TW202040564A - 記錄裝置、讀取裝置、記錄方法、讀取方法、電腦可讀取儲存媒體以及磁帶 - Google Patents

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Abstract

資訊處理裝置具備記錄部，該記錄部執行如下處理，亦即，將包含資料及與資料有關之元資料之複數個目標記錄於磁記錄媒體，並且在記錄了至少1個目標之後，記錄目標中所包含之元資料的集合亦即第1集合資料。第1集合資料為在記錄之前的第1集合資料之後所記錄之目標中所包含之元資料的集合。磁記錄媒體在非磁性支撐體上具有包含強磁性粉末及黏合劑之磁性層，在磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在0.5atm及13.5atm的按壓下所測量之間距S0.5 、S13.5 的差分為3.0nm以下。

Description

記錄裝置、讀取裝置、記錄方法、記錄程式、讀取方法、讀取程式以及磁帶
本揭示係有關一種記錄裝置、讀取裝置、記錄方法、記錄程式、讀取方法、讀取程式及磁帶。
以往，提出有藉由在磁性層的表面上形成突起來控制磁性層表面的形狀（參閱日本特開2011-028826號公報及日本特開2017-168178號公報）。
另一方面，作為使用磁帶等磁記錄媒體之檔案系統，已知有LTFS（Linear Tape File System：線性磁帶檔案系統）。作為與該檔案系統有關之技術，在日本特開2016-004413號公報中，揭示有將複數個檔案連續地寫入到磁帶上以形成1個組合檔案之技術。該技術中，將包含磁帶上的組合檔案的開始位置及尺寸之第1索引（index）寫入到磁帶上之後，將包含針對磁帶上的組合檔案中的複數個檔案的每一個的開始位置及尺寸之第2索引寫入到磁帶上。
[發明要解決的課題] 滑動型磁記錄再生裝置中，藉由使磁記錄媒體的磁性層表面與磁頭接觸並滑動來進行在磁記錄媒體上的資訊的記錄及所記錄之資訊的再生。在進行磁性層表面與磁頭的滑動時的摩擦係數高成為行駛穩定性降低等原因。相對於此，控制磁性層表面的形狀能夠有助於降低上述摩擦係數。
為了進行在磁記錄媒體上的資訊的記錄及所記錄之資訊的再生，反覆進行磁性層表面與磁頭的滑動。關於這一點，如以往所提出，即使在滑動初期藉由控制磁性層表面的形狀而能夠實現低摩擦係數，但是在反覆進行滑動時有時亦有可能出現摩擦係數上升之現象。
然而，如圖20所示，前述之LTFS中，將磁帶的記錄區域分割成索引分區及資料分區。關於文書資料及圖像資料等由用戶作為保存對象之資料，從磁帶的資料分區的開頭進行記錄。進而，例如，在所記錄之資料的尺寸的合計超過了預定的尺寸之情況下，將包含表示所記錄之資料的每一個在磁帶上的位置之資訊之索引（圖20中的索引1）記錄於資料分區。
又，若記錄索引之後資料超過預定的尺寸而被記錄，則記錄新的索引（圖20中的索引2）。在該索引中，包含有表示從磁帶的開頭所記錄之所有的資料的每一個在磁帶上的位置之資訊。
因此，存在如下問題點，亦即，在磁帶上記錄越多數量的資料，索引的尺寸亦變得越大，從而有可能降低磁帶的有效容量等。此外，在此，有效容量是指磁帶中的能夠由用戶記錄作為保存對象之資料之容量。
上述日本特開2016-004413號公報中所記載的技術中，雖然考慮到在將多數量的小尺寸的資料記錄於磁帶上之情況下的資料傳送速度，但是沒有考慮到前述之索引尺寸的增大所伴隨之磁帶的有效容量的降低。
又，若如上述索引的尺寸增大，則有可能在讀取來自磁記錄媒體的資料時的磁頭與磁記錄媒體的反覆滑動次數增加。進而，近年來隨著磁記錄媒體的大容量化，能夠記錄之資料量亦增加。因此，在從該種大容量的磁記錄媒體讀取資料時，進一步增加反覆進行往復的次數，其結果，有可能磁記錄媒體的行駛穩定性大幅度降低。
本揭示係鑑於上述情況而完成者，其目的在於，抑制摩擦係數的上升來改善磁記錄媒體的行駛穩定性的降低。 [用於解決課題的手段]
為了達到上述目的，本揭示的記錄裝置具備記錄部，該記錄部按每一個預定的定時執行如下處理，亦即，將包含資料及與資料有關之元資料之複數個目標記錄於磁記錄媒體，並且在記錄了至少1個目標之後，記錄目標中所包含之元資料的集合亦即第1集合資料，且每一個第1集合資料為在記錄之前的第1集合資料之後所記錄之目標中所包含之元資料的集合， 磁記錄媒體在非磁性支撐體上具有包含強磁性粉末及黏合劑之磁性層，在磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在0.5atm的按壓下所測量之間距S0.5 與在磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在13.5atm的按壓下所測量之間距S13.5 的差分S0.5 -S13.5 為3.0nm以下。
此外，本揭示的記錄裝置中，差分可以為1.5nm以上且3.0nm以下。
又，本揭示的記錄裝置中，S0.5 可以在5.0～50.0nm的範圍內。
在此，在本說明書中，將表示數值範圍之“～”設為包含數值的上限及下限者。亦即，設為5.0～50.0nm是指5.0nm以上且50.0nm以下者。
又，本揭示的記錄裝置中，磁性層可以為包含無機氧化物系粒子者。
又，本揭示的記錄裝置中，無機氧化物系粒子可以為無機氧化物與聚合物的複合粒子。
又，本揭示的記錄裝置中，磁性層可以為包含選自由脂肪酸、脂肪酸酯及脂肪酸醯胺組成之群組中的一種以上的潤滑劑者。
又，本揭示的記錄裝置可以為在非磁性支撐體與磁性層之間具有包含非磁性粉末及黏合劑之非磁性層者。
又，本揭示的記錄裝置可以為在非磁性支撐體的與具有磁性層之表面側相反的一側的表面側具有包含非磁性粉末及黏合劑之背塗層者。
又，本揭示的記錄裝置中，磁記錄媒體可以為磁帶。
又，本揭示的記錄裝置中，記錄部可以在記錄至少1個第1集合資料之後，將已記錄的第1集合資料的集合亦即第2集合資料記錄於磁記錄媒體。
又，本揭示的記錄裝置中，記錄部在已記錄於磁記錄媒體的第2集合資料的尺寸為預定的尺寸以下的情況下，並且將目標記錄於磁記錄媒體時，可以覆寫到第2集合資料來進行記錄。
又，本揭示的記錄裝置中，磁記錄媒體包含參考分區及記錄目標之資料分區，記錄部將第1集合資料及第2集合資料記錄於資料分區並且資料分區中所記錄之第2集合資料的尺寸超過預定的尺寸之情況下，可以將資料分區中所記錄之第2集合資料記錄於參考分區。
又，本揭示的記錄裝置中，記錄部將資料分區中所記錄之第2集合資料記錄於參考分區之情況下，可以不刪除資料分區中所記錄之第2集合資料而記錄於參考分區。
又，本揭示的記錄裝置中，元資料可以包含系統固有的識別資訊及包含有元資料之目標固有的識別資訊。
又，本揭示的記錄裝置中，磁記錄媒體可以為磁帶。
另一方面，為了達到上述目的，本揭示的讀取裝置具備：確定部，使用參考分區中所記錄之第2集合資料、資料分區中所記錄之第2集合資料、資料分區中所記錄之第1集合資料及資料分區中所記錄之元資料中的至少1個來確定在包括參考分區和記錄包含資料及與資料有關之元資料之目標之資料分區之磁記錄媒體的資料分區中所記錄之目標在磁記錄媒體上的位置；及讀取部，讀取在藉由確定部確定之位置中所記錄之目標， 磁記錄媒體在非磁性支撐體上具有包含強磁性粉末及黏合劑之磁性層，在磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在0.5atm的按壓下所測量之間距S0.5 與在磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在13.5atm的按壓下所測量之間距S13.5 的差分S0.5 -S13.5 為3.0nm以下。
此外，本揭示的讀取裝置中，確定部可以依次參閱參考分區中所記錄之第2集合資料、資料分區中所記錄之第2集合資料、資料分區中所記錄之第1集合資料及資料分區中所記錄之元資料來確定上述位置。
又，為了達到上述目的，本揭示的記錄方法中，電腦執行如下處理，亦即，按每一個預定的定時執行將包含資料及與資料有關之元資料之複數個目標記錄於磁記錄媒體，並且在記錄了至少1個目標之後，記錄目標中所包含之元資料的集合亦即第1集合資料之處理，且每一個第1集合資料為在記錄之前的第1集合資料之後所記錄之目標中所包含之元資料的集合，其中， 磁記錄媒體在非磁性支撐體上具有包含強磁性粉末及黏合劑之磁性層，在磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在0.5atm的按壓下所測量之間距S0.5 與在磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在13.5atm的按壓下所測量之間距S13.5 的差分S0.5 -S13.5 為3.0nm以下。
為了達到上述目的，本揭示的記錄程式使電腦執行如下處理，亦即，按每一個預定的定時執行將包含資料及與資料有關之元資料之複數個目標記錄於磁記錄媒體，並且在記錄了至少1個目標之後，記錄目標中所包含之元資料的集合亦即第1集合資料之處理，且每一個第1集合資料為在記錄之前的第1集合資料之後所記錄之目標中所包含之元資料的集合，其中， 磁記錄媒體在非磁性支撐體上具有包含強磁性粉末及黏合劑之磁性層，在磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在0.5atm的按壓下所測量之間距S0.5 與在磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在13.5atm的按壓下所測量之間距S13.5 的差分S0.5 -S13.5 為3.0nm以下。
又，為了達到上述目的，本揭示的讀取方法中，電腦執行如下處理，亦即，使用參考分區中所記錄之第2集合資料、資料分區中所記錄之第2集合資料、資料分區中所記錄之第1集合資料及資料分區中所記錄之元資料中的至少1個來確定在包括參考分區和記錄包含資料及與資料有關之元資料之目標之資料分區之磁記錄媒體的資料分區中所記錄之目標在磁記錄媒體上的位置，且讀取所確定之位置中所記錄之目標，其中， 磁記錄媒體在非磁性支撐體上具有包含強磁性粉末及黏合劑之磁性層，在磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在0.5atm的按壓下所測量之間距S0.5 與在磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在13.5atm的按壓下所測量之間距S13.5 的差分S0.5 -S13.5 為3.0nm以下。
又，為了達到上述目的，本揭示的讀取程式使電腦執行如下處理，亦即，使用參考分區中所記錄之第2集合資料、資料分區中所記錄之第2集合資料、資料分區中所記錄之第1集合資料及資料分區中所記錄之元資料中的至少1個來確定在包括參考分區和記錄包含資料及與資料有關之元資料之目標之資料分區之磁記錄媒體的資料分區中所記錄之目標在磁記錄媒體上的位置，且讀取所確定之位置中所記錄之目標，其中， 磁記錄媒體在非磁性支撐體上具有包含強磁性粉末及黏合劑之磁性層，在磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在0.5atm的按壓下所測量之間距S0.5 與在磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在13.5atm的按壓下所測量之間距S13.5 的差分S0.5 -S13.5 為3.0nm以下。
為了達到上述目的，本揭示的磁帶中，按每一個預定的定時執行記錄包含資料及與資料有關之元資料之複數個目標，在記錄了至少1個目標之後，記錄目標中所包含之元資料的集合亦即第1集合資料之處理，且每一個第1集合資料為在記錄之前的第1集合資料之後所記錄之目標中所包含之元資料的集合，其中， 在非磁性支撐體上具有包含強磁性粉末及黏合劑之磁性層，在磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在0.5atm的按壓下所測量之間距S0.5 與在磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在13.5atm的按壓下所測量之間距S13.5 的差分S0.5 -S13.5 為3.0nm以下。
又，本揭示的其他記錄裝置具備：記憶體，儲存用於使電腦執行的指令；及 處理器，構成為執行所儲存之指令， 處理器進行如下處理，亦即，按每一個預定的定時執行將包含資料及與資料有關之元資料之複數個目標記錄於磁記錄媒體，並且在記錄了至少1個目標之後，記錄目標中所包含之元資料的集合亦即第1集合資料，且每一個第1集合資料為在記錄之前的第1集合資料之後所記錄之目標中所包含之元資料的集合，其中， 磁記錄媒體在非磁性支撐體上具有包含強磁性粉末及黏合劑之磁性層，在磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在0.5atm的按壓下所測量之間距S0.5 與在磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在13.5atm的按壓下所測量之間距S13.5 的差分S0.5 -S13.5 為3.0nm以下。
又，本揭示的其他讀取裝置具備：記憶體，儲存用於使電腦執行的指令；及 處理器，構成為執行所儲存之指令， 處理器進行如下處理，亦即，使用參考分區中所記錄之第2集合資料、資料分區中所記錄之第2集合資料、資料分區中所記錄之第1集合資料及資料分區中所記錄之元資料中的至少1個來確定在包括參考分區和記錄包含資料及與資料有關之元資料之目標之資料分區之磁記錄媒體的資料分區中所記錄之目標在磁記錄媒體上的位置，且讀取所確定之位置中所記錄之目標，其中， 磁記錄媒體在非磁性支撐體上具有包含強磁性粉末及黏合劑之磁性層，在磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在0.5atm的按壓下所測量之間距S0.5 與在磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在13.5atm的按壓下所測量之間距S13.5 的差分S0.5 -S13.5 為3.0nm以下。 [發明效果]
依本揭示，能夠抑制摩擦係數的上升來改善磁記錄媒體的行駛穩定性的降低。
以下，參閱圖式對用於實施本揭示的技術之實施例進行詳細說明。
[第1實施形態] 首先，參閱圖1對本實施形態之記錄讀取系統10的結構進行說明。如圖1所示，記錄讀取系統10包含資訊處理裝置12及磁帶庫14。磁帶庫14與資訊處理裝置12連接。又，資訊處理裝置12和複數台終端16與網路N連接，並能夠經由網路N進行通信。
磁帶庫14具備複數個插槽（省略圖示）及複數個磁帶驅動器18，在各插槽中儲存有磁帶T。磁帶T為藉由順序存取進行資料的寫入或者讀取之磁記錄媒體的一例。此外，作為磁帶T的例，可以舉出LTO（Linear Tape-Open：線性磁帶開放）磁帶。
在藉由資訊處理裝置12進行針對磁帶T之資料的寫入或者讀取之情況下，寫入或者讀取對象的磁帶T從插槽被加載到預定的磁帶驅動器18。若基於針對被加載到磁帶驅動器18之磁帶T之資訊處理裝置12之寫入或者讀取結束，則磁帶T從磁帶驅動器18被卸載到原本所儲存之插槽中。
本實施形態中，作為記錄於磁帶T之資料的格式（format），對適用了包含檔案資料及圖像資料等由用戶作為保存對象之資料和與該資料有關之元資料之目標之實施例進行說明。此外，處理該目標之儲存系統被稱為目標儲存系統。
接著，參閱圖2對本實施形態之資訊處理裝置12的硬件結構進行說明。如圖2所示，資訊處理裝置12包括CPU（Central Processing Unit：中央處理器）20、作為臨時儲存區域的記憶體21及非易失性儲存部22。又，資訊處理裝置12包括液晶顯示器等顯示部23、鍵盤和鼠標等輸入部24、與網路N連接之網路I/F（InterFace：介面）25及連接磁帶庫14之外部I/F26。CPU20、記憶體21、儲存部22、顯示部23、輸入部24、網路I/F25及外部I/F26與總線27連接。
儲存部22藉由HDD（Hard Disk Drive：硬碟驅動器）、SSD（Solid State Drive：固態驅動器）及閃存記憶體等來實現。在作為儲存媒體的儲存部22中儲存記錄程式30及讀取程式32。CPU20從儲存部22讀取記錄程式30之後向記憶體21擴展，並執行所擴展之記錄程式30。又，CPU20從儲存部22讀出讀取程式32之後向記憶體21擴展，並執行所擴展之讀取程式32。此外，作為資訊處理裝置12的例，可以舉出服務器電腦等。又，資訊處理裝置12為將目標記錄於磁帶T之記錄裝置的一例。又，資訊處理裝置12亦為讀取記錄於磁帶T之目標之讀取裝置的一例。
接著，參閱圖3對在將目標記錄於本實施形態之資訊處理裝置12的磁帶T之情況下的功能結構進行說明。如圖3所示，資訊處理裝置12包括接收部40及記錄部42。藉由由CPU20執行記錄程式30來作為接收部40及記錄部42而發揮功能。又，在儲存部22的預定的儲存區域中，儲存有資料高速緩存區44及元資料資料庫（DB）46。資料高速緩存區44及元資料DB46存在於每一個磁帶T。
接收部40經由網路I/F25接收使用用於對目標進行處理之API（Application Programming Interface：應用程式編程介面）從終端16發送之資料及與該資料有關之元資料。進而，接收部40將所接收之資料儲存於資料高速緩存區44，並將元資料儲存於元資料DB46。此外，在從終端16發送之元資料中包含有相對應之資料的資料名等識別資訊、資料的尺寸及時間戳等表示資料的屬性之屬性資訊。又，接收部40將包含所接收之資料及元資料之目標固有的識別資訊追加到元資料。
圖4中示出在資料高速緩存區44中儲存有資料且在元資料DB46中儲存有元資料之狀態的一例。又，圖4中，磁帶T處於剛被格式化而尚未記錄有目標之狀態。
如圖4所示，在資料高速緩存區44中儲存有資料，且在元資料DB46中與資料建立對應關聯而儲存有元資料。又，本實施形態之磁帶T被格式化時，被分割成參考分區RP和記錄目標之資料分區DP這2個分區。又，參考分區RP及資料分區DP藉由包含複數條帶而構成之保護帶GW劃分。又，在參考分區RP及資料分區DP的每一個的開頭記錄標籤。在該標籤中，包含有磁帶T的識別資訊及與針對磁帶T的資料的寫入形式有關之格式資訊等。
記錄部42控制磁帶庫14，並將目標的記錄對象的磁帶T加載於預定的磁帶驅動器18。又，記錄部42將包含儲存於資料高速緩存區44之資料及儲存於元資料DB46之相對應之元資料之目標記錄於所加載之磁帶T的資料分區DP。此時，記錄部42在元資料中追加用於管理記錄有相對應之目標之磁帶T的識別資訊及表示磁帶T上的記錄位置之資訊等目標的管理資訊。圖5中示出2個目標被記錄於資料分區DP之狀態的一例。
又，記錄部42按每一個預定的定時將所記錄之目標的元資料的集合記錄於資料分區DP。此外，以下中，將該元資料的集合稱為“第1集合資料”。本實施形態中，記錄部42每當所記錄之目標的尺寸的合計超過預定的尺寸時將所記錄之目標的元資料的集合亦即第1集合資料記錄於資料分區DP。此時，在存在已記錄於資料分區DP的第1集合資料之情況下，記錄部42將記錄之前的第1集合資料之後所記錄之目標的元資料的集合亦即第1集合資料記錄於資料分區DP。亦即，記錄部42按每一個預定的定時執行如下處理，亦即，在記錄了至少1個目標之後，記錄目標中所包含之元資料的集合亦即第1集合資料。進而，記錄部42執行上述處理，以使每一個第1集合資料成為在記錄之前的第1集合資料之後所記錄之所有的目標中所包含之元資料的集合。因此，每一個第1集合資料成為在記錄之前的第1集合資料與自身之間所記錄之所有的目標的元資料的集合。以上處理相當於保證在該第1集合資料之前所記錄之目標被正常寫入之提交處理。此外，此時的上述預定的尺寸例如預先決定為用於防止該提交處理無法長時間進行的值。又，例如，此時的上述預定的尺寸為磁帶T的記錄容量乘以預定的比例而獲得之尺寸等可以依據磁帶T的記錄容量、磁帶T的使用環境或者使用條件等來實驗性地確定或者變更。
又，例如，此時的上述預定的尺寸可以依據在藉由一次記錄指示將目標整體記錄於資料分區DP之情況下所需之時間（以下，稱為“記錄時間”）的上限值來決定。例如，在作為系統的要求性能的記錄時間的上限值為35秒鐘的情況且針對磁帶T的資料的記錄速度為300MB/sec的情況下，只要記錄對象的目標的尺寸的合計值為10GB以下，則記錄時間成為35秒鐘以下。因此，此時，只要將上述預定的尺寸設為10GB即可。
又，記錄部42在將至少1個第1集合資料記錄於資料分區DP之後，將已記錄於資料分區DP的第1集合資料的集合記錄於資料分區DP。此外，以下中，將該第1集合資料的集合稱為“第2集合資料”等。此時，在資料分區DP中已經存在第2集合資料之情況下，記錄部42將集合之前的第1集合資料之後所記錄之第1集合資料的集合亦即第2集合資料記錄於資料分區DP。因此，每一個第2集合資料成為在記錄之前的第2集合資料與自身之間所記錄之所有的第1集合資料的集合。
如圖6所示，在資料分區DP中未記錄有第1集合資料之情況下，已記錄的元資料的集合亦即第1集合資料從資料分區DP的開頭被記錄於資料分區DP。又，在資料分區DP中未記錄有第2集合資料之情況下，已記錄的第1集合資料的集合亦即第2集合資料從資料分區DP的開頭被記錄於資料分區DP。此外，圖6中，將第1集合資料標註為“第1集合”，將第2集合資料標註為“第2集合”。又，該標註在後述之圖7～圖9中亦相同。
又，如圖6所示，在將第1集合資料及第2集合資料記錄於資料分區DP之情況下，記錄部42在第1集合資料的前後及第2集合資料的前後記錄檔案標記。藉由使用該檔案標記，能夠搜索已記錄於資料分區DP的第1集合資料及第2集合資料。
又，如圖7所示，在資料分區DP中記錄有第1集合資料之情況下，記錄之前的第1集合資料之後所記錄之目標的元資料的集合亦即第1集合資料被記錄於資料分區DP。又，在資料分區DP中記錄有第2集合資料之情況下，記錄之前的第2集合資料之後所記錄之第1集合資料的集合亦即第2集合資料被記錄於資料分區DP。亦即，本實施形態中，在資料分區DP中所記錄之複數個第1集合資料中不會重複包含元資料，因此能夠抑制磁帶T的有效容量的降低。又，本實施形態中，在資料分區DP中所記錄之複數個第2集合資料中不會重複包含第1集合資料，因此能夠抑制磁帶T的有效容量的降低。
又，當將目標記錄於資料分區DP時，之前的第2集合資料的尺寸為預定的尺寸以下之情況下，記錄部42將目標覆寫到該第2集合資料來進行記錄。圖7中示出覆寫有圖6的第2集合資料之例。此外，此時的上述預定的尺寸例如依據磁帶T的記錄速度來預先決定。又，例如，此時的上述預定的尺寸為磁帶T的記錄容量乘以預定的比例而獲得之尺寸等可以依據磁帶T的記錄容量、磁帶T的使用環境或者使用條件等來實驗性地確定或者變更。
又，如圖8所示，在記錄於資料分區DP之第2集合資料的尺寸超過預定的尺寸之情況下，記錄部42不刪除其第2集合資料而記錄（複製）於參考分區RP。此時，記錄部42還在參考分區RP的第2集合資料的前後記錄檔案標記。
又，如圖9所示，即使在儲存於資料高速緩存區44之資料在資料分區DP上記錄結束之後卸載磁帶T之情況下，記錄部42亦相同地將第1集合資料及第2集合資料記錄於資料分區DP。此時，記錄部42將第2集合資料亦記錄於參考分區RP。
接著，對用作本實施形態的磁帶T之磁記錄媒體進行說明。
［磁記錄媒體］ 在本實施形態中所使用之磁記錄媒體的一態樣與如下磁記錄媒體有關，亦即，該磁記錄媒體在非磁性支撐體上具有包含強磁性粉末及黏合劑之磁性層，其中，在上述磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在0.5atm的按壓下所測量之間距S0.5 與在上述磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在13.5atm的按壓下所測量之間距S13.5 的差分（S0.5 -S13.5 ）為3.0nm以下。
在本實施形態中，“正己烷清洗”是指將從磁記錄媒體所切取之試樣片浸漬於液溫20～25℃的新鮮的正己烷（200g）中，並進行100秒鐘的超音波清洗（超音波輸出：40kHz）之情況。在作為清洗對象的磁記錄媒體為磁帶的情況下，切取長度為5cm的試樣片並進行正己烷清洗。磁帶的寬度及從磁帶所切取之試樣片的寬度通常為1/2英吋。1英吋=0.0254米。對於除了1/2英吋寬度以外的磁帶，亦切取長度為5cm的試樣片並進行正己烷清洗即可。在作為清洗對象的磁記錄媒體為磁盤的情況下，切取5cm×1.27cm尺寸的試樣片並進行正己烷清洗。以下進行詳細敘述之間距的測量係將進行正己烷清洗後的試樣片在溫度23℃且相對濕度50%的環境下放置24時間之後進行。
在本實施形態中，磁記錄媒體的“磁性層（的）表面”的含義與磁記錄媒體的磁性層側表面相同。
在本實施形態中，將在磁記錄媒體的磁性層表面上藉由光學干涉法進行測量之間距設為藉由以下方法進行測量之值。
在將磁記錄媒體（詳細而言，上述試樣片。以下相同。）和透明的板狀構件（例如玻璃板等）以磁記錄媒體的磁性層表面與透明的板狀構件相對的方式重疊之狀態下，從與磁記錄媒體的磁性層側相反的一側以0.5atm或者13.5atm的壓力按壓按壓構件。在該狀態下，經由透明的板狀構件向磁記錄媒體的磁性層表面照射光（照射區域：150000～200000μm2 ），並依據藉由來自磁記錄媒體的磁性層表面的反射光與來自透明的板狀構件的磁記錄媒體側表面的反射光的光程差產生之干涉光的強度（例如，干涉條紋圖像的對比度），求出磁記錄媒體的磁性層表面與透明的板狀構件的磁記錄媒體側表面之間的間距（距離）。在此所照射之光並無特別限定。在所照射之光如包含複數波長的光之白色光那樣遍及較廣的波長範圍而具有發光波長光的情況下，在透明的板狀構件與接受反射光之受光部之間配置干涉過濾器等具有選擇性切割特定波長的光或者除了特定波長範圍以外的光之功能之構件，並使反射光中的局部波長的光或者局部波長範圍的光選擇性入射到受光部。在所照射之光為具有單獨的發光峰之光（所謂單色光）的情況下，可以不使用上述構件。關於入射到受光部之光的波長，作為一例，例如能夠在500～700nm的範圍內。但是，入射到受光部之光的波長並不限定於上述範圍。又，透明的板狀構件只要為具有經由該構件向磁記錄媒體照射光而獲得干涉光程度地透射所照射之光之透明性之構件即可。
將藉由上述間距的測量所獲得之干涉條紋圖像分割成300000點並求出各點的間距（磁記錄媒體的磁性層表面與透明的板狀構件的磁記錄媒體側表面之間的距離），將此設為直方圖，並將該直方圖中的最大頻率（Maximum frequency）設為間距。
從相同的磁記錄媒體切取5個試樣片，並對各試樣片進行正己烷清洗後以0.5atm的壓力按壓按壓構件來求出間距S0.5 ，進一步以13.5atm的壓力按壓按壓構件來求出間距S13.5 。進而，計算出所求出之S0.5 與S13.5 的差分（S0.5 -S13.5 ）。將計算出之5個試樣片的差分（S0.5 -S13.5 ）的算術平均設為該磁記錄媒體的差分（S0.5 -S13.5 ）。
關於以上的測量，例如能夠使用Micro Physics公司製Tape Spacing Analyzer等市售的帶間距分析儀（TSA;Tape Spacing Analyzer）來進行。關於實施例中的間距測量，使用Micro Physics公司製Tape Spacing Analyzer來實施。
關於在進行磁性層表面與磁頭的滑動時的摩擦係數，能夠藉由在磁性層表面上形成突起並減少在磁性層表面上與磁頭接觸（所謂真實接觸）之部分來使其降低。但是，若由於反覆進行與磁頭的滑動而有可能磁性層表面的突起的高度變低，則在磁性層表面上與磁頭真實接觸之部分增加，從而摩擦係數有可能上升。
關於上述點，本揭示的發明人等反覆進行深入研究，認為在反覆進行與磁頭的滑動時對磁性層表面施加之壓力並非為恆定，亦存在施加較大壓力之情況，由於在施加了較大壓力時突起變形或者沉入磁性層內部中而突起的高度變低，這成為在反覆進行與磁頭的滑動時摩擦係數上升之原因。上述施加較大壓力之情況例如考慮與磁頭的邊緣部接觸時。相對於此，藉由上述方法求出之S0.5 與S13.5 的差分（S0.5 -S13.5 ）小至3.0nm以下表示即使施加較大壓力，磁性層表面的突起的高度亦難以產生較大變化。因此，認為即使反覆進行與磁頭的滑動，上述差分為3.0nm以下的上述磁記錄媒體的磁性層表面的突起的高度變化少。本揭示的發明人等推測，依上述磁記錄媒體，此為即使反覆進行與磁頭的滑動亦能夠抑制摩擦係數的上升之理由。但是，本揭示並不限定於上述推測。
然而，關於在進行上述間距的測量中的按壓時的壓力，本實施形態中，作為在進行與磁頭的滑動時對磁性層表面主要施加之壓力的例示的值採用0.5atm，作為在進行與磁頭的滑動時對磁性層表面施加之較大壓力的例示的值採用13.5atm，在進行與磁頭的滑動時對上述磁記錄媒體施加之壓力並不限定於上述壓力。本揭示的發明人等進行深入研究的結果，新發現藉由控制採用上述壓力所求出之上述差分，即使反覆進行與磁頭的滑動亦能夠抑制摩擦係數的上升。對上述差分的控制方法將進行後述。
以下，對上述磁記錄媒體進一步進行詳細說明。在以下中，將反覆進行磁性層表面與磁頭的滑動而摩擦係數上升之情況亦簡單記載為“摩擦係數的上升”。
＜磁性層＞ （差分（S0.5 -S13.5 ）） 上述磁記錄媒體的差分（S0.5 -S13.5 ）為3.0nm以下，從更進一步抑制摩擦係數的上升之觀點考慮，2.9nm以下為較佳，2.8nm以下為更佳，2.7nm以下為進一步較佳，2.6nm以下為進一步較佳，2.5nm以下為更進一步較佳。又，上述差分例如能夠為1.0nm以上、1.5nm以上、1.8nm以上或者2.0nm以上。但是，從抑制摩擦係數的上升之觀點考慮，上述差分越小越較佳，因此當然亦能夠降低上述所例示之下限。關於上述差分，能夠藉由能夠在磁性層表面上形成突起之非磁性填料（以下，記載為“突起形成劑”。）的種類及磁記錄媒體的製造條件來進行控制。對該點的詳細內容將進行後述。
上述磁記錄媒體的S0.5 及S13.5 只要差分（S0.5 -S13.5 ）為3.0nm以下，則並無特別限定。從提高電磁轉換特性的觀點考慮，S0.5 為50.0nm以下為較佳，40.0nm以下為更佳，30.0nm以下為進一步較佳，20.0nm以下為進一步較佳，16.0nm以下為更進一步較佳，15.5nm以下為又進一步較佳，14.5nm以下為又更進一步較佳。又，從主要將與磁頭的滑動初期的摩擦係數抑制為較低之觀點考慮，S0.5 為5.0nm以上為較佳，8.0nm以上為更佳，10.0nm以上為進一步較佳，12.0nm以上為進一步較佳。又，從即使反覆進行與磁頭的滑動亦良好地維持行駛穩定性之觀點考慮，S13.5 為5.0nm以上為較佳，8.0nm以上為更佳，10.0nm以上為進一步較佳。又，從即使反覆進行與磁頭的滑動亦發揮優異之電磁轉換特性之觀點考慮，S13.5 為15.0nm以下為較佳，14.0nm以下為更佳，13.5nm以下為進一步較佳，13.0nm以下為進一步較佳，12.0nm以下為更進一步較佳。
（強磁性粉末） 作為磁性層中所包含之強磁性粉末，能夠使用在各種磁記錄媒體的磁性層中通常所使用之強磁性粉末。從提高磁記錄媒體的記錄密度的觀點考慮，作為強磁性粉末使用平均粒徑小者為較佳。依據該點，強磁性粉末的平均粒徑為50nm以下為較佳，45nm以下為更佳，40nm以下為進一步較佳，35nm以下為進一步較佳，30nm以下為更進一步較佳，25nm以下為又進一步較佳，20nm以下為再進一步較佳。另一方面，從磁化的穩定性的觀點考慮，強磁性粉末的平均粒徑為5nm以上為較佳，8nm以上為更佳，10nm以上為進一步較佳，15nm以上為進一步較佳，20nm以上為更進一步較佳。
作為強磁性粉末的較佳地具體例，能夠舉出六方晶鐵氧體粉末。關於六方晶鐵氧體粉末的詳細內容，例如能夠參閱日本特開2011-225417號公報的0012～0030段、日本特開2011-216149號公報的0134～0136段、日本特開2012-204726號公報的0013～0030段及日本特開2015-127985號公報的0029～0084段。作為六方晶鐵氧體粉末，六方晶鋇鐵氧體粉末及六方晶鍶鐵氧體粉末為特佳。
作為強磁性粉末使用六方晶鍶鐵氧體粉末之情況下的較佳態樣為如下。
六方晶鍶鐵氧體粉末的活化體積較佳為在800～1500nm3 的範圍內。表示上述範圍的活化體積之被微粒化之六方晶鍶鐵氧體粉末適用於發揮優異之電磁轉換特性之磁帶的製作。六方晶鍶鐵氧體粉末的活化體積較佳為800nm3 以上，例如亦能夠為850nm3 以上。又，從進一步提高電磁轉換特性的觀點考慮，六方晶鍶鐵氧體粉末的活化體積為1400nm3 以下為更佳，1300nm3 以下為進一步較佳，1200nm3 以下為進一步較佳，1100nm3 以下為更進一步較佳。
“活化體積”為磁化反轉的單位，為表示粒子的磁強度之指標。本揭示及本說明書中所記載的活化體積及後述的異向性常數Ku為如下值，亦即，該值使用振動試樣型磁力計測量3分鐘和30分鐘的保磁力Hc測量部的磁場掃描速度（測量溫度：23℃±1℃），並依據與以下Hc和活化體積V的關係式求出。此外，關於異向性常數Ku的單位，為1erg/cc=1.0×10-1 J/m3 。Hc=2Ku/Ms｛1-［（kT/KuV）ln（At/0.693）］1/2 ｝ ［上述式中，Ku：異向性常數（單位：J/m3 ）、Ms：飽和磁化（單位：kA/m）、k：波茲曼常數（Boltzmann constant）、T：絕對溫度（單位：K）、V：活化體積（單位：cm3 ）、A：自旋進動頻率（單位：s-1 ）、t：磁場反轉時間（單位：s）］
作為熱震動的減少，換言之，作為熱穩定性的提高的指標，能夠舉出異向性常數Ku。六方晶鍶鐵氧體粉末較佳為能夠具有1.8×105 J/m3 以上的Ku，更佳為能夠具有2.0×105 J/m3 以上的Ku。又，六方晶鍶鐵氧體粉末的Ku例如能夠為2.5×105 J/m3 以下。但是，是指Ku越高熱穩定性越高而為較佳，因此並不限定於上述所例示之值。
從提高在再生磁帶上所記錄之資料時的再生輸出之觀點考慮，期望磁帶中所包含之強磁性粉末的質量磁化σs高。關於這一點，可以觀察到雖然包含稀土類原子但是不具有稀土類原子表層部偏在性之六方晶鍶鐵氧體粉末與不包含稀土類原子之六方晶鍶鐵氧體粉末相比趨於σs大幅度降低。相對於此，認為在抑制該種σs的大幅度降低方面，具有稀土類原子表層部偏在性之六方晶鍶鐵氧體粉末亦為較佳。一態樣中，六方晶鍶鐵氧體粉末的σs能夠為45A・m2 /kg以上，亦能夠為47A・m2 /kg以上。另一方面，從降低噪音的觀點考慮，σs為80A・m2 /kg以下為較佳，60A・m2 /kg以下為更佳。關於σs，能夠使用振動試樣型磁力計等能夠測量磁性之公知的測量裝置進行測量。在本揭示及本說明書中，除非另有說明，則將質量磁化σs設為在磁場強度15kOe下測量之值。1［kOe］=106 /4π［A/m］。
在上述磁帶在磁性層中包含六方晶鍶鐵氧體粉末之情況下，磁性層的異方性磁場Hk為14kOe以上為較佳，16kOe以上為更佳，18kOe以上為進一步較佳。又，上述磁性層的異方性磁場Hk為90kOe以下為較佳，80kOe以下為更佳，70kOe以下為進一步較佳。
本揭示及本說明書中的異方性磁場Hk是指在沿難磁化軸（hard axis）方向施加磁場時磁化飽和之磁場。關於異方性磁場Hk，能夠使用振動試樣型磁力計等能夠測量磁性之公知的測量裝置進行測量。在包含六方晶鍶鐵氧體粉末之磁性層中，磁性層的難磁化軸方向為面內方向。
作為強磁性粉末的較佳地具體例，亦能夠舉出金屬粉末。關於金屬粉末的詳細內容，例如能夠參閱日本特開2011-216149號公報的0137～0141段及日本特開2005-251351號公報的0009～0023段。
作為強磁性粉末的較佳地具體例，亦能夠舉出ε-氧化鐵粉末。作為ε-氧化鐵粉末的製造方法，已知有由針鐵礦（goethite）製作之方法及反微胞法（Reverse micelle method）等。上述製造方法均為公知。又，關於製造Fe的一部分經Ga、Co、Ti、Al、Rh等取代原子取代之ε-氧化鐵粉末之方法，例如能夠參閱“J.Jpn.Soc.Powder Metallurgy Vol.61 Supplement,No.S1,pp.S280-S284,J.Mater.Chem.C,2013,1,pp.5200-5206”等。但是，在上述磁性層中能夠用作強磁性粉末之ε-氧化鐵粉末的製造方法並沒有限定。
作為強磁性粉末使用ε-氧化鐵粉末之情況下的較佳態樣為如下。
ε-氧化鐵粉末的活化體積較佳為在300～1500nm3 的範圍內。表示上述範圍的活化體積之被微粒化之ε-氧化鐵粉末適用於發揮優異之電磁轉換特性之磁帶的製作。ε-氧化鐵粉末的活化體積較佳為300nm3 以上，例如亦能夠為500nm3 以上。又，從進一步提高電磁轉換特性的觀點考慮，ε-氧化鐵粉末的活化體積為1400nm3 以下為更佳，1300nm3 以下為進一步較佳，1200nm3 以下為進一步較佳，1100nm3 以下為更進一步較佳。
作為熱震動的減少，換言之，作為熱穩定性的提高的指標，能夠舉出異向性常數Ku。ε-氧化鐵粉末較佳為能夠具有3.0×104 J/m3 以上的Ku，更佳為能夠具有8.0×104 J/m3 以上的Ku。又，ε-氧化鐵粉末的Ku例如能夠為3.0×105 J/m3 以下。但是，是指Ku越高熱穩定性越高而為較佳，因此並不限定於上述所例示之值。
從提高在再生磁帶上所記錄之資料時的再生輸出之觀點考慮，期望磁帶中所包含之強磁性粉末的質量磁化σs高。關於這一點，一態樣中，ε-氧化鐵粉末的σs能夠為8A・m2 /kg以上，亦能夠為12A・m2 /kg以上。另一方面，從降低噪音的觀點考慮，ε-氧化鐵粉末的σs為40A・m2 /kg以下為較佳，35A・m2 /kg以下為更佳。
在上述磁帶在磁性層中包含ε-氧化鐵粉末之情況下，磁性層的異方性磁場Hk為18kOe以上為較佳，30kOe以上為更佳，38kOe以上為進一步較佳。又，磁性層的異方性磁場Hk為100kOe以下為較佳，90kOe以下為更佳，75kOe以下為進一步較佳。在包含ε-氧化鐵粉末之磁性層中，磁性層的難磁化軸方向為面內方向。
在本實施形態中，除非另有說明，則將強磁性粉末等各種粉末的平均粒徑設為使用透射型電子顯微鏡並藉由以下方法進行測量之值。
使用透射型電子顯微鏡以100000倍的拍攝倍率拍攝粉末，並將其打印到相紙上以使其總倍率成為500000倍，從而獲得構成粉末之粒子的像片。利用從所獲得之粒子的像片選擇目標粒子之數位轉換器（Digitizer）跟蹤粒子的輪廓並測量粒子（一次粒子）的尺寸。一次粒子是指沒有凝聚的獨立之粒子。
對隨機抽取之500個粒子進行以上的測量。將如此所獲得之500個粒子的粒徑的算術平均設為粉末的平均粒徑。作為上述透射型電子顯微鏡，例如能夠使用Hitachi,Ltd.製透射型電子顯微鏡H-9000型。又，關於粒徑的測量，能夠使用公知的圖像解析軟體（例如，Carl Zeiss Co.,Ltd.製圖像解析軟體KS-400）來進行。除非另有說明，則後述的實施例所示之平均粒徑為作為透射型電子顯微鏡使用Hitachi,Ltd.製透射型電子顯微鏡H-9000型且作為圖像解析軟體使用Carl Zeiss Co.,Ltd.製圖像解析軟體KS-400來測量之值。在本揭示及本說明書中，粉末是指複數個粒子的集合。例如，強磁性粉末是指複數個強磁性粒子的集合。又，複數個粒子的集合並不限定於構成集合之粒子直接接觸之態樣，亦包括後述之黏合劑及添加劑等介於粒子彼此之間之態樣。所謂粒子的術語有時用於表示粉末。
作為為了測量粒徑而從磁記錄媒體採取試樣粉末之方法，例如能夠採用日本特開2011-048878號公報的0015段中所記載的方法。
在本實施形態中，除非另有說明，則關於構成粉末之粒子的尺寸（粒徑），在上述粒子像片中所觀察之粒子的形狀為 （1）針狀、紡錘狀、柱狀（但是，高度大於底面的最大長徑）等的情況下，由構成粒子之長軸的長度亦即長軸長度表示， （2）在為板狀或者柱狀（但是，厚度或者高度小於板面或者底面的最大長徑）的情況下，由其板面或者底面的最大長徑表示， （3）在為球形、多面體狀及未指定形狀等且無法從形狀確定構成粒子之長軸的情況下，由等效圓直徑表示。等效圓直徑是指使用圓投影法求出者。
又，粉末的平均針狀比是指在上述測量中測量粒子的短軸的長度亦即短軸長度並求出各粒子的（長軸長度/短軸長度）的值來對上述500個的粒子所獲得之值進行算術平均。在此，除非另有說明，則依據上述粒徑的定義，短軸長度在（1）的情況下是指構成粒子之短軸的長度，相同地在（2）的情況下是指厚度或者高度，在（3）的情況下長軸與短軸沒有區別，因此方便起見將（長軸長度/短軸長度）視為1。
進而，除非另有說明，則當粒子的形狀為特定時，例如，依據上述粒徑的定義為（1）的情況下，平均粒徑為平均長軸長度，依據相同定義為（2）的情況下，平均粒徑為平均板徑。依據相同定義為（3）的情況下，平均粒徑為平均直徑（亦稱為平均粒徑、平均粒子徑）。
磁性層中的強磁性粉末的含量（填充率）較佳為在50～90質量%的範圍內，更佳為在60～90質量%的範圍內。磁性層的除了強磁性粉末以外的成分至少為黏合劑，能夠任意包含一種以上的其他添加劑。從提高記錄密度的觀點考慮，在磁性層中強磁性粉末的填充率高為較佳。
（黏合劑、硬化劑） 上述磁記錄媒體為塗佈型磁記錄媒體，在磁性層中包含黏合劑。黏合劑是指一種以上的樹脂。作為黏合劑，能夠使用作為塗佈型磁記錄媒體的黏合劑通常所使用之各種樹脂。例如，作為黏合劑，能夠單獨使用選自聚胺酯樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、氯乙烯樹脂、共聚苯乙烯、丙烯腈及甲基丙烯酸甲酯等而得之丙烯酸樹脂、硝基纖維素等纖維素樹脂、環氧樹脂、苯氧基樹脂、聚乙烯縮醛及聚乙烯醇縮丁醛等聚乙烯烷醚樹脂等之樹脂，或者混合複數個樹脂來進行使用。該等之中，較佳為聚胺酯樹脂、丙烯酸樹脂、纖維素樹脂及氯乙烯樹脂。該等樹脂可以為均聚物，亦可以為Copolymer（共聚物）。該等樹脂在後述之非磁性層和/或背塗層中亦能夠用作黏合劑。關於以上黏合劑，能夠參閱日本特開2010-024113號公報的0028～0031段。又，黏合劑可以為電子束硬化型樹脂等放射線硬化型樹脂。關於放射線硬化型樹脂，能夠參閱日本特開2011-048878號公報的0044～0045段。
關於用作黏合劑之樹脂的平均分子量，作為重量平均分子量，例如能夠為10,000以上且200,000以下。本揭示及本說明書中的重量平均分子量為使用凝膠滲透層析法（GPC）對在下述測量條件下所測量之值進行聚苯乙烯換算來求出之值。後述的實施例所示之黏合劑的重量平均分子量為對在下述測量條件下所測量之值進行聚苯乙烯換算來求出之值。 GPC裝置：HLC-8120（TOSOH CORPORATION製） 管柱：TSK gel Multipore HXL-M（TOSOH CORPORATION製，7.8mmID（Inner Diameter：內徑）×30.0cm） 洗提液：四氫呋喃（THF）
又，除了黏合劑以外亦能夠使用硬化劑。關於硬化劑，一態樣中能夠為藉由加熱而進行硬化反應（交聯反應）之化合物亦即熱硬化性化合物，另一態樣中能夠為藉由光照射而進行硬化反應（交聯反應）之光硬化性化合物。藉由在磁記錄媒體的製造步驟中進行硬化反應，硬化劑的至少一部分能夠以與黏合劑等其他成分進行了反應（交聯）之狀態包含於磁性層。較佳的硬化劑為熱硬化性化合物，聚異氰酸酯為較佳。關於聚異氰酸酯的詳細內容，能夠參閱日本特開2011-216149號公報的0124～0125段。在磁性層形成用組成物中，硬化劑相對於黏合劑100.0質量份例如能夠以0～80.0質量份的量進行使用，從提高磁性層等各層的強度的觀點考慮，較佳為能夠以50.0～80.0質量份的量進行使用。
（其他成分） 在磁性層中，除了上述各種成分以外，依據需要亦可以包含有一種以上的添加劑。關於添加劑，能夠依據所期望的性質適當選擇市售品來進行使用。又，亦能夠將使用公知的方法合成之化合物用作添加劑。作為添加劑的一例，可以舉出上述硬化劑。又，作為能夠包含於磁性層中之添加劑，能夠舉出非磁性填料、潤滑劑、分散劑、分散助劑、抗菌劑、抗靜電劑及抗氧化劑等。非磁性填料的含義與非磁性粒子或者非磁性粉末相同。作為非磁性填料，能夠舉出能夠作為突起形成劑及研磨劑而發揮功能之非磁性填料（以下，記載為“研磨劑”）。又，作為添加劑，亦能夠使用日本特開2016-051493號公報的0030～0080段中所記載之各種聚合物等公知的添加劑。
作為非磁性填料的一態樣之突起形成劑，能夠使用無機物質的粒子，亦能夠使用有機物質的粒子，還能夠使用無機物質與有機物質的複合粒子。作為無機物質，能夠舉出金屬氧化物等無機氧化物、金屬碳酸鹽、金屬硫酸鹽、金屬氮化物、金屬碳化物及金屬硫化物等，無機氧化物為較佳。一態樣中，突起形成劑能夠為無機氧化物系粒子。在此，“系”以“包含”的含義被使用。無機氧化物系粒子的一態樣為由無機氧化物組成之粒子。又，無機氧化物系粒子的另一態樣為無機氧化物與有機物質的複合粒子，作為具體例，能夠舉出無機氧化物與聚合物的複合粒子。作為該種粒子，例如能夠舉出在無機氧化物粒子的表面上組合有聚合物之粒子。
上述S0.5 主要能夠藉由突起形成劑的粒徑來進行控制。突起形成劑的平均粒徑例如為30～300nm，較佳為40～200nm。又，藉由磁記錄媒體的製造條件，主要能夠控制S0.5 。另一方面，關於S13.5 ，除了突起形成劑的粒徑以外，能夠藉由突起形成劑的形狀來進行控制。粒子的形狀越接近真球的粒子，在施加了較大壓力時所產生之按壓阻力越小，因此變得容易按壓於磁性層內部，S13.5 容易變小。相對於此，若粒子的形狀為脫離真球之形狀、例如所謂被稱為異形之形狀，則在施加了較大壓力時容易產生較大按壓阻力，因此變得難以按壓於磁性層內部，S13.5 容易變大。又，即使係粒子表面不均勻且表面平滑性低之粒子，在施加了較大壓力時亦容易產生較大按壓阻力，因此變得難以按壓於磁性層內部，S13.5 容易變大。進而，藉由控制S0.5 及S13.5 ，能夠將差分（S0.5 -S13.5 ）設為3.0nm以下。
作為非磁性填料的另一態樣之研磨劑較佳為莫氏硬度超過8的非磁性粉末，莫氏硬度為9以上的非磁性粉末為更佳。相對於此，突起形成劑的莫氏硬度例如能夠為8以下或者7以下。此外，莫氏硬度的最大值為金剛石的10。具體而言，能夠舉出礬土（Al2O3）、碳化矽、碳化硼（B4C）、SiO2、TiC、氧化鉻（Cr2O3）、氧化鈰、氧化鋯（ZrO2）、氧化鐵及金剛石等粉末，其中，α-礬土等礬土粉末及碳化矽粉末為較佳。又，研磨劑的平均粒徑例如在30～300nm的範圍內，較佳為在50～200nm的範圍內。
又，從突起形成劑及研磨劑能夠更加良好地發揮它們的功能等觀點考慮，磁性層中的突起形成劑的含量相對於強磁性粉末100.0質量份較佳為1.0～4.0質量份，更佳為1.5～3.5質量份。另一方面，研磨劑在磁性層中的含量相對於強磁性粉末100.0質量份較佳為1.0～20.0質量份，更佳為3.0～15.0質量份，進一步較佳為4.0～10.0質量份。
作為能夠用於包含研磨劑之磁性層中之添加劑的一例，能夠舉出將日本特開2013-131285號公報的0012～0022段中所記載的分散劑作為用於提高磁性層形成用組成物中的研磨劑的分散性的分散劑。又，關於分散劑，能夠參閱日本特開2012-133837號公報的0061及0071段。分散劑可以包含於非磁性層。關於能夠包含於非磁性層之分散劑，能夠參閱日本特開2012-133837號公報的0061段。
作為能夠包含於磁性層之添加劑的一態樣之潤滑劑，能夠舉出選自由脂肪酸、脂肪酸酯及脂肪酸醯胺組成之群組中的一種以上的潤滑劑。上述S0.5 及S13.5 為進行正己烷清洗後測量之值。若在進行間距測量時被按壓之磁性層的表面上存在潤滑劑的液膜，則所測量之間距有可能變窄該液膜的厚度程度。相對於此，推測在按壓時能夠作為液膜存在之潤滑劑能夠藉由正己烷清洗來去除。因此，認為藉由在進行正己烷清洗後測量間距，能夠作為與磁性層表面的突起的存在狀態（突起的高度）良好地對應之值獲得間距的測量值。
作為脂肪酸，例如能夠舉出月桂酸、肉豆蔻酸、棕櫚酸、硬脂酸、油酸、亞麻油酸、亞麻酸、二十二酸、芥酸及反油酸等，硬脂酸、肉豆蔻酸及棕櫚酸為較佳，硬脂酸為更佳。脂肪酸可以以金屬鹽等鹽的形態包含於磁性層。
作為脂肪酸酯，例如能夠舉出月桂酸、肉豆蔻酸、棕櫚酸、硬脂酸、油酸、亞麻油酸、亞麻酸、二十二酸、芥酸及反油酸等酯。作為具體例，例如能夠舉出肉豆蔻酸丁酯、棕櫚酸丁酯、硬脂酸丁酯（硬酯酸丁酯（Butyl stearate））、新戊烷乙二醇雙十八稀酸鹽（neopentyl glycol dioleate）、脫水山梨糖醇單硬脂酸酯、脫水山梨糖醇二硬脂酸酯、脫水山梨糖醇三硬脂酸酯、油酸油烯基、硬脂酸異癸酯、硬脂酸異三癸酯、硬脂酸辛酯、硬脂酸異辛酯、硬脂酸戊酯及硬脂酸丁氧基乙基等。
作為脂肪酸醯胺，能夠舉出上述各種脂肪酸的醯胺、例如月桂酸醯胺、肉豆蔻酸醯胺、棕櫚酸醯胺及硬脂酸醯胺等。
關於脂肪酸和脂肪酸的衍生物（醯胺及酯等），脂肪酸衍生物的來自於脂肪酸的部位具有與同時使用之脂肪酸相同或者類似的結構為較佳。例如，作為一例，在作為脂肪酸使用硬脂酸之情況下，使用硬脂酸酯和/或硬脂酸醯胺為較佳。
磁性層形成用組成物的脂肪酸含量相對於強磁性粉末100.0質量份例如為0～10.0質量份，較佳為0.1～10.0質量份，更佳為1.0～7.0質量份。磁性層形成用組成物的脂肪酸酯含量相對於強磁性粉末100.0質量份例如為0～10.0質量份，較佳為0.1～10.0質量份，更佳為1.0～7.0質量份。磁性層形成用組成物的脂肪酸醯胺含量相對於強磁性粉末100.0質量份例如為0～3.0質量份，較佳為0～2.0質量份，更佳為0～1.0質量份。
又，在上述磁記錄媒體在非磁性支撐體與磁性層之間具有非磁性層之情況下，非磁性層形成用組成物的脂肪酸含量相對於非磁性粉末100.0質量份例如為0～10.0質量份，較佳為1.0～10.0質量份，更佳為1.0～7.0質量份。非磁性層形成用組成物的脂肪酸酯含量相對於非磁性粉末100.0質量份例如為0～15.0質量份，較佳為0.1～10.0質量份。非磁性層形成用組成物的脂肪酸醯胺含量相對於非磁性粉末100.0質量份例如為0～3.0質量份，較佳為0～1.0質量份。
＜非磁性層＞ 接著，對非磁性層進行說明。上述磁記錄媒體可以在非磁性支撐體上具有直接磁性層，亦可以在非磁性支撐體與磁性層之間具有包含非磁性粉末及黏合劑之非磁性層。在非磁性層中所使用之非磁性粉末可以為無機物質的粉末（無機粉末），亦可以為有機物質的粉末（有機粉末）。又，亦能夠使用碳黑等。作為無機物質，例如可以舉出金屬、金屬氧化物、金屬碳酸鹽、金屬硫酸鹽、金屬氮化物、金屬碳化物及金屬硫化物等。該等非磁性粉末能夠作為市售品而獲得，亦能夠使用公知的方法來製造。關於其詳細內容，能夠參閱日本特開2011-216149號公報的0146～0150段。關於能夠使用於非磁性層之碳黑，亦能夠參閱日本特開2010-024113號公報的0040～0041段。非磁性層中的非磁性粉末的含量（填充率）較佳為在50～90質量%的範圍內，更佳為在60～90質量%的範圍內。
關於非磁性層的黏合劑、添加劑等其他詳細內容，能夠適用與非磁性層有關之公知技術。又，例如，關於黏合劑的種類及含量、添加劑的種類及含量等，亦能夠適用與磁性層有關之公知技術。
在上述磁記錄媒體的非磁性層中，除了非磁性粉末以外，例如設為亦包含作為雜質或者有意地包含少量的強磁性粉末之實質上非磁性的層者。在此，將實質上非磁性的層設為該層的殘留磁通密度為10mT以下或保磁力為7.96kA/m（100Oe）以下、或者殘留磁通密度為10mT以下並且保磁力為7.96kA/m（100Oe）以下之層。非磁性層不具有殘留磁通密度及保磁力為較佳。
＜非磁性支撐體＞ 接著，對非磁性支撐體進行說明。作為非磁性支撐體（以下，亦簡單記載為“支撐體”。），可以舉出進行了二軸延伸之聚對酞酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺基及芳香族聚醯胺等公知者。該等之中，聚對酞酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯及聚醯胺為較佳。在該等支撐體中，可以預先進行電暈放電、電漿處理、易接著處理及加熱處理等。
＜背塗層＞ 上述磁記錄媒體亦能夠在非磁性支撐體的與具有磁性層之表面側相反的一側的表面側具有包含非磁性粉末及黏合劑之背塗層。在背塗層中，含有碳黑及無機粉末中的一者或者兩者為較佳。關於背塗層中所包含之黏合劑、能夠任意包含之各種添加劑，能夠適用與背塗層有關之公知技術，亦能夠適用與磁性層和/或非磁性層的配方有關之公知技術。例如，關於背塗層，能夠參閱日本特開2006-331625號公報的0018～0020段及美國專利第7，029，774號說明書的第4欄第65行～第5欄第38行的記載。
＜各種厚度＞ 非磁性支撐體的厚度例如在3.0～80.0μm的範圍內，較佳為在3.0～50.0μm的範圍內，更佳為在3.0～10.0μm的範圍內。
從近年來要求之高密度記錄化的觀點考慮，磁性層的厚度為100nm以下為較佳。磁性層的厚度更佳為在10nm～100nm的範圍內，進一步較佳為在20～90nm的範圍內。磁性層至少具有一層即可，亦可以將磁性層分離成具有不同之磁性之2層以上，能夠適用公知的與多層磁性層有關之結構。將在分離成2層以上之情況下的磁性層的厚度設為該等層的合計厚度。
非磁性層的厚度例如為0.1～1.5μm，0.1～1.0μm為較佳。
背塗層的厚度為0.9μm以下為較佳，在0.1～0.7μm的範圍內為進一步較佳。
關於磁記錄媒體的各層及非磁性支撐體的厚度，能夠藉由公知的膜厚測量法來求出。作為一例，例如，藉由離子束、切片機等公知的方法使磁記錄媒體的厚度方向的截面露出之後，在所露出之截面中，使用掃描型電子顯微鏡進行截面觀察。在截面觀察中，對在1個部位中所求出之厚度或者隨機抽取之2個部位以上的複數個部位、例如在2個部位中所求出之厚度進行算術平均，從而能夠求出各種厚度。又，各層的厚度可以作為依據製造條件計算出之設計厚度而求出。
＜製造方法＞ （各層形成用組成物的製備） 關於用於形成磁性層、非磁性層或者背塗層的組成物，除了先前所說明之各種成分以外，通常包含溶劑。作為溶劑，能夠使用為了製造塗佈型磁記錄媒體而通常所使用之各種有機溶劑。其中，從在塗佈型磁記錄媒體中通常所使用之黏合劑的溶解性的觀點考慮，在各層形成用組成物中，包含有丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、二異丁基酮、環己酮、異佛爾酮及四氫呋喃等酮溶劑的一種以上為較佳。各層形成用組成物中的溶劑量並無特別限定，能夠設為與通常的塗佈型磁記錄媒體的各層形成用組成物相同。又，關於製備各層形成用組成物之步驟，通常至少能夠包括混練步驟、分散步驟及在該等步驟的前後依據需要設置之混合步驟。各個步驟分別可以分為2階段以上。在各層形成用組成物的製備中所使用之成分可以在任一步驟的開始或者中途添加。又，可以在2個以上的步驟中分開添加各個成分。例如，可以在混練步驟、分散步驟及用於分散後的黏度調整的混合步驟中分開投入黏合劑。磁記錄媒體的製造步驟中，能夠在一部分或者所有的步驟中使用以往公知的製造技術。混練步驟中，使用開放式混練機（open kneader）、連續混練機、加壓混練機、擠出機等具有強混練力之混練機為較佳。關於該等混練處理的詳細內容，記載於日本特開平1-106338號公報及日本特開平1-079274號公報中。又，為了分散各層形成用組成物，能夠使用玻璃珠和/或其他珠。作為該種分散珠，作為高比重的分散珠之二氧化鋯珠、二氧化鈦珠及鋼珠為較佳。關於這些分散珠，使粒徑（珠直徑）和填充率最佳化來進行使用為較佳。分散機能夠使用公知者。可以在進行塗佈步驟之前藉由公知的方法過濾各層形成用組成物。關於過濾，例如能夠藉由過濾器過濾來進行。作為用於過濾之過濾器，例如能夠使用孔徑為0.01～3μm的過濾器（例如，玻璃纖維製過濾器、聚丙烯製過濾器等）。
（塗佈步驟） 關於磁性層，例如能夠藉由將磁性層形成用組成物直接塗佈於非磁性支撐體上、或者將磁性層形成用組成物與非磁性層形成用組成物依次或者同時多層塗佈於非磁性支撐體上來形成。進行配向處理之態樣中，在磁性層形成用組成物的塗佈層處於濕潤狀態時，在配向區域中相對於塗佈層進行配向處理。關於配向處理，能夠適用以日本特開2010-024113號公報的0052段的記載為首之各種公知技術。例如，關於垂直配向處理，能夠藉由使用相對極磁鐵之方法等公知的方法來進行。配向區域中，能夠藉由乾燥風的溫度、風量和/或配向區域中的輸送速度來控制塗佈層的乾燥速度。又，可以在輸送到配向區域之前對塗佈層進行預先乾燥。
關於背塗層，能夠藉由將背塗層形成用組成物塗佈於非磁性支撐體的與具有磁性層之（或者追加設置磁性層）一側相反的一側來形成。關於用於形成各層的塗佈的詳細內容，能夠參閱日本特開2010-231843號公報的0066段。
（其他步驟） 進行了上述塗佈步驟之後，通常，為了提高磁記錄媒體的表面平滑性而實施壓光處理。趨於越強化壓光條件，在所製造之磁記錄媒體中藉由突起形成劑形成之磁性層表面的突起的高度變得越低。藉此，例如能夠使S0.5 降低。作為壓光條件，能夠舉出壓光輥的種類及級數、壓光壓力、壓光溫度（壓光輥的表面溫度）、壓光速度等。壓光壓力例如為200～500kN/m，較佳為250～350kN/m，壓光溫度例如為70～120℃，較佳為80～100℃，壓光速度例如為50～300m/min，較佳為80～200m/min。又，趨於作為壓光輥越使用表面硬的輥且越增加級數，磁性層表面越平滑化，因此亦能夠藉由壓光輥的組合及級數來調整磁性層表面的突起的高度。
關於用於磁記錄媒體製造的其他各種步驟，能夠參閱日本特開2010-231843號公報的0067～0070段。
（伺服圖案的形成） 在如上述所製造之磁帶上，為實現成能夠進行磁記錄再生裝置中的磁頭的追蹤控制及磁帶的行駛速度的控制等，能夠藉由公知的方法來形成伺服圖案。“伺服圖案的形成”亦能夠稱為“伺服訊號的記錄”等。以下，對伺服圖案的形成進行說明。
伺服圖案通常沿磁帶的長邊方向形成。作為利用伺服訊號之控制（伺服控制）的方式，可以舉出時基伺服（TBS：Timing based servo）、振幅伺服、頻率伺服等。
如ECMA（European Computer Manufacturers Association：歐洲電腦製造商協會）-319所示，以LTO（Linear Tape-Open：開放線性磁帶）規格為基準之磁帶（通常被稱為“LTO磁帶”。）中，採用了時基伺服方式。在該時基伺服方式中，伺服圖案由相互非平行的一對磁條（亦稱為“伺服條”。）沿磁帶的長邊方向連續配置複數個而構成。在本揭示及本說明書中，“時基伺服圖案”是指設為能夠進行時基伺服方式的伺服系統中的磁頭追蹤之伺服圖案。如上述，由相互非平行的一對磁條構成伺服圖案之原因在於，係為了向通過伺服圖案上之伺服訊號讀取元件通知其通過位置。具體而言，上述一對磁條形成為其間隔沿磁帶的寬度方向連續變化，藉由伺服訊號讀取元件讀取其間隔，能夠知道伺服圖案與伺服訊號讀取元件的相對位置。該相對位置的資訊能夠追蹤資料磁軌。因此，在伺服圖案上，通常沿磁帶的寬度方向設定有複數個伺服磁軌。
伺服帶由沿磁帶的長邊方向連續之伺服訊號構成。通常，在磁帶上設置複數條該伺服帶。例如，在LTO磁帶上，其數量為5條。夾在相鄰之2條伺服帶之間的區域被稱為資料帶。資料帶由複數個資料磁軌構成，各資料磁軌對應於各伺服磁軌。
又，一態樣中，如日本特開2004-318983號公報所示，在各伺服帶上嵌入有表示伺服帶的號碼之資訊（亦稱為“伺服帶ID（identification：標識）”或者“UDIM（Unique DataBand Identification Method：唯一資料帶標識方法）資訊”。）。該伺服帶ID藉由使在伺服帶上具有複數個之一對伺服條中的特定者以其位置沿磁帶的長邊方向相對位移的方式移動來進行記錄。具體而言，在每一個伺服帶改變具有複數個之一對伺服條中的特定者的移動方法。藉此，所記錄之伺服帶ID針對每一個伺服帶成為唯一者，因此僅藉由使用伺服訊號讀取元件讀取一個伺服帶，就能夠唯一地（uniquely）確定該伺服帶。
此外，在唯一地確定伺服帶之方法中，還存在使用了如ECMA-319所示的交錯（Staggered）方式者。該交錯方式中，將沿磁帶的長邊方向連續配置複數個之相互非平行的一對磁條（伺服條）的群組記錄為在每一個伺服帶上沿磁帶的長邊方向移動。相鄰之伺服帶之間的該移動方式的組合在磁帶整體中被設為唯一者，因此在藉由2個伺服訊號讀取元件讀取伺服圖案時，亦能夠唯一地確定伺服帶。
又，在各伺服帶上，如ECMA-319所示，通常亦嵌入有表示磁帶的長邊方向的位置之資訊（亦稱為“LPOS（Longitudinal Position：縱向方位）資訊”。）。該LPOS資訊亦與UDIM資訊相同地，藉由沿磁帶的長邊方向移動來記錄一對伺服條的位置。但是，與UDIM資訊不同，該LPOS資訊中，在各伺服帶上記錄有相同的訊號。
亦能夠將與上述UDIM資訊及LPOS資訊不同之其他資訊嵌入到伺服帶。此時，所嵌入之資訊可以如UDIM資訊那樣針對每一個伺服帶為不同者，亦可以如LPOS資訊那樣針對所有的伺服帶為共通者。又，作為在伺服帶上嵌入資訊之方法，亦能夠採用除了上述以外的方法。例如，可以設成藉由從一對伺服條的群組中減去預定的一對來記錄預定的代碼。
伺服圖案形成用磁頭被稱為伺服寫頭。伺服寫頭僅具有伺服帶的數量程度的與上述一對磁條對應之一對間隙。通常，在各一對間隙中，分別連接有芯和線圈，能夠藉由向線圈供給電流脈衝，使芯中所產生之磁場在一對間隙之間產生洩露磁場。在形成伺服圖案時，藉由一邊使磁帶在伺服寫頭上行駛一邊輸入電流脈衝，能夠將與一對間隙對應之磁圖案轉印到磁帶上來形成伺服圖案。關於各間隙的寬度，能夠依據所形成之伺服圖案的密度適當設定。各間隙的寬度例如能夠設定為1μm以下、1～10μm、10μm以上等。
在磁帶上形成伺服圖案之前，通常，對磁帶實施消磁（抹除（Erase））處理。關於該抹除處理，能夠藉由使用直流磁鐵或者交流磁鐵對磁帶施加均勻的磁場來進行。在抹除處理中，具有DC（Direct Current：直流電）抹除和AC（Alternating Current：交流電）抹除。關於AC抹除，藉由一邊使施加於磁帶之磁場的方向反轉一邊緩慢降低該磁場的強度來進行。另一方面，關於DC抹除，藉由對磁帶施加一個方向的磁場來進行。在DC抹除中，進一步具有2個方法。第一方法為沿磁帶的長邊方向施加一個方向的磁場之水平DC抹除。第二方法為沿磁帶的厚度方向施加一個方向的磁場之垂直DC抹除。抹除處理可以對磁帶整體進行，亦可以對磁帶的每一個伺服帶進行。
所形成之伺服圖案的磁場的方向依據抹除的方向來確定。例如，在對磁帶實施水平DC抹除之情況下，伺服圖案的形成以磁場的方向成為與抹除的方向相反的方向的方向進行。藉此，能夠增大讀取伺服圖案而獲得之伺服訊號的輸出。此外，如日本特開2012-053940號公報所示，在對經垂直DC抹除之磁帶進行使用了上述間隙之磁圖案的轉印之情況下，讀取所形成之伺服圖案而獲得之伺服訊號成為單極脈衝形狀。另一方面，在對經水平DC抹除之磁帶進行使用了上述間隙之磁圖案的轉印之情況下，讀取所形成之伺服圖案而獲得之伺服訊號成為雙極脈衝形狀。
接著，參閱圖10，對在將目標記錄於本實施形態之資訊處理裝置12的磁帶T之情況下的作用進行說明。藉由由CPU20執行記錄程式30來執行圖10所示之記錄處理。關於圖10所示之記錄處理，例如，在藉由接收部40接收從終端16發送之資料及元資料且將資料及元資料分別儲存於資料高速緩存區44及元資料DB46之後執行。此外，在此，將記錄對象的磁帶T設為被加載到磁帶驅動器18者。
圖10的步驟S10中，記錄部42獲取儲存於資料高速緩存區44之資料及儲存於元資料DB46之相對應之元資料。在反覆執行本步驟S10時，記錄部42獲取目前為止尚未獲取之資料及元資料。
步驟S12中，記錄部42判定在緊接於磁帶T的資料分區DP上的目標的記錄位置的位置上記錄有第2集合資料且其第2集合資料的尺寸是否為預定的尺寸以下。在該判定成為肯定判定之情況下，處理轉移到步驟S16，在成為否定判定之情況下，處理轉移到步驟S14。
步驟S14中，記錄部42不刪除資料分區DP的第2集合資料而記錄包含藉由步驟S10的處理所獲取之資料及元資料之目標。另一方面，步驟S16中，記錄部42將包含藉由步驟S10的處理所獲取之資料及元資料之目標覆寫到預定的尺寸以下的第2集合資料來進行記錄。
步驟S18中，記錄部42藉由反覆進行從步驟S10至步驟S16的處理來判定資料分區DP中所記錄之目標的尺寸的合計是否超過了預定的尺寸。在該判定成為否定判定之情況下，處理返回到步驟S10，在成為肯定判定之情況下，處理轉移到步驟S20。
步驟S20中，如前述，記錄部42將在上一次的步驟S20中所記錄的之前的第1集合資料之後所記錄之目標的元資料的集合亦即第1集合資料記錄於資料分區DP。步驟S22中，如前述，記錄部42將在上一次的步驟S22中所記錄的之前的第2集合資料之後在資料分區DP中所記錄之第1集合資料的集合亦即第2集合資料記錄於資料分區DP。
步驟S24中，記錄部42判定藉由步驟S22的處理所記錄之第2集合資料的尺寸是否超過預定的尺寸。在該判定成為否定判定之情況下，處理轉移到步驟S28，在成為肯定判定之情況下，處理轉移到步驟S26。步驟S26中，記錄部42將藉由步驟S22的處理所記錄之第2集合資料記錄於（複製）參考分區RP。
步驟S28中，記錄部42判定是否已將儲存於資料高速緩存區44之所有的資料記錄於資料分區DP。在該判定成為否定判定之情況下，處理返回到步驟S10，在成為肯定判定之情況下，處理轉移到步驟S30。步驟S30中，記錄部42將第1集合資料及第2集合資料記錄於資料分區DP並將第2集合資料記錄於參考分區RP。
步驟S32中，記錄部42控制磁帶庫14，將磁帶T從磁帶驅動器18卸載。若步驟S32的處理結束，則記錄處理結束。
接著，參閱圖11對如上說明那樣從記錄有目標之磁帶T讀取目標之情況下的資訊處理裝置12的功能結構進行說明。如圖11所示，資訊處理裝置12包含讀取部50、接收部52、確定部54及發送部56。藉由由CPU20執行讀取程式32來作為讀取部50、接收部52、確定部54及發送部56而發揮功能。
在由於故障的恢複時等，資訊處理裝置12的管理者使磁帶T加載到磁帶驅動器18。若磁帶T被加載到磁帶驅動器18，則如下所示，讀取部50將元資料儲存於元資料DB46。亦即，此時，讀取部50依次參閱所加載之磁帶T的參考分區RP中所記錄之第2集合資料、資料分區DP中所記錄之第2集合資料、資料分區DP中所記錄之第1集合資料及資料分區DP中所記錄之元資料來將元資料儲存於元資料DB46。
具體而言，讀取部50讀取參考分區RP中所記錄之第2集合資料並將所讀取之第2集合資料中所包含之元資料儲存於元資料DB46。又，在參考分區RP中不存在第2集合資料之情況下，讀取部50讀取資料分區DP中所記錄之第2集合資料並將所讀取之第2集合資料中所包含之元資料儲存於元資料DB46。
又，在參考分區RP及資料分區DP中不存在第2集合資料之情況下，讀取部50讀取資料分區DP中所記錄之第1集合資料並將所讀取之第1集合資料中所包含之元資料儲存於元資料DB46。
又，在參考分區RP及資料分區DP中不存在第2集合資料及第1集合資料之情況下，讀取部50讀取資料分區DP中所記錄之元資料並將所讀取之元資料儲存於元資料DB46。此外，讀取部50在讀取被記錄於磁帶T上之元資料時，亦可以不讀取藉由哈希值等的比較而已經存在於元資料DB46中之元資料。
又，讀取部50讀取藉由後述之確定部54確定之磁帶T上的位置中所記錄之目標。
接收部52經由網路I/F25接收從終端16經由網路N發送之目標的讀取指示。在該讀取指示中，包含有目標固有的識別資訊。
確定部54參閱元資料DB46並使用包含藉由接收部52接收之識別資訊之元資料來確定其識別資訊所示之目標在磁帶T上的位置。
發送部56將藉由讀取部50讀取之目標經由網路I/F25發送到終端16。
接著，參閱圖12及圖13對從本實施形態之資訊處理裝置12的磁帶T讀取目標之情況下的作用進行說明。藉由由CPU20執行讀取程式32來執行圖12所示之元資料儲存處理及圖13所示之目標讀取處理。圖12所示之元資料儲存處理例如在磁帶T被加載到磁帶驅動器18之情況下執行。又，圖13所示之目標讀取處理例如在由資訊處理裝置12接收從終端16經由網路N發送之目標的讀取指示之情況下執行。
圖12的步驟S40中，讀取部50判定在所加載之磁帶T的參考分區RP中是否存在第2集合資料。在該判定成為否定判定之情況下，處理轉移到步驟S44，在成為肯定判定之情況下，處理轉移到步驟S42。步驟S42中，讀取部50讀取參考分區RP中所記錄之第2集合資料並將所讀取之第2集合資料中所包含之元資料儲存於元資料DB46。
步驟S44中，讀取部50判定在所加載之磁帶T的資料分區DP中是否存在第2集合資料。在該判定成為否定判定之情況下，處理轉移到步驟S48，在成為肯定判定之情況下，處理轉移到步驟S46。步驟S46中，讀取部50讀取資料分區DP中所記錄之第2集合資料並將所讀取之第2集合資料中所包含之元資料儲存於元資料DB46。
步驟S48中，讀取部50判定在所加載之磁帶T的資料分區DP中是否存在第1集合資料。在該判定成為否定判定之情況下，處理轉移到步驟S52，在成為肯定判定之情況下，處理轉移到步驟S50。步驟S50中，讀取部50讀取資料分區DP中所記錄之第1集合資料並將所讀取之第1集合資料中所包含之元資料儲存於元資料DB46。
步驟S52中，讀取部50讀取資料分區DP中所記錄之元資料並將所讀取之元資料儲存於元資料DB46。若步驟S42、步驟S46、步驟S50或者步驟S52的處理結束，則元資料儲存處理結束。
圖13的步驟S60中，如前述，接收部52經由網路I/F25接收從終端16經由網路N發送之目標的讀取指示。步驟S62中，確定部54參閱元資料DB46並使用包含藉由步驟S60的處理而接收之識別資訊之元資料來確定其識別資訊所示之目標在磁帶T上的位置。
步驟S64中，讀取部50讀取藉由步驟S62的處理而確定之磁帶T上的位置中所記錄之目標。步驟S66中，發送部56將藉由步驟S64的處理讀取之目標經由網路I/F25發送到終端16。步驟S68中，讀取部50控制磁帶庫14，將磁帶T從磁帶驅動器18卸載。若步驟S68的處理結束，則目標讀取處理結束。
如以上所說明，依本實施形態，能夠抑制磁帶T的有效容量的降低。又，依本實施形態，元資料被記錄於參考分區RP內的第2集合資料和資料分區DP內的第2集合資料、第1集合資料及元資料中，因此能夠提高耐故障性。又，依本實施形態，藉由避免第1集合資料之間的元資料的重複及各分區內的第2集合資料之間的元資料的重複，抑制第1集合資料及第2集合資料的尺寸的增加。因此，能夠抑制針對磁帶T的第1集合資料及第2集合資料的記錄所耗費之時間增加之結果，能夠抑制有效記錄速度的降低。進而，依本實施形態，分割成第2集合資料不超過預定的尺寸。因此，可抑制記錄一次之第1集合資料及第2集合資料的尺寸的增加之結果，能夠抑制有效記錄速度的降低。此外，在此所言之有效記錄速度是指開始將由用戶作為記錄對象之資料記錄於磁帶T至結束為止的記錄速度（亦即，亦包含元資料的記錄之記錄速度）。又，該有效記錄速度為藉由將由用戶作為記錄對象之資料的尺寸除以開始將該資料記錄於磁帶T至結束為止的時間來求出之速度。
[第2實施形態] 對本揭示的技術的第2實施形態進行說明。此外，本實施形態之記錄讀取系統10及資訊處理裝置12的結構與第1實施形態相同，因此省略說明。又，本實施形態之資訊處理裝置12的作用亦與第1實施形態相同，因此省略說明。
本實施形態中，如圖14所示，假定輸送藉由資訊處理裝置12記錄目標之磁帶T並在其他系統中進行使用。第1實施形態中，使目標固有的識別資訊包含於元資料中，此時，若係系統內固有的識別資訊，則認為在其他系統中亦使用相同的識別資訊。此外，圖14中，將目標固有的識別資訊標註為“ObjectID”。
因此，本實施形態中，如圖15所示，在生成包含從終端16發送之資料及元資料之目標時，資訊處理裝置12除了目標固有的識別資訊以外還使系統固有的識別資訊包含於元資料。此外，圖15中，將目標固有的識別資訊標註為“ObjectID”，將系統固有的識別資訊標註為“SystemID”。
如圖16所示，還使系統固有的識別資訊包含於元資料中，藉此在將藉由資訊處理裝置12而記錄有目標之磁帶T在其他系統中進行使用之情況下，能夠如下所示那樣識別目標。亦即，此時，即使在目標的識別資訊重複之情況下，除了目標固有的識別資訊以外還使用系統固有的識別資訊，藉此能夠識別目標。
此外，上述各實施形態中，對每當所記錄之目標的尺寸的合計超過預定的尺寸時將所記錄之目標的元資料的集合亦即第1集合資料記錄於資料分區DP之情況進行了說明，但是並不限定於此。例如，亦可以設為每當所記錄之目標的數量超過預定數量時將所記錄之目標的元資料的集合亦即第1集合資料記錄於資料分區DP之形態。又，例如，亦可以設為在最後記錄目標之後經過了預定的時間之定時將第1集合資料記錄於資料分區DP之形態。
又，上述各實施形態中，對作為磁記錄媒體適用了磁帶之情況進行了說明，但並不限定於此。作為磁記錄媒體可以設為適用除了磁帶以外的磁記錄媒體之形態。作為在滑動型磁記錄再生裝置中所使用之各種磁記錄媒體（磁帶、盤狀的磁記錄媒體（磁盤）等），本實施形態的磁記錄媒體為較佳。上述滑動型裝置是指在進行磁記錄媒體上的資訊的記錄及所記錄之資訊的讀取時磁性層表面與磁頭接觸並滑動之裝置。
又，在上述實施形態中，對資訊處理裝置12和磁帶庫14作為單獨的組件進行說明，但是並不限定於此。亦能夠作為具備資訊處理裝置12和磁帶庫14之磁記錄讀取裝置而提供。
又，在上述實施形態中，可以由除了CPU以外的各種處理器執行藉由由CPU執行軟件（程式）來執行之各種處理。作為此時的處理器，例示出FPGA（Field-Programmable Gate Array：可編程閘陣列）等在製造後能夠變更電路結構之PLD（Programmable Logic Device：可編程邏輯器件）及ASIC（Application Specific Integrated Circuit：專用積體電路）等具有為了執行特定的處理而專門設計之電路結構之處理器亦即專用電路等。又，可以由該等各種處理器中的1個來執行上述各種處理，亦可以由相同種類或者不同種類的2個以上的處理器的組合（例如，複數個FPGA及CPU與FPGA的組合等）來執行。又，更具體而言，該等各種處理器的硬件結構為組合了半導體元件等電路元件之電路。
又，上述實施形態中，對記錄程式30及讀取程式32預先儲存（安裝）於儲存部22之態樣進行了說明，但並不限定於此。記錄程式30及讀取程式32亦可以以CD-ROM（Compact Disk Read Only Memory：唯讀光碟記憶體）、DVD-ROM（Digital Versatile Disk Read Only Memory：數位多功能光碟唯讀記憶體）及USB（Universal Serial Bus：通用串列匯流排）記憶體等記錄媒體中所記錄之形態提供。又，記錄程式30及讀取程式32亦可以為經由網路從外部裝置下載之形態。 [實施例]
以下，依據實施例對本揭示進行說明。但是，本揭示並不限定於實施例所示之態樣。以下中所記載的“份”表示“質量份”。又，除非另有說明，則以下中所記載的步驟及評價係在環境氣氛溫度為23℃±1℃的環境下進行的。以下中所記載的“eq”為當量（equivalent），且為不能夠換算成SI單位的單位。首先，對磁記錄媒體的實施例進行說明。
用於實施例及比較例的磁記錄媒體的製造之突起形成劑為如下。突起形成劑1及突起形成劑3為粒子表面的表面平滑性低之粒子。突起形成劑2的粒子形狀為繭狀（cocoon）的形狀。突起形成劑4的粒子形狀為所謂不規則形狀。突起形成劑5的粒子形狀為接近真球的形狀。 突起形成劑1：Cabot Corporation製ATLAS（二氧化矽與聚合物的複合粒子），平均粒徑100nm 突起形成劑2：Cabot Corporation製TGC6020N（二氧化矽粒子），平均粒徑140nm 突起形成劑3：JGC Catalysts and Chemicals Ltd.製Cataloid（二氧化矽粒子的水分散溶膠；作為用於製備後述的突起形成劑液的突起形成劑，使用對上述水分散溶膠進行加熱來去除溶劑而獲得之乾物質），平均粒徑120nm 突起形成劑4：ASAHI CARBON CO., LTD.製ASAHI＃50（碳黑），平均粒徑300nm 突起形成劑5：FUSO CHEMICAL CO., LTD.製PL-10L（二氧化矽粒子的水分散溶膠；作為用於製備後述的突起形成劑液的突起形成劑，使用對上述水分散溶膠進行加熱來去除溶劑而獲得之乾物質），平均粒徑130nm
［實施例1］ ＜磁性層形成用組成物＞ （磁性液） 強磁性粉末（六方晶鋇鐵氧體粉末）：100.0份 （保磁力Hc：196kA/m，平均粒徑（平均板徑）24nm） 油酸：2.0份 氯乙烯共聚物（KANEKA CORPORATION製MR-104）：10.0份 含有SO3Na基的聚胺酯樹脂：4.0份 （重量平均分子量70000，SO3Na基：0.07meq/g） 添加劑A：10.0份 甲基乙基酮：150.0份 環己酮：150.0份 （研磨劑液） α-礬土（平均粒徑：110nm）：6.0份 氯乙烯共聚物（KANEKA CORPORATION製MR110）：0.7份 環己酮：20.0份 （突起形成劑液） 突起形成劑（參閱圖17）：1.3份 甲基乙基酮：9.0份 環己酮：6.0份 （潤滑劑及硬化劑液） 硬脂酸：3.0份 硬脂酸醯胺：0.3份 硬脂酸丁酯：6.0份 甲基乙基酮：110.0份 環己酮：110.0份 聚異氰酸酯（TOSOH CORPORATION製Coronate（註冊商標）L）：3.0份
上述添加劑A為藉由日本特開2016-051493號公報的0115～0123段中所記載的方法來合成之聚合物。
＜非磁性層形成用組成物＞ 非磁性無機粉末（α-氧化鐵）：80.0份 （平均粒徑：0.15μm，平均針狀比：7，BET（Brunauer-Emmett-Teller：布厄特）比表面積：52m2 /g） 碳黑（平均粒徑：20nm）：20.0份 電子束硬化型氯乙烯共聚物：13.0份 電子束硬化型聚胺酯樹脂：6.0份 苯基膦酸：3.0份 環己酮：140.0份 甲基乙基酮：170.0份 硬酯酸丁酯：2.0份 硬脂酸：1.0份
＜背塗層形成用組成物＞ 非磁性無機粉末（α-氧化鐵）：80.0份 （平均粒徑：0.15μm，平均針狀比：7，BET比表面積：52m2 /g） 碳黑（平均粒徑：20nm）：20.0份 碳黑（平均粒徑：100nm）：3.0份 氯乙烯共聚物：13.0份 含有磺酸基的聚胺酯樹脂：6.0份 苯基膦酸：3.0份 環己酮：140.0份 甲基乙基酮：170.0份 硬脂酸：3.0份 聚異氰酸酯（TOSOH CORPORATION製Coronate）：5.0份 甲基乙基酮：400.0份
＜各層形成用組成物的製備＞ 藉由以下方法製備了磁性層形成用組成物。 藉由開放式混練機對上述磁性液的成分進行混練及稀釋處理之後，藉由臥式珠磨機分散機，並使用粒徑為0.5mm的二氧化鋯（ZrO2）珠（以下，記載為“Zr珠”），在珠填充率為80體積%及轉子尖端圓周速度為10m/秒鐘的條件下，將每次的滯留時間設為2分鐘，並進行了12次的分散處理。
關於研磨劑液，對上述研磨劑液的成分進行混合之後，與粒徑1mm的Zr珠一同投入到立式混砂機分散機中而調整為珠體積/（研磨劑液體積+珠體積）成為60%，且進行180分鐘的混砂機分散處理，提取處理後的液，並使用流動式超音波分散過濾裝置實施了超音波分散過濾處理。
將磁性液、研磨劑液、突起形成劑液以及潤滑劑及硬化劑液導入到溶解攪拌機中，並以圓周速度10m/秒鐘攪拌30分鐘之後，藉由流動式超音波分散機以流量7.5kg/分鐘進行3次處理之後，利用孔徑為1μm的過濾器進行過濾來製備了磁性層形成用組成物。
藉由以下方法製備了非磁性層形成用組成物。
藉由開放式混練機對除了潤滑劑（硬酯酸丁酯及硬脂酸）以外的上述成分進行混練及稀釋處理之後，藉由臥式珠磨機分散機實施了分散處理。之後，添加潤滑劑（硬酯酸丁酯及硬脂酸），並利用溶解攪拌機進行攪拌來實施混合處理，從而製備了非磁性層形成用組成物。
藉由以下方法製備了背塗層形成用組成物。
藉由開放式混練機對除了潤滑劑（硬脂酸）、聚異氰酸酯及甲基乙基酮（400.0份）以外的上述成分進行混練及稀釋處理之後，藉由臥式珠磨機分散機實施了分散處理。之後，添加潤滑劑（硬脂酸）、聚異氰酸酯及甲基乙基酮（400.0份），並利用溶解攪拌機進行攪拌來實施混合處理，從而製備了背塗層形成用組成物。
＜磁帶的製作＞ 在厚度為6.0μm的聚萘二甲酸乙二酯支撐體上以乾燥後的厚度成為1.0μm的方式塗佈非磁性層形成用組成物並使其乾燥之後，照射了電子束以使在125kV的加速電壓下成為40kGy的能量。在其上以乾燥後的厚度成為50nm的方式塗佈磁性層形成用組成物，在塗佈層處於濕潤（未乾燥）狀態時，實施對塗佈層的表面沿垂直方向施加磁場強度為0.3T的磁場之垂直配向處理並使其乾燥。進而，在支撐體的與形成有非磁性層和磁性層之表面相反的一側的表面上以乾燥後的厚度成為0.5μm的方式塗佈背塗層形成用組成物並使其乾燥。
之後，使用僅由金屬輥構成之7段壓光輥，以壓光速度80m/min、線壓294kN/m及圖17所示之壓光溫度進行了壓光處理。之後，在環境氣氛溫度為70℃的環境下進行了36小時的加熱處理。在加熱處理後，將其切割成1/2英吋（1英吋=0.0254米）寬度，並利用在具有切割品的送出且捲取裝置之裝置上以使不織布和刮刀抵壓磁性層表面的方式進行安裝之磁帶清潔裝置進行磁性層的表面的清潔，從而獲得了磁帶。
［實施例2～7、比較例1～9］ 除了將突起形成劑的種類和/或壓光溫度變更為如圖17所示那樣之點以外，藉由與實施例1相同的方法獲得了磁帶。此外，在圖17中，突起形成劑為“無”表示未使用突起形成劑。又，在圖17中，“記錄控制”表示有無本揭示的資料記錄的控制。
［評價方法］ （1）差分（S0.5 -S13.5 ） 使用TSA（Tape Spacing Analyzer（Micro Physics公司製）），藉由以下方法，測量進行正己烷清洗後的間距S0.5 及S13.5 ，並從所測量之值計算出差分（S0.5 -S13.5 ）。
從實施例及比較例的各磁帶切取5個長度為5cm的試樣片，藉由先前所記載之方法對各試樣片進行正己烷清洗之後，並藉由以下方法測量了S0.5 及S13.5 。
在磁帶（亦即上述試樣片）的磁性層表面上配置TSA中所具備之玻璃板（Thorlabs,Inc.公司製玻璃板（型號：WG10530））之狀態下，使用TSA所具備之胺酯製的半球來作為按壓構件，並將該半球以0.5atm的壓力按壓在磁帶的背塗層表面上。在該狀態下，將白色光從TSA所具備之頻閃儀通過玻璃板照射於磁帶的磁性層表面的恆定區域（150000～200000μm2 ）中，將所獲得之反射光通過干涉過濾器（選擇性透射波長為633nm的光之過濾器）並利用CCD（Charge-Coupled Device：電荷耦合元件）進行受光，藉此獲得了在該區域凹凸形成之干涉條紋圖像。
將該圖像分割成300000點並求出從各點的玻璃板的磁帶側的表面至磁帶的磁性層表面的距離（間距），將此設為直方圖，並將直方圖的最大頻率作為間距S0.5 來求出。
進一步按壓相同的試樣片，在13.5atm的按壓下藉由與上述相同的方法求出了間距S13.5 。
對於上述5個試樣片，計算出藉由以上所求出之S0.5 與S13.5 的差分（S0.5 -S13.5 ），並將計算出之值的算術平均作為差分（S0.5 -S13.5 ）示於圖17。
（2）摩擦係數（μ值） 在環境氣氛溫度為23℃且相對濕度為50%的環境下，將從IBM公司製LTO（註冊商標）G5（Linear Tape-Open Generation 5：開放線性磁帶第五代）驅動器卸下之磁頭安裝於磁帶行駛系上，一邊施加0.6N（牛頓）的張力一邊進行後述之資料讀取的評價，並從評價後的磁帶切取了磁帶長度為20m的磁帶。進而，使所切取之磁帶長度為20m的磁帶進行來自送出輥的送出及向捲取輥的捲取的同時，一邊使磁性層表面與磁頭接觸並滑動一邊使其以行駛速度4.0m/s行駛。在第1次的行駛中，在行駛過程中使用應變計（Strain gauge）測量磁頭之摩擦力，並從所測量之摩擦力求出了摩擦係數μ值。圖17中的值為對第1次的行駛求出之μ值，因此表示為“μ值（1p）”。
［資料讀取的評價］ 準備了用於資料讀取評價的磁帶。作為磁帶，使用了上述磁記錄媒體的實施例1。 為了進行評價，藉由以下的2個方式R1、R2，將索引記錄於磁帶。方式R2為本揭示的記錄方式。 方式R1：每記錄10個資料，就對迄今為止的所有資料的索引進行記錄。 方式R2：每記錄10個資料，就對10個份的索引進行記錄。將資料及索引的記錄的態樣示於圖18中。
此外，方式R1，R2均在資料的末尾記錄所有資料的索引。又，將1個資料及資料1個份的索引設為具有1單位尺寸者。進而，對方式R1，R2分別按照每一個寫入之資料數量求出了磁帶上的總資料尺寸。
在將資料數量設為d之情況下的總資料尺寸為以下。其中，假設為d mod 10=b。 方式R1=（1/20）*（d2 +30*d+b2 -2*b*d+10*b） 方式R2=3*d-b
將針對資料數量之總資料尺寸的結果示於圖19中。 依據圖17所示之結果，能夠確認到實施例的磁帶與比較例的磁帶相比μ值小，亦即即使反覆進行與磁頭的滑動，摩擦係數的上升幅度亦小。又，依據圖19所示之結果，能夠確認到在資料數量為100個的情況下，方式R2相對於方式R1的總資料尺寸成為約46%左右。在此時，在按順序讀取之情況下的磁頭的總移動量減少54%左右。又，能夠確認到隨著資料數量增加而減少率增加。又，本揭示的實施例中，使用了六方晶鋇鐵氧體粉末來作為強磁粉末，但是確認到即使在使用了六方晶鍶鐵氧體粉末及ε-氧化鐵粉末來作為強磁粉末之情況下，與使用了六方晶鋇鐵氧體粉末之情況相同地，可獲得良好的結果。
在此所使用之六方晶鍶鐵氧體粉末的平均粒徑為19nm，活化體積為1102nm3 ，異向性常數Ku為2.0×105 J/m3 ，質量磁化σs為50A・m2 /kg。又，包含六方晶鍶鐵氧體粉末之磁性層的異方性磁場Hk為25kOe。相同地，ε-氧化鐵粉末的平均粒徑為12nm，活化體積為746nm3 ，異向性常數Ku為1.2×105 J/m3 ，質量磁化σs為16A・m2 /kg。包含ε-氧化鐵粉末之磁性層的異方性磁場Hk為30kOe。
10:記錄讀取系統 12:資訊處理裝置 14:磁帶庫 16:終端 18:磁帶驅動器 20:CPU 21:記憶體 22:儲存部 23:顯示部 24:輸入部 25:網路I/F 26:外部I/F 27:總線 30:記錄程式 32:讀取程式 40、52:接收部 42:記錄部 44:資料高速緩存區 46:元資料DB 50:讀取部 54:確定部 56:發送部 DP:資料分區 GW:保護帶 N:網路 RP:參考分區 T:磁帶 R1:方式1 R2:方式2
圖1係表示各實施形態之記錄讀取系統的結構的一例之框圖。 圖2係表示各實施形態之資訊處理裝置的硬件結構的一例之框圖。 圖3係表示在記錄各實施形態之資訊處理裝置的目標之情況下的功能結構的一例之框圖。 圖4係表示各實施形態之磁帶的初始狀態的一例之圖。 圖5係表示各實施形態之磁帶的記錄狀態的一例之圖。 圖6係表示各實施形態之磁帶的記錄狀態的一例之圖。 圖7係表示各實施形態之磁帶的記錄狀態的一例之圖。 圖8係表示各實施形態之磁帶的記錄狀態的一例之圖。 圖9係表示各實施形態之磁帶的記錄狀態的一例之圖。 圖10係表示各實施形態之記錄處理的一例之流程圖。 圖11係表示讀取各實施形態之資訊處理裝置的目標之情況下的功能結構的一例之框圖。 圖12係表示各實施形態之元資料儲存處理的一例之流程圖。 圖13係表示各實施形態之目標讀取處理的一例之流程圖。 圖14係表示在其他系統中使用第2實施形態之磁帶之情況的一例之示意圖。 圖15係用於說明包含於第2實施形態之元資料之識別資訊的圖。 圖16係用於說明第2實施形態之目標固有的識別資訊重複之情況的圖。 圖17係表示本揭示的實施例的結果之圖。 圖18係示意地表示各磁帶的資料的記錄的態樣之圖。 圖19係表示本揭示的實施例的結果之圖。 圖20係用於說明LTFS中的索引的記錄處理的圖。
12:資訊處理裝置
40:接收部
42:記錄部
44:資料高速緩存區
46:元資料DB

Claims (21)

  1. 一種記錄裝置，其具備記錄部，該記錄部按每一個預定的定時執行如下處理，亦即，將包含資料及與該資料有關之元資料之複數個目標記錄於磁記錄媒體，並且 在記錄了至少1個該目標之後，記錄該目標中所包含之該元資料的集合亦即第1集合資料， 且每一個該第1集合資料為在記錄之前的該第1集合資料之後所記錄之該目標中所包含之該元資料的集合， 該磁記錄媒體在非磁性支撐體上具有包含強磁性粉末及黏合劑之磁性層，在該磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在0.5atm的按壓下所測量之間距S0.5 與在該磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在13.5atm的按壓下所測量之間距S13.5 的差分S0.5 -S13.5 為3.0nm以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之記錄裝置，其中 該差分為1.5nm以上且3.0nm以下。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之記錄裝置，其中 該S0.5 在5.0～50.0nm的範圍內。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之記錄裝置，其中 該磁性層包含無機氧化物系粒子。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之記錄裝置，其中 該無機氧化物系粒子為無機氧化物與聚合物的複合粒子。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之記錄裝置，其中 該磁性層包含選自由脂肪酸、脂肪酸酯及脂肪酸醯胺組成之群組中的一種以上的潤滑劑。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之記錄裝置，其中 在該非磁性支撐體與該磁性層之間具有包含非磁性粉末及黏合劑之非磁性層。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之記錄裝置，其中 在該非磁性支撐體的與具有該磁性層之表面側相反的一側的表面側具有包含非磁性粉末及黏合劑之背塗層。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之記錄裝置，其中 該磁記錄媒體為磁帶。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之記錄裝置，其中 該記錄部在記錄至少1個該第1集合資料之後，將已記錄的該第1集合資料的集合亦即第2集合資料記錄於該磁記錄媒體。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之記錄裝置，其中 該記錄部在已記錄於該磁記錄媒體的該第2集合資料的尺寸為預定的尺寸以下的情況下，並且將該目標記錄於該磁記錄媒體時，可以覆寫到該第2集合資料來進行記錄。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之記錄裝置，其中 該磁記錄媒體包含參考分區及記錄該目標之資料分區， 該記錄部將該第1集合資料及該第2集合資料記錄於該資料分區，並且該資料分區中所記錄之該第2集合資料的尺寸超過預定的尺寸之情況下，將該資料分區中所記錄之該第2集合資料記錄於該參考分區。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之記錄裝置，其中 該記錄部將該資料分區中所記錄之該第2集合資料記錄於該參考分區之情況下，不刪除該資料分區中所記錄之該第2集合資料而記錄於該參考分區。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之記錄裝置，其中 該元資料包含系統固有的識別資訊及包含有該元資料之目標固有的識別資訊。
  15. 一種讀取裝置，其具備： 確定部，使用參考分區中所記錄之第2集合資料、資料分區中所記錄之該第2集合資料、該資料分區中所記錄之第1集合資料及該資料分區中所記錄之元資料中的至少1個來確定在包括該參考分區和記錄包含資料及與該資料有關之元資料之目標之該資料分區之磁記錄媒體的該資料分區中所記錄之目標在該磁記錄媒體上的位置；及 讀取部，讀取藉由該確定部確定之位置中所記錄之目標， 該磁記錄媒體在非磁性支撐體上具有包含強磁性粉末及黏合劑之磁性層，在該磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在0.5atm的按壓下所測量之間距S0.5 與在該磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在13.5atm的按壓下所測量之間距S13.5 的差分S0.5 -S13.5 為3.0nm以下。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之讀取裝置，其中 該確定部依次參閱該參考分區中所記錄之第2集合資料、該資料分區中所記錄之該第2集合資料、該資料分區中所記錄之第1集合資料及該資料分區中所記錄之元資料來確定該位置。
  17. 一種記錄方法，其中，電腦執行如下處理，亦即，按每一個預定的定時執行將包含資料及與該資料有關之元資料之複數個目標記錄於磁記錄媒體，並且 在記錄了至少1個該目標之後，記錄該目標中所包含之該元資料的集合亦即第1集合資料之處理，且每一個該第1集合資料為在記錄之前的該第1集合資料之後所記錄之該目標中所包含之該元資料的集合，其中， 該磁記錄媒體在非磁性支撐體上具有包含強磁性粉末及黏合劑之磁性層，在該磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在0.5atm的按壓下所測量之間距S0.5 與在該磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在13.5atm的按壓下所測量之間距S13.5 的差分S0.5 -S13.5 為3.0nm以下。
  18. 一種記錄程式，其用於使電腦執行如下處理，亦即，按每一個預定的定時執行將包含資料及與該資料有關之元資料之複數個目標記錄於磁記錄媒體，並且 在記錄了至少1個該目標之後，記錄該目標中所包含之該元資料的集合亦即第1集合資料之處理，且每一個該第1集合資料為在記錄之前的該第1集合資料之後所記錄之該目標中所包含之該元資料的集合，其中， 該磁記錄媒體在非磁性支撐體上具有包含強磁性粉末及黏合劑之磁性層，在該磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在0.5atm的按壓下所測量之間距S0.5 與在該磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在13.5atm的按壓下所測量之間距S13.5 的差分S0.5 -S13.5 為3.0nm以下。
  19. 一種讀取方法，其中，電腦執行如下處理，亦即，使用參考分區中所記錄之第2集合資料、資料分區中所記錄之該第2集合資料、該資料分區中所記錄之第1集合資料及該資料分區中所記錄之元資料中的至少1個來確定在包括該參考分區和記錄包含資料及與該資料有關之元資料之目標之該資料分區之磁記錄媒體的該資料分區中所記錄之目標在該磁記錄媒體上的位置， 且讀取所確定之位置中所記錄之目標，其中， 該磁記錄媒體在非磁性支撐體上具有包含強磁性粉末及黏合劑之磁性層，在該磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在0.5atm的按壓下所測量之間距S0.5 與在該磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在13.5atm的按壓下所測量之間距S13.5 的差分S0.5 -S13.5 為3.0nm以下。
  20. 一種讀取程式，其用於使電腦執行如下處理，亦即，使用參考分區中所記錄之第2集合資料、資料分區中所記錄之該第2集合資料、該資料分區中所記錄之第1集合資料及該資料分區中所記錄之元資料中的至少1個來確定在包括該參考分區和記錄包含資料及與該資料有關之元資料之目標之該資料分區之磁記錄媒體的該資料分區中所記錄之目標在該磁記錄媒體上的位置， 且讀取所確定之位置中所記錄之目標，其中， 該磁記錄媒體在非磁性支撐體上具有包含強磁性粉末及黏合劑之磁性層，在該磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在0.5atm的按壓下所測量之間距S0.5 與在該磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在13.5atm的按壓下所測量之間距S13.5 的差分S0.5 -S13.5 為3.0nm以下。
  21. 一種磁帶，按每一個預定的定時執行記錄包含資料及與該資料有關之元資料之複數個目標， 在記錄了至少1個該目標之後，記錄該目標中所包含之該元資料的集合亦即第1集合資料之處理，且每一個該第1集合資料為在記錄之前的該第1集合資料之後所記錄之該目標中所包含之該元資料的集合，其中， 在非磁性支撐體上具有包含強磁性粉末及黏合劑之磁性層，在該磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在0.5atm的按壓下所測量之間距S0.5 與在該磁性層的表面上進行正己烷清洗後藉由光學干涉法在13.5atm的按壓下所測量之間距S13.5 的差分S0.5 -S13.5 為3.0nm以下。
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