CN104777711B - 清洁模块、清洁装置以及光掩模的清洁方法 - Google Patents

清洁模块、清洁装置以及光掩模的清洁方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了清洁模块、清洁装置以及光掩模的清洁方法。在清洁光掩模的方法中，从擦拭带供带盘开始引导擦拭带、经过清洁头、然后到达擦拭带收带盘上。经过清洁头的一段擦拭带接触光掩模的表面上的粘合剂残留物。在光掩模和该段擦拭带之间进行相对运动以从光掩模的表面去除粘合剂残留物。

Description

清洁模块、清洁装置以及光掩模的清洁方法
技术领域
本发明涉及半导体领域，更具体地，涉及清洁模块、清洁装置以及光掩模的清洁方法。
背景技术
半导体制造涉及大量工艺，包括沉积、光刻、蚀刻以及类似工艺。在光刻工艺中，光掩模用于图案化被制造的半导体器件中的各种部件。光掩模的清洁是涉及图案化的部件和半导体器件的质量的考虑因素。
发明内容
根据本发明的一方面提供了一种清洁模块，包括：支撑结构，配置成可旋转地支撑擦拭带供带盘和擦拭带收带盘；清洁头，配置成在清洁操作期间由擦拭带清洁衬底，所述擦拭带沿着擦拭带路径被连续引导，所述擦拭带路径从所述擦拭带供带盘开始、环绕所述清洁头的一部分、然后到达所述擦拭带收带盘；以及抽吸装置，配置成远离所述部分清洁头的所述一部分吸走在所述清洁操作期间所生成的污染物。
在该清洁模块中，进一步包括：壳体，所述清洁头部分地容纳在所述壳体中，其中，所述清洁头的所述一部分凸出到所述壳体的外部，并且所述抽吸装置配置成在所述壳体的内部产生负压以将所述污染物吸入所述壳体内。
在该清洁模块中，其中，所述壳体包括配置成在所述清洁操作期间面向所述衬底的壁，所述壁具有槽，所述清洁头的所述一部分通过所述槽凸出到所述壳体的外部，并且所述抽吸装置配置成在所述壳体的内部产生所述负压以通过所述槽将所述污染物吸入所述壳体内。
在该清洁模块中，所述清洁头是可旋转的。
在该清洁模块中，进一步包括：至少一个喷嘴，沿着所述擦拭带路径布置在所述清洁头的上游，所述至少一个喷嘴配置成将至少一种清洁物质分配到所述擦拭带上以在所述清洁头处由所述擦拭带和所述至少一种清洁物质清洁所述衬底。
在该清洁模块中，进一步包括：压力传感器，配置成检测由所述清洁头施加在所述衬底上的压力；以及驱动器，配置成响应于所述压力传感器检测到的所述压力朝向或远离所述衬底移动所述清洁头。
在该清洁模块中，进一步包括：底座，所述支撑结构和所述压力传感器安装在所述底座上；以及弹簧，所述清洁头通过所述弹簧安装在所述底座上，所述弹簧配置成部分地吸收由所述清洁头施加在所述衬底上的所述压力。
在该清洁模块中，所述驱动器配置成朝向或远离所述衬底移动所述底座。
在该清洁模块中，所述支撑结构配置成将所述擦拭带供带盘和所述擦拭带收带盘支撑成可绕共同的旋转轴旋转。
在该清洁模块中，所述支撑结构配置成将所述擦拭带供带盘和所述擦拭带收带盘支撑成可绕相应的平行旋转轴旋转。
根据本发明的另一方面提供了一种清洁装置，包括：工作台，要被清洁的衬底支撑在所述工作台上；以及至少一个清洁模块，相对于所述工作台可移动，所述至少一个清洁模块包括：支撑结构，配置成可旋转地支撑擦拭带供带盘和擦拭带收带盘；清洁头，配置成在清洁操作期间由擦拭带清洁支撑在所述工作台上的所述衬底，所述擦拭带沿着擦拭带路径被连续引导，所述擦拭带路径从所述擦拭带供带盘开始、环绕所述清洁头的一部分、然后到达所述擦拭带收带盘；压力传感器，配置成检测由所述清洁头施加在所述衬底上的压力；以及驱动器，配置成响应于所述压力传感器检测到的所述压力沿着朝向或远离所述衬底的第一方向移动所述清洁头。
在该清洁装置中，所述至少一个清洁模块可相对于所述工作台沿着垂直于所述第一方向的第二方向移动。
在该清洁装置中，所述至少一个清洁模块包括：第一清洁模块，可相对于所述工作台沿着垂直于所述第一方向的第二方向移动，以及第二清洁模块，可相对于所述工作台沿着垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向移动。
在该清洁装置中，所述至少一个清洁模块可绕着沿所述第一方向定向的轴旋转。
在该清洁装置中，所述清洁头可绕着垂直于所述第一方向定向的旋转轴旋转，以及所述至少一个清洁模块可相对于所述工作台沿着垂直于所述第一方向和所述清洁头的所述旋转轴的第二方向移动。
在该清洁装置中，进一步包括：外壳，所述至少一个清洁模块和所述工作台容纳在所述外壳中；通风装置，配置成产生穿过所述外壳并围绕所述至少一个清洁模块和所述工作台的气流。
在该清洁装置中，进一步包括：至少一个清洁物质贮存器，容纳在所述外壳中，所述至少一个清洁物质贮存器配置成供应至少一种清洁物质以在所述清洁头处由所述擦拭带和所述至少一种清洁物质清洁所述衬底，其中，在所述气流中，所述至少一个清洁模块和所述工作台布置在所述至少一个清洁物质贮存器的上游。
根据本发明的再一方面提供了一种清洁光掩模的方法，所述方法包括：从擦拭带供带盘开始引导擦拭带、经过清洁头、然后到达擦拭带收带盘上；使经过所述清洁头的一段擦拭带接触所述光掩模的表面上的粘合剂残留物；以及在所述光掩模和所述一段擦拭带之间进行相对运动以从所述光掩模的所述表面去除所述粘合剂残留物。
在该方法中，进一步包括：翻转所述光掩模；使经过所述清洁头的另一段擦拭带接触所述光掩模的反面；以及在所述光掩模和所述另一段擦拭带之间进行相对运动以清洁所述光掩模的所述反面。
在该方法中，进一步包括：在执行上述根据本发明的又一方面提供的一种清洁光掩模的方法的所有步骤(从擦拭带供带盘开始引导擦拭带、经过清洁头、然后到达擦拭带收带盘上；使经过所述清洁头的一段擦拭带接触所述光掩模的表面上的粘合剂残留物；以及在所述光掩模和所述一段擦拭带之间进行相对运动以从所述光掩模的所述表面去除所述粘合剂残留物)的同时，从另外的擦拭带供带盘开始引导另外的擦拭带、经过另外的清洁头、然后到达另外的擦拭带收带盘上；使经过所述另外的清洁头的一段所述另外的擦拭带接触所述光掩模的反面；以及在所述相对运动期间，由所述另外的擦拭带清洁所述光掩模的所述反面。
附图说明
当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的各方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。
图1A是根据一些实施例的脱模工艺中的光掩模的示意性截面图。
图1B是根据一些实施例的脱模工艺后的光掩模的示意性俯视图。
图2A是根据一些实施例的清洁装置的示意性俯视-正视-右视立体图。
图2B是根据一些实施例的清洁装置的示意性左视图。
图3A是根据一些实施例的清洁模块的示意性俯视-正视-右视立体图。
图3B是根据一些实施例的清洁模块的示意性俯视-后视-右视立体图。
图3C是根据一些实施例的清洁模块的一个或者多个部件的示意性后视图。
图3D是根据一些实施例的清洁模块的一个或者多个部件的示意性正视图。
图3E是根据一些实施例的部分清洁模块的示意性俯视-正视-右视立体图。
图3F是根据一些实施例的清洁模块的壳体的壁的示意性立体图。
图3G是根据一些实施例的部分清洁模块中的一个或者多个部件的示意性正视图。
图4是根据一些实施例的清洁模块的示意性俯视-正视-右视示意图。
图5是根据一些实施例的清洁模块的一个或者多个部件的示意性俯视-正视-右视立体图。
图6是根据一些实施例的清洁装置中的清洁模块的示意性后视图。
图7是根据一些实施例的清洁操作过程中的清洁模块的示意性后视图。
图8是根据一些实施例的清洁装置的示意性框图。
图9是根据一些实施例的清洁光掩模的方法的流程图。
具体实施方式
以下公开内容提供了多种不同实施例或者实例，用于实现本发明的不同特征。以下将描述组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅是实例并且不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括以直接接触的方式形成第一部件和第二部件的实施例，并且也可以包括附加部件可以形成在第一部件和第二部件之间，使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。另外，本发明可以在多个实例中重复参考符号和/或字符。这种重复用于简化和清楚的目的，并且其本身不表示所述多个实施例和/或配置之间的关系。
此外，为了便于描述，在此可使用诸如“在…之下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之上”、以及“上面的”等的空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(多个)元件或部件的关系。应当理解，除图所示的方位之外，空间相对术语意欲包括使用或操作过程中的装置的各种不同的方位。装置可以以其它方式进行定位(旋转90度或在其他方位)，并且在此使用的空间相对描述符可以进行相应地解释。
图1A是根据一些实施例的脱模工艺中的光掩模100的示意性截面图。为保护仿真光掩模100免于污染，薄膜102安装在光掩模100上。在一些实施例中，薄膜102包括边框和在边框上方伸展并附接至其一面的透明膜。边框的另一面通过粘合剂104接合至光掩模100。因此，污染物沉积在薄膜102上而非光掩模100上，该光掩模通过边框的高度与沉积污染物间隔开。在光刻工艺中，光聚焦在光掩模100上并且沉积在薄膜102上的污染物不可能影响被制造的图案的质量。在某些情况下，从光掩模100去除薄膜102来允许清洁或重新加工光掩模100。这种工艺称为脱模工艺。如图1A中箭头105所示，当在脱模工艺中从光掩模100去除薄膜102时，粘合剂104的残留物会保留在光掩模100上。
图1B是根据一些实施例的脱模工艺之后的光掩模100的示意性俯视图。如图1B所示，粘合剂104的残留物(此后为“粘合剂残留物”)在光掩模100上保留在薄膜102的边框接合至光掩模100的接合区中，并且粘合剂残留物具有薄膜102的边框的形状。例如，如图1B所示，沿着矩形的外围保留了粘合剂残留物，该矩形具有沿着X方向延伸的边106、108以及沿着Y方向延伸的边107、109。在某些情况下，粘合剂残留物包括断续分布的粘合斑。在某些情况下，粘合剂残留物包括接合区外部的部分。
为了去除粘合剂残留物来为后续工艺制备光掩模，一些实施例提供了一种或者多种清洁模块、清洁装置和/或清洁光掩模的方法。在一些实施例中，所述的清洁模块、清洁装置和/或方法配置成和/或用于去除除粘合剂之外的物质和/或清洁除光掩模之外的衬底。
根据一些实施例，图2A是清洁装置200的示意性俯视-正视-右视立体图，并且图2B是清洁装置200的示意性左视图。清洁装置200包括外壳210，其中容纳有一个或者多个清洁模块220和230、工作台240、至少一个清洁物质贮存器250、控制器260以及通风装置270。
外壳210为箱状并具有顶壁211、底壁(未示出)、前壁212、后壁213、右壁214以及左壁215。在一个或者多个实施例中，外壳210的顶壁211、底壁、前壁212、后壁213、右壁214以及左壁215密封地连接在一起以在外壳210内部形成清洁室环境。外壳210的至少一个壁具有门，该门布置成允许操作者或者设备存取外壳210内的一个或者多个部件。外壳210被划分成上部216和下部217。上部216将清洁模块220、230以及工作台240容纳其中。上部216包括邻近顶壁211的边框或横杆装置218。清洁模块220、230安装在边框或横梁结构218上以悬于工作台240之上。下部217包括将下部217划分成邻近左壁215的左部和邻近右壁214的右部的隔断壁219。下部217的左部容纳清洁物质贮存器250。下部217的右部容纳控制器260。外壳210的所述结构为实例。其他结构在各实施例的范围之内。
清洁模块220、230布置在外壳210的上部216中并且安装在边框或者横梁结构218上以悬于工作台240之上。在一些实施例中，清洁模块220、230中的至少一个可沿着边框或者横梁结构218移动以对应于衬底上被清洁的点进行定位。在至少一个实施例中，清洁模块220、230中的一个配置成沿着以第一方向延伸的第一线路清洁衬底，而清洁模块220、230中的另一个配置成沿着以垂直于第一方向的第二方向延伸的第二线路清洁衬底。例如，清洁模块220布置成沿着以Y方向延伸的线路清洁衬底。当要通过清洁装置200清洁光掩模(例如，图1B中示出的光掩模100)时，清洁模块220布置成沿着定向为Y方向的边107、109去除粘合剂残留物。类似地，清洁模块230布置成沿以X方向延伸的线路清洁衬底。当要通过清洁装置200清洁光掩模(例如，图1B中示出的光掩模100)时，清洁模块230布置成沿着定向为X方向的边106、108去除粘合剂残留物。在一些实施例中，清洁模块220、230配置成同时清洁不同的线路。在一些实施例中，清洁模块220、230的配置相同。在至少一个实施例中，省略了清洁模块220、230之一。在至少一个实施例中，清洁装置200中包括两个以上的清洁模块。
工作台240布置在外壳210的上部216中。工作台240包括X-工作台242和Y-工作台244。X-工作台242具有衬底保持器246，其配置成保持在其上要被清洁的衬底。在至少一个实施例中，衬底为经历脱模工艺的光掩模并具有保留在其上的粘合剂残留物。衬底保持器246配置成通过真空、机械接合等装置保持衬底。X-工作台242配置成沿X方向移动在其上保持有衬底的衬底保持器246，以在要被清洁的衬底和清洁模块220、230中的一个或者多个之间产生沿X方向的相对运动。Y-工作台244配置成沿Y方向移动在其上保持有衬底的X-工作台242，以在要被清洁的衬底和清洁模块220、230中的一个或者多个之间产生沿Y方向的相对运动。在至少一个实施例中，工作台240进一步被配置成在要被清洁的衬底和清洁模块220、230中的一个或者多个之间产生沿Z方向的相对运动。工作台240的所述结构为实例。其他结构在各实施例的范围之内。
清洁物质贮存器250布置在外壳210的下部217中。清洁物质贮存器250配置成存储一种或者多种清洁物质。在至少一个实施例中，一种或者多种清洁物质包括从要被清洁的衬底去除的材料的溶剂。在至少一个实施例中，两种以上的清洁物质存储在清洁物质贮存器250中。在至少一个实施例中，清洁物质贮存器250配置成在不同的工作台处分配不同的清洁物质以清洁衬底的相同表面。在一些实施例中，清洁物质贮存器250结合清洁模块220、230中的至少一个，以向清洁模块供应一种或者多种清洁物质。在一些实施例中，清洁物质贮存器250连接至布置在工作台240处的喷嘴，以在衬底上分配一种或者多种清洁物质。在至少一个实施例中，从清洁装置200中省略了清洁物质贮存器250，并且清洁物质例如通过管道从外部贮存器供应至外壳210内。清洁物质贮存器250的所述结构为实例。其他结构在各实施例的范围内。
控制器260包括计算机262和一个或者多个专用集成电路(ASIC)264。在一些实施例中，计算机262包括至少一个处理器、存储器、网络接口、存储器件、输入/输出(I/O)设备或者其他互连通信结构。在一些实施例中，所述存储器包括随机存储器(RAM)和/或其他动态存储器件和/或只读存储器(ROM)和/或其他静态存储器件。在一些实施例中，存储器用于在执行要通过处理器执行的指令期间存储临时变量或者其他中间信息。在一些实施例中，存储器件(例如，磁盘或者光盘)配置成存储数据和/或指令。所述I/O设备包括能够与用户交互的输入设备、输出设备和/或输入/输出设备的结合。例如，触摸屏266设置在外壳210的前壁212处并配置为用于与计算机262和/或ASIC 264进行I/O交互的用户界面。在另一实例中，相机(未示出)设置在外壳210的上部216中并且面对着工作台240以拍摄一个或者多个表面图像并且将该图像传送给计算机262和/或ASIC 264。计算机262和/或ASIC 264配置成分析拍摄的图像以确定衬底是否已经被清洁，或者是否要执行具有相同或者不同参数的另一种清洁操作。其他类型的I/O设备(例如，鼠标、键盘等I/O设备)在各实施例的范围之内。在一些实施例中，ASIC 264限定清洁装置200中计算机262和其他部件(例如，清洁模块220、230、工作台240、以及清洁物质贮存器250)之间的接口。在至少一个实施例中，ASIC 264为清洁装置200的至少一个部件的独立式控制器。在至少一个实施例中，计算机262和ASIC264中的至少一个被从清洁装置200中省略，和/或设置在外壳210的外部。控制器260的所述结构为实例。其他结构在各实施例的范围之内。
通风设备270包括风扇272和排气管道274。风扇272布置在顶壁211上并且配置为生成穿过外壳210并且围绕清洁模块220、230和工作台240的气流。然后，所述气流通过排气管道274排出外壳210。气流保持外壳210的内部处于一定压力下并从被清洁的衬底移除污染物。在至少一个实施例中，气流从外壳210中去除存储在清洁物质贮存器250中的一种或者多种清洁物质的水汽和/或气味。在根据一些实施例的图2A和2B所示的具体结构中，清洁模块220、230和工作台240布置在清洁物质贮存器250的上游以防止清洁物质的水汽不期望地到达清洁模块220、230和/或被清洁的衬底。在至少一个实施例中，通风设备270被从清洁装置200中省略。通风设备270的所述结构为实例。其他结构在各实施例的范围之内。
根据一些实施例，图3A是清洁模块300的示意性俯视-正视-右视立体图，并且图3B是清洁模块300的示意性俯视-后视-右视立体图。在一些实施例中，清洁模块300对应于清洁装置200的清洁模块220、230之一。
清洁模块300包括壳体310。壳体310为箱形并且具有顶壁311、前壁312、后壁313、右壁314、左壁315以及底壁316。壳体310中的至少一个壁具有门，该门布置成允许操作者或者设备存取壳体310内部的一个或者多个部件。例如，前壁312限定了通过铰链317附接至左壁315的门。顶壁311具有配置成将清洁模块300固定到支撑件的装置(未示出)，诸如参照图2A至图2B描述的边框或者横梁结构218。壳体310的所述装置为实例。其他装置在各实施例的范围之内。
清洁模块300进一步包括布置在壳体310中间(前壁312和后壁313之间)的底座构件320。在图3A和图3B所示的具体结构中，底座构件320为板。底座构件320的其他结构在各实施例的范围之内。
在图3A中最佳地示出了底座构件320的正面。擦拭带供带盘322和擦拭带收带盘324可旋转地支撑在底座构件320的正面上。在图3A中示出的具体结构中，擦拭带供带盘322和擦拭带收带盘324可被支撑成围绕共同的旋转轴旋转。清洁头326和一个或者多个导轮328也安装在底座构件320的正面上。从擦拭带供带盘322开始，连续地引导擦拭带经过一个或者多个导轮、环绕清洁头326、然后到达擦拭带收带盘324。环绕清洁头326引导的一段擦拭带330用于清洁如文中所述的衬底。分离构件332(例如，圆盘)设置在擦拭带供带盘322和擦拭带收带盘324之间以防止已经用于清洁衬底并收集到擦拭带收带盘324上的擦拭带330玷污擦拭带供带盘322上的新擦拭带330。
在图3B中最佳地示出了底座构件320的后面。横向构件333附接至基座构件320的后面。第一滑动构件334设置在横向构件333的相对端部处。第二滑动构件336(例如，凸起导轨)设置在右壁314和左壁315的内表面上并且可与相应的第一滑动构件334滑动啮合。在一些实施例中，第二滑动构件336包括形成在右壁314和左壁315的内表面中的槽。在壳体310的右壁314和左壁315上的第二滑动构件336和由基座构件320所承载的第一滑动构件334之间的滑动啮合使基座构件320可相对于壳体310沿Z方向移动。驱动器338连接到基座构件320和壳体310以相对于壳体310沿Z方向移动基座构件320。驱动器338的实例包括但不限于马达、气缸等致动器。压力传感器340也安装在基座构件320的后面上。基座构件320及安装其上的部件的所述结构为实例。壳体310中的各部件的其他结构在各实施例的范围之内。
图3C是根据一些实施例的清洁模块300的一些部件的示意性后视图。图3C示出了其上安装有压力传感器340的基座构件320的后面。基座构件320进一步支撑限定用于可旋转支撑擦拭带供带盘322和擦拭带收带盘324的支撑结构的旋转轴342。旋转轴342限定擦拭带收带盘324和擦拭带供带盘322的共同旋转轴。在一些实施例中，旋转轴342包括两部分(未示出)，所述两部分中的每一部分都可旋转支撑擦拭带供带盘322和擦拭带收带盘324中的相应一个，并且旋转轴342的部分通过安装在其间的分离构件332分隔开。
擦拭带供给器344安装在基座构件320上以驱动擦拭带供带盘322输出一段新擦拭带330用于清洁如本文所述的衬底，和/或驱动擦拭带收带盘324收集一段用过的擦拭带330。在示例性结构中，擦拭带供给器344包括至少一个马达。在至少一个实施例中，擦拭带供给器344包括配置成独立地驱动擦拭带供带盘322和擦拭带收带盘324的两个马达。在至少一个实施例中，传送结构(例如，一个或者多个齿轮)被设置为将擦拭带供给器344的驱动力传送至擦拭带供带盘322和擦拭带收带盘324中的至少一个。
清洁头326可旋转地安装在旋转轴346上。旋转轴346通过弹簧348由基座构件320支撑。在图3C所示的示例性结构中，弹簧348具有连接至第一连接构件352的第一端350，其中，清洁头326的旋转轴346可旋转地安装在第一连接构件352上。弹簧348的第二端354附接至基座构件320并且连接至第二连接构件356。压力传感器340具有接触第二连接构件356的探测端358。压力传感器340配置成检测清洁头326施加在要被清洁头326所清洁的衬底360上的压力P。在至少一个实施例中，衬底360支撑在工作台上，例如参照图2A和2B所述的工作台240。
压力传感器340向控制器提供压力反馈，例如参照图2A所述的控制器260。如果被压力传感器340所检测到的压力P高于预定阀值或者范围，则控制器260使清洁头326和衬底360在Z方向上相互远离地移动，以防止或者至少最小化由于高压力P而损坏衬底360的可能性。如果被压力传感器340检测到的压力P低于预定阀值或者范围，则控制器260使清洁头326和衬底360在Z方向上朝向彼此移动，以提高由于低压P而可能造成的不足的清洁效率。在至少一个实施例中，清洁头326和衬底360在Z方向的相对移动受驱动器338影响，驱动器338升高或者降低其上安装有清洁头326的基座构件320。在至少一个实施例中，清洁头326和衬底360在Z方向上的相对运动受工作台240的Z方向运动的影响。在至少一个实施例中，清洁头326和衬底360在Z方向上的相对移动受驱动器338和工作台240影响。弹簧348配置成吸收压力P的小波动，而不触发控制器260使清洁头326和衬底360彼此朝向或远离移动。例如，当清洁头326开始接触衬底360的清洁区时并且当清洁头326开始接触衬底360上带有粘合剂残留物的区域时，压力P轻微地改变并且弹簧348吸收这种变化。压力传感器340的实例包括但不限于压阻式传感器、电容式传感器、电磁传感器、压电传感器、光学传感器以及电位传感器。所述压力反馈控制为实例。用于压力反馈控制的其他结构在各实施例的范围之内。
图3D是根据一些实施例的清洁模块300的一个或者多个部件的示意性正视图。图3D示出了基座构件320的正面。如本文中参照图3A所述和如图3D所示，沿着擦拭带路径连续地引导擦拭带330，该擦拭带路径从擦拭带收带盘324开始、通过多个导轮328、经过部分清洁头326、通过多个其他导轮328、然后返回至擦拭带收带盘324。图3D所示的导轮328的数量和/或结构和/或擦拭带路径的长度和形状为实例。用于引导擦拭带330的其他结构在各实施例的范围之内。
在至少一个实施例中，擦拭带330包括具有灰尘捕获能力的吸附性耐化学腐蚀材料。擦拭带330的吸附性和耐化学腐蚀性允许擦拭带330将清洁物质(例如，溶剂)运送至衬底360以去除如本文所述的要被去除的材料(例如，粘合剂)。擦拭带330的灰尘捕获能力允许擦拭带330捕获污染物，例如，灰尘以及清洁物质和该材料之间的发生产物。擦拭带330的实例包括但不限于用于清洁平面显示器(例如，TV或者监控器)或者用于清洁其他类型的玻璃板的擦拭物。在一些实施例中，擦拭带330包括含75％的聚酯和25％的尼龙的带状织物，其被认作为市售的注册商标为
Figure BDA0000552139870000122
的CRW200 Woven Type Wiper。在一些实施例中，擦拭带330包括市售的注册商标为
Figure BDA0000552139870000121
的含有撕裂纱或者纤维的带状机织物或针织物。在一些实施例中，擦拭带330的宽度小于衬底360的宽度，并且通过在衬底360上以若干条平行线路移动清洁模块300来清洁衬底360的整个表面。在一些实施例中，擦拭带330的宽度等于或者大于衬底360的宽度，并且通过在衬底360上单线移动清洁模块300来清洁衬底360的整个表面。
沿着擦拭带路径和清洁头326的上游布置至少一个喷嘴。在图3D示出的具体结构中，两个喷嘴362、364在清洁头326的上游安装在基座构件320上，并配置成将至少一种清洁物质分配到朝向喷嘴362、364的一段擦拭带330上。如本文中所述，然后其上分配有清洁物质的这段擦拭带330供给清洁头326以利用清洁物质的化学作用和擦拭带330的机械作用来清洁衬底360。为了从光掩模去除粘合剂残留物，示例性清洁物质包括但不限于乙醇、HP稀释剂以及NGC04。图3D所示的喷嘴的布置和/或数量为实例。用于向要被从衬底360去除的材料供应至少一种清洁物质的其他结构在各实施例的范围之内。例如，在至少一个实施例中，从清洁模块300省略喷嘴362、364，并且一种或者多种清洁物质直接分配在衬底360上。
清洁头326可围绕旋转轴346(图3C)进行旋转。旋转轴346定向为垂直于清洁头300相对于衬底360移动的方向。例如，在图3C和图3D所示的具体结构中，旋转轴346定向为与清洁头300相对于衬底360移动的Z方向垂直的X方向。在至少一个实施例中，通过擦拭带330在擦拭带供带盘322和擦拭带收带盘324之间的运动来旋转清洁头326。例如，当一段长度的擦拭带330离开擦拭带供带盘322进给并且另一段长度的擦拭带330收集在擦拭带收带盘324上时，擦拭带330的运动会引起清洁头326逆时针旋转。在至少一个实施例中，一段长度的擦拭带330重复性离开擦拭带供带盘322进给并返回缠绕在该供带盘322上，而另一段长度的擦拭带330重复性收集在擦拭带收带盘324上并离开该收带盘324进给。结果，如图3D中箭头R所示，引起清洁头326逆时针和顺时针来回旋转。在至少一个实施例中，由诸如马达(未示出)的驱动器主动驱动清洁头326。在至少一个实施例中，清洁头326不可旋转。
清洁头326配置成在清洁头326和衬底360之间相对运动期间使清洁头326上所引导的一段擦拭带330与衬底360接触。在至少一个实施例中，相对运动包括衬底360相对于清洁头326的平移运动T和清洁头326绕旋转轴346(图3C)的旋转运动R。在至少一个实施例中，相对运动包括平移运动T或者旋转运动R。在一些实施例中，旋转运动R和/或平移运动T是单向的。在一些实施例中，控制器260基于各种因素选择清洁头326和衬底360之间所进行相对运动的类型和/或速度，这些因素包括但不限于要被去除材料的类型、厚度和面积。例如，根据一些实施例，为了清洁具有小面积和/或厚度的粘合剂残留物的轻度污染区，控制器260引起清洁头326和衬底360之间的单向平移运动T，同时单向旋转清洁头326来清洁污染区。根据一些实施例，为了清洁具有大面积和/或厚度的粘合剂残留物的较重污染区，控制器260引起以较低速度进行的平移运动T和以较高速度进行的清洁头326的旋转运动R，从而增强衬底360上的擦拭带330的清洁作用。根据一些实施例，为了清洁具有甚至更大面积和/或厚度的粘合剂残留物的重度污染区，控制器260停止平移运动T并引起清洁头326进行双向旋转运动R，从而一次清洁一部分污染区。当清洁部分污染区时，控制器260引起小平移运动T以使清洁头326前进到下一部分污染区，其中，在该下一部分污染区再次停止平移运动T并使清洁头326再次进行双向旋转运动R以清洁该下一部分。
在一些实施例中，通过控制清洁物质分配到擦拭带330上的方式来进一步改善清洁作用。在至少一个实施例中，在清洁操作期间，清洁物质被连续分配到擦拭带330上。在至少一个实施例中，在清洁操作期间，清洁物质被间歇性地分配在擦拭带330上。在至少一个实施例中，为了清洁重度污染区，增加分配在擦拭带330上的清洁物质的量，和/或以更高频率分配清洁物质，和/或将多种不同清洁物质连续或者同时分配在擦拭带330上。在一些实施例中，不同清洁物质以污染区上方的清洁头326的不同道次分配在擦拭带330上。例如，为了沿着图1B中的光掩模100上的线条107清洁粘合剂残留物，当清洁模块300以第一道次沿线条107在Y方向上移动时，将第一清洁物质分配在擦拭带330上。第一种清洁物质与来自光掩模100的粘合剂残留物发生反应、溶解和/或移走该粘合剂残留物，并且移动的擦拭带330将反应的副产品和/或去除的粘合剂残留物和/或其他类型的污染物带离光掩模100。在第二道次中，第二种清洁物质随着清洁模块300再次沿着线条107在Y方向上移动而分配在擦拭带330上，从而移除第一道次之后保留在光掩模100上的污染物。所述的清洁操作为实例。具有多种类型设定、方向设定、移动数量和速度设定和/或清洁物质的类型、分配量和分配频率等因素的其他清洁操作在各实施例的范围之内。
根据一些实施例，图3E是清洁模块300的下部的示意性俯视-后视-右视立体图，图3F是清洁模块300的壳体310的底壁316的示意性立体图，且图3G是清洁模块300的下部中的一些部件的示意性正视图。如图3E至图3G所示，壳体310的底壁316具有对应于清洁头326的槽366。如图3G最佳示出的，清洁头326具有下部368，在该下部368上引导擦拭带330并且该下部368穿过槽366突出到壳体310之外以使擦拭带330接触衬底360。清洁模块300进一步包括配置成在壳体310内部产生负压(与壳体310的外部相比)的抽吸装置370。在清洁操作期间，由引导部分产生的污染物C通过负压经由槽366吸入到壳体310内。因此，防止了污染物C再次粘附到衬底360的清洁过的表面上。吸入壳体310内的污染物C进一步通过单独的管道排出到外部。在一些实施例中，抽吸装置370布置在壳体310中。在一些实施例中，抽吸装置370布置在壳体310外部并通过管道372连接到壳体310的内部以在壳体310中产生负压。在一些实施例中，气流F(诸如参照图2A和2B所述的通风装置270产生的气流)围绕清洁模块300流动并且衬底360进一步有助于污染物C通过槽366进入壳体310内的运动和/或远离衬底360的清洁区的运动。用于从被清洁的衬底去除污染物的所述结构为实例。用于污染物去除的其他结构在各实施例的范围之内。
图4是根据一些实施例的清洁模块400的示意性俯视-正视-右视立体图。清洁模块400和本文所述的清洁模块300之间的一个区别是清洁模块400配置成可围绕沿Z方向定向的旋转轴401进行旋转。在至少一个实施例中，参照图2A和2B所述的清洁模块220、230替换为一个清洁模块400。在至少一个实施例中，每个清洁模块220、230均由一个清洁模块400替换。在清洁模块400替换清洁模块220、230中的一个或两个的至少一个实施例中，旋转轴401连接至边框或者横梁结构218以将清洁模块400悬于要被清洁的衬底(保持在工作台240上)上。然后，清洁模块400用于沿X方向或Y方向清洁衬底，诸如参照图1B所述的光掩模100。例如，清洁模块400相对于光掩模100在Y方向上移动以清洁粘合剂残留物的线条107。在线条107和相邻线条108的接合点处，清洁模块400绕旋转轴401旋转以沿着要被清洁的相邻线条108定向清洁头326。在至少一个实施例中，通过使用可枢转的清洁模块400，减少了清洁装置中的清洁模块的数量。在至少一个实施例中，通过使用可枢转的清洁模块400，除了X方向和Y方向以外，还可以在多种方向上执行清洁操作，和/或除了直线以外还可沿着不同形状的线条执行清洁操作。清洁模块400的枢转性的所述结构为实例。其他结构在各实施例的范围之内。
图5是根据一些实施例的清洁模块500的一些部件的示意性俯视-正视-右视立体图。清洁模块500和本文所述的清洁模块300之间的一种区别在于：在清洁模块500中，擦拭带收带盘324和擦拭带供带盘322布置成可绕两个相应的平行轴542、544旋转。在至少一个实施例中，清洁模块500的操作类似于清洁模块300的操作。与擦拭带供带盘322和擦拭带收带盘324的旋转轴轴向对准的清洁模块300中的布局相比，清洁模块500中的旋转轴的平行布局在基座构件320上占用较大面积，但是易于维修清洁模块的部件。
图6是根据一些实施例的清洁装置中的清洁模块601、602的示意性后视图。在至少一个实施例中，清洁模块601、602对应于清洁模块220、230、300、400和500中的一个或者多个。清洁模块601配置成清洁衬底360的第一表面611，而清洁模块602配置成以与上面参照清洁模块220、230、300、400和500中的一个或者多个的操作相似的方式清洁衬底360的第二相对表面612。在至少一些实施例中，通过相应的清洁模块601、602同时清洁表面611、612。因此，提高了清洁速度，尤其在衬底的两个表面都要被清洁的情况下。
图7是根据一些实施例的清洁操作过程中的清洁模块700的示意性后视图。在至少一个实施例中，清洁模块700对应于清洁模块220、230、300、400和500中的任何一个。清洁模块700配置成清洁衬底360的第一表面611，然后如箭头701所示翻转衬底360，以便接下来通过清洁模块700清洁衬底360的第二表面612。例如，由载装机来执行翻转动作，载装机配置成将要被清洁的衬底装载到清洁装置中和/或从清洁装置卸载清洁过的衬底。与参照图6所述的带有两个清洁模块的布局相比，如图7所示的根据一些实施例的布局更加紧凑。
图8是根据一些实施例的用于清洁光刻胶的清洁装置800的示意性框图。清洁装置800包括连接并控制清洁模块驱动器861、光掩模保持工作台862、溶剂供给器863、864、清洁头驱动器865、擦拭带供给器866以及抽吸装置867。控制器860进一步连接至用户界面868、压力传感器869以及相机870并且从用户界面868、压力传感器869以及相机870接收数据和/或指令。在至少一个实施例中，控制器860对应控制器260，清洁模块驱动器861对应于驱动器338，光掩模保持工作台862对应于工作台240，溶剂供给器863、864对应于清洁物质贮存器250，清洁头驱动器865对应于如本文所述用于主动驱动清洁头326的马达，擦拭带供给器866对应于擦拭带供给器344，抽吸装置867对应于抽吸装置370，用户界面868对应于触摸屏266和/或有关控制器260所述的其他I/O，压力传感器869对应于压力传感器340，并且相机870对应于如本文所述的用于监测清洁质量的相机。
图9是根据一些实施例的清洁光掩模的方法900的流程图。在至少一个实施例中，通过清洁模块220、230、300、400、500、601、601和700中的至少一个和/或清洁装置200来执行方法900，以从如本文所述的光掩模100清洁粘合剂残留物。
在操作905中，从供带盘开始引导擦拭带、经过清洁头、然后到达收带盘上。例如，如本文所述，从擦拭带供带盘322开始引导擦拭带330、经过清洁头326、然后到达擦拭带收带盘324上。
在操作915中，使经过清洁头的一段擦拭带接触光掩模表面上的粘合剂残留物。例如，如本文所述，使经过清洁头326并且其上分配有清洁物质的一段擦拭带330接触光掩模100上的粘合剂残留物104。
在操作925中，在光掩模和该段擦拭带之间产生相对运动以从光掩模的表面去除粘合剂残留物。例如，如本文所述，在经过清洁头326的擦拭带330和光掩模之间产生平移运动T和/或旋转运动R，以从光掩模去除粘合剂残留物。在一些实施例中，如本文所述，分配一种或者多种清洁物质和/或控制光掩模上的清洁头326的应力和/或吸出通过清洁操作产生的污染物。
上述方法实施例示出了示例性操作，但是不必需要以所示的顺序执行这些操作。根据本发明的实施例的精神和范围，操作可适当地增加、替换、改变顺序、和/或删除。结合不同特征和/或不同实施例的实施例在本发明的范围之内并且在审阅各实施例之后，本领域的普通技术人员应该理解这些实施例。
在一些实施例中，通过提供使用擦拭带的清洁装置和/或清洁模块，可实现衬底(例如，光掩模)的自动清洁。因此，可避免在脱模工艺之后手动清洁光掩模，如此节省了用于光掩模清洁的劳动力和时间，而同时保证了清洁效率和质量的一致性。与手动光掩模清洁相比，一个或者多个实施例中的清洁装置和/或清洁模块提供了固定和/或可控的清洁宽度和路径，从而降低了清洁操作之后未去除的粘合剂残留物保留在光掩模上的可能性。在一些实施例中，可检测清洁操作期间施加在光掩模上的压力并将其控制在可接受的范围内。因此，可避免对要被清洁的光掩模的损害，同时由于稳定的擦拭压力而改善了清洁性能。在一些实施例中，由清洁操作产生的污染物远离正在清洁的光掩模被吸走。因此，因为污染物(例如，粘合剂残留物和/或清洁物质)不可能重新粘附到清洁过的衬底，所以提高了清洁质量。一些实施例提供了多模块和/或多方向和/或多溶剂清洁装置，其中，通过改变一个或者多个因素可控制清洁操作，这些因素包括但不限于擦拭带和光掩模之间相对移动的类型、方向、数量与速度以及至少一种清洁物质的类型、剂量与分配频率。控制灵活性允许清洁装置快速适应要被清洁的各种类型的衬底和/或要被去除的各种类型的材料。因此提供了一种成功率高且质量稳定的适于大规模生产的连续性光掩模清洁方法。
在一些实施例中，一种清洁模块包括配置成可旋转地支撑擦拭带供带盘和擦拭带收带盘的支撑结构、清洁头以及抽吸装置。所述清洁头配置成在清洁操作期间由擦拭带清洁衬底，所述擦拭带沿着擦拭带路径被连续地引导，该路径从擦拭带供带盘开始、环绕部分清洁头、然后到达擦拭带收带盘。抽吸装置配置成远离部分清洁头吸走在清洁操作期间所产生的污染物。
在一些实施例中，一种清洁装置包括配置成在其上支撑要被清洁的衬底的工作台及相对于该工作台可移动的至少一个清洁模块。所述至少一个清洁模块包括支撑结构、清洁头、压力传感器以及驱动器。所述支撑结构配置成可旋转地支撑擦拭带供带盘和擦拭带收带盘。所述清洁头配置成在清洁操作期间由擦拭带清洁支持在工作台上的衬底，沿着擦拭带路径连续地引导所述擦拭带，擦拭带路径从擦拭带供带盘开始、环绕部分清洁头、然后到达擦拭带收带盘。压力传感器配置成检测通过清洁头施加在衬底上的压力。驱动器配置成响应于压力传感器所检测的压力沿着朝向或远离衬底的第一方向移动清洁头。
在根据一些实施例的清洁光掩模的方法中，从擦拭带供带盘开始引导擦拭带、经过清洁头、然后到达擦拭带收带盘。使经过清洁头的一段擦拭带接触光掩模的表面上的粘合剂残留物。在光掩模和该段擦拭带之间进行相对运动以从光掩模的表面去除粘合剂残留物。
上面论述了若干实施例的特征，使得本领域普通技术人员可以更好地理解本发明的各个方面。本领域普通技术人员应该理解，他们可以很容易地使用本发明作为基础来设计或更改其他用于达到与这里所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优点的工艺和结构。本领域普通技术人员也应该意识到，这种等效构造并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以进行多种变化、替换以及改变。

Claims (16)

1.一种清洁模块，包括：
支撑结构，配置成可旋转地支撑擦拭带供带盘和擦拭带收带盘；
清洁头，配置成在清洁操作期间由擦拭带清洁衬底，所述擦拭带沿着擦拭带路径被连续引导，所述擦拭带路径从所述擦拭带供带盘开始、环绕所述清洁头的一部分、然后到达所述擦拭带收带盘，其中，所述擦拭带供带盘、所述擦拭带收带盘和所述清洁头围绕第一共同的旋转轴旋转，所述第一共同的旋转轴为所述清洁模块的旋转轴且垂直于所述衬底；
壳体，所述清洁头部分地容纳在所述壳体中，所述擦拭带供带盘和所述擦拭带收带盘容纳在所述壳体中；以及
抽吸装置，配置成远离所述清洁头的所述一部分吸走在所述清洁操作期间所生成的污染物，所述抽吸装置配置成在所述壳体的内部产生负压以将所述污染物吸入所述壳体内。
2.根据权利要求1所述的清洁模块，其中，所述清洁头的所述一部分凸出到所述壳体的外部。
3.根据权利要求2所述的清洁模块，其中，
所述壳体包括配置成在所述清洁操作期间面向所述衬底的壁，所述壁具有槽，所述清洁头的所述一部分通过所述槽凸出到所述壳体的外部，并且
所述抽吸装置配置成在所述壳体的内部产生所述负压以通过所述槽将所述污染物吸入所述壳体内。
4.根据权利要求1所述的清洁模块，其中，所述清洁头是可旋转的。
5.根据权利要求1所述的清洁模块，进一步包括：
至少一个喷嘴，沿着所述擦拭带路径布置在所述清洁头的上游，所述至少一个喷嘴配置成将至少一种清洁物质分配到所述擦拭带上以在所述清洁头处由所述擦拭带和所述至少一种清洁物质清洁所述衬底。
6.根据权利要求1所述的清洁模块，进一步包括：
压力传感器，配置成检测由所述清洁头施加在所述衬底上的压力；以及
驱动器，配置成响应于所述压力传感器检测到的所述压力朝向或远离所述衬底移动所述清洁头。
7.根据权利要求6所述的清洁模块，进一步包括：
底座，所述支撑结构和所述压力传感器安装在所述底座上；以及
弹簧，所述清洁头通过所述弹簧安装在所述底座上，所述弹簧配置成部分地吸收由所述清洁头施加在所述衬底上的所述压力。
8.根据权利要求7所述的清洁模块，其中，所述驱动器配置成朝向或远离所述衬底移动所述底座。
9.根据权利要求1所述的清洁模块，其中，所述支撑结构配置成将所述擦拭带供带盘和所述擦拭带收带盘支撑成可绕第二共同的旋转轴旋转，其中，所述第二共同的旋转轴平行于所述衬底。
10.根据权利要求1所述的清洁模块，其中，所述支撑结构配置成将所述擦拭带供带盘和所述擦拭带收带盘支撑成可绕相应的平行旋转轴旋转，其中，所述平行旋转轴平行于所述衬底。
11.一种清洁装置，包括：
工作台，要被清洁的衬底支撑在所述工作台上；以及
至少一个清洁模块，相对于所述工作台可移动，所述至少一个清洁模块包括：
支撑结构，配置成可旋转地支撑擦拭带供带盘和擦拭带收带盘；
清洁头，配置成在清洁操作期间由擦拭带清洁支撑在所述工作台上的所述衬底，所述擦拭带沿着擦拭带路径被连续引导，所述擦拭带路径从所述擦拭带供带盘开始、环绕所述清洁头的一部分、然后到达所述擦拭带收带盘，其中，所述擦拭带供带盘、所述擦拭带收带盘和所述清洁头围绕共同的旋转轴旋转，所述共同的旋转轴为所述清洁模块的旋转轴且垂直于所述衬底；
压力传感器，配置成检测由所述清洁头施加在所述衬底上的压力；以及
驱动器，配置成响应于所述压力传感器检测到的所述压力沿着朝向或远离所述衬底的第一方向移动所述清洁头；
外壳，所述至少一个清洁模块和所述工作台容纳在所述外壳中；
通风装置，配置成产生穿过所述外壳并围绕所述至少一个清洁模块和所述工作台的气流。
12.根据权利要求11所述的清洁装置，其中，所述至少一个清洁模块可相对于所述工作台沿着垂直于所述第一方向的第二方向移动。
13.根据权利要求11所述的清洁装置，其中，所述至少一个清洁模块包括：
第一清洁模块，可相对于所述工作台沿着垂直于所述第一方向的第二方向移动，以及
第二清洁模块，可相对于所述工作台沿着垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向移动。
14.根据权利要求11所述的清洁装置，其中，
所述至少一个清洁模块可绕着沿所述第一方向定向的轴旋转。
15.根据权利要求11所述的清洁装置，其中，
所述清洁头可绕着垂直于所述第一方向定向的旋转轴旋转，以及
所述至少一个清洁模块可相对于所述工作台沿着垂直于所述第一方向和所述清洁头的所述旋转轴的第二方向移动。
16.根据权利要求11所述的清洁装置，进一步包括：
至少一个清洁物质贮存器，容纳在所述外壳中，所述至少一个清洁物质贮存器配置成供应至少一种清洁物质以在所述清洁头处由所述擦拭带和所述至少一种清洁物质清洁所述衬底，
其中，在所述气流中，所述至少一个清洁模块和所述工作台布置在所述至少一个清洁物质贮存器的上游。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106807654B (zh) * 2015-12-02 2020-06-05 特铨股份有限公司 光罩清洗装置
CN106423924B (zh) * 2016-10-24 2019-04-30 广东楚天龙智能卡有限公司 一种智能卡芯片模块清洁装置
US10416575B2 (en) * 2016-11-16 2019-09-17 Suss Microtec Photomask Equipment Gmbh & Co. Kg Apparatus and method for cleaning a partial area of a substrate
JP6920849B2 (ja) * 2017-03-27 2021-08-18 株式会社荏原製作所 基板処理方法および装置
US11143952B2 (en) * 2017-09-28 2021-10-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pellicle removal method
US11467508B2 (en) * 2018-07-25 2022-10-11 Applied Materials, Inc. Pellicle adhesive residue removal system and methods
JP2020048124A (ja) * 2018-09-20 2020-03-26 キヤノン株式会社 清掃装置
KR102171068B1 (ko) * 2020-07-07 2020-10-29 엔엠시스코(주) 새도 마스크의 표면 이물질 제거장치
CN113578801B (zh) * 2021-07-07 2023-08-08 富联裕展科技(深圳)有限公司 擦拭装置、擦拭设备及擦拭方法
CN114180453B (zh) * 2022-02-17 2022-04-26 河南工学院 一种起重机防倾翻机构
TWI806788B (zh) * 2022-10-11 2023-06-21 邱俊榮 光罩清潔設備、光罩翻轉機構及光罩清潔方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05229108A (ja) * 1992-02-19 1993-09-07 Hitachi Techno Eng Co Ltd スクリ−ン印刷機の清掃装置
US6558239B2 (en) * 2001-01-09 2003-05-06 Ebara Corporation Polishing apparatus
US7115023B1 (en) * 2005-06-29 2006-10-03 Lam Research Corporation Process tape for cleaning or processing the edge of a semiconductor wafer
CN101203937A (zh) * 2005-04-20 2008-06-18 飞思卡尔半导体公司 清洗电路衬底的设备
CN102844123A (zh) * 2010-04-01 2012-12-26 万德雷斯高新技术有限公司 特别针对玻璃板的表面清洁方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4569695A (en) * 1983-04-21 1986-02-11 Nec Corporation Method of cleaning a photo-mask
US4596695A (en) 1984-09-10 1986-06-24 Cottingham Hugh V Agglutinographic reaction chamber
US4722355A (en) * 1985-08-19 1988-02-02 Rolf Moe Machine and method for stripping photoresist from wafers
US4986141A (en) * 1989-03-09 1991-01-22 Baker Hughes Incorporated Tape drive with self-expanding coils for sludge collector
US5344677A (en) * 1992-08-27 1994-09-06 Hong Gilbert H Photochemically stable deep ultraviolet pellicles for excimer lasers
JP2832138B2 (ja) * 1993-09-30 1998-12-02 信越半導体株式会社 ウェーハ外周部の研磨装置
US6829035B2 (en) * 2002-11-12 2004-12-07 Applied Materials Israel, Ltd. Advanced mask cleaning and handling
TWI229892B (en) 2003-11-20 2005-03-21 Advanced Semiconductor Eng Apparatus for removing dusts from substrates
WO2005081301A1 (en) * 2004-02-25 2005-09-01 Ebara Corporation Polishing apparatus and substrate processing apparatus
JP2007025436A (ja) 2005-07-20 2007-02-01 Adtec Engineeng Co Ltd 露光装置
US7993485B2 (en) * 2005-12-09 2011-08-09 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate
US20080156346A1 (en) * 2006-12-28 2008-07-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for cleaning a substrate
US7462248B2 (en) * 2007-02-06 2008-12-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for cleaning a photomask
DE102009001488A1 (de) 2008-05-21 2009-11-26 Asml Netherlands B.V. Entfernen von Kontaminationen von optischen Oberflächen durch aktivierten Wasserstoff
US8002899B2 (en) * 2008-09-30 2011-08-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for mask pellicle adhesive residue cleaning
US8056832B2 (en) * 2008-10-30 2011-11-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Jetspray nozzle and method for cleaning photo masks and semiconductor wafers
TWI380856B (zh) 2009-05-07 2013-01-01 Univ Minghsin Sci & Tech Glass substrate cleaning apparatus and method
KR101652825B1 (ko) * 2009-08-03 2016-09-01 삼성전자주식회사 블로잉을 이용한 포토 마스크의 세정 방법 및 장치
TWM370446U (en) 2009-08-14 2009-12-11 Usun Technology Co Ltd Sheet cleaning device
DE102009058962B4 (de) 2009-11-03 2012-12-27 Suss Microtec Photomask Equipment Gmbh & Co. Kg Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
JP4975838B2 (ja) * 2010-02-23 2012-07-11 株式会社東芝 マスク洗浄方法、マスク洗浄装置及びペリクル
KR20120106147A (ko) * 2011-03-17 2012-09-26 삼성전자주식회사 포토마스크 세정 장치
US9335279B2 (en) * 2011-04-26 2016-05-10 Kla-Tencor Corporation Pre and post cleaning of mask, wafer, optical surfaces for prevention of contamination prior to and after inspection
US8703364B2 (en) * 2012-05-07 2014-04-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for repairing photomask
DE102012107105A1 (de) 2012-08-02 2013-09-19 Asml Netherlands B.V. Reinigungsverfahren für projektionsbelichtungsanlagen und entsprechend ausgebildete projektionsbelichtungsanlagen
US9284147B2 (en) * 2012-09-21 2016-03-15 Paper Converting Machine Company Method and apparatus for producing coreless rolls of paper
TWI452423B (zh) * 2012-11-19 2014-09-11 Gudeng Prec Industral Co Ltd 光罩清洗方法及其系統
TWM451568U (zh) * 2012-11-19 2013-04-21 Gudeng Prec Industral Co Ltd 光罩清洗裝置
JP5881590B2 (ja) * 2012-12-12 2016-03-09 株式会社東芝 マスククリーナー及びクリーニング方法
US20140226136A1 (en) * 2013-02-11 2014-08-14 Patrick J. Gagnon Method and apparatus for cleaning photomask handling surfaces
DE102015219939A1 (de) 2015-10-14 2016-10-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung eines Reinigungsgases, Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Reinigen einer optischen Oberfläche

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05229108A (ja) * 1992-02-19 1993-09-07 Hitachi Techno Eng Co Ltd スクリ−ン印刷機の清掃装置
US6558239B2 (en) * 2001-01-09 2003-05-06 Ebara Corporation Polishing apparatus
CN101203937A (zh) * 2005-04-20 2008-06-18 飞思卡尔半导体公司 清洗电路衬底的设备
US7115023B1 (en) * 2005-06-29 2006-10-03 Lam Research Corporation Process tape for cleaning or processing the edge of a semiconductor wafer
CN102844123A (zh) * 2010-04-01 2012-12-26 万德雷斯高新技术有限公司 特别针对玻璃板的表面清洁方法

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