CN112078248A - 配线基板及其制造方法、喷墨头、mems装置以及振荡器 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 143
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 38
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 76
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 11
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 30
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004984 smart glass Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
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Abstract
本发明提供一种具有可靠性较高的贯穿配线的配线基板、能够高效地制造所涉及的配线基板的配线基板制造方法、以及具备所述配线基板的喷墨头、MEMS装置以及振荡器。所述配线基板的特征在于，具有：第一基板，其具有第一面和与所述第一面为相反侧的第二面；第一配线，其被设置在所述第一面上；第二配线，其被设置在所述第二面上；贯穿配线，其对所述第一配线和所述第二配线进行电连接，并贯穿所述第一基板，所述贯穿配线包括：第一贯穿配线，其与所述第一配线相连接；第二贯穿配线，其与所述第二配线相连接，在从所述第一基板的厚度方向进行的俯视观察时，所述第一贯穿配线与所述第二贯穿配线局部重叠。
Description
技术领域
本发明涉及一种配线基板、配线基板的制造方法、喷墨头、MEMS装置以及振荡器。
背景技术
在专利文献1中，公开了一种如下的贯穿电极的制造方法，所述贯穿电极的制造方法具有通过金属催化剂蚀刻而在半导体基板上形成贯穿孔的工序、和通过电镀法而在贯穿孔中填充导体材料从而获得贯穿电极的工序。
贯穿电极为，能够实现半导体基板的三维安装的技术。通过实施半导体基板的三维安装，从而除了能够实现半导体装置的高密度化之外，还能够实现使用半导体基板的MEMS(MicroElectroMechanicalSystems：微机电系统)装置的高密度化以及小型化。
在专利文献1中，在形成贯穿孔时，从半导体基板的一个面起实施蚀刻处理。因此，贯穿孔将从半导体基板的一个面到另一个面笔直地延伸。也就是说，在不会于中途处产生阶梯的条件下，形成笔直地延伸的贯穿孔。如果这样，则在以填充贯穿孔的方式来形成贯穿电极时，将不易在贯穿电极与贯穿孔之间产生摩擦。因此，存在有如下课题，即，贯穿电极变得容易从贯穿孔中拔出，从而降低了贯穿电极的可靠性。
专利文献1：日本特开2017-201660号公报
发明内容
本发明的应用例所涉及的配线基板，其特征在于，具有：
第一基板，其具有第一面和与所述第一面为相反侧的第二面；
第一配线，其被设置在所述第一面上；
第二配线，其被设置在所述第二面上；
贯穿配线，其对所述第一配线和所述第二配线进行电连接，并贯穿所述第一基板，
所述贯穿配线包括：
第一贯穿配线，其与所述第一配线相连接；
第二贯穿配线，其与所述第二配线相连接，
在从所述第一基板的厚度方向进行的俯视观察时，所述第一贯穿配线与所述第二贯穿配线局部重叠。
附图说明
图1为表示第一实施方式所涉及的配线基板的剖视图。
图2为图1所示的配线基板的局部放大图。
图3为表示在从图2所示的第一基板的厚度方向进行的俯视观察时的、第一贯穿配线的基端面和第二贯穿配线的基端面的俯视图。
图4为表示图2的第一变形例的图。
图5为表示图2的第二变形例的图。
图6为用于对第一实施方式所涉及的配线基板的制造方法进行说明的工序图。
图7为用于对图6所示的配线基板的制造方法进行说明的图。
图8为用于对图6所示的配线基板的制造方法进行说明的图。
图9为用于对图6所示的配线基板的制造方法进行说明的图。
图10为用于对图6所示的配线基板的制造方法进行说明的图。
图11为用于对图6所示的配线基板的制造方法进行说明的图。
图12为用于对图6所示的配线基板的制造方法进行说明的图。
图13为用于对图6所示的配线基板的制造方法进行说明的图。
图14为用于对图6所示的配线基板的制造方法进行说明的图。
图15为用于对图6所示的配线基板的制造方法进行说明的图。
图16为表示第二实施方式所涉及的喷墨头的剖视图。
图17为表示第三实施方式所涉及的MEMS装置中所包含的超声波致动器的剖视图。
图18为表示第四实施方式所涉及的振荡器的剖视图。
具体实施方式
以下，基于附图来对本发明的配线基板、配线基板的制造方法、喷墨头、MEMS装置以及振荡器的优选的实施方式进行详细地说明。
1.第一实施方式
首先，对第一实施方式所涉及的配线基板及其制造方法进行说明。
1.1配线基板
图1为，表示第一实施方式所涉及的配线基板的剖视图。
图1所示的配线基板1具有第一基板10、第一配线11、第二配线12和贯穿配线13。
第一基板10为半导体基板。即，第一基板10为，至少一部分由半导体材料构成的基板。作为半导体材料，例如可以例举出像硅、锗这样的IV族元素单体、像砷化镓、氮化镓这样的III族元素和V族元素的化合物、像碳化硅这样的IV族元素和IV族元素的化合物等。另外，本说明书中的“族”是指，短周期型的周期表中的“族”。
此外，在如上述这样的半导体材料中，也可以根据需要而掺杂杂质。而且，在第一基板10上，也可以根据需要而形成有晶体管、二极管、电阻、电容器等元件。另外，第一基板10也可以根据需要而使其一部分由绝缘性材料或者导电性材料构成。
第一基板10呈平板状，并且具有第一面101以及第二面102，所述第一面101以及第二面102具有互为表里的关系。在图1中，第一基板10的上表面为第一面101，下表面为第二面102。第一基板10被设为，例如单结晶基板、多结晶基板、非晶质基板。此外，在第一基板10为结晶基板的情况下，任何结晶面均可以在第一面101以及第二面102上露出。
在第一面101上设置有，被图案形成为任意的形状的、具有导电性的第一配线11。作为第一配线11的构成材料，可列举出例如铜、金、银、镍、铝等的单体、或者包含这些单体的合金等。另外，第一配线11也可以包含在与其他端子之间进行电接触的端子。
在第二面102上设置有，被图案形成为任意的形状的、具有导电性的第二配线12。作为第二配线12的构成材料，可从被列举作为第一配线11的构成材料的材料中进行适当选择。另外，第二配线12还可以包含在与其他端子之间进行电接触的端子。
第一基板10至少具有一个贯穿孔103，所述贯穿孔以在所述第一基板10的厚度方向上贯穿的方式被设置，并对第一面101和第二面102进行连接。虽然作为贯穿孔103的横截面形状，也就是贯穿孔103被与第一面101平行的面剖切时的截面形状，并未被特别限定，但可列举出例如圆、椭圆、长圆这样的圆形、像四边形、六边形这样的多边形、其他的异形形状等。
此外，在贯穿孔103内设置有具有导电性的贯穿配线13。贯穿配线13从第一面101侧延伸至第二面102侧，并以贯穿第一基板10的方式被设置。而且，贯穿配线13对第一配线11和第二配线12进行电连接。由于通过以此方式来使用贯穿配线13，从而无需确保用于铺设绕过第一基板10的配线的空间，因此能够实现使用了配线基板1的装置的高密度化以及小型化。
作为贯穿配线13的构成材料，可列举出例如铜、金、银、镍等的单体、或者包含这些单体的合金或者混合物等。
图2为，图1所示的配线基板1的局部放大图。另外，在图2中，省略了第一配线11以及第二配线12的图示。此外，图3为，表示从图2所示的第一基板10的厚度方向进行的俯视观察时的、第一贯穿配线131的基端面B1和第二贯穿配线132的基端面B2的俯视图。另外，将第一贯穿配线131中的、第一面101侧的端面称为“基端面B1”，并将与基端面B1相反的端面称为“顶端面T1”。另外，顶端面T1是指，将基端面B1沿着其法线而平行移动至阶梯ST1的位置从而形成的假想的面。此外，将第二贯穿配线132中的、第二面102侧的端面称为“基端面B2”，并将与基端面B2相反的端面称为“顶端面T2”。另外，顶端面T2是指，将基端面B2沿着其法线而平行移动至阶梯ST2的位置从而形成的假想的面。
如图2所示，贯穿配线13在其延长的中途处错位。并且，贯穿配线13伴随着该错位，而以被形成在贯穿配线13的侧面上的阶梯ST1、ST2的位置为界限，从而被划分为位于图2的上方的部位和位于图2的下方的部位这两个部分。具体而言，图2所示的贯穿配线13被划分为，作为第一面101侧的部位的第一贯穿配线131、和作为第二面102侧的部位的第二贯穿配线132。第一贯穿配线131以及第二贯穿配线132分别呈大致圆柱状。并且，呈圆柱状的第一贯穿配线131和同样呈圆柱状的第二贯穿配线132在沿着第一面101或者第二面102而彼此错位的同时，在局部重叠。这种配置的结果为，在贯穿配线13的侧面上，形成有伴随着第一贯穿配线131的阶梯ST1，并且形成有伴随着第二贯穿配线132的阶梯ST2。此外，可以认为是，第一贯穿配线131以及第二贯穿配线132分别包括共同的重叠部分133。重叠部分133是指，在图2中，由被第一贯穿配线131的侧面1310的延长线E10、阶梯ST1的延长线E11、第二贯穿配线132的侧面1320的延长线E20、以及阶梯ST2的延长线E21包围而成的区域所表示的部位。
在从第一基板10的厚度方向对以上述方式被配置的第一贯穿配线131以及第二贯穿配线132进行俯视观察时，具体而言，对第一面101上的第一贯穿配线131的横截面、即基端面B1进行俯视观察，并且对第二面102上的第二贯穿配线132的横截面、即基端面B2进行透视。此时，如图2所示，第一贯穿配线131的轴131A、以及第二贯穿配线132的轴132A沿着第一面101而彼此错位。另外，轴131A是指，从第一贯穿配线131的基端面B1的中心O1起延伸的法线。同样地，轴132A是指，从第二贯穿配线132的基端面B2的中心O2起延伸的法线。
此外，基端面B1的中心O1是指，与基端面B1内接的圆(内接圆)的中心，且基端面B2的中心O2是指，与基端面B2内接的圆的中心。另外，由于在图3的示例中，基端面B1呈圆形，因此与其内接圆一致。同样地，由于基端面B2也呈圆形，因此与其内接圆一致。
并且，如图1所示，第一贯穿配线131以及第二贯穿配线132如上文所述的那样，分别包括位于第一基板10的厚度的中央附近处的重叠部分133。因此，第一贯穿配线131以及第二贯穿配线132相互接触且被电连接。该重叠部分133在图3中相当于基端面B1与基端面B2重叠的部分。
此外，通过使轴131A和轴132A错位，从而即使有抽拔贯穿配线13的力起作用，也很难从贯穿孔103中拔出贯穿配线13。也就是说，即使向贯穿配线13施加有拉力，在贯穿配线13与贯穿孔103之间也很容易产生伴随着阶梯ST1、ST2与贯穿配线13之间的卡合的较大的摩擦。因此，贯穿配线13变得很难从贯穿孔103中脱落。由此，能够抑制贯穿配线13的断线或电阻的增加这样的不良情况的产生，从而能够进一步提高配线基板1的可靠性。此外，利用这些效果，从而也可获得了如下优点，即，在不降低可靠性的条件下，易于缩小贯穿配线13的直径。由此，在不降低配线基板1的可靠性的条件下，使实现配线基板1的高密度化以及小型化变得容易。
另外，在图2中，通过与第一面101正交的面来剖切第一贯穿配线131切断时的纵截面形状、以及通过与第二面102正交的面来剖切第二贯穿配线132时的纵截面形状分别呈长方形。这些纵截面形状的角部，既可以为如图2所示那样的直角，也可以被实施倒角，还可以带圆形。
如上文所述，本实施方式所涉及的配线基板1具有：第一基板10，其具有第一面101、和与第一面101为相反侧的第二面102；第一配线11，其被设置在第一面101上；第二配线12，其被设置在第二面102上；贯穿配线13，其对第一配线11和第二配线12进行电连接，并且贯穿第一基板10。并且，贯穿配线13包括与第一配线11相连接的第一贯穿配线131、和与第二配线12相连接的第二贯穿配线132。此外，在从第一基板10的厚度方向进行的俯视观察时，第一贯穿配线131与第二贯穿配线132局部地重叠在一起。
根据这种的配线基板1，由于第一贯穿配线131和第二贯穿配线132成为彼此错位的状态，因此贯穿配线13变得容易卡挂在贯穿孔103的内表面上。因此，贯穿配线13变得难以从贯穿孔103中拔出，从而抑制了贯穿配线13的断线或者电阻的增加这样的不良情况的产生。因此，能够进一步提高配线基板1的可靠性。
在此，图2以及图3所示的第一贯穿配线131的轴131A以及第二贯穿配线132的轴132A如上文所述的那样彼此错位。此时的错位量Δ能够定义为，从与第一贯穿配线131的基端面B1内接的内接圆的中心O1起延伸的轴131A、和从与第二贯穿配线132的基端面B2内接的内接圆的中心O2起延伸的轴132A之间的距离。此时，错位量Δ优选为,
Δ≤(1/2)φD
在此，φD为，基端面B1的内接圆的直径和基端面B2的内接圆的直径中的、较小一方的直径。在图3中，作为一个示例，而设为基端面B1的内接圆的一方较小。通过在错位量Δ与直径φD之间成立这样的关系，从而能够在实现第一贯穿配线131与第二贯穿配线132之间的电连接的同时，使贯穿孔103的内表面产生适当的阶梯。由此，能够在抑制贯穿配线13的电阻的增加的同时，使贯穿配线13变得特别难以从贯穿孔103中拔出，从而进一步提高了可靠性。
另一方面，图4为，表示图2的第一变形例的图。另外，在图4中，作为一个示例，而设为基端面B1的内接圆的直径小于基端面B2的内接圆的直径。
上文叙述的图2所示的第一贯穿配线131以及第二贯穿配线132分别呈大致圆柱形状。相对于此，图4所示的第一贯穿配线131在通过与第一面101正交的平面而被剖切时，截面呈圆锥形状。同样地，图4所示的第二贯穿配线132在通过与第二面102正交的平面而被剖切时，截面呈圆锥形状。即，图4所示的第一贯穿配线131以及第二贯穿配线132分别呈大致圆锥台形状。另外，在本说明书中，“圆锥形状”是指，在通过包括轴线在内的平面来剖切圆锥台时的截面形状。
在此，将与第一贯穿配线131的顶端面T1内接的圆的直径设为φd。此外，将第一基板10的厚度设为L。此时，基端面B1的内接圆的直径φD、顶端面T1的内接圆的直径φd、以及厚度L，满足以下的关系。
φd＝φD-Ltanθ
另外，角度θ为，与第一面101正交的平面和第一贯穿配线131的侧面1310所成的角度。
立足于该关系，从而当第一贯穿配线131以及第二贯穿配线132呈大致圆锥台形状的情况下，优选为，上文叙述的错位量Δ进一步满足如下关系，即，
Δ≤φD-Ltanθ。
由此，即使在第一贯穿配线131以及第二贯穿配线132呈大致圆锥台形状的情况下，也能够在实现第一贯穿配线131与第二贯穿配线132之间的电连接的同时，使贯穿孔103的内表面产生适当的阶梯。其结果为，能够更可靠地获得上文所述的效果。
另外，角度θ能够根据第一基板10的构成材料或后述的贯穿孔103的形成方法而进行适当调节。例如，在针对P型的硅基板即第一基板10而利用后述的MACE(MetalAssistedChemicalEtching：金属辅助化学蚀刻)法而形成了贯穿孔103的情况下，角度θ成为5°以上且11°以下的概率较高，平均而言，成为8°左右的概率较高。如果立足于这些情况，则优选为，角度θ为20°以下，更优选为，1°以上且15°以下，进一步优选为，5°以上且11°以下。
此外，对于直径φD而言，作为一个示例，优选为10μm以上且200μm以下，更优选为30μm以上且100μm以下。由此，可获得电阻较小，并且易于实现高密度化的贯穿配线13。
而且，由于错位量Δ的最大値Δmax根据直径φD等不同而不同，因此不能被一概地规定，但作为一个示例而优选为，2μm以上且30μm以下，更优选为，3μm以上且25μm以下。
并且，对于最大值Δmax相对于直径φD的比例而言，优选为0.03以上且0.70以下，更优选为0.05以上且0.50以下，进一步优选为0.20以上且0.45以下。由此，能够在特别地抑制了贯穿配线13的电阻的增加的同时，使贯穿配线13变得特别难以从贯穿孔103中拔出。其结果为，能够特别提高配线基板1的可靠性。
此外，虽然第一基板10的厚度L并未被特别限定，但优选为200μm以上且1000μm以下，更优选为300μm以上且800μm以下。
而且，由于图4所示的第一贯穿配线131如上文所述那样呈大致圆锥台形状，因此第一贯穿配线131的第一面101上的截面面积、也就是第一贯穿配线131的基端面B1的面积大于与第一面101相比靠第二面102侧的位置处的第一贯穿配线131的截面面积、也就是第一贯穿配线131的顶端面T1的面积。
由此，在第一贯穿配线131于基端面B1上与第一配线11相连接时，易于抑制伴随着连接而引起的电阻的增大。因此，易于实现可靠性较高的配线基板1。此外，在通过例如电镀法来形成第一贯穿配线131的情况下，由于容易将电镀液填充在贯穿孔103内，因此能够使导电性材料析出，以填充贯穿孔103。其结果为，还存在如下优点，即，容易形成填充率较高且导电性良好的第一贯穿配线131。
而且，伴随着构成第一贯穿配线131的材料发生再结晶并膨胀从而产生的应力、或由于因热量引起的线膨胀系数差而产生的热应力，能够通过大致圆锥台形状的形状作用而转换为第一贯穿配线131的延伸方向上的力。其结果为，能够对伴随着这些应力而产生的、以第一贯穿配线131为起点的第一基板10的裂纹等进行抑制。
另一方面，由于图4所示的第二贯穿配线132也如上文所述那样呈大致圆锥台形状，因此第二贯穿配线132的第二面102上的截面面积、也就是第二贯穿配线132的基端面B2的面积大于与第二面102相比靠第一面101侧的位置处的第二贯穿配线132的截面面积、也就是第二贯穿配线132的顶端面T2的面积。
由此，在第二贯穿配线132于基端面B2上与第二配线12相连接时，容易抑制伴随着连接而引起的电阻的增大。因此，易于实现可靠性较高的配线基板1。此外，在通过例如电镀法来形成第二贯穿配线132时，由于容易电镀液填充在贯穿孔103内，因此能够使导电性材料析出，以填充贯穿孔103。其结果为，还存在如下优点，即，容易形成填充率较高且导电性良好的第二贯穿配线132。
而且，伴随着构成第二贯穿配线132的材料发生再结晶并膨胀从而产生的应力、或由于因热量引起的线膨胀系数差而产生的热应力，能够通过大致圆锥台形状的形状作用而转换为第二贯穿配线132的延伸方向上的力。其结果为，能够对伴随着这些应力而产生的、以第二贯穿配线132为起点的第一基板10的裂纹等进行抑制。
另外，虽然优选为图2以及图4所示的第一贯穿配线131以及第二贯穿配线132以分别填充贯穿孔103的内部的方式而被设置，但也可以不完全地填充。例如，也可以沿着贯穿孔103的内壁而设置，并且在中心部处留有空洞。此外，也可以在该空洞中配置有其他物质。
此外，图5为，表示图2的第二变形例的图。
上文所述的图2所示的第一贯穿配线131以及第二贯穿配线132分别呈大致圆柱形状。相对于此，图5所示的第一贯穿配线131则呈圆筒形状。
在这种情况下，在从第一基板10的厚度方向进行的俯视观察时，第一贯穿配线131的第一面101上的截面形状、也就是第一贯穿配线131的基端面B1的形状、以及第二贯穿配线132的第二面102上的截面形状、也就是第二贯穿配线132的基端面B2的形状分别呈环状。
在这种形状中，成为如下结构，即，沿着第一贯穿配线131的中心轴而填充有第一基板10的构成材料的结构。所涉及的结构为，与第一变形例相比难以产生应力的结构。因此，能够对伴随着应力而产生的、以第一贯穿配线131为起点的第一基板10的裂纹等进行抑制。
同样地，图5所示的第二贯穿配线132也呈圆筒形状。因此，能够对伴随着应力而产生的、以第二贯穿配线132为起点的第一基板10的裂纹等进行抑制。
并且，图5所示的第一贯穿配线131以及第二贯穿配线132在图5的纸面里侧以及纸面近前侧处彼此接触。即，分别呈圆筒形状的第一贯穿配线131和第二贯穿配线132相接触，从而形成了图5所示的重叠部分133。经由该重叠部分133，从而使第一贯穿配线131以及第二贯穿配线132被电连接。
另外，在图5中，同时记载了仅图示出重叠部分133附近的第一贯穿配线131以及第二贯穿配线132的剖视图。
此外，为了获得上述效果、也就是源于筒状形状而使其难以产生应力的这一效果，只需使第一贯穿配线131以及第二贯穿配线132中的至少一方呈筒状形状即可。因此，只需基端面B1的形状以及基端面B2的形状中的至少一方呈环状即可，另一方也可以为环状以外的形状。另外，所谓环状，既可以为圆环，也可以为外缘以及内缘中的至少一方为多边形的形状。
此外，第一贯穿配线131以及第二贯穿配线132也可以为，将图4所示的形状和图5所示的形状组合在一起的形状。即，第一贯穿配线131以及第二贯穿配线132也可以分别为圆筒形状，并且分别为圆锥形状。由此，通过如图5所示的结构，从而能够增强难以从贯穿孔103中拔出第一贯穿配线131以及第二贯穿配线132的这一效果。
以上，虽然对配线基板1进行了说明，但各个附图所示的配线的形状为一个示例。例如，各个附图中所示出的阶梯ST1、ST2并无需是像图示那样的明显的阶梯，角部等也可以钝化。
1.2配线基板的制造方法
图6为，用于对第一实施方式所涉及的配线基板的制造方法进行说明的工序图。图7至图15分别为，用于对图6所示的配线基板的制造方法进行说明的图。
图6所示的配线基板的制造方法具有基板准备工序S01、催化剂层形成工序S02、蚀刻工序S03和贯穿电极形成工序S04。以下，依次对各个工序进行说明。
1.2.1基板准备工序S01
首先，如图7所示，准备第一基板10。该第一基板10也可以为，例如最终单片化为多个配线基板1的半导体晶片。
此外，在第一基板10上，也可以根据需要而实施任意的前处理。
1.2.2催化剂层形成工序S02
接下来，在第一基板10的第一面101上，形成第一掩膜层21。如图8所示，第一掩膜层21在欲形成第一贯穿配线131的区域中具有开口部210。同样地，在第一基板10的第二面102上，形成第二掩膜层22。如图8所示，第二掩膜层22在欲形成第二贯穿配线132的区域中具有开口部220。另外，在图8中，在从第一基板10的厚度方向进行的俯视观察时，以彼此有一部分重叠的方式来设定开口部210以及开口部220的位置。即，对于开口部210以及开口部220而言，图8的左右方向上的位置彼此错位。但是，在本制造方法中，并非必须使俯视观察时的开口部210的位置以及开口部220的位置彼此错位。例如，也可以采用如下方式，即，虽然位置并未被错位，但是使得开口部210的内径与开口部220的内径互不相同。即使在这种情况下，最终也能够在内壁面上形成伴随着阶梯的贯穿孔103。因此，能够形成实现与上文所述的贯穿配线13所实现的效果同样的效果。另外，还可以采用如下方式，即，不仅是内径，还使开口部210的形状和开口部220的形状互不相同。
虽然作为第一掩膜层21以及第二掩膜层22的构成材料，只要是在后文叙述的催化剂层的形成时不会发生劣化的各种抗蚀剂材料即可，并未被特别限定，但可列举出例如像聚酰亚胺、氟类树脂、硅树脂、丙烯酸树脂、酚醛清漆树脂这样的各种有机材料、像氧化硅、氮化硅这样的各种无机材料等。
此外，第一掩膜层21以及第二掩膜层22分别使用公知的图案形成技术而被形成为目标形状。其中，在使用了有机材料的掩膜层的图案形成中，能够使用光刻法。此外，在使用了无机材料的掩膜层的图案形成中，能够使用组合了由光刻法所实现的掩膜的形成和由蚀刻所实现的材料的去除的方法。
在以此方式形成了第一掩膜层21之后，从所述第一掩膜层21之上，对用于形成第一催化剂层31的催化剂材料进行成膜。由此，如图9所示，获得了对第一掩膜层21以及开口部210内进行覆盖的催化剂材料层310。
同样地，从第二掩膜层22之上，对用于形成第二催化剂层32的催化剂材料进行成膜。由此，如图9所示，获得了对第二掩膜层22以及开口部220内进行覆盖的催化剂材料层320。
在此，“催化剂”是指，在后述的蚀刻工序S03中，第一基板10与蚀刻液的反应的催化剂。通过与蚀刻液的反应，从而在第一基板10上产生氧化反应，由此能够施行将第一基板10去除的加工。
催化剂材料为，包括例如金、银、铂、钯、铑等的贵金属在内的材料。另外，贵金属也可以包括两种元素以上。
虽然第一催化剂层31以及第二催化剂层32分别能够通过阴极真空喷镀、蒸镀法等的各种气相成膜法来成膜，但也可以通过各种液相成膜法、各种电镀法来成膜。
此外，优选为，第一催化剂层31以及第二催化剂层32分别为多孔质状。由此，第一催化剂层31以及第二催化剂层32在后文叙述的蚀刻工序S03中，容易实现蚀刻液的浸透以及更换。因此，能够实现蚀刻率的提高以及蚀刻深度的提高，并且能够通过更短的时间来实施高深宽比的加工。
另外，作为多孔质的形成方法，可列举出使用多孔质状的材料的方法、通过图案形成来实现多孔质化的方法等。
虽然第一催化剂层31的厚度以及第二催化剂层32的厚度各自并未被特别限定，但优选为5nm以上且100nm以下程度，更优选为10nm以上且50nm以下程度。由此，在第一催化剂层31以及第二催化剂层32为上文所述那样的多孔质状的情况下，在后文叙述的蚀刻工序S03中，将更容易实现蚀刻液的浸透以及更换。因此，能够实现蚀刻率的提高以及蚀刻深度的提高，并且能够通过更短的时间来实施高深宽比的加工。
接下来，将第一掩膜层21以及第二掩膜层22去除。由此，催化剂材料层310中的、位于第一掩膜层21上的部分通过所谓的剥离而与第一掩膜层21一起被去除。其结果为，仅残存有在开口部210内被成膜了的催化剂材料层310，并且其成为图10所示的第一催化剂层31。同样地，催化剂材料层320中的、位于第二掩膜层22上的部分通过所谓的剥离而与第二掩膜层22一起被去除。其结果为，仅残存有在开口部220内被成膜了的催化剂材料层320，并且其成为第二催化剂层32。
1.2.3蚀刻工序S03
接下来，对设置了第一催化剂层31以及第二催化剂层32的第一基板10施行蚀刻处理。具体而言，将设置了第一催化剂层31以及第二催化剂层32的第一基板10像图11所示的那样以进行浸渍等的方式而使其与蚀刻液E接触。
虽然作为蚀刻液E，只要为将上文所述的第一催化剂层31以及第二催化剂层32中所包括的贵金属作为催化剂而能够使第一基板10溶解去除的液体即可，并未被特别限定，但作为一个示例，而使用了包括氢氟酸和氧化剂的液体。作为氧化剂，例如可列举出过氧化氢、硝酸等。
在蚀刻处理中，将在第一催化剂层31中所包括的贵金属作为催化剂，而使蚀刻液E与第一基板10的第一面101发生反应。具体而言，氧化剂使第一面101氧化，氢氟酸将其氧化物溶解去除。由此，第一面101沿着其法线而被加工，并且其位置向第二面102侧逐渐地移动。由此，第一面101朝向第二面102而被深挖，从而形成了图12所示的第一孔1031。
同样地，将在第二催化剂层32中所包括的贵金属作为催化剂，而使蚀刻液E与第一基板10的第二面102发生反应。由此，第二面102沿着其法线而被加工，并且其位置向第一面101侧逐渐地移动。由此，第二面102朝向第一面101而被深挖，从而形成了图12所示的第二孔1032。另外，由于第一面101上的蚀刻的行进方向有时也会根据第一基板10的结晶方向等而发生变化，因此也可以为与和第一面101正交的方向不同的方向、例如为使和第一面101正交的方向倾斜了任意角度的方向。同样地，对于第二面102上的蚀刻的行进方向，也可以为与和第二面102正交的方向不同的方向、例如为使和第二面102正交的方向倾斜了任意角度的方向。
并且，当被深挖的第一面101与被深挖的第二面102接触时，第一孔1031与第二孔1032被连结。由此，获得了图13所示的贯穿孔103。
虽然蚀刻液E中的氢氟酸的浓度并未被特别限定，但优选为1.0mol/L以上且20mol/L以下，更优选为5.0mol/L以上且10mol/L以下。通过将氢氟酸的浓度设定在所述范围内，从而能够在充分地确保第一孔1031以及第二孔1032的蚀刻中的蚀刻率的同时，对侧面蚀刻进行抑制，从而提高加工精度。
此外，虽然蚀刻液E中的氧化剂的浓度并未被特别限定，但优选为0.2mol/L以上且8.0mol/L以下，更优选为2.0mol/L以上且4.0mol/L以下。通过将氧化剂的浓度设定在所述范围内，从而能够在充分地确保第一孔1031以及第二孔1032的蚀刻中的蚀刻率的同时，对侧面蚀刻进行抑制，从而提高加工精度。
另外，在第一催化剂层31以及第二催化剂层32为环状的情况下，与不是环状的情况相比，更容易实现蚀刻液E的更换。因此，特别地能够高效地形成深宽比较高的贯穿孔103。
此外，上述的催化剂层形成工序S02、也就是形成第一催化剂层31以及第二催化剂层32的工序也可以采用如下方式，即，在从第一基板10的厚度方向进行的俯视观察时，以第一催化剂层31以及第二催化剂层32的一部分重叠的方式而形成第一催化剂层31以及第二催化剂层32。由此，根据第一催化剂层31以及第二催化剂层32的位置，从而在本工序中形成第一孔1031以及第二孔1032。因此，能够在彼此的轴相错位这样的位置处，形成第一孔1031以及第二孔1032。其结果为，如上文所述的那样，能够形成在俯视观察时以局部重叠的方式而被配置的第一贯穿配线131以及第二贯穿配线132。
之后，使第一基板10与溶解贵金属的溶解液接触。由此，使第一催化剂层31以及第二催化剂层32被去除，从而获得了图13所示的设置有贯穿孔103的第一基板10。
另外，虽然在本工序中也可以采用如下方式，即，在通过蚀刻处理而分别形成第一孔1031以及第二孔1032时，实施蚀刻处理，直至彼此连结为止，但也可以采用在连结之前停止蚀刻处理的方式。在这种情况下，只要通过之后的后处理来施行将第一孔1031与第二孔1032连结的加工即可。作为后处理的示例，例如可列举出激光加工等。
接下来，在第一基板10的表面、具体而言在第一面101、第二面102以及贯穿孔103的表面上，形成未图示的绝缘膜。该绝缘膜为，例如有机膜或者无机膜。具体而言，在第一基板10为硅基板的情况下，作为绝缘膜可列举出由氧化硅构成的热氧化膜或者CVD(ChemicalVaporDeposition：化学气相沉积)膜等的无机膜。另外，对于无机膜的厚度而言，作为一个示例而优选为800nm以上且1600nm以下。另一方面，作为有机膜，例如可列举出树脂膜。
1.2.4贯穿电极形成工序S04
接下来，向贯穿孔103的内部供给导电性材料。由此，形成图14所示的贯穿配线13。
导电性材料的供给方法例如可列举出导电性膏剂的涂敷、电镀法、蒸镀法等。其中，从制造效率、导电性等的观点来看，优选使用电镀法。对于电镀法而言，既可以为电解电镀法，也可以为无电解电镀法。
作为导电性材料，例如可列举出铜、金、银、镍等的单体、或者包括这些单体的合金或者混合物等。
接下来，在第一基板10的第一面101上形成第一配线11。同样地，在第一基板10的第二面102上形成第二配线12。第一配线11以及第二配线12能够在分别使导电性材料成膜之后，通过对其进行图案化而被形成。
通过以上方式，从而获得了图15所示的配线基板1。
另外，虽然未进行图示，但是在于第一基板10上形成有多个元件区域的情况下，设置将第一基板10切断而进行单片化的工序。由此，能够切出配线基板1。
如上文所述，本实施方式所涉及的配线基板1的制造方法具有：基板准备工序S01，其准备具有第一面101和与第一面101为相反侧的第二面102的第一基板10；催化剂层形成工序S02，其在第一面101上形成包括贵金属在内的第一催化剂层31，并在第二面102上形成包括贵金属在内的第二催化剂层32；蚀刻工序S03，其包括使设置了第一催化剂层31以及第二催化剂层32的第一基板10与蚀刻液E接触，并从第一面101朝向第二面102进行蚀刻而形成第一孔1031，并且从第二面102朝向第一面101进行蚀刻而形成第二孔1032的处理，且使第一孔1031与第二孔1032连结而获得贯穿孔103；贯穿电极形成工序S04，其向贯穿孔103的内部供给导电性材料而形成贯穿配线13。
根据这样的制造方法，通过从第一面101侧形成第一孔1031，并且从第二面102侧形成第二孔1032，从而获得贯穿孔103。也就是说，通过从第一基板10的双面进行的蚀刻而获得贯穿孔103。因此，能够高效地制造配线基板1。
此外，通过利用使用了包括贵金属在内的催化剂层的晶片蚀刻处理，从而与干蚀刻处理这样的单片处理相比，能够在抑制设备投资的同时，确保较高的生产率。
而且，如上文所述的那样，通过以彼此错位的方式而形成第一催化剂层31和第二催化剂层32，从而能够在彼此的轴相错位这样的位置上形成第一孔1031以及第二孔1032，并且能够获得在内表面上具有阶梯的贯穿孔103。通过在这样的贯穿孔103中填充导电性材料，从而使贯穿配线13容易卡挂在贯穿孔103的内表面上，由此变得难以从贯穿孔103中拔出。因此，能够制造可靠性更高的配线基板1。
2.第二实施方式
接下来，对第二实施方式所涉及的喷墨头进行说明。
图16为，表示第二实施方式所涉及的喷墨头的剖视图。另外，在以下的说明中，为了便于说明而将图16的上方称为“上”、将下方称为“下”。
图16所示的喷墨头7具备压电装置714、流道单元715以及头外壳716。压电装置714以及流道单元715以彼此层叠的状态被安装在头外壳716中。
头外壳716为箱状部件，并且在其内部具备向后述的共同液室725供给油墨的液体导入通道718。该液体导入通道718为，与共同液室725一起贮留有油墨的空间，在本实施方式中，以与两列排列的压力室730的列相对应的方式而设置有两个液体导入通道718。此外，在两个液体导入通道718之间设置有收纳空间717，所述收纳空间717为，从头外壳716的下表面侧起至头外壳716的高度方向的中途为止而凹陷为长方体状的空间。在该收纳空间717内，收纳有下文叙述的被层叠在连通基板724上的压电装置714。
流道单元715被接合在头外壳716的下表面上。流道单元715具有连通基板724以及喷嘴板721。连通基板724具有共同液室725和独立连通通道726，所述共同液室725与液体导入通道718连通，并且在各个压力室730中贮留有共同的油墨，所述独立连通通道726经由该共同液室725而独立地将来自液体导入通道718的油墨向各个压力室730进行供给。共同液室725按照与以两列排列的压力室730的列相对应的方式而以两列排列。独立连通通道726处于将共同液室725和压力室730连接的位置处，并且与所对应的压力室730的长边方向上的一端的端部连通。
此外，在连通基板724中的、与压力室730的长边方向上的另一端的端部相对应的位置上，设置有在连通基板724的板厚方向上贯穿的喷嘴连通通道727。喷嘴连通通道727沿着喷嘴722所排列的方向而设置有多个，并且使压力室730与喷嘴722连通。
喷嘴板721被接合在连通基板724的下表面上。通过该喷嘴板721，从而使成为共同液室725的空间的下表面侧的开口被密封。此外，在喷嘴板721上，以排列成直线状的方式而设置有多个喷嘴722。在图16中，按照以两列排列的压力室730的列相对应的方式而排列了两列所述喷嘴722。
上述的压力室形成基板729、振动板731、压电元件732、密封板733以及驱动IC734被层叠而被单元化，并被收纳在收纳空间717内。
压力室形成基板729沿着喷嘴722所排列的方向而具有多个应成为压力室730的空间。该空间的下方通过连通基板724而被划分，上方通过振动板731而被划分，从而构成了压力室730。因此，压力室730在与喷嘴722所排列的方向正交的方向上具有长轴。
此外，在密封板733的下方设置有压电元件基板，所述压电元件基板具有振动板731、和被设置在振动板731上的压电元件732。
振动板731为，具有弹性的膜状部件，并且被层叠在压力室形成基板729的上表面上。该振动板731中的、与压力室730相对应的部分作为位移部而发挥作用，所述位移部伴随着压电元件732的挠曲变形而向远离喷嘴722的方向或者接近喷嘴722的方向进行位移。通过该位移，从而使压力室730的容积发生变化。
压电元件732为，所谓的挠曲模式的压电元件。该压电元件732具备例如在振动板731上的、被依次层叠在与压力室730相对应的区域中的下电极层、压电体层以及上电极层。当在下电极层与上电极层之间产生电位差时，这种压电元件732向远离喷嘴722的方向或者接近喷嘴722的方向进行挠曲变形。此外，压电元件732沿着喷嘴722所排列的方向而以两列排列。而且，从各个压电元件732引绕有驱动配线737。该驱动配线737为，向压电元件732供给驱动信号的配线，并且以在与喷嘴722所排列的方向正交的方向上延伸的方式从压电元件732起被铺设至振动板731的端部为止。
密封板733为，以在与振动板731之间形成有空间的方式被连接在振动板731上的平板状的基板。在密封板733的上表面上，配置有输出用于对压电元件732进行驱动的驱动信号的驱动IC734。此外，在密封板733的下表面上，设置有将来自驱动IC734的驱动信号向压电元件732侧进行输出的多个凸块740。该凸块740被设置在与驱动配线737相对应的位置上，并且与驱动配线737接触从而被电连接。
此外，密封板733具备被供给有电源电压的电源配线753、被输入有来自驱动IC734的信号的连接端子754、从连接端子754延伸设置的上表面侧配线746、将密封板733贯穿的贯穿配线745、经由贯穿配线745而与上表面侧配线746相连接的下表面侧配线747。
另一方面，驱动IC734经由各向异性导电薄膜等的粘合剂759而被粘合在密封板733上。此外，驱动IC734具备电源凸块电极756和驱动凸块电极757。并且，在电源配线753上连接有电源凸块电极756，在连接端子754上连接有驱动凸块电极757。
在上文这样的喷墨头7中，将来自未图示的墨盒的油墨经由液体导入通道718、共同液室725以及独立连通通道726而导入到压力室730中。在该状态下，将来自驱动IC734的驱动信号经由被设置在密封板733上的各个配线等而供给至压电元件732。由此，对压电元件732进行驱动，从而在压力室730中产生压力变动。利用该压力变动，从而使被导入至压力室730中的油墨经由喷嘴连通通道727而从喷嘴722以油墨滴的形式被喷出。
在这种喷墨头7中，能够在具备密封板733以及被设置于其上的电极、配线等的结构体中，应用上文叙述的配线基板1。即，密封板733相当于上文叙述的第一基板10，上表面侧配线746相当于上文叙述的第一配线11，下表面侧配线747相当于上文叙述的第二配线12，贯穿配线745相当于上文叙述的贯穿配线13。
因此，本实施方式所涉及的喷墨头7具备：包括应用了上文叙述的配线基板1的密封板733在内的结构体；压电元件基板735，所述压电元件基板735具有振动板731(第二基板)、以及被设置在振动板731上且与下表面侧配线747(第二配线)电连接的压电元件732。并且，配线基板1和压电元件基板735被层叠在一起。
由于这种喷墨头7不易产生伴随着贯穿配线745的脱落等而引起的断线等的不良情况，因此能够提高包括密封板733在内的结构体的可靠性。此外，伴随着所涉及的可靠性，从而还能够实现密封板733的小型化以及高密度化。由此，能够实现小型且可靠性较高的喷墨头7。
3.第三实施方式
接下来，对第三实施方式所涉及的MEMS装置进行说明。
图17为，表示第三实施方式所涉及的MEMS装置中所包括的超声波致动器的剖视图。
图17所示的超声波致动器8具有如下的层叠结构，所述层叠结构具备基板8120、被设置在基板8120上的第一电极8130、被设置在第一电极8130上的压电体8140(元件)、被设置在压电体8140上的第二电极8150、与第二电极8150相连接的引线电极8172。此外，在该层叠结构的整个面上设置有绝缘膜8410。而且，超声波致动器8具有将基板8120贯穿的贯穿导电部8451、8452、与第一电极8130连接的第一导电层8441、与第二电极8150以及引线电极8172连接的第二导电层8442。此外，超声波致动器8具有被设置在贯穿导电部8451、8452的下端处的电极衬垫8461、8462。
这种超声波致动器8通过通电而进行振动，从而对未图示的作为被驱动部的转子等进行驱动。由此，超声波致动器8以及转子构成了MEMS装置的一个示例即压电驱动装置。
在这种超声波致动器8中，能够在包括基板8120以及被设置在其上的导电部、电极、配线等在内的结构体中，应用上文所述的配线基板1。由此，配线基板1和上文叙述的元件电连接，并且配线基板1和元件被层叠在一起。
因此，本实施方式所涉及的MEMS装置中所包括的超声波致动器8具备上文叙述的配线基板1和元件。而且，配线基板1和元件被电连接，并且配线基板1与元件被层叠在一起。由于这种超声波致动器8不易产生伴随着将基板8120贯穿的贯穿导电部8451、8452的脱落等而引起的断线等的不良情况，因此成为可靠性较高的装置。此外，伴随着所涉及的可靠性，从而还能够实现超声波致动器8的小型化以及高密度化。因此，能够实现小型且可靠性较高的超声波致动器8以及具备该超声波致动器8的压电驱动装置(MEMS装置)。
4.第四实施方式
接下来，对于第四实施方式所涉及的振荡器进行说明。
图18为，表示第四实施方式所涉及的振荡器的剖视图。
图18所示的振荡器9具有：平板911，其由硅等的电绝缘性材料构成，且具有空腔920；电路图案912，其为被设置在该平板911的下表面上的集成电路元件的图案；压电振动片95(元件)，其被设置在空腔920的内部；电极衬垫914以及绝缘被膜916，其被设置在平板911的下表面上。
此外，振荡器9具有贯穿配线927和安装电极926，所述贯穿配线927被设置在贯穿平板911的通孔内并且与电路图案912相连接，所述安装电极926被设置在空腔920的底面上并且与贯穿配线927相连接。通过贯穿配线927，从而能够实现电路图案912与安装电极926的电连接。
而且，振荡器9具有导电性粘合剂98，所述导电性粘合剂98被设置在空腔920内，并且将安装电极926和压电振动片95接合在一起。通过该导电性粘合剂98，从而也实现了压电振动片95与安装电极926的电连接。
此外，振荡器9具有被设置在空腔920的开口部上的盖930。盖930经由粘合剂932而被粘合在空腔920的开口部边缘部的外周上。由此，将空腔920的内部气密密封为惰性气体环境或者减压环境。
在这种振荡器9中，能够在包括平板911以及被设置于其上的电极、配线等在内的结构体中，应用上文叙述的配线基板1。
因此，本实施方式所涉及的振荡器9具备上文叙述的配线基板1和元件。并且，配线基板1与元件被电连接，且配线基板1与元件被层叠在一起。由于这种振荡器9不易产生伴随着将平板911贯穿的贯穿配线927的脱落等而引起的断线等的不良情况，因此成为可靠性较高的设备。此外，伴随着所涉及的可靠性，从而还能够实现振荡器9的小型化以及高密度化。因此，能够实现小型且可靠性较高的振荡器9。
另外，作为振荡器9，例如可列举出水晶振荡器(SPXO)、电压控制水晶振荡器(VCXO)、温度补偿水晶振荡器(TCXO)、电压控制型SAW振荡器(VCSO)、恒温槽一体型水晶振荡器(OCXO)、SAW振荡器(SPSO)、MEMS振荡器、原子振荡器等。
5.电子设备以及移动体
上文叙述的配线基板1还能够应用于上述的电子设备以外的各种电子设备所具备的配线基板中。作为所涉及的电子设备，例如可列举出：个人计算机、移动电话机、数码照相机、智能手机、平板终端、包括智能手表在内的时钟、智能眼镜、HMD(头戴式显示器)等的可穿戴终端、便携式个人计算机、电视、摄像机、录像机、汽车导航装置、传呼机、包含通信功能的电子记事本、电子辞典、台式电子计算器、电子游戏设备、文字处理器、微处理机、电视电话、防止犯罪用电视监视器、电子双筒望远镜、POS终端、电子体温计、血压计、血糖仪、心电图计测装置、超声波诊断装置、电子内窥镜这样的医疗设备、鱼探仪、各种测量仪器、车辆、飞机、轮船这样的仪器类、便携终端用的基站、飞行模拟器等。以上这样的电子设备通过具备配线基板1，从而能够基于配线基板1的较高的电可靠性以及易于小型化的性质而成为小型且可靠性较高的设备。
此外，上文叙述的配线基板1还能够应用于各种移动体所具备的各种设备中。作为所涉及的设备，例如可列举出：无钥匙进入系统、防盗器、汽车导航系统、汽车空调、防抱死制动系统(ABS)、安全气囊、轮胎压力监测系统(TPMS：TirePressureMonitoringSystem)、发动机控制器、制动系统、混合动力汽车或电动汽车的电池监视器、车身姿态控制系统等的电子控制单元(ECU：electroniccontrolunit)等。以上这样的移动体所具备的各种设备通过具备配线基板1，从而基于配线基板1的较高的电可靠性以及易于小型化的性质而成为小型且可靠性较高的设备。
以上，虽然基于图示的实施方式而对本发明的配线基板、配线基板的制造方法、喷墨头、MEMS装置以及振荡器进行了说明，但本发明并未被限定于这些实施方式。
例如，本发明的配线基板的制造方法也可以为，在所述实施方式中追加了任意的目的的工序的方法。
此外，本发明的配线基板、喷墨头、MEMS装置以及振荡器，既可以是所述实施方式的各部的结构被置换为具有同样功能的任意的结构，也可以是在所述实施方式中追加了任意的结构。
符号说明
1…配线基板；7…喷墨头；8…超声波致动器；9…振荡器；10…第一基板；11…第一配线；12…第二配线；13…贯穿配线；21…第一掩膜层；22…第二掩膜层；31…第一催化剂层；32…第二催化剂层；95…压电振动片；98…导电性粘合剂；101…第一面；102…第二面；103…贯穿孔；131…第一贯穿配线；131A…轴；132…第二贯穿配线；132A…轴；133…重叠部分；210…开口部；220…开口部；310…催化剂材料层；320…催化剂材料层；714…压电装置；715…流道单元；716…头外壳；717…收纳空间；718…液体导入通道；721…喷嘴板；722…喷嘴；724…连通基板；725…共同液室；726…独立连通通道；727…喷嘴连通通道；729…压力室形成基板；730…压力室；731…振动板；732…压电元件；733…密封板；734…驱动IC；735…压电元件基板；737…驱动配线；740…凸块；745…贯穿配线；746…上表面侧配线；747…下表面侧配线；753…电源配线；754…连接端子；756…电源凸块电极；757…驱动凸块电极；759…粘合剂；911…平板；912…电路图案；914…电极衬垫；916…绝缘被膜；920…空腔；926…安装电极；927…贯穿配线；930…盖；932…粘合剂；1031…第一孔；1032…第二孔；1310…侧面；1320…侧面；8120…基板；8130…第一电极；8140…压电体；8150…第二电极；8172…引线电极；8410…绝缘膜；8441…第一导电层；8442…第二导电层；8451…贯穿导电部；8452…贯穿导电部；8461…电极衬垫；8462…电极衬垫；B1…基端面；B2…基端面；E…蚀刻液；E10…延长线；E11…延长线；E20…延长线；E21…延长线；O1…中心；O2…中心；S01…基板准备工序；S02…催化剂层形成工序；S03…蚀刻工序；S04…贯穿电极形成工序；ST1…阶梯；ST2…阶梯；T1…顶端面；T2…顶端面；Δ…错位量；θ…角度。
Claims (9)
1.一种配线基板，其特征在于，具有：
第一基板，其具有第一面和与所述第一面为相反侧的第二面；
第一配线，其被设置在所述第一面上；
第二配线，其被设置在所述第二面上；
贯穿配线，其对所述第一配线和所述第二配线进行电连接，并贯穿所述第一基板，
所述贯穿配线包括：
第一贯穿配线，其与所述第一配线相连接；
第二贯穿配线，其与所述第二配线相连接，
在从所述第一基板的厚度方向进行的俯视观察时，所述第一贯穿配线与所述第二贯穿配线局部重叠。
2.如权利要求1所述配线基板，其中，
所述第一贯穿配线的所述第一面上的截面面积大于与所述第一面相比靠所述第二面侧的位置处的所述第一贯穿配线的截面面积。
3.如权利要求1或2所述的配线基板，其中，
所述第二贯穿配线的所述第二面上的截面面积大于与所述第二面相比靠所述第一面侧的位置处的所述第二贯穿配线的截面面积。
4.如权利要求1所述的配线基板，其中，
在从所述第一基板的厚度方向进行的俯视观察时，所述第一贯穿配线的所述第一面上的截面形状以及所述第二面上的所述第二贯穿配线的截面形状中的至少一方呈环状。
5.一种配线基板的制造方法，其特征在于，具有：
准备第一基板的工序，其中，所述第一基板具有第一面和与所述第一面为相反侧的第二面；
在所述第一面上形成包含贵金属的第一催化剂层，并在所述第二面上形成包含贵金属的第二催化剂层的工序；
包括使设置了所述第一催化剂层以及所述第二催化剂层的所述第一基板与蚀刻液接触，并从所述第一面起朝向所述第二面进行蚀刻而形成第一孔，并且从所述第二面起朝向所述第一面进行蚀刻而形成第二孔的处理，且使所述第一孔与所述第二孔连结而获得贯穿孔的工序；
向所述贯穿孔的内部供给导电性材料从而获得贯穿配线的工序。
6.如权利要求5所述的配线基板的制造方法，其中，
在形成所述第一催化剂层和所述第二催化剂层的工序中，以在从所述第一基板的厚度方向进行的俯视观察时，所述第一催化剂层以及所述第二催化剂层的一部分重叠的方式来形成所述第一催化剂层以及所述第二催化剂层。
7.一种喷墨头，其特征在于，具备：
如权利要求1至4中的任意一项所述的配线基板；
压电元件基板，其具有第二基板、以及被设置在所述第二基板上且与所述第二配线电连接的压电元件，
所述配线基板与所述压电元件基板被层叠在一起。
8.一种微机电系统装置，其特征在于，具备：
如权利要求1至4中的任意一项所述的配线基板、和元件，
所述配线基板和所述元件被电连接，且所述配线基板和所述元件被层叠在一起。
9.一种振荡器，其特征在于，具备：
如权利要求1至4中的任意一项所述的配线基板、和多个元件，
所述配线基板和所述元件被电连接，且所述配线基板和所述元件被层叠在一起。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019110615A JP7302318B2 (ja) | 2019-06-13 | 2019-06-13 | 配線基板、配線基板の製造方法、インクジェットヘッド、ｍｅｍｓデバイスおよび発振器 |
| JP2019-110615 | 2019-06-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112078248A true CN112078248A (zh) | 2020-12-15 |
| CN112078248B CN112078248B (zh) | 2022-04-29 |
Family
ID=73735060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010522572.1A Active CN112078248B (zh) | 2019-06-13 | 2020-06-10 | 配线基板及其制造方法、喷墨头、mems装置以及振荡器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20200395528A1 (zh) |
| JP (1) | JP7302318B2 (zh) |
| CN (1) | CN112078248B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN210928127U (zh) * | 2019-10-23 | 2020-07-03 | 奥特斯(中国)有限公司 | 部件承载件 |
| TWI848770B (zh) * | 2023-07-14 | 2024-07-11 | 大陸商鵬鼎控股（深圳）股份有限公司 | 電路板結構的製造方法 |
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- 2019-06-13 JP JP2019110615A patent/JP7302318B2/ja active Active
-
2020
- 2020-06-10 CN CN202010522572.1A patent/CN112078248B/zh active Active
- 2020-06-12 US US16/899,624 patent/US20200395528A1/en active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2020199748A (ja) | 2020-12-17 |
| JP7302318B2 (ja) | 2023-07-04 |
| CN112078248B (zh) | 2022-04-29 |
| US20200395528A1 (en) | 2020-12-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |