CN104412162A - 正型感光性组合物、薄膜晶体管及化合物 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种图案形成性及固化物(薄膜)的电绝缘可靠性优异的正型感光性组合物，第一本发明的正型感光性组合物包含：(A)一个分子中包含烯基或SiH基的化合物，其具有在酸存在下发生分解而显现酸性基团或羟基的结构；(B)一个分子中包含SiH基或烯基的化合物；(C)硅氢化催化剂；及(D)光产酸剂。

Description

正型感光性组合物、薄膜晶体管及化合物
技术领域
本发明涉及一种正型感光性组合物、薄膜晶体管及化合物
背景技术
正型感光性组合物被广泛用于制造显示器、半导体等，提出了并对有一种以丙烯酸树脂或苯酚树脂作为主要成分的正型抗蚀剂进行了商品化。
特别是作为用作永久抗蚀剂的正型感光性组合物，由于正型感光性组合物的固化物(薄膜)在图案形成后作为功能膜残留于装置内，因此，提出了一种正型感光性组合物，其以更具有耐久性的树脂即聚酰亚胺类聚合物(专利文献1)、硅类聚合物(专利文献2)等材料作为基体。
然而，在绝缘膜等中使用使这些正型感光性组合物固化而得到的薄膜时，绝缘性不充分，从而仍不能得到满足绝缘膜所要求的绝缘性的固化物即正型感光性组合物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-033772号公报
专利文献2：日本特开2011-022173号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的目的在于，提供一种图案形成性及固化物(薄膜)的电绝缘可靠性优异的正型感光性组合物、以及作为绝缘膜具备使该正型感光性组合物固化而得到的薄膜的薄膜晶体管。
另外，本发明的目的在于，提供一种化合物，其可优选用于得到图案形成性及固化物(薄膜)的电绝缘可靠性优异的正型感光性组合物。
用于解决问题的技术方案
本发明人等进行了潜心研究，结果发现，可通过以下的构成实现上述课题，从而完成了本发明。
即，一种正型感光性组合物，其包含：
(A)一个分子中包含烯基或SiH基的化合物，其具有在酸存在下发生分解而显现酸性基团或羟基的结构；
(B)一个分子中包含SiH基或烯基的化合物；
(C)硅氢化催化剂；及
(D)光产酸剂。
在第一本发明的正型感光性组合物中，上述成分(B)优选为不具有在酸存在下发生分解而显现酸性基团或羟基的结构的化合物。
在第一本发明的正型感光性组合物中，上述成分(A)优选为一个分子中包含SiH基的化合物，其具有在酸存在下发生分解而显现酸性基团或羟基的结构，上述成分(B)为一个分子中包含烯基的化合物。
在第一本发明的正型感光性组合物中，上述成分(A)中，在酸存在下发生分解而显现酸性基团或羟基的结构是进行了官能团保护的酚结构、或进行了官能团保护的羧酸结构。
在第一本发明的正型感光性组合物中，上述进行了官能团保护的酚结构为进行了官能团保护的双酚结构，更优选用三烷基甲硅烷基或丁氧基羰基进行了官能团保护的双酚结构。
在第一本发明的正型感光性组合物中，上述成分(A)优选具有双酚结构，更优选具有双酚S结构或双酚F结构。
在第一本发明的正型感光性组合物中，上述进行了官能团保护的羧酸结构优选为包含缩醛键的结构、或者包含羧酸叔酯键的结构。
在第一本发明的正型感光性组合物中，上述包含羧酸叔酯键的结构优选为用脂肪族环结构进行了保护的羧酸叔酯结构，更优选为用金刚烷结构进行了保护的羧酸叔酯结构。
在第一本发明的正型感光性组合物中，上述成分(A)及所述成分(B)中至少一种为硅氧烷类化合物。
在第一本发明的正型感光性组合物中，上述成分(A)及所述成分(B)中至少上述成分(A)为硅氧烷类化合物，且上述成分(A)具有环状硅氧烷结构。
在第一本发明的正型感光性组合物中，上述硅氧烷类化合物优选含有具有由6～24个Si原子形成的多面体骨架的聚硅氧烷结构。
在第一本发明的正型感光性组合物中，上述具有多面体骨架的聚硅氧烷结构优选通过使具有由6～24个Si原子形成的多面体骨架及烯基的聚硅氧烷化合物与具有SiH基的硅氧烷化合物进行硅氢化反应而得到。
在第一本发明的正型感光性组合物中，所述具有多面体骨架的聚硅氧烷结构通过使下述通式(I)所示的具有多面体骨架的聚硅氧烷化合物与下述通式(II)所示的环状硅氧烷化合物进行硅氢化反应而得到：
[化学式1]
通式(I)中，R1为氢原子或碳原子数1～10的有机基团，R1中的至少一个为氢原子或烯基，各R1可以相同也可以不同；
[化学式2]
通式(II)中，R2为碳原子数1～6的有机基团，R3为氢原子或烯基，各R2、R3可以相同也可以不同，n表示0～10的整数，m表示1～10的整数。
在第一本发明的正型感光性组合物中，上述成分(A)为在酸存在下发生分解而成为碱可溶性的化合物。
在第二本发明的正型感光性组合物中，包含下述成分(E)来代替第一本发明的正型感光性组合物中的成分(A)及成分(B)，
(E)使成分(A)与成分(B)进行硅氢化反应而得到的化合物。
第三本发明的正型感光性组合物含有:
(F)具有用三烷基甲硅烷基对酚羟基进行了官能团保护而形成的双酚结构的化合物、以及
(D)光产酸剂。
在第三本发明的正型感光性组合物中，优选上述成分(F)的双酚结构为双酚S结构或双酚F结构。
第四本发明的正型感光性组合物含有:
(G)具有下述式(X1)或式(X2)所示结构的化合物、
(H)具有在酸存在下发生分解而显现酸性基团或羟基的结构的化合物、以及
(D)光产酸剂，
[化学式3]
在第一～第四本发明的正型感光性组合物中，上述(D)成分优选为碘鎓盐或锍盐。
第一～第四本发明的正型感光性组合物优选还包含(I)碱可溶性成分。
在第一～第四本发明的正型感光性组合物中，上述(I)成分优选包含SiH基或烯基的化合物。
在第一～第四本发明的正型感光性组合物中，上述(I)成分优选包含下述式(X1)或式(X2)所示结构的化合物。
[化合物4]
第二～第四本发明的正型感光性组合物优选还包含化合物(J)，所述化合物包含烯基、且不具有在酸存在下发生分解而显现酸性基团或羟基的结构。
第一～第四本发明的正型感光性组合物优选还包含敏化剂(K)。
第五本发明的薄膜晶体管具备使第一～第四本发明的正型感光性组合物固化而得到的薄膜作为栅极绝缘膜。
另外，第六本发明的薄膜晶体管的特征在于，
具备将第一～第四本发明的正型感光性组合物固化而得到的薄膜作为钝化膜。
第七本发明的化合物
涉及一种化合物，其由下述通式(III)表示。
[化学式5]
(R4表示不具有不饱和键的碳原子数1～6的烷基，各R4可以相同或不同。R5只要为能够获得双酚化合物的结构即可。)
发明效果
第一～第四本发明的正型感光性组合物的图案形成性优异，另外，固化物(薄膜)的电绝缘可靠性优异。
第五、第六本发明的薄膜晶体管具备将第一～第四本发明的正型感光性组合物固化而得到的薄膜作为栅极绝缘膜或钝化膜，因此，作为晶体管的性能、可靠性优异。
第七本发明的化合物可优选用于图案形成性及固化物(薄膜)的电绝缘可靠性优异的正型感光性组合物。
附图说明
图1为示意性地表示第五本发明的薄膜晶体管的一例的剖面图。
图2为示意性地表示第六本发明的薄膜晶体管的一例的剖面图。
标记说明
100、200薄膜晶体管
11、21基板(栅电极)
12、22栅极绝缘膜
13、23半导体层
14、15、24、25源极/漏电极
26钝化膜
具体实施方式
<<第一本发明的正型感光性组合物>>
首先，对第一本发明的正型感光性组合物进行说明。
第一本发明的正型感光性组合物含有：(A)具有在酸存在下分解而显现酸性基团或羟基的结构且一分子中含有烯基或SiH基的化合物；
(B)一分子中含有SiH基或烯基的化合物；
(C)硅氢化催化剂；及
(D))光产酸剂。
<成分(A)>
上述成分(A)为具有在酸存在下分解而显现酸性基团或羟基的结构且一分子中含有烯基或SiH基的化合物。上述成分(A)利用由(D)光产酸剂产生的酸发生分解而显现酸性基团或羟基从而可溶于显影液，因此，通过将上述的成分(A)与(D)成分一起使用，可形成正型的图案。
作为上述在酸存在下分解而显现酸性基团或羟基的结构没有特别限定，但从图案形成性及固化物(薄膜)的绝缘性优异的观点考虑，优选为进行了官能团保护的酚结构、进行了官能团保护的羧酸结构。
在本说明书中，所谓进行了官能团保护的酚结构是指酚结构的羟基中氢原子被取代为化合物残基的结构。
上述进行了官能团保护的酚结构可更显著地表现图案形成性及固化物(薄膜)的绝缘性优异的效果，因此，优选为进行了官能团保护的双酚结构，更优选为用三烷基甲硅烷基或丁氧基羰基进行了官能团保护的双酚结构。
另外，上述化合物残基优选为碳原子数1～50的有机基团或有机硅基。
具有碳原子数1～50的有机基团或有机硅基作为上述化合物残基的进行了官能团保护的双酚结构由下述通式(IV)表示。
[化学式6]
(通式(IV)中，R6表示碳原子数1～50的有机基团或有机硅基，R7只要为能够获得双酚结构而采用的结构即可。另外，芳香环上的氢也可以被取代。)
作为得到具有进行了上述官能团保护的酚结构(特别是通式(IV)所示的进行了官能团保护的双酚结构)的化合物的方法，可以使用例如有使用与活性氢具有反应性的化合物的方法、使用Boc化试剂通过叔丁氧基羰基进行保护的方法等。
在这些方法中，为了高效地得到目标化合物，也可以适宜使用溶剂或催化剂。
在上述成分(A)具有硅氢化反应性基团即SiH基等的情况下，从稳定性方面考虑，优选使用与活性氢具有反应性的化合物的方法。
作为上述与活性氢具有反应性的化合物，例如可以举出：卤化物、羧酸、甲硅烷基化剂等。
作为使用上述与活性氢具有反应性的化合物的方法，从利用(D)光产酸剂进行脱保护的容易度的观点考虑，优选使用甲硅烷基化剂利用三烷基甲硅烷基来保护官能团的方法。
作为上述三烷基甲硅烷基中所含的烷基，没有特别限定，但从利用(D)光产酸剂的脱保护的容易性的观点考虑，优选不具有不饱和键的碳原子数1～6的烷基，更优选为甲基。
在使用甲硅烷基化剂利用三烷基甲硅烷基保护官能团的情况下，作为上述甲硅烷基化剂，可使用通用的甲硅烷基化剂，具体而言，例如可以举出：六甲基二硅氮烷、三甲基氯硅烷、叔丁基二甲基氯硅烷、双(三甲基甲硅烷基)乙酰胺、双(三甲基甲硅烷基)三氟乙酰胺、N-甲基三甲基甲硅烷基乙酰胺、N-甲基三甲基甲硅烷基三氟乙酰胺、三甲基甲硅烷基咪唑、N,N'-双(三甲基甲硅烷基脲)、三乙基氯硅烷、三异丙基氯硅烷、三乙基硅烷等。这些甲硅烷基化剂中，从工业上可廉价地制造的观点考虑，优选六甲基二硅氮烷、三甲基氯硅烷、叔丁基二甲基氯硅烷。
这些甲硅烷基化剂可单独使用，也可以组合使用2种以上。
在本说明书中，所谓进行了官能团保护的羧酸结构是指羧酸结构的羧基的氢原子被取代为化合物残基的结构。
作为上述进行了官能团保护的羧酸结构，可更显著地表现图案形成性及固化物(薄膜)的绝缘性优异的效果，因此，优选含有缩醛键的结构、含有羧酸叔酯键的结构。
作为具有含有上述缩醛键结构的成分(A)，例如可以举出：二烯丙基缩醛、戊醛二烯丙基缩醛、苯甲醛二烯丙基缩醛、1,1,2,2-四烯丙氧基乙烷、1,1,2,2-四烯丙氧基丙烷、2,2-二烯丙基-1,3-二氧杂环戊烷、丙烯酸甲氧基甲酯、丙烯酸乙氧基甲酯、4-乙烯基甲氧基甲基苯甲酸酯、4-乙烯基乙氧基甲基苯甲酸酯等。
另外，也可以使用使具有含有上述缩醛键的结构的成分(A)与具有SiH基的硅氧烷化合物预先进行硅氢化反应而得到的化合物。
在含上述有羧酸叔酯结构的结构中，作为羧酸叔酯结构，例如可以举出：利用对叔丁氧基、对叔丁氧基羰基等对羧基进行了保护的结构等。作为叔酯结构，没有特别限定，可以使用叔丁基酯等公知的叔酯。
作为含有烯基和含有上述羧酸叔酯结构的结构的成分(A)，没有特别限定，例如可以举出：丙烯酸叔丁酯、甲基丙烯酸叔丁酯、叔丁基3-丁烯酸酯、丙烯酸2-甲基2-金刚烷基酯、丙烯酸2-乙基2-金刚烷基酯、甲基丙烯酸2-甲基2-金刚烷基酯、甲基丙烯酸2-乙基2-金刚烷基酯、1,3-金刚烷二醇二丙烯酸酯、1,3-金刚烷二醇二甲基丙烯酸酯等。其中，特别是从耐热性优异的观点考虑，优选含有2个以上(甲基)丙烯酸基的化合物，优选1,3-金刚烷二醇二丙烯酸酯、1,3-金刚烷二醇二甲基丙烯酸酯。
另外，也可以使用使成分(A)和具有SiH基的硅氧烷化合物预先进行硅氢化反应而得到的化合物，所述成分(A)含有烯基和含有上述羧酸叔酯结构的结构。
从显影对比度、得到的薄膜的耐热性、绝缘性优异的方面考虑，含有上述羧酸叔酯键的结构优选用脂肪族环结构进行了保护的羧酸叔酯结构。此时，在羧酸叔酯结构中，保护羧基的叔碳可以为形成脂肪族环结构的碳，也可以为独立存在而未形成脂肪族环结构的碳。
从显影对比度、曝光灵敏度的方面考虑，上述脂肪族环结构优选为金刚烷结构。
在第一本发明的正型感光性组合物中，上述成分(A)中所含的在酸存在下进行分解而显现酸性基团或羟基的结构的含量以成分(A)和成分(B)的总计量为基准，利用1H-NMR进行测定，以将标准物质设为二溴乙烷时的当量换算计优选为0.05～10mmol/g，更优选为0.1～5mmol/g，进一步优选为0.15～3mmol/g。
上述成分(A)为一个分子中包含SiH基的化合物，其具有在酸存在下发生分解而显现酸性基团或羟基的结构。
另外，作为上述成分(A)，也可以使用后述的成分(E)(成分(A)和成分(B)的硅氢化反应物)，特别是也可以使用下述化合物作为上述成分(A)：使成分(A)和成分(B)预先进行硅氢化反应而得到的具有在酸存在下分解而显现酸性基团或羟基的结构且含有烯基和SiH基的化合物。
作为含有烯基的成分(A)，从利用光产酸剂进行脱保护的容易度、获得性的观点考虑，优选下述通式(III)所示的化合物、或使该化合物与后述的成分(B)进行反应而得到的化合物。
[化学式7]
(通式(III)中，R4表示不具有不饱和键的碳原子数1～6的烷基，各R4可以相同或不同。R5只要为能够获得双酚结构的结构即可。)
在上述成分(A)含有烯基的情况下，通过交联密度上升可得到坚韧的薄膜的观点考虑，成分(A)一分子中的烯基数优选为2个以上。
作为含有SiH基的成分(A)，例如可以使用下述化合物：其通过使含有上述烯基的成分(A)和一分子中具有2个以上SiH基的化合物进行硅氢化反应而得到。
作为上述一分子中具有2个以上SiH基的化合物，没有特别限定，例如可以举出：用二甲基氢甲硅烷基封锁末端的硅氧烷、侧链具有SiH基的环状硅氧烷、链状硅氧烷、笼状硅氧烷等。
其中，特别是从可得到绝缘性优异的薄膜的观点考虑，优选侧链具有SiH基的环状硅氧烷化合物。
作为上述侧链具有SiH基的环状硅氧烷化合物，例如可以举出：1,3,5,7-四氢-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、1-甲基-3,5,7-三氢-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、1,3-二甲基-5,7-二氢-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、1-丙基-3,5,7-三氢-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、1,3-二丙基-5,7-二氢-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、1,3,5-三氢-7-己基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、1,5-二氢-3,7-二己基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、1,3,5-三氢-三甲基环硅氧烷、1,3,5,7,9-五氢-1,3,5,7,9-五甲基环硅氧烷、1,3,5,7,9,11-六氢-1,3,5,7,9,11-六甲基环硅氧烷等。其中，从获得性的观点考虑，特别优选1,3,5,7-四氢-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷。这些化合物可单独使用，也可以组合使用2种以上。
作为上述硅氢化反应中使用的催化剂，没有特别限定，可以使用公知的硅氢化催化剂，但从催化剂活性的方面考虑，优选使用氯铂酸、铂-烯烃络合物、铂-乙烯基硅氧烷络合物等。
这些硅氢化催化剂可单独使用，也可以组合使用2种以上。
在上述成分(A)含有SiH基的情况下，优选每1g成分(A)中SiH基的含量为0.01～15mmol，更优选为0.05～10mmol，进一步优选为0.1～8mmol，特别优选为1～8mmol。若SiH基的含量低于0.01mmol，则有时绝缘性降低，若超过15mmol，则有时成分(A)的储存稳定性降低。
上述成分(A)从可提高得到的薄膜的耐化学药品性、绝缘性等方面考虑，优选含有双酚结构。
作为上述双酚结构，例如可以举出：双酚A结构、双酚AP结构、双酚AF结构、双酚B结构、双酚BP结构、双酚E结构、双酚M结构、双酚F结构、双酚S结构、双酚PH结构、双酚C结构、双酚G结构、双酚TMC结构、双酚Z结构等。
其中，从可得到在碱显影液中的溶解性优异、对比度优异的图案的观点考虑，优选双酚A结构、双酚B结构、双酚C结构、双酚E结构、双酚F结构、双酚AF结构、双酚S结构、双酚AP结构、双酚PH结构。另外，特别是从获得性的观点考虑，优选双酚A结构、双酚S结构，从利用光产酸剂进行脱保护的容易度的观点考虑，优选双酚S结构、双酚F结构。
在第一本发明的正型感光性组合物中，上述成分(A)可单独使用，也可以组合使用2种以上。
在第一本发明的正型感光性组合物中，从图案形成性及固化物(薄膜)的绝缘性的观点考虑，优选上述成分(A)的含量相对于正型感光性组合物中的除溶剂以外的成分100重量份为5～95重量份，更优选为10～90重量份，进一步优选为20～80重量份。
上述成分(A)优选为在酸存在下分解而变为碱可溶性的化合物。其原因在于，上述成分(A)在酸存在下分解而变为碱可溶性，由此第一本发明的正型感光性组合物变为碱可溶性，因此，在使第一本发明的正型感光性组合物固化而得到薄膜时，可使用作为一般使用的显影液即碱性显影液。
<成分(B)>
上述成分(B)为一个分子中含有SiH基或烯基的化合物。
作为上述成分(B)，没有特别限定，可以使用公知的化合物，但在上述成分(A)为具有烯基的化合物的情况下，上述成分(B)必须是含有SiH基的化合物，另外，在上述成分(A)为含有SiH基的化合物的情况下，需要上述成分(B)是含有烯基的化合物。
另外，上述成分(B)可以具有在酸存在下分解而显现酸性基团或羟基的结构，也可以不具有该结构。
另外，作为上述(B)成分，也可以使用后述的成分(E)(成分(A)和成分(B)的硅氢化反应物)，特别是也可以使用下述化合物作为成分(B)：使上述成分(A)和上述成分(B)预先进行硅氢化反应而得到的具有在酸存在下分解而显现酸性基团或羟基的结构且含有烯基和SiH基的化合物。
作为含有烯基的成分(B)，可以使用具有烯基的有机化合物或具有烯基的硅氧烷化合物等，作为具体例，例如可以举出：邻苯二甲酸二烯丙酯、偏苯三酸三烯丙酯、二乙二醇双烯丙基碳酸酯、三羟甲基丙烷二烯丙基醚、三羟甲基丙烷三烯丙基醚、季戊四醇三烯丙基醚、季戊四醇四烯丙基醚、1,1,2,2-四烯丙氧基乙烷、二亚丙烯基季戊四醇、氰脲酸三烯丙酯、1,2,4-三乙烯基环己烷、1，4-丁二醇二烯丙基醚、壬二醇二烯丙基醚、1,4-环己烷二甲醇二烯丙基醚、三乙二醇二烯丙基醚、三羟甲基丙烷三乙烯基醚、季戊四醇四乙烯基醚、双酚S的二烯丙基醚、二乙烯基苯、二乙烯基联苯、1,3-二异丙烯基苯、1,4-二异丙烯基苯、1,3-双(烯丙氧基)金刚烷、1,3-双(乙烯氧基)金刚烷、1,3,5-三(烯丙氧基)金刚烷、1,3,5-三(乙烯氧基)金刚烷、二环戊二烯、环戊二烯、环己二烯、环辛二烯、三环戊二烯、降冰片二烯、乙烯基降冰片烯、乙烯基环己烯、乙烯基环戊烯、丁二烯、异戊二烯、辛二烯、1,5-己二烯、1,9-癸二烯、二烯丙基醚、双酚A二烯丙基醚、2,5-二烯丙基苯酚烯丙基醚、异氰脲酸三烯丙酯、异氰脲酸二烯丙酯、异氰脲酸二烯丙基单缩水甘油酯、异氰脲酸二烯丙基单苄酯、异氰脲酸二烯丙基单丙酯、异氰脲酸单烯丙基二苄酯、异氰脲酸二烯丙基单甲酯、异氰脲酸单烯丙基二甲酯、具有与硅基键合的乙烯基(Si-CH＝CH2基)的聚硅氧烷化合物等。
作为具有与上述硅基键合的乙烯基的聚硅氧烷化合物，例如可以举出：1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、1-丙基-3,5,7-三乙烯基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、1,5-二乙烯基-3,7-二己基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、1,3,5-三乙烯基-三甲基环硅氧烷、1,3,5,7,9-五乙烯基-1,3,5,7,9-五甲基环硅氧烷、1,3,5,7,9,11-六乙烯基-1,3,5,7,9,11-六甲基环硅氧烷等。
在上述成分(A)的说明中，作为含有烯基的化合物进行了说明的化合物通过与成分(A)的组合，可用作成分(B)。
上述成分(B)从可形成透明性、耐热性、耐光性及绝缘性优异的固化物(薄膜)的观点考虑，优选为具有下述式(V)所示结构和烯基的化合物。
[化学式8]
作为具有上述式(V)所示结构和烯基的化合物，例如可以举出：异氰脲酸三烯丙酯、异氰脲酸二烯丙酯、异氰脲酸二烯丙基单缩水甘油酯、异氰脲酸二烯丙基单苄酯、异氰脲酸二烯丙基单丙酯、异氰脲酸单烯丙基二苄酯、异氰脲酸二烯丙基单甲酯、异氰脲酸单烯丙基二甲酯等。其中，从获得性的观点考虑，优选异氰脲酸三烯丙酯、异氰脲酸二烯丙酯、异氰脲酸二烯丙基单甲酯。
另外，上述成分(B)从固化物的透明性及固化性的观点考虑，优选为具有烯基的硅氧烷化合物。
作为上述具有烯基的硅氧烷化合物，从化合物获得性的观点考虑，优选为具有2个以上与硅基键合的乙烯基(Si-CH＝CH2基)的硅氧烷化合物，更优选为具有2～6个与硅基键合的乙烯基的硅氧烷化合物。
作为上述具有2个以上与硅基键合的乙烯基(Si-CH＝CH2基)的硅氧烷化合物，例如可以举出：1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、1-丙基-3,5,7-三乙烯基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、1,5-二乙烯基-3,7-二己基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、1,3,5-三乙烯基-三甲基环硅氧烷、1,3,5,7,9-五乙烯基-1,3,5,7,9-五甲基环硅氧烷、1,3,5,7,9,11-六乙烯基-1,3,5,7,9,11-六甲基环硅氧烷等。
在上述成分(B)含有烯基的情况下，从通过交联密度上升而可得到坚韧的薄膜的观点考虑，成分(B)一个分子中的烯基数量优选为2个以上。
作为含有SiH基的成分(B)，例如可以举出上述成分(A)的说明栏中作为一分子中具有2个以上SiH基的化合物进行了说明的化合物。
上述成分(B)从可得到坚韧的薄膜的观点考虑，优选为预先通过聚硅氧烷化合物彼此之间的部分反应、或者有机化合物与聚硅氧烷化合物的部分反应而得到的低聚物。
作为上述部分反应，没有特别限定，但从与水解缩合相比反应后形成对电及热稳定的C-Si键的观点考虑，另外，从容易控制反应而不易残留未交联基团的观点考虑，优选采用硅氢化反应。作为上述部分反应中使用的单体，没有特别限定，可适宜组合使用具有SiH基的聚硅氧烷化合物和具有烯基的聚硅氧烷化合物或有机化合物。
在上述成分(B)含有SiH基的情况下，优选每1g成分(B)中SiH基的含量为0.01～15mmol，更优选为0.05～10mmol，进一步优选为0.1～8mmol，特别优选为1～8mmol。若SiH基的含量低于0.01mmol，则有时固化物(薄膜)的绝缘性降低，若超过15mmol，则有时成分(B)的储存稳定性降低。
在将上述成分(A)和/或成分(B)中所含有的SiH基量设为X，将烯基量设为Y的情况下，X/Y的值优选为0.2≤X/Y≤5.0，从可得到坚韧的薄膜的观点考虑，更优选为0.3≤X/Y≤3.0。
在第一本发明的正型感光性组合物中，上述成分(B)可单独使用，也可以组合使用2种以上。
在第一本发明的正型感光性组合物中，上述成分(A)优选为具有在酸存在下分解而显现酸性基团或羟基的结构且一个分子中含有SiH基的化合物，且上述成分(B)优选为一个分子中含有烯基的化合物。其原因在于固化物(薄膜)的绝缘性优异。
在第一本发明的正型感光性组合物中，上述成分(A)及上述成分(B)中的至少一种优选为硅氧烷类化合物。另外，上述成分(A)及上述成分(B)中，至少上述成分(A)优选为硅氧烷类化合物，更优选上述成分(A)为具有环状硅氧烷结构。其原因在于固化物(薄膜)的绝缘性优异。
在第一本发明的正型感光性组合物中，在上述成分(A)及上述成分(B)中的至少一种为硅氧烷类化合物的情况下，从固化物(薄膜)的耐热性、绝缘性等优异的方面考虑，优选上述硅氧烷类化合物含有具有由6～24个Si原子形成的多面体骨架的聚硅氧烷结构。以下，对上述具有由6～24个Si原子形成的多面体骨架的聚硅氧烷结构进行说明。
(具有多面体骨架的聚硅氧烷结构)
作为上述具有由6～24个Si原子形成的多面体的聚硅氧烷结构，例如可以举出：下述式(VI)所示的具有多面体骨架的聚硅氧烷结构(另外，在此，作为代表例例示具有由8个Si原子形成的多面体骨架的聚硅氧烷结构)。
[化学式9]
作为得到上述具有由6～24个Si原子形成的多面体骨架的聚硅氧烷结构的方法，例如可以举出下述方法：使通式RSiX3(式中R表示具有由6～24个Si原子形成的多面体骨架的聚硅氧烷结中与硅原子键合的基团，X表示卤素原子、烷氧基等水解性官能团)所示的硅烷化合物进行水解缩合反应的方法；使通式RSiX3进行水解缩合反应而合成在分子内具有3个硅烷醇基的三硅烷醇化合物后，进一步使相同或不同的3官能性硅烷化合物发生反应，由此闭环等。
从可得到与其它成分的相容性高、透明且均匀的膜的方面考虑，具有上述由6～24个Si原子形成的多面体骨架的聚硅氧烷结构优选如下得到：使具有由6～24个Si原子形成的多面体骨架及烯基的聚硅氧烷化合物和具有SiH基的硅氧烷化合物进行硅氢化反应。
作为具有上述SiH基的硅氧烷化合物，例如可以举出：链状硅氧烷、环状硅氧烷等。具体而言，可使用上述成分(A)的说明中记载的一个分子中具有2个以上SiH基的化合物(其中，笼状硅氧烷除外)等。另外，也可以使用网格状硅氧烷。其中，从可得到坚韧且耐热性优异的膜的方面考虑，优选使用一个分子中具有2个以上SiH基的环状硅氧烷。
上述具有由6～24个Si原子形成的多面体的聚硅氧烷结构优选为下述式(VII)所示的聚硅氧烷结构(另外，在此，作为代表例例示具有由8个Si原子形成的多面体骨架的聚硅氧烷结构)。在下述式(VII)所示的聚硅氧烷结构所代表的结构中，位于多面体骨架的顶点的Si原子和至少1个含有SiH基或烯基的基团经由硅氧烷键进行键合，因此，在第一本发明的正型感光性组合物中所含有的上述成分(A)及上述成分(B)中的至少一种为硅氧烷类化合物的情况下，通过使用下述式(VII)所示的聚硅氧烷结构所代表的结构的化合物作为上述硅氧烷类化合物可得到坚韧的膜。
[化学式10]
作为具有上述式(VII)所示的聚硅氧烷结构所代表的结构的化合物的合成方法，没有特别限定，可以使用公知的方法，例如可以举出下述方法等：在季铵氢氧化物等碱存在下，使四烷氧基硅烷进行水解缩合后，与含烯基的氯代甲硅烷等甲硅烷基化剂进行反应。在该合成方法中，通过四烷氧基硅烷的水解缩合反应，得到具有多面体骨架的聚硅氧烷化合物，进而使得到的聚硅氧烷化合物与含烯基的氯硅烷等甲硅烷基化剂进行反应，由此可得到含有烯基的甲硅烷基经由硅氧烷键与位于多面体骨架的顶点的Si原子键合而成的聚硅氧烷化合物。
另外，代替四烷氧基硅烷，也可以由二氧化硅或稻壳等含有二氧化硅的物质得到具有同样的多面体骨架的聚硅氧烷化合物。
作为上述四烷氧基硅烷，例如可以举出：四乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷、四丁氧基硅烷等。这些四烷氧基硅烷可单独使用，也可以组合使用2种以上。
作为上述季铵氢氧化物，例如可以举出：2-羟基乙基三甲基氢氧化铵、四甲基氢氧化铵等。这些季铵氢氧化物可单独使用，也可以组合使用2种以上。
从可得到坚韧且耐热性优异的膜的方面考虑，优选具有上述由6～24个Si原子形成的多面体骨架的聚硅氧烷骨架结构是使下述通式(I)所示的具有多面体骨架的聚硅氧烷化合物和下述通式(II)所示的环状硅氧烷化合物进行硅氢化反应而得到的。
[化学式11]
通式(I)中，R1为氢原子或碳原子数1～10的有机基团，R1中的至少一个为氢原子或烯基，各R1可以相同或不同)
[化学式12]
(通式(II)中，R2为碳原子数1～6的有机基团，R3为氢原子或烯基。各R2、R3可以相同或不同，n表示0～10，m表示1～10的数)
另外，在上述通式(I)所示的具有多面体骨架的聚硅氧烷化合物为具有烯基的化合物的情况下，需要上述通式(II)所示的环状硅氧烷化合物为具有SiH基的化合物，另外，在上述通式(I)所示的具有多面体骨架的聚硅氧烷化合物为具有SiH基的化合物的情况下，需要上述通式(II)所示的环状硅氧烷化合物为具有烯基的化合物。
在具有上述由6～24个Si原子形成的具有多面体骨架的聚硅氧烷结构为上述式(VI)所示的聚硅氧烷结构的情况下，优选其含量相对于正型感光性组合物中的除溶剂以外的成分100重量份为2～40重量％，更优选为3～30重量％，进一步优选为4～20重量％，特别优选为4～10重量％。通过将含量设为该范围内，可得到坚韧且耐热性优异、且介电常数低、漏电流也小的电绝缘特性良好的绝缘膜。
<成分(C)>
上述成分(C)为硅氢化催化剂。
作为上述成分(C)，没有特别限定，可以使用公知的硅氢化催化剂，但从催化剂活性的方面考虑，优选使用氯铂酸、铂-烯烃络合物、铂-乙烯基硅氧烷络合物等。
在第一、第二本发明的正型感光性组合物中，上述成分(C)可单独使用，也可以组合使用2种以上。
优选上述成分(C)的含量相对于第一本发明的正型感光性组合物中所含有的烯基1mol为0.01～5mmol，更优选为0.02～5mmol。通过使上述(C)成分的含量设为该范围，可使第一本发明的正型感光性组合物在短时间内固化，且可使固化物的耐热性及耐光性得到提高。
<成分(D)>
上述成分(D)为光产酸剂。在第一本发明的正型感光性组合物中，通过使上述(D)成分曝光而产生酸，使用该酸使上述成分(A)分解而显现酸性基团或羟基从而可溶于显影液，因此，可形成正型图案。
作为上述成分(D)，只要为通过曝光而产生路易斯酸的成分就没有特别限定，可以使用公知的成分，优选芳基锍盐、含有卤素的络离子的芳香族锍盐或碘鎓盐、及IIB族、VB族或VIB族元素的芳香族鎓盐。
特别是从可以以较少的曝光量得到高灵敏度的正型感光性组合物的观点考虑，优选碘鎓盐，从正型感光性组合物的储存稳定性的观点考虑，优选锍盐。
作为上述成分(D)中所含的阴离子，没有特别限定，例如可以举出：B(C6F5)4 -、PF6 -、SbF6 -、CF3SO3 -等。
作为上述(D)成分，也可以使用市售品，作为其具体例，例如可以举出：FX-512(3M公司制)、UVR-6990、UVR-6974(均为Union Carbide公司制)、UVE-1014、UVE-1016(均为General Electric公司制)、KI-85(Degussa公司制)、SP-152、SP-172(均为旭电化公司制)、San-Aid SI-60L、SI-80L、SI-100L(均为三新化学工业公司制)、WPI113、WPI116(均为和光纯药工业公司制)、RHODORSIL PI2074(Rhodia公司制)、BBI-102、BBI-103、BBI-105、TPS-102、TPS-103、TPS-105、MDS-103、MDS-105、DTS-102、DTS-103、DTS-105(均为Midori化学公司制)等。
在第一～第四本发明的正型感光性组合物中，上述成分(D)可单独使用，也可以组合使用2种以上。
上述成分(D)的含量没有特别限定，将从第一～第四本发明的正型感光性组合物中除去了溶剂的总量设为100重量份，优选为0.01～10重量份，更优选为0.1～5重量份。通过使上述成分(D)的含量设为该范围，可使图案形成性和固化物的耐热性及耐光性得到提高。
<<第二本发明的正型感光性组合物>>
接着，对第二本发明的正型感光性组合物进行说明。
第二本发明的正型感光性组合物包含下述成分(E)来代替成分(A)及成分(B)，
(E)使成分(A)与成分(B)进行硅氢化反应而得到的化合物。
<成分(E)>
上述成分(E)是使成分(A)和成分(B)进行硅氢化反应而得到的化合物
上述成分(E)利用由(D)光产酸剂产生的酸发生分解而显现酸性基团或羟基从而可溶于显影液，因此，通过将上述的成分(E)与成分(D)同时使用，可形成正型的图案。
关于用于得到第二本发明的正型感光性组合物中的上述成分(E)的成分(A)、成分(B)，与上述的第一本发明的正型感光性组合物中使用的成分(A)、成分(B)相同。
在使成分(A)和成分(B)进行硅氢化反应而得到上述成分(E)时，可根据需要使用第一本发明的正型感光性组合物中的成分(C)。
在第二本发明的正型感光性组合物中，上述(E)成分可单独使用，也可以组合使用2种以上。
第二本发明的正型感光性组合物中使用的成分(C)及成分(D)分别与第一本发明的正型感光性组合物中使用的成分(C)及成分(D)相同。
<第三本发明的正型感光性组合物>>
接着，对第三本发明的正型感光性组合物进行说明。
第三本发明的正型感光性组合物包含：
(F)具有用三烷基甲硅烷基对酚羟基进行了官能团保护而形成的双酚结构的化合物、以及
(D)光产酸剂。
<成分(F)>
上述成分(F)为含有用三烷基甲硅烷基对酚性羟基进行了官能团保护的双酚结构的化合物。上述成分(F)利用由(D)光产酸剂产生的酸而使三烷基甲硅烷基发生脱保护从而显现酸性基团或羟基从而变为碱可溶性，因此，通过组合使用上述的(F)成分与(D)成分，可形成正型的图案。
作为上述双酚结构，没有特别限定，可使用对第一本发明的正型感光性组合物中的成分(A)进行了说明的双酚结构。
其中，从可得到在碱显影液中的溶解性优异、对比度优异的图案的观点考虑，优选双酚A结构、双酚B结构、双酚C结构、双酚E结构、双酚F结构、双酚AF结构、双酚S结构、双酚AP结构、双酚PH结构。另外，特别是从获得性的观点考虑，优选双酚A结构、双酚S结构，从利用光产酸剂进行脱保护的容易度的观点考虑，优选双酚S结构、双酚F结构。
作为上述三烷基甲硅烷基中所含的烷基，没有特别限定，但从利用光产酸剂(D)进行脱保护的容易度的观点考虑，优选不具有不饱和键的碳原子数1～6的烷基，更优选为甲基。
作为用三烷基甲硅烷基对酚性羟基进行官能团保护的方法，可以使用对第一本发明的正型感光性组合物中的成分(A)进行了说明的使用甲硅烷基化剂通过三烷基甲硅烷基保护官能团的方法。
上述成分(F)可以含有硅氧烷结构。通过含有硅氧烷结构，容易形成透明性、耐热性及耐光性高的固化物(薄膜)。
作为上述硅氧烷化合物，没有特别限定，例如可以举出：链状硅氧烷、环状硅氧烷、网眼状硅氧烷、笼状硅氧烷等。
上述成分(F)可以含有可通过后烧结固化的反应性官能团。通过含有可通过后烧结而固化的反应性官能团，容易形成更坚韧且绝缘性高的固化物(薄膜)。
作为上述可通过后烧结而固化的反应性官能团，例如可以举出环氧基、丙烯酸基、氧杂环丁基、烯基、SiH基、烷氧基甲硅烷基等。其中，从可形成透明性、耐热性及耐光性高的固化物(薄膜)的观点考虑，优选含有SiH基及/或烯基。
在上述(F)成分中，优选每1g上述(F)成分中用三烷基甲硅烷基对酚性羟基进行了官能团保护的双酚结构所占的量为0.01～10mmol，更优选为0.05～8mmol，进一步优选为0.1～5mmol的范围。通过含有该范围的量，可得到碱显影性良好、且坚韧的固化物(薄膜)。
在第三本发明的正型感光性组合物中，上述成分(F)可单独使用，也可以组合使用2种以上。
第三本发明的正型感光性组合物中使用的成分(D)与第一本发明的正型感光性组合物中使用的成分(D)相同。
第三本发明的正型感光性组合物也可以含有硅氢化催化剂，特别是在后烧结时进行氢甲硅烷基固化的情况下，优选含有硅氢化催化剂。
上述硅氢化催化剂与第一本发明的正型感光性组合物中使用的成分(C)相同。
<第四本发明的正型感光性组合物>>
接着，对第四本发明的正型感光性组合物进行说明。
第四本发明的正型感光性组合物包含：
(G)具有下述式(X1)或式(X2)所示结构的化合物、
(H)具有在酸存在下发生分解而显现酸性基团或羟基的结构的化合物、以及
(D)光产酸剂。
[化学式13]
<成分(G)>
上述成分(G)为具有上述式(X1)或(X2)所示结构的化合物。
作为上述(G)，没有特别限定，例如可以举出：二烯丙基异氰脲酸、单烯丙基异氰脲酸等。
在第四本发明的正型感光性组合物中，上述(G)成分可单独使用，也可以组合使用2种以上。
<成分(H)>
上述成分(H)为具有在酸存在下分解而显现酸性基团或羟基的结构的化合物。上述成分(H)利用由(D)光产酸剂产生的酸发生分解而显现酸性基团或羟基从而可溶于显影液，因此，通过组合使用如上所述的成分(H)与成分(D)，可形成正型的图案。
关于上述(H)成分中的在酸存在下分解而显现酸性基团或羟基的结构，与第一本发明的正型感光性组合物中使用的成分(A)中的在酸存在下分解而显现酸性基团或羟基的结构相同。
在第四本发明的正型感光性组合物中，上述(H)成分可单独使用，也可以组合使用2种以上。
第四本发明的正型感光性组合物中使用的(D)成分与第一本发明的正型感光性组合物中使用的(D)成分相同。
第四本发明的正型感光性组合物也可以含有硅氢化催化剂。
上述硅氢化催化剂与第一本发明的正型感光性组合物中使用的(C)成分相同。
<<任意成分>>
第一～第四本发明的正型感光性组合物除上述的必需成分以外，也可以分别任意地含有其它成分。
作为上述其它成分，例如可以举出：(I)碱可溶性成分、(J)含有烯基但不具有在酸存在下分解而显现酸性基团或羟基的结构的化合物、(K)敏化剂、硅氢化反应抑制剂、溶剂等。以下，对各成分进行说明。
<成分(I)>
从正型感光性组合物在碱显影液中的溶解性得到提高，且为高灵敏度的正型感光性组合物的方面考虑，优选第一～第四本发明的正型感光性组合物优选还含有(I)碱可溶性成分。
作为上述成分(I)，例如可以举出：具有下述式(X1)或(X2)所示结构的化合物、具有酚基的苯酚树脂或具有羧基的丙烯酸树脂、酰胺树脂、酰亚胺树脂等。
这些成分(I)可单独使用，也可以组合使用2种以上。
另外，第四本发明的正型感光性组合物含有具有下述式(X1)或(X2)所示结构的化合物作为必需成分，因此，在第四本发明的正型感光性组合物含有上述(I)碱可溶性成分的情况下，含有具有下述式(X1)或(X2)所示结构的化合物以外的碱可溶性成分。
上述(I)成分从烧成后可得到绝缘性、耐热性、耐溶剂性优异的薄膜的观点考虑，优选为具有下述式(X1)或(X2)所示结构的化合物，更优选为具有下述式(X1)或(X2)所示结构的聚硅氧烷化合物。
[化学式14]
作为得到具有上述式(X1)或(X2)所示结构的聚硅氧烷化合物的方法，作为简单的方法，例如可以举出使具有上述(X1)或(X2)所示结构及烯基的化合物和具有SiH基的硅氧烷化合物的一部分进行硅氢化反应的方法等。可将利用上述方法预先得到的(I)成分用于第一～第四本发明的正型感光性组合物。
作为具有上述式(X1)或(X2)所示结构及烯基的化合物，例如可以举出：二烯丙基异氰脲酸、单烯丙基异氰脲酸等。具有上述式(X1)或(X2)所示结构及烯基的化合物也可以用于得到上述成分(I)时的硅氢化反应。
作为含有上述SiH基的硅氧烷化合物，例如可以举出上述成分(A)的说明中对作为一个分子中具有2个以上SiH基的化合物进行了说明的化合物。
在上述成分(I)为含有SiH基或烯基的化合物情况下，在使该成分(I)包含于第一本发明的正型感光性组合物时，可用作第一本发明的正型感光性组合物的成分(B)。另外，在上述(I)成分除SiH基或烯基以外还具有在酸存在下分解而显现酸性基团或羟基的结构的情况下，在使该成分(I)包含于第一本发明的正型感光性组合物时，可用作第一本发明的正型感光性组合物的成分(A)。
另外，在上述成分(I)含有用三烷基甲硅烷基对酚性羟基进行了官能团保护的双酚结构的情况下，在使该成分(I)包含于第三本发明的正型感光性组合物时，可用作第三本发明的正型感光性组合物的(F)成分。
在第一～第四本发明的正型感光性组合物含有上述成分(I)的情况下，优选上述成分(I)含量的上限相对于从第一～第四本发明的正型感光性组合物中除去了溶剂的成分100重量份为80重量份，更优选为75重量份。另一方面，含量的下限优选为15重量份，更优选为20重量份，进一步优选为大于50重量份。通过将上述成分(I)的含量设为该范围，可得到碱显影性优异的正型感光性组合物。
<成分(J)>
第二～第四本发明的正型感光性组合物优选还含有烯基(J)、且不具有在酸存在下分解而显现酸性基团或羟基的结构的化合物。通过使用上述成分(J)，第一～第四本发明的正型感光性组合物的图案形成性、及固化物(薄膜)的绝缘性、耐热性可得到提高。
作为上述成分(J)，没有特别限定，例如可使用与对第一本发明的正型感光性组合物中的成分(B)进行了说明的可用作具有烯基的成分(B)的化合物同样的化合物等。
这些成分(J)可单独使用，也可以组合使用2种以上。
在第二本发明的正型感光性组合物含有上述成分(J)的情况下，优选上述成分(J)的含量相对于上述成分(E)100重量份为3～40重量份，更优选为5～30重量份。
在第三本发明的正型感光性组合物含有上述成分(J)的情况下，优选上述成分(J)的含量相对于上述(F)成分100重量份为3～40重量份，更优选为5～30重量份。
在第四本发明的正型感光性组合物含有上述成分(J)的情况下，优选上述成分(J)的含量相对于上述成分(G)和上述成分(H)的总计100重量份为3～40重量份，更优选为5～30重量份。
<成分(K)>
第一～第四本发明的正型感光性组合物对光的灵敏度、特别是对g射线(436nm)、h射线(405nm)、i射线(365nm)这样的短波长的光的灵敏度提高，因此，优选添加敏化剂(K)。通过组合使用上述成分(K)与上述成分(D)，可进行固化性的调整。
作为上述成分(K)，例如可以举出：蒽类化合物、噻吨酮类化合物等。
上述成分(K)从光增敏效果的观点考虑，优选为蒽类化合物。
作为上述蒽类化合物，例如可以举出：蒽、2-乙基-9,10-二甲氧基蒽、9,10-二甲基蒽、9,10-二丁氧基蒽、9,10-二丙氧基蒽、9,10-二乙氧基蒽、1,4-二甲氧基蒽、9-甲基蒽、2-乙基蒽、2-叔丁基蒽、2,6-二叔丁基蒽、9,10-二苯基-2，6-二叔丁基蒽等。
其中，特别是从获得容易性的观点考虑，优选蒽、9,10-二甲基蒽、9,10-二丁氧基蒽、9,10-二丙氧基蒽、9,10-二乙氧基蒽。
另外，从固化物的透明性优异的观点考虑，优选蒽，从与其它成分的相容性优异的观点考虑，优选9,10-二丁氧基蒽、9,10-二丙氧基蒽、9,10-二乙氧基蒽。
上述成分(K)从光正型感光性组合物的储存稳定性的观点考虑，优选为噻吨酮类化合物。
作为上述噻吨酮类化合物，例如可以举出：噻吨酮、2-氯噻吨酮、2,5-二乙基二烷酮(2-ジエチルジオキサントン)、异丙基噻吨酮等。
其中，从获得性的观点考虑，优选2,5-二乙基二烷酮(2-ジエチルジオキサントン)、异丙基噻吨酮。
这些成分(K)可单独使用，也可以组合使用2种以上。
在第一本发明的正型感光性组合物含有成分(K)的情况下，优选其含量相对于上述成分(A)100重量份为3～50重量份，更优选为5～40重量份，进一步优选为7～35重量份。
在第二本发明的正型感光性组合物含有成分(K)的情况下，优选其含量相对于上述成分(E)100重量份为3～50重量份，更优选为5～40重量份，进一步优选为7～35重量份。
在第三本发明的正型感光性组合物含有成分(K)的情况下，优选其含量相对于上述成分(F)100重量份为3～50重量份，更优选为5～40重量份，进一步优选为7～35重量份。
在第四本发明的正型感光性组合物含有成分(K)的情况下，优选其含量相对于上述成分(G)和成分(H)的总量100重量份为3～50重量份，更优选为5～40重量份，进一步优选为7～35重量份。
(硅氢化反应抑制剂)
在第一～第四本发明的正型感光性组合物中，为了确保储存稳定性，也可以使用硅氢化反应抑制剂。
作为上述硅氢化反应抑制剂，例如可以举出：含有脂肪族不饱和键的化合物、有机磷化合物、有机硫化合物、含氮化合物、锡类化合物、有机过氧化物等。
作为上述含有脂肪族不饱和键的化合物，例如可以举出：3-羟基-3-甲基-1-丁炔、3-羟基-3-苯基-1-丁炔、1-乙炔基-1-环己醇等丙炔醇类、烯-炔化合物类、马来酸二甲酯等马来酸酯类等。
作为上述有机磷化合物，例如可以举出：三苯基膦等三有机膦类、二有机膦类、有机膦类、三有机亚磷酸酯类等。
作为上述有机硫化合物，例如可以举出：有机硫醇类、二有机硫化物类、硫化氢、苯并噻唑、噻唑、苯并噻唑二硫化物等。
作为上述锡类化合物，例如可以举出：卤化亚锡二水合物、羧酸亚锡等。
上述有机过氧化物，例如可以举出：过氧化二叔丁基、过氧化二异丙苯、过苯甲酸叔丁酯等。
这些硅氢化反应抑制剂可单独使用，也可以组合使用2种以上。
这些硅氢化反应抑制剂中，从延迟活性良好且原料获得容易的观点考虑，优选苯并噻唑、噻唑、马来酸二甲酯、3-羟基-3-甲基-1-丁炔、1-乙炔基-1-环己醇、三苯基膦。
(溶剂)
上述第一～第四本发明的正型感光性组合物优选含有溶剂。通过含有溶剂，在使正型感光性组合物固化而得到薄膜时，可降低正型感光性组合物的粘度，其结果可均匀地涂布。
作为上述溶剂，没有特别限定，例如可以举出：乙基环己烷、三甲基戊烷等烃类溶剂、1,4-二噁烷、1,3-二氧杂环戊烷等醚类溶剂、甲基异丁基酮、环己酮等酮类溶剂、异丁酸异丁酯、丁酸异丁酯等酯类溶剂、丙二醇-1-单甲基醚-2-乙酸酯(PGMEA)、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚等二醇类溶剂、三氟甲苯等卤素类溶剂等。
这些溶剂可单独使用，也可以以2种以上混合溶剂的形式使用。
上述溶剂从特别容易形成均匀的膜的观点考虑，优选为1,4-二噁烷、异丁酸异丁酯、丙二醇-1-单甲基醚-2-乙酸酯、甲基异丁基酮、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚。
在第一～第四本发明的正型感光性组合物含有溶剂的情况下，其含量没有特别限定，可适宜设定，但优选相对于除溶剂以外的正型感光性组合物的总量100重量份，下限为10重量份，更优选为30重量份，进一步优选为50重量份。另一方面，上述含量的上限优选为800重量份，更优选为400重量份，进一步优选为300重量份。
若上述溶剂的含量低于10重量份，则有时无法得到由溶剂得到的低粘度化等效果，另一方面，若含量超过800重量份，则有时制成固化物时残留溶剂而成为热龟裂等的原因，另外，成本上不利而使工业利用价值降低。
第一～第四本发明的正型感光性组合物的制备方法没有特别限定，可使用各种方法。也可以在固化之前对各种成分进行混合制备，也可在将总成分预先混合制备而成的一个液体的状态下进行低温储存。
如后所述，第一～第四本发明的正型感光性组合物为可通过涂布工艺(涂布)形成绝缘膜的材料，由于图案电极取出性优异，并且绝缘可靠性等优异，因此，作为满足晶体管所要求的特性的材料应用于薄膜晶体管。
第一～第四本发明的正型感光性组合物在后述的第五、第六本发明的薄膜晶体管中用作栅极绝缘膜或钝化膜等绝缘膜的材料。
<<第五、第六本发明的薄膜晶体管>>
接着，对第五、第六本发明的薄膜晶体管进行说明。
第五本发明的薄膜晶体管具备将第一～第四本发明的正型感光性组合物固化而得到的薄膜作为栅极绝缘膜。
第六本发明的薄膜晶体管具备将第一～第四本发明的正型感光性组合物固化而得到的薄膜作为钝化膜。
作为使第一～第四本发明的正型感光性组合物固化而得到薄膜的方法，例如可以使用将第一～第四本发明的正型感光性组合物涂布于各种基体材料后，使用期望形状的掩模对第一～第四本发明的正型感光性组合物进行曝光，溶解除去曝光部，由此得到形成为图案状的薄膜的方法等。
(关于光刻)
作为将第一～第四本发明的正型感光性组合物涂布于各种基体材料的方法，只要为可使其均匀涂布的方法就没有特别限定，可以使用一般常使用的涂布方法，例如可以使用旋涂、狭缝涂布、浸渍涂布、辊涂、丝网涂布、喷雾涂布、旋转浇铸、流动涂布、丝网印刷、喷墨、滴落浇铸等方法。
另外，也可以根据各种基体材料的状态利用溶剂适宜进行的粘度调整、利用表面活性剂进行表面张力调整等。
将第一～第四本发明的正型感光性组合物涂布于各种基体材料后，出于除去溶剂的目的，也可以在曝光前进行预烧结或真空脱挥发工艺。但是，有可能产生因加热使显影性降低等问题，因此，预烧结的温度优选为100℃以下，更优选为80℃以下。
另外，真空脱挥发工艺和预烧结也可以同时进行。
作为用于使第一～第四本发明的正型感光性组合物进行曝光的光源，只要采用下述光源即可发出使用的(D)光产酸剂或(K)敏化剂的吸收波长的光即可，通常可使用包含200～450nm范围的波长的光源、例如高压水银灯、超高压水银灯、金属卤化物灯、高功率金属卤化物灯、氙灯、碳弧灯、发光二极管等。
此时，作为曝光量，没有特别限定，但优选为1～5000mJ/cm2，更优选为1～1000mJ/cm2。
对第一～第四本发明的正型感光性组合物进行曝光后，也可以进行加热。通过加热，使未曝光的部分固化，对比度变得明确。
作为加热温度，优选为50℃以上且120℃以下，对比度变得明确，因此，更优选为60℃以上且100℃以下。
作为对第一～第四本发明的正型感光性组合物进行曝光后，将曝光部溶解、除去而形成图案的方法，没有特别限定，可使用一般进行的浸渍法或喷雾法等显影方法。
此时，作为显影液，只要为一般使用的显影液就可以没有特别限定地使用，作为具体例，例如可以举出：四甲基氢氧化铵水溶液、胆碱水溶液等有机碱水溶液、氢氧化钾水溶液、氢氧化钠水溶液、碳酸钾水溶液、碳酸钠水溶液、碳酸锂水溶液等无机碱水溶液、作为为了调整在上述水溶液中的溶解速度等添加了的醇或表面活性剂等的物质、各种有机溶剂等。
(关于后烧结)
另外，将曝光部溶解、除去后，为了提高薄膜的强度、可靠性，也可以进行后烧结。
作为后烧结的温度，优选为100～300℃，更优选为150～250℃。
另外，在使用塑料基板作为基体材料的情况下，优选在尽可能低的温度下进行后烧结，但第一～第四本发明的正型感光性组合物可在150℃～200℃下进行后烧结，因此，即使在上述的情况下也可在不会对基板造成不良影响的情况下进行后烧结。
使第一～第四本发明的正型感光性组合物固化而得到薄膜时，将曝光部溶解、除去后进行加热来进行后烧结，由此可进行固化反应，可得到绝缘性高的薄膜。
作为上述固化反应，例如可以举出：溶胶凝胶反应、硅氢化反应等，从可在更低温下得到特别是绝缘性优异的薄膜的观点考虑，上述固化反应优选为硅氢化反应。上述硅氢化反应通过在第一～第四本发明的正型感光性组合物中存在含有烯基的化合物、含有SiH基的化合物及硅氢化催化剂来进行。
通过以上方法，可得到由第一～第四本发明的正型感光性组合物构成的形成为图案状的薄膜。
(关于绝缘性)
通过上述方法得到的薄膜作为优异的绝缘膜发挥作用。
LSI、TFT、触摸面板等中使用的绝缘膜要求漏电流小。在上述薄膜的膜厚为1微米的情况下，漏电流优选为10nA/cm2以下，更优选为5nA/cm2以下。
(薄膜晶体管)
在本说明书中，所谓薄膜晶体管是指薄膜型的电场效应晶体管(FET)。即，表示由源电极、漏电极、栅电极构成的3端子型、及由源电极、漏电极、栅电极和背栅电极构成的4端子型的晶体管，并利用通过对栅电极施加电压而产生的通道电场来对源/漏电极间的电流进行控制的薄膜型晶体管。
使第一～第四本发明的正型感光性组合物固化而得到的薄膜在第五、第六本发明的薄膜晶体管中，可用作将半导体层和栅电极隔开的栅极绝缘膜、或保护半导体层且对源极/漏电极和像素电极进行绝缘的钝化膜。
所谓薄膜晶体管中的栅极绝缘膜是指栅电极和半导体层之间所形成的绝缘膜，且即使微小的电流发生泄露也会产生影响而工作不良，因此，需要极高的绝缘可靠性的部件。另外，钝化膜是承担保护半导体层作用的绝缘膜，与栅极绝缘膜同样地需要较高绝缘可靠性的部件。
一边参照附图一边对第五、第六本发明的薄膜晶体管结构进行说明。
图1为示意性地表示第五本发明的薄膜晶体管的一例的剖面图。如图1所示，第五本发明的薄膜晶体管100具有如下结构：依次对基板(栅电极)11、由使第一～第四本发明的正型感光性组合物固化而得到的薄膜构成的栅极绝缘膜12、及半导体层13进行层叠，进而以与栅极绝缘膜12和半导体层13相接的方式形成源/漏电极14、15。
图2为示意性地表示第六本发明的薄膜晶体管的一例的剖面图。如图2所示，第六本发明的薄膜晶体管200具有如下结构：依次对基板(栅电极)21、栅极绝缘膜22及半导体层23进行叠层，源/漏电极24、25以与栅极绝缘膜22和半导体层23相接的方式形成，进一步由使第一～第四本发明的正型感光性组合物固化而得到的薄膜构成的栅极绝缘膜26以覆盖半导体层23源/漏电极24、25的方式形成。
作为第五、第六本发明的薄膜晶体管的结构，并不特别限定于参照附图说明的上述的结构，只要根据使用薄膜晶体管的显示器件结构以各种、配置进行设计即可。例如，关于栅电极的配置，可以采用底栅极型、顶栅极型等，另外，关于源/漏电极的配置，可采用底接触型、顶接触型等。
作为上述基板(栅电极)，没有特别限定，可以使用该技术领域中通常使用的基板。
另外，作为半导体层的材料，例如可以举出：戊省类化合物、低聚噻吩类化合物、酞菁类化合物等有机半导体化合物、Si类化合物、ZnO类化合物、IGZO类化合物等无机半导体化合物等。其中，从为了可在低温下形成半导体层，因此，全部实现低温工艺化的观点考虑，优选有机半导体化合物。另外，通过对半导体层的形成进行涂布工艺化来预期待膜的生产节拍时间缩短等观点考虑，优选Si类化合物或ZnO类化合物等无机半导体化合物。
另外，半导体层的厚度不论半导体层的材料为无机半导体化合物或有机半导体化合物，均优选为10～500nm。
作为上述源/漏电极的材料，没有特别限定，从可简单获得的方面考虑，例如可以举出：Au、Al、Pt、Mo、Ti、Cr、Ni、Cu、ITO、PEDOT/PSS等导电性高分子、导电浆料、金属油墨等。
其中，从电阻小、且可得到较高的导电性的方面考虑，优选Al、Mo、Ti、Cr、Ni、Cu，从可应用于需要透明性的部位的观点考虑，优选ITO、PEDOT/PSS，从电极表面不易氧化且稳定性优异的方面考虑，优选Au、Pt，从可通过印刷工艺形成电极的方面考虑，优选PEDOT/PSS等的导电性高分子、导电浆料、金属油墨。
作为制作上述栅极绝缘膜、或上述钝化膜的方法，可采用下述方法：使上述第一～第四本发明的正型感光性组合物固化而得到的薄膜。
第五、第六本发明的薄膜晶体管可用作有源矩阵型的平板显示器中的像素晶体管。作为用于稳定地驱动显示器的像素晶体管的特性，重要的是阈值电压、载流子迁移率、ON/OFF电流比。
所谓阈值电压是指表示晶体管变为ON状态而电流开始向半导体层流动的电压值，其由下述关系的图表中线形部分的延长线和Vg轴的交点算出：晶体管的电流传递特性中表示将流向源/漏电极间的电流设为Id、将栅极施加电压设为Vg时的(Id)1/2和Vg之间的关系。
载流子迁移率是表示TFT器件好坏的重要指标，值越大，表示作为TFT元件越优异。上述载流子迁移率优选为0.5以上。
所谓ON/OFF电流比是指在晶体管的电流传递特性中以流向源/漏电极间的电流Id的最大电流值与最小电流值之比(Ion/Ioff)表示，其值越大，表示作为开关的功能越优异。上述ON/OFF电流比从驱动需要大电流的方式进行驱动的方面考虑，优选为104以上。
在实际将晶体管用于器件的情况下，只要不满足上述特性之一便会致命，需要满足全部特性。
另外，ON/OFF电流比及载流子迁移率高的元件迟滞容易变大，因此，优选兼备ON/OFF电流比及载流子迁移率高，且低迟滞的特性的晶体管。
施加于源/漏电极Vd间、及栅电极的电压Vg没有特别限定，可根据使用的半导体材料及驱动方式适宜设定，但从可抑制作为晶体管的消耗电力的观点考虑，优选为-50～50V，更优选为-20～20V。
<<第七本发明的化合物>>
第七本发明的化合物为下述通式(III)所示的化合物。
[化学式15]
(R4表示不具有不饱和键的碳原子数1～6的烷基，各R4可以相同或不同。R5只要为能够获得双酚化合物的结构即可。)
上述通式(III)所示的化合物在用于正型感光性组合物时，可提供图案形成性优异，且电绝缘可靠性优异的正型感光性组合物。
实施例
以下，示出本发明的实施例及比较例，但本发明并不限定于以下。
以下的实施例及比较例中的各评价通过下述方法进行。
(薄膜形成及光刻性评价方法：图案形成性)
在带有厚度的钼薄膜的玻璃基板(50×50mm)上，通过旋涂下述实施例1～8、11～14及比较例1、2中得到的正型感光性组合物并制成厚度1μm的膜，用电热板在70℃下干燥1分钟，利用Mask Aligner MA-10(Mikasa公司制)穿过20微米孔图案的光掩模以100mJ/cm2进行曝光，在70℃下加热1分钟后，使用碱显影液(TMAH2.38％水溶液、多摩化学工业公司制)进行显影处理。并在200℃下进行30分钟后烧结，形成薄膜。利用显微镜观察图案形状，将可形成孔的情况设为○，将无法形成孔的情况何为×。
(绝缘性评价：漏电流)
利用上述方法在带有钼薄膜的玻璃基板上形成的薄膜上，使用真空蒸镀机形成铝电极(3mmΦ)，制作电容器，测定上下电极间的漏电流。
(ON/OFF电流比)
将ON时的电流Ion设为电流传递特性的曲线中的饱和区域内的最大电流值，OFF时的电流Ioff由OFF状态的最小电流值求得。ON/OFF电流比Ion/Ioff根据ON状态的最大电流值与OFF状态的最小电流值之比算出。
(阈值电压)
将电流传递特性中的饱和区域间(栅极电压Vg＝30～40V)中切线的X截段电压值设为阈值电压Vth。
(载流子迁移率)
载流子迁移率μ使用下述计算式，代入电流传递特性中的栅极电压Vg＝40V中的Id值而算出。
μ＝2(L×Id)/(W×(ε/d)×(Vg-Vth)2)
L：通道长度(80μm)
Id：源漏电极间电流
W：通道宽度(2mm)
ε：介电常数(2.57E-11)
d：膜厚
Vg：栅极电压
Vth：阈值电压
(构图电极取出性)
使探针与利用下述实施例9、10、比较例3、4中记载的方法通过光刻在薄膜晶体管的电极上形成的100μm×100μm的通孔接触，将取得电接触的情况设为○，将正型感光性组合物残留而无法由电极取得接触的情况(电流未流动)设为×。
(进行了官能团保护的双酚S化合物的合成)
在100mL茄形瓶中放入二噁烷20g、二烯丙基双酚S5g，在室温下搅拌。成为均匀溶液时，添加六甲基二硅氮烷2.5g，在2小时内结束反应。除去溶剂、反应残渣，利用1H-NMR确认源自三甲基甲硅烷基的峰和确认源自羟基的峰的消失，得到利用三甲基甲硅烷基对二烯丙基双酚S的羟基进行了保护而成的二烯丙基双酚S(反应物(1))6.5g。另外，将反应物(1)的化学式示于以下。
[化学式16]
(进行了官能团保护的双酚A化合物的合成)
在100mL茄形瓶中放入二噁烷20g、二烯丙基双酚A5g，在室温下搅拌。成为均匀溶液时，添加六甲基二硅氮烷2.5g，在2小时内结束反应。除去溶剂、反应残渣，利用1H-NMR确认源自三甲基甲硅烷基的峰的和确认源自羟基的峰消失，得到利用三甲基甲硅烷基对二烯丙基双酚A的羟基进行保护而成的二烯丙基双酚A(反应物(2))6.5g。另外，如下示出反应物(2)的化学式。
[化学式17]
(进行了官能团保护的双酚S化合物的合成2)
在100mL茄形瓶中放入二噁烷20g、二烯丙基双酚S5g，在室温下搅拌。成为均匀溶液时，添加二碳酸二叔丁酯5g，在4小时内结束反应。除去溶剂、反应残渣，利用1H-NMR确认源自丁氧基羰基的峰和确认源自羟基的峰消失，得到利用丁氧基羰基对二烯丙基双酚S的羟基进行保护而成的二烯丙基双酚S(反应物(3))6.5g。另外，如下示出反应物(3)的化学式。
[化学式18]
(合成实施例1)
在100mL四口烧瓶中放入甲苯20g、1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷3g，对气相部进行氮置换后，将内温加热至100℃并搅拌。滴加下述混合液：利用上述方法合成的反应物(1)5g、铂乙烯基硅氧烷络合物的二甲苯溶液(含有铂3wt％)0.7mg、甲苯5g的混合液。
滴加后，利用1H-NMR确认源自烯丙基的峰消失后，减压蒸馏除去甲苯，得到无色透明的液体“反应物A”。通过1H-NMR的测定，确认了下述聚硅氧烷类化合物，即为具有利用三甲基甲硅烷基进行了保护的双酚S结构，且以将标准物质设为二溴乙烷时的当量换算计具有SiH基6.0mmol/g的聚硅氧烷类化合物。
(合成实施例2)
在100mL四口烧瓶中放入甲苯20g、1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷3g，对气相部进行氮置换后，将内温加热至100℃并搅拌。滴加下述混合物：利用上述方法合成的反应物(1)5g、铂乙烯基硅氧烷络合物的二甲苯溶液(含有铂3wt％)0.7mg、甲苯5g的混合液。
滴加后，利用1H-NMR确认源自烯丙基的峰消失后，将内温设为80℃并添加乙烯基环己烯1g。滴加后，利用1H-NMR确认源自乙烯基的峰消失后，减压蒸馏除去甲苯，得到无色透明的液体“反应物B”。通过1H-NMR的测定，确认了下述聚硅氧烷类化合物：具有利用三甲基甲硅烷基进行了保护的双酚S结构，且以将标准物质设为二溴乙烷时的当量换算计具有SiH基4.0mmol/g、环己烯基2mmol/g的聚硅氧烷类化合物。
(合成实施例3)
在100mL四口烧瓶中放入甲苯20g、1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷3g，对气相部进行氮置换后，将内温加热至100℃并搅拌。滴加下述混合液：利用上述方法合成的反应物(2)5g、铂乙烯基硅氧烷络合物的二甲苯溶液(含有铂3wt％)0.7mg、甲苯5g的混合液。
滴加后，利用1H-NMR确认源自烯丙基的峰消失后，减压蒸馏除去甲苯，得到无色透明的液体“反应物C”。通过1H-NMR的测定，确认了下述聚硅氧烷类化合物：具有利用三甲基甲硅烷基进行了保护的双酚A结构，且以将标准物质设为二溴乙烷时的当量换算计具有SiH基6.0mmol/g的聚硅氧烷类化合物。
(合成实施例4)
在100mL四口烧瓶中放入甲苯20g、1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷4g，对气相部进行氮置换后，将内温加热至100℃并搅拌。滴加下述混合液：利用上述方法合成的反应物(1)2g、单烯丙基异氰脲酸1g、异氰脲酸三烯丙酯2g、铂乙烯基硅氧烷络合物的二甲苯溶液(含有铂3wt％)0.7mg、甲苯5g的混合液。
滴加后，利用1H-NMR确认源自烯丙基的峰消失后，减压蒸馏除去甲苯，得到无色透明的液体“反应物D”。通过1H-NMR的测定，确认了下述聚硅氧烷类化合物：具有利用三甲基甲硅烷基进行了保护的双酚S结构，且以将标准物质设为二溴乙烷时的当量换算计具有SiH基3.0mmol/g的聚硅氧烷类化合物。
(合成实施例5)
在100mL四口烧瓶中放入甲苯20g、1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷6g，对气相部进行氮置换后，将内温加热至100℃并搅拌。滴加下述混合液：利用上述方法合成的反应物(1)2g、二烯丙基异氰脲酸1.5g、异氰脲酸三烯丙酯1.5g、铂乙烯基硅氧烷络合物的二甲苯溶液(含有铂3wt％)0.7mg、甲苯5g的混合液。
滴加后，利用1H-NMR确认源自烯丙基的峰消失后，将内温设为80℃并添加乙烯基环己烯0.5g。滴加后，利用1H-NMR确认源自乙烯基的峰消失后，减压蒸馏除去甲苯，得到无色透明的液体“反应物E”。通过1H-NMR的测定，确认了下述聚硅氧烷类化合物：具有利用三甲基甲硅烷基进行了保护的双酚S结构，且以将标准物质设为二溴乙烷时的当量换算计具有SiH基1.8mmol/g、环己烯基1mmol/g的聚硅氧烷类化合物。
(合成实施例6)
在100mL四口烧瓶中放入甲苯20g、1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷4g，对气相部进行氮置换后，将内温加热至105℃并搅拌。滴加下述混合液：利用上述方法合成的反应物(1)2g、二烯丙基异氰脲酸3.7g、铂乙烯基硅氧烷络合物的二甲苯溶液(含有铂3wt％)6.5mg、二噁烷25g的混合液。
滴加后，利用1H-NMR确认源自烯丙基的峰消失后，减压蒸馏除去溶剂，得到无色透明的液体“反应物F”。通过1H-NMR的测定，确认了聚硅氧烷类化合物：具有利用三甲基甲硅烷基进行了保护的双酚S结构，且以将标准物质设为二溴乙烷时的当量换算计具有SiH基3.2mmol/g的聚硅氧烷类化合物。
(合成比较例1)
在500mL四口烧瓶中放入甲苯100g、1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷20g，对气相部进行氮置换后，将内温加热至105℃并搅拌。滴加下述混合液：利双酚S二烯丙基醚10g、铂乙烯基硅氧烷络合物的二甲苯溶液(含有铂3wt％)0.0017g、甲苯10g的混合液。
滴加后，利用1H-NMR确认源自烯丙基的峰消失，结束反应。减压蒸馏除去甲苯，得到无色透明的液体“反应物G”。通过1H-NMR的测定，确认了下述聚硅氧烷类化合物：以将标准物质设为二溴乙烷时的当量换算计具有SiH基4.0mmol/g的聚硅氧烷类化合物。
(合成比较例2)
在500mL四口烧瓶中放入甲苯100g、1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷36g，对气相部进行氮置换后，将内温加热至105℃并搅拌。滴加下述混合液：异氰脲酸三烯丙酯5g、铂乙烯基硅氧烷络合物的二甲苯溶液(含有铂3wt％)0.0039g、甲苯10g的混合液。
滴加后，利用1H-NMR确认源自烯丙基的峰消失，结束反应。减压蒸馏除去甲苯，得到无色透明的液体“反应物H”。通过1H-NMR的测定，确认了聚硅氧烷类化合物：以将标准物质设为二溴乙烷时的当量换算计具有SiH基9.0mmol/g的聚硅氧烷类化合物。
(实施例1～8、比较例1、2)
将合成实施例1～6、合成比较例1、2中得到的反应物A～H、上述方法中合成的反应物(1)、碘鎓盐光产酸剂(Midori化学公司制、BBI-103)、锍盐光产酸剂(Midori化学公司制、DTS-103)、(K)敏化剂(二丁氧基蒽、川崎化成工业株式会社制、商品名：DBA)、D4V(1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷)、TAIC(异氰脲酸三烯丙酯)、溶剂(异丁酸异丁酯)以表1中记载的重量比配制，得到正型感光性组合物。通过上述方法对得到的正型感光性组合物评价图案形成性及漏电流。将结果示于表2。
[表2]
根据表2所示的结果，可知本发明的正型感光性组合物与比较例的组合物相比，图案形成性优异，另外，使本发明的正型感光性组合物固化而得到的薄膜与使比较例的组合物固化而得到的薄膜相比，具有优异的绝缘性。
(实施例9、比较例3)
将p型高掺杂Si基板设为导电层，并作为栅电极。在其上面在1000rpm、30sec的条件下通过旋涂对实施例1及比较例2中得到的正型感光性组合物进行涂布，用电热板在70℃下干燥1分钟，利用Mask AlignerMA-10(Mikasa公司制)穿过100微米孔图案的光掩模以100mJ/cm2进行曝光，在70℃下加热1分钟后，使用碱显影液(TMAH2.38％水溶液、多摩化学工业公司制)进行显影处理，形成接触孔，在180℃下进行1小时后烧结，形成栅极绝缘膜。
进而，利用溅射装置(岛津Emit公司制、SENTRON)在压力1.0Pa、Ar40sccm、O25sccm的条件下以的厚度形成IGZO的氧化物半导体层，在其面使用通道长度80μm、通道宽度2mm的掩模并利用蒸镀形成厚度的源/漏电极Ti电极，制作薄膜晶体管。
(实施例10、比较例4)
将带有厚度的热氧化膜的p型高掺杂Si基板设为导电层，并设为栅电极、栅极绝缘膜。在其上面，与实施例9、比较例3同样地形成IGZO的氧化物半导体层和源/漏电极Ti电极。并使用实施例1及比较例2中得到的正型感光性组合物，利用与实施例9、比较例3中形成栅极绝缘膜的方法同样的方法形成钝化膜，制作薄膜晶体管。
使用半导体参数分析仪(Agilent4156)对上述实施例9、10及比较例3、4中制作的薄膜晶体管评价电流传递特性。基于该薄膜晶体管的电流传递特性，利用上述方法算出薄膜晶体管的ON/OFF电流比、阈值电压、载流子迁移率。另外，对使用正型感光性组合物形成的栅极绝缘膜及钝化膜的构图电极取出性进行评价。将结果示于表3。
[表3]
根据表3所示的结果，可知具备使本发明的正型感光性组合物固化而得到的薄膜作为栅极绝缘膜或钝化膜的薄膜晶体管兼备较高的ON/OFF比、载流子迁移率，并且构图电极取出性也优异。
(合成实施例7)
在100mL四口烧瓶中放入甲苯20g、上述方法中合成的反应物(1)5g，对气相部进行氮置换后，将内温加热至100℃并搅拌。滴加四烯丙氧基乙烷0.5g、甲苯5g的混合液。
滴加后，利用1H-NMR确认源自烯丙基的峰消失后，减压蒸馏除去甲苯，得到无色透明的液体“反应物I”。通过1H-NMR的测定，确认了下述聚硅氧烷类化合物：以将标准物质设为二溴乙烷时的当量换算计具有SiH基2.9mmol/g、缩醛键0.4mmol/g的相当于成分(G)聚硅氧烷类化合物。
(合成实施例8)
在100mL四口烧瓶中放入甲苯20g、1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷3g，对气相部进行氮置换后，将内温加热至100℃并搅拌。滴加下述混合液：1,3-金刚烷二醇二丙烯酸酯5g、铂乙烯基硅氧烷络合物的二甲苯溶液(含有铂3wt％)0.7mg、甲苯5g的混合液。
滴加后，利用1H-NMR确认源自烯丙基的峰消失后，减压蒸馏除去甲苯，得到无色透明的液体“反应物I”。通过1H-NMR的测定，确认了下述聚硅氧烷类化合物：以将标准物质设为二溴乙烷时的当量换算计具有SiH基4.5mmol/g的聚硅氧烷类化合物。
(包含具有多面体骨架的聚硅氧烷结构的化合物的合成)
在48％胆碱水溶液(三甲基-2羟基乙基氢氧化铵水溶液)1262g中加入四乙氧基硅烷1083g，在室温下激烈搅拌2小时。在反应体系内放热且成为均匀溶液的阶段缓和搅拌，再进行12小时反应。接着，在反应体系内生成的固体成分中加入甲醇1000mL，制成均匀溶液。
一边激烈搅拌二甲基乙烯基氯硅烷716g、三甲基氯硅烷516g及己烷1942mL的溶液一边缓慢地滴加甲醇溶液。滴加结束后，反应1小时后，萃取有机层并进行浓缩，由此得到固体物质。接着，将生成的固体物质在甲醇中激烈搅拌，由此进行清洗、过滤除去，由此得到作为包含具有16个Si原子和4个乙烯基的多面体骨架的聚硅氧烷结构的化合物的四(乙烯基二甲基硅氧烷)四(三甲基硅氧烷)八倍半硅氧烷601g(反应物(4))。
(合成实施例9)
在300mL四口烧瓶中放入甲苯52.8g、1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷18g，对气相部进行氮置换后，将内温加热至105℃并搅拌。滴加利用上述方法合成的反应物(4)7.5g、异氰脲酸二烯丙酯7.5g、铂乙烯基硅氧烷络合物的二甲苯溶液(含有铂3wt％)6mg、二噁烷45g、甲苯15g的混合液。
滴加后，利用1H-NMR确认源自烯丙基的峰消失后，减压蒸馏除去二噁烷及甲苯，得到无色透明的液体“反应物K”。利用1H-NMR确认含有SiH基。反应物K相当于成分(B)及碱可溶性成分，且包含具有多面体骨架的聚硅氧烷结构)通过1H-NMR的测定确认了下述化合物：以将标准物质设为对二甲苯时的当量换算计具有SiH基4.3mmol/g的化合物。
(合成实施例10)
在300mL四口烧瓶中放入甲苯52.8g、1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷18g，将气相部进行氮置换后，将内温加热至105℃并搅拌。滴加下述混合液：异氰脲酸二烯丙酯12g、铂乙烯基硅氧烷络合物的二甲苯溶液(含有铂3wt％)6mg、二噁烷45g、甲苯15g的混合液。
滴加后，利用1H-NMR确认源自烯丙基的峰消失后，减压蒸馏除去二噁烷及甲苯，得到无色透明的液体“反应物L”。利用1H-NMR确认了下述混合物：含有SiH基。反应物L相当于成分(B)及碱可溶性成分。通过1H-NMR的测定，确认了以将标准物质设为对二甲苯时的当量换算计具有SiH基3.8mmol/g的化合物。
(实施例11～15)
将合成实施例1、6～10中得到的反应物A、F、I～L、上述方法中合成的反应物(1)、(3)、锍盐光产酸剂(Midori化学公司制、DTS-103)、(K)敏化剂(二丁氧基蒽、川崎化成工业株式会社制、商品名：DBA)、TAIC(异氰脲酸三烯丙酯)、溶剂(异丁酸异丁酯)以表4中记载的重量比配制，得到正型感光性组合物。通过上述方法对得到的正型感光性组合物评价图案形成性及漏电流。将结果示于表5。
[表4]
[表5]

Claims (30)

1.一种正型感光性组合物，其包含：
(A)一个分子中包含烯基或SiH基的化合物，其具有在酸存在下发生分解而显现酸性基团或羟基的结构；
(B)一个分子中包含SiH基或烯基的化合物；
(C)硅氢化催化剂；及
(D)光产酸剂。
2.根据权利要求1所述的正型感光性组合物，其中，
所述成分(B)为不具有在酸存在下发生分解而显现酸性基团或羟基的结构的化合物。
3.根据权利要求1或2所述的正型感光性组合物，其中，
所述成分(A)为一个分子中包含SiH基的化合物，其具有在酸存在下发生分解而显现酸性基团或羟基的结构，
所述成分(B)为一个分子中包含烯基的化合物。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的正型感光性组合物，其中，
在所述成分(A)中，在酸存在下发生分解而显现酸性基团或羟基的结构是进行了官能团保护的酚结构、或进行了官能团保护的羧酸结构。
5.根据权利要求4所述的正型感光性组合物，其中，
所述进行了官能团保护的酚结构为进行了官能团保护的双酚结构。
6.根据权利要求5所述的正型感光性组合物，其中，
所述进行了官能团保护的双酚结构是用三烷基甲硅烷基或丁氧基羰基进行了官能团保护的双酚结构。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的正型感光性组合物，其中，
所述成分(A)具有双酚结构。
8.根据权利要求7所述的正型感光性组合物，其中，
所述双酚结构为双酚S结构或双酚F结构。
9.根据权利要求4所述的正型感光性组合物，其中，
所述进行了官能团保护的羧酸结构为包含缩醛键的结构、或者包含羧酸叔酯键的结构。
10.根据权利要求9所述的正型感光性组合物，其中，
所述包含羧酸叔酯键的结构是用脂肪族环结构进行了保护的羧酸叔酯结构。
11.根据权利要求10所述的正型感光性组合物，其中，
所述脂肪族环结构为金刚烷结构。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的正型感光性组合物，其中，
所述成分(A)及所述成分(B)中至少一种为硅氧烷类化合物。
13.根据权利要求12所述的正型感光性组合物，其中，
所述成分(A)及所述成分(B)中至少所述成分(A)为硅氧烷类化合物，且所述成分(A)具有环状硅氧烷结构。
14.根据权利要求12所述的正型感光性组合物，其中，
所述硅氧烷类化合物包含具有由6～24个Si原子形成的多面体骨架的聚硅氧烷结构。
15.根据权利要求14所述的正型感光性组合物，其中，
所述具有多面体骨架的聚硅氧烷结构通过使具有由6～24个Si原子形成的多面体骨架及烯基的聚硅氧烷化合物与具有SiH基的硅氧烷化合物进行硅氢化反应而得到。
16.根据权利要求14所述的正型感光性组合物，其中，
所述具有多面体骨架的聚硅氧烷结构通过使下述通式(I)所示的具有多面体骨架的聚硅氧烷化合物与下述通式(II)所示的环状硅氧烷化合物进行硅氢化反应而得到：
[化学式1]
通式(I)中，R1为氢原子或碳原子数1～10的有机基团，R1中的至少一个为氢原子或烯基，各R1可以相同也可以不同；
[化学式2]
通式(II)中，R2为碳原子数1～6的有机基团，R3为氢原子或烯基，各R2、R3可以相同也可以不同，n表示0～10的整数，m表示1～10的整数。
17.根据权利要求1～16中任一项所述的正型感光性组合物，其中，
所述成分(A)为在酸存在下发生分解而成为碱可溶性的化合物。
18.一种正型感光性组合物，其包含下述成分(E)来代替权利要求1～17中任一项所述的正型感光性组合物中的成分(A)及成分(B)，
(E)使成分(A)与成分(B)进行硅氢化反应而得到的化合物。
19.一种正型感光性组合物，其包含：
(F)具有用三烷基甲硅烷基对酚羟基进行了官能团保护而形成的双酚结构的化合物、以及
(D)光产酸剂。
20.根据权利要求19所述的正型感光性组合物，其中，
所述成分(F)的双酚结构为双酚S结构或双酚F结构。
21.一种正型感光性组合物，其包含：
(G)具有下述式(X1)或式(X2)所示结构的化合物、
(H)具有在酸存在下发生分解而显现酸性基团或羟基的结构的化合物、以及
(D)光产酸剂，
[化学式3]
22.根据权利要求1～21中任一项所述的正型感光性组合物，其中，
所述(D)成分为碘鎓盐或锍盐。
23.根据权利要求1～22中任一项所述的正型感光性组合物，其还包含(I)碱可溶性成分。
24.根据权利要求23所述的正型感光性组合物，其中，
所述成分(I)为包含SiH基或烯基的化合物。
25.根据权利要求23或24所述的正型感光性组合物，其中，
所述成分(I)为包含下述式(X1)或式(X2)所示结构的化合物，
[化合物4]
26.根据权利要求18～25中任一项所述的正型感光性组合物，其还包含化合物(J)，所述化合物包含烯基、且不具有在酸存在下发生分解而显现酸性基团或羟基的结构。
27.根据权利要求1～26中任一项所述的正型感光性组合物，其还包含敏化剂(K)。
28.一种薄膜晶体管，其具备使权利要求1～27中任一项所述的正型感光性组合物固化而得到的薄膜作为栅极绝缘膜。
29.一种薄膜晶体管，其具备使权利要求1～27中任一项所述的正型感光性组合物固化而得到的薄膜作为钝化膜。
30.一种化合物，其以下述通式(III)表示：
[化学式5]
R4表示不具有不饱和键且碳原子数为1～6的烷基，各R4可以相同也可以不同，R5只要是能够获得双酚化合物的结构即可。
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