CN1047576C - 晶片形式的α－氧化铝大结晶体及其制法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是单晶六角形晶片形式的α-氧化铝大结晶体。
本发明还关于通过在一种含氟熔剂的存在下，于相对较低的温度下将氧化铝，例如过渡氧化铝煅烧制造这些大结晶体的方法。
α-氧化铝大结晶体可以用作增强材料。

Description

晶片形式的α-氧化铝大结晶体及其制法
本发明的目的是具有六角形晶片形式的α-氧化铝或氧化铝或刚玉大结晶体以及由氧化铝或氢氧化铝出发制备所述结晶体的方法。
已经描述了由氢氧化铝制备氧化铝大结晶体的方法。因此，在法国专利2441584中，提出一些粒度为16-250μm且直径/厚度比为3/1-7/1的六角形晶片形式的α-氧化铝大结晶体，这些大结晶体是通过在一种含0.001-0.5％(重量)氟化合物的矿化剂存在下于1200-1450℃煅烧氢氧化铝而得到的。
在德国专利申请DE-OS2623482中，提出在至少一种含氟盐和一种钒盐的存在下，经氢氧化铝的煅烧制备平均大小为16-25μm的初级结晶体。据上述法国专利(第2页19-22行)，升温或使用其它矿化剂完全不或者几乎不影响结晶体的大小和晶形。
另外，Keiji DAIMON和Etsun KATO提出(YogyoKvokai Shi 1986年94卷第3期380-382页(78-80))在三氟化铝的存在下由水合硫酸铝制备直径为1.5-40μm的α-氧化铝的六角形晶片的方法。
在日本专利申请60/54916中，提出由水合硫酸铝和碱式碳酸盐的混合物出发制备平均直径为1.7μm且厚度为0.18μm的晶片。
在日本专利申请60/38486中，提出制备厚度小于5μm和直径为25-150μm(由直径/厚度之比出发)的晶片。
在苏联专利416313中，提出通过在六角形氧化铝晶核的存在下，于1170℃将一种铝化合物加热分解来制备直径为4-12μm的氧化铝的六角形晶片。
最后，B.P.Locsel在INTERCERAM NR 3 1981年第197-198页中提出在三氟化铝存在下由含少量氧化铁的矾土出发制备直径/厚度之比为6-10的氧化铝结晶体。
本发明的目的是基本上呈单晶六角形晶片形式的新型α-氧化铝大结晶体，所述晶片的特征在于其直径为2-20μm，厚度为0.1-2μm，直径/厚度之比为5-40。
在这些大结晶体中，本发明特别是关于呈直径为2-18μm，厚度为0.1-1μm，直径/厚度之比为5-40的六角形品片形式的α-氧化铝大结晶体。
本发明的目的也是一种制备基本上呈如上所述的六角形晶片形式的α-氧化铝的方法，该方法的特征在于在一种熔点最高等于800℃、含化学连接的氟和在过渡氧化铝或水合氧化铝的熔融状态下是溶剂的熔剂存在之下，进行过渡氧化铝或水合氧化铝的煅烧。
“过渡氧化铝或水合氧化铝”用于表示此方法适用于除α-氧化铝外所有形式的氧化铝或氢氧化铝。
熔剂，同样称之为矿化剂，符合上述特征，基本上是由一种或多种不可水解的氟化合物，或者包括所述的不可水解的(一种或多种)氟化合物相和可水解的氟化合物相的一种双化合物组成，所述的一个相溶于另外一个相。
为了说明上述熔剂，将特别提到含三氟化铝和一种或多种碱金属或碱土金属氟化物，特别是锂、钠、钾或钙的氟化物的双化合物。还将特别提出呈Li3AlF6(冰晶石)形式的AlF3-LiF双化合物或者还有Li3Na3(AlF6)2(锂冰晶石)或者3AlF3·5LiF(锥冰晶石)。
本发明中使用的熔剂呈粉末形式，其粒度最好小于1mm(至少50％(重量)的颗粒)。
在按照本发明方法的实施中，相对于使用的过渡氧化铝和水合氧化铝而言，至少用2％，最好4-20％(重量)的熔剂。
过渡氧化铝或水合氧化铝可以选自大范围的各种直径和比表面积的粉末产品。特别提出至少50％(重量)的颗粒直径小于50μm的，较好低于25μm，特别低于1.5μm的氧化铝。在这些氧化铝中，优选比表面积＞100m2/g(按BET方法测得)，最好为100-400m2/g的氧化铝。
虽然可以使用干燥的氧化铝，但优选含水量达到氧化铝重量的15％(重量)的未干燥的或水合的氧化铝(Al2O3·H2O)。
煅烧温度可达到1200℃，甚至更高。然而，这特别构成了按照本发明的方法的优点，煅烧可以在很低温度下，如900-1100℃下进行。
按照通常的方法，由一般的粉末混合技术制得的过渡或水合氧化铝/熔剂混合物可以在环境温度下置于加热容器中，逐渐升温直至预定值。最好快速升温，即每小时1000℃，这种说法在任何情况下均不应该限制本发明的范围。
煅烧最好在惰生气氛中，例如在薄氮气流中进行。一旦达到煅烧温度，如前所述，温度可以在900-1100℃，更确切地是在1000℃左右，最好将此温度保持一定时间(半小时-几小时，例如直至5小时)。
煅烧操作结束后，可以无区别地进行晶片的淬火或者将其自然冷却或在致冷器中冷却。
收集的晶片基本上[＞90％(重量)]是由可能与熔剂或者熔剂的衍生物相结合的α-氧化铝如Al4LiO6F(在Li3AlF6的情况下)构成的熔剂或者其衍生物可以例如通过一种热的(如约100℃左右)浓酸(H2SO4或HCl)的作用除去。
本发明的目的，α-氧化铝的六角形晶片，适用于多种用途。它们尤其可以用于生产抛光产品，同样可以作各种材料，特别是陶瓷基和金属与聚合物基质的增强物质，单独或者与纤维、颗粒、晶须结合使用。
下列实例说明本发明。
实例1-14
使用的设备包括石英管加热炉，在其中可以通氮气流，并且在其中送入装有要煅烧的粉末的烧结的氧化铝坩埚。
用下列氧化铝(DX=Yμm表示X％(重量)的颗粒其直径小于Yμm)：
    ·P1:γ-Al2O3D50=1,1μm
                比表面积=172m2/g
    ·P2:γ-Al2O3D50=4,6μm
                比表面积=100m2/g·P3:Al2O3H2O(勃姆石)D60=25μmD96=45μm
          比表面积=196m2/g
·P4:γ-Al2O3 D55=25μmD97=45μm
              比表面积=244m2/g
·P5:γ-Al2O3 D50=3,5μm
按照相对于氧化铝(P1至P5)的重量为5％(重量)使用下列熔剂(D50=μm定义如前，D相当于全部颗粒)：·F1:Li3AlF6     (Pf:776℃)       D50=0,9μm·F2:Li3AlF6               400＜D＜600μm·F3:Li3AlF6               D＞630μm·F4:Li3AlF6               160＜D＜400μm·F5:Li3Na3(AlF6)2(Pf:710℃)·F6:3AlF3,5LiF
氧化铝和熔剂在环境温度下进行混合，然后放入坩埚中，在氮气流下(10l/小时)将坩埚送入炉中。
在1小时内(上升部分)将炉温升至X℃，然后将该温度保持Z小时(水平部分)。
在环境气体下进行冷却。
得到的产品是一个白色块，易于脱模及散开。测定形成的晶片的平均直径d(以μm计)和平均厚度e(以μm计)。
条件及结果均收集在下表中：
实例 氧化铝 熔剂         煅烧X℃    水平部份(z)       晶片大小d          e
    123456789101112131415     P1P2P3P4P5P1P1P1P2P1P1P1P1P1P1   F1F1F1F1F1F2F3F4F4F1F1F1F1F5F6     9809809809809809809809809809809808501100980980     1111111111/221111     716168455109777787     0,50,5110,30,70,70,510,50,50,50,50,50,5

Claims (19)

1．由过渡氧化铝或水合氧化铝和一种助熔剂制备基本上呈单晶六角形片晶形式的α-氧化铝大结晶体的方法，其中该片晶具有直径为2至20μm，厚度为0.1-2μm和直径/厚度比为5至40，该方法的特征在于使用其熔点最高达到800℃和含有化学键合的氟以及能在熔融状态下溶解过渡氧化铝或水合氧化铝的助熔剂，并在该助熔剂存在下在900-1200℃对过渡氧化铝或水合氧化铝进行煅烧。
2．根据权利要求1的方法，其中所制备的基本上呈单晶六角形片晶形式的α-氧化铝大结晶的片晶是具有直径为2至10μm和厚度为0.1至1μm的α-氧化铝大结晶的片晶。
3．根据权利要求1的方法，其特征在于该助熔剂主要含有一种或多种不可水解的氟化物或者含有一种系统，该系统含有包括所说的一种或多种氟化物的一个相和包括一种可水解的氟化物的第二个相，而且，其中所说的一个相溶解在另一个相中。
4．根据权利要求3的方法，其特征在于该助熔剂包括一种系统，该系统由一方面为三氟化铝和另一方面为一种或多种碱金属氟化物或碱土金属氟化物所形成。
5．根据权利要求4的方法，其特征在于该碱金属氟化物或碱土金属氟化物是由氟化锂、氟化钠、氟化钾和氟化钙中选出。
6．根据权利要求3至5的任何一项权利要求所述的方法，其特征在于该助熔剂包括以Li3AlF3(锂冰晶石)形式的AlF3-LiF,Li3Na3(AlF6)2(锂冰晶石)或3AlF3·5LiF(锂锥冰晶石)。
7．根据权利要求3至5中任何一项权利要求的方法，其特征在于使用助熔剂的量相对于经过煅烧的过渡氧化铝或水合氧化铝的重量而言至少为2％。
8．根据权利要求7的方法，其中所使用的熔剂的量相对于经过煅烧的过渡氧化铝或水合氧化铝的重量而言为4-20％。
9．根据权利要求6的方法，其特征在于使用的熔剂的量相对于经过煅烧的过渡氧化铝或水合氧化铝的重量而言至少为2％。
10．根据权利要求9的方法，其中所使用的该熔剂的量相对于经过煅烧的过渡氧化铝或水合氧化铝的重量而言为4-20％。
11．根据权利要求3至5中任何一项权利要求的方法，其特征在于过渡氧化铝或水合氧化铝包括一种粉末，其中至少50％(重量)的颗粒其直径小于50μm，所述的氧化铝具有的比表面积大于100m2/g。
12．根据权利要求6的方法，其特征在于过渡氧化铝或水合氧化铝包括一种粉末，其中至少50％(重量)的颗粒其直径小于50μm，所述的氧化铝具有的比表面积大于100m2/g。
13．根据权利要求7的方法，其特征在于过渡氧化铝或水合氧化铝包括一种粉末，其中至少50％(重量)的颗粒其直径小于50μm，所述的氧化铝具有的比表面积大于100m2/g。
14．根据权利要求7的方法，其特征在于氧化铝含有最高达到15％(重量)的水。
15．根据权利要求3至5中任何一项权利要求的方法，其特征在于煅烧温度为900-1100℃。
16．根据权利要求6的方法，其特征在于煅烧温度为900-1100℃。
17．根据权利要求7的方法，其特征在于煅烧温度为900-1100℃。
18．根据权利要求11的方法，其特征在于煅烧温度为900-1100℃。
19．根据权利要求13的方法，其特征在于煅烧温度为900-1100℃。
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU639326B2 (en) * 1990-05-23 1993-07-22 Atochem Ceramic preforms comprising monocrystalline hexagonal platelets of alpha-alumina, their production and applications thereof
DE69324582T2 (de) * 1992-06-02 1999-09-09 Sumitomo Chemical Co. Alpha-aluminiumoxid
CA2099734A1 (en) * 1992-07-01 1994-01-02 Akihiko Takahashi Process for preparing polyhedral alpha-alumina particles
CA2136582A1 (en) 1993-11-25 1995-05-26 Masahide Mohri Method for producing alpha-alumina powder
FR2715169B1 (fr) * 1994-01-14 1996-04-05 Atochem Elf Sa Macrocristaux renfermant du nitrure d'aluminium sous forme de plaquettes, leur procédé de préparation et leurs utilisations.
JP3416855B2 (ja) * 1994-04-15 2003-06-16 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物および研磨方法
AU699077B2 (en) * 1995-02-21 1998-11-19 Sumitomo Chemical Company, Limited Alpha-alumina and method for producing the same
FR2734812B1 (fr) * 1995-05-31 1997-07-04 Atochem Elf Sa Procede de preparation de pieces foreuses en ceramique comprenant des plaquettes monocristallines d'alumine alpha
TW460548B (en) * 1998-12-23 2001-10-21 Merck Patent Gmbh Pigment mixture
JP4270848B2 (ja) * 2002-11-08 2009-06-03 昭和電工株式会社 アルミナ粒子及びその製造方法
AU2003900030A0 (en) 2003-01-07 2003-01-23 Advanced Nano Technologies Pty Ltd Process for the production of ultrafine plate-like alumina particles
KR100555751B1 (ko) 2004-01-05 2006-03-03 삼성전자주식회사 화상형성장치의 프로세스 카트리지
JP4841851B2 (ja) * 2005-03-02 2011-12-21 電気化学工業株式会社 アルミナ及びその製造方法
CN100348494C (zh) * 2005-08-26 2007-11-14 郑州大学 一种高分散性α－Al2O3纳米粉体的制备方法
JP5211467B2 (ja) * 2006-11-22 2013-06-12 日本軽金属株式会社 多面体形状α−アルミナの製造方法
KR100803049B1 (ko) * 2007-08-31 2008-02-22 (주)제이피에스 마이크로텍 마이크로파를 이용한 박편상의 산화알루미늄 제조방법
DE102009014638A1 (de) 2009-03-24 2010-09-30 Clariant International Ltd. Laminate enthaltend harte, plattenförmige Mineralien
WO2013133300A1 (ja) * 2012-03-09 2013-09-12 旭硝子株式会社 ガラスセラミックス体、積層体、携帯型電子機器用筐体、および携帯型電子機器
WO2014051091A1 (ja) * 2012-09-28 2014-04-03 Dic株式会社 α－アルミナ微粒子及びその製造方法
CN102924092A (zh) * 2012-10-24 2013-02-13 江苏大学 一种高分散片状氧化铝的低成本、无污染制备方法
JP6229661B2 (ja) 2012-11-07 2017-11-15 旭硝子株式会社 ガラスセラミックス基板およびこの基板を用いた携帯型電子機器用筐体
JP6646864B2 (ja) * 2015-06-01 2020-02-14 Dic株式会社 板状アルミナ粒子の製造方法
CN104925843A (zh) * 2015-06-03 2015-09-23 清华大学 利用复合铝盐制备薄片状α-Al2O3珠光颜料基材的方法
CN108560052B (zh) * 2018-04-26 2020-05-01 闽江学院 一种单晶六方氧化铝的制备方法及其应用
WO2020150985A1 (en) * 2019-01-25 2020-07-30 Dic Corporation Tabular alumina particle and method for manufacturing tabular alumina particle
JP6708281B2 (ja) * 2019-03-27 2020-06-10 Dic株式会社 板状アルミナ粒子
EP4041828A1 (en) 2019-10-09 2022-08-17 DIC Corporation Plate-like alumina particle and method for manufacturing plate-like alumina particle
JP7151935B2 (ja) * 2019-10-09 2022-10-12 Dic株式会社 板状アルミナ粒子、及び板状アルミナ粒子の製造方法
CN110938862A (zh) * 2019-12-23 2020-03-31 苏州纳迪微电子有限公司 高纯度单晶刚玉粉体及其制备方法
CN114057505B (zh) * 2021-12-13 2023-02-28 西安邮电大学 一种多孔片状氧化铝框架的制备方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB935390A (en) * 1960-12-20 1963-08-28 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to the manufacture of corundum crystals
JPS5215498A (en) * 1975-07-28 1977-02-05 Showa Denko Kk Process for production of granular corrundum
DE2623482C2 (de) * 1976-05-26 1985-06-27 Alcoa Chemie GmbH, 6700 Ludwigshafen Verfahren zur Herstellung eines kristallinen Aluminiumoxids für Polier-, Läpp- und Schleifmittel
DE2850064B1 (de) * 1978-11-18 1980-05-08 Giulini Chemie Hexagonale tafelfoermige alpha-Aluminiumoxid-Einkristalle und Verfahren zu ihrer Herstellung
JPS5819640A (ja) * 1981-07-27 1983-02-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 空気調和機等の温度制御装置
JPS6033763A (ja) * 1983-08-05 1985-02-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 速度選択通信方式
JPS6054916A (ja) * 1983-09-06 1985-03-29 坂東　尚周 六角薄板状ｄ−Ａｌ↓２Ｏ↓３粒子及びその製造法
JPS6433055A (en) * 1987-07-27 1989-02-02 Sumitomo Cement Co Sintered body of alumina having high strength and its production
US5009676A (en) * 1989-04-28 1991-04-23 Norton Company Sintered sol gel alumina abrasive filaments
JP3207739B2 (ja) * 1996-01-19 2001-09-10 松下電器産業株式会社 画像再生装置

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