CN104425471A - 半导体装置及半导体装置的制造方法 - Google Patents

半导体装置及半导体装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104425471A
CN104425471A CN201410429065.8A CN201410429065A CN104425471A CN 104425471 A CN104425471 A CN 104425471A CN 201410429065 A CN201410429065 A CN 201410429065A CN 104425471 A CN104425471 A CN 104425471A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pin terminals
semiconductor device
semiconductor element
housing
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410429065.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104425471B (zh
Inventor
井本裕儿
吉松直树
藤野纯司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of CN104425471A publication Critical patent/CN104425471A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104425471B publication Critical patent/CN104425471B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/37147—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/3754—Coating
    • H01L2224/37599—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/40137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

即使在利用壳体的半导体装置的引脚端子处产生应力的情况下，也可以抑制由该引脚端子引起的故障的产生。半导体装置(100)具有：导电部，其包含设置在基板(2)上的半导体元件(3)；壳体(5)，其收容该导电部；以及引脚端子(4)，其与壳体(5)一体化，并且直接与半导体元件(3)或者基板(2)的配线连接。引脚端子(4)具有缓和在引脚端子(4)处产生的应力的应力缓和形状。

Description

半导体装置及半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及利用壳体构成的半导体装置及半导体装置的制造方法。
背景技术
在壳体型的功率半导体模块中，通常由该功率半导体模块内的内部引脚端子、和设置在壳体的一部分即筒状部上的、独立于作为外部连接端子的外部引脚端子的部件构成(例如，参照专利文献1)。
具体地说，该内部引脚端子通过焊料等与排列在基座板(支撑部件)上的半导体元件连接。另外，将内部引脚端子的端部与功率半导体模块内的中继部进行一次连接。然后，通过粘接剂等将壳体的筒状部固定在基座板上，将外部引脚端子与中继部进行二次连接。由此，形成使半导体元件与外部连接端子导通的构造。
并且，通常在进行上述组装之后注入封装材料，形成封装功率半导体模块内部的构造。
但是，在上述功率半导体模块的结构中，存在部件个数变多、构造变复杂的问题。因此，为了解决上述问题，在专利文献2中公开了下述技术，即，将与壳体一体化的引脚端子(引脚框架)直接与半导体芯片连接(下面，称为相关技术A)。
专利文献1：日本特开2007－081155号公报
专利文献2：日本特开2006－093255号公报
但是，在相关技术A中存在以下的问题。具体地说，在相关技术A中，例如在制造工序等中，在由于对引脚端子施加压力而在该引脚端子处产生较大应力(抗力)的情况下，有时该引脚端子发生变形。在这种情况下，作为功率半导体模块的半导体装置可能产生由该引脚端子引起的故障而无法正常动作。
发明内容
本发明就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种半导体装置等，该半导体装置即使在利用壳体的半导体装置的引脚端子处产生应力的情况下，也能够抑制由该引脚端子引起的故障的产生。
为了实现上述目的，本发明的一个方式所涉及的半导体装置具有：导电部，其包含设置在基板上的半导体元件；壳体，其收容所述导电部；以及引脚端子，其与所述壳体一体化，并且直接与所述半导体元件或者所述基板的配线连接，所述引脚端子具有缓和在该引脚端子处产生的应力的应力缓和形状。
发明的效果
根据本发明，半导体装置具有：导电部，其包含设置在基板上的半导体元件；壳体，其收容所述导电部；以及引脚端子，其与所述壳体一体化，并且直接与所述半导体元件或者所述基板的配线连接。所述引脚端子具有缓和在该引脚端子处产生的应力的应力缓和形状。
由此，即使在利用壳体的半导体装置的引脚端子处产生应力的情况下，也能够抑制由该引脚端子引起的故障的产生。
附图说明
图1是本发明的实施方式1所涉及的半导体装置的剖面图。
图2是用于说明引脚端子的结构的图。
图3是制造处理N的流程图。
图4是用于说明制造处理N的图。
图5是用于说明应力缓和形状的效果的图。
图6是表示多个应力缓和形状的一个例子的图。
图7是本发明的实施方式1的变形例1所涉及的半导体装置的剖面图。
图8是本发明的实施方式1的变形例1所涉及的半导体装置的放大图。
图9是本发明的实施方式1的变形例2所涉及的半导体装置的剖面图。
图10是用于说明制造处理N的图。
图11是本发明的实施方式2所涉及的半导体装置的剖面图。
图12是用于说明实施方式2所涉及的半导体装置的效果的图。
图13是用于说明实施方式2所涉及的半导体装置的效果的图。
图14是表示本发明的实施方式3所涉及的引脚端子的结构的斜视图。
图15是用于说明实施方式3所涉及的引脚端子的效果的图。
图16是表示本发明的实施方式3所涉及的引脚端子的变形例的俯视图。
图17是本发明的实施方式4所涉及的半导体装置的剖面图。
图18是图17所表示的结构的右半部分的俯视图。
图19是表示本发明的实施方式4所涉及的引脚端子的变形例的俯视图。
图20是表示本发明的实施方式4所涉及的引脚端子的变形例的俯视图。
图21是用于说明引脚端子的内部端部未被固定的结构的图。
标号的说明
1基座板，3半导体元件，4引脚端子，5壳体，5a筒状部，7封装材料，20外部连接部，100半导体装置，V1凹部。
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。在以下的说明中，对相同的结构要素标注相同的标号。它们的名称以及功能也相同。因此，有时省略对于它们的详细说明。
此外，在实施方式中例示的各结构要素的尺寸、材质、形状、它们的相对配置等，根据应用本发明的装置的结构或者各种条件进行适当地变更，本发明不限定于这些例示。另外，各图中的各结构要素的尺寸有时与实际的尺寸不同。
<实施方式1>
图1是本发明的实施方式1所涉及的半导体装置100的剖面图。半导体装置100例如可以在对电动汽车、电车等的电动机进行控制的逆变器、再生用的转换器等中使用。半导体装置100主要使用碳化硅(SiC)而构成。此外，在图1中，为了图的简化，简化表示后述的引脚端子4的形状。
参照图1，半导体装置100具有基板2、多个半导体元件3、壳体5、引脚端子4、封装材料7。
壳体5收容基板2、多个半导体元件3以及未图示的配线等。壳体5的侧面的形状大致为矩形形状。壳体5由筒状的筒状部5a、基座板1构成。筒状部5a由树脂构成。筒状部5a固定在基座板1上的端部。
在基板2上构成有电路。基板2例如由陶瓷构成。另外，基板2设在基座板1上。
半导体元件3是在半导体装置100的动作中使用的导电部。该导电部是该导电部的一部分或者整体具有导电性的部件。此外，被壳体5收容的基板2的配线(未图示)也是导电部。
对于半导体元件3，该半导体元件3的一部分具有导电性。半导体元件3经由焊料6而安装在基板2上。即，半导体元件3设置在基板2上。半导体元件3是例如宽带隙功率半导体元件。宽带隙功率半导体元件是带隙较大的功率半导体元件。此外，半导体元件3不限定于宽带隙功率半导体元件，也可以是其他的功率半导体元件。
将引脚端子4与壳体5进行一体化。具体地说，引脚端子4在利用树脂形成壳体5的筒状部5a时，与该筒状部5a进行一体化。
另外，引脚端子4的端部经由焊料6直接与半导体元件3连接。具体地说，引脚端子4的一个端部经由焊料6直接与半导体元件3的上表面连接。
此外，不限定于上述结构，引脚端子4的端部可以不与半导体元件3连接，而直接与基板2的配线(未图示)连接。即，引脚端子4的端部直接与半导体元件3或者基板2的配线连接。此外，引脚端子4的端部也可以直接与半导体元件3以及基板2的配线双方连接。
另一方面，引脚端子4的另一个端部向壳体5的外部露出。
在以下内容中，也将引脚端子4与半导体元件3接合(连接)的部分称为接合部。接合部存在于引脚端子4以及半导体元件3。在本实施方式中，形成为在引脚端子4的一个端部存在多个接合部。另外，在以下内容中，将向壳体5的外部露出的引脚端子4的端部称为露出部。
封装材料7例如是环氧树脂。封装材料7填充在壳体5的内部。封装材料7对多个半导体元件3和引脚端子4的一部分(接合部)进行封装。即，在壳体5内，引脚端子4中与半导体元件3连接的部分(接合部)被封装材料7封装。由此，能够提高接合部的可靠性。封装材料7是与构成壳体5的材料不同的材料。
此外，封装材料7不限定于是与构成壳体5的材料不同的材料，封装材料7也可以是与构成壳体5的材料相同的材料。
另外，引脚端子4还具有应力缓和形状。应力缓和形状是在向引脚端子4施加应力的情况下，缓和(减小)在引脚端子4处产生的应力的形状。应力缓和形状的一个例子是曲柄形状。曲柄形状是2个直角形状连接而成的形状。
图2是表示具有曲柄形状的引脚端子4的图。此外，在图2中，为了易于观察引脚端子4，未示出封装材料7。参照图2，引脚端子4中的露出部与接合部之间的部分具有曲柄形状。
下面，对半导体装置100的制造方法(下面称为制造处理N)进行说明。图3是制造处理N的流程图。图4是用于说明制造处理N的图。
参照图3以及图4，在制造处理N中，首先，进行端子加工工序(S101)。端子加工工序是加工该引脚端子4的工序，使得引脚端子4具有上述的应力缓和形状。具体地说，在端子加工工序中加工引脚端子4，使得引脚端子4具有应力缓和形状。
然后，进行一体形成工序(S110)。一体形成工序是使引脚端子4与筒状部5a一体化的工序。具体地说，引脚端子4如前面所述，在利用树脂形成筒状部5a时，与该筒状部5a进行一体化。
然后，进行配置工序(S120)。配置工序是配置半导体元件3的工序，使得在基板2上设置的半导体元件3收容在筒状部5a中，并且半导体元件3直接与引脚端子4连接。
具体地说，配置工序包含安装工序、焊料涂敷工序、固定工序。在配置工序中，首先进行安装工序(S121)。
安装工序是将半导体元件3安装在基座板1上的工序。具体地说，在安装工序中，首先将基板2固定在基座板1上。然后，将各半导体元件3经由焊料6安装在基板2上。即，各半导体元件3经由基板2安装在基座板1上。
然后，进行焊料涂敷工序(S122)。焊料涂敷工序是向各半导体元件3的一部分设置焊料6的工序。具体地说，在焊料涂敷工序中，如图2以及图4所示，在各半导体元件3的上表面、和基板2中与引脚端子4连接的部分设置焊料6。焊料6使用熔融、超声波接合等方式，设在各半导体元件3的上表面等。即，如下面所述，在将筒状部5a固定在基座板1上之前，预先在半导体元件3上设置焊料6。
此外，在焊料涂敷工序中，设置焊料6的部位不限定于上述的部位。例如，在焊料涂敷工序中，也可以采用向引脚端子4的一部分设置焊料6的结构(下面，也称为变形结构N)。
变形结构N的焊料涂敷工序是向与筒状部5a一体化的引脚端子4的一部分设置焊料6的工序。具体地说，在变形结构N的焊料涂敷工序中，在引脚端子4中与基板2连接的部分、和引脚端子4中与各半导体元件3的上表面连接的部分设置焊料6。
然后，进行固定工序(S123)。固定工序是将筒状部5a固定在基座板1上的工序，使得引脚端子4经由焊料6直接与半导体元件3连接。
具体地说，在固定工序中将筒状部5a固定在基座板1上，使得引脚端子4经由焊料6而与各半导体元件3的上表面和基板2的一部分连接。通过该固定工序，能够同时进行筒状部5a与基座板1的粘接、和半导体元件3与引脚端子4的接合。
此外，如前述所示，引脚端子4的端部可以是不与半导体元件3连接而直接与基板2的配线(未图示)连接的结构。在这种结构的情况下，前述的配置工序(S120)是配置该导电部的工序，使得包含设置在基板2上的半导体元件3的导电部收容在筒状部5a中，并且基板2的配线直接与引脚端子4连接。
另外，如前述所示，引脚端子4的端部也可以是直接与半导体元件3以及基板2的配线双方连接的结构。在这种结构的情况下，前述的配置工序(S120)是配置该导电部的工序，使得包含设置在基板2上的半导体元件3和基板2的配线在内的导电部收容在筒状部5a中，并且半导体元件3和基板2的配线直接与引脚端子4连接。
然后，进行封装工序(S130)。在封装工序中，向图2所示的由筒状部5a和基座板1构成的壳体5内的空间中填充封装材料7。通过以上方式，制造处理N结束，制造出半导体装置100。
如以上说明所述，根据本实施方式，半导体装置100具有包含设置在基板2上的半导体元件3的导电部、收容该导电部的壳体5、以及与壳体5一体化并且直接与半导体元件3或者基板2的配线连接的引脚端子4。引脚端子4具有缓和在引脚端子4处产生的应力的应力缓和形状。
由此，即使在利用壳体5的半导体装置100的引脚端子4处产生应力的情况下，也能够抑制由该引脚端子4引起的故障的产生。
另外，通过使引脚端子4具有应力缓和形状，能够减小例如由于引脚端子的接合部的高度波动、封装材料7的收缩而在引脚端子的接合部处产生的应力等。另外，能够缓和(减小)由于壳体的变形、焊料接合时的引脚端子的弹性变形等而在引脚端子处产生的应力。其结果，能够使接合部的品质稳定，能够抑制封装材料的剥离。因此，能够提高接合部的可靠性。
另外，根据本实施方式，引脚端子4具有曲柄形状(应力缓和形状)。在这里，例如，如图5所示，假设将各半导体元件3和基板2固定的焊料6的厚度(高度)存在波动。即，假设各半导体元件3下方的焊料6的厚度产生波动，相邻的各半导体元件3的接合部的高度不同。
即使在这种情况下，通过具有曲柄形状(应力缓和形状)的引脚端子4的弹性变形，从而缓和在引脚端子4处产生的应力。由此，能够吸收各接合部的高度的差异。
因此，能够减小在筒状部5a与基座板1的粘接面产生的反作用力，形成稳定的粘接状态。另外，也能够减小由于封装材料7的封装之后的收缩而在各接合部处产生的应力。由此，能够提高接合部的可靠性。
另外，根据本实施方式，引脚端子4与筒状部5a一体化，因此，不需要另外设置将半导体元件3接合的内部引脚端子。其结果，能够削减构成半导体装置100的部件数量。因此，能够缩小半导体装置100的尺寸。即，能够实现半导体装置100的小型化以及轻量化。
另外，根据本实施方式的制造处理N，如图4所示，能够同时进行筒状部5a与基座板1的粘接、和半导体元件3与引脚端子4的接合。由此，能够削减半导体装置100的制造工序。即，能够简化半导体装置100的制造方法(组装)。
另外，通过在预先向半导体元件3或者引脚端子4设置焊料6之后进行固定工序，确保焊料6的厚度更加均匀，这一点与焊膏不同。
另外，根据本实施方式，在半导体装置100中使用的半导体元件3是宽带隙功率半导体元件。由此，即使在高温状态下也能够实现稳定的动作。
此外，在相关技术A中，无法解决下述问题，即，由于在基板上搭载的半导体元件下方的焊料的厚度存在波动而使半导体元件表面的接合面的高度变动。该问题能够利用以下结构解决，即，内部引脚端子不直接与设在壳体上的外部引脚端子连接，而是使内部引脚端子、外部引脚端子分别与设在壳体上的中继部连接。但是，在这种结构中，需要另外用于设置中继部的区域，因此，需要扩大基座板的设置面积，存在使模块尺寸变大的问题。
另外，在相关技术A中，无法解决下述问题，即，由于壳体收缩导致的引脚端子的位置变动而使半导体元件的连接面与内部引脚端子的连接面的间隙变大。
另外，在相关技术A中无法解决下述问题，即，在利用封装材料封装引脚端子的连接部之后，由于封装材料与引脚端子的线膨胀系数不同而使引脚端子表面与封装材料的密接性恶化，封装材料从引脚端子剥离。
另一方面，根据本实施方式，半导体装置100以上述方式构成，因此，能够解决相关技术A所不能解决的上述问题。
此外，可以不同时进行筒状部5a与基座板1的粘接、和半导体元件3与引脚端子4的接合，形成为分别进行的结构。即使在这种结构中，也能够实现部件数量的削减效果以及制造工序的简化。
此外，在本实施方式中，引脚端子4具有的应力缓和形状不限定于形成为曲柄形状。引脚端子4具有的应力缓和形状也可以是例如如图6(a)所示的由多个曲柄形状构成的多段曲柄形状。
另外，引脚端子4具有的应力缓和形状也可以是例如如图6(b)所示的S弯曲形状。另外，引脚端子4具有的应力缓和形状也可以是例如如图6(c)所示的弯曲形状。
此外，在本实施方式中，引脚端子4不限定于形成为在树脂成型时，将引脚端子4与壳体5(筒状部5a)进行一体化的结构。例如，也可以在壳体5(筒状部5a)成型之后，通过将引脚端子4压入，从而将引脚端子4后安装在壳体5(筒状部5a)上。
另外，根据本实施方式，无需如现有技术这样设置中继部。因此，由于不需要中继部的空间，与设置中继部的现有结构相比，能够使半导体装置100的尺寸紧凑化。另外，不需要如现有技术这样通过中继部进行接合，因此，能够防止由于该部分的引脚端子的接合品质恶化导致的配线电阻上升等故障。
另外，形成为使用焊料6进行半导体元件3与基板2的接合、半导体元件3与引脚端子4的接合，但是，也可以是不使用焊料6的超声波接合等。
另外，封装材料7不限定于环氧树脂，例如也可以是硅凝胶、其他树脂等。
<实施方式1的变形例>
在本实施方式的变形例1中，对将引脚端子4与作为外部端子的外部的汇流条9连接的结构(下面也称为变形结构A)进行说明。变形结构A可以适用于实施方式1、实施方式1的变形例2以及后面所述的实施方式2～4中的任意一个。
图7是本发明的实施方式1的变形例1所涉及的半导体装置100的剖面图。此外，在图7中，为了图的简化，简化表示引脚端子4的形状。本实施方式的变形例1所涉及的半导体装置100的引脚端子4与实施方式1相同，具有应力缓和形状。
图8是具有变形结构A的半导体装置100的放大图。具有变形结构A的半导体装置100构成为与作为外部端子的汇流条9自由连接。根据这种结构，具有变形结构A的半导体装置100经由作为外部端子的汇流条9而与外部连接。此外，如前面所述，将向壳体5的外部露出的引脚端子4的端部称为露出部。
参照图7以及图8，在具有变形结构A的半导体装置100中，在向外部露出的壳体5(筒状部5a)中一体化形成外部连接部20。外部连接部20是用于将汇流条9与引脚端子4的端部(露出部)连接的部分。外部连接部20在利用树脂形成筒状部5a时，与该筒状部5a进行一体化。外部连接部20由端子台8和螺母10构成。在端子台8中插入螺母10。
通过外部连接部20的螺母10和螺栓11，夹持汇流条9以及引脚端子4。由此，引脚端子4与汇流条9连接。
上面，根据本实施方式的变形例1，能够通过在向外露出的壳体5(筒状部5a)上设置外部连接部20，从而简单地将引脚端子4与汇流条9(外部端子)连接。因此，能够不需要外置的端子台，使半导体装置100小型化。
此外，汇流条9的固定方法可以是利用焊接、铆钉等的结构。即使是这种结构也可以得到相同的效果。另外，在本实施方式的变形例1中，形成为在利用树脂形成筒状部5a时，将端子台8(外部连接部20)与壳体5进行一体化的结构，但是，不限定于这种结构。也可以形成为通过后安装，将外部连接部20与壳体5进行一体化的结构。即使是这种结构也可以得到相同的效果。
<实施方式1的变形例2>
在本实施方式的变形例2中，对在基座板1上固定冷却片12的结构(下面也称为变形结构B)进行说明。变形结构B可以适用于实施方式1、实施方式1的变形例1以及后面所述的实施方式2～4中的任意一个。
图9是本发明的实施方式1的变形例2所涉及的半导体装置100的剖面图。图9所示的半导体装置100具有变形结构B以及变形结构A。此外，在图9中，为了图的简化，简化表示引脚端子4的形状。本实施方式的变形例2所涉及的半导体装置100的引脚端子4与实施方式1相同，具有应力缓和形状。
参照图9，半导体装置100还包含冷却片12。冷却片12具有散热功能。冷却片12固定在基座板1的下表面。即，冷却片12与壳体5一体化。通过这种结构，能够高效地冷却半导体装置100。
另外，冷却片12与壳体5一体化，因此，能够进一步使半导体装置100紧凑化。此外，半导体装置100通过在变形结构B的基础上还具有前述的变形结构A，从而例如无需在车辆的逆变器单元侧形成端子台，提高了便利性。
此外，具有变形结构B的半导体装置100的制造方法仅一点不同，即，在实施方式1的制造处理N中，如图10所示，取代基座板1而使用预先固定有冷却片12的基座板1。
此外，实施方式1的变形例2所涉及的半导体装置100形成为具有变形结构B以及变形结构A的结构，但是，也可以是不具有变形结构A而具有变形结构B的结构。
<实施方式2>
图11是本发明的实施方式2所涉及的半导体装置100的剖面图。此外，在图11中，为了图的简化，不表示封装材料7，与图2的结构相比表示了数量更少的半导体元件3。
如前述所示，将引脚端子4与半导体元件3接合(连接)的部分称为接合部。在以下内容中，将引脚端子4的2个端部中的露出部以外的端部称为内部端部。详细内容在后面进行说明，内部端部固定在壳体5的内部。
在本实施方式中，多个半导体元件3与引脚端子4的中央部接合。另外，在本实施方式中，在壳体5的侧面设置有用于插入引脚端子4的内部端部的孔H1。将引脚端子4的内部端部插入孔H1。即，引脚端子4的内部端部被埋入壳体5的内侧。
另外，实施方式所涉及的半导体装置100的引脚端子4与实施方式1相同，具有应力缓和形状。
在这里，如图12所示，假设中央的半导体元件3下方的焊料6与其他的半导体元件3下方的焊料6相比厚度大。即，假设在3个半导体元件3中，中央的半导体元件3处的接合部与其他的半导体元件3上的接合部相比较高。
在这种情况下，引脚端子4被中央的半导体元件3顶起，但是，引脚端子4的内部端部和引脚端子4的露出部2个部分被固定在壳体5上。因此，能够抑制引脚端子4的变形，从而将引脚端子4与半导体元件3的上表面可靠地连接。
在这里，如图13所示，假设在3个半导体元件3中，两侧的半导体元件3的接合部与中央的半导体元件3的接合部相比较高。即，假设中央的半导体元件3的接合部与其他的半导体元件3的接合部相比较低。
在这种情况下，预先向引脚端子4施加大致向下的力，使引脚端子4的形状变为V字形。由此，能够将端子4与各半导体元件3的上表面可靠地连接。此外，本形状即使对于图11的情况也没有影响。另外，通过在本形状上再增加前述的应力缓和形状，从而可以得到更好的效果。
图21是用于说明假设引脚端子4的内部端部未被固定的结构的图。如图21所示，在引脚端子4的内部端部未被固定的情况下，引脚端子4的各接合部的高度存在波动。在这种结构中，存在引脚端子4与半导体元件3的接合变得不可靠的问题。
另一方面，在本实施方式中，引脚端子4的内部端部固定在壳体5中，因此，能够解决图21的结构中的问题。
以上，根据本实施方式，引脚端子4的两端部固定在壳体5上。因此，能够抑制引脚端子4相对于壳体5的位置的波动。由此，能够抑制各接合部的高度的波动。因此，能够提高半导体元件3上的焊料6的厚度的精度。其结果，能够提高接合部的可靠性，抑制热阻的波动等，降低损耗。
此外，在本实施方式中，表示了将引脚端子4与3个半导体元件3接合的结构，但是，本实施方式不限定于这种结构。在本实施方式中，引脚端子4的内部端部被固定，因此，能够稳定地控制引脚端子4的高度。因此，与引脚端子4接合的半导体元件3的数量能够广泛地对应多个以及多个的情况。
另外，插入引脚端子4的内部端部的孔H1的数量不限定为1个，可以在需要的位置处设置大于或等于2个。通过这种结构，能够进一步牢固地固定引脚端子4的内部端部。
此外，本实施方式所涉及的半导体装置100可以进一步具有所述的变形结构A、B双方，或者变形结构A、B的一方。
<实施方式3>
在本实施方式中，对在引脚端子4上设置有狭缝的结构(下面也称为变形结构C)进行说明。变形结构C可以适用于实施方式1、实施方式1的变形例1、2、实施方式2以及后面所述的实施方式4中的任意一个。
图14是表示本发明的实施方式3所涉及的引脚端子4的结构的斜视图。具体地说，图14是利用设置有狭缝SL1的引脚端子4的半导体装置100的一部分的斜视图。此外，图14是对图2的结构的右半部分的结构进行了简化表示的图。
参照图14，在引脚端子4上以针对1个半导体元件3而形成接合部4a、4b的方式设置有狭缝SL1。引脚端子4的接合部4a、4b各自经由焊料6与半导体元件3连接。引脚端子4构成为，接合部4a、4b各自为了吸收所对应的焊料6的高度差异，独立地沿上下方向自由移动。
在半导体元件3上的引脚端子4的连接部位较宽的情况下，在通过引脚端子4将半导体元件3的多个部分同时连接等情况下，有时在各接合部的高度上产生差异。
在这里，作为一个例子，如图15所示，假设接合部4b的下方的焊料6的厚度与接合部4a的下方的焊料6的厚度相比足够大。在这种情况下，构成为引脚端子4的接合部4a、4b各自独立地沿上下方向自由的移动。因此，能够吸收接合部的高度的波动，将引脚端子4与半导体元件3可靠地连接。另外，能够缓和在接合部产生的应力，从而能够提高连接部的可靠性。
此外，在本实施方式中，说明了在半导体元件3的上表面连接引脚端子4的结构，但是，也可以是在基板2上连接变形结构C的引脚端子4的结构。在这种结构的情况下，例如，即使基板2发生了倾斜等，也可以得到能够将引脚端子4与基板2可靠地连接的良好效果。
此外，设置狭缝SL1的位置不限定于图14所示的位置。例如，如图16所示，也可以形成为在引脚端子4中与半导体元件3接合的部分(接合部)处设置狭缝SL1的结构。图16是从上方观察到的图14的结构的图。
即使在这种结构中，也能够同样地吸收与狭缝SL1相邻的部分的高度变动，从而能够得到引脚端子4与半导体元件3的良好连接状态。
<实施方式4>
在本实施方式中，对在引脚端子4上设置有通孔的结构(下面也称为变形结构D)进行说明。变形结构D可以适用于实施方式1、实施方式1的变形例1、2以及实施方式2、3中的任意一个。
图17是本发明的实施方式4所涉及的半导体装置100的剖面图。具体地说，图17是在引脚端子4上设置有通孔的结构的剖面图。图18是图17所示的结构的右半部分的俯视图。此外，图18为了图的简化，不表示封装材料7。
参照图17以及图18，在引脚端子4中与封装材料7接触的部分处设置有通孔H2。通孔H2设置在引脚端子4中与半导体元件3接合的部分(接合部)处。此外，在通孔H2内填充封装材料7。
在这里，例如，假设引脚端子4由Cu(铜)构成，引脚端子4的线膨胀系数为16.7ppm/℃。此外，封装材料7的线膨胀系数在其制造过程中能够调整。
但是，如果使封装材料7的线膨胀系数与Cu的线膨胀系数一致，则使得与在半导体元件3下方的基板2(陶瓷)的线膨胀系数4～7ppm/℃的差值变大。在这种情况下，可能产生剥离等。
因此，如果对封装材料7设定与陶瓷的线膨胀系数接近的线膨胀系数(10～13ppm/℃)，则使得与Cu的线膨胀系数的差值变大。在这种情况下，封装材料7与引脚端子4的密接性恶化。
因此，在本实施方式中，在引脚端子4上设置多个通孔H2。另外，向各通孔H2内填充封装材料7。由此，封装材料7可靠地固定在引脚端子4上。其结果，能够抑制封由于装材料7与引脚端子4的线膨胀系数的差值导致的剥离。
特别是，在引脚端子4中与半导体元件3接合的部分的周围设置通孔H2的结构，由于提高了接合部的可靠性，所以是有效的。因此，能够使以碳化硅(SiC)为主要材料的半导体装置100在更高温度下进行稳定的动作。
另外，根据本实施方式，能够提高引脚端子4与封装材料7的接合强度。因此，能够防止水分向引脚端子4与封装材料7之间的进入。其结果，能够提高半导体装置100的可靠性。
另外，如果将变形结构D应用于实施方式1～3，则能够使半导体元件3与引脚端子4的接合状态良好。其结果，能够提供可靠性更为优异的半导体装置。
此外，如图19所示，可以是在引脚端子4中与封装材料7接触的部分设有凹部V1的结构(下面也称为变形结构E)。凹部V1是槽。此外，凹部V1不限定于槽，也可以是由凹凸形状构成的凹凸部。
通过变形结构E，引脚端子4与封装材料7的接合面积变大。由此，能够提高引脚端子4与封装材料7的密接力。即，能够提高引脚端子4与封装材料7的接合强度。因此，能够防止水分向引脚端子4与封装材料7之间的进入。其结果，能够提高半导体装置100的可靠性。
另外，由于相对于与引脚端子4平行的方向，产生锚固效应，因此得到了同样的效果。
此外，变形结构E还可以适用于实施方式1、实施方式1的变形例1、2以及实施方式2、3中的任意一个。
另外，如图20所示，还可以是将变形结构D与变形结构E组合的结构。通过这种结构，能够进一步提高引脚端子4与封装材料7的密接力。
此外，将变形结构D与变形结构E组合的结构可以适用于实施方式1、实施方式1的变形例1、2以及实施方式2、3中的任意一个。
此外，本发明在其发明的范围内，能够将实施方式、实施方式的变形例进行自由的组合，适当地对实施方式、实施方式的各变形例进行变形、省略。

Claims (13)

1.一种半导体装置，其具有：
导电部，其包含设置在基板上的半导体元件；
壳体，其收容所述导电部；以及
引脚端子，其与所述壳体一体化，并且直接与所述半导体元件或者所述基板的配线连接，
所述引脚端子具有缓和在该引脚端子处产生的应力的应力缓和形状。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述应力缓和形状为曲柄形状或者弯曲形状。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述半导体装置构成为与外部端子自由连接，
所述引脚端子的端部向所述壳体的外部露出，
在向外部露出的所述壳体上一体化形成外部连接部，该外部连接部用于将所述外部端子与所述引脚端子的端部连接。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述引脚端子的另一个端部被埋入所述壳体的内侧。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
在所述引脚端子上设置狭缝。
6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述半导体装置还具有封装材料，
所述封装材料对所述导电部、和所述引脚端子的一部分进行封装。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
在所述壳体内，所述引脚端子中与所述导电部连接的部分被所述封装材料封装。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，
所述封装材料是与构成所述壳体的材料不同的材料。
9.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
在所述引脚端子中与所述封装材料接触的部分处设置通孔。
10.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
在所述引脚端子中与所述封装材料接触的部分处设置凹部。
11.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述半导体元件是宽带隙功率半导体元件。
12.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包含由筒状部和基座板构成的壳体、和引脚端子，该制造方法包含下述工序：
对所述引脚端子进行加工，以使得该引脚端子具有缓和在该引脚端子处产生的应力的应力缓和形状；
使所述引脚端子与所述筒状部一体化；以及
配置导电部，以使得包含设置在基板上的半导体元件的导电部收容在所述筒状部中，并且该半导体元件或者该基板的配线直接与所述引脚端子连接。
13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述导电部是所述半导体元件，
配置所述导电部的工序包含下述工序：
将所述半导体元件安装在基座板上；
在所述半导体元件的一部分或者与所述筒状部一体化的所述引脚端子的一部分上设置焊料；以及
将所述筒状部固定在所述基座板上，使得所述引脚端子经由所述焊料直接与所述半导体元件连接。
CN201410429065.8A 2013-08-27 2014-08-27 半导体装置及半导体装置的制造方法 Active CN104425471B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013175269A JP6304974B2 (ja) 2013-08-27 2013-08-27 半導体装置
JP2013-175269 2013-08-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104425471A true CN104425471A (zh) 2015-03-18
CN104425471B CN104425471B (zh) 2017-07-28

Family

ID=52470654

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410429065.8A Active CN104425471B (zh) 2013-08-27 2014-08-27 半导体装置及半导体装置的制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9455215B2 (zh)
JP (1) JP6304974B2 (zh)
CN (1) CN104425471B (zh)
DE (1) DE102014212519B4 (zh)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106352861A (zh) * 2015-07-16 2017-01-25 精工爱普生株式会社 电子装置、电子设备以及移动体
CN107039297A (zh) * 2016-02-03 2017-08-11 三菱电机株式会社 电极端子、半导体装置以及电力变换装置
CN108735614A (zh) * 2017-04-17 2018-11-02 三菱电机株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法
CN109661724A (zh) * 2016-09-07 2019-04-19 西门子股份公司 功率模块
CN109952639A (zh) * 2016-11-11 2019-06-28 三菱电机株式会社 半导体装置、逆变器单元及汽车
CN110462817A (zh) * 2017-04-06 2019-11-15 三菱电机株式会社 半导体装置及其制造方法、以及电力转换装置
CN111602240A (zh) * 2018-03-02 2020-08-28 新电元工业株式会社 树脂封装型半导体装置
CN111725167A (zh) * 2019-03-20 2020-09-29 株式会社东芝 功率模块
CN113039637A (zh) * 2018-11-20 2021-06-25 三菱电机株式会社 半导体装置
CN114041207A (zh) * 2019-07-04 2022-02-11 三菱电机株式会社 半导体装置、电力变换装置以及半导体装置的制造方法
CN115053338A (zh) * 2020-02-07 2022-09-13 三菱电机株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6305302B2 (ja) 2014-10-02 2018-04-04 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US10475667B2 (en) * 2014-11-06 2019-11-12 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor module and conductive member for semiconductor module including cut in bent portion
JP6433590B2 (ja) * 2015-06-11 2018-12-05 三菱電機株式会社 電力用半導体装置の製造方法および電力用半導体装置
CN108780792B (zh) 2016-03-30 2021-07-09 三菱电机株式会社 功率模块及其制造方法以及功率电子器件及其制造方法
JP6838298B2 (ja) * 2016-06-22 2021-03-03 富士電機株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
WO2018100600A1 (ja) * 2016-11-29 2018-06-07 三菱電機株式会社 半導体装置、制御装置および半導体装置の製造方法
JP6625044B2 (ja) * 2016-12-28 2019-12-25 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US10566316B2 (en) * 2017-01-17 2020-02-18 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and power conversion apparatus
CN110249426B (zh) * 2017-02-09 2023-10-17 三菱电机株式会社 半导体装置及电力转换装置
JP6891621B2 (ja) * 2017-04-27 2021-06-18 富士電機株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP6833986B2 (ja) 2017-05-11 2021-02-24 三菱電機株式会社 パワーモジュール、電力変換装置、およびパワーモジュールの製造方法
US11251098B2 (en) 2017-11-01 2022-02-15 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device, production method therefor, and automobile
JP7001960B2 (ja) * 2018-03-23 2022-01-20 株式会社オートネットワーク技術研究所 回路構成体
DE102018214059A1 (de) * 2018-08-21 2020-02-27 Robert Bosch Gmbh Gehäuserahmen für ein Steuergerät, welcher zur elektrischen Außenkontaktierung eines Schaltungsträgers des Steuergeräts geeignet ist
JP7278077B2 (ja) * 2019-01-10 2023-05-19 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP7244339B2 (ja) * 2019-04-19 2023-03-22 株式会社三社電機製作所 半導体モジュール用外部端子
JP7090580B2 (ja) * 2019-05-15 2022-06-24 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
KR102199360B1 (ko) * 2019-06-20 2021-01-06 제엠제코(주) 반도체 패키지
JP7422696B2 (ja) * 2021-02-09 2024-01-26 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
DE102021212895A1 (de) 2021-11-17 2022-09-22 Vitesco Technologies Germany Gmbh Leistungselektronikanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Leistungselektronikanordnung
WO2024053084A1 (ja) * 2022-09-09 2024-03-14 三菱電機株式会社 半導体装置
DE102022209559A1 (de) 2022-09-13 2024-02-15 Zf Friedrichshafen Ag Halbbrückenmodul
WO2024095712A1 (ja) * 2022-11-04 2024-05-10 富士電機株式会社 半導体モジュール

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4305088A (en) * 1977-06-07 1981-12-08 Hitachi, Ltd. Semiconductor device including means for alleviating stress caused by different coefficients of thermal expansion of the device components
US6078102A (en) * 1998-03-03 2000-06-20 Silicon Bandwidth, Inc. Semiconductor die package for mounting in horizontal and upright configurations
US6406173B1 (en) * 1999-02-23 2002-06-18 Koito Manufacturing Company, Ltd. Vehicle lamp having light-emitting elements with connecting structure
JP2006093255A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 Fuji Electric Device Technology Co Ltd パワー半導体モジュールおよびその製造方法
JP2007081155A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Hitachi Ltd 半導体装置
US20120032316A1 (en) * 2010-08-09 2012-02-09 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, mold, and sealing device

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0334561A (ja) * 1989-06-30 1991-02-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US5446244A (en) * 1990-07-19 1995-08-29 Toyo Communication Equipment Co., Ltd. Printed wiring pattern
JP2854785B2 (ja) * 1993-08-30 1999-02-03 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US5830782A (en) * 1994-07-07 1998-11-03 Tessera, Inc. Microelectronic element bonding with deformation of leads in rows
US5798286A (en) * 1995-09-22 1998-08-25 Tessera, Inc. Connecting multiple microelectronic elements with lead deformation
JPH09129797A (ja) 1995-10-27 1997-05-16 Hitachi Ltd パワー半導体装置
JP2000124398A (ja) * 1998-10-16 2000-04-28 Mitsubishi Electric Corp パワー半導体モジュール
JP3602763B2 (ja) * 2000-01-11 2004-12-15 株式会社三社電機製作所 電力用半導体モジュールの製造方法
JP2002057253A (ja) * 2000-08-10 2002-02-22 Nec Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2002203942A (ja) 2000-12-28 2002-07-19 Fuji Electric Co Ltd パワー半導体モジュール
JP4112816B2 (ja) * 2001-04-18 2008-07-02 株式会社東芝 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2002359334A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Toyota Industries Corp 半導体装置の端子構造
US20050132648A1 (en) * 2003-11-27 2005-06-23 Kyocera Corporation Fuel reformer housing container and fuel reforming apparatus
JP4499577B2 (ja) 2005-01-19 2010-07-07 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2006253516A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Hitachi Ltd パワー半導体装置
JP4459883B2 (ja) * 2005-04-28 2010-04-28 三菱電機株式会社 半導体装置
JP4609296B2 (ja) * 2005-12-05 2011-01-12 株式会社日立製作所 高温半田及び高温半田ペースト材、及びそれを用いたパワー半導体装置
JP5076440B2 (ja) 2006-10-16 2012-11-21 富士電機株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US7838980B1 (en) * 2007-09-27 2010-11-23 National Semiconductor Corporation TO263 device package having low moisture sensitivity
JP5239291B2 (ja) * 2007-10-24 2013-07-17 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2009164240A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Panasonic Corp 半導体装置
JP5817834B2 (ja) * 2011-10-18 2015-11-18 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4305088A (en) * 1977-06-07 1981-12-08 Hitachi, Ltd. Semiconductor device including means for alleviating stress caused by different coefficients of thermal expansion of the device components
US6078102A (en) * 1998-03-03 2000-06-20 Silicon Bandwidth, Inc. Semiconductor die package for mounting in horizontal and upright configurations
US6406173B1 (en) * 1999-02-23 2002-06-18 Koito Manufacturing Company, Ltd. Vehicle lamp having light-emitting elements with connecting structure
JP2006093255A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 Fuji Electric Device Technology Co Ltd パワー半導体モジュールおよびその製造方法
JP2007081155A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Hitachi Ltd 半導体装置
US20120032316A1 (en) * 2010-08-09 2012-02-09 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, mold, and sealing device

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106352861A (zh) * 2015-07-16 2017-01-25 精工爱普生株式会社 电子装置、电子设备以及移动体
US10714447B2 (en) 2016-02-03 2020-07-14 Mitsubishi Electric Corporation Electrode terminal, semiconductor device, and power conversion apparatus
CN107039297A (zh) * 2016-02-03 2017-08-11 三菱电机株式会社 电极端子、半导体装置以及电力变换装置
CN109661724A (zh) * 2016-09-07 2019-04-19 西门子股份公司 功率模块
CN109952639A (zh) * 2016-11-11 2019-06-28 三菱电机株式会社 半导体装置、逆变器单元及汽车
CN109952639B (zh) * 2016-11-11 2023-06-27 三菱电机株式会社 半导体装置、逆变器单元及汽车
CN110462817A (zh) * 2017-04-06 2019-11-15 三菱电机株式会社 半导体装置及其制造方法、以及电力转换装置
CN110462817B (zh) * 2017-04-06 2023-11-28 三菱电机株式会社 半导体装置及其制造方法、以及电力转换装置
CN108735614A (zh) * 2017-04-17 2018-11-02 三菱电机株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法
CN108735614B (zh) * 2017-04-17 2022-02-25 三菱电机株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法
CN111602240A (zh) * 2018-03-02 2020-08-28 新电元工业株式会社 树脂封装型半导体装置
CN111602240B (zh) * 2018-03-02 2023-08-01 新电元工业株式会社 树脂封装型半导体装置
CN113039637A (zh) * 2018-11-20 2021-06-25 三菱电机株式会社 半导体装置
CN111725167A (zh) * 2019-03-20 2020-09-29 株式会社东芝 功率模块
CN114041207A (zh) * 2019-07-04 2022-02-11 三菱电机株式会社 半导体装置、电力变换装置以及半导体装置的制造方法
CN115053338A (zh) * 2020-02-07 2022-09-13 三菱电机株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015046416A (ja) 2015-03-12
CN104425471B (zh) 2017-07-28
DE102014212519B4 (de) 2022-01-13
US9455215B2 (en) 2016-09-27
DE102014212519A1 (de) 2015-03-05
JP6304974B2 (ja) 2018-04-04
US20150061098A1 (en) 2015-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104425471A (zh) 半导体装置及半导体装置的制造方法
EP2779231B1 (en) Power overlay structure and method of making same
EP2779230B1 (en) Power overlay structure and method of making same
CN108352355B (zh) 具有预模制双引线框的半导体系统
JP4634498B2 (ja) 電力用半導体モジュール
US9763344B2 (en) Electronic module for a control unit
US10462915B2 (en) Electronic module and method for producing an electronic module having a fluid-tight housing
KR102047899B1 (ko) 기판 어댑터를 제조하기 위한 방법, 기판 어댑터, 및 반도체 소자와 접촉시키기 위한 방법
CN104517913A (zh) 半导体装置及其制造方法
US20110260314A1 (en) Die package and corresponding method for realizing a double side cooling of a die package
US20100170706A1 (en) Electronic module and method for manufacturing an electronic module
JP2010027813A (ja) 電力用半導体装置
EP3449502B1 (en) Mechanically-compliant and electrically and thermally conductive leadframes for component-on-package circuits
CN103915405A (zh) 半导体器件和制造半导体器件的方法
WO2004112129A1 (ja) 電子装置
US8426746B2 (en) Electronic device and power converter
US11063004B2 (en) Semiconductor device, control device, and method for manufacturing semiconductor device
WO2014203521A1 (ja) 電子装置
JP2013033874A (ja) パワーモジュール
KR20150031029A (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US7447041B2 (en) Compression connection for vertical IC packages
US20150221621A1 (en) Semiconductor module
CN211792251U (zh) 微电子封装的嵌入式铜结构
JP2003037241A (ja) 電気回路基板パッケージ品および電気回路基板パッケージ品の製造方法
WO2015052880A1 (ja) 半導体装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant