CN104639041A - 温度补偿型水晶振荡器 - Google Patents
温度补偿型水晶振荡器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104639041A CN104639041A CN201410624184.9A CN201410624184A CN104639041A CN 104639041 A CN104639041 A CN 104639041A CN 201410624184 A CN201410624184 A CN 201410624184A CN 104639041 A CN104639041 A CN 104639041A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- pad
- bond pad
- peristome
- configuring area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 160
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 151
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 77
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 59
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 59
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 12
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 description 33
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 12
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000012888 cubic function Methods 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910000863 Ferronickel Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 210000005069 ears Anatomy 0.000 description 1
- 210000000981 epithelium Anatomy 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000010358 mechanical oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/028—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only of generators comprising piezoelectric resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/176—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of ceramic material
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
- H03H9/0552—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement the device and the other elements being mounted on opposite sides of a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
- H03H9/0557—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement the other elements being buried in the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
- H03H9/0561—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement consisting of a multilayered structure
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
- H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/21—Crystal tuning forks
- H03H9/215—Crystal tuning forks consisting of quartz
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/04—Constructional details for maintaining temperature constant
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/202—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using longitudinal or thickness displacement combined with bending, shear or torsion displacement
- H10N30/2023—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using longitudinal or thickness displacement combined with bending, shear or torsion displacement having polygonal or rectangular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2041—Beam type
- H10N30/2042—Cantilevers, i.e. having one fixed end
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
本发明提供一种温度补偿型水晶振荡器,可减少集成电路元件周围温度与水晶元件周围温度之间的差异,减少振荡频率的变化。温度补偿型水晶振荡器具备:矩形形状的基板(110a);框体(110b),设置于基板上表面;安装框体(160),具有沿上表面外周边缘设置的接合焊盘,通过使沿基板下表面外周边缘设置的接合端子与接合焊盘相接合,从而设置于基板下表面;水晶元件(120),安装于电极焊盘(111),该电极焊盘设置于基板上表面并在由框体包围的区域内;具有温度传感器的集成电路元件(150),安装于连接焊盘(115),该连接焊盘设置于基板下表面并在由安装框体包围的区域内;以及盖体(130),与框体上表面接合。
Description
技术领域
本发明涉及一种电子设备等中使用的温度补偿型水晶振荡器。
背景技术
温度补偿型水晶振荡器会利用水晶元件的压电效果,产生特定频率。例如,目前提出了一种温度补偿型水晶振荡器,其具备基板、具有第一框体和第二框体的封装、安装在电极焊盘上的水晶元件、以及具有温度传感器的集成电路元件,上述第一框体设置于基板上表面,用以形成第一凹部,上述第二框体设置于基板下表面,用以形成第二凹部,上述电极焊盘设置于基板上表面,上述具有温度传感器的集成电路元件设置于基板下表面(例如,参照下述专利文献1)。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2000-49560号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
上述温度补偿型水晶振荡器将水晶元件安装于第一凹部内,将具有温度传感器的集成电路元件安装于第二凹部内。这种温度补偿型水晶振荡器在被安装于电子设备等的安装基板上后,安装基板上第二凹部的开口部就处于堵塞状态。该状态下,安装基板上安装的其他电子元器件会发热,热量经由安装基板传递至第二凹部内,将第二凹部内的空气加热。加热的空气将滞留在第二凹部内,因此具有温度传感器的集成电路元件周围的温度就会上升。这样,水晶元件周围的温度与集成电路元件周围的温度就会出现差异,在通过集成电路元件对水晶元件进行温度修正时,温度补偿型水晶振荡器的振荡频率可能发生变化。
本发明鉴于上述问题而完成,其目的在于提供一种温度补偿型水晶振荡器,可抑制集成电路元件周围温度与水晶元件周围温度之间的差异,并减少振荡频率的变化。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明之一种形态所述的温度补偿型水晶振荡器,其特征在于,具备:矩形形状的基板;框体,设置于基板上表面;安装框体,具有沿上表面外周边缘设置的接合焊盘,通过使沿基板下表面外周边缘设置的接合端子与接合焊盘相接合,从而设置于基板的下表面;水晶元件,安装于电极焊盘,该电极焊盘设置于基板上表面并在由框体包围的区域内;具有温度传感器的集成电路元件,安装于连接焊盘,该连接焊盘设置于基板下表面并在由安装框体包围的区域内;以及盖体,该盖体与框体上表面接合。
发明效果
本发明之一种形态所述的温度补偿型水晶振荡器通过上述结构,在基板的下表面与安装框体的上表面之间设有间隙部,因此,例如本发明所述温度补偿型水晶振荡器被安装在电子设备等的安装基板上时,即使该安装基板上安装的其他电子元器件发热,该热量经由安装基板传递至第二凹部内,被该热量加热的空气也不会滞留在第二凹部内,而是通过间隙部流出外部,并且外部空气可通过间隙部进入第二凹部内,因此热量对第二凹部内安装的具有温度传感器的集成电路元件的影响可以得到缓和。因此,这种温度补偿型水晶振荡器可减少集成电路元件周围温度与水晶元件周围温度之间的差异,因此,通过对水晶元件的频率温度特性进行可靠修正,可减少振荡频率的变化。
附图说明
图1是第1实施方式所述温度补偿型水晶振荡器的分解立体图。
图2(a)是沿图1中IIa-IIa线的截面图,(b)是沿图1中IIb-IIb线的截面图。
图3(a)是从上表面观察构成第1实施方式所述温度补偿型水晶振荡器的封装的透视平面图,(b)是从上表面观察构成第1实施方式所述温度补偿型水晶振荡器的封装的基板的透视平面图。
图4(a)是从下表面观察构成第1实施方式所述温度补偿型水晶振荡器的封装的基板的平面透视图,(b)是从下表面观察第1实施方式所述温度补偿型水晶振荡器的平面透视图。
图5(a)是从上表面观察构成第1实施方式所述温度补偿型水晶振荡器的安装框体的平面图,(b)是从下表面观察构成第1实施方式所述温度补偿型水晶振荡器的安装框体的平面图。
图6(a)是表示第一变形例所述温度补偿型水晶振荡器的集成电路元件附近的截面图,(b)是表示第一变形例所述温度补偿型水晶振荡器的安装框体附近的截面图。
图7是第2实施方式所述水晶振荡器的概要结构的分解立体图。
图8是沿图7中VIIII-VIII线的截面图。
图9是图7中水晶振荡器的安装框体的平面图。
图10(a)是图8中区域X的放大图,(b)是第二变形例所述水晶振荡器相当于(a)的图。
具体实施方式
以下,参照附图,说明第1实施方式、其变形例(第1变形例)、第2实施方式及其变形例(第2变形例)所述的水晶振荡器。需要说明的是,从第1变形例以后,针对和已经说明的结构相同或类似的结构,有时使用的符号与已说明的结构相同,将省略说明。此外,针对和已经说明的结构相对应(类似)的结构,即使使用的符号与已说明的结构不同,对于没有特别说明的事项,与对该对应的结构已经说明的事项相同。
<第1实施方式>
本实施方式所述温度补偿型水晶振荡器如图1及图2所示,包含封装110、接合于封装110上表面的水晶元件120、以及接合于封装110下表面的集成电路元件150。封装110上,由基板110a的上表面和框体110b的内侧面包围形成了第一凹部K1。此外,基板110a的下表面和安装框体160的内侧面包围形成了第二凹部K2。这种温度补偿型水晶振荡器用于输出电子设备等中使用的基准信号。
基板110a为矩形形状,作为安装部件发挥功能,用于安装在上表面安装的水晶元件120及在下表面安装的集成电路元件150。在基板110a的上表面设有用于安装水晶元件120的电极焊盘111,在下表面设有用于安装集成电路元件150的连接焊盘115。此外,沿基板110a的一条边,设有用于接合水晶元件120的第一电极焊盘111a以及第二电极焊盘111b。在基板110a下表面的四个角,设有接合端子112。此外,在基板110a的下表面中央,设有一对测定焊盘119,并以包围该一对测定焊盘119的方式设有用于安装集成电路元件150的六个连接焊盘115。接合端子112与连接焊盘115中位于外侧的四个连接焊盘电性连接。
基板110a例如由氧化铝陶瓷或玻璃陶瓷等陶瓷材料的绝缘层构成。基板110a可使用一层绝缘层,亦可使用多层绝缘层进行层叠得到。在基板110a的表面及内部,设有用于将设置在上表面的电极焊盘111与设置在基板110a下表面的测定焊盘119电性连接的布线图案113以及过孔导体114。此外,在基板110a的表面,设有用于将设置在下表面的连接焊盘115及测定焊盘119与设置在基板110a下表面的接合端子112电性连接的连接图案116。
框体110b沿基板110a上表面配置,用于在基板110a的上表面形成第一凹部K1。框体110b例如由氧化铝陶瓷或玻璃陶瓷等陶瓷材料构成,与基板110a形成为一体。
电极焊盘111用于安装水晶元件120。电极焊盘111在基板110a的上表面设有一对,沿着基板110a的一条边邻接设置。如图3及图4所示,电极焊盘111经由设置在基板110a上表面的布线图案113和过孔导体114,与设置在基板110a下表面的接合端子112电性连接。
如图3所示,电极焊盘111由第一电极焊盘111a及第二电极焊盘111b构成。过孔导体114由第一过孔导体114a及第二过孔导体114b构成。布线图案113由第一布线图案113a以及第二布线图案113b构成。测定焊盘119由第一测定焊盘119a及第二测定焊盘119b构成。第一电极焊盘111a与设置于基板110a的第一布线图案113a的一端电性连接。第一布线图案113a的另一端经由第一过孔导体114a,与第一测定焊盘119a电性连接。因此,第一电极焊盘111a与第一测定焊盘119a电性连接。第二电极焊盘111b与设置于基板110a的第二布线图案113b的一端电性连接。第二布线图案113b的另一端经由第二过孔导体114b,与第二测定焊盘119b电性连接。因此,第二电极焊盘111b与第二测定焊盘119b电性连接。
接合端子112用于与安装框体160的接合焊盘161电性连接。如图4(a)所示,接合端子112设置于基板110a下表面的四个角,由第一接合端子112a、第二接合端子112b、第三接合端子112c以及第四接合端子112d构成。接合端子112分别与设置于基板110a下表面的连接焊盘115电性连接。第二接合端子112b经由接地用过孔导体117与密封用导体图案118电性连接。
布线图案113设置于基板110a的上表面,从电极焊盘111向附近的基板110a的过孔导体114引出。此外,如图3所示,布线图案113由第一布线图案113a以及第二布线图案113b构成。
过孔导体114设置于基板110a的内部,其两端与布线图案113及测定焊盘119电性连接。过孔导体114通过在设置于基板110a的贯通孔内部填充导体来设置。在俯视时,过孔导体114如图4所示,被设置于与安装框体160重叠的位置。这样,本实施方式的温度补偿型水晶振荡器中,通过减少电子设备等的安装基板上的安装图案与过孔导体114之间产生的寄生电容,从而水晶元件120不会被附加寄生电容,因此可减少水晶元件120的振荡频率发生变化的情况。
连接焊盘115用于安装集成电路元件150。如图4所示,连接焊盘115由第一连接焊盘115a、第二连接焊盘115b、第三连接焊盘115c以及第四连接焊盘115d、第五连接焊盘115e以及第六连接焊盘115f构成。第一连接焊盘115a与第一接合端子112a通过设置于基板110a下表面的第一连接图案116a连接,第二连接焊盘115b与第二测定焊盘119b通过设置于基板110a下表面的第二连接图案116b连接。第三连接焊盘115c与第四接合端子112d通过设置于基板110a下表面的第三连接图案116c连接,第四连接焊盘115d与第三接合端子112c通过设置于基板110a下表面的第四连接图案116d连接。第五连接焊盘115e与第一测定焊盘119a通过设置于基板110a下表面的第五连接图案116e连接,第六连接焊盘115f与第二接合端子112b通过设置于基板110a下表面的第六连接图案116f连接。连接图案116设置于基板110a的下表面,从连接焊盘115向附近的接合端子112及测定焊盘119引出。
密封用导体图案118经由密封部件131和盖体130接合时,可发挥改善密封部件131的浸润性的作用。如图3及图4所示,密封用导体图案118经由接地用过孔导体117,与第二接合端子112b电性连接。密封用导体图案118通过在例如由钨或钼等形成的导体图案表面,以将框体110b的上表面环状包围的形态依次进行镀镍及镀金,从而形成例如10~25μm的厚度。
测定焊盘119通过与触针等接触,来测定水晶元件120的特性。测定焊盘119由第一测定焊盘119a及第二测定焊盘119b构成。测定焊盘119经由设置在基板110a的布线图案113和过孔导体114,与设置在基板110a上表面的电极焊盘111电性连接。第一测定焊盘119a经由第五连接图案116e与第五连接焊盘115e电性连接。此外,第二测定焊盘119b经由第二连接图案116b与第二连接焊盘115b电性连接。在俯视时,测定焊盘119被设置于与集成电路元件150重叠的位置。这样,通过减少电子设备等的安装基板上的安装图案与测定焊盘119之间产生的寄生电容,从而水晶元件120不会被附加寄生电容,因此可减少水晶元件120的振荡频率发生变化的情况。
这里,以俯视封装110时的一边尺寸为1.0~2.0mm为例,说明测定焊盘119的大小。测定焊盘的长边长度为0.5~0.8mm,短边长度为0.45~0.75mm。此外,水晶元件120的测定是在安装框体160的安装之前进行,因此测定焊盘119与现有的温度补偿型水晶振荡器相比,可增大测定焊盘的面积。由于可增大测定焊盘119的面积,因此可减少触针与测定焊盘119接触不良的情况。因此,可抑制因触针与测定焊盘119接触不良而导致重新测定水晶元件120,从而可提高温度补偿型水晶振荡器的生产性。
此外,作为用于测定水晶元件120特性的电气特性测定器,可使用能够测定水晶元件120的谐振频率、晶体阻抗、以及电感、电容等等效参数的网络分析仪或阻抗分析仪等。该触针由高导电性插针和具有弹性的插座构成,所述高导电性触针在铜、银等的合金表面实施了镀金,所述插座可抑制接触时的冲击,通过将该触针按压于测定焊盘119使两者接触来进行测定。
此处,说明基板110a的制作方法。基板110a由氧化铝陶瓷构成时,首先要准备多张陶瓷生片,该陶瓷生片通过在规定的陶瓷材料粉末中添加、混合适当的有机溶剂等而获得。然后,在陶瓷生片的表面或预先通过冲孔等方式在陶瓷生片上设置的贯通孔内,利用目前众所周知的丝网印刷等技术,涂布规定的导体糊料。进而,将这些生片进行层叠并加压成型,在高温下进行烧制。最后,在导体图案的规定部位,具体而言即电极焊盘111、接合端子112、布线图案113、过孔导体114、连接焊盘115、连接图案116、接地用过孔导体117、密封用导体图案118以及测定焊盘119的部位实施镀镍、镀金、银钯等处理制作而成。导体糊料例如由钨、钼、铜、银或银钯等金属粉末的烧结体等构成。
安装框体160与基板110a下表面接合,用于在基板110a的下表面形成第二凹部K2。安装框体160例如由玻璃环氧树脂等绝缘性基板构成,经由导电性接合材料170与基板110a下表面接合。在安装框体160的内部,设有用于将设置在上表面的接合焊盘161与设置在安装框体160下表面的外部端子162电性连接的导体部163。在安装框体160上表面的四个角,设有接合焊盘161,在下表面的四个角,设有外部端子162。此外,外部端子162与集成电路元件150电性连接。
接合焊盘161经由导电性接合材料170与基板110a的接合端子112电性接合。如图5所示,接合焊盘161由第一接合焊盘161a、第二接合焊盘161b、第三接合焊盘161c以及第四接合焊盘161d构成。此外,如图5所示,外部端子162由第一外部端子162a、第二外部端子162b、第三外部端子162c以及第四外部端子162d构成。导体部163由第一导体部163a、第二导体部163b、第三导体部163c以及第四导体部163d构成。第一接合焊盘161a经由第一导体部163a,与第一外部端子162a电性连接,第二接合焊盘161b经由第二导体部163b,与第二外部端子162b电性连接。第三接合焊盘161c经由第三导体部163c,与第三外部端子162c电性连接,第四接合焊盘161d经由第四导体部163d,与第四外部端子162d电性连接。
外部端子162用于安装至电子设备等的安装基板。外部端子162设置于安装框体160下表面的四个角。外部端子162分别与设置于基板110a下表面的六个连接焊盘115其中的四个电性连接。此外,第二外部端子162b与安装焊盘连接,所述安装焊盘与电子设备等的安装基板上的基准电位即接地电位连接。这样,与密封用导体图案118接合的盖体130与成为接地电位的第二外部端子162b连接。因此,盖体130对第一凹部K1内的屏蔽性得以提高。并且,第一外部端子162a作为输出端子使用,第三外部端子162c作为功能端子使用,第四外部端子162d作为电源电压端子使用。功能端子作为写入读取端子以及频率控制端子使用。这里,写入读取端子用于将温度补偿用控制数据写入存储元件部,以及将写入存储元件部的温度补偿用控制数据进行读取。频率控制端子用于在施加电压时,使振荡电路部的变容二极管的负载电容发生变化,以此对水晶元件的温度特性进行修正。
导体部163用于将基板110a上表面的接合焊盘161与下表面的外部端子162电性连接。在安装框体160的四个角上设置贯通孔,在贯通孔的内壁面形成导电部件,将其上表面用接合焊盘161堵住,其下表面用外部端子162堵住,从而形成导体部163。
俯视时,第二凹部K2的开口部形状为矩形形状。这里,以俯视基板110a时的长边尺寸为1.2~2.5mm,短边尺寸为1.0~2.0mm为例,说明第二凹部K2的开口部的大小。第二凹部K2的长边长度为0.8~1.5mm,短边长度为0.5~1.2mm。
以下说明将安装框体160接合到基板110a的方法。首先,通过例如点胶机及丝网印刷,将导电性接合材料170涂布于第一接合焊盘161a、第二接合焊盘161b、第三接合焊盘161c、以及第四接合焊盘161d。以使基板110a的接合端子112位于导电性接合材料170上的方式传送基板110a,将其载置于导电性接合材料170上。然后,通过加热硬化,使导电性接合材料170硬化收缩。这样,将基板110a的接合端子112接合于接合焊盘161。即,基板110a的第一接合端子112a与第一接合焊盘161a接合,基板110a的第二接合端子112b与第二接合焊盘161b接合。基板110a的第三接合端子112c与第三接合焊盘161c接合,基板110a的第四接合端子112d与第四接合焊盘161d接合。
并且,通过经由导电性接合材料170接合基板110a的接合端子112与安装框体160的接合焊盘161,从而如图2(b)所示,在基板110a与安装框体160之间,设有间隙部H,其厚度等于导电性接合材料170的厚度与接合端子112以及接合焊盘161厚度的和。这样,例如本实施方式的温度补偿型水晶振荡器被安装在电子设备等的安装基板上时,即使该安装基板上安装的其他功率放大器等电子元器件发热,且该热量经由安装基板传递至第二凹部K2内,被该热量加热的空气也不会滞留在第二凹部K2内,而是通过间隙部H流出外部,并且外部空气可通过间隙部H进入第二凹部K2,因此热量对第二凹部K2内具有温度传感器的集成电路元件150的影响可以得到缓和。因此,可减少集成电路元件150周围温度与水晶元件120周围温度之间的差异,从而通过对水晶元件120的频率温度特性进行可靠修正,可减少振荡频率的变化。
此处,说明安装框体160的制作方法。安装框体160为玻璃环氧树脂时,需使玻璃纤维构成的基材浸渍环氧树脂的前驱体,然后在规定温度下使该环氧树脂前驱体热硬化,由此制作。然后,形成导体图案的规定部位,具体而言,接合焊盘161及外部端子162例如将加工为规定形状的铜箔转印在玻璃环氧树脂形成的树脂片上,将转印有铜箔的树脂片层叠并以粘合剂粘合形成。导体部163是通过导体糊料的印刷或电镀法,附着于树脂片上形成的贯通孔的内表面而形成,或者填充贯通孔而形成。这种导体部163例如通过树脂成型使金属箔或金属柱一体化,再利用溅射法、蒸镀法等方法附着而形成。
如图1及图2所示,水晶元件120经由导电性粘合剂140接合于电极焊盘111上。通过稳定的机械振动与压电效果,水晶元件120将发挥振荡产生电子装置等的基准信号的作用。
并且,如图1及图2所示,水晶元件120具有在水晶素板121的上表面及下表面分别覆盖有激振用电极122及引出电极123的结构。激振用电极122是在水晶素板121的上表面及下表面分别以规定的图案覆盖、形成金属而得到的。激振用电极122在上表面具有第一激振用电极122a,在下表面具有第二激振用电极122b。引出电极123从激振用电极122朝向水晶素板121的一条边分别延伸而出。引出电极123在上表面具有第一引出电极123a,在下表面具有第二引出电极123b。第一引出电极123a从第一激振用电极122a引出,设置成朝向水晶素板121的一条边延伸而出。第二引出电极123b从第二激振用电极122b引出,设置成朝向水晶素板121的一条边延伸而出。即,引出电极123沿水晶素板121的长边或短边的形状设置。此外,在本实施方式中,将与第一电极焊盘111a及第二电极焊盘111b连接的水晶元件120的一端作为与基板110a的上表面连接的固定端,将另一端作为与基板110a上表面空开间隔的自由端,以这种单边支承结构将水晶元件120固定于基板110a上。
此处,针对水晶元件120的动作进行说明。水晶元件120中,当来自外部的交流电压从引出电极123经由激振用电极122被施加于水晶素板121时,水晶素板121以规定的振动模式以及频率激振。
此处,针对水晶元件120的制作方法进行说明。制作水晶元件120时首先要进行斜切加工,以规定的切割角度从人工水晶体进行切断,使水晶素板121外周厚度较薄,使水晶素板121中央部的厚度比水晶素板121外周部厚。然后,通过光刻技术、蒸镀技术或溅射技术,将金属膜被覆于水晶素板121的两主面,形成激振用电极122、引出电极123,从而制成水晶元件120。
以下说明将水晶元件120接合到基板110a的方法。首先,使用例如点胶机,将导电性粘合剂140涂布于第一电极焊盘111a及第二电极焊盘111b。将水晶元件120传送至导电性粘合剂140上,并载置于导电性粘合剂140上。接着,通过加热硬化,使导电性粘合材料140硬化收缩。水晶元件120便接合于电极焊盘111。即,水晶元件120的第一引出电极123a与第二电极焊盘111b接合,第二引出电极123b与第一电极焊盘111a接合。这样,第一接合端子112a与第三接合端子112c便与水晶元件120电性连接。并且,第一接合端子112a及第三接合端子112c经由导电性接合材料170与第一接合焊盘161a及第三接合焊盘161c接合,因此第一外部端子162a与第三外部端子162c电性连接。即,第一外部端子162a与第三外部端子162c与水晶元件120电性连接。
水晶元件120以第一布线图案113a或第一过孔导体114a位于与水晶元件120的自由端相对的位置的方式安装。这样,即使以水晶元件120的引出电极123与电极焊盘111接合的位置为轴发生倾斜,由于水晶元件120的自由端会接触第一布线图案113a或第一过孔导体114a,因此可抑制水晶元件120的自由端接触基板110a的上表面。如果在水晶元件120的自由端与基板110a接触的状态进行落下试验,水晶元件120的自由端可能破损。通过这种方式,可抑制水晶元件120的自由端侧破损的问题,并减少水晶元件120振荡频率变化的情况。
导电性粘合剂140是指在硅树脂等粘接剂中含有导电性粉末作为导电填料的物质,导电性粉末可使用含有铝、钼、钨、铂、钯、银、钛、镍或镍铁中的任一者,或它们的组合的物质。作为粘接剂,可使用例如硅树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂或双马来酰亚胺树脂。
集成电路元件150例如使用具有多个连接焊盘的矩形形状的倒装芯片型集成电路元件,在其电路形成面(上表面)设有:用于检测周围温度状态的温度传感器;用于存储对水晶元件120的温度特性进行补偿的温度补偿数据的存储元件部;基于温度补偿数据,根据温度变化对水晶元件120的振动特性进行修正的温度补偿电路部;以及与该温度补偿电路部连接,产生规定的振荡输出的振荡电路部。该振荡电路部所产生的输出信号经由安装框体160的第一外部端子162a,输出至温度补偿型水晶振荡器之外,例如作为时钟信号等的基准信号使用。
存储元件部由PROM或EEPROM构成。作为温度补偿函数的下文所示三次函数中使用的参数,例如三次分量调整值α、一次分量调整值β、0次分量调整值γ的各数值的温度补偿用控制数据从第三外部端子162c即写入读取端子输入并保存。存储元件部中存储了寄存器映射。寄存器映射表示在各地址数据中输入了控制数据时,控制部读取该数据,输出信号,以及采取什么样的动作。
温度补偿电路部由三次函数产生电路或五次函数产生电路等构成。例如,使用三次函数产生电路时,读取该存储元件部中输入的温度补偿用控制数据,产生由温度补偿用控制数据导出的与各温度呈三次函数关系的电压。此时的外部的环境温度由集成电路元件150内的温度传感器获得。温度补偿电路部与变容二极管的阴极连接,来自温度补偿电路部的电压施加于阴极。这样,通过将来自温度补偿电路部的电压施加于变容二极管,来对水晶元件120的频率温度特性进行修正,从而可使频率温度特性得以平坦化。
如图2所示,集成电路元件150经由焊锡等导电性接合材料170被安装于基板110a下表面上设置的连接焊盘115。集成电路元件150的连接端子151与连接焊盘115连接。连接焊盘115经由连接图案116与接合端子112电性连接。接合端子112经由导电性接合材料170与接合焊盘161电性连接。接合焊盘161经由导体部163与外部端子162电性连接。因此,连接焊盘115经由接合端子112与外部端子162电性连接。该第二外部端子162b与安装焊盘连接,从而发挥接地端子的作用,所述安装焊盘与电子设备等的安装基板上的基准电位即地线连接。因此,集成电路元件150的连接端子151中的一个与基准电位即地线连接。
此外,设置于集成电路元件150内的温度传感器设置成在俯视时位于测定焊盘119之内。通过这种方式,由水晶元件120传递的热量,从电极焊盘111经由布线图案113及过孔导体114,传递至测定焊盘119,并由测定焊盘119散热,传递至集成电路元件150内设置的温度传感器。因此,温度补偿型水晶振荡器可缩短热传导路径,故而水晶元件120的温度与集成电路元件150的温度近似,可进一步减少由集成电路元件150的温度传感器获得的温度与实际水晶元件120周围温度之间的差异。
以下说明将集成电路元件150接合到基板110a的方法。首先,将导电性接合材料170例如通过点胶机涂布于连接焊盘115。将集成电路元件150载置于导电性接合材料170上。然后,通过加热,使导电性接合材料170熔融接合。由此,集成电路元件150便接合于连接焊盘115。
此外,如图1及图2所示,集成电路元件150为矩形形状,在其下表面设有六个连接端子151。连接端子151沿一条边设置三个,并沿与该一条边相对的一条边设置三个。集成电路元件150的长边长度为0.5~1.2mm,短边长度为0.3~1.0mm。集成电路元件150厚度方向的长度为0.1~0.3mm。
导电性接合材料170由例如银浆或无铅焊锡构成。此外,导电性接合材料中含有用于调节粘度以方便涂布的溶剂。无铅焊锡的成分比例为锡:95~97.5%、银:2~4%、铜:0.5~1.0%。
盖体130例如由含有铁、镍或钴中至少一种金属的合金构成。这种盖体130用于气密性地密封处于真空状态或填充了氮气等的第一凹部K1。具体而言,将盖体130在规定的气氛中,载置于封装110的框体110b上,施加规定电流进行缝焊,以将框体110b的密封用导体图案118与盖体130的密封部件131焊接,由此接合于框体110b。此外,盖体130经由密封用导体图案118及接地用过孔导体117,与基板110a下表面的第二接合端子112b电性连接。第二接合端子112b经由导电性接合材料170与第二接合焊盘161b电性连接。第二接合焊盘161b经由第二导体部163b与第二外部端子162b电性连接。因此,盖体130与安装框体160的第二外部端子162b电性连接。
密封部件131被设置于盖体130,位置与设置在封装110的框体110b上表面的密封用导体图案118相对。密封部件131例如通过银钎或金锡来设置。使用银钎时,其厚度为10~20μm。例如使成分比例为银:72~85%、铜:15~28%。使用金锡时,其厚度为10~40μm。例如使成分比例为金:78~82%、锡:18~22%。
本发明实施方式所述温度补偿型水晶振荡器具备:矩形形状的基板110a;框体110b,其设置于基板110a的上表面;安装框体160,其具有沿上表面外周边缘设置的接合焊盘161,通过使沿基板110a下表面外周边缘设置的接合端子112与接合焊盘161相接合,从而设置于基板110a的下表面。这样,在基板110a的下表面与安装框体160的上表面之间设有间隙部H,因此,例如本发明所述温度补偿型水晶振荡器被安装在电子设备等的安装基板上时,即使该安装基板上安装的其他电子元器件发热,该热量经由安装基板传递至第二凹部K2内,被该热量加热的空气也不会滞留在第二凹部K2内,而是通过间隙部H流出外部,并且外部空气可通过间隙部H进入第二凹部K2内,因此热量对第二凹部K2内安装的具有温度传感器的集成电路元件150的影响可以得到缓和。因此,这种温度补偿型水晶振荡器可减少由温度传感器所测定的温度与实际水晶元件120周围温度之间的差异,因此,通过对水晶元件120的频率温度特性进行可靠修正,可减少振荡频率发生变化的情况。
并且,本发明的实施方式所述温度补偿型水晶振荡器中,过孔导体114在俯视时,设置于与安装框体160重叠的位置。这样,通过减少电子设备等的安装基板上的安装图案与过孔导体114之间产生的寄生电容,从而水晶元件120不会被附加寄生电容,因此可减少水晶元件120的振荡频率发生变化的情况。并且,本发明的实施方式所述温度补偿型水晶振荡器中,测定焊盘119在俯视时,设置于与集成电路元件150重叠的位置。这样,通过减少电子设备等的安装基板上的安装图案与测定焊盘119之间产生的寄生电容,从而水晶元件120不会被附加寄生电容,因此可进一步减少水晶元件120的振荡频率发生变化的情况。
(第一变形例)
以下,说明本实施方式的第一变形例所述温度补偿型水晶振荡器。需要说明的是,本实施方式的第一变形例所述温度补偿型水晶振荡器中,与上述温度补偿型水晶振荡器同样的部分被赋予相同的符号,省略说明。如图6所示,本实施方式的第一变形例所述温度补偿型水晶振荡器中,在基板110a的下表面和安装框体160的上表面之间设置的间隙部H内以及集成电路元件150与连接焊盘115之间设有绝缘性树脂180,这一点与本实施方式不同。
绝缘性树脂180如图6(a)所示,被设置于集成电路元件150的连接端子151的设置面与连接焊盘115之间。这样,绝缘性树脂180便可提高集成电路元件150与基板110a下表面之间的粘合强度。并且,即使假设在将温度补偿型水晶振荡器安装于电子设备等的安装基板的安装焊盘上时,焊锡等异物进入第二凹部内,也可通过绝缘性树脂180,抑制该异物附着于集成电路元件150的连接端子151之间,因此,可减少集成电路元件150的连接端子151之间发生短路的问题。绝缘性树脂180由环氧树脂或以环氧树脂为主成分的复合树脂等树脂材料构成。
此外,绝缘性树脂180以覆盖测定焊盘119的方式设置。通过这种方式,可抑制异物附着于测定焊盘119,因此可抑制该异物的附加电阻被附加于水晶元件120的情况。因此,可减少水晶元件120振荡频率发生变化的情况。
如图6(b)所示,绝缘性树脂180设置于基板110a的下表面与安装框体160的上表面之间设置的间隙部H内。这样,绝缘性树脂180便可提高基板110a下表面与安装框体160上表面之间的粘合强度。此外,绝缘性树脂180设置于过孔导体114的下表面,过孔导体114下表面的外周边缘便由绝缘性树脂180与基板110a固定。这样,即使基板110a产生弯曲等现象,由于过孔导体利用绝缘性树脂180得以固定,因此可减少过孔导体114从其外周边缘与基板110a之间的界面剥离的情况。并且,通过减少过孔导体114从其外周边缘与基板110a之间的界面剥离的情况,可防止过孔导体114与基板110a之间的界面中产生间隙,因此能提高基板110a的气密性。
以下说明将绝缘性树脂180形成于基板110a的方法。将该树脂点胶机的前端插入第二凹部K2的间隙,注入绝缘性树脂180。然后加热绝缘性树脂180,并使其硬化。由此,绝缘性树脂180就被设置在基板110a的下表面与安装框体160的上表面之间设置的间隙部H内以及集成电路元件150与连接焊盘115之间。
本实施方式的第一变形例所述温度补偿型水晶振荡器中,在基板110a的下表面和安装框体160的上表面之间设置的间隙部H内以及集成电路元件150与连接焊盘115之间设有绝缘性树脂180。这样,便可提高集成电路元件150与基板110a下表面之间的粘合强度。并且,本实施方式的第一变形例所述温度补偿型水晶振荡器中,在基板110a的下表面和安装框体160的上表面之间设置的间隙部H内,设有绝缘性树脂180。这样,绝缘性树脂180便可提高基板110a下表面与安装框体160上表面之间的接合强度。
本实施方式第一变形例所述温度补偿型水晶振荡器中,绝缘性树脂180以堵塞过孔导体114下表面的方式设置,因此通过绝缘性树脂180,过孔导体114的下表面外周边缘与基板110a固定,故而可抑制过孔导体114因基板110a弯曲等原因而从过孔导体114的外周边缘与基板110a之间的界面剥离的现象,并可提高基板110a的气密性。
<第2实施方式>
以下,针对第2实施方式及其变形例,参照图7~图10进行说明。需要说明的是,在这些图中,出于明确图相互之间的关系等目的,方便起见,添加了正交坐标系xyz。x轴、y轴及z轴是基于部件形状等,为方便而定义,并非代表压电体(水晶)的电气轴、机械轴以及光轴。
(水晶振荡器的结构)
图7是第2实施方式所述水晶振荡器201(以下省略“水晶”)的概要结构的分解立体图。图8是沿图7中VIII-VIII线的截面图。
振荡器201主要是安装框体260的结构与第1实施方式不同,其他与第1实施方式基本相同。需要说明的是,在本实施方式的说明中,包含封装110、水晶元件120及盖体130的范围有时被称为“振子203”进行参照。此外,针对安装框体,将绝缘体部分与绝缘体部分及导体部分的组合明确区分加以说明。具体而言,安装框体260是指包含绝缘基板264、外部端子162以及接合焊盘261等的部分。
安装框体260例如可采用与硬性印刷布线基板同样的结构。例如,安装框体260具有绝缘基板264、设置于绝缘基板264的各种导体(例如金属)、以及用于减少各种导体短路情况的阻焊剂265。各种导体是指,例如用于将振子203安装于安装框体260的多个(本实施方式中为4个)接合焊盘261、用于将安装框体260安装于未图示的电路基板的多个(本实施方式中为4个)的外部端子162、以及连接多个接合焊盘261与多个外部端子162的多个(本实施方式中为4个)通孔导体263(图7)。
绝缘基板264例如由玻璃环氧材料构成。绝缘基板264(安装框体260)具有第1主面264a、位于其背面的第2主面264b、从第1主面264a向第2主面264b贯通的开口部264h(第二凹部K2)。绝缘基板264及开口部264h的平面形状可适当设定。例如,绝缘基板264的外形为矩形。此外,例如开口部264h的形状为角部经过倒角的矩形。
多个接合焊盘261例如围绕开口部264h,以层状设置于第1主面264a的4个角侧。多个外部端子162例如围绕开口部264h,以层状设置于第2主面264b的4个角。通孔导体263例如位于比多个接合焊盘261更靠近第1主面264a的4个角侧的位置,以层状设置于从第1主面264a向第2主面264b贯通绝缘基板264的通孔的内周面。
接合焊盘261与外部端子162的平面形状、以及将它们与通孔导体263连接的连接导体的形状可适当设定。本实施方式中,接合焊盘261与外部端子162为矩形,它们与通孔周围的圆形焊盘直接连接。需要说明的是,由于开口部264的角部经过倒角,因此,多个接合焊盘261与外部端子162在开口部264h侧的部分(角部)比开口部264h的角部未被倒角时假想的角部更靠近开口部264h侧。
阻焊剂265通常由包含颜料等的热硬化性树脂(例如环氧树脂)构成。但在本申请中,阻焊剂的术语泛指由绝缘性树脂构成的皮膜,例如亦可不包含颜料。阻焊剂265例如使多个接合焊盘261露出,并覆盖第1主面264a。需要说明的是,阻焊剂265亦可使外部端子162露出并覆盖第2主面264b,也可覆盖绝缘基板264的侧面。
振子203通过第一导电性接合材料170a(导电性接合材料170、凸焊点、图8)使设置于封装110的多个接合端子112与接合焊盘261接合,从而固定于安装框体260并与其电性连接。接合焊盘261以包围开口部264h的方式配置,因此振子203以从第1主面264a侧覆盖开口部264h的方式被安装于安装框体260。需要说明的是,振子203的面积例如比开口部264h的面积大,在俯视时,开口部264h在振子203之中。
并且,安装在振子203的由接合焊盘261包围的区域之内的集成电路元件150被收纳在开口部264h中。图8中,集成电路元件150的顶面(z方向上的负侧面)比第2主面264b更靠近内部侧(z方向上的正侧),但该顶面亦可与第2主面264b大致在一个平面上。
如图8所示,集成电路元件150与振子203之间填充有绝缘性树脂180(底部填充物)。绝缘性树脂180例如由热硬化性树脂(例如环氧树脂)构成。绝缘性树脂180可含有热膨胀系数低于树脂的填料(例如由SiO2构成)。绝缘性树脂180可设置成将集成电路元件150的侧面覆盖至适当高度,亦可设置成不仅覆盖侧面,同时将集成电路元件150的顶面也覆盖。
基板110a经由相当于接合端子112、第一导电性接合材料170a以及接合焊盘261厚度的间隙,与安装框体260的绝缘基板264相对。绝缘性树脂180从开口部264h内向基板110a与绝缘基板264之间的间隙扩展。
图9是安装框体260的第1主面264a侧的平面图。
如图7及图9所示,安装框体260上,除了接合焊盘261的配置区域之外,还设有阻焊剂265的非配置区域。具体如下。
首先,在开口部264h的内周面,具有没有配置阻焊剂265的第1非配置区域R1。第1非配置区域R1例如为开口部264h的整个内周面。
并且,第1主面264a具有连结开口部264h与接合焊盘261的第2非配置区域R2、与接合焊盘261邻接并包围接合焊盘261的第3非配置区域R3、以及与开口部264h邻接并包围开口部264h的第4非配置区域R4,以作为没有配置阻焊剂265的非配置区域。
第2非配置区域R2在本实施方式中,由第3非配置区域R3与第4非配置区域R4的交叉部构成(包含于第3非配置区域R3与第4非配置区域R4。)。
第3非配置区域R3例如以大致固定的宽度形成为沿接合焊盘261的边缘部延伸的形状(槽状)。第3非配置区域R3例如包围除接合焊盘261与通孔导体263的连接部之外的接合焊盘261。需要说明的是,这里所说的“包围”例如只要第3非配置区域R3跨过接合焊盘261边缘部的一半以上即可。
第4非配置区域R4例如以大致固定的宽度形成为沿开口部264h的边缘部延伸的形状(槽状)。该延伸的形状可如虚线那样是分散的。第4非配置区域R4例如将开口部264h的整体包围。这里所说的“包围”只要一个或多个第4非配置区域R4跨过开口部264h边缘部的一半以上,或以120°以下的中心角对开口部264h的边缘部进行至少3等分时,第4非配置区域R4位于分割得到的各区间的至少一部分即可。
第2非配置区域R2~第4非配置区域R4的宽度可适当设定。例如,将其宽度设为30μm以上200μm以下。其宽度可小于阻焊剂265的厚度,亦可比其大。
图10(a)是图8中区域X的放大图。
阻焊剂265例如形成为比接合焊盘261(以及其他第1主面264a上的导电层)厚。例如,接合焊盘261的厚度在10μm以上40μm以下,而阻焊剂265的厚度比其厚5μm以上,为15μm以上100μm以下。
如上所述,绝缘性树脂180从开口部264h内向基板110a与安装框体260的绝缘基板264之间的间隙扩展。更具体而言,在第2非配置区域R2~第4非配置区域R4,绝缘性树脂180在基板110a与绝缘基板264之间扩展,并紧密贴合于这些部件。进而,绝缘性树脂180也与接合焊盘261、第一导电性接合材料170a以及接合端子112紧密贴合。此外,虽未特别图示,但绝缘性树脂180亦可在阻焊剂265与基板110a之间扩展,并紧密贴合于这些部件。对于将第二凹部K2与外部连通的封装110与安装框体260之间的间隙,可完全堵塞,也可不完全堵塞。
(水晶振荡器的制造方法)
以下说明具有上述结构的水晶振荡器的制造方法。
首先,准备图7的分解立体图中所示的各个部件,即安装框体260、集成电路元件150、封装110、水晶元件120及盖体130。除具体的形状等外,这些各部件的制造方法可与公知的方法以及第1实施方式同样。
然后,将各部件接合。即,将水晶元件120与封装110接合,将盖体130与封装110接合,将集成电路元件150与封装110接合,并将封装110与安装框体260接合。
至于接合顺序,只要盖体130与封装110的接合在水晶元件120与封装110的接合之后,则无论采用怎样的接合顺序均可。此外,例如,经由测定焊盘119(与集成电路元件150重叠)检查水晶元件120的特性,并据此调整激振用电极122的重量时,需使集成电路元件150与封装110的接合在水晶元件120与封装110的接合之后。
然后,使未硬化状态的绝缘性树脂180经由开口部264h,填充于集成电路元件150与振子203之间。填充例如可通过点胶机进行。
此时,处于未硬化状态的绝缘性树脂180相对于绝缘基板264(第1主面264a)的浸润性比其相对于阻焊剂265的浸润性高。及/或,在阻焊剂265的非配置区域,在第1主面264a与阻焊剂265的侧面所形成的角部、或第1主面264a与阻焊剂265的2个侧面所构成的槽中,会产生吸引阻焊剂265的毛细现象。结果,相比阻焊剂265上,绝缘性树脂180更优先向第2非配置区域R2~第4非配置区域R4上扩展。
然后,在常温的气氛下,通过回流炉等进行加热,使绝缘性树脂180硬化。
(第二变形例)
图10(b)是相当于表示第二变形例的图10(a)的截面图。
第二变形例中,虽然形成了第1非配置区域R1,但未形成2非配置区域R2~第4非配置区域R4。此时,当未硬化状态的绝缘性树脂180被供给至开口部264h时,位于开口部264h一侧的阻焊剂265会起到堤坝的作用,阻止绝缘性树脂180沿第1主面264a流动。结果,绝缘性树脂180不能到达接合焊盘261。
如上所述,本实施方式中,振荡器1具有:安装框体260,其具有从第1主面264a朝向第2主面264b贯通的开口部264h;振子203,其以覆盖开口部264h的方式安装于第1主面264a;以及集成电路元件150,其配置于开口部264h内,并安装于振子203。安装框体260具有:绝缘基板264,其具有第1主面264a、第2主面264b、以及开口部264h;接合焊盘261,其设置于第1主面264a,用于安装振子203;以及阻焊剂265,其使接合焊盘261露出,并覆盖绝缘基板264。在开口部264h的内周面,具有没有配置阻焊剂265的第1非配置区域R1。
因此,例如可通过振子203的封装110与安装框体260的组合,构成振荡器201的封装。其结果,例如通过变更或更换安装框体260便可简单地变更外部端子162的配置及大小。并且,例如与将振子及集成电路元件的双方安装于布线基板从而构成振荡器的情况相比,由于集成电路元件150被收纳于开口部264h,因此可实现小型化。
进而,在开口部264h的内周面没有配置阻焊剂265,因此可将开口部264h的内径在实质上扩大阻焊剂265厚度的2倍,由此,可在实质上扩大开口部264h的面积。其结果,可实现安装框体260的小型化,或搭载较大的集成电路元件5。
并且,在本实施方式中,振荡器1还具有在开口部264h内填充于振子3与集成电路元件5之间的绝缘性树脂180。振子3以与第1主面264a之间形成有间隙的状态安装于第1主面264a。第1主面264a具有第2非配置区域R2,第2非配置区域R2没有配置阻焊剂265,并且将开口部264h与接合焊盘261连结。绝缘性树脂180从开口部264h,经由第2非配置区域R2到达接合焊盘261。
因此,例如通过用于密封集成电路元件150的绝缘性树脂180,使绝缘基板264与振子203接合,可提高两者的接合强度。接合强度的提高是在向接合焊盘261延伸的第2非配置区域R2中完成,因此可提高接合焊盘261与接合端子112之间电性连接的可靠性。其结果为,例如可以低廉的价格且小型结构提高振荡器1的可靠性。通过与图10(b)的第二变形例进行比较便可以理解,通过形成第2非配置区域R2,可以更加可靠地使绝缘性树脂180到达接合焊盘261。
此外,在本实施方式中,第1主面264a上除了上述第2非配置区域R2之外,还具有第3非配置区域R3,该第3非配置区域R3没有配置阻焊剂265,与接合焊盘261邻接并包围接合焊盘261。绝缘性树脂180从第2非配置区域R2向第3非配置区域R3上扩展。
因此,例如在接合焊盘261的周围通过绝缘性树脂180提高了绝缘基板264与振子203之间的接合强度。其结果为,可进一步提高上述接合焊盘261与接合端子112之间电性连接的可靠性。
此外,在本实施方式中,第1主面264a上还具有第4非配置区域R4,该第4非配置区域R4没有配置阻焊剂265,与开口部264h邻接并包围开口部264h。绝缘性树脂180从开口部264h向第4非配置区域R4上扩展。
因此,例如与集成电路元件150紧密贴合的绝缘性树脂180从第1主面264a一侧向第2主面264b一侧与安装框体260卡合。其结果为,例如可抑制将集成电路元件150的连接端子151从振子203的连接焊盘115拉离的力被施加于连接焊盘115。即,仅形成第4非配置区域R4,便可提高振荡器201电性连接的可靠性。
需要说明的是,本发明不限定于本实施方式,在不脱离本发明要旨的范围内,可进行各种变更、改良。上述实施方式中,是针对使用AT用水晶元件的情况对水晶元件进行的说明,但亦可使用具有基部和由基部侧面向同一方向延伸的两根平板状振动臂部的音叉型弯曲水晶元件。
下面针对水晶元件120的斜切加工方法进行说明。准备具有规定粒度的介质和磨粒的研磨材料、以及形成为规定大小的水晶素板121。将准备好的研磨材料与水晶素板121投入圆筒体,用罩盖堵住圆筒体的开口端部。使放入了研磨材料与水晶素板121的圆筒体以圆筒体的中心轴线为旋转轴旋转时,水晶素板121被研磨材料研磨,从而进行斜切加工。
上述实施方式中,针对框体110b与基板110a同样由陶瓷材料一体形成的情况进行了说明,但框体110b也可采用金属制成。此时,框体经由银-铜等钎材料接合于基板的导体膜。
此外,上述实施方式中,是针对导体部163或通孔导体263设置于基板内的情况进行了说明,但导体部163或通孔导体263亦可设置于在安装框体160的角部设置的切入部的内部。此时,导电部设置成在切入部内印刷导体糊料。
安装框体可不仅具有主面,还可以在内部具有与主面平行的导体层。并且,例如安装框体可在第1主面及/或第2主面具有层状的布线等,并以覆盖该布线等的方式具有阻焊剂。
安装框体并非仅限于具有在俯视时与振子大小大致相同的绝缘基板、以及设置于第2主面的层状外部端子的结构。即,安装框体并非仅限于与振子的封装形成所谓H型封装的形状。例如,安装框体可以具有较大的面积,在第1主面上与振子并排安装适当的电子元器件。此外,例如安装框体可以在第2主面上,以覆盖开口部的方式安装加热器等电子元器件。并且,例如安装框体可以在通孔导体(263)中插通插针状的外部端子并加以固定,而不是在第2主面上设置层状的外部端子。
第2实施方式所述安装框体不必形成第1非配置区域~第4非配置区域的全部。例如,可仅形成第1非配置区域~第4非配置区域中的一个,或其中2个,或其中3个。但是,考虑到未硬化状态的底部填充物沿绝缘基板的流动性,第2非配置区域~第4非配置区域优选与第1非配置区域组合,第3非配置区域优选与第2非配置区域组合。
各非配置区域的形状可适当设定。例如,第1非配置区域可仅形成在开口部周向上的一部分及/或贯通方向上的一部分,而不是开口部内周面的整面。此外,例如第2非配置区域可呈从开口部向接合焊盘261延伸的线状。并且,第2非配置区域(及第3非配置区域)可以是以与接合焊盘261相同的宽度从开口部向接合焊盘261延伸的形状。例如,第3非配置区域可以是以较大的宽度包围接合焊盘261的形状,而不是沿接合焊盘261的边缘部延伸的形状。此外,例如第4非配置区域可以不跨过开口部的全周,而分散在开口部边缘部的多个位置。
需要说明的是,优选为阻焊剂位于多个接合焊盘之间,通过阻焊剂抑制接合焊盘之间发生短路的现象。
第1实施方式与第2实施方式可以适当组合。例如,在第1实施方式中,可以在安装框体中,以使将第二凹部K2与外部连通的、封装与安装框体之间的缝隙没有被完全堵塞的面积及/或厚度,设置阻焊剂。第1实施方式中可设置通孔导体,第2实施方式中可设置导体部163。
符号说明
110…封装
110a…基板
110b…框体
111…电极焊盘
112…接合端子
113…布线图案
114…过孔导体
115…连接焊盘
116…连接图案
117…接地用过孔导体
118…密封用导体图案
119…测定焊盘
120…水晶元件
121…水晶素板
122…激振用电极
123…引出电极
130…盖体
131…密封部件
140…导电性粘合剂
150…集成电路元件
151…连接端子
160…安装框体
161…接合焊盘
162…外部端子
163…导体部
170…绝缘性接合材料
180…绝缘性树脂
K1…第一凹部
K2…第二凹部
H…间隙部
Claims (8)
1.一种温度补偿型水晶振荡器,其特征在于,具备:
矩形形状的基板;
框体,其设置于所述基板的上表面;
安装框体,其具有沿上表面外周边缘设置的接合焊盘,通过使沿所述基板的下表面外周边缘设置的接合端子与所述接合焊盘相接合,从而设置于所述基板的下表面;
水晶元件,其安装于电极焊盘,该电极焊盘设置于所述基板的上表面并在由所述框体包围的区域内;
具有温度传感器的集成电路元件,其安装于连接焊盘,该连接焊盘设置于所述基板的下表面并在由所述安装框体包围的区域内;以及
盖体,其与所述框体上表面接合。
2.如权利要求1所述的温度补偿型水晶振荡器,其特征在于,具备:
布线图案,其与所述电极焊盘电性连接,设置于所述基板的上表面;
测定焊盘,其设置于所述基板的下表面;及
过孔导体,其设置于基板,与所述布线图案及所述测定焊盘电性连接,
在俯视时,所述过孔导体位于与所述安装框体重叠的位置。
3.如权利要求2所述的温度补偿型水晶振荡器,其特征在于,
在所述基板下表面与所述安装框体上表面之间设置的间隙部内、以及所述集成电路元件与所述连接焊盘之间,设有绝缘性树脂。
4.如权利要求3所述的温度补偿型水晶振荡器,其特征在于,
所述绝缘性树脂以堵塞所述过孔导体下表面的方式设置。
5.如权利要求1所述的温度补偿型水晶振荡器,其特征在于,
所述安装框体具有:
绝缘基板,其具有用于配置所述集成电路元件的开口部,并且在上表面设有所述接合焊盘;以及
阻焊剂,其使所述接合焊盘露出,并覆盖所述绝缘基板,
所述开口部的内周面具有没有配置所述阻焊剂的第1非配置区域。
6.如权利要求5所述的温度补偿型水晶振荡器,其特征在于,
在所述开口部内还具有填充于所述基板与所述集成电路元件之间的底部填充物,
所述接合端子与所述接合焊盘以在所述基板下表面与所述绝缘基板上表面之间形成有间隙的状态接合,
所述绝缘基板的上表面具有第2非配置区域,该第2非配置区域没有配置所述阻焊剂,并连结所述开口部与所述接合焊盘,
所述底部填充物从所述开口部经由所述第2非配置区域到达所述接合焊盘。
7.如权利要求6所述的温度补偿型水晶振荡器,其特征在于,
所述绝缘基板的上表面具有第3非配置区域,该第3非配置区域没有配置所述阻焊剂,与所述接合焊盘邻接,并包围所述接合焊盘,
所述底部填充物从所述第2非配置区域向所述第3非配置区域上扩展。
8.如权利要求5所述的温度补偿型水晶振荡器,其特征在于,
在所述开口部内还具有填充于所述基板与所述集成电路元件之间的底部填充物,
所述接合端子与所述接合焊盘以在所述基板下表面与所述绝缘基板上表面之间形成有间隙的状态接合,
所述绝缘基板的上表面具有第4非配置区域,该第4非配置区域没有配置所述阻焊剂,与所述开口部邻接,并包围所述开口部,
所述底部填充物从所述开口部向所述第4非配置区域上扩展。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013-231325 | 2013-11-07 | ||
JP2013231325A JP6289872B2 (ja) | 2013-11-07 | 2013-11-07 | 温度補償型水晶発振器 |
JP2014-179027 | 2014-09-03 | ||
JP2014179027A JP6503169B2 (ja) | 2014-09-03 | 2014-09-03 | 圧電発振器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104639041A true CN104639041A (zh) | 2015-05-20 |
CN104639041B CN104639041B (zh) | 2018-06-08 |
Family
ID=53006605
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410624184.9A Active CN104639041B (zh) | 2013-11-07 | 2014-11-07 | 温度补偿型水晶振荡器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9287882B2 (zh) |
CN (1) | CN104639041B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108352812A (zh) * | 2015-11-05 | 2018-07-31 | 株式会社村田制作所 | 压电振荡器和压电振荡器件 |
CN110346061A (zh) * | 2018-04-04 | 2019-10-18 | 京瓷株式会社 | 晶体器件及使用该晶体器件的电子设备 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5747574B2 (ja) * | 2011-03-11 | 2015-07-15 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電デバイス及び電子機器 |
WO2015046292A1 (ja) * | 2013-09-25 | 2015-04-02 | 京セラ株式会社 | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
JP6644457B2 (ja) * | 2014-03-26 | 2020-02-12 | Tdk株式会社 | 圧電デバイス |
WO2015162948A1 (ja) * | 2014-04-25 | 2015-10-29 | 株式会社村田製作所 | 水晶振動装置 |
WO2015170484A1 (ja) * | 2014-05-07 | 2015-11-12 | 株式会社村田製作所 | 水晶振動装置 |
USD760230S1 (en) | 2014-09-16 | 2016-06-28 | Daishinku Corporation | Piezoelectric vibration device |
JP6565671B2 (ja) * | 2015-03-11 | 2019-08-28 | 株式会社大真空 | 圧電デバイス |
JP6527372B2 (ja) * | 2015-04-07 | 2019-06-05 | 日本電波工業株式会社 | 発振器 |
US10014189B2 (en) * | 2015-06-02 | 2018-07-03 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ceramic package with brazing material near seal member |
US9666497B2 (en) * | 2015-06-25 | 2017-05-30 | Kyocera Crystal Device Corporation | Crystal device |
CN108141194B (zh) * | 2015-10-02 | 2021-07-06 | 株式会社村田制作所 | 晶体片以及晶体振子 |
JP6652423B2 (ja) * | 2016-03-28 | 2020-02-26 | 京セラ株式会社 | 圧電デバイス及びその製造方法 |
JP7075329B2 (ja) * | 2018-10-26 | 2022-05-25 | 京セラ株式会社 | 圧電デバイス |
CN111224635B (zh) * | 2018-11-27 | 2024-01-19 | 京瓷株式会社 | 压电器件以及电子设备 |
IT201900022503A1 (it) * | 2019-11-29 | 2021-05-29 | St Microelectronics Srl | Sensore ambientale incapsulato |
JP2022150527A (ja) * | 2021-03-26 | 2022-10-07 | 日本電波工業株式会社 | 水晶発振器 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1700589A (zh) * | 2004-05-19 | 2005-11-23 | 日本电波工业株式会社 | 恒温型晶体振荡器 |
US20050285482A1 (en) * | 2004-06-29 | 2005-12-29 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Crystal oscillator |
US20130257549A1 (en) * | 2012-03-29 | 2013-10-03 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Crystal controlled oscillator |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3451018B2 (ja) | 1998-07-31 | 2003-09-29 | 京セラ株式会社 | 水晶発振器 |
US6229249B1 (en) * | 1998-08-31 | 2001-05-08 | Kyocera Corporation | Surface-mount type crystal oscillator |
US6587008B2 (en) * | 2000-09-22 | 2003-07-01 | Kyocera Corporation | Piezoelectric oscillator and a method for manufacturing the same |
US6703768B2 (en) * | 2000-09-27 | 2004-03-09 | Citizen Watch Co., Ltd. | Piezoelectric generator and mounting structure therefor |
US6456168B1 (en) * | 2000-12-29 | 2002-09-24 | Cts Corporation | Temperature compensated crystal oscillator assembled on crystal base |
JP3980954B2 (ja) * | 2002-07-15 | 2007-09-26 | 日本電波工業株式会社 | 表面実装水晶発振器 |
US6833654B2 (en) * | 2002-09-25 | 2004-12-21 | Cts Corporation | Dual crystal package |
US20040070462A1 (en) * | 2002-10-10 | 2004-04-15 | Iyad Alhayek | Oscillator package |
US20050040905A1 (en) * | 2003-05-29 | 2005-02-24 | Kyocera Corporation | Temperature-compensated crystal oscillator |
US7266869B2 (en) * | 2003-07-30 | 2007-09-11 | Kyocera Corporation | Method for manufacturing a piezoelectric oscillator |
JP2006165759A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 温度補償水晶発振器及びその製造方法 |
JP4713215B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2011-06-29 | 日本電波工業株式会社 | 表面実装水晶発振器の実装方法 |
JP2007158918A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶発振器 |
JP2007208568A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装水晶発振器 |
JP4240053B2 (ja) * | 2006-04-24 | 2009-03-18 | エプソントヨコム株式会社 | 圧電発振器とその製造方法 |
JP4145935B2 (ja) * | 2006-04-27 | 2008-09-03 | エプソントヨコム株式会社 | 圧電デバイス |
JP2008078791A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶発振器 |
JP2009194652A (ja) | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶発振器及び電子カード用の基板 |
JP2013005099A (ja) * | 2011-06-14 | 2013-01-07 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイスとその製造方法 |
CN103650335B (zh) * | 2011-08-31 | 2016-08-17 | 京瓷晶体元件有限公司 | 压电装置 |
JP2015008353A (ja) * | 2013-06-24 | 2015-01-15 | セイコーエプソン株式会社 | 振動素子、振動デバイス、電子機器、移動体、および振動素子の製造方法 |
JP6183156B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2017-08-23 | セイコーエプソン株式会社 | パッケージ、振動デバイス、発振器、電子機器及び移動体 |
-
2014
- 2014-11-04 US US14/532,205 patent/US9287882B2/en active Active
- 2014-11-07 CN CN201410624184.9A patent/CN104639041B/zh active Active
-
2015
- 2015-11-17 US US14/943,368 patent/US9503099B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1700589A (zh) * | 2004-05-19 | 2005-11-23 | 日本电波工业株式会社 | 恒温型晶体振荡器 |
US20050285482A1 (en) * | 2004-06-29 | 2005-12-29 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Crystal oscillator |
US20130257549A1 (en) * | 2012-03-29 | 2013-10-03 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Crystal controlled oscillator |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108352812A (zh) * | 2015-11-05 | 2018-07-31 | 株式会社村田制作所 | 压电振荡器和压电振荡器件 |
US11201587B2 (en) | 2015-11-05 | 2021-12-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric oscillator and piezoelectric oscillation device |
CN108352812B (zh) * | 2015-11-05 | 2022-03-22 | 株式会社村田制作所 | 压电振荡器和压电振荡器件 |
CN110346061A (zh) * | 2018-04-04 | 2019-10-18 | 京瓷株式会社 | 晶体器件及使用该晶体器件的电子设备 |
US11251770B2 (en) | 2018-04-04 | 2022-02-15 | Kyocera Corporation | Crystal device and electronic apparatus using this crystal device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9287882B2 (en) | 2016-03-15 |
CN104639041B (zh) | 2018-06-08 |
US9503099B2 (en) | 2016-11-22 |
US20150123737A1 (en) | 2015-05-07 |
US20160079986A1 (en) | 2016-03-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104639041A (zh) | 温度补偿型水晶振荡器 | |
US6229404B1 (en) | Crystal oscillator | |
JP3406845B2 (ja) | 表面実装型水晶発振器 | |
JP6289872B2 (ja) | 温度補償型水晶発振器 | |
JP6599694B2 (ja) | 圧電デバイス | |
CN104617910A (zh) | 水晶振子 | |
JP2005244639A (ja) | 温度補償型水晶発振器 | |
JP4724518B2 (ja) | 圧電発振器 | |
KR20070004452A (ko) | 전자 디바이스용 패키지 및 전자 디바이스의 제조 방법 | |
JP2007096882A (ja) | 圧電発振器 | |
JP5101093B2 (ja) | 圧電発振器及びその製造方法 | |
JP5097929B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JP6947595B2 (ja) | 水晶振動子 | |
JP4960080B2 (ja) | 圧電発振器及びその製造方法 | |
JP5237426B2 (ja) | 超小型サイズ対応のレイアウト構造を有する水晶発振器 | |
JP5005336B2 (ja) | 圧電発振器の製造方法 | |
RU195681U1 (ru) | Конструкция тактового пьезоэлектрического генератора | |
JP6901377B2 (ja) | 圧電デバイス | |
JP6892345B2 (ja) | 水晶デバイス | |
JP6871124B2 (ja) | 水晶デバイス | |
JP6835607B2 (ja) | 水晶デバイス及びその製造方法 | |
JP2008085962A (ja) | 圧電発振器 | |
JP4328225B2 (ja) | 温度補償型水晶発振器 | |
JP2006101241A (ja) | 圧電発振器、及びその製造方法 | |
JP4472479B2 (ja) | 圧電発振器、及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
TA01 | Transfer of patent application right | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20170815 Address after: Kyoto City Applicant after: KYOCERA Corporation Address before: Yamagata Prefecture, Japan Applicant before: Kyocera Kinseki Corporation |
|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |