CN104950541A - Boa型液晶显示面板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供BOA型液晶显示面板及其制作方法。该BOA型液晶显示面板设置TFT(T)整体位于第一黑色矩阵(12)上，进一步地，在TFT(T)与钝化保护层(18)之间设置第二黑色矩阵(17)，所述第二黑色矩阵(17)与第一黑色矩阵(12)完全包围TFT(T)，能够遮挡来自于阵列基板(1)下方的背光模组射向有源层(14)的光线以及来自于侧面及上方的射向有源层(14)的反射光线，更好地防止光线照射到TFT的有源层，避免产生光漏电流，保证TFT器件的性能稳定，改善画面显示品质。该BOA型液晶显示面板的制作方法，一方面能够有效解决因背光光线照射到TFT的有源层而产生光漏电流问题，一方面节省掩模板，缩短制程时间，提高生产效率。

Description

BOA型液晶显示面板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种BOA型液晶显示面板及其制作方法。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括背光模组(backlight module)及结合与背光模组上的液晶显示面板。
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)中的液晶显示面板一般是由彩膜基板(Color Filter，CF)、薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)、以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。
阵列基板中的重要组成部分薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是一种由半导体薄膜材料制成的绝缘栅场效应晶体管，其中的有源层(Active Layer)对光线非常敏感，微小的光强变化也会影响TFT器件的特性，即在TFT导通时，即使受到微弱光线的照射，对应于源极与漏极之间的有源层中会产生光漏电流(Photo Ioff)，随着Photo Ioff的增加，TFT器件的特性会显著下降，导致LCD显示时出现图像串扰(Cross talk)、闪烁(Flicker)以及残像等问题，影响显示画面质量。
如图1所示，传统的液晶显示面板包括相对设置的阵列基板100与彩膜基板200、及夹设于二者之间的液晶层300。在阵列基板100一侧自下而上依次设置有下基板110、栅极120、栅极绝缘层130、有源层140、源/漏极150、钝化保护层160、及像素电极170等，所述栅极120、栅极绝缘层130、有源层140、及源/漏极150构成TFT；在彩膜基板200一侧则设置上基板210、黑色矩阵220(Black Matrix，BM)、色阻层230、及公共电极240等。不透光的BM220设置于彩膜基板200一侧，即“BM On CF”，且BM220对应位于TFT、栅线(Gateline)以及数据线(Data line)上方，用来遮挡TFT、Gate Line、以及Data Line位置处的的漏光，保持显示品质。
然而这种“BM On CF”型的液晶显示面板无法遮挡来自于阵列基板100下方的背光模组射向有源层140的光线，从而不可避免的会产生光漏电流，影响TFT器件的性能及画面显示品质。另外，在将阵列基板100与彩膜基板200对组的工艺中，BM220很难与TFT、Gate Line、以及Data Line精准对位，同时，制作液晶显示面板所需的掩模板数量较多，制程时间较长，生产成本较高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种BOA型液晶显示面板，能够有效解决因背光光线照射到TFT的有源层而产生光漏电流问题，保证TFT器件的性能稳定，改善画面显示品质。
本发明的目的还在于提供一种BOA型液晶显示面板的制作方法，一方面能够有效解决因背光光线照射到TFT的有源层而产生光漏电流问题，保证TFT器件的性能稳定，改善画面显示品质，一方面节省掩模板，缩短制程时间，提高生产效率。
为实现上述目的，本发明提供了一种BOA型液晶显示面板，包括相对设置的阵列基板与彩膜基板、及夹设于阵列基板与彩膜基板之间的液晶层；
所述阵列基板包括下基板、设于下基板上的第一黑色矩阵、整体位于所述第一黑色矩阵上的TFT、覆盖所述TFT、第一黑色矩阵与下基板的钝化保护层、以及设于所述钝化保护层上且与TFT的源/漏极接触的像素电极；
所述彩膜基板包括上基板、设于所述上基板面向阵列基板一侧的色阻层、及覆盖所述色阻层与上基板的公共电极。
还包括设于TFT与钝化保护层之间的第二黑色矩阵，所述第二黑色矩阵与第一黑色矩阵完全包围TFT。
所述TFT为顶栅型结构，包括自下而上依次设于所述第一黑色矩阵上的源/漏极、有源层、栅极绝缘层、及栅极。
可选的，所述像素电极经由贯穿所述钝化保护层的过孔接触源/漏极。
可选的，所述像素电极经由贯穿所述钝化保护层与第二黑色矩阵的过孔接触源/漏极。
本发明还提供一种BOA型液晶显示面板的制作方法，在阵列基板一侧的下基板上制作出第一黑色矩阵后，制作整体位于所述第一黑色矩阵上的TFT；在彩膜基板一侧制作色阻层与公共电极。
在TFT上再制作第二黑色矩阵，使得第二黑色矩阵与第一黑色矩阵完全包围TFT；且制作所述第一黑色矩阵与第二黑色矩阵使用同一掩模板。
可选的，所述BOA型液晶显示面板的制作方法包括如下步骤：
步骤1、提供一下基板，在所述下基板上涂覆一层黑色树脂，使用第一道掩模板对黑色树脂进行图案化处理，形成第一黑色矩阵；
步骤2、在所述第一黑色矩阵与下基板上溅射或蒸镀一层金属薄膜，使用第二道掩模板对金属薄膜进行图案化处理，形成位于第一黑色矩阵上的源/漏极；
步骤3、通过化学气相沉积工艺在所述源/漏极与第一黑色矩阵上连续沉积半导体薄膜、绝缘薄膜，再溅射或蒸镀另一层金属薄膜，使用第三道掩模板对所述另一层金属薄膜、绝缘薄膜和半导体薄膜同时进行图案化处理，形成依次位于源/漏极与第一黑色矩阵上的有源层、栅极绝缘层、及栅极；
所述源/漏极、有源层、栅极绝缘层、及栅极构成TFT；
步骤4、通过化学气相沉积工艺在所述TFT与下基板上沉积钝化保护层，使用第四道掩模板对所述钝化保护层进行图案化处理，形成贯穿该钝化保护层的过孔，以暴露出部分源/漏极；
步骤5、在所述钝化保护层上沉积一层ITO薄膜，使用第五道掩模板对ITO薄膜进行图案化处理，形成像素电极，且像素电极经由所述过孔接触源/漏极，完成阵列基板的制作；
步骤6、提供一上基板，在所述上基板上依次制作色阻层、公共电极层，完成彩膜基板的制作；
然后将阵列基板与彩膜基板进行对组，在阵列基板与彩膜基板之间灌注液晶分子，形成液晶层，并对阵列基板与彩膜基板进行封装。
可选的，所述的BOA型液晶显示面板的制作方法包括如下步骤：
步骤1、提供一下基板，在所述下基板上涂覆一层黑色树脂，使用第一道掩模板对黑色树脂进行图案化处理，形成第一黑色矩阵；
步骤2、在所述第一黑色矩阵与下基板上溅射或蒸镀一层金属薄膜，使用第二道掩模板对金属薄膜进行图案化处理，形成位于第一黑色矩阵上的源/漏极；
步骤3、通过化学气相沉积工艺在所述源/漏极与第一黑色矩阵上连续沉积半导体薄膜、绝缘薄膜，再溅射或蒸镀另一层金属薄膜，使用第三道掩模板对所述另一层金属薄膜、绝缘薄膜和半导体薄膜同时进行图案化处理，形成依次位于源/漏极与第一黑色矩阵上的有源层、栅极绝缘层、及栅极；
所述源/漏极、有源层、栅极绝缘层、及栅极构成TFT；
步骤4、在所述TFT与下基板上涂覆另一层黑色树脂，仍使用第一道掩模板对所述另一层黑色树脂进行图案化处理，形成第二黑色矩阵，使得所述第二黑色矩阵与第一黑色矩阵完全包围TFT；
步骤5、通过化学气相沉积工艺在所述第二黑色矩阵与下基板上沉积钝化保护层，使用第四道掩模板对所述钝化保护层进行图案化处理，形成贯穿该钝化保护层与第二黑色矩阵的过孔，以暴露出部分源/漏极；
步骤6、在所述钝化保护层上沉积一层ITO薄膜，使用第五道掩模板对ITO薄膜进行图案化处理，形成像素电极，且像素电极经由所述过孔接触源/漏极，完成阵列基板的制作；
步骤7、提供一上基板，在所述上基板上依次制作色阻层、公共电极层，完成彩膜基板的制作；
然后将阵列基板与彩膜基板进行对组，在阵列基板与彩膜基板之间灌注液晶分子，形成液晶层，并对阵列基板与彩膜基板进行封装。
所述栅极与源/漏极的材料为钼、钛、铝、铜、镍中的一种或多种的堆栈组合，所述栅极绝缘层与钝化保护层的材料为氧化硅、氮化硅或二者的组合。
本发明的有益效果：本发明提供的一种BOA型液晶显示面板，TFT整体位于第一黑色矩阵上，第一黑色矩阵能够遮挡来自于阵列基板下方的背光模组射向有源层的光线，有效解决因光线照射到TFT的有源层而产生光漏电流问题，进一步地，在TFT与钝化保护层之间设置第二黑色矩阵，所述第二黑色矩阵与第一黑色矩阵完全包围TFT，能够遮挡来自于阵列基板下方的背光模组射向有源层的光线以及来自于侧面及上方的射向有源层的反射光线，更好地防止光线照射到TFT的有源层，避免产生光漏电流，保证TFT器件的性能稳定，改善画面显示品质。本发明提供的一种BOA型液晶显示面板的制作方法，在阵列基板一侧的下基板上制作出第一黑色矩阵后，制作整体位于所述第一黑色矩阵上的TFT，第一黑色矩阵能够遮挡来自于阵列基板下方的背光模组射向有源层的光线，有效解决因光线照射到TFT的有源层而产生光漏电流问题，进一步地，在TFT上再制作第二黑色矩阵，使得第二黑色矩阵与第一黑色矩阵完全包围TFT，能够遮挡来自于阵列基板下方的背光模组射向有源层的光线以及来自于侧面及上方的射向有源层的反射光线，更好地防止光线照射到TFT的有源层，避免产生光漏电流，保证TFT器件的性能稳定，改善画面显示品质；另外，使用一掩模板同时制作TFT的有源层、栅极绝缘层、及栅极，使用同一掩模板制作第一黑色矩阵与第二黑色矩阵，能够节省掩模板，缩短制程时间，提高生产效率。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为传统的BM On CF型液晶显示面板的结构示意图；
图2为本发明的BOA型液晶显示面板第一实施例的结构示意图；
图3为本发明的BOA型液晶显示面板第二实施例的结构示意图；
图4为本发明的BOA型液晶显示面板的制作方法的第一实施例的流程图；
图5为本发明的BOA型液晶显示面板的制作方法的第一实施例的步骤1的示意图；
图6为本发明的BOA型液晶显示面板的制作方法的第一实施例的步骤2的示意图；
图7为本发明的BOA型液晶显示面板的制作方法的第一实施例的步骤3的示意图；
图8为本发明的BOA型液晶显示面板的制作方法的第一实施例的步骤4的示意图；
图9为本发明的BOA型液晶显示面板的制作方法的第一实施例的步骤5的示意图；
图10为本发明的BOA型液晶显示面板的制作方法的第一实施例的步骤6的示意图；
图11为本发明的BOA型液晶显示面板的制作方法的第二实施例的流程图；
图12为本发明的BOA型液晶显示面板的制作方法的第二实施例的步骤1的示意图；
图13为本发明的BOA型液晶显示面板的制作方法的第二实施例的步骤2的示意图；
图14为本发明的BOA型液晶显示面板的制作方法的第二实施例的步骤3的示意图；
图15为本发明的BOA型液晶显示面板的制作方法的第二实施例的步骤4的示意图；
图16为本发明的BOA型液晶显示面板的制作方法的第二实施例的步骤5的示意图；
图17为本发明的BOA型液晶显示面板的制作方法的第二实施例的步骤6的示意图；
图18为本发明的BOA型液晶显示面板的制作方法的第二实施例的步骤7的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
本发明首先提供一种BOA型液晶显示面板，所谓BOA是指将黑色矩阵设置于阵列基板(BM On Array)一侧。请参阅图2，为本发明的BOA型液晶显示面板的第一实施例，包括相对设置的阵列基板1与彩膜基板2、及夹设于阵列基板1与彩膜基板2之间的液晶层3。
所述阵列基板1包括下基板11、设于下基板11上的第一黑色矩阵12、整体位于所述第一黑色矩阵12上的TFT T、覆盖所述TFT T、第一黑色矩阵12与下基板11的钝化保护层18、以及设于所述钝化保护层18上且与TFT T的源/漏极13接触的像素电极19。所述彩膜基板2包括上基板21、设于所述上基板21面向阵列基板1一侧的色阻层22、及覆盖所述色阻层22与上基板21的公共电极23。
优选的，所述TFT T为顶栅结构，包括自下而上依次设于所述第一黑色矩阵12上的源/漏极13、有源层14、栅极绝缘层15、及栅极16。所述像素电极19经由贯穿所述钝化保护层18的过孔181接触源/漏极13。
具体地，所述栅极16与源/漏极13的材料为钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)中的一种或多种的堆栈组合，所述栅极绝缘层15与钝化保护层18的材料为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或二者的组合，所述像素电极19的材料为氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)。
该第一实施例将TFT T整体设于第一黑色矩阵12上，第一黑色矩阵12能够遮挡来自于阵列基板下方的背光模组射向有源层14的光线，有效解决因光线照射到TFT T的有源层14而产生光漏电流问题，保证TFT器件的性能稳定，改善画面显示品质。
请参阅图3，为本发明的BOA型液晶显示面板的第二实施例，其与第一实施例的区别在于还包括设于TFT T与钝化保护层18之间的第二黑色矩阵17，所述第二黑色矩阵17与第一黑色矩阵12完全包围TFT T。所述像素电极19经由贯穿所述钝化保护层18与第二黑色矩阵17的过孔871接触源/漏极13。
该第二实施例进一步地在TFT T与钝化保护层18之间设置第二黑色矩阵17，所述第二黑色矩阵17与第一黑色矩阵12完全包围TFT T，既能够遮挡来自于阵列基板下方的背光模组射向有源层14的光线，又能够遮挡来自于侧面及上方的射向有源层14的反射光线，以更好地防止光线照射到TFT T的有源层14，避免产生光漏电流，保证TFT器件的性能稳定，改善画面显示品质。
本发明还提供一种BOA型液晶显示面板的制作方法，请参阅图4，为本发明的BOA型液晶显示面板的制作方法的第一实施例的流程图，该第一实施例对应制作图2所示的BOA型液晶显示面板，包括如下步骤：
步骤1、如图5所示，提供一下基板11，在所述下基板11上涂覆一层黑色树脂，使用第一道掩模板对黑色树脂进行图案化处理，形成第一黑色矩阵12。
具体地，所述下基板11优选为玻璃基板。所述图案化处理先后包括曝光、显影、蚀刻等工艺过程。
步骤2、如图6所示，在所述第一黑色矩阵12与下基板11上溅射或蒸镀一层金属薄膜，使用第二道掩模板对金属薄膜进行图案化处理，形成位于第一黑色矩阵12上的源/漏极13。
具体地，所述金属薄膜即所述源/漏极13的材料为Mo、Ti、Al、Cu、Ni中的一种或多种的堆栈组合。所述图案化处理先后包括曝光、显影、湿蚀刻等工艺过程。
步骤3、如图7所示，通过化学气相沉积工艺在所述源/漏极13与第一黑色矩阵12上连续沉积半导体薄膜、绝缘薄膜，再溅射或蒸镀另一层金属薄膜，使用第三道掩模板对所述另一层金属薄膜、绝缘薄膜和半导体薄膜同时进行图案化处理，形成依次位于源/漏极13与第一黑色矩阵12上的有源层14、栅极绝缘层15、及栅极16。所述源/漏极13、有源层14、栅极绝缘层15、及栅极16构成TFT T。
具体地，所述绝缘薄膜即栅极绝缘层15的材料为SiOx、SiNx或二者的组合；所述另一层金属薄膜即栅极16的材料为Mo、Ti、Al、Cu、Ni中的一种或多种的堆栈组合。所述图案化处理先后包括曝光、显影、湿蚀刻、干蚀刻等工艺过程。
步骤4、如图8所示，通过化学气相沉积工艺在所述TFT T与下基板11上沉积钝化保护层18，使用第四道掩模板对所述钝化保护层18进行图案化处理，形成贯穿该钝化保护层18的过孔181，以暴露出部分源/漏极13。
具体地，所述钝化保护层18的材料为SiOx、SiNx或二者的组合。所述图案化处理先后包括曝光、显影、干蚀刻等工艺过程。
步骤5、如图9所示，在所述钝化保护层18上沉积一层ITO薄膜，使用第五道掩模板对ITO薄膜进行图案化处理，形成像素电极19，且像素电极19经由所述过孔181接触源/漏极13，完成阵列基板1的制作。
具体地，所述图案化处理先后包括曝光、显影、蚀刻等工艺过程。
步骤6、如图10所示，提供一上基板21，在所述上基板21上依次制作色阻层22、公共电极层23，并在公共电极层23上形成光阻间隔物(未图示)，完成彩膜基板2的制作；然后将阵列基板1与彩膜基板2进行对组，在阵列基板1与彩膜基板2之间灌注液晶分子，形成液晶层3，并对阵列基板1与彩膜基板2进行封装。
具体地，所述上基板21优选为玻璃基板。
上述BOA型液晶显示面板的制作方法的第一实施例，在阵列基板1一侧的下基板11上制作出第一黑色矩阵12后，制作整体位于所述第一黑色矩阵12上的TFT T，第一黑色矩阵12能够遮挡来自于阵列基板下方的背光模组射向有源层14的光线，能够有效解决因光线照射到TFT T的有源层14而产生光漏电流问题，保证TFT器件的性能稳定，改善画面显示品质。另外，使用一掩模板同时制作TFT T的有源层14、栅极绝缘层15、及栅极16，能够节省掩模板，缩短制程时间，提高生产效率。
请参阅图11，为本发明的BOA型液晶显示面板的制作方法的第二实施例的流程图，该第二实施例对应制作图3所示的BOA型液晶显示面板，包括如下步骤：
步骤1、如图12所示，提供一下基板11，在所述下基板11上涂覆一层黑色树脂，使用第一道掩模板对黑色树脂进行图案化处理，形成第一黑色矩阵12。
具体地，所述下基板11优选为玻璃基板。所述图案化处理先后包括曝光、显影、蚀刻等工艺过程。
步骤2、如图13所示，在所述第一黑色矩阵12与下基板11上溅射或蒸镀一层金属薄膜，使用第二道掩模板对金属薄膜进行图案化处理，形成位于第一黑色矩阵12上的源/漏极13。
具体地，所述金属薄膜即所述源/漏极13的材料为Mo、Ti、Al、Cu、Ni中的一种或多种的堆栈组合。所述图案化处理先后包括曝光、显影、湿蚀刻等工艺过程。
步骤3、如图14所示，通过化学气相沉积工艺在所述源/漏极13与第一黑色矩阵12上连续沉积半导体薄膜、绝缘薄膜，再溅射或蒸镀另一层金属薄膜，使用第三道掩模板对所述另一层金属薄膜、绝缘薄膜和半导体薄膜同时进行图案化处理，形成依次位于源/漏极13与第一黑色矩阵12上的有源层14、栅极绝缘层15、及栅极16。所述源/漏极13、有源层14、栅极绝缘层15、及栅极16构成TFT T。
具体地，所述绝缘薄膜即栅极绝缘层15的材料为SiOx、SiNx或二者的组合；所述另一层金属薄膜栅极16的材料为Mo、Ti、Al、Cu、Ni中的一种或多种的堆栈组合。所述图案化处理先后包括曝光、显影、湿蚀刻、干蚀刻等工艺过程。
步骤4、如图15所示，在所述TFT T与下基板11上涂覆另一层黑色树脂，仍使用第一道掩模板对所述另一层黑色树脂进行图案化处理，形成第二黑色矩阵17，使得所述第二黑色矩阵17与第一黑色矩阵12完全包围TFT T。
步骤5、如图16所示，通过化学气相沉积工艺在所述第二黑色矩阵17与下基板11上沉积钝化保护层18，使用第四道掩模板对所述钝化保护层18进行图案化处理，形成贯穿该钝化保护层18与第二黑色矩阵17的过孔871，以暴露出部分源/漏极13。
具体地，所述钝化保护层18的材料为SiOx、SiNx或二者的组合。所述图案化处理先后包括曝光、显影、干蚀刻等工艺过程。
步骤6、如图17所示，在所述钝化保护层18上沉积一层ITO薄膜，使用第五道掩模板对ITO薄膜进行图案化处理，形成像素电极19，且像素电极19经由所述过孔871接触源/漏极13，完成阵列基板1的制作。
具体地，所述图案化处理先后包括曝光、显影、蚀刻等工艺过程。
步骤7、如图18所示，提供一上基板21，在所述上基板21上依次制作色阻层22、公共电极层23，并在公共电极层23上形成光阻间隔物(未图示)，完成彩膜基板2的制作；然后将阵列基板1与彩膜基板2进行对组，在阵列基板1与彩膜基板2之间灌注液晶分子，形成液晶层3，并对阵列基板1与彩膜基板2进行封装。
具体地，所述上基板21优选为玻璃基板。
上述BOA型液晶显示面板的制作方法的第二实施例，在阵列基板1一侧的下基板11上制作出第一黑色矩阵12后，制作整体位于所述第一黑色矩阵12上的TFT T，再在TFT T上再制作第二黑色矩阵17，使得第二黑色矩阵17与第一黑色矩阵12完全包围TFT T，能够遮挡来自于阵列基板1下方的背光模组射向有源层14的光线以及来自于侧面及上方的射向有源层14的反射光线，更好地防止光线照射到TFT T的有源层14，避免产生光漏电流，保证TFT器件的性能稳定，改善画面显示品质；另外，使用一掩模板同时制作TFT的有源层14、栅极绝缘层15、及栅极16，使用同一掩模板制作第一黑色矩阵12与第二黑色矩阵17，能够节省掩模板，缩短制程时间，提高生产效率。
综上所述，本发明的BOA型液晶显示面板，TFT整体位于第一黑色矩阵上，第一黑色矩阵能够遮挡来自于阵列基板下方的背光模组射向有源层的光线，有效解决因光线照射到TFT的有源层而产生光漏电流问题，进一步地，在TFT与钝化保护层之间设置第二黑色矩阵，所述第二黑色矩阵与第一黑色矩阵完全包围TFT，能够遮挡来自于阵列基板下方的背光模组射向有源层的光线以及来自于侧面及上方的射向有源层的反射光线，更好地防止光线照射到TFT的有源层，避免产生光漏电流，保证TFT器件的性能稳定，改善画面显示品质。本发明的BOA型液晶显示面板的制作方法，在阵列基板一侧的下基板上制作出第一黑色矩阵后，制作整体位于所述第一黑色矩阵上的TFT，第一黑色矩阵能够遮挡来自于阵列基板下方的背光模组射向有源层的光线，有效解决因光线照射到TFT的有源层而产生光漏电流问题，进一步地，在TFT上再制作第二黑色矩阵，使得第二黑色矩阵与第一黑色矩阵完全包围TFT，能够遮挡来自于阵列基板下方的背光模组射向有源层的光线以及来自于侧面及上方的射向有源层的反射光线，更好地防止光线照射到TFT的有源层，避免产生光漏电流，保证TFT器件的性能稳定，改善画面显示品质；另外，使用一掩模板同时制作TFT的有源层、栅极绝缘层、及栅极，使用同一掩模板制作第一黑色矩阵与第二黑色矩阵，能够节省掩模板，缩短制程时间，提高生产效率。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种BOA型液晶显示面板，其特征在于，包括相对设置的阵列基板(1)与彩膜基板(2)、及夹设于阵列基板(1)与彩膜基板(2)之间的液晶层(3)；
所述阵列基板(1)包括下基板(11)、设于下基板(11)上的第一黑色矩阵(12)、整体位于所述第一黑色矩阵(12)上的TFT(T)、覆盖所述TFT(T)、第一黑色矩阵(12)与下基板(11)的钝化保护层(18)、以及设于所述钝化保护层(18)上且与TFT(T)的源/漏极(13)接触的像素电极(19)；
所述彩膜基板(2)包括上基板(21)、设于所述上基板(21)面向阵列基板(1)一侧的色阻层(22)、及覆盖所述色阻层(22)与上基板(21)的公共电极(23)。
2.如权利要求1所述的BOA型液晶显示面板，其特征在于，还包括设于TFT(T)与钝化保护层(18)之间的第二黑色矩阵(17)，所述第二黑色矩阵(17)与第一黑色矩阵(12)完全包围TFT(T)。
3.如权利要求1或2所述的BOA型液晶显示面板，其特征在于，所述TFT(T)为顶栅型结构，包括自下而上依次设于所述第一黑色矩阵(12)上的源/漏极(13)、有源层(14)、栅极绝缘层(15)、及栅极(16)。
4.如权利要求3所述的BOA型液晶显示面板，其特征在于，所述像素电极(19)经由贯穿所述钝化保护层(18)的过孔(181)接触源/漏极(13)。
5.如权利要求3所述的BOA型液晶显示面板，其特征在于，所述像素电极(19)经由贯穿所述钝化保护层(18)与第二黑色矩阵(17)的过孔(871)接触源/漏极(13)。
6.一种BOA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，在阵列基板(1)一侧的下基板(11)上制作出第一黑色矩阵(12)后，制作整体位于所述第一黑色矩阵(12)上的TFT(T)；在彩膜基板(2)一侧制作色阻层(22)与公共电极(23)。
7.如权利要求6所述的BOA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，在TFT(T)上再制作第二黑色矩阵(17)，使得第二黑色矩阵(17)与第一黑色矩阵(12)完全包围TFT(T)；且制作所述第一黑色矩阵(12)与第二黑色矩阵(17)使用同一掩模板。
8.如权利要求6所述的BOA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于包括如下步骤：
步骤1、提供一下基板(11)，在所述下基板(11)上涂覆一层黑色树脂，使用第一道掩模板对黑色树脂进行图案化处理，形成第一黑色矩阵(12)；
步骤2、在所述第一黑色矩阵(12)与下基板(11)上溅射或蒸镀一层金属薄膜，使用第二道掩模板对金属薄膜进行图案化处理，形成位于第一黑色矩阵(12)上的源/漏极(13)；
步骤3、通过化学气相沉积工艺在所述源/漏极(13)与第一黑色矩阵(12)上连续沉积半导体薄膜、绝缘薄膜，再溅射或蒸镀另一层金属薄膜，使用第三道掩模板对所述另一层金属薄膜、绝缘薄膜和半导体薄膜同时进行图案化处理，形成依次位于源/漏极(13)与第一黑色矩阵(12)上的有源层(14)、栅极绝缘层(15)、及栅极(16)；
所述源/漏极(13)、有源层(14)、栅极绝缘层(15)、及栅极(16)构成TFT(T)；
步骤4、通过化学气相沉积工艺在所述TFT(T)与下基板(11)上沉积钝化保护层(18)，使用第四道掩模板对所述钝化保护层(18)进行图案化处理，形成贯穿该钝化保护层(18)的过孔(181)，以暴露出部分源/漏极(13)；
步骤5、在所述钝化保护层(18)上沉积一层ITO薄膜，使用第五道掩模板对ITO薄膜进行图案化处理，形成像素电极(19)，且像素电极(19)经由所述过孔(181)接触源/漏极(13)，完成阵列基板(1)的制作；
步骤6、提供一上基板(21)，在所述上基板(21)上依次制作色阻层(22)、公共电极层(23)，完成彩膜基板(2)的制作；
然后将阵列基板(1)与彩膜基板(2)进行对组，在阵列基板(1)与彩膜基板(2)之间灌注液晶分子，形成液晶层(3)，并对阵列基板(1)与彩膜基板(2)进行封装。
9.如权利要求7所述的BOA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于包括如下步骤：
步骤1、提供一下基板(11)，在所述下基板(11)上涂覆一层黑色树脂，使用第一道掩模板对黑色树脂进行图案化处理，形成第一黑色矩阵(12)；
步骤2、在所述第一黑色矩阵(12)与下基板(11)上溅射或蒸镀一层金属薄膜，使用第二道掩模板对金属薄膜进行图案化处理，形成位于第一黑色矩阵(12)上的源/漏极(13)；
步骤3、通过化学气相沉积工艺在所述源/漏极(13)与第一黑色矩阵(12)上连续沉积半导体薄膜、绝缘薄膜，再溅射或蒸镀另一层金属薄膜，使用第三道掩模板对所述另一层金属薄膜、绝缘薄膜和半导体薄膜同时进行图案化处理，形成依次位于源/漏极(13)与第一黑色矩阵(12)上的有源层(14)、栅极绝缘层(15)、及栅极(16)；
所述源/漏极(13)、有源层(14)、栅极绝缘层(15)、及栅极(16)构成TFT(T)；
步骤4、在所述TFT(T)与下基板(11)上涂覆另一层黑色树脂，仍使用第一道掩模板对所述另一层黑色树脂进行图案化处理，形成第二黑色矩阵(17)，使得所述第二黑色矩阵(17)与第一黑色矩阵(12)完全包围TFT(T)；
步骤5、通过化学气相沉积工艺在所述第二黑色矩阵(17)与下基板(11)上沉积钝化保护层(18)，使用第四道掩模板对所述钝化保护层(18)进行图案化处理，形成贯穿该钝化保护层(18)与第二黑色矩阵(17)的过孔(871)，以暴露出部分源/漏极(13)；
步骤6、在所述钝化保护层(18)上沉积一层ITO薄膜，使用第五道掩模板对ITO薄膜进行图案化处理，形成像素电极(19)，且像素电极(19)经由所述过孔(871)接触源/漏极(13)，完成阵列基板(1)的制作；
步骤7、提供一上基板(21)，在所述上基板(21)上依次制作色阻层(22)、公共电极层(23)，完成彩膜基板(2)的制作；
然后将阵列基板(1)与彩膜基板(2)进行对组，在阵列基板(1)与彩膜基板(2)之间灌注液晶分子，形成液晶层(3)，并对阵列基板(1)与彩膜基板(2)进行封装。
10.如权利要求8或9所述的BOA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述栅极(16)与源/漏极(13)的材料为钼、钛、铝、铜、镍中的一种或多种的堆栈组合，所述栅极绝缘层(15)与钝化保护层(18)的材料为氧化硅、氮化硅或二者的组合。
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