JP6506822B2 - ポジ型感光性組成物、薄膜トランジスタ及び化合物 - Google Patents

Description

本発明は、ポジ型感光性組成物、薄膜トランジスタ及び化合物に関する。

ポジ型感光性組成物はディスプレイ、半導体等の製造に広く使用されており、アクリル樹脂やフェノール樹脂を主成分とするポジ型レジストが提案・商品化されている。
特に、永久レジストとして用いるポジ型感光性組成物としては、ポジ型感光性組成物の硬化物（薄膜）がパターニング後もデバイスに機能膜として残ることから、より耐久性を有する樹脂であるポリイミド系ポリマー（特許文献１）、シリコン系ポリマー（特許文献２）等の材料をベースとするポジ型感光性組成物が提案されている。

しかしながら、これらのポジ型感光性組成物を硬化して得られた薄膜を絶縁膜等に用いる場合には絶縁性が不十分であり、絶縁膜に要求される絶縁性を満足する硬化物となるポジ型感光性組成物は未だ得られていない。

特開２０１１−０３３７７２号公報 特開２０１１−０２２１７３号公報

本発明は、パターニング性及び硬化物（薄膜）の電気的絶縁信頼性に優れるポジ型感光性組成物、並びに、当該ポジ型感光性組成物を硬化して得られた薄膜を絶縁膜として備える薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
また、本発明は、パターニング性及び硬化物（薄膜）の電気的絶縁信頼性に優れるポジ型感光性組成物を得るために好適に用いることのできる化合物を提供することを目的とする。

本発明者らは、鋭意検討した結果、以下の構成により上記課題が解決できることを見出し、本発明を完成した。

即ち、第１の本発明のポジ型感光性組成物は、
（Ａ）酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有する、一分子中にアルケニル基又はＳｉＨ基を含有する化合物、
（Ｂ）一分子中にＳｉＨ基又はアルケニル基を含有する化合物、
（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、及び、
（Ｄ）光酸発生剤
を含有することを特徴とする。

第１の本発明のポジ型感光性組成物において、上記（Ｂ）成分は、酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有しない化合物であることが好ましい。

第１の本発明のポジ型感光性組成物において、上記（Ａ）成分は、酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有する、一分子中にＳｉＨ基を含有する化合物であり、上記（Ｂ）成分は、一分子中にアルケニル基を含有する化合物であることが好ましい。

第１の本発明のポジ型感光性組成物において、上記（Ａ）成分における酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造は、官能基保護されたフェノール構造、又は、官能基保護されたカルボン酸構造であることが好ましい。

第１の本発明のポジ型感光性組成物において、上記官能基保護されたフェノール構造は、官能基保護されたビスフェノール構造であることが好ましく、トリアルキルシリル基又はブトキシカルボニル基で官能基保護されたビスフェノール構造であることがより好ましい。

第１の本発明のポジ型感光性組成物において、上記（Ａ）成分は、ビスフェノール構造を有することが好ましく、ビスフェノールＳ構造又はビスフェノールＦ構造を有することがより好ましい。

第１の本発明のポジ型感光性組成物において、上記官能基保護されたカルボン酸構造は、アセタール結合を含有する構造、又は、カルボン酸３級エステル結合を含有する構造であることが好ましい。

第１の本発明のポジ型感光性組成物において、上記カルボン酸３級エステル結合を含有する構造は、脂肪族環構造で保護されたカルボン酸３級エステル構造であることが好ましく、アダマンタン構造で保護されたカルボン酸３級エステル構造であることがより好ましい。

第１の本発明のポジ型感光性組成物において、上記（Ａ）成分及び上記（Ｂ）成分のうち、少なくとも一方はシロキサン系化合物であることが好ましい。

第１の本発明のポジ型感光性組成物において、上記（Ａ）成分及び上記（Ｂ）成分のうち、少なくとも上記（Ａ）成分はシロキサン系化合物であって、上記（Ａ）成分は、環状シロキサン構造を有することが好ましい。

第１の本発明のポジ型感光性組成物において、上記シロキサン系化合物は、６〜２４個のＳｉ原子から形成される多面体骨格を有するポリシロキサン構造を含有することが好ましい。

第１の本発明のポジ型感光性組成物において、上記多面体骨格を有するポリシロキサン構造は、６〜２４個のＳｉ原子から形成される多面体骨格及びアルケニル基を有するポリシロキサン化合物と、ＳｉＨ基を有するシロキサン化合物とをヒドロシリル化反応させて得られたものであることが好ましい。

第１の本発明のポジ型感光性組成物において、上記多面体骨格を有するポリシロキサン構造は、下記一般式（Ｉ）

（一般式（Ｉ）中、Ｒ^１は水素原子又は炭素数１〜１０の有機基であり、Ｒ^１のうち少なくとも一つは水素原子又はアルケニル基である。それぞれのＲ^１は同一でも異なっていてもよい）で表される多面体骨格を有するポリシロキサン化合物と、下記一般式（ＩＩ）

（一般式（ＩＩ）中、Ｒ^２は炭素数１〜６の有機基であり、Ｒ^３は水素原子又はアルケニル基である。それぞれのＲ^２、Ｒ^３は同一でも異なっていてもよい。ｎは０〜１０、ｍは１〜１０の整数を表す）で表される環状シロキサン化合物とをヒドロシリル化反応させて得られたものであることが好ましい。

第１の本発明のポジ型感光性組成物において、上記（Ａ）成分は、酸存在下で分解しアルカリ可溶性となる化合物であることが好ましい。

第２の本発明のポジ型感光性組成物は、
第１の本発明のポジ型感光性組成物において、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分に代えて、
（Ｅ）（Ａ）成分と（Ｂ）成分とをヒドロシリル化反応させて得た化合物
を含有することを特徴とする。

第３の本発明のポジ型感光性組成物は、
（Ｆ）フェノール性水酸基がトリアルキルシリル基で官能基保護されたビスフェノール構造を有する化合物、及び、
（Ｄ）光酸発生剤
を含有することを特徴とする。

第３の本発明のポジ型感光性組成物において、上記（Ｆ）成分のビスフェノール構造は、ビスフェノールＳ構造又はビスフェノールＦ構造であることが好ましい。

第４の本発明のポジ型感光性組成物は、
（Ｇ）下記式（Ｘ１）又は（Ｘ２）で表される構造を有する化合物、
（Ｈ）酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有する化合物、及び、
（Ｄ）光酸発生剤
を含有することを特徴とする。

第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物において、上記（Ｄ）成分は、ヨードニウム塩又はスルホニウム塩であることが好ましい。

第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物は、さらに（Ｉ）アルカリ可溶性成分を含有することが好ましい。

第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物において、上記（Ｉ）成分は、ＳｉＨ基又はアルケニル基を含有する化合物であることが好ましい。

第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物において、上記（Ｉ）成分は、下記式（Ｘ１）又は（Ｘ２）で表される構造を有する化合物であることが好ましい。

第２〜第４の本発明のポジ型感光性組成物は、さらに（Ｊ）アルケニル基を含有し、酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有しない化合物を含有することが好ましい。

第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物は、さらに（Ｋ）増感剤を含有することが好ましい。

第５の本発明の薄膜トランジスタは、
第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物を硬化して得られる薄膜を、ゲート絶縁膜として備えることを特徴とする。
また、第６の本発明の薄膜トランジスタは、
第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物を硬化して得られる薄膜を、パッシベーション膜として備えることを特徴とする。

第７の本発明の化合物は、
下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物に関する。

（Ｒ^４は不飽和結合を持たない炭素数１〜６のアルキル基を表し、それぞれのＲ^４は同一でも異なっていてもよい。Ｒ^５はビスフェノール化合物として取り得る構造であればよい。）

第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物は、パターニング性に優れ、また、硬化物（薄膜）の電気的絶縁信頼性に優れる。
第５、第６の本発明の薄膜トランジスタは、第１〜第４のポジ型感光性組成物を硬化して得られる薄膜を、ゲート絶縁膜又はパッシベーション膜として備えるため、トランジスタとしての性能、信頼性に優れる。
第７の本発明の化合物は、パターニング性及び硬化物（薄膜）の電気的絶縁信頼性に優れるポジ型感光性組成物に好適に用いられる。

第５の本発明の薄膜トランジスタの一例を模式的に示す断面図である。 第６の本発明の薄膜トランジスタの一例を模式的に示す断面図である。

＜＜第１の本発明のポジ型感光性組成物＞＞
まず、第１の本発明のポジ型感光性組成物について説明する。
第１の本発明のポジ型感光性組成物は、
（Ａ）酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有する、一分子中にアルケニル基又はＳｉＨ基を含有する化合物、
（Ｂ）一分子中にＳｉＨ基又はアルケニル基を含有する化合物、
（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、及び、
（Ｄ）光酸発生剤
を含有することを特徴とする。

＜（Ａ）成分＞
上記（Ａ）成分は、酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有し、一分子中にアルケニル基又はＳｉＨ基を含有する化合物である。上記（Ａ）成分は、（Ｄ）光酸発生剤から発生する酸により分解し酸性基又は水酸基が発現することで現像液に可溶となるため、このような（Ａ）成分を（Ｄ）成分と併せて用いることによりポジ型のパターンを形成することができる。

上記酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造としては、特に限定されないが、パターニング性及び硬化物（薄膜）の絶縁性に優れるという観点からは、官能基保護されたフェノール構造、官能基保護されたカルボン酸構造であることが好ましい。

本明細書において、官能基保護されたフェノール構造とは、フェノール構造の水酸基の水素原子が化合物残基に置換された構造をいう。
上記官能基保護されたフェノール構造は、パターニング性及び硬化物（薄膜）の絶縁性に優れるとの効果をより顕著に享受できることから、官能基保護されたビスフェノール構造であることが好ましく、トリアルキルシリル基又はブトキシカルボニル基で官能基保護されたビスフェノール構造であることがより好ましい。
また、上記化合物残基は、炭素数１〜５０の有機基又は有機ケイ素基であることが好ましい。
上記化合物残基として炭素数１〜５０の有機基又は有機ケイ素基を有する官能基保護されたビスフェノール構造は、下記一般式（ＩＶ）で示される。

（一般式（ＩＶ）中、Ｒ^６は炭素数１〜５０の有機基又は有機ケイ素基を示し、Ｒ^７はビスフェノール構造として取り得る構造であればよい。また、芳香環上の水素は置換されていても良い。）

上記官能基保護されたフェノール構造（特に、一般式（ＩＶ）で示される官能基保護されたビスフェノール構造）を有する化合物を得る方法としては、例えば、活性水素と反応性に富む化合物を用いる方法、Ｂｏｃ化試薬を用いてｔｅｒｔブトキシカルボニル基により保護する方法等を用いることができる。
これらの方法において、効率良く目的の化合物を得るために、適宜、溶剤や触媒を使用してもよい。

上記（Ａ）成分が、ヒドロシリル化反応性基であるＳｉＨ基等を有する場合には、安定性の面から、活性水素と反応性に富む化合物を用いる方法が好ましい。
上記活性水素と反応性に富む化合物としては、例えば、ハロゲン化物、カルボン酸、シリル化剤等を挙げることができる。
上記活性水素と反応性に富む化合物を用いる方法としては、（Ｄ）光酸発生剤による脱保護のしやすさの観点から、シリル化剤を用いてトリアルキルシリル基により官能基を保護する方法が好ましい。
上記トリアルキルシリル基に含有されるアルキル基としては、特に限定されないが、（Ｄ）光酸発生剤による脱保護のしやすさの観点から、不飽和結合を持たない炭素数１〜６のアルキル基であることが好ましく、メチル基であることがより好ましい。

シリル化剤を用いてトリアルキルシリル基により官能基を保護する場合、上記シリル化剤としては、汎用的なシリル化剤を用いる事ができ、具体的には、例えば、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルクロロシラン、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルクロロシラン、ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、ビス（トリメチルシリル）トリフルオロアセトアミド、Ｎ−メチルトリメチルシリルアセトアミド、Ｎ−メチルトリメチルシリルトリフルオロアセトアミド、トリメチルシリルイミダゾール、Ｎ，Ｎ‘−ビス（トリメチルシリルウレア）、トリエチルクロロシラン、トリイソプロピルクロロシラン、トリエチルシラン等が挙げられる。これらのシリル化剤の中では、工業的に安価で製造することができる観点より、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルクロロシラン、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルクロロシランが好ましい。
これらのシリル化剤は、単独で使用しても良いし、２種以上を併用しても良い。

本明細書において、官能基保護されたカルボン酸構造とは、カルボン酸構造のカルボキシル基の水素原子が化合物残基に置換された構造をいう。
上記官能基保護されたカルボン酸構造としては、パターニング性及び硬化物（薄膜）の絶縁性に優れるという効果をより顕著に享受できることから、アセタール結合を含有する構造、カルボン酸３級エステル結合を含有する構造であることが好ましい。

上記アセタール結合を含有する構造を有する（Ａ）成分としては、例えば、ジアリルアセタール、ペンタナールジアリルアセタール、ベンズアルデヒドジアリルアセタール、１，１，２，２−テトラアリルオキシエタン、１，１，２，２−テトラアリルオキシプロパン、２，２−ジアリル−１，３−ジオキソラン、アクリル酸メトキシメチル、アクリル酸エトキシメチル、４−ビニルメトキシメチル安息香酸エステル、４−ビニルエトキシメチル安息香酸エステル等が挙げられる。
また、上記アセタール結合を含有する構造を有する（Ａ）成分と、ＳｉＨ基を有するシロキサン化合物とをあらかじめヒドロシリル化反応させて得た化合物を用いても良い。

上記カルボン酸３級エステル構造を含有する構造において、カルボン酸３級エステル構造としては、例えば、ｐ−ｔｅｒｔブトキシ基、ｐ−ｔｅｒｔブトキシカルボニル基等でカルボキシル基が保護された構造等が挙げられる。３級エステル構造としては、特に限定されず、ｔ−ブチルエステル等公知のものを使用することができる。
上記カルボン酸３級エステル構造を含有する構造と、アルケニル基とを含有する（Ａ）成分としては、特に限定されないが、例えば、ｔ−ブチルアクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、ｔ−ブチル３−ブテノエート、アクリル酸２−メチル２−アダマンチル、アクリル酸２−エチル２−アダマンチル、メタクリル酸２−メチル２−アダマンチル、メタクリル酸２−エチル２−アダマンチル、１，３−アダマンタンジオールジアクリレート、１，３−アダマンタンジオールジメタクリレート等が挙げられる。これらの中でも、特に耐熱性に優れる観点より２つ以上の（メタ）アクリル基を含有する化合物が好ましく、１，３−アダマンタンジオールジアクリレート、１，３−アダマンタンジオールジメタクリレートが好ましい。
また、上記カルボン酸３級エステル構造を含有する構造と、アルケニル基とを含有する（Ａ）成分と、ＳｉＨ基を有するシロキサン化合物とをあらかじめヒドロシリル化反応させて得た化合物を用いても良い。

上記カルボン酸３級エステル結合を含有する構造は、現像コントラスト、得られる薄膜の耐熱性、絶縁性に優れる点より、脂肪族環構造で保護されたカルボン酸３級エステル構造であることが好ましい。この場合、カルボン酸３級エステル構造においてカルボキシル基を保護する３級炭素は、脂肪族環構造を形成する炭素であっても良いし、脂肪族環構造を形成せず独立に存在する炭素であっても良い。
上記脂肪族環構造は、現像コントラスト、露光感度の点から、アダマンタン構造であることが好ましい。

第１の本発明のポジ型感光性組成物において、上記（Ａ）成分に含まれる酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造の含有量は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分との合計量を基準として、^１Ｈ−ＮＭＲの測定により、標準物質をジブロモエタンとした時の当量換算で０．０５〜１０ｍｍｏｌ／ｇであることが好ましく、０．１〜５ｍｍｏｌ／ｇであることがより好ましく、０．１５〜３ｍｍｏｌ／ｇであることがさらに好ましい。

上記（Ａ）成分は、上記酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有し、一分子中にアルケニル基又はＳｉＨ基を含有する化合物である。
また、上記（Ａ）成分としては、後述する（Ｅ）成分（（Ａ）成分と（Ｂ）成分とのヒドロシリル化反応物）を用いても良く、特に、（Ａ）成分と（Ｂ）成分とを予めヒドロシリル化反応させて得た、酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有し、アルケニル基とＳｉＨ基とを含有する化合物を上記（Ａ）成分として用いても良い。

アルケニル基を含有する（Ａ）成分としては、光酸発生剤による脱保護のしやすさ、入手性の観点から、下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物、又は、当該化合物を後述する（Ｂ）成分と反応させて得た化合物であることが好ましい。

（一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ^４は不飽和結合を持たない炭素数１〜６のアルキル基を表し、それぞれのＲ^４は同一でも異なっていてもよい。Ｒ^５はビスフェノール構造として取り得る構造であればよい。）

上記（Ａ）成分がアルケニル基を含有する場合、（Ａ）成分一分子中のアルケニル基の数は、架橋密度が上がりより強靭な薄膜を得ることができるという観点より２つ以上であることが好ましい。

ＳｉＨ基を含有する（Ａ）成分としては、例えば、上記アルケニル基を含有する（Ａ）成分と、ＳｉＨ基を一分子中に２つ以上有する化合物とをヒドロシリル化反応させて得た化合物を用いることができる。

上記ＳｉＨ基を一分子中に２つ以上有する化合物としては、特に限定されないが、例えば、ジメチルヒドロシリル基で末端が封鎖されたシロキサン、側鎖にＳｉＨ基を有する環状シロキサン、鎖状シロキサン、籠状シロキサン等が挙げられる。
これらの中では、特に絶縁性に優れる薄膜を得られる観点より、側鎖にＳｉＨ基を有する環状シロキサン化合物が好ましい。
上記側鎖にＳｉＨ基を有する環状シロキサン化合物としては、例えば、１，３，５，７−テトラハイドロジェン−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１−メチル−３，５，７−トリハイドロジェン−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，３−ジメチルー５，７−ジハイドロジェン−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１−プロピル−３，５，７−トリハイドロジェン−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，３−ジプロピル−５，７−ジハイドロジェン−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５−トリハイドロジェン−７−ヘキシル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，５−ジハイドロジェン−３，７−ジヘキシル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５−トリハイドロジェン−トリメチルシクロシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタハイドロジェン−１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロシロキサン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサハイドロジェン−１，３，５，７，９，１１−ヘキサメチルシクロシロキサン等が挙げられる。これらの中では、特に入手性の観点より、１，３，５，７−テトラハイドロジェン−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンが好ましい。これらの化合物は、単独で使用しても良いし、２種以上を併用しても良い。

上記ヒドロシリル化反応に用いる触媒としては、特に限定されず、公知のヒドロシリル化触媒を用いることができるが、触媒活性の点からは、塩化白金酸、白金−オレフィン錯体、白金−ビニルシロキサン錯体等を用いることが好ましい。
これらのヒドロシリル化触媒は単独で使用しても良いし、２種以上を併用しても良い。

上記（Ａ）成分がＳｉＨ基を含有する場合、ＳｉＨ基の含有量は、（Ａ）成分１ｇあたり０．０１〜１５ｍｍｏｌであることが好ましく、０．０５〜１０ｍｍｏｌであることがより好ましく、０．１〜８ｍｍｏｌであることがさらに好ましく、１〜８ｍｍｏｌであることが特に好ましい。ＳｉＨ基の含有量が０．０１ｍｍｏｌ未満であると絶縁性が低下することがあり、１５ｍｍｏｌを超えると、（Ａ）成分の貯蔵安定性が低下することがある。

上記（Ａ）成分は、得られる薄膜の耐薬品性、絶縁性等を高めることができることから、ビスフェノール構造を含有することが好ましい。
上記ビスフェノール構造としては、例えば、ビスフェノールＡ構造、ビスフェノールＡＰ構造、ビスフェノールＡＦ構造、ビスフェノールＢ構造、ビスフェノールＢＰ構造、ビスフェノールＥ構造、ビスフェノールＭ構造、ビスフェノールＦ構造、ビスフェノールＳ構造、ビスフェノールＰＨ構造、ビスフェノールＣ構造、ビスフェノールＧ構造、ビスフェノールＴＭＣ構造、ビスフェノールＺ構造等が挙げられる。
これらの中でも、アルカリ現像液への溶解性に優れ、コントラストに優れるパターンを得ることができるという観点からは、ビスフェノールＡ構造、ビスフェノールＢ構造、ビスフェノールＣ構造、ビスフェノールＥ構造、ビスフェノールＦ構造、ビスフェノールＡＦ構造、ビスフェノールＳ構造、ビスフェノールＡＰ構造、ビスフェノールＰＨ構造が好ましい。また、特に入手性の観点からはビスフェノールＡ構造、ビスフェノールＳ構造が好ましく、光酸発生剤による脱保護のしやすさの観点からは、ビスフェノールＳ構造、ビスフェノールＦ構造が好ましい。

第１の本発明のポジ型感光性組成物において、上記（Ａ）成分は、単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。

第１の本発明のポジ型感光性組成物において、上記（Ａ）成分の含有量は、パターニング性及び硬化物（薄膜）の絶縁性の観点から、ポジ型感光性組成物中の溶剤を除く成分１００重量部に対し、５〜９５重量部であることが好ましく、１０〜９０重量部であることがより好ましく、２０〜８０重量部であることがさらに好ましい。

上記（Ａ）成分は、酸存在下で分解しアルカリ可溶性となる化合物であることが好ましい。その理由は、上記（Ａ）成分が酸存在下で分解しアルカリ可溶性となることによって、第１の本発明のポジ型感光性組成物がアルカリ可溶性となるため、第１の本発明のポジ型感光性組成物を硬化させて薄膜を得る際に、一般的に用いられる現像液であるアルカリ性現像液を用いることができるためである。

＜（Ｂ）成分＞
上記（Ｂ）成分は、一分子中にＳｉＨ基又はアルケニル基を含有する化合物である。
上記（Ｂ）成分としては、特に限定されず公知の化合物を使用することができるが、上記（Ａ）成分がアルケニル基を有する化合物である場合は、上記（Ｂ）成分がＳｉＨ基を含有する化合物である必要があり、また、上記（Ａ）成分がＳｉＨ基を含有する化合物である場合には、上記（Ｂ）成分はアルケニル基を含有する化合物であることが必要である。
また、上記（Ｂ）成分は、酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有していてもよいし、有していなくてもよい。

また、上記（Ｂ）成分としては、後述する（Ｅ）成分（（Ａ）成分と（Ｂ）成分とのヒドロシリル化反応物）を用いても良く、特に、上記（Ａ）成分と、上記（Ｂ）成分とを予めヒドロシリル化反応させて得た、酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有し、アルケニル基とＳｉＨ基とを含有する化合物を（Ｂ）成分として用いても良い。

アルケニル基を含有する（Ｂ）成分としては、アルケニル基を有する有機化合物や、アルケニル基を有するシロキサン化合物等を用いることができ、具体例としては、例えば、ジアリルフタレート、トリアリルトリメリテート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート、トリメチロールプロパンジアリルエーテル、トリメチロールプロパントリアリルエーテル、ペンタエリスリトールトリアリルエーテル、ペンタエリスリトールテトラアリルエーテル、１，１，２，２−テトラアリロキシエタン、ジアリリデンペンタエリスリット、トリアリルシアヌレート、１，２，４−トリビニルシクロヘキサン、１，４−ブタンジオールジアリルエーテル、ノナンジオールジアリルエーテル、１，４−シクロへキサンジメタノールジアリルエーテル、トリエチレングリコールジアリルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ビスフェノールＳのジアリルエーテル、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、１，３−ジイソプロペニルベンゼン、１，４−ジイソプロペニルベンゼン、１，３−ビス（アリルオキシ）アダマンタン、１，３−ビス（ビニルオキシ）アダマンタン、１，３，５−トリス（アリルオキシ）アダマンタン、１，３，５−トリス（ビニルオキシ）アダマンタン、ジシクロペンタジエン、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、シクロオクタジエン、トリシクロペンタジエン、ノルボルナジエン、ビニルノルボルネン、ビニルシクロへキセン、ビニルシクロペンテン、ブタジエン、イソプレン、オクタジエン、１，５−ヘキサジエン、１，９−デカジエン、ジアリルエーテル、ビスフェノールＡジアリルエーテル、２，５−ジアリルフェノールアリルエーテル、トリアリルイソシアヌレート、ジアリルイソシアヌレート、ジアリルモノグリシジルイソシアヌレート、ジアリルモノベンジルイソシアヌレート、ジアリルモノプロピルイソシアヌレート、モノアリルジベンジルイソシアヌレート、ジアリルモノメチルイソシアヌレート、モノアリルジメチルイソシアヌレート、ケイ素基に結合したビニル基（Ｓｉ−ＣＨ＝ＣＨ_２基）を有するポリシロキサン化合物等が挙げられる。

上記ケイ素基に結合したビニル基を有するポリシロキサン化合物としては、例えば、１，３，５，７−テトラビニル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１−プロピル−３，５，７−トリビニル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，５−ジビニル−３，７−ジヘキシル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５−トリビニル−トリメチルシクロシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタビニル−１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロシロキサン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサビニル−１，３，５，７，９，１１−ヘキサメチルシクロシロキサン等が挙げられる。
上述した（Ａ）成分の説明において、アルケニル基を含有する化合物として説明した化合物は、（Ａ）成分との組み合わせによっては、（Ｂ）成分として用いることができる。

上記（Ｂ）成分は、透明性、耐熱性、耐光性及び絶縁性に優れた硬化物（薄膜）を形成することができるという観点から、下記式（Ｖ）で表される構造とアルケニル基とを有する化合物であることが好ましい。

上記式（Ｖ）で表される構造とアルケニル基とを有する化合物としては、例えば、トリアリルイソシアヌレート、ジアリルイソシアヌレート、ジアリルモノグリシジルイソシアヌレート、ジアリルモノベンジルイソシアヌレート、ジアリルモノプロピルイソシアヌレート、モノアリルジベンジルイソシアヌレート、ジアリルモノメチルイソシアヌレート、モノアリルジメチルイソシアヌレート等が挙げられる。これらの中では、入手性の観点より、トリアリルイソシアヌレート、ジアリルイソシアヌレート、ジアリルモノメチルイソシアヌレートが好ましい。

また、上記（Ｂ）成分は、硬化物の透明性及び硬化性の観点より、アルケニル基を有するシロキサン化合物であることが好ましい。
上記アルケニル基を有するシロキサン化合物としては、化合物入手性の観点からは、ケイ素基に結合したビニル基（Ｓｉ−ＣＨ＝ＣＨ_２基）を２つ以上有するシロキサン化合物であることが好ましく、ケイ素基に結合したビニル基を２〜６つ有するシロキサン化合物であることがより好ましい。
上記ケイ素基に結合したビニル基（Ｓｉ−ＣＨ＝ＣＨ_２基）を２つ以上有するシロキサン化合物としては、例えば、１，３，５，７−テトラビニル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１−プロピル−３，５，７−トリビニル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，５−ジビニル−３，７−ジヘキシル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５−トリビニル−トリメチルシクロシロキサン、１，３，５，７，９−ペンタビニル−１，３，５，７，９−ペンタメチルシクロシロキサン、１，３，５，７，９，１１−ヘキサビニル−１，３，５，７，９，１１−ヘキサメチルシクロシロキサン等が挙げられる。

上記（Ｂ）成分がアルケニル基を含有する場合、（Ｂ）成分一分子中のアルケニル基の数は、架橋密度が上がりより強靭な薄膜を得ることができるという観点より２つ以上であることが好ましい。

ＳｉＨ基を含有する（Ｂ）成分としては、例えば、上記（Ａ）成分の説明の欄で、ＳｉＨ基を一分子中に２つ以上有する化合物として説明した化合物等が挙げられる。
上記（Ｂ）成分は、強靭な薄膜が得られるという観点からは、あらかじめポリシロキサン化合物同士又は有機化合物とポリシロキサン化合物との部分的反応により得たオリゴマーであることが好ましい。
上記部分的反応としては、特に限定されないが、加水分解縮合と比較して反応後に電気的及び熱的に安定なＣ−Ｓｉ結合を形成し、また、反応制御が容易で未架橋基が残りにくいという観点からは、ヒドロシリル化反応を適用することが好ましい。上記部分的反応に用いるモノマーとしては、特に限定されず、ＳｉＨ基を有するポリシロキサン化合物と、アルケニル基を有するポリシロキサン化合物又は有機化合物とを、適宜組み合わせて用いることができる。

上記（Ｂ）成分がＳｉＨ基を含有する場合、ＳｉＨ基の含有量は、（Ｂ）成分１ｇあたり０．０１〜１５ｍｍｏｌであることが好ましく、０．０５〜１０ｍｍｏｌであることがより好ましく、０．１〜８ｍｍｏｌであることがさらに好ましく、１〜８ｍｍｏｌであることが特に好ましい。ＳｉＨ基の含有量が０．０１ｍｍｏｌ未満であると硬化物（薄膜）の絶縁性が低下することがあり、１５ｍｍｏｌを超えると、（Ｂ）成分の貯蔵安定性が低下することがある。

上記（Ａ）成分及び／又は（Ｂ）成分に含有されるＳｉＨ基量をＸ、アルケニル基量をＹとした場合、Ｘ／Ｙの値は、０．２≦Ｘ／Ｙ≦５．０であることが好ましく、強靭な薄膜を得ることができるという観点からは、０．３≦Ｘ／Ｙ≦３．０であることがより好ましい。

第１の本発明のポジ型感光性組成物において、上記（Ｂ）成分は、単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。

第１の本発明のポジ型感光性組成物において、上記（Ａ）成分は、酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有する、一分子中にＳｉＨ基を含有する化合物であり、かつ、上記（Ｂ）成分は、一分子中にアルケニル基を含有する化合物であることが好ましい。その理由は、硬化物（薄膜）の絶縁性に優れるためである。

第１の本発明のポジ型感光性組成物において、上記（Ａ）成分及び上記（Ｂ）成分のうち、少なくとも一方はシロキサン系化合物であることが好ましい。また、上記（Ａ）成分及び上記（Ｂ）成分のうち、少なくとも上記（Ａ）成分はシロキサン系化合物であって、上記（Ａ）成分は、環状シロキサン構造を有することがより好ましい。その理由は、硬化物（薄膜）の耐熱性に優れるためである。

また、第１の本発明のポジ型感光性組成物において、上記（Ａ）成分及び上記（Ｂ）成分のうち少なくとも一方がシロキサン系化合物である場合、上記シロキサン系化合物は、６〜２４個のＳｉ原子から形成される多面体骨格を有するポリシロキサン構造を含有することが、硬化物（薄膜）の耐熱性、絶縁性等に優れることから好ましい。以下、上記６〜２４個のＳｉ原子から形成される多面体骨格を有するポリシロキサン構造について詳しく説明する。

（多面体骨格を有するポリシロキサン構造）
上記６〜２４個のＳｉ原子から形成される多面体骨格を有するポリシロキサン構造としては、例えば、下記式（ＶＩ）で示される多面体骨格を有するポリシロキサン構造が挙げられる（なお、ここでは、８個のＳｉ原子から形成される多面体骨格を有するポリシロキサン構造を代表例として例示する）。

上記６〜２４個のＳｉ原子から形成される多面体骨格を有するポリシロキサン構造を得る方法としては、例えば、一般式ＲＳｉＸ_３（式中Ｒは、６〜２４個のＳｉ原子から形成される多面体骨格を有するポリシロキサン構造においてケイ素原子に結合する基を表し、Ｘは、ハロゲン原子、アルコキシ基等の加水分解性官能基を表す）で表されるシラン化合物を加水分解縮合反応させる方法、一般式ＲＳｉＸ_３を加水分解縮合反応させて分子内に３個のシラノール基を有するトリシラノール化合物を合成した後、さらに、同一の又は異なる３官能性シラン化合物を反応させることにより閉環させる方法等が挙げられる。

上記６〜２４個のＳｉ原子から形成される多面体骨格を有するポリシロキサン構造は、６〜２４個のＳｉ原子から形成される多面体骨格及びアルケニル基を有するポリシロキサン化合物と、ＳｉＨ基を有するシロキサン化合物とをヒドロシリル化反応させて得られたものであることが、他成分との相溶性が高く、透明でムラのない膜を得ることができることから好ましい。
上記ＳｉＨ基を有するシロキサン化合物としては、例えば、鎖状シロキサン、環状シロキサン等が挙げられる。具体的には、上記（Ａ）成分についての説明で記載した、ＳｉＨ基を一分子中に２つ以上有する化合物（但し、籠状シロキサンを除く）等を用いることができる。また、網目状シロキサンも用いることができる。これらの中では、ＳｉＨ基を一分子中に２つ以上有する環状シロキサンを用いることが、強靭で耐熱性に優れた膜を得ることができることから好ましい。

上記６〜２４個のＳｉ原子から形成される多面体骨格を有するポリシロキサン構造は、下記式（ＶＩＩ）で表されるポリシロキサン構造に代表される構造であることが好ましい（なお、ここでは、８個のＳｉ原子から形成される多面体骨格を有するポリシロキサン構造を代表例として例示する）。下記式（ＶＩＩ）で表されるポリシロキサン構造に代表される構造においては、多面体骨格の頂点に位置するＳｉ原子と、少なくとも１つはＳｉＨ基又はアルケニル基を含む基とが、シロキサン結合を介して結合しているため、第１の本発明のポジ型感光性組成物に含有される上記（Ａ）成分及び上記（Ｂ）成分のうち、少なくとも一方がシロキサン系化合物である場合において、上記シロキサン系化合物として、下記式（ＶＩＩ）で表されるポリシロキサン構造に代表される構造を有する化合物を用いることにより、強靭な膜を得ることができる。

上記式（ＶＩＩ）で表されるポリシロキサン構造に代表される構造を有する化合物の合成方法としては、特に限定されず、公知の方法を用いることができ、例えば、テトラアルコキシシランを４級アンモニウムヒドロキシド等の塩基存在下で加水分解縮合させた後、アルケニル基含有シリルクロライド等のシリル化剤と反応させる方法等が挙げられる。この合成方法においては、テトラアルコキシシランの加水分解縮合反応により、多面体骨格を有するポリシロキサン化合物が得られ、さらに得られたポリシロキサン化合物をアルケニル基含有シリルクロライド等のシリル化剤と反応させることにより、アルケニル基を含有するシリル基が、シロキサン結合を介して多面体骨格の頂点に位置するＳｉ原子と結合したポリシロキサン化合物を得ることが可能となる。
また、テトラアルコキシシランの代わりに、シリカや、稲籾殻等のシリカを含有する物質からも、同様の多面体骨格を有するポリシロキサン化合物を得ることが可能である。

上記テトラアルコキシシランとしては、例えば、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラブトキシシラン等が挙げられる。これらのテトラアルコキシシランは、単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
上記４級アンモニウムヒドロキシドとしては、例えば、２−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。これらの４級アンモニウムヒドロキシドは、単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。

上記６〜２４個のＳｉ原子から形成される多面体骨格を有するポリシロキサン構造は、下記一般式（Ｉ）

（一般式（Ｉ）中、Ｒ^１は水素原子又は炭素数１〜１０の有機基であり、Ｒ^１のうち少なくとも一つは水素原子又はアルケニル基である。それぞれのＲ^１は同一でも異なっていてもよい）で表される多面体骨格を有するポリシロキサン化合物と、下記一般式（ＩＩ）、

（一般式（ＩＩ）中、Ｒ^２は炭素数１〜６の有機基であり、Ｒ^３は水素原子又はアルケニル基である。それぞれのＲ^２、Ｒ^３は同一でも異なっていてもよい。ｎは０〜１０、ｍは１〜１０の数を表す）で表される環状シロキサン化合物とをヒドロシリル化反応させて得られたものであることが、強靭で耐熱性に優れた膜を得ることができることから好ましい。
なお、上記一般式（Ｉ）で表される多面体骨格を有するポリシロキサン化合物がアルケニル基を有する化合物である場合は、上記一般式（ＩＩ）で表される環状シロキサン化合物がＳｉＨ基を有する化合物である必要があり、また、上記一般式（Ｉ）で表される多面体骨格を有するポリシロキサン化合物がＳｉＨ基を有する化合物である場合は、上記一般式（ＩＩ）で表される環状シロキサン化合物がアルケニル基を有する化合物である必要がある。

上記６〜２４個のＳｉ原子から形成される多面体骨格を有するポリシロキサン構造が、上記式（ＶＩ）で表されるポリシロキサン構造である場合、その含有量は、ポジ型感光性組成物中の溶剤を除いた成分１００重量部に対し、２〜４０重量％であることが好ましく、３〜３０重量％であることがより好ましく、４〜２０重量％であることがさらに好ましく、４〜１０重量％であることが特に好ましい。含有量をこの範囲内とすることにより、強靭で耐熱性に優れるとともに、誘電率が低く、リーク電流も小さい電気的絶縁特性が良好な絶縁膜を得ることができる。

＜（Ｃ）成分＞
上記（Ｃ）成分はヒドロシリル化触媒である。
上記（Ｃ）成分としては、特に限定されず公知のヒドロシリル化触媒を用いることができるが、触媒活性の点からは、塩化白金酸、白金−オレフィン錯体、白金−ビニルシロキサン錯体等を用いることが好ましい。
第１、第２の本発明のポジ型感光性組成物において、上記（Ｃ）成分は、単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。

上記（Ｃ）成分の含有量は、第１の本発明のポジ型感光性組成物に含有されるアルケニル基１ｍｏｌに対して、０．０１〜５ｍｍｏｌであることが好ましく、０．０２〜５ｍｍｏｌであることがより好ましい。上記（Ｃ）成分の含有量をこの範囲にすることで、第１の本発明のポジ型感光性組成物を短時間で硬化させることができ、かつ、硬化物の耐熱性及び耐光性を高めることができる。

＜（Ｄ）成分＞
上記（Ｄ）成分は光酸発生剤である。第１の本発明のポジ型感光性組成物においては、上記（Ｄ）成分が露光されることによって酸が発生し、この酸により上記（Ａ）成分が分解し酸性基又は水酸基が発現することで現像液に可溶となるため、ポジ型パターンの形成が可能となる。

上記（Ｄ）成分としては、露光によりルイス酸を発生するものであれば特に限定されず、公知のものを使用することができるが、アリールスルホニウム塩、ハロゲン含有錯イオンの芳香族スルホニウム塩又はヨードニウム塩、及び、ＩＩ族、Ｖ族又はＶＩ族元素の芳香族オニウム塩が好ましい。
特に、少ない露光量で高感度のポジ型感光性組成物を得ることができるという観点からはヨードニウム塩が好ましく、ポジ型感光性組成物の貯蔵安定性の観点からはスルホニウム塩が好ましい。
上記（Ｄ）成分に含まれるアニオンとしては、特に限定されないが、例えば、Ｂ（Ｃ_６Ｆ_５）_４ ⁻、ＰＦ_６ ⁻、ＳｂＦ_６ ⁻、ＣＦ_３ＳＯ_３ ⁻等が挙げられる。

上記（Ｄ）成分としては市販品も使用することができ、その具体例としては、例えば、ＦＸ−５１２（３Ｍ社製）、ＵＶＲ−６９９０、ＵＶＲ−６９７４（ともにユニオン・カーバイド社製）、ＵＶＥ−１０１４、ＵＶＥ−１０１６（ともにジェネラル・エレクトリック社製）、ＫＩ−８５（デグッサ社製）、ＳＰ−１５２、ＳＰ−１７２（ともに旭電化社製）、サンエイドＳＩ−６０Ｌ、ＳＩ−８０Ｌ、ＳＩ−１００Ｌ（いずれも三新化学工業社製）、ＷＰＩ１１３、ＷＰＩ１１６（ともに和光純薬工業社製）、ＲＨＯＤＯＲＳＩＬ ＰＩ２０７４（ローディア社製）、ＢＢＩ−１０２、ＢＢＩ−１０３、ＢＢＩ−１０５、ＴＰＳ−１０２、ＴＰＳ−１０３、ＴＰＳ−１０５、ＭＤＳ−１０３、ＭＤＳ−１０５、ＤＴＳ−１０２、ＤＴＳ−１０３、ＤＴＳ−１０５（いずれもみどり化学社製）等が挙げられる。

第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物において、上記（Ｄ）成分は、単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。

上記（Ｄ）成分の含有量は、特に限定されないが、第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物から溶剤を除いた総量を１００重量部として、０．０１〜１０重量部であることが好ましく、０．１〜５重量部であることがより好ましい。上記（Ｄ）成分の含有量をこの範囲にすることでパターニング性と硬化物の耐熱性及び耐光性を高めることができる。

＜＜第２の本発明のポジ型感光性組成物＞＞
次に、第２の本発明のポジ型感光性組成物について説明する。
第２の本発明のポジ型感光性組成物は、
第１の本発明のポジ型感光性組成物において、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分に代えて、
（Ｅ）（Ａ）成分と（Ｂ）成分とをヒドロシリル化反応させて得た化合物
を含有することを特徴とする。

＜（Ｅ）成分＞
上記（Ｅ）成分は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分とをヒドロシリル化反応させて得た化合物である。
上記（Ｅ）成分は、（Ｄ）光酸発生剤から発生する酸により分解し酸性基又は水酸基が発現することで現像液に可溶となるため、このような（Ｅ）成分を（Ｄ）成分と併せて用いることによりポジ型のパターンを形成することができる。

第２の本発明のポジ型感光性組成物における、上記（Ｅ）成分を得るために用いる（Ａ）成分、（Ｂ）成分については、上述の第１の本発明のポジ型感光性組成物に用いる（Ａ）成分、（Ｂ）成分と同様である。

（Ａ）成分と（Ｂ）成分とをヒドロシリル化反応させて上記（Ｅ）成分を得る際には、必要に応じて、第１の本発明のポジ型感光性組成物における（Ｃ）成分を用いることができる。

第２の本発明のポジ型感光性組成物において、上記（Ｅ）成分は、単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。

第２の本発明のポジ型感光性組成物に用いる（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分は、それぞれ、第１の本発明のポジ型感光性組成物に用いる（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分と同様である。

＜＜第３の本発明のポジ型感光性組成物＞＞
次に、第３の本発明のポジ型感光性組成物について説明する。
第３の本発明のポジ型感光性組成物は、
（Ｆ）フェノール性水酸基がトリアルキルシリル基で官能基保護されたビスフェノール構造を有する化合物、及び、
（Ｄ）光酸発生剤
を含有することを特徴とする。

＜（Ｆ）成分＞
上記（Ｆ）成分は、フェノール性水酸基がトリアルキルシリル基で官能基保護されたビスフェノール構造を含有する化合物である。上記（Ｆ）成分は、（Ｄ）光酸発生剤から発生する酸により、トリアルキルシリル基が脱保護し、酸性基又は水酸基が発現することでアルカリ可溶性になるため、このような（Ｆ）成分を（Ｄ）成分と併せて用いることによりポジ型のパターンを形成することができる。

上記ビスフェノール構造としては、特に限定されず、第１の本発明のポジ型感光性組成物における（Ａ）成分について説明したビスフェノール構造を用いることができる。
これらの中でも、アルカリ現像液への溶解性に優れ、コントラストに優れるパターンを得ることができるという観点からは、ビスフェノールＡ構造、ビスフェノールＢ構造、ビスフェノールＣ構造、ビスフェノールＥ構造、ビスフェノールＦ構造、ビスフェノールＡＦ構造、ビスフェノールＳ構造、ビスフェノールＡＰ構造、ビスフェノールＰＨ構造が好ましい。また、特に入手性の観点からはビスフェノールＡ構造、ビスフェノールＳ構造が好ましく、光酸発生剤による脱保護のしやすさの観点からは、ビスフェノールＳ構造、ビスフェノールＦ構造が好ましい。

上記トリアルキルシリル基に含有されるアルキル基としては、特に限定されないが、（Ｄ）光酸発生剤による脱保護のしやすさの観点から、不飽和結合を持たない炭素数１〜６のアルキル基であることが好ましく、メチル基であることがより好ましい。

フェノール性水酸基をトリアルキルシリル基で官能基保護する方法としては、第１の本発明のポジ型感光性組成物における（Ａ）成分について説明した、シリル化剤を用いてトリアルキルシリル基により官能基を保護する方法を用いることができる。

上記（Ｆ）成分は、シロキサン構造を含有していてもよい。シロキサン構造を含有することで、透明性、耐熱性及び耐光性が高い硬化物（薄膜）を形成しやすくなる。
上記シロキサン構造としては、特に限定されず、例えば、鎖状シロキサン、環状シロキサン、網目状シロキサン、籠状シロキサン等が挙げられる。

上記（Ｆ）成分は、ポストベイクにより硬化可能な反応性官能基を含有していてもよい。ポストベイクで硬化可能な反応性官能基を含有することにより、より強靭で絶縁性が高い硬化物（薄膜）を形成しやすくなる。
上記ポストベイクにより硬化可能な反応性官能基としては、例えば、エポキシ基、アクリル基、オキセタニル基、アルケニル基、ＳｉＨ基、アルコキシシリル基等が挙げられる。これらの中では、透明性、耐熱性及び耐光性が高い硬化物（薄膜）を形成することができるという観点から、ＳｉＨ基及び／又はアルケニル基を含有することが好ましい。

上記（Ｆ）成分において、フェノール性水酸基がトリアルキルシリル基で官能基保護されたビスフェノール構造の占める量は、上記（Ｆ）成分１ｇあたり０．０１〜１０ｍｍｏｌであることが好ましく、０．０５〜８ｍｍｏｌであることがより好ましく、０．１〜５ｍｍｏｌの範囲であることがさらに好ましい。この範囲の量を含有することで、アルカリ現像性が良好で、かつ、強靭な硬化物（薄膜）を得ることができる。

第３の本発明のポジ型感光性組成物において、上記（Ｆ）成分は、単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。

第３の本発明のポジ型感光性組成物に用いる（Ｄ）成分は、第１の本発明のポジ型感光性組成物に用いる（Ｄ）成分と同様である。

第３の本発明のポジ型感光性組成物は、ヒドロシリル化触媒を含んでいても良く、特に、ポストベイク時にヒドロシリル硬化させる場合には、ヒドロシリル化触媒を含んでいることが好ましい。
上記ヒドロシリル化触媒は、第１の本発明のポジ型感光性組成物に用いる（Ｃ）成分と同様である。

＜＜第４の本発明のポジ型感光性組成物＞＞
次に、第４の本発明のポジ型感光性組成物について説明する。
第４の本発明のポジ型感光性組成物は、
（Ｇ）下記式（Ｘ１）又は（Ｘ２）で表される構造を有する化合物、
（Ｈ）酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有する化合物、及び、
（Ｄ）光酸発生剤
を含有することを特徴とする。

＜（Ｇ）成分＞
上記（Ｇ）成分は、上記式（Ｘ１）又は（Ｘ２）で表される構造を有する化合物である。
上記（Ｇ）としては、特に限定されないが、例えば、ジアリルイソシアヌル酸、モノアリルイソシアヌル酸等を挙げることができる。
第４の本発明のポジ型感光性組成物において、上記（Ｇ）成分は、単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。

＜（Ｈ）成分＞
上記（Ｈ）成分は、酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有する化合物である。上記（Ｈ）成分は、（Ｄ）光酸発生剤から発生する酸により分解し酸性基又は水酸基が発現することで現像液に可溶となるため、このような（Ｈ）成分を（Ｄ）成分と併せて用いることによりポジ型のパターンを形成することができる。

上記（Ｈ）成分における、酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造については、第１の本発明のポジ型感光性組成物で用いる（Ａ）成分における、酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造と同様である。

第４の本発明のポジ型感光性組成物において、上記（Ｈ）成分は、単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。

第４の本発明のポジ型感光性組成物に用いる（Ｄ）成分は、第１の本発明のポジ型感光性組成物に用いる（Ｄ）成分と同様である。

第４の本発明のポジ型感光性組成物は、ヒドロシリル化触媒を含んでいても良い。
上記ヒドロシリル化触媒は、第１の本発明のポジ型感光性組成物に用いる（Ｃ）成分と同様である。

＜＜任意成分＞＞
第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物は、それぞれ、上述した必須成分に加えて、任意に他の成分を含有していても良い。
上記他の成分としては、例えば、（Ｉ）アルカリ可溶性成分、（Ｊ）アルケニル基を含有し、酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有しない化合物、（Ｋ）増感剤、ヒドロシリル化反応抑制剤、溶剤等が挙げられる。以下、各成分について説明する。

＜（Ｉ）成分＞
第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物は、さらに（Ｉ）アルカリ可溶性成分を含有することが、ポジ型感光性組成物のアルカリ現像液への溶解性が向上し、高感度なポジ型感光性組成物となることから好ましい。
上記（Ｉ）成分としては、例えば、下記式（Ｘ１）又は（Ｘ２）で表される構造を有する化合物、フェノール基を有するフェノール樹脂や、カルボキシル基を有するアクリル樹脂、アミド樹脂、イミド樹脂等が挙げられる。
これらの（Ｉ）成分は、単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
なお、第４の本発明のポジ型感光性組成物は、下記式（Ｘ１）又は（Ｘ２）で表される構造を有する化合物を必須成分として含有するため、第４の本発明のポジ型感光性組成物が上記（Ｉ）アルカリ可溶性成分を含有する場合には、下記式（Ｘ１）又は（Ｘ２）で表される構造を有する化合物以外のアルカリ可溶性成分を含有する。

上記（Ｉ）成分は、ベイク後に絶縁性、耐熱性、耐溶剤性に優れた薄膜を得ることができるという観点より、下記式（Ｘ１）又は（Ｘ２）で表される構造を有する化合物であることが好ましく、下記式（Ｘ１）又は（Ｘ２）で表される構造を有するポリシロキサン化合物であることがより好ましい。

上記式（Ｘ１）又は（Ｘ２）で表される構造を有するポリシロキサン化合物を得る方法としては、簡便な方法として、例えば、上記（Ｘ１）又は（Ｘ２）で表される構造及びアルケニル基を有する化合物と、ＳｉＨ基を有するシロキサン化合物とを一部ヒドロシリル化反応させる方法等が挙げられる。あらかじめこのような方法で得た（Ｉ）成分を、第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物に用いることができる。

上記式（Ｘ１）又は（Ｘ２）で表される構造及びアルケニル基を有する化合物としては、例えば、ジアリルイソシアヌル酸、モノアリルイソシアヌル酸等を挙げることができる。上記式（Ｘ１）又は（Ｘ２）で表される構造及びアルケニル基を有する化合物は、上記（Ｉ）成分を得る際のヒドロシリル化反応に用いることもできる。
上記ＳｉＨ基を有するシロキサン化合物としては、例えば、上記（Ａ）成分の説明で、ＳｉＨ基を一分子中に２つ以上有する化合物として説明した化合物等が挙げられる。

上記（Ｉ）成分が、ＳｉＨ基又はアルケニル基を含有する化合物である場合において、当該（Ｉ）成分を第１の本発明のポジ型感光性組成物に含有させる場合には、第１の本発明のポジ型感光性組成物の（Ｂ）成分として用いることができる。また、上記（Ｉ）成分がＳｉＨ基又はアルケニル基に加えて、さらに酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有している場合において、当該（Ｉ）成分を第１の本発明のポジ型感光性組成物に含有させる場合には、第１の本発明のポジ型感光性組成物の（Ａ）成分として用いることができる。
また、上記（Ｉ）成分が、フェノール性水酸基がトリアルキルシリル基で官能基保護されたビスフェノール構造を含有する場合、当該（Ｉ）成分を第３の本発明のポジ型感光性組成物に含有させる場合には、第３の本発明のポジ型感光性組成物の（Ｆ）成分として用いることができる。

第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物が上記（Ｉ）成分を含有する場合、上記（Ｉ）成分の含有量の上限は、第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物から溶剤を除いた成分１００重量部に対し、８０重量部であることが好ましく、７５重量部であることがより好ましい。一方、含有量の下限は、１５重量部であることが好ましく、２０重量部であることがより好ましく、５０重量部より大きいことがさらに好ましい。上記（Ｉ）成分の含有量をこの範囲とすることで、アルカリ現像性に優れたポジ型感光性組成物を得ることができる。

＜（Ｊ）成分＞
第２〜第４の本発明のポジ型感光性組成物は、さらに（Ｊ）アルケニル基を含有し、酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有しない化合物を含有することが好ましい。上記（Ｊ）成分を用いることにより、第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物のパターニング性、及び、硬化物（薄膜）の絶縁性、耐熱性を向上させることができるためである。

上記（Ｊ）成分としては、特に限定されないが、例えば、第１の本発明のポジ型感光性組成物における（Ｂ）成分について説明した、アルケニル基を有する（Ｂ）成分として用いることのできる化合物と同様の化合物等を用いることができる。
これらの（Ｊ）成分は、単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。

第２の本発明のポジ型感光性組成物が上記（Ｊ）成分を含有する場合、上記（Ｊ）成分の含有量は、上記（Ｅ）成分１００重量部に対し、３〜４０重量部であることが好ましく、５〜３０重量部であることがより好ましい。
第３の本発明のポジ型感光性組成物が上記（Ｊ）成分を含有する場合、上記（Ｊ）成分の含有量は、上記（Ｆ）成分１００重量部に対し、３〜４０重量部であることが好ましく、５〜３０重量部であることがより好ましい。
第４の本発明のポジ型感光性組成物が上記（Ｊ）成分を含有する場合、上記（Ｊ）成分の含有量は、上記（Ｇ）成分と上記（Ｈ）成分との合計１００重量部に対し、３〜４０重量部であることが好ましく、５〜３０重量部であることがより好ましい。

＜（Ｋ）成分＞
第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物は、光に対する感度、特に、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）といった短波長の光に対する感度が向上することから、（Ｋ）増感剤を添加することが好ましい。上記（Ｋ）成分を上記（Ｄ）成分と併用することにより、硬化性の調整を行うことができる。

上記（Ｋ）成分としては、例えば、アントラセン系化合物、チオキサントン系化合物等が挙げられる。

上記（Ｋ）成分は、光増感効果の観点からは、アントラセン系化合物であることが好ましい。
上記アントラセン系化合物としては、例えば、アントラセン、２−エチル−９，１０−ジメトキシアントラセン、９，１０−ジメチルアントラセン、９，１０−ジブトキシアントラセン、９，１０−ジプロポキシアントラセン、９，１０−ジエトキシアントラセン、１，４−ジメトキシアントラセン、９−メチルアントラセン、２−エチルアントラセン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン、９，１０−ジフェニル−２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン等が挙げられる。

これらの中で、特に入手しやすい観点からは、アントラセン、９，１０−ジメチルアントラセン、９，１０−ジブトキシアントラセン、９，１０−ジプロポキシアントラセン、９，１０−ジエトキシアントラセンが好ましい。
また、硬化物の透明性に優れる観点からはアントラセンが好ましく、他の成分との相溶性に優れる観点からは９，１０−ジブトキシアントラセン、９，１０−ジプロポキシアントラセン、９，１０−ジエトキシアントラセンが好ましい。

上記（Ｋ）成分は、ポジ型感光性組成物の貯蔵安定性の観点からは、チオキサントン系化合物であることが好ましい。
上記チオキサントン系化合物としては、例えば、チオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，５−ジエチルジオキサントン、イソプロピルチオキサントン等が挙げられる。
これらの中で、入手性の観点からは、２，５−ジエチルジオキサントン、イソプロピルチオキサントンが好ましい。

これらの（Ｋ）成分は、単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

第１の本発明のポジ型感光性組成物が（Ｋ）成分を含有する場合、その含有量は、上記（Ａ）成分１００重量部あたり、３〜５０重量部であることが好ましく、５〜４０重量部であることがより好ましく、７〜３５重量部であることがさらに好ましい。
第２の本発明のポジ型感光性組成物が（Ｋ）成分を含有する場合、その含有量は、上記（Ｅ）成分１００重量部あたり、３〜５０重量部であることが好ましく、５〜４０重量部であることがより好ましく、７〜３５重量部であることがさらに好ましい。
第３の本発明のポジ型感光性組成物が（Ｋ）成分を含有する場合、その含有量は、上記（Ｆ）成分１００重量部あたり、３〜５０重量部であることが好ましく、５〜４０重量部であることがより好ましく、７〜３５重量部であることがさらに好ましい。
第４の本発明のポジ型感光性組成物が（Ｋ）成分を含有する場合、その含有量は、上記（Ｇ）成分と（Ｈ）成分との合計１００重量部あたり、３〜５０重量部であることが好ましく、５〜４０重量部であることがより好ましく、７〜３５重量部であることがさらに好ましい。

（ヒドロシリル化反応抑制剤）
第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物においては、貯蔵安定性確保のため、ヒドロシリル化反応抑制剤を使用してもよい。
上記ヒドロシリル化反応抑制剤としては、例えば、脂肪族不飽和結合を含有する化合物、有機リン化合物、有機イオウ化合物、窒素含有化合物、スズ系化合物、有機過酸化物等が挙げられる。

上記脂肪族不飽和結合を含有する化合物としては、例えば、３−ヒドロキシ−３−メチル−１−ブチン、３−ヒドロキシ−３−フェニル−１−ブチン、１−エチニル−１−シクロヘキサノール等のプロパギルアルコール類、エン−イン化合物類、ジメチルマレート等のマレイン酸エステル類等が挙げられる。
上記有機リン化合物としては、例えば、トリフェニルホスフィン等のトリオルガノホスフィン類、ジオルガノホスフィン類、オルガノホスフォン類、トリオルガノホスファイト類等が挙げられる。
上記有機イオウ化合物としては、例えば、オルガノメルカプタン類、ジオルガノスルフィド類、硫化水素、ベンゾチアゾール、チアゾール、ベンゾチアゾールジサルファイド等が挙げられる。
上記スズ系化合物としては、例えば、ハロゲン化第一スズ２水和物、カルボン酸第一スズ等が挙げられる。
上記有機過酸化物としては、例えば、ジ−ｔ−ブチルペルオキシド、ジクミルペルオキシド、ベンゾイルペルオキシド、過安息香酸ｔ−ブチル等が挙げられる。
これらのヒドロシリル化反応抑制剤は、単独で使用しても良いし、２種以上を併用しても良い。

これらのヒドロシリル化反応抑制剤のうち、遅延活性が良好で原料入手が容易という観点からは、ベンゾチアゾール、チアゾール、ジメチルマレート、３−ヒドロキシ−３−メチル−１−ブチン、１−エチニル−１−シクロヘキサノール、トリフェニルホスフィンが好ましい。

（溶剤）
上述の第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物は、溶剤を含有することが好ましい。溶剤を含有することにより、ポジ型感光性組成物を硬化させて薄膜を得る際、ポジ型感光性組成物の粘度を下げることができ、その結果、均一に塗布することが可能となるためである。
上記溶剤としては、特に限定されないが、例えば、エチルシクロヘキサン、トリメチルペンタン等の炭化水素系溶剤、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン等のエーテル系溶剤、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、イソ酪酸イソブチル、酪酸イソブチル等のエステル系溶剤、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテル−２−アセテート（ＰＧＭＥＡ）、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル等のグリコール系溶剤、トリフルオロトルエン等のハロゲン系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤は、単独で使用しても良いし、２種類以上の混合溶剤として用いても良い。

上記溶剤は、特に均一な膜が形成しやすい観点からは、１，４−ジオキサン、イソ酪酸イソブチル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテル−２−アセテート、メチルイソブチルケトン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテルであることが好ましい。

第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物が溶剤を含有する場合、その含有量は特に限定されず適宜設定できるが、溶剤を除くポジ型感光性組成物の総量１００重量部に対し、下限が１０重量部であることが好ましく、３０重量部であることがより好ましく、５０重量部であることがさらに好ましい。一方、上記含有量の上限は、８００重量部であることが好ましく、４００重量部であることがより好ましく、３００重量部であることがさらに好ましい。
上記溶剤の含有量が１０重量部未満であると、溶剤による低粘度化等の効果が得られないことがあり、一方、含有量が８００重量部を超えると、硬化物とした際に溶剤が残留して熱クラック等の原因となることがあり、またコスト的にも不利になり工業的利用価値が低下する。

第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物の調製方法は、特に限定されず、種々の方法を用いることができる。各種成分を硬化直前に混合調製しても良いし、全成分を予め混合調製した一液の状態で低温貯蔵しておいても良い。

第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物は、後述するように、塗布プロセス（コーティング）により絶縁膜を形成することができる材料であり、パターン電極取り出し性に優れるとともに、絶縁信頼性等に優れることから、トランジスタに要求される特性を満足する材料として薄膜トランジスタに適用される。
第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物は、後述する第５、第６の本発明の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜やパッシベーション膜等の絶縁膜の材料として用いられる。

＜＜第５、第６の本発明の薄膜トランジスタ＞＞
次に、第５、第６の本発明の薄膜トランジスタについて説明する。
第５の本発明の薄膜トランジスタは、
第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物を硬化して得られる薄膜を、ゲート絶縁膜として備える薄膜トランジスタである。
第６の本発明の薄膜トランジスタは、
第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物を硬化して得られる薄膜を、パッシベーション膜として備える薄膜トランジスタである。

第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物を硬化して薄膜を得る方法としては、例えば、第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物を各種基材にコーティングした後、所望の形状のマスクを用いて第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物に露光し、露光部を溶解・除去することによりパターン状に形成された薄膜を得る方法等を用いることができる。

（フォトリソグラフィーについて）
第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物を各種基材にコーティングする方法としては、均一に塗布することができる方法であれば特に限定されるものではなく、一般によく使用されるコーティング方法を使用することができ、例えば、スピンコーティング、スリットコーティング、ディップコーティング、ロールコーティング、スクリーンコーティング、スプレーコーティング、スピンキャスティング、フローコーティング、スクリーン印刷、インクジェット、ドロップキャスティング等の方法を用いることができる。
また、各種基材の状態により、適宜、溶剤による粘度調整、界面活性剤による表面張力調整等を行っても良い。

第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物を各種基材にコーティングした後、溶剤除去の目的で、露光前にプリベークや真空脱揮プロセスを行っても良い。但し、熱を加えることで現像性が低下する等の問題が発生するおそれがあることから、プリベークの温度は、１００℃以下であることが好ましく、８０℃以下であることがより好ましい。
なお、真空脱揮プロセスとプリベークとは同時に行っても良い。

第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物に露光するための光源としては、使用する（Ｄ）光酸発生剤や（Ｋ）増感剤の吸収波長を発光する光源を使用すればよく、通常２００〜４５０ｎｍの範囲の波長を含む光源、例えば、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、ハイパワーメタルハライドランプ、キセノンランプ、カーボンアークランプ、発光ダイオード等を使用できる。
このとき、露光量としては、特に限定されないが、１〜５０００ｍＪ／ｃｍ^２であることが好ましく、１〜１０００ｍＪ／ｃｍ^２であることがより好ましい。

第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物に露光した後、加熱を行ってもよい。加熱を行うことにより、露光していない部分が硬化し、コントラストが明確となる。
加熱温度としては、５０℃以上１２０℃以下であることが好ましく、コントラストがより明確となることから、６０℃以上１００℃以下であることがより好ましい。

第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物に露光した後、露光部を溶解・除去しパターンを形成する方法としては、特に限定されず、一般的に行われる浸漬法やスプレー法等の現像方法を用いることができる。
このとき、現像液としては、一般に使用するものであれば特に限定されず使用することができ、具体例としては、例えば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液、コリン水溶液等の有機アルカリ水溶液、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、炭酸カリウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、炭酸リチウム水溶液等の無機アルカリ水溶液、これらの水溶液に溶解速度等の調整のためにアルコールや界面活性剤等を添加したもの、各種有機溶剤等を挙げることができる。

（ポストベイクについて）
また、露光部を溶解・除去した後、薄膜の強度、信頼性向上のため、ポストベイクを行っても良い。
ポストベイクの温度としては、１００〜３００℃であることが好ましく、１５０〜２５０℃であることがより好ましい。
なお、基材としてプラスチック基板を用いる場合には、できるだけ低い温度でポストベイクすることが好ましいが、第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物は１５０℃〜２００℃でポストベイクが可能であるため、このような場合であっても基板に悪影響を与えることなくポストベイクを行うことができる。

第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物を硬化して薄膜として得る際、露光部を溶解・除去した後に加熱してポストベイクを行うことにより、硬化反応を進行させることができ、絶縁性の高い薄膜を得ることができる。
上記硬化反応としては、例えば、ゾルゲル反応、ヒドロシリル化反応等が挙げられ、より低温で特に絶縁性に優れる薄膜を得られる観点からは、上記硬化反応はヒドロシリル化反応であることが好ましい。上記ヒドロシリル化反応は、第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物中に、アルケニル基を含有する化合物、ＳｉＨ基を含有する化合物及びヒドロシリル化触媒が存在することにより進行する。
以上の方法により、第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物からなる、パターン状に形成された薄膜を得ることができる。

（絶縁性について）
上述の方法により得られた薄膜は、優れた絶縁膜として機能する。
ＬＳＩ、ＴＦＴ、タッチパネル等に用いる絶縁膜には、リーク電流が小さい事が要求される。上記薄膜の膜厚が１ミクロンである場合、リーク電流は、１０ｎＡ／ｃｍ^２以下であることが好ましく、５ｎＡ／ｃｍ^２以下であることがより好ましい。

（薄膜トランジスタ）
本明細書において、薄膜トランジスタとは、薄膜型の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）をいう。即ち、ソース、ドレイン、ゲート電極から構成される３端子型、及び、ソース、ドレイン、ゲート電極とバックゲートとから構成される４端子型のトランジスタであって、ゲート電極に電圧印加することで発生するチャネルの電界によりソース／ドレイン間の電流を制御する薄膜型のトランジスタを示す。第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物を硬化して得られた薄膜は、第５、第６の本発明の薄膜トランジスタにおいて、半導体層とゲート電極とを隔てるゲート絶縁膜、又は、半導体層を保護し、ソース／ドレイン電極と画素電極とを絶縁するパッシベーション膜として用いることができる。

薄膜トランジスタにおけるゲート絶縁膜とは、ゲート電極と半導体層との間に形成される絶縁膜であり、微小な電流リークでも動作不良に影響することから極めて高い絶縁信頼性が必要となる部材である。またパッシベーション膜は、半導体層を保護する役目を担う絶縁膜であり、ゲート絶縁膜と同様、高い絶縁信頼性が必要となる部材である。

第５、第６の本発明の薄膜トランジスタの構造について、図面を参照しながら説明する。
図１は、第５の本発明の薄膜トランジスタの一例を模式的に示す断面図である。図１に示すように、第５の本発明の薄膜トランジスタ１００は、基板（ゲート電極）１１、第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物を硬化して得られた薄膜からなるゲート絶縁膜１２、及び、半導体層１３が順に積層され、さらに、ソース／ドレイン電極１４、１５がゲート絶縁膜１２と半導体層１３とに接するように形成された構造を有する。
図２は、第６の本発明の薄膜トランジスタの一例を模式的に示す断面図である。図２に示すように、第６の本発明の薄膜トランジスタ２００は、基板（ゲート電極）２１、ゲート絶縁膜２２、及び、半導体層２３が順に積層され、ソース／ドレイン電極２４、２５がゲート絶縁膜２２と半導体層２３とに接するように形成され、さらに、第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物を硬化して得られた薄膜からなるパッシベーション膜２６が半導体層２３とソース／ドレイン電極２４、２５とを覆うように形成された構造を有する。

第５、第６の本発明の薄膜トランジスタの構造としては、図面を参照して説明した上述の構造に特に限定されず、薄膜トランジスタを用いる表示デバイス構造に応じて様々な組み合わせ、配置で設計すれば良い。例えば、ゲート電極の配置に関してはボトムゲート型、トップゲート型等とすることができ、また、ソース／ドレイン電極の配置に関してはボトムコンタクト型、トップコンタクト型等とすることができる。

上記基板（ゲート電極）としては、特に限定されず、当該技術分野において通常用いられるものを用いることができる。また、半導体層の材料としては、例えば、ペンタセン系化合物、オリゴチオフェン系化合物、フタロシアニン系化合物等の有機半導体化合物、Ｓｉ系化合物、ＺｎＯ系化合物、ＩＧＺＯ系化合物等の無機半導体化合物等が挙げられる。これらの中で、低温で半導体層を形成できるため、全て低温プロセス化できるという観点からは、有機半導体化合物が好ましい。また、半導体層形成を塗布プロセス化することにより製膜のタクトタイム短縮等が見込めるという観点からは、Ｓｉ系化合物やＺｎＯ系化合物等の無機半導体化合物が好ましい。また、半導体層の厚みは、半導体層の材料が無機半導体化合物であるか有機半導体化合物であるかに関わらず、１０〜５００ｎｍであることが好ましい。

上記ソース／ドレイン電極の材料としては、特に限定されないが、簡便に入手できるという点からは、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＩＴＯ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等の導電性高分子、導電ペースト、メタルインク等が挙げられる。これらの中でも、抵抗が小さく、高い導電性を得られることからは、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕが好ましく、透明性が必要な箇所に適用できる観点からは、ＩＴＯ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳが好ましく、電極表面が酸化されにくく安定性に優れるという観点からは、Ａｕ、Ｐｔが好ましく、印刷プロセスにより電極を形成できることからは、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等の導電性高分子、導電ペースト、メタルインクが好ましい。

上記ゲート絶縁膜、又は、上記パッシベーション膜を作製する方法としては、上述した第１〜第４の本発明のポジ型感光性組成物を硬化して薄膜を得る方法を採用することができる。

第５、第６の本発明の薄膜トランジスタは、アクティブマトリクス型のフラットパネルディスプレイにおける画素トランジスタとして用いることができる。ディスプレイを安定的に駆動させるための画素トランジスタの特性としては、閾値電圧、キャリア移動度、ＯＮ／ＯＦＦ電流比が重要である。

閾値電圧とは、トランジスタがＯＮ状態となり半導体層に電流が流れ始める電圧値を示し、トランジスタの電流伝達特性においてソース／ドレイン間に流れる電流をＩ_ｄ、ゲート印加電圧をＶ_ｇとした場合の（Ｉ_ｄ）^１／２とＶ_ｇとの関係を示すグラフにおいて、線形部分の延長線とＶ_ｇ軸との交点より算出される。
キャリア移動度は、ＴＦＴデバイスの良し悪しを示す重要な指標であり、値が大きいほどＴＦＴ素子として優れている事を示す。上記キャリア移動度は、０．５以上であることが好ましい。
ＯＮ／ＯＦＦ電流比とは、トランジスタの電流伝達特性においてソース／ドレイン間に流れる電流Ｉ_ｄの最大電流値と最小電流値との比（Ｉｏｎ／Ｉｏｆｆ）で表され、大きければ大きいほどスイッチとしての機能に優れることを示す。上記ＯＮ／ＯＦＦ電流比は、駆動に大電流を要する方式の駆動も可能となることから、１０^４以上であることが好ましい。
トランジスタを実際のデバイスに用いる場合、上記特性をひとつでも満足しないものは致命的であり、全ての特性を満足する事が必要となる。

また、ＯＮ／ＯＦＦ電流比及びキャリア移動度が高い素子はヒステリシスが大きくなりやすいことから、ＯＮ／ＯＦＦ電流比及びキャリア移動度が高く、かつ、低ヒステリシスであるとの特性を両立するトランジスタであることが好ましい。

ソース／ドレイン電極Ｖｄ間、及び、ゲート電極に印加する電圧Ｖ_ｇは、特に限定されず、使用する半導体材料及び駆動方式に応じて適宜設定することができるが、トランジスタとしての消費電力が抑制できるという観点より、−５０〜５０Ｖであることが好ましく、−２０〜２０Ｖであることがより好ましい。

＜＜第７の本発明の化合物＞＞
第７の本発明の化合物は、下記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物である。

（Ｒ^４は不飽和結合を持たない炭素数１〜６のアルキル基を表し、それぞれのＲ^４は同一でも異なっていてもよい。Ｒ^５はビスフェノール化合物として取り得る構造であればよい。）
上記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は、ポジ型感光性組成物に用いた際に、パターニング性に優れ、かつ、電気的絶縁信頼性に優れるポジ型感光性組成物を提供することができる。

以下に、本発明の実施例及び比較例を示すが、本発明は以下によって限定されるものではない。

以下の実施例及び比較例における各評価は、下記の方法により行った。
（薄膜形成及びフォトリソグラフィー性評価方法：パターニング性）
厚さ２０００Åのモリブデン薄膜が付いたガラス基板（５０×５０ｍｍ）上に、下記実施例１〜８、１１〜１４及び比較例１、２で得られたポジ型感光性組成物をスピンコートにより１μｍ厚で製膜し、ホットプレートにて７０℃で１分間乾燥し、マスクアライナーＭＡ−１０（ミカサ社製）にて２０ミクロンホールパターンのフォトマスク越しに１００ｍＪ／ｃｍ^２で露光し、７０℃で１分間加熱後、アルカリ現像液（ＴＭＡＨ２．３８％水溶液、多摩化学工業社製）を用いて現像処理を行った。さらに２００℃で３０分間ポストベイクを行い、薄膜を形成した。パターン形状を顕微鏡で観察し、ホール形成できているものを○、ホール形成ができていないものを×とした。

（絶縁性評価：リーク電流）
上記方法でモリブデン薄膜付きガラス基板上に形成した薄膜上に、真空蒸着機を用いてアルミ電極（３ｍｍΦ）を形成しコンデンサを作製し、上下電極間のリーク電流を測定した。

（ＯＮ／ＯＦＦ電流比）ＯＮ時の電流Ｉｏｎは、電流伝達特性の曲線における飽和領域での最大電流値とし、ＯＦＦ時の電流Ｉｏｆｆは、ＯＦＦ状態の最小電流値から求めた。ＯＮ／ＯＦＦ電流比Ｉｏｎ／Ｉｏｆｆを、ＯＮ状態の最大電流値とＯＦＦ状態の最小電流値との比から算出した。

（閾値電圧）電流伝達特性における飽和領域間（ゲート電圧Ｖ_ｇ＝３０〜４０Ｖ）における接線のＸ切片電圧値を閾値電圧Ｖ_ｔｈとした。

（キャリア移動度）キャリア移動度μは、下記計算式を用いて、電流伝達特性でのゲート電圧Ｖ_ｇ＝４０ＶにおけるＩ_ｄ値を代入して算出した。 μ＝２（Ｌ×Ｉ_ｄ）／（Ｗ×（ε／ｄ）×（Ｖ_ｇ−Ｖ_ｔｈ）^２）Ｌ：チャネル長（８０μｍ）Ｉ_ｄ：ソースドレイン間電流Ｗ：チャネル幅（２ｍｍ）ε：誘電率（２．５７Ｅ−１１）ｄ：膜厚Ｖ_ｇ：ゲート電圧Ｖ_ｔｈ：閾値電圧

（パターニング電極取出し性）下記実施例９、１０、比較例３、４に記載の方法で薄膜トランジスタの電極上にフォトリソグラフィーにより形成した１００μｍ×１００μｍのスルーホールにプローブを接触させ、電気的なコンタクトが取れているものを○、ポジ型感光性組成物が残り電極からコンタクトが取れないもの（電流が流れないもの）を×とした。

（官能基保護したビスフェノールＳ化合物の合成）
１００ｍＬナスフラスコにジオキサン２０ｇ、ジアリルビスフェノールＳ５ｇを入れ、室温で攪拌した。均一溶液となったところにヘキサメチルジシラザン２．５ｇを添加し、２時間で反応を終了させた。溶剤、反応残渣を除去し、^１Ｈ−ＮＭＲでトリメチルシリル基由来のピークの確認と水酸基由来のピークの消失の確認を行い、ジアリルビスフェノールＳの水酸基がトリメチルシリル基で保護されたジアリルビスフェノールＳ（反応物（１））６．５ｇを得た。なお、反応物（１）の化学式を以下に示す。

（官能基保護したビスフェノールＡ化合物の合成）
１００ｍＬナスフラスコにジオキサン２０ｇ、ジアリルビスフェノールＡ５ｇを入れ、室温で攪拌した。均一溶液となったところにヘキサメチルジシラザン２．５ｇを添加し、２時間で反応を終了させた。溶剤、反応残渣を除去し、^１Ｈ−ＮＭＲでトリメチルシリル基由来のピークの確認と水酸基由来のピークの消失の確認を行い、ジアリルビスフェノールＡの水酸基がトリメチルシリル基で保護されたジアリルビスフェノールＡ（反応物（２））６．５ｇを得た。なお、反応物（２）の化学式を以下に示す。

（官能基保護したビスフェノールＳ化合物の合成２）
１００ｍＬナスフラスコにジオキサン２０ｇ、ジアリルビスフェノールＳ５ｇを入れ、室温で攪拌した。均一溶液となったところに二炭酸ジｔｅｒｔ−ブチル５ｇを添加し、４時間で反応を終了させた。溶剤、反応残渣を除去し、^１Ｈ−ＮＭＲでブトキシカルボニル基由来のピークの確認と水酸基由来のピークの消失の確認を行い、ジアリルビスフェノールＳの水酸基がブトキシカルボニル基で保護されたジアリルビスフェノールＳ（反応物（３））６．５ｇを得た。なお、反応物（３）の化学式を以下に示す。

（合成実施例１）
１００ｍＬ四つ口フラスコにトルエン２０ｇ、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン３ｇを入れ、気相部を窒素置換した後、内温を１００℃に加熱し攪拌した。上記方法で合成した反応物（１）５ｇ、白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液（白金として３ｗｔ％含有）０．７ｍｇ、トルエン５ｇの混合液を滴下した。
滴下後^１Ｈ−ＮＭＲでアリル基由来のピーク消失を確認した後、トルエンを減圧留去し、無色透明の液体「反応物Ａ」を得た。^１Ｈ−ＮＭＲの測定により、トリメチルシリル基で保護されたビスフェノールＳ構造を有し、標準物質をジブロモエタンとした時の当量換算でＳｉＨ基６．０ｍｍｏｌ／ｇを有するポリシロキサン系化合物であることを確認した。

（合成実施例２）
１００ｍＬ四つ口フラスコにトルエン２０ｇ、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン３ｇを入れ、気相部を窒素置換した後、内温を１００℃に加熱し攪拌した。上記方法で合成した反応物（１）５ｇ、白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液（白金として３ｗｔ％含有）０．７ｍｇ、トルエン５ｇの混合液を滴下した。
滴下後^１Ｈ−ＮＭＲでアリル基由来のピーク消失を確認した後、内温を８０℃としてビニルシクロヘキセンを１ｇ添加した。添加後^１Ｈ−ＮＭＲでビニル基由来のピーク消失を確認した後、トルエンを減圧留去し、無色透明の液体「反応物Ｂ」を得た。^１Ｈ−ＮＭＲの測定により、トリメチルシリル基で保護されたビスフェノールＳ構造を有し、標準物質をジブロモエタンとした時の当量換算でＳｉＨ基４．０ｍｍｏｌ／ｇ、シクロヘキセン基２ｍｍｏｌ／ｇを有するポリシロキサン系化合物であることを確認した。

（合成実施例３）
１００ｍＬ四つ口フラスコにトルエン２０ｇ、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン３ｇを入れ、気相部を窒素置換した後、内温を１００℃に加熱し攪拌した。上記方法で合成した反応物（２）５ｇ、白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液（白金として３ｗｔ％含有）０．７ｍｇ、トルエン５ｇの混合液を滴下した。
滴下後^１Ｈ−ＮＭＲでアリル基由来のピーク消失を確認した後、トルエンを減圧留去し、無色透明の液体「反応物Ｃ」を得た。^１Ｈ−ＮＭＲの測定により、トリメチルシリル基で保護されたビスフェノールＡ構造を有し、標準物質をジブロモエタンとした時の当量換算でＳｉＨ基６．０ｍｍｏｌ／ｇを有するポリシロキサン系化合物であることを確認した。

（合成実施例４）
１００ｍＬ四つ口フラスコにトルエン２０ｇ、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン４ｇを入れ、気相部を窒素置換した後、内温を１００℃に加熱し攪拌した。上記方法で合成した反応物（１）２ｇ、モノアリルイソシアヌル酸１ｇ、トリアリルイソシアヌレート２ｇ、白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液（白金として３ｗｔ％含有）０．７ｍｇ、トルエン５ｇの混合液を滴下した。
滴下後^１Ｈ−ＮＭＲでアリル基由来のピーク消失を確認した後、トルエンを減圧留去し、無色透明の液体「反応物Ｄ」を得た。^１Ｈ−ＮＭＲの測定により、トリメチルシリル基で保護されたビスフェノールＳ構造を有し、標準物質をジブロモエタンとした時の当量換算でＳｉＨ基３．０ｍｍｏｌ／ｇを有するポリシロキサン系化合物であることを確認した。

（合成実施例５）
１００ｍＬ四つ口フラスコにトルエン２０ｇ、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン６ｇを入れ、気相部を窒素置換した後、内温を１００℃に加熱し攪拌した。上記方法で合成した反応物（１）２ｇ、ジアリルイソシアヌル酸１．５ｇ、トリアリルイソシアヌレート１．５ｇ、白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液（白金として３ｗｔ％含有）０．７ｍｇ、トルエン５ｇの混合液を滴下した。
滴下後^１Ｈ−ＮＭＲでアリル基由来のピーク消失を確認した後、内温を８０℃としてビニルシクロヘキセンを０．５ｇ添加した。添加後^１Ｈ−ＮＭＲでビニル基由来のピーク消失を確認した後、トルエンを減圧留去し、無色透明の液体「反応物Ｅ」を得た。^１Ｈ−ＮＭＲの測定により、トリメチルシリル基で保護されたビスフェノールＳ構造を有し、標準物質をジブロモエタンとした時の当量換算でＳｉＨ基１．８ｍｍｏｌ／ｇ、シクロヘキセン基１ｍｍｏｌ／ｇを有するポリシロキサン系化合物であることを確認した。

（合成実施例６）
１００ｍＬ四つ口フラスコにトルエン２０ｇ、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン４ｇを入れ、気相部を窒素置換した後、内温を１０５℃に加熱し攪拌した。上記方法で合成した反応物（１）２ｇ、ジアリルイソシアヌル酸３．７ｇ、白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液（白金として３ｗｔ％含有）６．５ｍｇ、ジオキサン２５ｇの混合液を滴下した。
滴下後^１Ｈ−ＮＭＲでアリル基由来のピーク消失を確認した後、溶剤を減圧留去し、無色透明の液体「反応物Ｆ」を得た。^１Ｈ−ＮＭＲの測定により、トリメチルシリル基で保護されたビスフェノールＳ構造を有し、標準物質をジブロモエタンとした時の当量換算でＳｉＨ基３．２ｍｍｏｌ／ｇを有するポリシロキサン系化合物であることを確認した。

（合成比較例１）
５００ｍＬ四つ口フラスコにトルエン１００ｇ、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン２０ｇを入れ、気相部を窒素置換した後、内温を１０５℃に加熱し攪拌した。ビスフェノールＳジアリルエーテル１０ｇ、白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液（白金として３ｗｔ％含有）０．００１７ｇ、トルエン１０ｇの混合液を滴下した。
滴下後^１Ｈ−ＮＭＲでアリル基由来のピーク消失を確認し、反応を終了した。トルエンを減圧留去し、無色透明の液体「反応物Ｇ」を得た。^１Ｈ−ＮＭＲの測定により、標準物質をジブロモエタンとした時の当量換算で、ＳｉＨ基４．０ｍｍｏｌ／ｇを有するポリシロキサン系化合物であることを確認した。

（合成比較例２）
５００ｍＬ四つ口フラスコにトルエン１００ｇ、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン３６ｇを入れ、気相部を窒素置換した後、内温を１０５℃に加熱し攪拌した。トリアリルイソシアヌレート５ｇ、白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液（白金として３ｗｔ％含有）０．００３９ｇ、トルエン１０ｇの混合液を滴下した。
滴下後^１Ｈ−ＮＭＲでアリル基由来のピーク消失を確認し、反応を終了した。トルエンを減圧留去し、無色透明の液体「反応物Ｈ」を得た。^１Ｈ−ＮＭＲの測定により、標準物質をジブロモエタンとした時の当量換算で、ＳｉＨ基９．０ｍｍｏｌ／ｇを有するポリシロキサン系化合物であることを確認した。

（実施例１〜８、比較例１、２）
合成実施例１〜６、合成比較例１、２で得られた反応物Ａ〜Ｈ、上記方法で合成した反応物（１）、ヨードニウム塩光酸発生剤（みどり化学社製、ＢＢＩ−１０３）、スルホニウム塩光酸発生剤（みどり化学社製、ＤＴＳ−１０３）、（Ｋ）増感剤（ジブトキシアントラセン、川崎化成工業株式会社製、商品名：ＤＢＡ）、Ｄ４Ｖ（１，３，５，７−テトラビニル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン）、ＴＡＩＣ（トリアリルイソシアヌレート）、溶剤（イソ酪酸イソブチル）を表１に記載の重量比で調合し、ポジ型感光性組成物を得た。得られたポジ型感光性組成物について、パターニング性及びリーク電流を上述の方法により評価した。結果を表２に示す。

表２に示した結果より、本発明のポジ型感光性組成物は、比較例の組成物と比較してパターニング性に優れ、また、本発明のポジ型感光性組成物を硬化して得られた薄膜は、比較例の組成物を硬化して得られた薄膜と比較して、優れた絶縁性を有することがわかる。

（実施例９、比較例３）
ｐ型高ドープＳｉ基板を導電層とし、ゲート電極とした。その上に実施例１及び比較例２で得たポジ型感光性組成物を１０００ｒｐｍ、３０ｓｅｃの条件でスピンコートにより塗布し、ホットプレートにて７０℃で１分間乾燥し、マスクアライナーＭＡ−１０（ミカサ社製）にて１００ミクロンホールパターンのフォトマスク越しに１００ｍＪ／ｃｍ^２で露光し、７０℃で１分間加熱後、アルカリ現像液（ＴＭＡＨ２．３８％水溶液、多摩化学工業社製）にて現像処理を行いコンタクトホールを形成し、１８０℃で１時間ポストベイクしゲート絶縁膜を形成した。さらにスパッタリング装置（島津エミット社製、ＳＥＮＴＲＯＮ）にて圧力１．０Ｐａ、Ａｒ４０ｓｃｃｍ、Ｏ_２５ｓｃｃｍの条件で、５００Åの厚さにＩＧＺＯの酸化物半導体層を形成し、その上にチャネル長さ８０μｍ、チャネル幅２ｍｍのマスクを用いて蒸着によって厚さ３００Åのソース／ドレインＴｉ電極を形成し薄膜トランジスタを作製した。

（実施例１０、比較例４）厚さ３０００Åの熱酸化膜付きｐ型高ドープＳｉ基板を導電層とし、ゲート電極、ゲート絶縁膜とした。その上に実施例９、比較例３と同様にしてＩＧＺＯの酸化物半導体層とソース／ドレインＴｉ電極とを形成した。さらに、実施例１及び比較例２で得たポジ型感光性組成物を用いて、実施例９、比較例３においてゲート絶縁膜を形成した方法と同様の方法により、パッシベーション膜を形成し、薄膜トランジスタを作製した。

上記実施例９、１０及び比較例３、４で作製した薄膜トランジスタについて、半導体パラメーターアナライザー（Ａｇｉｌｅｎｔ４１５６）を用いて電流伝達特性を評価した。この薄膜トランジスタの電流伝達特性に基づき、薄膜トランジスタのＯＮ／ＯＦＦ電流比、閾値電圧、キャリア移動度を上述の方法により算出した。また、ポジ型感光性組成物を用いて形成したゲート絶縁膜及びパッシベーション膜のパターニング電極取出し性を評価した。結果を表３に示す。

表３に示した結果から、本発明のポジ型感光性組成物を硬化して得られる薄膜をゲート絶縁膜又はパッシベーション膜として備える薄膜トランジスタは、高いＯＮ／ＯＦＦ比、キャリア移動度を両立するとともに、パターニング電極取出し性にも優れている事が分かる。

（合成実施例７）
１００ｍＬ四つ口フラスコにトルエン２０ｇ、上記方法で合成した反応物（１）５ｇを入れ、気相部を窒素置換した後、内温を１００℃に加熱し攪拌した。テトラアリルオキシエタン０．５ｇ、トルエン５ｇの混合液を滴下した。
滴下後^１Ｈ−ＮＭＲでアリル基由来のピーク消失を確認した後、トルエンを減圧留去し、無色透明の液体「反応物Ｉ」を得た。^１Ｈ−ＮＭＲの測定により、標準物質をジブロモエタンとした時の当量換算でＳｉＨ基２．９ｍｍｏｌ／ｇ、アセタール結合０．４ｍｍｏｌ／ｇを有する（Ｇ）成分に該当するポリシロキサン系化合物であることを確認した。

（合成実施例８）
１００ｍＬ四つ口フラスコにトルエン２０ｇ、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン３ｇを入れ、気相部を窒素置換した後、内温を１００℃に加熱し攪拌した。１，３−アダマンタンジオールジアクリレート５ｇ、白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液（白金として３ｗｔ％含有）０．７ｍｇ、トルエン５ｇの混合液を滴下した。
滴下後^１Ｈ−ＮＭＲでアリル基由来のピーク消失を確認した後、トルエンを減圧留去し、無色透明の液体「反応物Ｊ」を得た。^１Ｈ−ＮＭＲの測定により、標準物質をジブロモエタンとした時の当量換算でＳｉＨ基４．５ｍｍｏｌ／ｇを有するポリシロキサン系化合物であることを確認した。

（多面体骨格を有するポリシロキサン構造を有する化合物の合成）
４８％コリン水溶液（トリメチル−２ヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液）１２６２ｇにテトラエトキシシラン１０８３ｇを加え、室温で２時間激しく攪拌した。反応系内が発熱し、均一溶液になった段階で、攪拌を緩め、さらに１２時間反応させた。次に、反応系内に生成した固形物に、メタノール１０００ｍＬを加え、均一溶液とした。
ジメチルビニルクロロシラン７１６ｇ、トリメチルシリクロリド５１６ｇ及びヘキサン１９４２ｍＬの溶液を激しく攪拌しながら、メタノール溶液をゆっくりと滴下した。滴下終了後、１時間反応させた後、有機層を抽出、濃縮することにより、固形物を得た。次に、生成した固形物をメタノール中で激しく攪拌することにより洗浄し、ろ別することにより、Ｓｉ原子１６個と、ビニル基４個とを有する多面体骨格を有するポリシロキサン構造を有する化合物であるテトラキス（ビニルジメチルシロキシ）テトラキス（トリメチルシロキシ）オクタシルセスキオキサン６０１ｇ（反応物（４））を得た。

（合成実施例９）
３００ｍＬ四つ口フラスコにトルエン５２．８ｇ、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン１８ｇを入れ、気相部を窒素置換した後、内温を１０５℃に加熱し攪拌した。上記方法で合成した反応物（４）７．５ｇ、ジアリルイソシアヌレート７．５ｇ、白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液（白金として３ｗｔ％含有）６ｍｇ、ジオキサン４５ｇ、トルエン１５ｇの混合液を滴下した。
滴下後^１Ｈ−ＮＭＲでアリル基由来のピーク消失を確認した後、ジオキサン及びトルエンを減圧留去し、無色透明の液体「反応物Ｋ」を得た。^１Ｈ−ＮＭＲでＳｉＨ基を含有することが確認された。反応物Ｋは（Ｂ）成分及びアルカリ可溶性成分に該当し、かつ多面体骨格を有するポリシロキサン構造を有する。^１Ｈ−ＮＭＲの測定により、標準物質をｐ−キシレンとした時の当量換算でＳｉＨ基４．３ｍｍｏｌ／ｇを有する化合物であることを確認した。

（合成実施例１０）
３００ｍＬ四つ口フラスコにトルエン５２．８ｇ、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン１８ｇを入れ、気相部を窒素置換した後、内温を１０５℃に加熱し攪拌した。ジアリルイソシアヌレート１２ｇ、白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液（白金として３ｗｔ％含有）６ｍｇ、ジオキサン４５ｇ、トルエン１５ｇの混合液を滴下した。
滴下後^１Ｈ−ＮＭＲでアリル基由来のピーク消失を確認した後、ジオキサン及びトルエンを減圧留去し、無色透明の液体「反応物Ｌ」を得た。^１Ｈ−ＮＭＲでＳｉＨ基を含有することが確認された。反応物Ｌは（Ｂ）成分及びアルカリ可溶性成分に該当する。^１Ｈ−ＮＭＲの測定により、標準物質をｐ−キシレンとした時の当量換算でＳｉＨ基３．８ｍｍｏｌ／ｇを有する化合物であることを確認した。

（実施例１１〜１５）
合成実施例１、６〜１０で得た反応物Ａ、Ｆ、Ｉ〜Ｌ、上記方法で合成した反応物（１）、（３）、スルホニウム塩光酸発生剤（みどり化学社製、ＤＴＳ−１０３）、（Ｋ）増感剤（ジブトキシアントラセン、川崎化成工業株式会社製、商品名：ＤＢＡ）、ＴＡＩＣ（トリアリルイソシアヌレート）、溶剤（イソ酪酸イソブチル）を表４に記載の重量比で調合しポジ型感光性組成物を得た。得られたポジ型感光性組成物について、パターニング性及びリーク電流を上述の方法により評価した。結果を表５に示す。

１００、２００ 薄膜トランジスタ
１１、２１ 基板（ゲート電極）
１２、２２ ゲート絶縁膜
１３、２３ 半導体層
１４、１５、２４、２５ ソース／ドレイン電極
２６ パッシベーション膜

Claims (16)

1. （Ｇ）下記式（Ｘ１）又は（Ｘ２）で表される構造を有する化合物、
   （Ｈ）酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有する、一分子中にＳｉＨ基を含有する化合物、及び、
   （Ｄ）光酸発生剤
   を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。
   

   
2. （Ｇ）下記式（Ｘ１）又は（Ｘ２）で表される構造を有する化合物、
   （Ｈ）酸存在下で分解し酸性基又は水酸基を発現する、官能基保護されたフェノール構造、又は、官能基保護されたカルボン酸構造を有する化合物、及び、
   （Ｄ）光酸発生剤
   を含有するポジ型感光性組成物。
   

   
3. 前記官能基保護されたフェノール構造は、官能基保護されたビスフェノール構造である、請求項２に記載のポジ型感光性組成物。
4. 前記官能基保護されたビスフェノール構造は、トリアルキルシリル基又はブトキシカルボニル基で官能基保護されたビスフェノール構造である、請求項３に記載のポジ型感光性組成物。
5. 前記官能基保護されたカルボン酸構造は、アセタール結合を含有する構造、又は、カルボン酸３級エステル結合を含有する構造である、請求項２に記載のポジ型感光性組成物。
6. 前記カルボン酸３級エステル結合を含有する構造は、脂肪族環構造で保護されたカルボン酸３級エステル構造である、請求項５に記載のポジ型感光性組成物。
7. 前記脂肪族環構造は、アダマンタン構造である請求項６に記載のポジ型感光性組成物。
8. （Ｇ）下記式（Ｘ１）又は（Ｘ２）で表される構造を有する化合物、
   （Ｈ）酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有する、ビスフェノール構造を有する化合物、及び、
   （Ｄ）光酸発生剤
   を含有するポジ型感光性組成物。
   

   
9. 前記ビスフェノール構造は、ビスフェノールＳ構造又はビスフェノールＦ構造である、請求項８に記載のポジ型感光性組成物。
10. （Ｇ）下記式（Ｘ１）又は（Ｘ２）で表される構造を有する化合物、
    （Ｈ）酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有する化合物、及び、
    （Ｄ）ヨードニウム塩又はスルホニウム塩である光酸発生剤を含有するポジ型感光性組成物。
    

    
11. （Ｇ）下記式（Ｘ１）又は（Ｘ２）で表される構造を有する化合物、
    （Ｈ）酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有する化合物、
    （Ｄ）光酸発生剤、及び、
    （Ｉ）ＳｉＨ基又はアルケニル基を含有する化合物であるアルカリ可溶性成分を含有するポジ型感光性組成物。
    

    
12. （Ｇ）下記式（Ｘ１）又は（Ｘ２）で表される構造を有する化合物、
    （Ｈ）酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有する化合物、
    （Ｄ）光酸発生剤、及び、
    （Ｉ）下記式（Ｘ１）又は（Ｘ２）で表される構造を有する化合物であるアルカリ可溶性成分を含有するポジ型感光性組成物。
    

    
13. （Ｇ）下記式（Ｘ１）又は（Ｘ２）で表される構造を有する化合物、
    （Ｈ）酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有する化合物、
    （Ｄ）光酸発生剤、及び、
    （Ｊ）アルケニル基を含有し、酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有しない化合物を含有するポジ型感光性組成物。
    

    
14. さらに（Ｋ）増感剤を含有する請求項１〜１３のいずれか１項に記載のポジ型感光性組成物。
15. （Ｇ）下記式（Ｘ１）又は（Ｘ２）で表される構造を有する化合物、
    

    

    （Ｈ）酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有する化合物、及び、
    （Ｄ）光酸発生剤
    を含有するポジ型感光性組成物を硬化して得られる薄膜を、ゲート絶縁膜として備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。
16. （Ｇ）下記式（Ｘ１）又は（Ｘ２）で表される構造を有する化合物、
    

    

    （Ｈ）酸存在下で分解し酸性基又は水酸基が発現する構造を有する化合物、及び、
    （Ｄ）光酸発生剤
    を含有するポジ型感光性組成物を硬化して得られる薄膜を、パッシベーション膜として備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。
    

Images