KR100521809B1 - 포토레지스트용 폴리카르보메틸실란 유도체 및 이를포함한 포토레지스트 조성물 - Google Patents

포토레지스트용 폴리카르보메틸실란 유도체 및 이를포함한 포토레지스트 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 포토레지스트용 폴리카르보메틸실란 유도체 및 이를 포함한 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 보다 자세하게는, (ⅰ) 산의 존재하에 용해성 또는 반응성이 변하는 작용기를 포함한 폴리카르보메틸실란 유도체, (ⅱ) 상기 폴리카르보메틸실란 유도체를 포함한 레지스트 조성물 및 (ⅲ) 상기 레지스트 조성물을 도포하는 단계, 소망하는 패턴을 가진 포토마스크하에서의 노광하는 단계 및 현상하는 단계를 포함하는, 패턴형성 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 폴리카르보메틸실란 유도체는 용해성, 코팅성, 실리콘 웨이퍼에 대한 적절한 접착성, 내열성, 전 범위의 파장에 걸친 낮은 흡광도 등을 가질 뿐만 아니라, 산소-반응성 이온 에칭 내성이 매우 우수하여, 단층 미세사진식각공정에서의 우수한 포토레지스트로서는 물론, 다층 미세사진식각공정에서의 우수한 이미지화층으로 사용광원의 제한 없이 사용될 수 있고, 노광 후 열처리 유무에 의해 포지형과 네가형 레지스트로 활용가능하다.

Description

포토레지스트용 폴리카르보메틸실란 유도체 및 이를 포함한 포토레지스트 조성물{Polycarbomethylsilane derivatives and Photoresist Composition containing the same}
본 발명은 포토레지스트용 폴리카르보메틸실란 유도체 및 이를 포함한 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 보다 자세하게는, (ⅰ) 산의 존재하에 용해성 또는 반응성이 변하는 작용기를 포함한 폴리카르보메틸실란 유도체, (ⅱ) 상기 폴리카르보메틸실란 유도체를 포함한 레지스트 조성물 및 (ⅲ) 상기 레지스트 조성물을 도포하는 단계, 소망하는 패턴을 가진 포토마스크하에서의 노광하는 단계 및 현상하는 단계를 포함하는, 패턴형성 방법에 관한 것이다.
반도체 공정 중 미세사진식각공정(microlithography)에서는 포토레지스트
(photoresist)를 사용하고 있는 바, 포토레지스트라 함은, 광의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화하여 노광 패턴에 대응한 화상을 얻는 것이 가능한 감광성 고분자 재료를 말한다. 포토레지스트는 크게 포지티브형 포토레지스트(positive photoresist, 이하, 포지형 레지스트라 함)과 네가티브형 포토레지스트(negative photoresist, 이하, 네가형 레지스트라 함)로 분류할 수 있는데, 전자는 노광부분의 현상액에 대한 용해성이 증가하여 상기 노광부분이 현상 과정에서 제거됨으로써 소망하는 패턴을 얻는 포토레지스트이며, 후자는 노광부분의 현상액에 대한 용해성이 크게 저하되어 비노광부분이 현상과정에서 제거됨으로써 소망하는 패턴을 얻는 포토레지스트를 말한다. 양자의 레지스트는 일반적으로 그 구성성분으로써 고분자 중합체를 포함하는 바, 이러한 포토레지스트에 구성 성분으로 사용되기 위한 고분자가 갖추어야 할 조건으로는, 코팅 과정시 이용되고 있는 범용 용매에 높은 용해성이 있을 것, 사용광원의 파장에서 낮은 흡광도를 가질 것, 열안정성이 있을 것, 적절한 접착능이 있을 것 등을 들 수 있다.
상기 요건들 중, 특히 낮은 흡광도 요건이 주목을 받고 있는데, 이는 반도체 회로의 고집적화로 인해 형성해야 하는 패턴이 점점 미세해짐에 따라 그 해상도를 향상시킬 수 있는 보다 짧은 파장을 갖는 광원, 예를 들어 248nm, 193nm, 및 157 nm의 파장을 갖는 광을 이용한 포토레지스트의 개발이 절실하게 요구되고 있기 때문이다. 일반적으로 포토레지스트가 특정 파장의 광원을 최대로 이용하기 위해서는 광에 반응하는 화합물을 제외한 레지스트 조성물 내의 구성 성분들이 상기 파장의 광에 대해 낮은 흡광도를 가져야 하는 바, 불소 엑시머레이져등 단파장의 광의 경우, 대부분의 유기 고분자가 높은 흡광도를 가지므로 실제 공정에서는 적절히 이용되고 있지 못한 실정이다. 테프론 등의 불소를 포함하는 유기 고분자 또는 Si-O 결합을 갖는 실록산 (siloxane)이나 실세스퀴옥산 (silsesquioxane) 이 157 nm에서 비교적 적은 흡광도를 갖는 것이 공지되어 있으나, 이 중, 불소를 포함하는 유기고분자는 그 합성이 매우 곤란하며, 용해성이 좋지 않아 우수한 패턴형성이 어려운 문제점이 있고, 실록산의 경우, 유리전이 온도가 낮아 열적 안정성이 좋지 않아 후공정이 어려운 단점이 있으며, 유리전이 온도가 충분히 높은 실세스퀴옥산은 일반적으로 용해성을 만족스럽지 않으며, 용해성이 좋은 실세스퀴옥산을 합성하기는 어려운 문제점이 있다.
한편, 미세식각공정에서 다양한 프로파일을 가지는 패턴의 형성을 위해 사용되는 기술의 하나로 복수개의 층을 포함한 다층형 기술(multilayer techniques)가 있다. 평탄화층(planarizing layer) 및 이미지화층(imaging layer)은 상기 다층형 기술에서 공통적으로 사용되는 구성요소로서, 전자는 일정 고분자가 웨이퍼상에 두껍게 코팅된 것이고 후자는 포토레지스트가 상기 평탄화층에 얇은 막으로 코팅된 것이다. 상기 이미지화 층은 노광 및 현상과정을 거쳐 소정의 패턴으로 형상화된 후 평탄화층에 대해 원위치(in-situ) 포토마스크로서의 역할을 하고, 상기 이미지화층이 소정 패턴을 가지게 되면, 이후로, 적절한 에칭방법, 예를 들어 산소 반응성 이온 에칭(O2-reactive ion etching)등의 방법에 의해 평탄화층을 소망하는 패턴으로 형상화함으로써 웨이퍼상에 소정의 패턴을 제공하게 된다. 이러한 다층형 기술에서 이미지화 층으로 사용하기 위한 포토레지스트의 경우, 통상의 포토레지스트가 지녀야 하는 특성, 예를 들어, 특정용매에 대한 용해성, 도포시 박막형성능, 사용광원에 대한 적은 흡광도, 내열성, 광반응 후 현저한 용해도 변화 이외에도 후속하는 에칭과정을 견디기 위한 내에칭성이 뛰어나야 한다. 그러나, 현재 상기 조건을 모두 만족하는, 이미지화층에 사용되기 위한 포토레지스트는 공지되어 있지 않은 바, 당해 기술분야에서는 상기 조건을 모두 만족하는 포토레지스트의 개발에 대한 요구가 있어왔다.
본 발명자들은 미세 사진 식각공정에서 다층 기술의 이미지층으로서 사용될 수 있는 포토레지스트를 개발하기 위해 예의 노력한 결과, 주쇄에 규소원소를 함유하고, 측쇄에 광반응성 작용기를 함유한 특정 구조를 가진 중합체를 포함한 포토레지스트 조성물의 경우, 다층 기술의 이미지화층으로 사용되기 위한 포토레지스트가 갖추어야 할 전술한 모든 조건을 만족한다는 것을 확인하고 본 발명을 완성하게 되었다.
결론적으로, 본 발명 목적은 단층은 물론 다층형 미세사진식각공정에서 사용될 수 있는 포토레지스트용 중합체, 그 제조방법 및 이를 포함한 포토레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
추가로, 본 발명의 목적은 상기 포토레지스트조성물을 이용한 다양한 패턴형성 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 포토레지스트용 폴리카르보메틸실란 유도체 및 이를 포함한 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 보다 자세하게는, (ⅰ) 산의 존재하에 용해성 또는 반응성이 변하는 작용기를 포함한 폴리카르보메틸실란 유도체, (ⅱ) 상기 폴리카르보메틸실란 유도체를 포함한 레지스트 조성물 및 (ⅲ) 상기 레지스트 조성물을 도포하는 단계, 소망하는 패턴을 가진 포토마스크하에서의 노광하는 단계 및 현상하는 단계를 포함하는, 패턴형성 방법에 관한 것이다:
[일반식 Ⅰ]
[상기 식에서, K는 0 내지 7의 정수이고,
R1은 -COOC(CH3)3, 테트라히드로피란옥시카르보닐기, -C6H4 OCOOC(CH3)3, , -OH, -COOH, -OCOOC(CH3)3, -OCO(CH2)mCOOC(CH3) 3 (이 경우, m은 0 내지 22의 정수이다), -OCO(CQ1Q2)mCOOC(CH3)3 (이 경우, m은 1 내지 4의 정수이고, Q1 및 Q2 는 각각 독립적으로, H 또는 -(CH2)nCH3 (이 때, n은 0 내지 10의 정수이다), -C6H4O(CH2)mCOOH(이 경우, m은 1 내지 5의 정수이다), -C6 H4O(CH2)mCOOC(CH3)3 (이 경우, m은 1 내지 5의 정수이다), -COOCH2COOH, -COOCH2COOC(CH3)3,-OCO(CH 2OCH2)mCOOH (이 경우, m은 1 내지 2의 정수이다), -OCO(CH2OCH2)mCOOC(CH3) 3 (이 경우, m은 1 내지 2의 정수이다), -OCO(CH2)mCOCH2(CH2)nCOOH (이 경우, m은 0 내지 3의 정수이고, n은 0 내지 2의 정수이다), -OCOC6H4COOH, 또는 -OCOC6H4COOC(CH 3)3 이고,
R2는 -H, -CH3, 또는 -CH2(CH2)mCH3 (이 경우, m은 0 내지 4의 정수이다) 이며,
p, q, x는 중합체의 몰조성비와 관련되는 수로써 하기의 관계를 만족한다:
p+q =1;
0.01≤q≤1, 바람직하게는 0.5≤q≤0.8; 및,
0.01≤x≤q, 바람직하게는 0.5≤x≤q ].
이하, 본 발명에 따른 포토레지스트용 폴리카르보메틸실란 유도체, 그의 제조방법, 이를 포함한 포토레지스트 조성물 및 상기 조성물을 사용한 패턴 형성방법에 관하여 보다 자세히 설명한다.
본 발명에 따른 폴리카르보메틸실란유도체는 하기 일반식Ⅰ로 표시되는 화학구조를 가진 중합체이다:
[일반식 Ⅰ]
[상기 식에서, K는 0 내지 7의 정수이고,
R1은 -COOC(CH3)3, 테트라히드로피란옥시카르보닐기, -C6H4 OCOOC(CH3)3, , -OH, -COOH, -OCOOC(CH3)3, -OCO(CH2)mCOOC(CH3) 3 (이 경우, m은 0 내지 22의 정수이다), -OCO(CQ1Q2)mCOOC(CH3)3(이 경우, m은 1 내지 4의 정수이고, Q1 및 Q2 는 각각 독립적으로, H 또는 -(CH2)nCH3 (이 때, n은 0 내지 10의 정수이다), -C6H4O(CH2)mCOOH(이 경우, m은 1 내지 5의 정수이다), -C6 H4O(CH2)mCOOC(CH3)3(이 경우, m은 1 내지 5의 정수이다),-COOCH2COOH, -COOCH2COOC(CH3)3, -OCO(CH2OCH2)mCOOH (이 경우, m은 1 내지 2의 정수이다), -OCO(CH2OCH2)mCOOC(CH3) 3 (이 경우, m은 1 내지 2의 정수이다), -OCO(CH2)mCOCH2(CH2)nCOOH(이 경우, m은 0 내지 3의 정수이고, n은 0 내지 2의 정수이다), 또는 -OCOC6H4COOH, -OCOC6H4COOC(CH 3)3 이고,
R2는 -H, -CH3, 또는 -CH2(CH2)mCH3 (이 경우, m은 0 내지 4의 정수이다) 이며,
p, q, x는 중합체의 몰조성비와 관련되는 수로써 하기의 관계를 만족한다:
p+q =1;
0.01≤q≤1, 바람직하게는 0.5≤q≤0.8; 및,
0.01≤x≤q, 바람직하게는 0.5≤x≤q ].
본 발명에 따른 상기 폴리카르보메틸실란 유도체의 경우, 내에칭성이 매우 우수하여 이를 다층 기술에서 이미지화층으로 사용할 경우, 보다 얇은 두께로 도포하는 것이 가능해져 유리하며, 아울러, 비교적 넓은 파장범위의 광원에 대한 흡광도가 매우 낮아 광원에 대한 제약없이 사용할 수 있으며, 특히 248nm, 193nm, 및 157 nm의 파장을 갖는 광에서도 사용가능하다. 또한, 반도체 웨이퍼 또는 다층 기술에서 평탄화층으로 널리 사용되는 노블락 수지나 폴리이미드에 대하여 적절한 접착능이 있으므로, 도포 및 이어지는 현상공정이 용이하다. 특히, 폴리카르보메틸실란자체의 좋지않은 용해성 및 박막형성능에 비해, 본 발명에 따른 폴리카르보메틸실란 유도체는 그 용해성 및 박막형성능이 현저히 향상되며, 아울러, 노광후 열처리 조건을 변화시킴에 의해 포지형 레지스트는 물론 네가형 레지스트로서도 사용될 수 있다. 나아가, 본 발명에 따른 폴리카르보메틸실란 유도체는 열적으로도 매우 안정하여(Tm 〉350℃), 이를 사용하여 수득된 조성물의 열안정성도 매우 우수하게 된다.
추가로, 본 발명은 상기 일반식 I로 나타내어지는 폴리카르보메틸실란 유도체의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 폴리카르보메틸 실란의 유도체는 촉매존재하에 적당한 용매내에서 폴리카르보메틸실란 내 규소-수소(Si-H)결합상의 수소와, 산의 존재시 용해성 또는 반응성이 변하는 작용기 및 이중결합을 가진 화합물간의 히드로실릴화(hydrosilylation) 반응에 의해 제조할 수 있다.
본 발명에 따른 폴리카르보메틸 실란 유도체의 합성을 위해 사용되는 폴리카르보메틸실란의 중량평균분자량은 3,000 내지 50,000 이며, 바람직하게는 5,000 내지 30,000이다.
상기 작용기 및 이중결합을 가진 화합물은 하기 일반식 Ⅱ를 가지는 화합물이다:
[일반식 Ⅱ]
[상기 식에서, K는 0 내지 7의 정수이고,
R1은 -COOC(CH3)3, 테트라히드로피란옥시카르보닐기, -C6H4 OCOOC(CH3)3, , -OH, -COOH, -OCOOC(CH3)3, -OCO(CH2)mCOOC(CH3) 3 (이 경우, m은 0 내지 22의 정수이다), -OCO(CQ1Q2)mCOOC(CH3)3(이 경우, m은 1 내지 4의 정수이고, Q1 및 Q2 는 각각 독립적으로, H 또는 -(CH2)nCH3 (이 때, n은 0 내지 10의 정수이다), -C6H4O(CH2)mCOOH(이 경우, m은 1 내지 5의 정수이다), -C6 H4O(CH2)mCOOC(CH3)3 (이 경우, m은 1 내지 5의 정수이다), -COOCH2COOH, -COOCH2COOC(CH3)3,-OCO(CH 2OCH2)mCOOH(이 경우, m은 1 내지 2의 정수이다), -OCO(CH2OCH2)mCOOC(CH3) 3 (이 경우, m은 1 내지 2의 정수이다), -OCO(CH2)mCOCH2(CH2)nCOOH(이 경우, m은 0 내지 3의 정수이고, n은 0 내지 2의 정수이다), 또는 -OCOC6H4COOH, -OCOC6H4COOC(CH 3)3 이고,
R2는 -H, -CH3, 또는 -CH2(CH2)mCH3 (이 경우, m은 0 내지 4의 정수이다) 이다].
상기 촉매는 백금착물 또는 루테늄 착물이며, 바람직하게는 백금착물이다.
상기 히드로실릴화반응을 위한 용매로서는 톨루엔, 테트라히드로퓨란. 벤젠 이 있고, 바람직하게는 톨루엔을 사용한다.
본 발명에 따른 폴리카르보메틸실란 화합물을 제조하기 위해서는, 상기 일반식 Ⅱ로 표시되는 화합물과 상기 촉매를 플라스크에 넣고 이를 교반하여 혼합시킨 후, 상기 용매에 녹인 폴리카르보메틸실란 용액을 첨가하고, 승온하여 80 내지 150℃에서 24 내지 80시간 반응시켜 합성한다.
추가로, 본 발명은, 상기 일반식 I로 나타내어지는 폴리카르보메틸실란 유도체를 포함한 포토레지스트 조성물을 제공한다.
본 발명에 따른 포지티브 포토레지스트 조성물은 (a) 상기 폴리카르보메틸 실란유도체, (b) 광에 의한 산발생제(photo acid generator: 이하, PAG라 함), 및 (c) 상기 (a) 및 (b)를 용해시킬 수 있는 용매를 포함한다
상기 조성물에서, 상기 폴리카르보메틸 실란 유도체(a)는 용매 100 중량부를 기준으로 5 내지 25 중량부, 광에 의한 산 발생제 (b)는 용매 100 중량부를 기준으로 0.05 내지 1.5 중량부이다.
상기 (b) PAG 로서, 포토레지스트에서 산발생제로 공지된 모든 화합물이 사용될 수 있으며, 바람직하게는 오니움염이 주로 사용되고, 더욱 바람직하게는 하기 화학식 1, 2, 또는 3으로 나타내어지는 화합물을 사용한다.
[화학식 1]
상기 식에서, R12는 하기 화학식 1a 및 1b와 같은 구조이다.
[화학식 1a]
상기 식에서 R13, R14, R15는 각각 독립적으로 수소원자 혹은 할로겐원자이며; k는 0 또는 1 내지 3의 정수이다.
[화학식 1b]
상기 식에서 R16 내지 R20은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 탄소수 1 내지 5개의 선형 혹은 분지형 알킬기 또는 알콕시기, 트리플루오로메틸기, 히드록시기, 트리플루오로메톡시기 또는 니트로기이다.
상기 화학식 1의 구체적인 예로는 1,2,3-트리스(트리플루오로 메탄설 포닐옥시)벤젠, 1,2,3-트리스(2,2,2-트리플루오로에탄설포닐옥시)벤젠, 1,2,3-트리스(2-클로로에탄설포닐옥시)벤젠, 1,2,3-트리스(p-트리플루오로 벤젠 설포닐옥시)벤젠, 1,2,3-트리스(p-니트로벤젠설포닐옥시)벤젠, 1,2,3-트리스(2,3,4,5-펜타플루오로벤젠설포닐옥시)벤젠, 1,2,3-트리스(p-플루오로 벤젠 설포닐옥시)벤젠, 1,2,3-트리스(메탄설포닐옥시)벤젠, 1,2,4-트리스(p-트리 플루오로메틸옥시벤젠설포닐옥시)벤젠, 1,2,4-트리스(2,2,2-트리플루오로 에탄설포닐옥시)벤젠, 1,2,4-트리스(2-티에닐설포닐옥시)벤젠, 1,3,5-트리스(메탄설포닐옥시)벤젠, 1,3,5-트리스(트리플루오로메탄설포닐옥시)벤젠, 1,3,5-트리스(2,2,2-트리플루오로에탄설포닐옥시)벤젠, 1,3,5-트리스(p-니트로벤젠 설포닐옥시)벤젠, 1,3,5-트리스(2,3,4,5,6-펜타플루오로벤젠설포닐옥시)벤젠, 1,3,5-트리스(p-플루오로벤젠설포닐옥시)벤젠, 1,3,5-트리스(2-클로로에탄 설포닐옥시)벤젠 등이 있다.
[화학식 2]
상기 식에서, R12는 하기 화학식 1a 및 1b와 같은 구조이고; R21은 수소원자, 히드록시기, 또는 R12SO2O이며; R22는 탄소수 1 내지 5개의 선형 또는 분지형 알킬기 또는 하기 화학식 2a와 같은 구조이다:
[화학식 2a]
상기 식에서 R23과 R31은 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 5개의 선형 혹은 분지형 알킬기 또는 R12SO2O이다.
상기 화학식 2의 구체적인 예로는 2,3,4-트리스(p-플루오로벤젠설포닐옥시) 벤조페논 2,3,4-트리스(트리플루올메탄설포닐옥시)벤조페논, 2,3,4-트리스(2-클로로에탄설포닐옥시)벤조페논, 2,3,4-트리스(p-트리플루오로메틸벤젠설포닐옥시)벤조페논, 2,3,4-트리스(p-니트로벤젠 설포닐 옥시)벤조페논, 2,3,4-트리스(p-플루오로벤젠설포닐옥시)아세토페논, 2,3,4-트리스(2,3,4,5,6-펜타플루오로벤젠설포닐옥시)아세토페논, 2,3,4-트리스(2-니트로벤젠설포닐옥시)아세토페논, 2,3,4-트리스(2,5-디클로로벤젠설포닐옥시)아세토페논, 2,3,4-트리스(2,3,4-트리클로로벤젠설포닐옥시)아세토페논, 2,2',4,4'-테트라(메탄설포닐옥시)벤조페논, 2,2',4,4'-테트라(2,2,2-트리 플루오로에탄설포닐옥시)벤조페논, 2,2',4,4'-테트라(2-클로로에탄설포닐옥시)벤조페논 2,2',4,4'-테트라(2,5-디클로로벤젠설포닐옥시)벤조페논, 2,2',4,4'-테트라(2,4,6-트리메틸벤젠설포닐옥시) 벤조페논, 2,2',4,4'-테트라(m-트리 플루오로메틸벤젠설포닐옥시)벤조페논 등이 있다.
[화학식 3]
상기 식에서 X는 탄소수 1 내지 8개의 선형, 분지형 혹은 환형 알킬 설포네이트, 퍼플루오로알킬 설포네이트, 나프틸 설포네이트, 10-캠퍼(camphor) 설포네이트, 페닐 설포네이트, 토릴(tolyl) 설포네이트, 디클로로페닐 설포네이트, 트리클로로페닐 설포네이트, 트리플루오로메틸페닐 설포네이트, F, Cl, Br, SbF6, BF4, PF6 또는 AsF6이고; D1은 수소원자 혹은 탄소수 1 내지 4개의 알킬기이고; D2는 탄소수 1 내지 10개의 알킬기 혹은 2-비닐옥시에틸기이다.
상기 화학식 3의 구체적인 예로서 X는 메탄설포네이트, 트리플루오로 메탄 설포네이트, p-톨루엔설포네이트, 10-캠퍼설포네이트, 사이크로 헥산 설파메이트, 퍼플루오로-1-부탄설포네이트, 퍼플루오로옥탄설포네이트, F, Cl, Br, SbF6, BF4, PF6 또는 AsF6를 나타내고 D1은 수소 또는 메틸기, D2는 메틸기 또는 비닐옥시에틸기인 물질이 있다.
상기 (c) 용매로써는 프로필렌 글리콜메틸에테르 아세테이트 또는 시클로헥산을 단독으로 또는 양자의 혼합물로 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물을 제조하기 위해서는, 우선 본 발명에 따른 폴리카르보메틸 실란유도체(a) 및 상기 예들로부터 선택된 적절한 PAG (b)를 상기 예들로부터 선택된 적절한 용매(c)에 용해시키고, 필터로 여과함으로써 제조한다.
본 발명에 따른 상기 포토레지스트 조성물은 포지형은 물론 네가형 레지스트로도 사용될 수 있는 점에서 추가로 유리하다. 본 발명에 따른 폴리카르보메틸실란 유도체는, 그 자체가 산의 존재하에서 현상액에 대해 현저한 용해도의 변화를 일으키기도 하지만, 상기 폴리카르보메틸실란 유도체가 가지고 있는 작용기(예를 들어 에폭시드)가 산 및 열의 존재 하에 추가의 가교반응을 일으킬 수 있어, 현상액에 대한 용해도가 비노광부분에 대해 현저히 증가하게 되기 때문에 두 가지 형태의 포토레지스트로서 사용가능하다.
본 발명은 나아가, 상기 일반식 I로 나타내어지는 폴리카르보메틸 실란 유도체를 포함한 상기 포토레지스트 조성물을 사용한 패턴형성방법을 제공한다. 본 발명에 따른 상기 포토레지스트 조성물은 통상의 단층 포토레지스트로서 사용 가능할 뿐만 아니라, 다층기술에서 이미지화 층으로서도 사용가능하다는 점에서 추가로 유리하다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물을 사용하여 패턴을 형성하기 위해서는 우선, 실리콘 웨이퍼 상에 상기 포토레지스트 조성물을 스핀 방식으로 도포한 후, 90 내지 120 ℃의 열판에서 90 내지 120초간 전열처리(prebake)하고, 상기 전열 처리된 웨이퍼를 소망하는 패턴을 가진 포토 마스크하에서 노광시킨다. 노광 후, 상기 웨이퍼를 90 내지 150 ℃ 열판에서 100 내지 600초 간 후열처리하고 소정의 현상액으로 현상한다.
본 발명에 따른 폴리카르보메틸실란 유도체는 넓은 범위의 파장에서 흡광도가 매우 낮으므로, 넓은 범위의 파장의 광원이 사용될 수 있으며, 특히, 248㎚이하에서의 단파장에서도 흡광도가 낮아 248nm, 193nm, 및 157㎚의 파장을 갖는 광원에서도 사용될 있다. 상기 포토레지스트 조성물이 용매의 종류에 따라 포지형 또는 네가형 레지스트로 사용될 수 있는 바, 포지형 레지스트로 사용될 경우, 테트라메틸수산화암모늄 수용액, 수산화칼륨 수용액, 탄산칼륨 수용액, 인산나트륨 수용액, 규산나트륨 수용액, 암모니아수 또는 수성아민 용액의 알칼리 수용액 등이 현상액으로 사용될 수 있다. 또한, 상기 포토레지스트 조성물이 네가형 레지스트로 사용될 경우, 메탄올, 에탄올, 이소프로필알콜, 테트라히드로퓨란, 부탄온으로 이루어진 군으로부터 선택된 1 이상의 유기 용매를 단독 또는 2 이상 혼합용액이 현상액으로 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물을 다층 레지스트 중 이미지화 층으로 사용하기 위해서는 반도체 웨이퍼상에 평탄화층을 도포한 후, 상기 평탄화층 상에 본 발명에 따른 상기 포토레지스트 조성물을 도포하고, 전술한 방법에 의해 패턴을 형성한 다. 그 후, 적절한 식각 방법으로, 평탄화층을 식각함으로써, 웨이퍼상에 소망하는 패턴을 제공할 수 있다.
평탄화층으로서는 노블락 수지가 사용된다.
상기 적절한 식각 방법은 특별히 제한되지 않으나, 바람직하게는 산소반응성 이온에칭법을 사용한다. 특히, 본 발명에 따른 폴리카르보메틸 실란은 내에칭성이 우수하므로, 박막의 이미지화 층을 사용하는 경우에도, 이어지는 후속 에칭공정에서 이미지화층이 손상되지 않아, 평탄화층의 소망하는 깨끗한 패턴을 얻을 수 있다.
본 발명에 따른 패턴형성방법은 상기 후속 에칭과정 후, 추가로 소정의 패턴을 가진 반도체 웨이퍼상에 존재하는 실리콘 옥시드 잔여물을 제거하기 위하여 CF4-반응성 이온 에칭을 수행한다. 이 경우, 상기 후속에칭과정에 의해 평탄화층에 발생할 수 있는 잔류 옥시드화합물이 효과적으로 제거될 수 있어 유리하다.
이하, 구체적인 실시예 및 비교예를 가지고 본 발명의 구성 및 효과를 보다 상세히 설명하지만, 이들 실시예는 단지 본 발명을 보다 명확하게 이해시키기 위한 것일 뿐, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다.
[실시예]
폴리카르보메틸실란유도체의 제조
1) 에폭시기를 포함하는 폴리카르보메틸실란 유도체의 제조:
먼저 백금 촉매 0.1ml(상품명 : Karstedt Catalyst Solution, C.A.S. No : 68478-92-2, 제조사 : Johnson Matthey Catalysts, Catalog ID : Pt-114)와 알릴글리시딜에테르 10ml를 100ml 3구 둥근바닥 플라스크에 넣고 상온에서 30분 동안 교반하고, 상기에, 폴리카르보메틸실란 3g을 20ml의 톨루엔에 완전히 용해시킨 용액을 첨가한 후, 상기 용액을 130 ℃에서 환류시키면서 60시간 동안 가열하여 반응시켰다. 갈색으로 변한 반응용액을 테트라히드로퓨란으로 희석한 후, 메탄올 또는 아세토니트릴에 점적하여 침전이 생성시키고, 생성된 침전물을 감압 거름 장치를 이용하여 거른 후 메탄올로 수 차례 세척하고, 진공 오븐에서 24시간 동안 건조시켜 미색 분말인 에폭시기를 포함하는 폴리카르보메틸실란 유도체를 수득하였다.
실리콘 자기공명 분석 결과를 토대로 계산한 결과 p: q-x: x = 0.61: 0.24: 0.15이고, 실리콘 함유량은 33.5 w%였다.
IR과 NMR data는 다음과 같다:
FT-IR(NaCl plate): 2095 cm-1(Si-H), 1252 cm-1(Si-CH3 deformation), 1017 cm-1(Si-CH2-Si의 CH2 wagging), 828 cm-1(Si-CH3 rocking)
1H NMR (CDCl3): 4.0-5.0 ppm(Si-H), 3.3-3.7 ppm(4H, -CH2-O-CH2 -), 3.05-3.15 ppm(1H, epoxide), 2.70-2.80 ppm(1H, 에폭시드), 2.50-2.60 ppm(1H, 에폭시드), 1.50-1.60 ppm(2H), 0.75-1.1 ppm(28H, Si-CH2, Si-CH3).
29Si NMR (CDCl3): 0.0 ppm(Si(CHn)4), -16.6 ppm(SiH(CHn )3).
2) tert-부톡시카르보닐기를 포함하는 폴리카르보메틸실란 유도체의 제조:
먼저 백금 촉매 0.1ml(상품명 : Karstedt Catalyst Solution, C.A.S. No : 68478-92-2, 제조사 : Johnson Matthey Catalysts, Catalog ID : Pt-114)와 tert-부틸아크릴레이트 12.35ml를 100ml 3구 둥근바닥 플라스크에 넣고 상온에서 30분 동안 교반하고, 상기에, 폴리카르보메틸실란 3g을 20ml의 톨루엔에 완전히 녹인 용액을 첨가하였다. 상기 용액을 130 ℃에서 환류시키면서 60시간 동안 가열하여 반응시켰다. 갈색이 된 반응 용액을 테트라히드로퓨란으로 희석한 후 메탄올 또는 아세토니트릴에 점적하여 침전이 생성시키고, 상기 침전물을 감압 거름 장치를 이용하여 거른 후 메탄올로 수 차례 세척하고, 진공 오븐에서 24시간 동안 건조시켜 미색 분말인 tert-부톡시카르보닐기를 포함하는 폴리카르보메틸실란 유도체를 얻었다.
실리콘 자기공명 분석 결과를 토대로 계산한 결과 p: q-x: x = 0.60: 0.23: 0.17이고, 실리콘 함유량은 33.5 w%였다.
FT-IR 및 NMR data는 다음과 같다:
FT-IR(NaCl plate): 2098 cm-1(Si-H), 1721 cm-1(C=O), 1253 cm-1(Si-CH 3 deformation), 1020 cm-1(Si-CH2-Si의 CH2 wagging), 830 cm-1(Si-CH 3 rocking).
1H NMR (CDCl3): 4.0-5.0 ppm(Si-H), 1.4-1.6 ppm(3H), 0.75-1.1 ppm(20H, Si-CH2, Si-CH3).
29Si NMR (CDCl3): 0.0 ppm(Si(CHn)4), -20.0 ppm(SiH(CHn )4, SiH(CHn)3).
포토레지스트 조성물의 제조 및 이를 이용한 패턴형성방법
1) 포토레지스트 조성물의 제조
전술한 제조예로부터 수득한 tert-부톡시카르보닐기를 함유하는 폴리카르보메틸실란 유도체 및 에폭시기를 함유하는 폴리카르보메틸실란 유도체를 각각 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(PGMEA)에 7.7 중량%의 농도로 용해시킨 후, 트리페닐술포늄 노나플레이트(triphenylsulfonium nonaflate)를 PAG로서 3중량% 첨가하고 교반시켜 완전히 용해시키고, 상기 용액을 0.2㎛ 필터를 통과시켜 포토레지스트 조성물 1 및 2를 제조하였다.
2) 포토레지스트 조성물1의 패턴형성
원자외선이 차단된 실험실에서, 포토레지스트 조성물을 웨이퍼에 스핀 도포하고 소정의 패턴을 가진 포토 마스크하에서 30 mJ/cm2의 노광량(KrF 248㎚, 193㎚ 또는 157㎚)으로 노광한 후, 120℃에서 90초간 후열처리한 후, 현상액으로서 테트라메틸수산화암모늄 수용액을 사용하여 5㎛의 포지티브 레지스트 화상을 얻었다.
3) 포토레지스트 조성물2의 미세사진식각공정
원자외선이 차단된 실험실에서, 포토레지스트 조성물 2를 웨이퍼에 스핀 도포하고, 소정의 패턴을 가진 포토 마스크를 덮고 50 mJ/cm2의 노광량으로 노광한 후, 에폭시 작용기의 산촉매 가교 반응을 이용하기 위해 150℃에서 3분간 후열처리 하였다. 현상액으로서 부탄온과 에탄올을 5:2의 비율로 혼합한 용매로 30초간 침지 현상하여 10㎛의 네가티브 레지스트 화상을 얻었다.
다층(multi-layer)을 이용한 패턴형성방법
1) 평탄화층 도포
노볼락(novolac) 수지를 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트에 16.7중량%의 농도로 잘 녹인 후 트리페닐술포늄 노나플레이트
(triphenylsulfonium nonaflate)를 PAG로서 고분자에 대하여 3 중량% 첨가하고 교반시켜 완전히 용해시켰다. 수득된 용액을 0.2㎛ 필터를 통과시킨 후, 헥사메틸디실라잔 처리(hexamethyl disilazane)된 실리콘 웨이퍼 위에 1000rpm의 회전 속도로 스핀 코팅 하고, 110℃에서 90초간 전열처리(prebake) 해주었다. 전면 노광한 후 200℃에서 10분간 후열처리(post-exposure bake) 하여 염기 수용액 뿐만 아니라 유기 용매 현상액에도 용해되지 않도록 하였다.
2) 이미지화층의 도포 및 패턴형성
원자외선이 차단된 실험실에서, 전술한 포토레지스트 조성물 1 및 2를 상기 평탄화층 위에 두께가 0.1 내지 0.15㎛ 정도 되도록 2000 rpm 정도에서 스핀 코팅한 후, 110℃에서 90초간 전열처리 하였다. 상기 이미지화층을 소정의 패턴을 가진 포토마스크하에서 30(포토레지스트 1의 경우) 및 50(포토레지스트 2의 경우) mJ/cm2의 노광량으로 각각 노광하였다.
포토레지스트 조성물 1의 경우, 노광된 웨이퍼를 120℃에서 90초간 후열처리한 후, 현상액으로서 테트라메틸수산화암모늄 수용액을 사용하여 5㎛의 포지티브 레지스트 화상을 얻었다.
포토레지스트 조성물 2의 경우, 노광된 웨이퍼를 150℃에서 3분간 후열처리 한 후, 현상액으로서 부탄온과 에탄올을 5:2의 비율로 혼합한 용매로 30초간 침지 하여 10㎛의 네가티브 레지스트 화상을 얻었다.
3) 산소-반응성 이온 에칭(O2-reactive ion etching)
산소기체유속, RF power, 체임버 압력이 각각 30 sccm, 100 W, 200 mTorr의 조건에서 4분 30초간 산소-반응성 이온 에칭(O2-RIE)과정을 거쳐 평탄화층을 에칭하였다. 포토레지스트 조성물 1의 경우, 5 ㎛ 라인-스페이스(line-space)의 화상을 얻고, 포토레지스트 조성물 2의 경우, 10 ㎛ 라인-스페이스(line-space)의 화상을 얻었다.
4) 잔여물의 제거
상기 3)과정에서 수득한 소정의 패턴을 가진 반도체 웨이퍼상에 존재하는 실리콘 옥시드 잔여물을 제거하기 위하여 하기의 반응식에 의한 CF4-반응성 이온 에칭을 수행하였다:
산소기체유속, RF power, 체임버 압력이 각각 30sccm, 100W, 200mTorr 인 조건에서 30초간 에칭한 결과, 잔여물이 제거되어 깨끗한 표면을 갖는 화상을 얻었다.
산소-반응성 이온 에칭 내성의 측정
상기 포토레지스트 조성물 1의 산소-반응성 이온 에칭 내성은 하기와 같은 방법으로 측정하였다:
포토레지스트 조성물 1을 헥사메틸틸디실라잔 처리된 실리콘 웨이퍼 위에 1500rpm에서 코팅하고 110℃에서 90초간 전열처리하였다. 비교를 위하여 실리콘을 함유하지 않는 고분자인 폴리(tert-부틸메타크릴레이트)(PTBMA)와 마찬가지로 실리콘을 함유하지 않으며 평탄화층으로 이용되는 노볼락(novolac) 수지를 같은 방법으로 코팅하여 실리콘 웨이퍼 위에 박막을 형성한다. 산소기체유속, RF power, 체임버 압력이 각각 30sccm, 100W, 200mTorr의 조건에서 4분 30초간 산소-반응성 이온 에칭(O2-RIE)과정을 거치고, 산소-반응성 이온 에칭(O2-RIE)과정 전후로 박막의 두께를 측정였다. 결과는 표 1에 나타내었다. 표1에서 볼 수 있듯이 상기 조건에서 4분 30초간 산소-반응성 이온 에칭 과정을 거치는 동안, 노볼락 수지와 폴리(tert-부틸 메타크릴레이트)는 각각 140초와 100초만에 모두 식각되어 박막이 제거되는 본 발명에 따른 포토레지스트 조성물의 경우, 불과 100Å만이 식각되었다. 따라서, 본 발명에 따른 포토레지스트 조성물의 우수한 내에칭성을 알 수 있다.
폴리카르보메틸실란 유도체 노블락 PTBMA
에칭전(Å) 3855 6110 5586
에칭후(Å) 3789 0 0
박막 소멸시간(초) - 140 100
본 발명에 따른 폴리카르보메틸실란 유도체는 통상의 레지스트용 중합체가 가져야 하는 조건, 예를 들어 용해성, 코팅성, 실리콘 웨이퍼에 대한 적절한 접착성, 내열성, 전 범위의 파장에 걸친 낮은 흡광도 등을 가질 뿐만 아니라, 산소-반응성 이온 에칭 내성이 매우 우수하여, 단층 미세사진식각공정에서의 우수한 포토레지스트로서는 물론, 다층 미세사진식각공정에서의 우수한 이미지화층으로 사용광원의 제한 없이 사용될 수 있다. 특히, 노광 후 열처리 유무에 의해 포지형과 네가형 레지스트로 활용가능하다. 본 발명에 따른 폴리카르보메틸실란 유도체를 포함한 포토레지스트가 다층 레지스트의 이미지화 층으로 사용 될 경우, 우수한 내에칭성이 있으므로 박막의 이미지화층으로도 후속 에칭공정을 견딜 수 있으므로, 평탄화층에 보다 좋은 마스크로 역할을 할 수 있어 고해상도의 패턴의 형성이 가능하다.

Claims (4)

  1. 하기 일반식 I로 나타내어지는 포토레지스트용 폴리카르보메틸실란 유도체:
    [일반식 Ⅰ]
    [상기 식에서, K는 0 내지 7의 정수이고,
    R1은 -COOC(CH3)3, 테트라히드로피란옥시카르보닐기, -C6H4 OCOOC(CH3)3, , -OH, -COOH, -OCOOC(CH3)3, -OCO(CH2)mCOOC(CH3) 3 (이 경우, m은 0 내지 22의 정수이다), -OCO(CQ1Q2)mCOOC(CH3)3 (이 경우, m은 1 내지 4의 정수이고, Q1 및 Q2 는 각각 독립적으로, H 또는 -(CH2)nCH3 (이 때, n은 0 내지 10의 정수이다), -C6H4O(CH2)mCOOH(이 경우, m은 1 내지 5의 정수이다), -C6 H4O(CH2)mCOOC(CH3)3 (이 경우, m은 1 내지 5의 정수이다), -COOCH2COOH, -COOCH2COOC(CH3)3,-OCO(CH 2OCH2)mCOOH (이 경우, m은 1 내지 2의 정수이다), -OCO(CH2OCH2)mCOOC(CH3) 3 (이 경우, m은 1 내지 2의 정수이다), -OCO(CH2)mCOCH2(CH2)nCOOH (이 경우, m은 0 내지 3의 정수이고, n은 0 내지 2의 정수이다), -OCOC6H4COOH, 또는 -OCOC6H4COOC(CH 3)3 이고,
    R2는 -H, -CH3, 또는 -CH2(CH2)mCH3 (이 경우, m은 0 내지 4의 정수이다) 이며,
    p, q, x는 중합체의 몰조성비와 관련되는 수로써 하기의 관계를 만족한다:
    p+q =1;
    0.01≤q≤1; 및,
    0.01≤x≤q].
  2. (a) 제 1항에 따른 중합체, (b) 광에 의한 산발생제(PAG) 및 (c) (a)와(b) 를 용해시킬 수 있는 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물.
  3. 제 2항에 있어서, (a) 제 1항에 따른 상기 중합체는 용매(c) 100 중량부를 기준으로 5 내지 25 중량부, 광에 의한 산 발생제 (b)는 용매(c) 100 중량부를 기준으로 0.05 내지 1.5 중량부의 양을 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  4. (ⅰ) 실리콘 웨이퍼 상에 중합체로 평탄화층으로 도포하는 단계; (ⅱ) 도포된 평탄화층에 제 2항에 따른 포토레지스트 조성물을 이미지화층으로 도포하는 단계; (ⅲ) 포토마스크하에서 도포된 상기 이미지화층을 노광 및 현상하여 패턴을 형성하는 단계; 및 (ⅳ) 패턴이 형성된 상태에서 평탄화층을 식각하는 단계를 포함하는 다층의 패턴형성 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8377626B2 (en) 2009-03-31 2013-02-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming a pattern using negative-type photoresist compositions
KR20150035546A (ko) * 2012-07-04 2015-04-06 가부시키가이샤 가네카 포지티브형 감광성 조성물, 박막 트랜지스터 및 화합물

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100837409B1 (ko) 2006-11-30 2008-06-12 삼성전자주식회사 옥세탄-함유 화합물, 이를 포함한 포토레지스트 조성물,상기 포토레지스트 조성물을 이용한 패턴 형성 방법 및잉크젯 프린트 헤드
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KR101339408B1 (ko) * 2010-10-01 2013-12-10 한국과학기술원 실리콘 함유 포토레지스트 물질 및 포토레지스트 조성물

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07118007A (ja) * 1993-08-31 1995-05-09 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH10144672A (ja) * 1996-11-08 1998-05-29 Fujitsu Ltd 半導体装置の絶縁膜形成方法及び絶縁膜形成材料
JP2001328991A (ja) * 2000-03-14 2001-11-27 Chisso Corp カルボシラン及びポリカルボシラン

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07118007A (ja) * 1993-08-31 1995-05-09 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH10144672A (ja) * 1996-11-08 1998-05-29 Fujitsu Ltd 半導体装置の絶縁膜形成方法及び絶縁膜形成材料
JP2001328991A (ja) * 2000-03-14 2001-11-27 Chisso Corp カルボシラン及びポリカルボシラン

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8377626B2 (en) 2009-03-31 2013-02-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming a pattern using negative-type photoresist compositions
KR20150035546A (ko) * 2012-07-04 2015-04-06 가부시키가이샤 가네카 포지티브형 감광성 조성물, 박막 트랜지스터 및 화합물
KR102148246B1 (ko) 2012-07-04 2020-08-26 가부시키가이샤 가네카 포지티브형 감광성 조성물, 박막 트랜지스터 및 화합물

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