CN104285372A - 表面安装型压电振荡器 - Google Patents
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Abstract
本压电振荡器具有：基底(1)、集成电路元件(2)、以及压电振动元件(3)。基底(1)具有：包括交流输出用端子的外部端子、以及内部端子焊盘。基底(1)由在四个角部形成有半圆孔包边部(C1～C4)的三层以上的矩形状的陶瓷基板层层压而构成。在所述内部端子焊盘之中，集成电路元件用的内部端子焊盘(NT1，NT2)与压电振动元件用的内部端子焊盘(NT7，NT8)通过在中间层的陶瓷基板的角部的半圆孔包边部(C3，C4)的上表面形成的外部露出配线图案(H9，H10)连接。
Description
技术领域
本发明涉及一种表面安装型压电振荡器(以下仅称为压电振荡器)，该表面安装型压电振荡器利用基底与盖体构成封装体，且在该基底的收纳部中收纳有压电振动元件和集成电路元件，所述基底的上表面形成开口，且在内部具有收纳部，所述盖体对所述开口进行密封，本发明特别涉及改善压电振荡器的封装体结构。
背景技术
使用有水晶振动板等压电振动元件的压电振荡器能够稳定地获得精度高的振荡频率。因此，上述压电振荡器作为电子设备等的基准频率源而使用于多种领域。在这种压电振荡器中，所述集成电路元件配置于上表面形成有开口的绝缘性基底的收纳部，并且压电振动元件支撑固定于集成电路元件的上方，通过盖体对基底内部进行气密密封。这种结构通过单芯片集成电路元件的定制化而成为部件数量较少且简单的结构，并且有助于低成本化，所述单芯片集成电路元件内置有CMOS等的反相放大器作为振荡用放大器。对于这种压电振荡器而言，由于与引线接合法相比较，能够实现小型化、低背化，因此，也如专利文献1所示，近年来大多使用金等金属凸块，通过超声波热压接以倒装芯片接合方式(flip chip bonding)，将集成电路元件的焊盘接合至陶瓷基底的收纳部的内部端子焊盘。
此外，图10示出收纳在上述基底内的压电振荡器的电路的一例。
100为集成电路元件，200为压电振动元件。
集成电路元件100例如包括：反相放大器AMP1，AMP2、反馈电阻器Rf、限制电阻器Rd、以及电容器C1，C2。P1～P3为集成电路元件100侧的信号输入输出部。P4、P5为压电振动元件200侧的信号输入输出部。从集成电路元件100的输出部P3输出交流或高频的信号i1。交流信号i2在压电振动元件200的输入输出部P5、P4与集成电路元件100的输入输出部P1、P2之间流动。集成电路元件、压电振动元件通过如上所述的电路连接方式收纳于基底内。信号i1、i2的输入输出部P1～P5在基底内，通过集成电路元件的焊盘、基底的内部端子焊盘、压电振动元件的焊盘、以及配线图案来连接。
专利文献1：日本特开2001-291742号公报
对于如上所述的压电振荡器而言，若使其小型化，则容易因多余的辐射(以下称为辐射噪声)而对压电振荡器的动作产生不良影响，上述多余的辐射是从与集成电路元件的输出焊盘(与图10的信号输出部P3相对应的焊盘)连接的基底的输出用内部端子焊盘产生交流或高频的信号时的辐射，该交流或高频的信号流经输出用配线图案等(集成电路元件的信号输出部)。
特别对于压电振荡器而言，即使当流经集成电路元件的信号输出部的集成电路元件信号的频率、与流经输入用内部端子焊盘及连接上述输入用内部端子焊盘的配线图案等(压电振动元件的连接部)的压电振动元件信号的频率相同，也会在两个信号之间产生由相位偏差或信号波形差异引起的电位差，上述输入用内部端子焊盘连接压电振动元件的信号输入输出部。因此，有时会因上述不同点，并且由于所述集成电路元件信号与所述压电振动元件信号的相互作用而引起动作上的不良状况。一般而言，在压电振动元件用的连接部中，压电振动元件信号为正弦波，与此相对，在所述集成电路元件的输出部中，集成电路元件信号成为矩形波，因此，在集成电路元件信号中除了包含主振动以外，还包含成为辐射噪声的高频成分。压电振荡器的频率越高，则这种高频噪声成分越容易作为电磁波而进行辐射。该辐射有可能会对成为发信源的压电振动元件的信号等产生不良影响。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种压电振荡器，该压电振荡器具有即使小型化也不易受到辐射噪声的不良影响的结构，并且电气特性优异、且动作上的可靠性高。
(1)为了达到上述目的，本发明的压电振荡器具有：
绝缘性基底，由俯视外形为矩形形状且层压为三层以上的多个陶瓷基板层构成，且在所述多个陶瓷基板层的所述矩形的四个角部，分别形成有沿上下方向伸长的半圆孔包边部(castellation)，且具有形成有多个内部端子焊盘的收纳部、及在外底面形成有四个以上的外部端子的外装部；
集成电路元件，与所述多个内部端子焊盘的一部分电连接；以及
压电振动元件，与所述多个内部端子焊盘的另一部分电连接，且与所述集成电路元件电连接，
其特征在于，
所述外部端子之中的所述四个外部端子以不与所述四个角部的半圆孔包边部接触的状态下接近而形成，
所述四个外部端子之中的一个外部端子构成交流输出用外部端子，
所述多个内部端子焊盘的所述一部分与所述另一部分形成于不同的陶瓷基板层各自的面(以下称为异层面)，
连接所述多个内部端子焊盘的所述一部分与所述另一部分的外部露出配线图案，仅形成于所述三层以上的陶瓷基板层之中的中间层的陶瓷基板层的所述矩形的四个角部之中的一对角部的一个第一半圆孔包边部的上表面与第二半圆孔包边部的上表面，所述中间层的陶瓷基板层位于最上层的陶瓷基板层与最下层的陶瓷基板层之间，
所述第一半圆孔包边部为在所述基底的长边方向上，与该矩形的四个角部之中的接近于所述交流输出用外部端子的角部的第三半圆孔包边部相对置的半圆孔包边部，
所述第二半圆孔包边部为在所述基底的所述俯视矩形上，位于所述第三半圆孔包边部的对角线方向的角部的半圆孔包边部。
根据本发明，关于将所述集成电路元件用的第一焊盘与所述压电振动元件用的第二焊盘予以连接的配线图案的一部分，仅利用在中间层的陶瓷基板层的一对角部的半圆孔包边部的上表面形成的外部露出配线图案来连接所述两个异层面，据此，能够将连接集成电路元件用的第一焊盘与压电振动元件用的第二焊盘的导电路径(配线图案)之中的连接所述两个异层面之间的导电路径，配置于远离所述交流输出用外部端子的位置。
对于连接陶瓷基板层的异层面之间的导电路径即所述外部露出配线图案而言，当产生由流经所述交流输出用外部端子的交流或高频信号引起的辐射噪声时，由于与该辐射噪声的发生源相对置的面积大于其他配线图案，因此，该外部露出配线图案成为最易受到所述辐射噪声的不良影响的部分。然而，在本发明中，即使产生所述辐射噪声，由于将所述外部露出配线图案配置于远离该交流输出用外部端子的位置，因此能够极力抑制所述辐射噪声造成的不良影响。
特别是，若压电振荡器小型化，则外部端子、配线图案、内部端子焊盘等的形成位置逐步受到限制，所述交流输出用外部端子与所述外部露出配线图案的距离也变短，也更易受到所述辐射噪声的不良影响，但是在本发明中，能够抑制辐射噪声的不良影响而不会妨碍表面安装型压电振荡器的小型化。
另外，由于还能够将所述外部露出配线图案活用作对压电振动元件的特性进行测量的外部测定端子，因此，无需为了设置外部测定端子而在基底的长边或短边上另行形成半圆孔包边部。特别是若压电振荡器小型化，则因在基底的长边或短边上形成半圆孔包边部，导致基底的收纳部变窄，基底的强度下降，难以确保与盖体之间的密封区域的问题更为显著，但是不会产生上述不良情况。另外，由于在最终产品的状态下进行测量，因此能够进行更准确的测量。
另外，由于以不与基底外底面的四个角部的半圆孔包边部接触的状态下接近地形成四个外部端子，且外部露出配线图案仅形成于中间层的陶瓷基板层的一对角部的半圆孔包边部的上表面，因此，即使将压电振荡器焊接接合于电路基板，焊料也不会沿着基底的半圆孔包边部而上溢，即使通过金属系的密封材料，将盖体接合于基底的密封区域，该密封材料也不会沿着基底的半圆孔包边部而下落。因此，外部端子与所述外部测定端子不会短路，盖体的密封材料与外部测定端子也不会短路。
(2)在本发明中，优选的方式也可以如本发明的权利要求2所示，除了上述结构之外，搭载于所述基底的收纳部的压电振动元件，为使盖体覆盖于最上层的陶瓷基板层的上表面的接合区域而被气密密封，所述最上层的陶瓷基板层的上表面的接合区域被构成为将中央的矩形状的空间予以包围的矩形状的框体，所述最上层的陶瓷基板层是，仅在所述框体的外侧的四个角部形成有所述半圆孔包边部，在所述框体的内侧的四个角部形成有去角部或曲率部。
根据上述结构，除了上述作用效果之外，由于最上层的陶瓷基板层的半圆孔包边部仅位于所述框体的外侧的四个角部，且在接近于该半圆孔包边部的所述框体的内侧的四个角部形成有去角部或曲率部，因此，能够使基底的强度提高，并且能够对应于压电振荡器的进一步小型化而不会使与盖体接合的接合区域变窄。
(3)在本发明中，优选的实施方式如本发明的权利要求3所示，除了上述结构之外，所述集成电路元件为矩形状，且于一个主面上具有经由凸块而与所述多个内部端子焊盘的所述一部分倒装芯片接合的焊盘，
所述集成电路元件的所述焊盘具有：接近于所述集成电路元件的第一边而形成的两个相对置的第一焊盘、接近于与所述集成电路元件的所述第一边相对置的第二边而形成的两个相对置的第二焊盘、以及分别形成在所述第一焊盘与所述第二焊盘之间的两个相对置的第三焊盘，所述两个第二焊盘之中的一个成为交流输出部，
所述基底的所述多个内部端子焊盘具有：
两个相对置的第一内部端子焊盘，与所述压电振动元件电连接，并且与所述集成电路元件的所述两个相对置的第一焊盘接合；
两个相对置的第二内部端子焊盘，与所述两个相对置的第二焊盘接合；以及
两个相对置的第三内部端子焊盘，分别与所述两个相对置的第三焊盘接合，且介于所述第一内部端子焊盘与所述第二内部端子焊盘之间，
沿着所述两个相对置的第一内部端子焊盘各自的周围的一部分，在同一面上分别形成所述两个相对置的第三内部端子焊盘、及分别使该两个相对置的第三内部端子焊盘延伸的两个配线图案，从而构成辐射噪声阻断用导电路径，
所述第一内部端子焊盘与所述第二内部端子焊盘以所述辐射噪声阻断用导电路径为间隔而隔开。
根据上述结构，除了上述作用效果之外，沿着所述第一内部端子焊盘的周围的一部分，在同一面上形成所述第三内部端子焊盘、及使该第三内部端子焊盘延伸的配线图案，据此，能够介于同一面的所述第三内部端子焊盘及其配线图案，隔开地形成与所述压电振动元件电连接的第一内部端子焊盘及第二内部端子焊盘，所述第二内部端子焊盘中的一个包含所述交流输出部。因此，即使流经所述第二内部端子焊盘中的一个的交流或高频信号产生多余的辐射噪声，该辐射噪声也会被由所述第三内部端子焊盘与使该第三内部端子焊盘延伸的配线图案构成的导电路径阻断，从而难以到达在同一面上与更易受到不良影响的所述压电振动元件连接的第一内部端子焊盘。也就是，能够抑制由所述第二内部端子焊盘的交流输出产生的多余辐射(辐射噪声)的影响波及到电连接于所述第一内部端子焊盘的压电振动元件。
特别对于在压电振荡器而言，即使当流经所述第二内部端子焊盘中的一个的交流输出部的信号的频率、与流经连接压电振动元件的所述第一内部端子焊盘的信号的频率相同时，也会导致相位偏移，进而会因信号波形不同而产生电位差，因此，有时会因这些不同点而引起如下不良状况，该不良状况由所述第二内部端子焊盘的交流输出侧与所述第一内部端子焊盘的相互作用而产生。与此相对，根据本发明，由于利用由同一面的所述第三内部端子焊盘与使该第三内部端子焊盘延伸的配线图案构成的导电路径，阻断与所述压电振动元件电连接的第一内部端子焊盘及第二内部端子焊盘阻断，因此，能够抑制由所述相互作用而产生的不良状况，所述第二内部端子焊盘中的一个包含所述交流输出部。
(4)在本发明中，优选的实施方式如本发明的权利要求4所示，除了上述结构之外，所述压电振动元件为经AT切割的水晶振动板。
(5)在本发明中，优选的实施方式如本发明的权利要求5所示，除了上述结构之外，所述基底由最下层的底部、中间层的第一堤部、以及最上层的第二堤部构成，所述最下层的底部以由陶瓷材料构成的俯视矩形状的一块板构成，所述中间层的第一堤部由陶瓷材料呈俯视框形状地层压于所述最下层的底部上，所述最上层的第二堤部由陶瓷材料呈俯视框形状地层压于所述中间层的第一堤部上，
所述最下层的基底的收纳部具有：第一收纳部，由所述中间层的第一堤部形成且收纳所述集成电路元件；以及第二收纳部，由所述最上层的第二堤部形成且收纳所述压电振动元件，在所述第一收纳部的内底面形成有所述多个内部端子焊盘。
(6)在本发明中，优选的实施方式如本发明的权利要求6所示，除了上述结构之外，所述基底由中间层的中板部、上层的第三堤部、以及下层的第四堤部构成，所述中间层的中板部为由陶瓷材料而形成为俯视矩形状的一块板，所述上层的第三堤部由陶瓷材料呈俯视框形状地层压于所述中间层的中板部上方，所述下层的第四堤部由陶瓷材料呈俯视框形状地层压于所述中间层的中板部下方，所述基底的收纳部由第三收纳部与第四收纳部形成，所述第三收纳部由所述上层的第三堤部形成且收纳所述压电振动元件，所述第四收纳部由所述下层的第四堤部形成且收纳所述集成电路元件，在所述第四收纳部的内底面形成有所述第一～第三内部端子焊盘。
(7)在本发明中，优选的实施方式如本发明的权利要求7所示，除了上述结构之外，其具有：两个第一配线图案，使所述两个相对置的第一内部端子焊盘分别延伸至所述基底的所述矩形的四个角部的四个半圆孔包边部之中的所述第一半圆孔包边部及所述第二半圆孔包边部；两个第二配线图案，使所述两个相对置的第二内部端子焊盘分别延伸至与所述第一半圆孔包边部及所述第二半圆孔包边部相对置的剩余的两个半圆孔包边部；以及两个噪声阻断用配线图案，在所述基底的短边方向上，从使所述两个相对置的第三内部端子焊盘分别延伸的所述两个配线图案延伸至所述基底的内底面的端部为止。
(8)在本发明中，优选的实施方式如本发明的权利要求8所示，除了上述结构之外，所述中间层的所述陶瓷基板层的半圆孔包边部与所述最上层及所述最下层的所述陶瓷基板层各自之中的至少一个半圆孔包边部相比较，相对朝内侧凹陷。
如上所述，本发明的目的在于提供一种压电振荡器，该压电振荡器对应于小型化，并且不易受到辐射噪声的不良影响，电气特性优异、且可靠性更高。
附图说明
图1是示出本发明的第一实施例的剖视图。
图2是本发明的第一实施例中的搭载图1的集成电路元件与压电振动元件之前的基底的俯视图。
图3是本发明的第一实施例中的图1的基底的仰视图。
图4是适用于本发明的集成电路元件的仰视图。
图5是示出本发明的第二实施例的剖视图。
图6是本发明的第二实施例中的搭载图5的集成电路元件之前的基底的仰视图。
图7是涉及本发明的第三实施例的搭载集成电路元件与压电振动元件之前的基底的俯视图。
图8是涉及本发明的第四实施例且示出基底的半圆孔包边部的变形例的剖视图。
图9是示出本发明的第五实施例的剖视图。
图10是压电振荡器的电路图。
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的实施例所涉及的压电振荡器进行说明。图1～图3示出本发明的第一实施例，图4是适用于本发明的集成电路元件的仰视图。图5和图6示出本发明的第二实施例，图7示出本发明的第三实施例，图8示出本发明的第四实施例，图9示出本发明的第五实施例。在各实施例中，对共同或对应的部分标注有相同的符号。在各实施例中，将水晶振荡器用作压电振荡器。
参照图1～图4对第一实施例进行说明。
水晶振荡器6具备：具有凹部的基底1、收纳在基底1的凹部下方的集成电路元件2、收纳在基底1的凹部上方的压电振动元件3、以及接合于基底1的开口部的盖体4。通过基底1与盖体4，构成水晶振荡器6的封装体。使用密封材料5将基底1与盖体4接合。压电振动元件3例如由经AT切割的水晶振动板构成。基底1的内部通过密封材料5的接合而被气密地密封。
在水晶振荡器6中，基底1仅上部形成开口。集成电路元件2收纳于基底1的内底面10a1。压电振动元件3收纳于基底1的上部。水晶振荡器6为层压有集成电路元件2与压电振动元件3的层压型配置的水晶振荡器。
基底1的陶瓷基板层层压为三层，且整体上成为长方体。基底1由最下层的底部11、中间层的堤部12、以及最上层的堤部13构成。底部11由俯视矩形状的一块板构成，该一块板由氧化铝等绝缘性的陶瓷材料构成。堤部12、13通过氧化铝等绝缘性的陶瓷材料而形成为俯视框形状。
根据该结构，在剖视观察时，基底1形成为具有凹形的收纳部10的箱状体。堤部13的上表面形成为平坦面。堤部12、13构成基底1的侧壁部。堤部13的上表面成为基底1的上端面。收纳部10为俯视矩形状，且由下部侧的第一收纳部10a与上部侧的第二收纳部10b构成。集成电路元件2收纳于第一收纳部10a。压电振动元件3收纳于第二收纳部10b。在堤部13的框体内侧的四个角部形成有曲率部R1、R2、R3、R4。基底1为底部11、堤部12、13的三层结构，但根据基底1的收纳部10的结构，该基底1还可以为单层或二层的结构，也可以为四层以上。
基底1的堤部13的上表面成为与盖体4接合的接合区域13a。该接合区域13a由金属膜构成。具体而言，接合区域13a由钨或钼等金属化材料构成的金属化层、层压于该金属化层的镍层、以及层压于该镍层的金层这三层金属膜构成。钨或钼是活用厚膜印刷技术且通过金属化技术，在陶瓷煅烧时一体地形成。在该金属化层上，通过镀覆而依次形成镍层与金层。
在俯视矩形形状的基底1的外周壁上，在该矩形的四个角部形成有沿着上下方向伸长的多个半圆孔包边部(凹陷)C1、C2、C3、C4。上述半圆孔包边部相对于基底1的外周壁，沿着上下方向形成有圆弧状的缺口。接合区域13a通过导电通孔V2或形成于半圆孔包边部C2上部的未图示的配线图案之中的至少任意一个，电气导出到形成在基底1的外底面1a2上的外部端子焊盘GT2，所述导电通孔V2上下地贯穿连接基底1的堤部12、13。外部端子焊盘GT2连接于地线，据此，使得金属制的盖体4经由接合区域13a、以及导电通孔或半圆孔包边部上部的配线图案等而接地。由于上述盖体4接地，故而能够获得水晶振荡器6的电磁屏蔽效果。
在基底1内，通过堤部12而形成有用于收纳集成电路元件2的俯视大致矩形状的第一收纳部10a。堤部12的图中左右两侧的内侧面相比堤部13更向内方突出，在图中，堤部12的左侧的突出部分成为保持压电振动元件3的一端部的保持台10c，图中右侧的突出部分成为枕部10d，该枕部10d位于介于第一收纳部10a而与保持台10c相对置的位置。在第一收纳部10a的上方，形成有由堤部13构成的第二收纳部10b。此外，在第一收纳部10a的内底面10a1(基底1的内底面)上，沿着图中左右方向并排设置有分别位于图中上下的两个成对的第一内部端子焊盘NT1，NT2、第二内部端子焊盘NT3，NT4、以及第三内部端子焊盘NT5，NT6。第一收纳部10a被形成为具有与所述并排设置方向相平行的两条既定边101a、102a的俯视大致矩形状。
在基底1的最下层即底部11的上表面也就是第一收纳部10a的内底面10a1上，并排地形成有与集成电路元件2的各焊盘连接的多个矩形状的内部端子焊盘NT(NT1～NT6的总称)、以及使上述多个矩形状的内部端子焊盘NT延伸的配线图案H(后述的H1～H6的总称)。具体而言，如图2所示，在内部端子焊盘NT上，两个成对的第一内部端子焊盘NT1、NT2中的一个用以输入交流信号，另一个用以输出交流信号，该第一内部端子焊盘NT1、NT2电连接于压电振动元件3的省略图示的信号输入焊盘和信号输出焊盘，且与集成电路元件2的两个成对的第一焊盘21、22连接。在集成电路元件2的第一焊盘21、22之中，一个经由第一内部端子焊盘NT1、NT2中的一个而连接于压电振动元件3的信号输入焊盘，另一个经由第一内部端子焊盘NT1、NT2中的另一个而连接于压电振动元件3的信号输出焊盘。两个成对的第二内部端子焊盘NT3、NT4中的一个用以输出集成电路元件2的交流信号，另一个用以使集成电路元件2接地，该第二内部端子焊盘NT3、NT4与集成电路元件2的两个成对的第二焊盘23、24连接。在这种情况下，在第一实施例中，集成电路元件2的第二焊盘23成为从集成电路元件2输出交流信号的焊盘，所输出的交流信号被输出到第二内部端子焊盘NT3。两个成对的第三内部端子焊盘NT5、NT6均为被施加有直流电位的焊盘，且与集成电路元件2的两个成对的第三焊盘25、26连接。所述直流电位或接地电位由集成电路元件2施加。在配线图案H中，第一配线图案H1、H2分别使第一内部端子焊盘NT1、NT2延伸。第二配线图案H3、H4分别使第二内部端子焊盘NT3、NT4延伸。第三配线图案H5、H6分别使第三内部端子焊盘NT5、NT6延伸。此外，两个成对的第三内部端子焊盘NT5、NT6均被施加有直流电位，但也可以与接地电位组合。
另外，如图2所示，沿着第一内部端子焊盘NT1的两条边的周围(局部周围)形成第三内部端子焊盘NT5和第三配线图案H5，并且沿着第一内部端子焊盘NT2的两条边的周围(局部周围)形成第三内部端子焊盘NT6和第三配线图案H6。第三内部端子焊盘NT5和第三配线图案H5、以及第三内部端子焊盘NT6和第三配线图案H6均形成辐射噪声阻断用导电路径，所述辐射噪声阻断用导电路径进行阻断，以使来自集成电路元件2的第二焊盘23的辐射噪声不会到达第一内部端子焊盘NT1、NT2侧。第一内部端子焊盘NT1、NT2与第二内部端子焊盘NT3、NT4以所述辐射噪声阻断用导电路径为间隔而相互隔开。据此，抑制了由集成电路元件2的第二焊盘23产生的辐射噪声到达第一内部端子焊盘NT1、NT2侧。由于辐射噪声阻断用导电路径具有阻断辐射噪声的作用，因此，直流电位施加至第三内部端子焊盘NT5、NT6。该电位由集成电路元件2施加。当然，与前述同样地，也可以与接地电位组合。
进而，第一内部端子焊盘NT1、NT2和第二内部端子焊盘NT3、NT4在与第一收纳部10a的既定边101a、102a相平行的方向上，形成得比第三内部端子焊盘NT5、NT6更宽阔，所述第三内部端子焊盘NT5、NT6位于第一内部端子焊盘NT1、NT2和第二内部端子焊盘NT3、NT4之间。另外，相对于穿过第一收纳部10a的中心点O且与既定边101a、102a平行的虚拟线L1，第一内部端子焊盘NT1，NT2、第二内部端子焊盘NT3，NT4、以及第三内部端子焊盘NT5，NT6大致对称地对置配置。第三内部端子焊盘NT5、Nt6沿着与穿过第一收纳部10a的中心点O且与既定边101a、102a正交的虚拟线L2大致对置配置。
此外，在第一实施例中，沿着NT11，NT21与NT12，NT22这两条边的周围，呈大致L字形状且相对于虚拟线L1大致对称地形成有第三内部端子焊盘NT5、NT6与第三配线图案H5、H6，所述NT11，NT21是形成为矩形状的第一内部端子焊盘NT1，NT2之中最靠近第二内部端子焊盘NT3、NT4的一条边，所述NT12，NT22是最靠近面向外部环境的堤部12的一条边。即，第三内部端子焊盘NT5与第三配线图案H5为呈大致L字形状地形成包围第一内部端子焊盘NT1的第一辐射噪声阻断用导电路径，另外，第三内部端子焊盘NT6与第三配线图案H6为呈大致L字形状地形成包围第一内部端子焊盘NT2的第二辐射噪声阻断用导电路径。这样，使第三内部端子焊盘NT5、NT6与第三配线图案H5、H6呈大致L字形状而形成所述辐射噪声阻断用导电路径，据此，不会随着形成上述各导电路径而使第一收纳部10a的面积不必要地扩大，且第一内部端子焊盘NT1、NT2会确实地被各导电路径包围，另外，能够以各导电路径为间隔而与第二内部端子焊盘NT3、NT4隔开。
在基底1的最下层即底部11的下表面(构成外装部的一部分)上，形成有与外部部件或外部设备连接的多个外部端子焊盘GT。具体而言，如图3所示，以不与基底1的底面的四个角部的半圆孔包边部C1、C2、C3、C4接触的状态下，接近地形成外部端子焊盘GT1、GT2、GT3、GT4。另外，外部端子焊盘GT1、GT2、GT3、GT4经由导电通孔V1、V2、V3、V4，且经由第二配线图案H3、H4与第三配线图案H5、H6，电气导出到第二内部端子焊盘NT3、NT4与第三内部端子焊盘NT5、NT6中的任一个，上述导电通孔V1、V2、V3、V4上下地贯穿连接基底1的底部11。此外，在本发明中，第二内部端子焊盘NT3和第二配线图案H3与后述的成为集成电路元件2的交流输出部的第二焊盘23连接，且通过将基底的底部11上下地贯穿连接的导电通孔V1，电气导出到形成于基底底面侧的外部端子焊盘GT1，据此，最终构成为交流输出用外部端子。
在基底1的中间层即堤部12的上表面(第二收纳部10b的内底面)上，形成有搭载压电振动元件3的保持台10c。在保持台10c的上表面上，形成有与压电振动元件3的激励电极连接的第四内部端子焊盘NT7，NT8、以及分别使第四内部端子焊盘NT7、NT8延伸的第四配线图案H7、H8。更具体而言，与压电振动元件3的一个激励电极31相连接的第四内部端子焊盘NT7通过第四配线图案H7而延伸至堤部12的角部的半圆孔包边部C3为止。延伸至该半圆孔包边部C3为止的第四配线图案H7仅利用如下部分、及在除了堤部13和底部11以外的堤部12的半圆孔包边部C3的上表面上形成的外部露出配线图案H9，来连接两个异层面(最下层即底部11的上表面与中间层即堤部12的上表面)，上述部分为通过第一配线图案H1而从所述第一内部端子焊盘NT1延伸至底部11的角部的半圆孔包边部C3为止的部分。另外，与压电振动元件3的另一个激励电极32相连接的第四内部端子焊盘NT8通过第四配线图案H8而延伸至堤部12的角部的半圆孔包边部C4为止。延伸至该半圆孔包边部C4为止的第四配线图案H8仅利用如下部分、及在除了最上层的堤部13和最下层的底部11以外的中间层的堤部12的半圆孔包边部C4的上表面上形成的外部露出配线图案H10，来连接两个异层面(最下层即底部11的上表面与中间层即堤部12的上表面)，上述部分为通过第一配线图案H2而从第一内部端子焊盘NT2延伸至底部11的角部的半圆孔包边部C4为止的部分。
如上所述结构的基底1使用众所周知的陶瓷层压技术和金属化技术而形成，所述各内部端子焊盘、外部端子焊盘、以及配线图案为如下结构，该结构为与接合区域13a的形成过程同样地，在基于钨或钼等的金属化层的上表面上形成镀镍层、镀金层的各个层而成。
另外，外部露出配线图案H9、H10形成于半圆孔包边部C3、C4，该半圆孔包边部C3、C4位于远离交流输出用外部端子GT1的位置。也就是，外部露出配线图案H9形成于半圆孔包边部C3，该半圆孔包边部C3位于在基底1的长边方向上与半圆孔包边部C1相对置的位置，外部露出配线图案H10形成于半圆孔包边部C4，该半圆孔包边部C4位于基底1上的半圆孔包边部C1的对角位置。
集成电路元件2为内置有C-MOS等的反相放大器(振荡用放大器)的单芯片集成电路元件，且与压电振动元件3共同构成振荡电路。如图4所示，集成电路元件2的焊盘例如形成为矩形状，且形成有接近于集成电路元件的第一边2A的两个相对置的第一焊盘21，22、接近于与第一边2A相对置的第二边2B的两个相对置的第二焊盘23，24、以及形成于第一焊盘与第二焊盘之间的两个相对置的第三焊盘25，26。两个第一焊盘21、22与压电振动元件3的激励电极31、32电连接，两个第二焊盘23、24之中的一个以成为交流输出部的方式而构成。对于集成电路元件2而言，例如经由金等金属凸块C，且通过利用了例如超声波热压接的倒装芯片接合法，电气且机械性地将集成电路元件2的多个焊盘21～26与形成在基底1上的集成电路元件用内部端子焊盘NT1～NT6予以接合。
压电振动元件3保持规定间隔地搭载于集成电路元件2的上方。压电振动元件3例如为矩形状的AT切割水晶振动板，与该压电振动元件3的表背面相对置地形成有一对矩形状的激励电极31、32及上述激励电极31、32的引出电极。上述电极例如为由铬或镍的基底电极层、银或金的中间电极层、及铬或镍的上部电极层构成的层压薄膜；由铬或镍的基底电极层、及银或金的上部电极层构成的层压薄膜。上述各电极能够通过真空蒸镀法或溅射法等薄膜形成方法而形成。
例如使用膏状的银填充物等含有金属微小片的硅酮系导电树脂粘合剂(导电性接合材料)S，将压电振动元件3与基底1予以接合。如图1所示，导电性树脂粘合剂S涂布于第一内部端子焊盘NT7及第二内部端子焊盘NT8的上表面。使导电性树脂粘合剂S介于所述压电振动元件3与保持台10c之间并固化，据此，电气且机械性地将上述压电振动元件3与保持台10c彼此接合。根据上述内容，与基底1的第一收纳部10a的内底面之间设置间隙，并且将压电振动元件3的相对置的另一端部接合于保持台10c，从而悬臂式地保持压电振动元件3的一端部。
对基底1进行气密密封的盖体4例如为如下结构，即，在由科伐合金(Kovar)等构成的芯材上形成有金属焊料(密封材料)，且该结构成为使由该金属焊料构成的密封材料5与基底1的接合区域(金属膜)13a接合的结构。金属制的盖体4的俯视外形与陶瓷基底的相关外形大致相同，或稍小于陶瓷基底的相关外形。
用盖体4覆盖基底1的接合区域13a，使盖体4的密封材料5与基底的接合区域13a熔融固化，并进行气密密封，据此，完成水晶振荡器6，上述基底1在收纳部10中容纳有集成电路元件2与压电振动元件3。
图5和图6所示的第二实施例的水晶振荡器8为H型配置的水晶振荡器，其在基底7的下部凹部的内底面中收纳有集成电路元件2，且在上部凹部的内底面中收纳有压电振动元件3，所述基底7具有在上部和下部形成开口的凹部。关于与第一实施例相同的部分，将省略部分说明。
基底7由中板部71、堤部72、以及堤部73整体上构成为长方体。中板部71由俯视矩形状的一块板构成，该俯视矩形状的一块板为中间层且由氧化铝等绝缘性陶瓷材料构成。堤部72呈层压于中板部71上的最上层的陶瓷材料的俯视框形状(构成为将中央的矩形状的空间包围的矩形状的框体)。堤部73呈层压于中板部71下的最下层的陶瓷材料的俯视框形状(构成为将中央的矩形状的空间包围的矩形状的框体)。基底7上下地具有俯视矩形状的两个收纳部70a、70b，且形成为剖面呈大致H形状的箱状体。在收纳部70a的周围形成有堤部(侧壁部)72。堤部72的上表面(端面)形成为平坦面。在所述收纳部70b的周围形成有堤部(侧壁部)73。堤部73的下表面(端面)形成为平坦面。压电振动元件3收纳于收纳部70a。集成电路元件2收纳于下部收纳部70b。在堤部72与堤部73的框体内侧的四个角部，形成有去角部M1、M2、M3、M4(图6中仅图示了堤部73)。此外，陶瓷多层基板并不如本方式那样限定于三层结构的基底，根据基底的收纳部的结构，该陶瓷多层基板也可由四层以上构成。
基底7的最上层即堤部72的上表面(端面)平坦，且其为与盖体4接合的接合区域(金属膜)72a。接合区域72a通过由钨或钼等金属化材料构成的金属化层、层压于该金属化层的镍层、以及层压于该镍层的金层构成。钨或钼是有效利用厚膜印刷技术且通过金属化技术，在陶瓷煅烧时一体地形成，在金属化层上，按照镍层、金层的顺序进行镀覆。
在基底7的外周壁的四个角部，形成有沿着上下方向伸长的多个半圆孔包边部C1、C2、C3、C4。该半圆孔包边部相对于基底7的外周壁，沿着上下方向形成有圆弧状的缺口。接合区域72a通过未图示的导电通孔或形成于半圆孔包边部C2上部的未图示的配线图案之中的至少任意一个，电气导出到形成在基底底面侧的外部端子焊盘GT2的一部分，上述未图示的导电通孔将基底的堤部72与中板部71上下地贯穿连接。将外部端子焊盘GT2连接于地线，据此，金属制的盖体经由接合区域72a、导电通孔或半圆孔包边部上部的配线图案等而接地，从而能够获得表面安装型水晶振荡器的电磁屏蔽效果。
在基底7内部，在下方面上，形成有俯视大致矩形状的第二收纳部70b，其由堤部(侧壁部)73构成且收纳集成电路元件2，在上方面上，形成有俯视大致矩形状的第一收纳部70a，其由堤部(侧壁部)72构成且收纳压电振动元件3。第二收纳部70b被形成为具有与如下方向相平行的两条既定边71b、72b的大致矩形状，上述方向为并排设置有第一内部端子焊盘NT1，NT2、第二内部端子焊盘NT3，NT4、以及第三内部端子焊盘NT5，NT6的方向。
在基底7的中间层即中板部71的下表面(所述第二收纳部70b的内底面)上，并排形成有与集成电路元件2连接的多个矩形状的内部端子焊盘NT、及使上述多个矩形状的内部端子焊盘NT延伸的配线图案H。具体而言，如图6所示，形成有与压电振动元件3电连接且与集成电路元件2的第一焊盘21、22连接的两个相对置的第一内部端子焊盘NT1，NT2、与集成电路元件2的第二焊盘23、24连接的两个相对置的第二内部端子焊盘NT3，NT4、以及与集成电路元件2的第三焊盘25、26连接的两个相对置的第三内部端子焊盘NT5，NT6，来作为基底7的中间层即中板部71的下表面(所述第二收纳部70b的内底面)的内部端子焊盘NT。形成有分别使第一内部端子焊盘NT1、NT2延伸的第一配线图案H1，H2、分别使第二内部端子焊盘NT3、NT4延伸的第二配线图案H3，H4、以及分别使第三内部端子焊盘NT5、NT6延伸的第三配线图案H5、H6，来作为基底7的中间层即中板部71的下表面(所述第二收纳部70b的内底面)的配线图案H。
另外，如图6所示，沿着第一内部端子焊盘NT1的两条边的周围(局部周围)形成第三内部端子焊盘NT5、与使第三内部端子焊盘NT5延伸的第三配线图案H5，并且沿着第一内部端子焊盘NT2的两条边的周围(布局周围)形成第三内部端子焊盘NT6、与使第三内部端子焊盘NT6延伸的第三配线图案H6，据此，隔开地形成第一内部端子焊盘NT1、NT2与第二内部端子焊盘NT3、NT4。
进而，第一内部端子焊盘NT1、NT2和第二内部端子焊盘NT3、NT4在与第二收纳部70b的既定边71b、72b平行的方向上，形成得比第三内部端子焊盘NT5、NT6更宽阔，该第三内部端子焊盘NT5、NT6位于第一内部端子焊盘NT1、NT2和第二内部端子焊盘NT3、NT4之间。另外，相对于穿过第二收纳部70b(集成电路元件用的收纳部)的中心点O且与既定边71b、72b相平行的虚拟线L1，两个第一内部端子焊盘NT1，NT2、两个第二内部端子焊盘NT3，NT4、以及两个第三内部端子焊盘NT5，NT6大致对称地对置配置，并且两个第三内部端子焊盘NT5、NT6沿着穿过第二收纳部70b中心点O且与既定边71b、72b相正交的虚拟线L2而大致对置地配置。
沿着NT11、NT21与NT12、NT22这两条边的周围，呈大致L字形状且相对于虚拟线L1大致对称地形成第三内部端子焊盘NT5、NT6与使第三内部端子焊盘NT5、NT6延伸的第三配线图案H5、H6，上述NT11、NT21为形成为矩形状的第一内部端子焊盘NT1、NT2之中的最靠近第二内部端子焊盘NT3、NT4的一条边，上述NT12、NT22为最靠近面向外部环境的堤部73的一条边。通过第三内部端子焊盘与第三配线图案的组合，从而不会随着形成第三配线图案H5、H6而使第二收纳部70b的面积不必要地扩大，并且能够确实地将两个第一内部端子焊盘NT1、NT2包围，从而能够与第二内部端子焊盘NT3、NT4隔开。
堤部73的下表面平坦，且形成有与外部部件或外部设备连接的多个搭载用外部端子焊盘GT。具体而言，如图6所示，以不与基底7的底面的四个角部的半圆孔包边部C1、C2、C3、C4接触的状态下，接近地形成外部端子焊盘GT1、GT2、GT3、GT4，在基底的长边方向上，在外部端子焊盘GT1与外部端子焊盘GT3之间形成有外部端子焊盘GT5，在外部端子焊盘GT2与外部端子焊盘GT4之间形成有外部端子焊盘GT6。外部端子焊盘GT1～GT4经由贯穿连接于上部的导电通孔(未图示)，且经由第二配线图案H3、H4与第三配线图案H5、H6，电气导出到第二内部端子焊盘NT3、NT4与第三内部端子焊盘NT5、NT6中的任一个。此外，在本发明中，第二内部端子焊盘NT3和第二配线图案H3与成为集成电路元件2的交流输出部的第二焊盘23连接，且通过将基底的堤部73上下地贯穿连接的导电通孔(未图示)，电气导出到形成于基底底面侧的搭载用外部端子焊盘GT1，据此，最终构成为交流输出用外部端子。
在基底7的中间层即中板部71的上表面(所述第一收纳部70a的内底面)上，形成有与压电振动元件3的激励电极连接的第四内部端子焊盘NT7，NT8(仅图示一部分)、以及分别使第四内部端子焊盘NT7、NT8延伸的第四配线图案H7、H8。更具体而言，与压电振动元件3的激励电极31连接的第四内部端子焊盘NT7通过第四配线图案H7而延伸至中板部71的角部的半圆孔包边部C3为止。延伸至该半圆孔包边部C3为止的第四配线图案H7仅利用如下部分、及在除了最上层的堤部72和最下层的堤部73以外的中间层的中板部71的半圆孔包边部C3的上表面上形成的外部露出配线图案H9，来连接两个异层面(中间层即中板部71的上表面与下表面)，上述部分为通过第一配线图案H1而从第一内部端子焊盘NT1延伸至中板部71的角部的半圆孔包边部C3为止的部分。另外，与压电振动元件3的激励电极32连接的第四内部端子焊盘NT8通过第四配线图案H8而延伸至陶瓷基板的中间层即中板部72的角部的半圆孔包边部C4为止。延伸至该半圆孔包边部C4为止的第四配线图案H8仅利用如下部分、及在除了最上层的堤部72和最下层的堤部73以外的中间层的中板部71的半圆孔包边部C4的上表面上形成的外部露出配线图案H10，来连接两个异层面(中间层即中板部71的上表面与下表面)，上述部分为通过第一配线图案H2而从第一内部端子焊盘NT2延伸至中板部71的角部的半圆孔包边部C4为止的部分。
如上所述结构的基底7使用周所周知的陶瓷层压技术和金属化技术而形成，所述各内部端子焊盘、搭载用外部端子焊盘、以及配线图案为如下结构，该结构为与前述的接合区域72a的形成过程同样地，在基于钨或钼等的金属化层的上表面上形成镀镍层、镀金层的各个层而成。
另外，外部露出配线图案H9、H10形成于一对角部的半圆孔包边部C3、C4，该一对角部的半圆孔包边部C3、C4位于远离交流输出用外部端子GT1的位置。也就是，外部露出配线图案H9形成于半圆孔包边部C3，该半圆孔包边部C3位于在基底1的长边方向上与位于交流输出用外部端子GT1附近的位置的角部的半圆孔包边部C1相对置的位置，外部露出配线图案H10形成在半圆孔包边部C4，该半圆孔包边部C4位于基底1上的位于交流输出用外部端子GT1附近的位置的角部的半圆孔包边部C1的对角位置。
对于集成电路元件2而言，如图5所示，例如经由金等金属凸块C，且通过利用了例如超声波热压接的倒装芯片接合法，电气且机械性地将集成电路元件2的多个焊盘21～26与形成于基底7的内部端子焊盘NT1～NT6予以接合。
例如使用膏状的银填充物等含有金属微小片的硅酮系的导电树脂粘合剂(导电性接合材料)S，将压电振动元件3与基底7接合。如图5所示，粘合剂S涂布于第一内部端子焊盘NT7及第二内部端子焊盘NT8的上表面，并且使粘合剂S介于所述压电振动元件3与基底7的第一收纳部70a的内底面之间并固化，据此，电气且机械性地将所述压电振动元件3与基底7的第一收纳部70a彼此接合。根据上述内容，与基底7的第一收纳部70a的内底面之间设置间隙，并且将压电振动元件3的相对置的另一端部接合于基底7的第一收纳部70a的内底面，从而悬臂式地保持压电振动元件3的一端部。
盖体4例如为如下结构，即，在由科伐合金(Kovar)等构成的芯材上形成有金属焊料(密封材料)，且该结构成为使由该金属焊料构成的密封材料5与基底7的接合区域(金属膜)72a接合的结构。金属制的盖体的俯视外形与陶瓷基底的相关外形大致相同，或稍小于陶瓷基底的相关外形。
在基底7的第二收纳部70b中容纳有集成电路元件2，且在第一收纳部70a中容纳有压电振动元件3的状态下，由盖体4覆盖基底7的接合区域72a，使盖体4的密封材料5与基底的接合区域72a熔融固化，并对压电振动元件3进行气密密封，据此，完成水晶振荡器8。
根据上述内容，关于将集成电路元件用的内部端子焊盘NT1、NT2与压电振动元件用的内部端子焊盘NT7、NT8相连接的配线图案H1、H2、H7、H8，仅利用在堤部12或中板部71的一对角部的半圆孔包边部C3、C4的上表面上形成的外部露出配线图案H9、H10，来连接异层面。因此，能够将连接内部端子焊盘NT1、NT2与内部端子焊盘NT7、NT8的导电路径(配线图案H1、H2、H7、H8以及外部露出配线图案H9、H10)之中的、连接两个异层面之间的导电路径(外部露出配线图案H9、H10)，配置在远离交流输出用外部端子GT1的位置，因此，能够极力抑制辐射噪声所造成的不良影响。
在上述实施例中，能够抑制辐射噪声的不良影响而不会妨碍压电振荡器6或压电振荡器8的小型化。另外，由于能够将在半圆孔包边部C3、C4的上表面上形成的外部露出配线图案H9、H10有效利用为外部测定端子，该外部测定端子仅对压电振动元件3的特性进行测量，因此，无需为了设置外部测定端子而在基底的长边或短边另行形成半圆孔包边部，从而不会使基底1或基底7的强度下降，易于确保与盖体4之间的密封区域。
另外，由于接近于基底底面的四个角部的半圆孔包边部C1、C2、C3、C4而形成的四个外部端子焊盘GT1、GT2、GT3、GT4是以不与四个角部的半圆孔包边部C1、C2、C3、C4接触的状态而接近地形成，并且由于外部露出配线图案H9、H10仅形成于堤部12或中板部71的一对角部的半圆孔包边部C3、C4的上表面，因此，即使将压电振荡器6或压电振荡器8焊接接合于电路基板，焊料也不会沿着基底的半圆孔包边部C3、C4而上溢，即使利用由金属焊料构成的密封材料5将盖体4接合于基底的密封区域，密封材料5也不会沿着基底的半圆孔包边部C3、C4而下落。因此，外部端子与外部测定端子不会短路，盖体的密封材料与外部测定端子也不会短路。
另外，由于堤部13或堤部72的半圆孔包边部C1、C2、C3、C4仅位于框体外侧的四个角部，且在接近于半圆孔包边部C1、C2、C3、C4的框体内侧的四个角部形成有去角部M1、M2、M3、M4或曲率部R1、R2、R3、R4，因此，能够使基底的强度提高，并且能够对应于压电振荡器6或压电振荡器8的进一步小型化，而不会使与盖体4接合的接合区域13a或接合区域72a变窄。
另外，沿着第一内部端子焊盘NT1、NT2的两条边的周围(局部周围)形成第三内部端子焊盘NT5、NT6与第三配线图案H5、H6，据此，能够介于第三内部端子焊盘NT5、NT6和第三配线图案H5、H6，隔开地形成与压电振动元件3电连接的第一内部端子焊盘NT1、NT2和交流输出的第二内部端子焊盘NT3。因此，即使流经第二内部端子焊盘NT3的交流或高频信号产生辐射噪声，该辐射噪声也会被由第三内部端子焊盘NT5、NT6与第三配线图案H5、H6构成的导电路径阻断，从而难以到达与更易受到不良影响的压电振动元件3相连接的第一内部端子焊盘NT1、NT2。也就是，能够抑制由第二内部端子焊盘NT3的交流输出产生的辐射噪声的影响波及到电连接于第一内部端子焊盘NT1、NT2的压电振动元件3。特别是由于与压电振动元件3电连接的第一内部端子焊盘NT1、NT2和交流输出的第二内部端子焊盘NT3被由第三内部端子焊盘NT5、NT6与第三配线图案H5、H6构成的导电路径阻断，因此能够抑制第一内部端子焊盘NT1、NT2与第二内部端子焊盘NT3的相互作用所产生的不良。
另外，当经由凸块C，对基底1、7的内部端子焊盘NT1至NT6与集成电路元件2的焊盘21至26进行倒装芯片接合时，能够通过宽阔的第一内部端子焊盘NT1、NT2与第二内部端子焊盘NT3、NT4，将凸块C相对于所述焊盘的位置偏移、或所述焊盘与内部端子焊盘的位置偏移予以吸收，凸块C也不会从内部端子焊盘NT1至NT6中凸出地被接合。另外，由于第一内部端子焊盘NT1、NT2和第二内部端子焊盘NT3、NT4与第三内部端子焊盘NT5、NT6相比更宽阔地形成，因此即使是平面面积稍有不同、或焊盘的位置稍有不同的其他种类的集成电路元件2，也能够搭载于相同的基底1、7，因此，易于实现产品的多样化和成本削减等。进而，能够维持基于宽度细的第三内部端子焊盘的上述阻断效果，并且能够使第一内部端子焊盘NT1、NT2与第二内部端子焊盘NT3、NT4的距离接近以应对压电振荡器6、8的小型化。也就是，本发明能够对应于压电振荡器6、8的小型化，并且能够使对集成电路元件2进行倒装芯片接合时的搭载性、接合可靠性以及通用性同时提高。
另外，第一内部端子焊盘NT1，NT2、第二内部端子焊盘NT3，NT4、以及第三内部端子焊盘NT5、NT6相对于穿过集成电路元件用的收纳部的中心点O且与既定边相平行的虚拟线L1大致对称地对置配置。
因此，相对于与集成电路元件用的收纳部的既定边正交的方向的翘曲，能够使由所述成对的两个第一焊盘21，22、两个第一内部端子NT1，NT2、两个第二焊盘23，24、两个第二内部端子NT3，NT4、以及两个第三焊盘25、26与两个第三内部端子NT5、NT6的各自的翘曲引起的高度差异均匀化。作为结果，当经由凸块，对基底1、7的内部端子焊盘与集成电路元件的焊盘进行利用了超声波热压接的倒装芯片接合时，由于成对的第一焊盘21，22、第一内部端子NT1，NT2、第二焊盘23，24、第二内部端子NT3，NT4、以及第三焊盘25、26与第三内部端子NT5、NT6中的相对于一对凸块C的按压力被均匀地分散加压，因此，不会产生强度的差异。进而，在上述实施方式中，所述两个第三内部端子焊盘NT5、NT6沿着穿过集成电路元件用的收纳部的中心点O且与所述既定边相正交的虚拟线L2而大致对置地配置。因此，当经由凸块C，对基底1、7的内部端子焊盘NT1至NT6与集成电路元件2的焊盘21至26进行利用了超声波热压接的倒装芯片接合时，能够接近于集成电路元件用的收纳部的既定边方向及与该既定边方向相正交的方向这两个方向的翘曲的顶点附近(在本实施方式中为中心点O附近)，配置集成电路元件2的中心点的位置。作为结果，所述成对的第一焊盘21，22、第一内部端子NT1，NT2、第二焊盘23，24、第二内部端子NT3，NT4、第三焊盘25，26、第三内部端子NT5、NT6中的合计六处中的相对于凸块C的按压力及其加压强度也能够均匀化，接合强度也可更稳定且可靠性更高。也就是，本发明能够对应于压电振荡器6、8的小型化，并且也能够使对集成电路元件2进行倒装芯片接合时的凸块C的接合强度稳定化，从而能够更确实地进行电气机械接合。
此外，将AT切割水晶振动板用作压电振动元件，但并不限定于此，该压电振动元件也可以为音叉型水晶振动板。另外，将水晶作为压电振动元件的材料，但并不限定于此，还可以使用压电陶瓷或LiNbO3等压电单晶材料。即，能够适用任意的压电振动元件。另外，以悬臂式保持压电振动元件为例，但还可以为保持压电振动元件的两端的结构。另外，以将硅酮系的导电树脂粘合剂作为导电性接合材料为例，但也可以为其他导电性树脂粘合剂，还可以使用金属凸块或金属镀覆凸块的凸块材料、焊料等。
另外，使用压电振动元件3与集成电路元件2，但并不限定于此，可任意地设定压电振动元件3的个数，进而除了搭载集成电路元件2之外，还可以搭载其他电路部件。另外，集成电路元件与基底的电连接方法并不限于利用超声波热压接的倒装芯片接合法，也可以采用引线接合等其他连接法。以使用有单芯片集成电路元件的振荡电路结构为例，该单芯片集成电路元件内置有C-MOS的反相放大器作为振荡用放大器，但也可以为包括其他振荡用放大器的振荡电路结构。
另外，以利用金属焊料进行的密封为例，但并不限定于此，也能够适用封口密封、射束密封(例如，激光束、电子束)或玻璃密封等。
图7涉及本发明的第三实施例，且是在图解的情况下，对搭载集成电路元件2与压电振动元件3之前的基底1的堤部12、13进行透视后的状态的俯视图。在第三实施例中，噪声阻断用配线图案H11、H12在基底1的短边方向上，从第五和第六配线图案H5、H6延伸至基底1的内底面10a1的端部1a3、1a4。噪声阻断用配线图案H11、H12被配置在基底1的长边方向两侧的第一配线图案H1、H2与第二配线图案H3、H4的长边方向中间。通过噪声阻断用配线图案H11、H12，能够防止分别流过延伸至半圆孔包边部C3、C4为止的第一配线图案H1、H2与延伸至半圆孔包边部C1、C2为止的第二配线图案H3、H4的信号的相互干涉。
图8涉及本发明的第四实施例，在该第四实施例中，在半圆孔包边部C3、C4处，相对于与最上层的堤部13对应的上表面C32、C42(最上层上表面)，相对朝内侧凹陷地形成与中间层的堤部12相对应的上表面C31、C41(中间层上表面)以及与最下层的基底11相对应的上表面C33、C43(最上层上表面)，以使例如在对水晶振荡器进行搬运时等，形成于中间层上表面C31、C41的外部露出配线图案H9、H10不易与手指或搬运工具等接触，从而保护外部露出配线图案H9、H19。此外，虽未图示，但也可以相对于与最上层的堤部13对应的最上层上表面C32、C42以及与最下层的基底11对应的最上层上表面C33、C43，使中间层的堤部12的半圆孔包边部C3、C4的中间层上表面C31、C41相对朝内侧凹陷。
图9涉及本发明的第五实施例，如该第五实施例所示，将基底1的底部11上下地贯穿连接的导电通孔V1、V2的形成位置并不限定于由实线所示的枕部10d的中间位置，只要强度上允许，则如箭头所示，位于枕部10d的中间位置与由枕部10d的内侧面下部的虚线所示的位置之间即可。同样地，将基底1的底部11上下地贯穿连接的导电通孔V3、V4的形成位置并不限定于由实线所示的保持台10c的中间位置，只要强度上允许，则如箭头所示，位于保持台10c的中间位置与由保持台10c的内侧面下部的虚线所示的位置之间即可。
再者，本发明能够不脱离其思想或主要特征而以其他各种形态实施。因此，上述实施例的全部内容仅为示例，并不能进行限定性解释。本发明的范围为权利要求书所示的范围，其不受说明书本文的任何限制。进而，属于权利要求书的均等范围的变形和变更均为本发明的范围内。
本发明能够适用于表面安装型的压电振荡器。
符号说明
1、7 基底
2 集成电路元件
3 压电振动元件
6、8 水晶振荡器
10 收纳部
11 底部
12 堤部
13 堤部
NT1、NT2 第一内部端子焊盘
NT3、NT4 第二内部端子焊盘
NT5、NT6 第三内部端子焊盘
H1、H2 第一配线图案
H3、H4 第二配线图案
H5、H6 第三配线图案
Claims (8)
1.一种压电振荡器，具有：
绝缘性基底，由俯视外形为矩形形状且层压为三层以上的多个陶瓷基板层构成，且在所述多个陶瓷基板层的所述矩形的四个角部，分别形成有沿上下方向伸长的半圆孔包边部，且具有形成有多个内部端子焊盘的收纳部、及在外底面形成有四个以上的外部端子的外装部；
集成电路元件，与所述多个内部端子焊盘的一部分电连接；以及
压电振动元件，与所述多个内部端子焊盘的另一部分电连接，且与所述集成电路元件电连接，
其特征在于，
所述外部端子之中的所述四个外部端子以不与所述四个角部的半圆孔包边部接触的状态下接近而形成，
所述四个外部端子之中的一个外部端子构成交流输出用外部端子，
所述多个内部端子焊盘的所述一部分与所述另一部分形成于不同的陶瓷基板层各自的面(以下称为异层面)，
连接所述多个内部端子焊盘的所述一部分与所述另一部分的外部露出配线图案，仅形成于所述三层以上的陶瓷基板层之中的中间层的陶瓷基板层的所述矩形的四个角部之中的一对角部的一个第一半圆孔包边部的上表面与第二半圆孔包边部的上表面，所述中间层的陶瓷基板层位于最上层的陶瓷基板层与最下层的陶瓷基板层之间，
所述第一半圆孔包边部为在所述基底的长边方向上，与该矩形的四个角部之中的接近于所述交流输出用外部端子的角部的第三半圆孔包边部相对置的半圆孔包边部，
所述第二半圆孔包边部为在所述基底的所述俯视矩形上，位于所述第三半圆孔包边部的对角线方向的角部的半圆孔包边部。
2.根据权利要求1所述的压电振荡器，其中，
搭载于所述基底的收纳部的压电振动元件为使盖体覆盖于最上层的陶瓷基板层的上表面的接合区域而被气密密封，所述最上层的陶瓷基板层的上表面的接合区域被构成为将中央的矩形状的空间予以包围的矩形状的框体，
仅在所述最上层的陶瓷基板层中的所述框体的外侧的四个角部形成有所述半圆孔包边部，
在所述最上层的陶瓷基板层中的所述框体的内侧的四个角部形成有去角部或曲率部。
3.根据权利要求1或2所述的压电振荡器，其中，
所述集成电路元件为矩形状，且于一个主面上具有经由凸块而与所述多个内部端子焊盘的所述一部分倒装芯片接合的焊盘，
所述集成电路元件的所述焊盘具有：接近于所述集成电路元件的第一边而形成的两个相对置的第一焊盘、接近于与所述集成电路元件的所述第一边相对置的第二边而形成的两个相对置的第二焊盘、以及分别形成在所述第一焊盘与所述第二焊盘之间的两个相对置的第三焊盘，所述两个第二焊盘之中的一个成为交流输出部，
所述基底的所述多个内部端子焊盘具有：
两个相对置的第一内部端子焊盘，与所述压电振动元件电连接，并且与所述集成电路元件的所述两个相对置的第一焊盘接合；
两个相对置的第二内部端子焊盘，与所述两个相对置的第二焊盘接合；以及
两个相对置的第三内部端子焊盘，分别与所述两个相对置的第三焊盘接合，且介于所述第一内部端子焊盘与所述第二内部端子焊盘之间，
沿着所述两个相对置的第一内部端子焊盘各自的周围的一部分，在同一面上分别形成所述两个相对置的第三内部端子焊盘、及分别使该两个相对置的第三内部端子焊盘延伸的两个配线图案，从而构成辐射噪声阻断用导电路径，
所述第一内部端子焊盘与所述第二内部端子焊盘以所述辐射噪声阻断用导电路径为间隔而隔开。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的压电振荡器，其中，
所述压电振动元件为经AT切割的水晶振动板。
5.根据权利要求1所述的压电振荡器，其中，
所述基底由最下层的底部、中间层的第一堤部、以及最上层的第二堤部构成，所述最下层的底部以由陶瓷材料构成的俯视矩形状的一块板构成，所述中间层的第一堤部由陶瓷材料呈俯视框形状地层压于所述最下层的底部上，所述最上层的第二堤部由陶瓷材料呈俯视框形状地层压于所述中间层的第一堤部上，
所述最下层的基底的收纳部具有：第一收纳部，由所述中间层的第一堤部形成且收纳所述集成电路元件；以及第二收纳部，由所述最上层的第二堤部形成且收纳所述压电振动元件，在所述第一收纳部的内底面形成有所述多个内部端子焊盘。
6.根据权利要求1所述的压电振荡器，其中，
所述基底由中间层的中板部、上层的第三堤部、以及下层的第四堤部构成，所述中间层的中板部为由陶瓷材料而形成为俯视矩形状的一块板，所述上层的第三堤部由陶瓷材料呈俯视框形状地层压于所述中间层的中板部上方，所述下层的第四堤部由陶瓷材料呈俯视框形状地层压于所述中间层的中板部下方，所述基底的收纳部由第三收纳部与第四收纳部形成，所述第三收纳部由所述上层的第三堤部形成且收纳所述压电振动元件，所述第四收纳部由所述下层的第四堤部形成且收纳所述集成电路元件，在所述第四收纳部的内底面形成有所述第一～第三内部端子焊盘。
7.根据权利要求3所述的压电振荡器，其具有：
两个第一配线图案，使所述两个相对置的第一内部端子焊盘分别延伸至所述基底的所述矩形的四个角部的四个半圆孔包边部之中的所述第一半圆孔包边部及所述第二半圆孔包边部；
两个第二配线图案，使所述两个相对置的第二内部端子焊盘分别延伸至与所述第一半圆孔包边部及所述第二半圆孔包边部相对置的剩余的两个半圆孔包边部；以及
两个噪声阻断用配线图案，在所述基底的短边方向上，从使所述两个相对置的第三内部端子焊盘分别延伸的所述两个配线图案延伸至所述基底的内底面的端部为止。
8.根据权利要求1所述的压电振荡器，其中，
所述中间层的所述陶瓷基板层的半圆孔包边部与所述最上层及所述最下层的所述陶瓷基板层各自之中的至少一个半圆孔包边部相比较，相对朝内侧凹陷。
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