JP2001126236A - 磁気ディスク用基板および磁気ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】リチウムダイシリケート、β−クリストバライ
トおよびトリジマイト相を有するＳｉＯ₂ −Ａｌ₂ Ｏ₃
−Ｌｉ₂ Ｏ系の磁気ディスク用基板用結晶化ガラスにお
いて、結晶粒子を微細化し、熱膨張係数を小さくし、ガ
ラスからのリチウムの溶出を防止する。 【解決手段】結晶化ガラスの主結晶相がペタライト相お
よびリチウムダイシリケート相であり、副結晶相がβ−
クリストバライト相およびトリジマイト相であり、リー
トベルト定量法による各結晶相の定量値が以下の範囲内
にある（３０重量％≦リチウムダイシリケート相≦４５
重量％、２０重量％≦ペタライト相≦３５重量％、３重
量％≦β−クリストバライト相≦１０重量％、３重量％
≦トリジマイト相≦１０重量％）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク用基
板および磁気ディスクに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスク用基板には、所定の熱膨張
係数、平滑な面及び高強度等が要求されているが、最近
それに加えて耐候性が良い材料が要求されている。磁気
ディスク基板用途では、室温付近の熱膨張係数が６０〜
９０×１０^-7／ｋ程度のガラスが要求されている。ハー
ドディスクのさらなる記録密度の向上のためには、磁気
ヘッドの浮上量を低下させなければならず、基板には一
層高い平滑な面が求められている。更に、磁性膜は、ア
ルカリ金属イオンと反応すると特性の低下を招く。この
ため、基板から磁性膜へのアルカリ金属イオンの侵入
は、極力避けなければならない。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】これまでのクリストバ
ライト相とリチウムダイシリケート相とを主結晶とする
結晶化ガラス、あるいは、α−石英相とリチウムダイシ
リケート相を主結晶とする結晶化ガラスでは、いずれも
結晶粒子が粗大化しやすく、そのために精密研磨後の表
面粗さがあまり小さくならないという問題があった。特
に、α−石英相とリチウムダイシリケート相とを主結晶
とする結晶化ガラスにおいては、熱膨張係数が１００×
１０^-7／ｋ程度であり、磁気ディスクとしては大きすぎ
る。また、クリストバライト相とリチウムダイシリケー
ト相とを主結晶とする結晶化ガラス、あるいは、α−石
英相とリチウムダイシリケート相とを主結晶とする結晶
化ガラスでは、基板からのリチウムの溶出量が多く、磁
性膜に与える影響が懸念されていた。

【０００４】例えば、特開平１０−２２６５３２号公報
では、ガラスの化学的耐久性が、特定の組成と関連して
述べられており、また、化学的耐久性がガラスの重量変
化によって説明されており、リチウムの溶出については
述べられていない。

【０００５】本発明の課題は、リチウムダイシリケート
相およびβ−クリストバライト相を有するＳｉＯ₂ −Ａ
ｌ₂ Ｏ₃ −Ｌｉ₂ Ｏ系の結晶化ガラスにおいて、結晶粒
子の凝集や結晶粒子の粗大化を抑制し、−５０℃〜＋７
０℃の熱膨張係数を小さくし、かつ結晶化ガラスからの
リチウムの溶出を防止することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、結晶化ガラス
からなる磁気ディスク用基板であって、結晶化ガラスの
主結晶相がペタライト相（Ｌｉ₂ Ｏ・Ａｌ₂ Ｏ₃・８Ｓ
ｉＯ₂ ）およびリチウムダイシリケート相（Ｌｉ₂ Ｏ・
２ＳｉＯ₂ ）であり、副結晶相がβ−クリストバライト
相およびトリジマイト相であり、リートベルト定量法に
よる各結晶相の定量値が以下の範囲内にあることを特徴
とする。 ３０重量％≦リチウムダイシリケート相≦４５重量％ ２０重量％≦ペタライト相 ≦３５重量％ ３重量％≦β−クリストバライト相 ≦１０重量％ ３重量％≦トリジマイト相 ≦１０重量％

【０００７】本発明の磁気ディスク用基板用の結晶化ガ
ラスは、主結晶相がペタライト相、リチウムダイシリケ
ート相（Ｌｉ₂ Ｏ・２ＳｉＯ₂ ）であり、副結晶相とし
てβ−クリストバライト相およびトリジマイト相を含有
している。この系の結晶化ガラスにおいては、所定量の
β−クリストバライト相を副結晶相として析出させるこ
とによって、結晶化ガラスの全体の熱膨張係数を上昇さ
せ、これによって結晶化ガラスの熱膨張係数（−５０℃
〜＋７０℃）を６５〜８５×１０^-7／ｋに調節してい
る。

【０００８】本発明者は、特にこの結晶系の結晶化ガラ
スにおいて、少量の酸化マグネシウムを添加すると、結
晶化ガラス中のペタライト相の生成量が増加することを
見出した。この系の結晶化ガラスにおいては、ＭｇＯが
ペタライト相の核の数を増やす効果があるものと考えら
れる。

【０００９】このようにして、上記の割合のペタライト
相を、リチウムダイシリケート相、β−クリストバライ
ト相およびトリジマイト相に加えて析出させることによ
って、結晶化ガラスからのリチウムの溶出量が著しく減
少することを見出し、本発明に到達した。

【００１０】結晶化ガラスからのリチウムの溶出量が著
しく減少した理由は、明確ではない。まず、前記の結晶
系を有する結晶化ガラスにおいて、ペタライト相が多量
に生成すると、ペタライト結晶中にＬｉ₂ Ｏが取り込ま
れるので、残留ガラス中のＬｉ₂ Ｏの量が減る。ペタラ
イト結晶中のリチウムイオンは、残留ガラス中のリチウ
ムイオンよりも、易動度が小さい。従って、ペタライト
相が多量に生成すると、結晶化ガラスからのリチウムの
溶出量が減少するものとも考えられる。

【００１１】しかし、実際にリチウムの溶出実験を行っ
てみると、本発明の結晶化ガラスにおいては、このよう
な機構では説明できないほど顕著にリチウムの溶出が抑
制されることを発見した。即ち、上記の議論が正しいも
のとすれば、リチウムの溶出量が、残留ガラス中のリチ
ウムの含有量にほぼ比例するはずである。しかし、実際
には、本発明の結晶化ガラスにおいては、リチウムの溶
出量の減少はこの予測を超えて顕著であり、残留ガラス
中のリチウムの溶出量も減少しているようである。この
理由は明らかではないが、一部のＭｇＯが残留ガラス中
に残り、残留ガラス中におけるリチウムの移動を抑制す
る働きをしている可能性がある。

【００１２】なお、特公平６−２９１５２号公報に記載
の基板用結晶化ガラスは、０．５〜７．５重量％の酸化
マグネシウムを含有しており、これによって原ガラスの
溶解性を改善し、成形時の乳白化を防止し、α−クリス
トバライト相の過度の析出を抑制している。また、特許
第２５１６５５３号公報では、基板用結晶化ガラスに
０．５〜５．５重量％の酸化マグネシウムを含有させ、
α−石英の結晶粒子をランダムに析出させることで、二
次粒子構造を析出させている。特開平９−２０８２６０
号公報に記載の結晶化ガラスは、０．５重量％−３重量
％の酸化マグネシウムを含有させている。これが０．５
重量％未満であると、α−クリストバライト相が増加
し、３．０重量％を超えると、α−石英相が増加する。
特開平１１−１６１４３号公報記載の磁気ディスク基板
用結晶化ガラスは、０．５〜４．８重量％の酸化マグネ
シウムを含有しており、リチウムダイシリケート相、α
−石英相、α−クリストバライト相の結晶粒子を球状形
態に析出させている。しかし、いずれの文献においても
前記のような特定結晶系において、酸化マグネシウムを
添加してペタライト相を析出させるという知見は得られ
ていない。

【００１３】本発明の結晶化ガラス中の各結晶相の組成
は、以下のようにすることが一層好ましい。 ３５重量％≦リチウムダイシリケート相≦４０重量％ ２５重量％≦ペタライト相≦ ３０重量％ ４重量％≦β−クリストバライト相≦ ８重量％ ４重量％≦トリジマイト相≦ ８重量％

【００１４】本発明の結晶化ガラスの結晶化度は、６０
重量％以上が好ましく、７０重量％以上が更に好まし
い。

【００１５】結晶化ガラスの熱膨張係数は、−５０℃−
＋７０℃において、６５−８５×１０^-7／ｋであること
が好ましく、７０−８０×１０^-7／ｋであることが更に
好ましい。

【００１６】クリストバライトには、低温相のα相と高
温相のβ相とがある。ＪＣＰＤＳカードによると、β相
の三強線は、下表のとおりである。ただし、回折角度
は、銅のＫａ線を使用した場合のＸ線回折角度の計算値
である。

【００１７】

【表１】

【００１８】回折角度の測定値から見て、本発明の結晶
化ガラスで生成しているクリストバライトは、β相であ
る。本来は、結晶化後、冷却に伴って、クリストバライ
ト相は、βからα相に転移するはずである。しかし、本
発明の結晶化ガラスの組成および結晶相では、β相が安
定化され、室温までβ相の構造が保存されている。β相
が安定化されている原因は、クリストバライトの化学組
成が純粋なＳｉＯ₂ ではなく、一部の珪素原子が他の元
素によって置換されているためと考えられる。

【００１９】また、本発明の結晶化ガラスの各結晶相を
同定するのに使用したＪＣＰＤＳカードＮｏ．を表２に
示し、また各結晶子の径とＬｉ₂ Ｏの含有量とを表３に
示す。

【００２０】

【表２】

【００２１】

【表３】

【００２２】本発明の結晶化ガラスの製造方法はむろん
限定されないが、例えば以下のようにすることができ
る。

【００２３】原ガラスにおけるＳｉＯ₂ の量を７０重量
％以上とすることによって、β−クリストバライト相を
生成させやすくなり、８０重量％以下とすることによっ
て、原ガラスの溶融を容易にできる。更に好ましくは、
ＳｉＯ₂ の量は、７３重量％以上であり、７８重量％以
下である。

【００２４】原ガラスにおけるＬｉ₂ Ｏの量を８重量％
以上とすることによって、リチウムダイシリケート相が
得られやすくなる。Ｌｉ₂ Ｏの量が１２重量％を超える
と、結晶化ガラスの耐候性が低下しやすい。更に好まし
くは、Ｌｉ₂ Ｏの量は、９重量％以上であり、１１重量
％以下である。

【００２５】Ａｌ₂ Ｏ₃ の量を３重量％以上とすること
によって、ペタライト相の生成量が増加する。Ａｌ₂ Ｏ
₃ の量を６重量％以下とすることによって、α−石英相
の生成を抑制でき、α−石英相による表面粗さの劣化を
防止でき、かつβ−クリストバライト相が生成しやすく
なる。更に好ましくは、Ａｌ₂ Ｏ₃ の量は、４重量％以
上である。

【００２６】Ｐ₂ Ｏ₅ の量が１重量％未満であると、所
望の結晶が析出しない。Ｐ₂ Ｏ₅ の量が３重量％を超え
ると、結晶化ガラスが失透しやすい。更に好ましくは、
Ｐ₂ Ｏ₅ の量は、１．５重量％以上であり、２．５重量
％以下である。

【００２７】ＭｇＯの量を０．１重量％以上とすると、
ペタライト相が生成しやすい。ＭｇＯの量を０．４重量
％以下とすることによって、α−石英相の生成を抑制で
き、α−石英相による表面粗さの劣化を防止でき、かつ
β−クリストバライト相が生成しやすくなる。更に好ま
しくは、ＭｇＯの量は０．２重量％以上である。

【００２８】ＺｒＯ₂ を１重量％以上含有させることに
よって、α−石英相の生成を抑制できる。ＺｒＯ₂ の量
を６重量％以下とすることによって、溶解性が良好にな
る。更に好ましくは、ＺｒＯ₂ の量は４重量％以下であ
る。

【００２９】Ｋ₂ Ｏを０〜４重量％含有させることがで
きる。Ｋ₂ Ｏは、ガラスの溶融温度を低下させる。Ｋ₂
Ｏの含有量が４重量％を越えると、結晶化ガラスの結晶
化率が低下しやすい。更に好ましくは、Ｋ₂ Ｏの量は、
１重量％以上であり、３重量％以下である。

【００３０】Ｓｂ₂ Ｏ₃ を０−１重量％含有させること
が好ましい。Ｓｂ₂ Ｏ₃は、ガラスを脱泡させる。Ｓｂ₂
Ｏ₃ の量は１重量％で十分である。更に好ましくは、
Ｓｂ₂ Ｏ₃ の量は、０．１重量％以上、０．３重量％以
下である。

【００３１】結晶化ガラス中には、ＣａＯを０〜３重量
％、ＢａＯを０〜３重量％、ＺｎＯを０−３重量％含有
させることができる。これらは、原ガラスの溶解温度を
低下させる。

【００３２】また、結晶化ガラス中には、他の成分を含
有させることができる。まず、ＴｉＯ₂ 、ＳｎＯ₂ 、白
金等の貴金属のフッ化物を、単独で、または２種以上混
合して、含有させることができる。

【００３３】Ａｓ₂ Ｏ₃ を０〜２重量％含有させること
もできる。これは、ガラス溶融の際の清澄剤である。Ｂ
₂ Ｏ₃ を０〜３重量％含有させることもできる。

【００３４】原ガラスを製造する際には、上記の各金属
原子を含有する各原料を、上記の重量比率に該当するよ
うに混合し、この混合物を溶融させる。この原料として
は、各金属原子の酸化物、炭酸塩、硝酸塩、リン酸塩、
水酸化物を例示することができる。また、原ガラスを熱
処理して結晶化させる際の雰囲気としては、大気雰囲
気、還元雰囲気、水蒸気雰囲気、加圧雰囲気等を選択す
ることができる。

【００３５】また、上記の製造方法において原ガラスを
加熱する際には、少なくとも５００℃以上の温度領域で
の温度上昇速度を５０〜３００℃／時間に制御すること
によって結晶核の生成を進行させることが好ましい。ま
た、５１０−５４０℃の温度領域内で２〜５時間保持す
ることによって結晶核の生成を進行させることが好まし
い。結晶化温度は、７５０−８００℃とすることが好ま
しい。

【００３６】上記の結晶化ガラスからなる素材を、砥粒
によって精密研磨加工する工程では、いわゆるラッピン
グ、ポリッシング等、公知の精密研磨加工方法によって
研磨し、磁気ディスク用基板を作成できる。また、本発
明の磁気ディスク用基板の主面上には、下地処理層、磁
性膜、保護膜等を形成することができ、更に保護膜上に
潤滑剤を塗布することができる。

【００３７】

【実施例】（親ガラスの製造）表４、表５に示す、各種
金属酸化物の重量比になるように、各金属を含む化合物
を混合した。この混合物２５０ｇを容積２００ｃｃの白
金ルツボに入れ、１４００℃で６時間熱処理し、溶融し
た。炉の温度を１３５０℃に落として、１時間保持した
後、カーボン製の型に原ガラスを流しだし、成形した。
５００℃で１時間アニールした後、徐冷して、円盤状の
親ガラスを得た。

【００３８】この親ガラスから、寸法５×３０×厚さ
０．８５ｍｍ、および寸法φ７２ｍｍ×厚さ１．５ｍｍ
（注：リング状試料のもとになるもの）の各板状試料を
切り出した。なお、各板状試料の両面は、＃４００の砥
石で仕上げ加工した。

【００３９】（結晶化工程）各板状試料を、窒素雰囲気
中で、厚さ５ｍｍのカーボン板に挟んだ状態で結晶化さ
せた。結晶化のスケジュールは、各形成温度（５２０
℃）まで２５０℃／時間で昇温し、５２０℃で１．０時
間保持し、結晶化温度（７６０℃）まで１５０℃／時間
で昇温し、７６０で４時間保持し、室温まで１５０℃／
時間で降温した。

【００４０】（結晶相の同定）Ｘ線出力５０ｋＶ・３０
０ｍＡのＸ線回折装置（ＲＩＮＴ２５００）を使用した
（２θ＝１０〜６０°、ステップ幅０．０２°、Ｆｉｘ
ｅｄ Ｔｉｍｅ １０秒、スリットＤＳ＝ＳＳ＝０．５
°、ＲＳ＝０．１５°）。このＸ線回折装置の入射側に
は、Ｇｅ（１１１）湾曲型モノクロメーターを備える光
学系を設けた。アルミナを内部標準試料とするリートベ
ルト解析法（解析ソフト：「ＲＩＥＴＡＮ」）により、
結晶化ガラス中の各結晶相の結晶化率を求めた。「ＲＩ
ＥＴＡＮ」による結晶の定量は、F.Izumi.らが、「J.Ap
pl.Crystallogr. 」， 20,411(1987) に述べている。

【００４１】（熱膨張係数αの測定）結晶化の終わっ
た、寸法５×３０×厚さ０．８５ｍｍの板状試料を切断
し、長さ２０ｍｍの測定試料を作成した。熱膨張率測定
装置（マックサイエンス製「ＴＤ５０００Ｓ」）で、試
験試料の熱膨張率を−７５°〜＋１１０°の範囲で測定
した。−５０℃を基準にして、＋７０℃までの熱膨張係
数を計算した。

【００４２】（精密研磨加工）円盤状の結晶化済の試料
を厚さ１ｍｍまで研磨したのち、直径６７ｍｍの円盤を
切り出した。次いで、円盤の内径、外径を加工し、エッ
ジにポリッシュ加工を施し、外径６５．００ｍｍ、内径
２０．２５ｍｍのリング状基板を得た。ついでリング状
基板を、ペレット研削盤で厚さ０．６８５ｍｍまで研削
した。ついで、両面ポリッシュ盤および１．２μｍの酸
化セリウム砥粒を使って、試料の厚さが０．６４０ｍｍ
になるまでリング状基板をポリッシュ加工した。更に、
０．７μｍの酸化セリウム砥粒を使って、２段階目のポ
リッシュ加工を行い、厚さ０．６３５ｍｍの精密研磨体
を得た。

【００４３】（表面粗さの測定）シリコン製のカンチレ
バー（共振周波数３００ｋＨｚ）を用いた、原子間力顕
微鏡（ＰＳＩ製Ｍ５）のタッピングモードで、精密研磨
体の表面の中心線平均表面粗さ（Ｒａ）を測定した。

【００４４】（Ｌｉ溶出量の測定）前記のリング状の精
密研磨体と純水５０ｍｌとを、シリコン製の容積３００
ｍｌの密閉容器に入れた。精密研磨体の両面から溶出す
るように、シリコン製の棒を精密研磨体の下に置いた。
クリーンオーブンに密閉容器を入れ、８０℃で、２２時
間保持し、純水中にリチウムを溶出させた。溶出済の水
の中のリチウム含有量を、原子吸光度法によって測定し
た。

【００４５】（微構造観察）前記の精密研磨体を５％フ
ッ酸水溶液で３分間エッチングした後、走査型電子顕微
鏡で結晶の大きさを観察した。

【００４６】（抗折強度測定）前記の精密研磨体から、
寸法２×２０ｍｍの棒状の試料を切り出し、下スパン１
０ｍｍ、上スパン５ｍｍ、クロスヘッドスピード０．５
ｍｍ／ｍｉｎの条件で４点曲げ試験を行い、抗折強度を
求めた。

【００４７】

【表４】

【００４８】

【表５】

【００４９】比較例１、２、実施例１、２を見ると、ペ
タライト相が増加するのにつれて、リチウムの溶出量が
著しく減少する傾向があった。ただし、比較例２では、
β−クリストバライト相の析出量が２重量％であり、ま
たα−石英相が生成した。そして、このα−石英相が凝
集形態をとっていたために、精密研磨後の表面粗さＲａ
が８オングストロームに増加した。

【００５０】また、原ガラスの組成に着目すると、Ｍｇ
Ｏの含有量が増加するにつれて、ペタライト相の量が増
加し、β−クリストバライト相およびトリジマイト相の
量が減少した。これは、ＭｇＯが、ペタライト相ののも
とになる結晶核を増やす効果を持っているためであろ
う。また、ペタライト相の増加割合よりも、リチウム溶
出量の減少割合の方がはるかに大きい。このため、一部
のＭｇＯが残留ガラス中に存在し、リチウムの移動を抑
制する効果を持っているものと思われる。

【００５１】実施例３、４、５を見ると、やはりペタラ
イト相の増加によってリチウム溶出量が減少している。
また、Ｒａも６オングストローム以下となり、αも所望
範囲に納まっていた。また、実施例３、４、５のいずれ
の組成においても、ＭｇＯを含有させることによる、ペ
タライト相の増加とリチウム溶出量の低下が見られる。

【００５２】実施例６、７においては、ＴｉＯ₂ やＺｎ
Ｏを同時に含有させているが、やはりリチウム溶出量が
減少した。

【００５３】実施例２の試料の抗折強度を測定したとこ
ろ、１８０ＭＰａであった。

【００５４】図１は、実施例２の試料の走査型電子顕微
鏡写真であり、図２は、比較例２の写真である。比較例
２では、α−石英の凝集体が観察された。

【００５５】図３には、実施例３のＸ線回折チャートの
一部を示す。２３．９〜２４．８°付近に３本のピーク
が見える。この３本のピークのうち、左端のピーク（２
３．９°付近）がペタライトのメインピークである。ペ
タライトのメインピークが比較的に大きくなっている。
解析結果より、ペタライト：２０重量％、リチウムダイ
シリケート：３８重量％、β−クリストバライト相：８
重量％、トリジマイト相：８重量％が得られた。他の実
施例、比較例の各結晶化ガラスの結晶相も同様に定量し
た。

【００５６】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、リ
チウムダイシリケート相、β−クリストバライト相およ
びトリジマイト相を有するＳｉＯ₂ −Ａｌ₂ Ｏ₃−Ｌｉ₂
Ｏ系の結晶化ガラスにおいて、結晶粒子の粗大化を抑
制し、−５０℃〜＋７０℃における熱膨張係数を小さく
し、かつガラスからのリチウムの溶出を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例２の結晶化ガラスの走査型電子
顕微鏡写真である。

【図２】比較例２の結晶化ガラスの走査型電子顕微鏡写
真である。

【図３】実施例３の結晶化ガラスのＸ線回折チャートで
ある。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G062 AA11 BB01 DA07 DB03 DC01 DD03 DE01 DF01 EA03 EA04 EB01 EC01 EC02 EC03 ED02 EE01 EF01 EG01 FA01 FB01 FC03 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ04 JJ05 JJ07 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM27 NN30 NN34 QQ01 QQ03 QQ06 QQ09 5D006 CB04 CB07 DA03

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】結晶化ガラスからなる磁気ディスク用基板
   であって、 前記結晶化ガラスの主結晶相がペタライト相およびリチ
   ウムダイシリケート相であり、副結晶相がβ−クリスト
   バライト相およびトリジマイト相であり、リートベルト
   定量法による各結晶相の定量値が以下の範囲内にあるこ
   とを特徴とする、磁気ディスク用基板。 ３０重量％≦リチウムダイシリケート相≦４５重量％ ２０重量％≦ペタライト相 ≦３５重量％ ３重量％≦β−クリストバライト相 ≦１０重量％ ３重量％≦トリジマイト相 ≦１０重量％
2. 【請求項２】前記結晶化ガラスが以下の酸化物組成を有
   することを特徴とする、請求項１記載の磁気ディスク用
   基板。 ７０重量％≦ＳｉＯ₂ ≦ ８０重量％ ８重量％≦Ｌｉ₂ Ｏ≦ １２重量％ ３重量％≦Ａｌ₂ Ｏ₃ ≦ ６重量％ １重量％≦Ｐ₂ Ｏ₅ ≦ ３重量％ ０．１重量％≦ＭｇＯ≦ ０．４重量％ １重量％≦ＺｒＯ₂ ≦ ６重量％ ０重量％≦Ｋ₂ Ｏ≦ ４重量％ ０重量％≦Ｓｂ₂ Ｏ₃ ≦ １重量％
3. 【請求項３】前記結晶化ガラスの−５０℃〜＋７０℃に
   おける熱膨張係数が、６５〜８５×１０^-7／ｋであるこ
   とを特徴とする、請求項１または２記載の磁気ディスク
   用基板。
4. 【請求項４】精密研磨後の中心線平均表面粗さＲａが２
   −６オングストロームであることを特徴とする、請求項
   １−３のいずれか一つの請求項に記載の磁気ディスク用
   基板。
5. 【請求項５】請求項１−４のいずれか一つの請求項に記
   載の磁気ディスク用基板と、この磁気ディスク用基板の
   平滑面上に形成されている下地膜と、この下地膜上の金
   属磁性層とを備えていることを特徴とする、磁気ディス
   ク。