の接合部に作用し、この接合が外れる方向に作用する。
しかしながら、本実施形態においては、ボンディングワイヤ4は、基板2の長手方向と交差する方向、具体的には、略90°の交差角度をもって配置されて接合されているので、ボンディングワイヤ4を断線する方向に作用する応力やボンディングワイヤ4の接合が外れる方向に作用する応力は抑制され、最小となり、ボンディングワイヤ4の断線や接合部の外れを防止できる。
また、基板2と封止樹脂5との線膨張率の差に起因して温度変化に伴いボンディングワイヤ4に応力がかかる場合や封止樹脂5が硬化するときにその熱収縮による応力がかかる場合も同様に、その応力を抑制でき、ボンディングワイヤ4の断線や接合部の外れを防止できる。
加えて、基板2は、弾力性を有し、柔軟で容易に曲がりやすいものとなっているが、この基板2が屈曲された場合にもボンディングワイヤ4にかかる応力を抑制でき、断線や接合部の外れを防止することができる。
以上のように本実施形態によれば、ボンディングワイヤやボンディングワイヤの接合部にかかる応力を効果的に抑制できる発光装置及び照明装置を提供することができる。
次に、本発明の第2の実施形態について図5を参照して説明する。図5は、発光装置1を示している。なお、第1の実施形態と同一又は相当部分には同一符号を付し重複した説明は省略する。
本実施形態では、LEDのベアチップの電極は、ボンディングワイヤ4によって配線パターン21の接続パターン21a上に電気的に接続されており、この場合、ボンディングワイヤ4は、基板2の長手方向と略60°交差する方向に配置されて接合されている。したがって、交差角度が略60°となって斜めに配置されている。
以上のように本実施形態によれば、ボンディングワイヤ4を断線する方向に作用する応力やボンディングワイヤ4の接合が外れる方向に作用する応力は分散されて抑制され、小さなものとなり、ボンディングワイヤ4の断線や接合部の外れを防止できる。
次に、本発明の第3の実施形態について図6及び図7を参照して説明する。図は、発光装置1を示している。なお、第1の実施形態と同一又は相当部分には同一符号を付し重複した説明は省略する。
(実施例1)
図6に示すように、本実施例では、配線パターン21は、基本的に実装パッド21aとこの実装パッド21aから延出する給電導体21bとからなる複数の櫛状のパターンで形成され、このパターンを順次、図示上、反転された態様で列状に並べて形成されている。実装パッド21aは、矩形状であり、この角部から細長の給電導体21bが延出している。
配線パターン21は、三層構成であり、基板2の表面上に第一層として銅パターンがエッチングにより設けられている。この銅パターン層の上には、第二層としてニッケル(Ni)がめっき処理されており、第三層には、銀(Ag)が電解めっき処理されている。配線パターン21の第三層、すなわち、表層は、いずれも銀(Ag)めっきが施されており、全光線反射率は、90%と高いものとなって反射層を形成している。この配線パターン21は、発光素子3から基板2の方向へ放射される光を光の利用方向へ反射するとともに、発光素子3の発熱を拡散して放熱するヒートスプレッダとしての機能を有している。
発光素子3であるLEDのベアチップは、実装パッド21a上に2個ずつシリコーン樹脂系の絶縁性接着剤を用いて接着されている。そして、各LEDのベアチップは、プラス側端子からボンディングワイヤ4、LEDのベアチップのプラス側電極、マイナス側電極からボンディングワイヤ4、実装パッド21aを経て給電導体21bへと順次接続されてマイナス側端子へ接続されている。
また、ボンディングワイヤ4は、基板2の長手方向と交差する方向、具体的には、直交する方向で交差角度が略90°となって配置され接合されている。
さらに、封止部材5は、実装パッド21aごとに発光素子3、ボンディングワイヤ4を覆い封止している。
このような構成によれば、第1の実施形態と同様に、ボンディングワイヤ4を断線する方向に作用する応力やボンディングワイヤ4の接合が外れる方向に作用する応力は抑制され、最小となり、ボンディングワイヤ4の断線や接合部の外れを防止できる。
(実施例2)
図7に示すように、本実施例では、前記実施例1と配線パターン21が異なる形態を示している。実装パッド212aは、中央部に切欠き部212cを有する矩形状であり、この角部から細長の給電導体212bがコの字状に延出している。コの字状の給電導体212bが隣接する実装パッド212aの切欠き部212cに挿入するように配置されて、こられパターンが順次図示上、反転された態様で列状に並べて形成されている。
発光素子3であるLEDのベアチップは、実装パッド21a上に4個ずつシリコーン樹脂系の絶縁性接着剤を用いて接着されている。そして、各LEDのベアチップは、プラス側端子からボンディングワイヤ4、LEDのベアチップのプラス側電極、マイナス側電極からボンディングワイヤ4、実装パッド21aを経て給電導体21bへと順次接続されてマイナス側端子へ接続されている。
また、実施例1と同様に、ボンディングワイヤ4は、基板2の長手方向と直交する方向で交差角度が略90°となって配置され接合されている。さらに、封止部材5は、実装パッド21aごとに発光素子3、ボンディングワイヤ4を覆い封止している。
このような構成によれば、第1の実施形態と同様に、ボンディングワイヤ4の断線や接合部の外れを防止できる。
次に、本発明の第4の実施形態について図8を参照して説明する。図は、発光装置1を示している。なお、第1の実施形態と同一又は相当部分には同一符号を付し重複した説明は省略する。
本実施形態では、隣接する発光素子3の異極の電極同士を相互に直接ボンディングワイヤ4で接続するものであり、ボンディングワイヤ4は、基板2の長手方向と交差する方向で斜めに配置されて接合されている。
発光装置1は、基板2と、複数の発光素子3と、各発光素子3の電極に接続されたボンディングワイヤ4と、封止部材5と、枠部材6とを備えている。
基板2上には、長方形状の実装パッド22及びこの実装パッド22の両側に位置してプラス側端子23a、マイナス側端子23bが形成されている。これら実装パッド22及びプラス側端子23a、マイナス側端子23bは、上記第3の実施形態の配線パターンと同様に、三層構成であり、第一層として銅パターン層、第二層としてニッケル(Ni)のめっき層、第三層として銀(Ag)のめっき層からなっている。したがって、表層は、銀(Ag)めっきが施されており、反射率の高い反射層を形成している。
複数の発光素子3であるLEDのベアチップは、シリコーン樹脂系の絶縁性接着剤を用いて、実装パッド22上に接着されている。これら複数のLEDのベアチップは、マトリクス状に並べられて複数の列、例えば、4列の発光素子列を形成している。
LEDのベアチップは、プラス側電極及びマイナス側電極を有している。これら、電極は、ボンディングワイヤ4により電気的に直接接続されている。
具体的には、個々の発光素子列において、その列が延びる方向に隣接された発光素子3の異極の電極同士、つまり、隣接された発光素子3の内で一方の発光素子3のプラス側電極と、隣接された発光素子3の内で他方の発光素子3のマイナス側電極とがボンディングワイヤ4で順次接続されている。したがって、ボンディングワイヤ4は、基板2の長手方向と交差する方向で斜めに配置されて接合されている。
これによって、個々の発光素子列を構成する複数の発光素子3は電気的に直列に接続される。したがって、複数の発光素子3は通電状態で一斉に点灯される。なお、実装パッド22は、電気的には通電されないものとなっており、発光素子3から基板2の方向へ放射される光を光の利用方向へ反射するとともに、発光素子3の発熱を拡散して放熱するヒートスプレッダとしての機能を有している。
枠部材6は、例えば、ディスペンサを用いて所定の粘度を有する未硬化のシリコーン樹脂を基板2に枠状に塗布し、その後に加熱硬化することにより、基板2上に接着されている。この枠部材2は、長方形状に塗布され、実装パッド22と同様な略長方形状の内周面を有している。内周面で囲まれた枠部材6の内側に、実装パッド22の全体、プラス側端子23a及びマイナス側端子23bのボンディングワイヤ4の接続部分が配設されている。つまり、発光素子3の実装領域は、枠部材6によって囲まれた状態となっている。
封止部材5は、蛍光体を適量含有した透明シリコーン樹脂製であり、枠部材6の内側に充填されて基板2上に設けられて発光素子3の実装領域を封止している。
以上のように本実施形態によれば、ボンディングワイヤ4は、基板2の長手方向と交差する方向に配置されて接合されているので、ボンディングワイヤ4を断線する方向に作用する応力やボンディングワイヤ4の接合が外れる方向に作用する応力は分散されて抑制され、小さなものとなり、ボンディングワイヤ4の断線や接合部の外れを防止できる。
次に、本発明の第5の実施形態について図9乃至図17を参照して説明する。図は、発光装置1を示しており、図9乃至図11は、発光装置1の構成を示し、図12乃至図17は、ワイヤボンディングの概略のプロセスを示している。なお、第1の実施形態と同一又は相当部分には同一符号を付し重複した説明は省略する。
発光装置1は、図9乃至図11に示すように、基板2と、この基板2に実装された複数の発光素子3と、この複数の発光素子3を電気的に接続するボンディングワイヤ4と、各発光素子3を覆う封止部材5とを備えている。なお、図9及び図12において封止部材5は、説明上、破線で示している。
図9に示すように、基板2は、横長の略長方形状に形成されている。好ましくは、長尺状であり、例えば、幅寸法30mm、長さ寸法300mmに形成される。基板2は、非金属製であり、絶縁層を形成する絶縁材からなり、合成樹脂材料のガラスエポキシ樹脂基板(FR−4)やガラスコンポジット基板(CEM−3)等で形成され、弾力性を有し、柔軟で容易に曲がりやすいものとなっている。
図10に示すように、本実施形態では、配線パターン21は、実装パッド21aと、この実装パッド21aと並行するように形成された給電導体21bとからなっている。実装パッド21aは、所定の幅寸法を有して基板2の長手方向に沿って複数の列、すなわち、2列形成されており、また、給電導体21bは、細幅で実装パッド21aと並行して2列形成されている。これら実装パッド21a及び給電導体21bの一端側が電源に接続されて電力が供給されるようになっている。
配線パターン21は、三層構成であり、基板2の表面上に第一層として銅パターンが設けられており、第二層としてニッケル(Ni)、第三層として銀(Ag)が電解めっき処理されている。配線パターン21の第三層、すなわち、表層は、銀(Ag)めっきが施されているため反射率の高い反射層となっている。この配線パターン21は、発光素子3から基板2の方向へ放射される光を光の利用方向へ反射するとともに、発光素子3の発熱を拡散して放熱するヒートスプレッダとしての機能を有している。
また、図9及び図11に示すように、配線パターン21の上には、白色のレジスト層25が形成されている。このレジスト層25は、反射層としての機能を有しており、発光素子3から基板2の方向へ放射される光を光の利用方向へ反射するようになっている。
レジスト層25は、発光素子3が実装される実装パッド21aの円形状の領域S1及びボンディングワイヤ4が接合される領域S2を除いて基板2の表面上の略全面に亘って形成されている。
複数の発光素子3は、LEDのベアチップからなる。このLEDのベアチップは、シリコーン樹脂系の絶縁性接着剤を用いて、実装パッド21a上に接着されている。これら複数の発光素子3は、前記実装パッド21aに沿って並べられて発光素子列を形成し、例えば、16個×2列で合計36個が長手方向に沿って実装されている。なお、発光素子3の個数や列数は、格別限定されるものではない。
LEDのベアチップにおけるプラス側電極とマイナス側電極とは、ボンディングワイヤ4によって、それぞれ給電導体21b及び実装パッド21aに電気的に接続されている。この場合、ボンディングワイヤ4は、基板2の長手方向と交差する方向に配置されて接合されている。本実施形態では、この交差角度は、略90°となっている。交差角度は、応力抑制の効果からして45°以上に設定するのが好ましいが、特定の値に限定されるものではない。
LEDのベアチップは、ボンディングワイヤ4によってプラス側の給電導体21bからプラス側電極、また、ボンディングワイヤ4によってマイナス側電極からマイナス側の実装パッド21aへと順次連続的に、かつ電気的に接続されている。
封止部材5は蛍光体層である。蛍光体層は、例えば、透明シリコーン樹脂製であり、蛍光体を適量含有している。図11に示すように、蛍光体層は、側面形状が円弧状の凸状をなし、発光素子列に従い、発光素子列とボンディングワイヤ4の接合部分を覆い封止している。
このような構成によれば、第1の実施形態と同様に、ボンディングワイヤ4の断線や接合部の外れを防止できる。
次に、図12乃至図17を参照してワイヤボンディングのプロセスについて説明する。本実施形態では、ワイヤボンディングマシーンを用いてボンディングワイヤ4を超音波接合する事例を説明する。
図12に示すように、ボンディングワイヤ4の接合順序は、(1)ボンディングワイヤ4を発光素子3のプラス側電極に接合、(2)そのボンディングワイヤ4を給電導体21bの領域S2に接合、(3)ボンディングワイヤ4を発光素子3のマイナス側電極に接合、(4)そのボンディングワイヤ4を実装パッド21aの領域S1に接合、次いで、図示上、下側の発光素子列において、(5)ボンディングワイヤ4を発光素子3のプラス側電極に接合、(6)そのボンディングワイヤ4を給電導体21bの領域S2に接合、(7)ボンディングワイヤ4を発光素子3のマイナス側電極に接合、(8)そのボンディングワイヤ4を実装パッド21aの領域S1に接合、というような順序で行われ、このボンディングワイヤ4の接合が繰り返し隣接する発光素子3について連続的に行われる。
続いて、具体的に、ボンディングワイヤ4の接合工程について図13乃至図17を参照して説明する。
図13(a)に示すように、基板2の実装パッド21a上に発光素子3が接着固定されている。この発光素子3の真上(発光素子3のプラス側電極の真上)には、ボンディングツールである筒状のキャピラリCが位置している。このキャピラリCの中央部には貫通孔が形成されていて、この貫通孔にはボンディングワイヤ4が挿通され、さらに、ボンディングワイヤ4の先端部には図示しない電気トーチによって形成された球形状のボールBが形成されている。なお、キャピラリCの上方には、ワイヤクランパCpが設けられている。
この状態から図13(b)に示すように、キャピラリCが降下すると、発光素子3のプラス側電極とボンディングワイヤ4のボールBとが接触し、キャピラリCによる荷重と超音波振動とがボールBに加えられ、発光素子3のプラス側電極にボンディングワイヤ4が接合される。このように1stボンドが形成される。この場合、図の矢印A1で示のように、超音波振動の方向は、基板2の長手方向と直交する方向に設定されている。
1stボンドが形成されると、図13(c)に示すように、キャピラリCが上昇し、次の2ndボンドの位置、すなわち、給電導体21bの領域S2の位置まで移動する。このとき、発光素子3のプラス側電極にボンディングワイヤ4が接合されているため、ボンディングワイヤ4は、キャピラリCの移動に伴い、キャピラリCの先端部から引き出されながら引き伸ばされる。
次に、図14(a)に示すように、キャピラリCが降下すると、給電導体21bの領域S2とキャピラリCの先端部におけるボンディングワイヤ4とが接触し、キャピラリCによる荷重と超音波振動とがボンディングワイヤ4に加えられ、2ndボンドが形成される。
2ndボンドが形成されると、図14(b)に示すように、キャピラリCが上昇する。この上昇とともに、ボンディングワイヤ4が給電導体21bの領域S2に接合された状態で上方に引っ張られ、これによりボンディングワイヤ4は接合部で切断される。また、前記キャピラリCの上昇過程でボンディングワイヤ4の先端部に電気トーチによってボールBが形成される。このようにワイヤボンディングの1サイクルが完了する。
続いて、図15(a)に示すように、発光素子3のマイナス側電極の真上にキャピラリCが移動し位置している。この状態から図15(b)に示すように、キャピラリCが降下すると、発光素子3のマイナス側電極とボンディングワイヤ4のボールBとが接触し、キャピラリCによる荷重と超音波振動とがボールBに加えられ、発光素子3のマイナス側電極にボンディングワイヤ4が接合され、1stボンドが形成される。
次に、図15(c)に示すように、キャピラリCが上昇し、次の実装パッド21aの領域S1における2ndボンドの位置まで移動する。このとき、上述と同様に、発光素子3のマイナス側電極にボンディングワイヤ4が接合されているため、ボンディングワイヤ4は、キャピラリCの移動に伴い、キャピラリCの先端部から引き出されながら引き伸ばされる。
次に、図16(a)に示すように、キャピラリCが降下すると、実装パッド21aの領域S1とキャピラリCの先端部におけるボンディングワイヤ4とが接触し、キャピラリCによる荷重と超音波振動とがボンディングワイヤ4に加えられ、2ndボンドが形成される。
2ndボンドが形成されると、図16(b)に示すように、キャピラリCが上昇する。この上昇とともに、ボンディングワイヤ4が実装パッド21aの領域S1に接合された状態で上方に引っ張られ、これによりボンディングワイヤ4は接合部で切断される。また、前記キャピラリCの上昇過程でボンディングワイヤ4の先端部に電気トーチによってボールBが形成される。
次に、図17に示すように、キャピラリCは、図示上、下側の発光素子列へ移動し、上記と同様なワイヤボンディングの動作を行うようになる。この場合、複数の発光素子3は、基板2の長手方向に複数の列を形成して配設されているので、キャピラリCは、図の矢印A2で示すように、基板2の長手方向と略直交する方向に移動される。このボンディングワイヤ4の接合が繰り返し隣接する発光素子3について、図12上、右側方向へ連続的に行われる。
上記のように、ボンディングワイヤ4を超音波接合するにあたり、その超音波振動の方向は、基板2の長手方向と直交する方向に設定されおり、また、例えば、1stボンド、2ndボンドにおいて、キャピラリCの移動方向は、基板2の長手方向と略直交する方向とすることができ(図12参照)、さらにまた、複数の発光素子3は、基板2の長手方向に複数の列を形成して配設されているので、キャピラリCは、基板2の長手方向と略直交する方向に移動される。
したがって、ボンディングワイヤ4は、超音波接合による基板2の長手方向と直交する方向の振動によって接合されるようになっており、この振動の方向とボンディングツールとしてのキャピラリCの移動方向とを同じような方向とすることができ、このためボンディングワイヤ4の接合の性能を安定化させることが可能となる。
この接合の性能を安定化させることが可能な理由を理論付けて説明することは困難であるが、キャピラリCの移動による慣性力が超音波振動の方向と同じ方向に作用することに起因するものと考えられる。
また、基板2の長手方向に並べられて実装された複数の発光素子3は、長手方向に複数の列を形成しているので、ボンディングワイヤ4の接合工程、すなわち、キャピラリCの移動が主として基板2の長手方向と略直交する方向に連続して行えるためワイヤボンディングマシーンの搬送工程を容易とすることができる。
さらに、図18に示すように、ボンディングワイヤ4の接合部の形状は、超音波接合における超音波振動の方向によって基板2の長手方向の寸法Wに対し、長手方向と直交する方向の寸法Lが大きく形成されるようになる。
したがって、基板2が柔軟で容易に曲がりやすいものとなっている場合、この基板2が屈曲された場合にもボンディングワイヤ4の接合部にかかる応力を軽減でき、強度的に有利な接合部を形成することができる。
なお、前記接合部の形状における寸法関係は、必ずしも基板2上の全てのボンディングワイヤ4の接合部において充足されている必要はない。例えば、基板2の長手方向の寸法Wと長手方向と直交する方向の寸法Lとが略同じである接合部が含まれているような場合を許容するものである。
本発明は、上記各実施形態の構成に限定されることなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。例えば、本発明の基板は、ガラスエポキシ樹脂等の合成樹脂材料で形成され、弾力性を有し、容易に曲がりやすいものを用いる場合に好適であるが、アルミニウム等の金属をベースとする金属製基板を適用することを妨げるものではない。
また、照明装置としては、光源や屋内又は屋外で使用される照明器具、ディスプレイ装置等に適用が可能である。
1・・・発光装置、2・・・基板、3・・・発光素子(LEDのベアチップ)、
4・・・ボンディングワイヤ、5・・・封止部材、10・・・照明装置、
11・・・本体ケース

Claims (6)

  1. 基板と;
    この基板の長手方向に並べられて実装された複数の発光素子と;
    これら発光素子を電気的に接続するとともに、前記基板の長手方向と交差する方向に配置されて接合されたボンディングワイヤと;
    を具備することを特徴とする発光装置。
  2. 前記基板は、弾力性を有する非金属製の基板であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記ボンディングワイヤが基板の長手方向と交差する方向の角度は、略90°であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の発光装置。
  4. 前記基板の長手方向に並べられて実装された複数の発光素子は、長手方向に複数の列を形成していることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の発光装置。
  5. 前記ボンディングワイヤの接合部の形状は、基板の長手方向の寸法に対し、長手方向と直交する方向の寸法が大きく形成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の発光装置。
  6. 本体と;
    この本体に配設された請求項1乃至請求項5のいずれか一に記載の発光装置と;
    を具備することを特徴とする照明装置。
JP2010235515A 2010-02-03 2010-10-20 発光装置及び照明装置 Pending JP2011181888A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010235515A JP2011181888A (ja) 2010-02-03 2010-10-20 発光装置及び照明装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010021899 2010-02-03
JP2010021899 2010-02-03
JP2010235515A JP2011181888A (ja) 2010-02-03 2010-10-20 発光装置及び照明装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011181888A true JP2011181888A (ja) 2011-09-15

Family

ID=44693052

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010235515A Pending JP2011181888A (ja) 2010-02-03 2010-10-20 発光装置及び照明装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011181888A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013164571A (ja) * 2012-01-10 2013-08-22 Rohm Co Ltd Ledフラッシュモジュール、ledモジュール、及び撮像装置
JP2015195349A (ja) * 2014-03-28 2015-11-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2016524322A (ja) * 2013-05-08 2016-08-12 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子
JP2016207757A (ja) * 2015-04-17 2016-12-08 シチズン電子株式会社 Led発光装置およびその製造方法
JPWO2016047133A1 (ja) * 2014-09-26 2017-07-06 東芝ホクト電子株式会社 発光モジュール
JPWO2016047132A1 (ja) * 2014-09-26 2017-07-13 東芝ホクト電子株式会社 発光モジュール
JP2018137280A (ja) * 2017-02-20 2018-08-30 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2019087658A (ja) * 2017-11-08 2019-06-06 シチズン時計株式会社 Ledモジュール
CN117055260A (zh) * 2023-08-23 2023-11-14 深圳市汇晨电子股份有限公司 一种mini LED背光源

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013164571A (ja) * 2012-01-10 2013-08-22 Rohm Co Ltd Ledフラッシュモジュール、ledモジュール、及び撮像装置
JP2016524322A (ja) * 2013-05-08 2016-08-12 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子
JP2015195349A (ja) * 2014-03-28 2015-11-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JPWO2016047133A1 (ja) * 2014-09-26 2017-07-06 東芝ホクト電子株式会社 発光モジュール
JPWO2016047132A1 (ja) * 2014-09-26 2017-07-13 東芝ホクト電子株式会社 発光モジュール
US10991866B2 (en) 2014-09-26 2021-04-27 Toshiba Hokuto Electronics Corporation Light emitting module
JP2016207757A (ja) * 2015-04-17 2016-12-08 シチズン電子株式会社 Led発光装置およびその製造方法
JP2018137280A (ja) * 2017-02-20 2018-08-30 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2019087658A (ja) * 2017-11-08 2019-06-06 シチズン時計株式会社 Ledモジュール
JP7113608B2 (ja) 2017-11-08 2022-08-05 シチズン時計株式会社 Ledモジュール
CN117055260A (zh) * 2023-08-23 2023-11-14 深圳市汇晨电子股份有限公司 一种mini LED背光源

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011181888A (ja) 発光装置及び照明装置
JP5522462B2 (ja) 発光装置及び照明装置
JP5788149B2 (ja) 発光装置及び照明装置
JP2011071242A (ja) 発光装置及び照明装置
JP2006295085A (ja) 発光ダイオード光源ユニット
JP2008277561A (ja) 照明装置
JP2012004391A (ja) 発光装置及び照明装置
JP2008244165A (ja) 照明装置
JP5187746B2 (ja) 発光装置
KR101055074B1 (ko) 발광 장치
JP2008130735A (ja) 発光装置の製造方法
JP2008103401A (ja) 上下電極型発光ダイオード用パッケージおよび上下電極型発光ダイオード用パッケージの製造方法
JP5515822B2 (ja) 発光装置及び照明装置
JP5333771B2 (ja) 発光装置及び照明装置
WO2012057163A1 (ja) 発光装置及び照明装置
JP2010080796A (ja) 照明装置
JP5769129B2 (ja) 発光装置及び照明装置
JP2011129416A (ja) 照明ユニット及び照明装置
JP2011166036A (ja) 発光装置及び照明装置
JP2011096876A (ja) 発光装置及び照明装置
TWI601909B (zh) 發光裝置及其製造方法
JP2012094661A (ja) 発光装置及び照明装置
JP2012004412A (ja) 発光装置及び照明装置
JP2009081349A (ja) 照明装置
KR101523000B1 (ko) 3차원 조명장치