CN109471307A - 一种显示面板及其第一基板的制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板及其第一基板的制作方法，所述显示面板包括：第一基板，所述第一基板上设置有薄膜晶体管；第二基板，与所述第一基板对应设置；所述薄膜晶体管包括有栅极、设置在栅极上的栅极绝缘层和有源层以及源极和漏极；所述薄膜晶体管的沟道方向为内侧，源极和漏极远离沟道的方向为外侧；所述薄膜晶体管在远离第一基板的方向上，在源极的外侧面和漏极的外侧面分别设置有遮光层。本发明的显示面板可以有效遮挡从液晶层反射的光，从而降低漏电流。

Description

一种显示面板及其第一基板的制作方法
技术领域
本方案涉及显示技术领域，更具体的说，涉及一种显示面板及其第一基板的制作方法。
背景技术
液晶显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(BacklightModule)。液晶面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，并在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。
TFT-LCD薄膜液晶显示器主要采用每一个像素由一个TFT开关控制，TFT开关的栅极连在一起组成栅线，源极连在一起组成信号线。当在TFT的栅极G上施加电压时，可使TFT进入导通状态，同时显示数据通过信号线、导通的TFT到达TFT的漏极D上，在像素上形成电场并对液晶充电实现显示效果。
传统液晶显示装置的背光发出的光射入面板中后，光线在面板中经液晶层衍射或折射的光会有部分进入TFT的沟道内，影响显示效果。
发明内容
有鉴于现有技术的上述缺陷，本发明所要解决的技术问题是提供一种降低漏电流的显示面板及其第一基板的制作方法。
为实现上述目的，本发明提供了一种显示面板，包括：
第一基板，所述第一基板上设置有薄膜晶体管；
第二基板，与所述第一基板对应设置；
所述薄膜晶体管包括有栅极、设置在栅极上的栅极绝缘层和有源层以及源极和漏极；
所述薄膜晶体管的沟道方向为内侧，源极和漏极远离沟道的方向为外侧；
所述薄膜晶体管在远离第一基板的方向上，在源极的外侧面和漏极的外侧面分别设置有绝缘遮光层。
传统TFT经液晶层衍射或折射进入沟道内引起漏电流增大。本方案中，在源极的外侧面和漏极的外侧面分别设置有绝缘遮光层，可以有效遮挡从液晶层反射的光，从而降低漏电流。
可选的，所述的遮光层为绝缘遮光层，所述薄膜晶体管的源极直接与绝缘遮光层接触，所述薄膜晶体管的漏极直接与绝缘遮光层接触。
本方案中，薄膜晶体管的源极和漏极直接和绝缘遮光层接触，直接接触最紧密，因此遮光效果最好。
可选的，所述薄膜晶体管的栅极的外侧方向上，所述栅极绝缘层的上方对应源极的一侧且未被所述源极覆盖的上表面也设置有绝缘遮光层。
源极一侧的绝缘遮光层覆盖的范围更广，能更好的防止光的进入，更好的降低关态漏电流。
可选的，所述薄膜晶体管的栅极的外侧方向上，所述栅极绝缘层的上方对应漏极的一侧且未被所述漏极覆盖的上表面也设置有绝缘遮光层。
漏极一侧的绝缘遮光层覆盖的范围更广，能更好的吸光防止光的进入，更好的降低漏电流。
可选的，所述绝缘遮光层利用高精度喷涂设备喷涂形成。
高精度Inkjet设备的喷射精度为1微米，操作工序更简单，不需要曝光显影。
可选的，所述薄膜晶体管的沟道处不设置有绝缘遮光层。
本方案中，源极和漏极之间的沟道不设置有绝缘遮光层，以避免在加工绝缘遮光层的工艺中对沟道区域产生不良影响；尤其是对采用高精度喷涂设备喷涂制程绝缘遮光层的方案来说，由于沟道内的非晶硅对水等材料非常敏感，需要额外设置保护层保护沟道材料，处理不好就可能引起漏电流的增大，导致残影(IS)的出现，因此绝缘遮光层不涂布在薄膜晶体管的沟道处，其对沟道区的影响最小，制程最简单。
可选的，所述源极和漏极在靠近沟道的上表面不设置有绝缘遮光层，在远离沟道的上表面设置有绝缘遮光层。
本方案中，源极和漏极的在靠近沟道的上表面不设置有绝缘遮光层，以避免在加工绝缘遮光层的工艺中的工艺误差对沟道区域产生不良影响；在远离沟道的源极和漏极的上表面也设置有绝缘遮光层，以使得源极和漏极边缘交接处的遮光效果更好。
可选的，所述源极和漏极的上表面均不设置有绝缘遮光层，所述绝缘遮光层仅设置在所述源极的外侧面和漏极的外侧面。
由于源极和漏极本身就具有遮光效果，源极和漏极在远离沟道的上表面也可同样不设置有绝缘遮光层，这样的设计对加工精度的要求较高。
本发明还公开了一种显示面板的第一基板的制作方法，包括在第一基板上形成薄膜晶体管的步骤；
所述形成薄膜晶体管的步骤包括有形成栅极、形成栅极绝缘层和有源层以及源极和漏极的步骤；
其中，所述形成薄膜晶体管的步骤还包括有在薄膜晶体管远离第一基板的方向上源极的外侧面和漏极的外侧面分别形成遮光层的步骤，所述薄膜晶体管的沟道方向为内侧，源极和漏极远离沟道的方向为外侧。
可选的，所述形成薄膜晶体管的步骤包括：
A：形成栅极、栅极绝缘层和有源层以及源极和漏极；
B：在源极的外侧面和漏极的外侧面分别通过高精度喷涂设备喷涂绝缘遮光层。
发明人研究发现，由于理想TFT-LCD显示器的TFT的开态电流越大越好，关态电流越小越好。但是TFT的显示主要采用“背透式”的照射方式，即使采用底栅结构。仍然有部分衍射或散射光等进入TFT沟道内引起关态漏电流的增大，从而影响显示效果，甚至产生Image sticking。本方案中，在源极的外侧面和漏极的外侧面分别设置有绝缘遮光层，可以有效遮挡从液晶层反射的光从TFT的外侧面进入TFT沟道内，从而降低关态漏电流。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
图1是本发明实施例一种显示面板的示意图；
图2是本发明实施例一种涂布绝缘遮光层的示意图；
图3是本发明实施例另一种涂布绝缘遮光层的示意图；
图4是本发明实施例一种显示面板的第一基板的制作方法图。
其中，10、第一基板；20、栅极；30、栅极绝缘层；40、有源层；41、非晶硅层；42、掺杂层；50、源极；60、漏极；70、绝缘遮光层。
具体实施方式
这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
如图1至图3所示，本发明实施例公布了一种显示面板，包括：
第一基板10，所述第一基板10上设置有薄膜晶体管；
第二基板，与所述第一基板10对应设置；
所述薄膜晶体管包括有栅极20、设置在栅极20上的栅极绝缘层30和有源层40以及源极50和漏极60；
所述薄膜晶体管的沟道方向为内侧，源极50和漏极60远离沟道的方向为外侧；
所述薄膜晶体管在远离第一基板10的方向上，在源极50的外侧面及栅极绝缘层30的上方对应源极50的一侧且未被所述源极50覆盖的上表面设置有绝缘遮光层70，在漏极60的外侧面及栅极绝缘层30的上方对应漏极60的一侧且未被所述漏极60覆盖的上表面有绝缘遮光层70，所述绝缘遮光层70用高精度喷涂(Inkjet)设备喷涂。
由于理想TFT-LCD显示器的TFT的开态电流越大越好，关态电流越小越好。但是TFT的显示主要采用“背透式”的照射方式，即使采用底栅结构。仍然有部分衍射或散射光等进入TFT沟道内引起关态漏电流的增大，从而影响显示效果，甚至产生Image sticking。本方案中，在源极50的外侧面和漏极60的外侧面分别设置有绝缘遮光层70，可以有效遮挡从液晶层反射的光从TFT的外侧面进入TFT沟道内，从而降低关态漏电流。
其中，有源层包括掺杂层42和非晶硅层41，掺杂层位于非晶硅层的上方。
作为本发明的另一实施例，参考1至图4所示，公开了一种显示面板，所述显示面板包括：
第一基板10，所述第一基板10上设置有薄膜晶体管；
第二基板，与所述第一基板10对应设置；
所述薄膜晶体管包括有栅极、设置在栅极上的栅极绝缘层30和有源层40以及源极50和漏极60；
所述薄膜晶体管的沟道方向为内侧，源极50和漏极60远离沟道的方向为外侧；
所述薄膜晶体管在远离第一基板10的方向上，在源极50的外侧面和漏极60的外侧面分别设置有遮光层。
由于理想TFT-LCD显示器的TFT的开态电流越大越好，关态电流越小越好。但是TFT的显示主要采用“背透式”的照射方式，即使采用底栅结构。仍然有部分衍射或散射光等进入TFT沟道内引起关态漏电流的增大，从而影响显示效果，甚至产生Image sticking。本方案中，在源极50的外侧面和漏极60的外侧面分别设置有绝缘遮光层70，可以有效遮挡从液晶层反射的光从TFT的外侧面进入TFT沟道内，从而降低关态漏电流。
本实施例可选的，所述的遮光层为绝缘遮光层70，所述绝缘遮光层70为黑矩阵，所述薄膜晶体管的源极50直接与绝缘遮光层70接触，所述薄膜晶体管的漏极60直接与绝缘遮光层70接触。
本方案中，薄膜晶体管的源极50和漏极60直接和绝缘遮光层70接触，直接接触最紧密，因此遮光效果最好。
本实施例可选的，所述薄膜晶体管的栅极的外侧方向上，所述栅极绝缘层30的上方对应源极50的一侧且未被所述源极50覆盖的上表面也设置有绝缘遮光层70。
源极50一侧的绝缘遮光层70覆盖的范围更广，能更好的防止光的进入，更好的降低关态漏电流。
本实施例可选的，所述薄膜晶体管的栅极的外侧方向上，所述栅极绝缘层30的上方对应漏极60的一侧且未被所述漏极60覆盖的上表面也设置有绝缘遮光层70。
漏极60一侧的绝缘遮光层70覆盖的范围更广，能更好的吸光防止光的进入，更好的降低漏电流。
本实施例可选的，所述绝缘遮光层70利用高精度喷涂设备喷涂形成。
高精度Inkjet设备的喷射精度为1微米，操作工序更简单，不需要曝光显影。当然，使用曝光显影在外侧也可形成。
本实施例可选的，所述薄膜晶体管的沟道处不设置有绝缘遮光层70。
本方案中，源极50和漏极60之间的沟道不设置有绝缘遮光层70，以避免在加工绝缘遮光层70的工艺中对沟道区域产生不良影响；尤其是对采用高精度喷涂设备喷涂制程绝缘遮光层70的方案来说，由于沟道内的非晶硅对水等材料非常敏感，需要额外设置保护层保护沟道材料，处理不好就可能引起漏电流的增大，导致残影(IS)的出现，因此绝缘遮光层70不涂布在薄膜晶体管的沟道处，其对沟道区的影响最小，制程最简单。
本实施例可选的，所述源极50和漏极60在靠近沟道的上表面不设置有绝缘遮光层70，在远离沟道的上表面设置有绝缘遮光层70。
本方案中，源极50和漏极60的在靠近沟道的上表面不设置有绝缘遮光层70，以避免在加工绝缘遮光层70的工艺中的工艺误差对沟道区域产生不良影响；在远离沟道的源极50和漏极60的上表面也设置有绝缘遮光层70，以使得源极50和漏极60边缘交接处的遮光效果更好。
本实施例可选的，所述源极50和漏极60的上表面均不设置有绝缘遮光层70，所述绝缘遮光层70仅设置在所述源极50的外侧面和漏极60的外侧面。
由于源极50和漏极60本身就具有遮光效果，源极50和漏极60在远离沟道的上表面也可同样不设置有绝缘遮光层70，这样的设计对加工精度的要求较高。
作为本发明的另一实施例，参考4所示，公开了一种显示面板的第一基板的制作方法，包括在第一基板10上形成薄膜晶体管的步骤；
所述形成薄膜晶体管的步骤包括有形成栅极、形成栅极绝缘层30和有源层40以及源极50和漏极60的步骤；
其中，所述形成薄膜晶体管的步骤还包括有在薄膜晶体管远离第一基板10的方向上源极50的外侧面和漏极60的外侧面分别形成遮光层的步骤，所述薄膜晶体管的沟道方向为内侧，源极50和漏极60远离沟道的方向为外侧。
本实施例可选的，所述的遮光层为绝缘遮光层70，其中，在形成绝缘遮光层70的步骤中，形成绝缘遮光层70并使其与薄膜晶体管的源极50直接接触；形成绝缘遮光层70并使其与薄膜晶体管的漏极60直接接触。
本方案中，薄膜晶体管的源极50和漏极60直接和绝缘遮光层70接触，直接接触最紧密，因此遮光效果最好。
本实施例可选的，在形成绝缘遮光层70的步骤中，薄膜晶体管的栅极的外侧方向，所述栅极绝缘层30的上方对应源极50的一侧且未被所述源极50覆盖的上表面也设置有绝缘遮光层70。
源极50一侧的绝缘遮光层70覆盖的范围更广，能更好的吸光防止光的进入，更好的降低漏电流。
本实施例可选的，在形成绝缘遮光层70的步骤中，所述薄膜晶体管的栅极的外侧方向，所述栅极绝缘层30的上方对应漏极60的一侧且未被所述漏极60覆盖的上表面也设置有绝缘遮光层70。
漏极60一侧的绝缘遮光层70覆盖的范围更广，能更好的吸光防止光的进入，更好的降低漏电流。
本实施例可选的，在形成绝缘遮光层70的步骤中，所述源极50和漏极60的在靠近沟道的上表面不设置有绝缘遮光层70。
漏极60一侧的绝缘遮光层70覆盖的范围更广，能更好的吸光防止光的进入，更好的降低漏电流。
本实施例可选的，在形成绝缘遮光层70的步骤中，所述薄膜晶体管的沟道处不设置有绝缘遮光层70。
本方案中，源极50和漏极60之间的沟道不设置有绝缘遮光层70，以避免在加工绝缘遮光层70的工艺中对沟道区域产生不良影响；尤其是对采用高精度喷涂设备喷涂制程绝缘遮光层70的方案来说，由于沟道内的非晶硅对水等材料非常敏感，需要额外设置保护层保护沟道材料，处理不好就可能引起漏电流的增大，导致残影(IS)的出现，因此绝缘遮光层70不涂布在薄膜晶体管的沟道处，其对沟道区的影响最小，制程最简单。
本实施例可选的，在形成绝缘遮光层70的步骤中，所述栅极的两端超出对应的源极50和漏极60的两端。
本方案中，栅极的两端超出对应的源极50和漏极60的两端，光照可进入的空间相对减少，可以更好的避免光的进入。
本实施例可选的，所述形成薄膜晶体管的步骤包括：
A：形成栅极、栅极绝缘层30和有源层40以及源极50和漏极60；
B：在源极50的外侧面和漏极60的外侧面分别通过高精度喷涂设备喷涂绝缘遮光层70。
高精度喷涂(Inkjet)设备的喷射精度最小已经到1微米甚至更小，其加工精度已经足够。而使用高精度喷涂设备形成绝缘遮光层70，其操作工序更简单，不需要曝光显影。
本发明的面板可以是TN面板(全称为Twisted Nematic，即扭曲向列型面板)、IPS面板(In-PaneSwitcing，平面转换)、VA面板(Multi-domain Vertica Aignment，多象限垂直配向技术)，当然，也可以是其他类型的面板，适用即可。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
第一基板，所述第一基板上设置有薄膜晶体管；
第二基板，与所述第一基板对应设置；
所述薄膜晶体管包括有栅极、设置在栅极上的栅极绝缘层和有源层以及源极和漏极；
所述薄膜晶体管的沟道方向为内侧，源极和漏极远离沟道的方向为外侧；
所述薄膜晶体管在远离第一基板的方向上，在源极的外侧面及栅极绝缘层的上方对应源极的一侧且未被所述源极覆盖的上表面设置有绝缘遮光层，在漏极的外侧面及栅极绝缘层的上方对应漏极的一侧且未被所述漏极覆盖的上表面有绝缘遮光层，所述绝缘遮光层用高精度喷涂设备喷涂。
2.一种显示面板，其特征在于，包括：
第一基板，所述第一基板上设置有薄膜晶体管；
第二基板，与所述第一基板对应设置；
所述薄膜晶体管包括有栅极、设置在栅极上的栅极绝缘层和有源层以及源极和漏极；
所述薄膜晶体管的沟道方向为内侧，源极和漏极远离沟道的方向为外侧；
所述薄膜晶体管在远离第一基板的方向上，在源极的外侧面和漏极的外侧面分别设置有遮光层。
3.如权利要求2所述的一种显示面板，其特征在于，所述的遮光层为绝缘遮光层，所述薄膜晶体管的源极直接与绝缘遮光层接触，所述薄膜晶体管的漏极直接与绝缘遮光层接触。
4.如权利要求3所述的一种显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管的栅极的外侧方向上，所述栅极绝缘层的上方对应源极的一侧且未被所述源极覆盖的上表面也设置有绝缘遮光层。
5.如权利要求3所述的一种显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管的栅极的外侧方向上，所述栅极绝缘层的上方对应漏极的一侧且未被所述漏极覆盖的上表面也设置有绝缘遮光层。
6.如权利要求3所述的一种显示面板，其特征在于，所述绝缘遮光层利用高精度喷涂设备喷涂形成。
7.如权利要求3或6所述的一种显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管的沟道处不设置有绝缘遮光层，所述源极和漏极在靠近沟道的上表面不设置有绝缘遮光层，在远离沟道的上表面设置有绝缘遮光层。
8.如权利要求7所述的一种显示面板，其特征在于，所述源极和漏极的上表面均不设置有绝缘遮光层，所述绝缘遮光层仅设置在所述源极的外侧面和漏极的外侧面。
9.一种显示面板的第一基板的制作方法，其特征在于，包括在第一基板上形成薄膜晶体管的步骤：
所述形成薄膜晶体管的步骤包括有形成栅极、形成栅极绝缘层和有源层以及源极和漏极的步骤；
其中，所述形成薄膜晶体管的步骤还包括有在薄膜晶体管远离第一基板的方向上源极的外侧面和漏极的外侧面分别形成遮光层的步骤，所述薄膜晶体管的沟道方向为内侧，源极和漏极远离沟道的方向为外侧。
10.如权利要求9所述的一种显示面板的第一基板的制作方法，其特征在于，所述形成薄膜晶体管的步骤包括：
A：形成栅极、栅极绝缘层和有源层以及源极和漏极；
B：在源极的外侧面和漏极的外侧面分别通过高精度喷涂设备喷涂绝缘遮光层。
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