CN104823238A - 磁带处理 - Google Patents

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CN104823238A CN201380062402.8A CN201380062402A CN104823238A CN 104823238 A CN104823238 A CN 104823238A CN 201380062402 A CN201380062402 A CN 201380062402A CN 104823238 A CN104823238 A CN 104823238A
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G.斯普拉特
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S.A.斯万贝克
E.彼得森
L.A.汉森
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Abstract

一种系统包括磁带处理系统，所述磁带处理系统包括向磁带的顶表面进行写入的读取/写入头。读取/写入头在磁带的顶表面处提供至少40奥斯特每纳米的写入头场梯度。磁带处理系统和读取/写入头提供大于8000磁道每英寸的磁道密度、大于440千位每英寸的位密度和小于70的纵横比。

Description

磁带处理
背景技术
磁带数据存储装置使用磁带上的数字记录来存储数字信息。通常，磁带被用于离线、归档的数据存储，其中磁带是所存储的数据的主副本。一般而言，磁带是成本有效的并且具有长的归档稳定性，诸如三十年或更多。
通常，磁带封装在磁带盒或磁带匣中。磁带驱动装置将数据写入到这些磁带并且从这些磁带读取数据。自动装载器和磁带库存储磁带并且自动化磁带处理。
附图说明
图1是图示了依照本申请的技术的示例的数据存储系统的一个示例的图解。
图2是图示了依照本申请的技术的示例的磁带系统的一个示例的图解。
图3是图示了依照本申请的技术的示例的磁带的一个示例的图解。
图4是图示了依照本申请的技术的示例的磁带处理系统和磁带系统的一个示例的图解。
具体实施方式
在以下详细描述中，对形成其部分的附图做出参考，并且在所述附图中通过图示的方式示出其中可以实践本申请的技术的特定实施例。在这方面，参考所描述的（多个）图的取向来使用诸如“顶部”、“底部”、“前部”、“后部”、“导领”、“尾随”等之类的方向性术语。由于实施例的组件可以以许多不同的取向来定位，因此方向性术语被用于说明的目的并且决不是限制性的。要理解的是，可以利用其它实施例并且可以做出结构或逻辑改变而不脱离于本申请的技术的范围。要理解的是，本文所描述的各种实施例的特征可以与彼此组合，除非以其它方式明确指出。
在一个示例中，本申请提供增加磁带或磁记录介质的存储容量的技术。在一个示例中，技术提供一种磁带处理系统，其可以自部分地由钡铁氧体材料形成的磁记录介质记录（写入）和检索（读回）信息。技术包括形成有诸如光滑性、磁带张力、头间隔、写入热、格式顺从、盒引带的研磨性、在垂直取向上的媒介颗粒的百分比以及位密度之类的特性的组合的磁带。技术还可以提供一种磁带，所述磁带合并以上参数并且包括具有部分响应最大似然（PRML）通道和磁阻（MR）头的读取/写入头结构来从以后向兼容并且可供磁带产品的未来世代使用的格式的磁带存储的信息读取数据。技术还可以提供形成有可以提供特定位容积、通量密度和写入或读取位纵横比（长度与宽度之比）以及在被写入和绕进可移除的媒介盒中时的全盒容量的以上参数或特性的磁带。
图1是图示了包括磁带处理系统22和磁带24的数据存储系统20的一个示例的图解。在一个示例中，磁带24可以包括允许将磁性数据写入到介质并且从介质读回的磁记录介质。在一个示例中，数据存储系统20可以被配置成操作为开放格式磁带系统，其中术语开放格式可以是指其中用户可以访问兼容的存储媒介产品的多个源的格式。在一个示例中，数据存储系统20是线性磁带开放（LTO）数据存储系统。在一个示例中，数据存储系统20是LTO-7或更高世代的数据存储系统。在一个示例中，数据存储系统20是对至少一个在前世代向后兼容的LTO-7或更高世代数据存储系统。
磁带处理系统22包括向磁带24中的每一个进行写入的读取/写入头26。读取/写入头26包括一个或多个读取/写入元件28。在一个示例中，至少一个读取/写入元件28包括磁阻（MR）类型读取元件，诸如各向异性的磁阻（AMR）元件、隧穿磁阻（TMR）元件、巨磁阻（GMR）元件、电流垂直巨磁阻（CPPGMR）元件或超巨磁阻（CMR）元件。在一个示例中，MR类型元件可以使用在将数据写入或记录到磁带中并且可以包括具有当向设备呈现磁场时改变电阻的属性的设备。在一个示例中，MR元件可以被配置或合并到记录头结构（诸如磁性读取/写入头26和读取/写入元件28）中，从而允许取决于诸如偏置设计、屏蔽到屏蔽的间隔、电流密度和其它因素之类的因素的针对给定磁场的不同的响应比。在另一示例中，GMR、TMR和CMR磁阻记录设备还已知为自旋阀类型设备，因为它们利用材料中的电子自旋来得到其磁阻响应。
在一个示例中，为了将数据写入到磁带24中之一，磁带处理系统100可以操作读取/写入头26和读取/写入元件28以在磁带的表面处生成或提供至少40奥斯特（Oe）每纳米（nm）的写入头场梯度。写入头场梯度被定义为磁场关于在磁带行进的方向上的距离的导数的最大值。在一个示例中，读取/写入头26可以在磁带的顶表面处或靠近磁带的顶表面处生成或提供近似70 Oe每nm的写入头场梯度。
在一个示例中，磁带处理系统22可以以近似大于8000磁道每英寸的磁道密度（即小于3.2微米的磁道宽度）、大于440千位每英寸的位密度和小于70的纵横比（其为磁道宽度与位长度的比）将数据写入到磁带24。磁道密度可以被定义为当跨磁带的顶表面、基本上正交于磁带的行进方向地测量时每英寸的数据磁道的数目。位密度是当沿磁道在磁带的行进方向上测量时每英寸可用于由系统读取的位数。
在另一示例中，磁带处理系统22可以包括读取通道，诸如部分响应最大似然（PRML）通道、类IV部分响应通道（PR4）、最大似然检测器（MLD）通道和/或最小密度奇偶校验码（LDPC）通道。在一个示例中，PRML通道可以包括PRML和扩展的PRML，诸如EPRML和E2PRML。在一个示例中，PR4通道可以包括PR4和扩展的PR4，诸如EPR4和E2PR4。在一个示例中，MLD通道可以包括噪声预测MLD（NPMLD）和数据相关的NPMLD（DDNPMLD）。在一个示例中，读取通道对之前写入到磁带的数据进行检测和解码，其中数据可以被进取地写入到磁带上，使得高级技术对于在存在由写入数据转变的高装填密度导致的码间干扰和读回噪声的情况下恢复原始信号而言可能是必要的。在一个示例中，以上提到的通道假定读取/写入过程中的线性，但是DDNPMLD通道可以容纳非线性噪声和其它通道变型，其应对写入或读回侧上的读取/写入头和磁带非线性。
在一个示例中，读取/写入头26可以包括热辅助写入头，所述热辅助写入头在写入到磁带24的表面时加热或增加磁带24之一的温度，以降低磁带的矫顽磁性并且写入到磁带。矫顽磁性可以被定义为在材料已经经受足够强度的相反方向上的磁场以基本上使材料磁性上饱和之后将材料的磁化降低至零所需要的磁场的强度。在一个示例中，热辅助读取/写入头提供300与450摄氏度之间的居里点写入以降低磁性材料的矫顽磁性。在一个示例中，热辅助读取/写入头可以在将数据写入到磁带的表面时加热或将磁带的温度增加至200与270摄氏度之间的温度以降低磁性材料的矫顽磁性和写入到磁性材料。
在一个示例中，磁带处理系统22可以包括用以操作读取/写入头26和读取/写入元件28以将数据写入到磁带24中的每一个和从磁带24中的每一个读取数据的功能性。例如，磁带处理系统22可以被配置成使来自磁带24中的磁带定位成靠近读取/写入头26和读取/写入元件28以允许系统将数据写入到磁带和从磁带读取数据。可以在硬件、软件或其组合中实现功能性。
在一个示例中，磁带处理系统22可以包括记录模块30，所述记录模块30被配置成执行包括将数据写入到磁带24的记录过程。记录模块30可以实现在硬件、软件或其组合中。在一个示例中，记录模块30可以从主机或其它电子设备接收对将数据写入到磁带的请求。记录模块30可以使磁带24移过读取/写入头26以将数据写入到磁带。在另一示例中，记录模块30可以使磁带的顶表面定位在读取/写入元件28的底表面下方以允许读取/写入元件28将数据写入到磁带。记录模块30可以将数据从电子形式转化成可以写入到诸如磁带24中的一个之类的磁带的磁性形式。
在另一示例中，磁带处理系统22可以包括回放模块32，所述回放模块32被配置成执行包括从磁带24读取数据的读取或回放过程。回放模块32可以实现在硬件、软件或其组合中。在一个示例中，回放模块32可以从主机或其它电子设备接收对从磁带读取数据的请求。回放模块32可以使磁带移过读取/写入头26以从磁带读取数据。在一个示例中，回放模块32可以使磁带的顶表面定位在读取/写入元件28的底表面下方。回放模块32可以将来自磁带的以磁性形式的数据转化成电子形式。在一个示例中，读取/写入元件28可以包括PRML通道和MR读取元件以帮助将来自磁带的磁性信息转化成电子形式。在另一示例中，回放模块32可以包括用以帮助放大经转化的电子数据的读取放大器功能性。在另一示例中，回放模块32可以包括读取/写入通道检测功能性，用以将信号转换成数字形式以由主机或其它电子设备处理。
图2是图示了使用在数据存储系统20中的磁带系统40的一个示例的图解。磁带系统40包括引带（leader）42、磁带44和包括磁带供带盘48的磁带盒外壳46。磁带系统40类似于磁带24（图1中所示）中的每一个。在另一示例中，磁带盒外壳46包括两个卷盘，其中一个是供带盘（supply reel）并且另一个是收带盘（take-up reel）。在另一示例中，磁带盒外壳46包括两个卷盘，其中一个是供带盘并且另一个是收带盘，以及用于引导磁带通过读取/写入头的引导机构。
磁带盒外壳46可以包括或支撑磁带供带盘48。磁带44绕在供带盘48周围，并且诸如磁带处理系统22之类的磁带读取/写入系统可以拉动引带42以在箭头50所示的方向上将磁带44拉出磁带盒外壳46。磁带读取/写入系统可以将引带42和磁带44绕到磁带读取/写入系统中的收带盘上。在一个示例中，引带42可以是研磨（abrasive）引带，其在将研磨引带从磁带盒外壳46中拉出并且跨过读取/写入头和其它组件时与读取/写入头的底表面接触以清洁诸如读取/写入头26之类的读取/写入头和磁带读取/写入系统中的其它组件。在一个示例中，引带42可以是在100遍使用LTO类型研磨性测试之后具有小于或等于81微米的Alfesil磨损条中的平均磨损图纹长度的研磨引带。在一个示例中，引带42可以是包括聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）的研磨引带。在一个示例中，引带42可以是通过使用标准滑爽剂或粗糙化剂而完全由PEN制成的研磨引带，其中PEN膜可以比磁带44厚并且包含更多和/或更大的滑爽颗粒。在一个示例中，引带42可以是包括聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）的研磨引带。在一个示例中，引带42可以是通过使用标准滑爽剂或粗糙化剂而完全由PET制成的研磨引带，其中PET膜可以比磁带44厚并且包含更多和/或更大的滑爽颗粒。
图3是图示了使用在数据存储系统20中的磁带60的横截面的一个示例的图解。磁带60包括磁性涂层62、垫层（underlayer）64、基底66和背侧涂层或背部涂层68。磁带60具有顶表面70，其可以是磁性涂层62的表面，并且磁带60包括背侧72。在一个示例中，磁带60类似于磁带44。
磁性涂层62包括被磁化以存储数据或数字信息的磁性材料。在一个示例中，磁性涂层62包括悬浮在诸如聚合物粘合剂之类的粘合剂中的磁性颗粒或颜料，其中粘合剂使磁性颗粒结合在一起并且使其保持于垫层或基底。在一个示例中，粘合剂可以是聚酯型聚氨酯共聚物连同聚氯乙烯（PVC）或PVC共聚物的混合物，其中混合物可以包括自润湿基。在一个示例中，磁性涂层62包括悬浮在粘合剂中的磁性颗粒或颜料，其中粘合剂提供光滑表面以促进磁带通过磁带读取/写入系统的输运。在一个示例中，粘合剂提供具有小于近似6 nm的平均粗糙度（Ra）、近似小于18 nm的均方根粗糙度（Rq或Rrms）以及小于30 nm的沿样本长度粗糙度（Rz）的分布（profile）的五个最高最大值高度的平均值的光滑表面。在一个示例中，向粘合剂添加润滑剂以减小摩擦，这减小磁带磨损和输运磁带通过磁带读取/写入系统所需要的张力。在一个示例中，润滑剂是羧酸和酯的混合物，诸如硬脂酸和硬脂酸丁氧乙酯。在一个示例中，诸如头清洁试剂之类的材料被添加到粘合剂以帮助减少头堵塞的发生和/或添加碳黑以帮助减少静电荷。在一个示例中，头清洁试剂包括小颗粒氧化铝。在一个示例中，头清洁试剂包括具有大于3的莫氏（Mohs）硬度的小颗粒有机物。在其它示例中，头清洁试剂包括诸如二氧化硅、氮化硅和氮化钛之类的小颗粒无机物。在一个示例中，磁性涂层62具有0.025um与0.1um之间的厚度。
垫层64支撑磁性涂层62并且在至少一些实例中可以增加磁性涂层62的光滑性。在一个示例中，垫层64可以是一个单独的垫层。在一个示例中，垫层64包括多于一个单独的垫层。在一个替换示例中，不存在垫层64，即磁带60不包括垫层64并且磁性涂层62可以直接施加到基底66。
在一个示例中，垫层64包含与磁性涂层62中使用的那些在相同类别中的聚合物。聚酯型聚氨酯共聚物连同聚氯乙烯（PVC）或PVC共聚物的混合物，然而，Tg的选择、硬与软段的比、分子量、可交联官能团等同物、诸如碳黑和其它无机颗粒之类的无机物的加载以及润滑剂被改变以满足设计准则。垫层厚度可以在0.1与1.0 um之间并且更特别地在0.4与0.8 um之间，并且可以使用各种涂层技术来施加垫层64，诸如到基底66上的模挤压。在一个示例中，垫层64是非磁性材料。在一个示例中，垫层64包括磁性涂层62之下的软磁性并且相对厚的层并且磁通量被引导通过垫层64。在其它示例中，磁带60包括多个垫层。
基底66为垫层64和磁性涂层62提供支撑。背部涂层68被施加于基底66的背侧。背部涂层68可以减小磁带摩擦，耗散静电荷，以及减小磁带变形，这通过提供磁带在磁带供带盘和磁带收带盘上的更均匀的卷绕。在一个示例中，背部涂层68包含与使用在磁性涂层62和垫层64中的那些在相同类别中的聚合物。聚酯型聚氨酯共聚物连同聚氯乙烯（PVC）或PVC共聚物的混合物。然而，Tg的选择、硬与软段的比、分子量、可交联官能团等同物、诸如碳黑和其它无机颗粒之类的无机物的加载以及润滑剂被改变以满足针对背部涂层68的设计准则。针对背部涂层68的包括聚合物选择在内的材料特性使得机械韧性更高、颗粒加载更低并且背部涂层68可以具有更高百分比的碳黑以用于增加的电导率。背部涂层分散制备和颗粒大小选择可以导致比垫层64和磁性涂层62高得多的最终表面粗糙度。背部涂层厚度可以在0.2与0.7 um之间，并且背部涂层68可以通过使用诸如模挤压之类的各种涂层技术来施加。
在一个示例中，磁带44的磁性涂层和磁性涂层62中的每一个可以具有小于近似6 nm的平均粗糙度（Ra）、近似小于18 nm的均方根粗糙度（Rq或Rrms）以及小于30 nm的沿样本长度粗糙度（Rz）的分布的五个最高最大值高度的平均值。在另一示例中，磁带44的磁性涂层和磁性涂层62中的每一个可以具有在0.25与0.98之间的任何方向上测量的剩余磁化与饱和磁化的正方度（squareness）或比。在一个示例中，磁带44的磁性涂层和/或磁性涂层62包括金属颗粒（MP）磁性介质。在一个示例中，磁带44的磁性涂层和/或磁性涂层62包括金属蒸发的（ME）磁性薄膜。在一个示例中，磁带44的磁性涂层和/或磁性涂层62包括六角晶系铁氧体磁性颗粒的干燥的分散。在一个示例中，磁带44的磁性涂层和/或磁性涂层62包括锶铁氧体磁性颗粒的干燥的分散。在一个示例中，磁带44的磁性涂层和/或磁性涂层62包括钡铁氧体磁性颗粒的干燥的分散。在一个示例中，磁带44的磁性涂层和/或磁性涂层62包括溅射的磁性薄膜。在一个示例中，磁带44的磁性涂层和/或磁性涂层62包括非六角晶系铁氧体磁性颗粒（例如针状金属颗粒）的干燥的分散。
在一个示例中，磁带44的背部涂层和背部涂层68中的每一个可以具有小于40 nm的平均粗糙度（Ra）、小于80 nm的均方根粗糙度（Rq或Rrms）以及小于100 nm的沿样本长度粗糙度（Rz）的分布的五个最高最大值高度的平均值。
层62,64和68中的每一个可以如颗粒性分散的湿法分散那样来施加，其然后被干燥。可以施加和干燥次层或垫层64，继之以施加和干燥磁性层62。可替换地，垫层64和磁性层62可以相继地以湿润状态施加并且一起被干燥。背部涂层或背侧涂层68可以在垫层64和磁性层62之前或之后施加和干燥。层62,64和68中的每一个可以通过诸如凹版涂层（gravure coating）或模具涂层之类的涂层方法来施加。
图4是图示了磁带处理系统100和磁带系统102的一个示例的图解。磁带处理系统100类似于磁带处理系统22（图1中示出）。磁带系统102类似于图2的磁带系统40。在一个示例中，磁带处理系统100和磁带系统102可以是诸如数据存储系统20之类的数据存储系统的部分。
磁带处理系统100包括读取/写入头104和包括磁带收带盘108的收带设备106。读取/写入头104包括从磁带系统102读取和向磁带系统102写入的一个或多个读取/写入元件110。在一个示例中，读取/写入元件110中的至少一个包括MR类型元件，诸如AMR元件、TMR元件、GMR元件、CPPGMR元件或CMR元件。
磁带系统102包括引带（在图4中未示出）、磁带112和包括磁带供带盘116的磁带盒外壳114。在另一示例中，磁带盒外壳114包括两个卷盘，其中一个是供带盘并且另一个是收带盘。在另一示例中，磁带盒外壳114包括两个卷盘，一个供带盘和一个收带盘，以及用于引导磁带通过读取/写入头的引导机构。
磁带处理系统100在引带上拉动以在箭头120所示的方向上将磁带112拉离供带盘116并且离开磁带盒外壳114。磁带处理系统100将引带和磁带112卷绕到收带盘108上。在一个示例中，引带可以是研磨引带，所述研磨引带当在如箭头120所示的方向上将研磨引带从磁带盒112中拉出并且跨过读取/写入头104、读取/写入元件110和磁带处理系统100中的其它组件时清洁读取/写入头104、读取/写入元件110和磁带处理系统100中的其它组件。在一个示例中，引带是在100遍使用LTO类型研磨性测试之后具有小于或等于81微米的Alfesil磨损条中的平均磨损图纹长度的研磨引带。在一个示例中，引带是包括聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）的研磨引带。在一个示例中，引带是包括聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）的研磨引带。
磁带112包括可以形成在垫层上或者磁带112的基底上的磁性涂层。磁带112的磁性涂层可以类似于磁带44的磁性涂层和/或磁性涂层62（图3中所示）。在一个示例中，磁性涂层具有0.025 um与0.1 um之间的厚度。在一个示例中，磁带112类似于磁带44（图2中所示）。在一个示例中，磁带112类似于图3的磁带60。
在一个示例中，磁带112具有包括MP磁性介质的磁性涂层。颗粒性的磁性媒介包括微小的未经氧化的金属颗粒，诸如钡铁氧体颗粒，其混合到然后被散布到垫层或基底的表面上并且被固化的液态塑料粘合剂中。颗粒性的磁性层不是由纯磁性材料构成。代替地，磁性材料包括悬浮在经固化的塑料状粘合剂层中的微小的金属颗粒。在一个示例中，磁带112包括六角晶系铁氧体磁性颗粒的干燥的分散。在一个示例中，磁带112包括锶铁氧体磁性颗粒的干燥的分散。在一个示例中，磁带112包括钡铁氧体磁性颗粒的干燥的分散。在一个示例中，磁带112包括非六角晶系铁氧体磁性颗粒（例如针状金属颗粒）的干燥的分散。
在一个示例中，磁带112具有包括ME磁性薄膜的磁性涂层，其中磁性材料的薄层利用金属蒸发过程形成。用于ME磁性薄膜的材料包括钴镍合金。ME磁性媒介与颗粒性的磁性媒介不同，因为磁性层是材料的或多或少均匀的薄膜。而且通常，诸如类金刚石的碳（DLC）之类的磨损层被施加在磁性薄膜层的顶部上。
在一个示例中，磁带112具有包括溅射的磁性薄膜的磁性涂层。磁性涂层是溅射的磁性材料的薄膜，类似于ME薄膜，但是现在用于创建薄膜的过程是溅射。
在一个示例中，磁带112可以具有磁性涂层，所述磁性涂层具有小于6 nm的平均粗糙度（Ra）、小于18 nm的均方根粗糙度（Rq或Rrms）以及小于30 nm的沿样本长度粗糙度（Rz）的分布的五个最高最大值高度的平均值。在另一示例中，磁带112可以包括磁性涂层，所述磁性涂层具有在0.25与0.98之间的任何方向上测量的剩余磁化与饱和磁化的正方度或比。
磁带112具有背部涂层，所述背部涂层具有小于40 nm的平均粗糙度（Ra）、小于80 nm的均方根粗糙度（Rq或Rrms）以及小于100 nm的沿样本长度粗糙度（Rz）的分布的五个最高最大值高度的平均值。磁带112类似于磁带44（图2中所示）。
在操作中，在一个示例中，磁带处理系统100可以在收带盘108与供带盘116之间卷绕磁带112。跨读取/写入头104和读取/写入元件110在箭头120所示的方向上拉动磁带112以从磁带112进行读取和向磁带112进行写入。在一个示例中，磁带处理系统100可以在磁带112上提供近似小于4牛顿（N）的磁带张力。磁带张力可以被定义为当磁带112沿其路径被引导越过读取/写入头104时在磁带112的行进方向（诸如由箭头120示出的方向）上磁带112中的张力。在另一示例中，磁带处理系统100可以在读取/写入头104的底表面126与磁带112的顶表面122之间提供在0与100 nm之间的间隔距离D。
在一个示例中，读取/写入头104和读取/写入元件110可以在磁带112的顶表面122处提供写入头场梯度124以向磁带112进行写入。写入头场梯度可以被定义为磁场关于在磁带行进的方向上的距离的导数的最大值。在一个示例中，读取/写入头104和读取/写入元件110可以在磁带112的顶表面122处提供至少40 Oe每nm的写入头场梯度。在一个示例中，读取/写入头104和读取/写入元件110可以在磁带112的顶表面122处提供70 Oe每nm的写入头场梯度。
在一个示例中，磁带处理系统100可以提供大于8000磁道每英寸的磁道密度（或小于3.2微米的磁道宽度），大于440千位每英寸的位密度和小于70的位纵横比（其为磁道宽度与位长度的比）。在一个示例中，读取/写入头104和读取/写入元件110可以向磁带112进行写入并且在磁带112的顶表面122处提供至少40 Oe每nm的写入头场梯度以提供大于8000磁道每英寸的磁道密度，大于440千位每英寸的位密度和小于70的纵横比。
在一个示例中，磁带处理系统100可以使用合适的读取通道，诸如PRML通道、PR4通道、MLD通道和/或LDPC通道，其中PRML通道包括PRML、EPRML和E2PRML，并且PR4通道包括PR4、EPR4和E2PR4，并且MLD通道包括NPMLD和DDNPMLD。在一个示例中，磁带处理系统100是从六角晶系铁氧体磁带（即具有磁性涂层的层的磁带，所述磁性涂层的层是钡铁氧体颗粒的干燥的分散）进行读取和向其进行写入的线性磁带开放系统。
在一个示例中，读取/写入头104可以包括热辅助读取/写入头，所述热辅助读取/写入头可以加热或增加磁带112的温度以降低磁带112的矫顽磁性以用于向磁带112进行写入。热辅助读取/写入头可以包括用以加热磁带112的热源，诸如激光器、感应加热器、珀尔帖（peltier）设备和/或电子加热器。在一个示例中，热辅助读取/写入头提供300与450摄氏度之间的居里点写入。在一个示例中，热辅助读取/写入头将磁带112加热到200与270摄氏度之间的温度以降低磁带112上的磁性材料的矫顽磁性和向磁带112进行写入。
尽管已经在本文中说明和描述了特定实施例，但是将领会到的是，各种替换和/或等同的实现可以代替所示和所描述的特定实施例而不脱离于本申请的技术的范围。本申请意图覆盖本文所讨论的特定实施例的任何适配或变型。

Claims (15)

1.一种系统，包括：
磁带处理系统，其包括读取/写入头，用以向磁带进行写入并且在磁带的顶表面处提供至少40奥斯特每纳米的写入头场梯度和用以提供大于8000磁道每英寸的磁道密度、大于440千位每英寸的位密度和小于70的纵横比。
2.权利要求1的系统，其中在读取/写入头的底表面与磁带的顶表面之间的间隔在0与100纳米之间以向磁带进行写入。
3.权利要求1的系统，其中磁带的平均粗糙度小于6纳米，磁带的均方根粗糙度小于18纳米，并且沿磁带的样本长度粗糙度的分布的五个最高最大值高度的平均值小于30纳米。
4.权利要求1的系统，其中磁带包括研磨引带以与读取/写入头的底表面接触来清洁读取/写入头。
5.权利要求1的系统，其中磁带处理系统提供小于4牛顿的磁带张力。
6.权利要求1的系统，其中磁带处理系统提供包括以下中的至少一个的通道：部分响应最大似然通道、类IV部分响应通道、最大似然检测器通道和最小密度奇偶校验码通道。
7.权利要求1的系统，其中读取/写入头包括被配置成从磁带的顶表面读取数据的磁阻（MR）读取元件。
8.权利要求1的系统，其中磁带是溅射的磁性介质带。
9.一种数据存储系统，包括：
磁带处理系统，其包括热辅助读取/写入头，用以增加磁带的温度并且降低磁带的矫顽磁性以向磁带进行写入。
10.权利要求9的数据存储系统，其中磁带处理系统提供大于8000磁道每英寸的磁道密度、大于440千位每英寸的位密度和小于70的纵横比。
11.权利要求9的数据存储系统，其中热辅助读取/写入头包括被配置成从磁带的顶表面读取数据的磁阻（MR）读取元件。
12.权利要求9的数据存储系统，其中磁带的平均粗糙度小于6纳米，磁带的均方根粗糙度小于18纳米，并且沿磁带的样本长度粗糙度的分布的五个最高最大值高度的平均值小于30纳米。
13.一种方法，包括：
在从磁带的顶表面和读取/写入头的底表面的0和100纳米之间间隔读取/写入头；
使用读取/写入头在磁带的顶表面处提供至少40奥斯特每纳米的读取/写入头场梯度；以及
使用读取/写入头向磁带进行写入。
14.权利要求13的方法，其中读取/写入头提供大于8000磁道每英寸的磁道密度、大于440千位每英寸的位密度和小于70的纵横比。
15.权利要求13的方法，其中读取/写入头包括被配置成从磁带的顶表面读取数据的磁阻（MR）读取元件。
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