CN104272480A - 用于制造器件载体、电子装置和辐射装置的方法以及器件载体、电子装置和辐射装置 - Google Patents

用于制造器件载体、电子装置和辐射装置的方法以及器件载体、电子装置和辐射装置 Download PDF

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Abstract

在不同的实施例中，提供了用于制造用于电子器件（60）的器件载体的方法，其中首先提供导体框架片段（30）。导体框架片段（30）具有导电材料。导体框架片段（30）具有用于构造第一电接触元件（42）的第一接触片段（32）、用于构造第二电接触元件（44）的第二接触片段（34）、以及用于容纳电子器件（60）的容纳区域（38）。至少容纳区域（38）和第二接触片段（34）导电地彼此连接。至少在导体框架片段（30）的与容纳区域（38）相对的侧上构造导热和电绝缘的中间元件（50）以用于将热从容纳区域（38）中排出并且将容纳区域（38）电绝缘。至少在中间元件（50）的背向容纳区域（38）的侧上构造热接触部（52）以用于热接触电子器件（60）。

Description

用于制造器件载体、电子装置和辐射装置的方法以及器件载体、电子装置和辐射装置
技术领域
本发明涉及一种用于制造用于电子器件的器件载体的方法，其中提供导体框架片段。该导体框架片段具有导电材料。该导体框架片段还具有用于形成第一电接触元件的第一接触片段、用于形成第二电接触元件的第二接触片段、以及用于容纳电子器件的容纳区域。至少容纳区域和第二接触片段导电地彼此连接。另外，本发明涉及一种用于制造例如具有器件载体的电子装置的方法、以及一种用于制造例如具有电子装置的辐射装置的方法。本发明还涉及器件载体和/或例如具有器件载体的辐射装置和/或例如具有器件载体的电子装置。
明确构成本发明的一部分公开内容的德国优先权申请DE 10 2012 207 519.4同样已经描述了用于制造器件载体、电装置以及辐射装置的方法、以及器件载体。电装置和辐射装置 。
背景技术
向用于例如辐射装置、如LED之类的电子器件的器件载体、例如壳体常常提出的挑战是，LED能够简单地接触，在运行期间在LED中产生的热可以快速和有效地被运出并且整个辐射装置可以由LED和器件载体简单和低成本地制造。在常规器件载体的情况下，除了其它概念以外尤其是公知器件载体的不同构造概念。
例如公知的是，由陶瓷构成载体体身并且给其配备电接触部，所述电接触部在载体体身的表面上、并且部分地穿过载体体身延伸。这些电接触部中的一个可以具有面积大得以至于电子器件可以被放置到该电接触部上。LED、例如薄膜LED和/或垂直LED（发射方向和/或电流传导垂直于层构造）可以被固定在电接触部处，使得其固定在电接触部处并且同时通过体身接触而存在电接触。LED的另一接触部可以例如借助于接合连接与器件载体的电接触部接触。由陶瓷制成的载体体身使上面固定有电子器件的电接触部电绝缘并且将热从电子器件中导出。为了进一步从器件载体中排出热，可以在陶瓷载体体身的与电子器件相对的侧上构造载体体身上的金属化部。该金属化部例如也可以用于产生焊接连接。
具有陶瓷载体体身的器件载体可以放置到电路板、例如RF4电路板上，使得载体体身位于电子器件与该电路板之间。穿过陶瓷载体体身延伸的电接触部与电路板的印制导线连接。此外，金属化部与导热体连接，所述导热体可以穿过电路板延伸并且与热沉连接。该电路板有助于电子器件的良好、简单和低成本的接触和冷却。
可替代于此地公知的是，为器件载体使用导电、例如具有金属的导体框架片段。该导体框架片段可以特别简单和低成本地制造。例如，该导体框架片段可以是电路板的一部分，并且器件载体可以以器件载体复合体来制造，其方式是，以复合体来处理导体框架的所有导体框架片段。如果现在如前述那样将垂直LED用作电子器件，则导体框架片段电接触该电子器件并且产生该电子器件与热沉之间的电连接。由于电子器件和热沉在许多应用中不应当彼此电耦合，因此为了固定器件载体例如使用金属芯电路板，其中电路板的金属芯借助于介电层同电路板的电接触部电绝缘。金属芯电路板的金属芯可以充当热沉和/或可以设置附加的热沉，该热沉与金属芯热耦合。热从具有器件载体和LED的辐射装置到热沉的排出是通过金属芯电路板的介电层进行的。
可替代于此地，可以使用例如水平LED（发射方向和/或电流传导平行于层构造）之类的电子器件，其中单单通过固定在导体框架片段处不产生电子器件与导体框架片段之间的电接触。电子器件的两个电接触部于是都可以例如借助于接合连接来产生。另外，为了将器件载体与热沉连接，可以使用FR4电路板。
发明内容
因此，本发明的任务是改善现有技术。
在不同的实施例中，提供了用于制造器件载体的方法、用于制造电子装置的方法和/或用于制造辐射装置的方法，所述方法使得能够以简单和低成本的方式制造器件载体、电子装置或辐射装置和/或将电子器件与电路板和/或热沉良好地电和热耦合。
在不同的实施例中，提供了器件载体、电子装置和/或辐射装置，它们可以以简单和低成本的方式来制造和/或使得能够以简单和低成本的方式将电子器件与电路板和/或热沉良好地电和热耦合。
在不同的实施例中，提供了用于制造用于电子器件的器件载体的方法。在此，提供具有导电材料的导体框架片段。该导体框架片段还具有用于形成第一电接触元件的第一接触片段、用于形成第二电接触元件的第二接触片段、以及用于容纳电子器件的容纳区域。至少容纳区域和第二接触片段导电地彼此连接。至少在导体框架片段的与容纳区域相对的侧构造导热和电绝缘的中间元件以用于将热从容纳区域中排出并且将容纳区域电绝缘。至少在中间元件的背向容纳区域的侧构造热接触部以用于热接触电子器件。
提供具有导电材料的导体框架片段、在接近或紧邻容纳区域之处构造中间元件以及在中间元件处构造热接触部有助于能够简单和低成本地制造器件载体，能够快速和有效地排出在电子器件的运行中产生的热，并且能够以简单和低成本的方式将器件载体以良好的电和热耦合与电路板和/或热沉耦合。另外，电子装置可以在具有温度变化载荷时具有非常好的行为，因为电路板片段的材料可以特别良好地与电路板和/或热沉的热膨胀系数匹配。在此，电路板例如可以是FR1、FR2、FR3、FR4、FR5、 CEM1、CEM2、CEM3、CEM4或者CEM5电路板、例如通孔接触型FR4电路板。该器件载体例如可以被表示为壳体、QFN壳体或者QFN载体。导体框架片段例如也可以被表示为QFN引线框。具有电子器件的器件载体也可以被表示为电子构件或电子装置。电子器件例如是半导体芯片和/或发光或光吸收器件。
热沉例如可以具有铝。器件载体例如可以通过电路板或者直接地与热沉耦合。
器件载体例如可以用于容纳电子器件。具有电子器件的器件载体也可以被表示为电子装置。另外，如果电子器件具有辐射源、例如发光器件，则具有该电子器件的器件载体也可以被表示为辐射装置。
导体框架片段具有导电材料和/或可以由导电材料构成。该导电材料例如具有金属、例如铜、例如CuW或CuMo、铜合金、黄铜、镍和/或铁、例如FeNi，和/或由其构成。导体框架片段是具有多个导体框架片段的导体框架的一部分，所述导体框架片段彼此连接，其中这些导体框架片段中的每个例如都可以构造为形成器件载体。换言之，导体框架可以跨多个器件载体延伸，其中所述多个器件载体可以被同时构造和/或制造，由此制造器件载体复合体。导体框架和/或导体框架片段例如可以被构造为扁平的，这例如意味着，导体框架或每个导体框架片段与其长度和其宽度相比具有相对小的厚度。
导体框架片段的加工以及由此器件载体的制造可以代表导体框架的加工以及由此代表器件载体复合体的制造。换言之，导体框架的所有导体框架片段都可以同时在相同的工作步骤中被加工，这如参考导体框架片段所描述的那样。在制造器件载体复合体以后，然后可以从器件载体复合体中分离出各个器件载体，其方式尤其是，将导体框架片段的彼此之间的连接切断。
第一接触元件用于接触电子器件的第一接触部。第二接触元件用于接触电子器件的第二接触部。第一和第二接触片段例如可以并排构造，其中容纳区域可以构造在两个接触片段之间。例如，容纳区域可以布置在容纳片段中，该容纳片段构造在第一和第二接触片段之间。
第二中间元件例如具有在1至1000μm之间、例如在10至200μm之间、例如在20至80μm之间的厚度。第二中间元件例如具有在0.1至100W/mK之间、例如在0.5至20 W/mK之间、例如在1至5 W/mK之间的热导率。中间元件例如可以已经结构化地施加到导体框架片段上。例如，中间元件的材料可以借助于丝网印刷、模板印刷、喷溅（喷溅印刷）或者以配送法被施加或者液态地置入到导体框架片段的成形中间区域中。可替代于此地，中间元件可以扁平地施加到导体框架片段上并且然后被结构化。例如，中间元件可以作为中间层、例如借助于印刷、压印、浇注或层压被施加，并且例如借助于激光烧蚀、刻蚀或机械方式、例如借助于铣磨或刮削被磨蚀并且通过这种方式被结构化。
可焊接的热接触部例如具有在0.1至100μm之间、例如在1至10μm之间、例如大致5μm的厚度。热接触部例如具有例如在100至1000 W/mK之间、例如在200至500 W/mK之间、例如在250至400 W/mK之间的高热导率。热接触部例如被构造为使得其可通过焊接连接被接触。热接触部例如具有金属、例如铜、钛、金、银、镍和/或钯、例如NiPdAu。热接触部例如可以扁平地施加在接触层中，并且然后被结构化或者结构化地施加。热接触部例如可以借助于光刻过程和/或刻蚀过程来构造和/或结构化，和/或热接触部可以在电镀过程中来构造。
中间元件例如具有电介质和/或例如有机和/或无机材料。例如，电介质具有陶瓷颗粒和/或具有陶瓷颗粒的载体物料。例如，陶瓷颗粒被嵌入在载体物料中。 例如，载体物料具有环氧树脂、硅树脂和/或丙烯酸树脂。
例如，陶瓷具有氧化铝、石英、氮化铝、氮化硼和/或碳化硅。
根据不同的实施例，热接触部具有金属。例如，热接触部具有铜或者由其构成。
根据不同的实施例，第一接触部元件和第二接触元件由导体框架片段形成，其中第一接触元件在体身上同第二接触元件分开。第一和第二接触元件可以在施加中间元件以前或以后被构造和/或彼此分开。容纳区域例如也可以构造或分开两个接触元件以后在体身上与第二接触元件接触。例如，容纳区域被构造在与第二接触元件相同的材料块上。换言之，容纳区域和第二接触元件可以一体化地构造。
根据不同的实施例，第一接触元件借助于刻蚀过程在体身上同第二接触元件分开。这可以有助于简单地构造接触元件。
根据不同的实施方式，在导体框架片段的与容纳区域相对的侧上构造用于容纳中间元件的中间区域。中间区域可选地和必要时在施加中间元件以前被构造，并且可以在构造和/或分开第一和第二接触元件以前、期间或以后被构造。中间区域例如可以在导体框架片段中具有凹槽，或者中间区域可以具有尖细部，在该尖细部处，导体框架片段具有比第一和/或第二接触元件小的厚度。
根据不同的实施例，中间区域在与第一和第二接触元件相同的工作步骤中被构造。例如，中间区域可以在第一和第二接触元件被构造和/或彼此分开的相同刻蚀过程中被构造。
根据不同的实施例，中间元件和/或热接触部在与第一和第二接触元件相同的工作步骤中被构造。例如，首先可以将中间层和/或接触层施加到导体框架片段上，并且然后可以在两个接触元件被制造的相同的刻蚀过程中从中间层中构造中间元件或从接触层中构造热接触部。
根据不同的实施例，第一和第二接触元件至少部分地嵌入到成形材料中。“第一和第二接触元件被嵌入到成形材料中”在此上下文中是指，第一和第二接触元件至少部分地被成形材料包围，但是第一和第二接触元件的区域和/或容纳区域和/或中间区域和/或热接触部可以保持不含成形材料。成形材料例如可以是浇注物料或注塑物料。成形材料例如可以具有无机材料、例如复合材料、例如环氧树脂和/或硅树脂、硅树脂混合物和/或硅树脂－环氧树脂混合物。第一和第二接触元件例如可以在构造中间区域以前或以后嵌入到成形材料中。第一和第二接触元件例如可以在构造中间元件以前或以后和/或在构造热接触部以前或以后嵌入到成形材料中。成形材料可以例如用于将第一和第二电接触元件机械连接并彼此绝缘。另外，成形材料可以用于将两个电接触部至少部分地向外绝缘。
根据不同的实施例，成形材料被用作中间元件。例如，成形材料和中间元件可以在一个工作步骤中构造和/或由相同材料形成。 例如，成形材料可以形成中间元件。这可以有助于以特别简单和低成本的方式构造中间元件。
根据不同的实施例，成形材料被成形为使得其具有容纳凹槽，在所述容纳凹槽中至少部分地露出第一接触元件、第二接触元件和/或容纳区域。这有助于能够以简单方式在器件载体上固定和/或接触电子器件。
在不同的实施例中，提供了用于制造电子装置的方法，其中例如根据前述方法来制造器件载体并且其中将电子器件施加到器件载体的容纳区域上。电子器件的第一电接触部与第一接触元件接触，并且电子器件的第二电接触部与第二接触元件接触。第一和/第二电接触部例如可以借助于接合与相应的第一或第二接触元件接触。电子器件例如可以是发光器件、例如LED或OLED、或者光吸收器件、例如太阳能电池。
如果第一电接触部被构造在电子器件的朝向容纳区域的侧处、例如如果电子器件是垂直LED，则第二接触部与第二接触元件的接触可以通过将电子器件施加到容纳区域上并通过在体身上将容纳区域与第二接触元件连接来进行。
在不同的实施例中，提供用于制造辐射装置的方法，其中例如根据前述方法来制造电子装置，其中将电子器件用作辐射源。该辐射源例如是发光器件、例如OLED或LED、例如薄膜LED和/或例如水平或垂直LED。
在不同的实施例中，提供器件载体以用于容纳和接触电子器件。器件载体具有导体框架片段、中间元件和热接触部。导体框架片段具有第一接触元件、第二接触元件和容纳区域。第一接触元件用于接触电子器件的第一电极。 容纳区域用于容纳电子器件。第二接触元件用于接触电子器件的第二电极。容纳区域和第二接触元件导电地彼此连接。中间元件用于将容纳区域电绝缘并且将热从容纳区域中排出，并且布置在导体框架片段的与容纳区域相对的侧上。热接触部用于通过例如中间元件和容纳区域来热接触电子器件。热接触部布在中间元件的背向容纳区域的侧上布置在中间元件处。器件载体例如借助于前述方法来构造。器件载体例如被构造在器件载体复合体中并且然后被分离。
在不同的实施例中，提供电子装置，所述电子装置具有器件载体和电子器件。器件载体和电子器件例如如前述那样彼此固定并彼此接触。
在不同的实施例中，提供辐射装置，所述辐射装置具有器件载体和电子器件，其中电子器件是辐射源，这例如如前所述。
产生器件载体、电子装置和/或辐射装置的不同实施方式的方法和/或方法步骤可以容易地转用于器件载体、电子装置和/或辐射装置的不同实施方式。换言之，器件载体、电子装置和/或辐射装置的通过不同方法和/或方法步骤实现的不同实施方式构成本发明独有的方面。
附图说明
本发明的实施例在附图中予以示出并在下面予以进一步阐述。
附图：
图1示出了电路板和热沉上的电子装置的实施例。　
图2示出了电路板和/或热沉上的电子装置的另一实施例。　
图3示出了导体框架片段的实施例的工件；
图4示出了在用于制造器件载体的方法的第一实施例期间的第一状态下的导体框架片段；
图5示出了在用于制造器件载体的方法的第一实施例期间的第二状态下的导体框架片段；
图6示出了在用于制造器件载体的方法的第一实施例期间的第三状态下的导体框架片段；
图7示出了在用于制造器件载体的方法的第一实施例期间的第四状态下的导体框架片段；
图8示出了在用于制造器件载体的方法的第二实施例期间的第一状态下的导体框架片段；
图9示出了在用于制造器件载体的方法的第二实施例期间的第二状态下的导体框架片段；
图10示出了在用于制造器件载体的方法的第二实施例期间的第三状态下的导体框架片段；
图11示出了在用于制造器件载体的方法的第二实施例期间的第四状态下的导体框架片段；
图12示出了在用于制造器件载体的方法的第二实施例期间的第五状态下的导体框架片段；
图13示出了在用于制造器件载体的方法的第三实施例期间的第一状态下的导体框架片段；
图14示出了在用于制造器件载体的方法的第三实施例期间的第二状态下的导体框架片段；
图15示出了在用于制造器件载体的方法的第三实施例期间的第三状态下的导体框架片段；
图16示出了在用于制造器件载体的方法的第三实施例期间的第四状态下的导体框架片段；
图17示出了在用于制造器件载体的方法的第三实施例期间的第五状态下的导体框架片段；
图18示出了在用于制造器件载体的方法的第三实施例期间的第六状态下的导体框架片段；
图19示出了在用于制造器件载体的方法的第四实施例期间的第一状态下的导体框架片段；
图20示出了在用于制造器件载体的方法的第四实施例期间的第二状态下的导体框架片段；
图21示出了在用于制造器件载体的方法的第四实施例期间的第三状态下的导体框架片段；
图22示出了在用于制造器件载体的方法的第四实施例期间的第四状态下的导体框架片段；
图23示出了在用于制造器件载体的方法的第四实施例期间的第五状态下的导体框架片段；
图24示出了在用于制造器件载体的方法的第四实施例期间的第六状态下的导体框架片段；
图25示出了在用于制造器件载体的方法的第五实施例期间的第一状态下的导体框架片段；
图26示出了在用于制造器件载体的方法的第五实施例期间的第二状态下的导体框架片段；
图27示出了在用于制造器件载体的方法的第五实施例期间的第三状态下的导体框架片段；
图28示出了在用于制造器件载体的方法的第五实施例期间的第四状态下的导体框架片段；
图29示出了在用于制造器件载体的方法的第五实施例期间的第五状态下的导体框架片段。
具体实施方式
在下面的详细描述中参考附图，这些附图构成本说明书的一部分并且其中为了图解示出了可实施本发明的特定实施例。在此方面，譬如“上方”、“下方”、“前方”、“后方”、“前面”、“后面”之类的方向术语是参考所述附图的取向使用的。由于实施例的各组分可以被定位为多个不同的取向，因此方向术语用于图解并且绝不是限制性的。能够理解，可以使用其它实施例并且执行结构或逻辑改变，而不偏离本发明的保护范围。能够理解，只要未另行说明，在此描述的不同实施例的特征可以彼此组合。因此，下面的详细描述不应以限制性意义来理解，并且本发明的保护范围由所附权利要求书来定义。
在本说明书的范围内，术语“连接”、“连线”以及“耦合”被用于描述直接和间接连接、直接或间接连线、以及直接或间接耦合。在附图中，给相同或相似元素配备相同附图标记，只要这是适宜的即可。
在不同的实施例中，发光器件可以被构造成发光二极管（light emitting diode，LED）或者有机发光二极管（organic light emitting diode，OLED）或者有机发光晶体管。在不同实施例中，发光器件可以是集成电路的一部分。此外，可以设置多个发光器件，这些发光器件例如被安装在共同的壳体中。
图1示出了布置在电路板14上的两个电子装置10。可替代地，也可以布置更多或更少的电子装置10。电子装置10的壳体也可以被表示为QFN壳体。电子装置10和/或电子装置10的壳体可以具有各一个器件载体和/或器件载体可以构成电子装置10的壳体。电子装置10例如可以是半导体芯片和/或例如发光器件、或者光吸收器件、例如太阳能电池。电路板14例如是FR4电路板或FR5电路板。可替代地于此地，电路板14可以是金属芯电路板。电路板14例如具有玻璃纤维垫，该玻璃纤维垫被嵌入到树脂、例如环氧树脂中。例如，电路板14具有铝、铜、Al-Sic和/或AlSi。电路板14在其朝向电子装置10的侧处具有导电的第一印制导线12。第一印制导线12例如具有铜或由其构成。电子装置10与电路板14的第一印制导线12电连接。例如，电子装置10通过焊接连接与第一印制导线12连接。第一印制导线12部分地用于电接触、并部分地用于热接触电子装置10。
导热体16穿过电路板14延伸。导热体16通过第一印制导线12中的几个与电装置10连接以用于将热从电子装置10中导出。导热体16例如具有铜或由其构成。热导体16用于快速和有效地将热从电子装置10中排出。在其背向电子装置10的侧处，电路板14具有导电的第二印制导线20。第二印制导线20具有铜或由其构成。印制导线12、20例如具有铝、铜、镍、铂、金、银和/或TiW。
印制导线14例如通过第二印制导线20与热沉18热地和机械地耦合。 例如，印制导线14可以通过导热和/或导电的粘合剂22固定到热沉18处的第二印制导线20处。热沉18例如具有铝、镍、铁或铜和/或基于铜、镍、铁/或铝的合金。
图2示出了另一实施例，其中电子装置10与电路板14和/或热沉18耦合。例如，电路板14或热沉18可以根据图1所示的实施例来构造。可替代于此地，可以在图2中所示的实施例中例如放弃电路板14，并且电子装置10可以直接连接在热沉18处，或者可以放弃热沉18，使得电路板14附加地履行热沉的功能。电子装置10在该实施例中具有辐射装置、发射电磁辐射的发光器件。例如，辐射装置在远离电路板14的方向上发射电磁辐射，并且热沉18例如平行于垂直于电路板14的表面法线。电磁辐射24例如是光、例如紫外光、红外光和/或可见光范围的光。
下面描述用于制造用于电子装置10和/或用于辐射装置的器件载体的方法的多个实施例。
图3示出了导体框架片段30的工件。导体框架片段30是未完全示出的导体框架的一部分，该导体框架具有多个相应的导体框架片段30。下面阐述的制造方法接着根据其中一个导体框架30来阐述。导体框架片段30的所示装置代表导体框架的其它未示出的导体框架片段30的相应状态。导体框架片段30因此可以在复合体中的导体框架中来加工。导体框架以及尤其是导体框架片段30在所有下面阐述的制造方法中都充当所有制造方法所基于的基本元件和/或原始元件。导体框架例如也可以被表示为QFN引线框。
导体框架片段30例如具有金属、例如铜，和/或由此构成。导体框架片段30具有高的电导率。另外，导体框架片段30具有高的热导率。另外，导体框架片段30可选地可以分层。导体框架片段30例如具有10至1000μm、例如100至500μm、例如150至300μm的厚度。导体框架片段30充当用于器件载体的载体体身。导体框架因此具有用于多个器件载体的载体体身。
导体框架片段30具有第一接触片段32和第二接触片段34。在两个接触片段32、34之间布置有具有容纳区域38的容纳片段36。片段32、34、26和容纳区域39首先是电路板片段30的未经加工的片段或区域，并且用于图解所述方法。
在图4至7中示出了导体框架片段30和/或相应器件载体在用于制造导体框架片段30或器件载体的方法的第一实施例期间的彼此相继的不同状态。
图4示出了导体框架片段30在用于制造器件载体的方法的第一实施例期间的第一状态。从导体框架片段30的在图3所示的工件出发，为了达到导体框架片段30的在图4所示的状态执行至少一个刻蚀过程。例如，执行双侧刻蚀过程，其中导体框架片段30的工件从两侧被刻蚀。例如，在光刻方法中，阻蚀材料被施加到导体框架片段30上，并且导体框架片段30例如在一个工作步骤中从两侧被刻蚀。
在刻蚀过程中，第一和第二接触片段32、34被彼此分开，使得在第一接触区域32形成第一接触元件42，并且在第二接触片段34中形成第二接触元件44。两个接触元件42、44在所示导体框架片段30之内在体身上彼此分开，但是可以在导体框架的复合体中通过相邻的未示出的导体框架片段30彼此连接。第二接触元件44在体身上与容纳区域38耦合并且例如被构造为与容纳区域38一体化。
此外，在刻蚀过程中，在导体框架片段30的与容纳区域38相对的侧上构造中间区域48，该中间区域48在导体框架片段30中具有凹槽。另外，可选地可以在从第二接触区域34到容纳区域36的过渡部处、即在第二接触元件44与中间区域48之间构造另一凹槽。中间区域48和/或另一凹槽具有例如与导体框架片段30的一半厚度相对应的深度，其中该深度例如可以与导体框架片段30的一半厚度相差高达100μm、例如高达50μm、例如高达30μm。替代于在刻蚀过程中构造中间区域48，中间区域48例如可以通过钻孔、研磨、和/或刻印构造在导体框架片段30中。
图5示出了导体框架片段30或器件载体在用于制造器件载体的方法的第一实施例期间的第二状态，其中中间元件50被置入到中间区域48中。中间元件50例如是电介质和/或例如具有无机材料。例如，中间元件50具有载体材料，其中颗粒被嵌入到该载体材料中。载体材料例如具有聚合物、例如环氧树脂、硅树脂和/或丙烯酸盐。该颗粒例如具有氧化铝、石英、氮化铝、氮化硼和/或碳化硅。中间元件50用于使容纳区域38电绝缘和/或将热从容纳区域38中排出。中间元件50例如可以借助于配送或者刮擦被置入到中间区域48中。在需要时可以在置入到中间区域48中以后对中间元件50进行干燥和/或硬化。例如，中间元件50可以在液体状态下被置入到中间区域48中并且在中间区域中被光学和/或热学硬化。中间元件50例如可以具有与中间区域48的深度相对应的厚度和/或与导体框架片段30的一半厚度相对应的厚度。
图6示出了导体框架片段30或器件载体在用于制造器件载体的方法的第一实施例期间的第三状态，其中导体框架片段30被嵌入到成形材料中。被嵌入到成形材料54中的导体框架片段30可以被表示为器件载体。被嵌入到成形材料54中的导体框架可以被表示为器件载体复合体。
成形材料54例如可以通过模塑、例如传送模塑、或者通过用成形材料54对导体框架片段进行挤压包封来构造。
例如，包括所有导体框架片段30的导体框架可以利用相应两个接触元件44、42被放入到浇注或成形体中，并且然后被用液体成形材料54重铸或挤压包封，其中接着可以对成形材料54进行干燥或硬化。浇注或成形体被构造为使得在成形材料54中构造容纳凹槽56。在容纳凹槽56中露出至少容纳区域38。另外，在容纳凹槽56中，第一和第二接触元件42、44至少部分被露出。此外，两个接触元件42、44在其背向容纳凹槽56的侧上至少部分地不含成形材料54。
替代于在构造成形材料54以前将中间元件50置入到中间区域48中，可以在构造成形材料54时使中间区域48保持不含成形材料54，并且中间元件50可以在形成成形材料54以前才被置入到中间区域48中。
在构造成形材料54以前或以后，在中间元件50的背向容纳区域38的侧上构造热接触部52。热接触部52例如可以例如如下面参考图12和/或17进一步阐述的那样被扁平地施加到中间元件50和/或器件载体上并且接着被结构化。可替代于此地，已经结构化的热接触部52可以施加到中间元件50上。热接触部52例如适于实现焊接连接并且例如可以与焊剂交联。热接触部52例如具有金属、例如铜、银、镍、金或钯。热接触部52用于热接触中间元件50。此外，热接触部52用于将热从中间元件50中排出。热接触部52是中间元件50、尤其是中间元件50的表面的金属化部。例如，金属化部为使得其可焊接，也就是说，通过金属化部可以产生焊接连接。热接触部52因此也可以用于产生焊接连接。
图7示出了器件载体在用于制造器件载体的方法的第一实施例期间的第四状态，其中电子器件60被施加到容纳区域38上。具有电子器件60的器件载体也可以被表示为电子装置10或者电子构件。器件载体可以充当用于电子器件的壳体。电子器件60例如是半导体芯片和/或发光器件或光吸收器件。发光器件例如是OLED或LED、例如垂直发射OLED或LED，其中所发射的电磁辐射的优选方向垂直于LED的层结构的层。
电子器件60例如在其背向导体框架片段30的侧具有第一电接触部62并且在朝向导体框架片段30的侧具有第二电接触部66。在第一电接触部62与第二电接触部66之间构造至少一个例如多个光学层。例如，构造光学作用层，所述光学作用层例如在第一和第二电接触部62、66之间施加电压时发光。另外，可以作为光学作用层设置各种散射和/或转换层，以用于散射或转换在发光器件中生成的电磁辐射。
电子器件60的第一电接触部62通过第一接合接触部70、电线72、以及第二接合接触部74与器件载体的第一电接触部元件42电连接。第二电接触部66在体身上与导体框架片段30的容纳区域38接触。电子器件60的容纳区域38以及由此第二电接触部66与第二接触元件44电耦合。因此，导体框架片段30的容纳区域38用于将电子器件60与电路板片段30机械地以及电地耦合。
在电子器件60运行时可能产生热，该热被容纳区域38中的导体框架片段30接收。该热可以通过中间元件50被排出到热接触部52。同时，中间元件50形成容纳区域38同热接触部52的电绝缘，并且由此形成热接触部52同电子器件60的电绝缘。
电子器件60布置在成形材料54的容纳凹槽56中。容纳凹槽56可以在其它情况下例如被填充填料、例如光散射材料。换言之，容纳凹槽56中的电子器件60可以嵌入在填料中。
接着，导体框架片段30可以例如借助于切割或锯开从导体框架或器件载体中、从器件载体复合体中分离出。
图8至12示出了导体框架片段30或器件载体在用于制造器件载体的方法的第二实施例期间的不同状态。
图8示出了导体框架片段30或器件载体在用于制造器件载体的方法的第二实施例期间的第一状态，其中从根据图3的导体框架片段30出发，仅仅中间区域48在容纳片段36中被构造在导体框架片段30的与容纳区域38相对的侧上。例如，中间区域48可以借助于刻蚀过程、例如平面刻蚀被构造在导体框架片段30中。可替代于此地，中间区域48例如可以借助于铣磨、钻孔、研磨或刻印来构造。 中间区域48的深度例如可以为在10至100μm之间、例如在20至60μm之间、例如在30至50μm之间、例如大约40μm。
图9示出了器件载体在用于制造器件载体的方法的第二实施例期间的第二状态，其中导体框架片段30例如根据参考图4所阐述的用于制造接触元件42、44的双侧刻蚀过程从两侧经历刻蚀过程。导体框架片段30在双侧刻蚀过程以后由于参考图8所阐述的刻蚀过程在容纳区域38处以及在中间区域48处具有比第一和第二接触元件42、44更小的厚度。
图10示出了导体框架片段30或器件载体在用于制造器件载体的方法的第二实施例期间的第三状态，其中导体框架片段30被嵌入到成形材料中，例如如参考图6进一步阐述的那样。
由于导体框架片段30在容纳区域38和第二中间区域48处的较小厚度，成形材料54还被构造为与中间区域48接界，使得中间区域48被用成形材料54覆盖或填充。成形材料54由此形成中间元件50。换言之，在该实施例中，中间元件50由成形材料54构成。中间元件50的厚度例如大约对应于图8所示的中间区域48的深度。
图11示出了导体框架片段30或器件载体在用于制造器件载体的方法的第二实施例期间的第四状态，其中在器件载体上在导体框架片段38的背向容纳区域38的侧处施加附加层80，更确切而言，使得两个接触元件42、44和中间元件50保持不含附加层80。附加层80也可以被表示为焊接掩模，和/或尤其是用于抬离（Lift-Off）方法。
图12示出了导体框架30或器件载体在用于制造器件载体的方法的第二实施例期间的第五状态，其中在导体框架片段30的背向容纳区域38的侧在第一接触元件42处构造第一层接触部82，在第二接触元件44处构造第二层接触部84，并且在中间元件50处构造热接触部52。第一层接触部82、第二层接触部84和/或热接触部52例如扁平地借助于电镀过程被施加到附加层80和成形体54上，其中接着附加层80与电镀层的位于其上的层元件一起被除去，使得产生第一层接触部82、第二层接触部84和/或热接触部52。层接触部82、84和/或热接触部52可替代地也可以借助于抬离方法通过蒸镀方法和/或溅射方法来施加。
电子器件60被施加到导体框架片段30上，并且在导体框架片段30处被接触，例如如参考图7进一步阐述的那样。
接着，导体框架片段30可以例如借助于切割或锯开从导体框架或器件载体中、从器件载体复合体中分离出。
在第二制造方法中，可以放弃构造分开的中间元件50，因为这由成形材料54来形成。成形材料54在用于制造器件载体的方法的实施例的该实施例中例如具有特别高的热导率。
在图13至18中示出了导体框架片段30或器件载体在用于制造器件载体的方法的第三实施例期间和/或在用于制造导体框架片段30或器件载体的第三方法的不同状态。
图13示出了导体框架片段30或器件载体在用于制造器件载体的方法的第三实施例期间的第一状态，其中首先从图3所示的状态出发，导体框架片段30经历双侧刻蚀过程，例如如参考图4进一步阐述的那样。但是与图4示出的实施例不同，中间区域48被构造在导体框架片段30的与容纳区域38相对的侧上。
图14示出了导体框架片片段30或器件载体在用于制造器件载体的方法的第三实施例期间的第二状态，其中导体框架、尤其是导体框架片段30已经被成形材料54包围和/或嵌入到成形材料54中。构造成形材料54例如根据如参考图6进一步阐述的那样构造成形材料54来进行。
图15示出了导体框架片段30或器件载体在用于制造器件载体的方法的第三实施例期间的第三状态，其中器件载体的背向容纳凹槽56的侧上施加中间层86。中间层86例如可以例如借助于离心涂布、压印、印刷、浇注或刮擦和/或通过溅射、热沉积和/或层压扁平地施加到器件载体上，其中接着在需要时可以例如光学地和/或热学地对中间层86进行干燥或硬化。中间层86具有中间元件50的材料。中间层86例如可以被构造为尽可能薄的，和/或例如具有1至50μm、例如20至40μm、例如大约38μm的厚度。
图16示出了导体框架片段30或器件载体在用于制造期间载体的方法的第三实施例期间的第四状态，其中中间层86被结构化为使得第一接触元件42和接触元件44至少部分地不含中间层86。换言之，中间层86被结构化。 中间层86例如可以借助于激光烧蚀、刻蚀和/或机械地例如借助于铣磨和/或刮削被结构化。
替代于如参考图15所阐述的那样扁平地施加中间层86并接着如参考图16所阐述那样结构化中间层86，中间层86也可以例如借助于丝网印刷、模板印刷、或者以射流冲击法（喷溅）、例如根据喷墨印刷法结构化地施加到器件载体上。
图17示出了导体框架片片段30或器件载体在用于制造器件载体的方法的第三实施例期间的第五状态，其中接触层88被构造在器件载体的背向容纳区域38的侧上。接触层88扁平地延伸到中间层86、中间元件50、以及第一和第二接触元件42、44的露出区域上。接触层88例如可以具有金属、例如铜。接触层88例如可以具有在1至50μm之间、例如在3至10μm之间、例如大致5μm的厚度。
图18示出了导体框架片段30或器件载体在用于制造期间载体的方法的第五实施例期间的第六状态，其中接触层83被结构化为使得通过接触层82形成第一层接触部82、第二层接触部84、以及热接触部52。接触层88例如可以借助于光刻过程和刻蚀过程来构造和/或结构化。例如，接触层88的结构可以借助于光掩模被施加在接触层88上。
在图19至24中示出了导体框架片段30或器件载体在用于制造器件载体的方法的第四实施例期间的不同状态。
图19示出了导体框架片段30或器件载体在用于制造器件载体的方法的第四实施例期间的第一状态，其中从根据图3的导体框架片段30出发，中间区域48在导体框架片段的与容纳区域38相对的侧上被构造在框架片段30中。中间区域48例如借助于刻蚀来构造。另外，中间区域48例如可以如参考图8进一步阐述的那样来构造。中间层48例如可以被构造为具有例如在10至100μm之间、例如在20至50μm之间、例如大致40μm的深度。
图20示出了导体框架片段30或器件载体在用于制造器件载体的方法的第四实施例期间的第二状态，其中中间元件48被置入到中间区域48中。
中间元件50例如可以借助于刮擦或者配送被置入到中间区域48中。中间区域50例如如参考图5进一步阐述的那样被置入到中间区域48中。中间元件50例如可以具有如结合图5所示的中间元件59所详述的材料。中间元件50的材料例如可以以流体形式被置入到中间区域48中和/或在那里被热地或光学地硬化。
图21示出了导体框架片段30或器件载体在用于制造器件载体的方法的第四实施例期间的第三状态，其中接触层88在第一和第二接触片段中被扁平地施加到中间层50和导体框架片段30上。接触层88例如可以根据图17所述的接触层88来构造和/或构造。接触层88例如可以具有1至10、例如5微米的厚度。
图22示出了导体框架片段30或器件载体在用于制造器件载体的方法的第四实施例期间的第四状态，在此之前，具有中间元件50和接触层88的导体框架片段30经历双侧刻蚀过程，例如如参考图4进一步阐述的那样。通过双侧刻蚀过程来构造具有第一层接触部82的第一接触元件42、具有第二层接触部84的第二接触元件44、以及具有热接触部52的中间元件50。可替代地，例如如果执行刻蚀过程是不利的，则也可以通过单侧或双侧机械加工来构造具有第一层接触部82的第一接触元件42、具有第二层接触部84的第二接触元件44、以及具有热接触部52的中间元件50。
图23示出了导体框架片段30或器件载体在用于制造器件载体的方法的第四实施例期间的第五状态，其中导体框架片段30被用成形材料54重铸或挤压包封。构造成形材料54例如根据如参考图6进一步阐述的那样进行。成形材料54被构造为使得第一层接触部82、第二层接触部84和热接触部52保持不含成形材料。
图24示出了导体框架片段30或器件载体在用于制造器件载体的方法的第四实施例期间的第六状态，其中电子器件60被施加到容纳区域38上，并且电子器件60已经与导体框架片段30接触，例如如参考图7进一步阐述的那样。
在该实施例中，中间元件50可以被构造为特别薄的，这可以有助于特别良好地将热通过中间元件50排出。另外，器件载体、例如壳体、例如QFN壳体在其背向电子器件60的侧处被构造平面的，这可以有助于将器件载体简单地构造在例如电路板14上。
图25至29示出了器件载体在用于制造器件载体的方法的第五实施例期间的不同状态。
图25示出了导体框架片段30或器件载体在用于制造器件载体的方法的第五实施例期间的第一状态，其中在根据图3的导体框架片段30上在导体框架片段30的背向容纳区域30的侧上构造中间元件50。中间元件50例如已经被结构化，例如借助于模板印刷、丝网印刷或借助于喷墨印刷法（喷射）被施加到导体框架片段30上。可替代于此，中间元件50可以如参考图15所阐述那样作为中间层86被施加，并且然后如参考图16进一步阐述那样被结构化，使得接着构造中间元件50。
图26示出了导体框架片段30或器件载体在用于制造器件载体的方法的第五实施例期间的第二状态，其中接触层88被扁平地施加到框架片段30和中间元件50上，例如如参考图17进一步阐述的那样。
图27示出了导体框架片段30或器件载体在用于制造器件载体的方法的第五实施例期间的第三状态，在此之前，具有接触层88和中间元件50的导体框架片段30经历双侧刻蚀过程，例如如参考图4进一步阐述的那样。在双侧刻蚀过程中构造具有第一层接触部82的第一接触元件42、具有第二层接触部84的第二接触元件44、以及具有热接触部52的中间元件50。可替代于此地，例如如果执行刻蚀过程是不利的，则也可以通过单侧或双侧机械加工来构造具有第一层接触部82的第一接触元件42、具有第二层接触部84的第二接触元件44、以及具有热接触部52的中间元件50。导体框架片片段30在热接触部52、中间元件50和容纳区域38的区域中具有与在第一和/第二接触元件42、44的区域中相比更大的厚度。
图28示出了导体框架片段30或器件载体在用于制造器件载体的方法的第五实施例期间的第四状态，其中导体框架片段30被嵌入到成形材料54中。成形材料54例如如参考图6进一步阐述的那样来构造。成形材料54具有容纳凹槽56。此外，成形材料54被构造为使得第一和第二层接触部82、84和热接触部52不含成形材料54。器件载体在其朝向容纳区域38的侧上具有阶梯型结构。器件载体尤其是在中间片段36中与在第一和第二接触片段32、34中相比具有更大厚度。阶梯部在图28为了更好地图解说明而被夸大地示出。该阶梯部也可以被构造为相对于器件载体的大小明显更小的。这例如可以通过将中间层50构造为尽可能薄的来实现。
图29示出了导体框架片段30或器件载体在用于制造器件载体的方法的第五实施例期间的第五状态，其中电子器件60被布置在器件载体上并且与其导体框架片段30接触。
用于制造器件载体的第五实施例例如可以利用仅仅单个刻蚀过程来执行。
本发明不限于所说明的实施例。例如，成形材料54可以在所有实施例中借助于转移压缩或注射成形来构造。原则上对于所有实施例都成立的是，中间元件50的小厚度有助于良好的散热。中间元件50的小厚度例如可以通过中间区域48的凹槽的小深度或者通过中间层的小厚度来实现。

Claims (15)

1.一种用于制造用于电子器件（60）的器件载体的方法，其中
－提供导体框架片段（30），所述导体框架片段（30）具有导电材料，其中导体框架片段（30）具有用于构造第一电接触元件（42）的第一接触片段（32）、用于构造第二电接触元件（44）的第二接触片段（34）、以及用于容纳电子器件（60）的容纳区域（38），其中至少容纳区域（38）和第二接触片段（34）导电地彼此连接；
－至少在导体框架片段（30）的与容纳区域（38）相对的侧上构造导热和电绝缘的中间元件（50）以用于将热从容纳区域（38）中排出并且将容纳区域（38）电绝缘；
－至少在中间元件（50）的背向容纳区域（38）的侧上构造热接触部（52）以用于热接触电子器件（60）。
2.根据权利要求1所述的方法，其中热接触部（52）具有金属。
3.根据前述权利要求之一所述的方法，其中第一接触元件（42）和第二接触元件（44）由导体框架片段（30）构造，其中第一接触元件（42）在体身上与第二接触元件（44）分开。
4.根据权利要求3所述的方法，其中第一接触元件（42）借助于刻蚀过程在体身上与第二接触元件（44）分开。
5.根据权利要求3或4所述的方法，其中在导体框架片段（30）的与容纳区域（38）相对的侧上构造用于容纳中间元件（50）的中间区域（48）。
6.根据权利要求5所述的方法，其中中间区域（50）在与第一和第二接触元件（42，44）相同的工作步骤中被构造。
7.根据权利要求3至6之一所述的方法，其中中间元件（50）和/或热接触部（52）在与第一和第二接触元件（42，44）相同的工作步骤中被构造。
8.根据权利要求3至7之一所述的方法，其中第一和第二接触元件（42，44）至少部分地被嵌入到成形材料（54）中。
9.根据权利要求8所述的方法，其中成形材料（54）被用作中间元件（50）。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其中成形材料（54）被成形为使得其具有容纳凹槽（56），在所述容纳凹槽（56）中至少部分地露出第一接触元件（42）、第二接触元件（44）和/或容纳区域（38）。
11.一种用于制造电子装置（10）的方法，其中根据前述权利要求之一所述的方法来制造器件载体并且其中将电子器件（60）施加到容纳区域（38）上，并且电子器件（60）的第一电接触部（62）与第一接触元件（42）接触，并且电子器件（60）的第二电接触部（66）与第二接触元件（44）接触。
12.一种用于制造辐射装置的方法，其中根据权利要求11所述的方法来制造电子装置（10），其中使用辐射源作为电子器件（60）。
13.一种用于容纳和接触电子器件（60）的器件载体，具有：
－导体框架片段（30），其具有用于接触电子器件（60）的第一电极（62）的第一接触元件（42）、用于接触电子器件（60）的第二电极（66）的第二接触元件（44）、以及用于容纳电子器件（60）的容纳区域（38），其中容纳区域（38）和第二接触元件（44）导电地彼此连接；
－用于使容纳区域（38）电绝缘的中间元件（50），所述中间元件（50）布置在导体框架片段（30）的与容纳区域（38）相对的侧上；
－用于热接触电子器件（60）的热接触部（52），其中热接触部（52）在中间元件（50）的背向容纳区域（38）的侧上布置在中间元件（50）处。
14.一种电子装置，其具有根据权利要求13所述的器件载体和电子器件（60）。
15.一种辐射装置，其具有根据权利要求13所述的器件载体和电子器件（60），其中电子器件（60）是辐射源。
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