CN104380490A - 薄膜布线基板以及发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种薄膜布线基板以及发光装置，防止沿着布线图案的配置方向发生弯折。在两个导电区域的对置边，设置作为俯视阶梯部的、用于防止器件折断的俯视凹凸形状。作为两个导电区域的一个导电区域的Cu箔层(3a)的俯视凸形状的前端边(3a1)配置为进入作为两个导电区域的另一个导电区域的Cu箔层(3b)的俯视凹形状的凹部内(底边3b2侧)。由此，防止沿着布线图案的配置方向发生弯折。

Description

薄膜布线基板以及发光装置
技术领域
本发明涉及例如LED模块、LED封装件等使用的薄膜布线基板、以及使用该薄膜布线基板的LED装置、激光装置等发光装置。
背景技术
以往，出于节能或减少CO2排放等观点，有以LED芯片为光源的商品，如移动电话装置或笔记本个人电脑等使用液晶显示器的移动设备、使用LED背光的称为LED-TV的液晶TV、以LED模块为光源的LED灯泡等。
这种商品中，在环氧玻璃基板、铝基板以及陶瓷基板等布线基板上，组装了安装有LED芯片的LED模块或LED封装件。除此之外，还有在引线框架上组装了LED封装件的结构，该LED封装件中安装LED芯片并用白色模型树脂进行成型。
这些LED模块或LED封装件中使用的LED芯片一般使用GaN系蓝色LED芯片，其机制是，用混入了能够将蓝色光波长变换为白色的荧光体的树脂密封材料进行密封，以发出白色光。
图12是表示专利文献1公开的现有布线基板的结构例的背面图。
如图12所示，现有布线基板100的背面侧的布线图案面确保供电所需截面积的布线图案即供电用布线图案101即可，其它图案与导通孔的散热用金属填充部直接连接，作为与供电用布线图案101电绝缘的散热用布线图案102，能够确保较大面积。
图13是表示专利文献1公开的现有布线基板的其它结构例的背面图。
如图13所示，按照由刀具压切的外形部分不横穿铜图案103的方式，形成现有布线基板100。因此，能够完全消除布线图案103的毛刺或金属毛刺的脱落，并且能够延长薄薄的刀具的寿命。此外，在其表面侧，具有与左右布线图案103连接的金属填充部104、以及与中央布线图案103连接的LED芯片105。
图14是表示现有的薄膜布线基板的又一其它结构例的平面图。
如图14所示，LED中使用的现有的薄型且柔软的薄膜布线基板200中，搭载发光元件201的左侧的铜图案202与不搭载发光元件201的右侧的铜图案203相互并行，隔开指定间隔对置配置。
专利文献2中公开了在薄膜布线基板上搭载LED元件的方案。即，具备柔性布线基板，在柔性基板上形成电路布线，在其上隔着粘合剂形成其它柔性基板，在其上形成了反射来自发光二极管的管芯的光的柔软反射层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-33855号公报
专利文献2：日本特开2005-136224号公报
发明内容
发明要解决的课题
专利文献1公开的现有布线基板中，如图12所示，虽然采用了供电用布线图案101与散热用布线图案102相互进入的形状，但散热用布线图案102基本配设在一面上，并不是仅极性不同的布线图案分处两侧对置配置。
在专利文献1公开的现有布线基板中，如图13所示，背面侧的中央及左右的三个布线图案103相互并行，隔开指定间隔对置配置，因此相应地，在布线图案103的配置方向上容易折断。
另外，在图14所示的上述现有的薄而软的薄膜布线基板200中，左侧的铜图案202与右侧的铜图案203以岛状分离，相互并行，因此存在着各布线图案203间容易弯折的问题。
在专利文献2公开的柔性布线基板中，关于防止或抑制弯折现象，并未有任何记载。
本发明用于解决上述现有问题，其目的在于提供一种薄膜布线基板以及使用该薄膜布线基板的LED装置、激光装置等发光装置，在薄而软的薄膜布线基板中，能够防止或抑制沿布线图案的配置方向弯折的现象。
用于解决课题的手段
本发明的薄膜布线基板中，在薄膜基材上设置与±极性对应的两个导电区域，以在该两个导电区域的对置边俯视下设置了阶梯部的状态，该两个导电区域相互隔开间隔进行绝缘。
另外，优选的是，本发明的薄膜布线基板中的阶梯部是用于防止器件折断的俯视凹凸形状、以及用于防止器件折断的俯视L字-L字形状中的至少任一者。
此外，优选的是，本发明的薄膜布线基板中的俯视凹凸形状是，所述两个导电区域的对置边隔开指定距离相互嵌合。
此外，优选的是，本发明的薄膜布线基板中的两个导电区域的一个导电区域的俯视凸形状的前端边配置为进入该两个导电区域的另一个导电区域的俯视凹形状的凹部内。
此外，优选的是，本发明的薄膜布线基板中的另一个导电区域的俯视凹形状的凹部的两个前端边之间，沿着该边划直线时，所述一个导电区域的俯视凸形状的前端边位于该直线上，或者超过该直线而进入该凹部内。
此外，优选的是，本发明的薄膜布线基板中的俯视凹凸形状的凹部的两侧前端边中的至少一个前端边延伸设置至相邻器件的所述凸形状侧的供电部跟前。
此外，优选的是，本发明的薄膜布线基板中的俯视凹凸形状的凹部的两侧前端边中的至少一个前端边延伸设置至所述凸形状侧的相反侧端部。
此外，优选的是，本发明的薄膜布线基板中的两个导电区域分别是，Cu箔层以及在该Cu箔层正下方与该Cu箔层电连接的Cu柱中的至少该Cu箔层。
此外，优选的是，在本发明的薄膜布线基板中的薄膜基材上隔着粘合层设置所述两个导电区域的各个Cu箔层，并且在该各个Cu箔层正下方的该薄膜基材的贯穿孔中埋设设置所述Cu柱。
此外，优选的是，本发明的薄膜布线基板中的俯视凹凸形状存在一个或多个。
此外，优选的是，本发明的薄膜布线基板中的俯视L字-L字形状是，所述两个导电区域的对置边隔开指定距离相互进入。
此外，优选的是，本发明的薄膜布线基板中的一个俯视L字形状的高端边位于进入另一个俯视L字形状的低端边侧，该另一个俯视L字形状的高端边位于进入该一个俯视L字形状的低端边侧。
此外，优选的是，在本发明的薄膜布线基板中的一个俯视L字形状的高端边上划直线时，所述另一个导电区域的俯视L字形状的高端边位于直线上，或者超过该直线而进入该一个俯视L字形状的低端边侧。
此外，优选的是，本发明的薄膜布线基板中的两个导电区域中的一个俯视L字形状的高端边延伸设置至相邻器件的另一个导电区域侧的供电部跟前。
此外，优选的是，本发明的薄膜布线基板中的两个导电区域中的一个俯视L字形状的高端边延伸设置至另一个导电区域的相反侧端部。
此外，优选的是，本发明的薄膜布线基板中的两个导电区域按每个发光器件以矩阵状配置多个。
此外，优选的是，在本发明的薄膜布线基板中，在未形成所述两个导电区域的表面部以及该两个导电区域的部分表面上，形成光反射用的白色保护层。
本发明的发光装置在本发明的上述薄膜布线基板的所述两个导电区域中的任一者上搭载发光元件，在该发光元件的两电极与该两个导电区域电连接的状态下，进行至少包含荧光体的树脂密封，据此实现上述目的。
根据上述结构，下面说明本发明的作用。
本发明中，在薄膜基材上，以在与±极性对应的两个导电区域的对置边俯视下设置了阶梯部的状态，该两个导电区域相互隔开间隔进行绝缘。
这样，两个导电区域的对置边俯视下具有阶梯部，因此在薄而软的薄膜布线基板上，能够防止或抑制布线图案之间发生弯折。
并且，在未形成两个导电区域的表面部以及两个导电区域的部分表面上，形成光反射用的白色保护层，因而用光反射用的白色保护层填充两个导电区域之间和两个导电区域的部分表面，由此具有防止折断的效果。
发明效果
综上，根据本发明，在两个导电区域的对置边设置俯视阶梯部，因此在薄而软的薄膜布线基板上，能够防止或抑制沿着布线图案的配置方向发生弯折的现象。
附图说明
图1的(a)是表示本发明实施方式1的TAB基板的单位结构例的平面图，(b)是其表面图，(c)是其背面图。
图2A是不设置白色保护层时的图1(a)的AA’线纵剖图及平面图。
图2B是仅在薄膜基材上的粘合层上设置了白色保护层时的图1(a)的AA’线纵剖图及平面图。
图2C是LED元件搭载区域和电连接LED元件与两个导电区域的区域之外的区域由白色保护层覆盖时的图1(a)的AA’线纵剖图及平面图。
图3是用于说明LED元件的元件搭载工序的平面图。
图4(a)是表示本发明实施方式1的TAB基板的其它单位结构例的平面图，(b)是其表面图，(c)足其背面图。
图5(a)～(d)是以矩阵状配置多个TAB基板的薄膜布线基板(柔性基板)的平面图。
图6是用于说明将加固板(增强片)与TAB基板20一起定位的方法的概略纵剖图。
图7是用于说明本实施方式1的TAB基板1的单片化工序的部分侧视图。
图8是表示本发明实施方式2的TAB基板的单位结构例的平面图。
图9是表示图8的TAB基板的单位结构例的背面图。
图10是表示本发明实施方式1的TAB基板的另一单位结构例的平面图。
图11是表示图10的TAB基板的单位结构例的背面图。
图12是表示专利文献1公开的现有布线基板的结构例的背面图。
图13是表示专利文献1公开的现有布线基板的其它结构例的背面图。
图14是表示现有的薄膜布线基板的又一其它结构例的平面图。
符号说明
1、1A、21、31  TAB基板(薄膜布线基板)
1a  TAB基板1的3个贯穿孔
2  薄膜基材
3a、3b、23a、23b、33a、33b  Cu箔层
3b1  Cu箔层3b的前端边(高端边)
3a1  Cu箔层3a的前端边(高端边)
3b2  凹部内的底边(低边)
3a3、3b3  供电部
4  粘合层
5a、5b、25a、25b、35a、35b  Cu柱
6、6A  白色保护层(图1中是虚线部分6A)
7、27、37  LED元件
8、9、27a、27b、37a、37b  导线
10  制造台
11  销部件
12  微粘结材料
13  加固板
13a  贯穿孔
13A  微粘结带
14  透镜
15  刀尖
20  TAB基板(薄膜布线基板)
23a1、23b1、33a1、33b1  高端边
23a2、23b2、33a1、33b1  低端边
28、38  保护元件
具体实施方式
下面，参考附图详细说明薄膜布线基板及使用该薄膜布线基板的发光装置的实施方式1、2。此外，各图中的结构部件各自的厚度、长度等是从制图的观点出发确定的，并不限定于图示的结构。
(实施方式1)
图1(a)是表示本发明实施方式1的TAB基板的单位结构例的平面图，图1(b)是其表面图，图1(c)是其背面图。图2A是无白色保护层(レジスト)时的图1(a)的AA’线纵剖图及平面图。图2B是仅在薄膜基材上的粘合层上设置了白色保护层时的图1(a)的AA’线纵剖图及平面图。图2C是LED元件搭载区域和电连接LED元件与两个导电区域的区域之外的区域由白色保护层覆盖时的图1(a)的AA’线纵剖图及平面图。此外，图1(a)虽然是其平面图，但同时包含了表面图和背面图。另外，不仅如图2A所示在两个导电区域的对置边设置俯视阶梯部(用于防止器件折断的俯视凹凸形状)，还如图2B及图2C所示在两个导电区域之间填充光反射用的白色保护层6，以进一步防止折断。此外，通过在两个导电区域之间填充反射率比薄膜基材高的白色保护层，还能够提高光取出效率。图2C中，在Cu箔层3a、3b的至少表面区域的、LED元件7搭载区域和电连接LED元件7与两个导电区域的区域以外的各电极区域、以及薄膜基材上的粘合层上的区域中，施以光反射用的白色保护层6。白色保护层6向Cu箔层表面侧伸出。图2A～图2C的(a)及(b)与(c)及(d)的区别在于，图2A～图2C的(c)及(d)搭载了作为半导体芯片的LED元件7。
图1(a)～图1(c)以及图2A～图2C中，作为本实施方式1的薄膜布线基板(柔性基板)的TAB(载带自动键合)基板1中，在由薄而软的聚酰亚胺材料构成的薄膜基材2上，隔着粘合层4设置构成与±(正负)极性对应的两个导电区域的、指定形状的Cu箔层3a、3b，同时在薄膜基材2的贯穿孔中埋设作为散热器起作用的Cu柱5a、5b。各Cu柱5a、5b分别电连接到Cu箔层3a、3b的正下方。在TAB基板1的表面上，Cu箔层3a、3b的表面区域的LED元件7搭载区域和电连接LED元件7的各电极区域与两个导电区域的区域以外的区域、以及薄膜基材2上的粘合层4(粘合剂层)上的区域中，设置光反射用的白色保护层6或6A。
如图3所示，利用导线8、9，分别从LED元件7的各电极区域连接到左右电极区域的Cu箔层3a、3b。LED元件7搭载于Cu箔层3a上，其自身通过芯片键合固定，导线8、9分别从LED元件7的各电极键合到作为左右电极区域的Cu箔层3a、3b。
如图3所示，在薄而软的TAB基板1上搭载LED元件7，需要防止TAB基板1在器件中间折断。
(用于防止器件折断的俯视凹凸形状)
在TAB基板1中，导电层的Cu箔层3a、3b相互绝缘，为了防止折断或破碎，其平面图案至少形成为以表面凹凸形状相互嵌合。
此时的Cu箔层3a、3b间的距离为0.2mm左右。简言之，俯视凸形状Cu箔层3a的前端边进入俯视凹形状Cu箔层3b的凹部内。在此情况下，凸形状Cu箔层3a与凹形状Cu箔层3b各在一处相互嵌合，也可以配置在多处相互嵌合。关于凸形状Cu箔层3a与凹形状Cu箔层3b的嵌合程度，伸入较深处相嵌合为佳。为了多少取得防止器件折断的效果，如图1(a)所示，相对于凹部Cu箔层3b的前端边3b1间的位置，凸部Cu箔层3a的前端边3a1至少需要位于Cu箔层3b的底边3b2侧。简言之，在凹部Cu箔层3b的前端边3b1间划直线时，前端边3a1的凸部前端边超过直线，位于凹部Cu箔层3b的底边3b2侧，至少进入凹部内。
在此，若设凹部Cu箔层3b的凹陷深度为0.4mm，凸部Cu箔层3b的突出高度为0.4mm，Cu箔层3a、3b间的距离为0.2mm，则在凹部Cu箔层3b的前端边3b1间划直线时，前端边3a1进入凹部内0.2mm。简言之，凸部Cu箔层3a的前端边3a1与凹部Cu箔层3b的前端边3b1至少不是并排为一直线状，而是前端边3a1进入凹部内。此外，在凹部Cu箔层3b的前端边3b1间划直线时，即使在来自前端边3a1的凸部前端边位于直线上时，由于对置边的间隔发生弯曲，也多少具有防止或抑制器件折断的效果。
另外，关于凹部Cu箔层3b两侧的各个前端边3b1延伸多长较为合适的问题，为了在Cu箔层3a、3b的表面施以电镀，在上下器件中设置供电部3a3、3b3，因此凹部Cu箔层3b两侧的各个前端边3b1最多延伸至供电部3a3所在位置跟前。若在Cu箔层3a、3b的表面施以无电镀，或者不施以电镀，则凹部Cu箔层3b两侧的各前端边3b1能够延伸至凸部Cu箔层3a的相反侧端部。
另外，通过在两个导电区域之间填充光反射用的白色保护层，多少具有防止或抑制器件折断的效果。
此外，以上说明了Cu箔层3a、3b至少形成为以表面凹凸形状相互嵌合的情况，若代替该做法或者与该做法同时，将Cu柱5a、5b至少形成为以表面凹凸形状相互嵌合，则能够防止器件的折断或破碎。简言之，俯视凸形状的Cu柱5a的前端边进入俯视凹形状的Cu柱5b的凹部内。图4(a)～图4(c)中，代替图1(c)的Cu柱5b，成为两端侧延伸至Cu柱5a侧的Cu柱5c。与该Cu柱5b相比，Cu柱5c使得对置边的间隔发生弯曲，从而可以防止器件折断。
此外，图5(a)～图5(d)中，示出以矩阵状配置多个TAB基板1的薄膜布线基板(柔性基板)的平面图。
如图5(a)～图5(d)所示，TAB基板20是以二维矩阵状配置多个LED器件等多个TAB基板1的薄膜布线基板(柔性基板)。多个Cu箔层3a、3b通过供电部3a3、3b3分别在图5(a)的短边方向或图5(b)的长边方向上相互连接。采用图5(a)和图5(b)中任一者均可。另外，也可以采用在它们上方设置白色保护层6A(斜线部分)的图5(c)及图5(d)中的任一者。
Cu柱5a、5b分别电连接于Cu箔层3a、3b。在TAB基板1的表面上，Cu箔层3a、3b的表面区域的LED元件7搭载区域和电连接LED元件7的各电极区域与两个导电区域的区域以外的区域、以及薄膜基材2上的粘合层4上的区域中，设置光反射用的白色保护层6或6A。
(涂敷了微粘结材料的增强片)
图6是用于说明将加固板(增强片)与TAB基板20一起定位的方法的概略纵剖图。
图6中，设置竖直设有多根销部件11的销夹具、定位板等制造台10，上述销部件11的前端设有锥体(这里未带有锥体)。制造台10的销部件11与涂敷了微粘结材料12的加固板13的贯穿孔13a对应，使销部件11插入加固板13的贯穿孔13a中，以进行制造台10与加固板13的对齐。销部件11的销数为多个即可。与其相对应地在多个相同位置处设置加固板13和TAB基板20上设置的贯穿孔13a、1a即可。TAB基板20的贯穿孔1a设置在产品区外的外周缘部。
在与加固板13的贯穿孔13a对应的位置处，TAB基板20的贯穿孔1a对应一致。使TAB基板20的贯穿孔1a贯穿从加固板13的贯穿孔13a突出的销部件11后，将TAB基板20的背面按压贴合到加固板13上的微粘结材料12上，使表面为平坦状态。
微粘结材料12由硅、氟橡胶、丙烯酸、聚氨酯及其组合构成，其厚度为0.05mm～0.3mm左右。微粘结材料12的厚度大于0.3mm时，在引线键合时超声波被吸收，难以进行键合。微粘结材料12的厚度小于0.05mm时，粘结力过小，TAB基板20难以粘贴。微粘结材料12的厚度为0.05mm～0.2mm左右时更为优选。微粘结材料12使用耐热温度为摄氏150度～摄氏300度的材料，在此，耐热温度需要承受摄氏180度的温度。
加固板13由铝、不锈钢、耐热树脂等构成，其厚度为0.1mm～0.6mm左右。TAB基板20的厚度为0.05mm～0.2mm左右。TAB基板20的厚度考虑现有的陶瓷基板的厚度设定。
现有技术使用陶瓷的硬基板材料。为了有效利用使用陶瓷基板的生产线，在金属等制成的加固板13上涂敷微粘结材料12，在加固板13上粘贴TAB基板20的背面侧。据此，TAB基板20具有与现有的陶瓷基板相同的厚度和刚性，在各工序内容易进行处理。
在一片TAB基板20上，以二维矩阵状配置多个LED器件。这种TAB基板20单独存在时会发生翘曲，但TAB基板20利用一片金属制加固板13上的微粘结材料12可非常平坦地进行粘贴。TAB基板20单独存在时的翘曲根据Cu柱5a、5b、白色保护层6的形状而异，中央部与端部之差为1mm左右。在此，TAB基板20的中央部倾向于鼓出翘曲。在粘贴TAB基板20时，非常平坦地粘贴TAB基板20，以赶出TAB基板20与加固板13上的微粘结材料12之间的空气。
利用微粘结材料12将TAB基板20的整个背面固定到金属制的平坦的加固板13上，由此，在各个工序中，TAB基板20不会发生翘曲，能够以平坦的状态实施各种加工，能够减少加工异常、加工不良。
微粘结材料12使用具有粘贴TAB基板20的粘结力，并在希望剥离TAB基板20时能够容易剥下的材料。其粘结力的范围是0.1～5.0N/2.5cm。
另外，微粘结材料12的表面清洗后，粘结力恢复，能够反复使用。另外，微粘结材料12在热硬化后粘结力也不发生大幅变化，能够容易地剥离软的TAB基板20，能够实现作业效率的改善。这样，微粘结材料12的微粘结力兼具耐热性和持久性，如上所述，通过清洗粘结面，粘结力恢复，能够反复使用，因此能够实现连续成本的改善。
根据上述结构，下面对其动作进行说明。
将制造台10的销部件11插入上表面涂敷了微粘结材料12的加固板13的贯穿孔13a，以进行制造台10与加固板13的对齐。在此状态下，将从加固板13突出的销部件11插入TAB基板20的贯穿孔1a，同时将TAB基板20的背面以该表面平坦的方式粘贴到加固板13及微粘结材料12上，以进行制造台10、加固板13、以及TAB基板20的定位。
从加固板13及TAB基板20中拔出销部件11以取下制造台10后，在以后的各工序中，能够将TAB基板20与加固板13一起使用。
(元件搭载工序)
从加固板13及TAB基板20中拔出销部件11以取下制造台10，使用已定位的加固板13及TAB基板20，如图3所示实施元件搭载工序，即在TAB基板20的各电极区域(Cu箔层3a、3b)上对LED元件7进行芯片键合以及引线键合。
(第一及第二密封工序)
接下来，使用表面粘贴了TAB基板20的加固板13，实施第一密封工序，即利用混合了荧光体的密封树脂对LED元件7进行密封，然后实施作为第二密封工序的透明透镜形成工序，即与LED元件7的上方对应地形成后述的透明透镜14。
在透明透镜形成工序中，使用表面粘贴了薄而软的TAB基板20的加固板13，形成透镜14。
(单片化工序)
图7是用于说明本实施方式1的TAB基板20的单片化工序的部分侧视图。
图7中，从加固板13剥离TAB基板20后，在薄而软的TAB基板20的背面粘贴微粘结带13A。
对TAB基板20实施单片化工序，即利用具有多个刀尖15的刀模以指定大小切断多个LED器件。
在每个LED器件的透镜14之间，利用刀尖15(模具)以指定间距进行切断。由于将刀尖15在TAB基板20的LED器件的透镜14之间进行按压切断，所以LED器件间的切断所需的间隙(余长)为“0”。在此，使用设置有刀尖15(刀模)的具备透镜对齐功能的冲压机。通过使用设有多个刀尖15(这里示出2根)的刀模，能够更快速地进行单片化。另外，若使用设置有多个刀模的模型，还能够同时对多个TAB基板20进行单片化。由于对齐透镜14的位置，使刀尖15进入透镜14之间，并且余长为“0”，所以能够在不破坏包含透镜14的LED器件的情况下进行单片化。在进行刀尖15的冲压之前，准备表面粘贴了薄而软的TAB基板20的微粘结带13A，利用刀尖15将TAB基板20同时切断为长条状，然后使刀尖15的长边方向旋转90度角并同时切断，从而进行单片化。此时，留下微粘结带13A，用刀尖15仅对TAB基板20进行半切断。利用微粘结带13A，单片化后的TAB基板20的LED器件不会变得散乱，而是能够保持整齐排列的状态。
与现有的切割相比，加工时的压力较小，因此不需要具有强粘结力的微粘结带。
对齐透镜14的位置，在透镜14之间高精度地插入刀尖15以加工外形位置，因此能够减少因切割透镜14而产生次品等破坏LED器件的现象。另外，由于利用多个刀尖15将TAB基板20的多个LED器件单片化为载有单个LED器件的TAB基板1，所以能够缩短加工时间。此外，利用刀尖15角度的最佳设定，实现基本0间隙的加工，外形形状不会变小，外形精度也更加稳定。
综上，根据本实施方式，作为两个导电区域中的一个导电区域的Cu箔层3a的俯视凸形状的前端边3a1配置为进入作为两个导电区域中的另一个导电区域的Cu箔层3b的俯视凹形状的凹部内(底边3b2侧)。
这样，在两个导电区域的对置边设置俯视阶梯部(用于防止器件折断的俯视凹凸形状)，因此在薄而软的TAB基板1或1A中，能够防止或抑制布线图案之间发生弯折。此外，两个导电区域的对置边设置有俯视阶梯部(用于防止器件折断的俯视凹凸形状)的、薄而软的薄膜布线基板即TAB基板20(多个TAB基板1或1A)也能够防止或抑制布线图案之间发生弯折。
(实施方式2)
上述实施方式1中，说明了为了防止器件折断，与±极性对应的两个导电区域的对置边形成为俯视凹凸形状的情况，本实施方式2中，说明与±极性对应的两个导电区域的对置边形成为俯视L字-L字形状(俯视L字及L字形状)的情况。
图8是表示本发明实施方式2的TAB基板的单位结构例的平面图。图9是表示图8的TAB基板的单位结构例的背面图。
图8及图9中，作为本实施方式2的薄膜布线基板(柔性基板)的TAB基板21中，在由薄而软的聚酰亚胺材料构成的薄膜基材上，隔着粘合层设置构成与±极性对应的两个导电区域的Cu箔层23a、23b，同时在Cu箔层23a、23bE下方的薄膜基材的贯穿孔中埋设作为散热器起作用的Cu柱25a、25b。各Cu柱25a、25b分别电连接到Cu箔层23a、23b。在TAB基板21的表面上，Cu箔层23a、23b的至少表面区域的LED元件27搭载区域和电连接LED元件27的各电极区域与两个导电区域的区域以外的区域、以及薄膜基材上的粘合层上的区域中，在此并非把持视图，设置光反射用的白色保护层6或6A。
利用导线分别从LED元件27的各电极区域连接到左右电极区域的Cu箔层23a、23b。LED元件27搭载于Cu箔层23b上并通过芯片键合进行固定，导线27a、27b分别从作为半导体发光元件的LED元件27的各电极键合到作为左右电极区域的Cu箔层23a、23b。
保护元件28与LED元件27并联连接。保护元件28设置在TAB基板21的表面侧以外的地方。也就是说，保护元件28设置在TAB基板21的背面或基板内部。保护元件28采用薄膜印刷电阻。据此，不会受到配置的制约。这样，采用薄膜印刷电阻，不受配置的制约，因此能够易于与薄膜金属层电连接，易于由树脂等覆盖，因而通过保护元件28减少来自LED元件27的出射光的遮蔽和吸收。由此，能够抑制从LED元件27向外部出射的光的遮蔽和吸收，不减少光输出，得到亮度良好的出射光。另外，通过使用保护元件27，能够以低成本形成。
在薄而软的TAB基板21上搭载LED元件27，为了防止TAB基板21在器件中间折断，作为两个导电区域的Cu箔层23a、23b的对置边形成为俯视L字和倒L字形状。
在TAB基板21上，导电层Cu箔层23a、23b相互绝缘，为了防止折断或破碎，其平面图案至少以俯视L字-L字形状相互进入。
此时的Cu箔层23a、23b间的距离为0.2mm左右。简言之，俯视L字形状的Cu箔层23a的突出的高端边23a1进入俯视L字形状的Cu箔层23b的凹陷的低端边23b2侧。另外，俯视L字形状的Cu箔层23b的突出的高端边23b1进入俯视L字形状的Cu箔层23a的凹陷的低端边23a2侧。在此情况下，L字形状的Cu箔层23a、23b相互伸入较深处嵌合为佳。为了多少取得防止器件折断的效果，如图8所示，L字的Cu箔层23a的高端边23a1相对于L字的Cu箔层23b的高端边23b1的位置，至少需要分别相互位于低端边23b2、23a2侧。简言之，在L字的Cu箔层23b的高端边23b1上划直线时，高端边23a1位于Cu箔层23b的低端边23b2侧，至少进入L字内。也就是说，在一个俯视L字形状的高端边上划直线时，另一个导电区域的俯视L字形状的高端边如上述实施方式1中也记载的那样，位于直线上，或者超过直线而进入一个俯视L字形状的低端边侧。
在此，若设L字部Cu箔层23b的深度(高端边23b1与底端边23b2之差)为0.4mm，L字的Cu箔层23a的突出高度(高端边23a1与低端边23a2之差)为0.4mm，Cu箔层23a、23b间的距离为0.2mm，则在L字的Cu箔层23b的高端边3b1上划直线时，高端边23a1相对于该所划直线进入0.2mm。简言之，L字的Cu箔层23a的高端边23a1与L字的Cu箔层23b的高端边23b1至少不是并排为一直线状，而是前端边23a1与在该高端边23b1上所划的直线相比进入Cu箔层23b侧。
另外，关于L字的Cu箔层23a、23b的高端边23a1、23b1延伸多长较为合适的问题，为了在Cu箔层23a、23b的表面施以电镀，在上下的LED器件中设置供电部，L字的Cu箔层23a、23b的高端边23a1、23b1最多延伸至供电部所在位置跟前。若在Cu箔层23a、23b的表面施以无电镀，或者不施以电镀，则L字的Cu箔层23a、23b的高端边23a1、23b1可以相互延伸至L字的Cu箔层23a、23b的相反侧端部。
综上，根据本实施方式2，在两个导电区域的对置边设置俯视阶梯部(俯视L字-L字形状)，因此在薄而软的TAB基板21中，能够防止或抑制布线图案之间发生弯折。此外，以二维矩阵状配置有多个TAB基板21的、薄而软的薄膜布线基板(TAB基板)也能够防止或抑制布线图案之间发生弯折，上述TAB基板21的两个导电区域的对置边设置有俯视阶梯部(俯视L字-L字形状)。
此外，以上说明了Cu箔层23a、23b至少形成为以俯视L字-L字形状相互嵌合的情况，若代替该做法或者与该做法同时，将Cu柱25a、25b与上述同样，至少形成为以俯视L字-L字形状相互嵌合，则能够防止LED器件的折断或破碎。简言之，俯视L字形状的Cu柱25a的高端边进入俯视L字形状的Cu柱25b的L字内。图10中，Cu柱25a为四边形，并非为L字形状。
此外，本实施方式2是两个导电区域的对置边形成为俯视L字-L字形状，并且保护元件28与LED元件27并联设置的情况，但不限于此，也能够将保护元件28与LED元件27并联设置的情况适用于上述实施方式1所示两个导电区域的对置边形成为俯视凹凸形状的情况。图10及图11中示出其一例。
图10是表示本发明实施方式1的TAB基板的另一单位结构例的平面图。图11是表示图10的TAB基板的单位结构例的背面图。
在图10及图11的TAB基板31中，利用导线37a、37b，分别从LED元件37的各电极区域连接到左右电极区域的Cu箔层33a、33b。LED元件37搭载于Cu箔层33b上并通过芯片键合进行固定，导线37a、37b分别从作为半导体发光元件的LED元件37的各电极键合到作为左右电极区域的Cu箔层33a、33b。
保护元件38与LED元件37并联连接。保护元件38设置在TAB基板31的表面侧以外的地方。也就是说，保护元件38设置在TAB基板31的背面或基板内部。保护元件38与上述保护元件28的情况相同，采用薄膜印刷电阻。据此，不会受到配置的制约。
在TAB基板31上，导电层Cu箔层33a、33b相互绝缘，为了防止折断或破碎，其平面图案至少以表面凹凸形状相互嵌合。这与上述实施方式1的情况相同。
Cu箔层33a、33b间的距离为0.2mm左右。俯视凸形状的Cu箔层33b的前端边33b1进入俯视凹形状的Cu箔层33a的内部。在此情况下，凹形状Cu箔层33a与凸形状Cu箔层33b各在一处相互嵌合，也可以配置在多处相互嵌合。关于凹形状Cu箔层33a与凸形状Cu箔层33b的嵌合程度，伸入较深处相嵌合有利于防止折断。为了多少取得防止器件折断的效果，凸部的Cu箔层33b的前端边33b1至少需要进入凹部的Cu箔层33a内。
此外，本实施方式1中说明了用于防止器件折断的俯视凹凸形状，本实施方式2中说明了用于防止器件折断的俯视L字-L字形状，但不限于此，也可以同时具有俯视凹凸形状和俯视L字-L字形状。
这样，本发明的薄膜布线基板1、1A、21或31中，在薄膜基材2上，以在与±极性对应的两个导电区域的对置边俯视下设置了阶梯部的状态，该两个导电区域相互隔开间隔进行绝缘。简言之，阶梯部是用于防止器件折断的俯视凹凸形状、以及用于防止器件折断的俯视L字-L字形状中的至少任一者即可。由此能够实现本发明的目的，即在薄而软的薄膜布线基板上，能够防止或抑制布线图案之间发生弯折。另外，在两个导电区域之间，即未形成两个导电区域的薄膜基材2的表面上，用光反射用的白色保护层进行填充，由此能够进一步防止或抑制器件的折断。另外，白色保护层最好与Cu箔层的厚度相同或较厚。
此外，本实施方式1、2中，说明了在薄膜基材2上，仅设置作为与±极性对应的两个导电区域的Cu箔层，以在两个Cu箔层的对置边俯视下设置了阶梯部的状态，两个Cu箔层相互隔开指定间隔进行绝缘的情况，说明了作为阶梯部的俯视凹凸形状和俯视L字-L字形状均为矩形阶梯部的情况，但不限于此，也可以是用曲线连接山顶部和山谷部的曲线状的阶梯部。对置的各Cu箔层之间的间隔以曲线状弯曲前进。
此外，进一步说明上述实施方式1中说明了的内容，作为两个导电区域的一对焊接区部(CU箔层3a、3b)的对置边的俯视凸部与凹部隔开指定的绝缘距离相互嵌合，形成用于防止器件折断的俯视凹凸形状。另外，进一步说明上述实施方式2中说明了的内容，作为两个导电区域的一对焊接区部(CU箔层23a、23b)的对置边以俯视L字形状和俯视倒L字形状对置，相互隔开指定的绝缘距离相互进入，形成用于防止器件折断的俯视L字-L字形状(俯视L字形状及倒L字形状)。上述用于防止器件折断的俯视凹凸形状和用于防止器件折断的俯视L字-倒L字形状中的至少任一者用于本发明的发光装置。例如，也可以连续形成俯视凹凸形状和俯视L字-L字形状(俯视L字形状及倒L字形状)，以同时使用上述形状。
上述实施方式2中，作为事例，使用在绝缘性薄膜(薄膜基材2)的背面上设置的保护元件28、38(印刷电阻)进行了说明，但并不限定于此，作为保护元件的薄膜印刷电阻的两端部可以被在CU柱5a、5b上(背面)进行了电镀处理的正极端子部和负极端子部所覆盖，另外，也可以在绝缘性薄膜(薄膜基材2)表面的粘合材料层上(CU箔层正下方的粘合材料层上)作为印刷电阻元件设置薄膜印刷电阻，还可以使用在两片绝缘性薄膜之间(薄膜基材2的内部)形成的薄膜印刷电阻。这样，通过在与两个导电区域的各个CU箔层连接的CU柱5a、5b上的正极端子部和负极端子部之间连接保护元件，能够将保护元件与连接到两个导电区域的各个CU箔层的LED元件7并联连接。这样，上述保护元件设置在发光元件(LED元件7)的搭载面的背面侧，保护元件在绝缘性薄膜(薄膜基材2)的表面侧、背面侧及其内部中的至少任一者中形成即可。
如上，使用本发明的优选实施方式1、2例示了本发明，但本发明应该不限定于该实施方式而进行解释。本发明可理解为，应该仅根据专利权利要求的范围来对其范围加以解释。本领域技术人员可理解为，根据本发明的具体的优选实施方式1、2的记述，基于本发明的记载和技术常识，能够实施等效的范围。在本说明书中引用的专利、专利申请和文献，其内容本身具体来说与本说明书所述同样，可理解为其内容应作为对于本说明书的参考而引用。
产业上的可利用性
在LED模块、LED封装件等使用的薄膜布线基板以及布线基板的制造方法的领域中，本发明在两个导电区域的对置边设置俯视阶梯部，因此在薄而软的薄膜布线基板上，能够防止或抑制布线图案之间发生弯折的现象。

Claims (18)

1.一种薄膜布线基板，在薄膜基材上设置与±极性对应的两个导电区域，并且所述两个导电区域以在该两个导电区域的对置边俯视下设置了阶梯部的状态，相互隔开间隔进行绝缘。
2.根据权利要求1所述的薄膜布线基板，其中，
所述阶梯部是用于防止器件折断的俯视凹凸形状、以及用于防止器件折断的俯视L字-L字形状中的至少任一者。
3.根据权利要求2所述的薄膜布线基板，其中，
所述俯视凹凸形状，是所述两个导电区域的对置边隔开指定距离相互嵌合。
4.根据权利要求3所述的薄膜布线基板，其中，
所述两个导电区域的一个导电区域的俯视凸形状的前端边，配置为进入该两个导电区域的另一个导电区域的俯视凹形状的凹部内。
5.根据权利要求4所述的薄膜布线基板，其中，
在所述另一个导电区域的俯视凹形状的凹部的两个前端边之间，划沿着该边的直线时，所述一个导电区域的俯视凸形状的前端边位于该直线上，或者超过该直线而进入该凹部内。
6.根据权利要求4所述的薄膜布线基板，其中，
所述俯视凹凸形状的凹部的两侧前端边中的至少一个前端边，延伸设置至相邻器件的所述凸形状侧的供电部跟前。
7.根据权利要求4所述的薄膜布线基板，其中，
所述俯视凹凸形状的凹部的两侧前端边中的至少一个前端边，延伸设置至所述凸形状侧的相反侧端部。
8.根据权利要求1所述的薄膜布线基板，其中，
所述两个导电区域分别是，Cu箔层以及在该Cu箔层正下方与该Cu箔层电连接的Cu柱中的至少该Cu箔层。
9.根据权利要求8所述的薄膜布线基板，其中，
在所述薄膜基材上隔着粘合层设置所述两个导电区域的各Cu箔层，并且在该各Cu箔层正下方的该薄膜基材的贯穿孔中埋设设置所述Cu柱。
10.根据权利要求2所述的薄膜布线基板，其中，
所述俯视凹凸形状存在一个或多个。
11.根据权利要求2所述的薄膜布线基板，其中，
所述俯视L字-L字形状，是所述两个导电区域的对置边隔开指定距离相互进入。
12.根据权利要求11所述的薄膜布线基板，其中，
一个俯视L字形状的高端边被定位为进入另一个俯视L字形状的低端边侧，该另一个俯视L字形状的高端边被定位为进入该一个俯视L字形状的低端边侧。
13.根据权利要求11所述的薄膜布线基板，其中，
在所述一个俯视L字形状的高端边上划直线时，所述另一个导电区域的俯视L字形状的高端边位于直线上，或者超过该直线而进入该一个俯视L字形状的低端边侧。
14.根据权利要求11所述的薄膜布线基板，其中，
所述两个导电区域中的一个俯视L字形状的高端边，延伸设置至相邻器件的另一个导电区域侧的供电部跟前。
15.根据权利要求11所述的薄膜布线基板，其中，
所述两个导电区域中的一个俯视L字形状的高端边，延伸设置至另一个导电区域的相反侧端部。
16.根据权利要求1～15中任一项所述的薄膜布线基板，其中，
所述两个导电区域按每个发光器件以矩阵状配置多个。
17.根据权利要求1～15中任一项所述的薄膜布线基板，其中，
在未形成所述两个导电区域的表面部以及该两个导电区域的部分表面上，形成光反射用的白色保护层。
18.一种发光装置，在权利要求1～15中任一项所述的薄膜布线基板的所述两个导电区域中的任一者上搭载发光元件，在该发光元件的两电极与该两个导电区域电连接的状态下，进行至少包含荧光体的树脂密封。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112078248A (zh) * 2019-06-13 2020-12-15 精工爱普生株式会社 配线基板及其制造方法、喷墨头、mems装置以及振荡器

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101504133B1 (ko) 2014-02-28 2015-03-19 스마트전자 주식회사 복합보호소자
KR101572495B1 (ko) * 2014-08-20 2015-12-02 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지의 제조 방법과, 발광 소자 패키지용 정렬 지그와, 발광 소자 패키지용 리드 프레임 스트립 및 발광 소자 패키지용 렌즈 스트립
DE102015111492B4 (de) 2015-07-15 2023-02-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bauelemente und Verfahren zur Herstellung von Bauelementen
JP6380314B2 (ja) * 2015-09-24 2018-08-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101980072B1 (ko) * 2016-10-24 2019-05-21 이희준 반도체 칩 실장용 플렉서블 기판 및 이를 이용한 반도체 패키지
CN107994108A (zh) * 2017-12-26 2018-05-04 深圳市灏天光电有限公司 一种防断裂支架及其生产方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63213301A (ja) * 1987-02-28 1988-09-06 イビデン株式会社 印刷抵抗体付プリント配線板
JPH0525749U (ja) * 1991-09-10 1993-04-02 株式会社小糸製作所 チツプ型発光ダイオードの取付構造
JP2003023221A (ja) * 2001-07-10 2003-01-24 Sony Corp フレキシブル配線基板
JP2005217216A (ja) * 2004-01-30 2005-08-11 Hitachi Cable Ltd 半導体装置用両面配線テープキャリアおよびその製造方法
JP2009105198A (ja) * 2007-10-23 2009-05-14 Sanyo Electric Co Ltd プリント配線基板およびそれを備えた発光装置
CN101510542A (zh) * 2008-02-13 2009-08-19 张秀梅 大功率发光二极管芯片的一种封装结构与制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0525749A (ja) 1991-07-10 1993-02-02 Toyota Autom Loom Works Ltd 織機におけるクロスロール交換装置の織布巻き付け機構
JPH06314858A (ja) * 1993-04-30 1994-11-08 Toshiba Lighting & Technol Corp 配線基板、発光ダイオードアレイ、照明装置および指針
JP4349860B2 (ja) 2003-07-02 2009-10-21 日本電信電話株式会社 環境変化伝達装置および環境変化伝達方法
JP2005136224A (ja) 2003-10-30 2005-05-26 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 発光ダイオード照明モジュール
JP2006324608A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Pioneer Electronic Corp フレキシブル基板及びその製造方法、並びにｌｅｄ実装フレキシブル基板及びそれを用いた照明装置
US20070052342A1 (en) * 2005-09-01 2007-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
JP5068472B2 (ja) * 2006-04-12 2012-11-07 昭和電工株式会社 発光装置の製造方法
JP5407993B2 (ja) * 2010-03-31 2014-02-05 豊田合成株式会社 車両用ヘッドランプ
JP5390372B2 (ja) * 2009-12-25 2014-01-15 株式会社小糸製作所 光源ユニット及び車輌用灯具
JP2012033855A (ja) 2010-07-01 2012-02-16 Hitachi Cable Ltd Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄパッケージ、並びに配線基板およびその製造方法
JP5756803B2 (ja) 2010-07-23 2015-07-29 シャープ株式会社 発光装置及びその製造方法
TWI443879B (zh) * 2010-11-08 2014-07-01 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體封裝結構

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63213301A (ja) * 1987-02-28 1988-09-06 イビデン株式会社 印刷抵抗体付プリント配線板
JPH0525749U (ja) * 1991-09-10 1993-04-02 株式会社小糸製作所 チツプ型発光ダイオードの取付構造
JP2003023221A (ja) * 2001-07-10 2003-01-24 Sony Corp フレキシブル配線基板
JP2005217216A (ja) * 2004-01-30 2005-08-11 Hitachi Cable Ltd 半導体装置用両面配線テープキャリアおよびその製造方法
JP2009105198A (ja) * 2007-10-23 2009-05-14 Sanyo Electric Co Ltd プリント配線基板およびそれを備えた発光装置
CN101510542A (zh) * 2008-02-13 2009-08-19 张秀梅 大功率发光二极管芯片的一种封装结构与制造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112078248A (zh) * 2019-06-13 2020-12-15 精工爱普生株式会社 配线基板及其制造方法、喷墨头、mems装置以及振荡器
CN112078248B (zh) * 2019-06-13 2022-04-29 精工爱普生株式会社 配线基板及其制造方法、喷墨头、mems装置以及振荡器

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Publication number Publication date
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