KR100863612B1 - 발광소자 - Google Patents

발광소자 Download PDF

Info

Publication number
KR100863612B1
KR100863612B1 KR1020060078395A KR20060078395A KR100863612B1 KR 100863612 B1 KR100863612 B1 KR 100863612B1 KR 1020060078395 A KR1020060078395 A KR 1020060078395A KR 20060078395 A KR20060078395 A KR 20060078395A KR 100863612 B1 KR100863612 B1 KR 100863612B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
light
emitting device
exit surface
base
Prior art date
Application number
KR1020060078395A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070035951A (ko
Inventor
민-데 린
밍-야오 린
치아-창 큐오
쉥-판 후앙
웬-웅 예
Original Assignee
인더스트리얼 테크놀로지 리서치 인스티튜트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 인더스트리얼 테크놀로지 리서치 인스티튜트 filed Critical 인더스트리얼 테크놀로지 리서치 인스티튜트
Publication of KR20070035951A publication Critical patent/KR20070035951A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100863612B1 publication Critical patent/KR100863612B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01068Erbium [Er]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

전원에 연결되어 빛을 발산하는 발광소자를 제시한다. 상기 발광소자는 광출사면 측면에 적어도 두 개의 전극을 가진 발광부; 및 요부와 상기 전극에 연결되는 리드부를 가진 기저부로 구성되며, 상기 발광부는 기저부에 장착되어 요부로 들어가는데 광출사면이 요부의 입구쪽을 향하고 요부 입구는 광출사면 쪽으로 갈수록 좁아지는 형태이다. 상기 전극은 각각 리드부에 전기적으로 연결되는데, 리드부는 전원 연결을 위해 접지점에서 기저부의 바깥 테두리까지 이어진다. 본 발명의 발광소자는 짧은 전류 경로, 낮은 직렬 열 저항과 비용 감소의 장점이 있으며, 집광 효율을 향상시키기 위해 요부의 깊이를 증가시키는 것도 가능하다.
발광소자, 전극, 발광

Description

발광소자{LIGHT EMITTING DEVICE}
도 1a 내지 1c는 첫 번째 종래기술 LED 패키지 구조를 도시한다.
도 2a 내지 2c는 두 번째 종래기술 LED 패키지 구조를 도시한다.
도 3a 내지 3c는 세 번째 종래기술 LED 패키지 구조를 도시한다.
도 4a 내지 4c는 네 번째 종래기술 LED 패키지 구조를 도시한다.
도 5a 내지 5c는 다섯번째 종래기술 LED 패키지 구조를 도시한다.
도 6a 내지 6c는 여섯번째 종래기술 LED 패키지 구조를 도시한다.
도 7a 내지 7e는 본 발광소자 발명의 상세한 구조를 도시한다.
도 8a와 8b는 본 발명의 두 가지 다른 구현예에 따른 발광소자의 구조를 도시한다.
도 9a는 본 발명에서 더 깊은 요부가 있는 기저부의 구조를, 도 9b는 상기 기저부로 구성된 발광소자의 구조를 도시한다.
도 10은 본 발명의 또 다른 구현예에 의한 발광소자의 측면 단면도를 도시한다.
도 11은 도 10의 발광소자를 도시한 평면도이다.
도 12 내지 도 14는 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 발광소자를 도시한 평면도들이다.
본 발명은 발광소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 고전력 발광 다이오드에 사용되는 발광소자에 관한 것이다.
긴 수명, 작은 부피, 낮은 발열, 낮은 전력소비, 빠른 반응속도와 단색광 발광의 특징을 가진 발광 다이오드들(LEDs)은 현재 표시등들, 광고판들, 신호등들, 자동램프들, 디스플레이 패널들, 통신장비들, 가전제품들 등 광범위하게 사용되고 있다. 따라서 LED 패키징(packaging)을 위한 다양한 패키징 기술들이 개발되었으며, 그 결과 다양한 LED 패키지구조가 나타났다.
도 1a 내지 도 1c는 플립(flip) 방식의 칩 패키징 공정을 도시하였다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 복수의 도전성 돌기(bump)들이 알루미늄 기판(10) 위에 형성된다. 그 후, 도 1b에 도시된 바와 같이, LED 칩(12)은 상판이 아래를 향하도록 하여 알루미늄 기판(10)에 부착된다. 마지막으로, 내부를 채우고(underfill) 패키징하는 공정이 수행되어 도 1c와 같은 최종 패키지 구조가 된다.
도 2a 내지 도 2c는 전선결합(wire bonding) 패키징 공정을 도시한 도면들이다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 알루미늄 기판 또는 세라믹 기판(20)에 은으로 된 페이스트(paste, 21)가 코팅된다. 이어서, 도 2b에 도시된 바와 같이, 플립 칩 LED 칩 소자(22)를 기판에 부착한 후 전선결합 공정을 수행한다. 계속하여 내부를 채우 고(underfill) 패키징하는 공정이 수행되어 도 2c와 같은 최종 패키지 구조가 된다.
위의 두 패키징 공정들에서, 몰딩 컴파운드(molding compound)과 기판의 팽창 계수가 다르기 때문에 뒤틀림(deformation)과 벗겨짐(stripping)이 발생하기 쉽다. 게다가, 상기 LED 칩이 알루미늄 또는 세라믹 기판을 통해 외부로 전기적으로 연결되기 때문에 도전경로가 너무 길어져서 상기 알루미늄 또는 세라믹 기판에서 많은 열을 흡수하게 되고, 그 결과 대량 생산이 어려워지게 된다. 더 나아가 알루미늄 혹은 세라믹 기판에 여러 개의 칩 제품들이 사용될 경우 상기 알루미늄 또는 세라믹 기판이 약해져 그것은 리플로우 공정(reflow process) 전에 처리되어야 하며, 그 결과 높은 제조비용이 요구되었다.
도 3a 내지 도 3c와 도 4a 내지 도 4c는 각각 리드 프레임들(lead frames, 30, 40)과 방열판들(heat sinks, 31, 41)을 각기 사용하는 두 가지 패키징 공정들을 도시하였다. 도 3a와 도 4a에 도시된 바와 같이, 리드 프레임들(30, 40) 위에 위치한 방열판들(31, 41)에 각각 은으로 된 페이스트(32, 42)가 코팅된다. 도 3b와 도 4b에 도시된 바와 같이, 플립 칩 LED 칩 소자들(33, 43)을 각각 리드 프레임들(30, 40)에 부착한 후, 전선결합 공정을 수행한다. 이어서 내부를 채우고(underfill) 패키징하는 공정이 수행되어 도 3c 및 도 4c와 같은 최종 패키지 구조가 된다.
상기 두 패키징 공정에서는 높은 직렬 열 저항으로 인해 신뢰도가 떨어지는 문제가 있다. 또한 적층(stack) 기술이 상기 두 패키징 공정에 사용되었기 때문에 패키지된 제품들은 매우 두꺼워지게 된다. 패키지 구조의 전면에서 수행되는 공정을 촉진시키기 위해서는 도 4a 내지 도 4c에 도시된 바와 같이 요부(recess)의 깊이가 얕아질 수 밖에 없는데, 이는 집광(light collecting) 효율에 영향을 미치게 된다.
도 5a 내지 도 5c와 도 6a 내지 도 6c는 세라믹 기판들과 사출성형된 리드 프레임들을 사용하는 두 가지 패키징 공정을 도시한 도면들이다. 여기서 주의할 것은 알루미늄 기판이 상기 세라믹 기판에 추가로 부착되어야 한다는 점이다. 그 결과 세라믹 기판의 고비용과 알루미늄 기판의 추가로 인해 제조비용이 증가하게 된다. 게다가 도 6a 내지 도 6c에 도시된 바와 같이, 사출성형 기술이 발광소자의 높은 직렬 열 저항을 발생시키므로, 상기 발광소자는 고전력 LED 패키지에 사용될 수 없다. 도 4a 내지 도 4c에서 상술한 바와 같이, 집광 효율이 저하되는 점도 역시 문제이다.
이러한 이유로 낮은 직렬 열 저항, 낮은 제조비용과 개선된 집광 효율을 가지면서도 두께가 얇은 LED 패키지 구조의 개발이 필요하다.
상기 결점을 극복하기 위한 본 발명의 제 1 목적은 얇은 두께의 발광소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 제 2 목적은 직렬 열 저항을 감소시킬 수 있는 발광소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 제 3 목적은 제조비용을 감소시킬 수 있는 발광소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 제 4 목적은 집광 효율을 향상시키는 발광소자를 제공하는 것이다.
상기 목적을 실현하기 위해 본 발명에서는 적어도 다음과 같이 구성된 발광소자를 제시한다. 상기 발광소자는 광출사면의 측면에 적어도 두 개의 전극들이 위치한 발광부; 및 요부와 상기 전극들에 상응하는 리드부들을 가지는 기저부(base member)를 포함한다. 여기서, 상기 발광부는 상기 기저부 위에 장착되고 상기 요부에 수용되며, 광출사면이 요부의 개구를 향하도록 하여 들어가는데 이 개구는 광출사면 쪽으로 갈수록 좁아지며, 상기 전극들은 전원 연결을 위해 접점으로부터 상기 기저부의 외곽 모서리로 연장된 상기 리드부들에 전기적으로 연결된다.
종래기술과 비교하여 본 발명의 발광소자는 발광부와 기저부를 결합함으로써 두께가 얇고 훨씬 간단한 구조로 구현된다. 여기서 상기 기저부는 그의 리드부를 통해 전원에 연결되는데, 그 결과 전류 경로가 짧아지고 직렬 열 저항이 낮아지며 비용이 감소된다. 또한 집광효율을 높이기 위해 요부의 깊이를 증가시키는 것도 가능하다.
이제부터는 본 발명의 실시예들이 첨부된 도면들을 참조하여 자세히 상술될 것이다.
도 7a 내지 도 7e는 본 발명에 따른 발광소자의 구조를 도시한 도면들이다. 본 발명의 발광소자는 적어도 발광부(도 7a의 60)와 상기 발광부를 장착할 수 있는 기저부(도 7b의 61)를 포함한다.
도 7a에 도시된 바와 같이, 발광부(60)는 전원 연결을 위해 발광부(60)의 광 출사면 측면에 배치된 적어도 두개의 전극들(600 및 601)을 가진다. 바람직하게는, 발광부(60)는 적어도 하나의 발광칩(602)과 전원 연결을 위한 전극들(600 및 601)을 가진 적어도 하나의 기판(603)을 포함한다. 플립 칩 방식에서 발광칩(602)은 기판(603) 위에 장착되며, 금, 주석 볼들 또는 다른 방식의 전기적, 열적 도전성 물질을 통해 기판(603)에 전기적으로 연결된다. 바람직하게는, 기판(603)은 규소(Si), 알루미늄(Al) 또는 탄소(C)로 구성된다.
도 7b에 도시된 바와 같이, 기저부(61)는 PPA 수지, PC 열가소성 물질 또는 사출성형, 조합에 의한 절연물질로 형성된 리드 프레임(lead frame)이다. 기저부(61)는 요부(610)를 가지며, 이 요부(610)로 발광부(60)가 광출사면이 요부(610) 개구 쪽을 향하도록 하여 수용되고 광출사면 쪽으로 갈수록 요부(610)의 개구는 점점 좁아진다. 또한 발광부(60)의 전극들(600 및 601)을 전기적으로 연결시키기 위해 두개의 리드부들(611 및 612)이 기저부(61) 상에 배치된다. 본 실시예에서, 전극들(600 및 601)을 리드부들(611 및 612)에 고정시키고 그들 사이를 전기적으로 연결시키기 위해 리드부들(611 및 612)에 도전성 접착물질(613 및 614)이 코팅된다. 바람직하게는, 도전성 접착물질(613 및 614)은 은 페이스트(paste), 땜납 페이스트 또는 납을 함유한 땜납 페이스트로 구성된다. 상기 리드부와 전극은 플립 칩 기술을 사용할 경우 금 또는 주석 볼들을 통해서, 초음파 결합 기술을 사용할 경우에는 전도성 결합 물질을 통해서 고정되고 전기적으로 연결될 수 있으며, 전원 연 결을 위해 리드부들(611 및 612)은 발광부(60)와 기저부(61)가 전기적으로 연결된 지점부터 기저부(61)의 외곽 모서리로 연장된다. 상기 리드부들은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 주석(Sn), 알루미늄(Al) 등과 같은 도전성 도체로 구성된다.
도 7c에 도시된 바와 같이, 발광부(60)는 도전성 접착물질들(613 및 614)을 통해 화살표 방향으로 기저부(61)로 부착되어 도 7d에 도시된 바와 같은 구조를 형성한다. 그 후, 발광부(60)를 기저부(61)에 고정시키기 위해 내부를 채우고 패키징하는 공정이 수행되어 요부(610)를 밀봉 부재(sealing member, 617)로 채운다. 발광소자의 최종 구조는 도 7e에 도시된 바와 같다. 주의할 것은 도 7e에서 상기 밀봉 부재가 상기 광출사면에서 평평한 평면구조를 형성하고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니라는 점이다. 상기 밀봉 부재는 렌즈모양이 될 수도 있고, 집광 효율을 높이기 위한 다른 모양이 될 수도 있다. 또한, 도 8a에 도시된 바와 같이, 발광부(60)로부터 방출된 빛을 요부(610)의 벽면으로 반사시키기 위해 광반사부(615)가 광출사면에 인접한 상기 요부에 배치되면, 더 많은 빛을 반사시켜 실질적으로 평행한 광선을 발생시킴으로써 광효율을 향상시킬 수 있다. 광반사부(615)는 위에서 상술한 바와 같이, 밀봉 부재(617)에 의해 고정된다. 바람직하게는 광반사부(615)는 전기도금 또는 조합(assembling)을 통한 반사 물질로 구성된다.
도 8b에 도시된 바와 같이, 발광부(60)로부터 방출된 빛의 파장을 변화시키기 위해 광전환부(616)가 상기 광출사면에 인접한 상기 요부에 배치되며, 그래서 광효율이 향상된다. 광전환부(616)는 위에서 상술한 바와 같이, 밀봉 부재(617)에 의해 고정되고, 코팅을 통한 형광 전환 물질로 구성된다.
도 9a에 도시된 바와 같이, 기저부(61a)가 얇은 두께를 갖기 때문에, 요부(610a)의 깊이는 집광효율을 향상시키도록 증가될 수 있다. 도 9b에 도시된 바와 같이, 발광부(60a)는 내부를 채우고 패키징하는 방식에 의해 기저부(61a)에 고정된다. 이로써 종래기술에 비해 본 발명의 발광소자의 두께가 훨씬 얇아지며 이는 제조비용의 감소로 이어지게 된다. 한편, 본 발명의 발광소자의 두께를 종래기술의 두께와 동일하게 하는 경우라 하더라도, 요부(610a)의 깊이가 증가되어 향상된 집광 효율을 성취할 수 있다.
상기 발광소자의 발열문제를 해결하기 위해, 본 발명에서는 도 10에 도시된 바와 같은 다른 실시예를 제안한다. 발광부(60b)가 전원에 연결되었을 때 발광부(60b)에 의해 발생된 열이 효율적으로 발산될 수 있도록 발광부(60b)의 광출사면 반대쪽 표면에 열 도전체(62)가 장착된다. 도 10에서 전원 공급을 위해 인쇄회로기판(70)을 사용한다. 바람직하게는 평면 모양의 열 도전체(62)는 알루미늄, 구리, 철 또는 적어도 50W/mK의 열 전도율을 갖는 물질로 구성된다. 또한 발광부(60b)를 열 도전체(62) 표면에 고정시키기 위해 열 도전체(62)와 발광부(60b) 사이에 접착층(63)이 배치될 수 있으며, 이 접착층(63)은 열 방출 페이스트(heat sink paste)로 구성되는 것이 바람직하다. 이렇게 열 전도 구조를 전기 전도 구조로부터 분리함으로써 본 발명은 전도 경로를 감소시키고, 이로써 직렬 열 저항 감소와 제품 신뢰도 향상의 효과를 가지게 된다.
도 11은 도 10의 발광소자를 도시한 평면도이다. 도 11에 도시된 바와 같이, 발광부(60b)는 단색광을 발산하는 하나의 칩을 포함한다. 그러나, 발광부(60b)는 이에 국한되지 않는다. 도 12에 도시된 바와 같이, 발광부(60b)는 빛의 혼합을 통해 단색광을 출력하는 여러 개의 칩으로 구성될 수도 있다. 또는, 도 13 및 도 14에 도시된 바와 같이, 발광부들(60c 및 60d)은 제품 응용을 위한 여러 색의 광을 출력하도록 빛을 번갈아 방출하는 여러 개의 칩을 각기 포함한다. 또한 자외선을 방출하는 것도 가능하다.
그러므로, 본 발명의 발광소자는 광출사면 측면에 위치된 적어도 두 개의 전극들을 가진 발광부 및 상기 발광부가 장착될 수 있는 기저부를 적어도 포함한다. 여기서, 상기 발광부는 광출사면이 상기 기저부의 요부 개구를 향하도록 하여 요부로 수용되는데 이 개구는 광출사면 쪽으로 갈수록 좁아지는 형태이다. 상기 발광부들의 전극들은 기저부의 리드부들과 전기적으로 연결되는데, 이 리드부들은 전원 연결을 위해 상기 기저부의 외곽 모서리를 향하여 연장된다.
결과적으로, 본 발명은 발광소자의 두께를 감소시키고 전류경로 단축, 직렬 열 저항 감소, 비용 감소라는 장점을 가지게 된다. 또한 요부의 깊이를 종래기술에서와 같이 6mm에 한정시키지 않고 증가시킬 수 있어 집광 효율을 높일 수 있다. 나아가 발광부를 기저부의 전면에만 장착할 수 있는 종래기술에 비해 본 발명에서는 속이 빈 기저부를 사용하기 때문에 상기 발광부를 기저부의 후면으로부터 요부쪽으로 장착할 수 있게 되어 장착 공정이 용이해진다.
상기 발명을 선택된 구현예를 통해 기술하였으나, 발명의 범위는 제시된 구현예에 한정되지 않는다. 오히려 그 밖의 다양한 변형과 유사한 배치까지 포함할 수 있다. 따라서 특허청구범위는 그러한 모든 변형과 유사한 배치까지 포함할 수 있도록 가장 넓게 해석되어야 한다.
종래기술과 비교하여 본 발명의 발광소자는 발광부와 기저부를 결합함으로써 두께가 얇고 훨씬 간단한 구조로 구현된다. 여기서 상기 기저부는 그의 리드부를 통해 전원에 연결되는데, 그 결과 전류 경로가 짧아지고 직렬 열 저항이 낮아지며 비용이 감소된다. 또한 집광효율을 높이기 위해 요부의 깊이를 증가시키는 것도 가능하다.

Claims (31)

  1. 그의 광출사면 측면에 배치된 적어도 두 개의 전극들을 갖는 발광부; 및
    요부 및 상기 전극들에 상응하는 복수의 리드부들(lead portions)을 포함하는 기저부를 포함하되,
    상기 발광부는 상기 기저부에 장착되고 상기 요부에 수용되며, 상기 광출사면은 상기 광출사면에 접근할수록 수렴하는 상기 요부의 개구를 향하여 직면하고, 상기 전극들은 상기 리드부들에 각기 전기적으로 연결되며, 상기 리드부들은 전원 연결을 위해 상기 발광부와 상기 기저부의 전기적 연결위치로부터 상기 기저부의 외곽 모서리로 연장되며,
    상기 발광부에서 방출되는 빛을 상기 요부의 벽면으로 반사시켜 평행한 광선을 발생시킴으로써 광 효율이 향상되도록 광 반사부가 상기 광출사면에 인접한 상기 요부에 추가로 배치되는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 발광부는 전원 연결을 위한 전극들을 가진 적어도 하나의 기판 및 상기 기판에 장착되고 상기 기판과 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 발광칩을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 발광부는 단색광 단일칩, 단색광 멀티칩, 다색광 멀티칩, 자외선 방출칩으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  4. 제 2항에 있어서, 플립 칩 방식의 상기 발광칩은 금볼들, 주석볼들, 전기적이면서 열적인 도전성 물질로 이루어진 그룹 중 어느 하나를 통해 상기 기판과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  5. 제 2항에 있어서, 상기 발광칩은 LED칩인 것을 특징으로 하는 발광소자.
  6. 제 2항에 있어서, 상기 기판은 규소, 알루미늄, 탄소로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 기저부는 리드 프레임(lead frame)인 것을 특징으로 하는 발광소자.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 리드 프레임은 사출성형방법 또는 조립방법 중 어느 하나의 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  9. 제 7항에 있어서, 상기 리드 프레임은 PPA수지, PC열가소성 물질과 절연 물질로 이루어진 그룹 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  10. 삭제
  11. 제 1항에 있어서, 상기 광반사부는 전기도금방법 또는 조립 방법 중 어느 하나의 방법에 의해 얻는 반사 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  12. 제 1항에 있어서, 광 효율이 향상되도록 상기 발광부에서 방출된 빛의 파장을 변환하기 위해 상기 광출사면에 인접한 상기 요부에 광전환부가 추가로 배치되는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 광전환부는 코팅에 의한 형광 전환 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  14. 제 1항에 있어서, 상기 광반사부와 상기 발광부를 상기 기저부에 고정시키도록 상기 요부가 밀봉 부재로 채워지는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  15. 제 12항에 있어서, 상기 광전환부와 상기 발광부를 상기 기저부에 고정시키도록 상기 요부가 밀봉 부재로 채워지는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 밀봉 부재는 집광 효율이 향상되도록 상기 발광부의 광출사면에 렌즈 모양이 추가로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  17. 제 1항에 있어서, 상기 리드부들은 전기전도성 도전체로 구성되는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 도전체는 금, 은, 구리, 주석, 알루미늄과 도전성 물질로 이루어진 그룹 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광소자.
  19. 제 1항에 있어서, 상기 리드부들은 상기 발광부의 상기 전극들에 도전성 접착물질, 금볼들, 주석볼들과 전도성 결합물질로 이루어진 그룹 중 어느 하나를 통해 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  20. 제 19항에 있어서, 상기 도전성 접착물질은 은 페이스트, 땜납 페이스트, 납을 함유한 땜납 페이스트로 이루어진 그룹 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 발광소자.
  21. 제 1항에 있어서, 상기 발광부의 상기 광출사면 반대쪽 표면에 접착된 열 방출을 위한 열 전도체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  22. 제 21항에 있어서, 상기 열 전도체는 알루미늄, 구리, 철과 열전도율이 최소 50W/mK인 물질로 이루어진 그룹 중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  23. 제 21항에 있어서, 상기 열 전도체와 상기 발광부 사이에 배치된 접착층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  24. 제 23항에 있어서, 상기 접착층은 열 방출 페이스트(heat sink paste)로 구성되는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  25. 그의 광출사면 측면에 배치된 적어도 두 개의 전극들을 가지는 발광부;
    요부 및 상기 전극들에 상응하는 리드부들을 가지는 기저부; 및
    상기 발광부의 상기 광출사면 반대쪽 표면에 부착된 열 방출을 위한 열 전도체를 포함하되,
    상기 발광부는 상기 기저부에 장착되고 상기 요부에 수용되며, 상기 광출사면은 상기 광출사면 쪽으로 갈수록 더 작아지는 상기 요부의 개구에 직면하고, 상기 전극들은 상기 리드부들과 각기 전기적으로 연결되며, 상기 리드부들은 전원 연결을 위해서 상기 발광부와 상기 기저부의 전기적 연결위치로부터 상기 기저부의 외곽 모서리로 연장되고, 상기 발광부로부터 발산된 빛을 상기 요부의 벽면에 반사시켜 평행한 광선을 실질적으로 형성하여 광효율을 향상시키도록 광반사부가 상기 광출사면에 인접한 상기 요부에 배치되며, 상기 광반사부와 상기 발광부가 상기 기저부에 고정되도록 상기 요부가 밀봉 부재로 채워지는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  26. 그의 광출사면 측면에 배치된 적어도 두 개의 전극들을 가지는 발광부;
    요부 및 상기 전극들에 상응하는 리드부들을 가지는 기저부; 및
    상기 발광부의 상기 광출사면 반대쪽 표면에 부착된 열 방출을 위한 열 전도체를 포함하되,
    상기 발광부는 상기 기저부에 장착되고 상기 요부에 수용되며, 상기 광출사면은 상기 광출사면 쪽으로 갈수록 더 작아지는 상기 요부의 개구에 직면하고, 상기 전극들은 상기 리드부들과 각기 전기적으로 연결되며, 상기 리드부들은 전원 연결을 위해서 상기 발광부와 상기 기저부의 전기적 연결위치로부터 상기 기저부의 외곽 모서리로 연장되고, 상기 발광부로부터 발산된 빛의 파장을 변화시켜 광효율을 향상시키도록 광전환부가 상기 광출사면에 인접한 상기 요부에 배치되며, 상기 광전환부와 상기 발광부가 상기 기저부에 고정되도록 상기 요부가 밀봉 부재로 채워지는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  27. 그의 광출사면 측면에 배치된 적어도 두 개의 전극들을 갖는 발광부; 및
    요부 및 상기 전극들에 상응하는 복수의 리드부들(lead portions)을 포함하는 기저부를 포함하되,
    상기 발광부는 상기 기저부에 장착되고 상기 요부에 수용되며, 상기 광출사면은 상기 광출사면에 접근할수록 수렴하는 상기 요부의 개구를 향하여 직면하고, 상기 전극들은 상기 리드부들에 각기 전기적으로 연결되며, 상기 리드부들은 전원 연결을 위해 상기 발광부와 상기 기저부의 전기적 연결위치로부터 상기 기저부의 외곽 모서리로 연장되며,
    광 효율이 향상되도록 상기 발광부에서 방출된 빛의 파장을 변환하기 위해 상기 광출사면에 인접한 상기 요부에 광전환부가 추가로 배치되는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  28. 제 27 항에 있어서, 상기 광전환부는 코팅에 의한 형광 전환 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  29. 제 27 항에 있어서, 상기 광전환부와 상기 발광부를 상기 기저부에 고정시키도록 상기 요부가 밀봉 부재로 채워지는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  30. 제 29 항에 있어서, 상기 밀봉 부재는 집광 효율이 향상되도록 상기 발광부의 광출사면에 렌즈 모양이 추가로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자.
  31. 그의 광출사면 측면에 배치된 적어도 두 개의 전극들을 갖는 발광부; 및
    요부 및 상기 전극들에 상응하는 복수의 리드부들(lead portions)을 포함하는 기저부를 포함하되,
    상기 발광부는 상기 기저부에 장착되고 상기 요부에 수용되며, 상기 광출사면은 상기 광출사면에 접근할수록 수렴하는 상기 요부의 개구를 향하여 직면하고, 상기 전극들은 상기 리드부들에 각기 전기적으로 연결되며, 상기 리드부들은 전원 연결을 위해 상기 발광부와 상기 기저부의 전기적 연결위치로부터 상기 기저부의 외곽 모서리로 연장되며,
    상기 기저부는 리드 프레임(lead frame)이며,
    상기 리드 프레임은 사출성형방법 또는 조립 방법 중 어느 하나의 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자.
KR1020060078395A 2005-09-28 2006-08-18 발광소자 KR100863612B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW094133671 2005-09-28
TW094133671A TWI274430B (en) 2005-09-28 2005-09-28 Light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070035951A KR20070035951A (ko) 2007-04-02
KR100863612B1 true KR100863612B1 (ko) 2008-10-15

Family

ID=37832775

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060078395A KR100863612B1 (ko) 2005-09-28 2006-08-18 발광소자

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20070069219A1 (ko)
JP (1) JP4825095B2 (ko)
KR (1) KR100863612B1 (ko)
DE (1) DE102006038099A1 (ko)
TW (1) TWI274430B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101028243B1 (ko) * 2010-04-01 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008154952A1 (de) * 2007-06-18 2008-12-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Elektronisches bauteil und verfahren zum herstellen eines elektronischen bauteils
KR100937136B1 (ko) * 2007-12-24 2010-01-18 (주)루미브라이트 복수의 패키지를 모듈화한 리드프레임을 이용한 발광다이오드 모듈
CN101621101A (zh) * 2008-06-30 2010-01-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其制造方法
KR100989579B1 (ko) 2008-12-26 2010-10-25 루미마이크로 주식회사 칩온보드형 발광 다이오드 패키지 및 그것의 제조 방법
US8269248B2 (en) * 2009-03-02 2012-09-18 Thompson Joseph B Light emitting assemblies and portions thereof
TWI483418B (zh) 2009-04-09 2015-05-01 Lextar Electronics Corp 發光二極體封裝方法
EP2346100B1 (en) * 2010-01-15 2019-05-22 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting apparatus and lighting system
KR101037508B1 (ko) * 2010-03-25 2011-05-26 안복만 엘이디 실장용 회로기판 및 이의 제조방법
DE102010023343A1 (de) * 2010-06-10 2011-12-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterkörper, Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterkörpers und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
US8253330B2 (en) * 2010-11-30 2012-08-28 GEM Weltronics TWN Corporation Airtight multi-layer array type LED
TWI414714B (zh) 2011-04-15 2013-11-11 Lextar Electronics Corp 發光二極體杯燈
CN102588762A (zh) * 2011-01-06 2012-07-18 隆达电子股份有限公司 发光二极管杯灯
CN102509761A (zh) * 2012-01-04 2012-06-20 日月光半导体制造股份有限公司 芯片构装
JP7231809B2 (ja) * 2018-06-05 2023-03-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN111584471B (zh) * 2020-05-12 2022-08-16 深圳雷曼光电科技股份有限公司 显示屏及其制造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040020240A (ko) * 2002-08-30 2004-03-09 엘지이노텍 주식회사 발광다이오드 램프 및 그 제조방법
JP2005101665A (ja) * 2004-11-05 2005-04-14 Shinken Chin フリップチップ式発光ダイオードの発光装置製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS592169A (ja) * 1982-06-29 1984-01-07 Fujitsu Ltd 3次元画像メモリ設定装置
JP2000006467A (ja) * 1998-06-24 2000-01-11 Matsushita Electron Corp 画像書込みデバイス
JP2002134793A (ja) * 2000-10-26 2002-05-10 Omron Corp 光素子用光学デバイス
JP2004055168A (ja) * 2002-07-16 2004-02-19 Ichikoh Ind Ltd Ledランプモジュール
US7091653B2 (en) * 2003-01-27 2006-08-15 3M Innovative Properties Company Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector
US7075225B2 (en) * 2003-06-27 2006-07-11 Tajul Arosh Baroky White light emitting device
JP2005071798A (ja) * 2003-08-25 2005-03-17 Seiko Epson Corp 照明装置、電気光学装置及び電子機器
TWI241042B (en) * 2004-03-11 2005-10-01 Chen-Lun Hsingchen A low thermal resistance LED device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040020240A (ko) * 2002-08-30 2004-03-09 엘지이노텍 주식회사 발광다이오드 램프 및 그 제조방법
JP2005101665A (ja) * 2004-11-05 2005-04-14 Shinken Chin フリップチップ式発光ダイオードの発光装置製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101028243B1 (ko) * 2010-04-01 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈

Also Published As

Publication number Publication date
US8017964B2 (en) 2011-09-13
US20070069219A1 (en) 2007-03-29
JP2007096320A (ja) 2007-04-12
TW200713635A (en) 2007-04-01
DE102006038099A1 (de) 2007-03-29
KR20070035951A (ko) 2007-04-02
US20090250717A1 (en) 2009-10-08
TWI274430B (en) 2007-02-21
JP4825095B2 (ja) 2011-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100863612B1 (ko) 발광소자
JP4122784B2 (ja) 発光装置
TWI528508B (zh) 高功率發光二極體陶瓷封裝之製造方法
JP5260049B2 (ja) 反射レンズを備えたパワー発光ダイパッケージ
JP5349755B2 (ja) 表面実装の発光チップパッケージ
AU2006254610B2 (en) Package structure of semiconductor light-emitting device
US20050199884A1 (en) High power LED package
JP2007180227A (ja) 光半導体装置およびその製造方法
JP2005158957A (ja) 発光装置
JP4910220B1 (ja) Ledモジュール装置及びその製造方法
WO2012050110A1 (ja) Ledモジュール
JP2005117041A (ja) 高出力発光ダイオードデバイス
JP2008502159A (ja) 反射レンズを備えたパワー発光ダイパッケージおよびその作製方法
US20070290307A1 (en) Light emitting diode module
WO2010050067A1 (ja) 発光素子パッケージ用基板及び発光素子パッケージ
US20070176182A1 (en) Structure for integrating LED circuit onto heat-dissipation substrate
JP2004207367A (ja) 発光ダイオード及び発光ダイオード配列板
US20130062656A1 (en) Thermally enhanced optical package
US20100084673A1 (en) Light-emitting semiconductor packaging structure without wire bonding
KR100665182B1 (ko) 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
US8427839B2 (en) Arrangement comprising an optoelectronic component
JP2008300542A (ja) 発光素子パッケージ用基板及び発光素子パッケージ
US10784423B2 (en) Light emitting device
JP2013254810A (ja) 貫通端子付き金属基板およびそれを用いた表面実装デバイス
KR101363980B1 (ko) 광 모듈 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120924

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130926

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140924

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160321

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160926

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180928

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190926

Year of fee payment: 12