CN104364924B - 压电器件 - Google Patents

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Abstract

一种压电器件(100A～100D)，具有第一电极膜(4)、设置在第一电极膜上的压电膜(3)、以及设置在压电膜上的第二电极膜(8)。一对电极膜中的至少一者由合金构成，并且合金的主成分是选自Ti、Al、Mg和Zn中的金属。

Description

压电器件
技术领域
本发明涉及压电器件。
背景技术
以往，如专利文献1或2中所公开的，已知的有具有压电膜和位于该压电膜的两侧的一对电极膜的压电器件。已知的电极膜材料是贵金属诸如Au、Pt和Ir。
引文列表
专利文献
专利文献1：日本特开2010-103194号公报
专利文献2：日本特开2006-286911号公报
发明内容
所要解决的技术问题
然而，要求进一步减少压电器件的成本。本发明是鉴于该问题而完成的并且提供一种能够进一步减少成本的压电器件。
解决技术问题的手段
根据本发明的压电器件包括第一电极膜、设置在第一电极膜上的压电膜、以及设置在压电膜上的第二电极膜。一对电极膜的至少一个由合金构成，并且合金的主成分是选自Ti、Al、Mg和Zn中的金属。
(Ti合金)
合金优选是含有Ti作为主成分的合金。更优选地，合金的主成分是Ti并且合金含有Al作为副成分。此外，合金优选是含有90～96原子％(以下at％)的Ti和4～10at％的Al的合金。
另一种优选的配置是：合金的主成分是Ti，并且合金含有Al和V 作为副成分。在这种情况下，合金优选是含有90～96at％的Ti、2～7at％的Al和2～5at％的V的合金。
(Mg合金)
前述合金优选是含有Mg作为主成分的合金。更优选地，合金的主成分为Mg并且合金含有Al作为副成分。此外，合金优选是含有 92～98at％的Mg和2～8at％的Al的合金。
(Al合金)
前述合金优选是含有Al作为主成分的合金。更优选地，合金的主成分是Al并且合金含有选自Cu、Mg和Mn中的元素作为副成分。此外，合金优选是含有90～99at％的Al和1～6at％的选自Cu、Mg和Mn 中的元素的合金。
(Zn合金)
前述合金优选是含有Zn作为主成分的合金。更优选地，合金的主成分是Zn并且合金含有Al作为副成分。合金优选是含有80～92at％的 Zn和8～20at％的Al的合金。
一对电极膜优选具有非取向或非结晶的结构。压电膜优选具有择优取向结构。
在本发明中，“择优取向结构”是指的在X射线衍射测量中，归属于某个晶格面的峰的强度不低于所有峰的总强度的50％的结构。“非取向结构”是指在X射线衍射测量中，归属于任何晶格面的峰的强度低于所有峰的总强度的50％的结构。“非结晶结构”是指在X射线衍射测量中，没有观察到归属于晶格面的峰。
本发明中的电极膜可以含有除了上述元素之外的金属元素，并且还可以含有除了金属之外的元素。
在本发明中，形成一对电极膜的每种金属元素的氧化还原电位优选高于形成压电膜的每种金属元素的氧化还原电位。这使得压电膜在不被电极膜还原的情况下化学稳定和电稳定，由此进一步提高压电器件的寿命和可靠性。
压电膜的一个主面可以与第一电极膜接触，并且压电膜的另一个主面可以与第二电极膜接触(参考图1中的(b))。
在本发明中，为了提高两层膜之间的粘附，压电器件优选进一步包括在至少一个电极膜与压电膜之间的、由选自Al、Ti、Zr、Ta、Cr、 Co和Ni中的金属构成的中间膜。形成该中间膜的金属的氧化还原电位优选低于形成压电膜的任一种金属元素的氧化还原电位。
中间膜可以与电极膜和压电膜接触(参考图1中的(c))。
这里认为在中间膜与压电膜之间发生必要最小的氧化还原反应，以便改善膜之间的粘附。然而，如果过度促进氧化还原反应，则将失去压电膜的组合物平衡，以致引起在一些情况下压电性能劣化；因此，中间膜的膜厚固然存在上限。
当压电器件包括中间膜时，为了防止器件的特性劣化，由导电性氧化物构成的导电性氧化物膜可以设置在电极膜的任一者与压电膜之间，优选设置在中间膜与压电膜之间。这种配置使得压电膜更少可能被电极膜还原，以便进一步改善器件在特性上的劣化。
中间膜或导电性氧化物膜可以与压电膜接触(参考图1中的(d))。
压电器件可以进一步包括在第二电极和压电膜之间的、具有择优取向结构的金属膜，并且金属膜可以与第二电极膜和压电膜接触(参考图1中的(a))。
发明的有益效果
本发明提供了能够进一步减少成本的压电器件。
附图说明
图1中的部分(a)至(d)是根据本发明的实施方式的压电器件的示意截面图。
图2是示出金属的氧化还原电位的表格。
图3中的部分(a)至(g)是示出用于制造图1中的压电器件的方法的示意截面图。
图4是比较例1中的压电器件的示意截面图。
参考符号列表
2：金属膜，3：压电膜，4：第一电极膜，8：第二电极膜，9：中间膜，10：导电性氧化物膜，100A、100B、100C、100D：压电器件。
具体实施方式
以下将参考附图描述本发明的实施方式。
(压电器件100A)
将参考图1中的(a)描述根据本发明的实施方式的压电器件100A。压电器件100A布置在位于支撑衬底5上的树脂层7上，并且依次具有第一电极膜4、压电膜3、金属膜2、以及第二电极膜8。
(压电膜3)
压电膜3是具有压电属性的膜。压电膜优选具有择优取向结构。“择优取向结构”是指在X射线衍射测量中，归属于某个晶格面的峰的强度不低于所有峰的总强度的50％的结构。压电膜3优选是在X射线衍射测量中，归属于某个晶格面的峰的强度不低于所有峰的总强度的 80％的结构。压电膜3优选在(001)或者(110)择优取向。这种配置使压电膜3具有优异的特性的压电属性。
压电膜3的优选例子包括KNN或等价地(K,Na)NbO3(杨氏模量：104GPa)、LN或等价地LiNbO3(杨氏模量：171Gpa)、AIN(杨氏模量：300GPa)等的膜。
压电膜3的厚度没有特别限制，厚度通常在1000nm至4000nm 的范围内。
(电极膜4、8)
第一电极膜4位于压电膜3的底面，而第二电极膜8位于压电膜3 的顶面。
特别地，一对电极膜4、8中的至少一者由合金构成，并且该合金的主成分优选是选自Ti、Al、Mg和Zn中的金属。这里的主成分是在原子比中具有最大浓度的成分。优选地，一对电极膜4、8均由前述合金构成。副成分是除了主成分以外的成分。
(Ti合金)
含有Ti作为主成分的合金例子包括含有Ti作为主成分和Al作为副成分的合金。例如，优选采用含90～96at％的Ti和4～10at％的Al的一种合金。也优选使用含有Ti作为主成分以及Al和V作为副成分的合金。该合金优选是含有90～96at％的Ti、2～7at％的Al和2～5at％的 V的合金。此外，也优选使用含有Al、V和Cr作为副成分的Ti合金。除了Al、V和Ti以外的元素诸如Cr的含量优选不超过2at％。上述合金可以具有在80至100GPa范围内的杨氏模量以及在0.6至1×106S/m 范围内的导电率。
(Mg合金)
含有Mg作为主成分的合金例子包括含有Mg作为主成分和Al作为副成分的合金。例如，优选采用含有92～98at％的Mg和2～8at％的 Al的一种合金。除了Mg和Al之外，也优选使用含有Mn和/或Zn的合金。Mn和Zn各个的含量优选为0.5-5at％。上述合金可以具有在40至45GPa范围内的杨氏模量以及在10至15×106S/m范围内的导电率。铂的导电率大约为10×106S/m。
(Al合金)
含有Al作为主成分的合金例子包括含有Al作为主成分并且选自 Cu、Mg和Mn中的任何元素作为副成分的合金。例如，优选采用含有 90～99at％的Al和1～6at％的选自Cu、Mg和Mn中的元素的一种合金。上述合金可以具有在70至80GPa范围内的杨氏模量以及在15至 20×106S/m范围内的导电率。除了Al、Cu、Mg和Mn以外的第三种添加元素的含量优选不超过2at％。特别地，优选使用含有Al作为主成分和Mg作为副成分的合金。
(Zn合金)
含有Zn作为主成分的合金例子包括含有Zn作为主成分和Al作为副成分的合金。例如，优选采用含有80～92at％的Zn和8-20at％的Al 的一种合金。上述合金可以具有在75至90GPa范围内的杨氏模量以及在15至17×106S/m范围内的导电率。除了Zn和Al以外的第三种添加元素的含量优选不超过2at％。
由于这些合金通常具有比主成分的金属元素更好的抗氧化性，因此压电器件的可靠性得以提高。就压电器件的驱动特性方面而言，电极膜4、8的杨氏模量优选低于压电膜3的杨氏模量。例如，电极膜4、 8的杨氏模量优选不超过100Gpa。
就提高可靠性以防止由于原电池效应的特性劣化方面而言，在形成电极膜4、8的合金中的每种金属元素的氧化还原电位优选高于形成压电膜3的每种金属元素的氧化还原电位。当满足该条件时，在压电膜3和电极膜4、8之间的氧化还原反应被显著地抑制，以减少由于原电池反应的压电膜3的随时间劣化，以便增强该器件的可靠性。各个电极膜4、8的材料优选具有足够高于在后续工艺中所施加的热载荷的熔点。
如上所述，所使用的电极膜4、8的材料可以是除了具有高熔点的 Pt、Ir、Pd和Ph以外的具有相对低熔点的材料中的任何一种。
电极膜4、8的厚度没有特别限制，厚度可以在100nm至200nm 的范围内确定。
各个电极膜4、8优选具有非取向或非结晶结构。两个电极膜均可以具有非结晶结构；或者，这两个电极膜均可以具有非取向结构；或者，电极膜中的其中一个可以具有非取向结构，而另一个电极膜具有非结晶结构。“非取向结构”是指在X射线衍射测量中，归属于任何晶面的峰的强度不低于所有峰的总强度的50％。电极膜4、8优选是在X 射线衍射测量的结果中，归属于某个晶格面的峰强度不高于所有峰的总强度的10％的结构。“非结晶结构”是指在X射线衍射测量中，没有观察到归属于晶格面的峰。
(金属膜2)
金属膜2设置在电极膜8与压电膜3之间，并且金属膜2与压电膜3和第二电极膜8接触。金属膜2具有择优取向结构；即，金属膜2 具有在X射线衍射测量中，归属于某个晶格面的峰的强度不低于所有峰的总强度的50％的结构。金属膜2更优选是在X射线衍射测量中，归属于某个晶格面的峰的强度不低于所有峰的总强度的80％的结构。选择金属膜2的厚以增强与金属膜2接触的外延生长的压电膜3的结晶度。
例如，金属膜2的厚度优选在20nm至70nm的范围内。注意到，在该小的厚度范围内，金属膜2难以独自起到压电器件100A的电极膜的作用。形成金属膜2的金属可以选自具有小于压电膜3的a轴晶格常数的a轴晶格常数并且在压电膜的淀积过程中对温度具有耐热性的金属(包含合金)，并且该金属优选是Pt或Rh。
金属膜2保留在压电膜3和电极膜8之间，而在压电膜3和电极膜4之间不存在其他膜。
(压电器件100B)
根据本发明的实施方式的压电器件100B将参照图1中的(b)进行描述。该压电器件100B与压电器件100A的不同在于压电器件100B 不具有金属膜2，因而电极膜8与压电膜3直接接触。此外，与第一实施方式同样，在压电膜3和电极膜4之间不存在其他膜。
(压电器件100C)
根据本发明的实施方式的压电器件100C将参照图1中的(c)进行描述。该压电器件100C与压电器件100B的不同在于，设置了由具有氧化还原电位比形成压电膜3的金属元素中的任一种的氧化还原电位低的金属构成的中间膜9，一个在电极膜8和压电膜3之间，而另一个在电极膜4和压电膜3之间。
例如，当压电膜3为铌酸钾钠：(K,Na)NbO3时，标准为在除了氧以外的三种元素中间具有最高氧化还原电位的Nb(氧化还原电位： -1.099V)。接着，由具有低于Nb的氧化还原电位的Ti(氧化还原电位： -1.63V)构成的金属膜可以用作中间膜9。这同样也适用于压电膜3为铌酸锂的情况。
中间膜9优选由选自Al、Ti、Ta、Cr、Co和Ni中的任意元素构成。
从使与压电膜3的氧化还原反应最小化同时增加在压电膜3与电极膜4、8之间的粘附的观点来看，中间膜9的厚度优选在2nm至5nm 的范围内。超过5nm的膜厚会使压电膜的特性劣化，并且小于2nm 的膜厚可以导致不足以起到作为粘附层的作用。中间膜9可以具有择优取向结构或可以具有非取向或非结晶结构，但他们优选具有非取向或非结晶结构。择优取向结构、非取向和非结晶结构均如上所述。中间膜9优选是在X射线衍射测量中，归属于任何晶面的峰的强度不高于所有峰的总强度的10％的结构。
例如，当压电膜3由铌酸钾钠构成并且当中间膜9由Ti构成时，由于Ti的氧化还原电位：-1.63V低于Nb的氧化还原电位：-1.099V，因此可以减小压电膜3的表面。因此，中间膜9的厚度优选在足以增加粘附的同时不能过大。
即使形成电极膜4、8的合金的金属元素具有高于形成压电膜3的每种金属元素的氧化还原电位，中间膜9的存在也使得更容易改善两个电极膜4、8与压电膜3之间的粘附强度。
(压电器件100D)
根据本发明的实施方式的压电器件100D将参照图1中的(d)进行描述。该压电器件100D与压电器件100C的不同在于，导电性氧化物膜10分别设置在压电膜3与中间膜9之间。压电器件100D可以具有单个导电性氧化物膜10，并且其可以位于在电极膜4、8与压电膜3之间的任何地方。
导电性氧化物膜10提供抑制中间膜9与压电膜3之间的氧化还原反应的效果。导电性氧化物优选是含有具有高于形成压电膜3的每种金属元素的氧化还原电位的一种金属元素并且含有具有低于形成中间膜9的金属元素的氧化还原电位的金属元素的氧化物。这样的导电性氧化物的例子包括SRO(SrRuO3)、ITO(In2O3-SnO2)等。
导电性氧化物膜10的厚度例如在大约5nm至20nm的范围内。导电性氧化物膜10可以通过例如溅射形成。
导电性氧化物膜10可以具有择优取向结构或可以具有非取向或非结晶结构，但它们优选具有非取向或非结晶结构。择优取向结构、非取向和非结晶结构均如上所述。导电性氧化物膜10优选是在X射线衍射测量中，归属于任何晶面的峰的强度不高于所有峰的总强度的10％的膜。
即，本实施方式的压电器件具有如下所述的效果。由于使用特定的合金，因此电极膜具有高的抗氧化性。电极膜可以用更低的成本制成。由于容易降低电极的杨氏模量，因此可以改善压电器件的性能。增加电极的淀积速率也是可行的。
在压电器件100B～100D中，压电膜3的两个主面均优选与具有非取向或非结晶结构的薄膜接触。在这种情况下，除去在压电膜3的外延生长中所使用的基底膜。
(用于制造压电器件的方法)
随后，将参考图3描述用于制造前述压电器件100A～100D的方法。
首先，如图3中的(a)所示，准备衬底1。衬底1的例子是单晶 Si、蓝宝石、氧化镁等衬底，并且单晶Si衬底特别适当适用于在其上形成PZT压电膜等的情况。
然后，如图3中的(b)所示，在衬底1上形成充当用于压电膜3 用的基底膜的金属膜2。例如，在将衬底1保持在高温的条件下，通过例如蒸发、溅射等以在衬底1上外延生长金属材料的方式获得金属膜 2。例如，当在约400℃～600℃下加热Si衬底1的状态下溅射金属材料时，可以获得金属膜2作为对应于Si衬底1的表面取向的择优取向的一种。尽管金属膜2不是必要的，但是利用金属膜2，压电膜3倾向于具有更高的结晶度。
接着，如图3中的(c)所示，在金属膜2上形成压电膜3。在将基底层即衬底1和金属膜2保持在高温的条件下，通过溅射等以在基底层上外延生长压电材料的方式可以获得择优取向的压电膜3。Si衬底 1和金属膜2优选在大约400℃～600℃下进行加热。
接着，如图3中的(d)所示，在压电膜3上形成电极膜4。
在没有外延生长的情况下，可以优选通过在压电膜3上淀积金属材料获得电极膜4。具体而言，非取向或非结晶结构的膜可以通过经由溅射、蒸发等在低温下淀积金属材料来获得。由于在没有外延生长的情况下形成膜，因此其可以在短时间内以高的淀积速率形成。衬底1 和压电膜3优选保持在室温至200℃的温度范围内。
接着，如图3中的(e)所示，在淀积电极膜4之后，通过树脂层 7将电极膜4接合于支撑衬底5。
支撑衬底5的例子是多晶硅衬底。树脂层7的例子包括环氧树脂和硅树脂，并且特别地，就刚度而言，环氧树脂优选可适用。例如，通过将厚度约2000～5000nm的粘合剂经旋涂涂覆在支撑衬底5和电极膜4上并且接着将它们在真空中层叠并接合的方法，可以实施接合。
接着，如图3中的(f)所示，从金属膜2上除去衬底1。衬底1 的除去可以通过诸如CMP(化学机械抛光)或RIE(反应离子刻蚀) 的方法来实施。在除去衬底1之后，金属膜2即压电膜3用的基底膜被暴露作为最外面的表面。
其后，如图3中的(g)所示，在金属膜2上形成电极膜8。电极膜8可以通过与电极膜4相同的方法形成。这就完成了具有电极膜4、 8和压电膜3的压电器件100A。
如有必要，压电器件100A可以在支撑衬底5上图案化。如有必要，可以形成保护压电器件100A的保护膜。如有必要，可以将压电器件100A单片化；或者，可以在将压电器件100A从支撑衬底5分离之后将其单片化；或者，压电器件100A可以通过将其与支撑衬底5一起切割来进行单片化。
在压电膜3的上下具有电极膜4、8的压电器件100A可以如上所述的方式获得。
在图3的(f)中，也可以通过除去金属膜2还有衬底1来制造压电器件100B。
在压电器件100B的前述过程中，在形成电极膜4、8的各个之前，可以通过形成中间膜9来制造压电器件100C。中间膜可以通过溅射等来形成。中间膜也不必通过外延生长来形成。
在压电器件100B的前述过程中，在形成电极膜4、8的各个之前，通过依次形成导电性氧化物膜10和中间膜9，可以制造压电器件100D。导电性氧化物膜10可以通过溅射等来形成。导电性氧化物膜也不必通过外延生长来形成。
在该压电器件100A中，由于在电极膜4、8的淀积中衬底加热和低速率的溅射不是必要的条件，因此淀积时间从每层10分钟至20分钟的常规时间急剧减少。压电器件的制造成本通过工艺生产量提高与电极膜4、8的材料成本的减少的协同效应显著提高。
实施例
(实施例1)压电器件100A
在400℃加热Si衬底1的状态下，通过溅射在Si衬底1的表面取向上外延生长厚度50nm的Pt膜，以在Si衬底1上获得在(100)择优取向的金属膜2。Pt膜的生长速率为0.2nm/秒。其后，在550℃加热Si衬底1的状态下，通过溅射在金属膜2上外延生长厚度2000nm 的铌酸钾钠(KNN)膜作为压电膜3，以获得在(110)择优取向的压电膜3。其后，在室温下，通过溅射在压电膜3上淀积厚度200nm的 Zn-Al合金(原子组分：Zn88Al12；杨氏模量90GPa，小于压电膜3的杨氏模量；电阻率6.38×10-8Ωm)膜，以获得非结晶的电极膜4。其后，通过环氧树脂层7将电极膜4接合于Si支撑衬底5。其后，通过基于 RIE的刻蚀工艺，从金属膜2上除去Si衬底1。然后，在室温下，通过溅射在金属膜2上形成厚度200nm的Zn-Al合金膜(其组成和属性与电极膜4的组成和属性相同)，以获得非结晶的电极膜8。电极膜8 的淀积速率为2nm/秒。
(实施例2)压电器件100B
除了在Si衬底1的除去过程中刻蚀Si衬底1之外还刻蚀金属膜2 以外，以与实施例1相同的方式获得压电器件100B。
(实施例3)压电器件100C
除了通过溅射在压电膜3和两个电极膜4、8之间设置厚度5nm的由Ti构成的非取向结构的中间膜9以外，以与实施例2相同的方式获得压电器件100C。该配置在电极膜4、8与压电膜3的粘附方面上得到改善。
(实施例4)压电器件100D
除了通过溅射分别在中间膜9与压电膜3之间设置厚度20nm的由 SrRuO3构成的非取向结构的导电性氧化膜10以外，以与实施例3相同的方式获得压电器件100D。本实施例抑制中间膜9与压电膜3之间的氧化还原反应，同时增强电极膜4、8与压电膜3之间的粘附，由此实现基于压电膜3的化学稳定性的器件的高可靠性。
(实施例5)压电器件100A′
除了Al95-Cu5合金用作电极膜4、8以外，以与实施例1相同的方式获得压电器件100A′。
(实施例6)压电器件100A″
除了Ti90Al6V4合金用作电极膜4、8以外，以与实施例1相同的方式获得压电器件100A″。
(实施例7)压电器件100A′″
除了Mg96Al4合金用作电极膜4、8以外，以与实施例1相同的方式获得压电器件100A′″。
(比较例1)压电器件
在400℃加热Si衬底1的状态下，通过溅射在Si衬底1的表面取向上外延生长厚度200nm的Pt膜，以在Si衬底1上获得在(100)择优取向的电极膜8′。此时的淀积速率为0.2nm/秒。其后，在550℃加热Si衬底1的状态下，通过溅射在电极膜8′上外延生长厚度2000nm 的铌酸钾钠(KNN)膜作为压电膜3，以获得在(110)择优取向的压电膜3。其后，在室温下，通过溅射在压电膜3上淀积厚度200nm的 Pt膜，以获得非取向的电极膜4。其后，通过环氧树脂层7将电极膜4 接合于Si支撑衬底5。其后，通过基于RIE的刻蚀工艺，从电极膜8′上除去Si衬底。图4示出了所得到的器件的配置。
实施例1和比较例1的压电器件进行图案化以便形成可移动部分尺寸为1mm×2mm的压电可移动部分，并且除去支撑衬底5以获得矩形压电器件。用柔性电缆接线将这些压电器件固定于不锈钢薄板，然后将电压施加于各个压电器件中的一对电极膜，并且比较薄板的位移。将5KHz且0～10V的交流(AC)电压施加于各个压电器件，以实施其位移。位移如下进行确定：将激光束施加于事先布置在不锈钢薄板上的Au膜，其反射束由激光多普勒测量器件接收，并且计算出每单位施加电压的位移。实施例1的压电器件的位移为15.3nm/V，并且比较例1的压电器件的位移为11.2nm/V。与实施例1的情况同样，实施例 2～5的压电器件的位移也足够大于比较例的位移。
接着，在实施例1和比较例1的压电器件中的压电膜的结晶度作出比较。通过使用Rigaku公司的ATX-E作为测量器件和平面外方法作为测量方法的X射线衍射仪来进行测量。在该条件下，测量了(110) 取向的峰的强度占总的峰强度的百分比；在第一实施例的膜配置中，发现该百分比为92％，并且在比较例的膜配置中，该百分比为61％。
在实施例1和比较例1的压电器件中，电极膜8和电极膜8′的淀积时间分别为1分40秒和大约17分钟。

Claims (7)

1.一种压电器件，其中，
包括：
第一电极膜；
压电膜，其设置在所述第一电极膜上；以及
第二电极膜，其设置在所述压电膜上，
所述压电膜由(K,Na)NbO3或LiNbO3构成，
所述第一电极膜和第二电极膜中的至少一个由合金构成，并且所述合金的主成分是Zn，
所述第一电极膜和第二电极膜中的至少一个的杨氏模量小于所述压电膜的杨氏模量。
2.根据权利要求1所述的压电器件，其中，
所述合金的主成分是Zn，并且所述合金含有Al作为副成分。
3.根据权利要求2所述的压电器件，其中，
所述合金含有80～92at％的Zn和8～20at％的Al。
4.根据权利要求1所述的压电器件，其中，
所述第一电极膜和第二电极膜具有非取向或非晶结构。
5.根据权利要求1所述的压电器件，其中，
所述压电膜具有择优取向结构。
6.根据权利要求1所述的压电器件，其中，
还包括：在所述压电膜与至少一个所述电极膜之间的由选自Al、Ti、Zr、Ta、Cr、Co和Ni中的一种元素构成的中间膜，
构成所述中间膜的金属的氧化还原电位，比构成所述压电膜的全部的金属元素的氧化还原电位低，
所述中间膜具有非取向或非结晶结构，
所述中间膜的膜厚为2～5nm。
7.根据权利要求6所述的压电器件，其中，
还包括在所述压电膜和至少一个所述电极膜之间的导电性氧化物膜。
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