JP5638767B2 - 硬化性組成物 - Google Patents
硬化性組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5638767B2 JP5638767B2 JP2009087473A JP2009087473A JP5638767B2 JP 5638767 B2 JP5638767 B2 JP 5638767B2 JP 2009087473 A JP2009087473 A JP 2009087473A JP 2009087473 A JP2009087473 A JP 2009087473A JP 5638767 B2 JP5638767 B2 JP 5638767B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- group
- positive resist
- molecule
- curable composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- AHWDQDMGFXRVFB-UHFFFAOYSA-N CN(C(N(C)C(N1C)=O)=O)C1=O Chemical compound CN(C(N(C)C(N1C)=O)=O)C1=O AHWDQDMGFXRVFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Description
[1]成分として(A)塩基性化合物、(B)光酸発生剤および(C)1分子中に少なくとも2個のSiH基を有する変性ポリオルガノシロキサン化合物を含有することを特徴とする硬化性組成物であり、
[2]上記(C)変性ポリオルガノシロキサン化合物が
―(―RHSiO―)n―
(Rは炭素数1〜50の一価の有機基を表し、同一であっても異なっていても良い、n=1〜10)で表されるシロキサン単位を有する、[1]に記載の硬化性組成物であり、
[3]上記(C)変性ポリオルガノシロキサン化合物が、
R2HSiO―
(Rは炭素数1〜50の一価の有機基を表し、同一であっても異なっていても良い)で表されるシロキサン単位を有する、[1]または[2]に記載の硬化性組成物であり、
[4]上記(C)変性ポリオルガノシロキサン化合物が、下記式(Y1)〜(Y3)で表される各構造と、フェノール性水酸基と、カルボキシル基とからなる群から選ばれる少なくとも一種を同一分子内に有する、[1]〜[3]のいずれか一項に記載の硬化性組成物
[5]上記(C)変性ポリオルガノシロキサン化合物が、下記一般式(I)
[6]上記(C)変性ポリオルガノシロキサン化合物が、脂環式炭化水素構造および/または芳香環を有する、[1]〜[5]のいずれか一項に記載の硬化性組成物であり、
[7]上記(C)変性ポリオルガノシロキサン化合物が、1分子中に少なくとも2個のSiH基を有する化合物と、1分子中にSiH基との反応性を有するアルケニル基を1個以上有する化合物とをヒドロシリル化させることにより得られるものである、 [1]〜[6]のいずれか一項に記載の硬化性組成物であり、
[8]さらに、(D)1分子中にSiH基との反応性を有するアルケニル基を2個以上有する化合物を含有する、[1]〜[7]のいずれか一項に記載の硬化性組成物であり、
[9]上記成分(A)が、4級アミンである、[1]〜[8]のいずれか一項に記載の硬化性組成物であり、
[10]光酸発生剤が芳香族系ヨードニウム塩である、[1]〜[9]のいずれか一項に記載の硬化性組成物であり、
[11]上記[1]〜[10]のいずれか一項に記載の硬化性組成物を用いたポジ型レジストであり、
[12]上記[1]〜[11]のいずれか一項に記載の硬化性組成物を用いて形成された電子機器用層間絶縁膜に関する技術である。
本発明の成分(A)について説明する。
本発明の成分(B)について説明する。
本発明の(C)1分子中に少なくとも2個のSiH基を有する変性ポリオルガノシロキサン化合物(以下、単に「(C)変性ポリオルガノポリシロキサン化合物」と称することがある。)について説明する。
―(―RHSiO―)n―
(Rは炭素数1〜50の一価の有機基を表し、同一であっても異なっていても良い、n=1〜10)で表されるシロキサン単位を有することが好ましく、得られる硬化性組成物の反応性が高い観点より、下記式
R2HSiO―
(Rは炭素数1〜50の一価の有機基を表し、同一であっても異なっていても良い)で表されるシロキサン単位を有するものが好ましい。
本発明の(C)変性ポリオルガノシロキサンを得るためのヒドロシリル反応では、得られる反応物が1分子あたりSiH基を2個以上有するものが得られるのであれば、アルケニル基を全て反応させてもよいし、一部残存させてもよい。反応中にゲル化もしくは粘度の上昇による変性物のハンドリング性低下を避けるという観点から、反応させる化合物のどちらか一方を過剰量仕込んだ条件で反応させ、未反応物を留去し反応物を得る方法が好ましい。
また成分(C)において、下記(Y1)〜(Y3)で表される各構造と、
本発明の硬化性組成物には、(D)1分子中にSiH基との反応性を有するアルケニル基を2個以上有する化合物を添加してもよい。
本発明の硬化性組成物の調製方法は特に限定されず、種々の方法で調製可能である。各種成分を硬化直前に混合調製しても良く、全成分を予め混合調製した一液の状態で低温貯蔵しておいても良い。
(増感剤)
本発明の硬化性組成物には、光の感度向上、およびg線(436nm)、h線(405nm)、i線(365nm)と言われるような高波長の光に感度を持たせるために、適宜、増感剤を添加する事ができる。これら増感剤は、上記光酸発生剤等と併用して使用し、硬化性の調整を行うことができる。
本発明の硬化性組成物には、接着性改良剤を添加することもできる。接着性改良剤としては一般に用いられている接着剤の他、例えば種々のカップリング剤、エポキシ化合物、オキセタン化合物、フェノール樹脂、クマロン−インデン樹脂、ロジンエステル樹脂、テルペン−フェノール樹脂、α−メチルスチレン−ビニルトルエン共重合体、ポリエチルメチルスチレン、芳香族ポリイソシアネート等を挙げることができる。
本発明の硬化性組成物には特性を改質する等の目的で、種々の熱可塑性樹脂を添加することも可能である。熱可塑性樹脂としては種々のものを用いることができるが、例えば、メチルメタクリレートの単独重合体あるいはメチルメタクリレートと他モノマーとのランダム、ブロック、あるいはグラフト重合体等のポリメチルメタクリレート系樹脂(例えば日立化成社製オプトレッツ等)、ブチルアクリレートの単独重合体あるいはブチルアクリレートと他モノマーとのランダム、ブロック、あるいはグラフト重合体等のポリブチルアクリレート系樹脂等に代表されるアクリル系樹脂、ビスフェノールA、3,3,5−トリメチルシクロヘキシリデンビスフェノール等をモノマー構造として含有するポリカーボネート樹脂等のポリカーボネート系樹脂(例えば帝人社製APEC等)、ノルボルネン誘導体、ビニルモノマー等を単独あるいは共重合した樹脂、ノルボルネン誘導体を開環メタセシス重合させた樹脂、あるいはその水素添加物等のシクロオレフィン系樹脂(例えば、三井化学社製APEL、日本ゼオン社製ZEONOR、ZEONEX、JSR社製ARTON等)、エチレンとマレイミドの共重合体等のオレフィン−マレイミド系樹脂(例えば東ソー社製TI−PAS等)、ビスフェノールA、ビス(4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル)フルオレン等のビスフェノール類やジエチレングリコール等のジオール類とテレフタル酸、イソフタル酸等のフタル酸類や脂肪族ジカルボン酸類を重縮合させたポリエステル等のポリエステル系樹脂(例えば鐘紡社製O−PET等)、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミド樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂等の他、天然ゴム、EPDMといったゴム状樹脂が例示されるがこれに限定されるものではない。
本発明の硬化性組成物には必要に応じて充填材を添加してもよい。
本発明の硬化性組成物には老化防止剤を添加してもよい。老化防止剤としては、ヒンダートフェノール系等一般に用いられている老化防止剤の他、クエン酸やリン酸、硫黄系老化防止剤等が挙げられる。
本発明で得られる硬化性組成物にはラジカル禁止剤を添加してもよい。ラジカル禁止剤としては、例えば、2,6−ジ−t−ブチル−3−メチルフェノール(BHT)、2,2’−メチレン−ビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、テトラキス(メチレン−3(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート)メタン等のフェノール系ラジカル禁止剤や、フェニル−β−ナフチルアミン、α−ナフチルアミン、N,N’−第二ブチル−p−フェニレンジアミン、フェノチアジン、N,N’−ジフェニル−p−フェニレンジアミン等のアミン系ラジカル禁止剤等が挙げられる。
(C)変性ポリオルガノシロキサン化合物が高粘度である場合、溶剤に溶解して用いることも可能である。使用できる溶剤は特に限定されるものではなく、具体的に例示すれば、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、1,3−ジオキソラン、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、プロピレングリコール−1−モノメチルエーテル−2−アセテート(PGMEA)、エチレングリコールジエチルエーテル等のグリコール系溶剤、クロロホルム、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒を好適に用いることができる。
本発明の硬化性組成物には、その他、着色剤、離型剤、難燃剤、難燃助剤、界面活性剤、消泡剤、乳化剤、レベリング剤、はじき防止剤、アンチモン−ビスマス等のイオントラップ剤、チクソ性付与剤、粘着性付与剤、保存安定改良剤、オゾン劣化防止剤、光安定剤、増粘剤、可塑剤、反応性希釈剤、酸化防止剤、熱安定化剤、導電性付与剤、帯電防止剤、放射線遮断剤、核剤、リン系過酸化物分解剤、滑剤、顔料、金属不活性化剤、熱伝導性付与剤、物性調整剤等を本発明の目的および効果を損なわない範囲において添加することができる。
本発明の硬化性組成物或いは硬化物は種々の用途に用いることができる。従来のエポキシ樹脂接着剤が使用される各種用途に応用することが可能である。
バリアン・テクノロジーズ・ジャパン・リミテッド製、300MHz NMR装置を用いた。合成でのアリル基の反応率は、反応液を重クロロホルムで1%程度まで希釈したものをNMR用チューブに加えて測定し、未反応アリル基またはビニル基由来のピークの有無を確認した。
2Lオートクレーブにトルエン602g、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン626gを入れ、気相部を窒素置換した後、内温105℃で加熱、攪拌した。トリアリルイソシアヌレート90.0g、トルエン90.0g及び白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液(白金として3wt%含有)0.0570gの混合液を滴下した。滴下終了後、1H−NMRでアリル基起因のピークが消失したことを確認し、反応液を冷却し脱揮することにより無色透明の液体「反応物1」を得た。
500mL四つ口フラスコにトルエン150g、合成例1の「反応物1」50gを入れ、気相部を窒素置換した後、内温105℃で加熱、攪拌した。メトキシジメチルビニルシラン18.8gとトルエン17.8gの混合液を滴下した。滴下終了後、1H−NMRでビニル基起因のピークが消失したことを確認し、反応液を冷却し脱揮することにより、無色透明の液体「反応物2」を得た。
2Lオートクレーブにトルエン600g、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン600gを入れ、気相部を窒素置換した後、内温105℃で加熱、攪拌した。トリアリルイソシアヌレート90.0g、トルエン90.0g及び白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液(白金として3wt%含有)0.0570gの混合液を滴下した。滴下終了後、1H−NMRでアリル基起因のピークが消失したことを確認し、反応液を冷却し脱揮することにより無色透明の液体「反応物3」を得た。
500mL四つ口フラスコにトルエン100g、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン57.49gを入れ、気相部を窒素置換した後、内温105℃で加熱、攪拌した。ジアリルイソシアヌル酸10.0g、1,4−ジオキサン70.0g及び白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液(白金として3wt%含有)0.0186gの混合液を滴下した。滴下終了後、1H−NMRでアリル基起因のピークが消失したことを確認し、反応液を冷却し脱揮することにより無色透明の液体「反応物4」を得た。
500mL四つ口フラスコにトルエン100g、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン57.49gを入れ、気相部を窒素置換した後、内温105℃で加熱、攪拌した。1,3,5,7−テトラメチルビニルシクロテトラシロキサン7.5g、トルエン70.0g及び白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液(白金として3wt%含有)0.0186gの混合液を滴下した。滴下終了後、1H−NMRでアリル基起因のピークが消失したことを確認し、反応液を冷却し脱揮することにより無色透明の液体「反応物5」を得た。
500mL四つ口フラスコにトルエン100g、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン60gを入れ、気相部を窒素置換した後、内温105℃で加熱、攪拌した。ビニルノルボルネン10g、トルエン70.0g及び白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液(白金として3wt%含有)0.0186gの混合液を滴下した。滴下終了後、1H−NMRでアリル基起因のピークが消失したことを確認し、反応液を冷却し脱揮することにより無色透明の液体「反応物6」を得た。
500mL四つ口フラスコにトルエン100g、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン60gを入れ、気相部を窒素置換した後、内温70℃で加熱、攪拌した。ジビニルベンゼン10g、トルエン70.0g及び白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液(白金として3wt%含有)0.0090gの混合液を滴下した。滴下終了後、1H−NMRでアリル基起因のピークが消失したことを確認し、反応液を冷却し脱揮することにより無色透明の液体「反応物7」を得た。
合成実施例1〜7で得た反応物1〜7に対し、溶剤(メチルイソブチルケトン、MIBK)50重量部、塩基性化合物(ビシクロジアザウンデセン)の1wt%トルエン溶液、光酸発生剤(ローディア社、商品名 RHODORSIL PI2074)の25wt%プロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA)溶液、トリアリルイソシアヌレートを表1に記載の比率で添加し、硬化性組成物を得た。
上記実施例1で得られる硬化性組成物において、それぞれ塩基性化合物、光酸発生剤を添加しない配合物を作製し、上記同様の方法でサンプル作製した。比較例3では、反応物1の変わりに市販の光硬化性エポキシ化合物を使用(セロキサイド2021P、ダイセル化学工業製)して、実施例1と同様にしてサンプルを作製した。
実施例1〜8および比較例1〜3で得られたサンプルを循環型熱風オーブンで200℃24時間保存し、耐熱試験を実施した。耐熱試験前後の塗膜外観および光線透過率を測定した結果を表1に示す。
上記実施例1の方法と同様の手法でSUS板(30×30×1mm厚、#400表面研磨)上に約1μmの硬化物薄膜を形成した。この薄膜上に導電性テープを貼り、SUS板と導電性テープの導電性をテスタ(三和電気計器株式会社製、PC510)にて測定したところ、電流は流れず絶縁は保持されており、絶縁膜として機能することが確認できた。
Claims (10)
- 成分として、
(A)塩基性の窒素含有化合物、
(B)光酸発生剤、および、
(C)1分子中に少なくとも2個のSiH基を有する変性環状ポリオルガノシロキサン化合物を含有する、硬化性組成物を用いたポジ型レジスト。 - 窒素含有化合物が、アミン化合物、アミド化合物、または、トリアジン化合物である、請求項1に記載のポジ型レジスト。
- 前記(C)変性環状ポリオルガノシロキサン化合物が、
―(―RHSiO―)n―
(Rは炭素数1〜50の一価の有機基を表し、同一であっても異なっていても良い、n=1〜10)で表されるシロキサン単位を有する、請求項1または2に記載のポジ型レジスト。 - 前記(C)変性環状ポリオルガノシロキサン化合物が、脂環式炭化水素構造および/または芳香環を有する、請求項1乃至5のいずれか一項に記載のポジ型レジスト。
- 前記(C)変性環状ポリオルガノシロキサン化合物が、1分子中に少なくとも2個のSiH基を有する化合物と、1分子中にSiH基との反応性を有するアルケニル基を1個以上有する化合物とをヒドロシリル化させることにより得られるものである、請求項1乃至6のいずれか一項に記載のポジ型レジスト。
- さらに(D)1分子中にSiH基との反応性を有するアルケニル基を2個以上有する化合物を含有する、請求項1乃至7のいずれか一項に記載のポジ型レジスト。
- 前記(A)窒素含有化合物が4級アミンである、請求項1乃至8のいずれか一項に記載のポジ型レジスト。
- 前記(B)光酸発生剤が芳香族系ヨードニウム塩である、請求項1乃至9のいずれか一項に記載のポジ型レジスト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009087473A JP5638767B2 (ja) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | 硬化性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009087473A JP5638767B2 (ja) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | 硬化性組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010235862A JP2010235862A (ja) | 2010-10-21 |
JP5638767B2 true JP5638767B2 (ja) | 2014-12-10 |
Family
ID=43090493
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009087473A Active JP5638767B2 (ja) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | 硬化性組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5638767B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010285517A (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Kaneka Corp | 光硬化性組成物およびそれを用いた絶縁性薄膜および薄膜トランジスタ |
JP5628489B2 (ja) * | 2009-06-10 | 2014-11-19 | 株式会社カネカ | 光硬化性組成物およびそれを用いた絶縁性薄膜および薄膜トランジスタ |
WO2014007231A1 (ja) * | 2012-07-04 | 2014-01-09 | 株式会社カネカ | ポジ型感光性組成物、薄膜トランジスタ及び化合物 |
JP6021866B2 (ja) * | 2014-09-25 | 2016-11-09 | 株式会社カネカ | 光硬化性組成物およびそれを用いた絶縁性薄膜および薄膜トランジスタ |
JP6021867B2 (ja) * | 2014-09-25 | 2016-11-09 | 株式会社カネカ | 光硬化性組成物およびそれを用いた絶縁性薄膜および薄膜トランジスタ |
TW201612249A (en) * | 2014-09-29 | 2016-04-01 | Fujifilm Corp | Photosensitive resin composition, manufacturing method for cured film, cured film, liquid crystal display device, organic electroluminescence display device and touch panel |
MX2019015062A (es) * | 2017-06-29 | 2020-02-13 | Dow Global Technologies Llc | Composicion de poliolefina. |
KR102491397B1 (ko) * | 2017-10-31 | 2023-01-26 | 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 | 광전지 봉지재 필름용 폴리올레핀 조성물 |
WO2019084773A1 (en) * | 2017-10-31 | 2019-05-09 | Dow Global Technologies Llc | Polyolefin compositions for photovoltaic encapsulant films |
CN113423767B (zh) * | 2018-12-26 | 2024-01-09 | 迈图高新材料公司 | 基于有机硅的固化性组合物和其应用 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4024898B2 (ja) * | 1997-03-17 | 2007-12-19 | 株式会社東芝 | 珪素組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品の製造方法 |
JP2006091806A (ja) * | 2003-10-07 | 2006-04-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 放射線硬化性組成物、その保存方法、硬化膜形成方法、パターン形成方法、パターン使用方法、電子部品及び光導波路 |
JP5074488B2 (ja) * | 2006-06-28 | 2012-11-14 | ダウ・コーニング・コーポレイション | 電子求引官能性を有する塩基性添加剤を含むシルセスキオキサン樹脂システム |
JP4890153B2 (ja) * | 2006-08-11 | 2012-03-07 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP2008291137A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Kaneka Corp | 硬化性組成物 |
EP2236543B1 (en) * | 2007-12-10 | 2014-02-26 | Kaneka Corporation | Polysiloxane compound, alkali-developable curable composition, insulating thin film using the same, and thin film transistor |
EP2343326B1 (en) * | 2008-10-02 | 2018-08-15 | Kaneka Corporation | Photocurable composition and cured product |
-
2009
- 2009-03-31 JP JP2009087473A patent/JP5638767B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010235862A (ja) | 2010-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5638767B2 (ja) | 硬化性組成物 | |
CN109791358B (zh) | 感光性组合物、着色图案及其制造方法 | |
JP5491197B2 (ja) | アルカリ現像性を有する硬化性組成物およびそれを用いた絶縁性薄膜および薄膜トランジスタ | |
US8263725B2 (en) | Curable composition | |
JP5284880B2 (ja) | 光硬化性組成物およびそれを用いた絶縁性薄膜および薄膜トランジスタ | |
JP5628489B2 (ja) | 光硬化性組成物およびそれを用いた絶縁性薄膜および薄膜トランジスタ | |
KR101609611B1 (ko) | 광경화성 조성물 및 경화물 | |
JP2010254927A (ja) | 光硬化可能な組成物 | |
JP2010285517A (ja) | 光硬化性組成物およびそれを用いた絶縁性薄膜および薄膜トランジスタ | |
JP2017090513A (ja) | ネガ型感光性樹脂組成物、硬化物および積層体 | |
JP5117799B2 (ja) | 硬化性組成物 | |
JP6945289B2 (ja) | アルカリ現像性を有する光硬化性組成物、およびパターン硬化膜の製造方法 | |
JP6883946B2 (ja) | 積層体及びその製造方法並びに基板の接着方法 | |
JP6021866B2 (ja) | 光硬化性組成物およびそれを用いた絶縁性薄膜および薄膜トランジスタ | |
JP6021867B2 (ja) | 光硬化性組成物およびそれを用いた絶縁性薄膜および薄膜トランジスタ | |
JP6706454B2 (ja) | ネガ型硬化性組成物、硬化物および積層体 | |
JP5749446B2 (ja) | 光硬化性組成物 | |
JP2020024984A (ja) | チップ接着用ポジ型感光性ダイボンド剤、近紫外線硬化性の基板接着剤及びそれを用いたチップの製造方法 | |
JP2012107113A (ja) | 硬化性組成物およびそれを用いた薄膜トランジスタ | |
JP2018066818A (ja) | ネガ型感光性樹脂組成物、硬化物および積層体 | |
JP6799372B2 (ja) | ネガ型感光性組成物 | |
JP2017198841A (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
JP2021195475A (ja) | 変性シロキサン二酸無水物およびネガ型感光性ポリイミド樹脂組成物 | |
JP2022152210A (ja) | 基板積層体、および前記基板積層体の製造方法 | |
JP2021195476A (ja) | 変性シロキサン二酸無水物およびポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130215 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20130215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140123 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140930 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141023 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5638767 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |