JPH11278864A - 磁気ディスク基板用結晶化ガラス、磁気ディスク基板および磁気ディスク - Google Patents
磁気ディスク基板用結晶化ガラス、磁気ディスク基板および磁気ディスクInfo
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- JPH11278864A JPH11278864A JP9985398A JP9985398A JPH11278864A JP H11278864 A JPH11278864 A JP H11278864A JP 9985398 A JP9985398 A JP 9985398A JP 9985398 A JP9985398 A JP 9985398A JP H11278864 A JPH11278864 A JP H11278864A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0036—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents
- C03C10/0045—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and a divalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3 and MgO as main constituents
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- Glass Compositions (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】磁気ディスク基板用結晶化ガラスのヤング率を
高くし、磁気ディスク基板を精密研磨加工した後の中心
線平均表面粗さＲａを顕著に小さくする。 【解決手段】前記結晶化ガラスの主結晶相がエンスタタ
イト相であり、副結晶相がマグネシウムアルミニウムチ
タネート相であり、Ｘ線回折法で求めたエンスタタイト
相のピーク強度Ｉ（ＭＳ）を１００としたときのマグネ
シウムアルミニウムチタネート相のピーク強度Ｉ（ＭＡ
Ｔ）が３５以上（特に好ましくは４０以上）、７０以下
（特に好ましくは６５以下）であり、ヤング率が１２０
〜１５５ＧＰａである。
高くし、磁気ディスク基板を精密研磨加工した後の中心
線平均表面粗さＲａを顕著に小さくする。 【解決手段】前記結晶化ガラスの主結晶相がエンスタタ
イト相であり、副結晶相がマグネシウムアルミニウムチ
タネート相であり、Ｘ線回折法で求めたエンスタタイト
相のピーク強度Ｉ（ＭＳ）を１００としたときのマグネ
シウムアルミニウムチタネート相のピーク強度Ｉ（ＭＡ
Ｔ）が３５以上（特に好ましくは４０以上）、７０以下
（特に好ましくは６５以下）であり、ヤング率が１２０
〜１５５ＧＰａである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク基板
用結晶化ガラス、これを使用した磁気ディスク基板およ
び磁気ディスクに関するものである。
用結晶化ガラス、これを使用した磁気ディスク基板およ
び磁気ディスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、結晶化ガラス製の磁気ディスク基
板が検討されている。結晶化ガラスにおいては、含有さ
れるアルカリ金属イオンのほとんどが結晶相中に存在し
ており、ガラスマトリックス中には微量しか存在しない
ために、アルカリ金属成分が溶出して磁性膜を腐食する
という問題は生じない。
板が検討されている。結晶化ガラスにおいては、含有さ
れるアルカリ金属イオンのほとんどが結晶相中に存在し
ており、ガラスマトリックス中には微量しか存在しない
ために、アルカリ金属成分が溶出して磁性膜を腐食する
という問題は生じない。
【０００３】マルチメディア化の進展に伴い、特に画像
情報などの大容量の情報を、一層小型の磁気ディスク内
に記録したいとの要望が強くなり、磁気ディスクにおけ
る記録密度の一層の向上が求められるようになってき
た。この結果、特に磁気ディスクのリードライトゾーン
においては、中心線平均表面粗さ（Ｒａ）を、１０オン
グストローム以下の領域まで低下させることが求められ
ている。
情報などの大容量の情報を、一層小型の磁気ディスク内
に記録したいとの要望が強くなり、磁気ディスクにおけ
る記録密度の一層の向上が求められるようになってき
た。この結果、特に磁気ディスクのリードライトゾーン
においては、中心線平均表面粗さ（Ｒａ）を、１０オン
グストローム以下の領域まで低下させることが求められ
ている。
【０００４】しかし、結晶化ガラスの場合には、結晶相
と非晶質相との硬度が相違している。このため、ポリッ
シング加工後においても、結晶相と非晶質相との間で不
可避的に微小な凹凸が発生してしまう。この結果、加工
面の中心線平均表面粗さを１０オングストローム以下に
抑えることは困難であった。
と非晶質相との硬度が相違している。このため、ポリッ
シング加工後においても、結晶相と非晶質相との間で不
可避的に微小な凹凸が発生してしまう。この結果、加工
面の中心線平均表面粗さを１０オングストローム以下に
抑えることは困難であった。
【０００５】特開平９−２０８２６０号公報において
は、特定組成の特定のＬｉ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系の結晶化ガラスからなる磁気ディスク基板を使用し、
これを精密研磨することによって、中心線平均表面粗さ
Ｒａが２−１０オングストロームの基板を得ようと試み
ている。
は、特定組成の特定のＬｉ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
系の結晶化ガラスからなる磁気ディスク基板を使用し、
これを精密研磨することによって、中心線平均表面粗さ
Ｒａが２−１０オングストロームの基板を得ようと試み
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、最近は、磁気
ディスク基板のＲａが８オングストローム以下、更には
６オングストローム以下の水準のものが求められてい
る。
ディスク基板のＲａが８オングストローム以下、更には
６オングストローム以下の水準のものが求められてい
る。
【０００７】また、磁気ディスクの読み書き速度を向上
を図るために、現在は７２００ｒｐｍである回転数を、
１００００−１４０００ｒｐｍに上昇させることが求め
られている。しかし、磁気ディスクが高速で回転すると
きには、いわゆるフラッタリング（面ぶれ）と呼ばれる
現象が生ずる。回転速度が大きくなると、フラッタリン
グの大きさは著しく増大する。
を図るために、現在は７２００ｒｐｍである回転数を、
１００００−１４０００ｒｐｍに上昇させることが求め
られている。しかし、磁気ディスクが高速で回転すると
きには、いわゆるフラッタリング（面ぶれ）と呼ばれる
現象が生ずる。回転速度が大きくなると、フラッタリン
グの大きさは著しく増大する。
【０００８】磁気ディスクのような円盤を高速で回転さ
せたときの、フラッタリングについての理論式は、各種
あり、確立していない。しかし、一例では、フラッタリ
ングの大きさは、回転数の二乗に比例し、円盤を構成す
る材料のヤング率Ｅに反比例するとされているので、Ｅ
を大きくすることが必要である。また、高速回転時のモ
ーターの発熱量を考えると、円盤の材料の比重ρが小さ
い材料が好ましいと言われている。このため、今後、磁
気ディスクの回転数が高速化すると、これに対応するた
めには、Ｅ／ρが大きい材料が必要不可欠である。
せたときの、フラッタリングについての理論式は、各種
あり、確立していない。しかし、一例では、フラッタリ
ングの大きさは、回転数の二乗に比例し、円盤を構成す
る材料のヤング率Ｅに反比例するとされているので、Ｅ
を大きくすることが必要である。また、高速回転時のモ
ーターの発熱量を考えると、円盤の材料の比重ρが小さ
い材料が好ましいと言われている。このため、今後、磁
気ディスクの回転数が高速化すると、これに対応するた
めには、Ｅ／ρが大きい材料が必要不可欠である。
【０００９】各材料のＥ／ρの代表値を示すと、アルミ
ニウムは２７であり、化学強化ガラスは３４であるのに
対して、Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 系結晶化ガラ
スは３７であり、この系の結晶化ガラスが有利であるこ
とが分かる。しかし、今後の回転速度の高速化に対応す
るために、ヤング率の一層大きな磁気ディスク基板用結
晶化ガラスが要望される。
ニウムは２７であり、化学強化ガラスは３４であるのに
対して、Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 系結晶化ガラ
スは３７であり、この系の結晶化ガラスが有利であるこ
とが分かる。しかし、今後の回転速度の高速化に対応す
るために、ヤング率の一層大きな磁気ディスク基板用結
晶化ガラスが要望される。
【００１０】本発明の課題は、磁気ディスク基板用結晶
化ガラスのヤング率を高くし、磁気ディスク基板を精密
研磨加工した後の中心線平均表面粗さＲａを顕著に小さ
くできるようにすることである。
化ガラスのヤング率を高くし、磁気ディスク基板を精密
研磨加工した後の中心線平均表面粗さＲａを顕著に小さ
くできるようにすることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁気ディスク
基板用結晶化ガラスであって、このガラスの主結晶相が
エンスタタイト相であり、副結晶相がマグネシウムアル
ミニウムチタネート相（ＭＡＴ相と呼ぶことがある）で
あり、Ｘ線回折法で求めたエンスタタイト相のピーク強
度Ｉ（ＭＳ）を１００としたときのマグネシウムアルミ
ニウムチタネート相のピーク強度Ｉ（ＭＡＴ）が３５以
上、７０以下であり、ヤング率が１２０〜１５５ＧＰａ
（特に好ましくは１２５〜１５０ＧＰａ）であることを
特徴とする。
基板用結晶化ガラスであって、このガラスの主結晶相が
エンスタタイト相であり、副結晶相がマグネシウムアル
ミニウムチタネート相（ＭＡＴ相と呼ぶことがある）で
あり、Ｘ線回折法で求めたエンスタタイト相のピーク強
度Ｉ（ＭＳ）を１００としたときのマグネシウムアルミ
ニウムチタネート相のピーク強度Ｉ（ＭＡＴ）が３５以
上、７０以下であり、ヤング率が１２０〜１５５ＧＰａ
（特に好ましくは１２５〜１５０ＧＰａ）であることを
特徴とする。
【００１２】また、本発明は、前記のガラスからなる磁
気ディスク基板であることを特徴とする。
気ディスク基板であることを特徴とする。
【００１３】また、本発明に係る磁気ディスクは、前記
の磁気ディスク基板、その上に形成されている下地膜、
およびこの下地膜上の金属磁性層を備えていることを特
徴とする。
の磁気ディスク基板、その上に形成されている下地膜、
およびこの下地膜上の金属磁性層を備えていることを特
徴とする。
【００１４】結晶化ガラスの結晶化率は、７０％以上と
することが好ましい。なお、結晶相中で、エンスタタイ
ト相が主結晶相であるとは、Ｘ線回折法において、エン
ススタイト相のピーク強度が最も大きいことをいう。
することが好ましい。なお、結晶相中で、エンスタタイ
ト相が主結晶相であるとは、Ｘ線回折法において、エン
ススタイト相のピーク強度が最も大きいことをいう。
【００１５】本発明者は、各種の材質を検討していた
が、その過程で、ＳｉＯ2−Ａｌ2 Ｏ3 −ＭｇＯ−Ｔｉ
Ｏ2 系結晶化ガラスであって、主結晶相がエンスタタイ
ト相からなるものにおいて、副結晶相としてマグネシウ
ムアルミニウムチタネート相が特定比率で析出している
ものを作製することに成功した。このような結晶系を有
する結晶化ガラスは、従来知られていない。
が、その過程で、ＳｉＯ2−Ａｌ2 Ｏ3 −ＭｇＯ−Ｔｉ
Ｏ2 系結晶化ガラスであって、主結晶相がエンスタタイ
ト相からなるものにおいて、副結晶相としてマグネシウ
ムアルミニウムチタネート相が特定比率で析出している
ものを作製することに成功した。このような結晶系を有
する結晶化ガラスは、従来知られていない。
【００１６】具体的には、Ｘ線回折法で求めたエンスタ
タイト相のピーク強度Ｉ（ＭＳ）を１００としたときの
マグネシウムアルミニウムチタネート相のピーク強度Ｉ
（ＭＡＴ）を、３５以上、７０以下とする必要がある。
これによって、結晶化ガラス中の結晶が微細化し、精密
研磨加工後に、Ｒａが例えば１−６オングストロームの
平滑面が得られる上、ヤング率Ｅも高くなり、１２０Ｇ
Ｐａ以上のものが得られる。
タイト相のピーク強度Ｉ（ＭＳ）を１００としたときの
マグネシウムアルミニウムチタネート相のピーク強度Ｉ
（ＭＡＴ）を、３５以上、７０以下とする必要がある。
これによって、結晶化ガラス中の結晶が微細化し、精密
研磨加工後に、Ｒａが例えば１−６オングストロームの
平滑面が得られる上、ヤング率Ｅも高くなり、１２０Ｇ
Ｐａ以上のものが得られる。
【００１７】Ｉ（ＭＡＴ）を３５以上（特に好ましくは
４０以上）とすることによって、結晶の粒径を一層小さ
くし、精密研磨加工後のＲａを一層小さくすることがで
きる。Ｉ（ＭＡＴ）を７０以下（特に好ましくは６５以
下）とすることによって、結晶化ガラスのヤング率が更
に大きくなる。
４０以上）とすることによって、結晶の粒径を一層小さ
くし、精密研磨加工後のＲａを一層小さくすることがで
きる。Ｉ（ＭＡＴ）を７０以下（特に好ましくは６５以
下）とすることによって、結晶化ガラスのヤング率が更
に大きくなる。
【００１８】Ｘ線回折法により、本発明の結晶化ガラス
の結晶相を同定すると、エンスタタイト相およびＭＡＴ
相の他には、（Ｍｇ，Ａｌ）ＳｉＯ3 （ＭＡＳ１）、Ｚ
ｎＡｌ2 Ｏ4 （ガーナイト）が見られることがあった。
（Ｍｇ，Ａｌ）ＳｉＯ3 （ＭＡＳ１）、ＺｎＡｌ2 Ｏ4
（ガーナイト）の各結晶相のピーク強度は、Ｉ（ＭＳ）
を１００としたときに、７０以下であることが好まし
い。
の結晶相を同定すると、エンスタタイト相およびＭＡＴ
相の他には、（Ｍｇ，Ａｌ）ＳｉＯ3 （ＭＡＳ１）、Ｚ
ｎＡｌ2 Ｏ4 （ガーナイト）が見られることがあった。
（Ｍｇ，Ａｌ）ＳｉＯ3 （ＭＡＳ１）、ＺｎＡｌ2 Ｏ4
（ガーナイト）の各結晶相のピーク強度は、Ｉ（ＭＳ）
を１００としたときに、７０以下であることが好まし
い。
【００１９】なお、Ｍｇ2 Ａｌ4 Ｓｉ5 Ｏ18（コージェ
ライト相、インド石）、ＴｉＯ2 （ルチル相）、ＭｇＯ
Ａｌ2 Ｏ3 ＳｉＯ2 （ＭＡＳ２）が存在すると、精密研
磨後の表面粗さが劣化する傾向がある。従って、エンス
タタイト相、ＭＡＴ相、（Ｍｇ，Ａｌ）ＳｉＯ3 （ＭＡ
Ｓ１）、ＺｎＡｌ2 Ｏ4 （ガーナイト）以外の各結晶相
のピーク強度は、Ｉ（ＭＳ）を１００としたときに、２
０以下であることが好ましい。
ライト相、インド石）、ＴｉＯ2 （ルチル相）、ＭｇＯ
Ａｌ2 Ｏ3 ＳｉＯ2 （ＭＡＳ２）が存在すると、精密研
磨後の表面粗さが劣化する傾向がある。従って、エンス
タタイト相、ＭＡＴ相、（Ｍｇ，Ａｌ）ＳｉＯ3 （ＭＡ
Ｓ１）、ＺｎＡｌ2 Ｏ4 （ガーナイト）以外の各結晶相
のピーク強度は、Ｉ（ＭＳ）を１００としたときに、２
０以下であることが好ましい。
【００２０】Ｉ（ＭＳ）は、エンスタタイト相（化学式
ＭｇＯ・ＳｉＯ2 ：ＪＣＰＤＳ Ｎo.１９−０７６８：
回折角度２θ＝３１．１°）のピークの回折強度から得
られる。Ｉ（ＭＡＴ）は、回折角度２θ＝２５．９°の
ピークの回折強度から得られる。本発明においては、マ
グネシウムアルミニウムチタネート相とは、ＭｇＡｌ2
ＴｉＯ3 Ｏ11、Ｍｇ2 Ａｌ6 Ｔｉ7 Ｏ25の各結晶相の総
称である。これらの各結晶相のＪＣＰＤＳカード番号
は、表１に示す。これら各結晶相の回折角度２θは、２
５．９度または２６．１度になり、Ｘ線回折グラフ上で
は区別できない。
ＭｇＯ・ＳｉＯ2 ：ＪＣＰＤＳ Ｎo.１９−０７６８：
回折角度２θ＝３１．１°）のピークの回折強度から得
られる。Ｉ（ＭＡＴ）は、回折角度２θ＝２５．９°の
ピークの回折強度から得られる。本発明においては、マ
グネシウムアルミニウムチタネート相とは、ＭｇＡｌ2
ＴｉＯ3 Ｏ11、Ｍｇ2 Ａｌ6 Ｔｉ7 Ｏ25の各結晶相の総
称である。これらの各結晶相のＪＣＰＤＳカード番号
は、表１に示す。これら各結晶相の回折角度２θは、２
５．９度または２６．１度になり、Ｘ線回折グラフ上で
は区別できない。
【００２１】なお、特許第２６４８６７３号公報では、
エンスタタイトを主結晶相とする高耐火性結晶化ガラス
が開示されている。しかし、ここで開示されている溶解
条件は、１６５０℃で１６時間と高温であるので、ルツ
ボの内壁に白金を用いる、一般的な光学ガラスの溶解方
法が使用できない。この結果、結晶化ガラス中の脈理が
消えず、磁気ディスク基板を研磨した後に、盛り上がっ
た表面欠陥（凸）を作りやすい。このガラスの主結晶相
は、エンスタタイト相であるが、その他の結晶相は、β
−リチア輝石固溶体、Ｂａ大隅石、重土長石、灰長石、
クリストバライト、ストロンチウム長石である。
エンスタタイトを主結晶相とする高耐火性結晶化ガラス
が開示されている。しかし、ここで開示されている溶解
条件は、１６５０℃で１６時間と高温であるので、ルツ
ボの内壁に白金を用いる、一般的な光学ガラスの溶解方
法が使用できない。この結果、結晶化ガラス中の脈理が
消えず、磁気ディスク基板を研磨した後に、盛り上がっ
た表面欠陥（凸）を作りやすい。このガラスの主結晶相
は、エンスタタイト相であるが、その他の結晶相は、β
−リチア輝石固溶体、Ｂａ大隅石、重土長石、灰長石、
クリストバライト、ストロンチウム長石である。
【００２２】特開平７−５３２３８号公報では、溶解温
度が１５５０〜１６００℃の、エンスタタイト相を主結
晶相とする透明な結晶化ガラスが開示されている。この
特許に開示されている結晶化ガラスは、特許第２６４８
６７３号公報と同じく、溶解温度が高いため、脈理のな
い結晶化ガラスが得られず、この結果、磁気ディスク基
板を研磨した後に、盛り上がった表面欠陥（凸）を作り
やすい。また、主結晶相はエンスタタイト相であるが、
その他には微量のジルコニア結晶相が存在している。
度が１５５０〜１６００℃の、エンスタタイト相を主結
晶相とする透明な結晶化ガラスが開示されている。この
特許に開示されている結晶化ガラスは、特許第２６４８
６７３号公報と同じく、溶解温度が高いため、脈理のな
い結晶化ガラスが得られず、この結果、磁気ディスク基
板を研磨した後に、盛り上がった表面欠陥（凸）を作り
やすい。また、主結晶相はエンスタタイト相であるが、
その他には微量のジルコニア結晶相が存在している。
【００２３】また、特開昭６４−５２６３２号公報で
は、１４００〜１５００℃で溶解可能な、エンスタタイ
ト相を析出する結晶化ガラスが開示されている。しか
し、この結晶化ガラスでは、エンスタタイト相とともに
ルチル相の存在が開示されている。ルチル相が存在する
と、精密研磨後の表面粗さが悪くなるので、前述の理由
から、磁気ディスク基板用途には明らかに適していな
い。本発明者が、独自の研究の結果、発見したところに
よると、ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＭｇＯ−ＴｉＯ2 系結
晶化ガラスに、ＭｇＯ以外のアルカリ土類を含有する
と、エンスタタイト相に加えてルチル相が析出しやすく
なることが分かっている。特開昭６４−５２６３２号公
報では、ＣａＯを必須成分として含有しているために、
ルチル相が析出していると考えられる。その他は結晶相
はガーナイト相である。
は、１４００〜１５００℃で溶解可能な、エンスタタイ
ト相を析出する結晶化ガラスが開示されている。しか
し、この結晶化ガラスでは、エンスタタイト相とともに
ルチル相の存在が開示されている。ルチル相が存在する
と、精密研磨後の表面粗さが悪くなるので、前述の理由
から、磁気ディスク基板用途には明らかに適していな
い。本発明者が、独自の研究の結果、発見したところに
よると、ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＭｇＯ−ＴｉＯ2 系結
晶化ガラスに、ＭｇＯ以外のアルカリ土類を含有する
と、エンスタタイト相に加えてルチル相が析出しやすく
なることが分かっている。特開昭６４−５２６３２号公
報では、ＣａＯを必須成分として含有しているために、
ルチル相が析出していると考えられる。その他は結晶相
はガーナイト相である。
【００２４】特開平４−２１５４３号公報では、１４０
０℃〜１５００℃で溶解可能な、熱膨張係数が１２７×
１０-7／ｋ以上の結晶化ガラスが開示されている。この
結晶相の中には、エンスタタイト相、ＭＡＴ相の存在が
言及されている。しかし、この特許文献では、エンスタ
タイト相は主結晶相ではなく、ＳｉＯ2 相が主結晶相で
あるために、微細な結晶を得ることができず、精密研磨
後の表面粗さが大きくなる。
０℃〜１５００℃で溶解可能な、熱膨張係数が１２７×
１０-7／ｋ以上の結晶化ガラスが開示されている。この
結晶相の中には、エンスタタイト相、ＭＡＴ相の存在が
言及されている。しかし、この特許文献では、エンスタ
タイト相は主結晶相ではなく、ＳｉＯ2 相が主結晶相で
あるために、微細な結晶を得ることができず、精密研磨
後の表面粗さが大きくなる。
【００２５】R. C. de VeKey およびA. J. Majumdarの
「Glass Technology」Vol. 15, No.3, １９７４年６月
号では、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＭｇＯ−ＳｉＯ2−Ｔｉ
Ｏ2 系の組成で、組成と結晶化ガラスの材料特性との評
価を行っている。しかし、これらの例はすべてＣａＯを
含むために、ＴｉＯ2 相が析出している。ルチル相は、
精密研磨体の表面粗さを劣化させるため、好ましくな
い。
「Glass Technology」Vol. 15, No.3, １９７４年６月
号では、ＣａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −ＭｇＯ−ＳｉＯ2−Ｔｉ
Ｏ2 系の組成で、組成と結晶化ガラスの材料特性との評
価を行っている。しかし、これらの例はすべてＣａＯを
含むために、ＴｉＯ2 相が析出している。ルチル相は、
精密研磨体の表面粗さを劣化させるため、好ましくな
い。
【００２６】本発明の前記結晶化ガラスは、例えば以下
の方法によって製造できる。即ち、基本組成がＳｉ
Ｏ2 ：４４〜５２重量％、ＭｇＯ：１６〜２５重量％、
Ａｌ2 Ｏ3 ：１３〜２０重量％、ＴｉＯ2 ：１０〜１５
重量％、ＺｎＯ：１〜８重量％、ＺｒＯ2 ：０〜５重量
％、Ｌｉ2 Ｏ：０〜３重量％、Ｂ2 Ｏ2 ：０〜３重量
％、Ｐ2 Ｏ5 ：０〜５重量％およびＳｂ2 Ｏ3 ：０〜２
重量％の親ガラスを準備する。
の方法によって製造できる。即ち、基本組成がＳｉ
Ｏ2 ：４４〜５２重量％、ＭｇＯ：１６〜２５重量％、
Ａｌ2 Ｏ3 ：１３〜２０重量％、ＴｉＯ2 ：１０〜１５
重量％、ＺｎＯ：１〜８重量％、ＺｒＯ2 ：０〜５重量
％、Ｌｉ2 Ｏ：０〜３重量％、Ｂ2 Ｏ2 ：０〜３重量
％、Ｐ2 Ｏ5 ：０〜５重量％およびＳｂ2 Ｏ3 ：０〜２
重量％の親ガラスを準備する。
【００２７】この親ガラスを９２５℃〜１０７５℃で、
好ましくは２〜６時間結晶化すると、エンスタタイト相
を主結晶相とする結晶化ガラスが得られる。結晶化済み
のガラスをＨＦでエッチングした後、走査型顕微鏡で観
察すると、エンスタタイトの結晶は、０．０１から０．
１μｍの大きさで存在していることを発見した。
好ましくは２〜６時間結晶化すると、エンスタタイト相
を主結晶相とする結晶化ガラスが得られる。結晶化済み
のガラスをＨＦでエッチングした後、走査型顕微鏡で観
察すると、エンスタタイトの結晶は、０．０１から０．
１μｍの大きさで存在していることを発見した。
【００２８】特に、一般的に結晶化ガラスで実行されて
いる、ガラス転移温度Ｔｇ＋２０〜Ｔｇ＋５０℃の温度
で核形成した後に結晶化させるのではなく、ガラス転移
温度Ｔｇ−３０〜Ｔｇ±０℃の範囲で核形成した後に結
晶化することによって、結晶粒径は０．０１μｍから
０．０８μｍまでに顕著に減少する。
いる、ガラス転移温度Ｔｇ＋２０〜Ｔｇ＋５０℃の温度
で核形成した後に結晶化させるのではなく、ガラス転移
温度Ｔｇ−３０〜Ｔｇ±０℃の範囲で核形成した後に結
晶化することによって、結晶粒径は０．０１μｍから
０．０８μｍまでに顕著に減少する。
【００２９】この結晶化済みの結晶化ガラスを精密研磨
すると、Ｒａが８オングストローム以下、特には１〜６
オングストロームの平滑面を有する精密研磨体が得られ
る。これは、結晶粒径が微細であること、結晶化度が大
きいこと、結晶の間を埋めるガラスの層が薄いことによ
るものと考えられる。
すると、Ｒａが８オングストローム以下、特には１〜６
オングストロームの平滑面を有する精密研磨体が得られ
る。これは、結晶粒径が微細であること、結晶化度が大
きいこと、結晶の間を埋めるガラスの層が薄いことによ
るものと考えられる。
【００３０】Ｍｇ2 Ａｌ4 Ｓｉ5 Ｏ18（コージェライト
相、インド石）は、結晶化温度が１１００℃以上になる
と、認められるようになる。また、ＭｇＯＡｌ2Ｏ3 Ｓ
ｉＯ2 （ＭＡＳ２）は、結晶化温度が９００℃以下にな
ると、認められるようになる。従って、結晶化温度は、
９２５〜１０７５℃が特に好ましい。
相、インド石）は、結晶化温度が１１００℃以上になる
と、認められるようになる。また、ＭｇＯＡｌ2Ｏ3 Ｓ
ｉＯ2 （ＭＡＳ２）は、結晶化温度が９００℃以下にな
ると、認められるようになる。従って、結晶化温度は、
９２５〜１０７５℃が特に好ましい。
【００３１】ＴＩＯ2 （ルチル相）は、親ガラスにＣ
ａ，Ｓｒ、Ｂａを含有させると、析出するようになる。
特に、Ｃａはその効果が顕著である。従って、Ｍｇ以外
のアルカリ土類金属を含有させないことが特に好まし
い。
ａ，Ｓｒ、Ｂａを含有させると、析出するようになる。
特に、Ｃａはその効果が顕著である。従って、Ｍｇ以外
のアルカリ土類金属を含有させないことが特に好まし
い。
【００３２】以下に、各結晶相の化学式、名称、ＪＣＰ
ＤＳカード番号、略称を示す。
ＤＳカード番号、略称を示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】親ガラス中の各成分の比率について述べ
る。ＳｉＯ2 の量は、４４重量％以上とし、４６重量％
以上とすることが特に好ましい。これによって、結晶化
後の粒子が微細化する。また、ＳｉＯ2 を５２重量％以
下（特に好ましくは５０重量％以下）とすることによっ
て、親ガラスの溶解温度を低減でき、親ガラスの失透も
起こりにくい。
る。ＳｉＯ2 の量は、４４重量％以上とし、４６重量％
以上とすることが特に好ましい。これによって、結晶化
後の粒子が微細化する。また、ＳｉＯ2 を５２重量％以
下（特に好ましくは５０重量％以下）とすることによっ
て、親ガラスの溶解温度を低減でき、親ガラスの失透も
起こりにくい。
【００３５】ＭｇＯの量を１６重量％以上（特に好まし
くは１８重量％以上）とすることによって、エンスタタ
イト相が得られ、親ガラスの溶解温度を低減できる。Ｍ
ｇＯの量を２５重量％以下（特に好ましくは２２重量％
以下）とすることによって、ガラスの溶解温度を低減で
き、親ガラスの失透を防止できる。
くは１８重量％以上）とすることによって、エンスタタ
イト相が得られ、親ガラスの溶解温度を低減できる。Ｍ
ｇＯの量を２５重量％以下（特に好ましくは２２重量％
以下）とすることによって、ガラスの溶解温度を低減で
き、親ガラスの失透を防止できる。
【００３６】Ａｌ2 Ｏ3 の量を１３重量％以上（特に好
ましくは１６重量％以上）とすることによって、ガラス
の溶解温度を低減できる。Ａｌ2 Ｏ3 の量を２０重量％
以下（特に好ましくは１９重量％以下）とすることによ
って、エンスタタイト相が得られ、親ガラスの溶解温度
を低減できる。
ましくは１６重量％以上）とすることによって、ガラス
の溶解温度を低減できる。Ａｌ2 Ｏ3 の量を２０重量％
以下（特に好ましくは１９重量％以下）とすることによ
って、エンスタタイト相が得られ、親ガラスの溶解温度
を低減できる。
【００３７】ＴｉＯ2 の量を１０重量％以上（特に好ま
しくは１１重量％以上）とすることによって、結晶後の
粒子が微細化し易くなる。ＴｉＯ2 の量を１５重量％以
下（特に好ましくは１３重量％以下）とすることによっ
て、親ガラスの失透を防止できる。
しくは１１重量％以上）とすることによって、結晶後の
粒子が微細化し易くなる。ＴｉＯ2 の量を１５重量％以
下（特に好ましくは１３重量％以下）とすることによっ
て、親ガラスの失透を防止できる。
【００３８】ＺｎＯの量を１重量％上（特に好ましくは
２重量％以上）とすることによって、親ガラスの溶解温
度が高くなる。ＺｎＯの量を８重量％以下（特に好まし
くは５重量％以下）とすることによって、親ガラスの失
透を防止でき、ビッカース硬度を高くできる。
２重量％以上）とすることによって、親ガラスの溶解温
度が高くなる。ＺｎＯの量を８重量％以下（特に好まし
くは５重量％以下）とすることによって、親ガラスの失
透を防止でき、ビッカース硬度を高くできる。
【００３９】次に親ガラス中の任意成分について述べ
る。ＺｒＯ2 を添加することによって、ガラスの粘度を
調整できる。ＺｒＯ2 の量は、５重量％以下とし、４重
量％以下とすることが特に好ましい。これによって親ガ
ラスの粘度が過度に増大するのを防止できる。ＺｒＯ2
を添加する場合には、その量を０．５重量％以上とする
ことが好ましい。
る。ＺｒＯ2 を添加することによって、ガラスの粘度を
調整できる。ＺｒＯ2 の量は、５重量％以下とし、４重
量％以下とすることが特に好ましい。これによって親ガ
ラスの粘度が過度に増大するのを防止できる。ＺｒＯ2
を添加する場合には、その量を０．５重量％以上とする
ことが好ましい。
【００４０】Ｌｉ2 Ｏを添加することによって、親ガラ
スの溶解性が向上する。Ｌｉ2 Ｏの量を３重量％以下
（特に好ましくは２重量％以下）とすることによって、
結晶化後の結晶粒子が微細化する。Ｌｉ2 Ｏを添加する
場合には、その量を０．１重量％以上とすることが好ま
しい。
スの溶解性が向上する。Ｌｉ2 Ｏの量を３重量％以下
（特に好ましくは２重量％以下）とすることによって、
結晶化後の結晶粒子が微細化する。Ｌｉ2 Ｏを添加する
場合には、その量を０．１重量％以上とすることが好ま
しい。
【００４１】Ｂ2 Ｏ3 を添加することによって、親ガラ
スの溶解性が向上する。Ｂ2 Ｏ3 の量を３重量％以下
（特に好ましくは２重量％以下）とすることによって、
結晶化後の結晶粒子が微細化する。Ｂ2 Ｏ3 を添加する
場合には、その量を０．５重量％以上とすることが好ま
しい。
スの溶解性が向上する。Ｂ2 Ｏ3 の量を３重量％以下
（特に好ましくは２重量％以下）とすることによって、
結晶化後の結晶粒子が微細化する。Ｂ2 Ｏ3 を添加する
場合には、その量を０．５重量％以上とすることが好ま
しい。
【００４２】Ｐ2 Ｏ5 を添加することによって、親ガラ
スの溶解性が向上する。Ｐ2 Ｏ5 の量を５重量％以下
（特に好ましくは３重量％以下）とすることによって、
結晶化後の結晶粒子が微細化する。Ｐ2 Ｏ5 を添加する
場合には、その量を０．５重量％以上とすることが好ま
しい。
スの溶解性が向上する。Ｐ2 Ｏ5 の量を５重量％以下
（特に好ましくは３重量％以下）とすることによって、
結晶化後の結晶粒子が微細化する。Ｐ2 Ｏ5 を添加する
場合には、その量を０．５重量％以上とすることが好ま
しい。
【００４３】Ｓｂ2 Ｏ3 はガラスの脱泡剤として作用す
る。Ｓｂ2 Ｏ3 の量は、２重量％以下（特に好ましくは
０．２−１．５重量％）で十分な効果がある。
る。Ｓｂ2 Ｏ3 の量は、２重量％以下（特に好ましくは
０．２−１．５重量％）で十分な効果がある。
【００４４】親ガラスを製造する際には、上記の各金属
原子を含有する各原料を、上記の重量比率に該当するよ
うに混合し、この混合物を溶融させる。この原料として
は、各金属原子の酸化物、炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩、水
酸化物を例示することができる。また、親ガラスを熱処
理して結晶化させる際の雰囲気としては、大気雰囲気、
還元雰囲気、水蒸気雰囲気、加圧雰囲気等を選択するこ
とができる。
原子を含有する各原料を、上記の重量比率に該当するよ
うに混合し、この混合物を溶融させる。この原料として
は、各金属原子の酸化物、炭酸塩、硝酸塩、硫酸塩、水
酸化物を例示することができる。また、親ガラスを熱処
理して結晶化させる際の雰囲気としては、大気雰囲気、
還元雰囲気、水蒸気雰囲気、加圧雰囲気等を選択するこ
とができる。
【００４５】上記の結晶化ガラスからなる素材を、砥粒
によって精密研磨加工する工程では、いわゆるラッピン
グ、ポリッシング等、公知の精密研磨加工方法によって
研磨し、磁気ディスク基板を作製できる。また、本発明
の磁気ディスク基板の主面上には、下地処理層、磁性
膜、保護膜等を形成することができ、更に保護膜上に潤
滑剤を塗布することができる。
によって精密研磨加工する工程では、いわゆるラッピン
グ、ポリッシング等、公知の精密研磨加工方法によって
研磨し、磁気ディスク基板を作製できる。また、本発明
の磁気ディスク基板の主面上には、下地処理層、磁性
膜、保護膜等を形成することができ、更に保護膜上に潤
滑剤を塗布することができる。
【００４６】
【実施例】（親ガラスの作成）表２、表３、表４に示
す、各種金属酸化物の重量比になるように、各金属を含
む化合物を混合した。この混合物２５０ｇを、容積２０
０ｃｃの白金製ルツボに入れ、１４３０℃で６時間熱処
理し、溶融させた。炉の温度を１３００℃に低下させ、
１３００℃で１時間保持した後、カーボン製の型にガラ
スの溶融物を流しだし、成形した。これを７００℃で１
時間アニールした後、徐冷して、親ガラスの円盤状成形
体を得た。
す、各種金属酸化物の重量比になるように、各金属を含
む化合物を混合した。この混合物２５０ｇを、容積２０
０ｃｃの白金製ルツボに入れ、１４３０℃で６時間熱処
理し、溶融させた。炉の温度を１３００℃に低下させ、
１３００℃で１時間保持した後、カーボン製の型にガラ
スの溶融物を流しだし、成形した。これを７００℃で１
時間アニールした後、徐冷して、親ガラスの円盤状成形
体を得た。
【００４７】この親ガラスの成形体から、寸法１５ｍｍ
×１５ｍｍ×厚さ０．８５ｍｍ、寸法２２ｍｍ×２２ｍ
ｍ×厚さ０．８５ｍｍ、寸法５ｍｍ×３０ｍｍ×厚さ
０．８５ｍｍ、寸法１０ｍｍ×４５ｍｍ×厚さ１．２ｍ
ｍの、各板状試料を切り出した。なお、厚さ０．８５
（ｍｍ）の板状試料、および厚さ１．２（ｍｍ）板状試
料の各両面は、＃４００の砥石で仕上げ加工した。
×１５ｍｍ×厚さ０．８５ｍｍ、寸法２２ｍｍ×２２ｍ
ｍ×厚さ０．８５ｍｍ、寸法５ｍｍ×３０ｍｍ×厚さ
０．８５ｍｍ、寸法１０ｍｍ×４５ｍｍ×厚さ１．２ｍ
ｍの、各板状試料を切り出した。なお、厚さ０．８５
（ｍｍ）の板状試料、および厚さ１．２（ｍｍ）板状試
料の各両面は、＃４００の砥石で仕上げ加工した。
【００４８】（ガラス転移温度の測定）寸法５ｍｍ×３
０ｍｍ×厚さ０．８５ｍｍの板状試料から、長さ２０ｍ
ｍの試験試料を切り出した。熱膨張率測定装置（マック
スサイエンス製「ＴＤ５０３０」）で、試験試料の熱膨
張率を、室温−９００℃の範囲で測定した。なお、この
熱膨張測定装置は、ガラスが屈伏した時点で、測定が自
動停止する機能を備えている。温度に対して、ガラスの
熱膨張曲線が偏曲する温度を、ガラス転移温度（Ｔｇ）
とした。この値を表２−表４に示す。
０ｍｍ×厚さ０．８５ｍｍの板状試料から、長さ２０ｍ
ｍの試験試料を切り出した。熱膨張率測定装置（マック
スサイエンス製「ＴＤ５０３０」）で、試験試料の熱膨
張率を、室温−９００℃の範囲で測定した。なお、この
熱膨張測定装置は、ガラスが屈伏した時点で、測定が自
動停止する機能を備えている。温度に対して、ガラスの
熱膨張曲線が偏曲する温度を、ガラス転移温度（Ｔｇ）
とした。この値を表２−表４に示す。
【００４９】（結晶化ガラスの製造）各板状試料を、窒
素雰囲気中で、厚さ５ｍｍのカーボン板に挟んだ状態で
結晶化させた。結晶化のスケジュールは、７２０℃の核
形成温度まで、３００℃／時間で昇温し、７２０℃で２
時間保持し、７２０℃から１０００℃まで３００℃／時
間で昇温し、１０１５℃で４時間保持し、１０１５℃か
ら室温まで２００℃／時間で降温した。
素雰囲気中で、厚さ５ｍｍのカーボン板に挟んだ状態で
結晶化させた。結晶化のスケジュールは、７２０℃の核
形成温度まで、３００℃／時間で昇温し、７２０℃で２
時間保持し、７２０℃から１０００℃まで３００℃／時
間で昇温し、１０１５℃で４時間保持し、１０１５℃か
ら室温まで２００℃／時間で降温した。
【００５０】（結晶相の同定、各結晶相の構成比率の計
算）銅のＫα線を用い、Ｘ線回折装置（理学電機製「ガ
イガ−フレックス」：管電圧３０ｋＶ、管電流２０ｍ
Ａ）を使用して、結晶化の終わった寸法１５ｍｍ×１５
ｍｍの板状試験試料の表面の結晶相を同定した。その
際、走査角度は、２θ＝２θ＝１５〜４０°で行った。
検出された各結晶相を、表２−表４に示す。
算）銅のＫα線を用い、Ｘ線回折装置（理学電機製「ガ
イガ−フレックス」：管電圧３０ｋＶ、管電流２０ｍ
Ａ）を使用して、結晶化の終わった寸法１５ｍｍ×１５
ｍｍの板状試験試料の表面の結晶相を同定した。その
際、走査角度は、２θ＝２θ＝１５〜４０°で行った。
検出された各結晶相を、表２−表４に示す。
【００５１】この結果、本発明例１−１から１−１２、
本発明外の比較例の実験番号１−１から１−３において
は、いずれも、主結晶としてエンスタタイト相（化学式
ＭｇＯ・ＳｉＯ2 ：ＪＣＰＤＳ Ｎｏ．１９−０７６
８：回折角度２θ＝３１．１°）が析出しており、副結
晶としてＭＡＴ相（２θ＝２５．９°）が析出してい
た。Ｉ（ＭＳ）を１００としたときのＭＡＴ相のピーク
強度Ｉ（ＭＡＴ）を、各表に示す。
本発明外の比較例の実験番号１−１から１−３において
は、いずれも、主結晶としてエンスタタイト相（化学式
ＭｇＯ・ＳｉＯ2 ：ＪＣＰＤＳ Ｎｏ．１９−０７６
８：回折角度２θ＝３１．１°）が析出しており、副結
晶としてＭＡＴ相（２θ＝２５．９°）が析出してい
た。Ｉ（ＭＳ）を１００としたときのＭＡＴ相のピーク
強度Ｉ（ＭＡＴ）を、各表に示す。
【００５２】また、ＭＡＳ１、ガーナイト相（Ｇａ）、
更にはその他の結晶相について、そのピーク強度を示
す。ＭＡＳ１は回折角度２θ＝３６．０°であり、ガー
ナイト相は回折角度２θ＝３６．８°である。その他の
結晶相も、表１のＪＣＰＤＳカードに従って測定した。
更にはその他の結晶相について、そのピーク強度を示
す。ＭＡＳ１は回折角度２θ＝３６．０°であり、ガー
ナイト相は回折角度２θ＝３６．８°である。その他の
結晶相も、表１のＪＣＰＤＳカードに従って測定した。
【００５３】（熱膨張係数の測定）結晶化の終わった、
寸法５ｍｍ×３０ｍｍの試料を切断して、長さ２０ｍｍ
の測定試料を作成した。熱膨張率測定装置（マックサイ
エンス製「ＴＤ５０００Ｓ」）で、試験試料の熱膨張率
を、−７５℃〜１１０℃の範囲で測定した。２５℃を基
準にして１００℃までの熱膨張係数を計算した。この値
を表２−表４に示す。
寸法５ｍｍ×３０ｍｍの試料を切断して、長さ２０ｍｍ
の測定試料を作成した。熱膨張率測定装置（マックサイ
エンス製「ＴＤ５０００Ｓ」）で、試験試料の熱膨張率
を、−７５℃〜１１０℃の範囲で測定した。２５℃を基
準にして１００℃までの熱膨張係数を計算した。この値
を表２−表４に示す。
【００５４】（精密研磨加工後の平滑面におけるＲａの
測定）結晶相の同定の終わった寸法１５ｍｍ×１５ｍｍ
の板状試料を、＃７００の研削砥石を使って、試料の厚
みが０．６４５ｍｍになるまで精密研削加工した。次い
で、両面ポリッシュ盤を使って、粒径０．３μｍの高純
度酸化ジルコニウム砥粒を使って、試料の厚さが０．６
３５ｍｍになるまでポリッシュ加工した。更に、粒径５
０オングストロームのコロイダルシリカ砥粒を使って、
２段階目のポリッシュ加工を行い、厚さ０．６３５ｍｍ
の精密研磨体を得た。
測定）結晶相の同定の終わった寸法１５ｍｍ×１５ｍｍ
の板状試料を、＃７００の研削砥石を使って、試料の厚
みが０．６４５ｍｍになるまで精密研削加工した。次い
で、両面ポリッシュ盤を使って、粒径０．３μｍの高純
度酸化ジルコニウム砥粒を使って、試料の厚さが０．６
３５ｍｍになるまでポリッシュ加工した。更に、粒径５
０オングストロームのコロイダルシリカ砥粒を使って、
２段階目のポリッシュ加工を行い、厚さ０．６３５ｍｍ
の精密研磨体を得た。
【００５５】シリコン製のカンチレバー（共振周波数３
００ｋＨｚ）を用いた、原子間力顕微鏡（ＰＳＩ製「Ｍ
５」）のタッピングモードで、精密研磨体の表面の中心
線平均表面粗さ（Ｒａ）を測定した。この値を表２−表
４に示す。
００ｋＨｚ）を用いた、原子間力顕微鏡（ＰＳＩ製「Ｍ
５」）のタッピングモードで、精密研磨体の表面の中心
線平均表面粗さ（Ｒａ）を測定した。この値を表２−表
４に示す。
【００５６】（微構造観察）各精密研磨体を、５％フッ
酸水溶液で１０分間エッチングした後、走査型電子顕微
鏡で、結晶の大きさを観察した。観察された結晶粒径
を、表２−表４に示す。
酸水溶液で１０分間エッチングした後、走査型電子顕微
鏡で、結晶の大きさを観察した。観察された結晶粒径
を、表２−表４に示す。
【００５７】（ヤング率測定）結晶化の終わった、寸法
１０ｍｍ×４５ｍｍの板状試料を、寸法１５ｍｍ×１５
ｍｍの板状試料と同じ手順で、精密研磨した。その後、
寸法４ｍｍ×４０ｍｍの測定試料を切り出し、この試料
に歪みゲージを貼った上で、下スパン３０ｍｍ、上スパ
ン１０ｍｍ、クロスヘッドスピード０．５ｍｍ／ｍｉｎ
の条件で４点曲げ試験を行い、荷重と変位の関係からヤ
ング率を計算した。 （比重測定）結晶化の終わった、寸法１０ｍｍ×４５ｍ
ｍの板状試料の水中重量および乾燥重量から、比重を計
算した。
１０ｍｍ×４５ｍｍの板状試料を、寸法１５ｍｍ×１５
ｍｍの板状試料と同じ手順で、精密研磨した。その後、
寸法４ｍｍ×４０ｍｍの測定試料を切り出し、この試料
に歪みゲージを貼った上で、下スパン３０ｍｍ、上スパ
ン１０ｍｍ、クロスヘッドスピード０．５ｍｍ／ｍｉｎ
の条件で４点曲げ試験を行い、荷重と変位の関係からヤ
ング率を計算した。 （比重測定）結晶化の終わった、寸法１０ｍｍ×４５ｍ
ｍの板状試料の水中重量および乾燥重量から、比重を計
算した。
【００５８】
【表２】
【００５９】
【表３】
【００６０】
【表４】
【００６１】図１に、本発明例１−６のＸ線回折チャー
トを示し、図２に本発明内の実験番号１−１２のＸ線回
折チャートを示し、図３に比較例１−２のＸ線回折チャ
ートを示す。他の実験においても、これらと同様のＸ線
回折チャートを得ている。
トを示し、図２に本発明内の実験番号１−１２のＸ線回
折チャートを示し、図３に比較例１−２のＸ線回折チャ
ートを示す。他の実験においても、これらと同様のＸ線
回折チャートを得ている。
【００６２】本発明例１−１から１−１２と、比較例１
−２、１−３では、ヤング率はいずれの例でも１２５Ｇ
Ｐａを超えている。これは、エンスタタイトを主結晶と
している効果であると思われる。
−２、１−３では、ヤング率はいずれの例でも１２５Ｇ
Ｐａを超えている。これは、エンスタタイトを主結晶と
している効果であると思われる。
【００６３】また、比較例１−２では、Ｉ（ＭＡＴ）は
３２であり、結晶粒径が０．３μｍ程度であり、精密研
磨後の表面粗さは２０オングストロームであった。これ
よりもＴｉＯ2 の量が増え、ＭＡＴ相のピーク強度が大
きくなると、結晶が微細化する。ＭＡＴ相のピーク強度
が４５である本発明例１−１では、精密研磨後の表面粗
さは、４オングストロームまで顕著に減少した。
３２であり、結晶粒径が０．３μｍ程度であり、精密研
磨後の表面粗さは２０オングストロームであった。これ
よりもＴｉＯ2 の量が増え、ＭＡＴ相のピーク強度が大
きくなると、結晶が微細化する。ＭＡＴ相のピーク強度
が４５である本発明例１−１では、精密研磨後の表面粗
さは、４オングストロームまで顕著に減少した。
【００６４】実施例１−１から１−８においては、Ｉ
（ＭＡＴ）は４４〜６５であり、０．０２〜０．０８μ
ｍの粒子径が得られ、精密研磨後の表面粗さは、６オン
グストローム以下になる。
（ＭＡＴ）は４４〜６５であり、０．０２〜０．０８μ
ｍの粒子径が得られ、精密研磨後の表面粗さは、６オン
グストローム以下になる。
【００６５】図４に、本発明例１−６の試料のセラミッ
クス組織を示す。微細な粒子が観察される。
クス組織を示す。微細な粒子が観察される。
【００６６】実施例１−９〜１−１２においては、Ｌｉ
2 Ｏ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ｐ2 Ｏ5 またはＺｒＯ2 を含有させて
いる。これらの例においても、いずれも、ＭＡＴ相のピ
ーク強度が３５〜７０である結晶化ガラスが得られた。
ＭＡＴ相のピーク強度は、４５−６５が一層好ましい。
2 Ｏ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ｐ2 Ｏ5 またはＺｒＯ2 を含有させて
いる。これらの例においても、いずれも、ＭＡＴ相のピ
ーク強度が３５〜７０である結晶化ガラスが得られた。
ＭＡＴ相のピーク強度は、４５−６５が一層好ましい。
【００６７】比較例１−１では、Ｉ（ＭＡＴ）が８５で
あるが、ヤング率が１１５ＧＰａに顕著に減少した。
あるが、ヤング率が１１５ＧＰａに顕著に減少した。
【００６８】比較例１−３では、ＣａＯを含有させてい
るために、Ｉ（ＭＡＴ）が１５と小さく、結晶が粗大で
あり、精密研磨後の表面粗さが１０オングストロームで
あった。図５に、比較例１−３の試料のセラミックス組
織の写真を示す。粗大な粒子が観察できる。
るために、Ｉ（ＭＡＴ）が１５と小さく、結晶が粗大で
あり、精密研磨後の表面粗さが１０オングストロームで
あった。図５に、比較例１−３の試料のセラミックス組
織の写真を示す。粗大な粒子が観察できる。
【００６９】（ビッカース硬度の測定）精密研磨後の試
料について、マイクロビッカース硬度計を使用して、押
し込み圧１ｋｇｆでビッカース硬度を測定した。この結
果、本発明例１−６では９２０であり、本発明例１−７
では９６０であり、比較例１−１では７７０であった。
料について、マイクロビッカース硬度計を使用して、押
し込み圧１ｋｇｆでビッカース硬度を測定した。この結
果、本発明例１−６では９２０であり、本発明例１−７
では９６０であり、比較例１−１では７７０であった。
【００７０】（比重の測定）本発明例１−４では、比重
は３．１ｇ／ｃｃであった。ヤング率Ｅを比重ρで割っ
た値Ｅ／ρは、４４であった。
は３．１ｇ／ｃｃであった。ヤング率Ｅを比重ρで割っ
た値Ｅ／ρは、４４であった。
【００７１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、磁
気ディスク基板用結晶化ガラスのヤング率を高くし、磁
気ディスク基板を精密研磨加工した後の中心線平均表面
粗さＲａを顕著に小さくできる。
気ディスク基板用結晶化ガラスのヤング率を高くし、磁
気ディスク基板を精密研磨加工した後の中心線平均表面
粗さＲａを顕著に小さくできる。
【図１】本発明例１−６のＸ線回折チャートを示す。
【図２】本発明例１−１２のＸ線回折チャートを示す。
【図３】比較例１−２のＸ線回折チャートを示す。
【図４】本発明例１−６の試料のセラミックス組織を示
す走査型電子顕微鏡である。
す走査型電子顕微鏡である。
【図５】比較例１−３の試料のセラミックス組織の写真
を示す走査型電子顕微鏡である。
を示す走査型電子顕微鏡である。
Claims (8)
- 【請求項１】磁気ディスク基板用結晶化ガラスであっ
て、この磁気ディスク基板用結晶化ガラスの主結晶相が
エンスタタイト相であり、副結晶相がマグネシウムアル
ミニウムチタネート相であり、Ｘ線回折法で求めたエン
スタタイト相のピーク強度Ｉ（ＭＳ）を１００としたと
きのマグネシウムアルミニウムチタネート相のピーク強
度Ｉ（ＭＡＴ）が３５以上、７０以下であり、ヤング率
が１２０〜１５５ＧＰａであることを特徴とする、磁気
ディスク基板用結晶化ガラス。 - 【請求項２】Ｘ線回折法で求めたエンスタタイト相のピ
ーク強度Ｉ（ＭＳ）を１００としたときのマグネシウム
アルミニウムチタネート相のピーク強度Ｉ（ＭＡＴ）が
４０以上、６５以下であることを特徴とする、請求項１
記載の磁気ディスク基板用結晶化ガラス。 - 【請求項３】前記結晶化ガラスの結晶粒子の粒径が０．
０１μｍ−０．１μｍであることを特徴とする、請求項
１または２記載の磁気ディスク基板用結晶化ガラス。 - 【請求項４】精密研磨加工後の中心線平均表面粗さＲａ
が１〜６オングストロームであることを特徴とする、請
求項１−３のいずれか一つの請求項に記載の磁気ディス
ク基板用結晶化ガラス。 - 【請求項５】前記磁気ディスク基板用結晶化ガラスの基
本組成がＳｉＯ2 ：４４〜５２重量％、ＭｇＯ：１６〜
２５重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ：１３〜２０重量％、Ｔｉ
Ｏ2 ：１０〜１５重量％、ＺｎＯ：１〜 ８重量％、Ｚ
ｒＯ2 ：０〜５重量％、Ｌｉ2 Ｏ：０〜３重量％、Ｂ2
Ｏ2 ：０〜３重量％、Ｐ2 Ｏ5 ：０〜５重量％およびＳ
ｂ2 Ｏ3 ：０〜２重量％であることを特徴とする、請求
項１−４のいずれか一つの請求項に記載の磁気ディスク
基板用結晶化ガラス。 - 【請求項６】前記磁気ディスク基板用結晶化ガラスの前
記基本組成が、ＳｉＯ2：４６〜５０重量％、ＭｇＯ：
１８〜２２重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ：１６〜１９重量％、Ｔ
ｉＯ2 ：１１〜１３重量％、ＺｎＯ：２〜５％、ＺｒＯ
2 ：０〜４重量％、Ｌｉ2 Ｏ：０〜２％、Ｂ2 Ｏ2 ：０
〜２重量％、Ｐ2 Ｏ5 ：０〜３重量％、Ｓｂ2 Ｏ3 ：
０．２〜１．５重量％であることを特徴とする、請求項
５記載の磁気ディスク基板用結晶化ガラス。 - 【請求項７】請求項１〜６のいずれか一つの請求項に記
載の磁気ディスク基板用結晶化ガラスからなることを特
徴とする、磁気ディスク基板。 - 【請求項８】請求項７記載の磁気ディスク基板、前記磁
気ディスク基板上に形成されている下地膜、およびこの
下地膜上の金属磁性層を備えていることを特徴とする、
磁気ディスク。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP9985398A JPH11278864A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | 磁気ディスク基板用結晶化ガラス、磁気ディスク基板および磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9985398A JPH11278864A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | 磁気ディスク基板用結晶化ガラス、磁気ディスク基板および磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11278864A true JPH11278864A (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=14258371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9985398A Withdrawn JPH11278864A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | 磁気ディスク基板用結晶化ガラス、磁気ディスク基板および磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11278864A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2022090912A (ja) * | 2020-12-08 | 2022-06-20 | 株式会社Uacj | 磁気ディスク基板および磁気ディスク |
-
1998
- 1998-03-30 JP JP9985398A patent/JPH11278864A/ja not_active Withdrawn
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