JP2000216514A - 配線基板とその製造方法 - Google Patents

配線基板とその製造方法

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JP2000216514A
JP2000216514A JP1836199A JP1836199A JP2000216514A JP 2000216514 A JP2000216514 A JP 2000216514A JP 1836199 A JP1836199 A JP 1836199A JP 1836199 A JP1836199 A JP 1836199A JP 2000216514 A JP2000216514 A JP 2000216514A
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insulating substrate
wiring board
wiring
hole
hole conductor
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JP1836199A
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English (en)
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Tosaku Nishiyama
東作 西山
Hideo Hatanaka
秀夫 畠中
Mitsuo Fujiwara
三男 藤原
Daizo Ando
大蔵 安藤
Kazunori Sakamoto
和徳 坂本
Yoshiyuki Shima
義幸 嶋
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の両面または内層に複数の高密度配線を
備え、各種の電子部品をその配線基板の表面に高い実装
密度で搭載することができる配線基板とその製造方法に
関し、配線基板を構成する樹脂基板とビアホール導体と
の熱膨張率の差に起因する配線とビアホール導体との剥
離現象を防止し、配線とビアホール導体との接続信頼性
を向上させることができる配線基板とその製造方法を提
供する。 【解決手段】 絶縁基板１１の厚み方向に対して斜めに
形成された菱形構造を有するビアホール導体１３を介し
て絶縁基板１１の両面に形成されている配線１２ａ、１
２ｂを電気的に接続している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の両面または
内層に高い接続信頼性を有する複数の高密度配線を備
え、各種の電子部品をその基板の表面に高い実装密度で
搭載することができる配線基板とその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型高密度化に伴い、
産業用にとどまらず広く民生用機器の分野においてもＬ
ＳＩ等の半導体チップを高密度に実装できる多層構造の
配線基板が安価に供給されることが強く要望されてきて
いる。このような多層配線基板では微細な配線ピッチで
形成された複数層の配線パターン間をビアホール導体に
より高い接続信頼性で電気的に接続できることが重要で
ある。
【０００３】このような問題を解決するために新しい構
造を備えた配線基板や高密度配線を目的とする製造方法
が開発されており、その一つに高密度表面実装に対応す
るファインパターン形成方法の最近の技術として多層配
線基板の層間接続の主流となっていたスルーホール内壁
の銅めっき導体に代えて、インナービアホール内に導電
体を充填して接続信頼性を向上でき、かつ部品ランド直
下や任意の層間にインナービアホールを形成できるため
に、基板サイズの小型化や高密度実装を実現することが
できる全層ＩＶＨ構造樹脂多層配線基板があり、すでに
携帯電話機等の可搬電子機器に多数応用されている。
【０００４】つぎに従来の全層ＩＶＨ構造樹脂多層配線
基板の構造およびその製造方法の一例について説明す
る。
【０００５】図１０（ａ）〜（ｄ）はその製造方法を示
す工程断面図であり、図１０（ａ）に示すようにアラミ
ドエポキシ樹脂等のプリプレグよりなる支持体１にレー
ザ加工機を用いて必要とする箇所に穿孔してビアホール
２を設け、同図（ｂ）に示すようにこのビアホール２に
導電性ペースト３を充填する。つぎにこの支持体１の両
面に銅箔４を配置して加熱、加圧することによってプリ
プレグ状態であった支持体１および導電性ペースト３が
硬化されるとともに両面の銅箔４が同時に接着され
（ｃ）、ビアホール導体を介して電気的に接続される。
つぎにこの両面の銅箔４を従来のフォトリソグラフ法に
よりエッチングして配線パターン５ａ、５ｂを形成する
ことにより両面配線基板６が得られる（ｄ）。
【０００６】なお、多層配線構造の配線基板を作成する
場合、上記のように形成された複数枚の両面配線基板を
プリプレグ支持体（図示せず）を介して積層し、再度加
熱、加圧して多層化することにより形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の全層ＩＶＨ構造樹脂多層配線基板のインナービアホー
ル形成法として採用されているレーザ加工法では、その
貫通孔の断面形状が図１０（ａ）に見られるように基板
の厚み方向に同一径を有する矩形形状であって基板の表
面に形成されている配線とはプリプレグ状態の基板を加
熱硬化する際にインナービアホール内に充填された導電
性ペースト中の接着剤によって機械的接続および電気的
導通が図られているに過ぎない。
【０００８】一方、最近の小型携帯電話機や家庭用とし
て著しく小型軽量化されたデジタルビデオカメラに代表
されるように、その保有する機能は極めて多機能化さ
れ、かつ超小型化が要求される電子機器においては多数
のＬＳＩを小面積の回路基板上に高密度に実装すること
が必要であり、基板上に形成された配線幅およびその微
細配線を層間接続するビアホール導体の径は極めて微小
なものとなり、配線とビアホール導体との接続部の面積
は極めて狭小となるため接続強度は低下する傾向にあ
る。また配線基板を構成する樹脂基板の熱膨張率が１０
０〜１３０ｐｐｍであるのに対し、ビアホール導体のそ
れは１８〜２０ｐｐｍと大きく異なり、ヒートサイクル
試験の際、配線がビアホール導体から剥離する恐れがあ
る。この剥離現象は樹脂基板が熱膨張する際に発生する
応力Ｓが図１１に示すように、配線基板上の配線を押し
上げる状態で配線５ａ、５ｂとビアホール導体４との接
合部７ａ、７ｂに集中するためであると考えられる。
【０００９】本発明は上記課題を解決するものであり、
ビアホール導体の断面形状を、樹脂基板の熱膨張時に発
生する応力を配線とビアホール導体との接合部に集中す
ることなく分散させることができる形状とすることによ
り、配線とビアホール導体との接続信頼性を向上させる
ことができる配線基板とその製造方法を提供することを
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、基板にビアホールを形成する際にその基板
の厚み方向に対して斜め方向から穿孔することによって
その断面形状が菱形形状を有するように形成するもので
あり、また基板の両面からビアホールの中心軸を変位さ
せた状態で穿孔することにより、その断面形状が階段状
を有するように形成するものであり、配線基板の熱膨張
により発生する応力を分散させたり、抑制することによ
り配線とビアホール導体との接続信頼性を向上させるこ
とができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、基板に形成されたビアホール導体の断面形状を基板
の厚み方向に対して斜めに形成した菱形構造とするもの
であり、基板の両面に形成されている配線を菱形構造の
ビアホール導体によって電気的に接続したことを特徴と
するものであって、基板が熱膨張する際に発生する応力
をビアホール導体の壁面において分散させることによっ
てビアホール導体と配線との接合部にかかる引き剥がし
応力の強度を低減させ、接続信頼性を向上させるもので
ある。
【００１２】本発明の請求項２に記載の発明は、絶縁基
板に形成されたビアホール導体の断面形状を絶縁基板の
両面から中心軸をずらして穿孔された２つの開口部より
なる階段構造とするものであり、絶縁基板の両面に形成
されている配線を階段構造のビアホール導体によって電
気的に接続したことを特徴とするものであって、基板が
熱膨張する際に発生するビアホール導体周辺の応力を半
減できると共に、階段状に形成されたビアホール導体の
平面部にかかる応力をビアホール導体の尖断強度によっ
て吸収させることによりビアホール導体と配線との接合
部にかかる引き剥がし応力の強度を低減させ、接続信頼
性を向上させるものである。
【００１３】本発明の請求項３に記載の発明は、絶縁基
板に形成されたビアホール導体の断面形状を絶縁基板の
厚み方向において同一径を有し、絶縁基板の表面より突
出した部分の断面形状をビアホール導体の径より大きい
径を有するディスク形状としてなる横Ｈ型構造とするも
のであり、絶縁基板の両面に形成されている配線を横Ｈ
型構造のビアホール導体によって電気的に接続したこと
を特徴とするものであり、基板の熱膨張時に発生する応
力を、ビアホール導体がその両端部で拡散した状態で基
板上に形成されているディスク形状部分において受ける
ことにより、請求項３に記載の実施の形態の場合と同様
にビアホール導体の尖断強度によって応力を吸収するこ
とができ、接続信頼性を向上させることができる。
【００１４】本発明の請求項４に記載の発明は、絶縁基
板を、ガラスエポキシコンポジット、ガラスＢＴレジン
コンポジット、アラミドエポキシコンポジットおよびア
ラミドＢＴレジンコンポジットの熱硬化性樹脂含浸繊維
基材の少なくとも１種からなる、とするものであり、高
密度配線を可能とする薄型配線基板を得ることができ
る。
【００１５】本発明の請求項５に記載の発明は、ビアホ
ール導体が、導電性ペースト充填法、めっき法または導
電性粉末充填法の少なくともいずれかの方法により形成
されたものであり、配線間の内部抵抗を低減することに
より信号伝送速度に優れた配線基板が得られる。
【００１６】本発明の請求項６に記載の発明は、請求項
１から５のいずれかに記載の配線基板を複数枚、ビアホ
ール導体が設けられている中間接続体を介して積層する
ことにより形成された多層配線構造を有する配線基板で
あり、微細な配線パターンを必要とする高密度多層配線
基板の層間接続信頼性を向上することができる。
【００１７】本発明の請求項７に記載の発明は、絶縁基
板に複数の貫通孔を設け、貫通孔にビアホール充填用導
電性ペーストを充填したのち、絶縁基板の両面に銅箔を
貼着して加熱、加圧によりビアホール充填用導電性ペー
ストを硬化させてビアホール導体を形成し、銅箔を所定
のパターン形状にエッチングすることにより配線パター
ンを形成する工程を有する配線基板の製造方法におい
て、貫通孔を絶縁基板の厚み方向に対して斜めに形成し
たものであり、配線の層間接続信頼性に優れた配線基板
を製造することができる。
【００１８】本発明の請求項８に記載の発明は、絶縁基
板に複数の貫通孔を設け、貫通孔にビアホール充填用導
電性ペーストを充填したのち、絶縁基板の両面に銅箔を
貼着して加熱、加圧によりビアホール充填用導電性ペー
ストを硬化させてビアホール導体を形成し、銅箔を所定
のパターン形状にエッチングすることにより配線パター
ンを形成する工程を有する配線基板の製造方法におい
て、所定の貫通孔の中心軸をずらした状態で絶縁基板の
両面側より穿孔して貫通孔を形成することにより、貫通
孔を絶縁基板の厚み方向に対して階段形状に形成したも
のであり、請求項７に記載の実施の形態の場合と同様の
効果を得ることができる。
【００１９】本発明の請求項９に記載の発明は、絶縁基
板に複数の貫通孔を設ける工程と、絶縁基板の表面に貫
通孔の直径より大なる直径を有する複数の開口部が設け
られた離型性フィルムを貫通孔と離型性フィルムの開口
部とが合致するように位置合わせして貼着する工程と、
離型性フィルムの開口部と絶縁基板の貫通孔内にビアホ
ール充填用導電性ペーストを充填したのち離型性フィル
ムを剥離する工程と、絶縁基板の両面に銅箔を貼着して
加熱、加圧によりビアホール充填用導電性ペーストを硬
化させてビアホール導体を形成する工程と、銅箔を所定
のパターン形状にエッチングすることにより配線パター
ンを形成する工程とを有するものであり、請求項７に記
載の実施の形態の場合と同様の効果を得ることができ
る。
【００２０】本発明の請求項１０に記載の発明は、請求
項７から９のいずれかに記載の配線基板の製造方法に関
し、絶縁基板として、ガラスエポキシコンポジット、ガ
ラスＢＴレジンコンポジット、アラミドエポキシコンポ
ジットおよびアラミドＢＴレジンコンポジットの熱硬化
性樹脂含浸繊維基材の少なくとも１種からなる絶縁基板
を用いるものであり、高密度配線を可能とする薄型配線
基板を形成することができる。
【００２１】本発明の請求項１１に記載の発明は、請求
項７から９のいずれかに記載の配線基板の製造方法に関
し、ビアホール導体を導電性ペーストに代えて、めっき
法または導電性粉末充填法の少なくともいずれかの方法
により形成することを特徴とするものであり、配線間の
内部抵抗を低減することにより信号伝送速度に優れた配
線基板を形成することができる。
【００２２】つぎに本発明の第１の実施の形態における
配線基板について図面を参照しながら説明する。
【００２３】（実施の形態１）図１は本発明の第１の実
施の形態における配線基板の構造を示すものであり、図
１（ａ）に示すようにアラミド不織布にエポキシ樹脂を
含浸させたアラミドエポキシコンポジット等よりなる絶
縁基板１１の両面に形成されている配線１２ａ、１２ｂ
は絶縁基板１１に斜めに設けられたビアホール内に金、
銀または銅等の粉体とエポキシ樹脂等よりなる導電性ペ
ーストを印刷充填して形成されたビアホール導体１３に
よって電気的に接続されている。本実施の形態において
配線基板が熱膨張または吸湿によって膨張した場合、配
線基板の一部を拡大して示した図１（ｂ）に見られるよ
うに、ビアホール導体１３の付近で発生した応力Ｓの一
部Ｓ1は配線１２ａ、１２ｂを絶縁基板１１より剥離す
る方向に働くが、同じく応力Ｓの他の一部Ｓ2はビアホ
ール導体を配線１２ａ、１２ｂに押しつけるように作用
する。
【００２４】なお図より明らかなように、剥離応力Ｓ1
と押圧応力Ｓ2との間にはＳ1＜Ｓ2なる関係があり、ま
た配線１２ａ、１２ｂが絶縁基板１１より剥離する場
合、その剥離開始端となるビアホール導体１３と配線１
２ａ、１２ｂとの接触周辺部１４において、剥離応力Ｓ
1は接触周辺部１４に接近するほど小さくなり、押圧応
力Ｓ2は大きくなる。
【００２５】上記第１の実施の形態より明らかなよう
に、本発明によればビアホール導体１３を絶縁基板１１
内に斜めに形成することにより、絶縁基板１１の膨張に
よって発生する応力による引き剥がし力を低減させ、ま
たビアホール導体１３を配線に押しつける応力を増加さ
せることができ、ビアホール導体と配線との接続信頼性
を向上させることが可能となる。
【００２６】図２（ａ），（ｂ）は上記第１の実施の形
態における配線基板１５を複数枚、アラミドエポキシコ
ンポジット等の熱硬化性樹脂含浸繊維基材のプリプレグ
にビアホール導体１６を設けて得られる中間接続体１７
を介して積層された多層配線構造を有する配線基板の構
造を示すものであり、同様に高い接続信頼性を有する多
層配線基板を得ることができる。
【００２７】なお、第１の実施の形態における配線基板
を複数枚積層する場合、図２（ａ）に示すように斜めに
形成されたビアホール導体を有する配線基板を順方向に
積層しても、また図２（ｂ）に示すようにビアホール導
体の斜め方向が交互に、またはランダムになるように配
線基板を積層することも可能であり、同様の効果を得る
ことができる。
【００２８】つぎに本実施の形態における配線基板の製
造方法について、その要点を説明する。本発明における
製造方法の特徴はビアホールの形成にあり、その他の工
程は従来の全層ＩＶＨ構造樹脂多層配線基板の製造方法
を用いることができる。
【００２９】図３は本実施の形態における配線基板の製
造方法におけるビアホールの形成工程を示すものであ
り、絶縁基板１１の表面の法線に対してドリルまたはレ
ーザ加工機を傾斜させて保持し、絶縁基板１１に孔開け
を行う。法線に対するドリルまたはレーザ加工機の傾斜
角度θは絶縁基板の厚みおよび必要とするビアホールの
孔径に応じて最適に調整される。
【００３０】（実施の形態２）つぎに本発明の第２の実
施の形態における配線基板について図面を参照しながら
説明する。
【００３１】図４は本発明の第２の実施の形態における
配線基板の構造を示すものであり、図４（ａ）に示すよ
うにアラミド不織布にエポキシ樹脂を含浸させたアラミ
ドエポキシコンポジット等よりなる絶縁基板２１の両面
に形成されている配線２２ａ、２２ｂは絶縁基板２１に
階段状に設けられたビアホール内に金、銀または銅等の
粉体とエポキシ樹脂等よりなる導電性ペーストを印刷充
填して形成されたビアホール導体２３によって電気的に
接続されている。本実施の形態において配線基板が熱膨
張または吸湿によって膨張した場合、配線基板の一部を
拡大して示した図４（ｂ）に見られるようにビアホール
導体２３の付近で発生した応力Ｓの一部Ｓ1は剥離開始
端となるビアホール導体２３と配線２２ａ、２２ｂとの
接触周辺部２５において配線２２ａ、２２ｂを絶縁基板
２１より剥離する方向に働くが、その強さは従来の構造
における応力Ｓの約４分の１に低減されている。また他
の接触周辺部２４では応力Ｓがそのまま加わっているが
応力Ｓの他の一部Ｓ2がビアホール導体２３の階段部に
おいて配線２２ａ、２２ｂにビアホール導体２３を押し
つけるように作用しており、接触周辺部２４にかかる応
力Ｓを低減せしめている。
【００３２】このように本実施の形態によれば、配線と
ビアホール導体との剥離開始端となる配線とビアホール
導体との接触周辺部において、絶縁基板の膨張によって
発生する引き剥がし応力を低減させることができ、接続
信頼性に優れた配線基板を得ることができる。
【００３３】図５（ａ），（ｂ）は上記第２の実施の形
態における配線基板２６を複数枚、アラミドエポキシコ
ンポジット等の熱硬化性樹脂含浸繊維基材のプリプレグ
にビアホール導体２７を設けて得られる中間接続体２８
を介して積層された多層配線構造を有する配線基板の構
造を示すものであり、同様に高い接続信頼性を有する多
層配線基板を得ることができる。
【００３４】なお、第２の実施の形態における配線基板
を複数枚積層する場合、図５（ａ）に示すように階段状
に形成されたビアホール導体２３を有する配線基板２６
を順方向に積層しても、また図５（ｂ）に示すように順
方向と逆方向とを交互にまたはランダムになるように配
線基板２６を積層することも可能であり、同様の効果を
得ることができる。
【００３５】つぎに本実施の形態における配線基板の製
造方法について、その要点を説明する。本実施の形態の
場合も第１の実施の形態の場合と同様に製造方法の特徴
はビアホールの形成にあり、その他の工程は従来の全層
ＩＶＨ構造樹脂多層配線基板の製造方法を用いることが
できる。
【００３６】図６は本実施の形態における配線基板の製
造方法におけるビアホールの形成工程を示すものであ
り、図に見られるように絶縁基板２１の両面にドリルま
たはレーザ加工機Ａ，Ｂを配置し、その孔開け軸をビア
ホールの中心軸に対してビアホールの半径より小さい距
離内の対称位置にずらした状態で孔開けを行う。なお、
本実施の形態におけるビアホール形成工程は絶縁基板２
１に対して図６に示すように同時に孔開け加工を行うこ
とも、また絶縁基板の片面に孔開け加工を行った後、絶
縁基板を反転させて同じく孔開け加工を行ってビアホー
ルを形成することもできる。
【００３７】（実施の形態３）つぎに本発明の第３の実
施の形態における配線基板について図面を参照しながら
説明する。
【００３８】図７は本発明の第３の実施の形態における
配線基板の構造を示すものであり、図７（ａ）に示すよ
うにアラミド不織布にエポキシ樹脂を含浸させたアラミ
ドエポキシコンポジット等よりなる絶縁基板３１の両面
に形成されている配線３２ａ、３２ｂは絶縁基板３１に
設けられたビアホール内に金、銀または銅等の粉体とエ
ポキシ樹脂等よりなる導電性ペーストを印刷充填して形
成された横Ｈ型ビアホール導体３３によって電気的に接
続されている。本実施の形態におけるビアホール導体３
３は絶縁基板３１の内部に形成されている柱状部分３３
ａと、柱状部分３３ａに連続して絶縁基板３１の表面に
柱状部分３３ａの径より大なる径を備えて形成されてい
るディスク部分３３ｂとから構成されている。
【００３９】本実施の形態において配線基板が熱膨張ま
たは吸湿によって膨張した場合、配線基板の一部を拡大
して示した図７（ｂ）に見られるようにビアホール導体
３３の付近で発生した応力Ｓはビアホール導体３３のデ
ィスク部分３３ｂを押し上げるように働く。従来の配線
基板の構造ではビアホール導体の絶縁基板表面部は配線
と機械的に接合しているため、このような配線を押し上
げるような応力には弱く、剥離しやすいという点があっ
たが、本実施の形態では図に見られるようにビアホール
導体３３のディスク部分３３ｂは柱状部分３３ａと連続
して形成されているため、鋲止め構造となっており、し
たがって絶縁基板の膨張応力をビアホール導体の機械的
強度によって抑制でき、従来の機械的接合構造に比較し
て優れた接続信頼性を得ることができる。
【００４０】図８は上記第３の実施の形態における配線
基板３４を複数枚、アラミドエポキシコンポジット等の
熱硬化性樹脂含浸繊維基材のプリプレグにビアホール導
体３５を設けて得られる中間接続体３６を介して積層さ
れた多層配線構造を有する配線基板の構造を示すもので
あり、同様に高い接続信頼性を有する多層配線基板を得
ることができる。
【００４１】つぎに本実施の形態における配線基板の製
造方法について、その要点を説明する。本実施の形態に
おける配線基板の製造方法の特徴はビアホール導体３３
の形成方法にあり、その他の工程は従来の全層ＩＶＨ構
造樹脂多層配線基板の製造方法を用いることができる。
【００４２】図９（ａ）〜（ｄ）は本実施の形態におけ
るビアホール導体３３の形成工程を示すものであり、ま
ず図９（ａ）に示すように絶縁基板３１の必要とする位
置に通常のドリル穿孔またはレーザ加工によりビアホー
ル３５を形成し、絶縁基板３１に設けられた複数のビア
ホール３５と同位置においてビアホール３５の直径より
大なる直径を有する開口部３６ａ、３６ｂがそれぞれ設
けられた２枚の離型性フィルム３７ａ、３７ｂを図９
（ｂ）に示すように絶縁基板３１の両面から位置合わせ
して貼着する。つぎに図９（ｃ）に示すように、この絶
縁基板３１を吸引ステージ３８上に配置して下方より減
圧しながらスキージ３９により金、銀または銅等の粉体
とエポキシ樹脂等よりなる導電性ペースト４０を印刷
し、ビアホール３５内に導電性ペースト４０を充填す
る。つぎに離型性フィルム３７ａ、３７ｂを剥離するこ
とにより、図９（ｄ）に示すように柱状部分３３ａおよ
びディスク部分３３ｂよりなる横Ｈ型構造のビアホール
導体３３を形成することができる。
【００４３】なお上記本発明の実施の形態において、絶
縁基板としてアラミドエポキシコンポジットを用いた例
について説明したが、その他ガラスエポキシコンポジッ
ト、ガラスＢＴレジンコンポジットおよびアラミドＢＴ
レジンコンポジット等の熱硬化性樹脂含浸繊維基材を用
いることができる。またビアホール導体として導電性ペ
ーストを用いた例について説明したが、電気めっきまた
は化学めっきによって形成することも可能であり、さら
に金、銀、銅またははんだ等の微粉末をビアホール内に
充填することによっても形成することも可能である。
【００４４】このビアホール導体３３を形成した後、絶
縁基板３１上に通常の製造方法により配線が形成される
が、この配線は銅箔を貼着後、配線パターン状にエッチ
ングする方法、または化学めっき、電気めっきによって
配線パターン状に形成することも可能である。
【００４５】このように上記本発明の各実施の形態によ
れば、配線基板の内部に形成したビアホール導体の構造
を、絶縁基板の熱膨張または吸湿膨張により発生する応
力を分散または低減できる形状とすることにより、配線
基板の表面に形成された配線の基板からの剥離を防止す
ることができ、ビアホール導体と配線との接続信頼性を
向上することが可能となる。
【００４６】
【発明の効果】上記実施の形態より明らかなように本発
明は、絶縁基板にビアホールを形成する際にその基板の
厚み方向に対して斜め方向から穿孔することによってそ
の断面形状が菱形形状を有するように形成するものであ
り、また基板の両面からビアホールの中心軸を変位させ
た状態で穿孔することにより、その断面形状が階段状を
有するように形成するものであり、さらにビアホール導
体を鋲形状を有する横Ｈ型構造とすることにより、配線
基板の熱膨張により発生する応力を分散させたり、抑制
して配線とビアホール導体との接続信頼性を向上させる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施の形態に
おける配線基板の断面図および一部拡大断面図
【図２】（ａ），（ｂ）は同実施の形態における配線基
板を積層して得られる多層配線基板の断面図
【図３】同実施の形態の配線基板の製造方法を説明する
ビアホール形成工程の断面図
【図４】（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実施の形態に
おける配線基板の断面図および一部拡大断面図
【図５】（ａ），（ｂ）は同実施の形態における配線基
板を積層して得られる多層配線基板の断面図
【図６】同実施の形態の配線基板の製造方法を説明する
ビアホール形成工程の断面図
【図７】（ａ），（ｂ）は本発明の第３の実施の形態に
おける配線基板の断面図および一部拡大断面図
【図８】同実施の形態における配線基板を積層して得ら
れる多層配線基板の断面図
【図９】（ａ）〜（ｄ）は同実施の形態の配線基板の製
造方法を説明するビアホール導体形成工程の断面図
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は従来の配線基板の製造方法
を説明する断面図
【図１１】従来の配線基板の一部拡大断面図
【符号の説明】
１１ 絶縁基板 １２ａ，１２ｂ 配線 １３ ビアホール導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤原 三男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 安藤 大蔵 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 坂本 和徳 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 嶋 義幸 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB02 BB12 BB13 BB14 BB25 CC22 CC25 CC31 CD21 CD27 CD32 GG09

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁基板に形成されたビアホール導体の
    断面形状が、前記絶縁基板の厚み方向に対して斜めに形
    成された菱形構造であり、前記絶縁基板の両面に形成さ
    れている配線が前記菱形構造のビアホール導体によって
    電気的に接続されていることを特徴とする配線基板。
  2. 【請求項２】 絶縁基板に形成されたビアホール導体の
    断面形状が、前記絶縁基板の両面から中心軸をずらして
    穿孔された２つの開口部よりなる階段構造であり、前記
    絶縁基板の両面に形成されている配線が前記階段構造の
    ビアホール導体によって電気的に接続されていることを
    特徴とする配線基板。
  3. 【請求項３】 絶縁基板に形成されたビアホール導体の
    断面形状が、前記絶縁基板の厚み方向において同一径を
    有し、前記絶縁基板の表面より突出した部分の断面形状
    が前記ビアホール導体の径より大きい径を有するディス
    ク形状よりなる横Ｈ型構造であり、前記絶縁基板の両面
    に形成されている配線が前記横Ｈ型構造のビアホール導
    体によって電気的に接続されていることを特徴とする配
    線基板。
  4. 【請求項４】 絶縁基板が、ガラスエポキシコンポジッ
    ト、ガラスＢＴレジンコンポジット、アラミドエポキシ
    コンポジットおよびアラミドＢＴレジンコンポジットの
    熱硬化性樹脂含浸繊維基材の少なくとも１種からなるこ
    とを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の配線
    基板。
  5. 【請求項５】 ビアホール導体が、導電性ペースト充填
    法、めっき法または導電性粉末充填法の少なくともいず
    れかの方法により形成されたことを特徴とする請求項１
    から４のいずれかに記載の配線基板。
  6. 【請求項６】 請求項１から５のいずれかに記載の配線
    基板を複数枚、ビアホール導体が設けられている中間接
    続体を介して積層することにより形成された多層配線構
    造を有する配線基板。
  7. 【請求項７】 絶縁基板に複数の貫通孔を設け、前記貫
    通孔にビアホール充填用導電性ペーストを充填したの
    ち、前記絶縁基板の両面に銅箔を貼着して加熱、加圧に
    より前記ビアホール充填用導電性ペーストを硬化させて
    ビアホール導体を形成し、前記銅箔を所定のパターン形
    状にエッチングすることにより配線パターンを形成する
    工程を有する配線基板の製造方法であって、前記貫通孔
    が前記絶縁基板の厚み方向に対して斜めに形成されるこ
    とを特徴とする配線基板の製造方法。
  8. 【請求項８】 絶縁基板に複数の貫通孔を設け、前記貫
    通孔にビアホール充填用導電性ペーストを充填したの
    ち、前記絶縁基板の両面に銅箔を貼着して加熱、加圧に
    より前記ビアホール充填用導電性ペーストを硬化させて
    ビアホール導体を形成し、前記銅箔を所定のパターン形
    状にエッチングすることにより配線パターンを形成する
    工程を有する配線基板の製造方法であって、前記貫通孔
    を前記絶縁基板の両面から中心軸をずらして穿孔するこ
    とにより２つの開口部よりなる階段形状に形成すること
    を特徴とする配線基板の製造方法。
  9. 【請求項９】 絶縁基板に複数の貫通孔を設ける工程
    と、前記絶縁基板の表面に前記貫通孔の直径より大なる
    直径を有する複数の開口部が設けられた離型性フィルム
    を前記貫通孔と前記離型性フィルムの開口部とが合致す
    るように位置合わせして貼着する工程と、前記離型性フ
    ィルムの開口部と前記絶縁基板の前記貫通孔内とにビア
    ホール充填用導電性ペーストを充填したのち前記離型性
    フィルムを剥離する工程と、前記絶縁基板の両面に銅箔
    を貼着して加熱、加圧により前記ビアホール充填用導電
    性ペーストを硬化させてビアホール導体を形成する工程
    と、前記銅箔を所定のパターン形状にエッチングするこ
    とにより配線パターンを形成する工程とを有する配線基
    板の製造方法。
  10. 【請求項１０】 絶縁基板として、ガラスエポキシコン
    ポジット、ガラスＢＴレジンコンポジット、アラミドエ
    ポキシコンポジットおよびアラミドＢＴレジンコンポジ
    ットの熱硬化性樹脂含浸繊維基材の少なくとも１種から
    なる絶縁基板を用いることを特徴とする請求項７から９
    のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
  11. 【請求項１１】 ビアホール導体を、めっき法または導
    電性粉末充填法の少なくともいずれかの方法により形成
    することを特徴とする請求項７から９のいずれかに記載
    の配線基板の製造方法。
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